JP5652717B2 - 積層パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体をパターニングすることにより積層パターン基板を製造する積層パターン基板の製造方法に関する。また本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体をパターニングすることによりタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサの製造方法に関する。

従来、基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含む積層パターン基板が知られている。例えば、基板と、基板上に所定のパターンで設けられ、タッチを検出する透明導電パターンと、透明導電パターンに電気的に接続された取出導電パターンと、を有するタッチパネルセンサが知られている。

透明導電パターンは、一般に、ＩＴＯなどからなる透明導電層をパターニングすることにより形成される。また取出導電パターンは、一般に、Ａｌ合金などからなる金属層をパターニングすることにより形成される。また透明導電パターンからの信号を外部に伝達させる際の電気抵抗を低減するため、一般に、取出導電パターンと基板との間には透明導電層が介在されている。

このようなタッチパネルセンサは、例えば、基板と、基板上に設けられた透明導電層と、透明導電層上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた感光層と、を有する積層体を、フォトフリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより製造される。この場合、例えば特許文献１に記載されているように、パターニング工程は、透明導電層および金属層を同一パターンに成形する１回目のパターニング工程と、パターニングされた透明導電層上の金属層を部分的に除去する２回目のパターニング工程とを含んでいる。

フォトフリソグラフィ法において、各パターニング工程は、はじめに露光マスクを用いて積層体の感光層を露光し、次に露光された感光層を現像し、その後に残っている感光層をマスクとして透明導電層や金属層をエッチングすることによって行われる。この場合、１回目のパターニング工程で用いられる露光マスク（以下、ファースト露光マスク）は、最終的に得られるタッチパネルセンサにおける透明導電層の形状に対応して感光層を残すよう設計されている。一方、２回目のパターニング工程で用いられる露光マスク（以下、セカンド露光マスク）は、除去されるべき金属層に対応する領域に感光層を残さないよう設計されている。

ところで、近年、タッチパネルセンサの検出感度を向上させるため、ノイズを遮蔽するためのシールドパターンを設けることや、取出導電パターンにおける寄生容量の偏差を抑制するためのダミーパターンを設けることなどが提案されている（例えば特許文献２，３参照）。このようなシールドパターンやダミーパターンは、製造効率の観点から考えると、透明導電パターンや取出導電パターンのパターニングと同時に透明導電層や金属層から形成されることが好ましい。

特開２０１０−２５７４４２号公報 特開２００９−１６９７２０号公報 特開２０１０−２５７１７８号公報

上述のようなシールドパターンやダミーパターンは、求められる耐ノイズ特性などに応じて、様々なパターンで形成される。従って、シールドパターンやダミーパターンを透明導電パターンや取出導電パターンのパターニングと同時に透明導電層や金属層から形成する場合、従来よりも精密なパターニングが求められる。

パターニングの精度を決定する要因の１つとして、露光の際の露光マスクの位置決めの精度が挙げられる。しかしながら、露光マスクの位置決めの精度には限界がある。従って、例えばファースト露光マスクの配置が所望の位置からずれることにより、１回目のパターニング工程によって得られる透明導電層および金属層のパターン形状が所望のパターン形状から全体的にずれることが考えられる。また、セカンド露光マスクの配置も所望の位置からずれることが考えられる。

また上述のように、セカンド露光マスクを用いた２回目のパターニング工程では、残っている金属層のうちの一部分のみが除去される。この場合、セカンド露光マスクの配置が所望の位置からずれ、これによってファースト露光マスクとセカンド露光マスクとの間の相対的な位置関係が理想からずれると、得られる金属層のパターン形状が全体的にずれるだけでなく、セカンド露光マスクによる露光の対象となる領域と対象とならない領域との境界で金属層のパターン形状の連続性が低下することが考えられる。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る積層パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含む積層パターン基板を製造する方法において、前記基板上の領域は少なくとも、第１領域と、第２領域と、第１領域と第２領域の間に位置する中間領域と、に区画され、前記上側パターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びており、前記第１領域における前記上側パターンの幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅と略同一となっており、前記第１領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、前記第２領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅と略同一になっており、前記積層パターン基板の製造方法は、前記基板と、前記基板上に設けられた下側層と、前記下側層上に設けられた上側層と、前記上側層上に設けられた光溶解型の感光層と、を有する積層体を準備する工程と、遮光部と透光部とを有するファースト露光マスクを用いて前記感光層を露光する工程と、前記露光された感光層を現像してファースト感光パターンを形成する工程と、前記ファースト感光パターンをマスクとして前記上側層および前記下側層をエッチングする工程と、パターニングされた上側層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有するセカンド感光パターンを形成する工程と、前記セカンド感光パターンをマスクとして前記上側層をさらにエッチングする工程と、を備え、前記セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含むセカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、前記ファースト露光マスクの遮光部および前記セカンド露光マスクの遮光部はそれぞれ、露光の際に少なくとも部分的に前記中間領域に配置される中間遮光部を含み、前記ファースト露光マスクの前記中間遮光部の前記第１領域側の端部の幅は、前記第１領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、前記セカンド露光マスクの前記中間遮光部の前記第２領域側の端部の幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっていることを特徴とする積層パターン基板の製造方法である。

本発明による積層パターン基板の製造方法において、前記ファースト露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、前記セカンド露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含んでいてもよい。この場合、前記ファースト露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をａとし、前記第２遮光部の幅をｂとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｃ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｃ_２とするとき、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立しており、前記セカンド露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をｄとし、前記第２遮光部の幅をｅとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｆ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｆ_２とするとき、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立している。

本発明による積層パターン基板の製造方法において、前記上側パターンが延びる方向における前記ファースト露光マスクの中間遮光部の範囲と、前記上側パターンが延びる方向における前記セカンド露光マスクの中間遮光部の範囲とが一致していてもよい。

本発明による積層パターン基板の製造方法において、前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記上側層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されてもよい。

本発明による積層パターン基板の製造方法において、前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記上側層上に残っている前記ファースト感光パターンを前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記ファースト感光パターンを現像することにより形成されてもよい。

本発明は、基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含むタッチパネルセンサを製造する方法において、前記下側パターンは、透光性および導電性を有する透明導電材料からなり、前記上側パターンは、遮光性および導電性を有する金属材料からなり、前記基板上の領域は少なくとも、第１領域と、第２領域と、第１領域と第２領域の間に位置する中間領域と、に区画され、前記上側パターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びており、前記第１領域における前記上側パターンの幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅と略同一となっており、前記第１領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、前記第２領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅と略同一になっており、前記タッチパネルセンサの製造方法は、前記基板と、前記基板上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられた光溶解型の感光層と、を有する積層体を準備する工程と、遮光部と透光部とを有するファースト露光マスクを用いて前記感光層を露光する工程と、前記露光された感光層を現像してファースト感光パターンを形成する工程と、前記ファースト感光パターンをマスクとして前記透明導電層および前記金属層をエッチングする工程と、パターニングされた前記金属層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有するセカンド感光パターンを形成する工程と、前記セカンド感光パターンをマスクとして前記金属層をさらにエッチングする工程と、を備え、前記セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含むセカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、前記ファースト露光マスクの遮光部および前記セカンド露光マスクの遮光部はそれぞれ、露光の際に少なくとも部分的に前記中間領域に配置される中間遮光部を含み、前記ファースト露光マスクの前記中間遮光部の前記第１領域側の端部の幅は、前記第１領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、前記セカンド露光マスクの前記中間遮光部の前記第２領域側の端部の幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっていることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法である。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記ファースト露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、前記セカンド露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含んでいてもよい。この場合、前記ファースト露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をａとし、前記第２遮光部の幅をｂとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｃ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｃ_２とするとき、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立しており、前記セカンド露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をｄとし、前記第２遮光部の幅をｅとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｆ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｆ_２とするとき、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立している。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記上側パターンが延びる方向における前記ファースト露光マスクの中間遮光部の範囲と、前記上側パターンが延びる方向における前記セカンド露光マスクの中間遮光部の範囲とが一致していてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記金属層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記セカンド感光パターンは、はじめに、エッチングされた前記金属層上に残っている前記ファースト感光パターンを前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記ファースト感光パターンを現像することにより形成されてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記下側パターンは、多列に並べられ、各々が所定方向に延びる複数の透明導電パターンと、シールドパターンと、を有し、前記上側パターンは、各透明導電パターンに接続された取出導電パターンと、前記シールドパターンを少なくとも部分的に覆うとともに、前記各取出導電パターンのうち最も外側に位置する取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びるダミーパターンと、を有していてもよい。この場合、好ましくは、前記シールドパターンは前記第１領域内に設けられており、前記ダミーパターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びている。

