TWI633655B - 具有冗餘架構的顯示面板 - Google Patents

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TWI633655B TW103109681A TW103109681A TWI633655B TW I633655 B TWI633655 B TW I633655B TW 103109681 A TW103109681 A TW 103109681A TW 103109681 A TW103109681 A TW 103109681A TW I633655 B TWI633655 B TW I633655B
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Abstract

本文描述一種顯示面板及製造方法。在實施例中，顯示基板包括像素區域及非像素區域。子像素陣列及相應底部電極陣列在像素區域中。微型LED裝置陣列黏結至底部電極陣列。形成一或多個頂部電極層，該一或多個頂部電極層與微型LED裝置陣列電接觸。在一個實施例中，一對冗餘微型LED裝置黏結至底部電極陣列。在一個實施例中，微型LED裝置陣列經成像以檢測不規則件。

Description

具有冗餘架構的顯示面板
本發明之實施例係關於顯示系統。更特定言之，本發明之實施例係關於合併微型發光二極體之顯示系統。
平板顯示器在寬範圍之電子裝置中越來越為流行。一般類型之平板顯示器包括主動矩陣顯示器及被動矩陣顯示器。主動矩陣顯示面板中之每一像素由主動驅動電路驅動，而被動矩陣顯示面板中之每一像素不使用此驅動電路。高解析度彩色顯示面板(諸如，現代電腦顯示器、智慧型手機及電視)通常使用主動矩陣顯示面板結構用於獲得更好影像品質。
發現商業應用之一種顯示面板為主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示面板。第1圖為頂部發光AMOLED顯示面板之頂視圖圖解。第2圖為第1圖之沿像素區域104 中之線X-X及非像素區域中之橫跨接地環116之線Y-Y所截取之橫截面側視圖圖解，該非像素區域為不在像素區域104內之基板102上之任何區域。第1圖至第2圖中所示之AMOLED顯示面板100通常包括支撐像素區域104及像素區域102外側之非像素區域之薄膜電晶體(TFT)基板102。TFT基板102亦稱作背板。經進一步處理以額外包括像素區域及非像素區域之TFT基板通常亦稱作背板。用於AMOLED中之兩種主要TFT基板技術包括多晶矽(poly-Si)及非晶矽(a-Si)。該等技術提供在低溫(低於200℃)下將主動矩陣背板直接製造於可撓性塑膠基板上以生產可撓性AMOLED顯示器之可能性。像素區域104通常包括設置成矩陣之像素106及子像素108，以及連接至每一子像素用於驅動且切換子像素之一組TFT及電容器。非像素區域通常包括連接至每一子像素之資料線以使得資料信號(V資料)能夠傳輸至子像素之資料驅動電路110、連接至子像素之掃描線以使得掃描信號(V掃描)能夠傳輸至子像素之掃描驅動電路112、傳輸電力信號(Vdd)至TFT之供電線114及傳輸接地信號(Vss)至子像素陣列之接地環116。如圖所示，資料驅動電路、掃描驅動電路、供電線及接地環均連接至可撓性電路板(FCB)113，該FCB 113包括用於供應電力至供電線114之電源及電連接至接地環116之電源接地線。
在示例性AMOLED背板配置中，有機薄膜120及頂部電極118沉積於像素區域104中之每一子像素108之上。有機薄膜120可包括多個層，諸如，電洞注入層、電洞傳輸 層、發光層、電子傳輸層及電子注入層。有機薄膜120之多個層通常形成於整個像素區域104之上；然而，相對於子像素108陣列之發光區域，發光層通常在陰影遮罩幫助下僅沉積在子像素開口127內及底部電極層124上。頂部電極層118接著沉積於在像素區域104內且亦在非像素區域內之有機薄膜之上，以使得頂部電極118層重疊接地環116以將接地信號傳輸至子像素陣列。以此方式，子像素108中之每一者可單獨由相應底層TFT電路定址，而均勻之接地信號經供應至像素區域104之頂部。
在圖示之特定實施中，TFT基板102包括連接至來自資料驅動電路110之資料線111的切換電晶體T1及連接至電力線115之驅動電晶體T2，該電力線115連接至供電線114。切換電晶體T1之閘極亦可連接至來自掃描驅動電路112之掃描線(未圖示)。平面化層122形成於TFT基板之上，且開口經形成以暴露TFT工作電路。如圖所示，底部電極層124形成於與TFT電路電連接之平面化層上。在電極層之形成之後，形成像素界定層125，該像素界定層125包括對應於用於子像素陣列108之發光區域的子像素開口陣列127，接著於圖案化像素界定層之上及圖案化像素界定層125之子像素開口127內形成有機層120及頂部電極層118。頂部電極層118另外形成於非像素區域中且與接地環116電連接。
平面化層122可起到防止有機層120及底部電極層124由於步長差異導致之短路的功能。示例性平面化層122材料包括苯並環丁烯(BCB)及丙烯酸。像素界定層125可 由諸如聚醯亞胺之材料形成。底部電極124通常形成於氧化銦錫(ITO)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/氧化銦鋅(IZO)或ITO/Ag合金/ITO上。頂部電極層118由透明材料(諸如，ITO)形成用於頂部發光。
雖然AMOLED顯示面板通常比液晶顯示器(LCD)面板消耗較少電力，但AMOLED顯示面板仍可為電池操作裝置中之主要電力消耗體。為延長電池壽命，必須降低顯示面板之電力消耗。
本文描述一種具有冗餘架構之顯示面板及製造方法。在實施例中，顯示面板包括具有像素區域及非像素區域之顯示基板。像素區域包括子像素陣列及在子像素陣列內之相應底部電極陣列。微型LED裝置對陣列黏結至底部電極陣列，且形成一或多個頂部電極，該一或多個頂部電極與微型LED裝置對陣列電接觸。微型LED裝置可由半導體材料形成，且可具有1μm至100μm之最大寬度。
在一個應用中，顯示基板可為TFT基板。接地線可形成於TFT基板之非像素區域中，且頂部電極層中之一或多者電連接至接地線。在一個實施例中，第一頂部電極層將微型LED裝置對之第一微型LED裝置電連接至接地線，且單獨之第二頂部電極層將微型LED裝置對之第二微型LED裝置電連接至接地線。
在一個應用中，微型控制器晶片陣列黏結至顯示基板，其中每一底部電極電連接至微型控制器晶片。每一微型 控制器晶片可連接至掃描驅動電路及資料驅動電路。接地線可在顯示基板之非像素區域中行進，且頂部電極層中之一或多者電連接至接地線。在一個實施例中，第一頂部電極層將微型LED裝置對之第一微型LED裝置電連接至接地線，且單獨之第二頂部電極層將微型LED裝置對之第二微型LED裝置電連接至接地線。
在實施例中，複數個微型LED裝置不規則件在微型LED裝置對陣列內。例如，不規則件可為遺漏之微型LED裝置、不良微型LED裝置及受汙微型LED裝置。鈍化層材料可用於覆蓋複數個不規則件，且用於電絕緣複數個不規則件。鈍化層材料亦可用於覆蓋微型LED裝置對陣列之側壁(例如，包括量子阱結構)。在一個實施例中，一或多個頂部電極層不與複數個不規則件電接觸，即使在一或多個頂部電極層直接形成於複數個不規則件之上的情況下。一或多個頂部電極層亦可形成於別處或形成於複數個不規則件周圍，以使得該一或多個頂部電極層不直接形成於複數個不規則件之上。在實施例中，修理微型LED裝置黏結至底部電極中之一者，包括微型LED裝置不規則件中之一者。
在實施例中，形成顯示面板之方法包括整合測試以檢測微型LED裝置陣列中之不規則件。微型LED裝置陣列可自一或多個載體基板靜電轉移至在顯示基板上之相應子像素陣列內之相應底部電極陣列。顯示基板之表面接著經成像以檢測微型LED裝置陣列中之不規則件，且鈍化層材料接著形成於複數個檢測到之不規則件之上以電絕緣複數個不規則 件。接著可形成一或多個頂部電極層，該一或多個頂部電極層與微型LED裝置陣列電接觸，而不與複數個不規則件電接觸。在某個實施例中，鈍化層材料藉由噴墨印刷或網版印刷形成於複數個不規則件之上，且一或多個頂部電極層由噴墨印刷或網版印刷形成。在實施例中，一或多個頂部電極層為單獨之頂部電極層。在另一實施例中，單獨之頂部電極層中之一者經劃痕以切斷至接地線之電路徑。
成像顯示基板之表面可由攝影機執行。在實施例中，由攝影機產生之影像用於檢測不規則件，諸如，遺漏之微型LED裝置或受汙微型LED裝置。在實施例中，成像步驟包括以下步驟：用光源照明顯示基板之表面以使微型LED裝置陣列發螢光；及用攝影機成像微型LED裝置陣列之螢光。由攝影機成像螢光而產生之影像可用於檢測不良微型LED裝置。
在實施例中，在複數個不規則件之上形成鈍化層材料之前，複數個修理微型LED裝置可轉移至鄰近複數個不規則件(例如，在相同底部電極上)之顯示基板。此舉接著可為形成一或多個頂部電極層，該一或多個頂部電極層與微型LED裝置陣列及複數個修理微型LED裝置電接觸，而不與複數個不規則件電接觸。
