JP2015072486A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置にお
いて、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート
配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。
【選択図】図8
Description
D:Organic Light Emitting Device)を有する発光装置に関する。また、該OLEDパ
ネルにコントローラを含むIC等を実装した、OLEDモジュールに関する。なお本明細
書において、OLEDパネル及びOLEDモジュールを共に発光装置と総称する。本発明
はさらに、該発光装置を用いた電子機器に関する。
置全般を指し、発光装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
ブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いた
TFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたTFTよりも電界効果移動度(モビリ
ティともいう)が高いので、高速動作が可能である。
そのため、ポリシリコン膜を用いたTFTからなる駆動回路を画素と同一の基板上に設け
、各画素の制御を行うための開発が盛んに行われている。同一基板上に画素と駆動回路と
を組み込んだアクティブマトリクス型表示装置は、製造コストの低減、表示装置の小型化
、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られると予想される。
単に発光装置と呼ぶ)の研究が活発化している。発光装置は有機発光装置(OELD:Or
ganic EL Display)又は有機ライトエミッティングダイオード(OLED:Organic Ligh
t Emitting Diode)とも呼ばれている。
イトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、OLEDを
用いた発光装置は、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されている。
オ信号を順次書き込むことにより画像を表示するアクティブマトリクス駆動方式が知られ
ている。TFTはアクティブマトリクス駆動方式を実現する上で、必須の素子となってい
る。
おいては、TFTでOLEDに流す電流を制御するため、電界効果移動度の低い非晶質シ
リコンを用いたTFTでは実現が困難であり、結晶構造を有する半導体膜、代表的にはポ
リシリコンを用いたTFTをOLEDに接続するTFTとして採用することが望ましい。
画素と駆動回路とを組み込むことで、接続端子の数は激減し、額縁領域(画素部の周辺部
分の領域)の面積も縮小させることもできる。
コン基板に形成されるMOSトランジスタの特性に匹敵するものではない。例えば、従来
のTFTの電界効果移動度は単結晶シリコンの1/10以下である。また、ポリシリコン
を用いたTFTは、結晶粒界に形成される欠陥に起因して、その特性にばらつきが生じや
すいといった問題点を有している。
に電流を供給するTFTとが、各画素に設けられている。スイッチング素子として機能す
るTFTには低いオフ電流(Ioff)が求められている一方、OLEDに電流を供給する
TFTには、高い駆動能力(オン電流、Ion)及びホットキャリア効果による劣化を防ぎ
信頼性を向上させることが求められている。
また、データ線側駆動回路のTFTも、高い駆動能力(オン電流、Ion)及びホットキャ
リア効果による劣化を防ぎ信頼性を向上させることが求められている。
などの駆動方法によらず、OLEDと電気的に接続され、且つ、OLEDに電流を供給す
るTFTのオン電流(Ion)で画素の輝度が決定されるため、全面白表示とした場合、オ
ン電流が一定でなければ輝度にバラツキが生じてしまうという問題がある。例えば、発光
時間によって輝度を調節する場合、64階調の表示を行った場合、OLEDと電気的に接
続され、且つ、OLEDに電流を供給するTFTのオン電流がある基準値から1.56%
(=1/64)ばらつくと1階調ずれることになってしまう。
の不均一によって基板内バラツキが生じる場合があり、僅かながらも輝度のバラツキが生
じている。
輝度のバラツキを低減することを課題としている。また、TFTの特性バラツキに関係し
ないOLEDのバラツキをも低減し、輝度のバラツキを低減することも課題としている。
ると画素部における保持容量のための電極及び保持容量用の配線、TFT、及び各種配線
等の配置により開口率が制限されるという問題が生じていた。
本発明は、画素部における開口率を向上させる画素構成を提供することも課題としている
。
−I特性グラフにおける立ちあがりが急峻なところ(立ちあがり点とも言う)でもっとも
電流値が変化する。従って、OLEDに供給する電流をTFTで制御する場合、立ちあが
り点がばらついてしまうと、OLEDに電流を供給するTFTの電流値が大きく変化して
しまっていた。
切り替わる電圧値である。また、一般的にはVthはゼロに近ければ近いほどよいとされ
ており、Vthの値が大きいと駆動電圧の増加、消費電力の増加を招くとされている。
キ3σと、ある個数のTFTの集合における電流値の中央値(平均値)
に対するバラツキ(本明細書中ではこのバラツキを規格化したバラツキとも呼ぶ)とがあ
る。
を見出した。図3に様々なチャネル長(5μm、10μm、20μm、50μm、100
μm、200μm、400μm)のpチャネル型TFT(チャネル幅W=8μm)におけ
るVgと規格化したバラツキとの関係を示す。また、図4に様々なチャネル長のnチャネ
ル型TFT(チャネル幅W=8μm)におけるVgと規格化したバラツキとの関係を示す
。
なバラツキ3σは減少する。図11は、Vdを−7V、Vgを−3.25Vとし、チャネ
ル幅を8μmに固定して、チャネル長をそれぞれ50μm、100μm、200μm、4
00μmとしたTFTを作製し、それぞれのTFTについて、オン電流のバラツキと、規
格化したバラツキを測定したグラフである。
しかし、図11に示すように、チャネル長を長くするだけでは電流値が減少するだけで、
ある個数のTFTの集合における電流値の中央値に対するバラツキ(規格化したバラツキ
)は変化しない。
ゲート電圧値でオン状態となるようにTFTを設計し、さらに外部から入力するゲート電
圧を設定し、駆動させることでバラツキを低下させるものである。
したTFTは、Vgを−3Vとしてオン電流のバラツキと、規格化したバラツキをそれぞ
れ測定した。以降、同様にして、チャネル長を100μmとしたTFTは、Vgを−3.
