TW388855B

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Publication number: TW388855B
Application number: TW087113719A
Authority: TW
Inventors: Ichio Yudasaka
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-08-21
Filing date: 1998-08-20
Publication date: 2000-05-01
Also published as: DE69829458D1; EP1505648A2; DE69829458T2; US20050170096A1; CN1155930C; KR20060079255A; EP1505648A3; CN1242854A; US6885148B2; US8159124B2; WO1999010862A1; CN100517424C; CN101068025B; US7364939B2; KR100627091B1; CN101068025A; JP3536301B2; CN1538364A; KR100707779B1; US6380672B1

Description

A7 B7 " — __ __ _____ - - -- - _____ 五、發明説明（1 ) 本發明係關於，以薄膜電晶體（以下簡稱TFT)驅

動控制，在有機半導體膜通過驅動電流時便會發光之E L (electroluminescence )元件，或 L E D (發光二極體）元件等之薄膜發光元件之主動矩陣型顯示裝置。有一種使用E L元件或L E D元件等之電流控制型發光元件之主動矩陣型顯示裝置。此型之顯示裝置所用之發光元件均可自行發光，因此與液晶顯示裝置不同，不需要有後照光（back light )，且有視野角度依賴性很少之優點〇經濟部中央標率局負工消費合作社印^ (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 第2 2圖係使用這類電荷注入型之有機薄膜E L元件之主動矩陣型顯示裝置之方塊圖。本圖所示之主動矩陣型顯示裝置1 A，在透明基板1 0上構成有；多數掃描線 g a t e ，在該掃描線g a t e之延設方向向交叉方向延設之多數資料線s i g，與該資料線s i g並聯之多數共同供電線c 〇m，以及，由資料線s i g及掃描線 g a t e形成爲矩陣狀之多數畫素。對資料線s i g及掃描線g a t e則構成資料側驅動電路3及掃描側驅動電路 4。在各個畫素7構成有，介由掃描線g a t e供應掃描信號之導通控制電路5 0，及依據介由此導通控制電路 5 0從資料線s i g供應之影像信號而發光之薄膜發光元件4 0。在此所示之導通控制電路5 0係由，介由掃描線 ga t e向閘極供應掃描信號之第1TFT20，用以保持介由此第1TFT20由資料線s i g供應之影像信號之保持電容c a p，以及，向閘極供應由此保持電容本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4現格（210X297公# )~~7^1 A7 五、發明説明（2 ) c a p所保持之影像信號之第2TFT3 0，所構成。第 2TFT3 0與薄膜發光元件4 0係串聯連接在後述之對向電極ο p與共同供電線c om之間。此薄膜發光元件 4 0在第2 TFT3 0成爲導通狀態時，會從共同供電線 c 〇 m流入驅動電流而發光，而此發光狀態則由保持電容 c a p保持一定期間。如第23圖及第24圖（A)、（B)所示，這種架構之主動矩陣型顯示裝置1 A之任一畫素7，均利用島狀之半導體膜形成第1TFT20與第2TFT30。第1 TFT2 0之閘極2 1構成爲掃描線g a t e之一部分。第1TFT20之源極、汲極領域之一方，介由第1層間絕緣膜5 1之接觸孔以電氣方式連接資料線s i g ’另一方則以電氣方式連接汲極22。汲極22向第2TFT 3 0之形成領域延設，而第2TFT3 0之閘極3 1則介由第1層間絕緣膜5 1之接觸孔，電氣方式連接在此延設部分。在第2 TFT3 0之源極、汲極領域之一方’介由第1層間絕緣膜51之接觸孔以電氣方式連接中繼電極 3 5 ，此中繼電極3 5則介由第2層間絕緣膜5 2之接觸孔，以電氣方式連接有薄膜發光元件4 0之畫素電極4 1 〇從第23圖及第24圖（B)、（C)可以看出’各畫素7均獨立形成有畫素電極4 1。在畫素電極4 1之上層順序堆積有機半導體膜4 3及對向電極〇 P °每一畫素 7形成有有機半導體膜4 3，但有時是跨越多數畫素7形請閱讀· 背之項存 % 本页 ¢1 f 經濟部中央標準局負工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X 297公# ) -5- A7 __B7 五、發明説明（3 ) 成爲條紋狀。對向電極ο P不僅形成在構成畫素7之顯示部1 1，亦形成在透明基板10之大致整個面上。再參照第23圖及第24圖（A)，在第2TFT 3 0之源極、汲極領域之另一方，介由第1層間絕緣膜 5 1之接觸孔，電氣方式連接有共同供電線c 〇m。共同供電線c om之延設部分3 9，對第2TFT3 0之閘極 3 1之延設部分3 6，夾著第1層間絕緣膜5 1作爲介電體膜而成面對面，而構成保持電容c a p。然而，上述主動矩陣型顯示裝置1 A與液晶主動矩陣型顯示裝置不相同，面向畫素電極4 1之對向電極ο ρ，在同一透明基板1 0上，與資料線s i g之間僅存在有第 2層間絕緣膜5 2，因此資料線s i g會產生很大之雜散電容，資料側驅動電路3之負荷很大。因此，本發明人等建議，如第2 2圖，第2 3圖，及第25圖（A)、（B)、（C)所示，在對向電極op 經漪部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背而之注項ίφ填寫本頁) 與資料線s i g等之間，配設厚絕緣膜（邊坡層b a n k /標示向左下方傾斜之較寬間隔之斜線之部分），以降低資料線s i g之雜散電容。同時建議，藉此絕緣膜（邊坡層b a n k )圍繞有機半導體膜4 3之形成領域，以防止利用噴墨頭吐出之液狀材料（吐出液）形成有機半導體膜 4 3時，吐出液向側方溢出》惟在採用這種構造時，若整個邊坡層b a n k均用原形無機材料構成，便會有成膜時間很長之問題。而形成厚無機材料之圖型時，有可能會成爲超蝕刻狀態而損傷到畫本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4规格（21〇Χ297々>1Γ5 · 6 - 經漓部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _B7 五、發明説明（4 ) 素電極4 1。另一方面，若用抗蝕劑等有機材料構成邊坡層bank，有機半導體膜43之與邊坡層bank接觸之部分會受到構成坡邊層b a n k之有機材料所含之溶劑成分等之影響，而有使有機半導體膜4 3劣化之慮。同時，若形成厚度大之邊坡層b a n k，會因邊坡層 b a n k之存在而形成很大之台階b b，而因此會有，形成在此邊坡層b a n k上層之對向電極ο p在上述台階 b b部分發生斷線之問題。若在這種台階b b部分發生對向電極〇 P之斷線，這部分之對向電極〇 P與周圍之對向電極〇 P成爲絕緣狀態，而發生顯示之點缺陷或線缺陷。而如果是沿著覆蓋資料側驅動電路3或掃描側驅動電路4 之表面之邊坡層b a n k外周緣，在對向電極〇 p發生斷線，顯示部1 1之對向電極ο P與端子1 2間會完全成爲絕緣狀態，而完全無法顯示。有鑑於上述問題點，本發明之課題是在提供，能夠在薄膜發光元件之有機半導體膜周圍會合適地形成厚型之絕緣膜，而不損傷到該薄膜發光元件之主動矩陣型顯示裝置〇同時，本發明之課題是在提供，在有機半導體膜之周圍形成厚度大之絕緣膜以抑制雜散電容時，形成在此厚絕緣膜上之對向電極也不會發生斷線等事故之主動矩陣型顯示裝置。爲了解決上述課題，本發明提供，在基板上有由多數掃描線；對該掃描線之延設方向成交叉之方向延設之多數本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枋（210X297公势Ί (t/i先閱讀背而之注意ψ·項#填寫本頁) 、π 經漪部中央標隼局負工消費合作社印褽 A7 ___ 137 五、發明説明（5 ) 資料線：以及’藉該資料線與上述掃描線形成爲矩陣狀之多數畫素構成之顯示部’各該畫素備有：含有介由上述掃描線將掃描信號供給閘極之薄膜電晶體之導通控制電路；以及’具備有每一畫素均有之畫素電極、堆積在該畫素電極上層之有機半導體膜、及堆積在該有機半導體膜上層之對向電極之薄膜發出元件；而上述薄膜發光元件則依據上述資料線經由上述導通控制電路供應之影像信號而發光之主動矩陣型顯示裝置’其特徵在於，上述有機半導體膜之形成領域，由較該有機半導體膜爲厚之絕緣膜所區劃，該絕緣膜備有：較上述有機半導體膜爲厚之無機材料構成之下層絕緣膜；及堆積在該下層絕緣膜上之有機材料構成之上層絕緣膜。在本發明’因爲對向電極至少是形成在顯示部之整個面上，成爲面向資料線之狀態，這種狀態對資料線會產生很大之雜散電容。而本發明因資料線與對向電極間存在有厚絕緣膜，因此可以防止在資料線有雜散電容。其結果，因爲可以降低資料側驅動電路之負荷，因此可以達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。同時，在形成厚絕緣膜時，若整個以無機材料膜來構成，則必須要有很長之成膜時間，因此生產性會降低。惟本發明係僅與薄膜發光元件之有機半導體膜接觸之下層絕緣膜是以無機材料構成，而在其上堆積抗蝕劑等有機材料構成之上層絕緣膜。這種有機材料構成之上層絕緣膜可以很容易形成厚絕緣膜，因此可提高生產性。而且此上層絕緣膜未接觸在有機半導體膜， (請先閱讀背而之注意事項再填寫本Π )

