TWI626493B - Touch panel sensing film and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是有關可提升後加工的精度之被賦予對準標記或製品資訊的觸控面板感測薄膜及其製造方法。
本發明的觸控面板感測薄膜(70)係具備透明的基材薄膜(32)及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電體圖案之觸控面板感測器用的感測薄膜，在上述感測薄膜的非主動區域形成對準標記(71，73，74，76，77)或製品資訊(78，79)，藉此解決上述的課題。

Description

觸控面板感測薄膜及其製造方法
本發明是有關觸控面板感測薄膜及其製造方法。
現在廣泛使用觸控面板裝置作為輸入手段。觸控面板裝置是包含觸控面板感測器、檢測出往觸控面板感測器上的接觸位置的控制電路、配線及FPC(可撓性印刷基板)。觸控面板裝置大多的情況是作為對於組裝有液晶顯示器或電漿顯示器等的顯示裝置的各種裝置等(例如販賣機、ATM裝置、行動電話、遊戲機)的輸入手段，與顯示裝置一起被使用。在如此的裝置中，觸控面板感測器是被配置於顯示裝置的顯示面上，藉此，觸控面板裝置可對顯示裝置極直接的輸入。觸控面板感測器之中與顯示裝置的顯示區域對面的區域是形成透明，觸控面板感測器的此區域會構成可檢測出接觸位置(接近位置)的主動區域。
觸控面板裝置是根據檢測出往觸控面板感測器上的接觸位置(接近位置)的原理來區別成各種的形式。最近，基於光學的明亮、具有設計性、構造容易、機能性亦佳等的理由，電容耦合方式的觸控面板裝置受到注目。在電容耦合方式的觸控面板裝置中，應被檢測出位置的外部導體(典型的是手指)會經由電介體來接觸(接近)於觸控感測器，藉此產生新的寄生電容，可利用此靜電電容的變化來檢測出觸控面板感測器上的對象物的位置。電容耦合方式有表面型及投影型，但由適於對應多點觸控(multi-touch)的辨識(多點辨識)的情形來看，投影型受到注目(例如專利文獻1)。
投影型電容耦合方式的觸控面板感測器是具有電介體、及在電介體的兩側分別以不同的圖案形成的第1感測器電極及第2感測器電極。典型的是第1感測器電極及第2感測器電極分別具有配列成格子狀的導電體，可根據外部導體(典型的是手指)接觸或接近於觸控面板感測器時所產生的電磁性的變化或靜電電容的變化來檢測出導電體的位置。
如此的投影型電容耦合方式的觸控面板感測器，一般是藉由接著層來接合形成有第1感測器電極的第1基材薄膜及形成有第2感測器電極的第2基材薄膜，藉此製作(例如專利文獻2)。在所被製作的觸控面板感測器中，第1感測器電極及第2感測器電極是經由基材薄膜的主動區域外的區域所形成的取出配線(取出用的導電體)來連接至外部的控制電路。當觸控面板裝置與顯示裝置一起被使用時，第1感測器電極及第2感測器電極是由導電率(電氣傳導率)低的透明導電材料所形成。另一方面，被配置於主動區域外的取出配線是不需要透明，以網版印刷在基材薄膜上印刷具有高導電率的金屬材料來形成。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特表2007-533044號公報
[專利文獻2]特開平4-264613號公報
可是，最近基於使設計性提升的目的、及使顯示裝置的顯示區域擴大的目的，被要求使包圍顯示區域的周圍之被稱為框緣區域的區域小面積化。隨之，被要求使觸控面板感測器的主動區域以外的非主動區域小面積化。此要求是只要將取出用的配線予以充分地高精細形成於非主動區域便可滿足。隨著此非主動區域的小面積化及取出用配線的高精細化，被要求在薄板條上或薄片上所製作的觸控面板感測器的切出精度、對觸控面板感測器的觸控面板裝置的對位精度、及與FPC的貼合精度。然而，現在所被使用的各種製造方法(例如上述的網版印刷)對於所被要求的精度是難以充分的對應。
本發明是有鑑於此點而進行研發者，其目的是在於提供一種在薄板條上或薄片上所製作的非主動區域小且可靠度高之觸控面板感測器用的感測薄膜，可提升切出觸控面板感測器個片的加工精度、高精細配線與FPC的連接精度、及與觸控面板裝置的對位精度之觸控面板感測器用的感測薄膜。而且，以提供一種在被小面積化的非主動區域記錄製品資訊之觸控面板感測器用的感測薄膜及其製造方法為目的。
本發明的觸控面板感測薄膜係具備透明的基材薄膜及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電體圖案之觸控面板感測器用的感測薄膜，在上述感測薄膜的非主動區域形成有對準標記或製品資訊。
在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記或上述製品資訊亦可以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成。
在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記或上述製品資訊亦可以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成，且被形成於上述基材薄膜的兩面。
並且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記或上述製品資訊係以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成，且上述對準標記或上述製品資訊亦可包含：在上述透明導電體的一部分上離開上述基材薄膜而設的上述中間層、及設於該中間層上的高導電層。此情況，上述高導電層是由具有比成為上述透明導電體及上述中間層的材料更高的導電率的材料所形成，上述中間層是由與上述透明導電體之間的密著力比上述高導電層更大的材料所形成。上述高導電層可由銀合金所形成，上述中間層可由MoNb合金所形成。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，以各個的製品為單位的單位圖案亦可被多面附上。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記或製品資訊亦可被形成於每個上述單位圖案。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記或製品資訊亦可被形成於每個被多面附上的單位圖案的預定集合組。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，使用上述對準標記的用途可為薄片切割用途、個片切割用途、個片打穿用途、FPC貼附用途、或與顯示面板的對位用途。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述對準標記係被形成於每個上述用途。並且，至少1個的上述對準標記亦可形成對應於上述用途的其中複數的用途。而且，形成只對應於上述用途的其中1個用途的對準標記、及形成對應於上述用途的其中複數的用途的對準標記，亦可分別被形成。
而且，在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述製品資訊係包含：品名資訊、批號資訊、製造日資訊、製品等級資訊的其中一個以上。上述製品資訊亦可以條碼形成。
而且，本發明係觸控面板感測薄膜的製造方法，該觸控面板感測薄膜係具備：透明的基材薄膜；及設於上述基材薄膜的至少一方的面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案，且在非主動區域形成有對準標記或/及製品資訊，其特徵係具備：在具有上述基材薄膜及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電層及設於上述透明導電層上的被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，藉此使上述感光層圖案化成對應於之後形成的感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊的圖案之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層，而使上述被覆導電層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層及上述被圖案化的被覆導電層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層，而除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分來形成感測器部之工程；及除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，藉此，製造形成上述對準標記或/及上述製品資訊的觸控面板感測薄膜。
而且，本發明係觸控面板感測薄膜的製造方法，該觸控面板感測薄膜係具備：透明的基材薄膜；及設於上述基材薄膜的至少一方的面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案，且在非主動區域形成有對準標記或/及製品資訊，其特徵係具備：在具有上述基材薄膜及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電層及設於上述透明導電層上的中間層及設於上述中間層上的被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，藉此使上述感光層圖案化成對應於之後形成的感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊的圖案之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層及上述中間層，而使上述被覆導電層及上述中間層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層、上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層，而除去上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層的一部分來形成感測器部之工程；除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，藉此，製造形成上述對準標記或/及上述製品資訊的觸控面板感測薄膜。
本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法的特徵係具備：在具有透明的基材薄膜及設於上述基材薄膜的一方側的面上的透明導電層及設於上述透明導電層上的被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光的工程；將上述感光層顯像而圖案化之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層，而使上述被覆導電層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層及上述被圖案化的被覆導電層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層，而除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分之工程；及除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，對準標記或製品資訊會在上述工程中與觸控面板感測器圖案同時製作。
在本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法中，上述被覆導電層亦可由具有比成為上述透明導電層的材料更高導電率的材料所形成。
又，本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法更具備：藉由進行退火處理來使非晶形狀的上述透明導電層的結晶化進展之工程，使上述透明導電層的結晶化進展的工程可在比使上述透明導電層圖案化的工程更後，比除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分的工程更前實施。在如此的本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法中，上述被覆導電層亦可含銀作為主成分。
而且，在本發明之觸控面板感測器的製造方法中，上述被覆導電層亦可包含：設於上述透明導電層上的中間層、及設於該中間層上的高導電層。此情況，上述高導電層係由具有比成為上述透明導電體及上述中間層的材料更高導電率的材料所形成，上述中間層係由與上述透明導電體之間的密著力比上述高導電層更大的材料所形成。
而且，在本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法中，上述高導電層可由銀合金所形成，上述中間層可由MoNb合金所形成。
本發明的積層體係為了製作觸控面板感測薄膜而使用的積層體，其特徵係具備：透明的基材薄膜、及設於上述基材薄膜的一方側的面上的透明導電層、及設於上述透明導電層上的被覆導電層。
在本發明的積層體中，上述被覆導電層亦可由具有比成為上述透明導電層的材料更高導電率的材料所形成。
並且，在本發明的積層體中，上述被覆導電層亦可包含：設於上述透明導電層上的中間層、及設於該中間層上的高導電層。此情況，上述高導電層係由具有比成為上述透明導電體及上述中間層的材料更高導電率的材料所形成，上述中間層係由與上述透明導電體之間的密著力比上述高導電層更大的材料所形成。
而且，在本發明的積層體中，上述高導電層亦可由銀合金所形成，上述中間層亦可由MoNb合金所形成。
又，本發明的觸控面板感測薄膜，係具備透明的基材薄膜及分別設於上述基材薄膜的兩面上的透明導電體圖案之觸控面板感測器用的感測薄膜，更具備：分別形成於上述感測薄膜的兩面的非主動區域之一對的指標部，構成一方對另一方具有預定的接近關係之一對的指標部。
在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述一對的指標部亦可以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成。
在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述一對的指標部的一方係具有形成在其內側劃定透過部的內側輪廓，上述一對的指標部的另一方可至少部分的配置於藉由上述內側輪廓所劃定的透過部內。
在本發明的觸控面板感測薄膜中，上述一對的指標部係分別包含沿著一方向來以預定的間距排列的複數的單位指標部，上述一對的指標部的一方的各單位指標部的間距與上述一對的指標部的另一方的各單位指標部的間距可不同。
藉由本發明以形成有對準標記或製品資訊為特徵的觸控面板感測薄膜，可提升對準標記及製品資訊的位置精度，且可提升薄片切割、個片切割、個片打穿、FPC貼附等的加工精度在後工程的精度，同時可提升機械讀取製品資訊、特別是條碼資訊時的精度。
並且，上述對準標記或上述製品資訊係作為在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜，與上述被覆導電層同工程製作，藉此無上述對準標記或上述製品資訊的位置偏離，且在後工程的精度會提升。而且即使被形成於上述基材薄膜的兩面時，藉由和上述被覆導電層同工程製作，不會發生與透明導電層、透明導電體的位置偏離，形成上述對準標記或上述製品資訊。
並且，上述對準標記是以一個對準標記來兼具複數個的目的形成，藉此可使對準標記設置面積減少，可形成更進一步的窄框緣化。
並且，上述製品資訊是包含品名資訊、批號資訊、製造日資訊、製品等級資訊的其中一個以上，藉此在個片切割組裝至觸控面板裝置後可確認製品資訊。而且，藉由形成條碼等機械可讀取的資訊，能進行往觸控面板裝置的組裝等的後加工工程的製品管理。
