TWI584514B - 用於電子裝置之熱處理的設備與技術 - Google Patents
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Description
本發明關於用於電子裝置之熱處理的設備與技術。
電子裝置，諸如光電子裝置(optoelectronic device)，可以使用有機材料加以製造，特別是使用薄膜處理技術。由於其相對而言較薄及平面的結構，此等有機光電子裝置可以在體積上相當小巧，並且提供較高的功率效率以及較佳的視覺性能，諸如相較於其他顯示技術之時。在某些例子當中，此等裝置可以是機械性可撓式的(例如，可摺疊或可彎曲)，或者透光的，不像其他競爭技術。例如，有機光電子裝置之應用可以包含一般的照明，充當一背光照明源，或者被當成位於一電致發光式顯示器(electroluminescent display)中之一像素光源或其他元件。有機光電子裝置的類別之一包含有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)裝置，其能夠利用諸如，舉例而言，小分子、聚合物(polymer)、螢光或磷光材料等電致發光式有機材料產生光。
在一種方式之中，OLED裝置之製造可以局部地透過利用熱蒸鍍(thermal evaporation)之技術將一系列有機薄膜真空沉積至一基板之上。然而，此種方式之真空處理相當地：(1)複雜，大體而言牽涉到一巨大的真
空處理室及泵抽次系統以維持真空；(2)浪費有機原料，因為此一系統中的一大部分材料基本上係被沉積至內部的壁面及配件上，使得許多材料通常是被浪費掉，而非沉積到基板之上；以及(3)難以維護，由於必須頻繁地中止真空沉積工具之運作以開啟及清洗廢料增生於上的壁面及配件。此外，在多數的OLED應用之中，其需要將有機薄膜沉積成一圖案。
在一種方式之中，一毯覆式塗層可以被沉積於基板上，且可以考慮光學微影術以達成所需之圖案化動作。但在許多應用之中，特別是對於多數的OLED材料而言，此光學微影製程可能損傷沉積的有機薄膜或者覆於其下之有機薄膜。當採用真空沉積方法之時，可以使用一種所謂的蔭罩(shadowmask)以直接圖案化沉積層。在此情況下的蔭罩包含一實體模版，通常被製造成一金屬片的形式，具備供沉積區域使用的切口。蔭罩在沉積之前一般而言係放置於基板附近或接觸基板，並且與基板對齊，在沉積期間維持於定位，而在沉積之後被移除。此種透過蔭罩的直接圖案化對真空式沉積技術增加了實質的複雜度，基本上需要額外的機構與夾具以精確地相對於基板掌控及設置遮罩、進一步增加材料浪費(肇因於沉積至蔭罩上的材料浪費)、以及進一步增加持續地清潔及置換蔭罩本身的維護需求。蔭罩技術一般而言亦需要相當薄的遮罩以達成顯示器應用所需的像素尺度圖案化，而此種薄遮罩在大區域上的機械性質係不穩定的，從而限制了能夠處理的基板的最大尺寸。增進可擴展性對於OLED的產製而言仍是一個主要的挑戰，故此種對於可擴展性的限制可能不容忽視。
使用於OLED裝置之中的有機材料一般而言對於暴露至諸如氧、臭氧、或水等各種環境物質亦高度敏感。例如，使用於一OLED裝
置的各種內部疊層(諸如，舉例而言，包含一電子注入或傳輸層、一電洞注入或傳輸層、一阻隔層、或一發光層)之中的有機材料可能承受多種劣化機制。其至少部分地由於化學性或電性/光學性的活性污染加入裝置結構之中而驅使此種劣化產生，可能是在每一薄膜的主體材料之內或者位於整體裝置堆疊的疊層之間的接面處。隨著時間的推移，化學性的活性污染可以在薄膜之中觸發一個使得薄膜材料品質劣化的化學反應。舉例而言，此化學反應可能單純地在某一時間點發生，無須任何其他觸發，或者可以由環境光學能量或注入的電能量觸發。電性/光學性活性污染可能在運作期間產生裝置引入或發出的電/光能量的寄生電/光路徑，而此等路徑可能造成光輸出之抑制，或者產生不正確的光輸出(例如，錯誤頻譜的光輸出)。此劣化或減損可能表現成一個別OLED顯示元件的故障、位於一OLED元件陣列的局部的"黑色"斑點、可察覺的殘影或"斑痕(mura)"、電性/光學效率之減損、或者OLED元件陣列的各種受影響區域中的顏色重現精確度、對比、或亮度的非預期的偏離。
