CN113327530B - 一种显示面板及其修复方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其修复方法、显示装置。该修复方法包括：检测出现故障的第一显示单元，对预设区域进行离子掺杂处理，以使预设区域的电阻增大；再设置第二显示单元，该第二显示单元用于替代第一显示单元。显示面板包括衬底基板、阵列层以及第一显示单元，阵列层位于衬底基板一侧。第一显示单元位于阵列层的一侧。阵列层包括第一电极和第二电极，第一电极包括预设区域，预设区域掺杂有第一预设离子。第一显示单元分别连接第一、第二电极。显示装置包括该显示面板。本发明提高了预设区域电阻，减小流过电极和第一显示单元的电流，通过第二显示单元替代第一显示单元。本发明实现了显示面板无损伤修复的目的，提高了显示面板修复可靠性。

Description

一种显示面板及其修复方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体来说，本发明涉及一种显示面板及其修复方法、显示装置。
背景技术
Micro Led(Micro LightEmittingDiode，微米发光二极管)技术是一种自发光的微米量级显示技术。与LCD、OLED相比，Micro Led显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命以及响应速度等方面具有更大的优势，理论上可用于智能手机、智能手表、电视机及可穿戴设备等各种电子设备屏幕，由此可见Micro Led显示面板具有非常广阔的市场前景和价值。
为了提升Micro Led显示面板良率，检测与修复是整个的面板制程中不可或缺的关键步骤，但是常规的显示面板修复技术存在局限性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例能够提供一种显示面板及其修复方法、显示装置，用以至少解决现有技术存在的显示面板修复问题。
第一方面，本发明实施例能够提供一种显示面板的修复方法。该修复方法包括但不限于如下的一个或多个步骤：检测出现故障的至少一个第一显示单元，对预设区域进行离子掺杂处理，以使预设区域的电阻增大；再设置第二显示单元，该第二显示单元用于替代出现故障的第一显示单元。其中，本发明显示面板包括但不限于衬底基板、阵列层及第一显示单元，第一显示单元为多个。阵列层位于衬底基板的一侧；第一显示单元位于该阵列层的一侧，远离衬底基板。阵列层包括第一电极和第二电极，该第一电极包括预设区域。第一显示单元分别连接第一电极以及第二电极，多个第一显示单元呈阵列排布。
第二方面，本发明实施例能够提供一种显示面板。该显示面板包括但不限于衬底基板、阵列层以及第一显示单元，阵列层位于衬底基板的一侧。第一显示单元远离衬底基板，位于阵列层的一侧。阵列层包括第一电极和第二电极，第一电极包括预设区域，预设区域掺杂有第一预设离子。第一显示单元分别连接第一电极、第二电极，多个第一显示单元呈阵列排布。
第三方面，本发明实施例能够提供一种显示装置，该显示装置包括本发明第二方面中的显示面板。
本发明的有益效果为：本发明采用了离子掺杂的方式，对预设区域电阻进行调节，进而控制流过第一电极和第一显示单元的电流。在第一显示单元出现故障需要被修复时，本发明能够提高预设区域电阻，从而减小甚至截断流过第一电极的电流，进而减小甚至截断流过第一显示单元的电流，达到停止为第一显示单元正常供电的目的，设置第二显示单元，通过第二显示单元替代第一显示单元。由此可见，相比于对第一电极进行切割的方式，本发明实现了显示面板无损伤修复的技术目的，极大地提高了显示面板修复的可靠性，提升了器件的良率。
本发明能够提供一种全新结构的显示面板，该显示面板具有预设区域，预设区域属于第一电极的一部分。该预设区域中掺杂有第一预设离子，以使预设区域能够为第一显示单元提供正常工作的电流。具有该结构的显示面板优点在于：当第一显示单元需要被修复时，本发明直接进行第二预设离子掺杂即可。第二预设离子与第一预设离子掺杂类型相反，通过掺杂第二预设离子，避免预设区域为第一显示单元提供正常工作的电流。因此，本发明的显示面板在修复后还包括掺杂有第二预设离子的预设区域，以及包括第二显示单元，第二显示单元用于替代发生故障的第一显示单元，本发明一块显示面板上可有多个第一显示单元被修复。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或者现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例所提供的具有坏点的显示面板的部分俯视结构示意图。