又，本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法，係具備設於透明的基材薄膜的至少一方的面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案，且在非主動區域形成有對準標記或/及製品資訊之觸控面板感測薄膜的製造方法，其特徵係具備：在具有透明的基材薄膜及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電層及設於上述透明導電層上的被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，而使感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊圖案化之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層，而使上述被覆導電層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層及上述被圖案化的被覆導電層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層，而除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分來形成感測器部之工程；及除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，藉此，可不需要新的工程，與觸控面板感測器同工程，持高的位置精度，製作形成上述對準標記或/及上述製品資訊的觸控面板感測薄膜。
而且，本發明之觸控面板感測薄膜的製造方法，係具備設於透明的基材薄膜的至少一方的面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案，且在非主動區域形成有對準標記或/及製品資訊之觸控面板感測薄膜的製造方法，其特徵係具備：在具有上述基材薄膜及設於上述基材薄膜的至少一方的面上的透明導電層及設於上述透明導電層上的中間層及設於上述中間層上的被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，而使感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊圖案化之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層及上述中間層，而使上述被覆導電層及上述中間層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層、上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層，而除去上述被圖案化的被覆導電層及上述中間層的一部分來形成感測器部之工程；及除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，藉此，可不需要新的工程，與觸控面板感測器同工程，持高的位置精度，製作形成上述對準標記或/及上述製品資訊的觸控面板感測薄膜。
 第1實施形態
以下，參照圖面來說明有關本發明的第1實施形態。
另外，在本說明書所附的圖面中，為了方便圖示及理解，適當縮小尺寸及誇張變更縱橫的尺寸比等。
並且，在本件中，「薄片」、「薄膜」、「板」的用語只是稱呼上的不同，並非彼此區別者。因此，例如「薄片」是包含被稱為薄膜或板等之類的構件或部分的概念。
圖1～圖6是用以說明本發明之一實施形態的圖。其中圖1是將觸控面板裝置與顯示裝置一起概略性顯示的圖，圖2是將圖1的觸控面板裝置與顯示裝置一起顯示的剖面圖，圖3A及圖3B是表示觸控面板裝置的觸控面板感測器的上面圖及剖面圖，圖4是用以說明觸控面板感測器的具體例的圖。又，圖5A～圖5L是用以說明供以製造圖3的觸控面板感測器的製造方法的圖。又，圖6是用以說明圖3的觸控面板感測器的製造方法的流程圖。
圖1～圖3B所示的觸控面板裝置20是構成為投影型的靜電電容耦合方式，構成可檢測出外部導體(例如人的手指)對觸控面板裝置的接觸位置。另外，當靜電電容耦合方式的觸控面板裝置20的檢測感度佳時，只要外部導體接近觸控面板裝置，便可檢測出該外部導體接近觸控面板裝置的哪個區域。隨如此的現象，在此所使用的「接觸位置」是實際包含雖未接觸但可檢測出位置的接近位置。
如圖1及圖2所示，觸控面板裝置20是與顯示裝置(例如液晶顯示裝置)15一起組合使用，構成輸出入裝置10。圖示的顯示裝置15是構成為平板顯示器。顯示裝置15是具有：具有顯示面16a的顯示面板16、及被連接至顯示面板16的顯示控制部17。顯示面板16是包含：可顯示映像的顯示區域A1、及以能夠包圍顯示區域A1的方式配置於顯示區域A1的外側的非顯示區域(亦稱為框緣區域)A2。顯示控制部17是處理有關應被顯示的映像的資訊，根據映像資訊來驅動顯示面板16。顯示面板16可根據顯示控制部17的控制訊號來將預定的映像顯示於顯示面16a。亦即，顯示裝置15是作為以文字或圖等的資訊作為映像輸出的輸出裝置來執行任務。
另一方面，觸控面板裝置20是具有：被配置於顯示裝置15的顯示面16a上的觸控面板感測器30、及被連接至觸控面板感測器30的檢測控制部25。如圖2所示，觸控面板感測器30是經由接著層19來接著於顯示裝置15的顯示面16a上。如上述般，觸控面板裝置20是構成為投影型電容耦合方式的觸控面板裝置，擔負作為輸入資訊的輸入裝置的任務。
又，如圖2所示，觸控面板裝置20是在觸控面板感測器30的觀察者側，亦即與顯示裝置15相反的側更具有保護罩12，該保護罩12是具有作為電介體的機能，且具有透光性。保護罩12是在觸控面板感測器30上經由接著層14來接著。此保護罩12是具有作為對觸控面板裝置20的輸入面(觸控面、接觸面)的機能。亦即，藉由使導體例如人的手指5接觸於保護罩12，可自外部對觸控面板裝置20輸入資訊。並且，保護罩12是成為輸出入裝置10的最觀察者側面，在輸出入裝置10中，亦具有作為自外部保護觸控面板裝置20及顯示裝置15的罩之機能。
另外，可使用由具有各種接著性的材料所構成的層，作為上述的接著層14，19。並且，在本說明書中，「接著(層)」是作為亦包含黏著(層)的概念使用。
觸控面板裝置20的檢測控制部25是被連接至觸控面板感測器30，處理經由保護罩12來輸入的資訊。具體而言，檢測控制部25是包含：在導體(典型的是人的手指)5對保護罩12接觸時，構成可特定導體5對保護罩12的接觸位置之電路(檢測電路)。並且，檢測控制部25是與顯示裝置15的顯示控制部17連接，亦可將處理後的輸入資訊往顯示控制部17傳送。此時，顯示控制部17是作成根據輸入資訊的映像資訊，可使對應於輸入資訊的映像顯示於顯示面板16。
另外，「電容耦合」方式及「投影型」的電容耦合方式的用語是具有與在觸控面板的技術領域使用時的意思同樣的意思，在本件中也使用。另外，「電容耦合」方式是在觸控面板的技術領域中亦被稱為「靜電電容」方式或「靜電電容耦合」方式等，在本件是當作與該等的「靜電電容」方式或「靜電電容耦合」方式等同義的用語處理。典型的靜電電容耦合方式的觸控面板裝置是包含導電體層，藉由外部的導體(典型的是人的手指)接觸於觸控面板，可在外部的導體與觸控面板裝置的導電體層之間形成電容器(靜電電容)。然後，可根據隨此電容器的形成之電性狀態的變化，在觸控面板上特定外部導體所接觸的位置的位置座標。並且，「投影型」的電容耦合方式是在觸控面板的技術領域中亦被稱為「投影式」的電容耦合方式等，在本件是當作與此「投影式」的電容耦合方式等同義的用語處理。所謂「投影型」的電容耦合方式，典型的是具有被配列成格子狀的感測器電極，可與具有膜狀的電極之「表面型」的電容耦合方式作對比。
如圖2及圖3A所示般，觸控面板感測器30是具有：基材薄膜32、及在基材薄膜32的一方的側(觀察者側)的面32a上以預定的圖案設置的第1透明導電體40、及在基材薄膜32的另一方的側(顯示裝置15的側)的面32b上以預定的圖案設置的第2透明導電體45。又，如圖3所示，觸控面板感測器30更具有：設於第1透明導電體40的一部分上的第1取出導電體43、及設於第2透明導電體45的一部分上的第1取出導電體48。
基材薄膜32是在觸控面板感測器20中作為電介體的機能，例如可由PET薄膜(聚對苯二甲二乙酯薄膜)所構成。如圖3A所示般，基材薄膜32是包含：對應於可檢測出觸控位置的區域之主動區域Aa1、及與主動區域Aa1鄰接的非主動區域Aa2。如圖1所示般，觸控面板感測器30的主動區域Aa1是佔據與顯示裝置15的顯示區域A1對面的區域。另一方面，非主動區域Aa2是由四方來包圍矩形狀的主動區域Aa1，換言之，形成框緣狀。此非主動區域Aa2是被形成於與顯示裝置15的非顯示區域A2對面的區域。
在基材薄膜32的主動區域Aa1上設有可在與外部導體5之間形成電容耦合的感測器電極37a。另一方面，在基材薄膜32的非主動區域Aa2上設有被連接至感測器電極37a的取出配線37b。取出配線37b是其一端被連接至感測器電極37a，且其另一端被電性連接至構成可檢測出外部導體對顯示面12的接觸位置之檢測控制部25的檢測電路。在本實施形態中，如圖3A所示，在基材薄膜32的主動區域Aa1上，只配置有第1透明導電體40及第2透明導電體45的一部分，藉由此第1透明導電體40及第2透明導電體45的一部分來形成感測器電極37a。基材薄膜32、第1透明導電體40及第2透明導電體45是具有透光性，觀察者可經由該等來觀察被顯示於顯示裝置15的映像。
另外，在本實施形態中，基材薄膜32是藉由作為單一體的薄膜所形成。在此所謂「單一體」是意思不可分離成二以上。因此，所謂作為單一體的薄膜是不含經由接著層來接合而成的複數片薄膜的接合體。另一方面，包含：薄膜本體、及在薄膜本體的一方的面上或兩方的面上例如藉由濺射等來不可分離(但可除去)地形成的機能膜之基材薄膜是相當於在此所謂單一體構成的薄膜。在圖4(a)及圖4(b)是顯示由機能膜及薄膜本體所構成的基材薄膜的一例。
在圖4(a)所示的例子中，基材薄膜32是具有：由樹脂(例如、PET)所構成的薄膜本體33、及形成於薄膜本體33的一方或兩方的面上的折射率匹配膜34。折射率匹配膜34是包含交替配置的複數的高折射率膜34a及低折射率膜34b。若利用此折射率匹配膜34，則即使基材薄膜32的薄膜本體33與透明導電體40，45的折射率大不同，還是可防止在基材薄膜32上設有透明導電體40，45的區域及未設的區域反射率變化大。
並且，在圖4(b)所示的例子中，基材薄膜32是具有：由樹脂(例如、PET)所構成的薄膜本體33、及形成於薄膜本體33的一方或兩方的面上的低折射率膜35。若利用此低折射率膜35，則即使基材薄膜32的薄膜本體33與透明導電體40，45的折射率大不同，還是可防止在基材薄膜32上設有透明導電體40，45的區域及未設的區域透過率的光譜特性變化大，可在各波長域形成均一的透過率。
其次，更詳述有關第1透明導電體40及第2透明導電體45。
第1透明導電體40及第2透明導電體45是由具有導電性的材料(例如ITO(銦錫氧化物))所形成，被電性連接至構成可檢測出外部導體5對保護罩12的接觸位置之檢測控制部25的檢測電路。第1透明導電體40是具有：被配置於基材薄膜32的主動區域Aa1之多數的第1感測器部(第1感測器導電體、感測器電極)41、及分別被連結至各第1感測器部41，且被配置於基材薄膜32的非主動區域Aa2之多數的第1端子部(第1端子導電體)42。同樣，第2透明導電體45是具有：被配置於基材薄膜32的主動區域Aa1之多數的第2感測器部(第2感測器導電體、感測器電極)46、及分別被連結至各第2感測器部46，且被配置於基材薄膜32的非主動區域Aa2之多數的第2端子部(第2端子導電體)47。
第1透明導電體40的第1感測器部41是在基材薄膜32的一方的側(觀察者側)的面32a上以預定的圖案配置。並且，第2透明導電體45的第2感測器部46是在基材薄膜32的另一方的側(顯示裝置15的側)的面32b上與第1透明導電體40的第1感測器部41的圖案不同的預定的圖案配置。更具體而言，如圖3A所示，第1透明導電體40的第1感測器部41是構成為在沿著基材薄膜32的薄膜面的一方向排列配置的線狀導電體。又，第2透明導電體45的第2感測器部46是構成為在沿著與上述一方向交叉的基材薄膜32的薄膜面的另一方向排列配置的線狀導電體。在本實施形態中，第1感測器部41的配列方向的一方向與第2感測器部46的配列方向的另一方向是在基材薄膜32的薄膜面上正交。
如圖3A所示，成為第1感測器部41的線狀導電體是分別在與其配列方向(上述一方向)交叉的方向線狀地延伸。同樣，成為第2感測器部46的線狀導電體是分別在與其配列方向(上述另一方向)交叉的方向線狀地延伸。由其在圖示的例子中，第1感測器部41是沿著與其配列方向(上述一方向)正交的方向(上述另一方向)來直線狀地延伸，第2感測器部46是沿著與其配列方向(上述另一方向)正交的方向(上述一方向)來直線狀地延伸。
在本實施形態中，各第1感測器部41是具有：直線狀延伸的線部41a、及從線部41a膨出的膨出部41b。在圖示的例子中，線部41a是沿著與第1感測器部41的配列方向交叉的方向來直線狀地延伸。膨出部41b是沿著基材薄膜32的薄膜面來從線部41a膨出的部分。因此，各第1感測器部41的寬是在設有膨出部41b的部分變粗。如圖3所示般，在本實施形態中，各第1感測器部41是在膨出部41b具有平面視大略正方形形狀的外輪廓。
在第2透明導電體45所含的第2感測器部46也是與在第1透明導電體40所含的第1感測器部41同樣構成。亦即，在第2透明導電體45所含的各第2感測器46是具有：直線狀延伸的線部46a、及從線部46a膨出的膨出部46b。在圖示的例子中，線部46a是沿著與第2感測器部46的配列方向交叉的方向來直線狀地延伸。膨出部46b是沿著基材薄膜32的薄膜面來從線部46a膨出的部分。因此，各第2感測器部46的寬是在設有膨出部46b的部分變粗。如圖3所示般，在本實施形態中，各第2感測器部46是在膨出部46b具有平面視大略正方形形狀的外輪廓。
另外，如圖3A所示般，由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時(亦即平面視)，在第1透明導電體40所含的各第1感測器部41是與在第2透明導電體45所含的多數個第2感測器部46交叉。而且，如圖3A所示般，第1透明導電體40的膨出部41b是在第1感測器部41上，被配置於與相鄰的二個第2感測器部46的交叉點之間。同樣，由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時，在第2透明導電體45所含的各第2感測器部46是與在第1透明導電體40所含的多數個第1感測器部41交叉。而且，第2透明導電體45的膨出部46b也是在第2感測器部46上，被配置於與相鄰的二個第1感測器部41的交叉點之間。而且，在本實施形態中，在第1透明導電體40所含的第1感測器部41的膨出部41b與在第2透明導電體45所含的第2感測器部46的膨出部46b是由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時配置成不會重疊。亦即，由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時，在第1透明導電體40所含的第1感測器部41與在第2透明導電體45所含的第2感測器部46是只在各感測器部41，46的線部41a、46a交叉。
如上述般，第1透明導電體40是具備被連結至如此的第1感測器部41的第1端子部42。第1端子部42是分別對於第1感測器部41，按照接觸位置的檢測方法來設置一個或二個。各第1端子部42是從所對應的第1感測器部41的端部來分別線狀地延伸出。同樣，第2透明導電體45是具有被連結至第2感測器部46的第2端子部47。第2端子部47是分別對於第2感測器部46，按照接觸位置的檢測方法來設置一個或二個。各第2端子部47是從所對應的第2感測器部46的端部來分別線狀地延伸出。如圖3所示般，在本實施形態中，第1端子部42是由與第1感測器部41同一材料來一體形成，第2端子部47是由與第1感測器部46同一材料來一體形成。
其次，詳述有關第1取出導電體43及第2取出導電體48。如上述般，第1取出導電體43是被配置於第1透明導電體40的一部分上，第2取出導電體48是被配置於第1透明導電體45的一部分上。更具體而言，第1取出導電體43是被配置於第1透明導電體40的第1端子部42的一部分上，第2取出導電體48是被配置於第2透明導電體45的第2端子部47的一部分上。亦即，第1取出導電體43是在基材薄膜32的一方的側的面32a，配置於非主動區域Aa2，第2取出導電體48是在基材薄膜32的另一方的側的面32b，配置於非主動區域Aa2。
