JP2015025944A - バイナリーマスク及びその製造方法 - Google Patents
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(特許文献1、特許文献2)。別の対策としては、解像限界以下のダミーパターンで孤立した遮光膜パターンを連結する技術が開示されている(特許文献3)。ガラス基板の外縁に設けられたダミーパターンが、被露光基板に転写されると切断除去する必要があり、多面付けで製造する場合、生産効率、面付け効率が低下するという問題がある。
当該マスクは、タッチパネルの銅配線形成用のマスクである。
開口部を透過する露光光の照射でネガ型感光性レジストが解像する解像限界以上の線幅を有する開口部と、
前記開口部の中に、遮光部同士を連結する解像限界以下の線幅を有する第二の遮光部と、を備えたことを特徴とするバイナリーマスクとしたものである。
遮光部に露光光が遮光されて未照射でポジ型感光性レジストが解像する解像限界以上の線幅を有する遮光部と、
開口部の中に、前記遮光部同士を連結する解像限界以下の線幅を有する第二の遮光部と、を備えたことを特徴とするバイナリーマスクとしたものである。
したがって、このバイナリーマスクを用いて高精度の銅配線パターンを有するフィルム状タッチパネルを安価に製造できる。
このタッチパネルを備える表示装置は、センサー部分が高感度で、表示部が明るく高い視認性を有するという効果がある。
本発明は、静電容量型タッチパネルに係るが、タッチパネルは、図3に示すように透明基板5あるいは透明フィルム上にストライプ状の銅配線6をXYマトリックス状に交差するように配設したものである。銅配線6は、線幅dが概ね3〜10μmで厚みが7,8μmの銅配線6が150〜500μm程度のピッチpでX方向とY方向に配置されている。マトリックスの交点で上下の銅配線6同士が接触しないように絶縁層7で隔てられている必要があるが、x、y方向のピッチpは同じである必要はなく銅配線6は折れ曲がってもよい。基板あるいはフィルム5が薄ければ、基板の表裏にストライプ状に銅配線6を敷設することもできる。
波長λの光の理論上の解像限界Δは、概ねΔ=λ/(2×NA)程度で、これより狭い領域は露光しても感光したとは言えない。NAはレンズの開口数である。
ポジ型感光性レジストは、露光光に照射された部分3の溶解性が増してアルカリ現像液に溶出し、遮光部2で遮光された未露光領域のレジストがそのままパターンとして残るタイプである。したがって、遮光部2の線幅dが解像限界以上であるとは、遮光部2直下のレジスト領域が溶解せずにほぼ同じ幅(形状)で残る線幅という意味である。これ以下の線幅では、遮光部エッジの回折光の影響でパターンが崩れるかほとんど残らないという線幅である。
2、遮光部
3、開口部
4、第二の遮光部
5、透明フィルム(又は透明基板)
6、銅配線
7、絶縁層
10、タッチパネル
d、マスク上の銅配線の幅
p、マスク上の銅配線のピッチ
Claims (4)
- フォトリソ法を用いて、透明基板上に遮光性金属からなるタッチセンサー用電極を形成する際に使用するバイナリーマスクであって、
開口部を透過する露光光の照射でネガ型感光性レジストが解像する解像限界以上の線幅を有する開口部と、
前記開口部の中に、遮光部同士を連結する解像限界以下の線幅を有する第二の遮光部と、を備えたことを特徴とするバイナリーマスク。 - フォトリソ法を用いて、透明基板上に遮光性金属からなるタッチセンサー用電極を形成する際に使用するバイナリーマスクであって、
遮光部に露光光が遮光されて未照射でポジ型感光性レジストが解像する解像限界以上の線幅を有する遮光部と、
開口部の中に、前記遮光部同士を連結する解像限界以下の線幅を有する第二の遮光部と、を備えたことを特徴とするバイナリーマスク。 - 露光光の光源が高圧水銀ランプであって、前記解像限界以上の線幅が5μm以上で、解像限界以下の線幅が2μm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のバイナリーマスク。
- 請求項1又は請求項3に記載のバイナリーマスクの製造方法であって、解像限界以下の線幅を有する遮光部をフォトリソ法で製造するに当たり、前記遮光部に対応する部分のネガ型感光性レジストの露光に近接場光を用いることを特徴とするバイナリーマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2013155363A JP2015025944A (ja) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | バイナリーマスク及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-07-26 JP JP2013155363A patent/JP2015025944A/ja active Pending
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