CN102760408B - 一种采用有源/无源混合选址的led微显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，所述装置包括至少一个LED阵列基本单元和一个硅基有源驱动基板，所述硅基有源驱动基板包括至少一个硅基有源驱动基板基本单元，每个所述LED阵列基本单元对应一个所述硅基有源驱动基板基本单元，所述至少一个LED阵列基本单元和所述至少一个硅基有源驱动基板基本单元通过倒装芯片技术键合在一起。本发明融合了有源选址和无源选址两种驱动方式的优点，同时克服了两种驱动方式的缺点。在不增加电路设计以及制备工艺的难度的情况下，通过“局部无源选址，整体有源选址”的方式实现了高分辨率，精细像素的LED微显示技术，具有极大的实际应用价值。

Description

一种采用有源/无源混合选址的LED微显示装置

技术领域

本发明涉及LED微显示技术领域，特别涉及一种采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，本发明所提供的LED微显示装置具有超高的分辨率。

背景技术

根据选址方式不同，可将LED微显示技术分为无源选址和有源选址两种方式。

无源选址LED显示阵列技术中，每一行的LED像素的阳极连接在一起接到行扫描信号，每一列LED像素的阴极连接在一起接到列扫描信号。在正常工作时，行扫描信号加到某一行，同时列扫描信号加到某一列，这时处于该行和该列交叉处的LED就会有电流流过，LED从而发光。无源选址LED显示阵列技术有以下缺点：

第一，无源选址的LED微型显示器受“负载效应”的限制，即外围驱动芯片的驱动能力是恒定的，比如对每一行的驱动能力为100毫安电流。如果某一行有8个LED像素点亮，则每个LED像素的电流为100毫安/8＝12.5毫安；然而，假如另外一行有4个LED像素点亮，则每个LED像素的电流为100毫安/4＝25毫安。LED本身是电流型器件，流过的电流大小直接决定LED的发光亮度。这样就造成点亮像素数目不同的行之间的亮度不均匀。

第二，无源选址的LED微型显示器存在“串扰”的问题，即选通LED像素周围的其他像素会由于信号串扰而处于点亮和熄灭之间的不定状态，从而使图像失真。

第三，无源选址LED微型显示器的像素分辨率受限于外围驱动芯片的最大驱动能力。当分辨率增加，即每行和每列的像素数目增加时，每个LED像素所分的的驱动电流就会按比例减小。当像素数目很大时，为保证每个LED像素的亮度，这对外围驱动芯片提出了很大的挑战。

第四，无源选址LED微型显示器中，驱动电流直接流过数目繁多的行扫描和列扫描线，大量的电能消耗在信号线的寄生电阻和电容上面。这样产生了大量的热量，并且降低了电能利用率。

有源选址单片式LED微显示技术采用给每个LED像素配备一个单独的CMOS像素电路的方法克服了无源选址LED阵列技术中的缺点和不足。具体方法为：在硅基板上制备像素电路的阵列，其分辨率和点距对应于LED微显示器的像素分辨率和点距，以保证每一个LED像素都会连接到对应的像素电路。在蓝宝石衬底上面制备LED阵列，然后把蓝宝石衬底的背面进行减薄和抛光。然后采用倒装芯片的技术把蓝宝石衬底上的LED阵列和硅基板上的像素电路阵列键合在一起。在有源选址LED微型显示器中，每一个LED像素均由对应的晶体管像素电路来进行驱动。驱动电流的大小取决于所加的信号电压大小，这样大大增加了驱动能力，解决了“负载效应”，提高了电能利用率。