,1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4说格（210Χ297公# ) .β. A7 B7 _ 五、發明説明（6 ) 接觸有機半導體膜的是由無機材料構成之下層絕緣膜，因此有機半導體膜不會受到上層絕緣膜之影響而劣化。是故，薄膜發光文件不會發生發光效率下降或可靠性降低等問題。在本發明，上述上層絕緣膜最好是以較上述下層絕緣膜爲狹窄之寬度積層在該下層絕緣膜之內側領域。採這種雙層構造時，由有機材料構成之上層絕緣膜便不容易接觸到有機半導體膜，因此可以確實防止有機半導體膜之劣化〇經濟部中央標準局負工消费合作社印褽；--------U#A^.-- . I (請先閱讀背而之注意事項4填寫本頁) 如果是這種雙層構造，下層絕緣膜與上層絕緣膜也可均用無機材料構成。即，本發明之另一不同形態提供，在基板上有由多數掃描線、對該掃描線之延設方向成交叉之方向延設之多數資料線、以及，藉該資料線與上述掃描線形成爲矩陣狀之多數畫素構成之顯示部，各該畫素備有：含有介由上述掃描線將掃描信號供給閘極之薄膜電晶體之導通控制電路；以及，具備有每一個畫素均有之畫素電極、堆積在該畫素電極上層之有機半導體膜、及堆積在該有機半導體膜上層之對向電極之薄膜發光元件，而上述薄膜發光元件則依據從上述資料線經由上述導通控制電路供應之影像信號而發光之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述有機半導體膜之形成領域，係由較該有機半導體膜爲厚之絕緣膜所區劃，該絕緣膜備有，由無機材料構成之下層絕緣膜，及以較該下層絕緣膜爲狹窄之寬度堆積在該下層絕緣膜之內側領域之無機材料構成之上層絕緣膜。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公ϋ 經消部中央標率局K工消资合作社印製 A7 ______B7 _ 五、發明説明（7 ) 如此構成時，在形成應構成下層絕緣膜及上層絕緣膜之無機材料之膜後，先形成上層絕緣膜之圖型。這時，下層絕緣膜會發生蝕刻阻擋層之作用，因此，縱使多少有些超蝕刻，也不致於損傷到畫素電極。完成上述圖型之形成後’再形成下層絕緣膜之圖型。這時只是形成下層絕緣膜一層分之圖型，因此蝕刻之控制很容易，不會發生損及畫素電極之超蝕刻。本發明之上述導通控制電路最好備有，上述掃描信號供給閘極之第1 TFT，及介由該第1 TFT將閘極連接在上述資料線之第2TFT，該第2TFT與上述薄膜發光元件最好是串聯連接在，上述資料線與上述掃描線以外之別的供應驅動電流用之共同供電線，與上述對向電極之間。亦即，導通控制電路也可以用一個T F T與保持電容器構成，但若從提高顯示品質之觀點來講，各畫素之導通控制電路最好是由兩個T F T及保持電容器來構成。在本發明，上述絕緣膜以利用作爲，防止藉噴墨法在由該絕緣膜所區劃之領域內形成上述有機半導體膜時，吐出液體溢出之邊坡（b a n k)層較佳。如此，上述絕緣膜之膜厚度在1以上爲佳。在本發明，上述畫素電極之形成領域中，與上述導通控制電路之形成領域重疊之領域由上述絕緣膜覆蓋較佳。即在上述畫素電極之形成領域之中，僅在未形成上述導通控制電路之平坦部分將上述厚絕緣膜開口，而僅在其內側形成有機半導體膜較佳。如此構成時，可以防止起因於有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公分）-1〇~ (請先閲讀背而之注t'事項再填寫本页)

