CN103325911A - 发光二极管元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光二极管元件及其制造方法。该发光二极管元件包括一基板、一第一电极、一外延层以及一第二电极。第一电极设置于基板的一表面。外延层设置于基板的另一表面上。第二电极设置于外延层上，其中第二电极为一复合金属层且依序包括一钛层、一钨化钛层、一铂层以及一金层。其中，第二电极及基板分别设置于外延层的两侧。本发明更提供一种发光二极管元件的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管元件及其制造方法，特别是涉及一种具有复合金属层的电极的发光二极管元件及其制造方法。
背景技术
发光二极管（light-emitting diode,LED）是一种由半导体材料制作而成的发光元件。由于发光二极管属于冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围涵盖了电脑或家电产品的指示灯、液晶显示装置的背光源乃至交通号志或是车用指示灯。
请一并参阅图1A及图1B，分别为现有具有水平式电极结构以及垂直式电极结构的LED示意图。目前业界中蓝光LED 1A多使用如图1A的蓝宝石（Sapphire，Al2O3）基板11作为外延成长的基板，由于蓝宝石基板11为绝缘材料，因此，目前的蓝光LED 1A多采用如图1A中的水平式电极结构，蓝光LED 1A包含蓝宝石基板11、外延层12，其中外延层12可以包含多层结构，在此例如由蓝宝石基板11往上依序为一n型半导体层121、一发光层122与一p型半导体层123、一n型电极13以及一p型电极14，其中外延层12的材料以氮化镓为例，n型电极13及p型电极14设置于蓝宝石基板11的同一侧。
由于氮化镓材料的外延成长特性，氮化镓成长于蓝宝石基板11表面时，在靠近蓝宝石基板11侧的氮化镓会呈现氮面121a（n-face），而远离蓝宝石基板11侧的氮化镓则为镓面121b（Ga-face）。为了与外延层12的半导体材料有较佳的欧姆接触（ohmic contact）特性，一般多使用铬/铂/金的复合金属层来作为n型电极13及p型电极14。
由于制造上述水平式电极结构需要牺牲部分的外延层12面积来设置n型电极13，以让n型电极13能与外延层12中的n型半导体层121电性连结，再加上蓝宝石基板11的散热特性不良，容易影响蓝光LED 1A的可靠性及寿命。因此在一些特殊的产品应用上，为了得到更好的发光效率以及散热的特性，常会通过金属层15进行接合，将散热特性较佳的导电基板16（例如为硅基板）接合在外延层12结构上，然后再通过激光剥离（laser lift-off）的方式来移除外延基板（亦即移除蓝宝石基板11），而形成如图1B中具有垂直式电极结构的LED1B，其中，LED1B的n型电极17及p型电极18分别设置于导电基板16的二侧。
为了具有良好的欧姆接触特性，n型电极17的材料除了上述的铬/铂/金的复合金属层之外，在业界里一般还常用的材料还有钛/铝/镍/金、铝/钛/镍/金、钛/铂/金，或是钛/铝/钛/金等等。然而，上述的复合金属结构作为垂直式电极结构的n型电极17时，由于垂直式电极结构LED1B的n型电极17位于氮化镓材料的氮面上，而氮化镓材料的氮面与镓面特性不同，导致在经过后续200°C以上的热处理（例如封胶固化制作工艺），或是长时间的操作后，n型电极17的欧姆接触特性会从原本的欧姆接触状态变成萧特基接触（schottkey contact）状态，亦即n型电极17的阻值将明显升高。
因此，如何提供一种发光二极管元件及其制造方法，使电极能在经过高温的热处理之后，不论电极位在氮化镓半导体的氮面与镓面都能够维持较佳的欧姆接触特性，已成为重要课题之一。
发明内容
有鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种具有复合金属层的电极的发光二极管元件及其制造方法。