在實施例中，形成具有冗餘架構之顯示面板之方法包括以下步驟：將微型LED裝置對陣列自一或多個載體基板靜電轉移至顯示基板上之相應子像素陣列內的相應底部電極陣列。顯示基板之表面接著經成像以檢測微型LED裝置對陣 列中之不規則件。鈍化層材料接著可形成於複數個檢測到之不規則件之上，以電絕緣複數個不規則件。一或多個頂部電極層接著形成為與微型LED裝置對陣列電接觸。
用於靜電轉移之一種方式包括以下步驟：將第一微型LED裝置陣列自第一載體基板之第一區域靜電轉移至顯示基板；及將第二微型LED裝置陣列自第一載體基板之第二區域靜電轉移至顯示基板。例如，在一個實施例中，第一區域及第二區域不重疊以降低相關缺陷轉移至同一子像素之機率。用於靜電轉移之另一方式包括以下步驟：自不同載體基板靜電轉移第一微型LED裝置陣列及第二微型LED裝置陣列。根據本發明之實施例，靜電轉移可包括用單獨之靜電轉移頭靜電轉移每一微型LED裝置。
在實施例中，成像顯示表面之表面包含以下步驟：用攝影機成像。例如，可使用線掃描攝影機。在實施例中，由攝影機產生之影像用於檢測微型LED裝置對陣列中之不規則件，諸如，遺漏之微型LED裝置或受汙微型LED裝置。在實施例中，成像顯示基板之表面進一步包括以下步驟：用光源照明顯示基板之表面以使微型LED裝置對陣列發螢光；及用攝影機成像微型LED裝置對陣列之螢光，以檢測不良微型LED裝置。
在實施例中，單一頂部電極層形成於微型LED裝置對陣列，包括不規則件之上。鈍化層材料可覆蓋不規則件，以使得頂部電極層不與不規則件電接觸。
在實施例中，複數個單獨頂部電極層形成於微型 LED裝置對陣列之上。當直接形成於不規則件之上時，鈍化層材料可用於電絕緣不規則件與頂部接觸層。頂部接觸層亦可形成於不規則件周圍，以使得該等頂部接觸層不直接在不規則件之上。噴墨印刷及網版印刷可為用於形成鈍化層材料以及頂部電極層之適當沉積方法。在實施例中，在將鈍化層材料形成於複數個不規則件上方之前，複數個修理微型LED裝置經轉移至鄰近複數個不規則件之顯示基板。頂部電極層亦可形成於修理微型LED裝置之上且與修理微型LED裝置電接觸。
100‧‧‧顯示面板
102‧‧‧薄膜電晶體基板
104‧‧‧像素區域
106‧‧‧像素
108‧‧‧子像素
110‧‧‧資料驅動電路
111‧‧‧資料線
112‧‧‧掃描驅動電路
113‧‧‧可撓性電路板
114‧‧‧供電線
115‧‧‧電力線
116‧‧‧接地環
118‧‧‧頂部電極層
120‧‧‧有機薄膜
122‧‧‧平面化層
124‧‧‧底部電極層
125‧‧‧像素界定層
126‧‧‧隔擋層
127‧‧‧子像素開口
128‧‧‧隔擋開口
131‧‧‧開口
140‧‧‧黏結層
142‧‧‧底部電極
144‧‧‧接地結線
145‧‧‧通孔開口層
146‧‧‧絕緣層
148‧‧‧隔擋開口
149‧‧‧開口
150‧‧‧熱分佈板
151‧‧‧溝道
152‧‧‧加熱器
200‧‧‧載體基板
201‧‧‧基板
202‧‧‧熱分佈板
204‧‧‧加熱器
206‧‧‧智慧型像素區域
208‧‧‧微控制器晶片
300‧‧‧轉移頭基板
302‧‧‧轉移頭
304‧‧‧熱分佈板
306‧‧‧加熱器
400‧‧‧微型LED裝置
400B‧‧‧微型LED裝置
400G‧‧‧微型LED裝置
400R‧‧‧微型LED裝置
400S‧‧‧微型LED裝置
400X‧‧‧微型LED裝置
401‧‧‧修理黏結點
410‧‧‧黏結層
414‧‧‧頂部n摻雜層
416‧‧‧量子阱層
418‧‧‧低p摻雜層
420‧‧‧底部導電觸點
450‧‧‧微型p-n二極體
451‧‧‧底面
452‧‧‧頂部導電觸點
453‧‧‧側壁
802‧‧‧托架
804‧‧‧光源
806‧‧‧攝影機
808‧‧‧線掃描攝影機/濾色器
1800‧‧‧顯示系統
1810‧‧‧處理器
1820‧‧‧資料接收器
T1‧‧‧電晶體
T2‧‧‧電晶體
X-X‧‧‧線
Y-Y‧‧‧線
第1圖為頂部發光AMOLED顯示面板之頂視圖圖解。
第2圖為第1圖之頂部發光AMOLED顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解。
第3A圖為根據本發明之實施例之主動矩陣顯示面板之頂視圖圖解。
第3B圖為根據本發明之實施例之第3A圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解。
第3C圖為根據本發明之實施例之第3A圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解，其中接地結線及接地環形成於圖案化之隔擋層(bank layer)內。
第3D圖為根據本發明之實施例之第3A圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解，其中接地結線及接地環形成於圖案化之隔擋層下方。
第4A圖至第4H圖為根據本發明之實施例之用於將微型LED裝置陣列轉移至TFT基板的橫截面側視圖圖解。
第5A圖至第5F圖為根據本發明之實施例之轉移具有不同顏色發光的微型LED裝置陣列之順序的頂視圖圖解。
第6A圖為根據實施例之主動矩陣顯示面板在形成頂部電極層之後的頂視圖圖解。
第6B圖為根據實施例之主動矩陣顯示面板在形成單獨頂部電極層之後的頂視圖圖解。
第6C圖為根據本發明之實施例之第6A圖或第6B圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解。
第6D圖為根據本發明之實施例之第6A圖或第6B圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取之側視圖圖解。
第7圖為根據本發明之實施例之智慧型像素顯示器的頂視圖圖解，該顯示器包括冗餘及修理點配置。
第8A圖為根據本發明之實施例之測試設備的側視示意圖圖解，該測試設備包括光源及攝影機。
第8B圖為根據本發明之實施例之掃描圖型之頂視示意圖圖解。
第9圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到不良微型LED裝置後形成。
第10圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫 截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到遺漏之微型LED裝置後形成。
第11圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到不良微型LED裝置後形成。
第12圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到遺漏之微型LED裝置後形成。
第13圖為根據本發明之實施例之頂部電極層的頂視示意圖圖解，該頂部電極層形成於包括各種配置的微型LED裝置陣列之上。
第14圖為根據本發明之實施例之複數個單獨頂部電極層的頂視示意圖圖解，該等頂部電極層形成於包括各種配置的微型LED裝置陣列之上。
第15圖為根據本發明之實施例之複數個單獨頂部電極層的頂視示意圖圖解，該等頂部電極層形成於包括各種配置的微型LED裝置陣列之上。
第16圖為根據本發明之實施例之經劃痕頂部電極層之頂視示意圖圖解。
第17圖為根據本發明之實施例之經劃痕底部電極層之頂視示意圖圖解。
第18圖為根據本發明之實施例之顯示系統之示意圖解。
本發明之實施例係關於顯示系統。更特定言之，本發明之實施例係關於具有發光二極體之冗餘架構之顯示器。
在一個態樣中，本發明之實施例描述包括基於晶圓之發光微型LED裝置之主動矩陣顯示面板。微型LED裝置組合基於晶圓之LED裝置之效能、效率及可靠性與用於形成AMOLED背板之高產量、低成本之混合材料薄膜電子產品。如本文中所使用，術語「微型」裝置或「微型」LED結構可指根據本發明之實施例之某些裝置或結構的描述大小。如本文中所使用，術語「微型」裝置或結構意指1μm至100μm之比例。然而，應理解，本發明之實施例不必受此限制，且實施例之某些態樣可適用於更大且可能更小之大小比例。在實施例中，顯示面板類似於典型OLED顯示面板，其中微型LED裝置已取代每一子像素中之OLED顯示面板之有機層。可用於本發明之一些實施例之示例性微型LED裝置在美國專利申請案第13/372,222號、美國專利申請案第13/436,260號、美國專利申請案第13/458,932號、美國專利申請案第13/711,554號及美國專利申請案第13/749,647號中描述，所有該等申請案以引用之方式併入本文中。微型LED裝置在光發射時為高效率的且消耗極少電力(例如，對於10吋對角顯示器為250mW)，相比於對於10吋對角LCD或OLED顯示器為5瓦特至10瓦特，從而使得能夠降低顯示面板之電力消耗。
