JP5999521B2 - タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体（ブランクス）、並びに、タッチパネルセンサの製造方法に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサは表示装置の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。タッチパネルセンサのうちの表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチセンサに接触（接近）することにより、新たに奇生容量が発生し、この静電容量の変化を利用して、タッチパネルセンサ上における対象物の位置を検出するようになっている。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体の両側に異なるパターンでそれぞれ形成された第１センサ電極および第２センサ電極と、を有している。典型的には、第１センサ電極および第２センサ電極は、それぞれ格子状に配列された導電体を有し、外部導体（典型的には、指）がタッチパネルセンサに接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化に基づき、導電体の位置を検出するようになっている。

このような投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、一般的に、第１センサ電極が形成された第１の基材フィルムと、第２センサ電極が形成された第２の基材フィルムと、を接着層により接合することによって、作製されている（例えば、特許文献２）。作製されたタッチパネルセンサにおいて、第１センサ電極および第２センサ電極は、基材フィルムのアクティブエリア外の領域に形成された取出配線（取出用の導電体）を介して、外部の制御回路に接続される。タッチパネル装置が表示装置とともに用いられる場合、第１センサ電極および第２センサ電極は、導電率（電気伝導率）の低い透明導電材料から形成される。その一方で、アクティブエリア外に配置される取出配線は、透明である必要はなく、一般的に、高い導電率を有した金属材料をスクリーン印刷で基材フィルム上に印刷することにより形成される。

特表２００７−５３３０４４号公報 特開平４−２６４６１３号公報

ところで、昨今においては、意匠性を向上させる目的、並びに、表示装置の表示領域を拡大させる目的から、表示領域の周囲を取り囲む額縁領域と呼ばれる領域を小面積化することが求められている。これにともなって、タッチパネルセンサのアクティブエリア以外の非アクティブエリアを小面積化することが要望されている。この要望は、取出用の配線を非アクティブエリアに十分に高精細に形成することができれば、満たされ得る。しかしながら、現在使用されている種々の製造方法（例えば、上述したスクリーン印刷）では、非アクティブエリアに取出用の配線を十分に高精細に形成することはできない。

また、薄型フィルム材からなる基材フィルムは、使用中に撓む等して変形する。このような変形に起因して、透明導電体と取出用の導電体とが物理的に離間して、センサ電極と取出配線との間の導通が遮断されてしまうこともある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、非アクティブエリアが小さく信頼性の高いタッチパネルセンサを提供することを目的とする。また、本発明は、このようなタッチパネルセンサを作製するための積層体、並びに、このようなタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。

本発明によるタッチパネルセンサは、透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電体と、前記透明導電体の一部分上に前記基材フィルムから離間して設けられた取出導電体と、を備え、前記透明導電体の前記一部分は線状に形成され、前記取出導電体は当該一部分上を線状に延びていることを特徴とする。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記取出導電体は、前記透明導電体の前記一部分のパターンと同一のパターンで形成されていてもよい。

また、本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記取出導電体は、前記透明導電体をなす材料よりも高い導電率を有する材料から形成されていてもよい。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記取出導電体は遮光性を有していてもよい。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記取出導電体は、前記透明導電体の一部分上に前記基材フィルムから離間して設けられた中間層と、当該中間層上に設けられた高導電層とを含んでいてもよい。この場合、前記高導電層は、前記透明導電体および前記中間層をなす材料よりも高い導電率を有する材料から形成されており、前記中間層は、前記透明導電体との間の密着力が前記高導電層よりも大きい材料から形成されている。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記高導電層は、銀合金から形成されていてもよく、前記中間層は、ＭｏＮｂ合金から形成されていてもよい。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記基材フィルムは、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、前記アクティブエリアに隣接する非アクティブエリアと、を含み、前記取出導電体は、前記非アクティブエリアに配置されていてもよい。このような本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電体は、前記基材フィルムの前記アクティブエリアに配置されたセンサ部と、前記センサ部に連結され前記基材フィルムの前記非アクティブエリアに配置された端子部と、を有し、前記取出導電体は、前記透明導電体の前記端子部上に配置されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法は、透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の被覆導電層側の面上に感光性を有する感光層を形成する工程と、前記感光層を露光する工程と、前記感光層を現像してパターニングする工程と、パターニングされた前記感光層をマスクとして前記被覆導電層をエッチングして、前記被覆導電層をパターニングする工程と、前記パターニングされた感光層および前記パターニングされた被覆導電層をマスクとして前記透明導電層をエッチングして、前記透明導電層をパターニングする工程と、前記パターニングされた感光層を除去する工程と、前記パターニングされた被覆導電層上にさらなる感光層を形成する工程と、前記さらなる感光層を露光する工程と、前記さらなる感光層を現像してパターニングする工程と、前記パターニングされたさらなる感光層をマスクとして前記パターニングされた被覆導電層をエッチングして、前記パターニングされた被覆導電層の一部分を除去する工程と、前記パターニングされたさらなる感光層を除去する工程と、を備えることを特徴とする。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記被覆導電層は、前記透明導電層をなす材料よりも高い導電率を有した材料から形成されていてもよい。

また、本発明によるタッチパネルセンサの製造方法は、アニール処理を行うことによって、アモルファス状の前記透明導電層の結晶化を進める工程を、さらに備え、前記透明導電層の結晶化を進める工程は、前記透明導電層をパターニングする工程よりも後であって、前記パターニングされた被覆導電層の一部分を除去する工程よりも前に実施されてもよい。このような本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記被覆導電層は銀を主成分として含んでもよい。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記被覆導電層は、前記透明導電層上に設けられた中間層と、当該中間層上に設けられた高導電層とを含んでいてもよい。この場合、前記高導電層は、前記透明導電体および前記中間層をなす材料よりも高い導電率を有する材料から形成されており、前記中間層は、前記透明導電体との間の密着力が前記高導電層よりも大きい材料から形成されている。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記高導電層は、銀合金から形成されていてもよく、前記中間層は、ＭｏＮｂ合金から形成されていてもよい。

さらに、本発明によるタッチパネルセンサの製造方法の前記被覆導電層をパターニングする工程において、前記被覆導電層にアライメントマークが形成され、前記さらなる感光層を露光する工程において、前記被覆導電層に形成されたアライメントマークを基準として、前記さらなる感光層を露光するためのマスクが位置決めされてもよい。

本発明による積層体は、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層上に設けられた被覆導電層と、を備えることを特徴とする。

本発明による積層体において、前記被覆導電層は、前記透明導電層をなす材料よりも高い導電率を有した材料から形成されていてもよい。

また本発明による積層体において、前記被覆導電層は、前記透明導電層上に設けられた中間層と、当該中間層上に設けられた高導電層とを含んでいてもよい。この場合、前記高導電層は、前記透明導電体および前記中間層をなす材料よりも高い導電率を有する材料から形成されており、前記中間層は、前記透明導電体との間の密着力が前記高導電層よりも大きい材料から形成されている。

さらに、本発明による積層体において、前記高導電層は、銀合金から形成されていてもよく、前記中間層は、ＭｏＮｂ合金から形成されていてもよい。

図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、タッチパネル装置を表示装置とともに概略的に示す図である。 図２は、図１のタッチパネル装置のタッチパネルセンサを表示装置ともに示す断面図である。なお、図２に示された断面は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面に概ね対応している。 図３Ａは、タッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す上面図である。 図３Ｂは、図３ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、タッチパネルセンサに含まれる基材フィルムの具体例を示す図である。 図５Ａは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｂは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｃは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｄは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｅは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｆは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｇは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｈは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｉは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｊは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｋは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図５Ｌは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６は、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するためのフローチャートである。 図７は、図７は、図５Ｆに示された工程におけるエッチングの進行を説明するための図である。 図８Ａは、図５Ｉ（ａ）に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図８Ｂは、図５Ｊ（ａ）に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、図５Ｃ（ａ）および図５Ｃ（ｂ）にそれぞれ対応刷る図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図１０は、図３に対応する図であって、透明導電体の変形例を説明するための図である。 図１１は、図３Ｂに対応する図であって、従来のタッチパネルセンサを示す断面図である。 図１２（ａ）は、第１の実施の形態における図３Ｂに対応する図であって、本発明の第２の実施の形態における第１取出導電体を示す断面図であり、図１２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態における第２取出導電体を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態における積層体を示す断面図である。

第１の実施の形態
以下、図面を参照して本発明の第１の実施の形態について説明する。

なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

また、本件において、「シート」、「フィルム」、「板」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「シート」はフィルムや板等とも呼ばれ得るような部材や部分も含む概念である。

図１〜図６は本発明による一実施の形態を説明するための図である。このうち図１はタッチパネル装置を表示装置とともに概略的に示す図であり、図２は図１のタッチパネル装置を表示装置とともに示す断面図であり、図３Ａおよび図３Ｂはタッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す上面図および断面図であり、図４はタッチパネルセンサの具体例を説明するための図である。また、図５Ａ〜図５Ｌは、図３のタッチパネルセンサを製造するための製造方法を説明するための図である。さらに、図６は、図３のタッチパネルセンサの製造方法を説明するためのフローチャートである。

図１〜図３Ｂに示されたタッチパネル装置２０は、投影型の静電容量結合方式として構成され、タッチパネル装置への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置を検出可能に構成されている。なお、静電容量結合方式のタッチパネル装置２０の検出感度が優れている場合には、外部導体がタッチパネル装置に接近しただけで当該外部導体がタッチパネル装置のどの領域に接近しているかを検出することができる。このような現象にともなって、ここで用いる「接触位置」とは、実際には接触していないが位置を検出され得る接近位置を含む概念とする。

図１および図２に示すように、タッチパネル装置２０は、表示装置（例えば液晶表示装置）１５とともに組み合わせられて用いられ、入出力装置１０を構成している。図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部１７と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部１７は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部１７の制御信号により、所定の映像を表示面１６ａに表示するようになる。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として役割を担っている。

