JP4077756B2

JP4077756B2 - 平面表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JP4077756B2
Application number: JP2003107342A
Authority: JP
Inventors: 誠高村
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2003-04-11
Filing date: 2003-04-11
Publication date: 2008-04-23
Anticipated expiration: 2023-04-11
Also published as: JP2004319102A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面表示パネルの透明電極を補完する補助電極及び絶縁層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネセンス（以後、「エレクトロルミネセンス」を「ＥＬ」と略記する。）表示パネルのような平面表示パネルは、陰極と陽極をマトリクス状に配置し、両極の間に信号を印加して画素を表示する。これらの平面表示パネルでは、画素からの光を取り出すために、少なくとも一方の電極には透明電極が用いられる。画像の輝度を上げたり、低電圧動作させたりするために、透明電極の抵抗を下げる目的で、透明電極に補助電極を付加することが行われる。また、高精細な画像を得るためや、マトリクス状に配置した両電極の接触を防止するために、透明電極の間や上面に絶縁層を配置する。
【０００３】
平面表示パネルの一つである有機ＥＬ表示パネルを例に補助電極や絶縁層の構成を説明する。有機ＥＬ表示パネルは有機ＥＬ層を陰極と陽極で挟みこんだ構造であるが、有機ＥＬ層で発光した光を取り出すために、少なくとも一方の電極には透明電極が用いられる。有機ＥＬ表示パネルの構造を図１に示す。図１において、５１は透明基板、５２は透明電極、５３は有機ＥＬ層、５５は補助電極、５６は絶縁層、５７は金属電極である。
【０００４】
有機ＥＬ表示パネルでは、透明基板５１の上面に陽極となるＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等で透明電極５２を形成する。透明電極５２だけでは十分な低抵抗を実現できないために、ＩＴＯよりも比抵抗の低い金属で補助電極５５を形成する。陰極となる金属電極５７は透明電極５２と直交する形で形成される。透明電極５２と金属電極５７との間に、発光層となる有機ＥＬ層５３を挟持する。しかし、有機ＥＬ層５３は２００〜４００ｎｍと薄く、絶縁層５６で被覆しないと、透明電極５２と金属電極５７との間がショートしてしまう。
【０００５】
このような補助電極は、有機ＥＬ表示パネル（例えば、特許文献１参照。）ばかりでなく、液晶表示パネル（例えば、特許文献２参照。）やプラズマ表示パネル（例えば、特許文献３参照。）でも採用されている。従来、補助電極５５を透明基板上に形成するには、透明電極の材料と補助電極とを順に積層し、補助電極をエッチングした後、さらに、透明電極をエッチングするという工程を行っていた。また、絶縁層５６を形成するには、透明電極５２を形成した後に、絶縁層となる材料を積層し、さらに絶縁層をエッチングするという工程を行っていた。これらのエッチング工程は、通常フォトリソグラフィ法によるため、エッチング工程毎にこれらのパターンアラインメントを実施する必要があった。
【０００６】
パターンアラインメントには、位置ずれを考慮して透明電極の幅の設計寸法に予めアラインメントマージンを見こまねばならない。このアラインメントマージンは高精細な平面表示パネルの障害となるものであった。即ち、アラインメントマージンは開口率を低下させ、精細度の低下や輝度の低下を招く要因となっていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２２３９７１号公報（第（２）頁、第６図）
【特許文献２】
特開２００１−２４２４７５号公報（第（６）頁、第１２図）
【特許文献３】
特開２０００−３２３０４７号公報（第（３）頁、第２図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題を解決するために、補助電極や絶縁層の形成を容易にし、高精細な平面表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本願第一発明は、透明基板上に順に積層された透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして透明電極及び補助電極を形成する工程と、パターニングされた補助電極の上からネガ型レジスト層を積層する工程と、積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から露光する工程と、露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、現像後に該補助電極層をエッチングする工程と、エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法である。
【００１０】
本願第一発明により、補助電極の形成を容易にし、高精細な平面表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００１１】
本願第二発明は、透明基板上に積層された透明電極層をパターニングして透明電極を形成する工程と、パターニングされた透明電極の上から絶縁層及びネガ型レジスト層を積層する工程と、積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から露光する工程と、露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、現像後に該絶縁層をエッチングする工程と、エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法である。
【００１２】
本願第二発明により、絶縁層の形成を容易にし、高精細な平面表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００１３】
本願第三発明は、透明基板上に順に積層された透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして透明電極及び補助電極を形成する工程と、パターニングされた補助電極の上から絶縁層及びネガ型レジスト層を積層する工程と、積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から露光する工程と、露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、現像後に該絶縁層及び補助電極層をエッチングする工程と、エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法である。
【００１４】
本願第三発明により、補助電極及び絶縁層の形成を容易にし、高精細な平面表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００１５】
本願第一発明又は第三発明には、前記補助電極層の材料として、モリブデン、タンタル、タングステン、又はこれらを含む合金を用いることができる。
【００１６】
本願第一発明又は第三発明には、積層された前記ネガ型レジスト層を前記透明基板の側から露光する工程の前又は後に、少なくとも引出し端子電極部となる引出し端子電極領域を残して前記ネガ型レジスト層をマスクする工程と、前記ネガ型レジスト層をマスクする工程の後であって、前記透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程の前、同時、又は後に、前記透明基板と反対の側から露光する工程と、をさらに含むことがある。
【００１７】
本願第二発明又は第三発明には、前記絶縁層の材料として、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、又はこれらの混合物を用いることができる。
【００１８】
本願第一発明から第三発明には、前記エッチングする工程をドライエッチングによることもできる。
【００１９】
本願第一発明から第三発明には、前記透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程において、露光に拡散光を利用することができる。
【００２０】
本願において、拡散光とは、同一方向に進行する平行光や１箇所から放射する放射状の光ではなく、異なる方向に進行する光をいう。
【００２１】
なお、これらの各工程は、可能な限り組み合わせることができる。
また、本発明の平面表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルのみならず、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）パネル等にも適用することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
実施の形態として、補助電極、又は絶縁層の形成を容易にする平面表示パネルの製造方法について図２から図４で説明する。図２から図４において、１１は透明基板、１２は透明電極、１５、１５１は補助電極、１６、１６１は絶縁層、１７、１７１はネガ型レジスト層、２１は紫外線である。
【００２３】
透明基板１１としては、ガラス基板、フレキシブル基板、カラーフィルタや色変換膜あるいは誘電体反射膜が形成された基板を含む。透明基板は、ガラスや、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィン等を材料とすることができる。カラーフィルタはその特性を調整し、効率や色純度を最適化できる。色変換膜は、発光した光を吸収し、蛍光変換膜の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行わせる。誘電体多層膜はカラーフィルタの代わりに、所定の波長の光を透過させる。
【００２４】
透明電極１２には透明化の容易な材料が使用できる。透明化の容易な材料には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＳｎＯ_２（酸化スズ）、Ｉｎ_２Ｏ_３（酸化インジウム）等の酸化物、ＡｕやＮｉ等の金属がある。
【００２５】
（実施の形態１）
補助電極の形成工程を図２で説明する。補助電極の形成工程は、図２（１）から図２（５）の順番で構成されている。透明基板１１の上面に透明電極となる材料で透明電極層を、補助電極となる材料で補助電極層を積層し、透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして、透明電極１２と補助電極１５を形成する（図２（１））。補助電極の材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、又はこれらを含む合金が好ましい。これらの金属、合金は比較的電気抵抗が低く、また補助電極をエッチングする際に、フッ素系ガスのプラズマでエッチングが可能となる。
【００２６】
パターニングされた補助電極１５の上からネガ型レジスト層１７を形成し、透明基板１１の側から当該ネガ型レジスト層１７を露光する（図２（２））。形成するネガ型レジスト層１７の材料には化学増感型のフォトレジストが好適である。後述する露光後の増感が可能となる。ネガ型レジスト層１７の層圧は１〜１０μｍの範囲で使用とした。層厚は必要に応じた厚さとすることができる。露光には紫外線を用いてオーバ露光とすることがよい。また、露光には平行に近い光よりも、拡散光を用いることが好ましい。拡散光の使用により、補助電極１５の周縁部の上部にあるネガ型レジスト層を露光することができる。露光後には、ＰＥＢ（ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｉｎｇ）により増感することが好適である。化学増感型のフォトレジストをベーキングすると、現像により補助電極１５の周縁部の上部にもフォトレジストを残すことができる。
【００２７】
露光した後に、現像すると補助電極１５の周縁部の上部に重なるパターンのネガ型レジスト層１７１を得る（図２（３））。拡散光を用いたり、ＰＥＢをすることによりネガ型レジスト層１７１は正テーパ形状となる。補助電極１５の周縁部の上部とネガ型レジスト層１７１との重なる領域は、ネガ型レジスト層の材料の感度、露光の光量、拡散の度合い、ＰＥＢの時間等によって調整することができる。
【００２８】
次に、残されたネガ型レジスト層１７１をマスクとして、補助電極１５をエッチングする。エッチングには、ドライエッチングが望ましい。例えば、ＣＦ_４，ＳＦ_６等のフッ素系ガスを主体としたプラズマを用いる平行平板型のケミカルドライエッチング、インダクタンスカップリングエッチング、リアクティブイオンエッチングである。このようなドライエッチングにより補助電極１５をエッチングすると、正テーパ形状の補助電極１５１及びネガ型レジスト層１７１が残る（図２（４））。
【００２９】
最後に、ネガ型レジスト層１７１を除去する。透明電極１２上に補助電極１５１が形成されている（図２（５））。このような、補助電極の形成方法によると、補助電極を自己整合的に形成することができるため、補助電極のためのアラインメントマージンがほとんど不要となり、平面表示パネルの精細度の低下や輝度の低下を防止することができた。また、本方法により透明電極の周縁部の上部に補助電極を形成できるため、透明電極中心部が輝度の高い平面表示パネルの場合は、輝度の高い透明電極中心部から外部に出射する光の透過を妨害することもなくなった。
【００３０】
（実施の形態２）
絶縁層の形成工程を図３で説明する。絶縁層の形成工程は、図３（１）から図３（５）の順番で構成されている。透明基板１１の上面に透明電極となる材料で透明電極層を積層し、透明電極層をパターニングして、透明電極１２を形成する（図３（１））。
【００３１】
パターニングされた透明電極１２の上から、絶縁層１６及びネガ型レジスト層１７を積層し、透明基板１１の側から当該ネガ型レジスト層１７を露光する（図３（２））。絶縁層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、又はこれらの混合物が好適である。これらの無機材料は有機材料に比較して絶縁性に優れ、また吸湿性がないことから、特に、これらの無機材料を有機ＥＬ表示パネルの絶縁層に適用する場合に、水分のDegas（脱ガス）の問題が軽減される。これらの絶縁層は、ＰＥ−ＣＶＤ（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法で形成することができる。また、エッチングする際に、フッ素系ガスのプラズマでエッチングが可能となる。形成するネガ型レジスト層１７には化学増感型のフォトレジストが好適である。後述する露光後の増感が可能となる。ネガ型レジスト層１７の層圧は１〜１０μｍの範囲とした。層厚は必要に応じた厚さとすることができる。露光には紫外線を用いてオーバ露光とすることがよい。また、露光には平行に近い光よりも、拡散光を用いることが好ましい。拡散光の使用により、透明電極１２の周縁部の上部にあるネガ型レジスト層を露光することができる。露光後には、ＰＥＢ（ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｉｎｇ）により増感することが好適である。化学増感型のフォトレジストをベーキングして、現像により透明電極１２の周縁部の上部にもフォトレジストを残すことができる。
【００３２】
露光した後に、現像すると透明電極１２の周縁部の上部に重なるパターンのネガ型レジスト層１７１を得る（図３（３））。拡散光を用いたり、ＰＥＢをすることによりネガ型レジスト層１７１は正テーパ形状となる。透明電極１２の周縁部の上部とネガ型レジスト層１７１との重なる領域は、ネガ型レジスト層の材料の感度、露光の光量、拡散の度合い、ＰＥＢの時間等によって調整することができる。
【００３３】
次に、残されたネガ型レジスト層１７１をマスクとして、絶縁層１６をエッチングする。エッチングには、ドライエッチングが望ましい。例えば、ＣＦ_４、ＳＦ_６等のフッ素系ガスを主体としたプラズマを用いる平行平板型のケミカルドライエッチング、インダクタンスカップリングエッチング、リアクティブイオンエッチングである。このようなドライエッチングにより絶縁層１６をエッチングすると、正テーパ形状の絶縁層１６１及びネガ型レジスト層１７１が残る（図３（４））。
【００３４】
最後に、ネガ型レジスト層１７１を除去する。透明電極１２上及び透明電極１２間に絶縁層１６１が形成されている（図３（５））。このような、絶縁層の形成方法によると、絶縁層を自己整合的に形成することができるため、絶縁層のためのアラインメントマージンがほとんど不要となり、平面表示パネルの精細度の低下や輝度の低下を防止することができた。また、無機系の絶縁層とすることにより、有機系の絶縁層に比べて絶縁性に優れ、特に、水分により特性が劣化する有機ＥＬ表示パネルでは、吸水しやすい有機系の絶縁層に比べて水分による特性劣化を少なくすることができた。
【００３５】
（実施の形態３）
補助電極及び絶縁層の形成工程を図４で説明する。補助電極及び絶縁層の形成工程は、図４（１）から図４（５）の順番で構成されている。透明基板１１の上面に透明電極となる材料で透明電極層を、補助電極となる材料で補助電極層を積層し、透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして、透明電極１２と補助電極１５を形成する（図４（１））。補助電極の材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、又はこれらを含む合金が好ましい。これらの金属、合金は比較的電気抵抗が低く、また補助電極をエッチングする際に、フッ素系ガスのプラズマでエッチングが可能となる。
【００３６】
パターニングされた補助電極１５の上から、絶縁層１６及びネガ型レジスト層１７を積層し、透明基板１１の側から当該ネガ型レジスト層１７を露光する（図４（２））。絶縁層１６の材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、又はこれらの混合物が好適である。これらの無機材料は有機材料に比較して絶縁性に優れ、また吸湿性がないことから、特に、これらの無機材料を有機ＥＬ表示パネルの絶縁層に適用する場合に、水分のDegas（脱ガス）の問題が軽減される。これらの絶縁層は、ＰＥ−ＣＶＤ（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法で形成することができる。また、エッチングする際に、フッ素系ガスのプラズマでエッチングが可能となる。形成するネガ型レジスト層１７には化学増感型のフォトレジストが好適である。後述する露光後の増感が可能となる。ネガ型レジスト層１７の層圧は１〜１０μｍとした。層厚は必要に応じた厚さとすることができる。露光には紫外線を用いてオーバ露光とすることがよい。また、露光には平行に近い光よりも、拡散光を用いることが好ましい。拡散光の使用により、補助電極１５の周縁部の上部にあるネガ型レジスト層を露光することができる。露光後には、ＰＥＢ（ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｉｎｇ）により増感することが好適である。化学増感型のフォトレジストをベーキングして、現像により補助電極１５の周縁部の上部にもフォトレジストを残すことができる。
【００３７】
露光した後に、現像すると補助電極１５の周縁部の上部に重なるパターンのネガ型レジスト層１７１を得る（図４（３））。拡散光を用いたり、ＰＥＢをすることによりネガ型レジスト層１７１は正テーパ形状となる。補助電極１５の周縁部の上部とネガ型レジスト層１７１との重なる領域は、ネガ型レジスト層の材料の感度、露光の光量、拡散の度合い、ＰＥＢの時間等によって調整することができる。
【００３８】
次に、残されたネガ型レジスト層１７１をマスクとして、絶縁層１６と補助電極１５をエッチングする。エッチングには、ドライエッチングが望ましい。例えば、ＣＦ_４，ＳＦ_６等のフッ素系ガスを主体としたプラズマを用いる平行平板型のケミカルドライエッチング、インダクタンスカップリングエッチング、リアクティブイオンエッチングである。このようなドライエッチングにより絶縁層１６と補助電極１５をエッチングすると、正テーパ形状の絶縁層１６１と補助電極１５１が残る（図４（４））。
【００３９】
最後に、ネガ型レジスト層１７１を除去する。透明電極１２上に補助電極１５１が形成され、補助電極１５１上と透明電極１２間に絶縁層１６１が形成されている（図４（５））。このような、補助電極及び絶縁層の形成方法によると、補助電極や絶縁層を自己整合的に形成することができるため、補助電極や絶縁層のためのアラインメントマージンがほとんど不要となり、平面表示パネルの精細度の低下や輝度の低下を防止することができた。また、本方法により透明電極の周縁部の上部に補助電極を形成できるため、透明電極中心部が輝度の高い平面表示パネルの場合は、輝度の高い透明電極中心部から外部に出射する光の透過を妨害することもなくなった。また、無機系の絶縁層とすることにより、有機系の絶縁層に比べて絶縁性に優れ、特に、水分により特性が劣化する有機ＥＬ表示パネルでは、吸水しやすい有機系の絶縁層に比べて水分による特性劣化を少なくすることができた。
【００４０】
（実施の形態４）
実施の形態１又は３において、補助電極を形成する際に、透明電極のうち、引き出し端子電極部となる部分の上部にある補助電極は出来る限りエッチングしない方が引き出し端子電極の低抵抗化には望ましい。本実施の形態では、引き出し端子電極部となる透明電極の上部にある補助電極を残す平面表示パネルの形成方法について説明する。
【００４１】
図５において、１１は透明基板、１２は透明電極、１５１は補助電極、３１は引き出し端子電極領域、３２は素子電極領域、３５はフォトマスクである。透明基板１１、透明電極１２、及び補助電極１５については実施の形態１又は３と同じであるため説明を省略する。引き出し端子電極領域３１は、平面表示パネルの表示部を構成しない電極部となる領域をいい、素子電極領域３２は、透明電極のうち平面表示パネルの表示部を構成する電極部となる領域をいう。
【００４２】
実施の形態１又は３において、ネガ型レジスト層を露光する工程の前又は後に、引出し端子電極領域３１を残してフォトマスク３５を形成する（図５（１））。図５（１）では図示していないが、引出し端子電極領域３１あるいは素子電極領域３２は、実施の形態１に適用する場合では、透明電極の上に同じパターンで補助電極が形成されており、補助電極の上からネガ型レジスト層が全面に積層されている。実施の形態３に適用する場合では、透明電極の上に同じパターンで補助電極が形成されており、補助電極の上から絶縁層及びネガ型レジスト層が全面に積層されている。
【００４３】
フォトマスク３５を形成した後、実施の形態１又は３における透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程の前、同時、又は後に、前記透明基板と反対の側からネガ型レジスト層を露光する。透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程及び透明基板と反対の側からネガ型レジスト層を露光する工程を同時に実施すると露光の工程が簡略化できる。引き出し端子電極領域３１となる部分は紫外線が照射されるため、現像するとネガ型レジスト層が残ることになる。残されたネガ型レジスト層をマスクとして、補助電極、又は絶縁層と補助電極をエッチングすると、引き出し端子電極領域３１の補助電極はエッチングされることなく、ほぼ全てが残ることになる（図５（２））。引き出し端子電極には補助電極が全面に残されていても、表示には影響しない。
【００４４】
透明電極上に補助電極の残された部分では、補助電極によって抵抗が小さくなるため、引き出し端子電極の低抵抗化が実現できた。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば平面表示パネルの補助電極や絶縁層の形成を容易にすることが可能となり、高精細な平面表示パネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の有機ＥＬ表示パネルの構造を説明する図である。
【図２】本発明の補助電極の形成を容易にする平面表示パネルの製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の絶縁層の形成を容易にする平面表示パネルの製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の補助電極及び絶縁層の形成を容易にする平面表示パネルの製造方法を説明する工程図である。
【図５】本発明の補助電極の形成を容易にする平面表示パネルの製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
１１：透明基板
１２：透明電極
１５、１５１：補助電極
１６、１６１：絶縁層
１７、１７１：ネガ型レジスト層
２１：紫外線

Claims

透明基板上に順に積層された透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして透明電極及び補助電極を形成する工程と、
パターニングされた補助電極の上からネガ型レジスト層を積層する工程と、
積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から露光する工程と、
露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、
現像後に該補助電極層をエッチングする工程と、
エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法。
透明基板上に積層されたＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の透明電極層をパターニングして透明電極を形成する工程と、
パターニングされた透明電極の上から絶縁層及びネガ型レジスト層を積層する工程と、
積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から紫外線で露光する工程と、
露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、
現像後に該絶縁層をエッチングする工程と、
エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法。
透明基板上に順に積層された透明電極層及び補助電極層を透明電極のパターンに合わせてパターニングして透明電極及び補助電極を形成する工程と、
パターニングされた補助電極の上から絶縁層及びネガ型レジスト層を積層する工程と、
積層された該ネガ型レジスト層を該透明基板の側から露光する工程と、
露光した該ネガ型レジスト層を増感後に現像する工程と、
現像後に該絶縁層及び補助電極層をエッチングする工程と、
エッチング後に該ネガ型レジスト層を除去する工程と、を含む平面表示パネルの製造方法。
前記補助電極層の材料として、モリブデン、タンタル、タングステン、又はこれらを含む合金を用いることを特徴とする請求項１又は３に記載の平面表示パネルの製造方法。
積層された前記ネガ型レジスト層を前記透明基板の側から露光する工程の前又は後に、少なくとも引出し端子電極部となる引出し端子電極領域を残して前記ネガ型レジスト層をマスクする工程と、
前記ネガ型レジスト層をマスクする工程の後であって、前記透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程の前、同時、又は後に、前記透明基板と反対の側から露光する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１又は３に記載の平面表示パネルの製造方法。
前記絶縁層の材料として、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、又はこれらの混合物を用いることを特徴とする請求項２又は３に記載の平面表示パネルの製造方法。
前記エッチングする工程はドライエッチングによることを特徴とする請求項１から３に記載の平面表示パネルの製造方法。
前記透明基板の側から前記ネガ型レジスト層を露光する工程において、露光に拡散光を利用することを特徴とする請求項１から３に記載の平面表示パネルの製造方法。