当有源选址单片式LED微显示技术的显示分辨率越来越高(比如1024×768或者以上)，同时LED像素的点距越来越小(如像素点距20微米或者更小)时，一些难以解决的问题就会逐渐出现。其中最难以解决的问题就是每一个像素均需要有独立的像素电路，而连接像素电路的输出电极和LED像素的输入电极需要用倒装芯片技术中的焊球和焊盘来实现，当像素尺寸持续减小时，焊球的尺寸和点距就会率先成为整个系统的瓶颈。目前世界上最先进的倒装芯片中的焊球直径为10-15微米，点距为20-30微米。LED微显示器的像素点距也会受到这个问题的限制，最小点距在20-30微米范围内。如果想开发超高分辨率(比如1280×720或者1920×1080)的LED微显示新品，LED像素的尺寸要减小到直径5微米，点距为8微米。这时目前的倒装芯片技术就无法满足要求。

因此，开发超高分辨率的LED微显示装置成为当务之急。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何克服当LED微显示器的分辨率越来越高，像素点距越来越小时所带来的问题。本发明旨在提供一种能够成功制备出像素尺寸为5微米或者更小，点距为8微米或者更小，分辨率为1920×1080(Full-HD)或者更高的LED微显示装置。

本发明另外的优点、目的和特性，一部分将在下面的说明书中得到阐明，而另一部分对于本领域的普通技术人员通过对下面的说明的考察将是明显的或从本发明的实施中学到。通过在文字的说明书和权利要求书及附图中特别地指出的结构可实现和获得本发明目的和优点。

本发明提供了一种采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，包括至少一个LED阵列基本单元和一个硅基有源驱动基板，其特征在于，所述硅基有源驱动基板包括至少一个硅基有源驱动基板基本单元，所述LED阵列基本单元的数量与所述硅基有源驱动基板基本单元的数量相同，并且每个所述LED阵列基本单元对应一个所述硅基有源驱动基板基本单元，所述至少一个LED阵列基本单元和所述至少一个硅基有源驱动基板基本单元通过倒装芯片技术键合在一起。其中：

每个所述LED阵列基本单元均包括多个LED像素，以及多条行扫描线和多条列扫描线；所述多个LED像素按照矩阵形式排列，每个LED像素的P电极连接到对应的列扫描线；每个LED像素的N电极连接到对应的行扫描线，每一条行扫描线均连接到左边的行扫描电极，每一条列扫描线均连接到底部的列扫描电极，对形成的所述行扫描电极和列扫描电极进行重新布线，形成按矩阵形式排列的输入电极矩阵，并为所述输入电极矩阵中的每个所述行扫描电极和列扫描电极制备一层金属焊盘；

所述硅基有源驱动基板包括至少一个硅基有源驱动基板基本单元，每个所述硅基有源驱动基板基本单元均包括一个输出电极矩阵，所述输出电极矩阵与所述输入电极矩阵相对应，其包括按按矩阵形式排列的多个输出电极，在每一个输出电极上均制备一个金属焊球，每一个金属焊球均对应所述输入电极矩阵中的一个金属焊盘，通过回流处理，将所述金属焊盘和所述金属焊球键合在一起。

优选的，所述硅基有源基板还包括信号输入模块、行扫描电路和列扫描电路，所述信号输入模块用于接收外部的控制信号，所述行扫描电路和列扫描电路包括移位寄存电路，其用于按照时钟顺序为每个硅基有源驱动基板基本单元提供行扫描和列扫描信号。

优选的，所述硅基有源驱动基板基本单元还包括信号接收单元、行驱动电路和列驱动电路，其中，

所述信号接收单元用于接收所述硅基有源驱动基板上的行扫描电路和列扫描电路的输出信号，并为硅基有源驱动基板基本单元中的行驱动电路和列驱动电路提供时钟、电源、接地和使能工作信号；

所述行驱动电路包括移位寄存电路和电流源电路，当某一行选通时，为选通的该行提供电流信号；

所述列驱动电路包括移位寄存电路和电平转换电路，当某一列选通时，为选通的该列提供接地信号。

优选的，所述LED阵列基本单元的分辨率为32×32，共有1024个LED像素；所述输入电极矩阵和输出电极矩阵均包括64个电极，所述64个电极按照8×8的阵列分布。

本发明提出的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，融合了有源选址和无源选址两种驱动方式的优点，同时克服了两种驱动方式的缺点。在不增加电路设计以及制备工艺的难度的情况下，通过“局部无源选址，整体有源选址”的方式实现了高分辨率，精细像素的LED微显示技术，具有极大的实际应用价值。

