CN111462648A - 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 - Google Patents
一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111462648A CN111462648A CN202010324671.9A CN202010324671A CN111462648A CN 111462648 A CN111462648 A CN 111462648A CN 202010324671 A CN202010324671 A CN 202010324671A CN 111462648 A CN111462648 A CN 111462648A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- chip
- electrode
- melting point
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 11
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 AuSn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种Micro‑LED显示设备、显示面板及其制作方法，由于第一Micro‑LED芯片电极的熔点大于第二Micro‑LED芯片电极的熔点，第二Micro‑LED芯片电极的熔点大于第三Micro‑LED芯片电极的熔点，因此，可以依次将第一Micro‑LED芯片、第二Micro‑LED芯片和第三Micro‑LED芯片绑定到基板上，从而不需要将第一Micro‑LED芯片、第二Micro‑LED芯片和第三Micro‑LED芯片分次排列到临时基板上，再同一转移到显示面板的基板上，进而减小了排列误差，提高了绑定精度。
Description
技术领域
本发明涉及Micro-LED显示技术领域，更具体地说，涉及一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法。
背景技术
因Micro-LED显示设备具有高效率、高亮度、高可靠度、节能、体积小和厚度小等优点，所以，Micro-LED显示设备已经成为新一代应用较广泛的显示设备。
在Micro-LED显示设备的制作过程中，需要先制作一颗一颗的Micro-LED芯片，再将红绿蓝三种颜色的Micro-LED芯片分三次排列到一个临时基板上，然后再用排列好的临时基板将Micro-LED芯片一次转移绑定到显示设备的基板上，来实现显示设备的全彩化。
但是，由于Micro-LED芯片的尺寸特别小，显示设备的基板上需要绑定的Micro-LED芯片的数量巨多，因此，在绑定过程中会带来误差，导致绑定精度降低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法，以提高Micro-LED芯片的绑定精度。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种Micro-LED显示面板的制作方法，包括：
提供基板、第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，所述第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点，所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点；
依次将所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片绑定到所述基板上。
可选地，所述第一Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第二Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第三Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片。
可选地，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点范围为280℃～360℃；
所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点范围为220℃～240℃；
所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点范围为140℃～180℃。
可选地，所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片的电极的材料包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi。
可选地，所述第一Micro-LED芯片的电极的材料为Au80Sn20；
所述第二Micro-LED芯片的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；
所述第三Micro-LED芯片的电极的材料为Sn57Bi。
一种Micro-LED显示面板，包括基板以及绑定在所述基板上的第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，其中，所述第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点，所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点。
可选地，所述第一Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第二Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第三Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片。
可选地，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点范围为280℃～360℃；
所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点范围为220℃～240℃；
所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点范围为140℃～180℃。
可选地，所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片的电极的材料包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi。
可选地，所述第一Micro-LED芯片的电极的材料为Au80Sn20；
所述第二Micro-LED芯片的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；
所述第三Micro-LED芯片的电极的材料为Sn57Bi。
一种Micro-LED显示设备，包括如上任一项所述的Micro-LED显示面板。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法，由于第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于第二Micro-LED芯片的电极的熔点，第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于第三Micro-LED芯片的电极的熔点，因此，可以依次将第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片绑定到基板上，从而不需要将第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片分次排列到临时基板上，再利用临时基板将所有芯片一次转移到显示面板的基板上，进而减小了排列误差，提高了绑定精度。