一方、タッチパネル装置２０は、表示装置１５の表示面１６ａ上に配置されたタッチパネルセンサ３０と、タッチパネルセンサ３０に接続された検出制御部２５と、を有している。図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、表示装置１５の表示面１６ａ上に接着層１９を介して接着されている。上述したように、タッチパネル装置２０は、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成されており、情報を入力する入力装置としての役割を担っている。

また、図２に示すように、タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ３０の観察者側、すなわち、表示装置１５とは反対の側に、誘電体として機能する透光性を有した保護カバー１２をさらに有している。保護カバー１２は、タッチパネルセンサ３０上に接着層１４を介して接着されている。この保護カバー１２は、タッチパネル装置２０への入力面（タッチ面、接触面）として機能するようになる。つまり、保護カバー１２に導体、例えば人間の指５を接触させることにより、タッチパネル装置２０に対して外部から情報を入力することができるようになっている。また、保護カバー１２は、入出力装置１０の最観察者側面をなしており、入出力装置１０において、タッチパネル装置２０および表示装置１５を外部から保護するカバーとしも機能する。

なお、上述した接着層１４，１９としては、種々の接着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、本明細書において、「接着（層）」は粘着（層）をも含む概念として用いる。

タッチパネル装置２０の検出制御部２５は、タッチパネルセンサ３０に接続され、保護カバー１２を介して入力された情報を処理する。具体的には、検出制御部２５は、保護カバー１２へ導体（典型的には、人間の指）５が接触している際に、保護カバー１２への導体５の接触位置を特定し得るように構成された回路（検出回路）を含んでいる。また、検出制御部２５は、表示装置１５の表示制御部１７と接続され、処理した入力情報を表示制御部１７へ送信することもできる。この際、表示制御部１７は、入力情報に基づいた映像情報を作成し、入力情報に対応した映像を表示パネル１６に表示させることができる。

なお、「容量結合」方式および「投影型」の容量結合方式との用語は、タッチパネルの技術分野で用いられる際の意味と同様の意味を有するものとして、本件においても用いている。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネル装置は導電体層を含んでおり、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルに接触することにより、外部の導体とタッチパネル装置の導電体層との間でコンデンサ（静電容量）が形成されるようになる。そして、このコンデンサの形成にともなった電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接触している位置の位置座標が特定されるようになる。また、「投影型」の容量結合方式は、タッチパネルの技術分野において「投影式」の容量結合方式等とも呼ばれており、本件では、この「投影式」の容量結合方式等と同義の用語として取り扱う。「投影型」の容量結合方式とは、典型的には、格子状に配列されたセンサ電極を有し、膜状の電極を有する「表面型」の容量結合方式と対比され得る。

図２および図３によく示されているように、タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面３２ａ上に所定のパターンで設けられた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側（表示装置１５の側）の面３２ｂ上に所定のパターンで設けられた第２透明導電体４５と、を有している。また、図３に示すように、タッチパネルセンサ３０は、第１透明導電体４０の一部分上に設けられた第１取出導電体４３と、第２透明導電体４５の一部分上に設けられた第１取出導電体４８と、をさらに有している。

基材フィルム３２は、タッチパネルセンサ２０において誘電体として機能し、例えば、ＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）から構成され得る。図３に示すように、基材フィルム３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１に隣接する非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。図１に示すように、タッチパネルセンサ３０のアクティブエリアＡａ１は、表示装置１５の表示領域Ａ１に対面する領域を占めている。一方、非アクティブエリアＡａ２は、矩形状のアクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアＡａ２は、表示装置１５の非表示領域Ａ２に対面する領域に形成されている。

基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１上には、外部導体５との間で容量結合を形成し得るセンサ電極３７ａが設けられている。一方、基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２上には、センサ電極３７ａに接続された取出配線３７ｂが設けられている。取出配線３７ｂは、その一端においてセンサ電極３７ａに接続され、また、その他端において、外部導体の表示面１２への接触位置を検出するように構成された検出制御部２５の検出回路に電気的に接続されている。本実施の形態においては、図３に示すように、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１上に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の一部分のみが配置されており、この第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の一部分によって、センサ電極３７ａが形成されている。基材フィルム３２、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５は、透光性を有しており、観察者は、これらを介して、表示装置１５に表示された映像を観察することができる。

なお、本実施の形態において、基材フィルム３２は、単一体としてのフィルムによって形成されている。ここで「単一体」とは、二以上に分離不可能なことを意味している。したがって、単一体としてのフィルムとは、接着層を介して接合されてなる複数枚のフィルムの接合体を含まない。その一方で、フィルム本体と、フィルム本体の一方の面上または両方の面上に例えばスパッタリング等により分離不可能（ただし、除去は可能）に成膜された機能膜と、を含む基材フィルムは、ここでいう単一体からなるフィルムに該当する。
図４（ａ）および図４（ｂ）には、機能膜とフィルム本体とからなる基材フィルムの一例が示されている。

図４（ａ）に示す例において、基材フィルム３２は、樹脂（例えば、ＰＥＴ）からなるフィルム本体３３と、フィルム本体３３の一方または両方の面上に形成されたインデックスマッチング膜３４と、を有している。インデックスマッチング膜３４は、交互に配置された複数の高屈折率膜３４ａおよび低屈折率膜３４ｂを含んでいる。このインデックスマッチング膜３４によれば、基材フィルム３２のフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との屈折率が大きく異なっていたとしても、基材フィルム３２上の透明導電体４０，４５が設けられている領域と、設けられていない領域と、で反射率が大きく変化してしまうことを防止することができる。

また、図４（ｂ）に示す例において、基材フィルム３２は、樹脂（例えば、ＰＥＴ）からなるフィルム本体３３と、フィルム本体３３の一方または両方の面上に形成された低屈折率膜３５と、を有している。この低屈折率膜３５によれば、基材フィルム３２のフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との屈折率が大きく異なっていたとしても、基材フィルム３２上の透明導電体４０，４５が設けられている領域と、設けられていない領域と、で透過率のスペクトル特性が大きく変化してしまうことを防止し、各波長域で均一な透過率を実現することが可能となる。

次に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５についてさらに詳述する。

第１透明導電体４０および第２透明導電体４５は、導電性を有した材料（例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ））から形成され、外部導体５の保護カバー１２への接触位置を検出するように構成された検出制御部２５の検出回路に電気的に接続されている。第１透明導電体４０は、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に配置された多数の第１センサ部（第１センサ導電体、センサ電極）４１と、各第１センサ部４１にそれぞれ連結され基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２に配置された多数の第１端子部（第１端子導電体）４２と、を有している。同様に、第２透明導電体４５は、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に配置された多数の第２センサ部（第２センサ導電体、センサ電極）４６と、各第２センサ部４６にそれぞれ連結され基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２に配置された多数の第２端子部（第２端子導電体）４７と、を有している。

第１透明導電体４０の第１センサ部４１は、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面３２ａ上に所定のパターンで配置されている。また、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、基材フィルム３２の他方の側（表示装置１５の側）の面３２ｂ上に、第１透明導電体４０の第１センサ部４１のパターンとは異なる所定のパターンで配置されている。より具体的には、図３に示すように、第１透明導電体４０の第１センサ部４１は、基材フィルム３２のフィルム面に沿った一方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。また、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、前記一方向と交差する基材フィルム３２のフィルム面に沿った他方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。本実施の形態において、第１センサ部４１の配列方向である一方向と、第２センサ部４６の配列方向である他方向と、は基材フィルム３２のフィルム面上において直交している。

図３に示すように、第１センサ部４１をなす線状導電体の各々は、その配列方向（前記一方向）と交差する方向に線状に延びている。同様に、第２センサ部４６をなす線状導電体の各々は、その配列方向（前記他方向）と交差する方向に線状に延びている。とりわけ図示する例において、第１センサ部４１は、その配列方向（前記一方向）と直交する方向（前記他方向）に沿って直線状に延びており、第２センサ部４６は、その配列方向（前記他方向）と直交する方向（前記一方向）に沿って直線状に延びている。

本実施の形態において、各第１センサ部４１は、直線状に延びるライン部４１ａと、ライン部４１ａから膨出した膨出部４１ｂと、を有している。図示する例において、ライン部４１ａは、第１センサ部４１の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。
膨出部４１ｂは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４１ａから膨らみ出ている部分である。したがって、各第１センサ部４１の幅は、膨出部４１ｂが設けられている部分において太くなっている。図３に示すように、本実施の形態において、各第１センサ部４１は、膨出部４１ｂにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。

第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６も、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１と同様に構成されている。すなわち、第２透明導電体４５に含まれる各第２センサ４６は、直線状に延びるライン部４６ａと、ライン部４６ａから膨出した膨出部４６ｂと、を有している。図示する例において、ライン部４６ａは、第２センサ部４６の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。膨出部４６ｂは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４６ａから膨らみ出ている部分である。したがって、各第２センサ部４６の幅は、膨出部４６ｂが設けられている部分において太くなっている。
図３に示すように、本実施の形態において、各第２センサ部４６は、膨出部４６ｂにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。

なお、図３に示すように、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合（すなわち、平面視において）、第１透明導電体４０に含まれる各第１センサ部４１は、第２透明導電体４５に含まれる多数の第２センサ部４６と交差している。そして、図３に示すように、第１透明導電体４０の膨出部４１ｂは、第１センサ部４１上において、隣り合う二つの第２センサ部４６との交差点の間に配置されている。同様に、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合、第２透明導電体４５に含まれる各第２センサ部４６は、第１透明導電体４０に含まれる多数の第１センサ部４１と交差している。そして、第２透明導電体４５の膨出部４６ｂも、第２センサ部４６上において、隣り合う二つの第１センサ部４１との交差点の間に配置されている。さらに、本実施の形態において、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６の膨出部４６ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。つまり、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１と第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６とは、各センサ部４１，４６のライン部４１ａ、４６ａのみにおいて交わっている。