經漪部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7_______ 五、發明説明（8 ) 機半導體膜之厚度參差不一之顯示不均。同時’若有機半導體膜之厚度有較薄部分時，薄膜發光元件之驅動電流將集中於此，薄膜發光元件之可靠性會降低，但可以防止這些問題。而且，雖然形成有畫素電極，在與導通控制電路重叠之領域，縱使與對向電極間有驅動電流通過，使有機半導體膜發光，這些光線會被導通控制電路遮斷，對顯示沒有貢獻。在這些對顯示沒有貢獻之部分流通之驅動電流，從顯示之面來看，可說是無效電流。因此，本發明在本來應有這種無效電流通過之部分形成上述厚絕緣膜，防止在該處有驅動電流通過。其結果，在共同供電線流通之電流會變小，因此，若將共同供電線之寬度縮小相當於這些份量之寬度，則可增加發光面積，可以提高亮度，對比等之顯示特性。在本發明，若對上述絕緣膜所區劃之領域，使其角隅部分成圓形，便可以將有機半導體膜形成爲無銳角之角隅呈圓形之平面形狀。若是這種形狀之有機半導體膜，角隅部分不會有驅動電流集中，因此可以防止在這一部分因耐壓不足引起之事故。在本發明，若將上述有機半導體膜形成爲條紋狀時，上述絕緣膜中，上述下層絕緣膜係覆蓋在上述畫素電極之形成領域中之與上述導通控制電路之形成領域重叠之領域、上述資料線、上述共同供電線、以及上述掃描線上，另一方面，上述上層絕緣膜則沿著上述資料線呈條紋狀，而在由上述上層絕緣膜區劃成條紋狀之領域內，藉例如噴墨本紙張尺度適用中國國家標準（〇灿）八4规推（210乂 297公垃）-11~ (褚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -V、'1 經濟部中央標率局負工消f合作社印製 A 7 137 _ 五、發明説明（9 ) 法形成上述有機半導體膜。如此構成時，因爲導通控制電路由下層絕緣膜覆蓋，因此’各畫素中，僅形成在畫素電極之平坦部分之有機半導體膜對發光有貢獻。亦即，僅在畫素電極之平坦部分形成有薄膜發光元件。是故，有機半導體膜係以一定之膜厚度形成，不會發生顯示不均。同時可藉下層絕緣膜防止在對顯示無貢獻之部分流通驅動電流，因此亦有可防止在共同供電線流通無謂之電流之效果。而且，如此構成時，上述絕緣膜中，上述下層絕緣膜與上述上層絕緣膜重疊之部分，被利用作爲，藉噴墨法形成上述有機半導體膜時，防止吐出液溢出之邊坡層。如此利用作爲邊坡層時，上述下層絕緣膜與上述上層絕緣膜重叠之部分，其厚度最好在1 M m以上。而在本發明，上述絕緣膜備有，介由起因於該絕緣膜之沒有台階差之平坦部分，將相鄰接之各畫素之對向電極部分相互間連接起來之第1中斷部分爲佳。在本發明，若將上述絕緣膜形成爲厚膜，此絕緣膜會形成很大之台階差，形成在其上層之對向電極很可能會發生斷線。然而本發明係在厚絕緣膜之一定位置構成第1中斷部分，並使此部分成平坦狀。因此，各領域之對向電極可介由形成爲平坦部分成電氣方式相連接，因此，縱使起因於絕緣膜之台階差使此部分斷線，對向電極仍介由相當於絕緣膜之第1中斷部分之平坦部分確實成電氣方式連接在一起’因此不會有斷線之事故。因此，在主動矩陣型顯示裝置，雖然在有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格(210X297公犮）-12 - (誚先閱讀背而之注意事項#填约本1) ------ΐτ------ί----------„---Ί 經濟部中央標率局β工消费合作社印^ A 7 B7 五、發明説明（1〇 ) 機半導體膜之周圍形成厚絕緣膜以抑止雜散電容，絕緣膜上層所形成之對向電極不會發生斷線，因此可以提高主動矩陣型顯示裝置之顯示品質及可靠性。在本發明，若上述絕緣膜是沿著上述資料線及上述掃描線形成，藉此圍繞上述有機半導體膜之形成領域周圍時 ’最好在相當於，在上述資料線之延設方向相鄰接之畫素間，在上述掃描線之延設方向相鄰接之畫素間，或在該雙方之方向相鄰接之畫素間之部分，構成上述第1中斷部分〇而上述絕緣膜有時是沿著上述資料線延設成條紋狀，這時，也可以在該延設方向之至少一方之端部，構成上述第1中斷部分。在本發明，上述顯示部之周圍有，介由上述資料線供應資料信號之資料側驅動電路，及介由上述掃描線供應掃描信號之掃描側驅動電路，在設掃描側驅動電路及上述資料側驅動電路之上層也形成有上述絕緣膜，同時，在該絕緣膜在相當於上述掃描側驅動電路之形成領域，與上述資料側驅動電路之形成領域間之位置，備有，介由起因於該絕緣膜之無台階差之平坦部分，將上述對向電極連接在上述顯示部側及基板外周側之第2中斷部分較佳。如此構成時，縱使沿著覆蓋資料側驅動電路或掃描側驅動電路表面之絕緣膜之外周緣，在對向電極發生斷線，顯示部側之對向電極與基板外周側之對向電極仍可介由起因於該絕緣膜之無台階差之平坦部分相連接，確保顯示部側之對向電極 ----------------訂------#v - I (婧先閱讀背而之注^^項再填，¾本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格(210X297公1 ) - 13 - A7 137 五、發明説明（11 ) 與基板外周側之對向電極間之電氣連接。在本發明，上述中斷部可以採，構成上述絕緣膜之上述下層絕緣膜及上述上層絕緣膜之雙方均中斷之架構，或構成上述絕緣膜之上述下層絕緣膜與上述上層絕緣膜中，僅上層絕緣膜中斷之架構之任一方。茲參照附圖，說明本發明之實施形態如下。再者，在以下之說明，與參照第2 2圖至第2 5圖說明之構成要素相同之部分標示同一記號。〔實施形態1〕 (整體架構）第1圖係主動矩陣型顯示裝置之整體配置之模式方塊圖。第2圖係抽出其中之一個畫素來表示之平面圖，第3 圖（A)、（B)、（C)分別爲第2圖之A — A—截面圖，B-B<截面圖，及C — 截面圖。經濟部中央標準局負工消f合作社印聚 (請先閲讀背面之注意事項#填涔本頁) 在第1圖所示之主動矩陣型顯示裝置，其基本之透明基板1 0之中央部分爲顯示部1 1。在透明基板1 0之外周部分中，資料線s i g之端部構成有輸出影像信號之資料側驅動電路3，掃描線g a t e之端部構成有輸出掃描信號之掃描側驅動電路4。在此等驅動電路3、4，由N 型之TFT及P型之TFT構成相輔型TFT，此相輔型 TFT則構成移位暫存器電路、位準移位電路、類比開關電路等。顯示部11則與液晶主動矩陣型顯示裝置之主動矩陣基板一樣，在透明基板10上構成，多數掃描線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公犮）.λα _ ' Λ7 _______137 五、發明説明（12 ) g a t e ’對該掃描線g a t e之延設方向之交叉方向延設之多數資料線s i g，以及’由資料線s ( g及掃描線 gate形成爲矩陣狀之多數畫素7。 · 在各個畫素7構成有，介由掃描線g a t e供應掃描信號之導通控制電路5 0，及依據從資料線s i g介由此導通控制電路5 0供應之影像信號而發光之薄膜發光元件 4 0 °在此所示之例子，導通控制電路5 〇係由，介由掃描線ga t e向閘極供應掃描信號之第1TFT20，保持從資料線s i g介由此第1 TFT 2 0供應之影像信號之保持電容c a p，以及，向閘極供應由此保持電容 cap保持之影像信號之第2TFT30，所構成。第2 T F T 3 0與薄膜發光元件4 0係成串聯狀連接在後述之對向電極ο p與共同供電線c om之間。再者，此保持電容c a p除了形成在共同供電線c 〇m之間外，也可以形成在與掃描線g a t e並聯之電容線之間。在這種架構之主動矩陣型顯示裝置1 ，如第2圖及第 3圖（A)、（B)所示，任一畫素7均利用島狀之半導經漪部中央標率局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本页) 體膜（矽膜），形成第1TFT20與第2TFT30。第1TFT20之閘極2 1成爲掃描線ga t e之一部分。第1TFT2 0在源極、汲極領域之一方，介由第 1層間絕緣膜5 1之接觸孔，電氣方式連接有資料線 s i g，另一方則以電氣方式連接有汲極22。汲極2 2 係向第2 T F T 3 0之形成領域延設，而在此延設部分，介由第1層間絕緣膜5 1之接觸孔，以電氣方式連接第2 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS > Λ4現& ( 210X 297公'-15- ~ 經濟部中央橾準局貝工消f合作社印製 A7 H7_____ 五、發明説明（13 ) TFT30之閘極31。在第2TFT3 0之源極、汲極領域之一方，介由第 1層間絕緣膜5 1之接觸孔，以電氣方式連接與資料線 s i g同時形成之中繼電極3 5，而在此中繼電極3 5，則介由第2層間絕緣膜5 2之接觸孔，電氣方式連接有由薄膜發光元件4 0之I T〇（Indium Tin Oxide )膜形成之透明畫素電極41。從第2圖及第3圖可以看出，各畫素7均獨立形成有畫素電極41。在畫素電極41之上層依序堆積PPV( Poly-Phenylene Venylene )等之有機半導體膜4 3，及含鋰之鋁或鈣等之金屬膜所構成之對向電極〇 P，而構成薄膜發光元件4 0。在此所示之例子，有機半導體膜4 3係形成在各畫素7，但如後述，有時亦跨越多數畫素7形成爲條紋狀。對向電極〇 P係形成在整個顯示部1 1，及至少形成在有端子1 2部分之周圍以外之領域。此端子1 2含有，利用與對向電極〇 P同時形成之配線（未圖示）所形成之電氣方式連接對向電極op之端子。薄膜發光元件4 0可以採，設正孔注入層以提高發光效率（正孔注入率）之構造，設電子注入層以提高發光效率（電子注入層）之構造，或形成正孔注入層及電子注入層雙方之構造。再參照第2圖及第3圖（A)，在第2TFT30之源極、汲極領域之另一方，介由第1層間絕緣膜5 1之接觸孔，以電氣方式連接共同供電線c om。共同供電線本紙張尺度適用中國國家標準<(：奶>八4%梢（2丨0><297公^—~Γΐ6^ : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經潢部中央標枣局只工消費合作社印裝 A7 U7 五、發明説明（14 ) c om之延設部分3 9，夾著當作介電體膜之第1層間絕緣膜51，面向第2TFT30之閘極31之延設部分 3 6，構成保持電容c a p。保持電容c a p除了形成在共同供電線c om之間外，也可以形成在與掃描線 g a t e並聯之電容線之間，或利用第1 TFT20之汲極領域及第2TFT30之閘極3 1，構成保持電容 cap。在如此構成之主動矩陣型顯示裝置1 ，由掃描信號選擇而第1TFT20成爲導通狀態時，從資料線s i g之影像信號便經由第1 TFT 2 0加在第2 TFT 3 0之閘極3 1，同時經由第1TFT2 0將影像信號寫入保持電容cap。其結果，第2TFT30變成導通狀態時，分別以對向電極ο P及畫素電極4 1作爲負極及正極，加上電壓，在施加電壓超過門檻値之領域，流通有機半導體膜 4 3之電流（驅動電流）會急激增大。因此，發光元件 4 0則成爲E L元件，或L ED元件而發光，發光元件 4 0之光線由對向電極ο p反射，通過透明之畫素電極 4 1及透明基板1 〇而射出》要進行這種發光之驅動電流係經由對向電極op，有機半導體膜4 3，畫素電極4 1 ’第2TFT30，及共同供電線com所構成之電流路徑流通，因此當第2 TFT 3 0成爲截斷狀態時，便不會流通》但第2TFT3 0之閘極在第1 TFT2 0成爲截斷狀態時’仍可藉保持電容c a p保持在相當於影像信號之電位，因此第2 TFT 3 0保持在導通狀態。因之，在本紙張尺料财 ® 财縣（CMS ) ( 210χ297.>ηΠ ' * I . I * 訂 I VI - I (請先閱讀背而之注意事項典填·"本页) 經满部中央標準局貝工消f合作杜印裝 A7 _ Ιί 7 五、發明説明（15 ) 發光元件4 0繼續有驅動電流流通，此畫素則維持點亮狀態。這種狀態會維持到在保持電容c a p寫入新的影像資料，第2TFT3 0成爲截斷狀態爲止。 (邊坡層之構造）在如此構成之主動矩陣型顯示裝置1 ，本形態爲了防止在資料線s i g形成很大之雜散電容，而如第1圖，第之圖及第3圖（A)、（B)、（C)所示，沿著資料線 s i g及掃描線g a t e，配設較有機半導體膜4 1厚之絕緣膜（邊坡層b a n k/以向左下方之一條或兩條一組之寬間隔斜線標示之領域），而在此邊坡層bank之上層形成對向電極0 p。亦即，因爲在資料線S i g與對向電極ο p之間有第2層間絕緣膜5 2與厚邊坡層b a n k 存在，因此資料線s i g之雜散電容極小。因之，可以降低驅動電路3、 4之負荷，達成低消耗電力化或顯示動作之高速化》邊坡層b a n k係由，較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜61，及堆積在此下層絕緣膜61上之抗蝕膜或聚醢胺膜等之有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。而有機半導體膜 4 1、下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜6 2之厚度分別爲， 0.05 仁 m 〜〇.2#m、0.2//m 〜l.〇#m、及 1 〜2ym。採這種雙層構造，因上層絕緣膜6 2由容易形成厚膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4坭格（210X 297^.1 一―' (請九閲讀背而之VX意事項再填将本页) 4衣------1T------- 經滴部中央標挲局员工消资合作社印52 A7 H7 五、發明説明（16 ) 之抗蝕膜或聚醯胺膜構成’因此’僅下層絕緣膜6 1可以用無機材料構成。因此，與整個邊坡層b a n k用無機材料構成時不同，不必花很長時間藉P E C VD法成膜。因之，可以提高主動矩陣型顯示裝置1之生產性》同時，若採這種雙層構造，有機半導體膜4 1接觸在無機材料形成之下層絕緣膜6 1，但未接觸到有機材料形成之上層絕緣膜6 2。因此，有機半導體膜4 1不會受到由有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，薄膜發光元件4 0不會發生發光效率降低或可靠性降低等問題。又從第1圖可以知道，透明基板1 0之周邊領域（顯示部1 1之外側領域）也形成有邊坡層b a n k，因此資料側驅動電路3及掃描側驅動電路4也由邊坡層b a n k 覆蓋。對向電極o p至少必須形成在顯示部1 1 ，不必形成在驅動電路領域。惟，對向電極〇 p通常是藉掩蔽濺射法形成，對準精確度不佳，對向電極〇 p與驅動電路有時會重疊。而本形態則，縱使對向電極〇 p重疊在此等驅動電路之形成領域，驅動電路之配線層與對向電極〇 p之間有邊坡層b a n k層存在。因此，可以防止驅動電路3、 4有雜散電容，因而得減輕驅動電路3、 4之負荷，可以達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。而且，本形態在畫素電極4 1之形成領域中，導通控制電路5 0之與中繼電極3 5重疊之領域亦形成有邊坡層 b a n k。因此，與中繼電極3 5重叠之領域未形成有有機半導體膜4 3。即，在畫素電極4 1之形成領域中，僅 > * C ml I I 訂— I ~ - · (对先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙if*·尺度適用中國囷家榡丰（CNS ) Λ4%估（2丨0X297公$ ) _ 1Q. 經漓部中央標挲扃另工消资合作社印奴 Α7 Η7 五、發明説明（17 ) 在平坦部分形成有機半導體膜4 3，因此有機半導體膜 4 3有一定之膜厚度，不會發生顯示不均。而若有機半導體膜4 3有較薄部分時，薄膜發光元件4 0之驅動電流便集中在比較薄部分，薄膜發光元件4 0之可靠性會降低，但可以防止這種問題。而如果與中繼電極3 5重疊之領域沒有邊坡層b a n k，這一部分也會在與對向電極ο p之間流通驅動電流，使有機半導體膜4 3發光。惟，這些光線是被夾在中繼電極3 5與對向電極〇 P之間，不會射出外部，對顯示沒有貢獻。在這種對顯示沒有作用之部分流通之驅動電流，從顯示之觀點來講可以說是無效電流。而本發明是在本來會有這種無效電流流通之部分形成邊坡層 b a n k，防止在這一部分有電流流通，因此可以防止共同供電線c om有無效電流流通。是故，共同供電線 c 〇 m之寬度可以減少這些份量》其結果，可以增加發光面積，可以提高亮度，對比等之顯示性能。再者，如果用黑色之抗蝕膜形成邊坡層b a n k，邊坡層b a n k便會有黑色矩陣之功能，對比等之顯示品質會提昇。亦即，本形態之主動矩陣型顯示裝置1 ，對向電極ο P在透明基板1 0之表面，形成在畫素7之整面上，因此，對向電極〇 P之反射光會降低對比。惟，若以黑色之抗蝕膜構成擔負防止雜散電容之功能之邊坡層b a n k ，邊坡層b a n k便會具備黑色矩陣之功能，可遮斷對向電極〇 P之反射光，因此可以提高對比。本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規彳Μ 2丨0X297公筇）.20 (請先閱讀背而之注意事項#填本頁) ------訂-----Ί

—命'<----------：---Γ I 經满部中央標窣局貝工消资合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（18 ) (主動矩陣型顯示裝置之製造方法）

