CN104037294B - GaN基发光二极管及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种GaN基发光二极管及其制作方法。本发明GaN基发光二极管包括：衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层和第二半导体层；所述发光外延层设置在衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同，通过对第二电极的接触层和反射层结构进行优化，在保证产品的良率及工艺的稳定性同时，提高了产品的亮度和可靠性。

Description

GaN基发光二极管及其制作方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种氮化镓(化学式：GaN)基发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种当PN结处于正偏压情况下即会发光的半导体二极管。LED具有体积小、重量轻、结构牢固、抗冲击和抗震能力强、寿命长、环保无污染等诸多优点，已成为近年来最受重视的光源技术之一。

目前主流的LED芯片为基于蓝宝石衬底的正装GaN基LED芯片，其主要由：衬底、发光外延层、第一电极和第二电极组成，其制作顺序由下而上依次为衬底、发光外延层(包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层、保护层)以及设置在第一半导体层之上的第一电极以及设置在第二半导体层及透明导电层之上的第二电极。鉴于第二电极对光的吸收和遮挡作用，技术人员对现有技术的两个电极的金属材料加以改进，采用反射率更高的金属作为电极的其中一种材料。例如以铬(化学式：Cr)、铝(化学式：Al)、钛(化学式：Ti)或金(化学式：Au)代替传统的Cr、铂(化学式：Pt)或Au。金属Cr被设置在金属电极的底层用以获得良好的欧姆接触以及电极黏附性。

然而，由于Cr的吸光性特征，若Cr层膜厚过大，则Cr层会大量的吸光，导致LED的亮度变低；因此常用的电子束蒸镀难以实施纳米级(通常为1-3nm)的膜层蒸发，因为Cr层膜非常薄，往往在膜厚的一致性方面产生问题，使得部分区域因没有蒸发到金属Cr，电极与器件之间的欧姆接触变差，导致LED的正向电压过高，容易出现掉电极的现象，致使产品的优良率较低。

发明内容

本发明实施例提供一种GaN基发光二极管及其制作方法，以克服LED的正向电压过高掉电极，吸光增加致使亮度低的问题，通过对第二电极的接触层和反射层结构进行优化，在保证产品的良率及工艺的稳定性同时，提高了产品的亮度和可靠性。

本发明实施例提供一种GaN基发光二极管，包括：

衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；

所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；

所述发光外延层设置在所述衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同。

进一步的，若所述圆形金属反射层设置在所述环形金属接触层的上表面时，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

进一步的，若所述环形金属接触层设置在所述圆形金属反射层的上表面时，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

进一步的，所述环形金属接触层的厚度为3-5纳米；所述圆形金属反射层的厚度为50-200纳米。

本发明实施例还提供一种GaN基发光二极管的制作方法，包括：

将设置在衬底上的发光外延层进行刻蚀处理，除去所述发光外延层的第一位置上的第二半导体层和发光层，露出第一半导体层的所述第一位置；所述第一位置为用于设置第一电极的位置；

在第二半导体层的第二位置形成电流阻挡层；所述第二位置为用于设置第二电极的位置；

在所述第二半导体层和所述电流阻挡层上形成透明导电层；

将所述透明导电层进行刻蚀处理，形成第一圆孔，并在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同；

在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极。

进一步的，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述环形金属接触层，并在所述环形金属接触层上形成所述圆形金属反射层；

其中，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

进一步的，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，还包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述圆形金属反射层，并在所述圆形金属反射层上形成所述环形金属接触层；

其中，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

进一步的，所述在所述第一位置上形成第一电极，包括：

在所述第一半导体层的所述第一位置形成所述第一电极的金属接触层，并在所述第一电极的金属接触层上形成所述第一电极。

进一步的，所述第一电极的金属接触层采用的金属为铬，且所述第一电极的金属接触层的厚度为4-5纳米。

进一步的，所述在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极之后，所述制作方法还包括：

在除所述第一电极和第二电极的位置之外的所述透明导电层上形成绝缘保护层。

本发明实施例GaN基发光二极管及其制作方法，该GaN基发光二极管的第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层，第二电极设置在发光外延层的第二半导体层上；透明导电层和绝缘保护层分别设置有第一圆孔，第一圆孔与环形金属接触层中心轴相同，通过将第二电极的接触层和反射层结构进行优化，既保证了电极与透明导电层之间的电传导，又使得电极底部中心大部分区域不被吸光的金属接触层遮挡，使得射出到电极下表面的光可直接被金属反射层反射，充分发挥了金属反射层的反射效果，在保证良率及工艺的稳定性的同时，提升了产品亮度，同时提高了产品的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明GaN基发光二极管的实施例一的结构示意图；