如圖3A所示，第1透明導電體40的第1端子部42及第2透明導電體45的第2端子部47是形成線狀。而且，第1取出導電體43是在形成線狀的第1端子部42之中往第1感測器部41的連接處附近的部分以外的部分上，以和該部分同一圖案來線狀地延伸。同樣，第2取出導電體48是在形成線狀的第2端子部47之中往第2感測器部46的連接處附近以外的部分上，以和該部分同一圖案來線狀地延伸。
又，如圖3B所示般，第1取出導電體43是離開基材薄膜32，配置於第1透明導電體40上。亦即，第1取出導電體43是不接觸於基材薄膜32。此結果，藉由第1透明導電體40的第1取出導電體43所覆蓋的部分是在基材薄膜32與第1取出導電體43之間露出於側方。由其在本實施形態中，第1取出導電體43的寬會形成與藉由該第1取出導電體43所覆蓋的第1透明導電體40的第1端子部42的部分的寬相同或若干窄。
同樣，雖圖示省略，但第2取出導電體48也是與第1取出導電體43同樣構成。亦即，第2取出導電體48是離開基材薄膜32來配置於第2透明導電體45上，不接觸於基材薄膜32。此結果，藉由第2透明導電體45的第2取出導電體48所覆蓋的部分是在基材薄膜32與第2取出導電體48之間露出於側方。由其在本實施形態中，第2取出導電體48的寬會形成與藉由該第2取出導電體48所覆蓋的第2透明導電體45的第2端子部47的部分的寬相同或若干窄。
第1取出導電體43是將用以使由第1透明導電體40的第1感測器部41所構成的感測器電極37a往檢測控制部25連接的取出配線37b和第1透明導電體40的第1端子部42一起構成。又，第2取出導電體48是將用以使由第2透明導電體45的第2感測器部46所構成的感測器電極37a往檢測控制部25連接的取出配線37b和第2透明導電體45的第2端子部47一起構成。由於如此的第1取出導電體43及第2取出導電體48是被配置於非主動區域Aa2，因此不需要由具有透光性的材料所形成，可由具有高導電性的材料所形成。在本實施形態中，第1取出導電體43及第2取出導電體48是由具有比成為第1透明導電體40及第2透明導電體45的材料更高導電率(電氣傳導率)的材料所形成。具體而言，可使用具有遮光性且具有比ITO等的透明導電體更特別高的導電率之例如鋁、鉬、銀、鉻、銅等的金屬材料來形成第1取出導電體43及第2取出導電體48。
在由如此的構成所形成的觸控面板感測器30中，由取出導電體43，48及透明導電體40，45的端子部42，47所構成的取出配線37b會經由未圖示的外部連接配線來連接至檢測控制部25。而且，若根據由如此的構成所形成的觸控面板感測器30，則即使在觸控面板感測器30彎曲等變形時，如以下所說明般，取出導電體43，48及透明導電體40，45的端子部42，47會被保持於彼此連結的狀態，在感測器電極37a與檢測控制部25之間可確保安定的導通。
由具有高導電率的金屬等所構成的取出導電體43，48是對於透明導電體40，45具有某程度的密著力，但對於由樹脂或玻璃等所構成的基材薄膜32是只具有低密著力。因此，例如像圖11那樣，高導電率導電體接觸於由樹脂或玻璃等所構成的基材時，此接觸位置會形成剝離的起點，如二點虛線所示般，在基材變形時，高導電率導電體容易從基材剝離。由其是高導電率導電體將透明導電體全體被覆時，作為高導電率導電體及透明導電體的全體的剛性會變高，難以追隨基材的變形而變形。此點也是在基材變形時，高導電率導電體容易從基材剝離。
相對的，若根據本實施形態，則因為取出導電體43，48離開基材薄膜32，所以取出導電體43，48之來自基材薄膜32的剝離的基點不會被形成。並且，取出導電層43，48是只被載置於透明導電體40，45上，未從側方被覆透明導電體40，45。因此，透明導電體40，45是容易追隨基材薄膜32的變形而變形，透明導電體40，45也不易從基材薄膜32剝離。藉此，若根據本實施形態的觸控面板感測器30，則即使觸控面板感測器30彎曲等變形，取出導電體43，48及透明導電體40，45的端子部42，47會被保持於彼此連結的狀態，在感測器電極37a與檢測控制部25之間可確保安定的導通。
又，如圖3B所示，在由以上那樣的構成所形成的觸控面板感測器30中，取出導電體43，48是只被配置於透明導電體40，45的端子部42，47上，未延伸至透明導電體40，45的端子部42，47的側方。因此，可縮小作為由取出導電體43，48及透明導電體40，45的端子部42，47所構成的取出配線37b全體的線寬。藉此，可以更短間距來配置同一的導電率的取出配線37b，可縮小取出配線37b的配置空間，亦即非主動區域Aa2的面積。
其次，一邊參照圖5A～圖5L一邊說明有關按照圖6所示的流程圖來製造由以上那樣的構成所形成的觸控面板感測器30之方法。另外，在圖5A～圖5L的各圖中，圖(a)是在對應於沿著圖3A的V-V線的剖面之剖面中顯示製作中的觸控面板感測器(積層體)。並且，在圖5A～圖5L的各圖中，圖(b)是由一方的側(各圖(a)的紙面的上側)來顯示製作中的觸控面板感測器(積層體)的上面圖。
首先，如圖6及圖5A所示般，準備一作為用以製造觸控面板感測器30的原材的積層體(亦稱為裸片)50(工程S1)。藉由在此積層體50進行成膜或圖案化等的處理(加工)，可取得觸控面板感測器30。
如圖5A(a)所示，在本實施形態中所被準備的積層體50是具有：透明的基材薄膜32、及被積層於基材薄膜32的一方的側的面32a上的第1透明導電層2a、及被積層於基材薄膜32的另一方的側的面32b上具有透光性的第2透明導電層52b、及被積層於第1透明導電層52a上的第1被覆導電層54a、及被積層於第2透明導電層52b上的第2被覆導電層54b。亦即，本發明的第1實施形態的對準標記及製品資訊是與取出導電體43，48同樣，在基材薄膜32的各個面32a，32b上分別積層有透明導電層52a、52b及被覆導電層54a、54b，形成2層膜。並且，本發明的第1實施形態的對準標記及製品資訊是與取出導電體43，48同樣，可形成於基材薄膜32的兩面32a，32b。本發明的上述製品資訊是包含品名、批號、製造日、製品等級的其中一個以上，在個片切割組裝至觸控面板裝置後可確認製品資訊。而且，藉由形成條碼等機械可讀取的資訊，能進行往觸控面板裝置的組裝等的後加工工程的製品管理。
如上述般，可使用PET薄膜等的樹脂薄膜作為基材薄膜32。又，如圖4(a)及圖4(b)所示，亦可使用基材薄膜32，其係具有：PET等的樹脂製的薄膜本體33、及形成於薄膜本體33的一方的面或兩方的面上的機能膜34，35。
第1透明導電層52a及第2透明導電層52b是如後述般分別被圖案化而形成具有透光性的第1透明導電體40及第2透明導電體45。因此、第1透明導電層52a及第2透明導電層52b是由具有透光性及導電性的材料所形成。具體而言，第1透明導電層52a及第2透明導電層52b是藉由濺射來形成於基材薄膜32的表面32a，32b的ITO膜。
又，第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b是如後述般分別被圖案化而形成具有高導電率的第1取出導電體43，48。因此，第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b是由具有比成為透明導電層52a，52b的材料更高的導電率的材料來適當地形成。
同時，第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b是對後述的感光層56a，56b的曝光所使用的光具有遮光性的層，亦即具有不使該曝光光透過的性質的層。但，在本實施形態中是不僅對感光層56a，56b的曝光光，對其他波長域的光也具有遮光性的層，更具體而言是形成對自然光所含的可視光、紫外線、紅外線等具有遮光性的層。若將如此的層作為被覆導電層54a，54b使用，則可期待更確實地遮蔽曝光光。
作為形成如此的第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b的材料，有各種的材料為人所知，可考慮成本面及加工的容易性等來使用鋁、鉬、銀、鉻、銅等的金屬。由金屬所構成的遮光層54是可藉由濺射在第1導電層52a的一方的側(與基材薄膜32相反的側)的面成膜。
另外，亦可準備單片狀的積層體50，或準備細長薄板條狀的積層體50，例如被捲繞於滾筒的積層體50。但，若考慮生產效率，則準備一在不同的場所製作且被捲繞於滾筒的積層體50，藉由捲回滾筒狀的積層體50來供給薄板條狀的積層體50，以下說明的各工程對所被供給的薄板條狀的積層體50實施為理想。或從捲繞基材薄膜32的滾筒送出該基材薄膜32，或從捲繞由基材薄膜32及第1及第2透明導電層52a，52b所構成的中間積層體的滾筒送出該中間積層體，由該基材薄膜32或該中間積層體來製作積層體50，且對所被製作的積層體50實施以下說明的各工程亦為理想。
其次，如圖6及圖5B所示，在積層體50的一方的側的面50a上形成第1感光層56a，且在積層體50的另一方的側的面50b上形成第2感光層56b(工程S2)。第1感光層56a及第2感光層56b是對特定波長域的光例如紫外線具有感光性。具體而言，藉由在積層體50的表面上利用塗佈機來塗層感光性材料，可形成感光層56a，56b。
然後，如圖6及圖5C所示，將第1感光層56a及第2感光層56b同時曝光(工程S3)。
具體而言，首先，如圖5C(a)所示，在第1感光層56a上配置第1遮罩58a，且在第2感光層56b上配置第2遮罩58b。第1遮罩58a是具有對應於所應被形成的第1透明導電體40的圖案之預定的圖案，第2遮罩58b是具有對應於所應被形成的第2透明導電體45的圖案之預定的圖案。並且，第1遮罩58a的圖案與第2遮罩58b的圖案是形成彼此不同的圖案。
另外，第1遮罩58a及第2遮罩58b的定位是以分別設於第1遮罩58a及第2遮罩58b的對準標記59a為基準來進行。若根據如此的方法，則可使第1遮罩58a及第2遮罩58b彼此以例如微米單位的程度來極精度佳且極容易(因此短時間)地定位。
其次，如圖5C(a)所示，在此狀態下，使對應於第1感光層58a及第2感光層58b的感光特性的曝光光(例如紫外線)經由遮罩58a，58b來照射至感光層56a，56b。此結果，第1感光層56a及第2感光層56b會彼此以不同的圖案來同時曝光。
在圖示的例子中，第1感光層56a及第2感光層56b會形成正片型的感光層。因此，第1感光層56a為了形成第1透明導電體40而以對應於蝕刻除去的部分的圖案之圖案照射曝光光，第2感光層56b為了形成第2透明導電體45而以對應於蝕刻除去的部分的圖案之圖案照射曝光光。如圖5C(a)所示，被照射至第1感光層56a的曝光光是透過第1感光層56a來照射至積層體(裸片)50，被照射至第2感光層56b的曝光光是透過第2感光層56b來照射至積層體50。
但，積層體50是具有遮蔽曝光光的第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b。因此，透過第1感光層56a之來自曝光光源的光是藉由第1被覆導電層54a而被遮光，不會到達第2感光層56b，同樣，透過第2感光層56b之來自曝光光源的光是藉由第2被覆導電層54b而被遮光，不會到達第1感光層56a。亦即，為了將第1感光層56a曝光而以預定的圖案照射的曝光光會藉由第1被覆導電層54a而被遮光，因此該預定的圖案的曝光光不會被照射至第2感光層56b。同樣，為了將第2感光層56b曝光而以預定的圖案照射的曝光光會藉由第2被覆導電層54b而被遮光，因此該預定的圖案的曝光光不會被照射至第1感光層56a。此結果，在此曝光工程S3中，可分別以所望的圖案來精度佳地同時將第1感光層56a及第2感光層56b曝光。
其次，如圖6及圖5D所示，使被曝光的第1感光層56a及第2感光層56b顯像(工程S4)。具體而言，準備一對應於第1感光層56a及第2感光層56b的顯像液，利用此顯像液來使第1感光層56a及第2感光層56b顯像。藉此，如圖5D所示，第1感光層56a及第2感光層56b之中，不被第1遮罩58a及第2遮罩58b遮光而被照射來自曝光光源的光之部分會被除去，第1感光層56a及第2感光層56b會被圖案化成預定的圖案。
然後，如圖6及圖5E所示，以被圖案化的第1感光層56a作為遮罩來蝕刻第1被覆導電層54a，且以被圖案化的第2感光層56b作為遮罩來蝕刻第2被覆導電層54b(工程S5)。藉由此蝕刻，第1被覆導電層54a及第2被覆導電層54b會分別被圖案化成與第1感光層56a及第2感光層56b的圖案大致同一的圖案。例如，被覆導電層54a，54b為鋁或鉬所構成時，可使用以5：5：5：1的比例來混合磷酸、硝酸、醋酸、水而成的磷硝醋酸(水)作為蝕刻液。又，被覆導電層54a，54b為銀所構成時，可使用以4：1：4：4的比例來混合磷酸、硝酸、醋酸、水而成的磷硝醋酸(水)作為蝕刻液。又，被覆導電層54a，54b為所鉻所構成時，可使用以17：4：70的比例來混合硝酸鈰銨、過氯酸、水而成的蝕刻液。
其次，如圖6及圖5F所示，以被圖案化的第1感光層56a及第1被覆導電層54a作為遮罩，蝕刻第1透明導電層52a，且以被圖案化的第2感光層56b及第2被覆導電層54b作為遮罩，蝕刻第2透明導電層52b(工程S6)。例如，使用氯化鐵作為蝕刻液，藉此，由ITO所構成的第1透明導電層52a會被圖案化成與第1感光層56a及第1被覆導電層54a的圖案大致同一圖案，且由ITO所構成的第2透明導電層52b會被圖案化成與第2感光層56b及第2被覆導電層54b的圖案大致同一圖案。亦即，第1透明導電層52a及第2透明導電層52b會被兩面同時蝕刻。
然後，如圖6及圖5G所示般，除去被圖案化殘留於第1被覆導電層54a上的第1感光層56a、及被圖案化殘留於第2被覆導電層54b上的第2感光層56b(工程S7)。例如，使用2%氫氧化鉀等的鹼液，藉此，殘留的第1感光層56a會被除去，被圖案化的第1被覆導電層54a會露出，且殘留的第2感光層56b會被除去，被圖案化的第2被覆導電層54b會露出。
其次，如圖6及圖5H所示般，在被圖案化的第1被覆導電層54a上形成第3感光層56c作為更進一步的感光層，且在被圖案化的第2被覆導電層54b上形成第4感光層56d作為更進一步的感光層(工程S8)。在圖示的例子中，以能夠由一方的側來覆蓋製作中的觸控面板感測器30(積層體50)的方式形成第3感光層56c，且以能夠由另一方的側來覆蓋製作中的觸控面板感測器30(積層體50)的方式形成第4感光層56d。第3感光層56c及第4感光層56d是與第1感光層56a及第2感光層56b同樣，對特定波長域的光例如紫外線具有感光性。並且，與第1感光層56a及第2感光層56b同樣，第3感光層56c及第4感光層56d可藉由在積層體50的表面上利用塗佈機來塗層感光性材料而形成。
然後，如圖6及圖5I所示，將第3感光層56c及第4感光層56d同時曝光(工程S9)。
在此工程，首先如圖5I(a)所示般，在第3感光層56c上配置第3遮罩58c，且在第4感光層56d上配置第4遮罩58d。第3遮罩58c是具有對應於被圖案化的第1被覆導電層54a之中為了形成第1取出導電體43而應被除去的部分之預定的圖案，第3遮罩58c是具備對應於被圖案化的第2被覆導電層54b之中為了形成第2取出導電體48而應被除去的部分之預定的圖案。在圖示的例子中，第3遮罩58c是具有對應於主動區域Aa1而形成的圖案，更詳細是形成比主動區域Aa1稍微大的透光區域。並且，在圖示的例子中，第4遮罩58d是具有與第3遮罩58c同一圖案。
另外，第3遮罩58c的定位是例如在使上述第1被覆導電層54a圖案化時預先形成定位用的對準標記，以由此第1被覆導電層54a形成的對準標記作為基準實施。若根據此方法，則對於第1被覆導電層54a及第1透明導電層52a的圖案，可高精度地定位第3遮罩58c。並且，可將同樣的定位方法採用於第4遮罩58d的定位，藉此，對於第2被覆導電層54b及第2透明導電層52b的圖案，可高精度地定位第4遮罩58d。
其次，如圖5I(a)所示，在配置第3遮罩58c及第4遮罩58d的狀態下，將對應於第3感光層58c及第4感光層58d的感光特性之曝光光(例如紫外線)予以經由遮罩58c，58d來照射至感光層56c，56d。此結果，第3感光層56c及第4感光層56d會以同一圖案同時被曝光。在圖示的例子中，第1感光層56a及第2感光層56b為形成正片型的感光層。而且，第3遮罩58c及第4遮罩58d是具有包含與主動區域Aa1對面的區域之透光區域。因此，第3感光層56c及第4感光層56d是在與主動區域Aa1對面的區域及其周圍照射曝光光。如圖5I(a)所示般，被照射至第3感光層56c之來自曝光光源的光的模式是與被照射至第4感光層56d的曝光光的模式形成相同。因此，可使第3感光層56c及第4感光層56d以預定的圖案來精度佳地同時曝光。
