CN108258089A - 发光二极管结构制作方法及发光二极管结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，涉及发光二极管结构技术领域。通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，构成光线从N面出射的倒装结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层金属，且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片的发光区域均匀分布；叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外P型半导体上制作的透明导电层及反射层金属也有利于P型区域的电流扩散。该结构具有提高倒装结构发光二极管结构器件的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能的优势。

Description

发光二极管结构制作方法及发光二极管结构
技术领域
本发明涉及发光二极管结构技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构。
背景技术
目前，发光二极管产业正朝着高亮度、高出光、高散热和低成本方向发展。虽然芯片的内量子效率已经很高，但是由于材料间的折射率存在差异和出射光的各向同性，使得很大一部分光被限制在芯片内部，光的吸收在芯片内部产生大量的热。传统正装结构发光二极管结构芯片光从p面出射，一部分光被电极材料吸收，而且蓝宝石衬底的导热率很低从而使正装结构发光二极管结构芯片产生的热量不能及时的传导出去，所以正装结构发光二极管结构器件无论是功率还是散热性能均不是最优的，所以近年来，出现了先进的倒装芯片技术。这种结构光从蓝宝石衬底取出，可以加厚p电极厚度提高电流密度，提高芯片的注入电流；同时p面可制作反射层所以也不存在电极吸光的情况。芯片产生的热量可以通过反射层，电极层金属传导至基板上，提高了器件的散热能能力，改善器件光电性能。然而倒装结构发光二极管结构的电流注入从本质上来说还是横向注入，仍然存在电流分布不均匀的问题，这会导致器件发光效率的降低以及耐大注入电流能力减弱等的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种发光二极管结构制作方法，以改善现有的发光二极管结构电流分布不均匀，导致器件发光效率的降低以及耐大注入电流能力减弱等的问题。
本发明的目的还在于提供一种发光二极管结构，以改善上述的问题。
本发明采用的技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管结构制作方法，所述方法包括：在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述 N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层连接，在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P型电极显露，在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个所述第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个所述第二小孔与所述P型电极电连接；其中，每个所述P区小孔的位置位于与所述P区小孔相邻的四个N区小孔的中心。
进一步地，在所述在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极之前，所述方法包括：在衬底上依次向上生长形成N型半导体层、有源区以及P型半导体层；在所述P型半导体层上蒸镀形成透明导电层；通过光刻和/或刻蚀技术刻蚀透明导电层、P 型半导体层、有源区及部分N型半导体层以形成多个N区小孔，露出N型半导体层的表面。
进一步地，所述方法包括：在透明导电层上蒸发和/或溅射形成反射金属层，并通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔显露；在所述反射金属层的表面蒸发和/或溅射形成阻挡金属层，所述阻挡金属层将所述反射金属层及其边缘覆盖，同时露出所述N区小孔；沉积形成第一绝缘层，在第一绝缘层上刻蚀露出所述N区小孔，并在所述第一绝缘层上刻蚀形成多个与阻挡金属层连通的P区小孔。
进一步地，所述第一绝缘层的材料可以是SiO2、Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、氧化铊、SU8、PMMA及氧化铪中的至少一种，沉积的方法可以是PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等中的一种或多种。
进一步地，所述半导体层的材料包括GaAs、AlGaInP、 AlInP、AlGaAs、InGaP、GaP、GaN、InGaN、AlGaN。
本发明实施例提供了一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括N型半导体层、有源区、P型半导体层、第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间设置有N型电极和P型电极，所述N型电极与所述P型电极形成叉指型结构，所述N型电极通过多个N区小孔与所述N型半导体层电连接，所述P型电极通过多个P区小孔与所述P型半导体层电连接，所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面设置有 N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个第二小孔与所述P型电极电连接。
进一步地，所述发光二极管结构包括衬底、有源区、透明导电层、反射金属层、阻挡金属层，所述N型半导体层、有源区、P型半导体层、透明导电层、反射金属层、阻挡金属层、第一绝缘层及第二绝缘层由下至上依次设置。
