UA75574C2 - A glass with coating (variants) - Google Patents
A glass with coating (variants) Download PDFInfo
- Publication number
- UA75574C2 UA75574C2 UA2001107390A UA2001107390A UA75574C2 UA 75574 C2 UA75574 C2 UA 75574C2 UA 2001107390 A UA2001107390 A UA 2001107390A UA 2001107390 A UA2001107390 A UA 2001107390A UA 75574 C2 UA75574 C2 UA 75574C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- layer
- solar radiation
- glass
- low emissivity
- fluorine
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 69
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 64
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 10
- JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dibutyl)stannyl] acetate Chemical compound CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 278
- 239000010408 film Substances 0.000 description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 35
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical group [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical group C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 241001624198 Kalanchoe top-spotting virus Species 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004476 mid-IR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N TRIFLUOROACETIC ACID ETHYL ESTER Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)F STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acetic Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 2
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N Busulfan Chemical compound CS(=O)(=O)OCCCCOS(C)(=O)=O COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026540 Cathepsin L2 Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000983577 Homo sapiens Cathepsin L2 Proteins 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000321422 Mycteroperca jordani Species 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical class ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 241000287181 Sturnus vulgaris Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N ethyl 4,4,4-trifluoro-3-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)C(F)(F)F OCJKUQIPRNZDTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- REOJLIXKJWXUGB-UHFFFAOYSA-N mofebutazone Chemical group O=C1C(CCCC)C(=O)NN1C1=CC=CC=C1 REOJLIXKJWXUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000015097 nutrients Nutrition 0.000 description 1
- 235000016709 nutrition Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/244—Doped oxides with Sb
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31627—Next to aldehyde or ketone condensation product
- Y10T428/3163—Next to acetal of polymerized unsaturated alcohol [e.g., formal butyral, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Опис винаходу
Дана заявка є частковим продовженням патентної заявки США Мо09/249761, поданої 16 лютого 1999 року і наведеної в даному описі як посилання.
Даний винахід стосується скла з покриттям, що використовується у вікнах житлових приміщень, архітектурних споруд та транспортних засобів, а також для різних цілей, коли необхідні і регулювання параметрів сонячного випромінювання, і низька емісійна здатність. Покриття для регулювання параметрів сонячного випромінювання та з низькою емісійною здатністю містять оксид стануму з різними легуючими добавками Даний винахід виключає 70 необхідність застосування антирайдужного підшарку. Скляні вироби можуть бути будь-якої форми, але звичайно вони плоскі або гнуті. Скло може бути будь-якого складу, але звичайно це натрій-кальцій-силікатне скло, отримане у флоат-процесі. Воно може бути відпаленим, термозміцненим або загартованим.
Термін "регулювання параметрів сонячного випромінювання" означає властивість регулювати кількість теплової енергії сонячного випромінювання, яка може пройти крізь скляний виріб у такий закритий простір, як 12 будівельна споруда або салон автомобіля. Термін "низька емісійна здатність" означає здатність поверхні виробу стримувати поглинання та емісію випромінювання середнього діапазону інфрачервоного спектра, роблячи цю поверхню відбивальною для випромінювання середнього діапазону інфрачервоного спектра, зменшуючи таким чином тепловий потік через виріб в результаті послаблення переносу тепла до поверхні з низькою емісійною здатністю (іноді позначеною як низька Е) та з неї. Внаслідок стримування теплопритоку сонячного 20 випромінювання внутрішні помешкання будов та автомобілів стають прохолоднішими, що дозволяє знизити потребу в кондиціюванні повітря та витрати на це. Покриття з суттєво низькою емісійною здатністю поліпшують комфорт влітку та взимку в результаті підвищення термоізоляційної характеристики вікон.
Важливими для комерційно придатних скляних виробів з покриттями, які здатні регулювати параметри, сонячного випромінювання та мають низьку емісійну здатність, безумовно, є економні способи виготовлення цих с 29 виробів та довговічність і підтримання асоційованих властивостей, як-то пропускання світла, видимість, колір, Ге) прозорість та здатність до відбиття.
Як показано нижче, для вдоволення вимог до скла, здатного регулювати параметри сонячного випромінювання та з низькою емісійною здатністю, було застосовано різні технології, однак жодна з систем з огляду на економічні вимоги не досягла потрібних експлуатаційних властивостей достатньою мірою. М 30 Багато покриттів та покриваючих систем викликають появу райдужних кольорів на покритому виробі. Вони ча можуть бути обумовлені хімічним складом покриття, товщиною окремого шару чи шарів або взаємодією субстрату та покриття. зі спадаючим світлом Таку райдужність у деяких випадках можна мінімізувати або о виключити розміщенням антирайдужного шару між скляним субстратом і першим покриттям. Використання ю інтерференційного шару між склом та наступним функціональним шаром чи шарами для пригнічення
Зо райдужності чи відбиття світла було продемонстровано Роєм Дж.Гордоном (Коу (с.(зогдоп) у патенті США т
Мо4187336 від 05.02.1980. Спосіб Гордона можна застосувати для скла, що регулює параметри сонячного випромінювання, як це було показано нещодавно у патенті США Мо5780149 (МеСигау еї а/ї., 14.07.1998), згідно з яким було застосовано два шари для регулювання параметрів сонячного випромінювання на поверхні « інтерференційного шару типу Гордона. Інтерференційний шар часто включає діоксид силіцію. Даний винахід З7З представляє несподівано ефектне відкриття, яке виключає необхідність використання підшарку типу Гордона с для регулювання кольору відбитого світла. "з У патенті США Мо3149989 розкрито композиції покриттів, що використовуються у виробництві скла, яке відбиває випромінювання (регулюючого параметри сонячного випромінювання). Використовують щонайменше два покриття, перше з яких з'єднане зі скляним субстратом і включає оксид стануму з додаванням відносно 75 великої кількості стибію. Друге покриття також включає оксид стануму з додаванням відносно малої кількості - стибію. Дві плівки можуть бути нанесені одна на одну або по різні боки скляного субстрату. В обох випадках ці 1 регулюючі параметри сонячного випромінювання покриття не надають скляним виробам значно знижених емісійних властивостей. о У патенті США Мо4287009 описано скло з теплопоглинаючим покриттям, що перетворює спадаючі сонячні -І 50 промені на теплову енергію, яка передається робочому рідкому теплоносію. Відповідно, скло з таким покриттям поглинає щонайменше 8595 сонячних променів хвильового діапазону і має відносно низький показник емісійної
Т» здатності, менший за 0,2. Покриття розміщують на зовнішній поверхні скла (тобто на поверхні, поверненій до сонці), а рідкий теплоносій контактує з внутрішньою поверхнею скла. Покриття складається з першого покриття з осаджених на гладкий шар скла оксидів металів, вибраних з групи, що складається зі стануму, стибію, індію і 99 феруму, та другого покриття з оксидів металів, осаджених на перше покриття і вибраних з тієї ж групи металів.
ГФ) Згадані плівки в такій компоновці матимуть дуже низьке пропускання видимого світла, і в патенті не описано, як регулювати колір відбитого світла.
У опатенті США Мо4601917 описано рідкі композиції покриттів для виробництва високоякісних високопродуктивних легованих флуором покриттів з оксиду стануму методом хімічного осадження з газової 60 фази. Одне із застосувань таких покриттів полягає у виготовленні енергозберігаючих вікон, що продаються під назвою "І ом Е", або "вікна низької Е". Описано також способи виготовлення скла з таким покриттям. У патенті не вказано, як виготовляти скляні вироби з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання та мають низьку емісійну здатність.
У патенті США Мо4504109. що належить Каризпікі Каїзна Тоуоїа Спои, розкрито скло, покрите кількома бо шарами, що захищають від інфрачервоного випромінювання, яке включає прозорий для світла субстрат та покриваючий ламінуючий компонент, що включає "цонайменше один шар, що захищає від інфрачервоного випромінювання, та щонайменше один інтерференційний відбивальний шар, які по черзі розташовані один на одному...". Легований станумом оксид індію використано у прикладах як шар, що захищає від інфрачервоного випромінювання, а діоксид титану використано як інтерференційний захисний шар. Щоб зменшити райдужність, товщина шару, що захищає від інфрачервоного випромінювання, та інтерференційного відбивального шару повинна складати чверть ламбди (ламбда/4) з можливим відхиленням 75-13095 від ламбда/4. Хоча розкрито й інші композиції захищаючого від інфрачервоного випромінювання шару та інтерференційного відбивального шару, як-то діоксид стануму з легуючими добавками чи без них (див. колонку б, рядки 12-27), однак /о запропоновану даним винаходом конкретну комбінацію легованих шарів з діоксиду стануму, яка забезпечує регулювання параметрів сонячного випромінювання, низьку емісійну здатність та антирайдужність, не потребуючи обмеження за товщиною ламбда/4, не було розкрито чи описано як таку, що пригнічує райдужність або кольорове відбиття.
У патенті США Мо4583815, що теж належить КаризпіКі Каїзна Тоуоїа Спо, описано захищаючий від теплових /5 хвиль ламінат, що включає два покриваючих шари з оксидів індію та стануму, які містять різну кількість стануму. Описано також антивідбивальні шари вище чи нижче шарів з оксидів індію та стануму. Розкрито інші композиції для таких шарів, як той, що захищає від інфрачервоного випромінювання, а також інтерференційний захисний шар, як-то діоксид стануму з легуючою добавкою, яка стає позитивним іоном з валентністю фк5, наприклад 560, Р, Ав, МБ, Та, МУ чи Мо, або таким елементом, як флуор, який легко стає негативним іоном з 2о валентністю -1 (див. колонку 22, рядки 17-23). Однак запропоновану даним винаходом конкретну композицію легованих шарів з діоксиду стануму, яка забезпечує захист від сонячного випромінювання, низьку емісійну здатність та антирайдужність, не було розкрито чи описано. Немає у формулі винаходу пункту, що відноситься до шару з оксиду стануму, в описі також немає ніяких свідоцтв, які б описували композицію з таких шарів, наприклад співвідношення легуючої добавки та оксиду стануму. Слід також зазначити, що пропонується с ов Використовувати таку легуючу добавку в обох шарах (оксидів індію та стануму), в той час як за патентною заявкою, що розглядається, обидва шари повинні включати різні легуючі добавки. і)
У патенті США Мо4828880, що належить Ріїкіпдіоп РІ С, описано бар'єрні шари, які заважають міграції іонів лужних металів з поверхні скла та/або діють як пригнічуючі колір шари, які покривають шари, що відбивають інфрачервоне випромінювання або є електропровідними. Деякі з цих шарів, що пригнічують колір, «г зо використовують у скляних конструкціях, які забезпечують регулювання параметрів сонячного випромінювання та низьку емісійну здатність. -
У патенті США Мо4900634. що належить Сіамегреі!, описано піролітичне покриття з оксиду стануму, що ю включає суміш легуючих добавок, флуору та стибію, нанесених на скло, і забезпечує низьку емісійну здатність та показник зменшення матовості майже 1,5. Щео,
У патенті США Мо5168003. що належить Бога Моїог Сотрапу, описано глазурований виріб, що несе М практично прозоре покриття, яке включає оптично функціональний шар (який може мати низьку емісійну здатність та регулювати параметри сонячного випромінювання) та тонший антирайдужний шар, який є багатоградієнтним ступінчастим. Легований стибієм оксид стануму згадано як можливу альтернативу або оптичний компонент описаного шару з низькою емісійною здатністю. «
У патенті США Мо5780149, що належить І іБреу-Оуепе-Бога, описано скло з покриттям, яке регулює шщ с параметри сонячного випромінювання і в якому є щонайменше три покриваючі шари - перше та друге прозорі
Й покриття, а також шар, що пригнічує райдужність, розташований між скляним субстратом та прозорими верхніми и?» покриттями. Згідно з винаходом прозорі шари мають різницю в показниках рефракції у близькій інфрачервоній області більшу, ніж у видимій. Ця різниця призводить до відбиття теплового випромінювання сонця у близькій інфрачервоній області як протидії поглинанню. Леговані оксиди металів, що мають низьку емісійну здатність, -І наприклад легований флуором оксид стануму, використовують як перший прозорий шар. Такі оксиди металів, як нелегований оксид стануму, використовують як другий прозорий шар. Не описано жодної комбінації, що о поглинає випромінювання у близькій інфрачервоній (БІЧ) області. с Патент ЄПВ Ме0546302, виданий 16.07.1997, належить Авайі Сіазз Со. Цей патент описує системи покриттів для регулювання параметрів сонячного випромінювання термообробленого (загартованого або зігненого) скла, ш- що включає захисний шар на основі нітриду металу. Для покриття, що регулює параметри сонячного ї» випромінювання, використовують захисний шар чи шари (для попередження окиснення протягом термічної обробки). Як шар, що регулює випромінювання сонця, запропоновано багато прикладів з легованим стибієм чи флуором оксидом стануму. Однак конкретну комбінацію легованих шарів з діоксиду стануму, запропоновану даним винаходом, завдяки якій досягають регулювання параметрів випромінювання сонця, низької емісійної здатності та антирайдужних властивостей не за Гордоном, ані розкрито, ані описано.
Ф) Заявка ЄПВ Мо0735009, опублікована в лютому 1996, належить Сепігаї! Сіазз Со. Ця заявка описує ка тепловідбивальне віконне скло з багатошаровим покриттям, яке включає скляну пластину та два шари. Перший шар є оксидом металу з високим коефіцієнтом рефракції на основі хрому, мангану, феруму, кобальту, нікелю чи бо Купруму, другий шар є плівкою з меншим коефіцієнтом рефракції на основі оксиду стануму. Не розкрито леговані шари з низькою емісійною здатністю чи здатні поглинати БІЧ.
Заявка РСТ Мо98/11031. опублікована в березні 1998, належить Ріїкіпдюоп РІ С і описує високопродуктивне скло, здатне регулювати параметри сонячного випромінювання, яке являє собою скляний субстрат з покриттями, що включають теплопоглинаючий шар і шар з низькою емісійною здатністю з оксиду металу. Теплопоглинаючий 65 шар може бути металооксидним і легованим оксидами вольфраму, кобальту, хрому, феруму, молібдену, ніобію чи ванадію або їх сумішами. Шар з низькою емісійною здатністю може бути легованим оксидом стануму. Згідно з кращим варіантом даного винаходу пригнічуючий райдужність шар чи шари розташовано під покриттям, що включає теплопоглинаючий шар та шар з низькою емісійною здатністю. Ця заявка не розкриває і не пропонує конкретної комбінації легованих шарів з діоксиду стануму, запропонованої даним винаходом, завдяки якій досягають регулювання параметрів сонячного випромінювання, низької емісійної здатності та антирайдужної властивості без використання розташованого нижче підшарку типу Гордона для пригнічення райдужності або кольорового відбиття.