其次，如圖6及圖5J所示，使被曝光的第3感光層56c及第4感光層56d顯像(工程S10)。具體而言，準備一對應於第3感光層56c及第4感光層56d的顯像液，利用此顯像液來使第3感光層56c及第4感光層56d顯像。藉此，如圖5J所示般，第3感光層56c及第4感光層56d之中，不被第3遮罩58c及第4遮罩58d遮光而被照射曝光光的部分會被除去。亦即，第3感光層56c及第4感光層56d之中，與主動區域Aa1對面的區域及其周圍的區域會被除去，第3感光層56c及第4感光層56d是只在與非主動區域Aa2對面的區域殘留。
然後，如圖6及圖5K所示般，以被圖案化的第3感光層569作為遮罩來蝕刻被圖案化的第1被覆導電層54a，且以被圖案化的第4感光層56d作為遮罩來蝕刻被圖案化的第2被覆導電層54b(工程S11)。在此工程是使用對被覆導電層54a，54b具有侵蝕性的蝕刻液，對透明導電層52a，52b不具侵蝕性，或對透明導電層52a，52b侵蝕性弱的蝕刻液。為了不損傷藉由除去被覆導電層54a，54b而露出的透明導電層52a，52b的圖案。亦即，在此工程S11所使用的蝕刻液是選擇可選擇性地蝕刻所望的層(被覆導電層54a，54b)。具體例如，上述磷硝醋酸(水)或硝酸鈰系的蝕刻因為對於由預定的金屬所構成的被覆導電層54a，54b具有蝕刻性，但對於由ITO等所構成的透明導電層52a，52b不具蝕刻性，所以在此工程中適合使用。
藉由此工程S11的蝕刻，被圖案化的第1被覆導電層54a之中，至少配置於與主動區域Aa1對面的位置之部分會被除去。同樣，被圖案化的第2被覆導電層54b之中，至少配置於與主動區域Aa1對面的位置之部分會被除去。藉此，如圖5K(b)所示般，僅基材薄膜32及透明導電層52a，52b會殘留於主動區域Aa1，主動區域Aa1是在其全區域具有透光性。
如此一來，未藉由第1被覆導電層54a之中的第3感光層56c所覆蓋的部分會被除去，藉此，第1透明導電層52a會露出。露出的第1透明導電層52a是位於與主動區域Aa1對面的區域及其周圍。位於與主動區域Aa1對面的區域之第1透明導電層52a是具有預定的圖案形成第1透明導電體40的第1感測器部41，在非主動區域Aa2露出的第1透明導電層52a是具有預定的圖案形成第1透明導電體40的第1端子部42的一部分。
同樣，未藉由第2被覆導電層54b之中的第4感光層56d所覆蓋的部分會被除去，藉此，第2透明導電層52b會露出。露出的第2透明導電層52b是位於與主動區域Aa1對面的區域及其周圍。位於與主動區域Aa1對面的區域之第2透明導電層52b是具有預定的圖案形成第2透明導電體45的第2感測器部46，在非主動區域Aa2露出的第2透明導電層52b是具有預定的圖案形成第2透明導電體45的第2端子部47的一部分。
其次，如圖6及圖5L所示，除去被圖案化殘留於第1被覆導電層54a上的第3感光層56c、及被圖案化殘留於第2被覆導電層54b上的第4感光層56b(工程S12)。例如，藉由使用上述的鹼液，殘留的第3感光層56c會被除去，被圖案化的第1被覆導電層54a會露出，且殘留的第4感光層56d會被除去，被圖案化的第2被覆導電層54b會露出。
露出的第1被覆導電層54a是具有預定的圖案形成第1取出導電體43。在所被形成的第1取出導電體43與基材薄膜32之間形成有由第1透明導電層52a所構成的第1透明導電體40的第1端子部42。如上述般，且如圖3B所示般，如此被形成的第1取出導電體43是離開基材薄膜32而位於第1端子部42上。因此，第1端子部42是在第1取出導電體43與基材薄膜32之間使露出於側方。
同樣，露出的第2被覆導電層54b是具有預定的圖案形成第2取出導電體48。在所被形成的第2取出導電體48與基材薄膜32之間形成有由第2透明導電層52b所構成的第2透明導電體45的第2端子部47。如此被形成的第2取出導電體48是離開基材薄膜32而位於第2端子部47上。因此，第2端子部47是在第2取出導電體48與基材薄膜32之間使露出於側方。亦即，本發明的第1實施形態的對準標記及製品資訊是與取出導電體43，48同樣，在基材薄膜32的各個面32a，32b上分別積層有透明導電層52a、52b及被覆導電層54a、54b，形成2層膜。並且，本發明的第1實施形態的對準標記及製品資訊是與取出導電體43，48同樣，可形成於基材薄膜32的兩面32a，32b。本發明的上述製品資訊是包含品名、批號、製造日、製品等級的其中一個以上，在個片切割組裝至觸控面板裝置後可確認製品資訊。而且，藉由形成條碼等機械可讀取的資訊，能進行往觸控面板裝置的組裝等的後加工工程的製品管理。
在圖14、圖15、圖16顯示附上本發明的對準標記及製品資訊的觸控面板感測薄膜的實施形態。如圖14、圖15、圖16所示，對準標記71，73，74、76，77及製品資訊78、條碼79所構成的製品資訊是形成於可檢測出上述觸控面板感測薄膜的接觸位置(接近位置)的主動區域Aa1外的非主動區域Aa2(參照圖1、圖3A)。圖14是形成於薄板條上的觸控面板感測器70的概略圖。形成有用以切割(薄片切割)被多面附上的單位圖案的預定集合組之對準標記71。在此所謂的單位圖案是形成圖16所示的觸控面板感測器個片75的圖案，被多面附上的單位圖案的預定集合組是由形成有圖15所示的觸控面板感測器的薄板條來薄片狀切出的上述單位圖案的集合。在圖15是顯示單位圖案為5行5列地多面附上單位圖案之單位圖案的預定集合組。圖15是本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜的薄片切割後的觸控面板感測薄膜薄片72的概略圖。在薄片上形成有個片切割或個片切出用的對準標記73、74。圖16是在本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜上所製作的觸控面板感測器的單位圖案(觸控面板感測器個片)75的圖。在單位圖案內形成有與觸控面板裝置的對位用對準標記76、FPC貼附用對準標記77、製品資訊78、條碼79所構成的製品資訊。上述對準標記71，73，74、76，77的形狀及位置並非只是圖所示的形狀及位置，只要可對位的形狀及位置，怎樣的形狀及位置皆可。又，有關由條碼所構成的製品資訊是亦可為2次元條碼、其他機械可讀取的資訊形態。上述對準標記71，73，74、76，77、上述製品資訊78，79是與上述取出導電體43，48同工程形成。可使薄片切割用途對準標記71、感測器個片75的切出或打穿用途73、74、FPC貼附用途77、與感測器裝置的對位用途76和感測器部及配線部的位置關係原封不動保持同樣來製作。並且，有關製品資訊特別是在資訊的機械讀取時其位置關係成為重要，可一邊高精度設定在感測器個片內的製品資訊的位置一邊製作製品資訊。
如以上般可取得附上述構成的對準標記71，73，74、76，77或製品資訊7e，79之觸控面板感測器30。上述對準標記71，73，74、76，77是被形成於薄片切割用途、個片切割用途、個片打穿用途、FPC貼附用途、與顯示面板的對位用途之每個上述用途。在此所謂薄片切割用途是意指從被形成於薄板條上的觸控面板感測薄膜70(圖14)來切出被多面附上的單位圖案的預定集合組72(圖15)時用以進行對位的對準標記。個片切割用途、個片打穿用途是意指從被多面附上的單位圖案的預定集合組(圖15)來切出或打穿觸控面板感測器個片75時用以進行對位的對準標記。所謂FPC貼附用途是意指在連接取出配線的基板端部側末端部與FPC時用以進行對位的對準標記。所謂與顯示面板的對位用途是意指在將觸控面板感測器個片75配置或接著於顯示裝置的顯示面上時用以進行對位的對準標記。上述對準標記是亦可形成1個的目的(按每個用途)。例如，可形成薄片切割用途専用對準標記、個片切割用途專用對準標記、FPC貼附用途專用對準標記等每個用途。而且，為了更縮小感測薄膜的非主動區域，亦可將上述對準標記以複數的目的(2個以上的用途)來形成1個對準標記，例如個片切割用途對準標記74及與顯示面板的對位用途76共用同樣的對準標記，共用FPC貼附用途對準標記77的一方及與顯示面板的對位用途對準標記76之一。又，亦可分別形成以上述1個的目的(按每個用途)所形成的對準標記、及以複數的目的(2個以上的用途)所形成的對準標記。
本發明的對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79可不需要新的工程，與形成上述被覆導電層同工程製作，因此對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79是如用以曝光感光層的圖案般，與觸控面板感測器部的位置關係會經常被保持一樣，可取得必要的位置精度。
藉由對準標記71，73，74、76，77及製品資訊78，79的位置精度的提升，薄片切割、個片切割、個片打穿、FPC貼附等的後工程的加工精度會提升，且機械讀取製品資訊78，79特別是條碼資訊79時的精度會提升。
本發明的對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79的位置精度，因為是與上述被覆導電層同工程製作，所以可與用以曝光感光層的遮罩圖案的精度同等的精度對位。藉由上述的網版印刷來製作對準標記71，73，74、76，77時，因為版的伸縮所造成的精度差(數微米以上)、線寬的精度差(數微米～數十微米)、細線化的限度(30微米程度)，對準標記難以取得充分的精度。並且，不使用對準標記在薄膜端面的對位方式是數十微米的精度為極限。
另外，如上述般，基材薄膜32、積層體50、或基材薄膜32及第1及第2透明導電層52a，52b所構成的中間積層體等的原材為薄板條狀且被捲繞於滾筒的狀態下準備時，亦可從滾筒送出薄板條狀的原材，且對被送出的原材實施上述的各工程。此情況，多數的觸控面板感測器30是經由基材薄膜32來彼此連接的狀態下形成。而且，如此被製作的薄板條狀的觸控面板感測器30，基於處理(搬送或出貨等)的方便起見，亦可與保護用的合紙重疊來捲繞於滾筒。捲繞於滾筒的觸控面板感測器30可因應所需從該滾筒送出且裁斷成單片狀。
另外，在將薄板條狀的觸控面板感測器30捲繞於滾筒時，可在薄板條狀的觸控面板感測器30的兩側配置合紙來捲繞，或只在薄板條狀的觸控面板感測器30的一側配置合紙來捲繞。
若根據以上說明的製造方法，則第1感光層56a及第2感光層56b會同時被曝光。在此感光層的兩面同時曝光製程中，如圖5C(a)所示般，藉由分別在第1遮罩58a及第2遮罩58b設置對準標記59a，可使第1遮罩58a及第2遮罩58b彼此以例如微米單位的程度來極精度佳且極容易(因此短時間)地定位。此結果，在觸控面板感測器30中，第1透明導電體40及第2透明導電體45雙方會在基材薄膜32上極精度佳有效率地被定位。
另一方面，在一個一個依序曝光第1感光層56a及第2感光層56b時，無法精度佳且容易地製作第1透明導電體40及第2透明導電體45。若所欲精度佳地製作第1透明導電體40及第2透明導電體45的雙方，則使第1透明導電體40及第2透明導電體45的一方與對準標記一起形成基材薄膜32上，然後，對於形成於此基材薄膜32上的對準標記，定位第1透明導電體40及第2透明導電體45的另一方的形成所使用的遮罩。亦即，至少需要分別對於第1感光層56a及第2感光層56b來個別地進行曝光工程及顯像工程。因此，無法效率佳且短時間容易形成第1透明導電體40及第2透明導電體45。
並且，亦可不使用對準標記，例如以基材薄膜32的端部作為基準來一邊將第1遮罩58a及第2遮罩58b定位，一邊使第1透明導電體40及第2透明導電體45曝光。若根據此方法，則可同時進行對第1感光層56a及第2感光層56b的曝光工程及顯像工程。然而，第1透明導電體40及第2透明導電體45的定位精度是仰賴基材薄膜32的外形精度。一般，若根據此方法，則第1透明導電體40及第2透明導電體45的定位精度是最高也只能期待數十微米單位。
有鑑於該等的情事，若根據以上說明的本實施形態的製造方法，則可使第1透明導電體40及第2透明導電體45彼此容易且精度佳地定位。具體而言，若根據本實施形態，則在觸控面板感測器30的上面視，亦即由其法線方向來觀察觸控面板感測器30時，可使第1感測器部41的大致正方形形狀構成的膨出部41b與第2感測器部46的大致正方形形狀構成的膨出部46b之互相平行的外輪廓的間隙G(亦稱為圖案間隙，參照圖3A)安定形成100μm以下。另一方面，就以往貼合二片薄膜的方法而言，此圖案間隙G是形成200μm以上。此結果，若依本實施形態，則對於可檢測出接觸(接近)位置的主動區域Aa1的全區域，由其法線方向來觀察觸控面板感測器30時配置有第1感測器部41及第2感測器部46的至少一方的區域的比例為95%以上。
並且，取出配線37b是不僅導電率低的透明導電體40，45的端子部42，47，還包含導電率高的取出導電體43，48。因此，可使取出配線37b的線寬變細，可縮小取出配線37b的配置空間，亦即非主動區域Aa2的面積。
尤其，上述的方法不用進行特別的定位處理等，如圖3B所示，只要取出導電體43，48配置於透明導電體40，45的端子部42，47上，便可使不會延伸至透明導電體40，45的端子部42，47的側方。另一方面，例如藉由以往頻繁使用的網版印刷，在透明導電體40，45的端子部42，47上，由高導電率材料來形成取出導電體43，48時，如圖11所示，透明導電體40，45是從端子部42，47的側方來延伸擴大至基材薄膜32上。與如此的以往取出配線作比較，本實施形態的取出配線37b在使用同量的高導電率材料來形成取出導電體時，可一邊將取出配線37b的導電率保持於相同，一邊大幅度縮小線寬。
又，由於本實施形態的取出導電體43，48及透明導電體40，45的端子部42，47是藉由光微影技術(Photolithography)所形成，因此與網版印刷等之以往的方法作比較，可極精度佳地在所望的位置以所望的形狀形成。而且，若根據本實施形態，則與圖11所示的以往的取出配線不同，高導電率的取出導電體43，48不會有透明導電體40，45覆蓋至端子部42，47的側方而延伸至基材薄膜32上的情形，因此可降低電遷移的可能性。由該等的情形，可大幅度縮短取出配線37b的配置間距，藉此，可縮小取出配線37b的配置空間、亦即非主動區域Aa2的面積。
可是，若根據以上說明的本實施形態的製造方法，則不僅透明導電體40，45的端子部42，47不會藉由取出導電體43，48而自側方被覆蓋，如圖3B所示，亦可使取出導電體43，48的寬比藉由該取出導電體43，48而被覆蓋的透明導電體40，45的端子部42，47的部分的寬更窄。亦即，由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時，取出導電體43，48是只被配置於透明導電體40，45上，換言之，取出導電體43，48可只在配置透明導電體40，45的端子部42，47的區域內配置。若根據如此的構成，則可更安定的確保上述感測器電極37a與檢測控制部25之間的導通。並且，可更降低電遷移的可能性，因此可更縮短取出配線37b的配置間距，縮小非主動區域Aa2的面積。
以下，有關以上述的製造方法來形成取出配線37b時，取出配線37b的取出導電體43，48的寬會形成比藉由該取出導電體43，48所覆蓋的透明導電體40，45的端子部42，47的部分的寬更窄的推定機構，主要是一邊參照圖7一邊說明，但本發明並非限於此推定機構。
在以往貼合二片的薄膜來製作觸控面板感測器的方法中，利用光微影技術在薄膜上形成透明導電體的端子部時，在以能夠成為透明導電體的方式形成的透明導電層上直接配置感光層。另一方面，若根據本實施形態，則會在以能夠成為透明導電體40，45的方式形成的透明導電層52a，52b上配置被覆導電層54a，54b。一般，對於用以蝕刻透明導電層的蝕刻液(例如氯化鐵)，感光層(阻絕層)是具有高耐侵蝕性。然而，由金屬等所構成的被覆導電層54a，54b是可藉由ITO等的透明導電層52a，52b用的蝕刻液來蝕刻。
因此，如圖7所示，在蝕刻透明導電層52a，52b的工程S6中，當透明導電層52a，52b被蝕刻於縱方向(基材薄膜的法線方向)時，被覆導電層54a，54b可從未被感光層56a，56b覆蓋的側方來蝕刻於橫方向(沿著基材薄膜32的薄片面的方向)。另一方面，因為感光層對於在此工程S6所使用的蝕刻液具有高耐侵蝕性，所以不會往橫方向大幅度蝕刻。從以上那樣的理由，若根據以本實施形態的製造方法所製作的觸控面板感測器30，則可使取出導電體43，48的寬形成比被該取出導電體43，48覆蓋的透明導電體40，45的端子部42，47的部分的寬更窄。