进一步地，所述多个N区小孔贯穿所述第一绝缘层、阻挡金属层、反射金属层、透明导电层、P型半导体层、有源区与所述N型半导体层连通，所述多个P区小孔贯穿所述第一绝缘层与所述阻挡金属层连通。
进一步地，所述N型电极和所述P型电极均包括多个电极条，所述电极条的宽度大于所述N区小孔或P区小孔的直径。
进一步地，所述N型焊接层设置于所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面的一侧，所述P型焊接层设置于所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面的另一侧，N型焊接层和P型焊接层的面积大小相同。
相对现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，发光二极管结构制作方法包括在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层电连接，在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P型电极显露，在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个所述第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个所述第二小孔与所述P型电极电连接。本发明通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，使得光子从N面出来，构成光线从N面出射的倒装发光二极管结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层金属，且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片的发光区域均匀分布；最后叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外P型半导体上制作的透明导电层及反射层金属也有利于P型区域的电流扩散。该结构具有提高倒装结构发光二极管结构器件的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能的优势。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本发明所提供的一种发光二极管结构制作方法的流程图。
图2示出了步骤S10后发光二极管结构的部分结构示意图。
图3示出了形成透明导电层后的发光二极管结构的部分结构示意图。
图4示出了刻蚀透明导电层后的发光二极管结构的部分结构示意图。
图5示出了形成反射金属层后的发光二极管结构的部分结构示意图。
图6示出了形成阻挡金属层后的发光二极管结构的部分结构示意图。
图7示出了第一绝缘层的第一视角视图。
图8示出了形成N型电极和P型电极后的第一绝缘层第一视角视图。
图9示出了第二绝缘层的第一视角视图。
图10示出了形成N型焊接层和P型焊接层后的第二绝缘层第一视角视图。
图标：100-发光二极管结构；110-衬底；111-N型半导体层； 112-有源区；113-P型半导体层；114-透明导电层；115-反射金属层；116-阻挡金属层；117-第一绝缘层；118-第二绝缘层；121-N 区小孔；123-P区小孔；131-N型电极；133-P型电极；141-第一小孔；143-第二小孔；151-N型焊接层；153-P型焊接层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。
在本发明的描述中，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
第一实施例
本实施例提供了一种发光二极管结构制作方法，请参阅图 1，图1示出了本实施例提供的发光二极管结构制作方法的流程图。
本实施例提供的发光二极管结构制作方法包括步骤 S10～S90。
步骤S10：在衬底110上依次向上生长形成N型半导体层 111、有源区112以及P型半导体层113。
请参阅图2，于本实施例中，所述衬底110的材料可以选用蓝宝石、金刚石、硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓中的任意一种材料作为衬底110。其中，N型半导体层111、有源区112、 P型半导体层113的生长可以通过MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)或MBE设备实现。
可选地，于本实施例中，半导体层的材料包含但不限于是 GaAs、AlGaInP、AlInP、AlGaAs、InGaP、GaP、GaN、InGaN、InAlN、AlN或AlGaN等材料。
步骤S20：在所述P型半导体层113上蒸镀形成透明导电层114。
于本实施例中，透明导电层114的设置方式可以是蒸镀，但不限于此，还可以是其余的设置方法。形成透明导电层114 的材料可以是但不限于ITO、Ni/Au、Ni/Ag等材料。
请参阅图3，图3示出了形成透明导电层114后的示意图。
步骤S30：通过光刻和/或刻蚀技术刻蚀透明导电层114、P 型半导体层113及有源区112和部分N型半导体111以形成多个N区小孔121，露出N型半导体层111的表面，请参阅图4。
使用光刻和/或刻蚀技术，对透明导电层114、P型半导体层113以及有源区112和部分N型半导体111进行刻蚀，形成多个N区小孔121，N区小孔121将N型半导体层111的表面显露，所述N区小孔121均匀排布设置。
步骤S40：在透明导电层114上蒸发和/或溅射形成反射金属层115，并通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔121显露。
