JP2007027638A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ドライバーIC等からなる半導体基板上にLED等の発光素子を実装した構成の発光装置において、発光素子から発散する光に起因した半導体基板内の回路の誤動作を抑制するとともに、発光素子の発した光を外部に誘導する優れた指向性を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置1Aは、少なくとも一面に電極を配した半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けられた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明に係る発光装置1Aは、少なくとも一面に電極を配した半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けられた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、シリコンウェハ等の半導体基板上にLED等の光学部品を実装した発光装置に関する。
近年、ドライバーIC等からなる半導体基板上に、たとえばLED等の光学部品を直接実装する方法が開発されている。この方法では、絶縁樹脂層と電解銅メッキからなる配線層の形成、LED等の光学部品の搭載、およびそれぞれの端子からワイヤーボンドで外部への接続端子の取り出し、によるウェハレベルパッケージ加工によって、ドライバーIC上に土台と配線を形成する。
また、光の指向性に優れた発光装置の一例として、絶縁金属基板に凹部を設け、この凹部底面に発光素子を配置し、この凹部の側壁面が光を反射するように工夫した構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
さらに、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに、発光素子が発する光を反射する金属製の放熱体を配置した照明装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
また、光の指向性に優れた発光装置の一例として、絶縁金属基板に凹部を設け、この凹部底面に発光素子を配置し、この凹部の側壁面が光を反射するように工夫した構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
さらに、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに、発光素子が発する光を反射する金属製の放熱体を配置した照明装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、基板上にLED等の光学部品を直接実装する上述したような方法では、半導体基板上にLED等の光学部品を直接実装した場合、LED等の光学部品から発散する光が基板上に形成されたIC回路に入射し、IC回路が誤動作を起こす虞があった。
一方、特許文献1に開示された、絶縁金属基板の凹部の側壁面を光が反射するように形成した発光装置の場合は、絞り加工等により凹部を形成するものであって、基板自体がへこんだものであり、また、特許文献2に開示された、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに光を反射する放熱体を配設した照明装置の場合は、電気絶縁材料を用いた射出成形によって凹部を形成するものであって、基板自体がへこんだものである。したがって、何れの場合も、基板の上面が平坦で回路を有する半導体基板には適応することができない。しかも、LED等の光学部品から発散する光によって基板上の回路が誤動作を起こす虞など、何れも認識していないものである。
特開平5−11718号公報
特開平11−163412号公報
一方、特許文献1に開示された、絶縁金属基板の凹部の側壁面を光が反射するように形成した発光装置の場合は、絞り加工等により凹部を形成するものであって、基板自体がへこんだものであり、また、特許文献2に開示された、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに光を反射する放熱体を配設した照明装置の場合は、電気絶縁材料を用いた射出成形によって凹部を形成するものであって、基板自体がへこんだものである。したがって、何れの場合も、基板の上面が平坦で回路を有する半導体基板には適応することができない。しかも、LED等の光学部品から発散する光によって基板上の回路が誤動作を起こす虞など、何れも認識していないものである。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ドライバーIC等からなる半導体基板上にLED等の発光素子を実装した構成の発光装置において、発光素子から発散する光に起因した半導体基板内の回路の誤動作を抑制するとともに、発光素子の発した光を外部に誘導する優れた指向性を備えた発光装置を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る発光装置は、少なくとも一面に電極を配した半導体基板と、前記半導体基板の一面を覆うように設けられた第一絶縁体と、前記第一絶縁体上に設けられた導電部と、前記導電部の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子と、
を備えてなり、さらに、少なくとも前記発光素子から発散される光路上であって、前記発光素子と前記半導体基板との間に反射体を有していることを特徴とする。
を備えてなり、さらに、少なくとも前記発光素子から発散される光路上であって、前記発光素子と前記半導体基板との間に反射体を有していることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る発光装置は、請求項1において、前記発光素子を個別に取り囲むように、または前記発光素子同士を区切るように、第二絶縁体が設けられ、前記反射体は、前記発光素子から見える前記第二絶縁体の部分を少なくとも覆うように設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る発光装置は、請求項2において、前記第二絶縁体が前記発光素子を個別に取り囲むように設けられた場合には、前記発光素子は前記第二絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置することを特徴とする。
本発明の請求項4に係る発光装置は、請求項2において、前記第二絶縁体が前記発光素子同士を区切るように設けられた場合には、前記発光素子は前記第二絶縁体間のライン状の凹部内に位置することを特徴とする。
本発明の請求項5に係る発光装置は、請求項1乃至4のいずれか1項において、前記導電部が前記反射体と同一部材であることを特徴とする。
本発明によれば、半導体基板の一面を覆う第一絶縁体上に設けられた導電部の所定位置に配され、電気的に接続された発光素子から発散される光路上であって、発光素子と半導体基板との間に反射体を有している。この反射体の存在は、発光素子から発散する光の半導体基板への入射を妨害するので、半導体基板に設けられたIC回路は発光素子の発した光の影響を受けることがない。ゆえに、本発明は、発光素子から発散する光によってIC回路が誤動作を起こす虞がなく、安定した性能を充分に発揮することが可能な発光装置の提供に寄与する。
