TWI603466B - 帶有基結線之主動矩陣顯示面板 - Google Patents

帶有基結線之主動矩陣顯示面板 Download PDF

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Description

帶有基結線之主動矩陣顯示面板 【相關申請案】
本申請案為申請於2012/12/10日申請之美國專利申請案第13/710,443號之部分連續案，第13/710,443號申請案由引用併入本申請案中。
本發明的實施例關於顯示系統。本發明的實施例特別是關於一種用於一主動矩陣顯示面板的接地結構。
平板顯示器於廣泛的電子設備中日益普及。平板顯示器常見的類型包括主動矩陣顯示器與被動矩陣顯示器。主動矩陣顯示器面板的每一像素由主動驅動電路所驅動，而被動矩陣顯示面板的每一像素不使用這樣的驅動電路。高解析度彩色顯示面板，比如現代電腦顯示器、智慧型手機及電視典型地使用一主動矩陣顯示面板結構以獲得較佳的影像品質。
正在尋找商業應用的一種顯示面板為主動矩陣有機發光二極體顯示面板。第1圖為一頂部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的俯視圖。第2圖為沿著像素區域104內 的X-X線及跨越非像素區域中接地環116的Y-Y線，第1圖的剖面側視圖。說明於第1圖至第2圖的主動矩陣有機發光二極體顯示面板100大體包括薄膜電晶體基板102，該薄膜電晶體基板102支援一像素區域104及該像素區域102外的非像素區域。薄膜電晶體基板102也被稱為背板。已進一步處理，以額外包括該像素區域與非像素區域的薄膜電晶體基板也通常被稱為背板。使用於主動矩陣有機發光二極體的二種主要的薄膜電晶體基板技術包括多晶矽與非晶矽。這些技術提供用於在低溫(低於200℃)直接製造主動矩陣背板到柔性塑料基板上用於生產柔性主動矩陣有機發光二極體顯示器的可能性。像素區域104大體包括像素106及排列於一矩陣中的子像素108，與連接到每一子像素，用於驅動及切換子像素的一組薄膜電晶體及電容器。非像素區域大體包括連接到每一子像素的資料線之一資料驅動器電路110，以致能資料訊號(Vdata)被發送到該子像素；連接到子像素驅動線路的一掃描驅動器電路112，以致能掃描訊號(Vscan)被發送到該等子像素；一電源線114，發送功率訊號(Vdd)到薄膜電晶體；與一接地環116，發送接地訊號(Vss)至子像素陣列。如圖所示，該資料驅動器電路、掃描驅動器電路、電源線與接地環都連接到一柔性電路板113中，該柔性電路板113包括用於供應電力至電源線114的一電源與電連接至接地環116的一電源接地線。
在該示例性的主動矩陣有機發光二極體背板配置中，一有機薄膜120與一頂部電極118佈設於像素區域104 中的每一子像素108上。有機薄膜120可包括多個層，比如電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。有機薄膜120的多個層典型地形成於全部像素區域104上，然而，發光層通常藉一遮罩僅沉積於子像素開口127中及對應於用於子像素108陣列的發射區域的底部電極層124上。一頂部電極層118接著沉積於該有機薄膜之上，於像素區域104及非像素區域內，以便頂部電極118層重疊該接地環116以傳送接地訊號至子像素陣列。以這種方式，當一均勻的接地訊號被供給至像素區域104的頂部時，每一子像素108能被個別地定址到對應在下方的薄膜電晶體電路。
在所說明的特定實施例中，薄膜電晶體基板102包 括連接到由一資料驅動器電路110而來的一資料線111之一切換電晶體T1，及連接到與電源線114連接的一電線115之一驅動電晶體T2。切換電晶體T1的閘極也可連接到由掃描驅動器電路112而來的一掃描線路(未示出)。一平坦化層122形成於薄膜電晶體基板上，開口形成以曝露薄膜電晶體工作電路。如繪示般，一底部電極層124形成於平坦化層上，與薄膜電晶體電路電連接。在電極層形成後，一像素界定層125形成，該像素界定層125包括對應於用於子像素108陣列的發射區的一子像素開口127陣列，接著有機層120與頂部電極層118沉積於圖案化的像素界定層之上，且於圖案化的像素界定層125的子像素開口127內。頂部電極層118額外地形成於非像素區域且與接地環116電連接。
平坦化層122可作用以防止(或保護)有機層120 與底部電極層124免於因斷差造成的短路。範例的平坦化層122材料包括苯並環丁烯與丙烯酸樹脂。像素界定層125能由一材料，比如聚醯亞胺，所形成。底部電極124普遍地形成於氧化銦錫、氧化銦錫/銀、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅或氧化銦錫/銀合金/氧化銦錫上。 頂部電極層118由一透明材料，比如用於頂部發光的氧化銦錫，所形成。
主動矩陣有機發光二極體顯示面板大體比液晶顯示 器面板耗費較少能量，主動矩陣有機發光二極體顯示面板仍能是電池操作設備的主要電力消費者。為了延長電池壽命，減少顯示面板的功耗是必要。
一顯示面板與形成一顯示面板的方法描述於此。在一實施例中，一顯示面板包括一薄膜電晶體基板，該薄膜電晶體基板包括一像素區域與一非像素區域。譬如，非像素區域可環繞該像素區域。像素區域包括一堆積開口陣列與在堆積開口陣列內的底部電極陣列。底部電極陣列可形成於對應的堆積開口陣列的側牆上，且對可見光波長範圍是可反光的。在一實施例中，一焊接材料柱形成於每一堆積開口內的底部電極上，以助一微型發光二極體設備結合至底部電極。
一接地線形成於非像素區域中，一基結線陣列運行於在像素區域中的堆積開口之間及電連接至該非像素區域中的接地線。在一實施例中，接地線為一接地環，且該基結線陣列電連接至像素區域相對側的接地環上。
在一實施例中，一圖案化絕緣層覆蓋該底部電極陣 列，一開口陣列形成於曝露底部電極陣列的圖案化絕緣體中。以這種方式，該圖案化絕緣層可覆蓋底部電極陣列的邊緣。另一開口陣列也可形成於曝露基結線陣列的圖案化絕緣層中。
在一實施例中，一微型發光二極體設備陣列在對應 堆積開口陣列內的底部電極陣列上。譬如，該微型發光二極體設備可為垂直微型發光二極體設備，並可具有1μm-100μm的最大寬度。一透明鈍化層能形成並跨越微型發光二極體設備陣列的側牆而無須完全覆蓋每一微型發光二極體設備的頂部導電接點。在一實施例中，一頂部電極層陣列形成於微型發光二極體設備陣列與基結線陣列之上，並與該微型發光二極體設備陣列與基結線陣列電接觸。譬如，每一頂部電極層可電連接複數個微型發光二極體設備至一單基結線。頂部電極層也可由一透明或半透明材料，比如聚乙撑二氧噻吩或氧化銦錫，所形成。在另一實施例中，經由曝露該基結線陣列的一開口陣列，該頂部電極層陣列形成在該微型發光二極體設備陣列與該基結線陣列之上，且與該微型發光二極體設備陣列與該基結線陣列電接觸。
在一實施例中，形成顯示面板的一方法包括由一載 體基板轉移一微型發光二極體設備陣列至一背板，該背板包含一薄膜電晶體基板，該薄膜電晶體基板包括一像素區域與一非像素區域，在該處像素區域包括一堆積開口陣列與在堆積開口陣列中的底部電極陣列。薄膜電晶體基板也包括一於 非像素區域中的接地線，及一基結線陣列，該基結線陣列運行於像素區域中的堆積開口，並電連接至非像素區域中的接地線。在一實施例中，一頂部電極層沉積於微型發光二極體設備陣列的所有微型發光二極體設備之上。在一實施例中，頂部電極層跨越複數個微型發光二極體設備。頂部電極層可額外地由噴印或網印所形成。譬如，複數個隔離電極層能被噴墨印製，同時每一隔離頂部電極層跨越至少一微型發光二極體設備與至少一基結線。噴印也可包括形成於一開口內的頂部電極層，該開口跨越一或多個基結線。
在一實施例中，微型發光二極體設備陣列的傳送依 靜電原理，使用一靜電傳送頭陣列而執行。此外，微型發光二極體設備陣列的結合可包括一金屬間化合物的形成，且可包括液化形成於底部電極陣列上的一結合層陣列。結合與液化可由靜電傳送頭陣列至形成於底部電極陣列上的結合層陣列傳送熱能，部分地實現。
T2‧‧‧驅動電晶體
100‧‧‧顯示面板
102‧‧‧薄膜電晶體基板
104‧‧‧像素區域
106‧‧‧像素
108‧‧‧子像素
110‧‧‧資料驅動器電路
111‧‧‧資料線
112‧‧‧掃描驅動器電路
113‧‧‧柔性電路板
114‧‧‧電源線
115‧‧‧電線
116‧‧‧接地環
117‧‧‧開口層
118‧‧‧頂部電極層
120‧‧‧有機薄膜
122‧‧‧平坦化層
124‧‧‧底部電極層
125‧‧‧像素界定層
126‧‧‧堆積層
127‧‧‧子像素開口
128‧‧‧堆積開口
130‧‧‧開口
131‧‧‧開口
132‧‧‧開口
134‧‧‧基結線
140‧‧‧結合層
142‧‧‧底部電極
144‧‧‧基結線
145‧‧‧開口層
146‧‧‧絕緣層
148‧‧‧堆積開口
149‧‧‧開口
150‧‧‧熱分配板
151‧‧‧開槽
152‧‧‧加熱器
200‧‧‧載體基板
202‧‧‧熱分配板
204‧‧‧加熱器
300‧‧‧傳送頭基板
302‧‧‧傳送頭
304‧‧‧熱分配板
306‧‧‧加熱器
400‧‧‧微型發光二極體設備
400R‧‧‧微型發光二極體設備
400G‧‧‧微型發光二極體設備
400B‧‧‧微型發光二極體設備
410‧‧‧結合層
414‧‧‧頂部n摻雜層
416‧‧‧量子井層
418‧‧‧下部p摻雜層
420‧‧‧底部導電接點
450‧‧‧微型pn二極管
451‧‧‧底部表面
452‧‧‧頂部導電接點
453‧‧‧側牆
1000‧‧‧顯示器系統
1010‧‧‧處理器
1020‧‧‧資料接收器
第1圖為一頂部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的俯視圖。
第2圖為沿著X-X線及Y-Y線，第1圖之頂部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的剖面側視圖。
第3A圖為依據發明一實施例的一主動矩陣顯示面板的俯視圖。
第3B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線，第3A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。
第3C圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y 線，第3A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖，在其中基結線與接地環形成於一圖案化的堆積層內。
第3D圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y 線，第3A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖，在其中基結線與接地環形成於一圖案化的堆積層之下。
第4A圖至第4H圖為依據發明一實施例，用於說明 轉移一微型發光二極體設備陣列至一薄膜電晶體基板的方法的剖面側視圖。
第5A圖至第5C圖為依據發明一實施例，用於說明 一系列轉移具不同顏色發射的一微型發光二極體設備陣列的俯視圖。
第6A圖為依據一實施例之頂部電極層形成後的一主動矩陣顯示面板的俯視圖。
第6B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線，第6A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。
第6C圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線說明形成於圖案化的堆積層上的一鈍化層，第6A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。
第7A圖為依據一實施例之頂部電極層形成後的一主動矩陣顯示面板的俯視圖。
第7B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線，第7A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。
第8A圖為依據一實施例之隔離頂部電極層形成後 的一主動矩陣顯示面板的俯視圖。
第8B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y 線，第8A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。
第8C圖為依據發明一實施例之一刻劃的頂部電極 層的俯視示意圖。
第9A圖為依據發明一實施例之包括基結線的一頂 部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的俯視圖。
第9B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y 線，第9A圖之頂部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的側視圖。
第9C圖為依據發明一實施例之包括基結線的一頂 部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的俯視圖。
第9D圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y 線，第9C圖之頂部發光主動矩陣有機發光二極體顯示面板的側視圖。
第10圖為依據發明一實施例的一顯示器系統的示 意圖。
本發明的實施例關於顯示器系統。本發明的實施例特別是關於用於一主動矩陣顯示面板的接地結構。
在一實施例中，一主動矩陣顯示面板包括一基結線的佈置，該基結線運行於顯示面板的一像素區域中之堆積開口間。一頂部電極層能沉積於堆積開口內的所有發光二極體之上且與基結線電接觸，或該隔離頂部電極層能沉積於堆積 開口內的一或多個發光二極體之上且與一或多個基結線電接觸。在一態樣中，基結線的佈置可更均勻地分布接地訊號至顯示面板上的發光二極體陣列中，因而提供跨越面板更均勻的光發射。在另一態樣中，由減少發光二極體至接地線之電路徑的接觸電阻，基結線的佈置致能顯示面板耗能的減少，在該處通過頂部電極層的電路徑距離，由連接頂部電極層至較頂部電極層更高的導電性的一基結線而減少。
在又一態樣中，發明的實施例描述一主動矩陣顯示 面板，其包括晶圓基發射微型發光二極體設備。一微型發光二極體設備結合晶圓基發光二極體設備的性能、效率和可靠性，並具有用來形成主動矩陣有機發光二極體背板的薄膜電子產品之產量高、成本低及混合材料。用於此處的術語「微」設備或「微」發光二極體結構可代表依據發明實施例的某些設備或結構的描述性的尺寸。如本文所用，術語「微」設備或結構意味代表1至100μm的尺度。然而，但是應當理解的是本發明的實施例不一定如此受限，實施例的某些態樣可適用於較大的，也可能更小的尺度。在一實施例中，一顯示面板相似於典型的有機發光二極體顯示面板，具有已於每一子像素替換有機發光二極體顯示面板的有機層之微型發光二極體設備。可被利用於發明的某些實施例之範例微型發光二極體設備揭露於美國專利申請案第13/372,222號、第13/436,260號、第13/458,932號、第13/711,554號及第13/749,647號中，所有的申請案在此引入作為參考。相較於5-10瓦於10英吋對角液晶顯示器或有機發光二極體顯示器，微型發光二極體設 備是一種高效的光發射且消耗非常少的能量(例如，對於10英吋對角顯示器消耗250毫瓦)，致能顯示面板耗能的減少。
在各個實施例中，參照附圖而描述。然而，某些實 施例可被實行而無須一或多個這些具體的細節，或與其它已知方法及配置的組合。在下面的描述中，對大量的具體細節進行了闡述，比如具體配置、尺寸和製程等，以提供本發明透徹的理解。在其它實例中，為了避免不必要的含糊本發明，眾所周知的半導體製程和製造技術沒有特別詳細地描述。在整個說明書中引用「一實施例」意味針對實施例描述的特定特徵、結構、配置或特點，包括於發明的至少一實施例中。 從而，「在一實施例中」這句話出現於整個說明書中各處而不必代表相同的發明實施例。此外，該特定特徵、結構、配置或特點可以任何適合的方式於一或多個實施例中結合。
如本文所用的術語「跨越」、「之上」、「至」、 「間」與「上」可代表一層相對於其它層的相對位置。一層「跨越」另一層、在另一層「之上」或「上」，或結合「至」或「接觸」另一層可以是直接接觸其它層或可具有一或多個介入層。一層與他層「間」可以直接接觸他層或可具有一或多個介入層。
現在參照第3A圖與第3B圖，一實施例說明相似於 一主動矩陣有機發光二極體背板的一背板被修改以接收發射的微型發光二極體設備，而不是一有機發光層。第3A圖為依據一實施例之主動矩陣顯示面板的俯視圖，第3B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線，第3A圖之主動矩陣顯 示面板的側視圖。在這樣的一實施例中，在下方的薄膜電晶體基板102能相似於關於第1圖至第2圖描述典型的主動矩陣有機發光二極體背板，包括工作電路(例如T1、T2)與平坦化層122。開口131可形成於平坦化層122，以接觸工作電路。工作電路能包括傳統的2T1C(二個電晶體、一個電容器)電路，包括一切換電晶體、一驅動電晶體與一存儲電容器。 但是應當理解該2T1C電路意味著是範例性的，依據發明實施例，亦考量其它形式的電路或傳統2T1C電路的改良。譬如，更複雜的電路能被用來補償驅動電晶體與發光設備的製程變化，或補償它們的不穩定性。此外，雖然關於薄膜電晶體基板102中頂部閘極電晶體結構描述及說明發明實施例，但發明實施例也考量底部閘極電晶體結構的使用。同樣地，雖然關於一頂部發光結構描述及說明發明實施例，但發明實施例也考量底部發光結構或頂部與底部同時發光結構。此外，以下發明實施例描述及說明具體地關於一高側驅動配置，包括基結線及接地環。在一高側驅動配置中，一發光二極體可於一P型通道金屬氧化物半導體驅動電晶體的汲極側上，或於一N型通道金屬氧化物半導體驅動電晶體的源極側上，以便電路推動電流經過發光二極體的p端子。發明實施例沒有這般的限制，也可以一下側驅動配置實行，在這種情況下，基結線與接地環變成面板中的電線，電流被拉通過發光二極體的n端子。
一圖案化的堆積層126，包括堆積開口148，接著形成於平坦化層122之上。堆積層126可由各種技術，比如噴 印、網印、層壓、旋塗、化學氣相沉積及物理氣相沉積，而形成。對可見波長而言，堆積層126可為不透明的、透明的或半透明的。堆積層126可由各種絕緣材料，諸如但不限定於，感光丙烯酸樹脂、光致抗蝕劑、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯並環丁烯(苯並環丁烯)、聚醯亞胺、丙烯酸酯、環氧樹脂和聚酯纖維所形成。在一實施例中，堆積層由不透明材料，比如黑色基質材料，所形成。範例的絕緣黑色基質材料包括有機樹脂、玻璃膏及樹脂或膏，包括黑色顏料、金屬顆粒，比如鎳、鋁、鉬以及它們的合金、金屬氧化物顆粒(例如氧化鉻)，或金屬氮化物粒子(例如氮化鉻)。
依據發明實施例，關於下列圖描述的堆積層126的 厚度及堆積開口128的寬度可取決於被安裝於該開口內的微型發光二極體設備之高度、轉移微型發光二極體設備的傳送頭高度及解析度。在一實施例中，顯示面板的解析度、像素密度及子像素密度可說明堆積開口128的寬度。對於一範例的55英吋電視機，具有40PPI(每英吋像素數)及211μm子像素間距，堆積開口128的寬度可為幾微米至206μm，以說明一圍繞的堆積結構。對於一範例的顯示面板，具有440PPI及一19μm子像素間距，堆積開口128的寬度可為幾微米至14μm，以說明一範例的5μm寬的圍繞堆積結構。 堆積結構的寬度(即於堆積開口128間)可為任何適合的尺寸，只要結構支持需要的製程且可擴展到所需的PPI。
依據發明實施例，堆積層126的厚度不太厚，以供 堆積結構發揮其功能。厚度可由微型發光二極體設備高度與一預定的視角所決定。譬如，如果堆積開口128側牆與平坦化層122間產生一角度，較淺的角度可與系統較廣的視角有關聯。在一實施例中，堆積層126示範的厚度可介於1μm至50μm間。
一圖案化的導電層接著形成於圖案化的堆積層126 上。參照第3B圖，在一實施例中圖案化的導電層包括一底部電極142，該底部電極142形成於堆積開口148內且與工作電路電接觸。圖案化的導電層也可選擇性地包括該基結線144及/或接地環116。如本文所用，術語接地「環」不需要是圓形的圖案，或完全包圍一物體的圖案。相反地，術語接地「環」意味一圖案至少部分地包圍該像素區域的三側。此外，雖然關於一接地環116描述及說明下方實施例，但是應當理解的是發明實施例也能實現藉由一接地線沿像素區域的一側(例如左、右、底、頂)，或二側(左、右、底、頂的二個組合)而運行。從而，應當理解的是在下面的描述中，參照一接地環及其說明，在系統需求所允許時接地環可能潛在性地被一接地線所取代。
圖案化的導電層可由許多導電及反光材料所形成， 且可包括超過一層以上。在一實施例中，圖案化的導電層包含一金屬膜，比如鋁、鉬、鈦、鈦-鎢、銀或金，或其合金。 圖案化的導電層可包括一導電材料，比如非晶矽、透明導電氧化物，比如氧化銦錫與氧化銦鋅、碳奈米管薄膜或透明導電聚合物，比如聚3,4-乙撑二氧噻吩(聚乙撑二氧噻吩)、 聚苯肢、聚乙炔、聚吡咯與聚噻吩。在一實施例中，圖案化的導電層包括一疊的導電材料與一反光導電材料。在一實施例中，圖案化的導電層包括一3層堆疊，包括了頂部與底部層及一反光中間層，其中頂部與底部層之一或二者為透明的。在一實施例中，圖案化的導電層包括一導電氧化物-反光金屬-導電氧化物的3層堆疊。導電氧化層可以是透明的。譬如，圖案化的導電層可包括一氧化銦錫-銀-氧化銦錫層堆疊。在這樣的配置中，頂部與底部氧化銦錫層可防止反光金屬(銀)層的擴散及/或氧化。在一實施例中，圖案化的導電層包括一鈦-鋁-鈦堆疊，或一鉬-鋁-鉬-氧化銦錫堆疊。在一實施例中，圖案化的導電層包括一氧化銦錫-鈦-鋁-鈦-氧化銦錫堆疊。在一實施例中，圖案化的導電層的厚度為1μm或更薄。圖案化的導電層可使用合適的技術，例如，但不限於物理氣相沉積，而沉積。
在底部電極142、基結線144及接地環116形成後，一絕緣層146可接著選擇性地形成於薄膜電晶體基板102之上，覆蓋圖案化導電層的側牆。絕緣層146可至少部份地覆蓋形成底部電極142、基結線144及/或接地環116的反光層與堆積層126。
在一實施例中，絕緣層146藉毯沉積由使用一合適的技術，比如層壓、旋塗、化學氣相沉積和物理氣相沉積而形成，接著使用一合適的技術圖案化，比如光刻技術，以形成曝露底部電極142的開口、曝露基結線144的開口149，及曝露接地環116的開口130。在一實施例中，噴印或網印可被 用以形成絕緣層146與開口149而不需光刻技術。絕緣層146可由各種材料，例如，但不限於二氧化矽、氮化矽、聚甲基丙烯酸甲酯、苯並環丁烯、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、環氧樹脂和聚酯纖維而形成。譬如，絕緣層146的厚度可為0.5μm。絕緣層146可以是透明的或半透明的，形成於反光層之上，在堆積開口128內底部電極142的側牆上，以不顯著降地降低完成系統的發光萃取。絕緣層146的厚度也可被控制以增加光萃取效率，於發光設備陣列傳送至反光堆積結構期間，也不會干預傳送頭陣列。圖案化絕緣層146是可選的，並代表為電分離導電層的一種方式，將在下面的描述中變得更明顯。
在說明於第3B圖的實施例中，底部電極142、基結 線144與接地環116能由相同的導電層所形成。在另一實施例中，基結線144及/或接地環116能用不同於底部電極142的導電材料所形成。譬如，基結線14與接地環116可以具有比底部電極142更高導電性的材料而形成。在另一實施例中，基結線14及/或接地環116也能形成於不同於底部電極的層內。第3C圖至第3D圖說明基結線144與接地環116能形成於圖案化的堆積層126內或下方的實施例。譬如，在說明於第3C圖的實施例中，當形成基結線144與接地環116時，開口149、130可經過圖案化的堆積層126所形成。在說明於第3D圖的實施例中，開口149、130可經過圖案化的堆積層126與平坦化層122形成，以接觸基結線144與接地環116，該基結線144與接地環116可能已於薄膜電晶體基板102的工作 電路形成過程中形成。在這樣一實施例中，用來形成底部電極142的導電層也可選擇性地包括介層開口層145與117，以進一步使得頂部電極層能夠經過開口149與130分別與基結線144及接地環116形成電接觸。從而，應當理解說明於第3C圖至第3D圖的實施例並未受限，除了開口149、130，存在許多用於形成基結線144與接地環116的可能開口，個別地曝露基結線144及/或接地環116。
仍參照說明於第3B圖至第3D圖的實施例，一結合 層140可形成於底部電極層142上，以便利微型發光二極體設備的結合。在一實施例中，結合層140因其功能被選擇，經結合機制，比如共晶合金結合、瞬態液相結合或描述於美國專利申請案第13/749,647號中的固態擴散結合，以與微型發光二極體設備(尚未放置)上的一結合層相互擴散。在一實施例中，結合層140具有250℃或更低的熔化溫度。譬如，結合層140可包括焊接材料，比如錫(232℃)或銦(156.7°C)，或其合金。結合層140也可是一個柱子的形狀，具有的高度大於寬度。依據某些發明實施例，較高的結合層140可提供額外的自由度於系統元件調平，比如於微型發光二極體設備傳送作業期間，具有薄膜電晶體基板的微型發光二極體設備陣列之平面度，及於當它們在結合期間散佈在表面的液化結合層高度變化，微型發光二極體設備高度變化，該結合比如共晶合金結合及瞬時液相結合。結合層140的寬度可小於微型發光二極體底部表面的寬度，以防止結合層140於微型發光二極體側牆周遭通過毛細現象被帶走，以及量子井結 構短路。
在描述的實施例中，基結線144的排列運行於在顯 示面板100的像素區域104的堆積開口128間。此外，複數個開口149曝露複數個基結線144。開口149的數量可或可不必具有與堆積開口128的列數(從上到下)間1：1的相關性。 譬如，在說明於第3A圖的實施例中，每一列堆積開口128有一基結開口149形成，然而，這不是必需的，基結開口149的數量可以是比堆積開口128的列數多或少。同樣地，基結線144的數量可或可不必具有與堆積開口的行數(由左至右)間1：1的相關性。譬如，在描述實施例中，每二列堆積開口128有一基結線144，然而，這不是必需的，基結線144的數量可具有與堆積開口128的行數間1：1，或任何1：n的相關性。
雖然上述實施例已藉基結線144水平地由左至右穿越顯示面板100運行而描述及說明，但實施例並不受限於此。在其它實施例中，基結線能垂直地運行，或同時水平地或垂直地運行，以形成柵格。依據發明實施例而想像到許多可能的變化。已觀察到，比如先前說明與描述之關於第1圖至第2圖的主動矩陣有機發光二極體配置的運作，可導致相較於接近接地環116的像素區域邊緣的子像素之發光，離接地環116最遠的像素區域中心的子像素發光黯淡。依據發明實施例，基結線形成於像素區域內的堆積開口128間，並電連接至接地環116或非顯示器區內的接地線。以這種方式，接地訊號可更均勻地應用至子像素矩陣，導致顯示面板100上更均勻 的亮度。此外，由具有比頂部電極層(尚未形成)較佳的電導率材料形成基結線144，可減少電接地路徑的接觸電阻。
第4A圖至第4H圖為依據發明一實施例，一用於轉 移微型發光二極體設備陣列至薄膜電晶體基板102的方法之剖面側視圖。參照第4A圖，由一傳送頭基板300支撐的一傳送頭302陣列位於受一載體基板200支撐的一微型發光二極體設備400陣列之上。一加熱器306與熱分配板304可選擇性地附著至傳送頭基板300。一加熱器204與熱分配板202可選擇性地附著至載體基板200。微型發光二極體設備400陣列接觸該傳送頭302陣列，如第4B圖中說明，由載體基板200提取，如於第4C圖中說明。在一實施例中，微型發光二極體設備400陣列以依據靜電原理操作的一傳送頭302陣列，即，靜電傳送頭提取。
第4D圖為依據發明一實施例，一傳送頭302持住 一微型發光二極體設備400於一薄膜電晶體基板102上的剖面側視圖。於描述的實施例中，傳送頭302由一傳送頭基板300所支撐。如上所述，一加熱器306與熱分配板304可選擇性地附著至傳送頭基板，以加熱至傳送頭302。一加熱器152與熱分配板150也可，或替代性地、選擇性地被用來傳熱至薄膜電晶體基板102上的結合層140及/或下方描述的一微型發光二極體設備400上之選擇性的結合層410。
仍參照第4D圖，該圖說明依據一實施例之一示例 的微型發光二極體設備400的特寫視圖。應當理解的是該描述的具體微型發光二極體設備400為示例性的，發明實施例 並未受限。在特定的描述實施例中，微型發光二極體設備400包括一微型p-n二極體450與一底部導電接點420。一結合層410可選擇性地形成於底部導電接點420下方，該底部導電接點420介於微型p-n二極體450與結合層410間。在一實施例中，微型發光二極體設備400進一步包括一頂部導電接點452。在一實施例中，微型p-n二極體450包括一頂部n摻雜層414、一或多個量子井層416與一下部p摻雜層418。在其它實施例中，n摻雜及p摻雜層的佈置能被倒置。微型p-n二極體能製造有直立側牆或錐形側牆。在某些實施例中，微型p-n二極體450有錐形向外的側牆453(由頂部至底部)。在某些實施例中，微型p-n二極體450有錐形向內的側牆(由頂部至底部)。底部與頂部導電接點420、452。譬如，底部導電接點420可包括一電極層及於電極層與選擇的結合層410間的一屏障層。底部與頂部導電接點420、452在可見光波長範圍(例如380nm至750nm)可為透明或不透明的。底部與頂部導電接點420、452可選擇性地包括一反光層，比如一銀層。微型p-n二極體與導電接點可每一具有一頂部表面、一底部表面及側牆。在一實施例中，微型p-n二極體450的一底部表面451較微型p-n二極體的頂部表面來的寬，且側牆453由頂部至底部錐形向外。微型p-n二極體450的頂部表面可較p-n二極體的底部表面來得寬，或具約略相同的寬度。在一實施例中，微型p-n二極體450的底部表面451較底部導電接點420的頂部表面來得寬。微型p-n二極體的底部表面也可約具底部導電接點420的頂部表面相同的寬度。在一實施例中， 微型p-n二極體450是數微米厚，比如3μm或5μm，導電接點420、452為0.1μm至2μm厚，選擇的結合層410為0.1μm至1μm厚。在一實施例中，每一微型發光二極體設備400的最大寬度為1至100μm，舉例而言30μm、10μm或5μm。在一實施例中，每一微型發光二極體設備400的最大寬度必須符合用於顯示面板的特定解析度及PPI之堆積開口128內的可用空間。
第4E圖為依據一發明實施例，一傳送頭陣列持住一 陣列微型發光二極體設備400於一薄膜電晶體基板102上的剖面側視圖。第4E圖實質近似於說明於第4D圖的結構，主要差異在於微型發光二極體設備陣列的傳送說明不同於微型發光二極體設備陣列內的單一微型發光二極體設備。
現在參照第4F圖，薄膜電晶體基板102與微型發光 二極體設備400陣列接觸。在描述的實施例中，將薄膜電晶體基板102與微型發光二極體設備400陣列接觸包括將結合層140與用於每一個別微型發光二極體設備的一微型發光二極體設備結合層410接觸。在一實施例中，每一微型發光二極體設備結合層410較對應的一結合層140來得寬。在一實施例中，能量由靜電傳送頭組件經微型發光二極體設備400陣列而傳輸，以結合微型發光二極體設備400陣列至薄膜電晶體基板102。譬如，熱能可被傳輸以促成數種結合機制，比如共晶合金結合、瞬時液相結合及固態擴散結合。熱能的傳送也可由自靜電傳送頭組件施加壓力而實現。
參照第4G圖，在一實施例中，能量傳送液化結合 層140。液化的結合層140在結合期間可表現如一緩衝墊，且部份地補償微型發光二極體設備400陣列與薄膜電晶體基板間系統間的水平不平整(例如非平面表面)，補償微型發光二極體設備高度的變化。在瞬時液相結合該液化結合層140的具體實施中，與微型發光二極體設備結合層410相互擴散以形成一金屬間化合物層，其周圍的熔化溫度高於結合層140周圍的熔化溫度。從而，瞬時液相結合可完成於在結合層的最低液相線溫度或其上。在某些發明實施例中，微型發光二極體設備結合層410由具有熔化溫度於250℃之上的材料所形成，比如鉍(271.4℃)，或具有熔化溫度於350℃之上的材料所形成，比如金(1064℃)、銅(1084℃)、銀(962℃)、鋁(660℃)、鋅(419.5℃)或鎳(1453℃)，薄膜電晶體基板結合層140具有熔化溫度低於250℃，比如錫(232℃)或銦(156.7℃)。
在這種方式下，支撐薄膜電晶體基板102的基板150 能被加熱至溫度低於結合層140熔化溫度，且支撐傳送頭陣列的基板304被加熱至溫度低於結合層410熔化溫度，但高於結合層140的熔化溫度。在這樣一實施例中，由靜電傳送頭組件經微型發光二極體設備400陣列的熱傳送足以形成結合層140的瞬時液相狀態，隨後等溫凝固為一金屬間化合物。 當在液相中，較低熔化溫度材料散開於表面且擴散至較高熔化溫度材料的固態溶液中，或溶解該較高熔化溫度材料並固化為一金屬間化合物。在一具體實施例中，支撐傳送頭陣列的基板304維持於180℃，結合層410由金所形成，結合層 140由銦所形成。
在能量傳送以結合微型發光二極體設備400陣列至 薄膜電晶體基板之後，微型發光二極體設備400陣列釋放至接收基板上，靜電傳送頭陣列如第4H圖所說明般移開。釋放微型發光二極體設備400陣列可以各種方法，包括關閉靜電電壓源、降低靜電傳送頭電極間電壓、改變交流電波形及將電壓源接地而實現。
參照第5A圖至第5C圖，一系列轉移具不同顏色發 散的一微型發光二極體設備400陣列依據一發明實施例而說明。在說明於第5A圖的一特定配置中，一第一傳送程序已完成，用於轉移一紅色發光微型發光二極體設備400R陣列，由一第一載體基板至薄膜電晶體基板102。譬如，當微型發光二極體設備400R被設計為發射紅光(例如620-750nm波長)時，該微型p-n二極體450可包括一材料，比如砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)及磷化鎵(GaP)。參照第5B圖，一第二傳送程序已完成，用於轉移一綠色發光微型發光二極體設備400G陣列，由一第二載體基板至薄膜電晶體基板102。譬如，當微型發光二極體設備400G被設計為發射綠光(例如495-570nm波長)時，該微型p-n二極體450可包括一材料，比如氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)及磷化鋁鎵(AlGaP)。參照第5C圖，一第三傳送程序已完成，用於轉移一藍色發光微型發光二極體設備400B陣列，由一第三載體基板至薄膜電晶體基板102。譬如， 當微型發光二極體設備400B被設計為發射藍光(例如450-495nm波長)時，該微型p-n二極體450可包括一材料，比如氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)及硒化鋅(ZnSe)。
依據發明實施例，傳送頭間以一間距(x、y及/或 對角)隔離，該間距匹配像素或子像素陣列的背板上堆積開口間距。表1列表依據發明實施例用於具有1920 x 1080p及2560x1600解析度的各式紅-綠-藍(RGB)顯示器的範例實施。 但是應當理解的是發明實施例並不限於RGB配色方案或1920 x 1080p或2560x1600解析度，該具體解析度及RGB配色方案僅供說明之用。
在以上範例實施例中，40PPI像素密度可對應55英吋的1920 x 1080p解析度電視機，326與440PPI像素密度可對應具視網膜(RTM)顯示器的手持設備。依據發明實施例，取決於微型提取陣列的大小，上千、上百萬或甚至上億的傳送頭能包括於一大量傳送工具的微型提取陣列中。依據發明實施例，1cm x 1.12cm的傳送頭陣列能包括837個傳送頭於211μm，634μm間距中，及102,000個傳送頭於19μm，58μm間距中。
以傳送頭陣列提取的微型發光二極體設備數量可或可不必匹配傳送頭間距。譬如，以19μm間距隔離的一傳送頭陣列提取一具19μm間距的微型發光二極體設備陣列。在另一實例中，以19μm間距隔離的一傳送頭陣列提取一具約6.33μm間距的微型發光二極體設備陣列。以這種方式，傳送頭提取每一第三微型發光二極體設備，用以傳送至背板。依據某些實施例，發光微型設備陣列的頂部表面高於絕緣層的頂部表面，以便於堆積開口內微型發光二極體設備放置期間，防止傳送頭被背板上的絕緣層(或任何中間層)損毀或損毀絕緣層(或任何中間層)。
第6A圖為依據一實施例，在頂部電極層形成後一主動矩陣顯示面板的俯視圖，第6B圖為依據發明一實施例，沿著X-X線及Y-Y線，第6A圖之主動矩陣顯示面板的側視圖。在說明於第6A圖至第6B圖的實施例中，一頂部電極層118形成於像素區域104之上，該像素區域104包括微型發光二極體設備400陣列，並於非像素區域中及與接地環116重 疊。額外地，頂部電極層118形成於開口149內並與運行於像素區域104內的堆積開口128間的基結線144電接觸。
參照第6B圖，在形成頂部電極層118之前，微型發光二極體設備400被鈍化於堆積開口128內，以防止電氣短路於頂部及底部電極層118、142間，或短路於一或多個量子井416中。如描述般，在陣列微型發光二極體設備400傳送後，一鈍化層148可形成環繞堆積開口陣列128內的微型發光二極體設備400側牆。在微型發光二極體設備400為垂直發光二極體設備之實施例中，鈍化層148覆蓋且跨越量子井結構416。鈍化層148也可覆蓋未由可選的絕緣層146覆蓋的底部電極層142之任何部分，以防止可能的短路。從而，鈍化層148可被用來鈍化量子井結構416，以及底部電極層。依據發明實施例，鈍化層148未形成於微型發光二極體設備400，比如頂部導電接點452，的頂部表面上。在一實施例中，一電漿蝕刻處理，例如O2或CF4電漿蝕刻，能在形成鈍化層148後被用來回蝕刻該鈍化層148，確保微型發光二極體設備400，比如頂部導電接點452，的頂部表面曝露，以致能頂部導電電極層118與微型發光二極體設備400電接觸。
依據發明實施例，鈍化層148對於可見波長可為透明或半透明的，以便不顯著地降級完成的系統之光提取效率。鈍化層可以各種材料例如，但不限於環氧樹脂、丙烯酸樹脂(聚丙烯酸酯)，比如聚(甲基丙烯酸甲酯)、苯並環丁烯、聚醯亞胺及聚酯纖維而形成。在一實施例中，鈍化層148由噴印或網印於微型發光二極體設備400周圍而形成。
在說明於第6B圖的特定實施例中，鈍化層148僅形 成於堆積開口128中。然而，這不是必需的，鈍化層148可形成於堆積結構層126頂部上。此外，絕緣層146的形成不是必需的，鈍化層148也能被用來與導電層電絕緣。如說明於第6C圖的實施例所示，鈍化層148也可被用來鈍化形成底部電極142及/或基結線144的導電層側牆。在一實施例中，鈍化層148可選擇性地被用來鈍化接地環116。依據某些實施例，開口149、130能形成於噴印或網印鈍化層148於基結線144或接地環116的處理期間。以這種方式，形成該些開口可不必單獨的圖形化操作。
依據某些發明實施例，一開槽151，或井結構，能 如第6C圖所說明地形成於堆積層126內以抓住或防止鈍化層148免於過度蔓延及滿溢出基結線149，特別是當鈍化層148使用一溶劑系統，比如以噴印或網印，而形成。從而，在某些實施例中，開槽151形成於堆積層126內，於堆積開口128與一鄰近基結線144間。
現在參照第6B圖至第6C圖，鈍化層148形成後一 頂部導電電極層118形成於每一微型發光二極體設備400之上，且如果存在的話，與頂部接觸層452電接觸。根據在以下說明中的具體應用，對於可見光波長，頂部電極層118可為不透明、反光、透明或半透明的。譬如，在頂部發光系統中頂部電極層118可為透明的，且對於底部發光系統，頂部電極層可為反光的。範例的透明導電材料包括非晶矽、透明導電氧化物，比如氧化銦錫及氧化銦鋅、碳奈米管薄膜或透 明導電聚合物，比如聚3,4-乙撑二氧噻吩(聚乙撑二氧噻吩)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯及聚噻吩。在一實施例中，頂部電極層118包括奈米顆粒，比如銀、金、鋁、鉬、鈦、鎢、氧化銦錫及氧化銦鋅。在特定的實施例中，頂部電極層118由噴印或網印所形成。其他形成的方法可包括化學氣相沉積、物理氣相沉積及旋塗。頂部電極層118對可見光波長也可是反光的。在一實施例中，一頂部導電電極層118包含一反光金屬膜，比如鋁、鉬、鈦、鈦-鎢、銀或金，或其合金，舉例用於底部發光系統。
依據某些發明實施例，基結線144比頂部電極層118 更導電。在說明於第3D圖的實施例中，基結線144能由用來形成源極/汲極連接或閘極電極層至薄膜電晶體基板102上的電晶體(例如T2)之一，相同的金屬層而形成。譬如，基結線144能由一普通互聯材料，比如銅或鋁，包括其合金所形成。說明於第3B圖至第3C圖的實施例中，基結線144也可由和底部電極層142相同的材料所形成。譬如，基結線144與底部電極層142包括一反光材料，該材料也可改良該些層的電導率。在一具體實例中，基結線144與底部電極可包括一金屬膜或金屬顆粒。依據某些實施例，頂部電極層118由透明或半透明材料，比如非晶矽、透明導電氧化物，比如氧化銦錫及氧化銦鋅、奈米碳管薄膜或透明導電聚合物，比如聚3,4-乙撑二氧噻吩(聚乙撑二氧噻吩)、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯及聚噻吩所形成，前述所有材料可較導電及反光底部電極層，包括膜堆疊內的金屬膜，具有較低的電導率。
再次回見第6A圖，在特定的實施例中說明的頂部 電極層118形成於包括微型發光二極體設備400陣列的像素區域104以及於非像素區域之上，並與接地環116重疊。頂部電極層118額外地118形成於開口149內且與運行於像素區域104內堆積開口128間的基結線144電接觸。
現在參照第7A圖至第7B圖，一替代實施例說明於 此，頂部電極層118僅需要形成於像素區域104之上，以與接地環116電接觸。在說明於第7A圖至第7B圖的特定實施例中，頂部電極層118形成於像素區域104之上且電連接於基結線144。如所敘述般，頂部電極層118可形成於開口149內至該基結線144。在這樣一實施例中，因為基結線144與接地環116電連接，沒必要形成頂部電極層118於像素區域104外側。如所敘述般，接地環116可埋設於一電絕緣層，比如依據說明於第7A圖至第7B圖內的實施例之絕緣層146，之下。
依據發明實施例，頂部電極層118的線路寬度能根 據應用而變化。譬如，線路寬度可接近像素區域102的寬度。 或者，線路寬度可能是最小的。譬如，窄至約15μm的線路寬度可以市售的噴印機實現，窄至約30μm的線路寬度可以市售的網印機實現。因為使用非接觸印刷方法，噴印可特別地適用於某些情況。從而，頂部電極層的線路寬度可較依據某些發明實施例之微型發光二極體設備的最大寬度來的更大或更小。
參照第8A圖至第8B圖，一實施例說明於此，隔離 頂部電極層118形成並連接一或多個微型發光二極體設備400與一或多個基結線144。在說明於第8A圖至第8B圖的特定實施例中，頂部電極層118僅需提供由一微型發光二極體設備400至一附近的基結線144電路徑。從而，覆蓋全部像素區域104不必需電極層118。相似地，覆蓋全部堆積開口128或子像素區域不必需頂部電極層118。在特定的說明實施例中，每一頂部電極層118連接一微型發光二極體設備400於一中間基結線144的相對側上。然而，這特定的配置是示例性的，許多不同的安置都是可能的。如所敘述般，頂部電極層118可形成於開口149內至該基結線144。在這樣一實施例中，因為基結線144與接地環116電連接，沒必要形成頂部電極層118於像素區域104外側。
如所敘述般，接地環116可埋設於一電絕緣層，比 如依據說明於第8A圖至第8B圖內的實施例之絕緣層146，之下。在說明於第8A圖的特定實施例中，微型發光二極體設備400的最上面一行繪示為以個別的頂部電極層118連接到接地環116。在這樣一實施例中，如前所述，每一頂部電極層118可經由一或多個開口130接觸接地環116。從而，儘管說明於第8A圖至第8B圖的實施例提供用於連接微型發光二極體設備400至於像素區域104內的基結線144之方式，但並不排除使用隔離頂部電極層118連接至接地環116而不經由一基結線144進行連接。
在一態樣中，說明於第8A圖至第8B圖特定的實施例可特別合適於以噴印或網印局部形成頂部電極層118。傳統 主動矩陣有機發光二極體背板製造處理程序，比如那些用於製造第1圖至第2圖的顯示面板，典型地與沉積室內毯覆沉積於頂部電極層，其後從一較大基板切割個別背板100。依據某些實施例，在轉移微型發光二極體設備400陣列之前，顯示面板100背板由一較大基板上切割出。在一實施例中，噴印或網印提供用於圖形化個別頂部電極層118，而無需每一隔離顯示面板100用一隔離罩層的實用方法。
雖然沒有單獨說明，但是應當理解的是說明於第6A 圖至第6B圖、第7A圖至第7B圖及第8A圖至第8B圖的實施例可結合使用包括於第3C至第3D圖的替代開口配置，及說明於第6C圖的鈍化層148配置。
關於第8A圖至第8B圖，如上所述的隔離頂部電極 層118之形成於頂部電極層118形成之後，在主動矩陣有機發光二極體顯示面板100電測試期間可提供一個額外的好處。譬如，可能沒有被發現，在頂部電極層118形成之前，一在下方的電晶體已發生故障且可能一直維持著「開通」。 一個含義可能是相關的子像素一直「開通」且發光。在說明於第8C圖的實施例中，連接到有缺陷薄膜電晶體的頂部電極層118，由使用一合適的技術，比如雷射劃片而切割，以「關閉」該子像素。以這種方式，固化電氣缺陷能實施於薄膜電晶體基板的頂部表面，而不是必須鑽向下進入薄膜電晶體。
現在參照第9A圖至第9D圖，發明實施例也可被用來合併基結線134至主動矩陣有機發光二極體顯示面板中。參照說明於第9A圖至第9B圖的實施例，一底部電極層124 形成於平坦化層122上，與下方的薄膜電晶體電路電連接。在說明的實施例中，基結線134可同時與底部電極層124形成。同樣地，接地環116可同時與底部電極層124形成。在底部電極層124與選擇性地基結線134及/或接地環116的形成之後，一像素界定層125形成，包括一子像素陣列開口127與一基結線陣列開口132。一有機層120接著沉積於子像素開口127之上。在一實施例中，有機層120不沉積於基結線開口132內或接地環116上。一頂部電極層118可接著形成於子像素開口127內的圖案化的像素界定層上，於開口132內以電接觸於基結線134及選擇性地於接地環116之上。然而，與接地環116電接觸並非必需。在說明於第9A圖至第9D圖的實施例中，頂部電極層118僅沉積於像素區域104內，且頂部電極層118未與接地環116重疊。
雖未單獨說明，應當理解的是說明於第9A圖至第9D圖的實施例考慮替代的開口配置。譬如，通到基結線134或接地環116的開口能穿過平坦化層122而實現。
第10圖說明依據一實施例的一顯示器系統1000。顯示器系統包覆一處理器1010、資料接收器1020、一顯示面板100，比如任何描述於上的顯示面板。該資料接收器1020可無線或有線地配置來接收資料。無線方式可由任何許多的無線標準或協議，包括但不限於Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE 802.16家族)、IEEE 802.20、長期演進技術、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍芽及其衍生物，以及任何其它指 定為3G、4G、5G及之後的無線協議而實現。
根據其應用，顯示器系統1000可包括其它組件。這 些其它組件包括，但不限定於記憶體、觸控螢幕控制器與電池。在各種實現情形中，顯示器系統1000可為一電視機、平板電腦、電話、膝上型電腦、電腦顯示器、互動式的多媒體機台、數位相機、掌上遊戲機、媒體顯示器、電子書顯示器或大面積標牌顯示器。
在利用本發明的各個態樣裏，上述實施例用於整合 基結線及微型發光二極體設備至一主動矩陣顯示面板的組合或變化是有可能的，這對本領域技術人員是很明顯的。雖然關於頂部發光結構的以上實施例已揭露，但發明實施例也能應用於底部發光結構。譬如，並非位於於薄膜電晶體電路之上的堆積開口128或子像素開口127，開口可位於在薄膜電晶體基板102的下方層上，鄰近的薄膜電晶體電路。同樣地，雖然已描述頂部閘極電晶體結構，但發明實施例也可以底部閘極電晶體結構實行。此外，雖然關於高側驅動配置的發明實施例已描述及說明，但實施例也可以一低側驅動配置實行，在該配置中描述於上的基結線與接地環變成板中的電線。雖然本發明已以語言特定描述結構特徵及/或方法行 為，但是應當理解，在所附的申請專利範圍權利中定義的本 發明不必限於這些具體特徵或所描述的行為。所揭露的具體特徵和動作反而是要被理解為用於說明本發明，有用的要求保護發明之特別優化實現方式。
100‧‧‧顯示面板
102‧‧‧薄膜電晶體基板
104‧‧‧像素區域
110‧‧‧資料驅動器電路
112‧‧‧掃描驅動器電路
113‧‧‧柔性電路板
114‧‧‧電源線
116‧‧‧接地環
118‧‧‧頂部電極層
128‧‧‧堆積開口
144‧‧‧基結線
149‧‧‧開口
400‧‧‧微型發光二極體設備

Claims (15)

  1. 一種顯示面板，包含：一基板，其包括一像素區域與一非像素區域，其中該像素區域包括一堆積開口陣列與在該堆積開口陣列內的一底部電極陣列；一微型發光二極體設備陣列，其在該對應的堆積開口陣列內的該底部電極陣列；一端子結線陣列，其運行於該像素區域中的堆積開口之間；及一頂部電極層，其在該微型發光二極體設備陣列與該端子結線陣列之上，且與該微型發光二極體設備陣列與該端子結線陣列電接觸。
  2. 如請求項1所述之顯示面板，其中該非像素區域環繞該像素區域。
  3. 如請求項1所述之顯示面板，其中該底部電極陣列形成於對應的堆積開口陣列之側牆。
  4. 如請求項3所述之顯示面板，其中該底部電極陣列對可見光波長範圍是反光的。
  5. 如請求項1所述之顯示面板，進一步包含覆蓋該底部電極陣列的一圖案化絕緣層，與曝露該底部電極陣列的該圖案 化絕緣層中之一開口陣列。
  6. 如請求項5所述之顯示面板，其中該圖案化絕緣層覆蓋該底部電極陣列的邊緣。
  7. 如請求項5所述之顯示面板，進一步包含曝露該端子結線陣列的絕緣層之一開口陣列。
  8. 如請求項1所述之顯示面板，其中該微型發光二極體設備為垂直微型發光二極體設備。
  9. 如請求項1所述之顯示面板，其中該微型發光二極體設備每一具有1μm-100μm的一最大寬度。
  10. 如請求項1所述之顯示面板，進一步包含一透明鈍化層，跨越該微型發光二極體設備陣列側牆，其中該透明鈍化層不完全覆蓋每一微型發光二極體設備的一頂部導電接點。
  11. 如請求項1所述之顯示面板，其中該頂部電極層由一透明或半透明材料所形成。
  12. 如請求項1所述之顯示面板，其中該頂部電極層包含一材料選自由聚乙撑二氧噻吩與氧化銦錫所組成的群組。
  13. 如請求項1所述之顯示面板，其中該端子結線陣列係形成於包括該堆積開口陣列之一堆積層之上。
  14. 如請求項1所述之顯示面板，其中該端子結線陣列係形成於包括該堆積開口陣列之一堆積層之下。
  15. 如請求項1所述之顯示面板，其中該基板為一薄膜電晶體(TFT)基板。
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