附图说明

图1为无源选址LED微显示装置001的电路结构示意图。

图2为有源选址单片式LED微显示器007的构成示意图。

图3为在倒装芯片技术中，多个焊球排列成为一个阵列放置在硅基板的表面的示意图。

图4为根据本发明实施方式的、分辨率为32×32的LED阵列基本单元的结构示意图。

图5为根据本发明实施方式的、分辨率为32×32的LED阵列基本单元的64个信号输入端(输入电极矩阵)的分布示意图。

图6为根据本发明实施方式的、硅基有源基板的结构示意图。

图7为根据本发明实施方式的、硅基有源基板所包括的行扫描电路和列扫描电路的结构示意图。

图8为根据本发明实施方式的、硅基有源基板上的硅基有源基板基本单元的结构示意图。

图9A为根据本发明实施方式的、硅基有源基板基本单元所包括的行驱动电路的结构示意图。

图9B为根据本发明实施方式的、硅基有源基板基本单元所包括的列驱动电路的结构示意图。

图10为根据本发明实施方式的、倒装芯片完成后的示意图。

图11为根据本发明实施方式的、由64个分辨率为32×32的基本单元组成更高分辨率的LED微显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图对本发明进行更全面的描述，其中说明本发明的示例性实施例。

首先，对无源选址LED微显示装置和有源选址LED微显示装置进行进一步的说明，以便于更好的理解本发明。

图1为无源选址LED微显示装置001的电路结构示意图。该无源选址LED微显示器包含一定数目的LED像素002，且LED像素002排列为一个具有特定分辨率的阵列。同一行中的LED像素的N电极连接到行公共主线003，同一列中LED像素的P电极连接到列公共主线004，在正常工作时，行扫描信号加到某一行，同时列扫描信号加到某一列，这时处于该行和该列交叉处的LED就会有电流流过，LED从而发光。

图2为有源选址单片式LED微显示器007的构成示意图。所述LED微显示器007包括LED阵列005和硅基有源驱动基板006。在本发明中，LED阵列005和硅基有源驱动基板006通过倒装芯片技术键合在一起。倒装芯片技术是微电子行业中较为成熟的一种键合技术，其利用焊球和焊盘的互相连接来实现顶部芯片和底部芯片的互联。在本发明中，在LED阵列005的每一个LED像素的的P电极上面制作金属焊盘。同时在硅基有源驱动基板006的每一个像素驱动电路的输出端制作金属焊球。然后把LED阵列翻转使其金属焊盘的一面对准硅基有源驱动基板006制备焊球的一面。对准后进行回流处理，金属焊球融化从而和金属焊盘键合在一起。这样LED阵列005和硅基有源驱动基板006就键合在一起了。

倒装芯片技术的步骤如下：首先把LED阵列芯片的蓝宝石衬底减薄至80微米左右，然后进行抛光处理直到蓝宝石沉底变至透明。然后再硅基有源选址基板上沉积一层较厚(如1微米)的二氧化硅作为钝化层并在其上开出通孔。然后沉积一层钛钨铜作为仔晶层，钛钨厚度为30纳米，铜厚度为500纳米。然后旋涂光刻胶AZ4903到硅基有源选址基板表面并按照倒装焊凸点的分布开出相对应的图形。然后利用电镀的方法在硅基有源选址基板表面沉积8微米后的铜和22微米厚的焊料层。由于光刻胶AZ4903的保护，只有特定区域才有电镀层出现。电镀完成后去掉光刻胶以及多余的仔晶层，并把基板放进回流炉进行回流。回流之后焊料层就会变成球状的凸点。然后把LED阵列倒扣在硅基板上进行对准，对准之后再做一次回流。这样硅基板上的凸点就会和LED阵列上的焊盘键合在一起。倒装芯片工艺至此完成。