本発明によれば、ファースト露光マスクの中間遮光部の第１領域側の端部の幅は、第１領域における上側パターンの幅よりも大きくなっており、セカンド露光マスクの中間遮光部の第２領域側の端部の幅は、第２領域における上側パターンの幅よりも大きくなっている。このため、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクとの間の相対的な位置関係がずれた場合であっても、第１領域の上側パターンと第２領域の上側パターンとの間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施の形態における積層パターン基板を示す平面図。 図１Ｂは、図１Ａの積層パターン基板をＩＢ−ＩＢ方向から見た縦断面図。 図１Ｃは、図１Ａの積層パターン基板をＩＣ−ＩＣ方向から見た縦断面図。 図２Ａは、積層体を示す平面図。 図２Ｂは、積層体を示す縦断面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態におけるファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクを示す図。 図４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、１回目のパターニング工程を示す図。 図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、２回目のパターニング工程を示す図。 図６（ａ）は、本発明の第１の実施の形態において、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクの相対的な位置関係が幅方向にずれている場合を示す図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の場合に得られる積層パターン基板を示す平面図。 図７（ａ）（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態において、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクの相対的な位置関係が長さ方向にずれている場合に得られる積層パターン基板を示す図。 図８（ａ）は、比較の形態におけるファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクを示す図、図８（ｂ）（ｃ）は、比較の形態において得られる積層パターン基板を示す図。 図９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第1の実施の形態において、ファースト露光マスクの変形例を示す図。 図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第1の実施の形態において、セカンド露光マスクの変形例を示す図。 図１１（ａ）（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスクと図１０（ａ）に示すセカンド露光マスクが用いられる形態を示す図。 図１２（ａ）（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスクと図１０（ａ）に示すセカンド露光マスクが用いられる場合に得られる積層パターン基板を示す図。 図１３（ａ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスクと図１０（ｂ）に示すセカンド露光マスクが用いられる場合に得られる積層パターン基板を示す図、図１３（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスクと図１０（ｃ）に示すセカンド露光マスクが用いられる場合に得られる積層パターン基板を示す図。 図１４（ａ）は、本発明の第２の実施の形態におけるファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクを示す図、図１４（ｂ）（ｃ）は、図１４（ａ）の場合に得られる積層パターン基板を示す平面図。 図１５（ａ）（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態において、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクの相対的な位置関係が長さ方向にずれている場合に得られる積層パターン基板を示す図。 図１６（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例におけるファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクを示す図、図１６（ｂ）（ｃ）は、図１６（ａ）の場合に得られる積層パターン基板を示す平面図。 図１７（ａ）（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例において、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクの相対的な位置関係が長さ方向にずれている場合に得られる積層パターン基板を示す図。 図１８は、本発明の第３の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す平面図。 図１９は、タッチパネルセンサの基板の一側に設けられる積層パターンを示す平面図。 図２０は、タッチパネルセンサの基板の他側に設けられる積層パターンを示す平面図。 図２１は、本発明の第３の実施の形態におけるファースト露光マスクを示す図。 図２２は、本発明の第３の実施の形態におけるセカンド露光マスクを示す図。 図２３は、本発明の第３の実施の形態において、配線領域と端子領域との境界における一側ダミーパターンを示す図。 図２４（ａ）（ｂ）は、図２３に示す一側ダミーパターンに対応するファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクを示す図。

第１の実施の形態
以下、図１Ａ乃至図１３（ａ）（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１Ａ乃至図１Ｃにより、本実施の形態における積層パターン基板１０について説明する。

積層パターン基板
図１Ａは、積層パターン基板１０を示す平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの積層パターン基板１０をＩＢ−ＩＢ方向から見た縦断面図であり、図１Ｃは、図１Ａの積層パターン基板をＩＣ−ＩＣ方向から見た縦断面図である。図１Ａ乃至図１Ｃに示すように、積層パターン基板１０は、基板１２と、基板１２上に所定パターンで設けられた下側パターン２０と、下側パターン２０上に所定パターンで設けられた上側パターン３０と、を含んでいる。なお、「下側パターン２０上に設けられた上側パターン３０」とは、基板１２と上側パターン３０との間に下側パターン２０が介在されていることを意味している。このような積層パターンは、後述するように、はじめに下側パターン２０および上側パターン３０の元となる層がそれぞれ基板１２上に積層された積層体を準備し、その後に積層体の各層を順次パターニングすることにより形成される。

図１Ａに示すように、基板１２上の領域は、第１領域Ｒ_１と、第２領域Ｒ_２と、第１領域Ｒ_１と第２領域Ｒ_２との間に位置する中間領域Ｒ_３とに区画される。図１Ａに示すように、下側パターン２０および上側パターン３０は、第１領域Ｒ_１から中間領域Ｒ_３を通って第２領域Ｒ_２へ延びている。

（第１領域および第２領域）
第１領域Ｒ_１および第２領域Ｒ_２について詳細に説明する。本実施の形態において、第１領域Ｒ_１は、下側パターン２０の幅が上側パターン３０の幅よりも大きくなっている領域として定義される。また第２領域Ｒ_２は、下側パターン２０の幅が上側パターン３０の幅と略同一となっており、かつ、上側パターン３０の幅が第１領域Ｒ_１における上側パターン３０の幅と略同一となっている領域として定義される。なお「幅」とは、第１領域Ｒ_１から中間領域Ｒ_３を通って第２領域Ｒ_２へ延びる上側パターン３０の延びる方向（図１Ａにおける上下方向）に直交する方向（図１Ａにおける左右方向）における寸法のことである。また以下の説明において、「長さ」とは、上側パターン３０の延びる方向における寸法のことである。また「幅方向」および「長さ方向」とはそれぞれ、上記「幅」および「長さ」が画定される方向のことであり、図１Ａにおける左右方向および上下方向のことである。また図１Ａに示すように、第１領域Ｒ_１における上側パターン３０が符号ｗ_１で示されており、第２領域Ｒ_２における上側パターン３０の幅が符号ｗ_２で示されている。

なお「下側パターン２０の幅が上側パターン３０の幅と略同一」における「略同一」とは、製造時の誤差などに起因して第２領域Ｒ_２における下側パターン２０の幅が上側パターン３０の幅とわずかに異なっている場合も本実施の形態の範囲に含まれるということを意味している。例えばエッチングによるパターニングにおいては、感光層などでマスクされている領域であっても、側方からエッチングされることにより、マスクされている領域にある層が若干除去されることが考えられるが、このような意図しない除去の結果として第２領域Ｒ_２の下側パターン２０の幅が上側パターン３０の幅とわずかに異なっている場合も、本実施の形態の範囲に含まれる。

また「第２領域Ｒ_２における上側パターン３０の幅が第１領域Ｒ_１における上側パターン３０の幅と略同一」における「略同一」とは、第２領域Ｒ_２における上側パターン３０の幅が第１領域Ｒ_１における上側パターン３０の幅とわずかに異なっている場合も本実施の形態の範囲に含まれるということを意味している。例えば、第１領域Ｒ_１における上側パターン３０の幅と第２領域Ｒ_２における上側パターン３０の幅が、露光マスクの位置決めの誤差の程度よりも小さな程度でわずかに異なっている場合も、本実施の形態の範囲に含まれる。

（中間領域）
また中間領域Ｒ_３は、上述のような第１領域Ｒ_１と第２領域Ｒ_２との間に介在される領域であって、下側パターン２０の幅が第２領域Ｒ_２における下側パターン２０の幅以上となっている領域として定義される。

以下の説明において、第１領域Ｒ_１、第２領域Ｒ_２および中間領域Ｒ_３に位置する下側パターン２０をそれぞれ第１下側パターン２１、第２下側パターン２２および中間下側パターン２３と称する。同様に、第１領域Ｒ_１、第２領域Ｒ_２および中間領域Ｒ_３に位置する上側パターン３０をそれぞれ第１上側パターン３１、第２上側パターン３２および中間上側パターン３３と称する。

（下側パターンおよび上側パターンの材料）
次に、下側パターン２０および上側パターン３０を構成する材料について説明する。本実施の形態において、下側パターン２０および上側パターン３０は、それぞれ異なる機能を実現するよう異なる材料から構成されている。例えば下側パターン２０は、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成されており、また上側パターン３０は、透明導電材料よりも高い導電性を有する金属材料から構成されている。このように異なる材料を用いて下側パターン２０および上側パターン３０を構成することにより、積層パターン基板１０に様々な機能や特性を付与することができる。

例えば下側パターン２０は、透光性が求められる領域に形成される電極パターンやシールドパターンとしての機能を果たすことができる。ところで、透光性を有する透明導電材料は、透光性を有さない金属などの導電材料に比べて、導電性が低くなっている。ここで本実施の形態によれば、下側パターン２０上には上側パターン３０が設けられている。これによって、下側パターン２０の導電性の低さを上側パターン３０によって補うことができる。例えば下側パターン２０がタッチパネルセンサや液晶の表示領域の電極パターンとして形成される場合、下側パターン２０上に部分的に上側パターン３０を設けることにより、透明導電材料からなる電極パターンの信号を低抵抗で所定位置まで伝達することが可能となる。また下側パターン２０がシールドパターンとして形成される場合、下側パターン２０上に部分的に上側パターン３０を設けることにより、低抵抗でシールドパターンを接地することが可能となる。

