CN105280772B - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：发光结构体；多个孔，其贯通第二导电型半导体层及活性层，并且第一导电型半导体层部分地露出；及，多个单元电极层，其相互隔开，包括与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接并相互绝缘的第一电极层和第二电极层，其中，所述第二电极层包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层；其中，所述第一电极层通过所述多个孔，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，部分地覆盖所述发光结构体。因此，能够提供改进电流分散效应及发光均匀性的发光二极管。

Description

发光二极管及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，特别是涉及一种发光二极管及其制造方法，其尽可能避免发光面积减少，提高电流分散效应。
背景技术
发光二极管是一种无机半导体元件，能够发出电子和空穴复合产生的光，近年来，人们利用具有直接带隙型特点的氮化物半导体开发和制造发光二极管。
发光二极管按电极配置位置或所述电极与外部引线连接的方式不同，分为水平式发光二极管、直立式发光二极管或覆晶式(flip-chip)发光二极管等等。最近，随着对高功率发光二极管的需求增加，对散热效率高的大面积覆晶式发光二极管的需求也猛增。
在大面积覆晶式发光二极管中，电流分散效应是决定发光二极管发光效率的重要因素。相对来讲，晶片面积越大，在一个晶片内发生发光偏移的机率越高，所以电流分散效应对发光二极管的发光效率产生很重要的影响。因此，为了提高大面积覆晶式发光二极管的电流分散效应和散热效率，公开了各种电极结构及半导体层的结构。
但是，如上所述的现有技术，因使用线型扩展部，扩展部的电阻较大，分散电流受到限制。而且，反射电极在P型半导体层上的位置有局限，导致相当一部分光无法被反射电极反射，而是被焊垫及扩展部所损失。另外，根据N型电极和P型电极位置，发生电流位移现象，存在发光效率非常低下的区域。
不仅如此，为了形成N型电极，N型半导体层的露出区域相对较宽。这直接导致发光区域减少，降低发光二极管整体发光效率和发光强度。
发明内容
[要解决的技术问题]
本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够尽可能防止发光区域减少的发光二极管。
本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种改进电流分散效应的发光二极管。
本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种发光二极管制造方法，其简化去除活性层的工序，提高电流分散效应，工艺简单。
[解决问题的手段]
根据本发明一个方面的发光二极管包括：发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；多个孔，其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层，并且所述第一导电型半导体层部分地露出；及，第一电极层和第二电极层，分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘，所述第二电极层包括多个单元电极层，其相互隔开，并包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层；所述第一电极层通过所述多个孔，而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，部分地覆盖所述发光结构体。
根据所述发光二极管，能够提高电流分散效应及发光均匀性。因此，能够提供高效大面积覆晶式发光二极管。
所述单元电极层位于所述第二导电型半导体层上，能够与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。
所述开口部可以位于所述单元电极层的中心部。
所述多个单元电极层可以分别具有相同的面积。
另外，所述多个单元电极层可以按照格型配置在所述发光结构体上。
可以包括一个连接层，其电连接至少三个以上所述单元电极层。
在其他实施例中，可以包括多个连接层，其连接所述单元电极层中邻接的单元电极层。
所述发光二极管还可以包括覆盖所述多个单元电极层及所述发光结构体的下部绝缘层，所述下部绝缘层可以包括对应于所述多个孔形成的第一开口部以及使各个所述单元电极层部分地露出的第二开口部。