图3为在倒装芯片技术中，多个焊球排列成为一个阵列放置在硅基板的表面的示意图。每一个焊球的下方均对应一个LED像素电路，并且焊球连接在LED像素电路的输出端。相应的，每一个焊球也均对应蓝宝石衬底上制备的LED阵列中的一个LED像素。倒装芯片技术会把焊球和LED像素电极的焊盘键合在一起，实现电气连接。从而，硅基板上像素电路的输出电流会经过焊球-焊盘，然后流入LED像素的电极，从而驱动LED像素发光。目前世界上最小尺寸的焊球直径在10-15微米范围内。从图3我们还可看出，焊球之间必须要有一定距离的空隙，以防止焊球之间发生短路。

本发明提供的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，包括LED阵列基本单元和硅基有源驱动基板，所述LED阵列基本单元和硅基有源驱动基板通过倒装芯片技术键合在一起。

图4为根据本发明实施方式的、分辨率为32×32的LED阵列基本单元100的结构示意图。“R1”代表第一行，“C1”代表第一列，其余皆同。所述LED阵列基本单元100包括多个LED像素101，每个LED像素101的结构相同，所述多个LED像素101按照矩阵形式排列，。在蓝宝石衬底上面制备互相绝缘的LED的行102，然后制备各个LED像素101，然后制备行扫描线103和列扫描线106。每个LED像素的P电极连接到对应的列扫描线，每个LED像素的N电极连接到对应的行扫描线。每一行的行扫描线均连接到左边的行扫描电极104，每一列的列扫描线均连接到底部的列扫描电极105。当行扫描信号扫描至某一行，如R30，而同时列扫描信号扫描至某一列，如C30时，处于该行和该列交叉点的LED像素就会有电流流过，从而发光。这就是本发明中提出的“局部无源选址”工作方式。

图5为根据本发明实施方式的、分辨率为32×32的LED阵列基本单元100的64个信号输入端(输入电极矩阵)的分布示意图，“R1”代表第一行，“C1”代表第一列，其余皆同。附图4中的64个输入电极(R1～R32，C1～C32)制备完成后，沉积一层绝缘层，然后通过重新布线来对这64个电极做重新分布，形成按照矩阵形式排列的输入电极矩阵，分布结构如图5所示。这样使64个电极按照8×8的阵列重新分布在LED阵列基本单元的范围内。然后为每一个电极均制备一层金属焊盘，为后面的倒装芯片做准备。需要说明的是，图4和图5中均示出了一个LED阵列基本单元，而根据本发明的优选实施例，本发明所公开的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，包括至少一个LED阵列基本单元。

图6为根据本发明实施方式的、硅基有源基板的结构示意图。

如图6所示，所述硅基有源基板600包括信号输入模块602、行扫描电路603、列扫描电路604和至少一个硅基有源基板基本单元601。所述硅基有源基板基本单元601的数量与图4和图5所示出的LED阵列基本单元100的数量相同，并且每个所述LED阵列基本单元100对应一个所述硅基有源驱动基板基本单元601，所述至少一个LED阵列基本单元100和所述至少一个硅基有源驱动基板基本单元601通过倒装芯片技术键合在一起。

在本发明中，所述信号输入模块602用于接收外部控制信号。所述行扫描电路和列扫描电路包括移位寄存电路，其用于按照时钟顺序为每个硅基有源驱动基板基本单元601提供行扫描和列扫描信号。

根据本发明的一个优选实施例，所述LED阵列基本单元100和所述硅基有源驱动基板基本单元601的数量均是64。整个硅基有源驱动基板包括64个硅基有源驱动基板基本单元，整个硅基有源驱动基板通过行扫描电路和列扫描电路来控制这64个硅基有源驱动基板基本单元。