下側パターン２０を構成する透明導電材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。

上側パターン３０を構成する金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン、パラジウム、銀（Ａｇ）、クロム、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金が挙げられる。

積層パターン基板の製造方法
次に、積層パターン基板１０の製造方法について説明する。本実施の形態による積層パターン基板１０は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体をパターニングすることにより得られる。はじめに、用いられる積層体について説明する。

（積層体）
図２Ａは、積層体１３を示す平面図であり、図２Ｂは、図２Ａの積層体をIIＢ−IIＢ方向から見た縦断面図である。積層体１３は、基板１２と、基板１２上に設けられた下側層と、下側層上に設けられた上側層と、上側層上に設けられた感光層１６と、を有している。このうち下側層は、透明導電材料からなる透明導電層１４となっており、また上側層は、金属材料からなる金属層１５となっている。感光層１６としては、所定の光、例えば紫外線によって照射されることにより溶解する光溶解型の感光層が用いられる。

（露光マスク）
次に、フォトリソグラフィー法において用いられる露光マスクについて説明する。本実施の形態においては、後述するように２回の露光工程が実施される。１回目の露光工程においては、図３の左側に示すファースト露光マスク４０が使用され、２回目の露光工程においては、図３の右側に示すセカンド露光マスク５０が使用される。図３においては、便宜上、ファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０が、上述の積層パターン基板１０における第１領域Ｒ_１、第２領域Ｒ_２および中間領域Ｒ_３と対応されて示されている。

（ファースト露光マスク）
はじめにファースト露光マスク４０について説明する。ファースト露光マスク４０は、光を遮蔽する遮光部４４と、光を透過させる透光部４５とからなっている。このうち遮光部４４は、図３に示すように、第１遮光部４１、第２遮光部４２および中間遮光部４３を含んでいる。このうち中間遮光部４３は、図３に示すように、露光の際に中間領域Ｒ_３に配置される部分となっている。また第１遮光部４１は、中間遮光部４３の第１領域Ｒ_１側の端部に接続された部分となっており、第２遮光部４２は、中間遮光部４３の第２領域Ｒ_２側の端部に接続された部分となっている。

図３において、第１遮光部４１の幅が符号ａで示されており、第２遮光部４２の幅が符号ｂで示されており、中間遮光部４３の第１遮光部４１側の端部の幅および第２遮光部４２側の端部の幅がそれぞれ符号ｃ_１およびｃ_２で示されている。このうち第１遮光部４１の幅ａは、積層パターン基板１０の第１下側パターン２１の幅に一致しており、第２遮光部４２の幅ｂは、積層パターン基板１０の第２下側パターン２２および第２上側パターン３２の幅に一致している。また中間遮光部４３の各端部の幅ｃ_１およびｃ_２はそれぞれ、積層パターン基板１０の中間下側パターン２３の第１領域Ｒ_１側の端部および第２領域Ｒ_２側の端部の幅に一致している。

以下、各遮光部４１，４２，４３の幅の特徴について説明する。はじめに、中間遮光部４３の幅の特徴について説明する。

中間遮光部４３の第１遮光部４１側の端部の幅ｃ_１は、積層パターン基板１０の第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくなっている。なお幅ｃ_１を第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくすることは、後述するように、幅方向におけるファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置がずれた場合であっても、中間上側パターン３３にくびれが生じるのを防ぐことを目的としてなされている。従って「大きくなっている」とは、起こりうる露光マスクの相対的な位置のずれの程度を超えて、中間遮光部４３の幅ｃ_１が第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくなっていることを意味している。例えば、露光マスクの位置のずれが最大５０μｍである場合、中間遮光部４３の幅ｃ_１は第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも５０μｍ以上大きくなっている。なお露光マスクを透過した光に回り込みが生じることが考えられる場合、中間遮光部４３の幅ｃ_１が、回り込みの程度も考慮してより大きい値に設定されてもよい。

次に、各遮光部４１，４２，４３の幅の相対関係について説明する。ファースト露光マスク４０の各遮光部４１，４２，４３の幅に関して、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立している。例えば図３に示す例においては、ａ＞ｃ_１＝ｃ_２＞ｂの関係が成立している。これによって、中間遮光部４３の第１遮光部４１側の端部の幅ｃ_１が、第２遮光部４２の幅ｂよりも大きくなっている。なお「大きくなっている」とは、上述の中間遮光部４３の幅ｃ_１と第１上側パターン３１の幅ｗ_１との関係の場合と同様に、露光マスクの位置のずれの程度を超えて、幅ｃ_１が幅ｂよりも大きくなっていることを意味している。
ところで上述のように、第２遮光部４２の幅ｂは、積層パターン基板１０の第２上側パターン３２の幅ｗ_２に一致しており、また第２上側パターン３２の幅ｗ_２は第１上側パターン３１の幅ｗ_１と略同一となっている。従って、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立していることは、幅ｃ_１が積層パターン基板１０の第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくなっていることを意味している。

（セカンド露光マスク）
次にセカンド露光マスク５０について説明する。セカンド露光マスク５０もファースト露光マスク４０と同様に、光を遮蔽する遮光部５４と、光を透過させる透光部５５とからなっている。このうち遮光部５４は、図３に示すように、第１遮光部５１、第２遮光部５２および中間遮光部５３を含んでいる。このうち中間遮光部５３は、図３に示すように、露光の際、中間領域Ｒ_３となる領域内に配置される部分となっている。また第１遮光部５１は、中間遮光部５３の第１領域Ｒ_１側の端部に接続された部分となっており、第２遮光部５２は、中間遮光部５３の第２領域Ｒ_２側の端部に接続された部分となっている。

図３において、第１遮光部５１の幅が符号ｄで示されており、第２遮光部５２の幅が符号ｅで示されており、中間遮光部５３の第１遮光部５１側の端部の幅および第２遮光部５２側の端部の幅がそれぞれ符号ｆ_１およびｆ_２で示されている。このうち第１遮光部５１の幅ｄは、積層パターン基板１０の第１上側パターン３１の幅に一致しており、第２遮光部５２の幅ｅは、積層パターン基板１０の第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも十分に大きくなっている。また中間遮光部５３の各端部の幅ｆ_１およびｆ_２はそれぞれ、積層パターン基板１０の中間上側パターン３３の第１領域Ｒ_１側の端部および第２領域Ｒ_２側の端部の幅に一致している。

なお図３に示すように、本実施の形態においては、長さ方向におけるファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の範囲および長さ方向におけるセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の範囲はそれぞれ、長さ方向における中間領域Ｒ_３の範囲に一致している。すなわち、長さ方向におけるファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の範囲と、長さ方向におけるセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の範囲とが一致している。

以下、各遮光部５１，５２，５３の幅の特徴について説明する。はじめに、中間遮光部５３の幅の特徴について説明する。

中間遮光部５３の第１遮光部５１側の端部の幅ｆ_２は、積層パターン基板１０の第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくなっている。なお幅ｆ_２を第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくすることは、ファースト露光マスク４０の場合と同様に、幅方向におけるファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置がずれた場合であっても、中間上側パターン３３にくびれが生じるのを防ぐことを目的としてなされている。従って「大きくなっている」とは、起こりうる露光マスクの相対的な位置のずれの程度を超えて、中間遮光部５３の幅ｆ_２が第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくなっていることを意味している。例えば、露光マスクの位置のずれが最大５０μｍである場合、中間遮光部５３の幅ｆ_２は第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも５０μｍ以上大きくなっている。なお露光マスクを透過した光に回り込みが生じることが考えられる場合、中間遮光部５３の幅ｆ_２が、回り込みの程度も考慮してより大きい値に設定されてもよい。

なお露光マスクの位置のずれとは、所定のアライメントマーク（図示せず）を基準とした場合のファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の位置ずれだけでなく、積層パターン基板１０の中間遮光部４３を基準とした場合のファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の位置ずれも含む概念とする。従って、露光マスクの位置のずれは、各露光マスク４０，５０を位置決めする露光機（図示せず）のアライメント精度に起因して生じるだけでなく、ファースト露光マスク４０を用いた露光からセカンド露光マスク５０を用いた露光までの間に生じうる積層体１３の伸縮などにも起因して生じ得る。