图2示出了本发明实施例对图1中预设区域进行二次掺杂后的显示面板的俯视结构示意图。
图3示出了本发明实施例沿图2中的箭头所示方向的显示面板剖面结构示意图。
图4示出了本发明实施例在图2中备用位置设置第二显示单元后的显示面板的俯视结构示意图。
图5示出了本发明实施例沿图4中的箭头所示方向的显示面板剖面结构示意图。
图6示出了本发明另一实施例所提供的具有坏点的显示面板的部分俯视结构示意图。
图7示出了本发明实施例对图6中预设区域进行二次掺杂后的显示面板俯视结构示意图。
图8示出了本发明实施例沿图7中的箭头所示方向的显示面板剖面结构示意图。
图9示出了本发明实施例在图7中备用位置设置第二显示单元后的显示面板的俯视结构示意图。
图10示出了本发明实施例沿图9中的箭头所示方向的显示面板剖面结构示意图。
图11示出了本发明又一实施例所提供的具有坏点的显示面板的部分俯视结构示意图。
图12示出了本发明实施例对图11中预设区域进行二次掺杂后的显示面板俯视结构示意图。
图13示出了本发明实施例在图12中备用位置设置第二显示单元后的显示面板的俯视结构示意图。
图14示出了本发明再一实施例所提供的具有坏点的显示面板的部分俯视结构示意图。
图15示出了本发明实施例对图14中预设区域进行二次掺杂后的显示面板俯视结构示意图。
图16示出了本发明实施例在图15中备用位置设置第二显示单元后的显示面板的俯视结构示意图。
图17示出了本发明实施例显示面板的修复方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
如图1至17所示，本发明提供了一种显示面板的修复方法，该修复方法可包括但不限于如下的一个或多个步骤。
步骤S0，提供待进行检测与修复的显示面板。如图1、6、11、14所示，本发明中的显示面板包括衬底基板800、阵列层以及多个第一显示单元300。其中阵列层位于衬底基板800的一侧，第一显示单元300位于阵列层远离衬底基板800的一侧。阵列层包括第一电极100和第二电极200，第一电极100包括至少一个预设区域101。第一显示单元300分别与第一电极100、第二电极200连接，多个第一显示单元300呈阵列排布。
本发明显示面板中的预设区域101掺杂有第一预设离子，以使通过半导体材料形成的预设区域101具有导电功能，并能够为第一显示单元300正常发光提供足够大的电流。通过对预设区域101进行离子掺杂，以改变预设区域101的电阻；预设区域101的阻值变化直接影响了其电流的变化，进而实现第一显示单元300的供电电流减小甚至为零，这是本发明修复显示面板的基础。
步骤S1，检测出现故障的至少一个第一显示单元300。
如图1-4、6-9、11-16所示，本发明涉及的第一显示单元300可以为Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微米发光二极管)，可见本发明能够提供一种Micro Led显示面板的修复方法。
步骤S2，确定出现故障的第一显示单元300后，对与其相连的预设区域101进行离子掺杂处理，以使该预设区域101的电阻增大。如图2-3、7-8所示，通过提高该预设区域101的电阻，本发明能够减小流过第一电极100和第一显示单元300的电流。应当理解的是，控制第一显示单元300发光是需要通过至少设定值电流，本发明通过提高预设区域101电阻的方式有效地减小电流，进而控制第一显示单元300无法发光。其中，设定值电流能够根据MicroLed功耗、器件尺寸等因素而确定，本发明对设定值电流的具体范围或值不进行限定。
本发明对预设区域101进行离子掺杂处理具体包括：对预设区域101进行第二预设离子掺杂，以使该预设区域101的电阻增大至预设值，具有该预设值的电阻能够保证第一显示单元300无法发光；本发明实施例预设值可以为600欧姆或更大，当然并不限于此。其中，本发明预设区域101由硅系材料或类似的半导体材料构成，该预设区域101在故障检测之前已经掺杂有第一预设离子，第一预设离子使第一电极100能够正常为第一显示单元300供电，第二预设离子的掺杂类型与第一预设离子的掺杂类型相反。本发明基于杂质补偿原理使用掺杂类型相反的第一预设离子和第二预设离子，通过对预设区域101再次掺杂增加第一电极100阻值，达到减少流入第一显示单元300的电流甚至控制第一电极100断路的技术目的。