图7为根据本发明实施方式的、硅基有源基板所包括的行扫描电路和列扫描电路的结构示意图。所述行扫描电路和列扫描电路分别包括移位寄存电路701和电平转换电路702，其功能为：在系统时钟作用下，按顺序为每个硅基有源驱动基板基本单元提供行扫描和列扫描信号。其中，移位寄存电路701的作用为，在时钟(Rclk)和使能信号(R0，R1)的作用下，每一个时钟周期内输出一对信号脉冲(SV，SVB)。这样按照时钟由第一行(第一列)到最后一行(最后一列)逐次输出信号脉冲。需要说明的是，图7所示出的移位寄存电路仅是示例性的，本发明所采用的移位寄存电路并不限于图7所示的移位寄存电路，本领域技术人员完全可以采用其他结构的移位寄存电路来实现相同的功能。

图8为根据本发明实施方式的、硅基有源基板上的硅基有源基板基本单元的结构示意图。该硅基有源基板基本单元与图4和图5所示出的分辨率为32×32的LED阵列基本单元相对应。

如图8所示，硅基有源基板基本单元601包括：信号接收单元802、行驱动电路803、列驱动电路804和输出电极矩阵805。

根据本发明的优选实施例，所述输出电极矩阵605包括64个输出电极，按照8×8的矩阵形式排列，由此可以看出，硅基有源基板基本单元601所包括的输出电极矩阵605与图5所示的输入电极矩阵相对应。在每一个输出电极上均制备一个金属焊球。每一个金属焊球均对应附图5中的一个金属焊盘。金属焊球和金属焊盘的连接方式如图10所示，下面将会对此作出进一步的说明。

所述信号接收单元802用于接收硅基有源驱动基板上的行扫描电路603和列扫描电路604的输出信号，并为硅基有源驱动基板基本单元601中的行驱动电路803和列驱动电路804提供时钟、电源、接地和使能工作信号。

图9A为根据本发明实施方式的、硅基有源基板基本单元所包括的行驱动电路803的结构示意图。图9B为根据本发明实施方式的、硅基有源基板基本单元所包括的列驱动电路804的结构示意图。

如图9A所示，行驱动电路803包括移位寄存电路901和电流源电路902。当某一行选通时，为R1-R32中选通的该行提供电流信号。具体的，在时钟信号的作用下，所述移位寄存电路901在每一个时钟周期输出一个信号脉冲给电流源电路，电流源电路902接到信号脉冲后会输出电流给对应的金属焊球，然后电流通过金属焊球-金属焊盘的连接加到对应的某一行LED像素的阳极。

如图9B所示，列驱动电路804包括移位寄存电路903和电平转换电路904。当某一列选通时，为C1-C32中选通的列提供接地信号。具体的，在时钟信号的作用下，移位寄存电路903每一个时钟周期内输出一个信号脉冲给电平转换电路904。电平转换电路904接到信号脉冲后会输出接地信号给对应的金属焊球。然后接地信号通过金属焊球-金属焊盘的连接加到对应的某一列LED像素的阴极。

需要说明的是，图9A和图9B所示出的行/列驱动电路仅是示例性的，本发明所采用的行/列驱动电路并不限于此，本领域技术人员完全可以采用其他结构的行/列驱动电路来实现相同的功能。

当R1-R32中某行如R10选通，同时C1-C32中某列如C10选通时，电流即会从R10经过R10和C10交叉处的LED像素(如附图4所示)流向C10的接地信号。此时，R10和C10交叉处的LED像素即会发光。

下面对点亮R10和C10交叉处的LED像素作进一步的说明，以便能更好的理解本发明。

首先，硅基有源驱动基板上的信号输入模块接收外部控制信号，在本实施例中，所述外部控制信号即为某个LED像素阵列单元的R10和C10交叉处的LED像素。然后，通过硅基有源驱动基板上的行/列扫描电路来控制与所述某个LED像素阵列单元相对应的硅基有源驱动基板基本单元，所述行/列扫描电路的输出信号输出到硅基有源驱动基板基本单元的信号接收单元，所述信号接收单元接收到所述信号后，控制硅基有源驱动基板基本单元的行/列驱动电路，由所述行/列驱动电路对输出电极矩阵中的某个输出电极施加驱动电流或者接地(具体操作在下面将会进行详细的描述)。在本实施例中，输出电极矩阵共有64个输出电极，按照8×8矩阵排列。其中32个行电极(R1-R32)对应“LED阵列基本单元”的32行，外32个列电极(C1-C32)对应“LED基本单元”的32列。输出电极矩阵的每一个电极上面都有一个焊球，该焊球通过倒装焊和“LED阵列基本单元”32个行电极和32个列电极的焊盘连接。在本实施例中，LED阵列基本单元分辨率为32×32，共1024个LED像素。