为达上述目的，依据本发明的一种发光二极管元件，包括一基板、一第一电极、一外延层以及一第二电极。第一电极设置于基板的一表面。外延层设置于基板的另一表面上。第二电极设置于外延层上，其中第二电极为一复合金属层且依序包括一钛层、一钨化钛层、一铂层以及一金层。其中，第二电极及基板分别设置于外延层的两侧。
为达上述目的，本发明更提供一种发光二极管元件的制造方法，包括提供一基板；形成一外延层于基板的一表面上；以及形成一电极于一外延层上，其中电极为一复合金属层，由与外延层相连接的一侧起，电极依序包括一钛层、一钨化钛层、一铂层以及一金层。
在本发明的一较佳实施例中，基板包含半导体材料。
在本发明的一较佳实施例中，基板为硅基板。
在本发明的一较佳实施例中，外延层具有一p型氮化镓层、一发光层以及一n型氮化镓层。
在本发明的一较佳实施例中，钛层的厚度介于15埃至100埃之间，钨化钛的厚度介于500埃至1000埃之间。
在本发明的一较佳实施例中，钛层用以粘着外延层。
在本发明的一较佳实施例中，钨化钛层为一阻障层，以减少铂层及金层扩散至钛层。
在本发明的一较佳实施例中，铂层防止钨化钛层氧化。
在本发明的一较佳实施例中，复合金属层还包含一钨化钛层，设置于外延层与钛层之间。
在本发明的一较佳实施例中，第二电极设置于外延层的外延起始成长的一面。
在本发明的一较佳实施例中，外延层与第二电极相连接的表面具有一平坦表面及一粗糙表面，第二电极还具有一打线部及一指状部，打线部位于平坦表面，指状部位于粗糙表面上。
在本发明的一较佳实施例中，平坦表面为一电流阻障部。
在本发明的一较佳实施例中，外延层以液相外延法、气相外延法或有机金属化学气相沉积法的方法形成。
在本发明的一较佳实施例中，制造方法还包含：湿蚀刻外延层的部分表面以形成一粗糙表面，而未湿蚀刻的外延层的表面为一平坦表面。
在本发明的一较佳实施例中，制造方法还包含：形成一指状部于外延层的粗糙表面上，及形成一打线部于外延层的平坦表面上。其中打线部与指状部可以同一道制作工艺形成。
在本发明的一较佳实施例中，钛层、钨化钛层及铂层以溅镀形成，金层以电子枪蒸镀形成。
在本发明的一较佳实施例中，制造方法还包含：溅镀形成一钨化钛层于外延层及钛层之间。
在本发明的一较佳实施例中，制造方法还包含：设置另一电极于基板。其中，另一电极与外延层分别设置于基板的两侧。
在本发明的一较佳实施例中，在形成一外延层于基板的一表面上的步骤前，以一蓝宝石基板作为一外延基板形成外延层。
在本发明的一较佳实施例中，在形成一外延层于基板的一表面的步骤时，通过一金属层将具有导电性的基板接合于外延层。
在本发明的一较佳实施例中，在形成一外延层于基板的一表面的步骤之后，以激光的方式将蓝宝石基板剥离。
在本发明的一较佳实施例中，电极设置于外延层的外延起始成长的一面。
承上所述，本发明的发光二极管元件及其制造方法通过依序设置包括钛层、钨化钛层、铂层以及金层的一复合金属层的电极，在垂直式电极结构或水平式电极结构的发光二极管元件上，可使得发光二极管元件在经过高温的热处理之后或是长时间操作后，仍然能够维持良好的欧姆接触特性。此外，通过于外延层以及第二电极的指状部接触的表面上形成粗糙表面，且于外延层以及第二电极的打线部接触的表面形成平坦表面，可有助于发光二极管元件的电流分布均匀，进而发光也能较均匀。
附图说明
图1A为现有技术的水平式电极的LED结构示意图；
图1B为现有技术的垂直式电极的LED结构示意图；
图2A为本发明发光二极管元件的结构示意图；
图2B为本发明发光二极管元件的钛层于不同厚度下的阻值变化图；
图2C及图2D为根据现有技术的发光二极管元件以及本发明的发光二极管元件结构于不同热处理温度下的阻值-热处理温度图及其放大图；
图2E为本发明另一发光二极管元件的结构示意图；
图2F为本发明再一发光二极管元件的结构示意图；
图3A及图3C为本发明发光二极管元件的另一较佳实施例；以及
图4为本发明发光二极管元件的制造方法的步骤流程图。
主要元件符号说明
1A、1B：LED
11：蓝宝石基板
12、23、23a、33：外延层
121、233、233c：n型半导体层
121a、233a：氮面
121b、233b：镓面
122、232：发光层
123、231：p型半导体层
13、17：n型电极
14、18：p型电极
15：金属层
16：导电基板
2A、2B、2C、3：发光二极管元件