Патент Канади Мо2193158 розкриває легований стибієм шар з оксиду стануму на склі при молярному співвідношенні стибій/станум 1:0,2-1:0,5, що зменшує світлопропускання скла. 70 У статті Оорапі ЕпПесів іп Зргауед Тіп Охіде Рітве" (Вплив легуючих добавок на плівки з оксиду стануму)
Е.Зпапійі, АВапегієє 5 К ЇЇ. Спорга, Тіп боїіа Ріїтв, 88 (1981) р.93-100 обговорено вплив легування стибієм, флуором та їх комбінацією на електричні властивості плівок з оксиду стануму. У статті не розкрито ані оптичні властивості стибій-флуорових плівок, ані вплив на колір пропущеного або відбитого світла.
В заявці Великобританії Мо2302101, що належить Сіамегреї, описано скляний виріб з покриттям у вигляді /5 Плівки зі стибію/оксиду стануму товщиною щонайменше 400нм з молярним співвідношенням 5Б/Зп 0,05-0,5 з прозорістю для видимого світла, меншою за 3595. Плівки нанесено водоструминним хімічним осадженням з газової фази, і вони призначені для приховуючих стекол. Запропоновано зменшуючи матовість підшарки, а також товсті шари з низьким співвідношенням ЗБ/Зп, які мають низьку емісійну здатність і високий коефіцієнт поглинання сонячного випромінювання. Вказано також на можливість застосування одного чи більше додаткових 2о шарів покриття для досягнення деяких заданих оптичних властивостей. Жодну з цих властивостей за винятком матовості не згадано. У заявці нічого не сказано про тонші шари, використання більше однієї легуючої добавки або регулювання кольору плівки.
В заявці Великобританії Мо2302102, що теж належить СіІамегре!, описано скляний субстрат з покриттям у вигляді шару з оксиду стануму/стибію з молярним співвідношенням станум/стибій 0,01-0,5, який нанесено сч об Хімічним осадженням з газової фази, причому покритий субстрат має фактор сонячного випромінювання (коефіцієнт теплопритоку сонячного випромінювання), менший за 0,7. Покриття призначені для вікон та мають і) коефіцієнт світлопропускання 40-6595 та товщину 100-500нм. Заявлено зменшуючи матовість підшарки, а низької емісійної здатності покриття досягають розумним вибором співвідношення стибій/станум. Як і у попередній заявці згадано про один чи більше додаткових шарів покриття для досягнення бажаних оптичних властивостей. «Е
Зо Для одержання плівок з низькою емісійною здатністю, що містять Е, 55 і 5п, на шари стибій/станум можуть бути нанесені шари з оксиду стануму, леговані флуором, або до реагентів станум/стибій можна додати флуорні - компоненти. Останні два способи непривабливі внаслідок збільшення часу та вартості при додаванні третього ю шару, а також через те, що емісійна здатність плівок 5Б/Е не зменшилась, а зросла. Не згадано про регулювання параметрів кольору чи його нейтральність. о
В заявці Великобританії Мо2200139, що належить СіІамегреї, описано спосіб нанесення покриття осадженням М розпиленням розчинів, що містять попередник стануму, флуоровмісні сполуки та принаймні одну легуючу добавку, вибрану з групи, що складається зі стибію, арсену, ванадію, кобальту, цинку, кадмію, вольфраму, телуру чи мангану.
Раніше виробники скла намагались керувати потоком теплоти крізь вікна, використовуючи поглинальне « та/або відбивальне покритті, барвники до скла та пост-нанесені плівки. Більшість з цих покриттів та плівок пл») с призначено для регулювання параметрів тільки однієї частини спектра теплового випромінювання сонця, або БІЧ (тобто близького інфрачервоного компонента електромагнітного спектра з довжиною хвилі 750-250Онм), або ;» середнього інфрачервоного компонента електромагнітного спектра з довжиною хвилі 2,5-25мкм. Були розроблені вироби, призначені для регулювання параметрів усього теплового спектра, однак нанесені розпиленням набори плівок метал/діелектрик хоч і ефективні, мають обмежену стійкість і потребують захисту та -І розміщення всередині центральної секції багатосекційного ізольованого склопакета (ІСП). Тому існує необхідність у розробці покриття, яке регулює все випромінювання сонця, у вигляді плівки або комбінації о плівок, які можна легко нанести піролітичним осадженням у процесі виготовлення скла, а також скла, що має с прийнятне пропускання видимого світла, поглинає чи відбиває БІЧ, відбиває середній діапазон ТЧ та має нейтральний чи близький до нейтрального колір.
Ш- Жодне з вищенаведених джерел інформації чи їх комбінація не пропонує і не передбачає запропонованої ї» даним винаходом конкретної комбінації легованих шарів із ЗпО»о, яка забезпечувала б регулювання параметрів сонячного випромінювання, низьку емісійну здатність та антирайдужні властивості без застосування підшарку типу Гордона. 5Б Даний винахід пропонує поліпшене скло з регулюванням параметрів сонячного випромінювання, з прийнятним пропусканням видимого світла, яке поглинає випромінювання ближнього інфрачервоного діапазону
Ф) (БІЧ) і відбиває випромінювання середнього інфрачервоного діапазону (низька емісійна здатність, або низька ка Е), з попередньо вибраним кольором в межах видимого спектра для відбитого світла, яке можна регулювати до конкретного кольору або можна зробити практично безбарвним (далі "нейтральним"). Також запропоновано бо спосіб виготовлення такого поліпшеного скла з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання.
Згадане покриття являє собою оксид стануму з різними легуючими добавками і модифікаторами матовості в конкретних шарах покриття. Один шар поглинає сонячну енергію (БІЧ) і складається з оксиду стануму з легуючою добавкою стибієм. Інший шар в покритті з оксиду стануму - це регулюючий шар з низькою емісійною здатністю, здатний відбивати ІЧ-світло середнього діапазону, який складається з оксиду стануму з легуючою 65 добавкою у вигляді флуору та/або фосфору. Немає загальної потреби в окремому пригнічуючому райдужні кольори шарі, як описаний раніше шар Гордона, для досягнення нейтрального (безбарвного) світла, відбитого від покритого скла, однак пригнічуючий райдужність шар або інші шари можна комбінувати із запропонованим даним винаходом багатошаровим покриттям з оксиду стануму. При необхідності можна застосувати декілька шарів, які регулюють сонячне випромінювання, та/або декілька шарів з низькою емісійною здатністю. БІЧ-шар та шар з низькою емісійною здатністю можуть бути окремими частинами єдиної плівки з оксиду стануму, оскільки обидва шари виготовлені з легованого оксиду стануму. Запропоновано також спосіб виготовлення скла з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання. Крім того, згідно з даним винаходом можна регулювати чи змінювати колір пропущеного світла додаванням барвників до БІЧ-шару. Несподівано виявилось, що легуючий флуор, який знебарвлює плівку з оксиду стануму, діє як забарвлююча добавка при додаванні її як /о легуючої до БІЧ-шару та змінює колір світла, пропущеного через БіІЧ-плівку. Запропоновано також добавки, що зменшують матовість, в конкретних шарах покриття з оксиду стануму.
Фіг.1-4 та 8-15 - поперечний розріз скла з покриттям з різною кількістю шарів або плівок у різній послідовності нанесення шару з оксиду стануму на скляний субстрат.
Фіг.5 і 6 - графічне зображення регулювання параметрів сонячного випромінювання, досягнутого завдяки /5 легованим стибієм плівкам при різних концентраціях легуючої добавки та різних товщинах плівки на віконному склі, тобто на одинарному склі або на ізольованих склопакетах (ІСП), складених щонайменше з двох листів скла.
Фіг.7 - кольоровий спектр в координатах х та у за стандартами С.І.Е - Соттівззіоп Іпіегпайопаіе де
Г'Ехсіаїгаде (Міжнародна комісія з питань освітлення), конкретний колір, якого можна досягти різними концентрацяіми легуючої добавки та різною товщиною плівок.
Фіг.15 - показники зменшення матовості покриттів з оксиду стануму, запропонованих даним винаходом, зі зменшуючими матовість добавками в БіІЧ-шарі (28) та без них.
Фіг.16, 17, 18 та 19 - графічне зображення даних, описаних у прикладах.
Задачею даного винаходу є створення прозорого виробу з регульованим кольором відбитого світла (навіть нейтральним), який поглинає сонячне випромінювання ближнього інфрачервоного діапазону (БІЧ), відбиває сч ов теплоту інфрачервоного випромінювання середнього діапазону (низька емісійна здатність) та має покриття з оксиду стануму, яке складається з двох шарів у вигляді тонких плівок, які містять легований ЗпОо та зменшуючи (8) матовість добавки принаймні в одному із шарів. Іншою метою даного винаходу є нанесення шарів при атмосферному тиску методом хімічного осадження з газової фази або іншими способами, наприклад розпиленням розчину або випаровуванням/сублімацією рідких/твердих продуктів. Кращим способом згідно з «г зо даним винаходом є спосіб хімічного осадження з газової фази випарених рідких попередників. Іншою задачею винаходу є розробка шарів, що регулюють параметри сонячного випромінювання, та/або шарів, що мають низьку - емісійну здатність, разом з іншими шарами у комбінації з шаром, що регулює параметри сонячного ю випромінювання або має низьку емісійну здатність. ІНШОЮ задачею даного винаходу є створення плівки або комбінації плівок, які регулюють параметри сонячного випромінювання і які можна легко наносити піролітичним о з5 осадженням при виготовленні скла з отриманням виробу, який має прийнятне пропускання видимого світла, ча відбиває або поглинає БІЧ-випромінювання, відбиває ІЧ-випромінювання середнього діапазону (низька Е) і має нейтральний або близький до нейтрального колір, при цьому виготовлення такого виробу також є задачею даного винаходу. Ще однією задачею даного винаходу є регулювання кольору пропущеного світла, незалежно від кольору відбитого світла, додаванням забарвлюючих добавок до БІЧ-шару. «
Скло, що регулює параметри сонячного випромінювання та має низьку емісійну здатність, виготовляють в с нанесенням на нагрітий прозорий субстрат щонайменше двох шарів шару, що має низьку емісійну здатність і . включає плівку 5пО», леговану флуором та/або фосфором, та БіІЧ-поглинального шару, що включає плівку и? ЗпО», леговану стибієм, вольфрамом, ванадієм, ферумом, хромом, молібденом, ніобієм, кобальтом, нікелем або їх сумішами. Виявили, що така комбінація ефективно регулює параметри сонячного випромінювання та частини теплового випромінювання електромагнітного спектра, так що вікна, покриті такими плівками, мають значно -І поліпшені властивості.
Здатність регулювати параметри сонячного випромінювання зазвичай виражають у вигляді коефіцієнта о теплопритоку сонячного випромінювання (КТСВ) та О-величини КТСВ - це відношення загального теплопритоку с сонячного випромінювання через віконну систему до спадаючого сонячного випромінювання, в той час як 5р У-величина (Ц) - це загальний коефіцієнт теплопереносу для вікна КТОСВ скла з покриттям перш за все залежить
Ш- від товщини БіІЧ-поглинальної плівки та вмісту в ній стибію (див. Фіг.5 і 6), тоді як О-величина перш за все ї» залежить від емісійної здатності плівки та конструкції вікна КТСВ, виміряний в центрі скла, може мінятися в межах 0,40-0,80, а О-величина, виміряна в центрі скла, може змінюватись в межах 0,7-1,2 для одинарного листа скла, покритого кращими із запропонованих плівок. В ізольованому склопакеті (ІСП) КТСВ зменшується приблизно до 0,30, а О-величина - приблизно до 0,28.
Колір і відбитого, і пропущеного світла запропонованого скла з покриттям можна регулювати. Крім того
Ф) можна регулювати кількість видимого світла, пропущеного крізь вікно, в межах 25-8095, регулюючи товщину ка БІЧ-плівок і плівок з низькою емісійною здатністю та концентрацію легуючої добавки у БіЧ-плівці. Колір світла, пропущеного крізь скло з покриттям, можна регулювати окремо від кольору відбитого світла додаванням бо достатньої кількості забарвлюючої добавки у БІЧ-шар покриття. Колір відбитого світла може змінюватись від майже нейтрального до червоного, жовтого, блакитного чи зеленого і його можна регулювати, змінюючи товщину плівки і вміст легуючих добавок у шарах. Несподівано було виявлено, що нейтрального кольору відбитого світла можна досягти без необхідності використання антирайдужного шару. Хоча коефіцієнти рефракції БІЧ-плівки та плівки з низькою емісійною здатністю різні, колір відбитого світла не залежить від класичного 65 інтерференційного феномену, розкритого Гордоном (патент США Мо4187336). При спостереженні несподівано виявили, що колір відбитого світла регулюється комбінацією поглинання та відбиття, обумовлених БІЧ-шаром
(поглинання), та відбиттям, обумовленим шаром чи шарами з низькою емісійною здатністю. Поглинання
БіІЧ-шаром можна регулювати, змінюючи товщину його шару з ЗпОо та концентрацію легуючої добавки у
БІЧ-шарі, як правило, стибію. Коефіцієнт відбиття шару з низькою емісійною здатністю можна регулювати, змінюючи товщину його шару з 5пО» та концентрацію легуючої добавки в шарі з низькою емісійною здатністю, як правило, флуору. Шар з низькою емісійною здатністю, що складається з ЗпО 25 і містить флуорну пбо фосфорну легуючу добавку, далі іноді буде позначено як ЗпО:Е чи ЗпО:Р, а БІЧ-шар, який складається з ЗПО 5, коли він містить добавку стибію, далі іноді буде позначено як ЗпО:5Б.
Згідно з кращим варіантом здійснення даного винаходу використовують покриття з оксиду стануму, яке має 70 легований флуором шар окисду стануму (ЗпО:Р) як шар з низькою емісійною здатністю та легований стибієм шар оксиду стануму (5пО:56) як БІЧ-шар, а також зменшуючу матовість добавку принаймні в одному із згаданих шарів, краще у шарі, осадженому безпосередньо на скло. Плівки з ЗпО:Е та способи їх нанесення на скло фахівцям відомі, їх визначають як плівки з низькою емісійною здатністю. БІЧ-поглинальна плівка є також плівкою з ЗпО»о, але вона містить іншу легуючу добавку порівняно з шаром з низькою емісійною здатністю. 7/5 Легуючою добавкою в БіЧ-шарі переважно є стибій, хоча нею може бути елемент, вибраний з групи, що складається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту, нікелю та їх сумішей.
