CN111625130A - 触控显示面板及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种触控显示面板及触控显示装置，触控显示面板包括阵列基板以及设置于阵列基板上的发光器件层、像素定义层和触控器件；发光器件层包括依次层叠设置的阳极、发光层以及阴极；触控器件包括相对设置的第一触控电极和第二触控电极，第一触控电极位于发光器件层的侧部且与阳极同层设置，像素定义层覆盖第一触控电极；第二触控电极设置于像素定义层远离第一触控电极的一侧，第二触控电极在阵列基板上的正投影与阴极在阵列基板上的正投影相间隔。第二触控电极在阵列基板上的正投影与阴极在阵列基板上的正投影相间隔，可以防止阴极屏蔽第一触控电极与第二触控电极之间的触控信号。

Description

触控显示面板及触控显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及触控显示装置。

背景技术

OLED面板以其可折叠和便携式强等优点受到了业界的广泛关注并得到了迅猛的发展，为了进一步实现面板结构轻薄化以及得到更优的触控显示面板，行业内大力推进开发集成触控技术(如内嵌式触控技术等)，继而取代现有的外挂式触控技术。集成触控技术具有厚度更薄、透过率更高、抗水氧入侵以及耐腐蚀的可靠性强等诸多优势，是触控显示技术发展的必然趋势。

然而，在内嵌式触控显示面板中，显示面板的阴极层整面设置且与触控电极位于不同膜层，整面的阴极层对触控信号的屏蔽效应较强，导致显示面板的触控功能不能正常运行。

发明内容

第一方面，本申请实施例提供一种触控显示面板，以解决现有的内嵌式触控显示面板中，显示面板的阴极层整面设置且与触控电极位于不同膜层，整面的阴极层对触控信号的屏蔽效应较强，导致显示面板的触控功能不能正常运行的技术问题。

本发明提供的技术方案如下：

一种触控显示面板，所述触控显示面板包括阵列基板以及设置于所述阵列基板上的发光器件层、像素定义层和触控器件；

所述发光器件层包括阳极、设置于所述阳极上的发光层以及设置于所述发光层和所述像素定义层上的阴极；

其中，所述触控器件包括相对设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极位于所述发光器件层的侧部且与所述阳极同层设置，所述像素定义层覆盖所述第一触控电极；所述第二触控电极设置于所述像素定义层远离所述第一触控电极的一侧，所述第二触控电极在所述阵列基板上的正投影与所述阴极在所述阵列基板上的正投影相间隔。

在一些实施例中，所述像素定义层上设置有围绕所述发光器件层的挡墙，所述第二触控电极设置于所述挡墙上。

在一些实施例中，所述第二触控电极的制备材料与所述阴极的制备材料相同，所述第二触控电极与所述阴极采用同一道蒸镀工序形成。

在一些实施例中，所述挡墙的纵截面呈倒梯形。

在一些实施例中，所述挡墙的制备材料包括负性光阻材料。

在一些实施例中，所述挡墙的纵截面呈正梯形，所述挡墙的侧边所在的平面与水平面所形成的钝角小于或等于110度。

在一些实施例中，所述挡墙上设置有位于所述第一触控电极和所述第二触控电极之间的开孔，所述开孔中填充有介电层，所述介电层的制备材料的介电常数大于所述挡墙的制备材料的介电常数。

在一些实施例中，所述阵列基板包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板上的源漏极；

覆盖所述源漏极的第一平坦层；

其中，所述第一平坦层上设置有连接金属层以及覆盖所述连接金属层的第二平坦层，所述阳极、所述第一触控电极以及所述像素定义层设置于所述第二平坦层上，所述第一连接金属层与所述阳极以及所述源漏极电连接。

在一些实施例中，所述第一连接金属包括相间隔的第一连接块和第二连接块，所述第一连接块与所述阳极以及所述源漏极电连接，所述第二连接块与所述第一触控电极电连接。

第二方面，本申请还提供一种触控显示装置，所述触控显示装置包括驱动模块以及如上述的触控显示面板，所述驱动模块与所述触控显示面板的第二连接块电连接。

本发明申请的有益效果为：通过将第一触控电极与阳极同层设置，第二触控电极设置于挡墙上，从而形成内嵌式的触控器件。而在像素定义层上采用蒸镀工艺整面蒸镀金属材料时，利用挡墙的顶面与像素定义层的高度差使得落在挡墙的顶面上的金属材料与落在像素定义层上的金属材料断开，从而形成相间隔的阴极和第二触控电极，无需新增特殊工艺制程来形成相间隔的阴极和第二触控电极，且形成阴极和第二触控电极时对发光层无相关制程风险。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请中触控显示面板的第一种结构示意图；

