JP4978290B2 - フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び液晶表示装置 - Google Patents

フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び液晶表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示装置用カラーフィルタにブラックマトリックスを製造するために用いるフォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置に関する。
特許文献1などの従来の液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ4は、図1の断面図に模式的に示すように、透明基板40上にブラックマトリックス41が形成されている。そして、ブラックマトリックス41は、カラーフィルタ4の着色画素層42の島状の領域の間隙の帯状の線が縦横に形成された格子状のパターンのマトリックス部41Aと、着色画素層42が形成された領域(表示部)の周辺部を囲む幅が広い額縁部41Bとで構成されている。ブラックマトリックス41は、カラーフィルタ4の着色画素層42の個々の着色画素の位置を定め、個々の着色画素の大きさを均一なものにする機能を有する。また、ブラックマトリックス41は、液晶表示装置に用いられた際に、好ましくない光を遮蔽し、表示装置の画像をムラのない均一な、且つコントラストを向上させた画像にする機能を有している。
図3の断面図のように、ブラックマトリックス41の製造工程は、先ず、透明基板40の面上にブラックマトリックス41の材料としてのクロム(Cr)、酸化クロム(CrOx)などの金属、もしくは金属化合物を薄膜状に成膜した金属性薄膜10を形成する。次に、金属性薄膜10の面上にポジ型のフォトレジストのポジ型感光性樹脂組成物層を塗布しプリベークする。次に、図3(a)のように、フォトマスクを介してそのポジ型感光性樹脂組成物層を露光・現像しポストベークして線状のエッチングレジストパターン61を形成する。次に、図3(b)のように、この線状のエッチングレジストパターン61により保護した金属性薄膜10の露出部分をエッチングし、次に剥離液で線状のエッチングレジストパターン61を剥離し金属性薄膜10からなるブラックマトリックス41を形成する。
このポジ型感光性樹脂組成物層にフォトマスクのパターンを露光するパターン露光に用いるフォトマスクは、透明基板40のサイズと略同程度のサイズのフォトマスクを用いて、カラーフィルタ4の画面全体を1回の露光で一括して行う、所謂、一括露光法が用いられている。一括露光法では、透明基板40に形成したポジ型感光性樹脂組成物層の上方に、近接露光のギャップを開けてフォトマスクを配置し、フォトマスクのパターンが形成された膜面を透明基板40のポジ型フォトレジストの塗布膜に対向させて下に向けて近接露光する。
以下に公知文献を記す。
特開平11−72608号公報
携帯端末用などの小型、高精細な液晶表示装置に用いるカラーフィルタ4では、ブラックマトリックス41の幅を6μm未満の5μmや4μmに形成する必要がある。しかし、透明基板40の上方に設置するフォトマスクとの間にギャップ(G)を設けた近接露光によって、均一なパターンを形成する際には、露光装置における露光強度の面内バラツキ、露光光のディグリネーション(平行度)、ギャップ(G)の面内バラツキなどが重要な要
素となってくる。このようなギャップ(G)を設けた近接露光法によって、パターンを形成する際には、露光光の回折の影響を受けるので、形成できるパターンの幅は制約され、ギャップ(G)の幅が100μm程度で得られるブラックマトリックス41の幅は6μm程度が限度であった。そのため、ブラックマトリックス41の幅を更に細線に形成する技術が必要である。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高精細な液晶表示装置に用いる高精細なカラーフィルタ4を製造することを目的とする。その高精細なカラーフィルタ4は幅が6μm未満のブラックマトリックス41が必要である。金属性薄膜10をエッチングしてそのブラックマトリックス41を形成するために、ポジ型のフォトレジスト層をフォトマスクにより近接露光で露光・現像して幅が細い線状のエッチングレジストパターン61を形成する。そうして、幅が6μm未満のブラックマトリックス41を形成したカラーフィルタ4を製造することを課題とするものである。また、このカラーフィルタ4を備えた高精細な液晶表示装置を製造することを課題とする。
本発明は、フォトマスクの近接露光法を用いたフォトリソグラフィ法により、ポジ型フォトレジスト層を露光・現像して所望形状の線状のエッチングレジストパターンを形成してブラックマトリックスを形成する際に使用するフォトマスクにおいて、そのポジ型フォトレジスト層により線状のエッチングレジストパターンを形成するためのフォトマスクの遮光パターンとして、フォトマスクの光透過領域中に、幅が4.0μm〜9.0μmの幅を有し、その中央にスリット状に光透過部を設けた二本線ストライプ状の遮光パターンを形成したフォトマスクである。
すなわち、本発明は、透明基板上に金属性薄膜を形成する第1の工程と、前記金属性薄膜面上にポジ型感光性樹脂組成物層を形成する第2の工程と、前記ポジ型感光性樹脂組成物層にフォトマスクのパターンを近接露光法により露光・現像することで線状パターンとしたエッチングレジストを形成する第3の工程と、前記エッチングレジストをマスクにして前記金属性薄膜をエッチングすることで前記透明基板上にブラックマトリックスを形成する第4の工程と、前記エッチングレジストを剥離する第5の工程と、前記透明基板上に着色画素層を形成する第6の工程を具備し、前記ポジ型感光性樹脂組成物層を露光するのに用いる露光光の波長をλとし、λが430nm以下の露光光に対して、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂組成物層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とし、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成し、前記フォトマスクにより、幅が6μm未満の前記ブラックマトリックスを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。
また、本発明は、透明基板上にポジ型感光性樹脂遮光層を形成する第1の工程と、前記
ポジ型感光性樹脂遮光層にフォトマスクのパターンを近接露光法により露光・現像することで前記透明基板上にブラックマトリックスを形成する第2の工程と、前記透明基板上に着色画素層を形成する第3の工程を具備し、前記ポジ型感光性樹脂遮光層を露光するのに用いる露光光の波長をλとし、λが430nm以下の露光光に対して、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂遮光層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とし、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成し、前記フォトマスクにより、幅が6μm未満の前記ブラックマトリックスを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。
また、本発明は、透明基板上に形成した金属性薄膜上に設けたポジ型感光性樹脂組成物層にフォトマスクのパターンを波長λが430nm以下の露光光により、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂組成物層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とした近接露光法により露光・現像することで線状パターンとしたエッチングレジストを形成し、前記エッチングレジストをマスクにして前記金属性薄膜をエッチングし、次に、前記ポジ型感光性樹脂組成物層の被露光部分を除去することにより前記エッチングレジストのブラックマトリックスを形成する際に使用する前記フォトマスクにおいて、前記ポジ型感光性樹脂組成物層に線状パターン化した前記エッチングレジストを形成するための単位の遮光パターンとして、前記露光光の前記波長λに対して、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成したことを特徴とするフォトマスクである。
また、本発明は、透明基板上に形成したポジ型感光性樹脂遮光層にフォトマスクのパターンを波長λが430nm以下の露光光により、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂遮光層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とした近接露光法により露光・現像することでブラックマトリックスを形成する際に使用する前記フォトマスクにおいて、前記ポジ型感光性樹脂遮光層にブラックマトリックスを形成するための単位の遮光パターンとして、前記露光光の前記波長λに対して、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成したことを特徴とするフォトマスクである。
また、本発明は、上記二本線ストライプ状の遮光パターンにおいて、上記光透過部の幅が前記二本線ストライプ状の遮光パターンの内のいずれの線幅とも等しいことを特徴とする上記のフォトマスクである。
また、本発明は、上記の製造方法で形成したことを特徴とするカラーフィルタである。
また、本発明は、上記のカラーフィルタを備えることを特徴とする液晶表示装置である。
本発明のフォトマスクにより、ポジ型フォトレジストに近接露光で露光を行い、幅6μm未満の線状のエッチングレジストパターンを形成することができ、それにより、6μm未満の幅のブラックマトリックスを得ることができる効果がある。それにより、携帯端末用などの小型、高精細な液晶表示装置に用いるカラーフィルタを供することが可能になる効果がある。
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
<第1の実施形態>
(フォトマスクの形成)
図2(a)は、本実施形態による、フォトマスク20の一実施形態の遮光パターンの一部を拡大して示す平面図である。このフォトマスク20を用いてポジ型フォトレジストのポジ型感光性樹脂組成物層60を、波長365nmの光で近接露光・現像して線状のエッチングレジストパターン61を形成し、その線状のエッチングレジストパターン61で保護して金属性薄膜10をエッチングすることでブラックマトリックス41のパターンを形成する。図2(a)に示すように、線状のエッチングレジストパターン61を形成するための単位の遮光パターンとして、フォトマスク20の光透過領域中に、幅(W)が4.0μm〜9.0μmの帯状領域の遮光パターンPを有し、その遮光パターンPの中央に幅(Wt)が2.0μmから5.0μmのスリット状の光透過部Tを設けた、二本線ストライプ状の遮光パターンPを形成する。
図2(a)に示すように、線状のエッチングレジストパターン61を形成するための単位の遮光パターンPとして、遮光パターンを二本線ストライプ状に形成し、二本線ストライプの遮光パターンPの幅(W)が4.0μm〜9.0μmで、その遮光パターンPの中央に遮光パターンPの幅(W)の半分から3分の1の幅(Wt)の、すなわち2.0μmから4.5μmの幅のスリット状の光透過部Tを有する遮光パターンPが形成されたものである。
(ブラックマトリックスの形成工程)
まず、図3(a)及び図3(b)に示すように、透明基板40上にコントラスト向上のためのブラックマトリックス41を設ける。透明基板40には、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等、公知の透明材料を使用できる。中でもガラス基板は、透明性、強度、耐熱性、耐候性において優れている。
次に、ブラックマトリックス41は、以下のようにして形成する。先ず、透明基板40の面にクロム(Cr)、酸化クロム(CrOx)あるいはNiCu合金などの金属もしくは金属化合物の金属性薄膜10をスパッタ等の方法により約0.2μmの厚さで形成する。次に、金属性薄膜10上に、ポジ型感光性樹脂組成物層60を形成する。
次に、先に形成したフォトマスク20のパターンをポジ型感光性樹脂組成物層60に露光する。図2(b)にフォトマスク20の断面図とフォトマスク20の透過光がポジ型感光性樹脂組成物層60の位置に照射する光強度分布を示す。図2(b)において、フォトマスク20の上方からの露光光(L)が、フォトマスク20の光透過部を透過して透明なポジ型感光性樹脂組成物層60に照射される。その光はフォトマスク20の二本線ストライプ状の遮光パターンPの外周端で回折して、その中央位置の直下のポジ型感光性樹脂組成物層60の位置まで回り込む。その光が照射されたポジ型感光性樹脂組成物層60は現像液に可溶なものへと光分解される。
すなわち、ポジ型感光性樹脂組成物層60にフォトマスク20を介して照射された光の内、フォトマスク20の二本線ストライプ状の遮光パターンPの外周端の光がその遮光パターンPの下方部分に回り込んだ光と、二本線ストライプ状の遮光パターンPの領域の中心線上のスリット状の光透過部Tを透過した光が、ポジ型感光性樹脂組成物層60の位置で干渉し、二本線ストライプ状の遮光パターンPの領域のストライプ群の中心線の直下のポジ型感光性樹脂組成物層60の位置では光強度が弱まる。この現象は、ポジ型感光性樹脂組成物層60面での光強度と、使用する遮光パターンの形状の関係についてシミュレーションを行った結果、具体的には、露光波長λが365nmの場合は、近接露光のギャップ(G)を100μmとすると、遮光パターンPの幅(W)が4μm〜9μmの幅を有し、スリット状の光透過部Tの幅(Wt)が2.0μm〜5.0μmであると、微細な線状のエッチングレジストパターン61が形成されることを見出した。すなわち、フォトマスク20の二本線ストライプ状の遮光パターンPの幅(W)が4.0μmより小さいと、それ自体小さすぎて干渉の効果が少なく、線状のエッチングレジストパターン61が形成されない。また、二本線ストライプ状の遮光パターンPの幅(W)が9.0μmより大きいと、図2(b)の線状のエッチングレジストパターン61の断面形状が一山のかまぼこ状にならず、断面に段差のある山状の断面になってしまう。二本線ストライプ状の遮光パターンPのスリット状の光透過部Tの幅(Wt)が5.0μmより大きいと、その遮光パターンPによって囲まれるスリット状の光透過部T自体をポジ型感光性樹脂組成物層60に投影してしまい、二本線ストライプ状の遮光パターンPの領域のストライプ群の中心線の直下のポジ型感光性樹脂組成物層60が光分解された線状のエッチングレジストパターン61となってしまう。
このように、幅Wが4.0μm以上9.0μm以下の帯状領域の中央線部に幅(Wt)が2.0μm以上4.5μm以下のスリット状の光透過部Tを設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20で露光することで、二本線ストライプ状の遮光パターンPの中心線部のスリット状の光透過部Tの直下のポジ型感光性樹脂組成物層60の位置では、ポジ型感光性樹脂組成物層60の光分解は少なく、現像処理によって図2(c)および図3(a)に示すように、線状のエッチングレジストパターン61を形成する。
シミュレーションの結果により、ポジ型感光性樹脂組成物層60を露光する光の波長λは365nmに限定されず、微細な線状のエッチングレジストパターン61が形成される条件は、波長λに関する各部の寸法が相似なものでは同じ結果が得られる。すなわち、シミュレーションにより、ポジ型感光性樹脂組成物層60を露光するのに適切な光の波長λで波長が430nm以下の露光光に対して、近接露光の近接露光のギャップ(G)が、200λ以上で400λ以下であり、遮光パターンPの幅(W)が11λから25λであり、スリット状の光透過部Tの幅(Wt)が遮光パターンPの幅(W)の0.25倍から0.6倍の場合に、幅が14λ以下の、すなわち幅が6μm以下の微細な線状のエッチングレジストパターン61が形成されることを見出した。
次に、図3(b)のように、その線状のエッチングレジストパターン61をエッチングマスクにして、金属性薄膜10を硝酸第2セリウムアンモニウム水溶液などのエッチング液によりエッチングしてパターニングし、ブラックマトリックス41を形成する。こうして、このような二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20を用いることによって、線幅が6.0μm未満のブラックマトリックス41を形成することができる。
(着色画素層42の形成工程)
次に、図3(c)に示すように、格子状に形成したブラックマトリックス41の格子で区切られた領域内に、印刷法により赤(R)、緑(G)、青(B)の着色画素層42を所望の形状に配置し約2μmの厚さに形成する。すなわち、着色画素層42は、印刷装置により塗工材料をパターン状に形成し、その後、後述する加熱工程を経て着色画素層42を形成する。印刷法によるパターニング方法としては、塗工材料をシリコンブランケット上に均一に塗工し、凸版あるいは凹版を押し付けて非画線部を除去した後に、基板上に転写して厚さが約2μmのパターン形成する。この塗工材料には、適正な溶剤成分を含有することでパターン形成しやすい塗工皮膜を形成することができる。さらに、塗工材料中に、印刷性の向上を目的として、例えば粒径が10〜100nmのフィラー成分を、固形分中に5〜50重量%含有させる。塗工材料における着色剤としては、顔料、染料等を使用することができる。塗工材料に用いられる熱硬化性樹脂は、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルアセタール、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラニン樹脂などを用いることができる。特に、耐熱性や耐光性を要求されるカラーフィルタ4を製造する場合には、アクリル樹脂を用いることが好ましい。
その他の変形例として、この着色画素層42は、顔料分散インキを分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂感光性樹脂を乾燥膜厚が約1.3μmになるようにスピンコーターにより塗布し乾燥させてフォトリソグラフィー法で着色画素層42のパターンを形成することもできる。
(透明電極43の形成工程)
次に、液晶ディスプレイの場合は、図3(d)に示すように、着色画素層42の面上に
、例えばITO(Indium Tin Oxide)膜をスパッタリング法で形成した透明導電膜43を形成する。
これにより、最終的に、図3(c)あるいは図3(d)に示すように、透明基板40、ブラックマトリックス41、及び赤、緑、青の着色画素層42を合わせたカラーフィルタ4が完成する。このようにして製造したカラーフィルタ4を、液晶層を介して、例えば薄膜トランジスタのような電極を形成した対向基板と対置させることで、携帯端末用などの小型、高精細な液晶表示装置が実現する。
以上のように、本実施形態によれば、二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20を用いることによって、線幅が6.0μm未満の高精細なブラックマトリックス41を形成することができるので、高精細なカラー液晶ディスプレイ用のカラーフィルタ4が製造でき、これを用いた高精細な液晶表示装置が得られる効果がある。
<第2の実施形態>
(フォトマスクの形成)
第1の実施形態と同様にしてフォトマスク20を形成する。
(ブラックマトリックス41の作製工程)
次に、第2の実施形態では、ブラックマトリックス41は、以下のようにして形成する。先ず、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒド混合物から得られたノボラック樹脂5部、o−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル1.8部、ヘキサメトキシメチロール化メラミン2部、光酸発生剤0.5部、カーボンブラック2部及びエチルセロソルブアセテート25部の混合物をメンブランフィルターを用いて加圧濾過して感光性樹脂組成物であるポジ型ブラックマトリックス組成物を得る。ここで、カーボンブラックの他にチタンブラック(TiO2)を用いることもできる。
図4(a)のように、このポジ型ブラックマトリックス組成物を、スピンコータによって無アルカリガラス基板(品番1737:コーニング社製)の透明基板40の面に乾燥後の膜厚が1.5 μmになるように塗布し、100℃で1分加熱するプリベークを行いポジ型感光性樹脂遮光層70を形成する。
次に、第1の実施形態と同様に二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20でポジ型感光性樹脂遮光層70を露光することで、フォトマスク20の二本線ストライプ状の遮光パターンPの中心線部、すなわち、スリット状の光透過部Tの直下のポジ型感光性樹脂遮光層70での光強度を弱くし、その位置のポジ型感光性樹脂遮光層70の光分解を少なくする。それにより、図4(b)に示すように、ポジ型感光性樹脂遮光層70をアルカリ現像し、次に130℃で20分加熱するポストベークを行うことで幅が6μm未満の高精細な線のブラックマトリックス41のパターンを得る。
(着色画素層42の形成工程)
第1の実施形態と同様にして、図4(c)のように、厚さが約2μmの着色画素層42を形成する。また、液晶ディスプレイの場合には、更に図4(d)のように、透明導電膜43を積層し、例えば、薄膜トランジスタのような電極を形成した対向基板と対置させ、液晶層を介して液晶表示装置を構成する。本実施形態では、二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20を用い、ポジ型ブラックマトリックス組成物を用いることで、高精細な線のブラックマトリックス41を持つカラーフィルタ4が得られる効果があり、また、カラーフィルタ4の製造工程が単純になり製造コストを低減できる効果がある。
下記に実施例により具体的に本発明を説明する。
(ポジ型フォトレジストの組成)
線状のエッチングレジストパターン61の形成に用いるポジ型フォトレジストの感光性樹脂組成物の組成を下記に示す。
・樹脂 :クレゾールノボラックエポキシ樹脂 12wt%
・感光剤 :ジアゾナフトキノン(DNQ) 14wt%
・溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMAC)
73.95%
(フォトマスクのパターン)
線状のエッチングレジストパターン61を形成する遮光パターンPとして、図2(a)に示す遮光パターンPを形成した。すなわち、幅(W)が9μmで、スリット状の光透過部Tの幅(Wt)が3μmで、幅が3μmのストライプ状の遮光部が3μm隔てて2本形成された二本線ストライプ状の遮光パターンPを用いた。
(線状のエッチングレジストパターン61の形成)
ガラス基板の透明基板40の面に上記組成の感光性樹脂組成物を塗布して膜厚2.0μmのポジ型感光性樹脂組成物層60を設けた。上記フォトマスク20を介してこのポジ型感光性樹脂組成物層60へ、プロキシミティ露光方式により、露光波長を365nmにより、近接露光のギャップ(G)を100μmとし、露光量を100mJ/cm2与え露光した。そして、ポジ型感光性樹脂組成物層60を現像しベーキングすることで線状のエッチングレジストパターン61を形成した。得られた線状のエッチングレジストパターン61は、高さ(膜厚)が1.3μmで幅が5μmの断面形状がかまぼこ状の良好な線状のエッチングレジストパターン61であった。
次に、その線状のエッチングレジストパターン61をエッチングマスクにして、金属性薄膜10をエッチングして、線幅が5.0μmのブラックマトリックス41を形成した。
このように、二本線ストライプ状の遮光パターンPを有するフォトマスク20を用いることによって、線幅が6.0μm未満のブラックマトリックス41を形成することができた。
カラーフィルタの断面図である。 (a)本発明によるフォトマスクの遮光パターンの一部を拡大して示す平面図である。(b)本発明のフォトマスクにより露光した場合のポジ型感光性樹脂組成物層の位置の光強度分布を示す図である。(c)本発明によりポジ型感光性樹脂組成物層を現像して得た線状のエッチングレジストパターンの断面図を示す図である。 本発明の第1の実施形態のカラーフィルタの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第2の実施形態のカラーフィルタの製造工程を説明するための断面図である。
符号の説明
4・・・カラーフィルタ
10・・・金属性薄膜
20・・・フォトマスク
40・・・透明基板
41・・・ブラックマトリックス
41A・・・マトリックス部
41B・・・額縁部
42・・・着色画素層
43・・・透明導電膜
60・・・ポジ型感光性樹脂組成物層
61・・・線状のエッチングレジストパターン
70・・・ポジ型感光性樹脂遮光層
G・・・近接露光のギャップ
L・・・露光光
P・・・二本線ストライプ状の遮光パターン
T・・・二本線ストライプ状の遮光パターンの中央線部のスリット状の光透過部
W・・・二本線ストライプ状の遮光パターンの幅
Wt・・・スリット状の光透過部の幅

Claims (7)

  1. 透明基板上に金属性薄膜を形成する第1の工程と、前記金属性薄膜面上にポジ型感光性樹脂組成物層を形成する第2の工程と、前記ポジ型感光性樹脂組成物層にフォトマスクのパターンを近接露光法により露光・現像することで線状パターンとしたエッチングレジストを形成する第3の工程と、前記エッチングレジストをマスクにして前記金属性薄膜をエッチングすることで前記透明基板上にブラックマトリックスを形成する第4の工程と、前記エッチングレジストを剥離する第5の工程と、前記透明基板上に着色画素層を形成する第6の工程を具備し、前記ポジ型感光性樹脂組成物層を露光するのに用いる露光光の波長をλとし、λが430nm以下の露光光に対して、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂組成物層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とし、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成し、前記フォトマスクにより、幅が6μm未満の前記ブラックマトリックスを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
  2. 透明基板上にポジ型感光性樹脂遮光層を形成する第1の工程と、前記ポジ型感光性樹脂遮光層にフォトマスクのパターンを近接露光法により露光・現像することで前記透明基板上にブラックマトリックスを形成する第2の工程と、前記透明基板上に着色画素層を形成する第3の工程を具備し、前記ポジ型感光性樹脂遮光層を露光するのに用いる露光光の波長をλとし、λが430nm以下の露光光に対して、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂遮光層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とし、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成し、前記フォトマスクにより、幅が6μm未満の前記ブラックマトリックスを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
  3. 透明基板上に形成した金属性薄膜上に設けたポジ型感光性樹脂組成物層にフォトマスクのパターンを波長λが430nm以下の露光光により、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂組成物層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とした近接露光法により露光・現像することで線状パターンとしたエッチングレジストを形成し、前記エッチングレジストをマスクにして前記金属性薄膜をエッチングし、次に、前記ポジ型感光性樹脂組成物層の被露光部分を除去することにより前記エッチングレジストのブラックマトリックスを形成する際に使用する前記フォトマスクにおいて、前記ポジ型感光性樹脂組成物層に線状パターン化した前記エッチングレジストを形成するための単位の遮光パターンとして、前記露光光の前記波長λに対して、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成したことを特徴とするフォトマスク。
  4. 透明基板上に形成したポジ型感光性樹脂遮光層にフォトマスクのパターンを波長λが430nm以下の露光光により、前記フォトマスクと前記ポジ型感光性樹脂遮光層の近接露光のギャップを200λ以上400λ以下とした近接露光法により露光・現像することでブラックマトリックスを形成する際に使用する前記フォトマスクにおいて、前記ポジ型感光性樹脂遮光層にブラックマトリックスを形成するための単位の遮光パターンとして、前記露光光の前記波長λに対して、前記フォトマスクに、幅が11λ以上25λ以下の帯状の単位遮光パターンの二本の線の間に幅が前記帯状の単位遮光パターンの0.25倍以上0.54倍以下のスリット状の光透過部を設けて成る二本線ストライプ状の遮光パターンを形成したことを特徴とするフォトマスク。
  5. 前記二本線ストライプ状の遮光パターンにおいて、前記光透過部の幅が前記二本線ストライプ状の遮光パターンの内のいずれの線幅とも等しいことを特徴とする請求項3又は4に記載のフォトマスク。
  6. 請求項1又は2の製造方法で製造したことを特徴とするカラーフィルタ。
  7. 請求項6に記載のカラーフィルタを備えることを特徴とする液晶表示装置。
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