可选地，本发明对预设区域101进行第二预设离子掺杂包括：可调节第二预设离子的掺杂浓度，并控制第二预设离子的掺杂浓度与第一预设离子的掺杂浓度相同。具体地，对预设区域101进行第一预设离子掺杂为对预设区域101进行N型掺杂，在故障检测之前进行；对预设区域101进行第二预设离子掺杂为对预设区域101进行P型掺杂。因此，第二预设离子的掺杂浓度与第一预设离子的掺杂浓度相同具体为：P型掺杂浓度与N型掺杂浓度相同。本发明基于杂质补偿作用，先后对预设区域101进行两次不同类型的掺杂后，它们的共同作用会使载流子明显地减少；并在两次掺杂浓度相同条件下，可控制预设区域101处于类似本征半导体的状态，几乎能够实现预设区域101完全绝缘的功能。本发明采用的第一预设离子例如可以是硼离子(B+)，第二预设离子例如可以是磷离子(P－)，即本发明通过硼离子掺杂使预设区域101满足导电的要求，以及再通过磷离子掺杂使已掺杂硼离子的预设区域101导电性能降低，甚至近乎处于绝缘状态。应当理解的是，本发明实施例能够先对预设区域101进行N型掺杂，然后再对用于连接坏点的预设区域101进行P型掺杂；在本发明已提供内容基础上，也可根据实际情况先对预设区域101进行P型掺杂，然后再对用于连接坏点的预设区域101进行N型掺杂。
可选地，本发明能够通过掩模实现离子掺杂过程。则对预设区域101进行离子掺杂处理包括：设置一层掩模(Mask)，将该掩模设置在第一电极100远离衬底基板800的一侧。该掩模具有一个或多个第一通孔，一个第一通孔可与一个预设区域101在空间位置上相对应。基于掩模对预设区域101进行离子掺杂处理，具体通过第一通孔对预设区域101进行离子掺杂处理，离子只能穿过第一通孔进入到下方的预设区域101。其中，注入时离子穿过第一通孔进入到预设区域101内。完成离子掺杂处理后，去掉本发明先前设置的掩模。设置具有一定图案的掩模为较成熟工艺，例如通过光刻设备完成光刻胶涂覆和图案化操作，所以本发明具有工艺上更容易实现、进一步降低显示面板修复难度等优点。当然本发明可使用的掩模不仅限于光刻胶，还可以是实现本发明技术目的的其他符合要求的膜层。
本发明形成具有第一通孔的掩模具体包括：涂布一层光刻胶(PR)，本发明利用掩膜版形成掩模。可根据掩膜版图案在光刻胶上形成第一通孔图案，将具有第一通孔图案的光刻胶作为掩模。本发明实施例能够使第一通孔的尺寸大于预设区域101的尺寸，本发明基于更大尺寸的第一通孔降低了第一通孔与预设区域101的对准精度要求，即使在非完全对准情况下，仍能够完成离子掺杂和增加预设区域101的电阻，该方式对设备和工艺的要求更低，进而降低显示面板的修复难度。
可选地，本发明能够通过挡板实现离子掺杂过程。则对预设区域101进行离子掺杂处理包括：设置一个挡板，该挡板尺寸例如可为micro尺寸等级(即微米尺寸等级)。该挡板在多个第一电极100的一侧、远离衬底基板800。该挡板具有多个第二通孔，一个第二通孔与一个预设区域101在空间位置上相对应。基于该挡板对预设区域101进行离子掺杂处理，具体通过第二通孔对预设区域101进行离子掺杂处理，离子只能穿过第二通孔进入到下方的预设区域101。其中，注入时离子穿过第二通孔进入到预设区域101内。完成离子掺杂处理后，移除该挡板。基于micro尺寸等级且具有多个第二通孔的挡板，本发明能够使用挡板对多个第一电极100同时进行离子掺杂处理。因此，通过挡板进行离子掺杂时能够对多个预设区域101同时进行离子掺杂，进而实现对显示面板的多个坏点同时进行修复，特别对于显示面板坏点数量较多的情况，本发明事实上明显提高了显示面板的修复效率。
本发明中透过挡板上的多个第二通孔进行离子掺杂处理，第二通孔的尺寸大于预设区域101的尺寸。可知本发明基于更大尺寸的第二通孔能够降低多个第二通孔各自与多个预设区域101的对准要求，即使在非完全对准情况下，本发明也能够实现离子掺杂处理的过程，增加预设区域101的电阻，从而降低了对工艺和对准设备的要求，进而降低了显示面板的修复难度。