图2为本申请中触控显示面板的第二种结构示意图；

图3为本申请中触控显示面板的第三种结构示意图；

图4至图7为本申请一实施方式中触控显示面板的制备流程示意图。

附图标记：

10、阵列基板；11、衬底基板；111、基底；112、保护层；113、缓冲层；12、有源层；13、第一栅极绝缘层；14、第一栅极；15、第二栅极绝缘层；16、第二栅极；17、层间绝缘层；18、源漏极；19、第一平坦层；20、发光器件层；21、阳极；22、发光层；23、阴极；30、像素定义层；31、像素开口；40、触控器件；41、第一触控电极；42、第二触控电极；50、挡墙；51、开孔；60、介电层；71、第一连接块；72、第二连接块；80、第二平坦层；91、显示区；92、弯折区；921、弯折开口。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本发明针对现有的内嵌式触控显示面板中，显示面板的阴极层整面设置且与触控电极位于不同膜层，整面的阴极层对触控信号的屏蔽效应较强，导致显示面板的触控功能不能正常运行的技术问题。本申请可以解决上述问题。

一种触控显示面板，如图1所示，所述触控显示面板包括阵列基板10以及设置于所述阵列基板10上的发光器件层20、像素定义层30和触控器件40。

具体的，所述发光器件层20包括阳极21、设置于所述阳极21上的发光层22以及设置于所述发光层22和所述像素定义层30上的阴极23。

具体的，所述像素定义层30上设置有贯穿其上下两侧的像素开口31，所述阳极21的至少一部分位于所述像素开口31中，所述发光层22位于所述像素开口31中。

具体的，所述触控器件40包括相对设置的第一触控电极41和第二触控电极42，所述第一触控电极41位于所述发光器件层20的侧部且与所述阳极21同层设置，所述像素定义层30覆盖所述第一触控电极41；所述第二触控电极42设置于所述像素定义层30远离所述第一触控电极41的一侧，所述第二触控电极42在所述阵列基板10上的正投影与所述阴极23在所述阵列基板10上的正投影相间隔。

需要说明的是，通过第一触控电极41与第二触控电极42形成电容式的触控电容，手指触碰触控显示面板的显示面时，第一触控电极41与第二触控电极42之间的电容发生变化，产生相应的触控操作，以实现触控功能。通过将第一触控电极41与阳极21同层设置，第二触控电极42设置于像素定义层30的上方，从而形成内嵌式的触控器件40，降低触控显示面板的整体厚度，而第二触控电极42在阵列基板10上的正投影与阴极23在阵列基板10上的正投影相间隔，可以防止阴极23屏蔽第一触控电极41与第二触控电极42之间的触控信号。

需要说明的是，所述第一触控电极41和第二触控电极42中的一者为发射电极，另一者为接收电极，所述第一触控电极41和第二触控电极42形成互容式触控电容。

具体的，所述触控器件40设置有多个，多个所述触控器件40可以均匀分布于阵列基板10上，多个所述触控器件40也可以零散分布于阵列基板10上；第二触控电极42可以与阴极23同层设置或与阴极23位于不同膜层。

需要说明的是，所述阴极23为非整面设置，阴极23可以由多个相间隔的块状结构形成，第二触控电极42与相邻两所述块状结构之间的间隙对应设置；阴极23也可以具有多个通孔，第二触控电极42与通孔对应设置。

具体的，所述像素定义层30上设置有围绕所述发光器件层20的挡墙50，所述第二触控电极42设置于所述挡墙50上。

其中，所述挡墙50围绕所述像素开口31设置，以在通过蒸镀或喷墨打印等方式形成发光层22时防止发光材料扩散导致不同像素开口31中的发光层22连成一体，使用掩膜板蒸镀发光层22时，挡墙50也可以作为放置掩膜板的支撑结构。

具体的，所述第二触控电极42的制备材料与所述阴极23的制备材料相同，所述第二触控电极42与所述阴极23采用同一道蒸镀工序形成。

需要说明的是，采用同一道工序同时形成阴极23和第二触控电极42，可以减少生产工序，降低生产成本，同时由于挡墙50的顶面与像素定义层30之间的高度差，在像素定义层30上采用蒸镀工艺整面蒸镀金属材料时，落在挡墙50的顶面上的金属材料与落在像素定义层30上的金属材料断开，从而形成相间隔的阴极23和第二触控电极42，无需新增特殊工艺制程来形成相间隔的阴极23和第二触控电极42，且形成阴极23和第二触控电极42时对发光层22无相关制程风险。