75Vとして測定し、チャネル長を200μmとしたTFTは、Vgを−3.75Vとし
て測定し、チャネル長を400μmとしたTFTは、Vgを−5.75Vとして測定した
。これらの測定結果を示したのが図2である。
きくすればするほど、単純なオン電流のバラツキだけでなく、規格化したバラツキをも減
少させることができる。ここでは、Vgを大きくするためにチャネル長の長いTFTとし
たが、特に限定されず、例えば、Vgを大きくするために設計の許容範囲内でチャネル幅
Wを短くしてもよいし、TFTのソース領域またはドレイン領域を高抵抗化させてもよい
し、コンタクト抵抗を高抵抗化させてもよい。
よりも数十倍〜数百倍長いチャネル長とし、従来よりも格段に高いゲート電圧値でオン状
態として駆動させ、チャネルコンダクタンスgdの低いTFTを提供する。図1は、図2
と対応するデータであり、図2のデータと同じ条件(Vg、チャネル幅、チャネル長など
)における各TFTのチャネルコンダクタンスgdを示すグラフである。
圧Vthとの和がゲート電圧Vgより大きい範囲、即ちVg<(Vd+Vth)の範囲に
おけるチャネルコンダクタンスgdが0〜1×10-8S、好ましくは5×10-9S以下、
さらに好ましくは2×10-9S以下であるTFTとすることによって、該TFTに流れる
電流値のバラツキを低減し、OLEDにある一定の電流値を流すことを特徴とするもので
ある。
理によるEL層の面積収縮などが原因となっているOLED自体のバラツキも低減するこ
とができる。また、チャネルコンダクタンスgdを小さくすることによって、何らかの原
因でOLEDが劣化してもOLEDに流れる電流を一定に保つことができ、一定の輝度を
保持することができる。図12にId−Vd曲線とOLEDの負荷曲線とを示した。チャ
ネルコンダクタンスgdは、Id−Vd曲線の傾きを示しており、チャネルコンダクタン
スgdを小さくすればするほど、Id−Vd曲線の傾きが小さくなって電流値がほぼ一定
となる。図12において、OLEDの負荷曲線は、Vg=−3.3Vとし、OLEDと接
続するpチャネル型TFTを飽和領域で駆動させた時、OLEDに印加される電流値とV
dとの関係を示す曲線である。例えば、−Vdが−17Vであった時、カソード側の電圧
が−17VであるのでOLEDに印加される電圧は、0Vである。従って、OLEDに印
加される電流値もゼロとなる。また、Id−Vd曲線とOLEDの負荷曲線との交点での
電流値が輝度に相当する。図12において、gdが小さい場合、−Vdが−7Vであった
時に交点があり、その時にOLEDに印加される電流値は1×10-6[A]であり、この電
流値に応じた輝度の発光が得られる。gdが小さい場合、OLEDの負荷曲線が左側また
は右側にシフトしても、電流値はほとんど変化しないため、均一な輝度が得られる。また
、個々のOLED自体がばらついていれば、OLEDの負荷曲線は右側または左側にシフ
トする。
また、OLEDが劣化すると、OLEDの負荷曲線は左側にシフトする。gdが大きい場
合、劣化によりOLEDの負荷曲線が左側にシフトして点線で示した曲線となると、OL
EDの負荷曲線との交点が変化して劣化前後で電流値が異なってしまう。一方、gdが小
さい場合、劣化によりOLEDの負荷曲線が左側にシフトしても、電流値はほとんど変化
しないため、輝度のバラツキが低減され、均一な輝度が得られる。
来よりも格段に高いゲート電圧値でオン状態として駆動させているが、他の手段によって
さらにチャネルコンダクタンスgdを低下させてもよい。例えば、チャネルコンダクタン
スgdを低下させる他の手段は、TFTをLDD構造としてもよいし、チャネル形成領域
を分割して複数に分けてもよい。
×チャネル幅W=12μm×4μmや、L×W=12μm×6μmなどが使用されていた
。一般的に開口率を向上させるために画素のTFTが占める面積、即ち占有面積は小さけ
れば小さいほどよいとされていた。従って、チャネル長を100μm以上にすることは想
到しえないものであった。また、図4に示すようにチャネル長が5μmや10μmである
場合、Vgが8V〜10Vにおいて最もバラツキが少なくなっており、10V以上になる
とバラツキが増加する傾向が見られる。従って、チャネル長を100μm以上とした場合
、Vgが大きくなればなるほどバラツキが低減することは想到しえないものであった。
考えられるが、その代表例として、図6に示したように半導体層102をX方向に蛇行さ
せた形状(本明細書ではAタイフ゜と呼ぶ)や、図13(A)に示したように半導体層1
102をY方向に蛇行させた形状(本明細書ではBタイフ゜と呼ぶ)や、図13(B)に
示したような矩形形状(半導体層1202)を示した。
光の照射処理を行う場合、そのレーザー光のバラツキも低減することができる。それぞれ
TFTサイズ及び半導体層形状をL×W=87μm×7μm(矩形形状)、L×W=16
5μm×7μm(矩形形状)、L×W=88μm×4μm(矩形形状)、L×W=165
μm×4μm(矩形形状)、L×W=500μm×4μm(Aタイフ゜)、L×W=50
0μm×4μm(Bタイフ゜)とし、さらにレーザー光の走査速度を1mm/sec、0.