上述したように、第１透明導電体４０は、このような第１センサ部４１に連結された第１端子部４２を有している。第１端子部４２は、第１センサ部４１の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一つまたは二つ設けられている。各第１端子部４２は、対応する第１センサ部４１の端部からそれぞれ線状に延び出している。同様に、第２透明導電体４５は、第２センサ部４６に連結された第２端子部４７を有している。第２端子部４７は、第２センサ部４６の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一つまたは二つ設けられている。各第２端子部４７は、対応する第２センサ部４６の端部からそれぞれ線状に延び出している。図３に示すように、本実施の形態において、第１端子部４２は第１センサ部４１と同一の材料から一体的に形成され、第２端子部４７は第１センサ部４６と同一の材料から一体的に形成されている。

次に、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８について詳述する。上述したように、第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の一部分上に配置されており、第２取出導電体４８は、第１透明導電体４５の一部分上に配置されている。より具体的には、第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の第１端子部４２の一部分上に配置されており、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の第２端子部４７の一部分上に配置されている。すなわち、第１取出導電体４３は、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａにおいて、非アクティブエリアＡａ２に配置されており、第２取出導電体４８は、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂにおいて、非アクティブエリアＡａ２に配置されている。

図３Ａに示すように、第１透明導電体４０の第１端子部４２および第２透明導電体４５の第２端子部４７は線状に形成されている。そして、第１取出導電体４３は、線状に形成された第１端子部４２のうちの第１センサ部４１への接続箇所近傍の部分以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。同様に、第２取出導電体４８は、線状に形成された第２端子部４７のうちの第２センサ部４６への接続箇所近傍以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。

また、図３Ｂに示すように、第１取出導電体４３は、基材フィルム３２から離間して、第１透明導電体４０上に配置されている。すなわち、第１取出導電体４３は基材フィルム３２に接触していない。この結果、第１透明導電体４０の第１取出導電体４３によって覆われている部分は、基材フィルム３２と第１取出導電体４３との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第１取出導電体４３の幅が、当該第１取出導電体４３によって覆われている第１透明導電体４０の第１端子部４２の部分の幅と同一または若干狭くなっている。

同様に、図示は省略しているが、第２取出導電体４８も第１取出導電体４３と同様に構成されている。すなわち、第２取出導電体４８は、基材フィルム３２から離間して第２透明導電体４５上に配置されており、基材フィルム３２には接触していない。この結果、第２透明導電体４５の第２取出導電体４８によって覆われている部分は、基材フィルム３２と第２取出導電体４８との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第２取出導電体４８の幅が、当該第２取出導電体４８によって覆われている第２透明導電体４５の第２端子部４７の部分の幅と同一または若干狭くなっている。

第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の第１センサ部４１からなるセンサ電極３７ａを検出制御部２５へ接続させるための取出配線３７ｂを、第１透明導電体４０の第１端子部４２とともに構成している。また、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の第２センサ部４６からなるセンサ電極３７ａを検出制御部２５へ接続させるための取出配線３７ｂを、第２透明導電体４５の第２端子部４７とともに構成している。このような第１取出導電体４３および第２取出導電体４８は非アクティブエリアＡａ２に配置されていることから、透光性を有した材料から形成される必要はなく、高い導電性を有した材料から形成され得る。本実施の形態においては、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８は、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５をなす材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属材料を用いて、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８を形成することができる。

このような構成からなるタッチパネルセンサ３０においては、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の端子部４２，４７からなる取出配線３７ｂが、図示しない外部接続配線を介し、検出制御部２５に接続される。そして、このような構成からなるタッチパネルセンサ３０によれば、タッチパネルセンサ３０が撓む等して変形した場合であっても、以下に説明するように、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の端子部４２，４７が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極３７ａと検出制御部２５との間に安定した導通を確保することができる。

高い導電率を有した金属等からなる取出導電体４３，４８は、透明導電体４０，４５に対してある程度の密着力を有するが、樹脂やガラス等からなる基材フィルム３２に対しては低い密着力しか有さない。したがって、例えば図１１のように、高導電率導電体が樹脂やガラス等からなる基材に接触している場合、この接触位置が剥離の起点を形成し、二点鎖線で示すように基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。とりわけ、高導電率導電体が透明導電体を全体から被覆している場合には、高導電率導電体および透明導電体の全体としての剛性が高くなり、基材の変形に追従して変形しにくくなる。この点からも、基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。

一方、本実施の形態によれば、取出導電体４３，４８が基材フィルム３２から離間しているので、取出導電体４３，４８の基材フィルム３２からの剥離の基点は形成され得ない。また、取出導電層４３，４８は、透明導電体４０，４５上に載置されているだけで、透明導電体４０，４５を側方から被覆していない。したがって、透明導電体４０，４５は、基材フィルム３２の変形に追従して変形しやすくなっており、透明導電体４０，４５も基材フィルム３２から剥離し辛くなっている。これらにより、本実施の形態のタッチパネルセンサ３０によれば、タッチパネルセンサ３０が撓む等して変形したとしても、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の端子部４２，４７が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極３７ａと検出制御部２５との間に安定した導通を確保することができる。

また、図３Ｂに示すように、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０において、取出導電体４３，４８は、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７上に配置されているだけで、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７の側方まで延びていない。したがって、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の端子部４２，４７からなる取出配線３７ｂ全体としての線幅を細くすることができる。これにより、同一の導電率の取出配線３７ｂをより短ピッチで配置することが可能となり、取出配線３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を図６に示すフローチャートにしたがって製造していく方法について、図５Ａ〜図５Ｌを参照しながら説明する。なお、図５Ａ〜図５Ｌの各図において、図（ａ）は、作製中のタッチパネルセンサ（積層体）を、図３ＡにおけるＶ−Ｖ線に沿った断面に対応する断面において示している。また、図５Ａ〜図５Ｌの各図において、図（ｂ）は、作製中のタッチパネルセンサ（積層体）を、一方の側（各図（ａ）の紙面における上側）から示す上面図である。

まず、図６および図５Ａに示すように、タッチパネルセンサ３０を製造するための元材としての積層体（ブランクスとも呼ばれる）５０を準備する（工程Ｓ１）。この積層体５０に成膜やパターニング等の処理（加工）を行っていくことにより、タッチパネルセンサ３０が得られるようになる。

図５Ａ（ａ）に示すように、本実施の形態において準備される積層体５０は、透明な基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に積層された第１透明導電層５２ａと、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に積層され透光性を有する第２透明導電層５２ｂと、第１透明導電層５２ａ上に積層された第１被覆導電層５４ａと、第２透明導電層５２ｂ上に積層された第２被覆導電層５４ｂと、を有している。

上述したように、基材フィルム３２として、ＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを用いることができる。また、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ＰＥＴ等の樹脂製のフィルム本体３３と、フィルム本体３３の一方の面または両方の面上に形成された機能膜３４，３５と、を有する基材フィルム３２を用いてもよい。

第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂは、後述するように、それぞれ、パターニングされて透光性を有した第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を形成するようになる。したがって、第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂは、透光性および導電性を有した材料から形成される。具体例として、第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂは、スパッタリングによって基材フィルム３２の表面３２ａ，３２ｂに成膜されたＩＴＯ膜として構成され得る。

また、第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂは、後述するように、それぞれ、パターニングされて高い導電率を有する第１取出導電体４３，４８を形成するようになる。したがって、第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂは、透明導電層５２ａ，５２ｂをなす材料よりも高い導電率を有した材料から好適に形成される。

あわせて、第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂは、後述する感光層５６ａ，５６ｂの露光に用いられる光に対する遮光性を有する層、つまり、当該露光光を透過させない性質を有する層である。ただし、本実施の形態においては、感光層５６ａ，５６ｂの露光光に対してのみでなくその他の波長域の光に対する遮光性を有した層、より具体的には、自然光に含まれ得る可視光、紫外線、赤外線等に対する遮光性を有した層として形成されている。このような層を被覆導電層５４ａ，５４ｂとして用いれば、より確実に露光光を遮光することを期待することができる。

このような第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂをなす材料としては、種々の材料が知られており、コスト面および加工の容易性等を考慮して、アルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属を用いることができる。金属からなる遮光層５４は、スパッタリングによって第１導電層５２ａの一方の側（基材フィルム３２とは反対の側）の面に成膜され得る。

なお、枚葉状の積層体５０が準備されてもよいし、あるいは、細長いウェブ状の積層体５０、例えばロールに巻き取られた積層体５０が準備されてもよい。ただし、生産効率を考慮すると、異なる場所で作製されるとともにロールに巻き取られた積層体５０が準備され、ロール状の積層体５０を巻き戻していくことによってウェブ状の積層体５０が供給されていき、以下に説明する各工程が供給されていくウェブ状の積層体５０に対して施されていくことが好ましい。あるいは、基材フィルム３２を巻き取ったロールから当該基材フィルム３２が繰り出されていき、又は、基材フィルム３２並びに第１および第２の透明導電層５２ａ，５２ｂからなる中間積層体を巻き取ったロールから当該中間積層体が繰り出されていき、当該基材フィルム３２または当該中間積層体から積層体５０が作製されていくとともに、作製された積層体５０に対して以下に説明する各工程が施されていくことも好ましい。

次に、図６および図５Ｂに示すように、積層体５０の一方の側の面５０ａ上に第１感光層５６ａを形成するとともに、積層体５０の他方の側の面５０ｂ上に第２感光層５６ｂを形成する（工程Ｓ２）。第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。具体的には、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって、感光層５６ａ，５６ｂを形成することができる。

その後、図６および図５Ｃに示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを同時に露光する（工程Ｓ３）。

具体的には、まず、図５Ｃ（ａ）に示すように、第１感光層５６ａ上に第１マスク５８ａを配置するとともに、第２感光層５６ｂ上に第２マスク５８ｂを配置する。第１マスク５８ａは、形成されるべき第１透明導電体４０のパターンに対応した所定のパターンを有し、第２マスク５８ｂは、形成されるべき第２透明導電体４５のパターンに対応した所定のパターンを有している。また、第１マスク５８ａのパターンと第２マスク５８ｂのパターンは、互いに異なるパターンとなっている。

なお、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂの位置決めは、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂのそれぞれに設けられたアライメントマーク５９ａを基準にして行われ得る。このような方法によれば、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に（したがって、短時間で）位置決めすることが可能となる。