并且，在第二Micro-LED芯片绑定的过程中，由于第一Micro-LED芯片的电极的熔点较高，因此，第一Micro-LED芯片不会因电极受热溶解而发生偏移，在第三Micro-LED芯片绑定的过程中，由于第一Micro-LED芯片和第二Micro-LED芯片的电极的熔点较高，因此，第一Micro-LED芯片和第二Micro-LED芯片不会因电极受热溶解而发生偏移，从而保证了显示面板的绑定精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的Micro-LED显示面板制作方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的具有第一Micro-LED芯片的基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的具有第一Micro-LED芯片和第二Micro-LED芯片的基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的具有第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种发射红光的Micro-LED芯片的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种发射绿光或蓝光的Micro-LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的Micro-LED显示设备的Micro-LED芯片绑定精度较低。发明人研究发现，造成这种问题的原因主要是，由于所有的Micro-LED芯片的金属电极材料都是相同的，因此，所有的Micro-LED芯片的金属电极的熔点都是相同的，若分批将Micro-LED芯片绑定到显示设备的基板上，在后面的芯片绑定的过程中，前面绑定的芯片的金属电极会受热溶解导致芯片位置发生偏移。
基于此，现有技术中只能采用将Micro-LED芯片分次排列到临时基板上，再采用临时基板将所有的Micro-LED芯片一次转移到显示设备的基板上的方式进行绑定，但是，采用这种方式进行绑定时，在按照颜色分次排列Micro-LED芯片的过程中，不同批次或不同颜色的Micro-LED芯片排列时会存在误差，导致不同颜色的芯片之间的间距减小或增大，进而导致绑定精度降低。
基于此，本发明提供了一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法，以克服现有技术存在的上述问题，包括：
提供基板、第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，所述第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点，所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点；
依次将所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片绑定到所述基板上。
本发明提供的Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法，由于第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于第二Micro-LED芯片的电极的熔点，第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于第三Micro-LED芯片的电极的熔点，因此，可以依次将第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片绑定到基板上，从而不需要将第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片分次排列到临时基板上，进而减小了排列误差，提高了绑定精度。
并且，在第二Micro-LED芯片绑定的过程中，由于第一Micro-LED芯片的电极的熔点较高，因此，第一Micro-LED芯片不会因电极受热溶解而发生偏移，在第三Micro-LED芯片绑定的过程中，由于第一Micro-LED芯片和第二Micro-LED芯片的电极的熔点较高，因此，第一Micro-LED芯片和第二Micro-LED芯片不会因电极受热溶解而发生偏移，从而确保了显示面板的绑定精度。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种Micro-LED显示面板的制作方法，如图1所示，包括：
S101：提供基板、第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于第二Micro-LED芯片的电极的熔点，第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于第三Micro-LED芯片的电极的熔点；
在制作Micro-LED显示面板之前，需先提供制作所需的基板以及需要绑定在基板上的Micro-LED芯片，其中，第一Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、第二Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、第三Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片，且第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同。
也就是说，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片依次是发射红光、绿光和蓝光的芯片，或，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片依次是发射绿光、红光和蓝光的芯片等。
S102：依次将第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片绑定到基板上。
可选地，可以将第一Micro-LED芯片贴合到临时基板上，利用临时基板将第一Micro-LED芯片转移绑定到基板上，转移后具有第一Micro-LED芯片11的基板10的部分结构示意图如图2所示，然后，将第二Micro-LED芯片贴合到临时基板上，利用临时基板将第二Micro-LED芯片转移绑定到基板上，转移后具有第一Micro-LED芯片11和第二Micro-LED芯片12的基板10的部分结构示意图如图3所示，之后，将第三Micro-LED芯片贴合到临时基板上，利用临时基板将第三Micro-LED芯片转移绑定到基板上，转移后具有第一Micro-LED芯片11、第二Micro-LED芯片12和第三Micro-LED芯片13的基板10的部分结构示意图如图4所示。
由于每次临时基板上只有一种颜色的芯片，而同一颜色的芯片之间的间距是固定的，因此，误差较小，不会影响绑定精度。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，也可以不采用临时基板，而是直接将芯片绑定到显示面板的基板上。
可选地，本发明实施例中，第一Micro-LED芯片的电极的熔点范围为280℃～360℃；第二Micro-LED芯片的电极的熔点范围为220℃～240℃；第三Micro-LED芯片的电极的熔点范围为140℃～180℃。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，可以根据实际情况在其他熔点范围内进行电极材料的选择。
可选地，本发明实施例中，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的电极的材料为金属，包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi等。
进一步可选地，第一Micro-LED芯片的电极的材料为Au80Sn20；第二Micro-LED芯片的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；第三Micro-LED芯片的电极的材料为Sn57Bi。
其中，Au80Sn20合金的熔点在280℃～360℃范围内，并且，Au80Sn20合金处于金锡二元共金部位，共金点为280℃，机械性能良好，屈服强度高，耐腐蚀性、抗蠕变性以及导热导电性能非常好，室温到500℃都及其稳定。Sn3.1Ag0.6CuNi(Ni：wt％＝0.08％)金属合金中添加了少量的Ni，可以提升金属焊接可靠性以及抗氧化性，Sn3.1Ag0.6CuNi合金的熔点在220℃～240℃范围内，具有优良的屈服强度、坚强强度、冲击韧性及抗蠕变作用。Sn57Bi金属合金的熔点在140℃～180℃范围内，Sn57Bi体系具有熔点低，剪切强等优点。