在另一態樣中，本發明之實施例描述冗餘架構，其中複數個黏結點可用於將每一底部電極上之複數個微型LED 裝置黏結在例如用於子像素之每一隔擋開口內。在實施例中，冗餘架構包括隔擋開口內之底部電極上之黏結點處的一或多個黏結層(例如，銦柱)，其中每一黏結層經設計以收納單獨之微型LED裝置。在實施例中，冗餘架構亦可包括在隔擋開口內之修理黏結點，該隔擋開口足夠大以收納微型LED裝置。修理黏結點亦可視情況包括黏結層。以此方式，在實施例中，每一隔擋開口可對應於子像素之單一發光顏色且收納發光顏色之複數個微型LED裝置。若黏結至黏結層中之一者之微型LED裝置中的一者係不良的，則其他微型LED裝置補償不良微型LED裝置。另外，若需要，修理黏結點可用於黏結額外微型LED裝置。以此方式，冗餘及修理配置整合至背板結構中，該配置可改良顯示面板上之發光均勻性，而不必改變已併入習知AMOLED顯示器中之底層TFT架構。
在另一態樣中，本發明之實施例描述在將微型LED裝置自載體基板轉移至顯示基板之後用於檢測不良、遺漏或受汙微型LED裝置之整體測試方法。以此方式，不良、遺漏或受汙微型LED裝置之檢測可用於在需要的情況下潛在轉移替換微型LED裝置、改變涉及鈍化微型LED裝置及底部電極之後續處理或改變涉及形成頂部電極層之後續處理。此外，整體測試方法可在製造製程中實施，以使得不必在微型LED裝置上提供頂部電接觸以用於測試，且測試可在無單獨之電測試的情況下執行。
在各種實施例中，參看圖式進行描述。然而，某些實施例可在無該等具體細節中之一或多者的情況下或與其他 已知方法及配置組合實踐。在以下詳細描述中，陳述眾多具體細節(諸如，具體配置、尺寸及製程等)以便提供對本發明的透徹理解。在其他情況下，特定細節中未描述熟知半導體製程及製造技術以免不必要地模糊本發明。貫穿於本說明書中提到「一個實施例」意謂結合實施例描述之特定特徵、結構、配置或特性包括在本發明之至少一個實施例中。因此，在整個本說明書中多處出現片語「在一個實施例中」未必都是指本發明之同一實施例。此外，在一或多個實施例中，特定特徵、結構、配置或特性可以任何合適方式組合。
如本文中所使用，術語「跨越」、「之上」、「至」、「之間」及「上」可指一個層相對於其他層之相對位置。一個層「跨越」另一層、在另一層「之上」或「上」，或黏結「至」或「接觸」另一層可與另一層直接接觸或可具有一或多個介入層。在層「之間」的一個層可與層直接接觸或可具有一或多個介入層。
應理解，具體針對主動矩陣顯示面板進行以下描述。然而，實施例並不受此限制。詳言之，描述冗餘架構、修理點及用於檢測不良、遺漏或受汙微型LED裝置之測試方法的實施例亦可在被動矩陣顯示面板，以及用於發光目的之基板中實施。
現參看第3A圖至第3B圖，圖示實施例，其中類似於AMOLED背板之背板經修改以收納發光微型LED裝置，而非有機發光層。第3A圖為根據實施例之主動矩陣顯示面板之頂視圖圖解，且第3B圖為根據本發明之實施例之第3A圖 的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y截取之側視圖圖解。在此實施例中，底層TFT基板102可類似於關於第1圖至第2圖描述之典型AMOLED背板中之彼等底層TFT基板，該底層TFT基板102包括工作電路(例如，T1、T2)及平面化層122。開口131可形成於平面化層122中以接觸工作電路。工作電路可包括傳統2T1C(兩個電晶體、一個電容器)電路，該電路包括切換電晶體、驅動電晶體及存儲電容器。應理解，2T1C電路意謂為示例性的，且傳統2T1C電路之其他類型之電路或修改根據本發明之實施例想到。例如，更複雜之電路可用於補償驅動電晶體及發光裝置之製程變化或補償該等變化之不穩定性。此外，雖然關於TFT基板102中之頂部閘極電晶體結構描述且闡明本發明之實施例，但本發明之實施例亦補償使用底部閘極電晶體結構。同樣，雖然關於頂部發光結構描述且闡明本發明之實施例，但本發明之實施例亦補償使用底部發光結構或頂部發光結構及底部發光結構兩者。另外，下文具體關於包括接地結線及接地環之高側驅動配置描述且闡明本發明之實施例。在高側驅動配置中，LED可在PMOS驅動電晶體之汲極側或NMOS驅動電晶體之源極側工，以使得電路推動電流穿過LED之p終端。不受此限制之本發明之實施例亦可以低側驅動配置實踐，在此情況下，接地結線及接地環變成面板中之電力線，且電流經拉動穿過LED之n終端。
包括隔擋開口148之圖案化隔擋層126接著形成於平面化層122之上。隔擋層126可由各種技術(諸如，噴墨 印刷、網版印刷、層壓、旋塗、CVD及PVD)形成。隔擋層126對可見波長可為不透明的、透明的或半透明的。隔擋層126可由各種絕緣材料形成，諸如(但不限於)可光界定之丙烯酸、光阻材料、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、聚(甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯並環丁烯(BCB)、聚醯亞胺、丙烯酸酯、環氧樹脂及聚酯。在實施例中，隔擋層由不透明材料(諸如，黑矩陣材料)形成。示例性絕緣黑矩陣材料包括有機樹脂、玻璃糊狀物及包括黑色素、金屬顆粒(諸如，鎳、鋁、鉬及以上各者之合金)、金屬氧化物顆粒(例如，氧化鉻)或金屬氮化物顆粒(例如，氮化鉻)之樹脂或糊狀物。
根據本發明之實施例，關於以下圖式描述之隔擋層126的厚度及隔擋開口128的寬度可視待安裝於開口內之微型LED裝置之高度、轉移微型LED裝置之轉移頭的高度及解析度而定。在實施例中，顯示面板之解析度、像素密度及子像素密度可說明隔擋開口128之寬度。對於具有40PPI(每吋像素)及211μm之子像素間距之示例性55吋電視，隔擋開口128之寬度可為自幾微米至206μm以說明示例性5μm寬之周圍隔擋結構。對於具有440PPI及19μm之子像素間距之示例性顯示面板，隔擋開口128之寬度可為自幾微米至14μm以說明示例性5μm寬之周圍隔擋結構。隔擋結構(亦即，隔擋開口128之間)之寬度可為任何適當大小，只要結構支援所需製程且可擴展至所需PPI。
根據本發明之實施例，隔擋層126之厚度不能太 厚，以便隔擋結構起作用。厚度可由微型LED裝置高度及預定視角確定。例如，在隔擋開口128之側壁與平面化層122形成角度的情況下，較淺角度可與系統之較寬視角有關。在實施例中，隔擋層126之示例性厚度可在1μm至50μm之間。
圖案化導電層接著形成於圖案化隔擋層126之上。參看第3B圖，在一個實施例中，圖案化導電層包括形成於隔擋開口148內且與工作電路電接觸之底部電極142。圖案化導電層亦可視情況包括接地結線144及/或接地環116。如本文中所使用，術語接地「環」不要求圓形圖型或完全圍繞物體之圖型。相反，術語接地「環」意謂至少在三個側上部分圍繞像素區域的圖型。另外，雖然以下實施例關於接地環116描述且闡明，但應理解，本發明之實施例亦可由沿像素區域之一個側(例如，左、右、底部、頂部)或兩個側(左、右、底部、頂部中之兩者的組合)行進之接地線實踐。因此，應理解，在以下描述中，參看且闡明接地環可潛在地由系統要求許可之接地線替代。
圖案化導電層可由大量導電材料及反射材料形成，且可包括不止一個層。在實施例中，圖案化導電層包含金屬膜，諸如，鋁、鉬、鈦、鈦鎢、銀或金或以上各者之合金。圖案化導電層可包括導電材料，諸如，非晶矽、透明導電氧化物(TCO)(諸如，氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO))、碳奈米管膜或透明導電聚合物(諸如，聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯及聚噻吩)。在實施例中，圖案化導電層包括導電材料及反射導電材料之堆疊。 在實施例中，圖案化導電層包括3層堆疊，該3層堆疊包括頂層、底層及反射中間層，其中頂層及底層中之一者或兩者為透明的。在實施例中，圖案化導電層包括導電氧化物-反射金屬-導電氧化物3層堆疊。導電氧化物層可為透明的。例如，圖案化導電層可包括ITO-銀-ITO層堆疊。在此配置中，頂部ITO層及底部ITO層可防止反射金屬(銀)層之擴散及/或氧化。在實施例中，圖案化導電層包括Ti-Al-Ti堆疊或Mo-Al-Mo-ITO堆疊。在實施例中，圖案化導電層包括ITO-Ti-Al-Ti-ITO堆疊。在實施例中，圖案化導電層之厚度為1μm或更小。圖案化導電層可使用適當技術(諸如(但不限於)PVD)沉積。
在形成底部電極142、接地結線144及接地環116之後，接著絕緣層146可視情況形成於TFT基板102之上，從而覆蓋圖案化導電層之側壁。絕緣層146可至少部分覆蓋隔擋層126及反射層，從而形成底部電極142、接地結線144及/或接地環116。在所示之實施例中，絕緣層146完全覆蓋接地環116；然而，此舉係可選的。
