CN109659414A - 一种倒装led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。本发明可提高芯片可靠性和亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED的心脏是一个半导体的晶片，称为LED芯片。LED芯片按照封装方式的不同，可以划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。与传统正装结构芯片相比，倒装结构芯片在封装过程中不需要焊接金线，可以大电流驱动，芯片热阻较低，可靠性较高，因此倒装结构芯片在普通照明、背光、闪光灯、车用照明灯领域都有非常好的应用，并且越来越受到客户的青睐，应用范围也在不断的扩大。
现有的倒装结构芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘反射层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。绝缘反射层铺设在P型半导体层上和凹槽内，绝缘反射层上设有延伸至N型电极的第一通孔和延伸至P型电极的第二通孔。N型焊盘和P型焊盘间隔设置在绝缘层上，N型焊盘通过第一通孔与N型电极连接，P型焊盘通过第二通孔与P型电极连接。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
绝缘反射层通常采用由两种氧化物薄膜交替层叠而成的分布式布拉格反射器(英文：Distributed Bragg Reflection，简称：DBR)实现。为了达到较高的反射率以提高芯片的发光亮度，绝缘反射层中氧化物薄膜的数量一般较多(100个以上)，导致绝缘反射层整体较厚(4μm以上)，芯片的热阻较高，不利于倒装LED芯片的应用。
发明内容
本发明实施例提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，能够解决现有技术芯片的热阻较高，不利于倒装LED芯片的应用的问题。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；
所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；
所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。
可选地，所述绝缘层的厚度为100nm～3000nm。
可选地，所述绝缘层由两种氧化物薄膜交替层叠而成，所述氧化物薄膜的数量小于60个。
优选地，所述氧化物薄膜的数量为4个～20个。
优选地，所述氧化物薄膜的材料采用二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌或者五氧化二钽。
可选地，所述金属反射层的厚度为100nm～2000nm。
可选地，所述金属反射层包括依次层叠的反射层和覆盖层。
优选地，所述反射层的材料采用银或者铝，所述覆盖层的材料采用钛钨合金、铂或者金。
另一方面，本发明实施例提供了一种倒装LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：
在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；
在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；
在所述凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在所述P型半导体层上形成P型电极；
在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层；
在所述绝缘层上设置N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。
可选地，所述在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层，包括：
在所述凹槽内、所述N型电极上、所述P型电极上和所述P型半导体层上铺设绝缘材料；
在所述绝缘材料上形成金属反射层；
在所述金属反射层和所述金属反射层之间的绝缘材料上再次铺设绝缘材料，所述绝缘材料将所述金属反射层包裹在内部；
在所述绝缘材料上开设延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，形成绝缘层。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过将金属反射层设置在绝缘层内，由绝缘层对金属反射层进行密封，避免金属反射层参与芯片内部的导电和导热，从而减小金属反射层由于参与导电和导热而产生的电迁移和热迁移，保证良好的反射性能。金属反射层具有良好的反射性能，可以代替绝缘层有效反射射向绝缘层的光线，因此绝缘层内氧化薄膜的数量可以很少，从而大大降低绝缘层的厚度，避免芯片的热阻较高，提高芯片的可靠性，有利于倒装LED芯片的应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的金属反射层的俯视图；
图3是本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的制作方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的制作方法在执行步骤201之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的制作方法在执行步骤202之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的制作方法在执行步骤203之后形成的倒装LED芯片的主视图；