У БІЧ-шарі можна використовувати суміш однієї чи більше легуючих добавок, однак шар з низькою емісійною здатністю повинен містити легуючу добавку з низькою емісійною здатністю, яка надає шару значної електропровідності, наприклад флуор або фосфор, хоча у комбінації з легуючою добавкою з низькою емісійною 2о здатністю можна використовувати інші легуючі добавки. Оскільки запропоновані даним винаходом БіІЧ-шар та шар з низькою емісійною здатністю обидва використовують ЗпОо як матрицю з оксиду металу, що містить легуючу добавку, то згадані шари у кращому варіанті є частинами єдиної плівки з градієнтом легуючої добавки або шарами, що містять різні легуючі добавки. Єдину плівку з градієнтом легуючої добавки представлено на
Фіг.З як плівку 16, в якій БіЧ-легуюча добавка має більш високу концентрацію, ніж інша(ї) легуюча(чі) сч добавка(и), на одній поверхні плівки, поверхні 18 чи 22, а легуюча добавка, що забезпечує низьку емісійну здатність, має більш високу концентрацію, ніж інші легуючі добавки, на другій поверхні плівки. Результатом є і) зміна або градієнт концентрації БІЧ-легуючої добавки і добавки з низькою емісійною здатністю між поверхнями 18 та 22. У проміжній точці 20 між поверхнями 18 та 22 концентрація БІЧ-легуючої добавки змінюється з вищої концентрації з одного боку точки 20 до вже не вищої концентрації з другого боку точки 20. На Фіг.8 показано «г зо плівку 10 з низькою Е над БіЧ-плівкою 12. БіЧ-плівка 12 на Фіг.8 має градієнт концентрації БічЧ-легуючої добавки у плівці з оксиду стануму з більш низькою її концентрацією ближче до плівки 10 з низькою Е. Скло з - покриттям, показане на Фіг.9, подібне до структури, показаної на Фіг.8, за винятком того, що градієнт ю концентрації БіІЧ-легуючої добавки, зазвичай стибію, є більш високим біля плівки 10 з низькою Е і більш низьким ближче до субстрату. Плівка 12 відрізняється від плівки 16, показаної на Фіг.3, тим, що плівка 12 є Щео,
БІЧ-плівкою, тоді як плівка 16 має і БіІЧ-властивості, і властивість низької Е та містить і легуючу добавку з ї- низькою Е, і БіЧ-легуючу добавку з концентраційним градієнтом легуючої добавки з низькою Е та концентраційним градієнтом БіІЧ-легуючої добавки. На Фіг.10, 11, 12 і 13 показано БІЧ-шар як дві різні плівки, 28 та 30. Видно, що плівка 28 товстіша за плівку ЗО, а загальна товщина БІЧ-шару є сумою товщин плівок 28 та
ЗО і повинна бути в межах товщин, означених вище для БіІЧ-шару, краще 80-ЗООнм. На Фіг.10 і 11 плівки 28 та 30 « до Є суміжними, а на Фіг.12 і 13 плівки 28 та ЗО розташовані по обидва боки від плівки 10 з низькою Е. Краще, пт») с якщо концентрація легуючої добавки у плівці 28 відрізняється від концентрації легуючої добавки у плівці 30. . На Фіг.14 показано двошарову плівку 32 з оксиду стануму, осаджену безпосередньо на скляний субстрат 14, и? причому нижній шар 32 складається з двох частин: першої, 34, з добавкою, що зменшує матовість, і другої, 36, без такої добавки, а верхній шар 10 являє собою шар з низькою емісійною здатністю, наприклад легований флуором оксид стануму. -І На Фіг.15 показано величини зменшення матовості для покриттів з оксиду стануму, запропонованих даним винаходом, з добавками, що зменшують матовість, у БІЧ-шарі 32 та без них. Показано чотири скляні субстрати, о кожен з яких має БІЧ-шар 32 з легованого стибієм оксиду стануму товщиною приблизно 2400А під легованим с флуором шаром 10 з низькою Е і товщиною приблизно ЗО00А. На покритому склі зліва матовість склала 1,1395 5о проти 0,7290, коли до БІЧ-шару, другого зліва, додали трифлуороцтову кислоту. Далі направо на Фіг.15 матовість - двошарового покриття, що складається з шарів 32 і 10, склала 0,8495, коли під час осадження перших приблизно ї» ББОА БІЧ-шару не використали воду, проти 0,7095 на крайньому правому скляному субстраті з двошаровим покриттям, в якому при осадженні перших 550 А БіЧ-шару 32 серед попередників була не вода, а трифлуороцтова кислота.
Згідно з кращим варіантом здійснення даного винаходу як БіІЧ-плівку використовують плівку, леговану стибієм. Таку плівку можна нанести кількома способами, включаючи піролітичне нанесення, способи хімічного
Ф) осадження з газовой фази (ХОГ) та фізичного осадження з газової фази (ФОГ). Піролітичне нанесення відоме і ка розкрите в таких патентах, як патент Канади Мо2193158. Способи ХОГ для осадження плівок 5пО»о з легуючими добавками чи без них та хімічні попередники для утворення плівок 5пО 5 з легуючими добавками також добре бо Відомі і розкриті в патентах США МоМо 4601917 і 4265974. Кращим з відомих способів є хімічне осадження з газової фази шарів 5пО» з легуючими добавками безпосередньо на лінії виробництва флоат-скла зовні чи всередині флоат-ванни з використанням звичайної техніки нанесення на лінії та хімічних попередників, описаних у патенті США Мо4853257 (Непегу). Однак плівки 5пО» з легуючими добавками можна наносити на скло як шари іншими способами, наприклад розпиленням розчину або випаровуванням/сублімацією рідких/твердих продуктів в5 при атмосферному тиску. При нанесенні розпиленням розчину у відповідному нереактивному розчиннику розчиняють такі самі попередники ЗпО » і легуючі добавки і наносять їх відомим способом на гарячу скляну стрічку при атмосферному тиску. Відповідні розчинники для нанесення розпиленням розчину описані в патентній заявці Канади Мо2193158 і включають спирти, такі як етанол та ізопропанол, кетони, такі як ацетон та 2-бутанон, та складні ефіри, такі як етилацетат та бутилацетат. Кращим способом нанесення згідно з даним винаходом є ХОГ при атмосферному тиску з використанням рідких попередників. Спосіб добре пристосований до реалізації в існуючих промислових системах нанесення покриттів. Попередники, запропоновані у кращих варіантах здійснення даного винаходу, є економічними, забезпечують довговічність покриття, зменшують частоту чистки системи та їх можна використовувати з незначними модифікаціями чи без них на існуючому обладнанні ліній виробництва флоат-скла. 70 Покриття функціонують одночасно як відбивальні та поглинальні. Плівка з низькою емісійною здатністю відбиває теплове випромінювання середнього діапазону ІЧ-спектра в області 2,5-25мкм, а БіІЧ-поглинальна плівка поглинає в першу чергу теплове випр'омінювання в області 750-2500Онм. Теорія, яка пояснює цей ефект, полягає в тому, що в БіЧ-діапазоні довжина хвилі плазми РІ (довжина, при якій плівка з низькою емісійною здатністю перетворюється з пропускаючої енергію світла у відбивальну) для плівки з низькою емісійною здатністю лежить в діапазоні БІЧ В зоні поруч з РІ поглинання БІЧ є найвищим для плівок з низькою емісійною здатністю, а у комбінації з БіІіЧ-поглинальною плівкою поглинання зростає. БіІЧ-поглинальні плівки згідно з кращими варіантами здійснення даного винаходу також леговані напівпровідниками, а відтак мають відбивальні властивості в середньому діапазоні ІЧ. Це відбиття у поєднанні з відбиттям плівки з низькою емісійною здатністю дає в цілому вище тепловідбиття в середньому діапазоні ІЧ.
Краще піролітично наносити ЗпСй она скло, використовуючи попередник стануму, особливо таку стануморганічну сполуку-попередник, як трихлорид монобутилстануму (ТХМБС), дихлорид диметилстануму, діацетат дибутилстануму, трихлорид метилстануму або будь-який з відомих попередників для ХОГ-нанесення зЗпО», наприклад розкритих у патенті США Мо4601917. Часто такі стануморганічні сполуки, що їх використовують як попередники для піролітичного нанесення 5пО 5, включають стабілізатори, наприклад етанол. Краще, якщо сч ов Концентрація стабілізаторів менша за 195 з метою зменшення ризику займання при контакті гарячого скла з такими хімічними речовинами в присутності кисню. Попередниками легуючих добавок (стибію, вольфраму, і) ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту та нікелю) для БІЧ-шару є переважно галіди, наприклад трихлорид стибію, однак можна використовувати і алкоксиди, складні ефіри, ацетилацетонати та карбоніли. Інші придатні попередники для легуючих добавок та ЗпО» добре відомі фахівцям. Придатні попередники флуорної «г зо легуючої добавки для шару ЗпО 5 з низькою емісійною здатністю та їх кількість розкрито у патенті США
Мо4601917, вони включають трифлуороцтову кислоту, етилтрифлуорацетат, флуорид амонію та флуорводневу - кислоту. Концентрація легуючої добавки з низькою емісійною здатністю, як правило, менша за 3095, краще ю 1-14595, попередника легуючої добавки відносно спільної маси попередника легуючої добавки та попередника стануму. Це звичайно співвідноситься з концентрацією легуючої добавки у плівці з низькою Е 1-595 відносно маси о зв оксиду стануму у плівці з низькою Е. ї-
У кращих варіантах даного винаходу властивості залежать від товщини шару з низькою емісійною здатністю та поглинаючого шару, а також від вмісту стибію у поглинаючій (БІЧ) плівці Товщина плівки з низькою емісійною здатністю може бути в межах 200-450нм, найкраще 32Онм. БІЧ-поглинальні плівки, яким віддається перевага, можна наносити таким самим шляхом, що і плівки з низькою емісійною здатністю, використовуючи такі « способи, як ті, що описані у патенті США Мо4601917. Стануморганічні попередники для 5ПО о можна пт) с випаровувати у повітрі або інших прийнятних газах-носіях, що містять джерело О 5, при концентраціях . попередника 0,25-4,О0мол.бо (краще 0,5-3,0молою) Концентрації попередника 5пО2 в даному описі виражені як и?» процентний вміст, виходячи з молярної концентрації попередника та молярної концентрації газу-носія. Кращими концентраціями попередника БіІЧ-легуючої добавки є 1-2095 (ще краще 2,5-7,595, а найкраще - 3,0-6,095), і ці
Концентрації розраховують, виходячи з маси попередника легуючої добавки та маси попередника зпо ». -І Найбільшу перевагу віддають такій легуючій добавці, як стибій, використовуючи трихлорид стибію як його попередник, у концентраціях приблизно 2-8мас.9о як найкращих. Це співвідноситься з таким же процентом за о масою стибію у БіЧ-плівці з оксиду стануму. с Запропоноване даним винаходом скло з покриттям зображено на кресленнях. На Фіг.1 плівки показано в 5р поперечному розрізі. Товщина плівки з низькою емісійною здатністю (позиція 10) може бути в межах 200-45Онм, а - БІЧ-плівки (позиція 12) - 80-3ЗООнм. Товщина, якій віддається перевага, для плівки з низькою емісійною ї» здатністю становить 250-35Онм, а для БіЧ-плівки - 200-280нм. Найкращою ж є товщина 280-320нм для плівки з низькою Е і 220-260нм для БіІЧ-плівки. При використанні запропонованих плівок можна виготовляти скло з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання, нейтрально-блакитного кольору, яке позначено ов Тут як скло з покриттям, що відбиває світло переважно в межах величин хроматичних координат за С.І.Е для х - 0,285-0,310, а для у - 0,295-0,325. Визначення нейтрально-блакитного кольору представлено на Фіг.7 зоною в (Ф) межах позначки "нейтрально-блакитний колір" (МецігаІ-бІце Соіог). Як видно з Фіг.7, для прикладів 15, 20 і 22 ка можна отримати регульований чи попередньо вибраний колір відбитого світла, близький до нейтрального, але трохи жовтуватого відтінку (величина х досягає 0,325, а величина у - 0,33), але такий практично нейтральний во колір відбитого світла до трохи жовтуватих відтінків не є привабливим для споживачів. На Фіг.2 показано дві плівки чи шари, що розташовані у послідовності, протилежній тій, що показана на Фіг.1. На Фіг.2 плівка з низькою емісійною здатністю розташована ближче до скла 14, ніж БіІЧ-плівка 12. На Фіг.3 зображено БІЧ-шар та шар з низькою емісійною здатністю інтегрованими в єдину плівку 16 з ЗпО», що має градієнт легуючої добавки в межах плівки 16. Плівка 16 має перевагу однієї легуючої добавки (наприклад, легуючої добавки з низькою 65 емісійною здатністю, флуору) на верхній поверхні 18, подалі від скла 14, та перевагу другої легуючої добавки (наприклад, такої БіІЧ-легуючої добавки, як стибій) на ближчій до скла поверхні 22. Концентрація легуючої добавки від поверхні 18 до поверхні 22 змінюється так, що вміст однієї легуючої добавки змінюється від більше ніж 5095 на поверхні 18 майже до 095 на поверхні 22 У проміжній точці 20, нижче верхньої поверхні 18, домінуюча легуюча добавка в плівці змінюється від добавки, що домінує на поверхні 18, до добавки, що домінує на поверхні 22. Будь-яка з БІЧ-легуючої добавки та легуючої добавки для низької емісійної здатності (флуору) може бути домінуючою на поверхні 18, в той час як інша - на поверхні 22. На Фіг.4 показано скло з покриттям, що додатково до шару 10 з низькою емісійною здатністю та БІЧ-шару 12 включає шари 24 та 26. Ці додаткові шари, 24 і 26, можуть бути додатковими шарами з низькою емісійною здатністю та/або БІЧ-шарами, або іншими звичайними шарами, які використовують для покриття скла, наприклад підфарбовуючий шар. Так, шар 12 може 70 бути БІЧ-шаром (наприклад, станум, легований стибієм), шар 10 - шаром з низькою емісійною здатністю (станум, легований флуором), 24 - іншим БІЧ-шаром, а 26 - іншим шаром з низькою емісійною здатністю або якимось іншим звичайним шаром. Концентрація легуючої добавки при наявності більше одного шару з низькою емісійною здатністю може бути такою самою або іншою, і товщина кожного з шарів з низькою емісійною здатністю також може бути однаковою або різною. Аналогічно, концентрація легуючої добавки та її вибір (з групи, що /5 бкладається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту та нікелю) при наявності більше одного БІЧ-шару може бути однаковою або різною, і товщина кожного БІЧ-шару теж може бути однаковою або різною. Взагалі, легуючою добавкою для БіЧ-шару згідно з даним винаходом є, головним чином, стибій, але треба розуміти, що легуючу добавку для БІЧ-шару можна вибрати з групи, що складається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту, нікелю та їх сумішей. Аналогічно, згідно з варіантом винаходу, де є градієнтний шар, як представлено на Фіг.3, домінуючу добавку для БІЧ-поверхні 18 або 22 можна вибрати з групи, що складається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту, нікелю та їх сумішей, суттєвим є тільки те, що легуюча добавка для низької Е, наприклад флуор, є домінуючою на протилежній поверхні. Скомбінувати з градієнтним шаром можна один чи більше БІЧ-шарів або шарів з низькою емісійною здатністю, наприклад шари 10 і 12, представлені на Фіг.1-3, та/або інші звичайні шари. сч
Для прискорення нанесення на скло плівки ЗпО 5 використовують воду, що видно з патенту США Мо4590096 (ипадег), у концентрації приблизно 0,75-12,0мол.бо води відносно газової композиції. і)
Інший варіант даного винаходу забезпечує зменшення матовості плівки. Матовість виникає через розсіяння спадаючого світла, коли воно падає на поверхню. Вона може викликатися шорсткістю поверхні через великий розмір кристалітів, широкий діапазон розмірів кристалітів та/або через частинки, що містяться в поверхні «г
Зо плівки. Матовість також може спричинятися пустотами (раковинами) у плівці через звітрювання проміжного побічного продукту, наприклад Масі. Плівки, осаджені згідно з даним винаходом, мають матовість, викликану, - головним чином, шорсткістю поверхні. Матовість зменшують розумним включенням або вилученням певних ю домішок в процесі нанесення покриття або на поверхні розділу між склом і плівкою, або на поверхні розділу двошарової плівки. Регулюючи шорсткість всередині шарів-плівок таким способом, зменшують шорсткість, а о зв Відтак і матовість верхнього шару у двошаровому покритті з оксиду стануму. Це є удосконаленням порівняно з ча відомим методом, коли зменшення матовості досягають доданням допоміжного шару поверх верхньої частини функціонального шару. Єдине призначення згаданого відомого допоміжного шару - вирівнювати шорстку поверхню функціонального шару, заповнюючи зони між верхівками та западинами кристалітів.