5mm/secとした条件でそれぞれTFTを作製し、TFTサイズ及び半導体層形状と、
TFTのオン電流のバラツキ(3σ)との関係を求める実験を行った。ここでは、レーザ
ー光を照射してポリシリコンの結晶性を高めている。図18にゲート電圧Vg=−5V、
Vd=−6Vとした時の実験結果を示し、図19にゲート電圧Vg=−10V、Vd=−
6Vとした時の実験結果を示す。なお、図18および図19中にオン電流値の中央値(μ
A)も示した。さらに、TFTサイズ及び半導体層形状と、TFTのしきい値(Vth)
のバラツキ(3σ)との関係を求め、図20に示した。
する傾向にあることが読み取れる。レーザーの走査速度は、1mm/secよりも0.5m
m/secとしたほうが、レーザー光のバラツキが低減しており、チャネル長Lを長くすれ
ばするほど、異なるレーザーの走査速度でのバラツキの差が低減されている。即ち、チャ
ネル長Lを長くすればするほど、レーザー光のバラツキが低減されると言える。また、最
もバラツキが低減しているものがL×W=500μm×4μmであり、さらに、Bタイフ
゜よりもAタイフ゜のほうがオン電流のバラツキが少ないことが読み取れる。
に達するまでの電圧範囲で動作させる駆動方法とした発光装置の輝度のバラツキを低減す
ることができると言える。
ましい。図21に電流値を一定(Id=0.5μA)とした場合のバラツキを示すグラフ
を示す。図21より、OLEDに電流を供給するTFTを飽和領域で動作させる駆動方法
とした発光装置の輝度のバラツキを低減することができると言える。また、同様に、最も
バラツキが低減しているものがL×W=500μm×4μmであり、さらに、Bタイフ゜
よりもAタイフ゜のほうがオン電流のバラツキが少ないことが読み取れる。
h)のバラツキが低減する傾向にあることが読み取れる。
ちTFTの電気特性が低減していることから、レーザー光のバラツキ低減だけでなくそれ
以外のプロセス上のバラツキをも低減していると言える。
れば小さいほどよいとされていた。従来のTFTサイズは小さいため、個々のTFT特性
におけるバラツキが大きく、表示装置において表示ムラの主な原因となっていた。
体的には、飽和領域と呼ばれる電圧範囲で電流を制御する方法と、飽和領域に達するまで
の電圧範囲で電流を制御する方法とがある。TFTは、図9に示すように、ある一定のゲ
ート電圧Vgを印加し、ソースドレイン間の電圧Vdを除々に上げて流れる電流値を測定
し、Vd−Id曲線を求めると、Vdがある値以上で電流値がほぼ一定となるグラフが得
られる。本明細書では、Vd−Id曲線において、電流値がほぼ一定となるVdの範囲を
飽和領域と呼んでいる。
させる場合においても有効であるが、特にOLEDに電流を供給するTFTを飽和領域で
動作させ、OLEDに流れる電流を一定に保つ駆動方法であればバラツキを低減する効果
が顕著に見られる。
pチャネル型TFTにOLEDに電流を供給するTFT用いることが好ましいが、本発明
は、OLEDに電流を供給するTFTがnチャネル型TFTであってもpチャネル型TF
Tであってもよい。例えば、OLEDに電流を供給するTFTをpチャネル型TFTとす
る場合、図10(A)に示すような接続を行えばよい。また、例えば、OLEDに電流を
供給するTFTをnチャネル型TFTとする場合、図10(B)に示すような接続を行え
ばよい。なお、図10(A)及び図10(B)では、OLEDに電流を供給するTFTの
みを示したが、該TFTのゲート電極の先には複数のTFTなどからなる様々な回路を設
けてもよく、特に限定されないことは言うまでもない。
物層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子に接続さ
れるTFTのチャネル長Lが100μm以上、好ましくは100μm〜500μmである
ことを特徴とする発光装置である。
01であることを特徴としている。
、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、前記発光
素子に接続されるTFTのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が0.1〜0.01で
あることを特徴とする発光装置である。
Vdとしきい値電圧Vthとの和がゲート電圧Vgより大きい範囲でチャネルコンダクタ
ンスgdが0〜1×10-8S、好ましくは0〜5×10-9S、さらに好ましくは0〜2×
10-9Sであることを特徴としている。
、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、前記発光
素子に接続されるTFTは、ソースドレイン間電圧Vdとしきい値電圧Vthとの和がゲ
ート電圧Vgより大きい範囲でチャネルコンダクタンスgdが0〜2×10-9Sであるこ
とを特徴とする発光装置である。
たはnチャネル型TFTであることを特徴としている。
が流れる部分(チャネルとも呼ばれる)を含む領域を指しており、キャリアが流れる方向
におけるチャネル形成領域の長さをチャネル長と呼び、幅をチャネル幅と呼んでいる。
、以下に示す式で表すことができる。
、μnは移動度、COXは酸化膜容量を指している。TFTにおいて、VgがVth以上に
なるとチャネルのコンダクタンスが生じ始める。
一部をOLEDの保持容量として利用することができる。従来、1画素毎に保持容量を形
成するために保持容量を形成するスペースが必要となり、容量線や容量電極などを設けて
いたが、本発明の画素構成とすることで容量線や容量電極を省略することができる。また
、酸化膜容量COXで保持容量を形成する場合、保持容量は、ゲート絶縁膜を誘電体として
ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる半導体(チャネル形成領域)と
で形成される。従って、TFTのチャネル長を長くしても、図5に示すようにTFTの半
導体層102をゲート電極の上層に配置される電源供給線106やソース配線の下方に配
置すれば、開口率を下げることなく画素設計することができる。即ち、本発明の画素構成
とすることで、容量電極や容量配線を形成するスペースを省略しても十分な保持容量を備
えることができ、さらに開口率を上げることができる。
、それぞれL×W=87μm×7μm(矩形形状)の場合において192(fF)、L×
W=165μm×7μm(矩形形状)の場合において364.5(fF)、L×W=88
μm×4μm(矩形形状)の場合において111.1(fF)、L×W=165μm×4
μm(矩形形状)において208.3(fF)、L×W=500μm×4μm(Aタイフ
゜)の場合において631.3(fF)
、L×W=500μm×4μm(Bタイフ゜)の場合において631.3(fF)である
。また、酸化膜容量COXを求める際の他の値としては、ゲート絶縁膜(酸化膜)の膜厚T
ox=115nm、ε0=8.8542×10-12(F/m2)、εOX=4.1とした。
F以上、好ましくは、100fF〜700fFであることを特徴としている。
の配線とで保持容量を形成することを特徴としている。具体的には、図5に示すように、
ゲート電極100上に設けられた層間絶縁膜(有機絶縁膜または無機絶縁膜)を誘電体と
して、ゲート電極100と、該ゲート電極と重なる電源供給線106とで容量を形成する
。図5において、ゲート電極100と、該ゲート電極と重なる電源供給線106と重なる
面積(12μm×127μm=約1524μm2)は大きく、層間絶縁膜の膜厚及び誘電
率にもよるが保持容量が形成される。このゲート電極100と電源供給線106との間で
形成される容量は、全てEL素子の保持容量として機能させることができる。従って、望
ましくは、前記発光素子に接続されるTFTの容量COXと、該TFTのゲート電極と電流
供給線との間で形成される容量との合計が数百fFとなるように適宜設計すればよい。
定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電
子輸送層等が含まれる。基本的にOLEDは、陽極/発光層/陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極/正孔注入層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入