步骤S3，在备用位置设置第二显示单元600，该第二显示单元600用于替代出现故障的第一显示单元300。如图5、10所示，第二显示单元600位于阵列层的一侧，且第二显示单元600远离衬底基板800。第二显示单元600与第一显示单元300处于同一器件层，第二显示单元600分别与第一电极100、第二电极200连接。本发明中预设区域101为第一显示单元300与第二显示单元600之间的第一电极100区域。本发明所涉及的第二显示单元600具体可以为Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微米发光二极管)。
可选地，本发明设置第二显示单元600包括：将第二显示单元600分别与第一连接部400、第二连接部500连接，具体将第二显示单元600分别与第一连接部400、第二连接部500绑定(bonding)连接。第一连接部400位于第一电极100的一侧且远离衬底基板800，第一连接部400与第一电极100连接。第二连接部500位于第二电极200的一侧且也远离衬底基板800，第二连接部500与第二电极200连接。由此可见，本发明第一电极100通过第一连接部400间接连接第二显示单元600，且第二电极200通过第二连接部500间接连接第二显示单元600。本发明第一连接部400、第二连接部500可具有相同的材料，例如包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、锡(Sn)、铟(In)、镍(Ni)、铂(Pt)、铬(Cr)、镍锡(NiSn)、钛钨(TiW)、金锡(AuSn)或者它们的共晶金属中的至少一个。本实施例第一连接部400和第二连接部500通过Au-In-Sn作为共晶层进行反应而得到，Au-In-Sn靠近电极层的一侧设置有Pt阻挡层，Pt阻挡层用于防止离子扩散，Pt阻挡层与电极层之间设置有Ti粘合剂层。
综上，本发明通过对预设区域101进行离子掺杂方式控制是否为第一显示单元300正常供电：利用第一次掺杂使预设区域101正常通过电流；对于待修复的坏点(NG，Negative)，本发明利用第二次掺杂使预设区域101阻值增大，将电流值控制到需求值以下；然后通过绑定新的Micro Led(第二显示单元600)方式实现坏点Micro Led(第一显示单元300)的替换。如果与可实现的切割掉预设区域101的方式相比，本发明使用Si晶化设计的手段，避免Micro Led修复过程中由于电极切割导致的器件损伤或者裂纹问题，本发明能够极大提升显示面板的良率和降低显示面板修复成本，进而降低显示面板的生产成本。
基于同一发明技术构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，显示面板例如具体为Micro Led显示面板。
如图3、5、8、10所示，该显示面板可包括但不限于衬底基板800、阵列层及第一显示单元300，修复后的显示面板还包括第二显示单元600。具体地，本发明第一显示单元300为微发光二极管(Micro Led，Micro Light Emitting Diode)，；第二显示单元600也可为微发光二极管，用于替换发生故障的第一显示单元300。
如图3所示，图3示出了沿图2中箭头位置的剖面结构示意图。阵列层是一种层堆叠结构，阵列层包括但不限于有源层801(Poly)、栅极绝缘层802、栅极金属层803(M1)、层间介质层804、电容金属层805(Mc)、绝缘介质层806、第一源/漏极807、第二源/漏极808、第一平坦化层900、钝化层901以及阴极903等，这些膜层自衬底基板800的一侧依次设置。栅极金属层803、第一源/漏极807、第二源/漏极808可共同用于形成薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)结构。栅极金属层803与电容金属层805可共同作为存储电容的两个极板。
如图2、3所示，第一电极100与第二源/漏极808直接电连接，第一电极100和第二电极200可形成于第一平坦化层900一侧且能穿入第一平坦化层900。第一电极100和第二电极200均为电极层，第一显示单元300同时电连接第一电极100、第二电极200，且第二电极200与阴极903电连接。第一电极100包括预设区域101，该结构形式下的预设区域101宽度可以较小。应当理解的是，本发明实施例中的阴极903可以是共阴极。