请参阅图5，反射金属层115用于反射从N面出射的光子，构成光线从N面出射的倒装发光二极管结构100结构。反射金属层115、透明导电层114与P型半导体层113连接，有利于P 型区域的电流扩散，使电流分布均匀。反射金属层115形成之后将透明导电层114及N区小孔121全部覆盖，因此需通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔121显露。
步骤S50：在所述反射金属层115的表面蒸发和/或溅射形成阻挡金属层116，所述阻挡金属层116将所述反射金属层115 及其边缘覆盖，同时露出所述N区小孔121。
请参阅图6，阻挡金属层116用于改善反射层金属的电迁移提高光的反射率和可靠性。于本实施例中，形成阻挡金属层 116后，阻挡金属层116将N区小孔121、反射金属层115及其边缘完全覆盖，但仍需将N区小孔121显露，若反射金属层 115将N区小孔121覆盖，则继续通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔121显露。
步骤S60：沉积形成第一绝缘层117，在第一绝缘层117 上刻蚀露出所述N区小孔121，并在所述第一绝缘层117上刻蚀形成多个与阻挡金属层116连通的P区小孔123。
沉积介质作为第一绝缘层117，于本实施例中，形成第一绝缘层117的材料可以是SiO2、Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、氧化铊、氧化铪、SU8、PMMA等介质膜的一种或多种。
沉积的方法可以采用PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等方式，本实施例对此不作限定。
沉积形成第一绝缘层117后，请参阅图7，在第一绝缘层117上进行刻蚀以使N区小孔121露出，并刻蚀形成多个P区小孔123。于本实施例中，所述N区小孔121依次贯穿第一绝缘层117、阻挡金属层116、反射金属层115、透明导电层114、 P型半导体层113、有源区112，使N型半导体层111的部分表面显露。所述P区小孔123贯穿第一绝缘层117，使阻挡金属层116的表面显露。所述P区小孔123和N区小孔121均在第一绝缘层117上等距分布,其中，每个所述P区小孔123的位置位于与所述P区小孔123相邻的四个N区小孔121的中心。。
步骤S70：在第一绝缘层117上制作N型电极131和P型电极133以使所述N型电极131和所述P型电极133形成叉指型结构。
在第一绝缘层117上制备形成N型电极131和P型电极 133，例如，可以通过蒸镀、溅射等方式制备同时形成N型电极131和P型电极133。所述N型电极131和P型电极133形成叉指型结构，请参阅图8，N型电极131和P型电极133均包括多个电极条，多个N型电极131的电极条和多个P型电极 133的电极条形成叉指形状。所述N型电极131通过多个N区小孔121与N型半导体层111连接，以使N型电极131与N 区半导体层电连接，所述P型电极133通过多个P区小孔123 与阻挡金属层116连接，以使P型电极133与P区半导体层电连接。
于本实施例中，所述N型电极131的电极条、所述P型电极133的电极条的宽度均大于N区小孔121或P区小孔123的直径，将所述N区小孔121或P区小孔123完全覆盖。同时N 型电极131连接所有N区小孔，P型电极133连接所有P区小孔，且互不接触，避免短路。
步骤S80：在所述第一绝缘层117上沉积形成第二绝缘层 118，在所述第二绝缘层118远离所述第一绝缘层117的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔141以将所述N型电极131显露，在所述第二绝缘层118远离所述第一绝缘层117的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔143以将所述P型电极133显露。
请参阅图9，在第一绝缘层117上继续沉积形成第二绝缘层118，于本实施例中，形成第二绝缘层118的材料可以是SiO2、 Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、氧化铊、氧化铪、SU8、 PMMA等介质膜的一种或多种。
沉积的方法可以采用PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等方式，本实施例对此不作限定。
第二绝缘层118将第一绝缘层117以及N型电极131、P 型电极133覆盖，避免N型电极131和P型电极133短路。形成第二绝缘层118后，在所述第二绝缘层118上开设多个第一小孔141。所述第一小孔141开设于第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的一侧区域。第一小孔141用于使N型电极 131显露。同理，在第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的另一侧区域，开设有多个第二小孔143，第二小孔143用于使P型电极133显露。
步骤S90：在所述第二绝缘层118上蒸发形成N型焊接层 151和P型焊接层153。
请参阅图10，在第二绝缘层118上蒸发形成N型焊接层 151和P型焊接层153，N型焊接层151通过第一小孔141与N 型电极131电连接，P型焊接层153通过第二小孔143与P型电极133电连接。N型焊接层151和P型焊接层153分别设置于第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的两端。可选地， N型焊接层151设置于第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的一侧区域，将所有的第一小孔141完全覆盖，P型焊接层153设置于与N型焊接层151相对的另一侧区域，P型焊接层153将所有第二小孔143完全覆盖。于本实施例中，N型焊接层151和P型焊接层153面积大小相同。