層/発光層/電子輸送層/陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
得られる有機化合物(有機発光材料)を含む層(以下、有機発光層と記す)と、陽極と、
陰極とを有している。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底
状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)と
があるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発光を用いてい
ても良いし、または両方の発光を用いていても良い。
発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタ
ガ型TFTに適用することが可能である。
順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。
代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いれ
ばよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよい
し、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すれば
よい。
FTにおいて、単純なオン電流のバラツキだけでなく、規格化したバラツキをも減少させ
ることができ、OLEDを有する表示装置において輝度のバラツキを格段に低減すること
ができる。
じても、各TFT間の電気特性のバラツキを低減することができる。
EL層の面積収縮などが原因となっているOLED自体のバラツキも低減することができ
る。
化してもOLEDに流れる電流を一定に保つことができ、一定の輝度を保持することがで
きる。
でき、画素構造の簡略化および開口率の向上を図ることができる。
なお、図5では、簡略化のため、EL層は図示しておらず、OLEDの一方の電極(画素
電極107)しか図示していない。
ート配線105と重なる領域がチャネル形成領域、ソース配線104と接続する領域がソ
ース領域(またはドレイン領域)、接続電極103と接続する領域がドレイン領域(また
はソース領域)である。なお、スイッチング用TFTは、2つのチャネル形成領域を有す
るダブルゲート構造である。
ゲート電極100と重なる領域がチャネル形成領域である。OLEDに電流を供給するT
FTのゲート電極100は、接続電極103と接続している。
また、OLEDに電流を供給するTFTのソース領域(またはドレイン領域)と電源供給
線106とが接続され、OLEDに電流を供給するTFTのドレイン領域(またはソース
領域)と接続電極108とが接続され、該接続電極108と接して画素電極107が形成
されている。また、ゲート電極100の上方には、電源供給線106と、隣合う画素のソ
ース配線とが一部重なるように配置されている。なお、半導体層102のうち、ゲート電
極100とゲート絶縁膜を介して重なるチャネル形成領域の上方には、電源供給線106
と、隣合う画素のソース配線とが一部重なるように配置されている。このゲート電極10
0と電源供給線106との間で形成される容量は、全てEL素子の保持容量として利用す
ることができる。従って、このゲート電極100と電源供給線106との間で形成される
容量で必要とされる保持容量をある程度確保することができる。
5、ゲート電極100を形成した段階での図である。半導体層102がゲート電極100
とゲート絶縁膜(図示しない)を介して重なる領域、即ちチャネル形成領域を図6中の点
線で示している。
)が格段に長いTFT(L=100μm〜500μm、ここでは500μm)とし、従来
よりも格段に高いゲート電圧値でオン状態として駆動させ、チャネルコンダクタンスgd
の低いTFT(gd=0〜1×10-8S、好ましくは5×10-9S以下、ここでは2×1
0-9S以下)を提供することを特徴としている。
いて、OLEDに電流を供給するTFTにおいて、単純なオン電流のバラツキだけでなく
、規格化したバラツキをも減少させることができ、OLEDを有する表示装置において輝
度のバラツキを格段に低減することができる。
Dに流れる電流を制御する方法を採用した場合、極めて顕著な効果を有する。上記構成と
することによって、図12に示すように、各TFT間のバラツキ低減以外にも、OLED
作製の際に生じるバラツキ(パターニングや熱処理によるEL層の面積収縮などが原因と
なっているOLED自体のバラツキ)も低減することができる。また、上記構成とするこ
とによって、図12に示すように、各TFT間のバラツキ低減以外にも、何らかの原因で
OLEDが劣化してもOLEDに流れる電流を一定に保つことができ、一定の輝度を保持
することができる。
LEDに流れる電流を制御する方法でも有用である。
、TFTが形成されている基板を通過させて発光する発光装置(代表的には図14に示し
た発光装置)の一例を示したため、開口部は、画素電極107のうち、接続電極108が
形成されていない領域となっており、開口部を広くするため、チャネル長Lの長いTFT
は、電源供給線106やソース配線の下方に配置している。このチャネル長Lの長いTF
Tのゲート電極100と電源供給線106との間で形成される容量は、全てEL素子の保
持容量として利用することもできる。また、図5及び図6とは逆方向に発光する発光装置
(代表的には図15に示した発光装置)とする場合、開口部は、画素電極と同一領域とな
り、チャネル長Lの長いTFTを画素電極の下方に配置してもよく、500μm以上のさ
らに長いチャネル長Lを有するTFTを形成することができる。
成しなくとも酸化膜容量Coxの一部を保持容量とすることができるが、1つの画素に保持
容量やメモリ(SRAM、DRAMなど)を形成してもよい。
さらに1つの画素に複数(2個、または3個以上)のTFTや様々な回路(カレントミラ
ー回路など)を組み込んだ構造としてもよい。
発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタ
ガ型TFTに適用することが可能である。
こととする。
素部の周辺に設ける駆動回路のTFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を
同時に作製し、OLEDを有する発光装置を作製する作製方法について詳細に説明する。
により下地絶縁膜の下層301として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガス
SiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=
27%、N=24%、H=17%)を50nm(好ましくは10〜200nm)形成する。次
いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸(1/100希釈)で除去
する。次いで、下地絶縁膜の上層302として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、
原料ガスSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=
59%、N=7%、H=2%)を100nm(好ましくは50〜200nm)の厚さに積層
形成し、さらに大気解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH4
で非晶質構造を有する半導体膜(ここではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(
好ましくは25〜80nm)で形成した。
単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限
定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiXGe1-X(X=0.