而且，將第1感光層52a及第2感光層52b以不同的圖案來同時曝光時，由為了迴避彼此的曝光光圖案互相影響而使用的遮光層(被覆導電層)54a，54b來製作取出導電體43，48。與上述的遮光層(被覆導電層)同工程同時也形成對準標記或製品資訊。若根據如此的方法，則可使觸控面板感測器30的製作所必要的材料成本降低。而且，亦可使觸控面板感測器30的製作效率極有效地提升，隨之，可削減觸控面板感測器30的製作成本。亦即，可以高的生產效率及便宜的製造成本來製作上述良好的觸控面板30(觸控面板裝置20)。
將以上那樣取得的觸控面板感測器30經由接著層19來接合於顯示裝置15，且將保護罩12經由接著層14來接合於觸控面板感測器30，藉此可取得圖1及圖2所示的輸出入裝置10。其次，說明有關使用此輸出入裝置10時的作用。
首先，在如此的輸出入裝置10中，藉由顯示裝置15的顯示面板16來顯示映像，藉此觀察者可經由保護罩12及觸控面板感測器30來觀察映像。
並且，在此輸出入裝置10中，觸控面板感測器30及保護罩12會構成觸控面板裝置20的一部分，可檢測出外部導體5，典型的是人的手指5接觸(接近)於保護罩12上的情形，且可檢測出保護罩12上的外部導體5所接觸(接近)的位置。
具體而言，首先，一旦外部的導體(例如人的手指)5接觸於保護罩12，則該外部導體5、及位於外部導體5接觸保護罩12的位置附近的電極部40，45的各導電體41，46具有作為電極的機能，形成電場。此時，位於構成感測器電極37a的透明導電體40，45的感測器部41，46與外部導體5之間的保護罩12及基材薄膜32等是具有作為電介體的機能。亦即，藉由外部導體5接觸於保護罩12，形成以感測器部41，46及外部導體5作為電極的電容器。
觸控面板裝置20的檢測控制部25的檢測電路是被連接至各感測器部41，46，可檢測出各感測器部41，46與外部導體5之間的靜電電容。而且，檢測控制部25會檢測出各感測器部41，46與外部導體5之間的靜電電容的變化，藉此可特定外部導體5面對哪個的第1感測器部41或外部導體5面對哪個的第2感測器部46。
亦即，檢測控制部25的檢測電路可藉由特定在主動區域Aa1中與排列於上述一方向而配列的第1透明導電體40中所含的多數個第1感測器部41之中的外部導體5對面的第1感測器部(線狀導電體)來特定延伸於上述一方向的座標軸上的外部導體5的位置。同樣，檢測控制部25的檢測電路可藉由特定在主動區域Aa1中與排列於上述另一方向而配列的第2透明導電體45中所含的多數個第2感測器部46之中的外部導體5對面的第2感測器部(線狀導電體)來特定延伸於上述另一方向的座標軸上的外部導體5的位置。如此一來，藉由在二個方向檢測出外部導體5對觸控面板裝置20(保護罩12)的接觸位置，可在觸控面板裝置20的表面上精度佳地特定外部導體5對觸控面板裝置20的表面的接觸位置的位置座標。另外，在投影型電容耦合方式的觸控面板中檢測出接觸位置的各種方法(原理)揭示於各種的文獻，在本說明書省略其說明。
在按照上述的製造方法所製作的觸控面板感測器30中，感測器電極37a及取出配線37b會被形成於作為單一體的基材薄膜32的兩側。亦即，未使用經由接著劑等來接合的複數片薄膜的接合體等作為基材薄膜。此結果，可使作為觸控面板感測器30全體的透光率提升。又，由於可減少反射照明等的環境光(外光)或映像光等的界面數，因此可抑制環境光的反射而使顯示於顯示裝置15的映像的對比提升。藉由該等，在將觸控面板感測器30配置於顯示裝置10的顯示面16上時，可防止使顯示裝置10的顯示畫像大幅地地劣化。而且，可減少觸控面板感測器30及輸出入裝置10的總厚度。
藉由本發明之位置精度高的對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79，薄片切割、個片切割、個片打穿、FPC貼附等的後工程的加工精度會提升，且機械讀取製品資訊78，79特別是條碼資訊79時的精度會提升。
並且，如圖2所示，構成感測器電極37a的第1透明導電體40的第1感測器部41及第2透明導電體45的第2感測器部46是沿著觸控面板感測器30(保護罩12)的法線方向來配置於不同的位置。具體而言，第2透明導電體45的第2感測器部46是被配置於比第1透明導電體40的第1感測器部41更離保護罩12一基材薄膜32的厚度份量的位置。然而，如上述般，本實施形態的基材薄膜32是構成為單一體的薄膜。而且，此基材薄膜32是與上述專利文獻(特開平4-264613號公報)所示的基材薄膜不同，未被要求遠紫外線遮光機能等的特別的機能。亦即，可由厚度薄的單一體的薄膜所構成。因此，外部導體5對保護罩12接觸時，在該外部導體5與第2透明導電體45的第2感測器部46之間可安定形成電容器。藉此，不僅第1透明導電體40的第1感測器部41，藉由第2透明導電體45的第2感測器部46也可極感度良好正確地檢測出外部導體5對保護罩12的接觸位置(觸控位置)。
又，若根據本實施形態，則如圖3所示，第1透明導電體40的第1感測器部41是具有線部41a及膨出部41b，第2透明導電體45的第2感測器部46是具有線部46a及膨出部46b。在各感測器部41，46中，膨出部41b，46b的寬與線部41a，46a的寬作比較，形成非常粗。而且，如上述般，在第1透明導電體40所含的第1感測器部41的膨出部41b與在第2透明導電體45所含的第2感測器部46的膨出部46b是由基材薄膜32的薄膜面的法線方向來觀察時配置成不會重疊。因此，第1透明導電體40的第1感測器部41不會以影響接觸位置的檢測精度的程度的廣面積來介於外部導體5與第2透明導電體45的第2感測器部46之間。此結果，可防止在外部導體5與第2透明導電體45的第2感測器部46之間電容器不會有效地形成。
而且，如上述般，顯示裝置15的顯示控制部17與觸控面板裝置20的檢測控制部25是被連接。檢測控制部25可藉由外部導體5接觸於保護罩12上的預定的位置來將所被輸入的資訊傳送至顯示控制部17。顯示控制部17亦可根據在檢測控制部25所讀取的輸入資訊來將對應於該輸入資訊的映像顯示於顯示裝置15的顯示面板16。亦即，藉由作為輸出手段的顯示機能及作為輸入手段的觸控位置檢測機能，在輸出入裝置10的使用者(操作者)與該輸出入裝置10之間，可實現對話形式的資訊直接性的交換(例如使用者對顯示裝置10的指示及顯示裝置10對該指示的實行)。
而且，如上述般，第1透明導電體40及第2透明導電體45經由感光層56a，56b的兩面同時曝光製程(工程S3)來被圖案化於基材薄膜32上時，構成感測器電極37a的第1透明導電體40的各第1感測器部41及第2透明導電體45的各第2感測器部46會彼此精度佳地定位。結果，可使第1透明導電體40的各第1感測器部41及第2透明導電體45的各第2感測器部46的雙方對於顯示裝置15精度佳地定位。此情況，可以顯示裝置15作為基準來精度佳地檢測出外部導體5對保護罩12的接觸位置。此結果，可高分解能高精度檢測出對應於顯示裝置15所顯示的映像資訊的輸入，藉此，在輸出入裝置10的使用者(操作者)與該輸出入裝置10之間的對話形式的資訊交換會被極順暢地進行。
若根據以上那樣的本實施形態，則被配置於透明導電層52a，52b上與透明導電層52a，52b一起被圖案化的被覆導電層54a，54b會作為取出配線37b的一部分被利用。具體而言，由被圖案化成與透明導電層52a，52b相同的圖案且之後被除去一部分的被覆導電層54a，54b所構成的取出導電體43，48會與由被圖案化的透明導電層52a，52b所構成的透明導電體40，45一起形成取出配。線37b。
以如此的方法所製作的取出配線37b可藉由取出導電體43，48來確保高的導電率(電氣傳導率)。並且，與使用網版印刷等所製作的以往取出配線(參照圖11)不同，取出導電體43，48是被配置於透明導電層52a，52b上，未延伸至透明導電層52a，52b的側方。藉此，可大幅度縮小取出配線37b的線寬。而且，若根據上述的實施形態，則與網版印刷等的以往的製作方法不同是利用光微影技術來形成取出導電體37b，因此可安定高精度地製作所望的圖案的取出配線37b。藉此，可電遷移的可能性也可使大幅地降低。以上，若根據本實施形態，則可短間距排列形成細線寬的取出配線37b，藉此，可格外縮小為了配置取出配線37b所必要的區域的面積、亦即非主動區域Aa2的面積。
並且，取出導電體43，48是在只呈現低密著力的基材薄膜32未接觸，只接合於呈現高密著力的透明導電體40，45。因此，即使觸控面板感測器30在使用中變形，還是可不易形成使取出導電體43，48從觸控面板感測器30剝離的起點。並且，透明導電體40，45的端子部42，47是未藉由取出導電體43，48來覆蓋至側方，在基材薄膜32與取出導電體43，48之間露出於側方。亦即，取出導電體43，48對端子部42，47的變形拘束弱，在觸控面板感測器30的變形時，端子部42，47可追隨基材薄膜32的變形而變形。藉由該等，可有效地抑制取出導電體43，48從透明導電體40，45或基材薄膜32剝離、及端子部42，47與取出導電體43，48一起從基材薄膜32剝離。結果，可使觸控面板感測器30的檢測機能的可靠度大幅度地提升。
而且，在取出導電體43，48的形成所使用的被覆導電層54a，54b是在兩面同時曝光工程S3中作為遮光層使用的層。若根據如此的製作方法，則如上述般可極有效率且便宜地製作具有良好性能的觸控面板感測器30。與上述取出導電體43，48同工程製作對準標記或製品資訊，藉此對準標記或製品資訊形成用以曝光感光層的圖案般，與觸控面板感測器部的位置關係經常被保持一樣，可取得必要的位置精度。有關對準標記是可使來自薄板條70的薄片72的切割用途71、感測器個片75的切出或打穿用途73、74、FPC貼附用途77、與感測器裝置的對位用途76和感測器部的位置關係原封不動保持同樣來製作。並且，製品資訊特別是在資訊的機械讀取時位置關係成為重要，可一邊高精度設定在感測器個片內的製品資訊的位置一邊製作製品資訊。
另外，可對上述實施形態施加各種的變更。以下，說明變形的一例。
例如，在上述的實施形態中，顯示在除去被圖案化的被覆導電層54a，54b的一部分之工程中，位於被覆導電層54a，54b之中的主動區域Aa1、及包圍主動區域Aa1的主動區域Aa1附近的區域之部分會被除去的例子，但並非限於此。由為了確保主動區域Aa1的透明性而除去具有遮光性的被覆導電層54a，54b的觀點來看，所被除去的部分可為僅位於主動區域Aa1內的部分。若依如此的例，則可一面確保觸控面板感測器30的主動區域Aa1的透明性，一面擴大配置取出導電體43，48的區域，可提高取出配線37b的導電率。但，由可容許更進一步的感光層56c，56d的曝光精度及顯像精度的偏差，使觸控面板感測器30的可靠度提升的觀點來看，上述實施形態較佳。另外，當然在變更被覆導電層54a，54b的除去部分時，必須變更上述第3遮罩58c及第4遮罩58d的透過區域的圖案。
並且，在上述的實施形態中，顯示在將更進一步的感光層56c、56d顯像而圖案化的工程中，使感光層56c，56d圖案化成由四方來包圍主動區域Aa1的框緣狀之例，但並非限於此。例如，亦可以對應於透明導電層52a，52b(透明導電體40，45)上所應殘留的圖案的圖案來將更進一步的感光層56c、56d曝光(參照圖8A)及顯像(參照圖8B)。如圖8A所示，在如此的變形例中，具有遮光性的被覆導電層54a，54b可由不同的側來遮蔽以預定的圖案所被照射之來自曝光光源的光。藉此，可以不同的圖案高精度地兩面同時曝光第3感光層56c及第4感光層56d。但，由可容許更進一步的感光層56c，56d的曝光精度及顯像精度的偏差，使觸控面板感測器30的可靠度提升的觀點來看，上述的實施形態較佳。另外，在圖8A及圖8B所示的變形例中，有關其他部分的構成，可與上述實施形態同樣構成。在圖8A及圖8B中，對於和上述實施形態同樣構成的部分附上相同符號，省略重複的說明。
並且，在上述的實施形態中，說明觸控面板感測器30的製造方法的一例，但並非限於此例。例如，亦可途中設置一將透明導電層52a，52b退火處理，而使透明導電層52a，52b的結晶化(微結晶化)進展的工程。
通常，ITO等的透明導電層是藉由適當調節濺射等之成膜時的溫度來使結晶化進展。亦即，一般用以製作觸控面板感測器30的積層體(裸片)中所含的透明導電層52a，52b是已經結晶化進展，具有良好的耐藥品性。但，另一方面，亦可在非晶形狀態下使透明導電層成膜，成膜後以140°程度的溫度來實施退火處理，而使透明導電層結晶化(亦稱為微結晶化)。
將此透明導電層52a，52b退火的工程是比使上述透明導電層52a，52b圖案化的工程S6更後，比除去被圖案化的被覆導電層54a，54b的一部分的工程S11更前，例如在使更進一步的感光層58c，58d顯像的工程S10與除去被覆導電層54a，54b的一部分的工程S11之間被實施為理想。例如，在被覆導電層54a，54b的耐藥品性弱，使透明導電層52a，52b圖案化的工程S6中，有可能已被圖案化的被覆導電層54a，54b被蝕刻時，追加退火工程有效。
具體而言，在使透明導電層52a，52b圖案化的工程S6中，以侵蝕性弱的蝕刻液、例如草酸來蝕刻耐藥品性低的非晶形狀的透明導電層52a，52b。藉由使用侵蝕性弱的蝕刻液，可防止由耐藥品性弱的材料(例如銀)所構成的被覆導電層54a，54b在透明導電層52a，52b與感光層56a，56b之間被侵蝕於橫方向(亦即，沿著基材薄膜32的薄片面的方向)。藉此，可使透明導電層52a，52b極高精度地圖案化。而且，在除去被覆導電層54a，54b的一部分的工程S11之前，藉由退火處理來提高透明導電層52a，52b的耐藥品性，在除去被覆導電層54a，54b的一部分時，可有效地防止被圖案化成所望的形狀之透明導電層52a，52b的圖案受損。
而且，上述的實施形態，為了製造觸控面板感測器30而被使用之作為原材的積層體(裸片)50中，第1被覆導電層54a是被形成於第1透明導電層52a上，第2被覆導電層54a是被形成於第2透明導電層52b上，但並非限於此例。亦可只在第1透明導電層52a及第2透明導電層52b的其中任一方的透明導電層上形成被覆導電層。在圖9(a)及圖9(b)所示的例中是省略上述第1被覆導電層54a。亦即，作為原材的積層體(裸片)50是包含：基材薄膜32、及配置於基材薄膜32上的第1及第2透明導電體52a，52b、及配置於第2透明導電體52b上的第2被覆導電層54b。圖9(a)及圖9(b)是分別對應於圖5C(a)及圖5C(b)，表示將配置於第1透明導電體56a上的第1感光層56a、及配置於第2被覆導電層54b上的第2感光層56b予以兩面同時曝光的工程S3。如圖9(a)所示，以預定的圖案來將第1感光層56a曝光的曝光光是被第2被覆導電層54b所遮蔽，不會被照射至第2感光層56b，且以預定的圖案來將第2感光層56b曝光的曝光光是被第2被覆導電層54b遮蔽，不會照射至第1感光層56a。藉此，與上述實施形態同樣，可將被覆導電層54a，54b以不同的圖案來高精度地兩面同時曝光。並且，可取得與上述實施形態同樣的透明導電體40，45及第2取出導電體。另外，因為在第1透明導電層52a上未形成有被覆導電層54b，所以圖示的例子是在第1透明導電體40上不會形成第1取出導電體43。
而且，上述的實施形態，是在積層體(裸片)50中，於基材薄膜32的兩側分別設有透明導電層52a，52b及被覆導電層54a，54b，但並非限於此例。亦可只在基材薄膜32的一個面上設有透明導電層及被覆導電層。此情況，可在基材薄膜32的一個面上取得上述實施形態的取出配線37b。另外，在此變形例中，將上述感光層曝光的工程S3是可只從積層體50的一個側照射曝光光。而且，在此變形例中，被覆導電層亦可由不具遮光性的材料所構成。
而且，在上述的實施形態中，第1透明導電體40的第1感測器部41是具有線部41a及膨出部41b，第2透明導電體45的第2感測器部46是具有線部46a及膨出部46b之例。並且，在上述的實施形態中，膨出部41b，46b為形成平面視大致正方形形狀的例子。然而，並非限於此，例如，膨出部41b，46b可為平面視正方形以外的菱形等的四角形形狀、甚至多角形形狀或圓形狀等。又，感測器部41，46亦可不具膨出部41b，46b，具有直線狀的輪廓。