本实施例在衬底110外延片上通过刻蚀透明导电层114、P 型半导体层113、有源区112露出N型半导体，然后制作反射层，使得光子从N面出来，构成光线从N面出射的倒装发光二极管结构100结构。通过设置大面积N型焊接层151、P型焊接层153；且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片发光区域均匀分布；最后叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外P型半导体层113上制作的透明导电层114及反射金属层115也有利于P型区域的电流扩散。该方法有利于提高发光二极管结构100的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能。
第二实施例
作为本发明的另一优选实施例，本实施例提供一种发光二极管结构制作方法，本实施例所提供的发光二极管结构制作方法与第一实施例提供的发光二极管结构制作方法的基本原理大致相同，为简要描述，本实施例不再做详细说明。
本实施例所提供的发光二极管结构制作方法与第一实施例提供的发光二极管结构制作方法的不同之处在于，在步骤S70：
在第一绝缘层117上制作N型电极131和P型电极133以使所述N型电极131和所述P型电极133形成叉指型结构。
制作N型电极131和P型电极133层不是同时制作完成，而是分别制作N型电极131和P型电极133，而且N型电极131 和P型电极133所使用的金属材料或制作工艺均不同。
第三实施例
本实施例提供一种发光二极管结构100。请结合参阅图6～图10，发光二极管结构100包括衬底110以及设置在衬底110 上由下至上依次设置的N型半导体层111、有源区112、P型半导体层113、透明导电层114、反射金属层115、阻挡金属层116、第一绝缘层117及第二绝缘层118。
于本实施例中，所述衬底110的材料可以选用蓝宝石、金刚石、硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓中的任意一种材料作为衬底110。其中，N型半导体层111、有源区112、P型半导体层113的生长可以通过MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积) 或MBE设备实现。
于本实施例中，所述半导体层的材料包括GaAs、AlGaInP、 AlInP、AlGaAs、InGaP、GaP、GaN、InGaN、AlGaN、InAlN、 AlN。
可选地，透明导电层114的设置方式可以是蒸镀，但不限于此，还可以是其余的设置方法。形成透明导电层114的材料可以是但不限于ITO、Ni/Au、Ni/Ag等材料。
第一绝缘层117与第二绝缘层118之间设置有N型电极131 和P型电极133，N型电极131与P型电极133形成叉指型结构，请参参阅图8，于本实施例中，发光二极管结构100包括多个N区小孔121，N区小孔121依次贯穿第一绝缘层117、阻挡金属层116、反射金属层115、透明导电层114、P型半导体层113、有源区112与N型半导体层111连通。N型电极131 通过多个N区小孔121与N型半导体层111电连接。
于本实施例中，形成第一绝缘层117的材料可以是SiO2、 Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、氧化铊、氧化铪、SU8、 PMMA等介质膜的一种或多种。
沉积的方法可以采用PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等方式，本实施例对此不作限定。
发光二极管结构100还包括多个P区小孔123，P区小孔 123贯穿第一绝缘层117，与阻挡金属层116连通，于本实施例中，P型电极133通过多个P区小孔123与阻挡金属层116连接，从而实现P型电极133与P型半导体层113的电连接。
所述N型电极131和所述P型电极133均包括多个电极条，多个N型电极131的电极条和多个P型电极133的电极条形成两只手的手指交叉的形状。于本实施例中，所述N型电极131 的电极条、所述P型电极133的电极条的宽度均大于N区小孔 121或P区小孔123的直径，将所述N区小孔121或P区小孔 123完全覆盖。同时N型电极131和P型电极133互不接触，避免短路。
第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面设置有N型焊接层151和P型焊接层153，N型焊接层151通过多个第一小孔141与N型电极131电连接，P型焊接层153通过多个第二小孔143与P型电极133电连接。
于本实施例中，形成第二绝缘层118的材料可以是SiO2、 Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、氧化铊、氧化铪、SU8、 PMMA等介质膜的一种或多种。
沉积的方法可以采用PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等方式，本实施例对此不作限定。
于本实施例中，N型焊接层151和P型焊接层153分别设置于第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的两端。可选地，N型焊接层151和P型焊接层153面积大小相同。N型焊接层151设置于第二绝缘层118远离第一绝缘层117的表面的一侧区域，将所有的第一小孔141完全覆盖，P型焊接层153 设置于与N型焊接层151相对的另一侧区域，P型焊接层153 将所有第二小孔143完全覆盖。