如此構成之邊坡層b a n k係圍繞著有機半導體膜 4 3之形成領域，因此在主動矩陣型顯示裝置之製造過程中，可以在藉從噴墨頭吐出之液狀材料（吐出液）形成有機半導體膜4 3時，阻擋吐出液，防止吐出液在側部溢出。再者，在以下所說明之主動矩陣型顯示裝置1之製造方法，到在透明基板1 0上製造第1 TFT2 0及第2 TF T 3 0之這一段過程，與製造主動矩陣型顯示裝置之主動矩陣基板大致上相同，因此參照第3圖（A)、 (B )、（C)，簡單說明其槪要。首先對透明基板10，視需要，以TEOS ( Tefraethoxy silane )或氧氣作爲原料氣體，藉電欺CVD 法，形成由厚度約2 0 0 0〜5 0 0 0 A之矽氧化膜形成之底材保護膜（未圖示）後，再藉電漿CVD法在底材保護膜之表面，形成厚度約3 0 0〜7 0 0 A之無定形矽膜形成之半導體膜。然後對無定形矽膜構成之半導體膜進行雷射退火，或固相成長法等之結晶化過程，使半導體膜結晶化成聚矽膜。然後，形成半導體膜之圖型使成島狀之半導體膜，在其表面’使用T E 0 S或氧氣等作爲原料氣體，藉電漿 CVD法，形成厚度約6 0 0〜1 5 0 0 A之矽氧化膜或氮化膜構成之閘極絕緣膜5 7 » 然後，藉濺射法形成由鋁、鉅、鉬、鈦、鎢等之金靥膜構成之導電膜後，形成圖型，形成閘極2 1、3 1及閘本紙張尺度適用中國國家摞举（CNS ) ( 210Χ29ϋΊ -21 - ----------rA------訂------^,} -m (誚先閲讀背而之注意事項孙填寫本頁) A7 ____ 1Π 五、發明説明（19 ) 極31之延設部分36 (閘極形成過程）。在本製程亦同時形成掃描線gate。在此狀態下，打入高濃度之磷離子，對蘭電極2 1、 3 1以自已匹配方式形成源極、汲極領域。再者，未導入雜質之部分成爲通道領域。然後，在形成第1層間絕緣膜5 1後，再形成各接觸孔’接著形成資料線s i g，汲極2 2、共同供電線 c om、共同供電線c om之延設部分3 9 ,及中繼電極 35 »其結果形成第1TFT20，第2TFT30，及保持電容c a p » 然後形成第2層間絕緣膜5 2，在此層間絕緣膜之相當於中繼電極3 5之部分形成接觸孔。再者，在第2層間絕緣膜5 2之整個表面形成I TO膜後，形成圖型，對每一個畫素7形成介由接觸孔電氣方式連接在第2 TFT 3 0之源極、汲極領域之畫素電極4 1。然後在第2層間絕緣膜52之表面，藉P E CVD法等’形成無機材料構成之膜（形成下層絕緣膜6 1用之無機膜）後，沿著掃描線g a t e及資料線s i g形成抗蝕膜（上層絕緣膜62)。然後，以此抗蝕膜當作掩蔽，在無機材料構成之膜形成圖型，而形成下層絕緣膜6 1。如此形成下層絕緣膜6 1時，因下層絕緣膜6 1很薄，因此不會發生超蝕刻。因此，畫素電極4 1不會損傷。進行這種蝕刻製程時，無機材料構成之膜會沿著掃描線g a t e及資料線s i g殘留下來，而形成下層絕緣膜本纸尺度適用中國國家標iM CNS 1 Γ22~ (請先閱讀背而之注意事項#4Κ本頁)

經泊部中央標率局月工消費合作社印鉍 A 7 ___B7 五、發明説明（2〇 ) 6 1。如此形成由下層絕緣膜6 1與上層絕緣膜6 2構成之雙層構造之邊坡層b a n k。這時，沿著資料線s i g 留下來之抗蝕膜部分之寬度要較寬以覆蓋共同供電線 c 〇m。其結果，應形成發光元件4 0之有機半導體膜 4 3之領域將由邊坡層b a n k所圍繞。然後，在由邊坡層b a n k區劃成矩陣狀之領域內，利用噴墨法形成對應R、 G、 B之各有機半導體膜43。此方法是從噴.墨頭，對邊坡層b a n k之內側領域吐出構成有機半導體膜4 3用之液狀材料（前驅體/吐出液），會其固著在邊坡層b a n k之內側領域，以形成有機半導體膜4 3。因爲邊坡層b a n k之上層絕緣膜6 2係由抗蝕膜或聚醯胺膜所構成，因此具有撥水性。對此，有機半導體膜4 3之前驅體是使用撥水性之溶媒，因此，有機半導體膜4 3之塗敷領域可確實由邊坡層b a n k加以規定，不會溢出到鄰接之畫素7。因之，可以僅在一定領域內形成有機半導體膜4 3等》在此製程中，由噴墨頭吐出之前驅體因表面張力之影響會鼓出約2 至約4 之厚度，因此，邊坡層 b a n k需要有約1 /zm〜約3 /zm之厚度。在此狀態下，由噴墨頭吐出之前驅體成爲接觸在上層絕緣膜6 2之狀態，但經過1 0 0 °C〜1 5 0 °C之熱處理後，便可以從前驅體去除溶媒成分，因此，固著在邊坡層b a n k內側之有機半導體膜43之厚度爲大約0 . 〇5//m〜0 . 2 jczm。因之，在此狀態下，有機半導體膜4 3不會接觸到本紙張尺度適用中國國家樣·準（CNS ) Λ4現格(210X2^^1 ^23~- ~ 1§ n I — I— I I I n ^ I n u I - - (請先閲讀背而之注意事項再填寫本页) 經漪部中央標率趵只Η消负合竹社印t A7 B7 五、發明説明（21 ) 上層絕緣膜6 2。再者，由邊坡層b an k構成之隔壁有1 以上之高度時，縱使不具撥水性，該邊坡層b a n k仍有充分之隔壁之功能。形成如此厚之邊坡層時，以塗敷法代替噴墨法形成有機半導體膜4 3時，仍可規定其形成領域。然後在透明基板10之大致整個面上形成對向電極〇 p 〇依據這種製造方法時，可以在一定領域利用噴墨法形成對應R、G、B之各有機半導體膜4 3，因此能以很高之生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1。再者，第1圖所示之資料側驅動電路3或掃描側驅動電路4亦會形成TFT，此等TFT係援用在上述畫素7 形成T F T之製程之全部或一部分來進行。因此，構成驅動電路之T F T也形成在與畫素7之T F T之同一層間。而上述之第1 TFT2 0及第2TFT3 0之雙方均爲N 型，均爲P型，或一方爲N型，另一方爲P型均可，但不論是那一種組合，均可藉習知之方法形成T F T ’其說明從略。〔實施形態2〕第4圖（A )、（ B )、（ C )分別爲本形態之主動矩陣型顯示裝置之相當於第2圖之A - A ’線，B — B — 線及C_ C /線之位置之截面圖。再者，本形態與實施形態1之基本架構相同’因此共同部分在第4圖標示同一記 ^紙張尺度適用中國國家#準（( 210X 297^'^ ) .~24~ (¾先閱讀背而之注意事項#4寫本頁) 1¾. 訂^li-----------：---；-- 經漪部中央櫺搫局貝工消贽合作社印鉍 A7 ____ H7 ____ 五、發明説明（22 ) 號，詳細說明從略。同時，因爲本形態之主動矩陣型顯示裝置之邊坡層b a n k之形成領域與實施形態1相同，因此同樣參照第1圖及第2圖進行說明。本形態也是爲了防止在資料線s i g產生很大之雜散電容，而如第1圖、第2圖、第4圖（A)、（B)、( C)所示，沿著資料線sig及掃描線gate，配設較有機半導體膜4 1爲厚之絕緣膜（邊坡層b a n k/以較寬之間隔標示向左下方之一條或2條爲一組之斜線之領域 )，在此邊坡層bank之上層形成對向電極op^ 在此，邊坡層b a n k是由較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等無機材料形成之下層絕緣膜61 ，及堆積在此下層絕緣膜61上之抗蝕膜或聚醯胺膜等有機林料形成之上層絕緣膜6 2所構成這一點，與實施形態 1相同。從第4圖（A )、（ B )、（ C )可以看出，本形態之有機材料構成之上層絕緣膜61係以較無機材料構成之下層絕緣膜6 1爲窄之寬度，堆積在此下層絕緣膜6 1之內側領域。例如，上層絕緣膜6 1與畫素電極4 1之重曼部分之寬度爲1 /zm〜3Adm，下層絕緣膜6 1與上層絕緣膜6 2之間有一邊1 μιη〜5 //m之偏差。因此，邊坡層b a n k係成寬度不一樣之下層絕緣膜6 1與上層絕緣膜6 2積層而成之雙層構造。若採這種雙層構造，由於上層絕緣膜6 2係用形成厚膜較容易之抗触膜或聚醯胺膜所構成，因此僅下層絕緣膜6 1用無機材料即可。因之，與本紙張尺度適用中國固家樣專（CNS ) ϋ怵（21〇Χ2ϋ；Π~~ (讀先閱讀背而之注意事項再填寫本Π ) 、1Τ 經於部中央榡準局月工消费合作杜印製 Λ7 Η 7 五、發明説明（23 ) 整個厚邊坡層b a n k均用無機材料構成時不同，不必花很長時間用P E CVD法等形成無機材料之膜。因之可以提高主動矩陣型顯示裝置1之生產性。同時，若採這種雙層構造，有機半導體膜4 1是接觸在無機材料構成之下層絕緣膜6 1，但並未接觸到上層絕緣膜6 2 »而且，上層絕緣膜6 2係形成在下層絕緣膜6 1之內側，因此有機半導體膜4 3不易接觸到上層絕緣膜6 2。因之可以確實防止受到有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響使有機半導體膜4 1劣化，薄膜發光元件4 0不會有，發光效率降低或可靠性降低等情事。其他結構與實施形態1相同。在此，任一畫素7均由邊坡層b a n k圍繞。因此可以利用噴墨法在一定之領域形成對應R、G、B之各有機半導體膜4 3，因此能夠以很高之生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1，可收到與實施形態1同樣之效果。要形成這種構造之邊坡層b a n k時，可藉 P E CVD法等在第2層間絕緣膜5 2之表面形成無機材料之膜（形成下層絕緣膜6 1用之無機膜）後，使其沿著掃描線g a t e及資料線s i g殘留下來，以形成下層絕緣膜6 1後，去除形成此圖型時之抗蝕膜，然後在下層絕緣膜61之上層形成寬度較窄之抗蝕膜或聚醯胺膜之上層絕緣膜6 2即可。如此，藉形成圖型來形成下層絕緣膜 6 1時，因爲下層絕緣膜6 1很薄，因此不會發生超蝕刻。因此，畫素電極41不會受到損傷。 (请先聞讀背而之注意事項#填，?5本页)