具体的，行驱动电路中的移位寄存电路是按照时钟顺序由上到下(或者由下到上)从第一行扫描到最后一行。如R1-R32共32个电极，可按照4行×8列进行排列(此处的4行×8列表示的是32个行电极的排列。而这32个行电极分别连接到32×32的LED阵列基本单元的32行)。一个时钟周期扫描一行，则需要4个时钟周期完成4行的扫描。如需扫描LED矩阵基本单元的第10行，则需扫描R10，在附图5中可以发现R10位于第2行第2列，所以在第2个时钟周期内，由行驱动电路对第二行输出信号脉冲，这个信号脉冲会加到连接R10的电流源上面。电流源电路接到信号脉冲后会输出电流给对应的金属焊球，然后电流通过金属焊球-金属焊盘的连接加到对应的第10行LED像素的阳极。

列驱动电路中的移位寄存电路是按照时钟顺序由上到下(或者由下到上)从第一列扫描到最后一列。如C1-C32共32个电极，可按照4行×8列进行排列(此处的4行×8列表示的是32个列电极的排列。而这32个列电极分别连接到32×32的LED矩阵基本单元的32列)。一个时钟周期扫描一列，则需要4个时钟周期完成4列的扫描。如需扫描LED矩阵基本单元的第10列，则需扫描C10，在附图5中可以发现C10位于第2行第2列，所以在第2个时钟周期内，由列驱动电路对第二列输出信号脉冲，这个信号脉冲会加到连接C10的电平转换电路上面，电平转换电路会输出接地信号，然后接地信号通过金属焊球-金属焊盘的连接加到对应的第10列LED像素的阴极。

这样，对于32×32的LED阵列基本单元来说，第10行有电流输入，第10列有接地，而其他行和列都是断开的。也就是说，只有第10行和第10列交叉点的那个LED像素能够同时有电流信号(阳极)和接地信号(阴极)，从而发光。第10行的其他LED像素只有电流信号，没有接地。第10列的其他LED像素只有接地，没有电流信号，都不能形成电流回路，因此不能发光。其他行和列的LED像素既没有电流信号也没有接地，更加无法发光。

在接下来的倒装芯片工艺中，通过回流处理，将所述金属焊盘和所述金属焊球键合在一起，即，该金属焊球会和附图5中提到的LED阵列基本单元的金属焊盘互相对应并键合在一起，从而使硅基有源基板基本单元601的输出信号流过焊球-焊盘，然后加到LED阵列基本单元的行扫描电极和列扫描电极上面。

图10为根据本发明实施方式的、倒装芯片完成后的示意图。由图10可以看出，LED阵列基本单元中的焊盘104(或者105)和硅基板上输出电极的焊球203键合在一起。

图11为根据本发明实施方式的、由64个分辨率为32×32的基本单元组成更高分辨率的LED微显示器的结构示意图。图11中64个分辨率为32×32的基本单元按照8×8阵列的排列方式组成了一个分辨率为256×256的LED微显示器。由于每个基本单元中的行扫描信号和列扫描信号均由硅基有源基板上的硅基有源基板基本单元控制，因此即使分辨率很高，硅基有源基板基本单元的驱动能力也完全能够满足需求，不会出现传统无源选址显示方式中的“负载效应”。并且流经LED像素的电流完全由硅基有源基板基本单元中的恒流电流源提供，而不是像传统的无源选址显示方式中电流由高速的扫描信号提供，因此减少了寄生电阻和寄生电容中产生的能量消耗，提高了效率并降低了发热量。这就是本发明提出的“局部无源选址-整体有源选址”驱动方式。