图2为本发明GaN基发光二极管的实施例一的俯视图；

图3为本发明GaN基发光二极管的实施例二的结构示意图；

图4为本发明GaN基发光二极管的实施例三的结构示意图；

图5为本发明GaN基发光二极管的制作方法的实施例一的流程图。

附图标记说明：

100：衬底；

110：缓冲层；

111：本征半导体层；

120：第一半导体层；

130：发光层；

140：第二半导体层；

210：电流阻挡层；

220：透明导电层；

230：绝缘保护层；

240：第二电极；

241：环形金属接触层；

242：圆形金属反射层；

250：第一电极；

251：第一电极的金属接触层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明GaN基发光二极管的实施例一的结构示意图，图2为本发明GaN基发光二极管的实施例一的俯视图。如图1和图2所示，该GaN基发光二极管包括：衬底100、发光外延层、第一电极250和第二电极240；所述第二电极240包括环形金属接触层241和圆形金属反射层242；所述发光外延层包括电流阻挡层210、透明导电层220、绝缘保护层230、第一半导体层120、发光层130和第二半导体层140；所述发光外延层设置在衬底100的上表面；所述第一电极250设置在所述发光外延层的所述第一半导体层120上；所述第二电极240设置在所述发光外延层的所述第二半导体层140上；所述透明导电层220和所述绝缘保护层230分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层241中心轴相同。

在本实施例中，发光外延层还包括缓冲层110，本征半导体层111等其他层。

本实施例提供的GaN基发光二极管的第二电极240包括环形金属接触层241和圆形金属反射层242，第二电极240设置在发光外延层的第二半导体层140上；透明导电层220和绝缘保护层230分别设置有第一圆孔，第一圆孔与环形金属接触层241中心轴相同，通过将第二电极240的接触层和反射层结构进行优化，既保证了电极与透明导电层220之间的电传导，又使得电极底部中心大部分区域不被吸光的金属接触层遮挡，使得射出到电极下表面的光可直接被金属反射层反射，充分发挥了金属反射层的反射效果，在保证良率及工艺的稳定性的同时，提升了产品的亮度，同时提高了产品的可靠性。

图3为本发明GaN基发光二极管的实施例二的结构示意图，如图三所示，若所述圆形金属反射层242设置在所述环形金属接触层241的上表面时，所述环形金属接触层241的外径小于或等于所述圆形金属反射层242的直径；所述环形金属接触层241的内径小于或等于所述透明导电层220的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层241的内径大于零。

图4为本发明GaN基发光二极管的实施例三的结构示意图，如图4所示，若所述环形金属接触层241设置在所述圆形金属反射层242的上表面时，所述圆形金属反射层242的直径小于所述透明导电层220的第一圆孔的直径。以保证作为第二层的金属接触层有充足面积与透明导电层220形成良好接触。

在上述实施例一至实施例三中，第二半导体层140和发光层130部分去除使得对应其下的第一半导体层120露出；所述电流阻挡层210位于第二半导体层140之上，部分覆盖第二半导体层140；所述透明导电层220位于第二半导体层140和电流阻挡层210之上，部分覆盖或全部第二半导体层140和电流阻挡层210。第一电极250位于露出的第一半导体层120之上，第二电极240位于第二半导体层140、电流阻挡层210、透明导电层220之上。其特征在于，依照芯片设计的不同，第二电极240与透明导电层220、电流阻挡层210同时形成接触，或第二电极240与透明导电层220、第二半导体层140同时形成接触，或者三者同时形成接触。

进一步的，为保证各层之间的有效接触，所述电流阻挡层210、透明导电层220的第一圆孔、环形金属接触层241、圆形金属反射层242、第二电极240均在同一圆心位置。

进一步的，所述第二电极240下设置有环形金属接触层241、圆形金属反射层242，第一电极250下设置有第一电极250的金属接触层，该第一电极250和第二电极240的材料可以为铬、铂、钛、金、镍等常见形成电极的金属材料或其组合；