0001〜0.02))合金などを用い、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、また
はプラズマCVD法等)により形成すればよい。また、プラズマCVD装置は、枚葉式の
装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく
下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。
の極薄い酸化膜を形成する。次いで、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元
素(ボロンまたはリン)のドーピングを行う。ここでは、ジボラン(B2H6)を質量分離
しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧15kV、
ジボランを水素で1%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドーズ量2×1012/c
m2で非晶質シリコン膜にボロンを添加した。
た。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行
う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための
熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って
結晶構造を有するシリコン膜を得た。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を
行ったが、短時間での結晶化が可能なランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお
、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用
いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光(XeCl:波長308n
m)の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長400nm以下のエ
キシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。ここでは、繰り返
し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて
100〜500mJ/cm2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもって照射し、シリ
コン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度4
70mJ/cm2でレーザー光の照射を大気中で行なった。なお、大気中、または酸素雰囲気中
で行うため、レーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。なお、ここではパルス
レーザーを用いた例を示したが、連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の
結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本
波の第2高調波〜第4高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Nd:YVO4レーザ
ー(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355nm)を適用す
ればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力10Wの連続発振のYVO4レー
ザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中
にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ま
しくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に
照射する。このときのエネルギー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは
0.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、10〜2000cm/s程度の速度
でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
行った後にレーザー光を照射する技術を用いたが、ニッケルを添加することなく、連続発
振のレーザー(YVO4レーザーの第2高調波)でアモルファスシリコン膜を結晶化させ
てもよい。
で表面を120秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。ここで
はオゾン水を用いてバリア層を形成したが、酸素雰囲気下の紫外線の照射で結晶構造を有
する半導体膜の表面を酸化する方法や酸素プラズマ処理により結晶構造を有する半導体膜
の表面を酸化する方法やプラズマCVD法やスパッタ法や蒸着法などで1〜10nm程度
の酸化膜を堆積してバリア層を形成してもよい。本明細書中、バリア層とは、ゲッタリン
グ工程において金属元素が通過可能な膜質または膜厚を有し、且つ、ゲッタリングサイト
となる層の除去工程においてエッチングストッパーとなる層を指している。
晶質シリコン膜を50nm〜400nm、ここでは膜厚150nmで形成する。ここでの
成膜条件は、成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm)とし、成膜パ
ワーを3kWとし、基板温度を150℃とした。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に
含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/cm3、酸素の原
子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、電気炉を用いて550
℃、4時間の熱処理を行いゲッタリングして、結晶構造を有する半導体膜中のニッケル濃
度を低減した。
電気炉に代えてランプアニール装置を用いてもよい。
元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去
する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状に
エッチング処理して島状に分離された半導体層を形成する。半導体層を形成した後、レジ
ストからなるマスクを除去する。
浄した後、ゲート絶縁膜303となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。ここでは、
プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、
O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。
0nmの第2の導電膜とを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜303上に膜厚5
0nmの窒化タンタル膜、膜厚370nmのタングステン膜を順次積層し、以下に示す手
順でパターニングを行って各ゲート電極及び各配線を形成する。
Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材
料で形成する。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピ
ングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい
。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500n
mのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順
次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングス
テンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコ
ンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用い
てもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層
構造であってもよい。
エッチング処理)にはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッ
チング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極
に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調
節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。ここでは、
レジストからなるマスクを形成した後、第1のエッチング条件として1Paの圧力でコイル
型の電極に700WのRF(13.56MHz)電力を投入し、エッチング用ガスにCF4とCl2
とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、基板側(
試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイア
ス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、12.5cm×12.5cmであ
り、コイル型の電極面積サイズ(ここではコイルの設けられた石英円板)は、直径25c
mの円板である。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして端部をテーパー
形状とする。この後、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング条件に変え
、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(sc
cm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入して
プラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも2
0WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4
とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチング
される。なお、ここでは、第1のエッチング条件及び第2のエッチング条件を第1のエッ
チング処理と呼ぶこととする。
ここでは、第3のエッチング条件としてエッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それ
ぞれのガス流量比を30/30(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500
WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを60秒行った。基
板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)
電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この後、レジストからなるマ
スクを除去せずに第4のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2
とを用い、それぞれのガス流量比を20/20/20(sccm)とし、1Paの圧力でコ
イル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約20秒
程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力
を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、ここでは、第3のエッチン
グ条件及び第4のエッチング条件を第2のエッチング処理と呼ぶこととする。この段階で
第1の導電層304aを下層とし、第2の導電層304bを上層とするゲート電極304
および各電極305〜307が形成される。この段階で、画素の上面構造を、例えば、図
6に示したものとすればよい。
して全面にドーピングする第1のドーピング処理を行う。第1のドーピング処理はイオン
ドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.