次に、図５Ｃ（ａ）に示すように、この状態で、第１感光層５８ａおよび第２感光層５８ｂの感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、マスク５８ａ，５８ｂを介して感光層５６ａ，５６ｂに照射する。この結果、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが互いに異なるパターンで同時に露光される。

図示された例においては、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂがポジ型の感光層となっている。したがって、第１感光層５６ａは、第１透明導電体４０を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射され、第２感光層５６ｂは、第２透明導電体４５を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射される。図５Ｃ（ａ）に示すように、第１感光層５６ａに照射された露光光は第１感光層５６ａを透過して積層体（ブランクス）５０に照射され、第２感光層５６ｂに照射された露光光は第２感光層５６ｂを透過して積層体５０に照射される。

ただし、積層体５０は露光光を遮光する第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂを有している。したがって、第１感光層５６ａを透過した露光光源からの光は第１被覆導電層５４ａによって遮光され第２感光層５６ｂに到達することはなく、同様に、第２感光層５６ｂを透過した露光光源からの光は第２被覆導電層５４ｂによって遮光され第１感光層５６ａに到達することはない。つまり、第１感光層５６ａを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第１被覆導電層５４ａによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第２感光層５６ｂに照射されることはない。同様に、第２感光層５６ｂを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第２被覆導電層５４ｂによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第１感光層５６ａに照射されることはない。この結果、この露光工程Ｓ３において、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを、それぞれ所望のパターンで精度良く同時に露光することができる。

次に、図６および図５Ｄに示すように、露光された第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する（工程Ｓ４）。具体的には、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する。これにより、図５Ｄに示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのうちの、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂによって遮光されることなく露光光源からの光を照射された部分が除去され、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが所定のパターンにパターニングされる。

その後、図６および図５Ｅに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａをマスクとして第１被覆導電層５４ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂをマスクとして第２被覆導電層５４ｂをエッチングする（工程Ｓ５）。このエッチングにより、第１被覆導電層５４ａおよび第２被覆導電層５４ｂが、それぞれ、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。例えば、被覆導電層５４ａ，５４ｂがアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、被覆導電層５４ａ，５４ｂが銀からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を４：１：４：４の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。さらに、被覆導電層５４ａ，５４ｂがクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を１７：４：７０の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。

次に、図６および図５Ｆに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａおよび第１被覆導電層５４ａをマスクとして、第１透明導電層５２ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂおよび第２被覆導電層５４ｂをマスクとして、第２透明導電層５２ｂをエッチングする（工程Ｓ６）。例えば、塩化第二鉄をエッチング液として用いることにより、ＩＴＯからなる第１透明導電層５２ａが第１感光層５６ａおよび第１被覆導電層５４ａのパターンと略同一のパターンにパターニングされるとともに、ＩＴＯからなる第２透明導電層５２ｂが第２感光層５６ｂおよび第２被覆導電層５４ｂのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。すなわち、第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂが両面同時にエッチングされる。

その後、図６および図５Ｇに示すように、パターニングされて第１被覆導電層５４ａ上に残留している第１感光層５６ａ、および、パターニングされて第２被覆導電層５４ｂ上に残留している第２感光層５６ｂを除去する（工程Ｓ７）。例えば、２％水酸化カリウム等のアルカリ液を用いることにより、残留している第１感光層５６ａが除去され、パターニングされた第１被覆導電層５４ａが露出するとともに、残留している第２感光層５６ｂが除去され、パターニングされた第２被覆導電層５４ｂが露出するようになる。

次に、図６および図５Ｈに示すように、パターニングされた第１被覆導電層５４ａ上にさらなる感光層として第３の感光層５６ｃを形成するとともに、パターニングされた第２被覆導電層５４ｂ上にさらなる感光層として第４の感光層５６ｄを形成する（工程Ｓ８）。図示する例において、作製中のタッチパネルセンサ３０（積層体５０）を一方の側から覆うように第３感光層５６ｃが形成され、作製中のタッチパネルセンサ３０（積層体５０）を他方の側から覆うように第４感光層５６ｄが形成されている。第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂと同様に、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。また、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂと同様に、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって形成され得る。

その後、図６および図５Ｉに示すように、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを同時に露光する（工程Ｓ９）。

この工程では、まず図５Ｉ（ａ）に示すように、第３感光層５６ｃ上に第３のマスク５８ｃを配置するとともに、第４感光層５６ｄ上に第４のマスク５８ｄを配置する。第３マスク５８ｃは、パターニングされた第１被覆導電層５４ａのうちの、第１取出導電体４３を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有し、第３マスク５８ｃは、パターニングされた第２被覆導電層５４ｂのうちの、第２取出導電体４８を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有している。図示する例において、第３マスク５８ｃは、アクティブエリアＡａ１に対応して形成されたパターン、より詳細には、アクティブエリアＡａ１よりも少し大きめに形成された透光領域を有している。また、図示する例において、第４マスク５８ｄは、第３マスク５８ｃと同一のパターンを有している。

なお、第３マスク５８ｃの位置決めは、例えば、上述した第１被覆導電層５４ａをパターニングする際に位置決め用のアライメントマークを形成しておき、この第１被覆導電層５４ａから形成されたアライメントマークを基準として実施され得る。この方法によれば、第１被覆導電層５４ａおよび第１透明導電層５２ａのパターンに対して、第３マスク５８ｃを高精度に位置決めすることができる。また、同様の位置決め方法を第４マスク５８ｄの位置決めに採用することができ、これにより、第２被覆導電層５４ｂおよび第２透明導電層５２ｂのパターンに対して、第４マスク５８ｄを高精度に位置決めすることができる。

次に、図５Ｉ（ａ）に示すように、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄを配置した状態で、第３感光層５８ｃおよび第４感光層５８ｄの感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、マスク５８ｃ，５８ｄを介して感光層５６ｃ，５６ｄに照射する。この結果、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄが同一のパターンで同時に露光される。
図示された例においては、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂがポジ型の感光層となっている。そして、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域を含む透光領域を有している。したがって、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に露光光を照射される。図５Ｉ（ａ）に示すように、第３感光層５６ｃに照射される露光光源からの光のパターンは、第４感光層５６ｄに照射される露光光のパターンと同一になっている。
したがって、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを予定したパターンで精度良く同時に露光することができる。

次に、図６および図５Ｊに示すように、露光された第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを現像する（工程Ｓ１０）。具体的には、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを現像する。これにより、図５Ｊに示すように、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄのうちの、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄによって遮光されることなく露光光を照射された部分が除去される。すなわち、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄのうちの、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲の領域が除去され、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは非アクティブエリアＡａ２に対面する領域のみに残留するようになる。

その後、図６および図５Ｋに示すように、パターニングされた第３感光層５６ｃをマスクとしてパターニングされた第１被覆導電層５４ａをエッチングするとともに、パターニングされた第４感光層５６ｄをマスクとしてパターニングされた第２被覆導電層５４ｂをエッチングする（工程Ｓ１１）。この工程では、被覆導電層５４ａ，５４ｂに対して浸食性を有するエッチング液であって、透明導電層５２ａ，５２ｂに対して浸食性を有さない、または、透明導電層５２ａ，５２ｂに対して浸食性が弱いエッチング液が、用いられる。被覆導電層５４ａ，５４ｂを除去することによって露出する透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンを損なわないようにするためである。すなわち、この工程Ｓ１１で用いられるエッチング液は、所望の層（被覆導電層５４ａ，５４ｂ）を選択的にエッチングし得るように選択される。具体例として、上述した燐硝酢酸（水）や硝酸セリウム系のエッチング液は、所定の金属からなる被覆導電層５４ａ，５４ｂに対してエッチング性を有するものの、ＩＴＯ等からなる透明導電層５２ａ，５２ｂに対してエッチング性を有さないため、この工程において好適に用いられ得る。

この工程Ｓ１１でのエッチングにより、パターニングされた第１被覆導電層５４ａのうちの、少なくともアクティブエリアＡａ１に対面する位置に配置された部分が除去される。同様に、パターニングされた第２被覆導電層５４ｂのうちの、少なくともアクティブエリアＡａ１に対面する位置に配置された部分が除去される。これにより、図５Ｋ（ｂ）に示すように、基材フィルム３２および透明導電層５２ａ，５２ｂのみがアクティブエリアＡａ１に残留するようになり、アクティブエリアＡａ１はその全領域に亘って透光性を有するようになる。

このようにして、第１被覆導電層５４ａのうちの第３感光層５６ｃによって覆われていない部分が除去されることにより、第１透明導電層５２ａが露出する。露出した第１透明導電層５２ａは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアＡａ１に対面する領域に位置する第１透明導電層５２ａは、所定のパターンを有し第１透明導電体４０の第１センサ部４１を形成し、非アクティブエリアＡａ２に露出した第１透明導電層５２ａは、所定のパターンを有し第１透明導電体４０の第１端子部４２の一部分を形成するようになる。

同様に、第２被覆導電層５４ｂのうちの第４感光層５６ｄによって覆われていない部分が除去されることにより、第２透明導電層５２ｂが露出する。露出した第２透明導電層５２ｂは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアＡａ１に対面する領域に位置する第２透明導電層５２ｂは、所定のパターンを有し第２透明導電体４５の第２センサ部４６を形成し、非アクティブエリアＡａ２に露出した第２透明導電層５２ｂは、所定のパターンを有し第２透明導電体４５の第２端子部４７の一部分を形成するようになる。

次に、図６および図５Ｌに示すように、パターニングされて第１被覆導電層５４ａ上に残留している第３感光層５６ｃ、および、パターニングされて第２被覆導電層５４ｂ上に残留している第４感光層５６ｂを除去する（工程Ｓ１２）。例えば、上述したアルカリ液を用いることにより、残留している第３感光層５６ｃが除去され、パターニングされた第１被覆導電層５４ａが露出するとともに、残留している第４感光層５６ｄが除去され、パターニングされた第２被覆導電層５４ｂが露出するようになる。