次に、第２遮光部５２の幅ｅの特徴について説明する。後述するように、セカンド露光マスク５０を用いた２回目のパターニング工程は、１回目のパターニング工程の後に下側パターン２０上に存在している上側パターン３０を部分的に除去するために実施される。ところで、図１Ａに示す積層パターン基板１０と図３に示すファースト露光マスク４０との比較から明らかなように、第２領域Ｒ_２に位置する第２下側パターン２２および第２上側パターン３２の形状は、ファースト露光マスク４０を用いた１回目のパターニング工程によって画定される。すなわち、２回目のパターニング工程において、第２下側パターン２２および第２上側パターン３２またはそれらの周辺をセカンド露光マスク５０によって露光する必要はない。従って、仮に露光マスクの相対的な位置のずれが生じた場合であっても第２下側パターン２２および第２上側パターン３２がエッチングされてしまうことを防ぐため、図３に示すように、第２遮光部５２の幅ｅは、第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも十分に大きくなっている。これによって、セカンド露光マスク５０を用いた露光の際に第２下側パターン２２および第２上側パターン３２またはそれらの周辺に光が照射されるのを確実に防ぐことができる。

次に、各遮光部５１，５２，５３の幅の相対関係について説明する。セカンド露光マスク５０の各遮光部５１，５２，５３の幅に関して、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立している。例えば図３に示す例においては、ｅ＝ｆ_２＝ｆ_１＞ｄの関係が成立している。これによって、中間遮光部５３の第２遮光部５２側の端部の幅ｆ_２が、第１遮光部５１の幅ｄよりも大きくなっている。なお「大きくなっている」とは、上述の中間遮光部５３の幅ｆ_２と第２上側パターン３２の幅ｗ_２との関係の場合と同様に、露光マスクの位置のずれの程度を超えて、幅ｆ_２が幅ｄよりも大きくなっていることを意味している。
ところで上述のように、第１遮光部５１の幅ｄは、積層パターン基板１０の第１上側パターン３１の幅ｗ_１に一致しており、また第１上側パターン３１の幅ｗ_１は第２上側パターン３２の幅ｗ_２と略同一となっている。従って、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立していることは、幅ｆ_２が積層パターン基板１０の第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくなっていることを意味している。

（１回目のパターニング工程）
次に、ファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を用いて積層体１３をパターニングする工程について説明する。はじめに図４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参照して、ファースト露光マスク４０を用いる１回目のパターニング工程について説明する。

まず積層体１３を準備する。次に図４（ａ）に示すように、積層体１３上にファースト露光マスク４０を配置する。

その後、感光層１６の感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、ファースト露光マスク４０を介して感光層１６に照射する。この結果、感光層１６が、最終的に得られる下側パターン２０に対応したパターンで露光される。次に、露光された感光層１６を現像する。これによって、図４（ｂ）に示すように、最終的に得られる下側パターン２０と略同一のパターンを有するファースト感光パターン１６ａが形成される。

次に、ファースト感光パターン１６ａをマスクとして、金属層１５をエッチングする。これによって、図４（ｃ）に示すように、金属層１５がファースト感光パターン１６ａと略同一のパターンにパターニングされる。この際、エッチング液は、金属層１５を構成する材料に応じて適宜選択されるが、例えば燐酸、硝酸、酢酸および水などを所定の割合で含むエッチング液が用いられる。

次に、ファースト感光パターン１６ａをマスクとして、透明導電層１４をエッチングする。これによって、図４（ｄ）に示すように、透明導電層１４がファースト感光パターン１６ａと略同一のパターンにパターニングされる。この際、エッチング液は、透明導電層１４を構成する材料に応じて適宜選択されるが、例えば塩化第二鉄を含むエッチング液が用いられる。

（２回目のパターニング工程）
次に図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参照して、セカンド露光マスク５０を用いる２回目のパターニング工程について説明する。はじめに図５（ａ）に示すように、１回目のパターニングが実施された後の積層体１３上にセカンド露光マスク５０を配置する。

次に露光光を、セカンド露光マスク５０を介してファースト感光パターン１６ａに照射する。この結果、ファースト感光パターン１６ａのうち第１領域Ｒ_１内の部分が、最終的に得られる第１上側パターン３１に対応したパターンで露光される。次に、露光されたファースト感光パターン１６ａを現像する。これによって、図５（ｂ）に示すように、最終的に得られる上側パターン３０と略同一のパターンを有するセカンド感光パターン１６ｂが形成される。

次に、セカンド感光パターン１６ｂをマスクとして、透明導電層１４上に残っている金属層１５をエッチングする。これによって、図５（ｃ）に示すように、金属層１５がセカンド感光パターン１６ｂと略同一のパターンにパターニングされる。この際、エッチング液としては、透明導電層１４をエッチングすることなく金属層１５のみを選択的にエッチングするエッチング液が用いられ、例えば燐酸、硝酸、酢酸および水などを所定の割合で含むエッチング液が用いられる。

最後に、金属層１５上に残っているセカンド感光パターン１６ｂを除去する。これによって、図５（ｄ）に示すように、基板１２と、基板１２上に所定パターンで設けられた下側パターン２０と、下側パターン２０上に所定パターンで設けられた上側パターン３０と、を含む積層パターン基板１０が得られる。

（露光マスクの配置がずれる場合について）
ところで上述のように、露光マスクの位置決めの精度には限界がある。このため、上述した２回のパターニング工程において、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれることが考えられる。以下、そのような相対的な位置関係のずれが生じた場合における、本実施の形態の効果について説明する。

はじめに、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合について説明する。図６（ａ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれた場合を示す図であり、図６（ｂ）は、相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれた場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。

本実施の形態によれば、上述のように、ファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の第１遮光部４１側の端部の幅ｃ_１が、第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくなっている。このため、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれたとしても、図６（ｂ）に示すように、形成される第１上側パターン３１の第２領域Ｒ_２側の端部は、中間上側パターン３３の第１領域Ｒ_１側の端部に包含されている。このため、第１上側パターン３１と中間上側パターン３３との境界で上側パターン３０の幅が細くなることはない。

また本実施の形態によれば、上述のように、セカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の第２遮光部５２側の端部の幅ｆ_２が、第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくなっている。このため、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれたとしても、２回目のパターニングの際に第２上側パターン３２がエッチングされることはない。従って図６（ｂ）に示すように、形成される第２上側パターン３２の第１領域Ｒ_１側の端部は、中間上側パターン３３の第２領域Ｒ_２側の端部に包含されている。すなわち、第２上側パターン３２と中間上側パターン３３との境界で上側パターン３０の幅が細くなることはない。

このように本実施の形態によれば、ファースト露光マスク４０に中間遮光部４３が設けられ、セカンド露光マスク５０に中間遮光部５３が設けられている。これによって、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれた場合であっても、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

次に、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合について説明する。図７（ａ）は、ファースト露光マスク４０に対してセカンド露光マスク５０が上方向にずれて配置された場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。また図７（ｂ）は、ファースト露光マスク４０に対してセカンド露光マスク５０が下方向にずれて配置された場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。本実施の形態によれば、図７（ａ）（ｂ）に示すように、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が長さ方向にずれた場合であっても、くびれの無い上側パターン３０を得ることができる。

比較の形態
次に、図８（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して、本実施の形態の効果を比較の形態と比較して説明する。図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す比較の形態による各露光マスクは、中間遮光部が設けられていない点が異なるのみであり、他の構成は、上述の本実施の形態における各露光マスクと略同一である。図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す比較の形態において、上述の本実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図８（ａ）の左側には、１回目の露光工程で用いられるファースト露光マスク１４０が示されており、図８（ａ）の右側には、２回目の露光工程で用いられるセカンド露光マスク１５０が示されている。

図８（ａ）に示すように、ファースト露光マスク１４０は、光を遮蔽する遮光部１４４と、光を透過させる透光部１４５とからなっている。このうち遮光部１４４は、第１遮光部４１と第２遮光部４２とを含んでいる。このように比較の形態によるファースト露光マスク１４０の遮光部１４４においては、第１遮光部４１と第２遮光部４２との間に、上述の本実施の形態における中間遮光部４３が介在されていない。

また図８（ａ）に示すように、セカンド露光マスク１５０は、光を遮蔽する遮光部１５４と、光を透過させる透光部１５５とからなっている。このうち遮光部１５４は、第１遮光部５１と第２遮光部５２とを含んでいる。このように比較の形態によるセカンド露光マスク１５０の遮光部１５４においても、第１遮光部５１と第２遮光部５２との間に、上述の本実施の形態における中間遮光部５３が介在されていない。

図８（ｂ）（ｃ）は、図８（ａ）に示すファースト露光マスク１４０およびセカンド露光マスク１５０を用いてパターニングを実施する場合に得られる積層パターン基板１１０を示す図である。このうち図８（ｂ）は、ファースト露光マスク１４０とセカンド露光マスク１５０の相対的な位置関係にずれがない場合に得られる積層パターン基板１１０を示している。一方、図８（ｃ）は、ファースト露光マスク１４０とセカンド露光マスク１５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１１０を示している。

上述のように、ファースト露光マスク１４０を用いたパターニングにより成形される第２上側パターン３２の幅と、セカンド露光マスク１５０を用いたパターニングにより成形される第１上側パターン３１の幅は略同一になっている。このため、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合、図８（ｃ）に示すように、セカンド露光マスク１５０を用いたパターニングの対象となる領域（第２領域Ｒ_２）とならない領域（第１領域Ｒ_１）との境界で上側パターン３０の幅が狭くなってしまう。すなわち、上側パターン３０にくびれが生じてしまい、これによって上側パターン３０の電気抵抗が増加してしまうことが考えられる。