其可以使用一印刷技術製造(例如，沉積或圖案化)一OLED裝置中的一或多個疊層。例如，一有機材料，諸如，舉例而言，一電洞注入材料、一電洞傳輸材料、一發光材料、一電子傳輸材料、一電洞阻隔材料、或一電子注入材料，可以被溶解或以其他方式懸浮於一載體流體(例如，一溶劑)之中，而其可以藉由該載體流體的噴墨印刷以及後續的蒸鍍以提供一圖案化疊層而形成包含該有機材料之一OLED裝置之一疊層。在另一方式之中，其可以透過一噴口，加熱汽化一固相有機材料以供沉積至一基板
之上。在又另一方式之中，有機材料可以被溶解或以其他方式懸浮於一載體液體之中，且其可以藉由自一噴嘴配注一連續液流至一基板之上以形成一線條(所謂的"噴嘴印刷"或"噴嘴噴射")與該載體的後續蒸鍍以提供一線條圖案化疊層而形成包含該有機材料之OLED裝置之一疊層。此等方式可以概括性地被稱為有機"印刷"技術，諸如可以使用一印刷系統執行之。
在一實例之中，一電子裝置製造系統可以包含一印刷系統，該印刷系統被組構成用以沉積一第一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正在該基板上製造之一發光裝置的至少一部分，該第一印刷系統位於一第一處理環境之中，該第一處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、及臭氧含量中的任意一或多者於特定限度以下之受控環境。該電子裝置製造系統可以包含一封閉熱處理模組，該封閉熱處理模組包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該等熱受控區域彼此偏移且各自被組構以容納一基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該封閉熱處理模組提供一受控第二處理環境，該第二處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量中的任意一或多者於特定限度以下之受控環境。該系統可以包含一基板輸送模組，諸如耦接至一載入模組或者被組構成一載入模組，該基板輸送模組被組構成用以自該印刷系統接收基板並且被組構成用以將基板提供至位於該封閉熱處理模組之內的該第二處理環境。位於該第一印刷系統之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量可以是至少100倍大於位於該熱處理模組之中的基板之熱處理期間的該第二處理環境之氧含量。在一實例之中，該第二處理環境可以被建立以維持一個具有小於百萬分之
1000的氧或者小於百萬分之1000的水蒸汽或者小於百萬分之1000的臭氧，或者該三項之任意組合的環境。
該製造系統可以包含一封閉基板冷卻模組，此封閉基板冷卻模組包含一或多個基板持留區域，各自被組構成用以容納基板，該基板冷卻模組被組構成用以持留基板一段特定的持續時間，以包含對基板進行冷卻直到基板低於一特定的臨限溫度為止。該封閉冷卻模組可以被組構以建立一第三處理環境，該第三處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量中的一或多者於特定限度以下之受控環境。在一實例之中，該第二與第三環境可以是大致相仿的。
本文所述之系統及技術可以被使用於產製一系列不同電子裝置組態，諸如包含一或多個光電子裝置，之支援。例如，其可以至少局部地使用本文所述之系統或技術製造一平板顯示裝置。此一平板顯示裝置可以包含一有機發光二極體(OLED)平板顯示器。一些OLED平板顯示器可以在一基板(或"母"玻璃)上進行處理。"基板"一詞或"製造中的基板"一語之使用，概括而言係表示可以包含一OLED裝置之一處理中的組件。本文中的例子不必然侷限於一特定面板幾何結構或尺寸。例如，此等系統及技術可以被使用於在具有一第2代("Gen 2")尺寸(諸如具有一包含大約37釐米(cm)乘以大約47cm之尺寸的長方形幾何形狀者)的基板上的顯示裝置之製造的支援。本文所述之系統亦可以使用於略大一些的基板幾何形狀，諸如使用於在具有一第3.5代("Gen 3.5")尺寸(諸如具有一包含大約61釐米(cm)乘以大約72cm之尺寸的長方形幾何形狀者)的基板上的顯示裝置之製造的支援。本文所述之系統亦可以使用於甚至更大的基板幾何形狀，諸如使用於在具
有一相當於"Gen 5.5"(具有大約130cm x 150cm之尺寸)的基板尺寸之基板，或者一"Gen 7"或"Gen 7.5"基板(具有大約195cm x 225cm之尺寸)，上的顯示裝置之製造的支援。例如，一Gen 7或Gen 7.5基板可以被單片化(例如，切割或以其他方式分割)成八片42吋(對角尺寸)或者六片47吋(對角尺寸)之平板顯示器。一"Gen 8"基板可以包含大約216cm x 246cm之尺寸。一"Gen 8.5"基板可以包含大約220cm x 250cm之尺寸，且每片基板可以被單片化以提供六片55吋或者八片46吋平面面板。