所述单元电极层可以由金属反射层形成，但不限定于此，可以包括透明导电氧化物层。另外，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。在特定实施例中，所述单元电极层可以包括透明导电氧化物层，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。根据这些实施例，利用所述第二电极层或所述下部绝缘层，可以进行光反射，改进光效率。
而且，所述第一电极层可以通过所述第一开口部，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，所述第一电极层可以部分地覆盖所述下部绝缘层。
所述第二电极层还包括接触层，其填充所述第二开口部并连接于所述单元电极层，所述连接层可以电连接位于邻接单元电极层上的接触层。
另外，所述连接层可以位于所述下部绝缘层上。
所述发光二极管还可以包括覆盖所述第一电极层以及第二电极层的上部绝缘层，所述上部绝缘层可以包括使所述第一电极层部分地露出的第三开口部以及至少使一部分所述接触层部分地露出的第四开口部。
所述上部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。因此，可以防止光损失，提高光效率。
此外，所述发光二极管还可以包括：第一焊垫，其通过所述第三开口部与所述第一电极层连接，位于所述上部绝缘层上；及，第二焊垫，其与所述第一焊垫隔开，通过所述第四开口部与所述接触层连接，位于所述上部绝缘层上。
另外，所述发光二极管还可以包括位于绝缘层上的散热片。
所述散热片可以位于所述第一焊垫及第二焊垫之间，并与所述第一焊垫及第二焊垫电绝缘。
在几个实施例中，所述发光二极管还可以包括第一焊垫及第二焊垫，其分别与所述第一电极层及第二电极层电连接，并位于所述发光结构体上。
根据本发明另一个方面的发光二极管制造方法包括：在基板上形成包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层的发光结构体；对所述发光结构体进行图案化，形成使所述第一导电型半导体层露出的多个孔，并在所述第二导电型半导体层上形成相互隔开的多个单元电极层；形成通过所述多个孔与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触的第一电极层，以及形成与所述第一电极层电绝缘并电连接所述多个单元电极层的连接层；其中，所述多个单元电极层包括开口部，所述开口部与所述多个孔分别对应，所述第一电极层部分地覆盖所述发光结构体。
根据所述制造方法，提供一种通过简化的工序制造改进电流分散效应的发光二极管的方法。
所述多个单元电极层可以与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。
所述制造方法还可以包括，在各个所述多个单元电极层上形成接触层，所述连接层电连接至少两个以上接触层，所述接触层和连接层可以同时形成。
所述制造方法还可以包括，在形成所述第一电极层及连接层之前形成下部绝缘层，其覆盖所述发光结构体及单元电极层，所述下部绝缘层可以包括在所述多个孔内使第一导电型半导体层露出于的第一开口部，以及使所述单元电极层部分地露出的第二开口部。
在本发明的一个实施例中，所述单元电极层可以包括金属反射层。在本发明的另一个实施例中，所述单元电极层可以包括透明导电氧化物层。另外，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。
而且，所述制造方法还可以包括，在各个所述多个单元电极层上形成填充所述第二开口部的接触层，而所述第一电极层、所述连接层及所述接触层同时形成，所述第一电极层可以与所述连接层和接触层隔开。
所述制造方法还可以包括，形成覆盖所述第一电极层、连接层及接触层的上部绝缘层，其中，所述上部绝缘层可以包括使所述第一电极层露出的至少一个第三开口部，以及使所述接触层露出的第四开口部。
另外，所述制造方法还可以包括形成第一焊垫和第二焊垫，其中，第一焊垫通过所述第三开口部与所述第一电极层电连接，第二焊垫通过所述第四开口部与所述接触层电连接。
所述制造方法还可以包括，形成位于所述上部绝缘层上的散热片。
在其他实施例中，所述制造方法还可以包括，形成第一焊垫及第二焊垫，其中，第一焊垫及第二焊垫分别与所述第一电极层及单元电极层电连接，并位于所述发光结构体上。
[发明的效果]
根据本发明，提供一种发光二极管，其包括通过多个孔与第一导电型半导体层形成欧姆接触的结构，尽可能避免发光区域减少。另外，提供一种提高电流分散效应和发光均一性的发光二极管。而且，提供一种能够同时部分地形成第一电极层和第二电极的发光二极管制造方法，使得发光二极管的制造变得简单。
附图说明