以分辨率为32×32的基本单元为基础，不同数目该基本单元的组合会产生不同的分辨率。具体的数目和排列方式可按照实际需求进行调整。由于整体采用有源选址的驱动方式，即使分辨率达到7680×4320甚至更高，本发明中提出的LED微显示器也会具有足够的驱动能力。下面的表1示出了不同的显示分辨率与所需基本单元数目的对应关系。

目标分辨率	基本单元分辨率	所需基本单元数目
				1024×768	32×32	32×24＝768
1280×800	32×32	40×25＝1000
				1440×900	32×32	45×29＝1305
1680×1050	32×32	53×33＝1749
				1920×1080	32×32	60×34＝2040
3840×2160	32×32	120×68＝8160
				7680×4320	32×32	240×136＝16320
......	......	......	......

表1不同的显示分辨率与所需基本单元数目的对应关系

需要说明的是，基本单元的分辨率可由本领域技术人员根据实际要求做出选择，可以是但不限于本例中所示的32×32。

以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (4)

1.一种采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，包括至少一个LED阵列基本单元和一个硅基有源驱动基板，其特征在于，所述硅基有源驱动基板包括至少一个硅基有源驱动基板基本单元，所述LED阵列基本单元的数量与所述硅基有源驱动基板基本单元的数量相同，并且每个所述LED阵列基本单元对应一个所述硅基有源驱动基板基本单元，所述至少一个LED阵列基本单元和所述至少一个硅基有源驱动基板基本单元通过倒装芯片技术键合在一起，其中：

每个所述LED阵列基本单元均包括多个LED像素，以及多条行扫描线和多条列扫描线；所述多个LED像素按照矩阵形式排列，每个LED像素的P电极连接到对应的列扫描线；每个LED像素的N电极连接到对应的行扫描线，每一条行扫描线均连接到左边的行扫描电极，每一条列扫描线均连接到底部的列扫描电极，对形成的所述行扫描电极和列扫描电极进行重新布线，形成按矩阵形式排列的输入电极矩阵，并为所述输入电极矩阵中的每个所述行扫描电极和列扫描电极制备一层金属焊盘；

所述硅基有源驱动基板包括至少一个硅基有源驱动基板基本单元，每个所述硅基有源驱动基板基本单元均包括一个输出电极矩阵，所述输出电极矩阵与所述输入电极矩阵相对应，其包括按按矩阵形式排列的多个输出电极，在每一个输出电极上均制备一个金属焊球，每一个金属焊球均对应所述输入电极矩阵中的一个金属焊盘，通过回流处理，将所述金属焊盘和所述金属焊球键合在一起。

2.根据权利要求1所述的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，其特征在于，所述硅基有源基板还包括信号输入模块、行扫描电路和列扫描电路，所述信号输入模块用于接收外部的控制信号，所述行扫描电路和列扫描电路包括移位寄存电路，其用于按照时钟顺序为每个硅基有源驱动基板基本单元提供行扫描和列扫描信号。

3.根据权利要求2所述的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，其特征在于，所述硅基有源驱动基板基本单元还包括信号接收单元、行驱动电路和列驱动电路，其中，

所述信号接收单元用于接收所述硅基有源驱动基板上的行扫描电路和列扫描电路的输出信号，并为硅基有源驱动基板基本单元中的行驱动电路和列驱动电路提供时钟、电源、接地和使能工作信号；

所述行驱动电路包括移位寄存电路和电流源电路，当某一行选通时，为选通的该行提供电流信号；

所述列驱动电路包括移位寄存电路和电平转换电路，当某一列选通时，为选通的该列提供接地信号。

4.根据权利要求1至3任一项所述的采用有源/无源混合选址的LED微显示装置，其特征在于，所述LED阵列基本单元的分辨率为32×32，共有1024个LED像素；所述输入电极矩阵和输出电极矩阵均包括64个电极，所述64个电极按照8×8的阵列分布。