21：基板
211、212：表面
22：第一电极
24、24a、34：第二电极
241：钛层
242、245：钨化钛层
243：铂层
244：金层
25：金属层
31：平坦表面
32：粗糙表面
f：指状部
S01～S03：步骤
w：打线部
具体实施方式
以下将参照相关附图，说明依本发明较佳实施例的一种发光二极管元件及其制造方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
须知，本说明书所附附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“顶”、“侧”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
请参阅图2A，其为本发明发光二极管元件2A的结构示意图。发光二极管元件2A包括基板21、第一电极22、金属层25、外延层23以及第二电极24。
本实施例中，基板21以一导电基板为例，例如基板21可包含半导体材料，像是硅或是碳化硅。于此，以基板21为硅基板为例。
第一电极22设置于基板21的一表面211。第一电极22可包括复合金属层的材料，且依序包括钛层、铂层以及金层。或者，第一电极22也可为铬/铂/金、钛/铝/镍/金、钛/金、或钛/铝/钛/金的复合金属层，于此并不作限制。
外延层23设置于基板21的另一表面212上，也就是不与第一电极22同一侧。发光二极管元件2A由于外延成长特性的关系，以蓝宝石基板作为外延基板形成外延层23后，通过金属层25而将具有导电性的基板21接合于外延层23上，并以激光的方式将蓝宝石基板剥离。外延层23为一复合层，形成外延层23的主要外延方法有液相外延法（Liquid Phase Epitaxy,LPE）、气相外延法（Vapor Phase Epitaxy,VPE）或有机金属化学气相沉积法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）。另外，外延层23以材料带隙来看，常用的Ⅲ族-Ⅴ族元素组成大至可分成四类，分别为：GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列，于此是以外延层23包括一p型半导体层231、一发光层232以及一n型半导体层233为例，其中，p型半导体层231例如是p型氮化镓层，而n型半导体层233例如为n型氮化镓层，其中发光层232夹设于n型半导体层233与p型半导体层231之间，发光层232可以例如为氮化铟镓与氮化镓（InGaN/GaN）所形成的多重量子井结构（MQW），其以有机金属化学气相沉积形成为例。另外，n型半导体层233具有二表面，其分别为氮面233a（n-face）及镓面233b（Ga-face），其中，氮面233a为外延起始成长的一面，此一表面（氮面233a）将外延成长基板剥离后而暴露。而发光层232与n型半导体层233的镓面233b相连接。
第二电极24设置于外延层23上，更详细来说，第二电极24设置于n型半导体层233的氮面233a，亦即第二电极24设置于外延层23的外延起始成长的一面。其中第二电极24为一复合金属层且依序包括一钛层241、一钨化钛层242、一铂层243以及一金层244。此外，由附图中可以清楚了解第二电极24与基板21的距离大于第一电极22与基板21的距离，第二电极24与外延层23均位在基板21的同一侧，其中第二电极24的钛层241位于较靠近外延层23的一侧，金层244位于较远离外延层23的一侧。另外，第二电极24及基板21分别设置于外延层23的两侧。
第二电极24的复合金属层各自有不同的功能，其中钛层241用以粘着外延层23；钨化钛层242为阻障层，用以减少铂层243及金层244扩散至钛层241，而钨化钛层242的钨可在后续退火制作工艺中扩散进入钛层241而与n型半导体层233的氮面233a形成欧姆接触；铂层243防止钨化钛层242氧化；金层244的接合性较佳则可作为后续打线之用。于制造时基于制造成本以及生产良率考量，钛层241、钨化钛层242及铂层243可以例如以溅镀形成；而金层244可以例如以电子枪蒸镀形成，然而于此并不以此为限。例如第二电极24的所有复合金属层可以全部都使用溅镀制成或者全部都使用电子枪蒸镀形成。