图7是本发明实施例提供的制作方法在执行步骤203之后形成的倒装LED芯片的俯视图；
图8是本发明实施例提供的制作方法在执行第一步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的制作方法在执行第二步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的制作方法在执行第三步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的制作方法在执行第四步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的制作方法在执行步骤205之后形成的倒装LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种倒装LED芯片。图1为本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的结构示意图。参见图1，该倒装LED芯片包括衬底10、N型半导体层21、有源层22、P型半导体层23、N型电极31、P型电极32、N型焊盘33、P型焊盘34、绝缘层41和金属反射层42。
N型半导体层21、有源层22和P型半导体层23依次层叠在衬底10上，P型半导体层23上设有延伸至N型半导体层21的凹槽51；N型电极31设置在凹槽51的N型半导体层21上，P型电极32设置在P型半导体层23上。
绝缘层41设置在P型半导体层23上和凹槽51内，绝缘层41上设有延伸至N型电极31的第一通孔61和延伸至P型电极32的第二通孔62，绝缘层41内设有密封腔体；金属反射层42设置在密封腔体内；N型焊盘33和P型焊盘34间隔设置在绝缘层41上，N型焊盘33通过第一通孔61与N型电极31连接，P型焊盘34通过第二通孔62与P型电极32连接。
本发明实施例通过将金属反射层设置在绝缘层内，由绝缘层对金属反射层进行密封，避免金属反射层参与芯片内部的导电和导热，从而减小金属反射层由于参与导电和导热而产生的电迁移和热迁移，保证良好的反射性能。金属反射层具有良好的反射性能，可以代替绝缘层有效反射射向绝缘层的光线，因此绝缘层内氧化薄膜的数量可以很少，从而大大降低绝缘层的厚度，避免芯片的热阻较高，提高芯片的可靠性，有利于倒装LED芯片的应用。
图2为本发明实施例提供的金属反射层的俯视图。需要说明的是，图2和图1之间的关系为，图1为图2中A-A向的剖视图。参见图2，在实际应用中，密封腔体分布在绝缘层41中除第一通孔61和第二通孔62开设区域之外的所有区域，以最大可能地利用设置在密封腔体内的金属反射层42进行光线反射。同时密封腔体的周围均设有组成绝缘层41的材料，以实现金属反射层42与外界的隔离，避免金属反射层参与芯片内部的导电和导热。
另外，如图1所示，P型半导体层23的边缘还可以设置延伸至衬底10的隔离槽52，此时绝缘层41也会设置在隔离槽52内，以对芯片的侧壁进行保护。
可选地，绝缘层41的厚度可以为100nm～3000nm。在起到绝缘作用的情况下，绝缘层的厚度可以尽可能地减小，以减小芯片的热阻。
在本实施例的一种实现方式中，绝缘层41可以由两种氧化物薄膜交替层叠而成，氧化物薄膜的数量小于60个。绝缘层采用两种氧化物薄膜交替层叠而成的DBR，DBR与金属反射层组成全角度反射器(英文：Omni Directional Reflector，简称：ODR)，可以实现光线的全反射，提高芯片的正面出光效率。而且氧化物薄膜的数量较少，绝缘层的厚度较小，对芯片热阻的影响很小。
优选地，氧化物薄膜的数量可以为4个～20个。在增强光线反射效果的同时，尽可能减少氧化物薄膜的数量，使得绝缘层的厚度很小，对芯片热阻的影响可以忽略不计。
在本实施例的另一种实现方式中，绝缘层41可以由单个氧化物薄膜形成，实现最为简单方便。
可选地，氧化物薄膜的材料可以采用二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌或者五氧化二钽，实现效果好，实现成本低。
可选地，金属反射层42的厚度可以为100nm～2000nm。在有效反射光线的情况下，尽可能减小金属反射层的厚度，避免包裹在金属反射层外的绝缘层厚度较大而影响芯片的热阻。
可选地，金属反射层42可以包括依次层叠的反射层和覆盖层。在反射层上设置覆盖层，可以减少高反射金属的氧化的扩散，提高芯片的可靠性。
优选地，反射层的材料可以采用银或者铝，反射效果好；覆盖层的材料可以采用钛钨合金、铂或者金，可以有效避免高反射金属的氧化的扩散。
具体地，衬底10的材料可以采用蓝宝石，优选为图形化蓝宝石衬底(英文：Patterned Sapphire S，简称：PSS)。N型半导体层21的材料可以采用N型掺杂(如硅)的氮化镓(GaN)。有源层22可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子阱的材料可以采用氮化铟镓(InGaN)，量子垒的材料可以采用氮化镓。P型半导体层23的材料可以采用P型掺杂(如镁)的氮化镓。N型电极31和P型电极32的材料可以采用金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铂(Pt)、铬(Cr)、钛(Ti)中的一种或多种。N型焊盘33和P型焊盘34的材料可以采用铬(Cr)、铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、金锡合金(AuSn)、铟(In)中的一种或多种。