另外，阵列层还包括一些像素电路，像素电路能够包括晶体管和存储电容。对于实现显示面板基本功能的常规结构，本发明不再赘述。
如图4、5所示，类似于图3中的阵列层结构，图5中给出了修复后的该器件截面结构示意图。第一电极100远离衬底基板800一侧具有第一连接部400，第二电极200远离衬底基板800一侧具有第二连接部500，第二电极200与阴极903电连接。修复显示面板后，第二显示单元600同时绑定于第一连接部400、第二连接部500上，即第二显示单元600同时电连接第一电极100、第二电极200。
如图8所示，阵列层包括但不限于有源层801(Poly)、栅极绝缘层802、栅极金属层803(M1)、层间介质层804、电容金属层805(Mc)、绝缘介质层806、第一源/漏极807、第二源/漏极808、第一平坦化层900、钝化层901、第二平坦化层902以及阴极903等。栅极金属层803、第一源/漏极807、第二源/漏极808共同用于形成薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)结构。栅极金属层803与电容金属层805可共同作为存储电容的两个极板。本发明实施例第二平坦化层902上方具有一个开口700，本发明可通过该开口700对预设区域101进行离子掺杂处理，即该开口700设置于预设区域101远离衬底基板800一侧。
本发明实施例中的第一平坦化层900和第二平坦化层902可为有机材料薄膜，例如树脂、亚克力材料等有机材料薄膜；本发明实施例中的钝化层901为无机材料薄膜，例如氧化硅薄膜或氮化硅薄膜等。
如图9、10所示，类似于图8中的阵列层结构，图10给出了修复后的该器件截面结构示意图。第一电极100远离衬底基板800一侧具有第一连接部400，第二电极200远离衬底基板800一侧具有第二连接部500，第二电极200与阴极903电连接。修复显示面板后，第二显示单元600同时绑定于第一连接部400、第二连接部500上，即第二显示单元600同时电连接第一电极100、第二电极200。
可理解的是，本发明实施例中的衬底基板800可以为柔性基板，例如可包括聚酰亚胺材料。衬底基板800包括显示区和非显示区，本发明实施例中的第一显示单元300和第二显示单元600位于显示区范围内。阵列层位于衬底基板800的一侧，至少部分阵列层的结构位于显示区内。阵列层包括第一电极100和第二电极200，第一电极100包括预设区域101，该预设区域101由硅系材料构成，预设区域101掺杂有第一预设离子。
可见本发明能够提供一种具有硅系材料电极(掺杂有第一预设离子)的显示面板，电极的预设区域101或整体可由硅系材料加工而成。该显示面板具有便于坏点修复的优点，当某LED出现问题时，本发明所提供的显示面板能够满足通过反型掺杂的方式“断开”问题LED，并可通过设置新的LED替换该问题LED。
如图11-16所示，对于电极的预设区域101由硅系材料加工而成情况，本发明第一电极100还包括非预设区域。非预设区域由金属材料或者其他适于加工为电极的导电材料构成，可见本发明能够提供具有掺杂后的硅系材料的预设区域101和导电材料的非预设区域组成的第一电极100。这种组合式结构的电极，既能为显示单元提供需要的电流，又能够在出现坏点时进行有效地修复。其中，金属材料例如可以是钛、铝、铜等金属或其组合。结合图8和图10，电极层中预设区域101由硅系材料制备、非预设区域由金属材料制备，本发明实施例非预设区域与预设区域之间通过桥接(bridge)方式连接。在实现预设区域101电阻可通过掺杂方式改变前提下，本发明通过金属材料组成的非预设区域能够降低电极层的传输电阻，更低的传输电阻有助于降低产品功耗以及提高LED供电的稳定性。
与图8和图10结构不同，如图3和图5所示，当电极层整体全部由硅系材料制造时，预设区域与非预设区域通过一层电极层实现即可，不需额外增加用于实现桥接的材料层。本发明实施例这种结构形式的显示面板不仅使得产品结构更为简单，而且在显示面板制备工艺上至少省去了一次掩模(Mask)工序，降低工艺成本的同时还能够提高产品的可靠性和稳定性。
