JP2005235481A - 有機ｅｌパネル及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 引き出し配線の低電気抵抗化を図るためにＡｇ又はＡｇ合金の配線材料を採用するに際して、透明導電膜上に積層膜を形成する際の密着性を向上させ、引き出し配線の耐久性を向上させること、また、引き出し配線の低電気抵抗化を図りながらマイグレーションによる配線不具合のリスクを解消する。
【解決手段】 有機ＥＬパネルにおける引き出し配線１０の下地膜１１は、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１では、有機ＥＬ素子の下部電極を形成し、下部電極と導通した下地膜１１の引き出し配線部分Ｗ_２において、下地膜１１とこの下地膜１１上に形成されるＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜１２とからなる配線部分Ｗ_２１と、下地膜１１と積層膜１２及びＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３からなる配線部分Ｗ_２２とが形成されている。配線部分Ｗ_２１をマイグレーションリスクの高い部分に形成する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）パネル及びその形成方法に関するものである。

有機ＥＬパネルは、支持基板上に有機ＥＬ素子による面発光要素を形成して、この面発光要素を単数又は複数配列することで表示領域を形成するものである。

有機ＥＬ素子の形成は、支持基板上に各種構造の下部電極を形成した後、有機発光機能層を含む有機層の成膜パターンを形成し、その上に上部電極を形成することによってなされる。この有機ＥＬ素子は、下部電極と上部電極との間に電圧を印加することによって、陽極側から正孔が陰極側から電子が有機層内に注入・輸送され、それらが再結合することで発光が得られるものである。

また、この有機ＥＬ素子は、前述の有機層及び電極が外気に曝されると発光特性の劣化が生じることから、支持基板上に接着剤を介して封止部材を貼り合わせるか、或いは支持基板上の有機ＥＬ素子を封止膜で覆うことで、前述の有機層及び電極を備えた有機ＥＬ素子を封止することがなされている。

そして、この有機ＥＬパネルにおいては、前述した上部電極及び下部電極に導通する配線を前述の封止基板又は封止膜で形成された封止空間から封止空間外の支持基板上に引き出した引き出し配線を形成しており、この引き出し配線に駆動回路を接続することで、各有機ＥＬ素子を選択的に発光させている。

このような有機ＥＬパネルでは、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極間に前述した再結合による電流が流れ、この電流に応じた発光輝度が得られることになる。したがって、前述した引き出し配線の電気抵抗が高いと、同じ駆動電圧に対して有機ＥＬ素子によって得られる発光輝度が低下してしまうことになる。また、引き出し配線と駆動回路部材との接続を考えると引き出し配線の長さは必ずしも一定にはならないが、引き出し配線の電気抵抗が高いと流れる電流による電圧降下が引き出し配線毎に大きく異なることになり、これによって有機ＥＬ素子に輝度ムラが生じて表示品質を損ねてしまうことになる。

したがって、有機ＥＬパネルにおける引き出し配線としては可能な限り低電気抵抗のものが求められている。このような要求は、素子間電流によって発光を生じる有機ＥＬ素子特有の問題であると言え、例えば、液晶層を挟む電極間に電圧を印加して液晶層の電気光学特性を変化させる液晶パネルでは、引き出し配線に対してこのような低電気抵抗化の要求は生じない。

これに対して、有機ＥＬパネルの引き出し配線は、製造工程簡略化の観点から、下部電極のパターニング工程で同時にパターニングされることが一般になされており、この場合には、引き出し配線は下部電極と同材料で形成されることになる。しかしながら、下部電極の材料としては有機ＥＬ素子の構成要素としての要件（例えば、陰極又は陽極、支持基板側から光を取り出す場合には透明性）があるので、低電気抵抗の材料を選択するにも限界がある。

そこで、従来は、引き出し配線を下部電極と同材料からなる下地膜とその上に形成される低電気抵抗材料の積層膜とからなる積層構造にして、下部電極材料膜のみからなる有機ＥＬ素子形成部分と下部電極材料からなる下地膜の上に低電気抵抗金属材料からなる積層膜を積層した引き出し配線部分とを１回のパターニングで形成すること等が提案されている（下記特許文献１参照）。

特開２００３−１６３０８０号公報

一般に、有機ＥＬパネルの下部電極としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜が用いられるので、前述した従来技術の引き出し配線は、透明導電膜の下地膜と、クロム（Ｃｒ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，銀（Ａｇ），銀合金，モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ）等の低電気抵抗金属材料の積層膜によって形成されている。