これに対して本実施の形態によれば、上述のように、ファースト露光マスク４０に中間遮光部４３が設けられ、セカンド露光マスク５０に中間遮光部５３が設けられている。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間に、少なくとも各パターン３１，３２の幅以上の幅を有する中間上側パターン３３を形成することができる。このことにより、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれた場合であっても、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間で上側パターン３０の電気抵抗が増加することを防ぐことができる。

（ファースト露光マスクの変形例）
なお本実施の形態において、ファースト露光マスク４０の各遮光部４１，４２，４３の幅に関して、ａ＞ｃ_１＝ｃ_２＞ｂの関係が成立している例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図９（ａ）に示すように、各遮光部４１，４２，４３の幅に関して、ａ＝ｃ_１＝ｃ_２＞ｂの関係が成立していてもよい。若しくは図９（ｂ）に示すように、ａ＞ｃ_１＞ｃ_２＝ｂの関係が成立していてもよい。

また本実施の形態において、ファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の長さ方向における輪郭が直線状の輪郭となっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、中間遮光部４３の幅が第２領域Ｒ_２から第１領域Ｒ_１に向かうにつれて大きくなる若しくは同一となっている限りにおいて、中間遮光部４３の長さ方向における輪郭として様々な形状が用いられ得る。例えば図９（ｃ）に示すように、中間遮光部４３の長さ方向における輪郭が曲線状の輪郭となっていてもよい。

（セカンド露光マスクの変形例）
また本実施の形態において、セカンド露光マスク５０の各遮光部５１，５２，５３の幅に関して、ｅ＝ｆ_２＝ｆ_１＞ｄの関係が成立している例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１０（ａ）に示すように、各遮光部５１，５２，５３の幅に関して、ｅ＞ｆ_２＝ｆ_１＞ｄの関係が成立していてもよい。若しくは図１０（ｂ）に示すように、ｅ＞ｆ_２＞ｆ_１＝ｄの関係が成立していてもよい。

また本実施の形態において、セカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の長さ方向における輪郭が直線状の輪郭となっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、中間遮光部５３の幅が第１領域Ｒ_１から第２領域Ｒ_２に向かうにつれて大きくなる若しくは同一となっている限りにおいて、中間遮光部５３の長さ方向における輪郭として様々な形状が用いられ得る。例えば図１０（ｃ）に示すように、中間遮光部５３の長さ方向における輪郭が曲線状の輪郭となっていてもよい。

以下、図１１（ａ）（ｂ）乃至図１３（ａ）（ｂ）を参照して、変形例によるファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０が用いられる場合に得られる積層パターン基板１０について説明する。

図１１（ａ）（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスク４０と図１０（ａ）に示すセカンド露光マスク５０が用いられる形態を示す図である。このうち図１１（ａ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれた場合を示す図であり、図１１（ｂ）は、相対的な位置関係が幅方向に距離ｓだけずれた場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。図１１（ｂ）に示すように、変形例によるファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を用いることにより、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

また図１２（ａ）（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスク４０と図１０（ａ）に示すセカンド露光マスク５０が用いられる際に、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。図１２（ａ）（ｂ）に示すように、相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合であっても、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

また図１３（ａ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスク４０と図１０（ｂ）に示すセカンド露光マスク５０が用いられる場合に得られる積層パターン基板１０を示す図であり、図１３（ｂ）は、図９（ａ）に示すファースト露光マスク４０と図１０（ｃ）に示すセカンド露光マスク５０」が用いられる場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。図１３（ａ）（ｂ）に示すように、変形例によるファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を様々に組み合わせて用いることにより、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合に、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

なお本実施の形態において、１回目のパターニング工程において、金属層１５と透明導電層１４とが順次エッチングされる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、金属層１５と透明導電層１４とが同時にエッチングされてもよい。この場合、金属層１５と透明導電層１４の両方に対する浸食性を有するエッチング液が用いられる。

第２の実施の形態
次に図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）乃至図１７（ａ）（ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。

上述の第１の実施の形態において、長さ方向におけるファースト露光マスクの中間遮光部の範囲および長さ方向におけるセカンド露光マスクの中間遮光部の範囲がそれぞれ、中間領域の範囲に一致している例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、長さ方向におけるファースト露光マスクの中間遮光部の範囲と、長さ方向におけるセカンド露光マスクの中間遮光部の範囲とが少なくとも部分的に重複していればよい。以下に説明する第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１４（ａ）の左側に示すように、本実施の形態によるファースト露光マスク４０の中間遮光部４３は、第１領域Ｒ_１と中間領域Ｒ_３との間の境界を跨ぐよう、第１領域Ｒ_１および中間領域Ｒ_３の双方に部分的に対応している。また図１４（ａ）の右側に示すように、本実施の形態によるセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３は、第２領域Ｒ_２と中間領域Ｒ_３との間の境界を跨ぐよう、第２領域Ｒ_２および中間領域Ｒ_３の双方に部分的に対応している。また図１４（ａ）に示すように、長さ方向におけるファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の範囲と、長さ方向におけるセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の範囲とが部分的に重複している。図１４（ａ）に示すように、この重複範囲が中間領域Ｒ_３に対応している。

図１４（ｂ）（ｃ）は、図１４（ａ）に示すファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を用いてパターニングを実施する場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。このうち図１４（ｂ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係にずれがない場合に得られる積層パターン基板１０を示している。一方、図１４（ｃ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１０を示している。

本実施の形態においても、第１の実施の形態の場合と同様に、ファースト露光マスク４０に中間遮光部４３が設けられ、セカンド露光マスク５０に中間遮光部５３が設けられている。また中間遮光部４３および中間遮光部５３は、露光の際に長さ方向において少なくとも部分的に重複するよう配置されている。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間に、少なくとも各パターン３１，３２の幅以上の幅を有する中間上側パターン３３を形成することができる。このことにより、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれた場合であっても、図１４（ｃ）に示すように、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間で上側パターン３０の電気抵抗が増加することを防ぐことができる。

図１５（ａ）（ｂ）は、図１４（ａ）に示すファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０が用いられる際に、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。図１５（ａ）（ｂ）に示すように、相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合であっても、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

（ファースト露光マスクおよびセカンド露光マスクの変形例）
本実施の形態においても、ファースト露光マスク４０の中間遮光部４３およびセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の具体的な形状が特に限られることはない。例えば、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）および図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す上述の第１の実施の形態の変形例の場合と同様に、様々な形状の中間遮光部４３および中間遮光部５３が採用され得る。例えば図１６（ａ）（ｂ）に示す中間遮光部４３および中間遮光部５３が設けられたファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０が用いられてもよい。

図１６（ｂ）（ｃ）は、図１６（ａ）に示すファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を用いてパターニングを実施する場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。このうち図１６（ｂ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係にずれがない場合に得られる積層パターン基板１１０を示している。一方、図１６（ｃ）は、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が幅方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１１０を示している。また図１７（ａ）（ｂ）は、図１５（ａ）に示すファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０が用いられる際に、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係が長さ方向にずれる場合に得られる積層パターン基板１０を示す図である。

本変形例においても、中間遮光部４３および中間遮光部５３は、露光の際に長さ方向において少なくとも部分的に重複するよう配置されている。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間に、少なくとも各パターン３１，３２の幅以上の幅を有する中間上側パターン３３を形成することができる。このことにより、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれた場合であっても、図１６（ｂ）（ｃ）および図１７（ａ）（ｂ）に示すように、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。

第３の実施の形態
次に図１８乃至図２４を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態においては、積層体をパターニングすることによりタッチパネルセンサを製造する例について説明する。図１８乃至図２４に示す第３の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

タッチパネルセンサ
はじめに図１８を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ６０全体について説明する。図１８は、タッチパネルセンサ６０を示す平面図である。

タッチパネルセンサ６０は、タッチパネルセンサ６０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ６０は、基板１２と、基板１２上に所定のパターンで設けられ、接触位置などのいわゆるタッチを検出する透明導電パターン６１，６２と、透明導電パターン６１，６２にそれぞれ電気的に接続された取出導電パターン６３，６４と、を備えている。このうち基板１２の一側（例えば観察者側）に設けられているパターンが、ｘ方向に延びる複数の一側透明導電パターン６１と、各一側透明導電パターン６１に接続された複数の一側取出導電パターン６３となっている。また、基板１２の他側（例えば表示部側）に設けられているパターンが、ｙ方向に延びる複数の他側透明導電パターン６２と、各他側透明導電パターン６２に接続された複数の他側取出導電パターン６４となっている。また、一側透明導電パターン６１および他側透明導電パターン６２からの信号を外部へ取り出すための一側端子部６５および他側端子部６６が、それぞれ一側取出導電パターン６３および他側取出導電パターン６４に接続されている。なお図１８においては、基板１２の他側に設けられている構成要素が点線で表されている。