5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとして行う。n型を付与する
不純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。自己整合的に第
1の不純物領域(n--領域)322〜325が形成される。
03のオフ電流値を下げるため、マスクは、画素部401のスイッチングTFT403を
形成する半導体層のチャネル形成領域及びその一部を覆って形成する。また、マスクは駆
動回路のpチャネル型TFT406を形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺
の領域を保護するためにも設けられる。加えて、マスクは、画素部401の電流制御用T
FT404を形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を覆って形成され
る。
、ゲート電極の一部と重なる不純物領域(n-領域)を形成する。第2のドーピング処理
はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。ここでは、イオンドープ法を用
い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドー
ズ量を1.5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を90keVとして行う。この場合、レ
ジストからなるマスクと第2の導電層とがn型を付与する不純物元素に対するマスクとな
り、第2の不純物領域311、312が形成される。第2の不純物領域には1×1016〜
1×1017/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加される。ここでは、第2の
不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn-領域とも呼ぶ。
第3のドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。
n型を付与する不純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。
ここでは、イオンドープ法を用い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガス
を流量40sccmとし、ドーズ量を2×1015atoms/cm2とし、加速電圧を80keV
として行う。この場合、レジストからなるマスクと第1の導電層及び第2の導電層がn型
を付与する不純物元素に対するマスクとなり、第3の不純物領域313、314、326
〜328が形成される。第3の不純物領域には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲で
n型を付与する不純物元素を添加される。ここでは、第3の不純物領域と同じ濃度範囲の
領域をn+領域とも呼ぶ。
して第4のドーピング処理を行う。第4のドーピング処理により、pチャネル型TFTを
形成する半導体層を形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加された
第4の不純物領域318、319、332、333及び第5の不純物領域316、317
、330、331を形成する。
m3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領
域318、319、332、333には先の工程でリン(P)
が添加された領域(n--領域)であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5
〜3倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、第4の不純物領域と同じ濃
度範囲の領域をp+領域とも呼ぶ。
と重なる領域に形成されるものであり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でp型を
付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第5の不純物領域と同じ濃度範
囲の領域をp-領域とも呼ぶ。
形成される。導電層304〜307はTFTのゲート電極となる。
VD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコ
ン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用
いても良い。
の活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法(RTA法)、或いは
YAGレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処
理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。
行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
550℃で1〜12時間の熱処理)を行い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程
は第1の層間絶縁膜308に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端す
る工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜(図示しない)の存在に関係なく半導体層
を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより
励起された水素を用いる)を行っても良い。
を形成する。本実施例では塗布法により膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜309aを形成
し、さらに、スパッタ法により200nmの窒化シリコン膜309bを積層する。なお、
ここでは、1.6μmのアクリル樹脂に窒化シリコン膜を積層した例を示したが、層間絶
縁膜の材料または膜厚は、特に限定されず、ゲート電極とその上に形成する電源供給線と
の間で容量を形成する場合には、適宜、有機絶縁膜または無機絶縁膜の膜厚を0.5μm
〜2.0μmとすればよい。
後で形成される接続電極に接して重なるよう画素電極334を形成する。本実施例では、
画素電極はOLEDの陽極として機能させ、OLEDの発光を画素電極に通過させるため
、透明導電膜とする。
物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次
行う。本実施例では第2の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第3の層間絶縁膜を
エッチングした後、第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の層間絶縁膜を
エッチングしてから第1の層間絶縁膜をエッチングした。
、電源供給線、引き出し電極及び接続電極などを形成する。ここでは、これらの電極及び
配線の材料は、Ti膜(膜厚100nm)とシリコンを含むAl膜(膜厚350nm)と
Ti膜(膜厚50nm)との積層膜を用い、パターニングを行った。こうして、ソース電
極及びソース配線、接続電極、引き出し電極、電源供給線などが適宜、形成される。なお
、層間絶縁膜に覆われたゲート配線とコンタクトを取るための引き出し電極は、ゲート配
線の端部に設けられ、他の各配線の端部にも、外部回路や外部電源と接続するための電極
が複数設けられた入出力端子部を形成する。また、先に形成された画素電極334と接し
て重なるよう設けられた接続電極341は、電流制御用TFT404のドレイン領域に接
している。
らを相補的に組み合わせたCMOS回路を有する駆動回路402と、1つの画素内にnチ
ャネル型TFT403またはpチャネル型TFT404を複数備えた画素部401を形成
することができる。
域329の長さを格段に長いものとする。例えば、上面構造を図5に示したものとすれば
よい。図5ではチャネル長Lの長さを500μmとした。なお、チャネル幅Wは4μmと
した。
電極334の端部を覆うように両端にバンクとよばれる絶縁物342a、342bを形成
する。バンク342a、342bは珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれば良い。
ここでは、有機樹脂膜からなる絶縁膜をパターニングしてバンク342aを形成した後、
スパッタ法で窒化シリコン膜を成膜し、パターニングしてバンク342bを形成する。
の陰極344を形成する。
L層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例え
ば、低分子系有機EL材料や高分子系有機EL材料を用いればよい。また、EL層として
一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレット化合物)からなる薄膜、また
は三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプレット化合物)からなる薄膜を
用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用い
ることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができ
る。
族もしくは2族に属する金属元素)や、これらを含む合金を用いることが好ましいとされ
ている。仕事関数が小さければ小さいほど発光効率が向上するため、中でも、陰極に用い
る材料としては、アルカリ金属の一つであるLi(リチウム)を含む合金材料が望ましい
。なお、陰極は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線を経由して入力端子部に端
子電極を有している。
護膜、封止基板、或いは封止缶で封入することにより、OLEDを外部から完全に遮断し
、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐこと
が好ましい。ただし、後でFPCと接続する必要のある入出力端子部には保護膜などは設
けなくともよい。
ト)を貼りつける。異方性導電材は、樹脂と、表面にAuなどがメッキされた数十〜数百
μm径の導電性粒子とから成り、導電性粒子により入出力端子部の各電極とFPCに形成
された配線とが電気的に接続する。
けてもよいし、ICチップなどを実装させてもよい。
図8中の701が図7のスイッチングTFT403に対応しており、702が電流制御用
TFT404に対応している。赤色を表示する画素は、電流制御用TFT404のドレイ
ン領域に赤色を発光するOLED703Rが接続され、ソース領域にはアノード側電源線
(R)706Rが設けられている。また、OLED703Rには、カソード側電源線70
0が設けられている。また、緑色を表示する画素は、電流制御用TFTのドレイン領域に
緑色を発光するOLED703Gが接続され、ソース領域にはアノード側電源線(G)7
06Gが設けられている。また、青色を表示する画素は、電流制御用TFTのドレイン領
域に青色を発光するOLED703Bが接続され、ソース領域にはアノード側電源線(B
)706Bが設けられている。それぞれ色の異なる画素にはEL材料に応じて異なる電圧
をそれぞれ印加する。本実施例では、チャネルコンダクタンスgdを低下させるために、
チャネル長を長くし、従来よりも格段に高いゲート電圧値でオン状態として駆動させる。
方法を用いる。また、ソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、
デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい
。
上面図を図13(A)及び図13(B)に示す。
図13(A)は、図6における半導体層102に代えて、パターニング形状の異なる半導
体層1102とした例である。ここでは、半導体層1102を蛇行させている。なお、図
13(A)においてチャネル長L×チャネル幅Wは、図6と同一であり、500μm×4