この低電気抵抗金属材料の中では、Ａｇ又はＡｇ合金が最も電気抵抗が低く（例えば、ＩＴＯ：２０Ω／ｍ，Ｃｒ：１．３Ω／ｍに対して、Ａｇ：０．１５Ω／ｍ）、有機ＥＬパネルの引き出し配線材料としては好ましい。しかしながら、このＡｇ又はＡｇ合金による積層膜は、ＩＴＯ等の透明導電膜との密着性に問題があり、引き出し配線形成後に積層膜の剥がれが生じて耐久性の面で問題がある。

また、Ａｇ又はＡｇ合金を高密度配線の配線材料に用いた場合には、マイグレーションという現象が問題になる。このマイグレーション現象が進行すると、絶縁材料からなる支持基板上を金属が移行して隣接する配線を連結してしまうので、配線不良を起こすことになる。有機ＥＬパネルにおいては、表示性能の向上に伴って配線間隔の高密度化が進んでおり、マイグレーションによる配線不具合が重要な問題として顕在化している。

このマイグレーションによる配線不具合は、配線間に電位差があり、配線間隔が近接している程起こり易いが、他のマイグレーションを引き起こす要因として水分の存在が考えられており、特に、前述した支持基板と封止部材との接着箇所や引き出し配線と駆動回路端部（例えば、ＡＣＦ端部等）との接着箇所において、接着樹脂の未硬化による水分の存在でマイグレーションによる配線不具合が生じ易いことが確認されている。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、引き出し配線の低電気抵抗化を図るためにＡｇ又はＡｇ合金の配線材料を採用するに際して、透明導電膜上に積層膜を形成する際の密着性を向上させ、引き出し配線の耐久性を向上させること、また、引き出し配線の低電気抵抗化を図りながらマイグレーションによる配線不具合のリスクを解消すること等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。

［請求項１］支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルであって、前記引き出し配線は、透明導電膜からなる下地膜と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなり前記下地膜と前記積層膜との間に介在される積層膜とからなる配線部分を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。

［請求項２］支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルであって、前記引き出し配線は、透明導電膜からなる下地膜と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなり前記下地膜と前記積層膜との間に介在される積層膜とからなる配線部分と、透明電極膜からなる下地膜と、該下地膜上に形成されるＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜とからなる配線部分とを有することを特徴とする有機ＥＬパネル。

［請求項７］支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルの形成方法であって、前記引き出し配線の形成は、透明導電膜からなる下地膜を形成し、前記下地膜上にＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜を形成し、該積層膜上に部分的にＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの形成方法。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図である。本発明の実施形態は、支持基板１上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出される引き出し配線１０を形成した有機ＥＬパネルを前提構成としている。

図１は、その引き出し配線１０の構造を示す断面図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの引き出し配線１０は、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる下地膜１１と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなり下地膜１１と積層膜１３との間に介在される積層膜１２とからなる配線部分を有している。なお、以下の実施形態では、Ｃｒ又はＣｒ合金についての説明を行うが、他にＴｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇ等の金属又はその合金についても同様に形成することができる。

図２は、図１に示した引き出し配線１０のＡ−Ａ断面図であって、引き出し配線１０の配線方向に沿った部分的な断面図である。図示のように、引き出し配線１０の下地膜１１は、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１では、有機ＥＬ素子の下部電極を形成するものであり、この下部電極と導通した下地膜１１の引き出し配線部分Ｗ_２において、下地膜１１とこの下地膜１１上に形成されるＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２とからなる配線部分Ｗ_２１と、下地膜１１と積層膜１２，１３からなる配線部分Ｗ_２２とが形成されている。ここでは、引き出し配線１０は、有機ＥＬ素子の下部電極から引き出されるものを示したが、有機ＥＬ素子の上部電極から引き出される引き出し配線も同様である。

このような本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルによると、引き出し配線１０は、延長部分においてＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３が積層された構造にできるから、引き出し配線１０の電気抵抗を低下させることが可能になり、同一駆動電圧に対して有機ＥＬ素子の発光輝度を向上させることができる。また、延長部分の電気抵抗を低くすることで、引き出し配線１０を流れる電流によって引き出し配線１０毎の電位降下に大きな差が生じることが無く、有機ＥＬ素子に生じる輝度ムラを解消して、有機ＥＬパネルの表示性能を向上させることができる。

更には、透明導電膜からなる下地膜１１とＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３との間にＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２を介在させているので、積層膜１２が接着作用をなし、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３と透明導電膜からなる下地膜１１との密着性を向上させることができ、これによって、引き出し配線１０の耐久性を向上させることができる。