本发明一个实施例中，第一Micro-LED芯片为发射红光的芯片、第二Micro-LED芯片为发射绿光的芯片、第三Micro-LED芯片为发射蓝光的芯片。如图5所示，第一Micro-LED芯片包括蓝宝石衬底20、以及依次位于蓝宝石衬底20上的N型GaP层21、多量子阱层22、P型AlGaInP层23、GaAs欧姆接触层24、N电极25和P电极26，如图6所示，第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片包括蓝宝石衬底30、以及依次位于蓝宝石衬底30上的N型GaN层31、多量子阱层32、P型GaN层33、透明导电扩展层34、P电极35和N电极36。当然，本发明实施例中，仅以上述结构为例进行说明，并不仅限于此。
本发明实施例中，在绑定之前需要先制作芯片，下面以第二Micro-LED芯片为例对具体制作过程进行描述：
在衬底30表面生长RGB外延层，包括N型GaN层31、多量子阱层32和P型GaN层33，其中外延层的厚度为4μm～8μm。然后，在RGB外延层上制作MESA图形，用干法刻蚀设备ICP刻蚀出N型台阶，刻蚀深度为1μm～2μm。
之后，在衬底30表面沉积透明导电薄膜ITO，ITO厚度
通过光刻及湿法蚀刻只保留P型GaN层表面的ITO，去除其余区域的ITO，形成透明导电扩展层34。
之后，在衬底30表面涂覆光刻胶，厚度5μm～15μm，光刻后发光面保留光刻胶，用ICP设备进行干法刻蚀，漏出衬底30，刻蚀深度为4μm～8μm。然后在衬底30表面制作绝缘层，绝缘材料可以是SiO2、Si3N4、Al2O3等，绝缘层厚度为
然后，进行电极的制作，制备方法包括电子束蒸发、磁控溅射、电镀和化镀等。不同颜色的芯片的电极材料不同，如在第一Micro-LED芯片表面制作材料为Au80Sn20的P电极和N电极，在第二Micro-LED芯片表面制作材料为Sn3.1Ag0.6CuNi的P电极和N电极，在第三Micro-LED芯片表面制作材料为Sn57Bi的P电极和N电极。
本发明实施例还提供了一种Micro-LED显示面板，如图4所示，包括基板10以及绑定在基板10上的第一Micro-LED芯片11、第二Micro-LED芯片12和第三Micro-LED芯片13，其中，第一Micro-LED芯片11、第二Micro-LED芯片12和第三Micro-LED芯片13的发光颜色各不相同，第一Micro-LED芯片11的电极的熔点大于第二Micro-LED芯片12的电极的熔点，第二Micro-LED芯片12的电极的熔点大于第三Micro-LED芯片13的电极的熔点。当然，本发明实施例提供的显示面板还包括驱动芯片发光的驱动电路等，在此不再一一赘述。
本发明实施例中，第一Micro-LED芯片11为发射红光、绿光或蓝光的芯片、第二Micro-LED芯片12为发射红光、绿光或蓝光的芯片、第三Micro-LED芯片13为发射红光、绿光或蓝光的芯片。也就是说，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片依次是发射蓝光、红光和绿光的芯片，或，第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片依次是发射蓝光、绿光和红光的芯片等。
可选地，第一Micro-LED芯片11的电极的熔点范围为280℃～360℃；第二Micro-LED芯片12的电极的熔点范围为220℃～240℃；第三Micro-LED芯片13的电极的熔点范围为140℃～180℃。
可选地，第一Micro-LED芯片11、第二Micro-LED芯片12和第三Micro-LED芯片13的电极的材料包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi等。
进一步可选地，第一Micro-LED芯片11的电极的材料为Au80Sn20；第二Micro-LED芯片12的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；第三Micro-LED芯片13的电极的材料为Sn57Bi。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，可以根据实际需要选择合适的材料作为电极。
本发明实施例还提供了一种Micro-LED显示设备，包括如上任一实施例提供的Micro-LED显示面板。当然，本发明实施例提供的显示设备还包括固定显示面板的边框等结构，在此不再一一赘述。此外，本发明实施例提供的显示设备包括但不限于智能电视、智能手机以及平板电脑等电子设备。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1.一种Micro-LED显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板、第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，所述第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点，所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点；
依次将所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片绑定到所述基板上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第二Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第三Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点范围为280℃～360℃；
所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点范围为220℃～240℃；
所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点范围为140℃～180℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片的电极的材料包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片的电极的材料为Au80Sn20；
所述第二Micro-LED芯片的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；
所述第三Micro-LED芯片的电极的材料为Sn57Bi。
6.一种Micro-LED显示面板，其特征在于，包括基板以及绑定在所述基板上的第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片，其中，所述第一Micro-LED芯片、第二Micro-LED芯片和第三Micro-LED芯片的发光颜色各不相同，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点，所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点大于所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第二Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片、所述第三Micro-LED芯片为发射红光、绿光或蓝光的芯片。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片的电极的熔点范围为280℃～360℃；
所述第二Micro-LED芯片的电极的熔点范围为220℃～240℃；
所述第三Micro-LED芯片的电极的熔点范围为140℃～180℃。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片的电极的材料包括Sn、In、AuSn、SnAg、SnBi、SnAgBi、SnAgCu、SnAgCuNi。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一Micro-LED芯片的电极的材料为Au80Sn20；
所述第二Micro-LED芯片的电极的材料为Sn3.1Ag0.6CuNi；