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*1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現枯（210X297公筇） -26- Λ7 137 五、發明説明（24 ) 〔實施形態3〕本形態之主動矩陣型顯示裝置1只是構成邊坡層 b a n k之材料與實施形態2不一樣，其架構與實施形態 2相同。因此，共同部分標示同一記號，詳細說明從略。並與實施形態2同樣，參照第1圖、第2圖及第4圖說明如下。本實施形態也同樣，爲了防止在資料線s i g有很大之雜散電容，如第1圖、第2圖、第4圖（A)、 ( B ) 、（C)所示，沿著資料線s i g及掃描線ga t e配設較有機半導體膜4 1厚之絕緣膜（邊坡層b a n k )，在此邊坡層b a n k之上層形成對向電極〇 p。邊坡層b a n k係由較有機半導體膜4 1爲厚之矽氮化膜等無機材料形成之下層絕緣膜6 1、及堆積在此下層絕緣膜61上之矽氧化膜等無機材料形成之上層絕緣膜 6 2所構成。採這種雙層構造時，有機半導體膜4 3並未接觸到有機材料，因此不會受到有機材料之影響而劣化。因之，薄膜發光元件4 0不會發生發光效率降低，或可靠性降低等情事。在此，上層絕緣膜6 1係以較下層絕緣膜6 1爲狹窄之寬度堆積在此下層絕緣膜6 1之內側領域。因此，邊坡層b a n k係堆疊寬度不相同之下層絕緣膜6 1“與上層絕緣膜6 2之顰層構造。要形成這種雙層構造之邊坡層b a n k時，可在依次 (i/ί先閱讀背而之注意事項再填寫本页) --0 經消部中央標準局只工消费合作社印狀本紙張尺度適用中國國家榡率（CNS ) Λ4坭怙（210X2〔;7公幼> 27- A7 B7 —_____^ 五、發明説明（25 ) 形成應構成下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜6 2之無機材料 (矽氮化膜及矽氧化膜）後，先形成上層絕緣膜6 2之^| 型。這時，下層絕緣膜6 1會產生蝕刻阻擋膜之作用，因此有一些超蝕刻，也不致於傷到畫素電極4 1。完成上_ 圖型之形成後，再形成下層絕緣膜6 1之圖型。這時只是蝕刻下層絕緣膜6 1之一層分，因此蝕刻控制很容易，不會發生損及畫素電極41之超蝕刻。其他架構與實施形態1、 2相同。因此，任一畫素7 J-s 均由邊坡層b a n k所圍繞。因而可以利用噴墨法在一·定領域形成對應R、G、B之各有機半導體膜4 3 ’因而可收到以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1等，與實施形態1相同之效果。〔實施形態1、 2、 3之變形例子〕經济部中火榡挲局只工消费合作社印製再者，上述形態係沿著資料線s i g及掃描線 g a t e形成邊坡層b a n k，因而是以邊坡層b a n k 將各畫素7區劃成矩陣狀之架構，但亦可僅沿著資料線 s i g形成邊坡層b a n k。這時亦可在用邊坡層 b a n k區劃成條紋狀之領域內，利用噴墨法條紋形成對應R、G、B之各有機半導體膜4 3，因此能夠以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1。同時，上述形態之由邊坡層b a n k區劃之領域之角隅部各均呈角形，但若令其呈圖形’便可以將有機半導體膜4 3形成爲沒有銳角之圓滑之平面形狀。若是這種形狀本紙張尺度適用中國园象標隼（CNS ) Λ4悅彳M 210X?97':.V# ) -28- 經漓部中央標挲局只工消費合竹社印裝 A7 ____Η 7 五、發明説明（26 ) " 之有機半導體膜4 3，角部分不會有驅動電流集中，因此可以防止在這一部分發生耐壓不足等之不妥情事。〔實施形態4〕本形態之主動矩陣型顯示裝置1之基本架構與實施形態1至3相同，因此同樣參照第1圖進行說明，而共同之部分將標示同一記號，說明從略。第5圖係抽出本形態之主動矩陣型顯示裝置之一個畫素加以表示之平面圖。第6圖（A)、（B)、（C)分別爲第5圖之A-A—截面圖、B — 截面圖、及c~ C —截面圖。本形態係如以下所說明，令下層絕緣膜6 1與上層絕緣膜6 2成部分重疊，並分別發揮不同之功能。亦即，本形態亦如第1圖所示，構成有多數掃描線g a t e，對該掃描線g a t e之延設方向成交叉之方向延設之多數資料線s ig ’與該資料線s i g並聯之多數共同供電線 com’以及’由資料線s i g與掃描線ga t e形成爲矩陣狀之多數畫素7。在本形態係如第5圖及第6圖所示，下層絕緣膜6 1 覆蓋畫素電極4 1之形成領域中，與導通控制電路5 〇之形成領域重疊之領域、資料線s i g、共同供電線c 〇m 、及掃描線ga t e。對此，上層絕緣膜62係僅成條紋狀形成在下層絕緣膜6 1之形成領域中之沿資料線s i g 之部分。而在由此上層絕緣膜6 2區劃成條紋狀之領域內本紙張尺度適用中國國家m CNS ) 2ΙΟΧ2<^ϋ —5~一729^ ' ----^-------- ， · (請先W讀背而之注意事項#填巧本頁)

>1T 經漓部中央標擎局另工消费合作社印裝 A7 Η 7 五、發明説明（27 ) 形成有機半導體膜4 3。如此構成時亦可在利用噴墨法形成有機半導體膜4 3 時，將下層絕緣膜6 1與上層絕緣膜6 2重疊之部分，利用作爲防止吐出液溢出之邊坡層b a n k，同時將有機半導體膜4 3形成爲條紋狀。因之，本形態將下層絕緣膜 6 1與上層絕緣膜6 2重®的部分構成爲，厚度1 以上。如此構成時，也因爲在資料線s i g與對向電極op 間有第2層間絕緣膜5 2與厚邊坡層b a n k (下層絕緣膜61與上層絕緣膜62)，因此，資料線si g之雜散電容極小。因此可以減輕驅動電路3、 4之負荷，可以達成低消耗電力化，或顯示動作之高速化。同時是將有機半導體膜4 3形成爲條紋狀，但因畫素電極4 1之形成領域中與導通控制電路5 0之形成領域重疊之領域，及掃描線g： a t e是被下層絕緣膜6 2覆蓋，因此各畫素7中，僅形成在畫素電極4 1之平坦部分之有機半導體膜4 3對發光有貢獻。亦即，僅在畫素電極4 1 之平坦部分形成有薄膜發光元件4 0。因此，有機半導體膜4 3形成爲一定之厚度，不會發生顯示不均或驅動電流之集中。同時，藉下層絕緣膜6 1防止驅動電流流過對顯示沒有作用之部分，因此也有可以防止在共同供電線 c 〇 m流通無謂之電流之效果。在此，如果下層絕緣膜6 1用較有機半導體膜4 1厚之矽氧化膜或矽氮化膜等無機材料構成，上層絕緣膜6 2 本紙張尺度適用中囡國家栉參(CNS)A4^ ( 210X297^ 7^〇~. ： (請先閱讀.背而之注意市項再填寫本β )

經涑部中央桴泠局貝工消於合作社印裝 Λ7 _ B7 五、發明説明（28 ) 用抗蝕膜或聚醯胺膜等之有機材料構成，則只要下層絕緣膜6 1用無機材料構成即可。因之，與整個厚邊坡層 b a n k用無機材料構成時不同，不必花很長的時間藉 P E C VD法等形成無機材料之膜。因此可以提高主動矩陣型顯示裝置1之生產性。而採這種雙層構造時，有機半導體膜4 1是接觸在無機材料構成之下層絕緣膜6 1，並未接觸在有機材料構成之上層絕緣膜6 2。因爲有機半導 .體膜4 1不會受到由有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，因此，薄膜發光元件4 0不會發生發光效率下降，或可靠性降低等情事，可收到與實施形態1相同之效果。對此，以較有機半導體膜4 1厚之矽氮化膜等之無機材料構成下層絕緣膜6 1，以堆積在此下層絕緣膜6 1上之矽氧化膜等之無機材料構成上層絕緣膜6 2時，因爲有機半導體4 3未接觸到有機材料，因此不會受到有機材料之影響而劣化。因此薄膜發光元件4 0不會發生發光效率之下降或可靠性之降低。同時，上層絕緣膜6 1係以較狹窄之寬度堆積在下層絕緣膜6 1之內側領域，因此，形成上層絕緣膜6 2之圖案時，下層絕緣膜6 1可以產生蝕刻阻擋膜之功能等，可以收到與實施形態3相同之效果。〔實施形態5〕第7圖係以模式方式表示主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第8圖係抽出其中之一個畫素所表示之平本紙张尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規梠（210Χ；^7'公处）-31 - ~~ 1 訂 - ♦ (对先閱讀背而之注意事項再填荇本I) 經斌部中央標??-局只工消资合作社印鉍 A7 B7 五、發明説明（29)

面圖。第9圖（A)、（B)、（C)分別爲第8圖之A 一 A —截面圖、B — B /截面圖、及C — C #截面圖。再者，本形態之基本架構與實施形態1相同，共同之部分標示同一記號，其說明從略。本形態之主動矩陣型顯示裝置1也沿著資料線s i g 及掃描線g a t e配設較有機半導體膜4 1爲厚之絕緣膜 (邊坡層b a n k )，在此邊坡層b a n k之上層形成對向電極ο p »即，在資料線s i g與對向電極〇 p之間有第2層間絕緣膜5 2與厚邊坡層b a n k存在，因此資料線s i g之雜散電容很小。因此可以減輕驅動電路3、4 之負荷，達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。邊坡層b a n k係由，較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜61、及堆積在此下層絕緣膜61上之抗蝕膜或聚醯胺膜等之有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。有機半導體膜 4 1、下層絕緣膜6 1、及上層絕緣膜6 2之膜厚度分別爲 0 . 05vm 〜〇 · 2//m、〇 · 2/zm 〜1 . 〇/zm ，及1 //m〜2 。因此，有機半導體膜4 1係與無機材料構成之下層絕緣膜6 1相接觸，但未接觸在有機材料構成之上層絕緣膜6 2。由於有機半導體膜4 1不會受到有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，因此，薄膜發光元件4 0不會發生發光效率下降，或可靠性之降低等情事，可以收到與實施例1相同之效果。在如此構成之主動矩陣型顯示裝置1 ，有機半導體膜本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) /\4坭格（210 X 2们公处）-32 - -----^------ί.------訂------铲 \ - . ("先閱讀背而之注意事項#填寫本页) 經濟部中决摞卒灼只工消费合作社印¾ A7 J37 五、發明説明（30 ) 4 1之周圍由邊坡層b a n k所圍繞。因此，各畫素7之對向電極ο p便必須跨越邊坡層b a n k連接到相鄰接之畫素7之對向電極〇P。然而，本形態之邊坡層bank 在資料線s i g之延設方向之相當於相鄰畫素7間之部分，形成有下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜6 2之雙方中斷之中斷部分of f (第1中斷部分）。同時在邊坡層 b a n k之相當於在資料線s i g之延設方向相鄰接之畫素7間之部分，亦形成有下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜 62之雙方均中斷之中斷部分off (第1中斷部分）。並且，在邊坡層b a n k之資料線s i g及掃描線 g a t e之各延設方向之端部，分別形成有下層絕緣膜 6 1及上層絕緣膜6 2均中斷之中斷部分〇 f ί (第1中斷部分）。這種中斷部分〇 ί f沒有很厚之邊坡層b a nk，係沒有起因於邊坡層b a n k之很大台階差之平坦部分，形成在這些部分之對向電極ο P不會斷線。因此，各畫素7 之對向電極〇 P係介由沒有台階差之平坦部分確實連接在一起。因此，縱然在畫素7之周圍形成厚絕緣膜（邊坡層 b a n k )以抑制雜散電容，形成在此厚絕緣膜（邊坡層 b a n k )上層之對向電極ο p也不會斷線。而在透明基板ί 〇之週邊領域（顯示部ί ί之外側領域），資料側驅動電路3及掃描側驅動電路4均由邊坡層 b a n k (在形成領域標示有斜線）所覆蓋。因此，對向電極〇 P對此等驅動電路之形成領域成爲重疊狀態時，此本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現枋（210X297公龄）-33 - (锖先閱讀背而之注意事項#填朽本页) λ. 訂經濟部中央標枣局負工消費合作社印製 Α7 137 五、發明説明（31 ) 等驅動電路之配線層與對向電極〇 p間仍有邊坡層 b a n k存在。因而可以防止驅動電路3、4形成有雜散電容，而得減輕驅動電路3、 4之負荷’達成低消耗電力化’或顯示動作之高速化。而且，形成在掃描側驅動電路4及資料側驅動電路3 之上層之邊坡層b a n k，其相當於掃描側驅動電路4之形成領域與資料側驅動電路3之形成領域間之位置，形成有下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜6 2之雙方均中斷之中斷部分off (第2中斷部分）。因此，顯示部11側之對向電極〇 p與基板外周側之對向電極〇 P ，係介由此中斷部分〇 f f相連接，而此中斷部分〇 f f也是起因於邊坡層b a n k之沒有台階差之平坦部分。因此，由於形成在此中斷部分〇 f f之對向電極ο P不會斷線，顯示部1 1 側之對向電極〇 p與基板外周側之對向電極o p可介由邊坡層b a n k之中斷部分〇 f f確實連接在一起，配線連接在基板外周側之對向電極ο p之端子1 2與顯示部1 1 之對向電極〇 P確實連接在一起。而且，本形態因爲畫素電極4 1之形成領域中，與導通控制電路5 0之中繼電路3 5重疊之領域也形成有邊坡層b a n k，因此可以防止無謂的電流通過。因此，共同供電線c 〇 m之寬度可以較狹窄。製造這種架構之主動矩陣型顯示裝置1時，亦與實施形態1同樣，在第2層間絕緣膜5 2之表面，沿著掃描線 ga t e及資料線s i g形成邊坡層ba nk。這時，在 (相先閱讀背面之注意事項孙填筠本哀)