图1至图4是用于说明本发明一个实施例的发光二极管的俯视图及剖面图。
图5是用于说明本发明另一实施例的发光二极管的俯视图。
图6是用于说明本发明另一实施例的发光二极管的俯视图。
图7(a)、图7(b)至图13(a)、图13(b)是用于说明本发明另一实施例的发光二极管制造方法的俯视图及剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的实施例。下面介绍的实施例是为了能够向本发明所属领域的技术人员充分传达本发明的思想而作为示例提供的。因此，本发明不限定于以下说明的实施例，也可以以其它形态而具体化。而且，在附图中，为了便利，构成要素的宽度、长度、厚度等也可以夸张表现。另外，当记载为一个构成要素在其它构成要素的“上部”或“上面”时，不仅包括各部分在其它部分的“紧上部”或“紧上面”的情形，也包括在各构成要素与其它构成要素之间还有另外构成要素的情形。在通篇说明书中，相同参照符号代表相同的构成要素。
图1至图4是用于说明本发明一个实施例的发光二极管的俯视图及剖面图。图2至图4是图示分别对应于图1的A-A线、B-B线、C-C线的剖面图。为了说明的便利，图1未示出符号。对于俯视图相关的各个构成的符号，将通过参照图7(a)、图7(b)至图13(a)、图13(b)说明的实施例，进行详细说明。
如图1至图4所示，根据本发明一个实施例的发光二极管包括：发光结构体120，其包括第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125；第一电极层141；第二电极层130。进而，所述发光二极管还可以包括基板110、下部绝缘层151、上部绝缘层153、第一焊垫161及第二焊垫163。
基板110只要是能够使发光结构体120生长的基板，则不进行限定，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。在本实施例中，基板110可以是图案化的蓝宝石基板(Patterned Sapphire Substrate；PSS)。
在发光二极管中，基板110可以去除。基板110被用于发光结构体的生长基板时，基板110可以利用该领域的技术人员(以下简称“技术人员”)公知的技术，从发光结构体120分离去除。基板110可以通过物理和/或化学的方法而从发光结构体体分离或去除，例如，可以利用激光剥离、化学剥离、压力剥离或研磨等方法分离或去除。
发光结构体120可以包括第一导电型半导体层121、位于第一导电型半导体层121上的活性层123及位于活性层123上的第二导电型半导体层125。另外，所述发光二极管包括多个孔127，其贯通发光结构体120的第二导电型半导体层125和活性层123，使第一导电型半导体层121部分地露出。
第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以包括III-V系化合物半导体，例如，可以包括(Al,Ga,In)N等氮化物系半导体。第一导电型半导体层121可以包括n型杂质(例如，Si)，第二导电型半导体层125可以包括p型杂质(例如，Mg)。另外，还可以与其相反。活性层123可以包括多量子阱结构(MQW)。
多个孔127可以部分地去除活性层123和第二导电型半导体层125，使第一导电型半导体层121的上面部分地露出而形成。多个孔127的数量及配置位置不限定，例如，如图1所示，可以按照一定间隔有规律地排列。可以根据多个孔127的位置，决定如后所述的单元电极层131u位置。
如后所述，第一电极层141可以通过孔127与第一导电型半导体层121形成欧姆接触。因此，在发光结构体120上有规律地配置多个孔127，使电流大体均匀地分散于整个发光结构体120。但是，图中所示的多个孔127的数量及配置位置仅为示例而已，可以考虑电流分散效应进行各种设计。
另外，第一电极层141通过孔127与第一导电型半导体层121形成欧姆接触，为了形成与第一导电型半导体层121连接的电极等，去除活性层123的区域与对应于多个孔127的区域相同。因此，使第一导电型半导体层121和金属层形成欧姆接触的区域最小化，与以往相比，可以提供相对于整体晶片面积而言发光区域面积比率更大的发光二极管。
第一电极层141和第二电极层130可以分别与第一导电型半导体层121和第二导电型半导体层125电连接。尤其，第二电极层130可以包括电极层131和连接层135，且还可以包括接触层133。另一方面，第一电极层141和第二电极层130相互绝缘。例如，第一电极层141和第二电极层130可以由下部绝缘层151及上部绝缘层153绝缘。
电极层131位于第二导电型半导体层125上，部分地覆盖第二导电型半导体层125的上面，形成欧姆接触。另外，电极层131为多个单元电极层131u，可以分隔开来配置在发光结构体120上。此时，各个单元电极层131u包括至少对应于一个孔127的开口部。即，至少一个孔127可以通过所述开口部露出，且单元电极层131u的开口部的宽度和面积大于孔127的面积。