所述第三Micro-LED芯片的电极的材料为Sn57Bi。
11.一种Micro-LED显示设备，其特征在于，包括权利要求6～9任一项所述的Micro-LED显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010324671.9A CN111462648A (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010324671.9A CN111462648A (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111462648A true CN111462648A (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=71680299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010324671.9A Pending CN111462648A (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111462648A (zh) |
Citations (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101069938A (zh) * | 2006-05-10 | 2007-11-14 | 北京有色金属研究总院 | 一种可变熔点无铅复合焊料和焊膏及其制备和应用方法 |
| CN102403442A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 威晶半导体股份有限公司 | 发光二极管的导热结构 |
| CN103659028A (zh) * | 2012-09-05 | 2014-03-26 | 昆山市宏嘉焊锡制造有限公司 | 耐高温的焊锡丝 |
| DE102014201635B3 (de) * | 2014-01-30 | 2015-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Anordnung von elektronischen Bauelementen und elektronische Schaltanordnung |
| CN106449542A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-22 | 深圳市五矿发光材料有限公司 | 一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构 |
| CN108133942A (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-08 | 苹果公司 | 具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试制造发光二极管显示器的方法 |
| CN108538878A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-09-14 | 大连德豪光电科技有限公司 | 微发光二极管基板及其制备方法、显示装置 |
| CN108807265A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-11-13 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法 |
| CN109326549A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 |
| CN109802018A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微发光二极管阵列基板的制作方法 |
| WO2019103291A1 (ko) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 주식회사 루멘스 | 고효율 마이크로 엘이디 모듈의 제조방법 |
| CN109859647A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110212079A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 |
| CN110233200A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-09-13 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种Micro LED的三维集成结构和制作方法 |
| CN110246953A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-17 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种Micro-LED芯片、显示设备及Micro-LED芯片的制作方法 |
| US20190319165A1 (en) * | 2016-11-07 | 2019-10-17 | Goertek. Inc | Micro-led transfer method and manufacturing method |
| CN110444547A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-12 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法 |
| CN110534621A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 武汉大学 | 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法 |
| CN110634839A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微发光二极管显示基板、装置及制备方法 |
| CN110831347A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 绑定材料、显示面板及Micro-LED芯片的绑定方法 |
| CN111033762A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-04-17 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示基板及其制造方法 |
-
2020
- 2020-04-23 CN CN202010324671.9A patent/CN111462648A/zh active Pending
Patent Citations (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101069938A (zh) * | 2006-05-10 | 2007-11-14 | 北京有色金属研究总院 | 一种可变熔点无铅复合焊料和焊膏及其制备和应用方法 |
| CN102403442A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 威晶半导体股份有限公司 | 发光二极管的导热结构 |
| CN103659028A (zh) * | 2012-09-05 | 2014-03-26 | 昆山市宏嘉焊锡制造有限公司 | 耐高温的焊锡丝 |
| CN108133942A (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-08 | 苹果公司 | 具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试制造发光二极管显示器的方法 |
| DE102014201635B3 (de) * | 2014-01-30 | 2015-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Anordnung von elektronischen Bauelementen und elektronische Schaltanordnung |