其中，所述挡墙50的厚度大于1.5微米，从而使得挡墙50的顶面与像素定义层30的表面之间具有足够高的高度差。

具体的，所述像素定义层30的制备材料可以为正性有机光阻，所述挡墙50的制备材料包括光阻材料，所述挡墙50的制备材料可以与像素定义层30的制备材料相同或不同。

在一实施方式中，所述挡墙50的纵截面呈倒梯形。

需要说明的是，通过将挡墙50的纵截面设置成倒梯形状，在像素定义层30上采用蒸镀工艺整面蒸镀金属材料时，挡墙50的顶面上的金属材料流入到挡墙50的侧面时，在重力的作用下挡墙50的侧面上的金属材料滴落，从而便于使得落在挡墙50顶面上的金属材料与落在像素定义层30上的金属材料断开。

进一步的，所述挡墙50的制备材料包括负性光阻。

需要说明的是，挡墙50的制备材料与像素定义层30的制备材料不同，对挡墙50进行蚀刻使其形成倒梯形结构时，像素定义层30不会受到蚀刻液的蚀刻，以便于形成正梯形形状的蚀刻孔，从而便于形成呈倒梯形的挡墙50。

在另一实施方式中，如图2所示，所述挡墙50的纵截面呈正梯形，所述挡墙50的侧边所在的平面与水平面所形成的钝角小于或等于110度。

其中，所述挡墙50可以与所述像素定义层30一体成型，从而减少生产工序。

具体的，所述挡墙50上设置有位于所述第一触控电极41和所述第二触控电极42之间的开孔51，所述开孔51中填充有介电层60，所述介电层60的制备材料的介电常数大于所述挡墙50的制备材料的介电常数。

需要说明的是，一般光阻材料的介电常数较小，通过在第一触控电极41和所述第二触控电极42之间设置介电层60，增强第一触控电极41与第二触控电极42之间形成的触控电容的电容值，可以提升触控器件40的触控灵敏性。

需要说明的是，所述介电层60的制备材料可以为氮化硅和氧化硅中的一种或多种；开孔51可以由第一触控电极41延伸至第二触控电极42的表面，以进一步增强第一触控电极41与第二触控电极42之间形成的触控电容的电容值。

具体的，如图3所示，所述阵列基板10包括衬底基板11、设置于所述衬底基板11上的源漏极18以及覆盖所述源漏极18的第一平坦层19。

其中，所述第一平坦层19上设置有连接金属层以及覆盖所述连接金属层的第二平坦层80，所述阳极21、所述第一触控电极41以及所述像素定义层30设置于所述第二平坦层80上，所述第一连接金属层与所述阳极21以及所述源漏极18电连接。

具体的，所述第一连接金属包括相间隔的第一连接块71和第二连接块72，所述第一连接块71与所述阳极21以及所述源漏极18电连接，所述第二连接块72与所述第一触控电极41电连接。

需要说明的是，源漏极18和阳极21通过第一连接块71实现电连接，第一触控电极41和外接的驱动模块可以通过第二连接块72电连接，以接收驱动模块提供的驱动信号，驱动模块可以为驱动IC；相邻两第一触控电极41之间也可以通过第二连接块72实现电连接以形成网状结构，以提高触控显示面板的触控灵敏性。

在一实施方式中，所述衬底基板11包括基底111、设置于所述基底111上的保护层112以及设置于所述保护层112上的缓冲层113。

其中，所述基底111可以为柔性基底，所述基底可以为透明玻璃基底或透明塑料基底，所述基底111的制备材料可以为聚酰亚胺；所述缓冲层113的制备材料可以为氮化硅或氧化硅。

在一实施方式中，所述阵列基板10还包括设置于所述衬底基板11上的有源层12、覆盖所述有源层12的第一栅极绝缘层13、设置于所述第一栅极绝缘层13上的第一栅极14、覆盖所述第一栅极14的第二栅极绝缘层15、设置于所述第二栅极绝缘层15上的第二栅极16以及覆盖所述第二栅极16的层间绝缘层17。

其中，所述源漏极18设置于所述层间绝缘层17上且与所述有源层12电连接。

在一实施方式中，所述触控显示面板具有显示区91和位于所述显示区91的侧部的弯折区92，所述像素定义层30上设置有贯穿所述像素定义层30且延伸至所述基底111的表面的弯折开口921，弯折开口921位于弯折区92，以便于触控显示面板的弯折区92的弯折。

需要说明的是，弯折区92处可以设置用于接入外接信号的连接端子，用于连接第一触控电极41与驱动模块的第二连接块72也可以设置于弯折区92，以便于驱动模块与第一触控电极41连接。