在本发明的一较佳实施例中，钛层241的厚度介于15埃至100埃之间；钨化钛层242的厚度介于500埃至1000埃之间。请参照图2B所示，其为本发明的发光二极管元件的钛层于不同厚度下的阻值变化图。从图中可清楚得知，若钛层241的厚度超过100埃之后，钛层241的阻值急速向上攀升，使得容易影响发光二极管元件2A的特性，因此钛层241的厚度以介于15埃至100埃之间为较佳，由此使得钛层241的阻值可维持于低阻值（例如小于100欧姆）。
请一并参阅图2A、图2C及图2D，图2C为比较现有技术的发光二极管元件的复合金属电极以及本发明的发光二极管元件2A的复合金属电极于不同热处理温度下的阻值变化图，而图2D为图2C中于阻值0~1000欧姆的放大图。需先述明的是，其采用钛层241的厚度为50埃的实验结果。由图中可明显看出通过本发明的第二电极24结构所包含的复合金属层Ti/TiW/Pt/Au，相比较于现有技术中使用Cr/Pt/Au、Al/Ti/Ni/Au或者Ti/Pt/Au的复合金属作为电极时，在不同温度下的阻值变化程度相对稳定，而且阻值较小。现有技术中所使用的电极材料在热处理温度超过200°C以上之后，其欧姆接触特性则明显劣化，但由附图中可明显看出本发明的发光二极管元件2A在热处理温度超过200°C以上，仍然能够维持稳定的阻值而不受热处理温度上升的影响，亦即，可具有较佳的欧姆接触特性。
如图2E所示，其为本发明发光二极管元件2B的另一结构示意图。第二电极24a的复合金属层更包含另一钨化钛层245，设置于外延层23与钛层241之间，使得第二电极24a的复合金属层成为TiW/Ti/TiW/Pt/Au的叠层。于此，钨化钛层245的厚度以介于25~200埃之间为例。增加的钨化钛层245可有助于第二电极24a与外延层23之间的欧姆接触特性。
此外，电极复合金属层的结构除了可设置于上述垂直式电极结构外，也可设置于水平式电极结构的发光二极管元件上。如图2F所示，为本发明发光二极管元件2C的结构示意图，与上述水平式电极结构的发光二极管元件相似，于蓝宝石基板11上形成外延层23a，并蚀刻一部分面积的部分外延层23a以暴露出n型半导体层233c，以作为设置n型电极的区域，并于外延层23a上依序形成钛层241、钨化钛层242、铂层243以及金层244的复合金属层的第二电极24结构，或者也可以利用如图2E中的第二电极24a结构，可包含另一钨化钛层245，设置于外延层23a与钛层241之间，使得第二电极24的复合金属层成为TiW/Ti/TiW/Pt/Au的叠层。当然，上述的复合金属层也可作为n型电极。
请参阅图3A至图3C，为本发明发光二极管元件的另一较佳实施例的示意图，其中，图3A为发光二极管元件3的俯视示意图，图3B为沿图3A中的A-A直线剖视图，图3C为沿图3A中的B-B直线剖视图。本实施例中不同之处在于，将第二电极34更具有一打线部w及一指状部f，设置于外延层33上，其中打线部w可通过打线制作工艺（wire bonding）而用于与外界电源连接用，此外界电源用于提供发光二极管元件3发光所需的电压与电流，而指状部f且呈交叉状，以协助发光二极管元件3的电流均匀分布。而且在本实施例中半导体材料以氮化镓为例，该半导体材料经过碱性溶液蚀刻处理后，可以在外延层33的表面形成粗糙表面32，而未经过碱性溶液蚀刻处理的外延层33的表面形成平坦表面31，亦即外延层33与第二电极34相连接的表面具有一平坦表面31及一粗糙表面32。而本发明的复合金属层的电极结构在氮化镓的粗糙表面32会比在平坦表面31上具有较佳的热稳定性与欧姆接触特性。于此，在打线部w及指状部f形成于外延层33之前，可经由一湿蚀刻制作工艺，将外延层33与第二电极34的打线部w相连接以外的表面进行蚀刻，亦即将外延层33欲与指状部f相连接的表面进行蚀刻，例如浸泡于氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，而使得外延层33与打线部w相连接以外的表面形成一粗糙表面32。