如图1-2、4、6-7、9所示，第一电极100整体由硅系材料构成。在该器件结构形式下，整个第一电极100均被掺杂有第一预设离子，并使经过第一离子掺杂后的第一电极100实现与金属电极相同的导电功能。因此，本发明还能够提供具有硅系材料(掺杂有第一预设离子)供电电极的显示面板，在能够实现快速坏点修复基础上，这种面板结构相对更容易被加工，有助于降低显示面板制造成本。
应当理解的是，本发明中的硅(Si)系材料包括但不限于单晶硅、多晶硅、无定形硅(A-Si)、硅的化合物、硅的衍生物等中的一种或多种。
第一显示单元300位于阵列层的一侧，第一显示单元300远离衬底基板800；第一显示单元300分别连接第一电极100和第二电极200。多个第一显示单元300呈阵列排布，并形成阵列式发光模块；第一显示单元300为红色显示单元、绿色显示单元及蓝色显示单元中的至少一种。红色显示单元用于发出红光，绿色显示单元用于发出绿光，蓝色显示单元用于发出蓝光。
可选地，本发明修复后的显示面板包括第二显示单元600。第二显示单元600位于阵列层的一侧，第二显示单元600也远离衬底基板800。第二显示单元600为红色显示单元、绿色显示单元以及蓝色显示单元中的至少一种。红色显示单元用于发出红光，绿色显示单元用于发出绿光，蓝色显示单元用于发出蓝光。应当理解的是，用于替换第一显示单元300的第二显示单元600，优选与第一显示单元300具有完全相同的功能。其中，第二显示单元600分别连接第一电极100和第二电极200。因此，本发明的显示面板能够包括用于修复坏点的第二显示单元600，在实际显示面板成品中的第二显示单元600数量为大于或等于0；如果某显示面板第二显示单元600数量等于0，说明该显示面板无坏点、不需被修复。
具体地，本发明中预设区域101为第一显示单元300与待设置的第二显示单元600之间的第一电极100区域。对于修复后的显示面板，本发明预设区域101还掺杂有第二预设离子，第二预设离子的掺杂类型与第一预设离子的掺杂类型相反。
可选地，本发明第一预设离子的掺杂类型为N型掺杂，第二预设离子的掺杂类型为P型掺杂。其中第二预设离子的掺杂浓度与第一预设离子的掺杂浓度相同，即P型离子掺杂浓度与N型离子掺杂浓度可相同。基于杂质补偿效应，修复后的显示面板的预设区域101载流子数量明显降低；通过对预设区域101进行两次相同浓度且不同类型的离子掺杂，本发明可得到处于类似本征半导体状态的预设区域101，从而可得到几乎完全绝缘的预设区域101。应当理解的是，本发明采用的第一预设离子例如可以是硼离子(B+)，第二预设离子例如可以是磷离子(P－)。
可选地，本发明所提供的显示面板还包括第一连接部400和第二连接部500。第一连接部400位于第一电极100的一侧，且远离衬底基板800。第二连接部500位于第二电极200的一侧，且远离衬底基板800。第一连接部400与第一电极100连接，第二连接部500与第二电极200连接。具体地，第二显示单元600分别与第一连接部400、第二连接部500绑定(bonding)连接；即第一电极100通过第一连接部400与第二显示单元600间接地连接，第二电极200通过第二连接部500与第二显示单元600间接地连接。本发明可以使第二连接部500整体覆盖于第二电极200远离衬底基板800的表面，图示第二连接部500俯视面积大于或等于第二电极200俯视面积。
由此可见，本发明基于离子掺杂手段使坏点Micro Led有效地断开，所以本发明能够实现通过绑定新的Micro Led(第二显示单元600)方式实现坏点Micro Led(第一显示单元300)的替换。
可选地，第一连接部400和第二连接部500都通过共晶层形成。其中，本发明第一连接部400为第一共晶层，第二连接部500为第二共晶层。
综上，本发明提供了一种具有硅系材料电极的显示面板，电极整体或部分可由经过离子掺杂的硅系材料制成。本发明显示面板的优点在于：当需要修复坏点时，只需通过反型掺杂的方式得到经两次掺杂的电极，以及据此在备用位置设置新的LED即可，进而得到修复后的全新结构的显示面板，则修复后的显示面板具有经过两次不同掺杂类型的离子的硅系材料电极。
基于同一发明构思，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任一实施例提供的显示面板。本发明提供的显示装置包括但不限于以下的类别：手机、智能手表、平板电脑、笔记本电脑、桌面型显示器、电视机、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备及触摸交互终端等等。