在實施例中，絕緣層146藉由包覆沉積使用適當技術(諸如，層壓、旋塗、CVD及PVD)形成，且接著使用適當技術(諸如，平版印刷)圖案化以形成暴露底部電極142之開口及暴露接地結線149之開口149。在實施例中，噴墨印刷或網版印刷可用於在不需要平版印刷之情況下形成絕緣層146及開口149。絕緣層146可由各種材料(諸如(但不限於)SiO2、SiNx、PMMA、BCB、聚醯亞胺、丙烯酸酯、環氧樹脂 及聚酯)形成。例如，絕緣層146可為0.5μm厚。在形成於隔擋開口128內之底部電極142之側壁上之反射層之上的情況下，絕緣層146可為透明的或半透明的，以免明顯降級完整系統的發光提取。絕緣層146之厚度亦可經控制以提高光提取效率，且在將發光裝置陣列轉移至反射隔擋結構期間，亦不幹擾轉移頭陣列。如以下描述中將變得更顯而易見，圖案化絕緣層146係可選的，且表示用於電分離導電層之一種方式。
在第3B圖中所示之實施例中，底部電極142、接地結線144及接地環116可由同一導電層形成。在另一實施例中，接地結線144及/或接地環116可由不同於底部電極142之導電材料形成。例如，接地結線14及接地環116可用具有比底部電極142高之導電率的材料形成。在另一實施例中，接地結線14及/或接地環116亦可由底部電極形成於不同層內。第3C圖至第3D圖圖示接地結線144及接地環116可形成於圖案化隔擋層126內或下方之實施例。例如，在第3C圖中所示之實施例中，當形成接地結線144及接地環116時，開口149、開口130可形成穿過圖案化隔擋層126。在第3D圖中所示之實施例中，開口149可形成穿過圖案化隔擋層126及平面化層122以接觸接地結線144。在實施例中，未形成圖示之開口以暴露接地環；然而，在其他實施例中，可形成開口以暴露接地環。在第3D圖中所示之實施例中，接地環及接地結線144可能在形成TFT基板102之工作電路期間已形成。在此實施例中，用於形成底部電極142之導電層亦可視 情況包括通孔開口層145，以進一步使得有待形成之頂部電極層經由開口149與接地結線144之電接觸成為可能。因此，應理解，第3A圖至第3D圖中所示之實施例不為限制性的，且存在用於形成接地結線144及接地環116，以及開口149、開口130之許多可能性。
仍參看第3A圖至第3D圖中所示之實施例，複數個黏結層140可形成於底部電極層142上，以促進微型LED裝置之黏結。在所示之特定實施例中，兩個黏結層140經圖示用於黏結兩個微型LED裝置。在實施例中，針對黏結層140之經由黏結機制(諸如，美國專利申請案第13/749,647號中描述之共晶合金黏結、暫態液相黏結或固態擴散黏結)與微型LED裝置(待放置)上之黏結層互相擴散的能力選擇黏結層140。在實施例中，黏結層140具有250℃或更低之熔化溫度。例如，黏結層140可包括焊接材料，諸如，錫(232℃)或銦(156.7℃)或以上各者之合金。黏結層140亦可為支柱之形狀，具有大於寬度之高度。根據本發明之一些實施例，較高黏結層140可提供額外自由度用於系統組件調平(諸如，具有TFT基板之微型LED裝置陣列在微型LED裝置轉移操作期間的平面性)且用於微型LED裝置之高度變化，高度變化係歸因於液化黏結層在黏結(諸如，在共晶合金黏結及暫態液相黏結)期間在表面之上展開時之高度改變。黏結層140之寬度可小於微型LED之底面之寬度，以防止微型LED之側壁周圍之黏結層140的芯吸且使量子阱結構短路。
除了黏結層140，第3A圖至第3D圖中所示之實施 例包括足夠大以收納微型LED裝置之每一隔擋開口128內之修理黏結點401。以此方式，複數個黏結層140及修理黏結點401在每一隔擋開口128內形成冗餘及修理配置。在第3A圖至第3D圖中所示之特定實施例中，修理黏結點401圖示為底部電極層142上之裸露面。然而，本發明之實施例並不限制於此。在其他實施例中，修理黏結點401亦可包括類似於描述且闡明用於原有冗餘架構之其他兩個黏結層140之黏結層140。因此，在一些實施例中，黏結層140在冗餘架構中之所有預期微型LED裝置之位點處，以及在修理點401處提供於底部電極層142上。
在圖示之實施例中，接地結線144之設置可在顯示面板100之像素區域104中之隔擋開口128之間行進。此外，複數個開口149暴露複數個接地結線144。開口149之數目與隔擋開口128行(頂部至底部)之數目可或可不具有1：1之相關性。例如，在第3A圖中所示之實施例中，接地結線開口149形成用於每一行隔擋開口128；然而，此舉係不需要的，且接地結線開口149之數目可大於或小於隔擋開口128行之數目。同樣，接地結線144之數目與隔擋開口列(左至右)之數目可或可不具有1：1之相關性。例如，在圖示之實施例中，針對每兩列隔擋開口128形成一接地結線144；然而，此舉係不需要的，且接地結線144之數目與隔擋開口128列之數目(n)可具有1：1之相關性或任何1：n之相關性。
雖然已描述且闡述以上實施例，其中接地結線144跨越顯示面板100水平地左右行進，但實施例並非如此受限。 在其他實施例中，接地結線可垂直行進，或水平及垂直行進以形成柵格。根據本發明之實施例想到大量可能變化。已觀察到，AMOLED配置(諸如，先前關於第1圖至第2圖闡述及描述之彼等配置)之操作可導致來自像素區域中心中之子像素的調光發射，其中子像素最遠來自接地環116，相比於來自靠近接地環116之像素區域之邊緣處的子像素的發射。根據本發明之實施例，接地結線形成於像素區域中之隔擋開口128之間，且電連接至非顯示區域中之接地環116或接地線。以此方式，接地信號可更均勻地應用於子像素矩陣，從而導致顯示面板100中之更均勻亮度。此外，藉由由具有比頂部電極層(待形成)更佳之導電性之材料形成接地結線144，此舉可降低電接地路徑之接觸電阻。
第4A圖至第4H圖為根據本發明之實施例之用於將微型LED裝置陣列轉移至TFT基板102的橫截面側視圖圖解。參看第4A圖，由轉移頭基板300支撐之轉移頭陣列302定位於支撐於載體基板200上之微型LED裝置400陣列之上。加熱器306及熱分佈板304可視情況附接至轉移頭基板300。加熱器204及熱分佈板202可視情況附接至載體基板200。微型LED裝置400陣列與轉移頭302陣列接觸，如第4B圖中所示，且自載體基板200獲取，如第4C圖中所示。在實施例中，微型LED裝置400陣列由根據靜電原則操作之轉移頭302陣列獲取，亦即，轉移頭302為靜電轉移頭。
第4D圖為根據本發明之實施例之轉移頭302的橫截面側視圖圖解，轉移頭302將微型LED裝置400保持於TFT 基板102之上。在圖示之實施例中，轉移頭302由轉移頭基板300支撐。如上所述，加熱器306及熱分佈板304可視情況附接至轉移頭基板，以將熱施加至轉移頭302。加熱器152及熱分佈板150亦可或者視情況用於將熱轉移至TFT基板102上之黏結層140及/或下述微型LED裝置400上之可選黏結層410。
仍參看第4D圖，圖示根據實施例之示例性微型LED裝置400的近視圖。應理解，圖示之特定微型LED裝置400係示例性的，且本發明之實施例不受限制。在圖示之特定實施例中，微型LED裝置400包括微型p-n二極體450及底部導電觸點420。黏結層410可視情況形成於底部導電觸點420之下，其中底部導電觸點420在微型p-n二極體450與黏結層410之間。在實施例中，微型LED裝置400進一步包括頂部導電觸點452。在實施例中，微型p-n二極體450包括頂部n摻雜層414、一或多個量子阱層416及低p摻雜層418。在其他實施例中，n摻雜層及p摻雜層之設置可顛倒。微型p-n二極體可由直側壁或錐形側壁製造。在某些實施例中，微型p-n二極體450具有向外逐漸變小之側壁453(自頂部至底部)。在某些實施例中，微型p-n二極體450具有向內逐漸變小之側壁(自頂部至底部)。頂部導電觸點452及底部導電觸點420。例如，底部導電觸點420可包括電極層及在電極層與可選黏結層410之間的障壁層。頂部導電觸點452及底部導電觸點420可為對可見波長範圍(例如，380nm至750nm)透明的，或可為不透明的。頂部導電觸點452及底部導電觸點420可 視情況包括反射層，諸如，銀層。微型p-n二極體及導電觸點可各自具有頂面、底面及側壁。在實施例中，微型p-n二極體450之底面451比微型p-n二極體之頂面寬，且側壁453自頂部至底部向外逐漸變小。微型p-n二極體450之頂面可比p-n二極體之底面寬，或大致相同寬度。在實施例中，微型p-n二極體450之底面451比底部導電觸點420之頂面寬。微型p-n二極體之底面的寬度亦可為與底部導電觸點420之頂面大致相同。在實施例中，微型p-n二極體450為幾微米厚，諸如，3μm或5μm，導電觸點420及導電觸點452為0.1μm至2μm厚，且可選黏結層410為0.1μm至1μm厚。在實施例中，每一微型LED裝置400之最大寬度為1μm至100μm，例如，30μm、10μm或5μm。在實施例中，關於顯示面板之特定解析度及PPI，每一微型LED裝置400之最大寬度必須符合隔擋開口128之可用間隔。
第4E圖為根據本發明之實施例之轉移頭陣列的橫截面側視圖圖解，該轉移頭陣列將微型LED裝置400陣列保持於TFT基板102之上。第4E圖大致類似於第4D圖中所示之結構，其中主要差異為圖示與微型LED裝置陣列內之單一微型LED裝置相反的微型LED裝置陣列的轉移。