另外，打线部w与外延层33相连接的表面则可先以光致抗蚀剂层覆盖保护，不让碱性溶液蚀刻，而使得打线部w与外延层33相连接的为一平坦表面31。如此一来，其可通过平坦表面31则作为电流阻障（current blocking）部，可改善电流集中于第二电极34的打线部w正下方的部位，进而避免造成发光二极管元件3于中央区域产生最大亮度，使得邻近区域的亮度偏弱的问题。须说明的是，打线部w及指状部f可分别制成，或以同一道制作工艺中制成，当同时制作打线部w及指状部f时，可以下列方式制作而成，例如，首先利用光刻制作工艺以形成所需光致抗蚀剂图形，接续镀上复合金属层，最后以浮离制作工艺完成所需的电极图形。
此外，指状部f溅镀于经过碱性溶液湿蚀刻处理过的粗糙表面32上，而打线部w设置于平坦表面31上，在一般情况下，欧姆特性的差异并不大，但在经过200℃以上温度的热处理之后，平坦表面31的欧姆特性相较于粗糙表面的欧姆特性将更快速、明显地劣化，换句话说，于外延层33与打线部w相连接以外的表面形成粗糙表面32具有较佳的热稳定性，而打线部w所设置的平坦表面31经过热处理后则欧姆特性变差，而可以具有电流阻障的效果。
另外，本发明还提供一种发光二极管元件的制造方法。请参照图4所示，其为本发明较佳实施例的发光二极管元件的制造方法的步骤流程图。发光二极管元件的制造方法包括步骤S01至S03。请同时参照图2A及图4所示，步骤S01提供一基板21。步骤S02形成一外延层23于基板21的一表面212上。更详细来说，外延层23先成长于一外延基板上，接着通过一金属层25将外延层23设置于基板21上，最后以激光剥离的方式移除外延基板。步骤S03形成一电极（于此称作为第二电极24）在一外延层23上，其中第二电极24为一复合金属层，与外延层23相连接的一侧起，第二电极24依序包括钛层241、钨化钛层242、铂层243以及金层244。其中，钛层241、钨化钛层242及铂层243以溅镀制作工艺形成，金层244则以电子枪蒸镀形成。然而于此并不以此为限。例如电极的所有复合金属层可以全部都使用溅镀制成或者全部都使用电子枪蒸镀形成。
外延层23以液相外延法、气相外延法或有机金属化学气相沉积法的方法形成。外延层23包括一p型半导体层231、一发光层232以及一n型半导体层233为例，其中，p型半导体层231例如是p型氮化镓层，而n型半导体层233例如为n型氮化镓层，其中发光层232夹设于n型半导体层233与p型半导体层231之间，发光层232可以例如为氮化铟镓与氮化镓（InGaN/GaN）所形成的多重量子井结构（MQW），其以有机金属化学气相沉积形成为例。
本实施例的制造方法还包括于外延层23及钛层241之间也可溅镀另一钨化钛层（如图2E所示）。
另外，制造方法还包含湿蚀刻外延层23的部分表面以形成一粗糙表面，而未蚀刻的外延层23的表面则为平坦表面，用以避免电流集中于电极部位而造成发光二极管元件集中于中央区域发光。换句话说，第二电极24设置于平坦表面及粗操表面，而另一电极（于此称作为第一电极22）则设置于基板21的一表面211上，其中，第一电极22与外延层23分别设置于基板21的两侧。
上述制造方法还包括形成一打线部w及一指状部f于外延层33（如图3A至图3C所示），更详细来说，形成一指状部f于外延层33的粗糙表面32上，及形成一打线部w于外延层33的平坦表面31上。在打线部w及指状部f形成于外延层33之前，可经由一湿蚀刻制作工艺，将外延层33与打线部w相连接以外的表面进行蚀刻，亦即将外延层33欲与指状部f相连接的表面进行蚀刻，例如浸泡于氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，而使得外延层33与打线部w相连接以外的表面形成一粗糙表面32。另外，打线部w与外延层33相连接的表面则可先以光致抗蚀剂层覆盖保护，不让碱性溶液蚀刻，而使得打线部w与外延层33相连接的为一平坦表面31。需说明的是，打线部w及指状部f可分别制成，或以同一道制作工艺中制成，当同时制作打线部w及指状部f时，可以下列方式制作而成，例如，首先利用光刻制作工艺以形成所需光致抗蚀剂图形，接续镀上复合金属层，最后以浮离制作工艺完成所需的电极图形。