露出した第１被覆導電層５４ａは、所定のパターンを有し第１取出導電体４３を形成するようになる。形成された第１取出導電体４３と基材フィルム３２との間には、第１透明導電層５２ａからなる第１透明導電体４０の第１端子部４２が形成されている。上述したように、また、図３Ｂに示すように、このようにして形成された第１取出導電体４３は基材フィルム３２から離間して第１端子部４２上に位置するようになる。このため、第１端子部４２は、第１取出導電体４３と基材フィルム３２との間で側方に露出させている。

同様に、露出した第２被覆導電層５４ｂは、所定のパターンを有し第２取出導電体４８を形成するようになる。形成された第２取出導電体４８と基材フィルム３２との間には、第２透明導電層５２ｂからなる第２透明導電体４５の第２端子部４７が形成されている。
このようにして形成された第２取出導電体４８は基材フィルム３２から離間して第２端子部４７上に位置するようになる。このため、第２端子部４７は、第２取出導電体４８と基材フィルム３２との間で側方に露出させている。

以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ３０を得ることができる。

なお、上述したように、基材フィルム３２、積層体５０、あるいは、基材フィルム３２並びに第１および第２透明導電層５２ａ，５２ｂからなる中間積層体等の元材がウェブ状であるとともにロールに巻き取られた状態で準備される場合には、ロールからウェブ状の元材を繰り出すとともに、繰り出された元材に対して上述の各工程を施していくようにしてもよい。この場合、多数のタッチパネルセンサ３０が基材フィルム３２を介して互いに接続された状態で形成されていくようになる。そして、このようにして作製されたウェブ状のタッチパネルセンサ３０は、取り扱い（搬送や出荷等）の便宜上、保護用の合紙と重ね合わせてロールに巻き取られるようにしてもよい。ロールに巻き取られたタッチパネルセンサ３０は、必要に応じて、当該ロールから繰り出されるとともに枚葉状に断裁され得る。

なお、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０をロールに巻き取る際には、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０の両側に合紙を配置して巻き取ってもよいし、あるいは、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０の片側だけに合紙を配置して巻き取ってもよい。

以上に説明した製造方法によれば、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが同時に露光される。この感光層の両面同時露光プロセスにおいては、図５Ｃ（ａ）に示すように、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂのそれぞれにアライメントマーク５９ａを設けておくことにより、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に（したがって、短時間で）位置決めすることが可能となる。この結果、タッチパネルセンサ３０において、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方が基材フィルム３２上に極めて精度良く効率的に位置決めされるようになる。

その一方で、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを一つずつ順に露光する場合には、精度良く且つ容易に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を作製することができない。第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方を精度良く作製しようとすると、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の一方をアライメントマークとともに基材フィルム３２上に形成し、その後、この基材フィルム３２上に形成されたアライメントマークに対し、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の他方の形成に用いられるマスクを位置決めすることになる。すなわち、少なくとも露光工程および現像工程を、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのそれぞれに対して別個に行う必要が生じる。このため、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を効率良く短時間で容易に形成することができない。

また、アライメントマークを用いることなく、例えば基材フィルム３２の端部を基準として第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを位置決めしながら第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を露光することも可能である。この方法によれば、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂに対する露光工程および現像工程を同時に行うことができる。しかしながら、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の位置決め精度は、基材フィルム３２の外形精度に依存してしまう。一般的に、この方法によれば、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の位置決め精度は、最高でも数十ミクロン単位でしか期待することができない。

これらのことから、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を互いに対して容易かつ精度良く位置決めすることができる。具体的には、本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ３０の上面視において、つまり、タッチパネルセンサ３０をその法線方向から観察した場合、第１センサ部４１の略正方形形状からなる膨出部４１ｂと、第２センサ部４６の略正方形形状からなる膨出部４６ｂと、の互いに平行な外輪郭の隙間Ｇ（パターンギャップとも呼ばれる、図３Ａ参照）を、安定して、１００μｍ以下とすることができた。その一方で、従来の二枚のフィルムを貼り合わせる方法では、このパターンギャップＧは、２００μｍ以上となってしまう。この結果、本実施の形態によれば、接触（接近）位置を検出し得るアクティブエリアＡａ１の全領域に対する、タッチパネルセンサ３０をその法線方向から観察した場合に第１センサ部４１および第２センサ部４６の少なくとも一方が配置されている領域の割合を、百分率で、９５％以上にすることができた。

また、取出配線３７ｂが、導電率の低い透明導電体４０，４５の端子部４２，４７だけでなく、導電率の高い取出導電体４３，４８を含んでいる。したがって、取出配線３７ｂの線幅を細くすることが可能となり、取出配線３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

とりわけ、上述した方法によれば特別な位置決め処理等を行うことなく、図３Ｂに示すように、取出導電体４３，４８が、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７上に配置されているだけで、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７の側方まで延びていないようにすることができる。一方、例えば、従来頻繁に用いられてきたスクリーン印刷で、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７上に高導電率材料から取出導電体４３，４８を形成した場合、図１１に示すように、透明導電体４０，４５は端子部４２，４７の側方から基材フィルム３２上まで延び広がってしまう。このような従来の取出配線と比較して本実施の形態の取出配線３７ｂによれば、同一量の高導電率材料を用いて取出導電体を形成すると、取出配線３７ｂの導電率を同一に保ちながら線幅を大幅に狭くすることができる。

また、本実施の形態による取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の端子部４２，４７は、フォトリソグラフィー技術により形成されているため、スクリーン印刷等による従来の方法と比較して、極めて精度良く所望の位置に所望の形状で形成することができる。さらに、本実施の形態によれば、図１１に示す従来の取出配線とは異なり、高導電率の取出導電体４３，４８が透明導電体４０，４５は端子部４２，４７の側方まで覆って基材フィルム３２上まで延びることはないので、エレクトロマイグレーションの可能性を低減することもできる。これらのことから、取出配線３７ｂの配置ピッチを大幅に短くすることができ、これにより、取出配線３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

ところで、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７が取出導電体４３，４８によって側方から被覆されないようにするだけでなく、図３Ｂに示すように、取出導電体４３，４８の幅が、当該取出導電体４３，４８によって覆われている透明導電体４０，４５の端子部４２，４７の部分の幅よりも狭くなるようにすることもできる。すなわち、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に、取出導電体４３，４８は透明導電体４０，４５上のみに配置されている、言い換えると、取出導電体４３，４８は、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７が配置されている領域内のみに配置されているようにすることができる。このような構成によれば、上述したセンサ電極３７ａと検出制御部２５との間の導通の確保をより安定させることができる。また、エレクトロマイグレーションの可能性をさらに低減することができるため、取出配線３７ｂの配置ピッチをさらに短くして、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

以下、上述した製造方法で取出配線３７ｂを形成した場合に、取出配線３７ｂの取出導電体４３，４８の幅が、当該取出導電体４３，４８によって覆われている透明導電体４０，４５の端子部４２，４７の部分の幅よりも狭くなるようになる推定メカニズムについて、主に図７を参照しながら、説明するが、本発明はこの推定メカニズムに限定されるものではない。

従来の二枚のフィルムを貼り合わせてタッチパネルセンサを作製する方法において、フォトリソグラフィー技術を用いてフィルム上に透明導電体の端子部を形成する場合、透明導電体をなすようになる透明導電層上に感光層が直接配置されるようになる。一方、本実施の形態によれば、透明導電体４０，４５をなすようになる透明導電層５２ａ，５２ｂ上に被覆導電層５４ａ，５４ｂが配置されている。一般的に、透明導電層をエッチングするためのエッチング液（例えば、塩化第二鉄）に対し、感光層（レジスト層）は高い耐浸食性を有している。しかしながら、金属等からなる被覆導電層５４ａ，５４ｂは、ＩＴＯ等の透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液によって、エッチングされ得る。

したがって、図７に示すように、透明導電層５２ａ，５２ｂをエッチングする工程Ｓ６において、透明導電層５２ａ，５２ｂが縦方向（基材フィルムの法線方向）にエッチングされる際に、被覆導電層５４ａ，５４ｂは感光層５６ａ，５６ｂによって覆われていない側方から横方向（基材フィルム３２のシート面に沿った方向）にエッチングされ得る。その一方で、感光層は、この工程Ｓ６で用いられるエッチング液に対して高い耐浸食性を有しているため、横方向へ大きくエッチングされることはない。以上のような理由から、本実施の形態の製造方法で作製されたタッチパネルセンサ３０によれば、取出導電体４３，４８の幅を、当該取出導電体４３，４８によって覆われている透明導電体４０，４５の端子部４２，４７の部分の幅よりも狭くすることが可能となる。

またさらに、第１感光層５２ａおよび第２感光層５２ｂを異なるパターンで同時露光する際に、互いの露光光パターンが影響し合うことを回避するために使用された遮光層（被覆導電層）５４ａ，５４ｂから取出導電体４３，４８が作製されている。このような方法によれば、タッチパネルセンサ３０の作製に必要となる材料コスト低減させることが可能となる。さらに、タッチパネルセンサ３０の作製効率を極めて効果的に向上させることも可能となり、またこれにともなって、タッチパネルセンサ３０の作製コストを削減することが可能となる。すなわち、上述した優れたタッチパネル３０（タッチパネル装置２０）を高い生産効率および安い製造コストで作製することが可能となる。

以上のようにして得られたタッチパネルセンサ３０を表示装置１５に接着層１９を介して接合するとともに、保護カバー１２をタッチパネルセンサ３０に接着層１４を介して接合することにより、図１および図２に示された入出力装置１０が得られる。次に、この入出力装置１０を使用する際の作用について説明する。

まず、このような入出力装置１０においては、表示装置１５の表示パネル１６によって映像を表示することによって、観察者は、保護カバー１２およびタッチパネルセンサ３０を介して映像を観察することができる。

また、この入出力装置１０において、タッチパネルセンサ３０および保護カバー１２がタッチパネル装置２０の一部分を構成し、外部導体５、典型的には人間の指５が保護カバー１２上に接触（接近）したこと検知することができるとともに、保護カバー１２上における外部導体５が接触（接近）した位置を検出することができる。