Однією з таких зменшуючих шорсткість домішок є флуор, або в неорганічній формі, як флуороводень, або в « органічній формі, як трифлуороцтова кислота (ТФОК) чи, наприклад, етилтрифлуорацетат. Інші джерела флуору, ще с придатні для зменшення матовості, включають дифлуороцтову кислоту, монофлуороцтову. кислоту, три- або пентафлуорид стибію та етилтрифлуорацетоацетат. Якщо флуор присутній в усьому підшарку з ЗпО:5БЬ або в ;» його частині, розмір кристалітів значно зменшується, і загальна матовість плівки зменшується. Мікрознімки, отримані за допомогою сканувального електронного мікроскопа, показують, що на розмір кристалітів верхнього покриття вплинув зменшений розмір кристалітів підшарку. Іншими домішками, які, як виявили, ефективно -І зменшують матовість, є такі кислоти, як оцтова, мурашина, пропіонова, метансульфокислота, масляна та її ізомери, азотна та азотиста кислоти. Матовість також можна зменшити вилученням певних домішок, наприклад о води. Якщо води немає під час осадження перших кількох сотень ангстрем підшарку, загальний розмір с кристалітів зменшується. Матовість також можна зменшити, комбінуючи один або більше вищезгаданих прийомів. Якщо під час процесу осадження трифлуороцтову кислоту включено, а воду вилучено, загальна - матовість плівки зменшується. Наприклад, коли вода відсутня під час осадження перших 50-бОнм шару ЗпО:5б, ї» загальна морфологія плівки відновлюється і досягають приблизно 0,895 матовості. Подібні морфологічні ефекти та показники матовості отримують, якщо додають трифлуороцтову кислоту, а воду вилучають під час осадження перших 50-бОнм шару ЗпО:56.
Флуор при додаванні його як легуючої добавки у плівку з оксиду стануму знижує емісійну здатність і збільшує електропровідність плівки. Однак в даному винаході при додаванні в легований стибієм шар покриття з
Ф) окисду стануму флуор діє не як традиційна легуюча добавка. Він діє в легованому стибієм шарі як модифікатор ка розміру кристалітів легованого стибієм шару оксиду стануму, що проявляється в уменшеній загальній матовості плівки (виміряної за допомогою вимірювача матовості і підтвердженої мікрознімками, отриманими за допомогою бо сканувального електронного мікроскопа). Підвищення опору листа з одночасним підвищенням емісійної здатності, що видно з результатів в таблиці 3, підтверджує функцію флуору, добавленого в легований стибієм шар оксиду стануму (ЗпО:ЗБ). При наявності флуору в шарі ЗпО:5Б результуюча емісійна здатність комбінованого шару зростає, а не зменшується, як можна було б очікувати, якби флуор діяв як легуюча добавка.
Якщо не заглиблюватись у пояснення, то вважають, що флуор, цілююм можливо, зв'язується з вузлами 65 кристалічної решітки стибію і, таким чином, ефективно видаляє їх обох як легуючі добавки в плівці, а відтак підвищується і загальна емісійна здатність плівки.
Інший варіант здійснення даного винаходу дає можливість змінювати колір світла, пропущеного через скло з покриттям. Кольором пропущеного світла називають колір світла від джерела цього світла, який сприймається спостерігачем з протилежного боку скла з покриттям, а кольором відбитого світла називають колір світла, який сприймається спостерігачем з того самого боку, що й джерело цього світла. На пропущене світло можна впливати доданням додаткових легуючих добавок до БІЧ-шару. Як вже пояснювалось, БІЧ шар включає легуючу добавку, вибрану з групи, що складається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту і нікелю. Колір пропущеного через БІЧ-шар світла можна змінювати, додаючи до БІЧ-шару додаткову легуючу добавку, яка відрізняється від першої легуючої добавки в БіЧ-шарі і яку вибрано з групи, що 7/0 складається з вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту, нікелю або комбінації з більш ніж однією додатковою легуючою добавку. На колір пропущеного світла також може впливати добавка, що зменшує матовість, флуор. Як показано в прикладах 40-43, в результаті додання попередника флуору, наприклад трифлуороцтової кислоти (ТФОК) до розчину БіЧ-попередника, наприклад ЗБСІз/трихлорид монобутилстануму, утворюється плівка з сірим кольором пропущеного крізь неї світла проти блакитного кольору 7/5 пропущеного світла для легованого стибієм шару оксиду стануму без легуючого флуору. Ця добавка має невеликий вплив на колір відбитого світла або зовсім не впливає на нього і, відповідно, можна виготовляти покрите скло з кольором відбитого світла іншим, ніж колір пропущеного крізь це скло світла.
Для змінення кольору пропущеного світла в кінцевій структурі плівки без значного впливу на загальний нейтральний колір відбитого світла до попередників ЗпО:50 можна додавати такі легуючі добавки для БІЧ-шару, го Як ванадій, нікель, хром, і нетрадиційні забарвлюючі добавки, наприклад трифлуороцтову кислоту (ТФОК), в кількості 1-5мас.95 (відносно загальної маси попердника і добавки).
Кращі варіанти здійснення даного винаходу будуть представлені в наступних прикладах. Фахівцям зрозуміло, що невеликі відхилення від представлених варіантів не виходять за межі об'єму даного винаходу.
Найкращі варіанти отримання скла з покриттям з низькою Е та БІЧ-властивостями, з нейтральним кольором сч світла, відбитого від покриття з оксиду стануму, яке складається лише з двох шарів, безвідносно до матовості, описано в прикладах 1-30. Один шар на склі - це ЗпО:Е (легований флуором оксид стануму) товщиною і) приблизно ЗО00А у комбінації з ЗпО:5Ь - плівкою (легований стибієм оксид стануму) товщиною приблизно 2400А. Товщина плівки для ЗпО:Е-іпару може коливатись в межах приблизно 2800-32004А і, несподівано, бути все ще достатньою для досягнення нейтрального кольору відбитого світла. Концентрація флуору може «Е
Зр Коливатись в межах приблизно 1-5ат.9о5. Товщина плівки для ЗпО:5б-іпару може коливатись в межах приблизно 2200-2600А при концентрації стибію приблизно 3-895 і, несподівано, бути все ще достатньою для досягнення - нейтрального кольору відбитого світла. В межах кращої товщини та концентрації легуючої добавки згідно з ю даним винаходом можна виготовляти скло з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання і має
БІЧ-шар, шар з низькою емісійною здатністю і нейтрально-блакитний колір відбитого світла, тобто скло з Щео, з5 покриттям має колір відбитого світла переважно в межах хроматичних координат за С.І.Е.: величини для х ча 0,285-0,310, а для у - 0,295-0,325, що показано на Фіг.7 зоною з позначкою "нейтрально-блакитний колір".
Всі значення КТСВ (коефіцієнта теплопритоку сонячного випромінювання) та О-величини, наведені в таблицях, визначили, використовуючи методику однієї спектральної стрічки за програмою МЕКС УУіпдом 4,1.
Використання більш точної методики багатьох спектральних стрічок (для цього потрібний масив спектральних « даних) підвищує значення КТСВ приблизно на 1496. шщ с Колірні координати С.І.Е. для відбитого та пропущеного світла для скляних виробів з покриттям можна обчислити за стандартом АЗТМ ЕЗ308 з джерелом світла типу С як стандартним. За стандартом АЗТМ ЕЗ08 колір ;» об'єкту можна конкретизувати за однією з кількох різних шкал. Шкала, використана для виробів з покриттям в даному винаході, являє собою хроматичні координати х та у С.І.Е. 1931. Її можна легко перевести у шкалу Кольоровості С.І.Е. 1976 І", а", Б", використовуючи рівняння: -І ххх у) утіх кута) й Ги-1416(ули)73-16 1 а"-5Од(ХХ и) (ЛИ я - 2 регу у де х, у і 2 - колірні координати С.І.Е. виробу з покриттям, а Хі, Ми і 274 - 98,074, 100,000 та 118,232, ї» відповідно, для стандартного джерела світла типу С. З величин І", а", Б" індекс насиченості кольору, с", можна розрахувати за рівнянням с"-|(а"). (632172, Нейтральним вважають індекс насиченості кольору, що дорівнює 12 або менше.
Визначення нейтрально-блакитного кольору для відбитого світла, тобто скла з покриттям, що відбиває світло
ГФ) переважно в межах С.І.Е. хроматичних координат для х 0,285-0,310 та для у - 0,295-0,325, як показано на Фіг.7 зоною, позначеною "нейтрально-блакитний колір", співвідноситься з С..Е. 1976 1", а", р" як 37,85; -1,25; о -5,9 та 39,62; -2,25; 1,5.
Далі йде зразок конверсії: 6о Приклад 40 (таблиця 3) 5,596 ЗЬСІ 300/240 (Р/5Б/скло) х-9,797 у-9,404 б5 2-12,438 х-0,310 у-0,297
І -36,751 а" -4,624 р'-3,466 с"-5,778
Здатність віконного скла регулювати параметри сонячного випромінювання оцінювало Управління по охороні оточуючого середовища (США) (Епмігоптепіа! Ргоїесіоп Адепсу), використовуючи оцінну систему Епегду Біаг 7/о тайпуд. Система Епегду зіаг гачпд для центрального регіону США потребує величини О-фактора 0,40 або нижче і
КТСВ - 0,55 або нижче. Для південного регіону США система Епегду 5іаг гайпд потребує величини О-фактора 0,75 або нижче і КТОВ - 0,40 або нижче. Запропоноване даним винаходом скло з БІЧ-покриттям та покриттям з низькою Е, вставлене у вікна звичайної конструкції, відповідає Епегду Зіаг оцінкам для центрального та/або південного регіону США. Наприклад, підйомне вікно шириною З фути (0,9м) та висотою 4 фути (1,2м) з 7/5 Коефіцієнтом поглинання рами 0,5 за оцінкою Майопа! Репевіганйоп Каїпо Сошпсії (МЕКС) (Національна рада з оцінки застеклення) в збірці із запропонованим склом, що регулює параметри сонячного випромінювання та має
БіІЧ-плівку та плівку з низькою Е в межах найкращого діапазону для нейтрально-блакитного кольору, виявляє
КТСВ, менший за 0,40, та О-величину, меншу за 0,64, для монолітної скляної конструкції з О-величиною рами 0,7 або менше і виявляє КТСВ, менший за 0,38, та О-величину, меншу за 0,48, для конструкції ізольованого склопакета (ІСП), зробленого з прозорого листового скла товщиною 2,5мм з повітряним зазором 0,5 дюйма (1,27см) з БІЧ-покриттям та покриттям з низькою Е на поверхні Мо2 зовнішнього скляного листа та О-величиною рами 1,0 або менше.
Приклади показують, що при мінімум двох легованих шарах з ЗпОо можна виготовляти чудове скло з покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання і має попередньо вибраний колір відбитого світла. с
Дані представлено в таблицях 1, 2 (див. кінець опису) і З, а Фіг.5 і 6 графічно показують, як змінюються згадані властивості покритого скла в залежності від концентрацій легуючих добавок та товщини перш за все і)
БіІЧ-плівки. На Фіг.7 показані хроматичні координати х та у С.І.Е. репрезентативної вибірки скла з покриттям прикладів 1-30. Як видно на Фіг.7, конкретні комбінації товщин плівок для обох шарів, БІЧ та з низькою емісійною здатністю, та конкретні комбінації легуючих добавок можна використати для одержання скла з «г зо покриттям, що регулює параметри сонячного випромінювання, з будь-яким заданим кольором світла, відбитого від покритої поверхні скла, наприклад червоним, зеленим, жовтим, блакитним та їх відтінками або - нейтрально-блакитним. Особливо несподіваним виявилось те, що нейтрально-блакитного кольору можна ю досягти при наявності БІЧ-шару та шару з низькою емісійною здатністю, але без антирайдужного шару, запропонованого Гордоном. о
Хоча характерних ознак даного винаходу можна досягти лише двома шарами, БІЧ та з низькою емісійною ї- здатністю, варіанти багатошарових покриттів також знаходяться в межах об'єму та змісту даного винаходу.