综上所述，本发明提供了一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，发光二极管结构制作方法包括在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N 型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层电连接，在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P 型电极显露，在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个所述第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个所述第二小孔与所述P型电极电连接。本发明通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，使得光子从N面出来，构成光线从N面出射的倒装发光二极管结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层金属，且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片的发光区域均匀分布；最后叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外 P型半导体上制作的透明导电层及反射层金属也有利于P型区域的电流扩散。该结构具有提高倒装结构发光二极管结构器件的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能的优势。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层电连接；其中，每个所述P区小孔的位置位于与所述P区小孔相邻的四个N区小孔的中心；
在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P型电极显露；
在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个所述第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个所述第二小孔与所述P型电极电连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，在所述在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极之前，所述方法包括：
在衬底上依次向上生长形成N型半导体层、有源区以及P型半导体层；
在所述P型半导体层上蒸镀形成透明导电层；
通过光刻和/或刻蚀技术刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体以形成多个N区小孔，露出N型半导体层的表面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在透明导电层上蒸发和/或溅射形成反射金属层，并通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔显露；
在所述反射金属层的表面蒸发和/或溅射形成阻挡金属层，所述阻挡金属层将所述反射金属层及其边缘覆盖，同时露出所述N区小孔；
沉积形成第一绝缘层，在第一绝缘层上刻蚀露出所述N区小孔，并在所述第一绝缘层上刻蚀形成多个与阻挡金属层连通的P区小孔。
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料可以是SiO2、Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、SU8、PMMA、氧化铊及氧化铪中的至少一种，沉积的方法可以是PECVD、LPCVD、溅射、激光原子沉积、旋涂有机物等中的一种或多种。
5.根据权利要求2所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括GaAs、AlGaInP、AlInP、AlGaAs、InGaP、GaP、GaN、InGaN、AlGaN、AlInN、AlN。
6.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括N型半导体层、有源区、P型半导体层、第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间设置有N型电极和P型电极，所述N型电极与所述P型电极形成叉指型结构，所述N型电极通过多个N区小孔与所述N型半导体层电连接，所述P型电极通过多个P区小孔与所述P型半导体层电连接，所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面设置有N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个第二小孔与所述P型电极电连接。
7.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括衬底、有源区、透明导电层、反射金属层、阻挡金属层，所述N型半导体层、有源区、P型半导体层、透明导电层、反射金属层、阻挡金属层、第一绝缘层及第二绝缘层由下至上依次设置。
8.根据权利要求7所述的发光二极管结构，其特征在于，所述多个N区小孔贯穿所述第一绝缘层、阻挡金属层、反射金属层、透明导电层、P型半导体层、有源区与所述N型半导体层连通，所述多个P区小孔贯穿所述第一绝缘层与所述阻挡金属层连通。
9.根据权利要求7所述的发光二极管结构，其特征在于，所述N型电极和所述P型电极均包括多个电极条，所述电极条的宽度大于所述N区小孔或P区小孔的直径。
10.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，所述N型焊接层设置于所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面的一侧，所述P型焊接层设置于所述第二绝缘层远离第一绝缘层的表面的另一侧，N型焊接层和P型焊接层的面积大小相同。
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