また、引き出し配線１０は、透明導電膜からなる下地膜１１と、この下地膜１１上に形成されるＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２とからなる配線部分Ｗ_２１を有しており、この配線部分Ｗ_２１をマイグレーションリスクの高い部分にすることで、マイグレーションのリスクを回避している。すなわち、マイグレーションリスクの高い部分でＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３を除いた配線部分を形成することで、Ａｇ又はＡｇ合金によるマイグレーション現象を起こり難くしている。

前述したように、マイグレーションは、配線間に電位差があり、配線間隔が近接している程起こり易く、また、水分が存在する部分でも起こり易いことが確認されている。したがって、このようなマイグレーションの起こり易い部分が、マイグレーションリスクの高い部分になる。

図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの平面図であり、支持基板１に封止接着部２０が形成され、その内側に上部電極２と下部電極３が形成される有機ＥＬ素子領域Ｗ_１が形成されている。ここでは、引き出し配線１０は、上部電極２から封止接着部２０を介して封止空間外に引き出される配線（１０Ａ）と下部電極３から封止接着部２０を介して封止空間外に引き出される配線（１０Ｂ）が、支持基板１の同一辺側に集約されてＣＯＦ（Chip On Film）２１に接続され、そこから更に引き出されてＡＣＦ（異方性導電フィルム：anisotropic conductive film）等を介して駆動回路部品と接続される配線（１０Ｃ）を形成している。

このような有機ＥＬパネルでは、マイグレーションリスクの高い部分は、支持基板１と有機ＥＬ素子を封止する封止部材との封止接着部２０を介して引き出し配線１０が引き出される接着領域周辺部分Ｍ_１、引き出し配線１０に対して有機ＥＬ素子の駆動回路部材をＡＣＦ等を介して接続する接続領域周辺部分Ｍ_２、上部電極２から引き出された引き出し配線１０と下部電極３から引き出された引き出し配線１０とが隣接する配線部分Ｍ_３等である。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルでは、このようなマイグレーションリスクの高い部分では、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３を除いて、下地膜１１とＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２とからなる配線部分Ｗ_２１を形成しており、これによってマイグレーションの発生を抑え、配線不具合を回避している。

図４及び図５は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの具体例を示した説明図である（前述の説明と共通する部分には同一符号を付している。）。ここでは、支持基板１上に上部電極２又は下部電極３に導通する下地膜１１を形成し、引き出し配線部分（Ｗ_２１＋Ｗ_２２）に積層膜１２を形成し、接着領域周辺部分以外の配線部分Ｗ_２２に積層膜１３を形成して引き出し配線１０を形成している。したがって、下地膜１１上にＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２が積層され、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３が除かれた配線部分Ｗ_２１に、接着剤２２が塗布される封止接着部２０が形成されることになる。

この例では、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１における下部電極３はストライプ状に形成されており、その上に発光領域を区画するように絶縁膜５が形成され、この絶縁膜５の上に下部電極３と直交するように隔壁６が形成されている。そして、蒸着等の成膜工程によって、下部電極３の発光領域上に有機発光機能層を含む有機層４（ここでは、正孔輸送層４Ａ，発光層４Ｂ，電子輸送層４Ｃからなる。）が形成され、更にその上に下部電極３と直交するように上部電極２が形成されている。そして、封止接着部２０に塗布された接着剤２２を介して支持基板１に封止部材２３が接着され、この支持基板１と封止部材２３との間の封止空間内に、上部電極２と下部電極３とで有機層４を挟持してなる有機ＥＬ素子が封止されている。

このような有機ＥＬパネルによると、封止接着部２０の周辺にはマイグレーションを起こし易いＡｇ又はＡｇ合金が存在しないので、接着剤２２の未硬化によって水分が残り易い接着領域周辺部分であってもマイグレーションが発生しない。また、引き出し配線１０の延長部分となる配線部分Ｗ_２２にはＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１３が形成されており、封止接着部２０周辺の配線部分Ｗ_２１にもＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２が形成されているので、引き出し配線１０の電気抵抗を充分に低下させることができる。更には、透明導電膜からなる下地膜１１とＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜１２との間にＣｒ又はＣｒ合金からなる積層膜１２が介在されるので、密着性が高く耐久性の良好な引き出し配線１０を形成することができる。