进一步地，N型电极31和P型电极32的厚度可以为500nm～5000nm，优选为1000nm～3000nm。例如，第一层为厚度在1nm～5nm之间的Cr层，以兼顾欧姆接触和反射率；第二层采用厚度在50nm～300nm之间的Al层，以有效进行反射；第三层采用厚度为50nm～500nm的Pt层，以为在后续绝缘层的图形化过程中阻挡刻蚀；第四层采用厚度为1nm～50nm的Ti层，以增加后续设置的绝缘层的粘附性。第二层和第三层之间还可以设置Ti/Al层、Ti/Ni层、Ni/Pt层、Au层中的一个或多个，以阻隔电极材料的上下扩散。
在实际应用中，考虑到P型半导体层提供的空穴迁移困难，为了有效驱动P型半导体层提供的空穴注入有源层，通常会将P型电极尽可能均匀分布在P型半导体层的整个区域上。同时又考虑到P型电极会吸收有源层发出的光线，因此P型电极会分成多个部分，每个部分分布在P型半导体层的不同区域上。相应地，绝缘层41上会设置与P型电极32的各个部分连通的第一通孔61(如图2所示)，而绝缘层41内的金属反射层42会通过绝缘层41与每个第一通孔61内的P型电极32隔离。
可选地，该倒装LED芯片还可以包括透明导电薄膜43，透明导电薄膜43设置在P型半导体层23上，以形成良好的欧姆接触和实现电流的横向扩展。
进一步地，透明导电薄膜43的材料可以采用氧化铟锡(英文：Indium tin oxide，简称：ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZTO)、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃(GZO)中的一种。
具体地，透明导电薄膜43的厚度可以为10nm～1000nm，优选为10nm～150nm。
优选地，该倒装LED芯片还可以包括电流阻挡层(英文：Current Blocking Layer，简称：CBL)44，电流阻挡层44设置在P型半导体层23和透明导电薄膜43之间。在实际应用中，电流阻挡层44的图形与P型电极32的图形一致，以阻挡电流直接从电极注入半导体材料中，有利于电流的均匀注入。
进一步地，电流阻挡层44的材料可以采用二氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiN)。
具体地，电流阻挡层44的厚度可以为10nm～1000nm，优选为50nm～500nm。
本发明实施例提供了一种倒装LED芯片的制作方法，适用于制作图1所示的倒装LED芯片。图3为本发明实施例提供一种倒装LED芯片的制作方法的流程图。参见图3，该制作方法包括：
步骤201：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。
图4为本发明实施例提供的制作方法在执行步骤201之后形成的倒装LED芯片的结构示意图。其中，10表示衬底，21表示N型半导体层，22表示有源层，23表示P型半导体层。参见图4，N型半导体层21、有源层22、P型半导体层23依次层叠在衬底的10的一个表面上。
具体地，该步骤201可以包括：
采用金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal Organic Chemical VaporDeposition，简称：MOCVD)技术在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。
步骤202：在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽。
图5为本发明实施例提供的制作方法在执行步骤202之后形成的倒装LED芯片的结构示意图。其中，51表示凹槽。参见图5，凹槽51从P型半导体层23延伸到N型半导体层21。
具体地，该步骤202可以包括：
采用光刻技术在P型半导体层上形成一定图形的光刻胶，光刻胶设置在P型半导体层除凹槽所在区域之外的区域上；
采用感应耦合等离子体刻蚀(英文：Inductive Coupled Plasma Etch，简称：ICP)设备干法刻蚀没有光刻胶覆盖的P型半导体层和有源层，形成凹槽；
去除光刻胶。
在具体实现时，采用光刻技术形成一定图形的光刻胶，可以包括：
铺设一层光刻胶；
通过一定图形的掩膜版对光刻胶进行曝光；
将曝光后的光刻胶浸泡在显影液中，溶解部分光刻胶，留下的光刻胶即为所需图形的光刻胶。
可选地，在步骤202之后，该制作方法还可以包括：
在P型半导体层上开设延伸至衬底的隔离槽。
步骤203：在凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在P型半导体层上形成P型电极。
图6为本发明实施例提供的制作方法在执行步骤203之后形成的倒装LED芯片的主视图，图7为本发明实施例提供的制作方法在执行步骤203之后形成的倒装LED芯片的俯视图。需要说明的是，图7和图6之间的关系为，图6为图7中A-A向的剖视图。其中，31表示N型电极，32表示P型电极。参见图6和图7，N型电极31设置在凹槽51内的N型半导体层21上，P型电极32包括间隔设置的多个部分，各个部分均匀分布在P型半导体层23上。
具体地，该步骤203可以包括：
采用光刻技术在凹槽内和P型半导体层上形成一定图形的光刻胶，光刻胶设置在凹槽内除N型电极所在区域之外的区域、以及P型半导体层上除P型电极所在区域之外的区域上；
采用物理气相沉积(英文：Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术在在光刻胶、N型半导体层和P型半导体层上铺设金属材料；
去除光刻胶和铺设在光刻胶上的金属材料，N型半导体层上的金属材料形成N型电极，P型半导体层上的金属材料形成P型电极。
可选地，在步骤203之前，该制作方法还可以包括：
在P型半导体层上形成透明导电薄膜。
相应地，P型电极设置在透明导电薄膜上。