上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合以及替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是，本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，本发明的保护范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (20)

1.一种显示面板的修复方法，其特征在于，包括：
检测出现故障的至少一个第一显示单元；所述显示面板包括衬底基板、阵列层以及多个所述第一显示单元，所述阵列层位于所述衬底基板的一侧，所述第一显示单元位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧；所述阵列层包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括预设区域；所述第一显示单元分别与所述第一电极、所述第二电极连接，多个所述第一显示单元呈阵列排布；
对所述预设区域进行离子掺杂处理，以使所述预设区域的电阻增大；
设置第二显示单元，所述第二显示单元用于替代出现故障的第一显示单元；所述第二显示单元位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧，所述第二显示单元分别与所述第一电极、所述第二电极连接；所述预设区域为所述第一显示单元与所述第二显示单元之间的第一电极区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述对所述预设区域进行离子掺杂处理包括：
对所述预设区域进行第二预设离子掺杂；
其中，所述预设区域由硅系材料构成；所述预设区域在故障检测之前已经掺杂有第一预设离子，所述第二预设离子的掺杂类型与所述第一预设离子的掺杂类型相反。
3.根据权利要求2所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述对所述预设区域进行第二预设离子掺杂包括：
调节第二预设离子的掺杂浓度，并使第二预设离子的掺杂浓度与第一预设离子的掺杂浓度相同。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述对所述预设区域进行第二预设离子掺杂包括：
对所述预设区域进行P型掺杂；
其中，所述预设区域在故障检测之前已经进行N型掺杂。
5.根据权利要求1所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述对所述预设区域进行离子掺杂处理包括：
在所述第一电极远离衬底基板的一侧设置掩模，以及基于所述掩模对所述预设区域进行离子掺杂处理。
6.根据权利要求5所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述在所述第一电极远离衬底基板的一侧设置掩模，以及基于所述掩模对所述预设区域进行离子掺杂处理包括：
在所述第一电极远离衬底基板的一侧形成具有第一通孔的掩模；其中，所述第一通孔与所述预设区域在空间位置上相对应；
通过所述第一通孔对所述预设区域进行离子掺杂处理；
完成所述离子掺杂处理后，去掉所述掩模。
7.根据权利要求6所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述形成具有第一通孔的掩模包括：
利用掩膜版形成掩模，并使第一通孔的尺寸大于预设区域的尺寸。
8.根据权利要求6所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述形成具有第一通孔的掩模包括：
涂布一层光刻胶；
根据掩膜版图案在所述光刻胶上形成第一通孔图案；
将具有所述第一通孔图案的光刻胶作为所述掩模。
9.根据权利要求1所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述对所述预设区域进行离子掺杂处理包括：