現參看第4F圖，TFT基板102與微型LED裝置400陣列接觸。在圖示之實施例中，接觸TFT基板102與微型LED裝置400陣列包括以下步驟：接觸黏結層140與用於每一各別微型LED裝置之微型LED裝置黏結層410。在實施例中，每一微型LED裝置黏結層410比相應黏結層140寬。在實施 例中，能量自靜電轉移頭總成且經由微型LED裝置400陣列轉移，以將微型LED裝置400陣列黏結至TFT基板102。例如，熱能可經轉移以促進多種黏結機制，諸如，共晶合金黏結、暫態液相黏結及固態擴散黏結。熱能之轉移亦可藉由施加來自靜電轉移頭總成之壓力完成。
參看第4G圖，在實施例中，能量之轉移液化黏結層140。液化之黏結層140可充當緩衝墊，且在黏結期間部分補償微型裝置400陣列與TFT基板之間的系統不均調平(例如，非平面表面)且用於微型LED裝置之高度變化。在暫態液相黏結之特定實施中，液化之黏結層140與微型LED裝置黏結層410互擴散，以形成具有比黏結層140之環境熔化溫度高之環境熔化溫度的金屬間化合物層。因此，暫態液相黏結可在黏結層之最低液相溫度處或之上完成。在本發明之一些實施例中，微型LED裝置黏結層410由材料形成，該材料具有高於250℃之熔化溫度，諸如，鉍(271.4℃)或高於350℃之熔化溫度，諸如，金(1064℃)、銅(1084℃)、銀(962℃)、鋁(660℃)、鋅(419.5℃)或鎳(1453℃)，且TFT基板黏結層140具有低於250℃之熔化溫度，諸如，錫(232℃)或銦(156.7℃)。
以此方式，支撐TFT基板102之基板150可加熱至低於黏結層140之熔化溫度之溫度，且支撐轉移頭陣列之基板304加熱至低於黏結層410之熔化溫度但高於黏結層140之熔化溫度的溫度。在此實施例中，經由微型LED裝置400陣列自靜電轉移頭總成轉移熱足以形成具有後續等溫凝固之 暫態液態之黏結層140作為金屬間化合物。雖然在液相中，較低熔化溫度材料在表面之上展開且擴散至較高熔化溫度材料之固體溶液中，或溶解較高熔化溫度材料且凝固成金屬間化合物。在特定實施例中，支撐轉移頭陣列之基板304保持於180℃處，黏結層410由金形成，且黏結層140由銦形成。
在轉移能量以將微型LED裝置400陣列黏結至TFT基板之後，微型LED裝置400陣列釋放至收納基板上，且移開靜電轉移頭陣列，如第4H圖中所示。釋放微型LED裝置陣列400可由各種方法(包括斷開靜電電壓源、降低靜電轉移頭電極上之電壓、改變AC電壓之波形及接地電壓源)完成。
現參看第5A圖至第5F圖，圖示根據本發明之實施例之轉移具有不同顏色發光的微型LED裝置400陣列之順序。在第5A圖中所示之特定配置中，已完成第一轉移程序用於將紅色發光微型LED裝置400R陣列自第一載體基板轉移至TFT基板102。例如，在微型LED裝置400R經設計以發出紅光(例如，620nm至750nm之波長)的情況下，微型p-n二極體450可包括材料，諸如，砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁銦鎵(AlGaInP)及磷化鉀(GaP)。參看第5B圖，已完成第二轉移程序用於轉移紅色發光微型LED裝置400R之冗餘陣列。例如，冗餘陣列可自不同載體基板或自第一載體基板之不同區域(例如，自不同區域不重疊之相反側，或隨機選擇)轉移，以便降低將第二陣列自第一載體基板之同一相關缺陷區域或受汙區域(例如，微粒)轉移的機率。以此方式，藉由自兩個不相關區域轉移，可能降 低將兩個不良微型LED裝置400轉移至同一隔擋結構128，或者不將微型LED裝置400轉移至單一隔擋結構128的可能性，因為在載體基板之不良區域或受汙區域中獲取微型LED裝置係不可能的。在又一實施例中，藉由使用來自兩個不同晶圓之冗餘陣列，可能獲得混合顏色，且基於不同晶圓上之微型LED裝置之主要發光波長的原有知識調諧顯示器之平均電力消耗。例如，在第一晶圓已知具有630nm之平均紅色發光以及第一電力消耗，而第二晶圓已知具有610發光之平均紅色發光以及第二電力消耗的情況下，冗餘陣列可由來自兩個晶圓之微型LED裝置組成，以獲得平均電力消耗或改變色階。
參看第5C圖，已完成第三轉移程序用於將綠色發光微型LED裝置400G陣列自第二載體基板轉移至TFT基板102。例如，在微型LED裝置400G經設計以發出綠光(例如，495nm至570nm之波長)的情況下，微型p-n二極體450可包括材料，諸如，氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、磷化鋁銦鎵(AlGaInP)及磷化鋁鎵(AlGaP)。第5D圖中圖示用於轉移綠色發光微型LED裝置400G之冗餘陣列的第四轉移程序，與之前類似。
參看第5E圖，已完成第五轉移程序用於將藍色發光微型LED裝置400B陣列自第三載體基板轉移至TFT基板102。例如，在微型LED裝置400B經設計以發出藍光(例如，450nm至495nm之波長)的情況下，微型p-n二極體450可包括材料，諸如，氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)及硒 化鋅(ZnSe)。第5F圖中圖示用於轉移藍色發光微型LED裝置400B之冗餘陣列的第六轉移程序，與之前類似。
在上文關於第5A圖至第5F圖描述之特定實施例中，用於每一子像素之第一及第二微型LED裝置400經單獨轉移。例如，此舉可降低相關缺陷之機率。然而，在其他實施例中，自同一載體基板同時轉移第一微型LED裝置及第二微型LED裝置係可能的。以此方式，同時轉移可增加生產量，同時在損害歸因於自載體基板之同一區域轉移微型LED裝置的相關缺陷機率的情況下，仍提供冗餘架構之一些益處。在此實施例中，處理順序將類似於按以下第5B圖、第5D圖、第5F圖之次序的順序。
根據本發明之實施例，轉移頭分隔一節距(x、y及/或對角線)，該節距匹配對應於像素或子像素陣列之背板上的隔擋開口的節距。表1提供根據本發明之實施例之示例性實施例列表用於具有1920x1080p及2560x1600解析度之各種紅-綠-藍(RGB)顯示器。應理解，本發明之實施例不限於RGB顏色架構或1920x1080p或2560x1600解析度，且特定解析度及RGB顏色架構僅出於說明之目的。
在以上示例性實施例中，40PPI像素密度可對應於55吋1920×1080p解析度之電視，且326及440PPI像素密度可對應於具有視網膜(RTM)顯示器之手持式裝置。根據本發明之實施例，視微型獲取陣列之大小而定，數千、數百萬或甚至數億萬之轉移頭可包括在大規模轉移工具之微型獲取陣列。根據本發明之實施例，1cmx1.12cm之轉移頭陣列可包括837個具有211μm、634μm節距之轉移頭及102000個具有19μm、58μm節距之轉移頭。
由轉移頭陣列獲取之微型LED裝置之數目可或可不匹配轉移頭之節距。例如，由分隔19μm節距之轉移頭陣列獲取具有19μm節距之微型LED裝置陣列。在另一實例中，由分隔19μm節距之轉移頭陣列獲取具有約6.33μm節距之微型LED裝置陣列。以此方式，轉移頭獲取每三個微型LED裝置用於轉移至背板。根據一些實施例，發光微型裝置陣列之頂面比絕緣層之頂面高，以防止損壞轉移頭或在隔擋開口內之微型LED裝置的放置期間，損壞背板上的絕緣層(或任何介入層)。
第6A圖為根據實施例在形成頂部電極層之後之主 動矩陣顯示面板的頂視圖圖解。第6B圖為根據實施例在形成單獨之頂部電極層之後之主動矩陣顯示面板的頂視圖圖解。第6C圖至第6D圖為根據本發明之實施例之第6A圖或第6B圖的主動矩陣顯示面板沿線X-X及線Y-Y所截取的側視圖圖解。根據第6A圖至第6B圖中所示之實施例，一或多個頂部電極層118形成於包括微型LED裝置400陣列之像素區域104之上，以及形成於開口149內且與在像素區域104中之隔擋開口128之間行進的接地結線144電接觸。
現參看第6C圖至第6D圖，在形成一或多個頂部電極層118之前，微型LED裝置400在隔擋開口128內鈍化，以防止頂部電極層118與底部電極層142之間的電短路或在一或多個量子阱416處短路。如圖所示，在轉移微型LED裝置400陣列之後，鈍化層148可形成於隔擋開口128陣列內之微型LED裝置400的側壁周圍。在實施例中，在微型LED裝置400為垂直LED裝置的情況下，鈍化層148覆蓋且跨越量子阱結構416。鈍化層148亦可覆蓋未由可選絕緣層146覆蓋之底部電極層142之任何部分，以防止可能之短路。因此，鈍化層148可用於鈍化量子阱結構416，以及底部電極層142。根據本發明之實施例，鈍化層148未形成於微型LED裝置400之頂面，諸如，頂部導電觸點452。在一個實施例中，電漿蝕刻製程(例如，O2或CF4電漿蝕刻)可在形成鈍化層148之後用於回蝕鈍化層148，從而確保暴露微型LED裝置400之頂面(諸如，頂部導電觸點452)以使得頂部導電電極118層118能夠與微型LED裝置400電接觸。
根據本發明之實施例，鈍化層148對可見波長可為透明或半透明的，以免明顯降級完整系統之光提取效率。鈍化層可由各種材料形成，包括(但不限於)環氧樹脂、丙烯酸(聚丙烯酸酯)(諸如，聚(甲基丙烯酸酯)(PMMA)、苯並環丁烯(BCB)、聚醯亞胺及聚酯。在實施例中，鈍化層148由噴墨印刷或網版印刷形成於微型LED裝置400周圍。