各个单元电极层131u可以按照大体相同的面积和/或形态配置在发光结构体120上，而且还可以有规律地配置。例如，如图1所示，可以按照格型配置单元电极层131u。与第二导电型半导体层125形成欧姆接触的多个单元电极层131u具有大体相同的面积和/或形态，使电流能够在整个发光结构体120上均匀分散。
再次参照图1至图4可知，各个单元电极层131u可以对应于多个孔127所处区域进行配置。尤其，单元电极层131u的开口部可以位于各个单元电极层131u的中心部，因此，各个多个孔127可以位于单元电极层131u的中心部。
本发明的发光二极管，其运转时，第一导电型半导体层121通过多个孔127与第一电极层141形成欧姆接触，第二导电型半导体层121通过各个单元电极层131u形成欧姆接触。因此，可以通过多个孔127和单元电极层131u，向第一导电型半导体层121及第二导电型半导体层125供给电流，且因孔127位于单元电极层131u的中心部，使电流均匀分散于单元电极层131u下部区域的发光结构体区域。这些单元电极层131u和孔127有规律地配置在整个发光结构体上，使得电流能够均匀分散于整个发光结构体的发光区域。因此，本发明的发光二极管能够提高电流分散效应。
电极层131可以包括金属反射层，但并不局限于此，也可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)等透明导电氧化物层。
在本发明一个实施例中，电极层131可以包括反射层以及覆盖所述反射层的覆盖层。
如上所述，电极层131与第二导电型半导体层125形成欧姆接触，且可以发挥光反射作用。因此，所述反射层可以包含反射率高并能够与第二导电型半导体层形成欧姆接触的金属。例如，所述反射层可以包含Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Ag及Au中的至少一种。另外，所述反射层可以包括单层或多层。
所述覆盖层能够防止所述反射层与不同物质间的相互扩散，能够防止外部的其它物质扩散到所述反射层而导致所述反射层损伤。因此，所述覆盖层可以以覆盖所述反射层的下面及侧面形成。所述覆盖层能够与所述反射层一起与第二导电型半导体层125电连接，能够与所述反射层一起，起到一种电极作用。所述覆盖层可以包含诸如Au、Ni、Ti、Cr中的至少一种，还可以包括单层或多层。
再次参照图片可知，所述发光二极管还可以包括下部绝缘层151。下部绝缘层151可以部分地覆盖发光结构体120及金属层131，另外，下部绝缘层151可以覆盖多个孔127的侧面的同时，使孔127的下面露出，还可以覆盖发光结构体120的侧面。
下部绝缘层151可以包括位于与多个孔127所处位置相对应位置的第一开口部，以及使电极层131部分地露出的第二开口部。可以通过第一开口部及孔127，使第一导电型半导体层121部分地露出，可以通过第二开口部，使电极层131部分地露出。第二开口部可以在各个单元电极层131u上至少形成一个以上。
下部绝缘层151可以包含绝缘性的物质，例如，可以包含SiO2或SiNx。进而，下部绝缘层151可以包括多层，也可以包括折射率不同的物质交替层叠的分布式布拉格反射器。
第一电极层141可以位于发光结构体120上，可以填充多个孔127，与第一导电型半导体层121形成欧姆接触。第一电极层141可以形成为全面覆盖除下部绝缘层151部分区域以外的其他部分，尤其，可以形成为覆盖至发光结构体120的侧面。由于发光结构体120的侧面也形成第一电极层141，能够反射从活性层123向侧面释放的光，提高发光二极管的发光效率。第一电极层141不位于与下部绝缘层151的第二开口部相对应的区域，另外，第二开口部可以不位于虚拟连接的区域相对应的部位。例如，如图1及图4所示，在所述第二开口部及连接这些第二开口部的区域，可以不形成第一电极层141。
第一电极层141形成为除部分区域以外全面覆盖发光结构体120，能够进一步提高电流分散效应。另外，未被电极层131覆盖的部位则由第一电极层141覆盖，更有效地进行光反射，提高发光二极管的发光效率。
第一电极层141与第一导电型半导体层121形成欧姆接触，而且，发挥光反射作用。因此，第一电极层141可以包含Al层等高反射金属层，所述高反射金属层可以形成在Ti、Cr或Ni等的粘合层上面。
第一电极层141可以从电极层131和发光结构体121的侧面进行绝缘，例如，下部绝缘层151位于第一电极层141和电极层131之间，使其相互绝缘。