需要说明的是，也可以在弯折区92设置连接驱动模块和第二触控电极42的连接端子，以便于驱动模块与第二触控电极42之间的信号传输。

参见图4至图7，图4至图7为一实施方式中触控显示面板的制备流程示意图。

如图4所示，在衬底基板11上依次形成有源层12以及覆盖有源层12的第一栅极绝缘层13；在第一栅极绝缘层13上依次形成第一栅极14和覆盖第一栅极14的第二栅极绝缘层15；在第二栅极绝缘层15上依次形成第二栅极16以及覆盖第二栅极16的层间绝缘层17后，在层间绝缘层17上形成延伸至基底111的弯折开口921。

进一步的，在层间绝缘层17上形成源漏极18，在层间绝缘层17上形成覆盖所述源漏极18并填充所述弯折开口921的第一平坦层19后，在所述第一平坦层19上形成连接金属层，并对所述连接金属层进行图案化，以形成相间隔的第一连接块71和第二连接块72。

进一步的，在第一平坦层19上形成第二平坦层80；在第二平坦层80上形成相间隔的第一触控电极41和阳极21，并在第二平坦层80上形成覆盖所述第一触控电极41的像素定义层30；在所述像素定义层30上形成像素开口31以及挡墙50，并在挡墙50上形成延伸至第一触控电极41的表面的开孔51。

如图5所示，在所述开孔51中填充介电材料以形成介电层60。

如图6所示，利用掩膜板将挡墙50和介电层60遮挡，采用蒸镀工艺在所述阳极21上形成位于像素开口31中的发光层22，利用挡墙50阻止相邻像素开口31中的发光层22相连接。

如图7所示，将金属材料采用蒸镀工艺蒸镀至挡墙50、像素定义层30以及发光层22上，利用挡墙50的顶面与像素定义层30的高度差使得挡墙50顶面上的金属材料与像素定义层30上的金属材料断开，以形成相间隔的第二触控电极42和阴极23。

基于上述触控显示面板，本申请还提供一种触控显示装置，所述触控显示装置包括驱动模块以及如上述任一实施方式中所述的触控显示面板，所述驱动模块与所述触控显示面板的第二连接块72电连接，以实现驱动模块与第一触控电极41的电连接。

本发明的有益效果为：通过将第一触控电极41与阳极21同层设置，第二触控电极42设置于挡墙50上，从而形成内嵌式的触控器件40。而在像素定义层30上采用蒸镀工艺整面蒸镀金属材料时，利用挡墙50的顶面与像素定义层30的高度差使得落在挡墙50的顶面上的金属材料与落在像素定义层30上的金属材料断开，从而形成相间隔的阴极23和第二触控电极42，无需新增特殊工艺制程来形成相间隔的阴极23和第二触控电极42，且形成阴极23和第二触控电极42时对发光层22无相关制程风险。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括阵列基板以及设置于所述阵列基板上的发光器件层、像素定义层和触控器件；

所述发光器件层包括阳极、设置于所述阳极上的发光层以及设置于所述发光层和所述像素定义层上的阴极；

其中，所述触控器件包括相对设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极位于所述发光器件层的侧部且与所述阳极同层设置，所述像素定义层覆盖所述第一触控电极；所述第二触控电极设置于所述像素定义层远离所述第一触控电极的一侧，所述第二触控电极在所述阵列基板上的正投影与所述阴极在所述阵列基板上的正投影相间隔。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述像素定义层上设置有围绕所述发光器件层的挡墙，所述第二触控电极设置于所述挡墙上。

3.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述第二触控电极的制备材料与所述阴极的制备材料相同，所述第二触控电极与所述阴极采用同一道蒸镀工序形成。

4.根据权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的纵截面呈倒梯形。

5.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的制备材料包括负性光阻材料。

6.根据权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的纵截面呈正梯形，所述挡墙的侧边所在的平面与水平面所形成的钝角小于或等于110度。

7.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙上设置有位于所述第一触控电极和所述第二触控电极之间的开孔，所述开孔中填充有介电层，所述介电层的制备材料的介电常数大于所述挡墙的制备材料的介电常数。

8.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板上的源漏极；

覆盖所述源漏极的第一平坦层；

其中，所述第一平坦层上设置有连接金属层以及覆盖所述连接金属层的第二平坦层，所述阳极、所述第一触控电极以及所述像素定义层设置于所述第二平坦层上，所述第一连接金属层与所述阳极以及所述源漏极电连接。

9.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一连接金属包括相间隔的第一连接块和第二连接块，所述第一连接块与所述阳极以及所述源漏极电连接，所述第二连接块与所述第一触控电极电连接。

10.一种触控显示装置，其特征在于，所述触控显示装置包括驱动模块以及如权利要求1至9中任一项所述的触控显示面板，所述驱动模块与所述触控显示面板的第二连接块电连接。

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