在第6C圖中所示之特定實施例中，鈍化層148僅形成於隔擋開口128內。然而，此舉係不需要的，且鈍化層148可形成於隔擋結構層126之頂部上。此外，不需要形成絕緣層146，且鈍化層148亦可用於電絕緣導電層。如圖所示，在第6D圖中所示之實施例，鈍化層148亦可用於鈍化導電層之側壁，從而形成底部電極142及接地結線144。在實施例中，鈍化層148可視情況用於鈍化接地環116。根據一些實施例，開口149之形成可在將鈍化層148噴墨印刷或網版印刷於接地結線144之上的製程期間形成。開口亦可視情況形成於接地環116之上。以此方式，單獨的圖案化操作可不要求形成開口。
根據本發明之一些實施例中，溝道151或阱結構可形成於隔擋層126內，如第6C圖中所示，以捕獲或防止鈍化層148過度展開且在接地結線149之上溢出，特別在使用溶劑系統(諸如，噴墨印刷或網版印刷)形成鈍化層148時。因此，在一些實施例中，溝道151形成於隔擋開口128與相鄰接地結線144之間的隔擋層126內。
仍參看第6C圖至第6D圖，在形成鈍化層148之後， 一或多個頂部導電電極層118形成於每一微型LED裝置400之上且與頂部接觸層452電接觸，若存在。視以下描述中之特定應用而定，頂部電極層118對可見波長可為不透明、反射、透明或半透明的。例如，在頂部發光系統中，頂部電極層118可為透明的，且對於底部發光系統，頂部電極層可為反射的。示例性透明導電材料包括非晶矽、透明導電氧化物(TCO)(諸如，氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO))、碳奈米管膜或透明導電聚合物(諸如，聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯及聚噻吩)。在實施例中，頂部電極層118包括奈米顆粒，諸如，銀、金、鋁、鉬、鈦、鎢、ITO及IZO。在特定實施例中，頂部電極層118藉由噴墨印刷或網版印刷ITO或透明導電聚合物(諸如，PEDOT)形成。其他形成方法可包括化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、旋塗。頂部電極層118亦可反射可見波長。在實施例中，頂部導電電極層118包括反射金屬膜，諸如，鋁、鉬、鈦、鈦鎢、銀或金或以上各者之合金，例如，用於底部發光系統中。
根據本發明之一些實施例，接地結線144可比頂部電極層118更導電。在第3D圖中所示之實施例中，接地結線144可由相同金屬層形成，該金屬層用於將源極/汲極連接或閘極電極形成於TFT基板102中之電晶體中之一者(例如，T2)。例如，接地結線144可由共用互連材料形成，諸如，銅或鋁，包括銅及鋁之合金。在第3B圖至第3C圖及第6C圖至第6D圖中所示之實施例中，接地結線144亦可由與底部 電極層142相同之材料形成。例如，接地結線144及底部電極層142包括反射材料，該反射材料亦可改良層之導電性。在具體示例中，接地結線144及底部電極可包括金屬膜或金屬顆粒。根據一些實施例，頂部電極層118由透明或半透明材料形成，諸如，非晶矽、透明導電氧化物(TCO)(諸如，氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO))、碳奈米管膜或透明導電聚合物(諸如，聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯及聚噻吩)，以上所有可具有導電性，該導電性低於在膜堆疊內包括金屬膜之導電且反射底部電極層的導電性。
返回再次參看第6A圖，在圖示之特定實施例中，頂部電極層118形成於包括微型LED裝置400陣列之像素區域104之上。頂部電極層118亦可形成於開口149(若存在)內且與在像素區域104中之隔擋開口128之間行進的接地結線149電接觸。在此實施例中，由於接地結線144與接地環116電連接，故不必在像素區域104外側形成頂部電極層118。如圖所示，接地環116可埋在電絕緣層下方，諸如，絕緣層146、鈍化層148或甚至隔擋結構層126或平面化層122。雖然第6A圖經描述且圖示為包括僅在像素區域104之上的頂部電極層118且包括接地結線144，但本發明之實施例並不受此限制。例如，接地結線144既不必建立冗餘架構及修理點，亦不要求頂部電極層不形成於接地環116或接地線之上且與接地環116或接地線電接觸。
第6B圖圖示替代實施例，其中形成單獨頂部電極層 118，從而連接一或多個微型LED裝置400與一或多個接地結線144。在第6B圖中所示之特定實施例中，頂部電極層118僅需要提供自微型LED裝置400至附近之接地結線144之電路徑。因此，頂部電極層118不需要覆蓋整個像素區域104，或就此而言甚至覆蓋整個隔擋開口128。在圖示之特定實施例中，每一頂部電極層118連接中間接地結線144之相反側上之隔擋開口對內的微型LED裝置400。然而，此特定配置係示例性的，且大量不同設置係可能的。例如，單一頂部電極層118可在n列微型LED裝置或隔擋開口128之上延行，且將n列微型LED裝置或隔擋開口128電連接至接地結線或接地環。如圖所示，頂部電極層118可在開口149內形成至接地結線144。在此實施例中，由於接地結線144與接地環116電連接，故不必在像素區域104外側形成頂部電極層118。
如圖所示，根據第6A圖至第6B圖中所示之實施例，接地環116可埋在電絕緣層下方，諸如，絕緣層146。在第6B圖中所示之特定實施例中，最高之微型LED裝置400列圖示為由個別頂部電極層118連接至接地環116。在此實施例中，每一頂部電極層118可經由一或多個開口接觸接地環116，如前所述。因此，雖然在第6A圖至第6B圖中所示之實施例提供用於將微型LED裝置400連接至像素區域104內之接地結線144的一種方式，但此不妨礙使用單獨頂部電極層118連接至接地環116，而不穿過接地結線144。
如第6A圖至第6B圖中所示，頂部電極層118之線寬可視應用而變化。例如，線寬可接近像素區域104之線寬。 或者，線寬可為最小的。例如，低至約15μm之線寬可由市售噴墨列印機完成，且低至約30μm之線寬可由市售網版列印機完成。因此，頂部電極層118之線寬可大於或小於微型LED裝置之最大寬度。
在另一態樣中，本發明之實施例可特定適用於用噴墨印刷或網版印刷局部形成頂部電極層118。詳言之，噴墨印刷可為適當的，由於噴墨印刷為非接觸印刷方法。習知AMOLED背板處理順序(諸如，用於製造第1圖至第2圖中之顯示面板的彼等順序)通常包覆沉積頂部電極層來沉積腔，接著為分離各別背板100與較大基板。根據一些實施例，在轉移微型LED裝置400陣列之前，顯示面板100背板與較大基板分離。在實施例中，噴墨印刷或網版印刷提供一實用方法，用於圖案化個別頂部電極層118而不需要用於每一單獨顯示面板100之單獨遮罩層。
第7圖為根據本發明之實施例之包括冗餘及修理點配置之智慧型像素顯示器的頂視圖示意圖解。如圖所示，顯示面板200包括可為不透明、透明、剛性或撓性之基板201。智慧型像素區域206可包括單獨之不同發光顏色子像素及包括上文關於TFT基板描述之工作電路之微控制器晶片208。以此方式，微型LED裝置400及微型控制器晶片208皆轉移至基板201之同一側或表面，而非於包括工作電路之TFT基板上形成像素區域。電分佈線可將微控制器晶片208連接至資料驅動電路110及掃描驅動電路112，類似於TFT基板。同樣，隔擋層結構可形成於基板201上，類似於上述用於TFT 基板，以包含微型LED裝置400及修理黏結點401。類似地，頂部電極層118或單獨之頂部電極層118可將微型LED裝置400連接至接地結線144或接地環116，類似於上文關於TFT基板配置所描述。因此，類似冗餘及修理點配置可由如上所述用於TFT基板配置之智慧型像素配置形成。
直至此時，冗餘及修理點配置已在不考慮是否已執行任何測試以檢測不良、遺漏或受汙微型LED裝置或是否已執行任何修理選項的情況下描述。因此，直至此時，已假設微型LED裝置至顯示基板之100%轉移成功而描述且闡述本發明之實施例，不需要修理。然而，在實際應用中，並不期望總達成100%轉移成功，且無不良、遺漏或受汙之微型LED裝置。根據本發明之實施例，微型LED裝置可具有1μm至100μm之比例，例如，具有約20μm、10μm或5μm之最大寬度。製造該等微型LED裝置，以使得該等微型LED裝置準備用於自載體基板獲取及轉移至顯示基板，例如，使用靜電轉移頭陣列。不良微型LED裝置可由各種原因造成，諸如，污染物、應力破裂及導電層之間的短路。微型LED裝置由於各種原因亦可不在轉移操作期間獲取，該等原因諸如，載體基板之非平面性、污染物(例如，微粒)或微型LED裝置至載體基板之不規則黏附。