连接层135可以将下部绝缘层151的至少两个第二开口部电连接，因此，连接层135可以将至少两个单元电极层131u相互电连接。进而，所述发光二极管还可以包括填充下部绝缘层151的各个第二开口部的接触层133，此时，连接层135使接触层133相互电连接，进而使单元电极层131u相互电连接。
连接层135可以位于下部绝缘层151上，且与第一电极层141分隔开。尤其，连接层135可以配置在下部绝缘层151上的第一电极层141所处位置以外的区域。例如，如图1至图4所示，连接层135可以覆盖一个单元电极层131u和与其邻接的其他单元电极层131u的第二开口部之间连接线所处区域而形成。
连接层135可以电连接至少两个单元电极层131u，进而，使位于发光结构体120上的全部单元电极层131u相互电连接。例如，如图所示，连接层135可以以直线形态依次连接由上下方向并排配置的四个单元电极层131u。
但是，根据本发明的连接层135并不限定于此，可以按照各种形态连接单元电极层131u。例如，如图5所示，连接层135依次连接由上下方向并排配置的四个单元电极层131u，但是，可以在不同的一角邻接配置连接部135，使一个连接部135只对邻接的两个单元电极层131u进行电连接。此时，对于一个单元电极层131u，下部绝缘层151的第二开口部通过连接层135，使至少两个以上单元电极层131u电连接，并且所述至少两个以上单元电极层131u并列连接。因此，可以提高多个单元电极层131u之间的电流分散效应，进而提高发光结构体120的电流分散效应。
根据本发明的发光二极管，其电极层131分割形成为多个单元电极层131u，使整个发光区域的发光效率及强度大体均一。此外，通过连接层135并列连接多个单元电极层131u，能够提高整个发光区域的电流分散效应。因此，所述发光二极管能够在整个晶片上释放大体均一强度的光，提高发光效率。
另一方面，连接层135和接触层133可以一体形成，进而，连接层135及接触层133可以包含与第一电极层141相同的物质。连接层135的上面还可以与第一电极层141的上面大体并排形成。
上部绝缘层153可以覆盖第一电极层141、连接层135及接触层133。上部绝缘层153可以包括使第一电极层141部分地露出的第三开口部153a，以及位于多个孔127上的连接层135或使接触层133部分地露出的第四开口部153b。
第三开口部153a及第四开口部153b可以形成一个以上。另外，第三开口部153a位于邻接发光二极管的一角时，第四开口部153b可以位于邻接的另一角。
上部绝缘层153可以包含绝缘性的物质，例如，可以包含SiO2或SiNx。进而，上部绝缘层153可以包括多层，也可以包括折射率不同的物质交替层叠的分布式布拉格反射器。
另外，所述发光二极管还可以包括第一焊垫161及第二焊垫163。
第一焊垫161可以位于上部绝缘层153上，通过第三开口部153a与第一电极层141电连接。第二焊垫163可以位于上部绝缘层153上，通过第四开口部153b与连接层135和/或接触层133电连接。因此，第一焊垫161及第二焊垫163分别与第一导电型半导体层121及第二导电型半导体层125电连接。因此，第一焊垫161及第二焊垫163可以发挥从外部向发光二极管供给电源的电极作用。
第一焊垫161和第二焊垫163相互隔开，例如，可以包括Ti、Cr、Ni等的接触层和Al、Cu、Ag或Au等的高导电金属层。不过，本发明并非限定于此。
图6是用于说明本发明另一实施例的发光二极管的俯视图。根据本发明另一实施例的发光二极管还可以包括散热片170。
如图6所示，所述发光二极管还包括位于上部绝缘层153上的散热片170。图6的发光二极管除了包括散热片170以外，与图1至图4所示发光二极管大体相同。
所述散热片170位于上部绝缘层153上，能够与发光结构体120电绝缘。另外，散热片170可以位于第一焊垫161及第二焊垫163之间，能够电绝缘。散热片170可以包含热传导性高的物质，例如，可以包含Cu。
所述发光二极管包括散热片170，从而能够使发光时发生的热有效释放，特别是能够提高高功率大面积覆晶式发光二极管的寿命及可靠性。另外，还可以防止发光二极管因发光时产生的热量而发生劣化。
进而，散热片170位于上部绝缘层153上，与发光结构体120电绝缘，从而防止发生由于散热片170导致的电路故障(例如，短路)。
图7(a)、图7(b)至图13(a)、图13(b)是用于说明本发明另一实施例的发光二极管制造方法的俯视图及剖面图。
根据图7(a)、图7(b)至图13(a)、图13(b)所示实施例的制造方法，可以提供图1至图4所示发光二极管。因此，对于与图1至图4实施例中的说明相同的组成部分，将省略其详细说明。因此，根据本实施例的发明并非因如下说明而受到限定。
图7(a)、图7(b)至图13(a)、图13(b)是用于说明本发明另一实施例的发光二极管制造方法的俯视图及剖面图。在各个图片中，各个剖面图是与之对应的俯视图中对应于D-D线或E-E线的部分的剖面图。