図６及び図７は、このような有機ＥＬパネルの形成方法における工程例を示したフローである。図６に示した工程例では、ガラス、プラスチック等からなる支持基板１に対して必要に応じて研磨，洗浄，乾燥等の措置を施す準備工程（Ｓ１１）を経て、その表面にＩＴＯ，ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜をスパッタリング法等にて成膜する（Ｓ１２）。その後、フォトリソグラフィ法により、下部電極３及び引き出し配線１０のパターンに応じたパターニングがなされる（Ｓ１３）。そして、Ｃｒ又はＣｒ合金膜を、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１を除く領域に成膜し（Ｓ１４）、引き出し配線１０のパターンに応じたパターニングを行って積層膜１２を形成し（Ｓ１５）、Ａｇ又はＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ，ＡｇＯ）を、前述の配線部分Ｗ_２２に成膜し（Ｓ１６）、引き出し配線１０のパターンに応じたパターニングがなされ積層膜１３が形成される（Ｓ１７）。その後、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１における下部電極３上に有機ＥＬ素子を形成する素子形成工程（Ｓ１８）がなされ、有機ＥＬ素子を封止する封止工程（Ｓ１９）がなされる。

図７に示した工程例では、前述の例と同様に、支持基板１に対して必要に応じて準備工程（Ｓ２１）を施し、その表面に透明導電膜を成膜し（Ｓ２２）、次に、Ｃｒ又はＣｒ合金膜を、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１を除く領域に部分的に成膜し（Ｓ２３）、引き続いて、Ａｇ又はＡｇ合金を、前述の配線部分Ｗ_２２に部分的に成膜し（Ｓ２４）、その後、下部電極３及び引き出し配線１０のパターンに応じたパターニングがなされる（Ｓ２５）。以後は、前述の例と同様に、有機ＥＬ素子形成領域Ｗ_１における下部電極３上に有機ＥＬ素子を形成する素子形成工程（Ｓ２６）がなされ、有機ＥＬ素子を封止する封止工程（Ｓ２７）がなされる。

素子形成工程（Ｓ２７）は、従来知られた方法を採用することができる。一例を挙げると、まず、下部電極３上にポリイミド，ＳｉＮ，ＳｉＯ_２等の絶縁材料からなる膜をスピンコート法等により形成し、露光マスクを用いた露光処理及び現像処理によって、下部電極３上に発光領域を区画する絶縁膜５を形成する。次に、隣り合う上部電極２のライン同士を電気的に絶縁すること、シャドーマスクとしての機能を付与すること等の目的で、絶縁膜５上に隔壁６を形成する。隔壁の形状は好ましくは逆テーパであるが、上記目的を達成できるものであれば、形状は特にこだわらない。また、上部電極２をシャドーマスク等でパターニングし、蒸着形成する場合は、隔壁６を設けない構造にすることができる。隔壁６を形成するには、絶縁膜５上に光感光性樹脂等の絶縁材料を、有機層４と上部電極２の膜厚の和より厚い膜厚にスピンコート法等で塗布形成し、この光感光性樹脂膜上に所定パターン開口部を有するフォトマスクを介して紫外線等を照射し、層の厚さ方向の露光量の違いからくる現像速度の差を利用して逆テーパ型の隔壁６を形成する。

その後、スピンコーティング法，ディッピング法等の塗布法，インクジェット法，スクリーン印刷法等の印刷法等のウェットプロセス、又は、蒸着法，レーザ転写法等のドライプロセスにて有機層４を形成し、最後にＡｌ等の金属膜からなる上部電極２を形成する。

本発明の実施形態よる有機ＥＬ素子は、下部電極３／有機層４／上部電極２によって形成されており、ストライプ状の下部電極３に対して、それと直交するストライプ状の上部電極２を形成して、その交差部分により支持基板１上にマトリクス状の有機ＥＬ素子を形成している。

上部電極２と下部電極３とで挟持される有機層４は、正孔輸送層４Ａ／発光層４Ｂ／電子輸送層４Ｃの構成が一般的であるが、発光層４Ｂ、正孔輸送層４Ａ、電子輸送層４Ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層４Ａ、電子輸送層４Ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても発光層４Ｂのみでも構わない。また、下部電極３上に導電性の緩衝層を形成して、その上に前述の有機層４を形成することもできる。この場合も当然ながら、有機層４を用途に応じて適宜設計変更することができる。

封止工程（Ｓ１８，Ｓ２７）の例を説明すると、紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤２２に、１〜３００μｍの粒径のスペーサ（ガラスやプラスチックのスペーサが好ましい）を適量混合（０．１〜０．５重量％ほど）し、支持基板１上の封止接着部２０に、ディスペンサー等を使用し塗布する。次いで、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で、封止部材２３を支持基板１に接着剤２２を介して接着させ、接着剤２２に紫外線を支持基板１側または封止基板２３側から照射して、これを硬化させる。このようにして、封止基板２３と支持基板１との封止空間にアルゴンガス等の不活性ガスを封じこめた状態で有機ＥＬ素子を封止する。