μmとする。図13(A)は、パターニング形状の異なる半導体層1102以外は実施例
1と同一であるので、他の部分の説明は実施例1を参照すればよい。
符号を用いている。図13(B)は、図6における半導体層102に代えてパターニング
形状の異なる半導体層1202とし、電極100に代えてパターニング形状の異なる電極
1200とした例である。図13(B)においてチャネル長は、165μmとする。図1
3(B)は、パターニング形状の異なる半導体層1202、電極1200以外は実施例1
と同一であるので、他の部分の説明は実施例1を参照すればよい。
ぶ)の上面図及び断面図を示す。
で切断した断面図である。図14(A)において、基板500(例えば、耐熱性ガラス等
)に、下地絶縁膜501が設けられ、その上に画素部502、ソース側駆動回路504、
及びゲート側駆動回路503を形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施
例1や実施例2に従えば得ることができる。
518で覆われ、その有機樹脂は保護膜519で覆われている。さらに、接着剤を用いて
カバー材で封止してもよい。カバー材は、支持体として剥離前に接着してもよい。
を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)509からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示
されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良
い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはP
WBが取り付けられた状態をも含むものとする。
縁膜501が設けられ、絶縁膜501の上方には画素部502、ゲート側駆動回路503
が形成されており、画素部502は電流制御用TFT511とそのドレインに電気的に接
続された画素電極512を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路5
03はnチャネル型TFT513とpチャネル型TFT514とを組み合わせたCMOS
回路を用いて形成される。
FT、上記実施例1のpチャネル型TFTに従って作製すればよい。
ート側駆動回路503形成している。
の両端にはバンク515が形成され、画素電極512上には有機化合物層516および発
光素子の陽極517が形成される。
せて有機化合物層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれ
ば良い。例えば、低分子系有機化合物材料や高分子系有機化合物材料を用いればよい。ま
た、有機化合物層516として一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレッ
ト化合物)からなる薄膜、または三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプ
レット化合物)からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層とし
て炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知
の材料を用いることができる。
09に電気的に接続されている。さらに、画素部502及びゲート側駆動回路503に含
まれる素子は全て陽極517、有機樹脂518、及び保護膜519で覆われている。
用いるのが好ましい。また、有機樹脂518はできるだけ水分や酸素を透過しない材料で
あることが望ましい。
ように保護膜519を有機樹脂518の表面(露呈面)に設けることが好ましい。また、
基板500の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子(FPC)
が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用
いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、CVD装置でマスキングテープとして用
いるテフロン(登録商標)等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜され
ないようにしてもよい。保護膜519として、窒化珪素膜、DLC膜、またはAlNXOY
膜を用いればよい。
ら完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を
促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ること
ができる。
とは逆方向に発光する構成としてもよい。また、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰
極を積層して図14とは逆方向に発光する構成としてもよい。
図15にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。
られ、絶縁膜610の上方には画素部602、ゲート側駆動回路603が形成されており
、画素部602は電流制御用TFT611とそのドレインに電気的に接続された画素電極
612を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路603はnチャネル
型TFT613とpチャネル型TFT614とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成
される。
FT、上記実施例1のpチャネル型TFTに従って作製すればよい。
の両端にはバンク615が形成され、画素電極612上には有機化合物層616および発
光素子の陰極617が形成される。
09に電気的に接続されている。さらに、画素部602及びゲート側駆動回路603に含
まれる素子は全て陰極617、有機樹脂618、及び保護膜619で覆われている。さら
に、カバー材620と接着剤で貼り合わせてもよい。
また、カバー材620には凹部を設け、乾燥剤621を設置してもよい。
向は図15に示す矢印の方向となっている。
発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタ
ガ型TFTに適用することが可能である。
Lモジュール)を組み込んだ全ての電子機器が完成される。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書
籍等)などが挙げられる。それらの一例を図16、図17に示す。
示部2003、キーボード2004等を含む。
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。
カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。
部2303等を含む。
ヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、
操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Dig
tial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。
等を含む。
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態、及び実施例1〜3の
どのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
Claims (5)
- 半導体膜と、
前記半導体膜上の、第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の、電源供給線と、
容量素子と、
発光素子と、を有し、
前記半導体膜は、蛇行した部分を有し、
前記半導体膜は、前記蛇行した部分に、チャネル形成領域を有し、
前記半導体膜は、前記チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記発光素子は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と電気的に接続され、
前記電源供給線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記ゲート電極と、前記第2の絶縁膜と、前記電源供給線とを有し、
前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。 - 半導体膜と、
前記半導体膜上の、第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の、電源供給線と、
前記第2の絶縁膜上の、ソース配線と、
容量素子と、
発光素子と、を有し、
前記半導体膜は、前記ソース配線に沿う方向に蛇行した部分を有し、
前記半導体膜は、前記蛇行した部分に、チャネル形成領域を有し、
前記半導体膜は、前記チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記発光素子は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と電気的に接続され、
前記電源供給線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記ゲート電極と、前記第2の絶縁膜と、前記電源供給線とを有し、
前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。 - 半導体膜と、
前記半導体膜上の、第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記第1の絶縁膜上の、ゲート配線と、
前記ゲート電極上の、第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の、電源供給線と、
容量素子と、
発光素子と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート配線に沿う方向に蛇行した部分を有し、
前記半導体膜は、前記蛇行した部分に、チャネル形成領域を有し、
前記半導体膜は、前記チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記発光素子は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と電気的に接続され、
前記電源供給線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記ゲート電極と、前記第2の絶縁膜と、前記電源供給線とを有し、
前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記チャネル形成領域は、チャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が、0.1〜0.01であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101600100B1 (ko) | 2009-11-27 | 2016-03-04 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광 표시 장치 |
JP5508301B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2014-05-28 | パナソニック株式会社 | 発光表示装置 |
TWI653755B (zh) | 2013-09-12 | 2019-03-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置、其製造方法及電子機器 |
KR102238641B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2021-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 |
CN113490998A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-10-08 | 阵列光子学公司 | 用于混合式半导体生长的氢扩散屏障 |