Багатошарові покриття можуть включати додаткові шари, БІЧ та/або з низькою емісійною здатністю, або інші функціональні чи декоративні шари. Багатошарові покриття включають 5поО:5Б/5пО:Р/ЗпО:5Б/СсКЛлО,
ЗпО/ЗпО:Р/ЗпО:ЗБ/скло або 5пО/5пО:5Б/5ПО:Г/скло, де 5пО представляє просто плівку оксиду стануму. При « використанні багатьох шарів, БіІЧ або з низькою емісійною здатністю, вибір легуючих добавок або їх ств) с концентрації у кожній БіЧ-плівці або плівці з низькою емісійною здатністю необов'язково повинен бути . однаковим. Наприклад, коли два БІЧ-шари використовують у комбінації принаймні з одним шаром з низькою и? емісійною здатністю, один БІЧ-шар може мати низький вміст легуючої добавки, стибію (наприклад, 2,595) для забезпечення відбиття у середньому ІЧ-діапазоні, а другий БІЧ-шар може мати більш високий вміст (25905) для забезпечення поглинання БІЧ. Використані тут терміни "шар" і "плівка" загалом взаємозамінні за винятком -І обговорення представленої на Фіг.3 градієнтної плівки, де частину плівки позначено як шар, що має концентрацію легуючої добавки, яка відрізняється від концентрації легуючої добавки в іншому шарі плівки. В о способі виготовлення запропонованого даним винаходом скла з покриттям, описаному в прикладах, скло с послідовно приводять в контакт з газом-носієм, що містить попередники. Відповідно, скло може мати покриття, 5р Коли його вдруге приводять в контакт з газом-носієм, що містить попередники. Тому термін "контактуюче скло" ш- означає або безпосередній контакт, або контакт з одним або більше покриттів, раніше нанесених на це скло. ї» Найкращі способи зменшення матовості згідно з даним винаходом описано в прикладах 40-43 та 48-61.
Результати представлено в таблицях 3, 4 і 5.
Приклади 1-30
Скляний квадратний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) 5 хбсм? товщиною 2,2мм нагрівали в нагрівальному пристрої до 605-625. Субстрат розміщали на 25мм нижче центральної секції вертикальної
ІФ) концентричної трубчастої форсунки. Газ-носій (сухе повітря), що надходив зі швидкістю 15л/хв, нагрівали до іме) 1602С і пропускали через вертикальний випарник з гарячими стінками. Рідкий розчин для покриття, що містив приблизно 95мас.9о трихлориду монобутилстануму і приблизно 5мас.9о трихлориду стибію, уводили у випарник бо через шприц-насос з об'ємною швидкістю, що забезпечує 0,5мол.бо концентрацію стануморганічної сполуки у газовій композиції. У випарник також додавали воду з об'ємною швидкістю, що забезпечує 1,5мол.9о концентрацію водяної пари у газовій суміші. Таку газову суміш спрямовували на скляний субстрат з поверхневою швидкістю 0,9м/с протягом приблизно 6,1 секунди, що призвело до осадження легованої стибієм плівки оксиду стануму товщиною приблизно 240нм. Одразу за цим використовували другу газову суміш, що містила 65 композицію попередників з 9У5мас.9о трихлориду монобутилстануму та 5мас.9о трифлуороцтової кислоти, а також воду у тих самих концентраціях і газ-носій, що використовували раніше для осадження легованого стибієм шару
ЗпО». Цю другу газову суміш спрямовували на вже покритий субстрат протягом приблизно 6-7 секунд, що призвело до осадження легованої флуором плівки оксиду стануму товщиною приблизно 280нм. Отримана двошарова плівка мала дуже світлий блакитний колір пропущеного та відбитого світла. Оптичні властивості вимірювали на спектрофотометрі УФ/Вид./БІЧ, а поверхневий опір вимірювали стандартною чотириточковою пробою. Коефіцієнт теплопритоку сонячного випромінювання, О-величину та пропускання видимого світла для центра скла розраховували, використовуючи програму УУіпдом/ 4,1, розроблену І амтепсе ВегКеієу МаїйопаїЇ!
І арогаюгу, МУіпдомв 5 Юауїїдні Сгоир, Вийаіпуд Тесппоіодіез Ргодгат, Епегду « Епмігоптепіа! Оімівіоп. Величини координат колірності х та у за С.І.Е. розраховували за стандартом АЗТМ Е308-96 за даними по відбиттю світла в /о межах 380-77Онм і колірними координатами для джерела світла типу С. Результати аналізу для цієї плівки представлено в таблиці 1 під номером 19. Процедуру цього прикладу повторювали ще 29 разів з різними концентраціями хімічних попередників та часом осадження для одержання зразків покритого скла з різною товщиною БіЧ-шару та шару з низькою емісійною здатністю та різними концентраціями легуючих добавок.
Результати представлено в таблиці 1.
Приклади 31-38
Повторювали процедуру прикладу 1 за винятком того, що порядок подачі газу було змінено на зворотний.
Спочатку осаджували леговану флуором плівку оксиду стануму протягом приблизно 8 секунд, а потім протягом приблизно 6 секунд - леговану стибієм плівку оксиду стануму. Утворилася плівка товщиною приблизно 54Онм, яка включала шар з низькою емісійною здатністю (ЗпО:Е) товщиною приблизно З0Онм та БІЧ-шар (5пО:55Б) товщиною приблизно 24Онм і мала вид та колір відбитого світла (нейтрально-блакитний колір) такі, як і плівка з прикладу 19. Результати аналізу для цієї плівки представлено в таблиці 2 під номером 31. Процедуру цього прикладу повторювали ще 7 разів з різними концентраціями хімічних попередників та часом осадження для одержання зразків покритого скла з різною товщиною БіІЧ-шару та шару з низькою емісійною здатністю та різними концентраціями легуючих добавок. Результати представлено в таблиці 2. сч
Приклад 39
Повторили процедуру прикладу 1, але використали три живильні суміші попередників. До складу третьої і) суміші входило 9Омас.9о трихлориду монобутилстануму, 5мас.бо трифлуороцтової кислоти і 5мас.9о трихлориду стибію. Градієнтну плівку наносили спершу осадженням тільки легованого стибієм попередника оксиду стануму з прикладу 1 протягом 7095 часу, необхідного для осадження плівки товщиною 24Онм. Далі починали подавати «г зо змішаний легований стибієм/рлуором попередник. Обидві суміші попередників продовжували подавати протягом 20905 від загального часу осадження, після чого припинили подачу суміші попередника зі стибієм. -
Легований стибієм/флуором змішаний попередник продовжували подавати протягом останніх 1095 від ю загального часу осадження, необхідного для осадження плівки зі стибієм товщиною 24Онм. В цей час починали подачу легованого флуором попередника плівки оксиду стануму. Обидві живильні суміші продовжували о
Зв подавати протягом 2095 від загального часу, необхідного для осадження легованої флуором плівки оксиду ї- стануму товщиною ЗООнм. Подачу змішаного легованого стибієм/рлуором попередника припинили, а легований флуором попередник стануму продовжували подавати протягом решти часу, необхідного для нанесення плівки, легованої флуором. Утворений градієнтний покриваючий шар мав світло-блакитний колір пропущеного та відбитого світла (х-0,292, у-0,316), КТСВ-0,50, О-величина-0,6 і пропускання видимого світла складало « приблизно 4595. Як видно з Фіг.3, поверхня 22 градієнтної плівки 16 повинна мати практично 10095 легуючої нта) с добавки стибію, тоді як поверхня 18 повинна мати практично 10095 легуючої добавки флуору при градієнті концентрації легуючої добавки між поверхнями 18 та 22 і в матриці плівки 5пО». з Приклади 40-43
В прикладах 40-43 повторювали процедуру прикладу 1. Композицію покриття для БІЧ-шару в прикладах 41 і 43 складали з флуору, стибію та попередника стануму додаванням 5БСІ з та трифлуороцтової кислоти до -І трихлориду монобутил стану му. Цей попередник містив 0О,5мас.бо трифлуороцтової кислоти, 5,2-965.У6мас.о
ЗЬСІз і решту складав трихлорид монобутилстануму, його разом з водою подавали у другий випарник. 1 Газом-носієм, використаним для другого випарника, було сухе повітря, яке подавали зі швидкістю 15л/хв. с Попередник, що складався з флуору, стибію і стануму, додавали зі швидкістю, що забезпечувала 0,5мол.о концентрацію від загального потоку газу-носіяї, воду додавали зі швидкістю, що забезпечувала 1,5мол.о
Ш- концентрацію від загального потоку газу-носія, а температуру випарника підтримували на рівні 1602. Скляний «з» квадратний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) Бхб5см? товщиною 2,2мм попередньо нагрівали. в нагрівальному пристрої до 605-6259С. Нагрівальний пристрій і субстрат потім пересунули в положення безпосередньо під вертикальною форсункою машини для нанесення покриттів на відстані 25мм від неї. Потім з другого випарника на скляний субстрат спрямували пари Р/5Б/5п/Н.О, осаджуючи підшарок легованого стибієм о оксиду стануму з флуором в прикладах 41 та 43. Швидкість газу-носія була 0,9м/с, а товщина легованої плівки оксиду стануму - приблизно 24О0нм. Пари побічних продуктів реакції та попередника, що не прореагував, іме) відводили від субстрату зі швидкістю 18л/хв. Після осадження легованого стибієм та флуором підшарку оксиду стануму клапан форсунки машини для нанесення покриттів переключали з другого випарника на подачу з бо першого випарника. Пари трихлориду монобутилстануму/трифлуороцтової кислоти/води з першого випарника далі спрямовували на субстрат, осаджуючи шар легованого флуором оксиду стануму безпосередньо поверх підшарку з легованого стибієм/флуором оксиду стануму. Швидкість газу-носія була 0,Ум/с, а товщина плівки легованого флуором оксиду стануму становила приблизно З0Онм. Двошарові плівки в прикладах 41 та 43 (з вмістом у БІЧ-підшарку Е і 55) мали світло-сірий колір пропущеного світла та нейтральний колір відбитого. 65 Приклади 40 і 42 в основному повторюють приклади 41 і 43, відповідно, але без флуору у БіІЧ-підшарку.
Результати вимірів властивостей представлено в таблиці 3. Ці результати показують, як флуор як легуюча добавка в БіЧ-шарі зменшує матовість та модифікує кольори пропущеного та відбитого світла. Кольори пропущеного світла, Тув, х та у плівок, одержаних з легуючими добавками з трифлуороцтової кислоти та стибію у БІЧ-шарі (приклади 41 і 43), були більш нейтральними для відбитого світла та більш сірими для пропущеного світла, ніж в одержаному в прикладах 40 і 42 БІЧ-шарі легованого стибієм оксиду стануму, з вмістом тільки стибію. Більш того, легований стибієм БІЧ-шар з впливаючою на колір кількістю флуорної легуючої добавки більше пропускає видиме світло (зростання Ту 3 54,5 до 58,5 в прикладі 41 проти прикладу 42 з таким самим вмістом стибієвої легуючої добавки).
Й ів 2 зетвої2 во 0850840 зм 08009085 90 сч 25 о ктсво оз | ово 005505 з зо ча в ю зв т « й - с Приклади 44-47 демонструють нанесення плівок такого складу ЗпО:Р/5п0:55 (низька С в5)ЗпО:5Ь "з (висока Свр)/скло, ЗпПО:Р/ЗПпО:5Ь (висока Сву)/ЗпО:ЗЬ (низька Сев)/скло, ЗпО:ЗЬ (низька СевузпоО:Р/ЗзПпО:5Ь (висока Серу/скло та ЗпО:5Ь (висока Свв)/ЗПпО:Р/ЗПпО:5Ь (низька Сар)/скло.
Приклад 44
Повторили процедуру прикладу 1 за винятком того, що температура скла була приблизно 610 2С, а їм концентрація реагентів приблизно 0,6395 у потоці повітря зі швидкістю 20л/хв. Спочатку з рідкого розчину для 1 покриття з вмістом приблизно 1Омас.95 трихлориду стибію та приблизно 90.масоо трихлориду монобутилстануму сл було нанесено приблизно 400А легованого стибієм оксиду стануму. Одразу після цього з рідкого розчину для покриття з вмістом З,25мас.бо трихлориду стибію та 96,75мас.9о трихлориду монобутилстануму було нанесено -і 20 другий шар товщиною приблизно 2000А легованого стибієм оксиду стануму. Третій шар у ЗО0О0А легованого
ГТ» флуором оксиду стануму було нанесено з рідкого розчину для покриття з вмістом б5мас.9о трифлуороцтової кислоти та У5мас.бо трихлориду монобутилстануму. Отримана плівка мала світло-зелено-блакитний колір відбитого світла та світло-блакитний колір пропущеного світла. Властивості плівки вимірювали, як у прикладі 1. Пропускання видимого світла складало 6495, а розрахований КТСОВ-О,56 Координати х та у для кольору 59 відбитого світла складали 0,304 та 0,299, відповідно, що відповідає квадранту нейтрально-блакитного кольору
ГФ) за С.І.Е., як це визначено раніше. 7 Приклад 45
Повторили процедуру прикладу 44 за винятком того, що шари 5пО: 50 були розташовані у зворотному порядку. Отримана плівка мала червоно-блакитний колір відбитого світла з координатами кольору х та у 0,330 та бо 0,293, відповідно. Пропускання видимого світла складало 5995, а розрахований КТОВ-О0,54. Фахівцям зрозуміло, що шари ЗпО:5О можуть відрізнятися за товщинами та концентраціями від наведених тут, але все одно залишаться в межах об'єму даного винаходу.
Приклад 46
Повторили процедуру прикладу 44 за винятком того, що послідовність нанесення легованого флуором шару 65 оксиду стануму та шару, який відповідає 3,25956 розчину за масою трихлориду стибію, були розташовані у зворотному порядку. Отримана плівка мала пропускання видимого світла приблизно 6295, розрахований
КТОВ-0,55, та нейтрально-червоно-блакитний колір відбитого світла з координатами кольору х та у 0,311 та 0,311, відповідно.