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図1、図2は、本発明の発光装置の第一例を示す図面であり、図1は概略平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
図1、図2は、本発明の発光装置の第一例を示す図面であり、図1は概略平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
この発光装置1Aは、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部(例えば、配線)22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
半導体基板10の少なくとも一面には、集積回路(IC)の電極3が設けられている。この半導体基板10は、例えば電極3としてAlパッドが設けられている。
本発明において、半導体基板10は、シリコンウェハ等の半導体ウェハでもよく、半導体ウェハをチップ寸法に切断(ダイシング)した半導体チップであってもよい。半導体基板が半導体チップである場合は、まず、半導体ウェハの上に、各種半導体素子やIC、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
本発明において、半導体基板10は、シリコンウェハ等の半導体ウェハでもよく、半導体ウェハをチップ寸法に切断(ダイシング)した半導体チップであってもよい。半導体基板が半導体チップである場合は、まず、半導体ウェハの上に、各種半導体素子やIC、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
第一絶縁体31は、電極3と整合する位置に形成された開口部を有し、この開口部を通して電極3が露出されている。第一絶縁体31は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。この第一絶縁体31は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また、開口部は、例えば第一絶縁体31を構成するポリイミド樹脂等の膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。この第一絶縁体31と導電部(配線など)22の形成は、複数回行うことも可能である。
導電部22は、電極3と発光素子23とを接続する再配線層である。導電部22の一端部22aは、開口部を介して第一絶縁体31を貫通し、電極3と接続されている。また、導電部22の他端部22bは、発光素子23に近接する位置まで延びている。この導電部22の材料としては、例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば0.1〜10μmである。これにより充分な導電性が得られる。導電部22は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
発光素子23は、電流を流すことによって発光する光半導体であり、本実施形態では、表面実装型の発光ダイオード(LED)が用いられる。発光素子23は、例えばボンディングワイヤ24などによってその上面側で導電部22と適宜接続され、半導体基板10に電気的に接続される。また、発光素子23と導電部22は、上面側で接続されるものに限らず、発光素子23の下面側で適宜導電部22と接続されるようにしても良い。これにより、ボンディングワイヤ用のパッドを省略することができる。
反射体16は、発光素子23から発散する光を反射し、効率良く利用するように形成されている。反射体16は、例えばAlやCu、Au、Ag等からなり、その厚さは例えば0.05〜10μmとすると良い。この反射体16は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。反射体16は、導電部22と電気的に繋がっていても、離れていても良い。また、反射体16は、導電部22と同一部材とし、同一工程で導電部22とともに形成するようにしても良い。これにより、工程の簡略化が行われる。
次に、図1、図2に示す発光装置1Aの製造方法について説明する。
図3〜図8は、上記発光装置の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図3〜図8の断面図は、図1のA−A線に沿う位置の断面を示す。
図3〜図8は、上記発光装置の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図3〜図8の断面図は、図1のA−A線に沿う位置の断面を示す。
まず、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意する。この半導体基板10は、上述したように、表面に電極3が設けられた半導体ウェハである。
次いで、図3に示すように、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する。このような第一絶縁体31は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって半導体基板10上の全面に成膜した後、フォトリソグラフィ技術等を利用したパターニングなどにより、電極3と整合する位置に開口部を形成することによって形成することができる。
次いで、図3に示すように、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する。このような第一絶縁体31は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって半導体基板10上の全面に成膜した後、フォトリソグラフィ技術等を利用したパターニングなどにより、電極3と整合する位置に開口部を形成することによって形成することができる。
次いで、図4に示すように、第一絶縁体31の上に、電解めっき用の薄いシード層41を形成する。シード層41は、第一絶縁体31上の全面または必要な領域に形成する。このシード層41は、例えばスパッタ法により形成されたCu層及びCr層からなる積層体、またはCu層及びTi層からなる積層体である。また、無電解Cuメッキ層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法(CVD)等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
次に、図5に示すように、シード層41の上に、電解メッキ用のレジスト膜42を形成する。このレジスト膜42には、反射体16および導電部22の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層41を露出させておく。レジスト膜42は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