以Cr、Al、Ti或Au为例说明，所述由Cr、Al、Ti或Au形成的第二电极240的设置部分可划分为两个层次：先形成4-5nm的铬金属层，作为环形金属接触层241。相比较2-3nm厚度来说，4-5nm的厚度通过常规的电子束蒸发等方式相对容易实施且对光的吸收增加不显著；其另一特征在于，铬金属层自上而下俯视呈环形。位于铬金属层之上再依次形成Al、Ti或Au金属电极。

为了便于说明透明导电层220、第一电极250、第二电极240、环形金属接触层241之间的相对关系，这里设定所述环形金属接触层241的外径为R，内径为r，所述透明导电层220可采用不开孔设计，也可采用开孔设计，即第一圆孔，该第一圆孔的直径为Ri，所述第二电极240的直径为Rp。则本发明可分为以下三种方案实施：

环形金属接触层241完全位于透明导电层220之上，此时需满足Rp＞R＞Ri且r＞Ri，0≤Ri＜Rp；

环形金属接触层241部分位于透明导电层220之上，此时需满足Rp＞R＞Ri且0＜r＜Ri，0＜Ri＜Rp；

环形金属接触层241部分位于透明导电层220之下，此时需满足Rp＞R＞Ri且0＜r＜Ri，Ri＞0。

进一步的，假设以铝作为圆形金属反射层242的材料时，由于其被设计成直径小于环形金属接触层241直径，被完全包裹在其他金属之内，在后续的加工过程中可被很好的保护避免被氧化、腐蚀。可明显提高电极结构的可靠性。

进一步的，所述透明导电层220完全位于第二半导体层140之上，透明导电层220的材料可以是氧化铟锡、铟掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、氧化镍、镍/金合金、中的一种或其组合。

进一步的，所述发光二极管还包括位于所述衬底100和第一半导体层120之间的缓冲层110。所述衬底100为蓝宝石衬底100、碳化硅衬底100或氮化镓衬底100。所述第一半导体层120的材料为n型掺杂的氮化镓；所述发光层130包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层的材料包括氮化镓(化学式：GaN)/InGaN；所述第二半导体层140的材料为p型掺杂的氮化镓。发光二极管还包括位于所述透明导电层220上绝缘保护层230，所述绝缘保护层230覆盖发光二级管的上表面用于实施隔离保护，且包覆住第一、二电极的边缘，仅使得电极主体裸露以供后续焊线封装。

在上述实施例一至三的基础上，优选的，所述环形金属接触层241的厚度为3-5纳米；所述圆形金属反射层242的厚度为50-200纳米。

上述实施例提供的GaN基发光二极管的第二电极240包括环形金属接触层241和圆形金属反射层242，第二电极240设置在发光外延层的第二半导体层140上；透明导电层220和绝缘保护层230分别设置有第一圆孔，第一圆孔与环形金属接触层241中心轴相同，通过将第二电极240的接触层和反射层结构进行优化，既保证了电极与透明导电层220之间的电传导，又使得电极底部中心大部分区域不被吸光的金属接触层遮挡，使得射出到电极下表面的光可直接被金属反射层反射，充分发挥了金属反射层的反射效果，在保证良率及工艺的稳定性的同时，提升了产品亮度，同时提高了产品的可靠性。

图5为本发明GaN基发光二极管的制作方法的实施例一的流程图，如图5所示，该制作方法包括：

S501：将设置在衬底100上的发光外延层进行刻蚀处理，除去所述发光外延层的第一位置上的第二半导体层140和发光层130，露出第一半导体层120的所述第一位置；所述第一位置为用于设置第一电极250的位置。

在本实施例中，

S502：在第二半导体层140的第二位置形成电流阻挡层210；所述第二位置为用于设置第二电极240的位置。

S503：在所述第二半导体层140和所述电流阻挡层210上形成透明导电层220。

S504：将所述透明导电层220进行刻蚀处理，形成第一圆孔，并在所述电流阻挡层210和所述透明导电层220的所述第二位置上形成环形金属接触层241和圆形金属反射层242，所述第一圆孔与所述环形金属接触层241中心轴相同。