Приклад 47
Повторили процедуру прикладу 45, але в цьому прикладі послідовність нанесення легованого флуором шару оксиду стануму та шару, який відповідає 1095 розчину за масою трихлориду стибію, були розташовані у зворотному порядку. Отримана плівка мала пропускання видимого світла приблизно 5795, розрахований
КТОВ-0,53, та світло-зелений колір відбитого світла з координатами кольору х та у 0,308 та 0,341, відповідно. 7/0 Фахівцям зрозуміло, що шари зпО:зЗБЬ можуть відрізнятися за товщинами та концентраціями від наведених тут, але все одно залишаться в межах об'єму даного винаходу.
Приклад 48
Повторили процедуру прикладу 41 з такими змінами. Композиція попередника покриття для БіІЧ-шару складалася з 5мас.бо трифлуороцтової кислоти, 4,35мас.бо ЗБСІз і решти - трихлориду монобутил стануму.
Газом-носієм, використаним для випаровування, було сухе повітря, яке подавали зі швидкістю 2Ол/хв.
Попередник флуору/стибію/стануму додавали зі швидкістю, яка забезпечувала концентрацію 1,5мол.бо від загального потоку газу-носія, воду додавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 7,бмолоУю від загального потоку газу-носія, а температуру випарника підтримували на рівні 160 С. Скляний квадратний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) бхбсм? товщиною 2,2мм попередньо нагрівали в нагрівальному пристрої до 6402С. Пари попередника спрямовували на скляний субстрат зі швидкістю приблизно 1,2м/с, а плівку оксиду стануму товщиною приблизно 24О0нм, що містила флуор і стибій, осаджували зі швидкістю приблизно 1200А/с. Одразу після цього осаджували легований флуором шар оксиду стануму товщиною приблизно ЗООнм з такою самою швидкістю з газової композиції, що містила 1,5мол.бю ТФОК/ТХМБС (5мас.уо ТФОК і 95мас.9о
ТХМБО), 7,5мол.о водяної пари, решта - повітря. Отримана двошарова плівка мала блакитно-зелений колір Ге відбитого світла та показник матовості 1,2095, виміряний за допомогою вимірювача матовості Гарднера. (5)
Приклад 49
Повторили процедуру прикладу 48, але воду виключили з газового потоку при осадженні перших приблизно 300-600А першого шару оксиду стануму, що містив стибій і флуор. Отримана плівка мала показник матовості 0,9795, тобто на 2095 менше, ніж у попередньому прикладі. «І
Порівняльний приклад 50 м
Повторили процедуру прикладу 40 з такими змінами. Композиція попередника покриття для БіІЧ-шару складалася з 6,75мас.бо 5ЬСІ 3 і решти - трихлориду монобутилстануму. Газом-носієм, використаним для І в) випаровування, було сухе повітря, яке подавали зі швидкістю 20л/хв. Попередник стибію/флуору додавали зі ю швидкістю, що забезпечувала концентрацію 1,5мол.95 від загального потоку газу-носія, воду додавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 7,5мол.бо від загального потоку газу-носія, температуру випарника ї- підтримували на рівні 1602С. Скляний квадратний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) 5 х5см? товщиною 2,2мм попередньо нагрівали в нагрівальному пристрої до 6482С. Пари попередника спрямовували на скляний субстрат зі швидкістю приблизно 1,2м/с і осаджували леговану стибієм плівку оксиду стануму товщиною « приблизно 240Онм зі швидкістю приблизно 1200А/с. Одразу після цього осаджували з такою самою швидкістю шар легованого флуором оксиду стануму товщиною приблизно З0Онм з газової композиції, що складалася з в) с 1,5мол.уо ТФОК/ТХМБС (5мас.бо ТФОК і 95мас.бо ТХМБС), 7,5мол.бо водяної пари і решти - повітря. Отримана "» двошарова плівка мала блакитно-зелений колір відбитого світла і показник матовості 1,3495, виміряний за " допомогою вимірювача матовості Гарднера.
Приклад 51
Повторили процедуру прикладу 50, але воду виключили з газового потоку при осадженні перших приблизно - 300-600А першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана плівка мала показник матовості 0,9096, с тобто на 3395 менше, ніж у попередньому прикладі.
Приклад 52 о Повторили процедуру прикладу 51, але додавали 9о масо ТФОК до розчину попередника для осадження -І 20 перших приблизно 300-600А першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана плівка мала показник матовості 0,8395, тобто на 3895 менше, ніж у прикладі 50. їз» Приклад 53
Повторили процедуру прикладу 50, але додавали 5мас.уо ТФОК до розчину попередника для осадження першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана двошарова плівка мала показник матовості 1,1790. 29 Приклад 54
Ф! Повторили процедуру прикладу 40 з такими змінами. Композиція попередника покриття для БіІЧ-шару складалася з 6,75мас.бо ЗЬСІз і решти - ТХМБС. Газом-носієм, використаним для випаровування, було сухе о повітря, яке подавали зі швидкістю 2Ол/хв. Попередник стибію/стануму додавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 1,5мол.Уо від загального потоку газу-носія, воду додавали зі швидкістю, що 60 забезпечувала концентрацію 1,5мол.9» від загального потоку газу-носія, температуру випарника підтримували на рівні 1602. Квадратний скляний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) 5х5см? товщиною 2,2мм попередньо нагрівали в нагрівальному пристрої до 6632С. Пари попередника спрямовували на скляний субстрат зі швидкістю приблизно 1,2м/с, і плівку легованого стибієм оксиду стануму товщиною приблизно 240нм осаджували зі швидкістю приблизно 1О50А/с. Одразу після цього осаджували з такою самою швидкістю шар легованого бо флуором оксиду стануму товщиною приблизно ЗООнм з газової композиції, що складалася з 1,5мол.о
ТФОК/ТХМБС (5мас.бо ТФОК і 95мас.бо ТХМБС), 1,5мол.бо водяної пари і решти - повітря. Отримана двошарова плівка мала блакитно-зелений колір відбитого світла і показник матовості 1,1395, виміряний за допомогою вимірювача матовості Гарднера.
Приклад 55
Повторили процедуру прикладу 54, але воду вилучали з газового потоку під час осадження перших приблизно 300-6О0А першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана плівка мала показник матовості 0,9095, тобто на 2095 менше, ніж у попередньому прикладі.
Приклад 56 76 Повторили процедуру прикладу 55, але додавали 5мас.9о ТФОК до розчину попередника під час осадження перших приблизно 300-600А першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана плівка показала 0,7090 матовості, тобто на 2395 менше, ніж у попередньому прикладі.
Приклад 57
Повторили процедуру прикладу 54, але додавали 5мас.уо ТФОК до розчину попередника для осадження 7/5 першого шару легованого стибієм оксиду стануму. Отримана двошарова плівка мала показник матовості 0,7290, що на 3695 менше, ніж у прикладі 54.
Наступні приклади ілюструють матовість, отриману при зворотному порядку осадження двошарової плівки.
Приклад 58
Повторили процедуру прикладу 31 з такими змінами. Композиція попередника покриття для підшарку го складалася з 5мас.7о ТФОК і 95мас.7о ТХМБС. Газом-носієм, використаним для випаровування, було сухе повітря, яке подавали зі швидкістю 2Ол/хв. Розчин попередника подавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 1,5мол.бо від загального потоку газу-носія, воду додавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 1,5мол.бо від загального потоку газу-носія, температуру випарника підтримували на рівні 16026.
Квадратний скляний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) 5 х5см? товщиною 2,2мм попередньо нагрівалив су нагрівальному пристрої до 6632. Пари попередника спрямовували на скляний субстрат зі швидкістю приблизно о 1,2м/с, і плівку легованого флуором оксиду стануму товщиною приблизно З0О0нм осаджували зі швидкістю приблизно 1050А/с. Одразу після цього з такою самою швидкістю осаджували легований стибієм шар оксиду стануму товщиною приблизно 24Онм з газової композиції, що складалася з 1,5мол.бо 5ЬСІЗ/ТХМЕС (6,75мас.о
ЗБСІз і 93,25мас.бю ТХМБС), 1,5мол.бо водяної пари і решти - повітря. Отримана двошарова плівка мала «І нейтрально-блакитний колір відбитого світла і показник матовості 0,6895, виміряний за допомогою вимірювача матовості Гарднера. ге
Приклад 59 Іо)
Повторили процедуру прикладу 58, але до розчину попередника, використаного для осадження першого ою шару легованого стибієм оксиду стануму, додали бБмас.5 ТФОК Отримана двошарова плівка мала нейтрально-блакитний колір відбитого світла і показник матовості 0,67905. -
Приклад 60
Повторили процедуру прикладу 54, але до 5,75мас.9о розчину попередника ЗБВСІЗ/ТХМБС, використаного для осадження першого шару легованого стибієм оксиду стануму, додали 2,9мас.9о оцтової кислоти. Отримана « двошарова плівка мала нейтрально-блакитний колір відбитого світла і показник матовості 0,9595.
Порівняльний приклад 61 - с Повторили процедуру прикладу 60, але без оцтової кислоти в розчині попередника Отримана двошарова и плівка мала нейтрально-блакитний колір відбитого світла і показник матовості 1,37905. ,» Результати прикладів 48-61 представлено в таблицях 4 і 5 - о т сть 7 нн т» птифлуороцтова кислота (0) 5 5 005 50/05 5 0 5 сть о з с
Й ТАТО вою лю лк лк ою ко ко ню ню ко
А -200.-1200 |-1200 |-1200 | -1200 |-1200 |-1050 )-1050 )-1050. -1050 |-1050 | -1050 нн 5 с
Матовість (95) 120097 1,34 090 |083 117 |1и3 1090 0,70 0,72 0,68 | 0,67
2 - 300 нм ЗпО:сР/240 нм ЗпО:5Ь ГБ/скло;
З - 240 нм зпО:ЗБ/З00О нм ЗпоО:Р/скло; 4 - 240 нм ЗпО:ЗЬ Р/300 нм зпо:Р/скло. на матовість двошарових плівок приладі | во | в й
Оцтвакиттвою | 290 ів сч о
Діоксид силіцію може також функціонувати як добавка, що зменшує матовість, у БІЧ-шарі оксиду стануму суміжно зі склом, особливо якщо її додають на верхню частину БІЧ-шару перед осадженням на цю частину шару з низькою Е. Кращим попередником діоксиду силіцію є тетраметилциклотетрасилоксан (ТМЦТС). При «Ж використанні ТМЦТС в останніх приблизно 6О0А підшарку досягали 3395 зменшення матовості. Приклади 62 і 63 м та їх результати, представлені в таблиці 6, ілюструють ефект діоксиду силіцію як зменшуючої матовість добавки в легованому стибієм шарі оксиду стануму. ів)
Приклад 62 ю
Повторили процедуру прикладу 1 з такими змінами. Композиція попередника покриття для БіЧ-шару складалася з двох розчинів, першого, що містив 5,75мас.бо ЗЬСІз і решту - ТХМБС, який подавали в обидва ї- випарники, і другого - чистого розчину тетраметилциклотетрасилоксану (ТМЦТС), який подавали тільки в другий випарник. Газом-носієм для випаровування було сухе повітря, яке подавали зі швидкістю 15л/хв Попередник стибію/стануму додавали зі швидкістю, що забезпечувала концентрацію 0,5мол.бо від загального потоку « газу-носія, воду додавали в тій секції машини для нанесення покриттів, яка змішує верхні потоки, зі
Швидкістю, що забезпечувала концентрацію 1,5мол.бо від загального потоку газу-носія, температуру випарника - с підтримували на рівні 1602. При використанні ТМЦТС його додавали зі швидкістю, що забезпечувала "з концентрацію 0,05мол.95. Квадратний скляний субстрат (натрій-кальцій-силікатне скло) 5х5см? товщиною 2,2мм " попередньо нагріли до 6632С. Пари попередника покриття для БІЧ-шару спрямовували на скляний субстрат зі швидкістю приблизно 0,88м/с, а плівку легованого стибієм оксиду стануму товщиною приблизно 185нм осаджували зі швидкістю приблизно 55нм/с. Одразу після цього з другого випарника з такою самою швидкістю
Ше осаджували плівку легованого стибієм оксиду стануму товщиною приблизно бінм з вмістом діоксиду силіцію. с Потім з першого випарника з такою самою швидкістю осаджували шар легованого флуором оксиду стануму товщиною приблизно 298нм з газової композиції, що складалася з 0,5мол.Уо ТФОК/ТХМБС (95 мас.бо ТФОК і і-й 95мас.оо ТХМБС), 1,5мол.бо водяної пари і решти - повітря. Отримана плівка мала нейтрально-блакитний колір -і 20 відбитого світла і показник матовості 0,8195, виміряний за допомогою вимірювача матовості Гарднера.