本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS > Λ优格（210X2»^公筇） -34- 經浹部中央標枣局K.T.消费合作社印絮 A7 ______B7 五、發明说明（32) 邊坡層’b a n k之一定部分形成中斷部分〇 f f。而沿著資料線s i g形成之邊坡層b a n k之寬度較大以覆蓋共同供電線c om °其結果’應形成薄膜發光元件4 0之有機半導體膜4 3之領域係由邊坡層b a n k所圍繞》然後，以邊坡層b a n k區劃成矩陣狀之領域內，利用噴墨法形成對應R、 G、 B之各有機半導體膜43»其方法是使用噴墨頭’對邊坡層b a n k之內側領域吐出構成有機半導體膜4 3用之液狀材料（前驅體），令其固著在邊坡層b a n k之內側領域，以形成有機半導體膜4 3 。因爲邊坡層b a n k之上層絕緣膜6 2係由抗蝕膜或聚醯胺膜所構成，因此具有撥水性。對此，有機半導體膜 4 3之前驅體係使用親水性之溶媒，因此有機半導體膜 4 3之塗敷領域可由邊坡層b a n k確實規定，不會溢出到相鄰接之畫素7。同時，縱使區劃有機半導體膜4 3之形成領域之邊坡層b a n k有中斷部分〇 f f ，因爲中斷部分〇 f f很狹窄，因此有機半導體膜4 3之塗敷領域可由邊坡層b a n _k確實加以規定，不會溢出到相鄰接之畫素7。因之，可以僅在一定領域內形成有機半導體膜4 3 〇 . 再者，因爲表面張力之作用會使從噴墨頭吐出之前驅體向上鼓出約2 至約4 之厚度，因此，邊坡層 b a n k需要有約1 /zm〜約3 之厚度。在此狀態下，由噴墨頭吐出之前驅體係呈接觸在上層絕緣膜6 2之狀態，但施加1 0 0 °C〜1 5 0 °C之熱處理後，可從前驅體本紙張尺度適用中國國家標if ( CNS )八4规枋（210X297公榦）-35 - (請先閲讀背而之注意事項再填踔本S ) 、11 經滴部中央標"局只工消费合作社印狀 Μ _ Β7 五、發明説明（33 ) 去除溶媒成分，因此，固著在邊坡層b a n k內側後之有機半導體膜43之厚度爲約Ο · 〇5em〜Ο . 2#m。因此，在此狀態時，有機半導體膜4 3並未接觸在上層絕緣膜6 2。再者，若預先以邊坡層b a n k及形成之隔壁之高度在lAm以上時，縱使邊坡層b a n k不具撥水性，邊坡層b a n k仍充分具有隔壁之功能》因此，若形成如此厚之邊坡層b a n k，則以塗敷法取代噴墨法形成有機半導體膜4 3時，仍可規定其形成領域。〔實施形態5之變形例子1〕第10圖係以模式方式表示主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第1 1圖係抽出其中之一個畫素所表示之平面圖’第1 2圖（A)、（B)、（C)分別爲第 1 1圖之A — A -截面圖、B — B，截面圖、及C-C ^ 截面圖。再者，本形態與實施形態1之基本架構相同，因此在各圖之相同部分標示同一記號，詳細說明從略。如第10圖’第11圖及第12圖（A)、（B)、 (C )所不，本形態之主動矩陣型顯示裝置1也沿著資料線s i g及掃描線ga t e，配設較有機半導體膜41爲厚之絕緣膜（邊坡層bank)，而在此邊坡層bank 之上層形成對向電極〇 P。亦即，因爲在資料線s i g與對向電極ο P之間有第2層間絕緣膜5 2與厚邊坡層 bank存在’因此資料線s i g之雜散電容很小。因此本纸張尺度適用中國國家榡準（cns ) 736^------- (請先閱讀背而之注意事項#"寫本頁) * ^^1 H· *1— · 、1Τ 經滴部中央標1?-扃月工消费合作社印鉍 A 7 Η 7 五、發明説明（34 ) 可減輕驅動電路3、 4之負荷，達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。在此，邊坡層b a n k係由較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜 6 1，及堆積在此下層絕緣膜6 1上之抗蝕膜或聚醯胺膜等之有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。因此，雖然有機半導體膜41接觸在無機材料構成之下層絕緣膜 6 1 ，但未接觸在由有機材料構成之上層絕緣膜6 2。因之，有機半導體膜4 1不會受到由有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，因此薄膜發光元件4 0不會發生發光效率之下降，或可靠性之降低等情事，可收到與實施形態1同樣之效果。同時，因爲本形態係沿著資料線s i g及掃描線 g a t e形成邊坡層b a n k，因此任一畫素7均由邊坡層b a n k所圍繞。因此可以利用噴墨法在一定領域形成對應R、G、B之各有機半導體膜4 3 ，而得以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1。而且在邊坡層b a n k之相當於在掃描線g a t e之延設方向相鄰接之畫素7間之部分形成有中斷部分o f f (第1中斷部分）。而在邊坡層bank也在資料線 s i g及掃描線g a t e之各延設方向之端部分別形成有中斷部分of f (第1中斷部分）。而且，形成在掃描側驅動電路4及資料側驅動電路3之上層之邊坡層b a n k ，在相當於掃描側驅動電路4之形成領域與資料側驅動電 '"本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格(2ΙΟΧ297^>}η~ ~~^7~. ' (請先間ϊί·背而之注意事項孙填艿本莨) 桑------1T-----------------„---Ί. A7 B7 五、發明説明（35 ) 路3之形成領域間之位置形成有中斷部分〇 f f (第2中斷部分）。因此，對向電極op係介由起因於無台階差之平坦部分（中斷部分〇 f f )確實連接在一起，不會斷線〇〔實施形態5之變形例子2〕第13圖係以模式方式表示主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第1 4圖係抽出其中之一個畫素所表示之平面圖’第15圖（A)、（B)、（C)分別爲第 14圖之A — A，截面圖、B — B，截面圖、及C-C 一截面圖。再者，本形態與實施形態1之基本架構相同，共同之部分在各圖號標示同一記號，詳細說明從略。如第13圖，第14圖，及第15圖（A)、 ( B ) 、（C )所示，本形態之主動矩陣型顯示裝置1也沿著資料線s i g及掃描線g a t e配設較有機半導體線4 1爲厚之絕緣膜（邊坡層bank)，在此邊坡層bank之上層形成對向電極ο p。即，由於在資料線s i g與對向電極ο p之間有第2層間絕緣膜5 2及厚邊坡層b a n k 存在，因此資料線s i g之雜散電容極小。因之，可以減輕驅動電路3、4之負荷，達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。在此，邊坡層b a n k係由較有機半導體膜4 1厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜61 ，及堆積在此下層絕緣膜61上之抗蝕膜或聚醯胺膜等之本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4悅枯（21〇X297公轱）-38- (請先閣讀背而之注意事項再填涔本頁) 、訂 •^「ί 經消部中央標卒扃負工消费合作社印絮經沪部中喪代準局只工消费合作社印絜 A7 137 五、發明説明（36 ) 有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。因此，有機半導體膜4 1係接觸在無機材料構成之下層絕緣膜6 1，但未接觸有機材料構成之上層絕緣膜6 2。因此，有機半導體膜4 1不會受到有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，因此薄膜發光元件4 0不會發生發光效率下降，或可靠性降低等情事，可收到與實施形態1相同之效果。而本形態也沿著資料線s i g及掃描線g a t e形成有邊坡層b a n k，因此，任一畫素7均由邊坡層 b a n k所圍繞。因此，可以利用噴墨法在一定之領域形成對應R、 G、 B之各有機半導體膜43 ，能以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1。而且，邊坡層b a n k在相當於資料線s i g之延設方向相鄰接之畫素7間之部分形成有中斷部分o f f (第 1中斷部分）。同時，邊坡層bank在資料線sig及掃描線g a t e之各延設方向之端部分別形成有中斷部分 of ί (第1中斷部分）。而且，掃描側驅動電路4及資料側驅動電路3之上層之邊坡層b a n k，在相當於掃描側驅動電路4之形成領域與資料側驅動電路3之形成領域間之位置形成有中斷部分（第2中斷部分）。因此，對向電極ο P可介由起因於邊坡層b a n k之無台階差之平坦部分（中斷部分〇 f f )確實連接在一起，不會斷線。〔實施形態5之變形例子〕第16圖係以模式方式表示主動矩陣型顯示裝置之整本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4规梠（210x7(7^Γ39Τ (对先閱讀背而之注意事項#填特本頁)