首先，如图7(a)、图7(b)所示，在基板110上形成包括第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125的发光结构体120。
基板110可以是能够使发光结构体120生长的生长基板，例如，可以是图案化的蓝宝石基板(PSS)。
第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以依次成长和形成。发光结构体120可以包括氮化物半导体，可以利用MOCVD、HVPE、MBE等通常的技术人员公知的氮化物半导体层生长方法而形成。
接下来，如图8(a)、图8(b)所示，对发光结构体120进行图案化，形成使第一导电型半导体层121露出的多个孔127，并形成与第二导电型半导体层125形成欧姆接触且相互隔开的多个单元电极层131u。为了便利，多个孔127和单元电极层131u的形成顺序可以自由选择。
发光结构体120可以利用蚀刻及光刻技术进行图案化。如图所示，多个孔127可以有规律地形成，但本发明并非限定于此。
多个单元电极层131u可以利用金属物质或透明导电氧化物的气相沉积及蚀刻技术形成，不同于此，还可以利用金属物质或透明导电氧化物的气相沉积及剥离技术形成。多个单元电极层131u可以分别包围一个孔127形成，可以包括使所述孔127露出的开口部131a。
多个单元电极层131u可以形成为使孔127位于其中心部，另外，可以形成为能够有规律地配置。例如，如图所示，多个单元电极层131u可以按照格型配置。
其次，如图9(a)、图9(b)所示，可以形成覆盖发光结构体120及电极层131的下部绝缘层151。进而，下部绝缘层151可以形成为能够覆盖多个孔127的侧面。
下部绝缘层151可以包括使多个孔127的下面露出的第一开口部151a以及使电极层131部分地露出的第二开口部151b。下部绝缘层151可以对SiO2等绝缘性物质进行气相沉积及图案化而形成。
根据下部绝缘层151的第二开口部151b的位置，决定后续工序中连接层135的形成位置。因此，可以根据连接层135的形成位置，形成第二开口部151b，例如，不同于图9(a)，可以形成如图10所示的第二开口部151b′。形成如图10所示的第二开口部151b′的位置时，可以提供与图5实施例相同结构的发光二极管。
如图11(a)、图11(b)所示，在发光结构体120及下部绝缘层151上，形成第一电极层141及连接层135。进而，还可以形成填充第二开口部151b的接触层133。
第一电极层141可以对金属物质进行气相沉积及图案化而形成，可以全面覆盖除了形成连接层135和接触层133的区域以外的下部绝缘层151形成。另外，第一电极层141填充第一开口部151a，通过多个孔127与第一导电型半导体层121形成欧姆接触。
接触层133可以通过气相沉积形成，以填充第二开口部151b，因此，接触层133与电极层131电连接。连接层135可以形成为使至少两个以上单元电极层131u相互电连接，尤其，能够电连接一个接触层133和邻接的其他接触层133。连接层135可以形成在下部绝缘层151上。第一电极层141、连接层135及接触层133可以相互隔开形成，从而相互电绝缘。
另外，第一电极层141和连接层135及接触层133可以同时利用相同的气相沉积工序形成。例如，对全面覆盖发光结构体120及下部绝缘层151的金属物质进行气相沉积，并进行图案化或通过剥离工序，形成分隔区域210，形成第一电极层141和连接层135以及接触层133。因此，第一电极层141和连接层135及接触层133可以包含相同的物质。另外，第一电极层141和连接层135以及接触层133的上面可以大体并排形成。
如上所述，由于利用相同工序同时形成第一电极层141和连接层135以及接触层133，使得发光二极管制造工序简单。但是，本发明并非限定于此，可以利用其他不同的工序形成。
在本实施例中，连接层135及接触层133以多个条形形成，但本发明并非限定于此。为了便利，对于连接多个单元电极层131u的连接层135的配置及数量，可以进行多种变形。
再次，如图12(a)、图12(b)所示，可以形成覆盖第一电极层141和连接层135及接触层133的上部绝缘层153。
上部绝缘层153可以包括使第一电极层141部分地露出的至少一个第三开口部153a，以及使接触层133和/或连接层135部分地露出的至少一个第四开口部153b。上部绝缘层153可以对SiO2等绝缘性物质进行气相沉积及图案化形成。
尤其，上部绝缘层153形成为能够填充第一电极层141和连接层135及接触层133的分隔区域210，能够更进一步强化第一电极层141和连接层135及接触层133之间的电绝缘。