Порівняльний приклад 63
Т» Повторили процедуру прикладу 62 з тією різницею, що шар легованого стибієм оксиду стануму мав товщину 22З3нм, не осаджували шар з вмістом діоксиду силіцію, а товщина шару ЗпО:Е становила 291нм. Отримана плівка мала показник матовості 1,2095, виміряний за допомогою вимірювача матовості Гарднера. о з во
Мелтмцтомятє 17000016 вювеяцю 00318615 бо Швидкість (А/с) -5БО -5БО увей
Влнетивовя дворових пло бо: г ї во В. 5. 5 й. КЗ 8 а вЇ Як й ЩЕ її ш
Сюлей КБУ РІВЬ СВЬБ РБК СРІШБЮ. БЕБ ЛЬ РУС РБЦЄ РЄБО СЯБВАЮ СРІЄЬКЮ 'Р/ЖЬКХ АВК РІВОКУ де 58 яв во 8585 Б 0 5д 55 5е вв ов 56 яв 0оББ 55 "певідинанм ЗОЗ ЗОрМее Зобо боб Лор: Оля еОБЯЮ сОМБО оон ЗеЗРЯО ЗОБахи Ода ЗОМеЄ ЗОббну абшено; ща жо й БЖ Ой Об ябво 9 бо 98? 884 Б 380 Зб ої у бївої ЖЖр в Зв бай се бю об сжва Вб бо ба Бе важ від БЖ т5 яннии: зйо озбю я Я ді ва ва ча; же 8 85 вйобояб оз тек ВТ: ЗК НЕ У: ЗЕ Зх М: хи М х з У У зв с пк вх Є п п С мк ба доб оо сл? о вйю бтя БЖ же ато б? Ве бо дея 68 0 Бпя с: же ВО и и зн м п п п п С М ие ше Ши ше ШЕ т ши, и п п п в п
Чет Ба Бе Баг я кб 412 Я аб В: а ще ваз. я Яга ве
Бон, ба Яза б 04 35 9 48 455 865 0 65 А 856 лову хе ши я В СВ»: ж: п ск) М Я В Є МЕ НЕ Я ВЕ сч
Кусв а Фу отв обов оо об, 0 б58о0бБу б баба об Фе бЕЮ о бях ше ши ши ши ши с п с я в и п пох п п о, че бла бйж биє блю 05 б вл б З ши ШЕ НУ "аа па: она пев Ж 0 бо? 02 бе б Ой об баб 0 бов ово 0:
Же блю ВВ од от поз обу ха пев от3 об ово ово обо ов вок о бл пт па. 01 ва вих. й ков В Би: ва п: ов ва Бек ж й бла бив ба баг 6505 620» ВАЄ б ржв блю бо пос боб боб; - ж чаю блйш бай бай б2ве бзої 0909 о286 ох 000 боб о505 09 086 00 с ке т м ХЕ Є п, г и У п глив. ит п є о п я и м п ю а калівтинизвл Мейхе: Шен. Зелоблею, Майте, БдяМ' бля Мер. Зейі-жане най, Блек БиЯк, Бивк. БЛЕК Чере: ою
Бластиності диешерових плівкою ЗО ВБИВАЄ "ши ши ше ше шик ни ши ше ше є и п п лю ше ни ше ше и ши С Не в п п С С - с "овіцннв нн ИбНН ВОКЛВАЯ СЖХСАВ ЗБОДАЮ ЗВІД. З00Є спон ОМ» ЗО ОДНОЮ КНУ зоб Зою Зх Во з» кни БЮ апа яп яза ЗйЯй Зе б на б бобах Заю ве» «нео Сл85 " Жїєсі Ябя жк а ще вка явя Зб о Ятй баЯ яв? Я баб бо; тихше ни ни ни п п п в м п п с п п п -І щі яна В в В в. в Ва: їв ва ія їв шко тя зво ви зітйє вБбй вв о бБ5 БІЖ БИЙ оба звя лав дяюо й вай 683: 63 овз о с т Я З З не В зм т ж о ль с с п и 1 ява ва й і поши ше ши ше ши ши ше п пн не -.26 шпак зве яйй о язя Я йо у ОО ВО бе БЖ або сжбв е ож
Т» й йд я чад З їй а їли 0 їв 18 тав зн Ва зви 88
Етвоя фе б бле бязо бля. бле; бйбо бібл вая бу
Жов 053 ше б) бБ4 бе бя4 64 065 об Ой бяє об 949 0 о8ї оз ря и ши ши ше ши и Не в п Я и о в ші вв ем сини ши ши ни ни нн сини сн нини ни ше кн Я
НКолів Бник зай. Бляк: "Блак. Блек-велоЖовт: ел вл Конт НВ вва Жвет еле: Бланюльо: Блек.оЖивт вел. Мейтр. Жовтзет. 65 мо бене ВЕМКЮ ЧБИЗОИ ЯЗАЛНЮ 4207300 ЗІЗ00. безпо жд «оуово жо ав Бе В 835 явна пн Б: ща бу о вв бен Ов аз що в, щи й що 25 стик в35 ва. р УНН пн що
ЯВИ ОБЯ жваво шк, 7 щ
ШЕ шШ ниш НААН 7 те « зо ме В ва ЧЕ чо іє їв ак «ге ці ве Вб ща бою одв о с Ши з Ше ше У шк шви шо юю зош. пн и т ХНИ м й Б ово ою ож ож вв тв ож дві 005 Зб 069 боб оодв 00 лю г Ву. Ва «б 962 0.59 ов: - с кН ШЕ ше Що . тр вв в п ота да аує й те ве 7 бля ож ов о» 05 ов и ШИ. же ше чи боже ов дво 0555 б 079 095 од і-й Ж 0289 0509 ол зії зх вище шо у 0зю ом 034 СУМ 023 дз ою ог» о ж я ЛЕВУ пе до овшщео0а 0000 НОВ
І ВКаль о Блйкілаківйті вл звів сани зт . ин
Пояснення до таблиць 1 та 2 о Склад гР/Зр/о - легований Е ЗпОзс/легований ЗБ впомекло зЗр/г/б - легований ЗБ ЗпОзо/легований Є ЗпОг/скло о доз Чо за масою трихлориду сгибію в трихлориді монобутилстануму
Товщина, нм Виміри профілю шарів ЗпО:Е чи 5зпО: ЗБ бо уоАвоЇ до поглинання сонячного випромінювання плівкою (-100-(95Т801Ін90801,1) - 300-2500нм ув ТОЇ Чо пропускання сонячного випромінювання плівкою - 300-2500нм ово, Фо відбиття від плівки на поверхні скла - 300-2500нм док8о,2 Фо відбиття від задньої поверхні скла - 300-2500нм бе Зо Тмів 95 пропускання 7 видимого світла плівкою - 380-780нм .К. Поверхневий опір за 4-точковою пробою АїПевві
Етів.Саї! Емісійна здатність, розрахована за поверхневим опором (-1-(150,00537 8.К.)2) ктов Коефіцієнт? теплового сонячного випромінювання через центр одиночної скляної пластини "в Коефіцієнт? теплового сонячного випромінювання через центр ІСП З 2 Тмів-с о пропускання видимого світла через центр одиночної скляної пластини - 380-780нм "в 95 пропускання ! видимого світла через центр ІСП - 380-780нм ху розраховані за АЗТМ ЕЗ308-96 з 90Кмів координати кольору; - Шитіпапі С,1931 Орзегмег, інтервал 1Онм (табл.5, 5) - 380-77Онм домів Фо відбиття видимого світла від плівки на поверхні скла - 380-77Онм (1) оцінено за функцією спектру сонячного освітлення (АЗТМ Е891-87) з використанням отриманих на спектрометрі Р-Е ІГатбаа 9 з інтегруючою сферою 150мм спектральних даних (2) розраховано за програмою У/іпдом 4.1, що розроблено М/іпдомув 8. ЮОауїїдні Сгоир, І амугепсе Вегкеієу Майопаї)! І арогайогу (3) ІСП ізольований склопакет, що включає покритий (на поверхні Мо2) лист скла товщиною 2,2мм та прозорий лист скла товщиною 2,5мм та заповнений аргоном проміжок товщиною 12,7мм
Claims (1)
- Формула винаходу1. Скло з покриттям з оксиду стануму, що регулює параметри сонячного випромінювання та має низьку, менш ніж 2,095, матовість, яке містить скляний субстрат і покриття у вигляді легованого оксиду стануму, яке складається принаймні з двох шарів, причому один шар є шаром, який поглинає БІЧ-випромінювання сонця (випромінювання у близькій інфрачервоній області) і містить 5пО о і легуючу добавку, вибрану з групи, що складається зі стибію, вольфраму, ванадію, феруму, хрому, молібдену, ніобію, кобальту, нікелю та їх сумішей, а другий шар є шаром з низькою емісійною здатністю, який містить 5пО о і легуючу добавку з флуору або сч фосфору, при цьому частина поглинаючого сонячне випромінювання шару додатково містить флуор в кількості, о достатній для зниження шорсткості і матовості згаданого покриття з оксиду стануму, товщина шару, що поглинає випромінювання сонця, складає 200-320 нм, товщина шару з низькою емісійною здатністю складає 200-450 нм, а частина поглинаючого сонячне випромінювання шару, який містить флуор і надає зниженої шорсткості, складає 300-600А від товщини поглинаючого сонячне випромінювання шару і знаходиться або біля поверхні розділу між З шаром, що поглинає сонячне випромінювання, і шаром з низькою емісійною здатністю, або є частиною - поглинаючого сонячне випромінювання шару, найближчою до скляного субстрату.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що товщина шару, що поглинає БІЧ-випромінювання сонця, складає й 200-320 нм, товщина шару з низькою емісійною здатністю складає 200-450 нм, а частина поглинаючого сонячне ІС о) випромінювання шару із зниженою шорсткістю включає продукт піролітичного розкладу безводної (сухої) суміші, що містить попередник стануму і попередник стибію. геЗ. Скло за п. 2, яке відрізняється тим, що поглинаючий сонячне випромінювання шар має товщину 200-320 нм, концентрацію в ньому легуючої добавки стибію 2,5-796 відносно маси ЗпОо в цьому поглинаючому шарі, а шар з низькою емісійною здатністю має товщину 200-450 нм, концентрацію в ньому легуючої добавки флуору « дю 1-595 відносно маси ЗпО» в цьому шарі з низькою емісійною здатністю. з4. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що поглинаючий сонячне випромінювання шар знаходиться ближче до с скляного субстрату, ніж шар з низькою емісійною здатністю. :з» 5. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що поглинаючий сонячне випромінювання шар має товщину 220-260 нм і концентрацію в ньому легуючої добавки стибію 2,5-795 відносно маси 5пОо в цьому поглинаючому шарі, а шар з низькою емісійною здатністю має товщину 280-320 нм і концентрацію в ньому легуючої добавки флуору - 15 1-595 відносно маси ЗпО» в цьому шарі з низькою емісійною здатністю.б. Скло за п 1, яке відрізняється тим, що поглинаючий сонячне випромінювання шар нанесений 1 безпосередньо на скло, а шар з низькою емісійною здатністю нанесений поверх шару, що регулює параметри сл сонячного випромінювання.7. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що поглинаючим сонячне випромінювання шаром є ЗпО 2 з вмістом -і 20 легуючої добавки стибію 3-6906 відносно маси ЗпО» в шарі, що регулює параметри сонячного випромінювання, ГТ» шаром з низькою емісійною здатністю, що регулює параметри сонячного випромінювання, є ЗпО о з вмістом легуючої добавки флуору 1-395 відносно маси ЗпОо в шарі з низькою емісійною здатністю, а та частина поглинаючого сонячне випромінювання шару, що надає зниженої шорсткості, містить флуор у кількості, достатній для підвищення провідності цієї частини поглинаючого сонячне випромінювання шару. 59 8. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що містить додаткове покриття у вигляді плівки або між скляним ГФ) субстратом та покриттям з оксиду стануму, або над покриттям з оксиду стануму.7 9. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що кожний з шарів ЗпО» одержують шляхом піролітичного розкладу попередника стануму.10. Скло за п. 9, яке відрізняється тим, що попередник стануму вибрано з групи, що складається з бо трихлориду монобутилстануму, трихлориду метилстануму, дихлориду диметилстануму, діацетату дибутилстануму і тетрахлориду стануму.11. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що поглинаючий сонячне випромінювання шар складається принаймні з двох поглинаючих сонячне випромінювання плівок, а концентрація легуючої добавки в одній з плівок, що поглинають сонячне випромінювання, відрізняється від концентрації легуючої добавки у другій з плівок, що 65 поглинають сонячне випромінювання.12. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що шар з низькою емісійною здатністю складається принаймні з двох плівок з низькою емісійною здатністю, які мають загальну товщину 200-450 нм.13. Скло за п. 12, яке відрізняється тим, що концентрація легуючої добавки в одній з плівок з низькою емісійною здатністю відрізняється від концентрації легуючої добавки у другій з плівок з низькою емісійною здатністю.14. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що шар, який поглинає сонячне випромінювання, містить легуючу добавку у кількості, достатній для модифікації кольору пропущеного світла.15. Скло за п. 14, яке відрізняється тим, що легуючою добавкою, яка модифікує колір пропущеного світла, є 7/0 флуор.16. Скло з покриттям з оксиду стануму, що регулює параметри сонячного випромінювання та має низьку матовість, яке містить скляний субстрат і покриття у вигляді легованого оксиду стануму, яке складається принаймні з двох шарів, причому один шар є шаром, який поглинає БІЧ-випромінювання сонця і містить легований стибієм ЗпО»о, а другий шар є шаром з низькою емісійною здатністю, який містить 5пО» і легуючу /5 добавку з флуору або фосфору, при цьому частина поглинаючого сонячне випромінювання шару додатково містить флуор в кількості, достатній для зниження шорсткості і матовості згаданого покриття з оксиду стануму, товщина шару, що поглинає випромінювання сонця, складає 200-300 нм, товщина шару з низькою емісійною здатністю складає 200-400 нм, а частина поглинаючого сонячне випромінювання шару, що містить флуор і надає зниженої шорсткості, складає 300-600А від товщини поглинаючого сонячне випромінювання шару і знаходиться або біля поверхні розділу між шаром, що поглинає сонячне випромінювання, і шаром з низькою емісійною здатністю, або є частиною поглинаючого сонячне випромінювання шару, найближчою до скляного субстрату. с щі 6) « у ІФ) ІФ) і -- . и? -і 1 1 -і с» іме) 60 б5
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/699,681 US6596398B1 (en) | 1998-08-21 | 2000-10-30 | Solar control coated glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA75574C2 true UA75574C2 (en) | 2006-05-15 |
Family
ID=24810424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001107390A UA75574C2 (en) | 2000-10-30 | 2001-10-30 | A glass with coating (variants) |
Country Status (27)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6596398B1 (uk) |
| EP (1) | EP1201616A3 (uk) |
| JP (1) | JP4498648B2 (uk) |
| KR (1) | KR20020033579A (uk) |
| CN (1) | CN1350990A (uk) |
| AR (1) | AR031278A1 (uk) |
| AU (1) | AU779141B2 (uk) |
| BR (1) | BR0106856A (uk) |
| CZ (1) | CZ20013899A3 (uk) |
| DZ (1) | DZ3130A1 (uk) |
| EA (1) | EA004211B1 (uk) |
| EG (1) | EG23121A (uk) |
| HK (1) | HK1044143A1 (uk) |
| HU (1) | HUP0104596A3 (uk) |
| IL (1) | IL146145A (uk) |
| MX (1) | MXPA01011068A (uk) |
| MY (1) | MY127102A (uk) |
| NZ (1) | NZ515014A (uk) |
| PE (1) | PE20020702A1 (uk) |
| PL (1) | PL350382A1 (uk) |
| SA (1) | SA02220665B1 (uk) |
| SG (1) | SG108284A1 (uk) |
| SK (1) | SK15592001A3 (uk) |
| TW (1) | TWI228108B (uk) |
| UA (1) | UA75574C2 (uk) |
| UY (1) | UY26994A1 (uk) |
| ZA (1) | ZA200108848B (uk) |
Families Citing this family (284)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003065386A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Procede permettant de former un film conducteur transparent, ledit film conducteur transparent, substrat de verre comportant ledit film conducteur transparent et unite de transduction photoelectrique comprenant ledit substrat de verre |
| US7585567B2 (en) * | 2003-06-17 | 2009-09-08 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transparent conductive substrate, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element |
| BRPI0411669A (pt) | 2003-07-11 | 2006-08-08 | Pilkington Plc | vidraça para veìculo, vidraça laminada para uso em um veìculo, uso de uma vidraça, vidraça laminada para o teto de um veìculo, e vidraça laminada |
| NL1024437C2 (nl) * | 2003-10-02 | 2005-04-05 | Tno | Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat. |
| US20050196623A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Mckown Clem S.Jr. | Solar control coated glass composition |
| GB0423085D0 (en) | 2004-10-18 | 2004-11-17 | Pilkington Automotive Ltd | Solar control glazing |
| US20060141265A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Russo David A | Solar control coated glass composition with reduced haze |
| GB0505074D0 (en) * | 2005-03-14 | 2005-04-20 | Pilkington Plc | Coatings |
| US8153265B2 (en) | 2005-04-29 | 2012-04-10 | Agc Flat Glass Europe | Coated substrate and process for the production of a coated substrate |
| JPWO2007058118A1 (ja) * | 2005-11-17 | 2009-04-30 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| CN101024742B (zh) * | 2006-02-21 | 2010-05-12 | 中国科学院化学研究所 | 具有光致变色和阳光控制性能的纳米涂料及其制法和用途 |