図１８に示すように、基板１２上の領域は、表示部（図示せず）からの映像が表示される表示領域Ｔ_０であって、タッチを検出する一側透明導電パターン６１および他側透明導電パターン６２が配置される表示領域Ｔ_０と、表示領域Ｔ_０の周囲に形成され、一側取出導電パターン６３および他側取出導電パターン６４が配置される配線領域Ｔ_１と、配線領域Ｔ_１の外側に形成され、一側端子部６５および他側端子部６６が配置される端子領域Ｔ_２と、に区画される。このうち配線領域Ｔ_１および端子領域Ｔ_２は、表示部からの映像が表示されない非表示領域となっている。図１８に示すように、一側取出導電パターン６３および他側取出導電パターン６４は、配線領域Ｔ_１から端子領域Ｔ_２へ延びている。

上述のように、一側透明導電パターン６１および他側透明導電パターン６２は、表示部からの映像が表示される表示領域Ｔ_０に設けられている。このため、一側透明導電パターン６１および他側透明導電パターン６２は、導電性および透光性を有する透明導電材料から構成されている。一方、上述のように、一側取出導電パターン６３、他側取出導電パターン６４、一側端子部６５および他側端子部６６は、表示部からの映像が表示されない非表示領域に設けられている。このため、取出導電パターン６３，６４および端子部６５，６６を構成する材料が透光性を有する必要はない。従って取出導電パターン６３，６４および端子部６５，６６は一般に、透透明導電材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。

（一側の構成要素）
次に図１８および図１９を参照して、タッチパネルセンサ６０の各構成要素のうち基板１２の一側に設けられているさらなる構成要素について説明する。図１９は、基板１２の一側に設けられている構成要素を示す平面図である。

（シールドパターン）
図１９に示すように、基板１２の一側の配線領域Ｔ_１には一側シールドパターン７１が設けられている。この一側シールドパターン７１は、図１８から見て取れるように、基板１２の他側に設けられている上述の他側取出導電パターン６４を、基板１２の法線方向から見て覆うよう形成されている。このような一側シールドパターン７１を設けることにより、タッチパネルセンサ６０の一側において生じるノイズが基板１２の他側の他側取出導電パターン６４に伝達されることを防ぐことができる。例えば、指などの外部導体が基板１２の一側の一側透明導電パターン６１にタッチし、この際の容量変化に基づいて基板１２の一側でノイズが発生したとしても、このノイズが、基板１２の他側の他側取出導電パターン６４に伝達されることを防ぐことができる。これによって、基板１２の他側における検出の感度を向上させることができる。

このような一側シールドパターン７１は、好ましくは、透光性を有する材料から構成される。例えば、一側透明導電パターン６１を構成する透明導電材料と同一の透明導電材料から構成される。これによって、タッチパネルセンサ６０の製造工程において、一側シールドパターン７１の反対側に形成される他側取出導電パターン６４を視認することが可能となり、このことにより、他側取出導電パターン６４の断線チェックなどを簡易に実施することができる。

フォトリソグラフィー法を用いてタッチパネルセンサ６０が製造される場合、一側透明導電パターン６１および一側シールドパターン７１は、例えば積層体１３の透明導電層１４をパターニングすることにより同時に形成される。これによって、より少ない工数で一側透明導電パターン６１および一側シールドパターン７１を形成することが可能となる。

（ダミーパターン）
また図１９に示すように、複数の一側取出導電パターン６３のうち最も外側にある各一側取出導電パターン６３のさらに外側に、一側ダミーパターン７３が設けられている。この一側ダミーパターン７３は、最も外側にある各一側取出導電パターン６３に部分的に沿って延びるとともに、上述した一側シールドパターン７１に接続されるよう形成されている。また一側ダミーパターン７３は、配線領域Ｔ_１から端子領域Ｔ_２へ延び、そして一側端子部７５に接続されている。一側端子部７５は、適切な配線（図示せず）などを介して接地されている。

このような一側ダミーパターン７３は、各一側取出導電パターン６３における寄生容量の偏差を低減するという目的のために設けられるものである。以下、この目的について説明する。

図１９に示すように、複数の一側取出導電パターン６３のうち最も外側にある各一側取出導電パターン６３においては、隣接する一側取出導電パターン６３が片側にしか形成されていない。このため、仮に一側ダミーパターン７３が設けられていないとする場合、最も外側にある各一側取出導電パターン６３において形成される静電容量は、その他の一側取出導電パターン６３において形成される静電容量よりも小さくなってしまう。この場合、最も外側にある各一側取出導電パターン６３に対応する一側透明導電パターン６１をスキャンする際の容量検出感度が、その他の一側取出導電パターン６３に対応する一側透明導電パターン６１をスキャンする際の容量検出感度と異なることが考えられる。
ここで本実施の形態によれば、最も外側にある各一側取出導電パターン６３のさらに外側に、一側ダミーパターン７３が設けられている。このため、最も外側にある各一側取出導電パターン６３において形成される静電容量と、その他の一側取出導電パターン６３において形成される静電容量とをほぼ等しくすることができる。これによって、一側透明導電パターン６１による検出感度が向上することが期待される。

このような一側ダミーパターン７３は、好ましくは、一側取出導電パターン６３を構成する金属材料と同一の金属材料から、一側取出導電パターン６３と略同一のパターン幅で形成される。これによって、寄生容量の偏差を低減するという効果をより高めることができる。

また上述のように、一側ダミーパターン７３は一側シールドパターン７１に接続されている。これによって、一側ダミーパターン７３を介して一側シールドパターン７１を低抵抗で接地することができ、このことにより、一側シールドパターン７１のシールド効果を高めることができる。

フォトリソグラフィー法を用いてタッチパネルセンサ６０が製造される場合、一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５は、例えば積層体１３の金属層１５をパターニングすることにより同時に形成される。これによって、より少ない工数で一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５を形成することが可能となる。

ところでフォトリソグラフィー法を用いてタッチパネルセンサ６０が製造される場合、一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５と基板１２との間には、一般に透明導電層１４が介在される。なぜなら、これによって、一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５における電気抵抗を、透明導電層１４の分だけ低減することができるからである。このようにタッチパネルセンサ６０において、一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５は、一側透明導電パターン６１および一側シールドパターン７１を含むパターニングされた透明導電層１４上に設けられたパターンとなっている。すなわち、一側透明導電パターン６１および一側シールドパターン７１を含むパターニングされた透明導電層１４は、上述の第１の実施の形態における下側パターン２０に相当しており、一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５は、上述の第１の実施の形態における上側パターン３０に相当している。

なお図１９に示すように、積層体１３の金属層１５をパターニングして一側取出導電パターン６３、一側端子部６５、一側ダミーパターン７３および一側端子部７５を形成する際、同時に一側アライメントマーク６７が形成されてもよい。この一側アライメントマーク６７は、例えば、タッチパネルセンサ６０を表示部（図示せず）に組み合わせる際のアライメントマークとして利用される。

（他側の構成要素）
次に図１８および図２０を参照して、タッチパネルセンサ６０の各構成要素のうち基板１２の他側に設けられているさらなる構成要素について説明する。図２０は、基板１２の他側に設けられている構成要素を示す平面図である。なお便宜上、図２０には、基板１２の一側から見た場合のパターン形状が示されている。

（シールドパターン）
図２０に示すように、基板１２の他側の配線領域Ｔ_１には他側シールドパターン７２が設けられている。この他側シールドパターン７２は、図１８から見て取れるように、基板１２の一側に設けられている上述の一側取出導電パターン６３を、基板１２の法線方向から見て覆うよう形成されている。このような他側シールドパターン７２を設けることにより、タッチパネルセンサ６０の他側において生じるノイズが基板１２の一側の一側取出導電パターン６３に伝達されることを防ぐことができる。例えば、表示部から放射されるノイズが基板１２の一側の一側取出導電パターン６３に伝達されることを防ぐことができる。これによって、基板１２の一側における検出の感度を向上させることができる。

他側シールドパターン７２の製造方法や材料は、上述の一側シールドパターン７１の場合と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

（ダミーパターン）
また図２０に示すように、複数の他側取出導電パターン６４のうち最も外側にある他側取出導電パターン６４のさらに外側に、他側ダミーパターン７４が設けられている。この他側ダミーパターン７４は、最も外側にある各他側取出導電パターン６４に部分的に沿って延びるとともに、上述した他側シールドパターン７２に接続されるよう形成されている。また他側ダミーパターン７４は、配線領域Ｔ_１から端子領域Ｔ_２へ延び、そして他側端子部７６に接続されている。

この他側ダミーパターン７４により、上述の一側ダミーパターン７３の場合と同様に、各他側取出導電パターン６４における寄生容量の偏差を低減するとともに、他側シールドパターン７２を低抵抗で接地することができる。

他側ダミーパターン７４および他側端子部７６の製造方法や材料は、上述の一側ダミーパターン７３および一側端子部７５の場合と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

また図２０に示すように、金属層をパターニングして他側取出導電パターン６４、他側端子部６６、他側ダミーパターン７４および他側端子部７６を形成する際、同時に他側アライメントマーク６８や他側ＩＤ領域７０が形成されてもよい。他側アライメントマーク６８は、例えば、タッチパネルセンサ６０を表示部（図示せず）に組み合わせる際のアライメントマークとして利用される。また他側ＩＤ領域７０は、タッチパネルセンサ６０の製品名や製造番号などのＩＤ情報を表示するよう利用される。

タッチパネルセンサの製造方法
次にタッチパネルセンサ６０の製造方法について説明する。本実施の形態によるタッチパネルセンサ６０は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体をパターニングすることにより得られる。

（積層体）
積層体としては、図２Ｂにおいて一点鎖線で示すように、上述の第１の実施の形態において説明した積層体１３の基板１２の他側にさらに、透明導電層１７、金属層１８および感光層１９が設けられた積層体が用いられる。この場合、透明導電層１４および金属層１５をパターニングすることにより、基板１２の一側の各パターンが得られ、透明導電層１７および金属層１８をパターニングすることにより、基板１２の他側の各パターンが得られる。透明導電層１７および金属層１８をパターニングする方法と、透明導電層１４および金属層１５をパターニングする方法は略同一となっているので、ここでは、透明導電層１４および金属層１５をパターニングして基板１２の一側の各パターンを形成する方法について説明する。

（露光マスク）
本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に２回の露光工程が実施される。１回目の露光工程においては、図２１に示すファースト露光マスク４０が使用され、２回目の露光工程においては、図２２に示すセカンド露光マスク５０が使用される。

図２１に示すように、ファースト露光マスク４０は、光を遮蔽する遮光部４４と、光を透過させる透光部４５とからなっている。図１９と図２１の対比から明らかなように、遮光部４４は、基板１２の一側に形成される、透明導電層１４からなる下側パターン２０のパターン形状に一致する形状を有している。

図２２に示すように、セカンド露光マスク５０も、光を遮蔽する遮光部５４と、光を透過させる透光部５５とからなっている。図１９と図２２の対比から明らかなように、セカンド露光マスク５０は、透明導電層１４のうち一側透明導電パターン６１および一側シールドパターン７１となるべき領域上の感光層１６を除去するよう構成されている。

上述のファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を用いてパターニングを実施することにより、図１９に示す基板１２の一側の各パターンが形成される。具体的なパターニング方法は、上述の第１の実施の形態におけるパターニング方法と同一であるので、詳細な説明は省略する。

ところでタッチパネルセンサ６０においても、上述の第１の実施の形態において示される第１領域Ｒ_１および第２領域Ｒ_２に相当する領域が形成され得る。例えば図１９において一点鎖線で囲まれている、配線領域Ｔ_１と端子領域Ｔ_２との境界近傍の領域であって、一側ダミーパターン７３を含む領域である。図２３は、この領域を拡大して示す図である。

図２３に示す領域において、配線領域Ｔ_１における一側ダミーパターン７３（以下、第１ダミーパターン７３ａ）の幅は、その下に位置する一側シールドパターン７１の幅よりも小さくなっている。また端子領域Ｔ_２における一側ダミーパターン７３（以下、第２ダミーパターン７３ｂ）の幅は、その下に位置する透明導電層１４の幅と略同一となっている。また第１ダミーパターン７３ａの幅は、第２ダミーパターン７３ｂの幅と略同一になっている。従って、図２３に示す例において、配線領域Ｔ_１が第１の実施の形態における第１領域Ｒ_１に相当しており、端子領域Ｔ_２が第１の実施の形態における第２領域Ｒ_２に相当していると言える。従って、図２３に示す領域のパターニングを実施する際、ファースト露光マスク４０とセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれると、得られる一側ダミーパターン７３にくびれが形成されることが考えられる。

このような懸念に対応するため、本実施の形態においても、図２３に示すように、第１ダミーパターン７３ａと第２ダミーパターン７３ｂとの間に中間ダミーパターン７３ｃが介在されている。この中間ダミーパターン７３ｃの幅は、図２３に示すように、第１ダミーパターン７３ａおよび第２ダミーパターン７３ｂの幅以上となっている。すなわち本実施の形態においても、配線領域Ｔ_１と端子領域Ｔ_２との間に、第１の実施の形態における中間領域Ｒ_３に相当する中間領域Ｔ_３が介在されている。

図２４（ａ）（ｂ）は、上述の中間ダミーパターン７３ｃを得るために用いられるファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０を示す図である。図２４（ａ）に示すように、ファースト露光マスク４０のうち中間ダミーパターン７３ｃに対応する部分には中間遮光部４３が形成されている。また図２４（ｂ）に示すように、セカンド露光マスク５０のうち中間ダミーパターン７３ｃに対応する部分には中間遮光部５３が形成されている。これによって、本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、ファースト露光マスク４０に対するセカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれた場合であっても、くびれの無い一側ダミーパターン７３を得ることができる。

なお、ファースト露光マスク４０の中間遮光部４３およびセカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の具体的な形状が特に限られることはなく、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）および図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す上述の第１の実施の形態の変形例の場合と同様に、様々な形状の中間遮光部４３および中間遮光部５３が採用され得る。

また本実施の形態において、配線領域Ｔ_１と端子領域Ｔ_２との境界近傍の領域であって、一側ダミーパターン７３を含む領域に、上述の第１の実施の形態において示される第１領域Ｒ_１および第２領域Ｒ_２に相当する領域が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、タッチパネルセンサ６０の様々な領域において、上述の第１の実施の形態において示される第１領域Ｒ_１および第２領域Ｒ_２に相当する領域が形成され得る。すなわち、タッチパネルセンサ６０の様々な領域において、上述の第１の実施の形態において示した積層パターン基板の製造方法が適用され得る。

また上述の各実施の形態において、セカンド感光パターン１６ｂが、はじめに、上側パターン３０上に残っているファースト感光パターン１６ａをセカンド露光マスク５０を用いて露光し、その後、露光されたファースト感光パターン１６ａを現像することにより形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、１回目のパターニング工程の後、上側パターン３０上に残っているファースト感光パターン１６ａを除去し、次に、上側パターン３０上に新たに追加で光溶解型の感光層（図示せず）を設け、その後、この追加の感光層をセカンド露光マスク５０を用いて露光し、そして、露光された追加の感光層を現像することによりセカンド感光パターン１６ｂが形成されてもよい。
なお、上側パターン３０上に新たに追加で光溶解型の感光層を設ける方法は特に限定されず、様々な公知の方法が用いられ得る。例えば、感光層の材料が溶解している感光液中に積層体１３を浸漬させる方法、いわゆるディップコート法により、上側パターン３０上に新たに追加で光溶解型の感光層が設けられる。なおディップコート法を用いる場合、上側パターン３０上にファースト感光パターン１６ａが残っていたとしても、積層体１３が感光液中に浸漬されている間にファースト感光パターン１６ａが感光液中に溶解され得る。すなわち、ディップコート法を用いる場合、上側パターン３０上に残っているファースト感光パターン１６ａを除去することと、上側パターン３０上に新たに追加で光溶解型の感光層（図示せず）を設けることとを同時に実施することができる。またディップコート法を用いる場合、基板１２の両側に同時に感光層を同時に設けることができる。従って、上述の第３の実施の形態のように基板１２の両側に感光層が設けられる場合、ディップコート法が好ましく用いられる。

また上述の各実施の形態において、感光層１６として光溶解型の感光層が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、感光層１６として光硬化型の感光層が用いられてもよい。
なお光硬化型の感光層が用いられる場合、当業者にとって自明なことではあるが、ファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０における遮光部と透光部のパターンが反転されることになる。従って、光硬化型の感光層が用いられる場合、中間遮光部ではなく中間透光部がファースト露光マスク４０およびセカンド露光マスク５０に設けられる。
また光硬化型の感光層が用いられる場合、１回目のパターニング工程の後、残っている感光層が除去されることになる。その後、２回目のパターニング工程において、新たな感光層が設けられ、そしてセカンド露光マスクによって感光層が露光される。