而且，在上述的實施形態中，第1透明導電體40的第1感測器部41、及第2透明導電體45的第2感測器部46為構成相同之例，但並非限於此。例如圖10所示，第2透明導電體45的第2感測器部46的線寬w2亦可形成比配置於離保護罩12(觀察者側面)更近的位置之第1透明導電體40的第1感測器部41的線寬w1更粗。若根據如此的例子，則在外部導體5對保護罩12接觸時，可在配置於離保護罩12(觀察者側面)比較遠的位置之第2透明導電體45的第2感測器部46與該外部導體5之間安定地形成電容器。並且，和在接觸於保護罩12的外部導體5與第1透明導電體40的第1感測器部41之間所形成的電容器的靜電電容作比較，可防止在接觸於保護罩12的外部導體5與第2透明導電體45的第2感測器部46之間所形成的電容器的靜電電容變低。藉此，不僅第1透明導電體40的第1感測器部41，藉由第2透明導電體45的第2感測器部46也可極感度佳地正確檢測出外部導體5對保護罩12的接觸位置(觸控位置)。另外，在圖10所示的變形例中，有關其他部分的構成是可與上述實施形態同樣構成。在圖10中，對於和上述實施形態同一構成的部分附上同一符號，省略重複的說明。
另外，在以上是說明幾個對上述實施形態的變形例，當然亦可適當組合使用複數的變形例。
第2實施形態
其次，參照圖12(a)(b)及圖13來說明有關本發明的第2實施形態。在此，圖12(a)是對應於第1實施形態的圖3B的圖，表示本發明的第2實施形態的第1取出導電體的剖面圖，圖12(b)是表示本發明的第2實施形態的第2取出導電體的剖面圖。圖13是表示本發明的第2實施形態的積層體的剖面圖。
圖12(a)(b)及圖13所示的第2實施形態是取出導電體包含在透明導電體的一部分上離開基材薄膜而設的中間層、及設於該中間層上的高導電層，且高導電層是由具有比成為透明導電體及中間層的材料更高導電率的材料所形成，中間層是由與透明導電體之間的密著力大的材料所形成的同時，其厚度比高導電層的厚度更小的點不同以外，其他的構成則是與圖1～圖10所示的第1實施形態大致相同。亦即，在基材薄膜32的各個面32a，32b中，分別在透明導電層52a、52b上積層中間層61，66，更在上述中間層61，66上積層被覆導電層63、68，藉此形成3層膜。在圖12(a)(b)及圖13所示的第2實施形態中，對於和圖1～圖10所示的第1實施形態相同的部分附上同樣的符號，詳細的說明省略。
取出導電體
如圖12(a)所示，在本實施形態中，第1取出導電體43是包含：在第1透明導電體40的一部分上離開基材薄膜32而設的第1中間層61、及設於該第1中間層61上的第1高導電層63。同樣，如圖12(b)所示，第2取出導電體48是包含：在第2透明導電體45的一部分上離開基材薄膜32而設的第2中間層66、及設於該第2中間層66上的第2高導電層68。另外如圖12(a)所示，亦可在第1高導電層63上設有第1保護層62。同樣，如圖12(b)所示，亦可在第2高導電層68上設有第2保護層67。
在本實施形態的取出導電體43，48中，高導電層63，68是由具有比成為透明導電體40，45及中間層61，66的材料更高導電率(電氣傳導率)的材料所形成。具體而言，以具有遮光性且具有比ITO等的透明導電體40，45更格外高的導電率之例如鋁、鉬、鈀、銀、鉻、銅等的金屬或將該等的金屬混合2種以上而成的合金例如銀合金作為材料來形成。其中銀合金是比一般作為配線材料使用的鉻更低比電阻，理想作為高導電層63，68的材料。如此的銀合金的一例，可舉含銀、鈀、銅而成的APC合金。
可是，由銀合金所構成的高導電層63，68與由ITO等的透明導電體所構成的透明導電體40，45之間的密著力是比一般的配線材料的鉻與透明導電體40，45之間的密著力來得小。因此，若將由銀合金所構成的高導電層63，68直接設於透明導電體40，45上，則可想像高導電層63，68與透明導電體40，45之間的密著性不夠充分。此情況，在取出導電體43，48被施加某些的衝撃時，可想像高導電層63，68會從透明導電體40，45剝離。因此，當取出導電體43，48為包含由銀合金所構成的高導電層63，68時，使分別對於透明導電體40，45及高導電層63，68具有某程度的密著力且具有導電性的層介於透明導電體40，45與高導電層63，68之間為理想。本實施形態是中間層61，66會介於透明導電體40，45與高導電層63，68之間，形成此中間層61，66的材料是以中間層61，66與透明導電體40，45之間的密著力會比高導電層63，68與透明導電體40，45之間的密著力更大的方式來選擇。而且，中間層61，66的厚度是形成比高導電層63，68的厚度更小。
中間層
其次，更詳述有關中間層61，66。首先說明有關中間層61，66的密著力。第1中間層61與第1透明導電體40之間的密著力、及第1中間層61與第1高導電層63之間的密著力是比第1透明導電體40與第1高導電層63之間的密著力更大。同樣，第2中間層66與第2透明導電體45之間的密著力、及第2中間層66與第2高導電層68之間的密著力是比第2透明導電體45與第2高導電層68之間的密著力更大。
另外「密著力」是例如依據JIS K5600-5-7記載的拉拔法(Pull-off method)來評價。
例如，首先，準備一適於JIS K5600-5-7所記載的方法的拉伸試驗機。其次，準備一在透明導電體40，45上設有中間層61，66的試驗板，利用拉伸試驗機來測定透明導電體40，45與中間層61，66之間的附著力(密著力)。將此情況測定的附著力設為A。
其次，準備一在中間層61，66上設有高導電層63，68的試驗板，利用拉伸試驗機來測定中間層61，66與高導電層63，68之間的附著力(密著力)。將此情況測定的附著力設為B。
其次，準備一在透明導電體40，45上設有高導電層63，68的試驗板，利用拉伸試驗機來測定透明導電體40，45與高導電層63，68之間的附著力(密著力)。將此情況測定的附著力設為C。
在本實施形態中，透明導電體40，45與中間層61，66之間的附著力A、及中間層61，66與高導電層63，68之間的附著力B是形成比透明導電體40，45與高導電層63，68之間的附著力C更大。亦即若根據本實施形態，則藉由使中間層61，66介於透明導電體40，45與高導電層63，68之間，可使透明導電體40，45與高導電層63，68之間的密著力提升。
其次，說明有關中間層61，66的導電性。在取出導電體43，48中，傳導電氣訊號的任務是主要藉由高導電層63，68來完成。因此，中間層61，66不需要具有比高導電層63，68更佳的導電性，只要具有以低電阻來電性連接透明導電體40，45與高導電層63，68之間的程度的導電性即可。因此，中間層61，66的比電阻是比高導電層63，68的比電阻更大。且較理想是中間層61，66的厚度分別比高導電層63，68的厚度更小，例如當高導電層63，68的厚度為50～250nm的範圍內時，中間層61，66的厚度是形成3～8nm的範圍內。藉由如此縮小中間層61，66的厚度，可以更低電阻來電性連接透明導電體40，45與高導電層63，68之間，且可縮小取出導電體43，48全體的厚度。
中間層61，66的材料是對透明導電體40，45及高導電層63，68的密著力良好的材料即可，並無特別限定，例如可使用鉬(Mo)合金等的金屬。Mo合金是例如可舉Mo與鈮(Nb)的合金之MoNb。
保護層
其次，詳述有關設於第1高導電層63上的第1保護層62、及設於第2高導電層68上的第2保護層67。保護層62，67是為了防止高導電層63，68氧化而設的層，為具有耐氧化性、耐水性等的層。保護層62，67的材料是具有適度的耐氧化性的材料即可，並無特別限定，例如可使用Mo合金等的金屬。Mo合金是例如可舉Mo與Nb的合金之MoNb。保護層62，67的厚度是例如10～30nm的範圍內。
積層體
其次，參照圖13來表示在本實施形態中所被準備之用以製造觸控面板感測器30的原材的積層體50。積層體50是具有：透明的基材薄膜32、及被積層於基材薄膜32的一方的側的面32a上的第1透明導電層52a、及被積層於基材薄膜32的另一方的側的面32b上具有透光性的第2透明導電層52b、及被積層於第1透明導電層52a上的第1被覆導電層54a、及被積層於第2透明導電層52b上的第2被覆導電層54b。
其中被覆導電層54a，54b是如圖13所示，亦可包含：設於透明導電層52a，52b上的中間層61，66、及設於中間層61，66上的高導電層63，68、及設於高導電層63，68上的保護層62，67。藉由使如此的被覆導電層54a，54b圖案化，形成前述的取出導電體43，48。
在圖14、圖15、圖16顯示本發明的對準標記及製品資訊的實施情況。如圖14、圖15、圖16所示，對準標記71，73，74、76，77及製品資訊78、條碼79所構成的製品資訊是形成於可檢測出上述觸控面板感測薄膜的接觸位置(接近位置)的主動區域Aa1外的非主動區域Aa2(參照圖1、圖3A)。圖14是形成於薄板條上的觸控面板感測器70的概略圖。形成有用以切割(薄片切割)被多面附上的單位圖案的預定集合組之對準標記71。在此所謂的單位圖案是形成圖16所示的觸控面板感測器個片75的圖案，被多面附上的單位圖案的預定集合組是由形成有圖15所示的觸控面板感測器的薄板條來薄片狀切出的上述單位圖案的集合。在圖15是顯示單位圖案為5行5列地多面附上單位圖案之單位圖案的預定集合組。圖15是本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜的薄片切割後的觸控面板感測薄膜薄片72的概略圖。圖15是本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜的薄片切割後的觸控面板感測薄膜薄片72的概略圖。在薄片上形成有個片切割或個片切出用的對準標記73、74。圖16是在本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜上所製作的觸控面板感測器的單位圖案(觸控面板感測器個片)75的圖。在單位圖案內形成有與觸控面板裝置的對位用對準標記76、FPC貼附用對準標記77、製品資訊78、條碼79所構成的製品資訊。上述對準標記71，73，74、76，77的形狀及位置並非只是圖所示的形狀及位置，只要可對位的形狀及位置，怎樣的形狀及位置皆可。又，有關由條碼所構成的製品資訊是亦可為2次元條碼、其他機械可讀取的資訊形態。上述對準標記71，73，74、76，77、上述製品資訊78，79是與上述取出導電體43，48同工程形成。亦即，本發明的第2實施形態的對準標記及製品資訊是與上述取出導電體43，48同樣，在基材薄膜32的各個面32a，32b中，分別在透明導電層52a、52b上積層中間層61，66，更在上述中間層61，66上積層被覆導電層63、68，由藉此取得的3層膜所形成。而且，亦可在上述3層膜上設有保護層62，67。又，本發明的第1實施形態的對準標記及製品資訊是與取出導電體43，48同樣，可形成於基材薄膜32的兩面32a，32b。
藉由對積層體50進行成膜或圖案化等的處理(加工)來製造觸控面板感測器30、上述對準標記71、73，74、76，77、及上述製品資訊78，79。另外，在本實施形態中，當高導電層63，68由APC合金所構成，中間層61，66及保護層62，67由MoNb所構成時，高導電層63，68、中間層61，66及保護層62，67可藉由同一的蝕刻液例如磷硝醋酸等來蝕刻。因此，可藉由單一的蝕刻液來進行由中間層61，66、高導電層63，68及保護層62，67所構成的被覆導電層54a，54b的圖案化。其他的成膜或圖案化等的處理(加工)方法是與圖1～圖10所示的第1實施形態的情況大致相同，因此詳細的說明省略。
若如此根據本實施形態，則本發明的對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79可不需要新的工程，與形成上述被覆導電層54a，54b同工程製作。藉由同工程製作，對準標記71，73，74、76，77或製品資訊78，79形成用以曝光感光層的圖案般，與觸控面板感測器部的位置關係經常被保持一樣，可取得必要的位置精度。
藉由對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79的位置精度的提升，薄片切割、個片切割、個片打穿、FPC貼附、或與顯示面板的對位等的後工程的加工精度會提升，且機械讀取製品資訊特別是條碼資訊時的精度會提升。
並且，若根據本實施形態，則取出導電體43，48是包含：在透明導電體40，45的一部分上離開基材薄膜32而設的中間層61，66、及設於第1中間層61，66上的高導電層63，68。其中高導電層63，68是由比成為透明導電體40，45及中間層61，66的材料更高導電率(電氣傳導率)的材料，例如由銀合金所形成，另一方面，中間層61，66是由與透明導電體40，45之間的密著力比高導電層63，68更大的材料例如MoNb合金所形成。因此，相較於使用一般的配線材料的鉻等作為取出導電體時，可提高取出導電體43，48的導電率，且可實現取出導電體43，48與透明導電體40，45之間的適當的密著性。
在本實施形態中，對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79是藉由：在透明導電體40，45的一部分上離開基材薄膜32而設的中間層61，66、及設於第1中間層61，66上的上述被覆導電層54a，54b所形成，因此藉由上述中間層61，66的存在，密著性會提升，剝離防止效果。由於使用可撓性的透明薄膜基材，因此在加工工程的剝離防止重要。藉由上述剝離防止效果，可防止加工工程中的對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79的剝離，藉此可提升加工精度、製品的可靠度。
而且，在本實施形態中，藉由在對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79上形成保護層62，67，可防止對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79的加工中受傷，防止製品化後的高導電層63，68的氧化等。例如，在高導電層63，68使用銀或其合金時，可防止其氧化、硫化，維持反射率的安定化、光澤、防止黑化，可防止對準標記71、73，74、76，77或製品資訊78，79的讀取精度的降低，且製品的可靠度也會提升。
另外，在上述的第1及第2實施形態中，顯示用以進行對位的對準標記是與取出導電體43，48個別形成的例子。然而，並非限於此，亦可根據取出導電體43，48的圖案的一部分的配置來實施對位。亦即，取出導電體43，48亦可更具有作為對準標記的任務。參照圖17來說明有關如此的對位方法。
一般，在切割上述的觸控面板感測器70的工程、或在薄片切割後的觸控面板感測薄膜薄片72貼附FPC等的其他零件的工程中，被要求檢測出觸控面板感測器70或觸控面板感測薄膜薄片72上的至少2個的點的座標。如此的對位用的座標亦可根據形成於非主動區域的取出導電體43，48的一部分來算出。例如在圖17中依據點線81a，81b所示般，取出導電體43，48的圖案的角部可作為對位用的座標使用。另外，由於取出導電體43，48的圖案的角部在其處是圖案的延伸方向變化的部分，所以比較容易檢測出。
並且，顯示利用取出導電體43，48的圖案的角部作為對位用的座標之例，但並非限於此，亦可根據取出導電體43，48的圖案之中具有預定的方向性的部分來取得上述對位用的座標。在圖17中，取出導電體43，48之中以點線82a，82b所包圍的部分是成為延伸於一方向(圖17的左右方向)的部分。另一方面，取出導電體43，48之中以點線83a，83b所包圍的部分是成為延伸於與一方向正交的另一方向(圖17的上下方向)的部分。此情況，藉由檢測出取出導電體43，48之中以點線82a，82b及點線83a，83b所包圍的部分，可算出取出導電體43，48之中延伸於一方向的部分與延伸於另一方向的部分的交點。藉此，可算出觸控面板感測器70或觸控面板感測薄膜薄片72上的預定的點的座標，且可利用所被算出的座標來實施FPC等的對位。
並且，在上述的第1及第2實施形態中，顯示對準標記或製品資訊是以在基材薄膜32上依透明導電層52a、52b、被覆導電層54a、54b的順序形成的2層膜、或在基材薄膜32上依透明導電層52a、52b、中間層61，66、被覆導電層54a、54b的順序形成的3層膜所形成的例子。但，並非限於此，亦可藉由設於基材薄膜32上的透明導電層52a、52b來形成對準標記或製品資訊。另外，如上述般，透明導電層52a、52b(透明導電體40，45)是構成對可視光具有透光性。因此，藉由透明導電層52a、52b來形成對準標記或製品資訊時，作為用以檢測出對準標記或製品資訊的光，為可視光以外的光，可使用能夠藉由透明導電層52a、52b來反射或吸収的光。例如使用紫外線。
第3實施形態