| US7452488B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US20080160321A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | 3M Innovative Properties Company | Single pane glazing laminates |
| US7914857B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-03-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (DLC) coating and protective film with oxygen content of protective film based on bending characteristics of coated article |
| US8481778B2 (en) | 2007-08-16 | 2013-07-09 | Solvay (Societe Anonyme) | Process for the preparation of esters of 4-fluorosubstituted 3-oxo-alcanoic acids |
| MA33196B1 (fr) * | 2009-03-18 | 2012-04-02 | Agc Flat Glass Na Inc | Revêtement en film mince et son procédé de fabrication |
| US20110030290A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Slovak Steven M | Energy efficient fenestration product with suspended particle device |
| US8425978B2 (en) * | 2009-09-21 | 2013-04-23 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Fluorine compounds for doping conductive oxide thin films |
| US8270060B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-09-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Infrared ray transmittance controlling panel including color modifying layer |
| US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
| US8563853B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-22 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device |
| KR101127607B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전기 전도층이 포함된 써모크로믹 유리 |
| NL2004024C2 (en) * | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Omt Solutions Beheer B V | A coated translucent substrate for a greenhouse and a freezer door. |
| JP5722346B2 (ja) * | 2010-01-16 | 2015-05-20 | 日本板硝子株式会社 | 高品質放射制御コーティング、放射制御ガラスおよび製造方法 |
| US9862640B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-01-09 | Cardinal Cg Company | Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US11155493B2 (en) | 2010-01-16 | 2021-10-26 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US8551609B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-10-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of depositing niobium doped titania film on a substrate and the coated substrate made thereby |
| CN101891402B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机电致变色膜的制备方法 |
| CN101898872B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种NiO2无机复合有机电致变色薄膜的制备方法 |
| CN101891403B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-07-04 | 陕西科技大学 | 一种有机无机复合电致变色薄膜的制备方法 |
| EA032056B1 (ru) | 2010-12-22 | 2019-04-30 | Баксалта Инкорпорейтид | Конъюгат терапевтического белка и производного жирной кислоты, способы получения конъюгата терапевтического белка и производного жирной кислоты (варианты) |
| FR2973366A1 (fr) * | 2011-04-04 | 2012-10-05 | Saint Gobain | Substrat verrier a couche faiblement rugueuse |
| GB201106553D0 (en) * | 2011-04-19 | 2011-06-01 | Pilkington Glass Ltd | Mthod for coating substrates |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9052456B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-06-09 | Intermolecular, Inc. | Low-E glazing performance by seed structure optimization |
| JP6201756B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2017-09-27 | コニカミノルタ株式会社 | 赤外遮蔽フィルム |
| WO2013105646A1 (ja) | 2012-01-11 | 2013-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線カット材、赤外線カット材の分散液、赤外線カット膜形成用組成物、および赤外線カット膜 |
| CN102603206A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种多层氧化锡掺氟镀膜玻璃及其制备方法 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20140170422A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Intermolecular Inc. | Low emissivity coating with optimal base layer material and layer stack |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| DE102013103679A1 (de) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Licht absorbierende Schicht und die Schicht enthaltendes Schichtsystem, Verfahren zur dessen Herstellung und dafür geeignetes Sputtertarget |
| FR3010074B1 (fr) * | 2013-09-05 | 2019-08-02 | Saint-Gobain Glass France | Procede de fabrication d'un materiau comprenant un substrat muni d'une couche fonctionnelle a base d'oxyde d'etain et d'indium |
| CN103539365B (zh) * | 2013-10-09 | 2016-08-17 | 河源旗滨硅业有限公司 | 一种反射性阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN103693862B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-03-30 | 海南中航特玻材料有限公司 | 具有防紫外线和红外线双重功能的在线镀膜玻璃及制备方法 |
| CN103864315B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-02 | 江苏汇景薄膜科技有限公司 | 一种银钛复合功能层低辐射节能玻璃及其制备方法 |
| CN104098276B (zh) * | 2014-07-15 | 2016-08-24 | 江阴沐祥节能装饰工程有限公司 | 一种高平整度的低辐射镀膜玻璃制品及其制备方法 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| CN104628264A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-05-20 | 海南中航特玻科技有限公司 | 在线cvd法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备 |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10672920B2 (en) * | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with buffer layer |
| CN104944797A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-30 | 芜湖市晨曦新型建材科技有限公司 | 一种阳光控制低辐射镀膜玻璃及其在线制备方法 |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| KR101795142B1 (ko) | 2015-07-31 | 2017-11-07 | 현대자동차주식회사 | 눈부심 방지 다층코팅을 구비한 투명기판 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US20170114225A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Schott Gemtron Corp. | Coating compositions for glass substrates |
| US10591652B2 (en) * | 2015-11-20 | 2020-03-17 | Schott Gemtron Corp. | Multi-layer coated glass substrate |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10845665B1 (en) | 2016-02-01 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Devices with guest-host liquid crystal modulators |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| CN106116171B (zh) * | 2016-05-23 | 2019-09-24 | 漳州旗滨玻璃有限公司 | 一种淡蓝色低反射阳光控制镀膜玻璃制备工艺 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| WO2017212214A1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Pilkington Group Limited | Coated glass article and window for a vehicle including the same |
| CN106116160A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-16 | 东莞市银建玻璃工程有限公司 | 一种可钢化的离线金色单银low‑e玻璃及其制备方法 |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| EP3493683A4 (en) | 2016-08-03 | 2019-08-14 | Schott Gemtron Corporation | OVEN WITH A DIELECTRICALLY COATED GLASS SUBSTRATE FOR ABSORPTION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION AND EMISSION OF HEAT RADIATION |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| CN106761236A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 重庆华瑞玻璃有限公司 | 一种双层遮阳玻璃门窗 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| WO2018185491A1 (en) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Pilkington Group Limited | Coated glass article |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11747532B2 (en) | 2017-09-15 | 2023-09-05 | Southwall Technologies Inc. | Laminated optical products and methods of making them |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10627555B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-04-21 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| US10613261B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-04-07 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| TWI756590B (zh) | 2019-01-22 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| US20220310861A1 (en) * | 2019-06-10 | 2022-09-29 | UbiQD, Inc. | Color-modified luminescent concentrator |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| WO2021165680A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Pilkington Group Limited | Coated glass articles |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| CA3120257A1 (en) * | 2020-06-01 | 2021-12-01 | Oldcastle Buildingenvelope, Inc. | Requirement-driven selection of building products and building product configurations |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| JPWO2022255199A1 (uk) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | ||
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| CN115196884A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 深圳市楠轩光电科技有限公司 | 一种光学玻璃镀膜方法 |
| WO2024136836A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Gemtron Corporation | Infrared reflective tin oxide coatings and methods of making and using the same |
| CN117266423B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 天津包钢稀土研究院有限责任公司 | 一种用于被动房和绿色建筑的保温隔热节能玻璃幕墙 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3149989A (en) | 1961-12-01 | 1964-09-22 | Corning Glass Works | Radiation-reflecting medium |
| US4265974A (en) | 1976-11-01 | 1981-05-05 | Gordon Roy G | Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide |
| US4187336A (en) | 1977-04-04 | 1980-02-05 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| US4287009A (en) | 1979-11-08 | 1981-09-01 | Bethlehem Steel Corporation | Method of producing an aluminum-zinc alloy coated ferrous product to improve corrosion resistance |
| JPS5890604A (ja) | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 赤外線遮蔽積層体 |
| JPS597043A (ja) | 1982-07-06 | 1984-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱線遮蔽積層体 |
| US4601917A (en) | 1985-02-26 | 1986-07-22 | M&T Chemicals Inc. | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings |
| US4590096A (en) | 1984-12-28 | 1986-05-20 | M&T Chemicals Inc. | Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass |
| US4743506A (en) * | 1984-12-28 | 1988-05-10 | M&T Chemicals Inc. | Tin oxide coated article |
| GB8630791D0 (en) | 1986-12-23 | 1987-02-04 | Glaverbel | Coating glass |
| GB8630918D0 (en) | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
| US4853257A (en) | 1987-09-30 | 1989-08-01 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath |
| US5168003A (en) | 1991-06-24 | 1992-12-01 | Ford Motor Company | Step gradient anti-iridescent coatings |
| US5254392A (en) * | 1991-06-24 | 1993-10-19 | Ford Motor Company | Anti-iridescence coatings |
| US5543229A (en) | 1991-10-30 | 1996-08-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Method of making a heat treated coated glass |
| JPH06150741A (ja) | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH0794044A (ja) | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH08268732A (ja) | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Central Glass Co Ltd | 熱線反射ガラス |
| GB2302101B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties |
| GB2302102B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel |
| US6231971B1 (en) | 1995-06-09 | 2001-05-15 | Glaverbel | Glazing panel having solar screening properties |
| JPH09169545A (ja) | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Th Goldschmidt Ag | 酸化アンチモンドープした酸化スズからなる透過率を低下する層をガラスおよびガラスセラミックに熱分解的に製造する方法、およびそのための配合物 |
| GB9619134D0 (en) | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
| US5780149A (en) | 1996-09-13 | 1998-07-14 | Libbey-Ownes-Ford Co. | Glass article having a solar control coating |
| US6124026A (en) | 1997-07-07 | 2000-09-26 | Libbey-Owens-Ford Co. | Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article |
| US6218018B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-04-17 | Atofina Chemicals, Inc. | Solar control coated glass |
| GB9822338D0 (en) * | 1998-10-13 | 1998-12-09 | Glaverbel | Solar control coated glass |
| US6797388B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-09-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby |
-
2000
- 2000-10-30 US US09/699,681 patent/US6596398B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-19 AU AU81502/01A patent/AU779141B2/en not_active Ceased
- 2001-10-24 IL IL14614501A patent/IL146145A/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-10-24 MY MYPI20014940A patent/MY127102A/en unknown
- 2001-10-24 NZ NZ515014A patent/NZ515014A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-10-26 TW TW090126563A patent/TWI228108B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-26 SK SK1559-2001A patent/SK15592001A3/sk unknown
- 2001-10-26 ZA ZA200108848A patent/ZA200108848B/xx unknown
- 2001-10-26 PE PE2001001064A patent/PE20020702A1/es not_active Application Discontinuation
- 2001-10-29 PL PL01350382A patent/PL350382A1/xx not_active Application Discontinuation
- 2001-10-29 DZ DZ010072A patent/DZ3130A1/xx active
- 2001-10-29 EP EP01309144A patent/EP1201616A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-29 EA EA200101031A patent/EA004211B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-10-29 AR ARP010105063A patent/AR031278A1/es active IP Right Grant
- 2001-10-30 CZ CZ20013899A patent/CZ20013899A3/cs unknown
- 2001-10-30 UA UA2001107390A patent/UA75574C2/uk unknown
- 2001-10-30 UY UY26994A patent/UY26994A1/es unknown
- 2001-10-30 BR BR0106856-3A patent/BR0106856A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-10-30 HU HU0104596A patent/HUP0104596A3/hu unknown
- 2001-10-30 JP JP2001332304A patent/JP4498648B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-30 KR KR1020010067198A patent/KR20020033579A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-10-30 SG SG200106698A patent/SG108284A1/en unknown
- 2001-10-30 CN CN01137718A patent/CN1350990A/zh active Pending
- 2001-10-30 EG EG20011155A patent/EG23121A/xx active
- 2001-10-30 MX MXPA01011068A patent/MXPA01011068A/es active IP Right Grant
-
2002
- 2002-02-05 SA SA02220665A patent/SA02220665B1/ar unknown
- 2002-08-09 HK HK02105827.6A patent/HK1044143A1/zh unknown
-
2003
- 2003-02-13 US US10/366,427 patent/US6656523B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-13 US US10/366,132 patent/US20030162037A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| UA75574C2 (en) | A glass with coating (variants) | |
| US6218018B1 (en) | Solar control coated glass | |
| DE69910322T2 (de) | Sonnenschutzbeschichtetes Glas | |
| JP4441741B2 (ja) | 高い反射率を有する被覆基体 | |
| JP5325100B2 (ja) | 酸化亜鉛コーティングを有するガラス物品及びその製造方法 | |
| JPH04265253A (ja) | 被覆ガラス及びその製造法 | |
| US6387514B1 (en) | Solar control coated substrate with high reflectance | |
| AU759899B2 (en) | Solar control coated glass | |
| US20080050569A1 (en) | Coated substrate with high reflectance | |
| UA65556C2 (en) | A coated glass (variants), a method for making the same and coating absorbing radiation of the spectral region adjacent to that infrared | |
| MXPA99007735A (en) | Glass coated for so control | |
| NZ505140A (en) | A near infrared (NIR) wavelength film containing a tin oxide with a NIR dopant |