さらに、図6に示すように、前記レジスト膜42をマスクとして露出したシード層41上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する。反射体16は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。この反射体16は、上述のようにシード層41上における発光素子搭載箇所に部分的に形成しても良いし、後述する導電部22の形成箇所を除いてシード層41上に全面的に形成しても良い。
さらに、図6に示すように、前記レジスト膜42をマスクとして露出したシード層41上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する。反射体16は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。この反射体16は、上述のようにシード層41上における発光素子搭載箇所に部分的に形成しても良いし、後述する導電部22の形成箇所を除いてシード層41上に全面的に形成しても良い。
引き続き、図7に示すように、電解めっき法等によりCu等から構成された導電部22を所定箇所に形成する。
そして、図8に示すように、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層41はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図1および図2に示す発光装置1Aが製造され、電極22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
そして、図8に示すように、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層41はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図1および図2に示す発光装置1Aが製造され、電極22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
以上のように構成された発光装置1Aは、発光素子23と半導体基板10との間に反射体16を有するので、発光素子23から発散する光が反射体16によって遮蔽・反射され、半導体基板10上に形成されたIC回路に入射することが防止される。したがって、発光素子23から発散する光によってIC回路が誤動作を起こす虞がなく、安定した高性能を有する発光装置とすることができる。なお、上記第一例の実施形態を説明する図では、半導体基板10上に発光素子23が2個設けられたものとなっているが、本発明はこれに限らず、半導体基板10上に発光素子23が1個だけ設けられたものであっても良いし、半導体基板10上に発光素子23が3個以上設けられたものであっても良い。
また、ウェハ状態から一連の半導体プロセスで製造が可能であるため、発光装置を小型化して製造することが可能である。
また、ウェハ状態から一連の半導体プロセスで製造が可能であるため、発光装置を小型化して製造することが可能である。
また、上記第一例の実施形態は、平面的に形成された反射体16によって、発光素子23から発散する光が半導体基板10上に形成されたIC回路に入射することが防止されるようにするものであるが、反射体16によって発光素子23から発散する光を遮蔽・反射するとともに、発散する光の指向性を高めるようにすることもできる。次に、本発明の発光装置の第二例として、その場合について説明する。なお、これから後述する各実施形態の説明では、前述した実施形態と共通する部分は同じ符号を付し、その説明は省略する。
図9、図10は、本発明の発光装置の第二例を示す図面であり、図9は概略平面図、図10は図9のB−B線に沿う断面図である。
第二例の実施形態における発光装置1Bは、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23を個別に取り囲むように設けた第二絶縁体32と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体32の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第二例の実施形態における発光装置1Bは、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23を個別に取り囲むように設けた第二絶縁体32と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体32の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第二絶縁体32は、発光素子23を個別に取り囲むように上方に突出して設けられ、平面矩形状をした凹部33を形成する。第二絶縁体32は、第一絶縁体31と同様に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば5〜300μmとすると良い。この第二絶縁体32は、例えばフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。この凹部33の深さは、発光素子23の高さと同等か、それより深くすると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。
反射体16は、第二絶縁体32によって形成された平面矩形状をした凹部33内の側面および底面を覆うように設けられる。反射体16の形成方法は、上記第一例の実施形態と同じに行うことができる。そして、この凹部33内に発光素子23が搭載される。なお、この第二例の実施形態を説明する図では、凹部33内に発光素子23が1個だけ搭載されたものとなっているが、本発明はこれに限らず、凹部33内に発光素子23を2個以上の複数個搭載したものであっても良い。
次に、図9、図10に示す発光装置の製造方法について説明する。
図11〜図17は、上記発光装置1Bの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図11〜図17の断面図は、図9のB−B線に沿う位置の断面を示す。
図11〜図17は、上記発光装置1Bの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図11〜図17の断面図は、図9のB−B線に沿う位置の断面を示す。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意し、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する(図3参照)。