其亦可以使用本文所述之系統及技術支援超過Gen 8.5之尺寸。例如，其可以至少局部地使用本文所述之系統與技術製造一個具有大約285cm x 305cm或更大尺寸之"Gen 10"基板。本文所述之面板尺寸，雖然概括而言係套用於玻璃基板，但亦可以套用於任何適合使用於顯示裝置製造的材料之基板，特別是可以包含利用印刷技術形成一或多個疊層之OLED顯示器製造。例如，其可以使用多種玻璃基板材料，以及多種聚合物基板材料，舉例而言，聚醯亞胺(polyimide)。
本概述預計提供本專利申請之標的之一綜合概要。並非預計提供本發明之排他性或窮盡性之闡釋。有關於本專利申請的進一步資訊提供於本說明書的實施方式一節之中。
100‧‧‧氣體封閉組件
130‧‧‧氣體淨化環路
131‧‧‧出口管線
132‧‧‧溶劑移除構件
133‧‧‧入口管線
134‧‧‧氣體淨化系統
140‧‧‧熱調控系統
141‧‧‧流體出口管線
142‧‧‧流體冷卻器
142A‧‧‧第一冷卻器
142B‧‧‧分離冷卻器
143‧‧‧流體入口管線
300‧‧‧加壓氣體再循環系統
502‧‧‧氣體封閉系統
503‧‧‧氣體封閉系統
504‧‧‧氣體封閉系統
505‧‧‧氣體整合及控制系統
1000A‧‧‧電子裝置產製系統
1000B‧‧‧電子裝置產製系統
1000C‧‧‧電子裝置產製系統
1005‧‧‧氣體封閉組件
1050A‧‧‧第一受控處理環境
1050B‧‧‧第二受控處理環境
1100‧‧‧載入模組
1100A‧‧‧第一載入模組
1100B‧‧‧第二載入模組
1100C‧‧‧第三載入模組
1100N‧‧‧第N載入模組
1101‧‧‧輸入或輸出模組
1102‧‧‧直通腔室
1200‧‧‧處理模組
1200A‧‧‧處理模組
1200B‧‧‧處理模組
1300‧‧‧處理模組
1400‧‧‧輸送模組
1400A‧‧‧第一輸送模組
1400B‧‧‧第二輸送模組
1410‧‧‧裝卸器
1410A‧‧‧第一裝卸器
1410B‧‧‧第二裝卸器
1411‧‧‧拉升裝卸器
1412‧‧‧裝卸器
1420‧‧‧末端執行器
1421‧‧‧末端執行器
1500‧‧‧風扇過濾器單元
1500A‧‧‧風扇過濾器單元
1500B‧‧‧風扇過濾器單元
1500C‧‧‧風扇過濾器單元
1500F‧‧‧風扇過濾器單元
1500N‧‧‧第N風扇過濾器單元
1502‧‧‧熱交換器
1502A‧‧‧第一熱交換器
1502B‧‧‧第二熱交換器
1503A‧‧‧第一過濾器
1503B‧‧‧第二過濾器
2000‧‧‧印刷系統
2000A‧‧‧印刷系統
2000B‧‧‧印刷系統
2100‧‧‧輸入區域
2120‧‧‧第一架高板
2122‧‧‧第二架高板
2130‧‧‧橋接桿
2150‧‧‧印刷系統基座
2200‧‧‧印刷區域
2250‧‧‧基板浮動檯
2300‧‧‧輸出區域
2301‧‧‧第一X軸滑架組件
2302‧‧‧第二X軸滑架組件
2310‧‧‧第一Z軸移動板
2312‧‧‧第二Z軸移動板
2351‧‧‧第一Y軸軌道
2352‧‧‧第二Y軸軌道
2501‧‧‧第一印刷頭組件
2502‧‧‧第二印刷頭組件
2505‧‧‧印刷頭
2732‧‧‧裝卸器組態
2734‧‧‧軌道/軌線組態
3000A‧‧‧電子裝置產製系統
3000B‧‧‧電子裝置產製系統
3200‧‧‧外部氣體環路
3201‧‧‧非活性氣體源/廠室公用氣體源
3202‧‧‧第一機械式閥門
3203‧‧‧潔淨乾燥空氣(CDA)源
3204‧‧‧第二機械式閥門
3206‧‧‧第三機械式閥門
3208‧‧‧第四機械式閥門
3210‧‧‧廠室公用氣體管線
3212‧‧‧低消耗歧管管線
3214‧‧‧橫交管線第一區段
3215‧‧‧低消耗歧管
3216‧‧‧第一流通接合點
3218‧‧‧第二流通接合點
3220‧‧‧壓縮機氣體管線
3222‧‧‧CDA管線
3224‧‧‧CDA源
3225‧‧‧高消耗歧管
3226‧‧‧第三流通接合點
3328‧‧‧橫交管線第二區段
3230‧‧‧閥門
3250‧‧‧壓縮機環路
3252‧‧‧氣體封閉組件出口
3254‧‧‧管線
3256‧‧‧閥門
3258‧‧‧止回閥
3260‧‧‧旁通環路
3261‧‧‧第一旁通入口閥門