具体的には、まず、外部の導体（例えば、人間の指）５が保護カバー１２に接触すると、当該外部導体５と、外部導体５による保護カバー１２への接触位置の近傍に位置する電極部４０，４５の各導電体４１，４６と、が電極として機能し、電界が形成される。この際、センサ電極３７ａを構成する透明導電体４０，４５のセンサ部４１，４６と、外部導体５と、の間に位置する保護カバー１２および基材フィルム３２等は誘電体として機能する。すなわち、外部導体５が保護カバー１２に接触することにより、センサ部４１，４６と外部導体５とを電極とするコンデンサが形成される。

タッチパネル装置２０の検出制御部２５の検出回路は、各センサ部４１，４６に接続され、各センサ部４１，４６と外部導体５との間の静電容量を検出することができるようになっている。そして、検出制御部２５が、各センサ部４１，４６と外部導体５との間の静電容量の変化を検出することによって、外部導体５がいずれの第１センサ部４１に対面しているか、並びに、外部導体５がいずれの第２センサ部４６に対面しているかを特定することができる。

すなわち、検出制御部２５の検出回路は、アクティブエリアＡａ１において前記一方向に並べて配列された第１透明導電体４０に含まれる多数の第１センサ部４１のうちの外部導体５と対面している第１センサ部（線状導電体）を特定することによって、前記一方向に延びる座標軸上における外部導体５の位置を特定することができる。同様に、検出制御部２５の検出回路は、アクティブエリアＡａ１において前記他方向に並べて配列された第２透明導電体４５に含まれる多数の第２センサ部４６のうちの外部導体５と対面している第２センサ部（線状導電体）を特定することによって、前記他方向に延びる座標軸上における外部導体５の位置を特定することができる。このようにして、タッチパネル装置２０（保護カバー１２）への外部導体５の接触位置を二つの方向において検出することにより、外部導体５のタッチパネル装置２０の表面への接触位置の位置座標を、タッチパネル装置２０の表面上で精度良く特定することができる。なお、投影型容量結合方式のタッチパネルにおいて接触位置を検出する様々な方法（原理）が、種々の文献に開示されており、本明細書では、これ以上の説明を省略する。

上述の製造方法にしたがって作製されたタッチパネルセンサ３０においては、センサ電極３７ａおよび取出配線３７ｂが単一体としての基材フィルム３２の両側に形成されている。すなわち、接着剤等を介して接合された複数枚のフィルムの接合体等を基材フィルムとして用いていない。この結果、タッチパネルセンサ３０全体としての透光率を向上させることができる。また、照明等の環境光（外光）や映像光等を反射し得る界面の数を減じることができるので、環境光の反射を抑制して表示装置１５に表示される映像のコントラストを向上させることができる。これらにより、タッチパネルセンサ３０を表示装置１０の表示面１６上に配置した場合に、表示装置１０の表示画像を大きく劣化させてしまうことを防止することができる。さらに、タッチパネルセンサ３０および入出力装置１０の総厚みを減じることができる。

また、図２に示すように、センサ電極３７ａを構成する第１透明導電体４０の第１センサ部４１および第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、タッチパネルセンサ３０（保護カバー１２）の法線方向に沿って異なる位置に配置されている。具体的には、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、第１透明導電体４０の第１センサ部４１よりも保護カバー１２から基材フィルム３２の厚み分だけ離間した位置に配置されている。しかしながら、上述したように、本実施の形態における基材フィルム３２は単一体のフィルムとして構成されている。さらに、この基材フィルム３２は、上述した特許文献（特開平４−２６４６１３号公報）に開示された基材フィルムとは異なり、遠紫外線遮光機能等の特別な機能を要求されてもいない。すなわち、厚みの薄い単一体のフィルムから構成され得る。したがって、外部導体５が保護カバー１２へ接触した際に、当該外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。これにより、外部導体５の保護カバー１２への接触位置（タッチ位置）を、第１透明導電体４０の第１センサ部４１によってだけでなく、第２透明導電体４５の第２センサ部４６によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。

また、本実施の形態によれば、図３に示すように、第１透明導電体４０の第１センサ部４１はライン部４１ａと膨出部４１ｂとを有し、第２透明導電体４５の第２センサ部４６はライン部４６ａと膨出部４６ｂとを有している。各センサ部４１，４６において、膨出部４１ｂ，４６ｂにおける幅は、ライン部４１ａ，４６ａにおける幅と比較して非常に太くなっている。そして、上述したように、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６の膨出部４６ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。このため、第１透明導電体４０の第１センサ部４１が、接触位置の検出精度に影響を与え得る程度の広い面積で、外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間に介在することはない。この結果、外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間で、コンデンサが有効に形成されなくなることを防止することができる。

さらに、上述したように、表示装置１５の表示制御部１７とタッチパネル装置２０の検出制御部２５とは接続されている。検出制御部２５は、外部導体５が保護カバー１２上の所定の位置に接触することによって入力された情報を、表示制御部１７へ送信することができる。表示制御部１７は、検出制御部２５で読み取られた入力情報に基づいて、当該入力情報に対応した映像を表示装置１５の表示パネル１６に表示することもできる。すなわち、出力手段としての表示機能および入力手段としてのタッチ位置検出機能により、入出力装置１０の使用者（操作者）と当該入出力装置１０との間で、対話形式での情報の直接的なやりとり（例えば、使用者の表示装置１０に対する指示および表示装置１０による当該指示の実行）を実現することができる。

そして、上述したように、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５が、感光層５６ａ，５６ｂの両面同時露光プロセス（工程Ｓ３）を経て、基材フィルム３２上にパターニングされている場合、センサ電極３７ａを構成する第１透明導電体４０の各第１センサ部４１および第２透明導電体４５の各第２センサ部４６が互いに対して精度良く位置決めされるようになる。結果として、第１透明導電体４０の各第１センサ部４１および第２透明導電体４５の各第２センサ部４６の両方を、表示装置１５に対して精度良く位置決めすることが可能となる。この場合、外部導体５の保護カバー１２への接触位置を表示装置１５を基準として精度良く検出することができる。この結果、表示装置１５に表示される映像情報に対応した入力を高分解能で高精度に検出することができ、これにより、入出力装置１０の使用者（操作者）と当該入出力装置１０との間での対話形式での情報交換が極めて円滑に進められるようになる。

以上のような本実施の形態によれば、透明導電層５２ａ，５２ｂ上に配置され透明導電層５２ａ，５２ｂとともにパターニングされた被覆導電層５４ａ，５４ｂが取出配線３７ｂの一部として利用されている。具体的には、透明導電層５２ａ，５２ｂと同一のパターンにパターニングされるとともにその後一部分を除去された被覆導電層５４ａ，５４ｂからなる取出導電体４３，４８が、パターニングされた透明導電層５２ａ，５２ｂからなる透明導電体４０，４５とともに、取出配線３７ｂを形成している。

このような方法で作製された取出配線３７ｂは、取出導電体４３，４８によって高い導電率（電気伝導率）を確保することができる。また、スクリーン印刷等で作製された従来の取出配線（図１１参照）とは異なり、取出導電体４３，４８は、透明導電層５２ａ，５２ｂ上に配置され、透明導電層５２ａ，５２ｂの側方まで延びていない。これにより、取出配線３７ｂの線幅を大幅に小さくすることができる。さらに、上述した実施の形態によれば、スクリーン印刷等の従来の作製方法とは異なりフォトリソグラフィー技術を用いて取出導電体３７ｂが形成されているので、安定して高精度に所望のパターンの取出配線３７ｂを作製することが可能となる。これにより、エレクトロマイグレーションの可能性も大幅に低下させることができる。以上のことから、本実施の形態によれば、細い線幅の取出配線３７ｂを短ピッチで並べて形成することが可能となり、これにより、取出配線３７ｂを配置するために必要となる領域の面積、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を格段に小さくすることができる。

また、取出導電体４３，４８は、低い密着力しか呈し得ない基材フィルム３２には接触しておらず、高い密着力を呈し得る透明導電体４０，４５にしか接合していない。このため、タッチパネルセンサ３０が使用中に変形したとしても、取出導電体４３，４８がタッチパネルセンサ３０から剥離する起点が形成されにくくすることができる。また、透明導電体４０，４５の端子部４２，４７は、取出導電体４３，４８によって側方まで覆われておらず、基材フィルム３２と取出導電体４３，４８との間で側方に露出している。すなわち、取出導電体４３，４８による端子部４２，４７の変形の拘束は弱く、端子部４２，４７は、タッチパネルセンサ３０の変形時に、基材フィルム３２の変形に追従して変形し得るようになる。これらにより、取出導電体４３，４８が透明導電体４０，４５または基材フィルム３２から剥離すること、並びに、取出導電体４３，４８とともに端子部４２，４７が基材フィルム３２から剥離することを、効果的に抑制することができる。結果として、タッチパネルセンサ３０の検出機能の信頼性を大幅に向上させることができる。

さらに、取出導電体４３，４８の形成に用いられる被覆導電層５４ａ，５４ｂは、両面同時露光工程Ｓ３において遮光層として用いられる層である。このような作製方法によれば、上述したように優れた性能を有するタッチパネルセンサ３０を、極めて効率的かつ安価に作製することが可能となる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。

例えば、上述した実施の形態において、パターニングされた被覆導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程において、被覆導電層５４ａ，５４ｂのうちのアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を取り囲むアクティブエリアＡａ１近傍の領域と、に位置する部分が除去される例を示したが、これに限られない。アクティブエリアＡａ１の透明性を確保するために遮光性を有した被覆導電層５４ａ，５４ｂを除去するといった観点からすれば、除去される部分は、アクティブエリアＡａ１内に位置する部分だけとすることができる。このような例によれば、タッチパネルセンサ３０のアクティブエリアＡａ１における透明性を確保しつつ取出導電体４３，４８が配置された領域を拡大して、取出配線３７ｂの導電率を高めることができる。ただし、さらなる感光層５６ｃ，５６ｄの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ３０の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、当然に、被覆導電層５４ａ，５４ｂの除去される部分を変更する場合には、上述した第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄの透過領域のパターンを変更しなければならない。