次いで、図11に示すように、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32層を形成する。第二絶縁体32層は、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32層は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、図11に示すように、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32層を形成する。第二絶縁体32層は、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32層は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、第一絶縁体31上に、上方に突出した凸状の第二絶縁体32を形成する。第二絶縁体32は、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングにより形成できる。例えば第一絶縁体31上に塗布された感光性樹脂よりなる第二絶縁体32上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスクを介して感光性樹脂層をエッチングすることで、図12に示すように、第一絶縁体31上に突出する凸状の第二絶縁体32を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する。
そして、図13に示すように、第一絶縁体31および突出した凸状の第二絶縁体32の上に、電解めっき用の薄いシード層41を形成する。
そして、図13に示すように、第一絶縁体31および突出した凸状の第二絶縁体32の上に、電解めっき用の薄いシード層41を形成する。
次に、図14に示すように、シード層41の上に、電解メッキ用のレジスト膜42を形成する。このレジスト膜42は、上記第一例の実施形態と同様、反射体16および導電部22の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層41を露出させておく。第二例の実施形態では、凸状の第二絶縁体32により形成された平面矩形状をした凹部33内の底面および側面に連続して反射体16が形成されるものとなる。なお、この場合、平面円形状をした凹部としても良いが、発光素子を近接して密に設計することができないので、平面矩形状をした凹部とする方が全体的に小型化でき望ましい。
したがって、引き続き図15に示すように、前記レジスト膜42をマスクとして露出したシード層41上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する。
したがって、引き続き図15に示すように、前記レジスト膜42をマスクとして露出したシード層41上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する。
引き続き、図16に示すように、電解めっき法等によりCu等から構成された導電部22を所定箇所に形成する。
そして、図17に示すように、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層41はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図9および図10に示す発光装置1Bが製造され、導電部22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
そして、図17に示すように、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層41はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図9および図10に示す発光装置1Bが製造され、導電部22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
以上のように構成された発光装置1Bは、発光素子23と半導体基板10との間に反射体16を有するので、発光素子23から発散する光が反射体16によって遮蔽・反射され、半導体基板10上に形成されたIC回路に入射することが防止され、発光素子23から発散する光によってIC回路が誤動作を起こす虞がなく、安定した高性能を有する発光装置とすることができることは勿論、凸状の第二絶縁体32により形成された平面矩形状をした凹部33内の底面および側面に形成された反射体16によって、発光素子23から発散する光が周囲に漏れず前方(図では上方)に発散するように光の指向性を高めるようにすることもできる。
また、上記第二例の実施形態においては、感光性樹脂により第二絶縁体32を形成したが、これに限らず非感光性樹脂を用いて第二絶縁体32を形成することもできる。以下、その製造方法の相違部分について説明する。図18および図19は、非感光性樹脂を用いて第二絶縁体32を形成した場合の上記発光装置1Bの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図18および図19の断面図も、図9のB−B線に沿う位置の断面を示す。
まず、上記第二例の感光性樹脂により第二絶縁体32を形成した場合と同様に、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意し、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する(図3参照)。
次いで、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32層を形成する(図11参照)。第二絶縁体32層は、例えば、非感光性ポリイミド等の非感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32層は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32層を形成する(図11参照)。第二絶縁体32層は、例えば、非感光性ポリイミド等の非感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32層は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、図18に示すように、例えば第一絶縁体31上に塗布された非感光性樹脂よりなる第二絶縁体32層上における、凸状の第二絶縁体32形成箇所にポリイミド、エポキシ樹脂等を塗布してレジスト膜43を成膜する。
次に、このレジスト膜43を介して非感光性樹脂よりなる第二絶縁体32層をエッチングし、図19に示すように、第一絶縁体31上に突出する凸状の第二絶縁体32を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで絶縁樹脂製凸部を完成する。
次に、このレジスト膜43を介して非感光性樹脂よりなる第二絶縁体32層をエッチングし、図19に示すように、第一絶縁体31上に突出する凸状の第二絶縁体32を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで絶縁樹脂製凸部を完成する。
これにより、図12に示すような、第一絶縁体31上に突出する凸状の第二絶縁体32が形成される。その後は、第二絶縁体32として感光性樹脂を用いた上記第二例の場合と同様に行うことができる。なお、上述のように。第二絶縁体32は感光性樹脂に限らず非感光性樹脂を用いても形成することができるが、感光性樹脂であると、露光条件によって凹部側面の傾斜角度や形状を調整でき、微細化が可能であるので望ましい。
また、上記第二例の実施形態と同様に、発光素子を個別に取り囲むように第二絶縁体を設け、反射体を発光素子から見える前記第二絶縁体の部分を少なくとも覆うように設けるようにした他の例を、本発明の発光装置の第三例として説明する。
図20、図21は、本発明の発光装置の第三例を示す図面であり、図20は概略平面図、図21は図20のC−C線に沿う断面図である。
第三例の実施形態における発光装置1Cもまた、第二例の実施形態における発光装置1Bと同様に、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23を個別に取り囲むように設けた第二絶縁体32と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体32の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第三例の実施形態における発光装置1Cもまた、第二例の実施形態における発光装置1Bと同様に、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23を個別に取り囲むように設けた第二絶縁体32と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体32の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第二絶縁体32は、発光素子23を個別に取り囲むように下方に窪んで設けられ、平面矩形状をした凹部33を形成する。第二絶縁体32は、第一絶縁体31と同様に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。この第二絶縁体32は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等により形成することができる。
反射体16は、第二絶縁体32によって形成された平面矩形状をした凹部18内の側面および底面を覆うように設けられる。反射体16の形成方法は、上記第一例の実施形態と同じに行うことができる。そして、この凹部18内に発光素子23が搭載される。
次に、図20、図21に示す発光装置の製造方法について説明する。
図22〜図24は、上記発光装置1Cの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図22〜図24の断面図は、図20のC−C線に沿う位置の断面を示す。
図22〜図24は、上記発光装置1Cの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図22〜図24の断面図は、図20のC−C線に沿う位置の断面を示す。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意し、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する(図3参照)。
次いで、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32を形成する(図11参照)。この第二絶縁体32は、例えば感光性ポリイミド、エポキシ等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32を形成する(図11参照)。この第二絶縁体32は、例えば感光性ポリイミド、エポキシ等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。このような第二絶縁体32は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等によって第一絶縁体31上に形成することができる。
次いで、例えば第一絶縁体31上に塗布された感光性樹脂よりなる第二絶縁体32上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングし、図22に示すように、第一絶縁体31上に、発光素子23を個別に取り囲むように下方に窪んで設けられ、平面矩形状をした凹部33が形成された第二絶縁体32を形成する。
次に、図23に示すように、第一絶縁体31および第二絶縁体32の上に、電解めっき用の薄いシード層41を形成する。
次に、図23に示すように、第一絶縁体31および第二絶縁体32の上に、電解めっき用の薄いシード層41を形成する。
さらに、図24に示すように、上記第二例の実施形態と同様、シード層41の上に、電解メッキ用のレジスト膜42を形成する。この第三例の実施形態では、第二絶縁体32により形成された平面矩形状をした凹部33内の底面および側面に反射体16が形成されるものとなる。
そして、引き続き図15に示すのと同様に、前記レジスト膜42をマスクとして露出したシード層41上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する。なお、その後は上記第二例の場合と同様、電解めっき法等によりCu等から構成された導電部22を所定箇所に形成し(図16参照)、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層41はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする(図17参照)。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図20、図21に示す発光装置1Cが製造され、導電部22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
以上のように構成された発光装置1Cもまた、発光素子23と半導体基板10との間に反射体16を有するので、発光素子23から発散する光が反射体16によって遮蔽・反射され、半導体基板10上に形成されたIC回路に入射することが防止され、発光素子23から発散する光によってIC回路が誤動作を起こす虞がなく、安定した高性能を有する発光装置とすることができることは勿論、凸状の第二絶縁体32により形成された平面矩形状をした凹部18内の底面および側面に形成された反射体16によって、発光素子23から発散する光が周囲に漏れず前方(図では上方)に発散するように光の指向性を高めるようにすることもできる。
また、上記第三例の実施形態においても、感光性樹脂により第二絶縁体32を形成したが、第二例の実施形態の場合と同様に、非感光性樹脂を用いて第二絶縁体32を形成することもできる。
また、上記第二例および第三例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように第二絶縁体を設けた場合について説明したが、発光素子同士を区切るように第二絶縁体を設けることで、反射体によって発光素子から発散する光を遮蔽・反射するとともに、発散する光の指向性を高めるようにすることもできる。以下では、本発明の発光装置の第四例として、その場合について説明する。
図25、図26は、本発明の発光装置の第四例を示す図面であり、図25は概略平面図、図26は図25のD−D線に沿う概略断面図である。
第四例の実施形態における発光装置1Dは、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23同士を区切るように設けた第二絶縁体34と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体34の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第四例の実施形態における発光装置1Dは、集積回路(図示せず)が形成された半導体基板10と、前記半導体基板10の一面を覆うように設けた第一絶縁体31と、前記第一絶縁体31上に設けられた導電部22と、前記導電部22の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子23,23と、発光素子23同士を区切るように設けた第二絶縁体34と、さらに、少なくとも前記発光素子23から発散される光路上であって、前記発光素子23から見える前記第二絶縁体34の部分を少なくとも覆うように、前記発光素子23と前記半導体基板10との間に設けられた反射体16とを備えている。
第二絶縁体34は、発光素子23同士を区切るように上方に突出して設けられた凸状体であり、ライン状をした凹部35を形成する。第二絶縁体34は、第一絶縁体31と同様に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば5〜500μmとすると良い。この第二絶縁体34は、例えば、回転塗布法や印刷法、ラミネート法等により形成することができる。この凹部33の深さ(すなわち、凸状体の高さ)は、発光素子23の高さと同等か、それより深く(高く)すると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。
反射体16は、第二絶縁体34間のライン状に形成された凹部35内の側面および底面を覆うように設けられる。反射体16の形成方法は、上記第一例の実施形態と同じに行うことができる。そして、この凹部35内に発光素子23が搭載される。なお、この第四例の実施形態を説明する図でも、凹部35内に発光素子23が1個だけ搭載されたものとなっているが、本発明はこれに限らず、凹部35内に発光素子23を2個以上の複数個搭載したものであっても良い。
そして、上記発光装置1Dの製造方法は、図示しないが、上記第二例の実施形態を参考に行うことができる。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意し、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する(図3参照)。
次に、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32を形成する(図11参照)。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、一面に集積回路および電極3を有する半導体基板10を用意し、半導体基板10の上に、一面を覆うように開口部を有する第一絶縁体31を形成する(図3参照)。
次に、第一絶縁体31の上に、均一厚となるように第二絶縁体32を形成する(図11参照)。
次いで、例えば第一絶縁体31上に塗布された感光性樹脂よりなる第二絶縁体上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングし、第一絶縁体31上に突出する凸状の第二絶縁体34を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する(図12参照)。
また、第一絶縁体31および突出した凸状の第二絶縁体34の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する(図13参照)。
また、第一絶縁体31および突出した凸状の第二絶縁体34の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する(図13参照)。
次に、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成する(図14参照)。第四例の実施形態では、凸状の第二絶縁体34間のライン状に形成された凹部35内の底面および側面に反射体16が形成されるものとなる。
次いで、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する(図15参照)。
引き続き、電解めっき法等によりCu等から構成された導電部22を所定箇所に形成する(図16参照)。
次いで、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成する(図15参照)。
引き続き、電解めっき法等によりCu等から構成された導電部22を所定箇所に形成する(図16参照)。
そして、所望の領域に反射体16および導電部22が形成された後、不要なレジスト膜及びシード層はエッチングにより除去し、反射体16および導電部22が形成された領域以外の部分では第一絶縁体31が露出されるようにする(図17参照)。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図25および図26に示す発光装置1Dが製造され、導電部22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
その後、反射体16が形成された所定位置に発光素子23を搭載することにより、図25および図26に示す発光装置1Dが製造され、導電部22と発光素子23とをボンディングワイヤ(図示せず)によって電気的に接続する。
以上のように構成された発光装置1Dもまた、発光素子23と半導体基板10との間に反射体16を有するので、発光素子23から発散する光が反射体16によって遮蔽・反射され、半導体基板10上に形成されたIC回路に入射することが防止され、発光素子23から発散する光によってIC回路が誤動作を起こす虞がなく、安定した高性能を有する発光装置とすることができることは勿論、凸状の第二絶縁体34間のライン状に形成された凹部35内の底面および側面に形成された反射体16によって、発光素子23から発散する光が周囲に漏れて、光が混在しないように光の指向性を高めるようにすることもできる。
次に、本発明の発光装置の第五例として、具体的にLED(発光ダイオード)を用いた場合について説明する。
本実施形態による発光装置1Eは、図27に示すように、LEDドライバ部としての半導体基板(以下、「LEDドライバ部」という)10と、このLEDドライバ部10上に形成されたLED部20とを備える。LEDドライバ部10は、絶縁基板(図示せず)上にLEDドライバICが実装されたものである。
本実施形態による発光装置1Eは、図27に示すように、LEDドライバ部としての半導体基板(以下、「LEDドライバ部」という)10と、このLEDドライバ部10上に形成されたLED部20とを備える。LEDドライバ部10は、絶縁基板(図示せず)上にLEDドライバICが実装されたものである。
図28に示すように、LEDドライバ部10は、その上面に、赤色LED用のカソード用電極11rと、緑色LED用のカソード用電極11gと、青色LED用のカソード用電極11bと、グランド用電極12と、3色のLEDのアノードが共通に接続されるアノード用電極13と、複数のその他用電極14と、レーザトリミング用の複数のヒューズ15とを備える。