| CN106449542A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-22 | 深圳市五矿发光材料有限公司 | 一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构 |
| US20190319165A1 (en) * | 2016-11-07 | 2019-10-17 | Goertek. Inc | Micro-led transfer method and manufacturing method |
| WO2019103291A1 (ko) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 주식회사 루멘스 | 고효율 마이크로 엘이디 모듈의 제조방법 |
| CN108807265A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-11-13 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法 |
| CN108538878A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-09-14 | 大连德豪光电科技有限公司 | 微发光二极管基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109326549A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 |
| CN109802018A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微发光二极管阵列基板的制作方法 |
| CN109859647A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110233200A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-09-13 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种Micro LED的三维集成结构和制作方法 |
| CN110212079A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 |
| CN110246953A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-17 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种Micro-LED芯片、显示设备及Micro-LED芯片的制作方法 |
| CN110444547A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-12 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法 |
| CN110534621A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 武汉大学 | 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法 |
| CN110634839A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微发光二极管显示基板、装置及制备方法 |
| CN110831347A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 绑定材料、显示面板及Micro-LED芯片的绑定方法 |
| CN111033762A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-04-17 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示基板及其制造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 李月锋，邹军: "《LED热管理及散热技术应用》", 30 September 2018, 上海科学技术出版社 * |
| 艾国齐，汪延明，苗振林，杨丹: "一种解决小尺寸芯片无法焊线的设计方法", 《科技与企业》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102214755B (zh) | 发光元件 | |
| CN100375303C (zh) | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 | |
| CN100474642C (zh) | 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法 | |
| CN101442092B (zh) | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 | |
| CN102067345A (zh) | 用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法 | |
| CN101740694A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN104300065A (zh) | 具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法 | |
| US20150214435A1 (en) | Semiconductor light emitting diode device and formation method thereof | |
| CN103797591A (zh) | 制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件 | |
| JPH10321913A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN102916100B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN104218447A (zh) | 一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用 | |
| CN209374473U (zh) | 一种半导体发光元件 | |
| CN105514230A (zh) | GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法 | |
| JP2012529170A (ja) | 発光半導体装置及び製造方法 | |
| CN109860349A (zh) | 一种led芯片及其制造方法 | |
| CN104733577A (zh) | 垂直结构led芯片及其制造方法 | |
| CN111462648A (zh) | 一种Micro-LED显示设备、显示面板及其制作方法 | |
| CN217719638U (zh) | 一种Micro LED芯片 | |
| CN100511731C (zh) | 倒装焊发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN110190158A (zh) | 一种高压led芯片及其制备方法 | |
| CN106784223B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN102569583B (zh) | 基于陶瓷基板的发光器件及其制造方法 | |
| CN103325911A (zh) | 发光二极管元件及其制造方法 | |
| KR100630306B1 (ko) | 질화물 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200728 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |