CN112582381B - 触控显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种触控显示面板及其制备方法，所述触控显示面板包括基板、薄膜晶体管层、发光器件层以及触控电极层；所述触控电极层和所述发光器件层位于所述薄膜晶体管层上，所述触控电极层与所述发光器件层间隔设置；其中，所述触控显示面板还包括一屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间。本申请通过在触控显示面板的薄膜晶体管层和触控电极层之间增加了一屏蔽层，起到屏蔽薄膜晶体管层工作中产生的噪声信号对触控电极层触控信号的干扰的作用，从而增强信噪比。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及其制备方法。
背景技术
当前随着显示技术的发展，具有触控功能显示器，尤其是中小尺寸显示器，越来越受市场的欢迎。通常情况下具有触控功能的显示器需要将触控面板和显示面板贴合起来，但是这样就造成工艺繁杂，显示器过厚，不利于产品的轻薄化技术。于是，后来渐渐有了外嵌式(On-Cell)和内嵌式(In-Cell)触控技术，这两种触控技术的使用极大地降低了工艺的繁杂程度，同时对显示器轻薄化也做出了重大贡献，并且这种与显示技术结合在一起的触控技术也无需单独建设触控工厂，因此，这一技术一经出现便得到了极大发展。
但是，随着OLED技术的出现和发展，并且越来越成为显示主流技术，尤其是柔性技术的出现，触控技术又遇上了一个瓶颈。一般情况下，内嵌式(In-Cell)触控面板中由于触控单元距离触控手指较远以及阵列基板中阴极本身对触控信号具有一定的屏蔽效应，从而导致触控信号相较于传统的外挂式触控和DOT技术较弱；同时，因内嵌式(In-Cell)触控面板中触控单元距阵列基板结构中的薄膜晶体管层较近，而这些薄膜晶体管层在工作中不可避免的会产生大量噪声信号干扰其触控的灵敏度。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，用以屏蔽薄膜晶体管层工作中产生的噪声信号对触控电极层触控信号的干扰，从而增强信噪比。
为实现上述功能，本申请提供的技术方案如下：
一种触控显示面板，包括：基板、薄膜晶体管层、发光器件层以及触控电极层；
所述触控电极层和所述发光器件层位于所述薄膜晶体管层上，所述触控电极层与所述发光器件层间隔设置；其中，
所述触控显示面板还包括一屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间。
本申请的触控显示面板中，所述触控显示面板还包括依次位于所述薄膜晶体管层上的第一平坦层、第二平坦层以及电极层；其中，所述屏蔽层位于所述第一平坦层和所述第二平坦层之间。
本申请的触控显示面板中，所述发光器件层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极；所述触控电极层包括层叠的触控走线、触控连接线以及触控电极；
其中，所述阳极与所述触控连接线同层，所述阴极与所述触控电极同层，所述电极层与所述触控走线同层。
本申请的触控显示面板中，所述触控显示面板还包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露部分所述薄膜晶体管层的源/漏电极且贯穿所述第一平坦层和所述屏蔽层；所述第二过孔与所述第一过孔连接并连通且贯穿所述第二平坦层；
其中，所述电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极电连接。所述发光器件层与所述电极层电连接。
本申请的触控显示面板中，所述第一过孔在对应于所述第一平坦层的开孔直径小于所述第一过孔在对应于所述屏蔽层的开孔直径。
本申请的触控显示面板中，所述第一电极通过所述第一过孔的部分与所述屏蔽层侧壁之间存在间隙。
本申请的触控显示面板中，所述屏蔽层的材料为金属材料。
本申请还提供一种触控显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
在基板上依次制备薄膜晶体管层、第一平坦层以及屏蔽层；
采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻，形成位于所述薄膜晶体管层的源/漏电极上方的第一过孔；
在所述屏蔽层上制备第二平坦层，对所述第二平坦层图案化处理，形成与所述第一过孔连通的第二过孔；
在所述第二平坦层上制备发光器件层和触控电极层，且所述发光器件层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极连接，所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间设有所述屏蔽层。
在本申请的制备方法中，采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻的步骤包括：
在所述屏蔽层上制备一光阻层；
采用半色调掩模板对所述光阻层进行曝光、随后对所述光阻层进行显影，去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述光阻层；
刻蚀对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述屏蔽层，形成暴露出所述第一平坦层的第一通孔；
对所述第一平坦层进行曝光、显影以及刻蚀，去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述第一平坦层，形成与所述第一通孔连接并连通的第二通孔；
剥离所述光阻层。
在本申请的制备方法中，在所述光罩制程中，对所述光阻层的曝光强度大于所述第一平坦层的曝光强度，所述第一通孔的直径大于所述第二通孔的直径。
本申请的有益效果：本申请通过在触控显示面板的薄膜晶体管层和触控电极层之间增加了一屏蔽层，起到屏蔽薄膜晶体管层工作中产生的噪声信号对触控电极层触控信号的干扰的作用，从而增强信噪比。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请所提供的触控显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的第一种触控显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例所提供的触控显示面板的俯视图；
图4为本申请实施例所提供的第二种触控显示面板的结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的触控显示面板的制备方法的步骤流程图；
图6A～图6E为本申请实施例所提供的触控显示面板的制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有技术中，内嵌式(In-Cell)技触控面板中由于触控单元距离触控手指较远以及阵列基板中阴极本身对触控信号具有一定的屏蔽效应，从而导致触控信号相较于传统的外挂式触控和DOT技术较弱；同时，因内嵌式(In-Cell)触控面板中触控单元距阵列基板结构中的薄膜晶体管层较近，而这些薄膜晶体管层在工作中不可避免的会产生大量噪声信号干扰其触控的灵敏度。基于此，本申请提供了一种触控显示面板及其制备方法，能够解决上诉缺陷。
请结合图1，本申请所提供的触控显示面板的结构示意图。
在本申请中，所述触控显示面板包括基板10、薄膜晶体管层20、发光器件层50以及触控电极层60。
所述发光器件层50和所述触控电极层60位于所述薄膜晶体管层20上，所述发光器件层50和所述触控电极层60间隔设置。
其中，所述触控显示面板还包括一屏蔽层80，所述屏蔽层80设置于所述薄膜晶体管层20与所述触控电极层60之间。
本申请通过在触控显示面板的所述薄膜晶体管层20和所述触控电极层60之间增加了一屏蔽层80，起到屏蔽薄膜晶体管层20工作中产生的噪声信号对所述触控电极层60触控信号的干扰的作用，从而增强信噪比。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图2，本申请实施例所提供的第一种触控显示面板的结构示意图。
在本实施例中，所述触控显示面板包括触控显示区100和与所述触控显示区100相邻的非显示区200。
所述触控显示面板包括基板10；设置于所述基板10上的薄膜晶体管层20；设置于所述薄膜晶体管层20上且间隔设置的发光器件层50和触控电极层60；其中，所述触控电极层60位于所述触控显示区100内。
在本实施例中，所述基板10包括但不限于玻璃基板和柔性衬底。
进一步的，在本实施例中，所述基板10为柔性透明的PI基板，主要为聚酰亚胺，PI材料可以有效的提高透光率。
在本实施例中，所述薄膜晶体管层20设置于所述基板10的上表面，所述薄膜晶体管层20从下至上依次包括阻挡层21、缓冲层22、有源层、第一栅极绝缘层23、第一栅极、第二栅极绝缘层24、第二栅极、介电层25以及源/漏电极。
需要说明的是，在本实施例中所述薄膜晶体管层20包括所述阻挡层21、所述缓冲层22、所述有源层、所述第一栅极绝缘层23、所述第一栅极、所述第二栅极绝缘层24、所述第二栅极、所述介电层25以及所述源/漏电极仅用于举例说明，本实施例对所述薄膜晶体管层20包括的膜层结构不做限制。
在本实施例中，所述阻挡层21、所述缓冲层22、所述第一栅极绝缘层23、所述第二栅极绝缘层24以及介电层25所采用的材料为无机材料，包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的一种，本实施例对此不做限定。
在本实施例中，所述触控显示面还包括设置于所述薄膜晶体管层20上的第一平坦层31、第二平坦层32、电极层41、第三平坦层33、阳极层51、像素定义层70、发光层(图中未标示)以及阴极层52。
所述阳极层51包括间隔设置的阳极511和所述触控连接线512，所述阴极层52包括间隔设置的阴极521和触控电极522。
在本实施例中，所述发光器件层50包括层叠设置的所述阳极511、所述发光层以及所述阴极521；所述触控电极层60包括对应触控显示区100的多个所述触控电极522和与每个所述触控电极522相对应的所述触控连接线512，以及多条由所述触控显示区100向非显示区200延伸的触控走线42；其中，所述电极层41与所述触控走线42同层且间隔设置。
在本实施例中，所述阳极511通过所述电极层41与所述薄膜晶体管层20中的源/漏电极电连接；每个所述触控电极522通过所述触控连接线512与所述触控走线42电性桥接。
请结合图3，在本实施例中，所述触控显示面板还包括设置于所述基板10上且位于所述非显示区200内的触控集成电路90，所述触控集成电路90通过多条所述触控走线42和所述触控连接线512分别与各所述触控电极522连接。
在本实施例中，所述发光器件层50与所述电极层41电连接，所述阳极51通过所述电极层41与所述薄膜晶体管层20中的源/漏电极电连接；在所述触控显示面板显示时间段时，所述电极层41用于向对应的所述阳极511输入显示信号。
所述阴极层50包括间隔设置的阴极521和对应显示区的多个触控电极522，所述触控电极522通过所述触控连接线512与所述触控走线42电连接，在所述触控显示面板触控时间段时，所述触控走线42用于向对应的所述触控电极522输入触控信号，实现了触控。
可以理解的是，所述电极层41的数量、所述触控走线42的数量、所述阳极511的数量、所述触控连接线512的数量、所述阴极521的数量以及所述触控电极522的数量均可以根据实际需要进行设计，在本实施例中不做限定。
在本实施例中，所述触控显示面板还包括一屏蔽层80，所述屏蔽层80设置于所述薄膜晶体管层20与所述触控电极层60之间，进一步的，所述屏蔽层80位于所述第一平坦层31和所述第二平坦层32之间。
在本实施例中，所述屏蔽层80的材料为具有屏蔽信号作用的金属材料，进一步的，在本实施例中，所述屏蔽层80为钛/铝/钛的层叠结构。
可以理解的是，所述屏蔽层80为钛/铝/钛的层叠结构仅用于举例说明，本实施例对此不做限制。
本实施例通过在触控显示面板的薄膜晶体管层20和触控电极层60之间增加了一屏蔽层80，起到屏蔽薄膜晶体管层20工作中产生的噪声信号对触控电极层60触控信号的干扰的作用，从而增强信噪比。
在本实施例中，所述触控显示面板还包括第一过孔311、第二过孔321、第三过孔331以及第四过孔701；所述第一过孔311暴露部分所述薄膜晶体管层20的源/漏电极；所述第二过孔321与所述第一过孔311连接并连通；所述第三过孔331暴露部分所述电极层41和暴露部分所述触控走线42；所述第四过孔701暴露部分所述触控连接线512和暴露部分所述阳极511。
其中，所述电极层41通过所述第一过孔311和所述第二过孔321与所述薄膜晶体管层20的源/漏电极电连接，所述发光器件层50与所述电极层41电连接；其中，所述电极层41通过所述第一过孔311的部分与所述屏蔽层80侧壁之间存在间隙。
在本实施例中，所述第一过孔311在对应于所述第一平坦层31的开孔直径小于所述第一过孔311在对应于所述屏蔽层80的开孔直径，所述第二过孔321的直径大小与所述第一过孔311对应于所述第一平坦层31的开孔直径大小相等，当所述电极层41通过所述第二过孔321和所述第一过孔311与所述薄膜晶体管层20的源/漏电极电连接时，所述电极层41与所述屏蔽层绝缘且间隔设置，从而能够保证证线路的可靠性，即避免在显示时间段时，所述电极层41用于向对应的所述阳极511输入显示信号时，所述电极层41不会与所述屏蔽层80接触，从而发现短路的现象。
请参阅图4，本申请实施例所提供的第二种触控显示面板的结构示意图。
在本实施例中，所述触控显示面板的结构与上述实施例所提供的触控显示面板的第一种结构示意图相似/相同，具体请参照上述实施例中的触控显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述屏蔽层80在所述基板10上的投影位于所述触控显示区100内，从而避免所述屏蔽层80对所述非显示区200内的元器件产生负面的影响。
实施例二
请参阅图5，本申请实施例所提供的触控显示面板的制备方法的步骤流程图。
在本实施例中，所述触控显示面板包括触控显示区100和与所述触控显示区100相邻的非显示区200。
所述触控显示面板的制备方法包括以下步骤：
步骤S10：在基板10上依次制备薄膜晶体管层20、第一平坦层31以及屏蔽层80，如图6A所示。
在本实施例中，所述步骤S10包括以下步骤：
步骤S11：提供一基板10，所述基板10包括但不限于玻璃基板和柔性衬底。
进一步的，在本实施例中，所述基板10为柔性透明的PI基板，主要为聚酰亚胺，PI材料可以有效的提高透光率。
步骤S12：在所述基板10上依次制备阻挡层21、缓冲层22、有源层、第一栅极绝缘层23、第一栅极、第二栅极绝缘层24、第二栅极、介电层25、源/漏电极、第一平坦层31以及屏蔽层80。
所述阻挡层21、所述缓冲层22、所述第一栅极绝缘层23、所述第二栅极绝缘层24以及介电层25所采用的材料为无机材料，包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的一种，本实施例对此不做限定。
所述屏蔽层80的材料为具有屏蔽信号作用的金属材料，进一步的，在本实施例中，所述屏蔽层80为钛/铝/钛的层叠结构。
步骤S20：采用同一光罩对所述屏蔽层80和所述第一平坦层31进行蚀刻，形成位于所述薄膜晶体管层20的源/漏电极上方的第一过孔311，如图6B所示。
在本实施例中，所述步骤20包括以下步骤：
步骤S21：在所述屏蔽层80上制备一光阻层。
步骤S22：采用半色调掩模板对所述光阻层进行曝光、随后对所述光阻层进行显影，去除对应于所述薄膜晶体管层20的源/漏电极的所述光阻层。
步骤S23：刻蚀对应于所述薄膜晶体管层20的源/漏电极的所述屏蔽层80，形成暴露出所述第一平坦层31的第一通孔。
步骤S23：对所述第一平坦层31进行曝光、显影以及刻蚀，去除对应于所述薄膜晶体管层20的源/漏电极的所述第一平坦层31，形成与所述第一通孔连接并连通的第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔构成所述第一过孔311。
步骤S24：剥离所述光阻层。
需要说明的是，在步骤S22中，在所述光罩制程中，对所述光阻层的曝光强度大于所述第一平坦层31的曝光强度，从而使所述第一通孔的直径大于所述第二通孔的直径，即所述第一过孔311在对应于所述第一平坦层31的开孔直径小于与所述第一过孔311在对应于所述屏蔽层80的开孔直径。
可以理解的，在本实施例中，所述光阻层曝光强度和所述第一平坦层31的曝光强度可以根据实际需要进行选择，在本实施例中不做限定。
在本实施例中，所述触控显示面板的制备方法还包括对所述屏蔽层80进行一道光罩制程，通过曝光、显影以及蚀刻，去除所述非显示区200内的所述屏蔽层80，从而避免所述屏蔽层80对所述非显示区200内的元器件产生负面的影响。
步骤S30：在所述屏蔽层80上制备第二平坦层32，对所述第二平坦层32图案化处理，形成与所述第一过孔311连接并连通的第二过孔321，如图6C所示。
在本实施例中，所述第二过孔321的直径大小与所述第一过孔311对应于所述第一平坦层31的开孔直径大小相等。
步骤S40：在所述第二平坦层32上制备发光器件层50和触控电极层60，且所述发光器件层50通过所述第二过孔321和所述第一过孔311与所述薄膜晶体管层20的源/漏电极连接，所述薄膜晶体管层20与所述触控电极层60之间设有所述屏蔽层80，如图6E所示。
在本实施例中，所述步骤40包括以下步骤：
步骤S41：在所述第二平坦层32上制备金属层，对所述金属层图案化处理，形成电极层41和触控走线42，如图6D所示。
在本实施例中，所述金属层的材料包括但不限于铝、钼、钛、铜及其合金等金属；所述电极层41通过所述第二过孔321和所述第一过孔311与所述薄膜晶体管层20的源/漏电极电连接，所述电极层41通过所述第一过孔311的部分与所述屏蔽层80侧壁之间存在间隙。
步骤S42：在所述电极层41上依次制备第三平坦层33、阳极层51、像素定义层70、发光层以及阴极层52。
在本实施例中，所述步骤S42包括以下步骤：
步骤S421：在所述电极层41上制备第三平坦层33，对所述第三平坦层33图案化处理，形成位于所述电极层41和所述触控走线42上方的第三过孔331；所述第三过孔331暴露部分所述电极层41以及暴露部分所述触控走线42。
步骤S422：在所述第三平坦层33制备阳极层51，对所述阳极层51图案化处理，形成间隔设置的阳极511和触控连接线512。
在所述第三过孔331中，所述薄膜晶体管层20与所述电极层41电连接，进一步的，所述阳极511通过所述电极层41与所述薄膜晶体管层20的源/漏电极电连接电性桥接；所述触控连接线512通过所述第三过孔331与所述触控走线42电连接。
步骤S423：在所述阳极层51上制备像素定义层70，对所述像素定义层70图案化处理，形成位于所述阳极511和所述触控连接线512上的第四过孔701；所述第四过孔701暴露部分所述阳极511以及暴露部分所述触控连接线512。
步骤S424：在所述像素定义层70上制备发光层，所述发光层通过所述第四过孔701与所述阳极511电连接。
步骤S425：在所述像素定义层70和所述发光层上制备阴极层52，对所述阴极层52图案化处理，形成间隔设置的阴极521和对应触控显示区100的多个触控电极522。
在本实施例中，所述阴极521、所述发光层以及所述阳极511一一对应；在所述第二过孔321和所述第一过孔311中，每个所述触控电极522通过所述触控连接线512与对应的所述触控走线42电性桥接，从而实现触控。
在本实施例中，所述第一过孔311、所述第二过孔321、所述第三过孔331以及所述第四过孔701的形状包括但不限于圆孔形。
可以理解的是，在本实施例中，各个膜层的厚度可以根据实际需要进行设计，其中在制备所述第一平坦层31与所述第二平坦层32时，可以控制所述第一平坦层31与所述第二平坦层32的总厚度与现有技术中的平坦层厚度相同，即，本实施例可以在不增加触控显示面板厚度的情况下，在所述第一平坦层31和所述第二平坦层32之间制备一屏蔽层80，起到了屏蔽薄膜晶体管层工作中产生的噪声信号对触控电极层触控信号的干扰的作用，从而增强信噪比。
在本实施例中，所述触控显示面板的制备方法还包括：
步骤S50：在所述基板上制备触控集成电路，所述触控集成电路位于所述非显示区内；所述触控集成电路通过多条所述触控走线和所述触控连接线分别与各所述触控电极连接。
本申请提供一种触控显示面板及其制备方法，所述触控显示面板包括基板、薄膜晶体管层、发光器件层以及触控电极层；所述触控电极层和所述发光器件层位于所述薄膜晶体管层上，所述触控电极层与所述发光器件层间隔设置；其中，所述触控显示面板还包括一屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间。
本申请通过在触控显示面板的薄膜晶体管层和触控电极层之间增加了一屏蔽层，起到屏蔽薄膜晶体管层工作中产生的噪声信号对触控电极层触控信号的干扰作用，从而增强信噪比。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种触控显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括：
基板、薄膜晶体管层、发光器件层以及触控电极层；
所述触控电极层和所述发光器件层位于所述薄膜晶体管层上，所述触控电极层与所述发光器件层间隔设置；其中，
所述触控显示面板还包括依次位于所述薄膜晶体管层和发光器件层之间的第一平坦层、第二平坦层、电极层以及第三平坦层；
所述触控显示面板还包括一屏蔽层，所述屏蔽层位于所述第一平坦层和所述第二平坦层之间。
2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极；所述触控电极层包括层叠的触控走线、触控连接线以及触控电极；
其中，所述阳极与所述触控连接线同层，所述阴极与所述触控电极同层，所述电极层与所述触控走线同层。
3.如权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露部分所述薄膜晶体管层的源/漏电极且贯穿所述第一平坦层和所述屏蔽层；所述第二过孔与所述第一过孔连接并连通且贯穿所述第二平坦层；
其中，所述电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极电连接，所述发光器件层与所述电极层电连接。
4.如权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一过孔在对应于所述第一平坦层的开孔直径小于所述第一过孔在对应于所述屏蔽层的开孔直径。
5.如权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述电极层通过所述第一过孔的部分与所述屏蔽层侧壁之间存在间隙。
6.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述屏蔽层的材料为金属材料。
7.一种触控显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在基板上依次制备薄膜晶体管层、第一平坦层以及屏蔽层；
采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻，形成位于所述薄膜晶体管层的源/漏电极上方的第一过孔；
在所述屏蔽层上制备第二平坦层，对所述第二平坦层图案化处理，形成与所述第一过孔连通的第二过孔；
在所述第二平坦层上制备发光器件层和触控电极层，且所述发光器件层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极连接，所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间设有所述屏蔽层。
8.如权利要求7所述的触控显示面板的制备方法，其特征在于，采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻的步骤包括：
在所述屏蔽层上制备一光阻层；
采用半色调掩模板对所述光阻层进行曝光、随后对所述光阻层进行显影，去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述光阻层；
刻蚀对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述屏蔽层，形成暴露出所述第一平坦层的第一通孔；
对所述第一平坦层进行曝光、显影以及刻蚀，去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述第一平坦层，形成与所述第一通孔连接并连通的第二通孔；
剥离所述光阻层。
9.如权利要求8所述的触控显示面板的制备方法，其特征在于，在所述光罩制程中，对所述光阻层的曝光强度大于所述第一平坦层的曝光强度，所述第一通孔的直径大于所述第二通孔的直径。
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