、1T r' 經漪部中央標挲局只工消费合作社印鉍 A7 __扪五、發明説明（37 ) 體配置之方塊圖。第1 7圖係抽出其中之一個畫素所表示之平面圖，第18圖（A)、（B)、（C)分別爲第 17圖A — A'截面圖、Β — β/截面圖，及C — C，截面圖。再者，本形態與實施形態1、 5之基本架構相同，因此在共同部分標示同一記號，詳細說明從略。如第16圖，第17圖，及第18圖（A)、 ( Β ) 、（C)所示，本形態之主動矩陣型顯示裝置1也沿著資料線s i g及掃描線g a t e，配設較有機半導體膜4 1 爲厚之絕緣膜（邊坡層b a n k)，而在此邊坡層 b a nk上形成對向電極〇 p。即，由於在資料線s i g 與對向電極ο p間有第2層間絕緣膜5 2與厚絕緣膜 b a n k存在’因此資料線s i g之雜散電容很小。因此可以減輕驅動電路3、 4之負荷，達成低消耗電力化，或顯示動作之高速化。邊坡層b a n k係由，較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜61、及堆積在此下層絕緣膜61上之抗蝕膜或聚醯胺膜等之有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。而本形態因爲是沿著資料線s i g及掃描線ga t e 形成邊坡層bank’因此，任一畫素7均被邊坡層 b a n k圍繞。因此可以利用噴墨法在一定領域形成對應 R、 G、 B之有機半導體膜43，因此能夠以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置1。而且，在邊坡層b a n k之相當於在資料線s i g之本紙张尺度適用中國國家摞窣（CNS ) Λ视格（2Κ)χϋϊ(Γϊ一™Γ4〇ΰ ~' - I In , 「 n n n - ' m. -- (诗先閱讀背而之注意本項#填寫本頁) 經漪部中央標卑局貝工消於合作社印絜 A 7 B7 _ 五、發明説明（38 ) 延設方向相鄰接之畫素7間之部分形成有中斷部分〇 f ί (第1中斷部分）。並在邊坡層b a nk之資料線s i g 及掃描線g a t e之各延設方向之各端部也形成有中斷部分off (第1中斷部分）。而且，形成在掃描側驅動電路4及資料側驅動電路3上層之邊坡層b a n k，在相當於掃描側驅動電路4之形成領域與資料側驅動電路3之形成領域間之位置，形成有中斷部分（第2中斷部分）。但在本形態，中斷部分〇 f f係用以形成邊坡層 b a n k之下層絕緣膜6 1 (標示兩條一組之斜線之領域 )及上層絕緣膜6 2 (標示一條斜線之領域）中，僅上層絕緣膜6 2中斷，雖是中斷部分〇 f f，但在該處形成有下層絕緣膜6 1。如此構成時，中斷部分〇 f f僅有薄形下層絕緣膜 6 1，並無厚形上層絕緣膜6 2，因此對向電極ο p可介由中斷部分〇 f f確實連接在一起，不會有斷線。再者，上述形態係採第1中斷部分與第2中斷部分均形成有下層絕緣膜6 1之架構，但本發明並未限定如此，亦可僅在第1中斷部分或第2中斷部分之任一方形成有下層絕緣膜6 1之架構。同時，如本形態之在中斷部分形成有下層絕緣膜6 1之架構，亦可應用在其他實施形態所說明型式之邊坡層b a n k。〔實施形態6〕第19圖係以模式方式表示主動矩陣型顯示裝置之整本紙伕尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規棉（210χϋϋ"] 7i (請先閱讀背而之注意事項4蛾释本瓦)

、1T 經^:’部中央標準扃只工消费合作社印鉍 Α7 Β7 五、發明説明（39 ) 體配置之方塊圖。第2 0圖係抽出其中之一個畫素所表示之平.面圖，第21(A)、（B)、（C)分別爲第20 圖之A — A<截面圖、B — 截面圖、及C — C…截面圖。再者，本形態與實施形態1之基本架構相同，因此在共同部分標示同一記號，詳細說明從略。如第19圖、第20圖，及第21圖（A)、（B) 、（C )所示，本形態之主動矩陣型顯示裝置1沿著資料線s i g配設有，較有機半導體膜4 1爲厚之絕緣膜（邊坡層b a n k )，而在此邊坡層b a n k之上層形成對向電極〇 p。即，因在資料線s i g與對向電極〇 p間有第 2層間絕緣膜5 2及厚形邊坡層b a n k存在，因此資料線s i g之雜散電容很小。因此能減輕驅動電路3、4之負荷，達成低消耗電力化，或顯示動作之高速化。邊坡層b a n k係由，較有機半導體膜4 1爲厚之矽氧化膜或矽氮化膜等之無機材料形成之下層絕緣膜61，及堆積在此下層絕緣膜61之抗蝕膜或聚醯胺膜等之有機材料形成之上層絕緣膜6 2，所構成。因此，雖然有機半導體膜4 1接觸在無機材料構成之下層絕緣膜6 1 ，但未接觸在有機材料構成之上層絕緣膜6 2。因此有機半導體膜4 1不會受到有機材料構成之上層絕緣膜6 2之影響而劣化，因此薄膜發光元件4 0不會有發光效率下降，或可靠性降低之情事，能夠收到與實施形態1相同之效果。而本形態因爲沿資料線s i g形成有邊坡層b a nk ，可以利用噴墨法在由邊坡層b a n k區劃成條紋狀之領本紙悵尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4况彳Μ 2丨0X297.公焓）.42 - 2*rl先閱讀背而之注意事項再填寫本页) m」1TI n - -- - I I ---- A7 i37 五、發明説明（4〇 ) 域內形成對應R、 G、 B之條紋狀之各有機半導體膜43 ，因此能夠以高生產性製造全彩色之主動矩陣型顯示裝置 1 ° 而且在邊坡層b a nk，於資料線s i g之延設方向之端部形成有’下層絕緣膜6 1及上層絕緣膜6 2之雙方均中斷之中斷部分〇 f f (第1中斷部分）。因此，在掃描線g a t e之延設方法，各畫素7之對向電極ο p係跨越厚形邊坡層b a n k連接在相鄰接之畫素7之對向電極 ο ρ。但若順著資料線s i g之延設方向追尋，各畫素7 之對向電極ο P是在資料線s i g之端部，介由中斷部分〇 f f (起因於邊坡層b a n k之無台階差之平坦部分），與掃描線g a t e之延設方向相鄰接之畫素7之列相互連接。因此，各畫素7之對向電極ο ρ係介由起因於邊坡層b a n k之無台階差之平坦部分連接在其他畫素7之對向電極ο P，而雖然如此，任一畫素7之對向電極〇 ρ也不會成爲斷線狀態。而在透明基板1 0之周邊領域（顯示部1 1之外側領域），資料側驅動電路3及掃描側驅動電路4均由邊坡層 b a n k所覆蓋。因此，縱使對向電極〇 ρ對此等驅動電路之形成領域成重疊之狀態，驅動電路之配線層與對向電極ο P之間仍有邊坡層ba n k存在。因此能夠防止驅動電路3、 4有雜散電容，藉此可減輕驅動電路3、 4之負荷，達成低消耗電力化，或顯示動作之高速化。而且，形成在掃描側驅動電路4及資料側驅動電路3 (請先閲讀背面之注意事項4坊艿本頁)

、1T 本紙张尺度適用中國國家枕羋（CNS ) Λ4規牯(210Χ2ϋ].1 Γ43~Ι 經消部中央橾冷局只工消资合作社印裝 A7 137 五、發明説明（41 ) 之上層之邊坡層b a n k ’於相當於掃描側驅動電路4之形成領域與資料側驅動電路3之形成領域間之位置，形成有中斷部分off (第2中斷部分）。因此，對向電極 ο p可介由起因於邊坡層b a n k之無台階差之平坦部分 (中斷部分〇 i f )確實連接在一起，不會斷線。〔其他實施形態〕再者，如在實施形態5之變形例子3所說明，邊坡層 b a nk之中斷部分〇 f ί僅上層絕緣膜6 2中斷之架構，亦可應用在實施形態6。· 同時，如在實施形態5、 6所說明，藉在邊坡層ba n k形成中斷部分〇 f f以防止對向電極op之斷線之發明，也可以應用在實施形態3所說明之由無機材料構成之邊坡層b a n k。如以上所說明，本發明之主動矩陣型顯示裝置在形成圍繞有機半導體膜之形成領域之絕緣膜時，以較有機半導體爲厚之無機材料形成之下層絕緣膜，及堆積在其上之有機材料形成之上層絕緣膜，構成此絕緣膜。因此，依據本發明時，因爲在資料線與對向電極之間配設絕緣膜，因此可防止資料線有雜散電容。因而可以減輕資料側驅動電路之負荷，達成低消耗電力化或顯示動作之高速化。同時，因爲本發明僅將接觸到薄膜發光元件之有機半導體膜之下層絕緣膜用無機材料構成，而在其上層堆疊能夠容易形成厚膜之抗蝕膜等有機材料構成之上層絕緣膜，本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4ML枋（2丨0 X ?叫> 片）-44~ — I 11 I I I ^ 11 , * (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 經浐部中央標挲局只工消费合作社印鉍 A7 __137____ 五、發明説明（42 ) 因此生產性很高。而且，有機半導體膜並未接觸到上層絕緣膜，接觸到有機半導體膜的是由無機材料構成之下層絕緣膜，因此，有機半導體膜不會受到上層絕緣膜之影響而劣化。因之，薄膜發光元件不會發生薄膜發光元件之發光效率下降，或可靠性之降低等情事。若令上層絕緣膜以較下層絕緣膜爲狹窄之寬度堆疊在此下層絕緣膜之內側領域，有機材料構成之上層絕緣膜便更不易接觸到有機半導體膜，因此可以更確實防止有機半導體膜之劣化。本發明之別的形態在形成圍繞有機半導體膜之形成領域之絕緣膜時，係由無機材料形成之下層絕緣膜，與以較此下層絕緣膜爲狹窄之寬度堆疊在下層絕緣膜之內側領域之無機材料形成之上層絕緣膜，所構成。因此，本發明也是在資料線與對向電極之間配設厚絕緣膜，因而可防止資料線之雜散電容。因此可以減輕資料側驅動電路之負荷，達成低消耗電力化，或顯示動作之高速化。而在形成應構成下層絕緣膜及上層絕緣膜之無機材料之膜後，形成上層絕緣膜之圖型時，下層絕緣膜會產生蝕刻阻擋層之作用，因此’縱使稍有超蝕刻，也不會損傷畫素。在形成上述圖型後’要形成下層絕緣膜之圖型時，只是触刻下層絕緣膜之一層分’因此蝕刻控制很容易，不會發生損及畫素電極之超餓刻。圖式之簡單說明 t 本紙張尺度適用中國國家枕專（CNS ) Λ4規枋（210X?97公片1 I~4c~ -- (請先閱讀背而之注意事項4填寫本頁)