第三开口部153a可以邻接发光二极管的一角形成，第四开口部153b可以邻接发光二极管的另一角形成。即，如图所示，第三及第四开口部153a，153b分别邻接形成于相反一角。
接下来，还可以在上部绝缘层153上形成第一焊垫161及第二焊垫163。因此，能够提供如图1至图4所示的发光二极管。
第一焊垫161形成在第三开口部153a上，并填充第三开口部153a，因此，第一焊垫161与第一电极层141电连接。类似地，第二焊垫163形成在第四开口部153b上，并填充第四开口部153b，从而第二焊垫163与电极层131电连接。为了将发光二极管安装到基台、封装或印刷电路版等，第一焊垫161及第二焊垫163可以连接凸点，或作为进行表面贴装(SMT)时的焊垫使用。
第一焊垫161及第二焊垫163可以利用同一个工序同时形成，例如，可以利用光刻及蚀刻或剥离技术形成。
进而，所述发光二极管制造方法还可以包括从发光结构体120分离基板110的步骤。基板110可以通过物理和/或化学方法分离和去除。
另外，所述发光二极管制造方法还可以包括上部绝缘层153上形成散热片170的步骤。散热片170可以与第一焊垫161及第二焊垫163同时形成。根据还包括形成散热片170的步骤的发光二极管制造方法，能够提供如图6所示的发光二极管。
以上对本发明的多种实施例进行了说明，但本发明并非限定于所述的多种实施例，在不超出本发明权利要求书的技术思想的范围内，可以多样地变形和变更。

Claims (28)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；
多个孔，其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层，并且所述第一导电型半导体层部分地露出；及，
第一电极层和第二电极层，分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘，
所述第二电极层包括：
多个单元电极层，其相互隔开，并包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，
至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层，
所述第一电极层通过所述多个孔而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，并部分地覆盖所述发光结构体。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
所述单元电极层位于所述第二导电型半导体层上，与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
所述开口部位于所述单元电极层的中心部。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
所述多个单元电极层分别具有相同的面积。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：
所述多个单元电极层按照格型配置在所述发光结构体上。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括：
一个所述连接层，其电连接至少三个以上所述单元电极层。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括：
多个所述连接层，其连接所述单元电极层中邻接的单元电极层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
下部绝缘层，其覆盖所述多个单元电极层及所述发光结构体；
其中，所述下部绝缘层包括对应于所述多个孔形成的第一开口部以及使各个所述单元电极层部分地露出的第二开口部。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：
所述单元电极层包括透明导电氧化物层，所述下部绝缘层包括分布式布拉格反射器。
10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：
所述第一电极层通过所述第一开口部，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，所述第一电极层部分地覆盖所述下部绝缘层。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：
所述第二电极层还包括接触层，其填充所述第二开口部并连接于所述单元电极层，所述连接层电连接位于邻接的单元电极层上的接触层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：