S505：在所述第一位置上形成第一电极250，并在所述环形金属接触层241或者所述圆形金属反射层242的所述第二位置上形成第二电极240。

在本实施例中，所述刻蚀处理包括：光刻和等离子刻蚀；或者，光刻和湿法刻蚀。

本实施例提供的GaN基发光二极管的制作方法，将透明导电层220进行刻蚀处理，形成第一圆孔，并在电流阻挡层210和透明导电层220的第二位置上形成环形金属接触层241和圆形金属反射层242，第一圆孔与环形金属接触层241中心轴相同，通过将第二电极240的接触层和反射层结构进行优化，既保证了电极与透明导电层220之间的电传导，又使得电极底部中心大部分区域不被吸光的金属接触层遮挡，使得射出到电极下表面的光可直接被金属反射层反射，充分发挥了金属反射层的反射效果，在保证良率及工艺的稳定性的同时，提升了产品亮度，同时提高了产品的可靠性。

在上述实施例的基础上，S504中的在所述电流阻挡层210和所述透明导电层220的所述第二位置上形成环形金属接触层241和圆形金属反射层242，包括以下两种实现方式：

第一种实现方式，在所述电流阻挡层210和所述透明导电层220的所述第二位置上形成所述环形金属接触层241，并在所述环形金属接触层241上形成所述圆形金属反射层242；

其中，所述环形金属接触层241的外径小于或等于所述圆形金属反射层242的直径；所述环形金属接触层241的内径小于或等于所述透明导电层220的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层241的内径大于零。

第二种实现方式，在所述电流阻挡层210和所述透明导电层220的所述第二位置上形成所述圆形金属反射层242，并在所述圆形金属反射层242上形成所述环形金属接触层241；

其中，所述圆形金属反射层242的直径小于所述透明导电层220的第一圆孔的直径。

进一步的，S505中的在所述第一位置上形成第一电极250，具体实现方式为：

在所述第一半导体层120的所述第一位置形成所述第一电极250的金属接触层，并在所述第一电极的金属接触层251上形成所述第一电极250。

优选的，所述第一电极250的金属接触层采用的金属为铬，且所述第一电极250的金属接触层的厚度为4-5纳米。

在上述各实施例的基础上，在所述第一位置上形成第一电极250，并在所述环形金属接触层241或者所述圆形金属反射层242的所述第二位置上形成第二电极240之后，所述制作方法还包括：在除所述第一电极250和第二电极240的位置之外的所述透明导电层220上形成绝缘保护层230，完成该制作过程。

下面特举几个实例，对本发明提供的GaN基发光二极管的制作方法进行说明。

实例一，制作如图3所示的GaN基发光二极管的制作方法为：

第一步：通过光刻和等离子刻蚀的方式去除部分第二半导体层140和发光层130，使得部分第一半导体层120露出。

第二步：通过电子束蒸发、化学气相沉积等方式形成二氧化硅(化学式：SiO2)，再经过光刻、湿法蚀刻形成电流阻挡层210,，使之变成预设的形状。

第三步：在电流阻挡层210之上，通过蒸镀或溅镀的方式形成氧化铟锡(俗称：ITO)透明导电层220，透明导电层220的厚度优选为600-2500A。

第四步：对透明导电层220实施光刻和湿法蚀刻，使之保留第二半导体层140之上的部分，并使得电流阻挡层210部分露出。

第五步：通过电子束蒸发和剥离的方式形成第一电极250的金属接触层251和环形金属接触层241。作为本发明的优选实施例之一，所述铬金属层的厚度可以是4-5nm，按照蒸发工艺之现有水平容易实施。第一电极250的金属接触层251位于第一半导体层120之上，对应于第一电极250位置且具有与第一电极250相同的形貌和尺寸；环形金属接触层241完全位于透明导电层220之上，对应于第二电极240位置；环形金属接触层241自上而下俯视呈环形，环外径R与电极直径Rp相同，环内径r与透明导电层220之开孔直径Ri相同。

第六步：依照常规手段实施金属电极其余材料之Al、Ti或Au的蒸镀，形成第一电极250和第二电极240。

第七步：依照常规手段形成绝缘保护层230，完成芯片的制作。

实例2，制作如图1所示的GaN基发光二极管的制作方法为：

本实例的GaN基发光二极管的结构与上述实例上大致相同。不同的地方在于：环形金属接触层241、第一电极250的金属接触层被设计在透明导电层220之下，透明导电层220经蚀刻形成开孔后，环形金属接触层241的外侧依旧被透明导电层220覆盖形成接触，而环形金属接触层241的内侧由于透明导电层220的第一圆孔而被裸露，用于形成与金属电极的接触。