CN113381286B (zh) * | 2021-06-02 | 2023-03-03 | 山东大学 | 离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5626468A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-14 | Sharp Corp | Structure of membrane transistor |
JPH09162414A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電気器具 |
US20010038098A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-11-08 | Shunpei Yamazaki | Light-emitting device |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS548986A (en) * | 1977-06-22 | 1979-01-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS58171860A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH0680828B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタ |
JPS63151083A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置 |
JPH0258030A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2645663B2 (ja) * | 1989-01-24 | 1997-08-25 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜半導体装置とその製造方法 |
WO1998021755A2 (en) * | 1996-11-12 | 1998-05-22 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
JP2622183B2 (ja) * | 1990-04-05 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
JP3357699B2 (ja) * | 1992-02-21 | 2002-12-16 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPH0653441A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Sony Corp | 薄膜トランジスタを備えたセル構造、薄膜トランジスタを備えたsramメモリーセル構造、及び薄膜トランジスタを備えたセル構造の形成方法 |
US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
JP3504993B2 (ja) * | 1995-01-20 | 2004-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス回路 |
JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5608557A (en) * | 1995-01-03 | 1997-03-04 | Xerox Corporation | Circuitry with gate line crossing semiconductor line at two or more channels |
GB9520888D0 (en) * | 1995-10-12 | 1995-12-13 | Philips Electronics Nv | Electronic devices comprising thin-film circuitry |
JP3522440B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2004-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
JP3522442B2 (ja) * | 1996-03-11 | 2004-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
JP3188167B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2001-07-16 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP3520401B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投射型表示装置 |
JPH11133463A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器 |
EP1830342B1 (en) * | 1997-02-17 | 2013-01-23 | Seiko Epson Corporation | Pixel driving circuit for an electroluminescent display |
JPH10254410A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその駆動方法 |
US5981970A (en) * | 1997-03-25 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JPH11194363A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、アクティブマトリックス基板及びその製造方法、電子機器 |
GB9808061D0 (en) * | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2968269B2 (ja) * | 1998-11-26 | 1999-10-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2000214800A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000223279A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000243963A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP4229513B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2009-02-25 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型el表示装置 |
JP2000347624A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP4246845B2 (ja) * | 1999-04-22 | 2009-04-02 | Tdk株式会社 | 有機el素子の駆動装置および有機el表示装置 |
JP4337171B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4877675B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
AU7091400A (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-26 | E-Ink Corporation | Transistor for an electronically driven display |
JP2001109405A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2001111053A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP3548063B2 (ja) * | 1999-10-20 | 2004-07-28 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP2001147659A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
JP4748847B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置および電気器具 |
JP2001244213A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置並びに半導体装置の作製方法 |
US6307322B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-10-23 | Sarnoff Corporation | Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage |
JP4485078B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5008223B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2012-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP3967081B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2007-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001272930A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001284592A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその駆動方法 |
TW508545B (en) * | 2000-03-30 | 2002-11-01 | Seiko Epson Corp | Display apparatus |
JP2001296818A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP5030345B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-09-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3612494B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP4149168B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5626468A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-14 | Sharp Corp | Structure of membrane transistor |
JPH09162414A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電気器具 |
US20010038098A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-11-08 | Shunpei Yamazaki | Light-emitting device |
Also Published As
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---|---|---|
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