所述连接层位于所述下部绝缘层上。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
上部绝缘层，其覆盖所述第一电极层及所述第二电极层；
其中，所述上部绝缘层包括使所述第一电极层部分地露出的第三开口部以及至少使一部分所述接触层部分地露出的第四开口部。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：
所述上部绝缘层包括分布式布拉格反射器。
15.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
第一焊垫，其通过所述第三开口部与所述第一电极层连接，并位于所述上部绝缘层上；及，
第二焊垫，其与所述第一焊垫隔开，通过所述第四开口部与所述接触层连接，并位于所述上部绝缘层上。
16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
散热片，其位于所述上部绝缘层上。
17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于：
所述散热片位于所述第一焊垫及所述第二焊垫之间，并与所述第一焊垫及所述第二焊垫电绝缘。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
第一焊垫及第二焊垫，其分别与所述第一电极层及所述第二电极层电连接，并位于所述发光结构体上。
19.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层的发光结构体；
对所述发光结构体进行图案化，形成使所述第一导电型半导体层露出的多个孔，并在所述第二导电型半导体层上形成相互隔开的多个单元电极层；
形成通过所述多个孔与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触的第一电极层，以及形成与所述第一电极层电绝缘并电连接所述多个单元电极层的连接层，
其中，所述多个单元电极层包括开口部，所述开口部与所述多个孔分别对应，
所述第一电极层部分地覆盖所述发光结构体。
20.根据权利要求19所述的发光二极管制造方法，其特征在于：
所述多个单元电极层与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。
21.根据权利要求19所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
在各个所述多个单元电极层上形成接触层，
其中，所述连接层电连接至少两个以上所述接触层，所述接触层和所述连接层同时形成。
22.根据权利要求19所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第一电极层及所述连接层之前，形成下部绝缘层，所述下部绝缘层覆盖所述发光结构体及所述单元电极层，
所述下部绝缘层包括在所述多个孔内使所述第一导电型半导体层露出的第一开口部，以及使所述单元电极层部分地露出的第二开口部。
23.根据权利要求22所述的发光二极管制造方法，其特征在于：
所述单元电极层包括透明导电氧化物层，所述下部绝缘层包括分布式布拉格反射器。
24.根据权利要求22所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
在各个所述多个单元电极层上形成填充所述第二开口部的接触层，
所述第一电极层、所述连接层及所述接触层同时形成，所述第一电极层与所述连接层和所述接触层隔开。
25.根据权利要求24所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖所述第一电极层、所述连接层及所述接触层的上部绝缘层，
所述上部绝缘层包括使所述第一电极层露出的至少一个第三开口部，以及使所述接触层露出的第四开口部。
26.根据权利要求25所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
形成第一焊垫和第二焊垫，其中，所述第一焊垫通过所述第三开口部与所述第一电极层电连接，所述第二焊垫通过所述第四开口部与所述接触层电连接。
27.根据权利要求26所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
形成散热片，其位于所述上部绝缘层上。
28.根据权利要求19所述的发光二极管制造方法，其特征在于，还包括：
形成第一焊垫及第二焊垫，其中，所述第一焊垫及所述第二焊垫分别与所述第一电极层及所述单元电极层电连接，并位于所述发光结构体上。
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