ヒューズ15は、一直線上に所定間隔に形成されており、1色のLEDに対して複数が割り当てられている。この複数のヒューズは内部で並列接続されているため、その1つをレーザで溶断するごとに当該LEDに対する許容電流(アノード〜カソード間の通過電流)を低減できるように構成されている。
なお、LEDドライバ部10の下面には、立設させた状態で図示しない複数のピンが、カソード用電極11b.11g.11r、グランド用電極12、およびアノード用電極13のそれぞれに接続されている。
なお、LEDドライバ部10の下面には、立設させた状態で図示しない複数のピンが、カソード用電極11b.11g.11r、グランド用電極12、およびアノード用電極13のそれぞれに接続されている。
LED部20は、図27に示すように、LEDドライバ部10上に図示しない樹脂層(絶縁層)を介して形成された複数の第1の配線パターン21と、この第1の配線パターン21上に図示しない樹脂層(絶縁層)を介して形成された複数の第2の配線パターン22と、この第2の配線パターン22上の所定の位置に搭載された赤色LED23R、緑色LED23G、および青色LED23Bと、これらLED上の電極と第2の配線パターン22の所定の部位とを接続する複数のボンディングワイヤ24とを備える。
赤色LED23R、緑色LED23G、および青色LED23Bは、ともに表面実装型であり、上面が光出射面となって、この上面にアノード電極25r,25g,25bが設けられている。さらに、緑色LED23Gおよび青色LED23Bは、図27に示すように、アノード電極25g,25bに隣接させてカソード電極26g、26bを有し、また、赤色LED23Rは、下面に図示しないカソード電極を有している。
図29は、第1の配線パターン21を示す平面図である。第1の配線パターン21は、アノード用電極13、カソード用電極11b.11g.11r、およびグランド用電極12に一端が接続されたCu等による配線層である。この第1の配線パターン21は、図28のLEDドライバ10上に形成された図示せぬ透明なSiO2 等による第1の樹脂層(絶縁層)上に形成されている。
図30は、第2の配線パターン22を示す平面図である。第2の配線パターン22は、図29に示した第1の配線パターン21上に形成された透明なSiO2 等による第2の樹脂層(絶縁層)上および第1の配線パターン21の露出面上に形成される。第2の配線パターン22は、図27に示すように、その表面にLED23による光を反射させる反射体16を有している。この反射体16は、銅等の素材のままでも良いが、必要に応じて銀色系等のメッキ、蒸着等の処理を施すことができる。また、反射体16は、第2の配線パターン22と同一部材を用い、第2の配線パターン22の形成と同一工程で形成しても良い。
また、第2の配線パターン22は、カソード用電極11b.11g.11r、アノード用電極13、およびグランド用電極12に選択的に接続されるほか、赤色LED23R、緑色LED23G、および青色LED23Bの搭載部、およびボンディングワイヤ24を接続するためのランドとして機能する。
そして、本発明における第五例の実施形態による発光装置1は、上述した他の実施形態と同様に、以下のようにして製造することができる。
この発光装置1の製造方法については図示しないが、まず、LEDドライバ10が形成されたウェハを用意する。なお、LEDドライバ10は、その一面に電極を有している。
次に、このLEDドライバ10の表面に、透明な第1の絶縁層としての第1の樹脂層を形成する。このとき、グランド用電極12、カソード用電極11b.11g.11r、およびアノード用電極13に対向する部分には、複数の開口が同時に形成されている。
この発光装置1の製造方法については図示しないが、まず、LEDドライバ10が形成されたウェハを用意する。なお、LEDドライバ10は、その一面に電極を有している。
次に、このLEDドライバ10の表面に、透明な第1の絶縁層としての第1の樹脂層を形成する。このとき、グランド用電極12、カソード用電極11b.11g.11r、およびアノード用電極13に対向する部分には、複数の開口が同時に形成されている。
次いで、複数の第1の配線パターン21が、第1の樹脂層上に形成される。この第1の配線パターン21の形成は、例えばフォトリソグラフィにより形成する。
次に、第2の絶縁層としての第2の樹脂層が、第1の配線パターン21上に形成される。このとき、3つのLED23が搭載される部分には、第1の配線パターン21が露出する開口が3つ形成されている。この第2の樹脂層には、第1の樹脂層と同一材料を用いる。
次に、第2の絶縁層としての第2の樹脂層が、第1の配線パターン21上に形成される。このとき、3つのLED23が搭載される部分には、第1の配線パターン21が露出する開口が3つ形成されている。この第2の樹脂層には、第1の樹脂層と同一材料を用いる。
次に、反射体16を部分的に兼ねる複数の第2の配線パターン22が、第2の樹脂層上に形成される。このとき、LEDを搭載する部分には、3つの凹部が形成され、この凹部内の底面および側面は反射体16で覆われる。
そして、LED23G,23R,23Bが、第2の配線パターン22の3つの凹部上にはんだ接続等により搭載される。
その後、複数のボンディングワイヤ24が、アノード用電極13およびカソード電極26g、26bに接続されている第2の配線パターン22に接続される。
以上により、図27に示す発光装置1Eが製造される。
そして、LED23G,23R,23Bが、第2の配線パターン22の3つの凹部上にはんだ接続等により搭載される。
その後、複数のボンディングワイヤ24が、アノード用電極13およびカソード電極26g、26bに接続されている第2の配線パターン22に接続される。
以上により、図27に示す発光装置1Eが製造される。
なお、第五例の発光装置は、平面的な反射体を形成する上記第一例を応用したものであるが、これに限らず発光素子を取り囲む凹状または発光素子同士を区切る凸状にそれぞれ形成した第二絶縁体を覆うように反射体を形成する上記第二例、第三例、および第四例の何れかを応用したものであっても良い。
また、上述した発光装置の製造方法は何れも好適な一例であって、特に限定されるものではない。したがって、反射体は図に示すように発光素子の周囲だけに限定することなく、基板の上面に全体的に形成するようにしても良い。
本発明は、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機の液晶ディスプレイのバックライトに用いられる発光装置に適用できる。
1(1A,1B,1C,1D) 発光装置、3 電極、10 半導体基板(LEDドライバ部)、11b,11g,11r カソード用電極、12 グランド用電極、13 アノード用電極、14 その他用電極、15 ヒューズ、16 反射体、20 LED部、21 第1の配線パターン、22 第2の配線パターン、23 発光素子、23B 青色LED、23G 緑色LED、23R 赤色LED、24 ボンディングワイヤ、25b,25g,25r アノード電極、26b,26g,26r カソード電極、31 第一絶縁体、32,34 第二絶縁体、33,35 凹部。
Claims (5)
- 少なくとも一面に電極を配した半導体基板と、