其次，參照圖18A～圖20來說明有關本發明的第3實施形態。圖18A～圖20所示的第3實施形態是僅設有用以評價觸控面板感測器的一方的側及另一方的側的圖案的位置精度之一對的指標部的點不同，其他的構成則是與上述的第1或第2實施形態大致相同。在圖18A～圖20所示的第3實施形態中，對於和上述第1或第2實施形態相同的部分附上同一符號，而省略詳細的說明。
首先，參照圖18A及圖18B來說明有關一對的指標部的形狀及層構成。圖18A及圖18B是表示本實施形態的觸控面板感測器個片75的上面圖及剖面圖。
如圖18A所示，在本實施形態的觸控面板感測器個片75設有一對的指標部85。一對的指標部85是由：被形成於觸控面板感測器個片75的一方的面上的非主動區域Aa2之第1指標部90、及被形成於觸控面板感測器個片75的另一方的面上的非主動區域Aa2之第2指標部95所構成。
一對的指標部85是構成一方對於另一方具有預定的接近關係。例如，構成第1指標部90對於第2指標部95具有預定的接近關係。在此所謂「預定的接近關係」是意思當第2指標部95對第1指標部90的配置偏離設計值時，至少在1個方向的偏差程度可藉由目視來評價的方式構成第1指標部90及第2指標部95的形狀及配置。
其次，參照圖18B來詳細說明第1指標部90及第2指標部95的形狀、配置及層構成。另外圖18B所示的第1指標部90及第2指標部95是假設在觸控面板感測器個片75的一側的面上的圖案的位置與另一側的面上的圖案的位置之間無起因於製造的誤差時。
首先，說明有關第1指標部90及第2指標部95的層構成。如圖18B所示，第1指標部90及第2指標部95是分別與上述第1實施形態的對準標記或製品資訊的情況同樣，以在基材薄膜32上依透明導電層52a、52b、被覆導電層54a、54b的順序形成的2層膜形成。然而，亦可與上述的第2實施形態的對準標記或製品資訊的情況同樣，第1指標部90及第2指標部95會分別以在基材薄膜32上依透明導電層52a、52b、中間層61，66、被覆導電層54a、54b的順序形成的3層膜形成。
如圖18A及圖18B所示，在第1指標部90形成有被部分除去第1透明導電層52a及第1被覆導電層54a的區域。在此如上述般，基材薄膜32是由具有透光性的材料所構成。因此，射入第1指標部90之中被部分除去第1透明導電層52a及第1被覆導電層54a的區域的光是透過基材薄膜32來到觸控面板感測器個片75的另一方的側。以下，將構成光可到達第1指標部90之中觸控面板感測器個片75的另一方的側的部分稱為透過部92。
另外，在圖18B所示的形態中是假想根據與藉由被覆導電層54a、54b所反射的光相關聯的資訊(來自被覆導電層54a、54b的反射光的資訊、或藉由被覆導電層54a、54b來遮蔽光的資訊)來檢測或視認指標部90，95的圖案。因此，在圖18B所示的形態中，指標部90，95被檢測出時的指標部90，95的輪廓是依被覆導電層54a、54b的輪廓而定。在以下的說明中，將劃定指標部90，95之中被檢測或視認的圖案之部分稱為作用部91，96。在圖18B中，第1指標部90的作用部91的外側輪廓是藉由符號91a來表示，第1指標部90的作用部91的內側輪廓是藉由符號91b來表示。又，第2指標部95的作用部96的外側輪廓是藉由符號96a來表示。第1指標部90的上述的透過部92是被劃定為內側輪廓91b的內側的部分。
第2指標部95是構成由基材薄膜32的法線方向來看第2指標部95至少部分地被配置於比第1指標部90的作用部91的內側輪廓91b更靠內側、亦即透過部92內。例如圖18B所示，假設無起因於製造的誤差時以第1指標部90的作用部91的內側輪廓91b與第2指標部95的作用部96的外側輪廓96a會大略一致的方式構成第2指標部95。亦即，由第1指標部90及第2指標部95所構成的一對的指標部85是具有在藉由一方的構成要素所劃定的閉區域的內側配置另一方的構成要素之所謂“BOX IN BOX“的形態。
其次，參照圖19(a)(b)(c)來說明有關設有上述一對的指標部85的觸控面板感測器個片75的作用。在此是說明有關對於觸控面板感測器個片75的一方的面上所形成的圖案，評價觸控面板感測器個片75的另一方的面上所形成的圖案的位置精度之方法。
圖19(a)是表示無起因於製造的誤差時所取得的第1指標部90及第2指標部95的上面圖。此情況，如圖19(a)所示，第1指標部90的透過部92與第2指標部95的作用部96會大略一致。亦即，由基材薄膜32的法線方向來看時，在第1指標部90的作用部91的內側的全域可視認第2指標部95的作用部96。由此可以目視確認，對於觸控面板感測器個片75的一方的面上的圖案，觸控面板感測器個片75的另一方的面上的圖案按設計形成。
另外，在圖19(a)中，符號w1及d1是表示一方向的第1指標部90的透過部92及第2指標部95的作用部96的寬，符號w2及d2是表示與一方向正交的另一方向的第1指標部90的透過部92及第2指標部95的作用部96的寬。在此，第1指標部90的透過部92及第2指標部95的作用部96的寬是按照所被容許的製造誤差來適當設定。例如，在一方向及另一方向所被容許的製造誤差分別為0.5mm時，各寬w1及寬d1、寬w2及寬d2分別被設定於0.5mm。
圖19(b)是表示起因於製造的誤差為容許範圍內時所取得的第1指標部90及第2指標部95的上面圖。在圖19(b)中，第2指標部95對第1指標部90的位置的製造誤差(離設計值的偏差)是藉由箭號s來表示。在此箭號S是形成表示在一方向的偏差的箭號s1與表示在另一方向的偏差的箭號s2的合成向量。
在圖19(b)所示的例子中，由基材薄膜32的法線方向來看時，第2指標部95的作用部96的一部分在第1指標部90的內側被視認。由此可以目視確認第2指標部95對第1指標部90的位置之離設計值的偏差在一方向及另一方向皆比0.5mm小。
圖19(c)是表示起因於製造的誤差為容許範圍外時所取得的第1指標部90及第2指標部95的上面圖。在圖19(c)所示的例子中，由基材薄膜32的法線方向來看時，第2指標部95的作用部96在第1指標部90的內側完全未被視認。由此可以目視確認第2指標部95對第1指標部90的位置之離設計值的偏差在一方向或另一方向的至少一方形成0.5mm以上。
另外，由圖5C～圖5F所示的第1實施形態的說明可明確，觸控面板感測器個片75的圖案之中透明導電層52a、52b的寬與被覆導電層54a、54b的寬大略一致的部分是成為藉由第1次的曝光、顯像及蝕刻(工程S3～S7)所取得的部分。因此，藉由圖18B及圖19(a)(b)(c)所示的例子來取得的評價結果是顯示為了製作一方的面上的圖案而被實施的第1次的曝光、顯像及蝕刻工程與為了製作另一方的面上的圖案而被實施的第1次的曝光、顯像及蝕刻工程之間的相對性的位置精度。
若如此根據本實施形態，則在觸控面板感測器個片75的兩面的非主動區域Aa2設有構成一方對於另一方具有預定的接近關係之一對的指標部85。因此，可藉由目視來容易評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案的位置精度。藉此，可容易實施有關觸控面板感測器個片75可否出貨的判定之檢查。並且，在觸控面板感測器個片75的出貨地，顧客可容易評價或確認觸控面板感測器個片75的圖案的位置精度。
另外，在上述的本實施形態中，顯示構成第1指標部90及第2指標部95的透明導電層52a、52b的寬與被覆導電層54a、54b的寬大略一致之例。但，並非限於此，亦可為構成第1指標部90及第2指標部95的透明導電層52a、52b的寬與被覆導電層54a、54b的寬不一致。以下參照圖20及圖21來說明有關構成第1指標部90及第2指標部95的透明導電層52a、52b的寬與被覆導電層54a、54b的寬不一致時的例子。
圖20是表示本變形例的觸控面板感測器個片75的一對的指標部85的剖面圖。如圖20所示，構成第1指標部90的第1被覆導電層54a是構成具有比第1透明導電層52a更窄的寬。同樣，構成第2指標部95的第2被覆導電層54b是構成具有比第2透明導電層52b更窄的寬。此情況，指標部90，95之中存在被覆導電層54a，54b的部分會成為作用部91，96。
另外，此情況的「窄寬」是意思指標部90，95的被覆導電層54a、54b為藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻工程所製作者。亦即，在圖20所示的指標部90，95的例子中，透明導電層52a、52b的形狀是藉由第1次的曝光、顯像及蝕刻工程所劃定，另一方面，被覆導電層54a、54b的形狀是藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻工程所劃定。另外，在圖20中，以一點虛線所示的部分是表示藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻來除去的被覆導電層54a’、54b’。
其次，參照圖21來說明有關設有圖20所示的一對的指標部85的觸控面板感測器個片75的作用。
圖21是表示起因於製造的誤差為容許範圍內時取得的第1指標部90及第2指標部95的上面圖。另外，圖21所示的例子的第1指標部90的透過部92及第2指標部95的作用部96的寬是與圖19(a)(b)(c)所示例的情況同樣，在一方向及另一方向例如設定於0.5mm。在圖21所示的例子中，由基材薄膜32的法線方向來看時，第2指標部95的作用部96的一部分會在第1指標部90的透過部92內被視認。由此可以目視確認第2指標部95對第1指標部90的位置之離設計值的偏差在一方向及另一方向皆比0.5mm小。
另外，如上述般，在圖20及圖21所示的例子中，構成作用部91，96的被覆導電層54a、54b的形狀是藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻所劃定。因此，依據圖20及圖21所示例取得的評價結果是顯示為了製作一方的面上的圖案而被實施的第2次的曝光、顯像及蝕刻工程與為了製作另一方的面上的圖案而被實施的第2次的曝光、顯像及蝕刻工程之間的相對性的位置精度。
另外，在圖18B~圖21所示的形態中，顯示根據被覆導電層54a、54b的圖案來檢測出指標部90，95的圖案之例。但，並非限於此，指標部90，95的圖案亦可根據透明導電層52a、52b來檢測出。亦即，指標部90，95的作用部91，96亦可藉由透明導電層52a、52b來構成。此情況，與上述的對準標記或製品資訊藉由透明導電層52a、52b來構成時同樣，作為用以檢測出指標部90，95的作用部91，96的光，為可視光以外的光，可使用能夠藉由透明導電層52a、52b來反射或吸収的光。例如使用紫外線。
並且，在圖20及圖21所示的形態中，顯示藉由第1次的曝光、顯像及蝕刻工程所製作的一方的面上的圖案與另一方的面上的圖案之間的相對性的位置精度、或藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻工程所製作的一方的面上的圖案與另一方的面上的圖案之間的相對性的位置精度被評價的例子。但，並非限於此，亦可利用圖20及圖21所示的第1指標部90或第2指標部95來評價藉由第1次的曝光、顯像及蝕刻工程所製作的圖案與藉由第2次的曝光、顯像及蝕刻工程所製作的圖案之間的相對性的位置精度。參照圖22(a)(b)來說明有關如此的評價的例子。
圖22(a)是表示在第1次的曝光、顯像及蝕刻工程與第2次的曝光、顯像及蝕刻工程之間無相對性的製造誤差時所能取得的第1指標部90的上面圖。又，圖22(b)是表示在第1次的曝光、顯像及蝕刻工程與第2次的曝光、顯像及蝕刻工程之間存在預定的相對性的製造誤差時所取得的第1指標部90的上面圖。在圖22(a)(b)所示的第1指標部90中，與圖20及圖21所示的第1指標部90的情況同樣，第1被覆導電層54a的寬會比第1透明導電層52a的寬更窄。此情況，可根據第1被覆導電層54a的形狀來檢測出符號91a所示的外側輪廓。並且，可利用紫外線等，根據第1透明導電層52a的形狀來檢測出符號91a’所示的外側輪廓。又，可根據所被檢測出的外側輪廓91a，91a’來算出在一方向及另一方向的外側輪廓91a，91a’間的距離u1，u2。然後，算出距離u1，u2之離設計值的偏差，藉此可評價在第1次的曝光、顯像及蝕刻工程與第2次的曝光、顯像及蝕刻工程之間的相對性的位置精度。
另外，在上述的圖18A～圖22所示的形態中，顯示假設當指標部90，95無起因於製造的誤差時第1指標部90的作用部91的內側輪廓91b與第2指標部95的作用部96的外側輪廓96a構成大略一致的例子。但，指標部90，95的具體的形狀並無特別加以限定，可適當使用具有各種形狀的指標部90，95。例如圖23(a)所示，亦可以在第1指標部90的作用部91與第2指標部95的作用部96之間設有預定的間隙之方式構成指標部90，95。又，指標部90，95的作用部91，96的形狀並非限於矩形形狀，如圖23(b)所示，亦可為指標部90，95的作用部91，96的其中至少一方具有圓形形狀。或，如圖23(c)所示，亦可為指標部90，95的作用部91，96的雙方具有圓形形狀。此情況，可以目視確認不僅在一方向的偏差(對應於上述箭號s1的偏差)及另一方向的偏差(對應於上述箭號s2的偏差)會比預定的值更小，且偏差的合計量(對應於上述箭號s的大小的量)會比預定的值更小。另外，在圖23(c)所示的例子中，第1指標部90的作用部91的內側輪廓與第2指標部95的作用部96的外側輪廓可一致或不一致。
並且，在上述圖18A～圖22所示的形態中，顯示藉由第1指標部90的作用部91的內側輪廓91b所劃定的透過部92會成為完全的閉區域之例。但，並非限於此，只要能夠藉由目視來確認第2指標部95的作用部96對第1指標部90的作用部91的位置的變化，第1指標部90的透過部92亦可不成為完全的閉區域。例如圖23(d)所示，在第1指標部90中，亦可藉由部分被分開的作用部91來劃定透過部92。同樣，第2指標部95的作用部96亦可被部分地分開。
第3實施形態的變形例
其次，參照圖24及圖25來說明有關本發明的第3實施形態的變形例。
在圖18A～圖23所示的第3實施形態中，顯示可評價一方向及另一方向的兩方的圖案的位置精度之方式構成一對的指標部85之例。具體而言，顯示一對的指標部85為具有所謂“BOX IN BOX“的形態之例。然而，並非限於此，一對的指標部85是只要構成可評價至少1個方向的圖案的位置精度即可。以下，參照圖24及圖25來說明有關可在一方向評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案的位置精度之方式構成的一對的指標部85之例。
圖24是表示本變形例之一對的指標部85的上面圖，顯示在無起因於製造的誤差時所取得的一對的指標部85的圖。如圖24所示，一對的指標部85之中設於觸控面板感測器個片75的一方的面上的第1指標部90是包含沿著一方向(圖24的左右方向)來以間距p1排列的複數個第1單位指標部90a。同樣，一對的指標部85之中設於觸控面板感測器個片75的另一方的面上的第2指標部95是包含沿著一方向來以間距p2排列的複數個第2單位指標部95a。
各第1單位指標部90a及各第2單位指標部95a是構成在一方向具有大致相同的寬。並且，各第1單位指標部90a及各第2單位指標部95a是配置成在與一方向正交的另一方向彼此對向。又，各第1單位指標部90a的配置間距p1與各第2單位指標部95a的配置間距p2是設定成彼此不同。若根據如此構成的第1指標部90及第2指標部95，則可藉由目視來確認複數的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a之中第幾個的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a會一致，藉此可容易評價起因於製造誤差的位置偏差。如此指標部90，95是構成為所謂游標式的標記。
例如，針對各第1單位指標部90a的配置間距p1為形成0.9mm，各第2單位指標部95a的配置間距p2為形成0.8mm的情況來考量。此時，當無製造誤差時，如圖24所示，複數的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a之中位於中央的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a會一致。在此所謂「一致」是意思在各單位指標部90a，95a所被排列的方向(一方向)，位於中央的各單位指標部90a，95a之對向的前端部的座標會形成相同。另一方面，起因於製造誤差，在一方向，另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案，相對性地在左側偏差0.3mm時，如圖25所示，複數的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a之中位於從左起第2個(從中央的單位指標部90a，95a往左第3個)的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a會一致。如此，若根據圖24及圖25所示的例，則藉由目視來確認第幾個的第1單位指標部90a及第2單位指標部95a會一致，藉此可容易評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案之一方向的偏差量。