其余发光二极管元件相同或相似的构件的实施原理、结构特征、与物理特性于上述相同者不再予以赘述。
综上所述，本发明的发光二极管元件及其制造方法通过依序设置包括钛层、钨化钛层、铂层以及金层的一复合金属层的电极，于垂直式电极结构或水平式电极结构的发光二极管元件上，可使得发光二极管元件在经过高温的热处理之后或是长时间操作后，仍然能够维持良好的欧姆接触特性。此外，通过在外延层以及第二电极的指状部接触表面的表面上形成粗糙表面，且在外延层以及第二电极的打线部接触的表面形成平坦表面，可有助于发光二极管元件的电流分布均匀，进而发光也能较均匀。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于附上的权利要求中。
Claims (18)
1.一种发光二极管元件，包括：
基板；
第一电极，设置于该基板的一表面；
外延层，设置于该基板的另一表面之上；以及
第二电极，设置于该外延层上，其中该第二电极为一复合金属层且依序包括一钛层、一钨化钛层、一铂层以及一金层，
其中，该第二电极及该基板分别设置于该外延层的两侧。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该外延层具有p型氮化镓层、发光层以及n型氮化镓层。
3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该钛层的厚度介于15埃至100埃之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中钨化钛的厚度介于500埃至1000埃之间。
5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该复合金属层还包含钨化钛层，设置于该外延层与该钛层之间。
6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第二电极设置于该外延层的外延起始成长的一面。
7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该外延层与该第二电极相连接的表面具有平坦表面及粗糙表面，该第二电极还具有打线部及指状部，该打线部位于该平坦表面上，该指状部位于该粗糙表面上。
8.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该钛层用以粘着该外延层，该钨化钛层为阻障层，以减少该铂层及该金层扩散至该钛层，该铂层防止该钨化钛层氧化。
9.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该平坦表面为一电流阻障部。
10.一种发光二极管元件的制造方法，包括：
提供一基板；
形成一外延层于该基板的一表面上；以及
形成一电极于一外延层上，其中该电极为一复合金属层，由与该外延层相连接的一侧起，该电极依序包括钛层、钨化钛层、铂层以及一金层。
11.如权利要求10所述的制造方法，还包含：
湿蚀刻该外延层的部分表面以形成一粗糙表面，而未湿蚀刻的该外延层的表面为一平坦表面。
12.如权利要求11所述的制造方法，还包含：
形成一指状部于该外延层的该粗糙表面上，及形成一打线部于该外延层的该平坦表面上。
13.如权利要求10所述的制造方法，还包含：
溅镀形成一钨化钛层于该外延层及该钛层之间。
14.如权利要求10所述的制造方法，还包含：
设置另一电极于该基板，其中该另一电极与该外延层分别设置于该基板的两侧。
15.如权利要求10所述的制造方法，其中于形成一外延层于该基板的一表面上的步骤前，以一蓝宝石基板作为一外延基板形成该外延层。
16.如权利要求15所述的制造方法，其中于形成一外延层于该基板的一表面的步骤时，通过一金属层将具有导电性的该基板接合于该外延层，待外延层接合于外延层后，以激光的方式将该蓝宝石基板剥离。
17.如权利要求10所述的制造方法，其中该电极设置于该外延层的外延起始成长的一面。
18.如权利要求12所述的制造方法，其中该指状部及该打线部可以同一道制作工艺形成。
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