なお、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルは、前述した具体例のように、パッシブマトリクス型の表示パネルを形成することもできるし、或いは、アクティブマトリクス型の表示パネルを形成することもできる。また、単色表示であっても、多色表示であってもよいが、カラー表示パネルを形成するためには、塗り分け方式、白色や青色等の単色の有機ＥＬ素子にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）等により、フルカラー有機ＥＬパネル、又はマルチカラー有機ＥＬパネルを形成することができる。また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルとしては、支持基板１側から光を取り出すボトムエミッション方式にすることもできるし、或いは、支持基板１とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式にすることもできる。

このような本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネル及びその形成方法によると、引き出し配線１０の低電気抵抗化を図るためにＡｇ又はＡｇ合金の配線材料を採用するに際して、透明導電膜上に積層膜１３を形成する際の密着性を向上させ、引き出し配線の耐久性を向上させることができる。また、引き出し配線１０の低電気抵抗化を図りながらマイグレーションによる配線不具合のリスクを解消することができる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの説明図（引き出し配線の構造を示す断面図）である。 本発明の実施形態に係る引き出し配線のＡ−Ａ断面図であって、引き出し配線の配線方向に沿った部分的な断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの平面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの具体例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの具体例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの形成方法における工程例を示したフローである。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの形成方法における工程例を示したフローである。

符号の説明

１ 支持基板
２ 上部電極
３ 下部電極
４ 有機層
５ 絶縁膜
６ 隔壁
１０ 引き出し配線
１１ 下地膜
１２，１３ 積層膜
２０ 封止接着部
２１ ＣＯＦ
２２ 接着剤
２３ 封止部材
Ｗ_１ 有機ＥＬ素子形成領域
Ｗ_２ 引き出し配線部分
Ｗ_２１，Ｗ_２２ 配線部分

Claims (10)

1. 支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルであって、
   前記引き出し配線は、透明導電膜からなる下地膜と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなり前記下地膜と前記積層膜との間に介在される積層膜とからなる配線部分を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
2. 支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルであって、
   前記引き出し配線は、透明導電膜からなる下地膜と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなり前記下地膜と前記積層膜との間に介在される積層膜とからなる配線部分と、透明電極膜からなる下地膜と、該下地膜上に形成されるＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜とからなる配線部分とを有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
3. 前記引き出し配線は、マイグレーションリスクの高い部分で前記Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜を除いた配線部分を備えることを特徴とする請求項１に記載された有機ＥＬパネル。
4. 前記マイグレーションリスクの高い部分は、前記支持基板と前記有機ＥＬ素子を封止する封止部材との接着領域周辺部分であることを特徴とする請求項３に記載された有機ＥＬパネル。
5. 前記マイグレーションリスクの高い部分は、前記引き出し配線に対して前記有機ＥＬ素子の駆動回路部材を接続する接続領域周辺部分であることを特徴とする請求項３に記載された有機ＥＬパネル。
6. 前記マイグレーションリスクの高い部分は、前記上部電極から引き出された引き出し配線と前記下部電極から引き出された引き出し配線とが隣接する配線部分であることを特徴とする請求項３に記載された有機ＥＬパネル。
7. 支持基板上に、有機発光機能層を含む有機層を下部電極と上部電極とで挟持してなる有機ＥＬ素子を形成し、前記下部電極又は前記上部電極から引き出された引き出し配線を形成した有機ＥＬパネルの形成方法であって、
   前記引き出し配線の形成は、透明導電膜からなる下地膜を形成し、前記下地膜上にＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜を形成し、該積層膜上に部分的にＡｇ又はＡｇ合金からなる積層膜を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの形成方法。
8. 前記引き出し配線の形成は、前記Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一以上の金属もしくはその合金からなる積層膜上に、マイグレーションリスクの高い部分を除いて前記Ａｇ又はＡｇ合金からなる積層膜の形成がなされることを特徴とする請求項７に記載された有機ＥＬパネルの形成方法。
9. 前記引き出し配線の形成は、前記下地膜を前記引き出し配線のパターンに応じてパターニングした後に、前記各積層膜の形成及びパターニングを行うことを特徴とする請求項７又は８に記載された有機ＥＬパネルの形成方法。
10. 前記引き出し配線の形成は、前記下地膜上に前記各積層膜を成膜した後、前記下地膜及び各積層膜を前記引き出し配線のパターンに応じてパターニングすることを特徴とする請求項７又は８に際された有機ＥＬパネルの形成方法。

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