另外，在本變形例中，如圖26所示，亦可更設置：由包含沿著一方向排列的複數個單位指標部90a，95a的指標部90，95所構成的一對的指標部85、及由包含沿著與一方向正交的另一方向排列的複數個單位指標部90a，95a的指標部90，95所構成的一對的指標部85。藉此，不僅一方向，有關另一方向也可容易評價另一方的面上的圖案對一方的面上的圖案的偏差量。並且，在本變形例中，各單位指標部90a，95a之中位於中央的單位指標部90a，95a的形狀與其他的單位指標部90a，95a的形狀作比亦可若干不同。例如圖26所示，各單位指標部90a，95a之中位於中央的單位指標部90a，95a之與各單位指標部90a，95a所排列的方向正交的方向的長度亦可比其他單位指標部90a，95a的長度大。藉此，可容易辨識位於中央的單位指標部90a，95a，因此可更容易評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案之一方向的偏差量。又，如圖26所示，亦可更設置刻度標記90b，其係成為評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案之一方向的偏差量的指標。在圖26所示的例子中，刻度標記「0」、「+0.4」、「-0.4」是表示在附上此刻度標記的位置的單位指標部90a，95a一致時，另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案的偏差量為0、+0.4、-0.4。
並且在本變形例中，各第1單位指標部90a及各第2單位指標部95a的具體的層構成並無特別加以限定，可適當採用各種的層構成。
例如與上述圖18B所示的形態的情況同樣，各第1單位指標部90a及各第2單位指標部95a亦可包含具有與透明導電層52a、52b的寬大略一致的寬之被覆導電層54a、54b。此情況，取得的評價結果是顯示為了製作一方的面上的圖案而被實施的第1次的曝光、顯像及蝕刻工程與為了製作另一方的面上的圖案而被實施的第1次的曝光、顯像及蝕刻工程之間的相對性的位置精度者。
又，與上述圖20所示的形態的情況同樣，各第1單位指標部90a及各第2單位指標部95a亦可包含具有比透明導電層52a、52b的寬更窄的寬之被覆導電層54a、54b。此情況，取得的評價結果是顯示為了製作一方的面上的圖案而被實施的第2次的曝光、顯像及蝕刻工程與為了製作另一方的面上的圖案而被實施的第2次的曝光、顯像及蝕刻工程之間的相對性的位置精度者。
並且，在本變形例中，顯示各指標部90，95分別包含沿著一方向以預定的間距排列的複數個單位指標部90a，95a之例。但，並非限於此，只要可藉由觀察第1指標部90與第2指標部95之間的相對性的位置關係來評價至少1個方向的圖案的位置精度，各指標部90，95便可以各種的形態構成。例如，亦可第1指標部90為延伸於與一方向正交的另一方向的線狀者，第2指標部95為接近第1指標部90而配置的點狀者。此情況，藉由目視來確認第1指標部90與第2指標部95之間的距離，藉此可容易評價另一方的面上的圖案對於一方的面上的圖案之一方向的偏差量。
另外，在上述的第3實施形態及其變形例中，一對的指標部85是被形成於各觸控面板感測器個片75的非主動區域Aa2。但，並非限於此，如圖27所示般，一對的指標部85亦可設於多面附上複數的單位圖案的觸控面板感測薄膜薄片72的非主動區域Aa2(外緣附近)。
另外，在以上是說明幾個對上述實施形態的變形例，當然亦可適當組合使用複數的變形例。
10．．．輸出入裝置
15．．．顯示裝置
20．．．觸控面板裝置
30．．．觸控面板感測器
32．．．基材薄膜
32a．．．面(一方的側的面)
32b．．．面(另一方的側的面)
33．．．薄膜本體
34．．．機能膜(折射率匹配膜)
34a．．．高折射率膜
34b．．．低折射率膜
35．．．機能膜(低折射率膜)
37a．．．感測器電極
37b．．．取出配線
40．．．第1透明導電體
41．．．第1感測器部
41a．．．線部
41b．．．膨出部
42．．．第1端子部
43．．．第1取出導電體
45．．．第2透明導電體
46．．．第2感測器部
46a．．．線部
46b．．．膨出部
47．．．第2端子部
48．．．第2取出導電體
50．．．積層體(裸片)
52a．．．第1透明導電層
52b．．．第2透明導電層
54a．．．第1被覆導電層(第1遮光導電層)
54b．．．第2被覆導電層(第2遮光導電層)
56a．．．第1感光層
56b．．．第2感光層
56c．．．第3感光層(更進一步的感光層)
56d．．．第4感光層(更進一步的感光層)
58a．．．第1遮罩(第1光罩)
58b．．．第2遮罩(第2光罩)
58c．．．第3遮罩(第3光罩)
58d．．．第4遮罩(第4光罩)
61．．．第1中間層
62．．．第1保護層
63．．．第1高導電層
66．．．第2中間層
67．．．第2保護層
68．．．第2高導電層
70．．．被形成於薄板條上的觸控面板感測薄膜
71．．．用以切割被多面附上的單位圖案的預定集合組的對準標記
72．．．由被多面附上的單位圖案的預定集合組所構成的觸控面板感測薄膜
73．．．個片切割或個片切出用的對準標記
74．．．個片切割或個片切出用的對準標記
75．．．觸控面板感測器個片
76．．．與觸控面板裝置的對位用對準標記
77．．．FPC貼附用對準標記
78．．．製品資訊
79．．．由條碼構成的製品資訊
85．．．一對的指標部
90．．．第1指標部
90a．．．第1單位指標部
91．．．作用部
91a．．．外側輪廓
91b．．．內側輪廓
92．．．透過部
95．．．第2指標部
95a．．．第2單位指標部
96．．．作用部
96a．．．外側輪廓
Aa1．．．主動區域
Aa2．．．非主動區域
圖1是用以說明本發明之一實施形態的圖，將觸控面板裝置與顯示裝置一起概略顯示的圖。
圖2是將圖1的觸控面板裝置的觸控面板感測器與顯示裝置一起顯示的剖面圖。另外，圖2所示的剖面是大概對應於沿著圖1的II-II線的剖面。
圖3A是表示觸控面板裝置的觸控面板感測器的上面圖。
圖3B是沿著圖3A的III-III線的剖面圖。
圖4(a)及圖4(b)是表示在觸控面板感測器所含的基材薄膜的具體例圖。
圖5A是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5B是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5C是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5D是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5E是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5F是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5G是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5H是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5I是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5J是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5K是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖5L是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的圖。
圖6是用以說明製造圖3的觸控面板感測器的方法的流程圖。
圖7是用以說明圖5F所示的工程的蝕刻的進行的圖。
圖8A是對應於圖5I(a)的圖，用以說明觸控面板感測器的製造方法的一變形例的圖。
圖8B是對應於圖5J(a)的圖，用以說明觸控面板感測器的製造方法的一變形例的圖。
圖9(a)及圖9(b)是分別對應於圖5C(a)及圖5C(b)的圖，用以說明觸控面板感測器的製造方法的一變形例的圖。
圖10是對應於圖3A的圖，用以說明透明導電體的變形例的圖。
圖11是對應於圖3B的圖，表示以往的觸控面板感測器的剖面圖。
圖12(a)是對應於第1實施形態的圖3B的圖，表示本發明的第2實施形態的第1取出導電體的剖面圖，圖12(b)是表示本發明的第2實施形態的第2取出導電體的剖面圖。
圖13是表示本發明的第2實施形態的積層體的剖面圖。
圖14是本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜的全體圖。
圖15是本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜的薄片切割後的圖。
圖16是在本發明的觸控面板感測器用的感測薄膜上所製作的觸控面板感測器的單位圖案的圖。
圖17是表示利用取出導電體的圖案之對位的例圖，顯示觸控面板感測器的上面圖。
圖18A是表示第3實施形態的觸控面板感測器的單位圖案的上面圖。
圖18B是表示圖18A所示的觸控面板感測器的剖面圖。
圖19(a)(b)(c)是表示利用圖18A及圖18B所示的一對的指標部來評價觸控面板感測器的圖案的位置精度的方法的圖。
圖20是表示一對的指標部的層構成的變形例的剖面圖。
圖21是表示利用圖20所示的一對的指標部來評價觸控面板感測器的圖案的精度的方法的圖。
圖22(a)(b)是表示利用圖20所示的一對的指標部來評價觸控面板感測器的圖案的位置精度的其他方法的圖。
圖23(a)～(d)是表示一對的指標部的形狀的變形例的圖。
圖24是表示一對的指標部的圖案的變形例的圖。
圖25是表示利用圖24所示的一對的指標部來評價觸控面板感測器的圖案的精度的方法的圖。
圖26是表示圖24所示的一對的指標部的變形例的圖。
圖27是表示在多面附上複數的單位圖案的觸控面板感測器形成一對的指標部的例子的上面圖。

Claims (15)

  1. 一種觸控面板感測薄膜，係具備透明的基材薄膜及分別設於上述基材薄膜的兩面上的透明導電體圖案之觸控面板感測器用的感測薄膜，其特徵為：在上述感測薄膜的兩面的非主動區域分別形成有對準標記或製品資訊，上述對準標記或上述製品資訊係以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之觸控面板感測薄膜，其中，以各個的製品為單位的單位圖案係被多面附上。
  3. 如申請專利範圍第2項之觸控面板感測薄膜，其中，上述對準標記或製品資訊係被形成於每個上述單位圖案。
  4. 如申請專利範圍第2項之觸控面板感測薄膜，其中，上述對準標記或製品資訊係被形成於每個被多面附上的單位圖案的預定集合組。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之觸控面板感測薄膜，其中，使用上述對準標記的用途為薄片切割用途、個片切割用途、個片打穿用途、FPC貼附用途、或與顯示面板的對位用途。
  6. 如申請專利範圍第5項之觸控面板感測薄膜，其中，上述對準標記係被形成於每個上述用途。
  7. 如申請專利範圍第5項之觸控面板感測薄膜，其 中，至少1個的上述對準標記係形成對應於上述用途的其中複數的用途。
  8. 如申請專利範圍第5項之觸控面板感測薄膜，其中，形成只對應於上述用途的其中1個用途的對準標記、及形成對應於上述用途的其中複數的用途的對準標記，係分別被形成。
  9. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之觸控面板感測薄膜，其中，上述製品資訊係包含：品名資訊、批號資訊、製造日資訊、製品等級資訊的其中一個以上。
  10. 如申請專利範圍第9項之觸控面板感測薄膜，其中，上述製品資訊係以條碼形成。
  11. 一種觸控面板感測薄膜的製造方法，該觸控面板感測薄膜係具備：透明的基材薄膜；及設於上述基材薄膜的兩面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案，且在上述基材薄膜的兩面的非主動區域分別形成有至少具有透明導電層及被設在上述透明導電層上的被覆導電層之對準標記或/及製品資訊，其特徵係具備：在具有上述透明的基材薄膜及分別設於上述基材薄膜的兩面上的上述透明導電層及設於上述透明導電層上的上述被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感 光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，而使感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊圖案化之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻上述被覆導電層，而使上述被覆導電層圖案化之工程；以上述被圖案化的感光層及上述被圖案化的被覆導電層作為遮罩來蝕刻上述透明導電層，而使上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層，而除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分來形成感測器部之工程；及除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，形成上述對準標記或/及上述製品資訊。
  12. 一種觸控面板感測薄膜的製造方法，該觸控面板感測薄膜係具備：透明的基材薄膜；及分別設於上述基材薄膜的兩面上，一部分係形成線狀的透明導電體圖案， 且在上述基材薄膜的兩面的非主動區域分別形成有至少具有透明導電層及被設在上述透明導電層上的被覆導電層之對準標記或/及製品資訊，其特徵係具備：在具有上述透明的基材薄膜及分別設於上述基材薄膜的兩面上的上述透明導電層及設於上述透明導電層上的上述被覆導電層之積層體的被覆導電層側的面上形成具有感光性的感光層之工程；將上述感光層曝光之工程；將上述感光層顯像，而使感測器部、端子部、取出配線、上述對準標記或/及上述製品資訊圖案化之工程；以被圖案化的上述感光層作為遮罩來蝕刻至上述透明導電層，而使上述被覆導電層及上述透明導電層圖案化之工程；除去上述被圖案化的感光層之工程；在上述被圖案化的被覆導電層上形成更進一步的感光層之工程；將上述更進一步的感光層曝光之工程；將上述更進一步的感光層顯像而圖案化之工程；以上述被圖案化的更進一步的感光層作為遮罩來蝕刻上述被圖案化的被覆導電層，而除去上述被圖案化的被覆導電層的一部分來形成感測器部之工程；除去上述被圖案化的更進一步的感光層之工程，形成上述對準標記或/及上述製品資訊。
  13. 一種觸控面板感測薄膜，係具備透明的基材薄膜及分別設於上述基材薄膜的兩面上的透明導電體圖案之觸控面板感測器用的感測薄膜，其特徵係更具備：分別形成於上述感測薄膜的兩面的非主動區域之一對的指標部，構成一方對另一方具有預定的接近關係之一對的指標部，上述一對的指標部係以在上述基材薄膜上依透明導電層、被覆導電層的順序形成的2層膜或在上述基材薄膜上依透明導電層、中間層、被覆導電層的順序形成的3層膜形成。
  14. 如申請專利範圍第13項之觸控面板感測薄膜，其中，上述一對的指標部的一方係具有內側輪廓，上述一對的指標部的另一方係至少部分的配置於比上述內側輪廓更內側。
  15. 如申請專利範圍第13項之觸控面板感測薄膜，其中，上述一對的指標部係分別包含沿著一方向來以預定的間距排列的複數的單位指標部，上述一對的指標部的一方的各單位指標部的間距與上述一對的指標部的另一方的各單位指標部的間距不同。
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