また、上述した実施の形態において、さらなる感光層５６ｃ、５６ｄを現像してパターニングする工程において、アクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲む額縁状に感光層５６ｃ,５６ｄをパターニングする例を示したが、これに限られない。例えば、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）上に残留すべきパターンに対応したパターンで、さらなる感光層５６ｃ、５６ｄを露光（図８Ａ参照）および現像（図８Ｂ参照）してもよい。図８Ａに示すように、このような変形例においても、遮光性を有した被覆導電性５４ａ，５４ｂが、異なる側から所定のパターンで照射される露光光源からの光を遮光する。これにより、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを異なるパターンでの高精度に両面同時露光することができる。ただし、さらなる感光層５６ｃ，５６ｄの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ３０の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、図８Ａおよび図８Ｂに示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図８Ａおよび図８Ｂにおいて、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

また、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ３０の製造方法の一例を説明したが、この例に限られない。例えば、透明導電層５２ａ，５２ｂをアニール処理して、透明導電層５２ａ，５２ｂの結晶化（微結晶化）を進める工程を、途中に設けるようにしてもよい。

通常、ＩＴＯ等の透明導電層は、スパッタリング等による成膜時の温度が適宜調節されることによって、結晶化が進められている。すなわち、一般的に、タッチパネルセンサ３０を作製するための積層体（ブランクス）に含まれた透明導電層５２ａ，５２ｂは、既に結晶化が進められており、良好な耐薬品性を有している。ただし、その一方で、アモルファス状態で透明導電層を成膜し、成膜後に１４０°程度の温度でアニール処理を施して、透明導電層を結晶化（微結晶化とも呼ばれる）することも可能である。

この透明導電層５２ａ，５２ｂをアニールする工程は、上述した透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６よりも後であってパターニングされた被覆導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１よりも前に、例えば、さらなる感光層５８ｃ，５８ｄを現像する工程Ｓ１０と被覆導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１との間に、実施されることが好ましい。例えば、被覆導電層５４ａ，５４ｂの耐薬品性が弱く、透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６において、既にパターニングされている被覆導電層５４ａ，５４ｂがエッチングされる可能性がある場合に、アニール工程を追加することは有効である。

具体的には、透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６において、耐薬品性の低いアモルファス状の透明導電層５２ａ，５２ｂを、浸食性の弱いエッチング液、例えばシュウ酸でエッチングする。浸食性の弱いエッチング液を用いることにより、耐薬品性の弱い材料（例えば銀）からなる被覆導電層５４ａ，５４ｂが、透明導電層５２ａ，５２ｂと感光層５６ａ，５６ｂとの間において横方向（すなわち、基材フィルム３２のシート面に沿った方向）に浸食されることを防止することができる。これにより、透明導電層５２ａ，５２ｂを極めて高精度にパターニングすることができるようになる。そして、被覆導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１の前に、アニール処理によって透明導電層５２ａ，５２ｂの耐薬品性を上げておくことにより、被覆導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する際に、所望の形状にパターニングされた透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが損なわれてしまうことを効果的に防止することができる。

さらに、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ３０を製造するために用いられる元材としての積層体（ブランクス）５０において、第１被覆導電層５４ａが第１透明導電層５２ａ上に形成され、第２被覆導電層５４ａが第２透明導電層５２ｂ上に形成されている例を示したがこれに限られない。第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂのうちのいずれか一方の透明導電層上のみに、被覆導電層が形成されていてもよい。
図９（ａ）および図９（ｂ）に示す例においては、上述した第１被覆導電層５４ａが省略されている。すなわち、元材としての積層体（ブランクス）５０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２上に配置された第１および第２透明導電体５２ａ，５２ｂと、第２透明導電体５２ｂ上に配置された第２被覆導電層５４ｂと、を含んでいる。図９（ａ）および図９（ｂ）は、それぞれ、図５Ｃ（ａ）および図５Ｃ（ｂ）に対応しており、第１透明導電体５６ａ上に配置された第１感光層５６ａと、第２被覆導電層５４ｂ上に配置された第２感光層５６ｂと、を両面同時露光する工程Ｓ３を示している。図９（ａ）に示すように、所定のパターンで第１感光層５６ａを露光する露光光は、第２被覆導電層５４ｂで遮光され、第２感光層５６ｂに照射されることはなく、且つ、所定のパターンで第２感光層５６ｂを露光する露光光は、第２被覆導電層５４ｂで遮光され、第１感光層５６ａに照射されることはない。これにより、上述した実施の形態と同様に、被覆導電層５４ａ，５４ｂを異なるパターンで高精度に両面同時露光することができる。また、上述した実施の形態と同様の透明導電体４０，４５および第２取出導電体を得ることができる。なお、第１透明導電層５２ａ上に被覆導電層５４ｂが形成されていないことから、図示する例では、第１透明導電体４０上に第１取出導電体４３が形成されなくなる。

さらに、上述した実施の形態において、積層体（ブランクス）５０において、基材フィルム３２の両側に透明導電層５２ａ，５２ｂおよび被覆導電層５４ａ，５４ｂがそれぞれ設けられている例を示したが、これに限られない。基材フィルム３２の一つの面上のみに透明導電層および被覆導電層が設けられているようにしてもよい。この場合、基材フィルム３２の一つの面上に、上述した実施の形態の取出配線３７ｂが得られるようになる。なお、この変形例において、上述した感光層を露光する工程Ｓ３では、積層体５０の一つの側のみから露光光が照射され得る。そして、この変形例において、被覆導電層は遮光性を有していない材料からも構成され得る。

さらに、上述した実施の形態において、第１透明導電体４０の第１センサ部４１はライン部４１ａと膨出部４１ｂとを有し、第２透明導電体４５の第２センサ部４６はライン部４６ａと膨出部４６ｂとを有している例を示した。また、上述した実施の形態において、膨出部４１ｂ，４６ｂが平面視略正方形形状に形成されている例を示した。しかしながら、これに限られず、一例として、膨出部４１ｂ，４６ｂが、平面視において、正方形以外の菱形等の四角形形状、さらには、多角形形状や円形状等であってもよい。また、センサ部４１，４６が、膨出部４１ｂ，４６ｂを有さず、直線状の輪郭を有するようにしてもよい。

さらに、上述した実施の形態において、第１透明導電体４０の第１センサ部４１と、第２透明導電体４５の第２センサ部４６とが、同一に構成される例を示したが、これに限られない。例えば、図１０に示すように、第２透明導電体４５の第２センサ部４６の線幅ｗ２が、保護カバー１２（観察者側面）からより近い位置に配置された第１透明導電体４０の第１センサ部４１の線幅ｗ１よりも太くなるようにしてもよい。このような例によれば、外部導体５が保護カバー１２へ接触した際に、保護カバー１２（観察者側面）から比較的に遠い位置に配置された第２透明導電体４５の第２センサ部４６と、当該外部導体５と、の間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。また、保護カバー１２に接触する外部導体５と第１透明導電体４０の第１センサ部４１との間で形成されるコンデンサの静電容量と比較して、保護カバー１２に接触する外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間で形成されるコンデンサの静電容量が低くなってしまうことを防止することができる。これにより、外部導体５の保護カバー１２への接触位置（タッチ位置）を、第１透明導電体４０の第１センサ部４１だけでなく、第２透明導電体４５の第２センサ部４６によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。なお、図１０に示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図１０において、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

第２の実施の形態
次に図１２（ａ）（ｂ）および図１３を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。ここで図１２（ａ）は、第１の実施の形態における図３Ｂに対応する図であって、本発明の第２の実施の形態における第１取出導電体を示す断面図であり、図１２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態における第２取出導電体を示す断面図である。図１３は、本発明の第２の実施の形態における積層体を示す断面図である。

図１２（ａ）（ｂ）および図１３に示す第２の実施の形態は、取出導電体が、透明導電体の一部分上に基材フィルムから離間して設けられた中間層と、当該中間層上に設けられた高導電層とを含み、高導電層が、透明導電体および中間層をなす材料よりも高い導電率を有する材料から形成されており、また中間層が、透明導電体との間の密着力が大きい材料から形成されているとともに、その厚みが高導電層の厚みよりも小さい点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と略同一である。図１２（ａ）（ｂ）および図１３に示す第２の実施の形態において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

取出導電体
図１２（ａ）に示すように、本実施の形態において、第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の一部分上に基材フィルム３２から離間して設けられた第１中間層６１と、当該第１中間層６１上に設けられた第１高導電層６３とを含んでいる。同様に、図１２（ｂ）に示すように、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の一部分上に基材フィルム３２から離間して設けられた第２中間層６６と、当該第２中間層６６上に設けられた第２高導電層６８とを含んでいる。なお図１２（ａ）に示すように、第１高導電層６３上に第１保護層６２が設けられていてもよい。同様に、図１２（ｂ）に示すように、第２高導電層６８上に第２保護層６７が設けられていてもよい。

本実施の形態における取出導電体４３，４８において、高導電層６３，６８は、透明導電体４０，４５および中間層６１，６６をなす材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体４０，４５よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、パラジウム、銀、クロム、銅等の金属、または、これらの金属を２種以上混合してなる合金、例えば銀合金を材料として形成されている。このうち銀合金は、一般に配線材料として用いられるクロムよりも比抵抗が小さく、高導電層６３，６８の材料として好ましい。このような銀合金の一例として、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金を挙げることができる。

ところで、銀合金からなる高導電層６３，６８と、ＩＴＯ等の透明導電体からなる透明導電体４０，４５との間の密着力は、一般的な配線材料であるクロムと透明導電体４０，４５との間の密着力よりも概して小さい。従って、銀合金からなる高導電層６３，６８を透明導電体４０，４５上に直接設けると、高導電層６３，６８と透明導電体４０，４５との間の密着性が不十分となることが考えられる。この場合、取出導電体４３，４８に何らかの衝撃が加えられたときに、高導電層６３，６８が透明導電体４０，４５から剥離することが考えられる。このため、取出導電体４３，４８が銀合金からなる高導電層６３，６８を含む場合、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間に、透明導電体４０，４５および高導電層６３，６８の各々に対してある程度の密着力を有するとともに、導電性を有する層を介在させることが好ましい。本実施の形態においては、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間に中間層６１，６６が介在されており、この中間層６１，６６を形成する材料は、中間層６１，６６と透明導電体４０，４５との間の密着力が、高導電層６３，６８と透明導電体４０，４５との間の密着力よりも大きくなるよう選択されている。さらに、中間層６１，６６の厚みは、高導電層６３，６８の厚みよりも小さくなっている。