在多个第一电极远离衬底基板的一侧设置挡板，以及基于所述挡板对所述多个第一电极同时进行离子掺杂处理。
10.根据权利要求9所述的显示面板的修复方法，其特征在于，在多个第一电极远离衬底基板的一侧设置挡板，以及基于所述挡板对所述多个第一电极同时进行离子掺杂处理包括：
在多个第一电极远离衬底基板的一侧放置具有第二通孔的挡板；其中，所述第二通孔与所述预设区域在空间位置上相对应；
通过所述第二通孔对多个预设区域同时进行离子掺杂处理；
完成所述离子掺杂处理后，移除所述挡板。
11.根据权利要求10所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述通过所述第二通孔对多个预设区域同时进行离子掺杂处理包括：
透过所述挡板上的多个所述第二通孔进行离子掺杂处理，第二通孔的尺寸大于预设区域的尺寸。
12.根据权利要求1所述的显示面板的修复方法，其特征在于，所述设置第二显示单元包括：
将第二显示单元分别与第一连接部、第二连接部绑定连接；所述第一连接部位于所述第一电极远离衬底基板的一侧，且与所述第一电极连接，所述第二连接部位于所述第二电极远离衬底基板的一侧，且与所述第二电极连接；所述第一电极通过所述第一连接部与所述第二显示单元连接，所述第二电极通过所述第二连接部与所述第二显示单元连接。
13.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
阵列层，位于所述衬底基板的一侧；
所述阵列层包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括预设区域，所述预设区域掺杂有第一预设离子；
第一显示单元，位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧；
所述第一显示单元分别连接所述第一电极和所述第二电极；
多个所述第一显示单元呈阵列排布；
第二显示单元，位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧；
所述第二显示单元分别连接所述第一电极和所述第二电极；
所述预设区域为所述第一显示单元与所述第二显示单元之间的第一电极区域；
所述预设区域还掺杂有第二预设离子，所述第二预设离子的掺杂类型与所述第一预设离子的掺杂类型相反。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
第二预设离子的掺杂浓度与第一预设离子的掺杂浓度相同。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第一预设离子的掺杂类型为N型掺杂；
所述第二预设离子的掺杂类型为P型掺杂。
16.根据权利要求13至15中任一权利要求所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极由硅系材料构成。
17.根据权利要求13至15中任一权利要求所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极还包括非预设区域，所述非预设区域由金属材料构成；所述预设区域由硅系材料构成。
18.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一连接部，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，且与所述第一电极连接；
第二连接部，位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧，且与所述第二电极连接；所述第二显示单元分别与所述第一连接部、所述第二连接部绑定连接；所述第一电极通过所述第一连接部与所述第二显示单元连接，所述第二电极通过所述第二连接部与所述第二显示单元连接。
19.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示单元为微发光二极管。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13至19中任一权利要求所述的显示面板。
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