１０ 積層パターン基板
１２ 基板
１３ 積層体
１４ 透明導電層（下側層）
１５ 金属層（上側層）
１６ 感光層
２０ 下側パターン
２１ 第１下側パターン
２２ 第２下側パターン
２３ 中間下側パターン
３０ 上側パターン
３１ 第１上側パターン
３２ 第２上側パターン
３３ 中間上側パターン
４０ ファースト露光マスク
４１ 第１遮光部
４２ 第２遮光部
４３ 中間遮光部
４４ 遮光部
４５ 透光部
５０ セカンド露光マスク
５１ 第１遮光部
５２ 第２遮光部
５３ 中間遮光部
５４ 遮光部
５５ 透光部
６０ タッチパネルセンサ
６１ 一側透明導電パターン
６２ 他側透明導電パターン
６３ 一側取出導電パターン
６４ 他側取出導電パターン
６５ 一側端子部
６６ 他側端子部
６７ 一側アライメントマーク
６８ 他側アライメントマーク
７０ 他側ＩＤ領域
７１ 一側シールドパターン
７２ 他側シールドパターン
７３ 一側ダミーパターン
７４ 他側ダミーパターン
７５ 一側端子部
７６ 他側端子部
Ｒ_１ 第１領域
Ｒ_２ 第２領域
Ｒ_３ 中間領域
Ｔ_０ 表示領域
Ｔ_１ 配線領域
Ｔ_２ 端子領域
Ｔ_３ 中間領域

Claims (14)

1. 基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含む積層パターン基板を製造する方法において、 前記基板上の領域は少なくとも、第１領域と、第２領域と、第１領域と第２領域の間に位置する中間領域と、に区画され、
   前記上側パターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びており、
   前記第１領域における前記上側パターンの幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅と略同一となっており、
   前記第１領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、
   前記第２領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅と略同一になっており、
   前記積層パターン基板の製造方法は、
   前記基板と、前記基板上に設けられた下側層と、前記下側層上に設けられた上側層と、前記上側層上に設けられた光溶解型の感光層と、を有する積層体を準備する工程と、
   遮光部と透光部とを有するファースト露光マスクを用いて前記感光層を露光する工程と、
   前記露光された感光層を現像してファースト感光パターンを形成する工程と、
   前記ファースト感光パターンをマスクとして前記上側層および前記下側層をエッチングする工程と、
   パターニングされた上側層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有するセカンド感光パターンを形成する工程と、
   前記セカンド感光パターンをマスクとして前記上側層をさらにエッチングする工程と、を備え、
   前記セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含むセカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、
   前記ファースト露光マスクの遮光部および前記セカンド露光マスクの遮光部はそれぞれ、露光の際に少なくとも部分的に前記中間領域に配置される中間遮光部を含み、
   前記ファースト露光マスクの前記中間遮光部の前記第１領域側の端部の幅は、前記第１領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、
   前記セカンド露光マスクの前記中間遮光部の前記第２領域側の端部の幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっていることを特徴とする積層パターン基板の製造方法。
2. 前記ファースト露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、
   前記セカンド露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、
   前記ファースト露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をａとし、前記第２遮光部の幅をｂとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｃ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｃ_２とするとき、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立しており、
   前記セカンド露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をｄとし、前記第２遮光部の幅をｅとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｆ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｆ_２とするとき、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立していることを特徴とする請求項１に記載の積層パターン基板の製造方法。
3. 前記上側パターンが延びる方向における前記ファースト露光マスクの中間遮光部の範囲と、前記上側パターンが延びる方向における前記セカンド露光マスクの中間遮光部の範囲とが一致していることを特徴とする請求項１または２に記載の積層パターン基板の製造方法。
4. 前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記上側層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層パターン基板の製造方法。
5. 前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記上側層上に残っている前記ファースト感光パターンを前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記ファースト感光パターンを現像することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層パターン基板の製造方法。
6. 基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含むタッチパネルセンサを製造する方法において、
   前記下側パターンは、透光性および導電性を有する透明導電材料からなり、
   前記上側パターンは、遮光性および導電性を有する金属材料からなり、
   前記基板上の領域は少なくとも、第１領域と、第２領域と、第１領域と第２領域の間に位置する中間領域と、に区画され、
   前記上側パターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びており、
   前記第１領域における前記上側パターンの幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅と略同一となっており、
   前記第１領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、
   前記第２領域において、前記下側パターンの幅は、前記上側パターンの幅と略同一になっており、
   前記タッチパネルセンサの製造方法は、
   前記基板と、前記基板上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられた光溶解型の感光層と、を有する積層体を準備する工程と、
   遮光部と透光部とを有するファースト露光マスクを用いて前記感光層を露光する工程と、
   前記露光された感光層を現像してファースト感光パターンを形成する工程と、
   前記ファースト感光パターンをマスクとして前記透明導電層および前記金属層をエッチングする工程と、
   パターニングされた前記金属層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有するセカンド感光パターンを形成する工程と、
   前記セカンド感光パターンをマスクとして前記金属層をさらにエッチングする工程と、を備え、
   前記セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含むセカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、
   前記ファースト露光マスクの遮光部および前記セカンド露光マスクの遮光部はそれぞれ、露光の際に少なくとも部分的に前記中間領域に配置される中間遮光部を含み、
   前記ファースト露光マスクの前記中間遮光部の前記第１領域側の端部の幅は、前記第１領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっており、
   前記セカンド露光マスクの前記中間遮光部の前記第２領域側の端部の幅は、前記第２領域における前記上側パターンの幅よりも大きくなっていることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
7. 前記ファースト露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、
   前記セカンド露光マスクは、前記中間遮光部と、前記中間遮光部の前記第１領域側の端部に接続される第１遮光部と、前記中間遮光部の前記第２領域側の端部に接続される第２遮光部と、を含み、
   前記ファースト露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をａとし、前記第２遮光部の幅をｂとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｃ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｃ_２とするとき、ａ≧ｃ_１≧ｃ_２＞ｂまたはａ≧ｃ_１＞ｃ_２≧ｂの関係が成立しており、
   前記セカンド露光マスクにおいて、前記第１遮光部の幅をｄとし、前記第２遮光部の幅をｅとし、前記中間遮光部の前記第１遮光部側の端部の幅をｆ_１とし、前記中間遮光部の前記第２遮光部側の端部の幅をｆ_２とするとき、ｅ≧ｆ_２≧ｆ_１＞ｄまたはｅ≧ｆ_２＞ｆ_１≧ｄの関係が成立していることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
8. 前記上側パターンが延びる方向における前記ファースト露光マスクの中間遮光部の範囲と、前記上側パターンが延びる方向における前記セカンド露光マスクの中間遮光部の範囲とが一致していることを特徴とする請求項６または７に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
9. 前記セカンド感光パターンは、はじめに、前記ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記金属層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のタッチパネルセンサの製造方法。
10. 前記セカンド感光パターンは、はじめに、エッチングされた前記金属層上に残っている前記ファースト感光パターンを前記セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記ファースト感光パターンを現像することにより形成されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のタッチパネルセンサの製造方法。
11. 前記下側パターンは、多列に並べられ、各々が所定方向に延びる複数の透明導電パターンと、シールドパターンと、を有し、
    前記上側パターンは、各透明導電パターンに接続された取出導電パターンと、前記シールドパターンを少なくとも部分的に覆うとともに、前記各取出導電パターンのうち最も外側に位置する取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びるダミーパターンと、を有し、
    前記シールドパターンは前記第１領域内に設けられており、
    前記ダミーパターンは、前記第１領域から前記中間領域を通って前記第２領域へ延びていることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のタッチパネルセンサの製造方法。
12. 基板と、基板上に所定パターンで設けられた下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられた上側パターンと、を含む積層パターン基板において、
    前記基板上の領域は少なくとも、第１領域と、第２領域と、第１領域と第２領域の間に位置する中間領域と、に区画され、
    下側パターンは、第１領域に位置する第１下側パターンと、中間領域に位置する中間下側パターンと、第２領域に位置する第２下側パターンとを含み、下側パターンは、第１領域から中間領域を通って第２領域へ連続的に延びており、
    上側パターンは、第１領域に位置する第１上側パターンと、中間領域に位置する中間上側パターンと、第２領域に位置する第２上側パターンを含み、上側パターンは、第１領域から中間領域を通って第２領域へ連続的に延びており、
    第１下側パターンの幅は、第１上側パターンの幅よりも大きくなっており、
    第２下側パターンの幅は、第２上側パターンの幅と略同一となっており、
    第１上側パターンの中間領域側の端部の幅は、第２上側パターンの中間領域側の端部の幅と略同一となっており、
    中間下側パターンの幅は、第２下側パターンの幅以上となっており、
    中間上側パターンの幅は、全域にわたって、第１上側パターンの中間領域側の端部の幅および第２上側パターンの中間領域側の端部の幅以上となっており、かつ、少なくとも部分的に、第１上側パターンの中間領域側の端部の幅および第２上側パターンの中間領域側の端部の幅よりも大きくなっていることを特徴とする積層パターン基板。
13. 中間上側パターンの第２領域側の端部の幅は、中間下側パターンの第２領域側の端部の幅と略同一となっていることを特徴とする請求項１２に記載の積層パターン基板。
14. 中間下側パターンの第１領域側の端部の幅は、中間上側パターンの第１領域側の端部の幅よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の積層パターン基板。

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