第8A圖至第8B圖圖示根據本發明之實施例之整合測試方法，該方法用於在將微型LED裝置自載體基板轉移至顯示基板(諸如，第5A圖至第5F圖中所示之轉移操作)之後且在形成鈍化層148及頂部電極層118之前檢測不良、遺 漏或受汙微型LED裝置。以此方式，不良、遺漏或受汙微型LED裝置之檢測可用於潛在改變鈍化層148及頂部電極層118之沉積圖型，且用於在需要時潛在轉移替代微型LED裝置。現參看第8A圖，支撐光源804及攝影機806之托架802在承載微型LED裝置400陣列之顯示基板之上經掃描，該顯示基板已經轉移且黏結至底部電極層142。
在實施例中，攝影機806為線掃描攝影機。例如，線掃描攝影機通常具有一列像素感測器，該等像素感測器可用於將連續進給提供至電腦系統，該電腦系統結合框架以在線掃描攝影機越過成像表面時形成影像。在實施例中，攝影機806為具有x-y維度的像素之二維(2D)攝影機。根據本發明之實施例，攝影機806應具有能夠成形微型LED裝置400之解析度，例如，具有1μm至100μm之最大寬度。解析度可由像素感測器中之像素大小確定，且可藉由使用光學器件輔助以增加解析度。舉例而言，在一個實施例中，微型LED裝置400具有約5μm之最大寬度。可使用之一個示例性線掃描攝影機806為具有3.5μm之像素大小之巴塞爾跑步系列攝影機(BASLER RUNNER SERIES CAMERA)(可購自德國亞倫斯堡Basler AG公司)。在添加光學器件的情況下，此舉可允許解析度降至約1.75μm以用於3.5μm之像素大小。線掃描攝影機亦可經選擇用於該等攝影機之線掃描速度及線掃描寬度。例如，線掃描速度可高達幾米每秒，且線掃描寬度通常在10mm與50mm之間獲得。
在一個實施例中，光源804用於照明待掃描之表 面。例如，在一個實施例中，攝影機806在基板201、基板102表面之上掃描，以驗證微型LED裝置400是否放置於預期位置中。以此方式，攝影機806可用於檢測用於每一微型LED裝置400之自載體基板至顯示基板201、顯示基板102之成功轉移。
在另一實施例中，光源804用於發出激發波長之光以誘發微型LED裝置400之光致發光。光源804可為各種光源，諸如(但不限於)LED發光或準分子雷射。以此方式，線掃描攝影機808可用於檢測來自顯示無發光或不規則發光之微型LED裝置400之特定發射波長。因此，此資訊可用於檢測微型LED裝置400中之缺陷，該等之缺陷另外不易固化於載體基板上。如上所述，載體基板可包括數千或數百萬之微型LED裝置400，該等微型LED裝置400準備用於獲取且轉移。各種缺陷可在處理及整合載體基板上之微型LED裝置400期間出現。一旦轉移至顯示基板201、顯示基板102，該等缺陷可潛在地導致短路或不均勻發光。然而，當個別不良微型LED裝置400在載體基板上時，固化不良微型LED裝置400可能並非為最佳的。若微型LED裝置400在載體基板上有缺陷，則可根據本發明之實施例僅更有效地用顯示基板201、顯示基板102上之冗餘架構或修理點固化缺陷。
在實施例中，光源804發出比目標微型LED裝置經設計以發出之光波長短的光波長，以誘發來自微型LED裝置之光的紅移或螢光。根據本發明之實施例，光源804可為可調諧的，或提供設置為所需波長之多個光源。例如，500nm 至600nm之激發波長可用於誘發自紅色發光微型LED裝置400R發出紅光(例如，620nm至750nm之波長)，430nm至470nm之激發波長可用於誘發自綠色發光微型LED裝置400G發出綠光(例如，495nm至570nm之波長)，且325nm至425nm之激發波長可用於誘發自藍色發光微型LED裝置400B發出藍光(例如，450nm至495nm之波長)。然而，該等範圍係示例性且非獨有的。在一些實例中，在線掃描攝影機806之上提供濾色器808以便僅檢測波長之選擇範圍可為有用的。此舉可降低由來自不同顏色之微型LED裝置之光發射導致的稀釋度。
現參看第8B圖，圖示用於在黏結微型LED裝置陣列之後掃描基板201、基板102之實施例。在此實施例中，示例性基板為約100mm寬，且提供具有約20mm之線掃描寬度之線掃描攝影機。如圖所示，基板201、基板102可使用總共3個道次掃描以覆蓋基板201、基板102之整個表面。在一個實施例中，假設一或多個光源204提供所需激發波長以激發所有微型LED裝置，則線掃描攝影機806為多色攝影機且能夠同時成像所有紅、綠及藍微型LED裝置400。在另一實施例中，僅提供單一激發波長或範圍以將具體微型LED裝置發光顏色作為目標。在此實施例中，可能要求在三個單獨激發波長處單獨掃描基板201、基板102三次，以成像所有微型LED裝置400。然而，在高達幾米每秒之線掃描速度下，多個掃描所需之實際時差可為無關緊要的。
在實施例中，基板201、基板102使用步進影像捕 獲方法掃描。例如，攝影機在子像素之間移動已知距離或在影像捕獲之間在微型LED裝置之已知黏結點之間移動已知距離。在此實施例中，攝影機可為線掃描攝影機。在實施例中，攝影機可為包括x-y像素陣列以捕獲馬賽克或選定磚之攝影機。攝影機之步進影像捕獲操作允許測試基板表面之具體區域之撓性，且可特定適用於比較經量測之間隔微型LED裝置與標稱圖型。因此，攝影機可以一圖型移動以捕獲特定位置，而非成線掃描。
基於關於第8A圖至第8B圖描述之整合檢測測試之結果可進行大量可能之處理變化。具體言之，在一些實施例中，鈍化層148及頂部電極層118之圖型化可經調整至特定結果，特別是在藉由噴墨印刷沉積時。
第9圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測不良或受汙微型LED裝置400X後形成。在所示之實施例中，發現微型LED裝置400在檢測測試中為功能性的(例如，適當發光)，且發現微型LED裝置400X為不良的。或者或另外，檢測測試指示微型LED裝置400X受汙(例如，頂面上之顆粒可防止獲得與頂部電極層之接觸。由於缺陷檢測測試不一定確定缺陷為何，但在所示之實施例中，鈍化層148可僅僅形成於微型LED裝置400X之上以充分鈍化微型LED裝置400X，以使得頂部電極層118不能與不良或受汙微型LED裝置400X電接觸。
第10圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到遺漏之微型LED 裝置後形成。在所示之實施例中，檢測測試指示微型LED裝置並未轉移。因此，鈍化層118形成於黏結層140之上，以使得頂部電極層118不能與底部電極142電接觸。
第11圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測不良或受汙微型LED裝置400X後形成。如圖所示，在形成鈍化層148之前，替代微型LED裝置400可黏結至底部電極142上之先前打開之修理黏結點401。如前所述，修理黏結點401可為底部電極層142上之裸露面，或者可包括黏結層140。在放置替代微型LED裝置400之後，可形成鈍化層148以鈍化微型LED裝置400之量子阱結構、底部電極142及視情況上文關於第9圖描述之不良或受汙微型LED裝置400X之暴露表面。接著可形成頂部電極118以與微型LED裝置400及替代微型LED裝置400電接觸。
第12圖為根據本發明之實施例之示例性結構的橫截面側視圖圖解，該示例性結構可在檢測到遺漏之微型LED裝置後形成。如圖所示，在形成鈍化層148之前，替代微型LED裝置400可黏結至底部電極142上之先前打開之修理黏結點401。在放置替代微型LED裝置400之後，鈍化層148可形成於黏結層140之上，以使得頂部電極層118不能與底部電極142電接觸。接著可形成頂部電極118以與微型LED裝置400及替代微型LED裝置400電接觸。
第13圖為根據本發明之實施例之微型LED裝置陣列的頂視示意圖圖解，該微型LED裝置陣列包括第9圖至第 12圖中描述之各種配置。在第13圖中所示之特定實施例中，頂部電極層118形成於複數個隔擋開口128之上，且可形成於複數個子像素或像素106之上。在實施例中，頂部電極層118形成於像素區域中之所有微型LED裝置400之上。
第9圖中所示之實施例亦圖示為第13圖中之藍色發光子像素中之一者，其中頂部電極層118形成於藍色發光微型LED裝置400及不良或受汙微型LED裝置400X兩者之上，其中不良或受汙微型LED裝置400X由鈍化層148覆蓋。
第10圖中所示之實施例亦圖示為第13圖中之紅色發光子像素中之一者，其中頂部電極層118形成於紅色發光微型LED裝置400及黏結層140兩者之上，其中黏結層140由鈍化層148覆蓋。
第11圖中所示之實施例亦圖示為第13圖中之紅色發光子像素中之一者，其中替代紅色發光微型LED裝置400黏結至先前打開之修理黏結點401。如前所述，打開之修理黏結點401可為底部電極層142上之裸露面，或者可包括黏結層140。類似於第9圖，頂部電極層118形成於紅色發光微型LED裝置400及不良或受汙微型LED裝置400X兩者之上，其中不良或受汙微型LED裝置400X由鈍化層148覆蓋。