中間層
次に、中間層６１，６６についてさらに詳述する。まず中間層６１，６６の密着力に関して説明する。第１中間層６１と第１透明導電体４０との間の密着力、および第１中間層６１と第１高導電層６３との間の密着力は、第１透明導電体４０と第１高導電層６３との間の密着力よりも大きくなっている。同様に、第２中間層６６と第２透明導電体４５との間の密着力、および第２中間層６６と第２高導電層６８との間の密着力は、第２透明導電体４５と第２高導電層６８との間の密着力よりも大きくなっている。
なお「密着力」は、例えばＪＩＳ Ｋ５６００−５−７に記載のプルオフ法により評価される。
例えば、はじめに、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−７に記載の方法に適した引張試験機を準備する。次に、透明導電体４０，４５上に中間層６１，６６が設けられた試験板を準備し、引張試験機を用いて透明導電体４０，４５と中間層６１，６６との間の付着力（密着力）を測定する。この場合に測定された付着力をＡとする。
次に、中間層６１，６６上に高導電層６３，６８が設けられた試験板を準備し、引張試験機を用いて中間層６１，６６と高導電層６３，６８との間の付着力（密着力）を測定する。この場合に測定された付着力をＢとする。
次に、透明導電体４０，４５上に高導電層６３，６８が設けられた試験板を準備し、引張試験機を用いて透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間の付着力（密着力）を測定する。この場合に測定された付着力をＣとする。
本実施の形態において、透明導電体４０，４５と中間層６１，６６との間の付着力Ａ、および、中間層６１，６６と高導電層６３，６８との間の付着力Ｂは、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間の付着力Ｃよりも大きくなっている。すなわち本実施の形態によれば、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間に中間層６１，６６を介在させることにより、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間の密着力を向上させることができる。

次に中間層６１，６６の導電性に関して説明する。取出導電体４３，４８において、電気信号を伝導する役割は主に高導電層６３，６８により果たされている。このため中間層６１，６６は、高導電層６３，６８よりも優れた導電性を有する必要はなく、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間を低抵抗で電気的に接続する程度の導電性を有していればよい。このため、中間層６１，６６の比抵抗は、高導電層６３，６８の比抵抗よりも大きくなっている。また好ましくは、中間層６１，６６の厚みは、それぞれ高導電層６３，６８の厚みよりも小さくなっており、例えば高導電層６３，６８の厚みが５０〜２５０ｎｍの範囲内となっているとき、中間層６１，６６の厚みは３〜８ｎｍの範囲内となっている。このように中間層６１，６６の厚みを小さくすることにより、透明導電体４０，４５と高導電層６３，６８との間をより低抵抗で電気的に接続することができるとともに、取出導電体４３，４８全体の厚みを小さくすることができる。

中間層６１，６６の材料としては、透明導電体４０，４５および高導電層６３，６８に対する密着力が良好な材料であれば特に限定されないが、例えばモリブデン（Ｍｏ）合金などの金属が用いられる。Ｍｏ合金としては、例えばＭｏとニオブ（Ｎｂ）の合金であるＭｏＮｂを挙げることができる。

保護層
次に、第１高導電層６３の上に設けられた第１保護層６２、および第２高導電層６８の上に設けられた第２保護層６７について詳述する。保護層６２，６７は、高導電層６３，６８が酸化するのを防ぐために設けられた層であり、耐酸化性、耐水性などを有する層である。保護層６２，６７の材料としては、適度な耐酸化性を有する材料であれば特に限定されないが、例えばＭｏ合金などの金属が用いられる。Ｍｏ合金としては、例えばＭｏとＮｂの合金であるＭｏＮｂを挙げることができる。保護層６２，６７の厚みは、例えば１０〜３０ｎｍの範囲内となっている。

積層体
次に図１３を参照して、本実施の形態において準備される、タッチパネルセンサ３０を製造するための元材としての積層体５０を示す。積層体５０は、透明な基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に積層された第１透明導電層５２ａと、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に積層され透光性を有する第２透明導電層５２ｂと、第１透明導電層５２ａ上に積層された第１被覆導電層５４ａと、第２透明導電層５２ｂ上に積層された第２被覆導電層５４ｂと、を有している。

このうち被覆導電層５４ａ，５４ｂは、図１３に示すように、透明導電層５２ａ，５２ｂ上に設けられた中間層６１，６６と、中間層６１，６６上に設けられた高導電層６３，６８と、高導電層６３，６８上に設けられた保護層６２，６７とを含んでいる。このような被覆導電層５４ａ，５４ｂをパターニングすることにより、前述の取出導電体４３，４８が形成される。

積層体５０に成膜やパターニング等の処理（加工）を行うことにより、タッチパネルセンサ３０が製造される。なお本実施の形態において、高導電層６３，６８がＡＰＣ合金からなり、中間層６１，６６および保護層６２，６７がＭｏＮｂからなる場合、高導電層６３，６８、中間層６１，６６および保護層６２，６７は同一のエッチング液、例えば燐硝酢酸等によりエッチングされ得る。このため、中間層６１，６６、高導電層６３，６８および保護層６２，６７からなる被覆導電層５４ａ，５４ｂのパターニングを、単一のエッチング液により行うことが可能である。その他の成膜やパターニング等の処理（加工）方法は、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態の場合と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

このように本実施の形態によれば、取出導電体４３，４８は、透明導電体４０，４５の一部分上に基材フィルム３２から離間して設けられた中間層６１，６６と、第１中間層６１，６６上に設けられた高導電層６３，６８とを含んでいる。このうち高導電層６３，６８は、透明導電体４０，４５および中間層６１，６６をなす材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する材料、例えば銀合金から形成されており、一方、中間層６１，６６は、透明導電体４０，４５との間の密着力が高導電層６３，６８よりも大きい材料、例えばＭｏＮｂ合金から形成されている。このため、一般的な配線材料であるクロムなどが取出導電体として用いられる場合に比べて、取出導電体４３，４８の導電率を高くすることができるとともに、取出導電体４３，４８と透明導電体４０，４５との間の適切な密着性を実現することができる。

１０ 入出力装置
１５ 表示装置
２０ タッチパネル装置
３０ タッチパネルセンサ
３２ 基材フィルム
３２ａ 面（一方の側の面）
３２ｂ 面（他方の側の面）
３３ フィルム本体
３４ 機能膜（インデックスマッチング膜）
３４ａ 高屈折率膜
３４ｂ 低屈折率膜
３５ 機能膜（低屈折率膜）
３７ａ センサ電極
３７ｂ 取出配線
４０ 第１透明導電体
４１ 第１センサ部
４１ａ ライン部
４１ｂ 膨出部
４２ 第１端子部
４３ 第１取出導電体
４５ 第２透明導電体
４６ 第２センサ部
４６ａ ライン部
４６ｂ 膨出部
４７ 第２端子部
４８ 第２取出導電体
５０ 積層体（ブランクス）
５２ａ 第１透明導電層
５２ｂ 第２透明導電層
５４ａ 第１被覆導電層（第１遮光導電層）
５４ｂ 第２被覆導電層（第２遮光導電層）
５６ａ 第１感光層
５６ｂ 第２感光層
５６ｃ 第３感光層（さらなる感光層）
５６ｄ 第４感光層（さらなる感光層）
５８ａ 第１マスク（第１フォトマスク）
５８ｂ 第２マスク（第２フォトマスク）
５８ｃ 第３マスク（第３フォトマスク）
５８ｄ 第４マスク（第４フォトマスク）
６１ 第１中間層
６２ 第１保護層
６３ 第１高導電層
６６ 第２中間層
６７ 第２保護層
６８ 第２高導電層

Claims (4)

1. パターニングによってタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
   透明な基材フィルムと、
   前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、
   前記透明導電層上に設けられ、遮光性および導電性を有する被覆導電層と、を備え、
   前記被覆導電層は、前記透明導電層上に設けられた中間層と、当該中間層上に設けられた高導電層とを含み、
   前記高導電層は、銀、パラジウムおよび銅を含むＡＰＣ合金から形成されており、
   前記中間層は、モリブデンおよびニオブを含むＭｏＮｂ合金から形成されており、
   前記中間層の厚みは、前記高導電層の厚みよりも小さい、ことを特徴とする積層体。
2. 前記透明導電層は、酸化インジウムスズから形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層体。
3. 請求項１に記載の積層体をパターニングすることによってタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサ製造方法であって、
   前記透明導電層をパターニングすることによって、複数の透明導電体を形成する工程と、
   前記被覆導電層をパターニングすることによって、複数の取出導電体を形成する工程と、を備え、
   前記基材フィルムは、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、前記アクティブエリアに隣接する非アクティブエリアと、を有し、
   前記複数の透明導電体は、前記基材フィルムの前記アクティブエリアに配置されたセンサ部と、前記センサ部に連結され前記基材フィルムの前記非アクティブエリアに配置された端子部と、を有し、
   前記複数の取出導電体は、前記複数の透明導電体各々の前記端子部の一部分上に前記基材フィルムから離間して設けられており、
   前記透明導電体の前記一部分は線状に形成され、前記取出導電体は当該一部分上を線状に延び、前記透明導電体の前記一部分および前記取出導電体が、前記基材フィルムの前記非アクティブエリア上を延びる配線を形成しており、
   前記取出導電体は、その端部が前記アクティブエリアに配置された前記透明導電体の前記センサ部の端部に隣接しないよう、前記非アクティブエリアに配置された前記透明導電体の前記端子部の前記一部分上に配置されている
   ことを特徴とするタッチパネルセンサ製造方法。
4. 前記透明導電層は、酸化インジウムスズから形成されている
   ことを特徴とする請求項３に記載のタッチパネルセンサ製造方法。

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