前記半導体基板の一面を覆うように設けられた第一絶縁体と、
前記第一絶縁体上に設けられた導電部と、
前記導電部の所定位置に配され、電気的に接続された複数個の発光素子と、
を備えてなり、
さらに、少なくとも前記発光素子から発散される光路上であって、前記発光素子と前記半導体基板との間に反射体を有していることを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子を個別に取り囲むように、または前記発光素子同士を区切るように、第二絶縁体が設けられ、
前記反射体は、前記発光素子から見える前記第二絶縁体の部分を少なくとも覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記第二絶縁体が前記発光素子を個別に取り囲むように設けられた場合には、
前記発光素子は前記第二絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 - 前記第二絶縁体が前記発光素子同士を区切るように設けられた場合には、
前記発光素子は前記第二絶縁体間のライン状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 - 前記導電部が前記反射体と同一部材である
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005211452A JP2007027638A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 発光装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005211452A Withdrawn JP2007027638A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007027638A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009131213A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | パナソニック電工株式会社 | Ledモジュールおよびそれを用いた照明器具 |
JP2011114075A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Oki Data Corp | 発光素子アレイ及び画像表示装置 |
TWI423488B (zh) * | 2010-07-12 | 2014-01-11 | Optromax Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構 |
JP2014216588A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社沖データ | 発光装置、その製造方法、画像表示装置、及び画像形成装置 |
CN104838508A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-12 | 勒克斯维科技公司 | 发光器件反射隔堤结构 |
US9559142B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Active matrix display panel with ground tie lines |
-
2005
- 2005-07-21 JP JP2005211452A patent/JP2007027638A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009131213A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | パナソニック電工株式会社 | Ledモジュールおよびそれを用いた照明器具 |
US8823021B2 (en) | 2008-04-24 | 2014-09-02 | Panasonic Corporation | LED module and lighting device using the same |
JP2011114075A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Oki Data Corp | 発光素子アレイ及び画像表示装置 |
TWI423488B (zh) * | 2010-07-12 | 2014-01-11 | Optromax Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構 |
JP2016503958A (ja) * | 2012-12-10 | 2016-02-08 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | 発光素子反射バンク構造 |
CN104838508A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-12 | 勒克斯维科技公司 | 发光器件反射隔堤结构 |
US9559142B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Active matrix display panel with ground tie lines |
US9620487B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Light emitting device reflective bank structure |
KR101729328B1 (ko) | 2012-12-10 | 2017-04-21 | 애플 인크. | 발광 소자 반사형 뱅크 구조체 |
US10043784B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-08-07 | Apple Inc. | Light emitting device reflective bank structure |
US10784236B2 (en) | 2012-12-10 | 2020-09-22 | Apple Inc. | Light emitting device reflective bank structure |
US11373986B2 (en) | 2012-12-10 | 2022-06-28 | Apple Inc. | Light emitting device reflective bank structure |
US11916048B2 (en) | 2012-12-10 | 2024-02-27 | Apple Inc. | Light emitting device reflective bank structure |
JP2014216588A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社沖データ | 発光装置、その製造方法、画像表示装置、及び画像形成装置 |
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