第12圖中所示之實施例亦圖示為第13圖中之藍色發光子像素中之一者，其中替代藍色發光微型LED裝置400黏結至先前打開之修理黏結點401。類似於第10圖，頂部電極層118形成於藍色發光微型LED裝置400及黏結層140兩者之上，其中黏結層140由鈍化層148覆蓋。
第14圖為根據本發明之實施例之微型LED裝置陣列的頂視示意圖圖解，該微型LED裝置陣列包括第9圖至第12圖中描述之各種配置。在第13圖中所示之特定實施例中，微型LED裝置400之設置與以上關於第13圖描述之彼等設置相同。第14圖中所示之實施例與第13圖中所示之彼等實施例不同之處特別在於形成複數個單獨之頂部電極層118。在一個實施例中，諸如，標記之像素106中所示之彼等實施例，其中微型LED裝置400未放置於修理黏結點401上，不必將頂部電極層118形成於修理黏結點401上。因此，可基於是否添加替代微型LED裝置來確定頂部電極層118之長度。另外，標記之像素106中之藍色發光子像素圖示黏結點上之不良或受汙微型LED裝置400X進一步遠離接地結線。在此實施例中，頂部電極層118可僅形成於藍色發光微型LED裝置400之上，或形成於藍色發光微型LED裝置400及不良或受汙微型LED裝置400X兩者之上。頂部電極層118亦可形成於黏結點401之上。
第15圖為根據本發明之實施例之微型LED裝置陣列的頂視示意圖圖解，該微型LED裝置陣列包括第9圖至第12圖中描述之各種配置。在第15圖中所示之特定實施例中，微型LED裝置400之設置與關於第13圖至第14圖中所示之彼等設置相同。第15圖中所示之實施例與第14圖中所示之彼等實施例不同之處特別在於形成複數個單獨之頂部電極層118。第14圖中所示之實施例圖示為改變頂部電極層118之長度，而第15圖中所示之實施例圖示為改變頂部電極層118 之路徑及/或頂部電極層118之數目。例如，在第15圖中所示之許多實施例中，針對每一微型LED裝置400可形成單獨之頂部電極層118。在最底部藍色發光子像素中所示之實施例中，針對多個微型LED裝置400可形成單一頂部電極層118，其中路徑經調整以避免黏結層140，或者不良或受汙微型LED裝置。以此方式，調整頂部電極層118之路徑可用於或者或另外調整鈍化層148之沉積以覆蓋不良或受汙微型LED裝置或遺漏微型LED裝置之黏結點。
形成一或多個單獨之頂部電極層118可在形成一或多個頂部電極層118之後在電測試面板100期間提供額外益處。例如，在形成頂部電極層118之前，不可能檢測到導致微型LED裝置400S短路的某些缺陷。暗示短路之微型LED裝置400S可導致暗子像素，其中所有電流流過短路之微型LED裝置400S，而非子像素中之任何其他微型LED裝置。在第16圖中所示之實施例中，連接至短路之微型LED裝置400S之頂部電極層118使用適當技術(諸如，雷射劃痕)切割。以此方式，在先前描述之整合測試方法期間不能或未檢測到電短路，可在形成頂部電極層118之後在用電流穿過顯示器之應用進行之電測試期間潛在地檢測到該等電短路。在此實施例中，若微型LED裝置400S短路，則可切斷頂部電極層118至微型LED裝置400S，從而允許冗餘及/或修理微型LED裝置提供來自子像素之發光。
第17圖圖示替代實施例，其中底部電極層124可使用適當技術(諸如，雷射劃痕)切割以隔離不規則微型LED 裝置，而非切割或劃痕頂部電極層118。在所示之特定實施例中，底部電極層124包括用於微型LED裝置之分離之著陸區域。在所示之特定實施例中，支撐微型LED裝置400S之底部電極124著陸區域使用適當技術(諸如，雷射劃痕)切割以隔離不規則微型LED裝置，以使得該區域不經由填充之開口131與底層TFT電路電連通。
第18圖圖示根據實施例之顯示系統1800。顯示系統容納處理器1810、資料接收器1820、顯示面板100、顯示面板200，諸如，任何上述顯示面板。資料接收器1820可經配置以無線或有線地接收資料。無線可以大量無線標準或協議中之任一者實施，包括(但不限於)Wi-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍芽、以上各者之衍生物，以及指定為3G、4G、5G及以上之其他任何無線協定。
視顯示系統1800之應用而定，顯示系統1800可包括其他組件。該等其他組件包括(但不限於)記憶體、觸控螢幕控制器及電池。在各種實施中，顯示系統1800可為電視、平板電腦、電話、膝上型電腦、電腦監視器、資訊站、數位攝影機、手持式遊戲控制台、媒體顯示器、電子書顯示器或大面積標牌顯示器。
在使用本發明之各種態樣時，對於熟習此項技術者而言將變得顯而易見的是，以上實施例之組合或變化可能用於將冗餘架構及修理點整合至主動矩陣顯示面板中，以及整 合用於檢測微型LED裝置陣列中之不規則件(諸如，遺漏、不良或受汙之微型LED裝置)之測試方法。
雖然已關於主動矩陣顯示面板描述以上實施例，但冗餘架構、修理點及用於檢測遺漏、不良或受汙微型LED裝置之測試方法亦可在被動矩陣顯示面板，以及出於發光目的之基板中實施。另外，雖然已關於頂部發光結構描述以上實施例，但本發明之實施例亦可用於底部發光結構。類似地，雖然已描述頂部閘極電晶體結構，但本發明之實施例亦可用底部閘極電晶體結構進行實踐。此外，雖然已關於高側驅動配置描述且說明本發明之實施例，但實施例亦可用低側驅動配置進行實踐，其中以上描述之接地結線及接地環變成面板中之電力線。雖然已以特定於結構特徵及/或方法動作之語言描述本發明，但應理解，附隨申請專利範圍中限定之發明不必限於上述特定特徵或動作。揭示之特定特徵及動作反而理解為所主張之發明之特定有用實施以用於闡述本發明。

Claims (20)

  1. 一種具有冗餘架構之顯示面板，該顯示面板包含：一顯示基板，該顯示基板包括一像素區域，該像素區域包括一子像素陣列；一冗餘微型LED裝置對陣列，該冗餘微型LED裝置對陣列在該子像素陣列內，其中每一子像素包括一冗餘微型LED裝置對，且在一對應子像素內之每一冗餘微型LED裝置對係經設計以發射一相同主要顏色發光；及一或多個頂部電極層，該一或多個頂部電極層與該冗餘微型LED裝置對陣列電接觸；其中該子像素陣列包括一第一子像素陣列、一第二子像素陣列及一第三子像素陣列，其中該第一子像素陣列、該第二子像素陣列及該第三子像素陣列係經設計以發射不同主要顏色發光。
  2. 如請求項1所述之顯示面板，其中該第一子像素陣列係經設計以發射一紅色主要顏色發光、該第二子像素陣列係經設計以發射一綠色主要顏色發光且該第三子像素陣列係經設計以發射一藍色主要顏色發光。
  3. 如請求項1所述之顯示面板，其中每一微型LED裝置具有1μm至100μm之一最大寬度。
  4. 如請求項3所述之顯示面板，其中每一微型LED裝置包含一半導體材料。
  5. 如請求項4所述之顯示面板，其中每一微型LED裝置包括一p摻雜層、一n摻雜層及在該p摻雜層及該n摻雜層之間之一量子阱層。
  6. 如請求項1所述之顯示面板，其進一步包含用於切換及驅動該子像素陣列之電路。
  7. 如請求項6之顯示面板，其中該冗餘微型LED裝置對陣列包括一或多個遺漏之微型LED裝置。
  8. 如請求項7所述之顯示面板，其進一步包含一鈍化層材料，該鈍化層材料覆蓋對應於該一或多個遺漏之微型LED裝置之一或多個黏結點，其中該鈍化層沒有完全覆蓋該等冗餘微型LED裝置對之頂部導電觸點。
  9. 如請求項8所述之顯示面板，其中該一或多個頂部電極層不與對應於該一或多個遺漏之微型LED裝置之該一或多個黏結點電接觸。
  10. 如請求項7所述之顯示面板，其進一步包含在對應於該一或多個遺漏之微型LED裝置之該一或多個黏結點上方之該一或多個頂部電極層中之一或多個切割。
  11. 如請求項6所述之顯示面板，其中每一子像素包括一對著陸區域及對應LED黏結點之一對，且進一步包含在該冗餘微型LED裝置對陣列中一或多個LED裝置不規則件，其中包含一微型LED裝置不規則件之每一著陸區域係自該電路電性斷接。
  12. 如請求項11所述之顯示面板，其中每一對應著陸區域係經切割以將該對應著陸區域自該電路電性斷接。
  13. 如請求項12所述之顯示面板，其中每一微型LED裝置具有1μm至100μm之一最大寬度。
  14. 如請求項11所述之顯示面板，其中該電路係包含在一微型控制器晶片陣列之內。
  15. 如請求項14所述之顯示面板，其中該微型控制器晶片陣列黏結至該顯示基板。
  16. 如請求項15所述之顯示面板，其中每一微型控制器晶片在該像素區域內黏結至該顯示基板。
  17. 如請求項16所述之顯示面板，其中每一微型控制器晶片連接至一掃描驅動電路及一資料驅動電路。
  18. 如請求項11所述之顯示面板，其中工作電路係包含在該顯示基板內。
  19. 如請求項1所述之顯示面板，其中該一或多個頂部電極層係一單獨頂部電極層，該單獨頂部電極層與該冗餘微型LED裝置對陣列電連接。
  20. 如請求項19所述之顯示面板，其中該單獨頂部電極層係透過在一平面化層中形成之複數個開口與在該子像素陣列之間運行之複數個接地結線電性連接。
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