第一步：对所述的发光外延层通过光刻和等离子刻蚀的方式去除部分第二半导体层140和发光层130，使得部分第一半导体层120露出；

第二步：通过蒸发、气相沉积等方式生成SiO2再经过光刻、湿法蚀刻形成电流阻挡层210，使之形成预设的形状；

第三步：通过电子束蒸发和剥离的方式形成由铬金属构成的第一电极的金属接触层251和环形金属接触层241。该铬金属层的厚度为10-40nm。第一电极的金属接触层251位于第一半导体层120之上，对应于第一电极250且具有与第一电极250相同的形貌和尺寸；环形金属接触层241位于电流阻挡层210之上，对应于第二电极240位置；环形金属接触层241自上而下俯视呈环形，环形外径R与电极直径Rp相同，环内径r小于透明导电层220之开孔直径Ri，作为优选实施例选择环内径较开孔直径內缩3-5um为佳。

第四步：通过蒸镀或溅镀的方式形成ITO透明导电层220。对透明导电层220实施光刻和湿法蚀刻，使之保留第二半导体层140之上的部分，并使得电流阻挡层210部分露出。透明导电层220的厚度优选为600-2400A。

第五步：依照常规手段实施金属电极剩余材料之Al、Ti或Au的蒸镀，形成第一电极250和第二电极240。

第六步：依照常规手段形成绝缘保护层230，完成芯片的制作。

实例3，制作如图4所示的GaN基发光二极管的制作方法为：

第一步：对所述的发光外延层通过光刻和等离子刻蚀的方式去除部分第二半导体层140和发光层130，使得部分第一半导体层120露出。

第二步：通过蒸发、气相沉积等方式生成SiO2再经过光刻、湿法蚀刻形成电流阻挡层210，使之形成预设的形状。

第三步：通过蒸镀或溅镀的方式形成ITO透明导电层220。对透明导电层220实施光刻和湿法蚀刻，使之保留第二半导体层140之上的部分，并使得电流阻挡层210部分露出。透明导电层220的厚度优选为600-2400A。

第四步：通过电子束蒸发和剥离的方式形成金属铝构成的圆形金属反射层242。所述圆形金属反射层242的厚度为50-200nm。圆形金属反射层242位于电流阻挡层210之上，对应于第二电极240位置；圆形金属反射层242自上而下俯视其形状与透明导电层220开孔形状相同，且尺寸直径与第一圆孔或內缩3-5um；

第五步：依照常规手段实施金属电极剩余材料之Cr、Pt或Au的蒸镀，形成第一电极250和第二电极240。

第六步：依照常规手段形成绝缘保护层230，完成芯片的制作。

上述三个实例提供的制作方法，通过将第二电极240的接触层和反射层结构进行优化，既保证了电极与透明导电层220之间的电传导，又使得电极底部中心大部分区域不被吸光的金属接触层遮挡，使得射出到电极下表面的光可直接被金属反射层反射，充分发挥了金属反射层的反射效果，在保证良率及工艺的稳定性的同时，提升了产品的亮度，同时提高了产品的可靠性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：

衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；

所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；

所述发光外延层设置在所述衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述圆形金属反射层设置在所述环形金属接触层的上表面，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述环形金属接触层设置在所述圆形金属反射层的上表面，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述环形金属接触层的厚度为3-5纳米；所述圆形金属反射层的厚度为50-200纳米。

5.一种GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

将设置在衬底上的发光外延层进行刻蚀处理，除去所述发光外延层的第一位置上的第二半导体层和发光层，露出第一半导体层的所述第一位置；所述第一位置为用于设置第一电极的位置；

在第二半导体层的第二位置形成电流阻挡层；所述第二位置为用于设置第二电极的位置；

在所述第二半导体层和所述电流阻挡层上形成透明导电层；

将所述透明导电层进行刻蚀处理，形成第一圆孔，并在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同；

在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述环形金属接触层，并在所述环形金属接触层上形成所述圆形金属反射层；

其中，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，还包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述圆形金属反射层，并在所述圆形金属反射层上形成所述环形金属接触层；

其中，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

8.根据权利要求5至7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一位置上形成第一电极，包括：

在所述第一半导体层的所述第一位置形成所述第一电极的金属接触层，并在所述第一电极的金属接触层上形成所述第一电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极的金属接触层采用的金属为铬，且所述第一电极的金属接触层的厚度为4-5纳米。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极之后，所述制作方法还包括：

在除所述第一电极和第二电极的位置之外的所述透明导电层上形成绝缘保护层。