經滴部中夾標if局負工消资合竹社印鉍 A7 137 五、發明説明（43 ) 第1圖係以模式方式表示本發明實施形態1之主動矩/ _型顯示裝匱之整體配置之方塊圖。第2圖係抽出第1圖所示主動矩陣型顯示裝置之一個畫素加以表示之平面圖。第3圖（A ) ' ( B )、（ C )分別係第2】之A - A '截面圖·、B — 截面圖，及c — C，截面圖。第4圖（A )、（ B )、（ C )分別係本發明實施形態2'3之主動矩陣型顯示裝置之相當於第2圖之 A - A >線、B — B，線及C — C >線之位置之截面圖。第5圖係抽出本發明實施形態4之主動矩陣型顯示裝置上之一個畫素所表示之平面圖。第6圖（A)、（B)、（C)分別係相當於第5圖之A — A '線、B-B -線及C — C —線之位置之截面圖〇第7圖係以模式方式表示本發明實施形態5之主動矩陣型顥示裝置之整體配置之方塊圖。第8圖係抽出第7圖所示主動矩陣_型顯示裝置之一個畫素所表示之平面圖。夢9圖（A )、（ B ).、（ C )分別係相當於第8圖之A_A /線、B — B >線及C — C /線之位置之截面圖〇第1 0圖係以模式方式表示本發明實.施形態5之變形例子1之主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第1 1圖係抽出第1 0圖所示主動矩陣型顯示裝.置內 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 訂 .^•? 本紙张尺度適用中國國家樣專（CNS ) Λ4见彳M. 2丨OX2(m>il> ) :46: 經漪部中夾標枣局只工消费合作社印褽 A7 —______B7 五、發明説明（44 ) 之一個畫素所表示之平面圖。第1 2圖（A )、（ B )、（ C )分別係相當於第 1 1圖之A — A -線、B — B -線及c — C '線之位置之截面圖。第1 3圖係以模式方式表示本發明實施形態5之變形例子2之主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第14圖係抽出第13圖所示之主動矩陣型顯示裝置、 · 之一個畫素所表示之平^面圖。第1 5圖（A )、（ B )、（ C )分別係相當於第 1 4圖之A — A '線、B — B -線及C — C /線之位置之截面圖。第1 6圖係以模式方式表示本發明實施形態5之變形例子3之主動陣型顯-示裝置之整體配置之方塊圖。第1 7圖係抽出第1 6圖所示主1矩陣型顯示裝置之一個畫素所表示之平面圖。第1 8圖（A )、（ B )、（ c )分別係相當於第. 1 7圖之A — 線、B — B 線及C 一線之位置之截面圖。第1 9圖係以模式方式表示本發明實施形態6之主動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖。第2 0圖係抽出第1 9圖所示主動矩陣型顯示裝置之一個畫素所示之平面圖。第2 1圖（A )、（ B )、（ C )分別係相當於第之0圖之A — A >線、B — B >線及C — C '線之位置之 ("先閱讀背而之注意事項洱填寫本Η )

.1T -^7_ 本紙張尺度適用中國國家#皁（CNS ) “規格(2)0X297*^ ) 經濟部智慧財產局貝工消t合作杜印製 A7 __B7_____ 五、發明說明（45) 截面圖。- 第2 2圖係以模式方式表示傳統及本發明之比較例之寸動矩陣型顯示裝置之整體配置之方塊圖》第2 3圖係抽出第2 2圖所示主動矩陣型顯示裝.置之一個畫素所示之平面圖。第2 4圖（A )、（ B )、（ C )係分別相當於第 23圖之A-Aβ線、B-Bβ線及C一C，線之位置之截面圖。· 第25圖（A)、（B)、（C)係分別相當於比較例之主動矩陣型顯示裝置之第23圖之A—A>線、B_ Β β線及C 一 C #線之位置之截面圖。〔符號說明〕 1 主動矩陣型顯示裝置 2 顯示部 3 資料側驅動電路 4 掃描側驅動電路 7 畫素 10 透明基板 12 端子 2 0 第 1 T F Τ 21 第1TFT之閘極 3 0 第 2 T F Τ 31 第2TFT之閘極本紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐〉-48- II--.1----Γ —-----------^---------Ά (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _B7 五、發明說明（46) 4 0 發光元件 4 1 畫素電極 43 有機半導體 61 下層絕緣膜 62 上層絕緣膜 bank 邊坡層（絕緣膜） cap 保持電容 com 共同供電線 gate 掃描線 op 對向電極 off 邊坡層之中斷部分 s i g 資料線 II 11.1 11 11 · ! !訂· — I — ~·ί· -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ί 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 49-

Claims

經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 A8 «71 13719 cl ____ D8 六、申請專利範圍 1 .—種主動矩陣型顯示裝置，係在基板上有，多數掃描線、對該掃描線之延設方向成交叉之方向延設之多數資料線’以及，藉該資料線與上述掃描線形成爲矩陣狀之多數畫素構成之顯示部，各該畫素備有：含有介由上述掃 ^線將掃描信號供給閘極之薄膜電晶體之導通控制電路； 0 以及’具備有在每一畫素形成之畫素電極、堆積在該畫素電極上層之有機半導體膜、及堆積在該有機半導體膜上層之對向電極之薄膜發光元件，而上述薄膜發光元件則依據從上述資料線經由上述導通控制電路供應之影像信號而發光之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述有機半導體膜之形成領域，由較該有機半導體膜爲厚之絕緣膜所區劃，該絕緣膜備有，較上述有機半導體膜爲厚之無機材料構成之下層絕緣膜，及堆積在該下層絕緣膜上之有機材料構成之上層絕緣膜。 2 .如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述上層絕緣膜以較上述下層絕緣膜爲狹窄之寬度，積層在該下層絕緣膜之內側領域》 3 . —種主動矩陣型顯示裝置，係在基板上有，多數掃描線、對該掃描線之延設方向成交叉之方向延設之多數資料線、以瓦，藉該資料線與上述掃描線形成爲矩陣狀之多數畫素構成之顯示部，各該畫素備有：含有介由上述掃描線將掃描信號供給閘極之薄膜電晶體之導通控制電路；本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲攻背面之注$項再填寫本頁) 訂 -49- 經濟部中央橾牟局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍以及，具備有在每一畫素形成之畫素電極、堆積在該畫素電極上層之有機半導體膜、及堆積在該有機半導體膜上層之對向電極之薄膜發光元件，而上述薄膜發光元件則依據從上述資料線經由上述導通控制電路供應之影像信號而發光之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在，於， '/ 上述有機半導體膜之形成領域，係由較該有機半導體膜爲厚之.絕緣膜所區劃，該絕緣膜備有，由無機材料構成之下層絕緣膜，及以較該下層絕緣膜爲狹窄之寬度積層在該下層絕緣膜之內側領域之無機材料構成之上層絕緣膜。 . I .- > 4. 如申請專利範圍第1、 2或3項中任一項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述導通控制電路備有，將上述掃描信號供給其閘極之第1薄膜電晶體，及閘·極經由第1薄膜電晶體連接在上述資料線之第2薄膜電晶體，該第2薄膜電晶體與上述薄膜發光元件，係成串聯連接在，上述資料線及掃描線以外之驅動電流供應用之共同供電線，與上述對向電極之間。 5. 如申請專利範圍第1、 2或3項中任一項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜係用以防止，藉噴墨法在由該絕緣膜所區劃之領域內形成上述有機半導體膜時，吐出液體溢出之邊坡（bank)層。〜 6 .如申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置，本紙張尺度適用中困國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲坑背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 線 -50- 經濟部中央橾率局負工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍其特徵在於，上述絕緣膜之厚度爲1以上。 ~ 7 .如申請專利範圍第1、2或3項中任一項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述畫素電極之形成領域之中，與上述導通控制電路之，形成領域重疊之領域，由上述絕緣膜覆蓋。 8.如申請專利範圍第1、 2或3項中任一項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，由上述絕緣膜所區劃之領域，其角隅部分成圓形。 9 .如申請專利範圍第1、2或3項中任一、須之主動 /矩陣型顯示裝置，其特徵在於， ±述絕緣膜中，上述下層絕緣膜係覆蓋在上述畫素電極之形成領域中之與上述導通控制電路之形成領域重疊之領域、J:述資料線、上述共同供電線、以及上述掃描線上，另一方面，上述上層絕緣膜則沿著上述資料線呈條紋狀 9 上述有機半導體膜係形成在，由上述-上層絕緣膜區劃成條紋狀之領域內。 1 0 .如申請專利範圍第9項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜中，上述下層絕緣膜與上述上層絕緣膜重疊之部分，係用以防止，藉噴墨法形成上述有機半導體膜時，吐出液體溢出之邊坡層。 1 1 .如申請專利範圍第10項之主動矩陣型顯示裝本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） " ' (請先閱讀r面之法f項再填寫本頁) 、1T 線 -51 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 __六、申請專利範圍置，其特徵在於，上述下層絕緣膜與上述上層絕緣膜重叠之部分，具膜厚度在1以上。 12.如申請專利範圍第1、 2或3項中任一項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜備有，介由起因於該絕緣膜之沒有台階羞之.平坦部分，將相鄰接之各畫素之對向電極部分相互間連接起來之第1中斷部分。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜由於是沿著上述資料線與上述掃描線形成，藉此圍繞上述有機半導體膜之形成領域周圍，同時在上述資料線與上述掃描線之各延設方向，於相當於相鄰接之 '畫素間之部分備有上述第1中斷部分。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顥示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜由於是沿著上述資料線及上述掃描線形成. ，藉此圍繞上述有機半導體膜之形成領域周圍，同時在上述掃描線之延設方向之相當於相鄰接之畫素間之部分，備有上述第1中斷部分。 15 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜由於是沿著上述資料線及上述掃描線形成，藉此圍繞上述有機半導體膜之形成領域周圍，同時在上請閲背面之 iid I 旁訂線本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -52- 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 六、申請專利範圍述資料線之延設方向之相當於相鄰接之畫素間之部分，備有上述第1中斷部分。、 1 6 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，上述絕緣膜係沿著上述資料線形成爲條紋狀，在該_形成方向之至少一方之端部，備有上述第1中斷部分。 1 7 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於，在上述顯示部之周圍有，介由上述資料線供應資料信號之資料側驅動電路，及介由上述掃描線供應掃描信號之掃描彻f驅動電路，在該掃描側驅動電路及上述資料側驅動 *%路之上層也形成有上述絕緣膜，同時，該絕緣膜在相當於上述掃描側驅動電路之形成領域，與上述資料側驅動電路之形成領域間之位置，備有，介由起因於該絕緣膜之無台階差之平坦部分，將上述對向電極之顯示部側與基板外周側連接在一起之第2中斷部分。 1 8 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣型顯示裝置，其#徵在於，在上述中斷部分，構成上述絕緣膜之上述下層絕緣膜及上述上層絕緣膜之雙方均中斷。 1 9 .如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣犁顯示裝置，其特徵在於，在上述中斷部分，構成上述絕緣膜之上述下層絕緣膜及上述上層絕緣膜中，僅上層絕緣膜中斷。本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱请背面之ii*$項再填寫本頁) .1T —r · -53-