优选地，在P型半导体层上形成透明导电薄膜之前，该制作方法还可以包括：
在P型半导体层上形成电流阻挡层。
相应地，透明导电薄膜形成在电流阻挡层、以及P型半导体层未设置电流阻挡层的区域上。
步骤204：在P型半导体层上和凹槽内形成绝缘层，绝缘层上设有延伸至N型电极的第一通孔和延伸至P型电极的第二通孔，绝缘层内设有金属反射层。
具体地，该步骤204可以包括：
第一步，在凹槽内、N型电极上、P型电极上和P型半导体层上铺设绝缘材料；
第二步，在绝缘材料上形成金属反射层；
第三步，在金属反射层和金属反射层之间的绝缘材料上再次铺设绝缘材料，绝缘材料将金属反射层包裹在内部；
第四步，在绝缘材料上开设延伸至N型电极的第一通孔和延伸至P型电极的第二通孔，形成绝缘层。
分两次沉积绝缘材料，以便将金属反射层夹设在其中。同时两次沉积的绝缘材料采用同一道光刻工艺开设通孔，可以减少光刻工艺的次数，降低实现成本。
图8为本发明实施例的制作方法在执行第一步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图，图9为本发明实施例的制作方法在执行第二步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图，图10为本发明实施例的制作方法在执行第三步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图，图11为本发明实施例的制作方法在执行第四步之后形成的倒装LED芯片的结构示意图。其中，41表示绝缘层，42表示金属反射层，61表示第一通孔，62表示第二通孔。参见图8～图11，绝缘层41设置在芯片正面的整个区域，绝缘层41上设有延伸至N型半导体层21的第一通孔61和延伸至P型半导体层23的第二通孔62，绝缘层41内除开设第一通孔61和第二通孔62的区域之外的其它区域内均为容纳金属反射层42的密封腔体。
步骤205：在绝缘层上设置N型焊盘和P型焊盘，N型焊盘通过第一通孔与N型电极连接，P型焊盘通过第二通孔与P型电极连接。
图12为本发明实施例提供的制作方法在执行步骤205之后形成的倒装LED芯片的结构示意图。其中，33表示N型焊盘，34表示P型焊盘。参见图12，N型焊盘33和P型焊盘34间隔设置在绝缘层41上，N型焊盘33通过第一通孔61延伸至N型电极31，P型焊盘34通过第二通孔62延伸至P型电极32。
具体地，该步骤205可以包括：
采用光刻技术在绝缘层上形成一定图形的光刻胶，光刻胶设置在除N型焊盘和P型焊盘所在区域之外的区域上；
采用PVD技术在光刻胶、绝缘层、第一通孔内的P型半导体层和第二通孔内的N型半导体层上铺设金属材料；
去除光刻胶和铺设在光刻胶上的金属材料，P型半导体层和第一通孔周围的绝缘层上的金属材料形成P型焊盘，N型半导体层和第二通孔周围的绝缘层上的金属材料形成N型焊盘。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；
所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；
所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为100nm～3000nm。
3.根据权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层由两种氧化物薄膜交替层叠而成，所述氧化物薄膜的数量小于60个。
4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述氧化物薄膜的数量为4个～20个。
5.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述氧化物薄膜的材料采用二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌或者五氧化二钽。
6.根据权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层的厚度为100nm～2000nm。
7.根据权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层包括依次层叠的反射层和覆盖层。
8.根据权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层的材料采用银或者铝，所述覆盖层的材料采用钛钨合金、铂或者金。
9.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；
在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；
在所述凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在所述P型半导体层上形成P型电极；
在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层；
在所述绝缘层上设置N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层，包括：
在所述凹槽内、所述N型电极上、所述P型电极上和所述P型半导体层上铺设绝缘材料；
在所述绝缘材料上形成金属反射层；
在所述金属反射层和所述金属反射层之间的绝缘材料上再次铺设绝缘材料，所述绝缘材料将所述金属反射层包裹在内部；
在所述绝缘材料上开设延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，形成绝缘层。
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