3262‧‧‧壓縮機
3263‧‧‧第二閥門
3264‧‧‧第一累積器
3266‧‧‧背側壓力調控器
3268‧‧‧第二累積器
3270‧‧‧真空系統
3272‧‧‧管線
3274‧‧‧閥門
3280‧‧‧鼓風機環路
3282‧‧‧鼓風機環路外殼
3283‧‧‧第一隔離閥
3284‧‧‧第一鼓風機
3284A‧‧‧第一鼓風機
3284B‧‧‧第二鼓風機
3285‧‧‧止回閥
3286‧‧‧可調整閥門
3287‧‧‧第二隔離閥
3288‧‧‧熱交換器
3290‧‧‧第二鼓風機
3292‧‧‧管線
3294‧‧‧閥門
3301‧‧‧隔門
4000‧‧‧基板
4000A‧‧‧基板
4001A‧‧‧電子裝置產製系統
4001B‧‧‧電子裝置產製系統
4001C‧‧‧電子裝置產製系統
4001D‧‧‧電子裝置產製系統
5000‧‧‧熱處理模組
5000A‧‧‧熱處理模組
5000B‧‧‧熱處理模組
5000C‧‧‧熱處理模組
5000D‧‧‧熱處理模組
5100‧‧‧裝卸器封閉體
5150‧‧‧熱受控區域
5151‧‧‧格室
5200A‧‧‧第一管道
5200B‧‧‧第二管道
5201‧‧‧管道
5201A‧‧‧管道
5201B‧‧‧管道
5201C‧‧‧管道
5201D‧‧‧管道
5250A‧‧‧氣簾
5250B‧‧‧氣簾
5350‧‧‧桿柱
5400A‧‧‧端口
5400B‧‧‧端口
5400N‧‧‧端口
5501‧‧‧路徑
5600‧‧‧氣體控制器
5650‧‧‧溫度控制器
5700‧‧‧封閉體
5701‧‧‧封閉體
5800‧‧‧層流
5900‧‧‧基板上方之一區域
5950‧‧‧區域(來源)
5952‧‧‧區域(折返點)
8700‧‧‧溫度控制器
8701‧‧‧溫度監測器
8701A‧‧‧溫度監測器
8701B‧‧‧第二溫度監測器
圖1A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一平面視圖之一實例。
圖1B概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例。
圖2A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一平面視圖之一實例。
圖2B概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例。
圖3A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一平面視圖之一實例。
圖3B概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例。
圖4A、圖4B、圖4C、及圖4D概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之平面視圖之進一步實例。
圖5A、圖5B、圖5C、及圖5D概括性地例示可以被使用於產製一發光裝置(例如，一OLED裝置)之熱處理模組組態之各種實例，諸如可以包含複數熱處理區域之一固定堆疊組態。
圖6A及圖6B概括性地例示可以提供一基板之浮動運送的印刷系統之
實例。
圖7A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一等角視圖。
圖7B概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一平面視圖。
圖7C概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統與一熱處理模組之一系統的至少一部分之一平面視圖之另一實例。
圖8概括性地例示可以被使用於有關本文所述之一或多個其他實例之部分或整體之一氣體淨化機制之一示意圖，諸如在使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)的一封閉殼體製造設備之中建立或維持一受控環境。
圖9A及圖9B概括性地例示用以整合及控制非活性氣體與潔淨乾燥空氣(clean dry air；CDA)源之一氣體封閉系統之實例，諸如可被用以建立本文其他地方所述之其他實例中提及之受控環境，以及諸如可以包含一加壓氣體之供應以配合一浮動檯使用。
圖10A及圖10B概括性地例示用以整合及控制非活性氣體與潔淨乾燥空氣(CDA)源之一氣體封閉系統之實例，諸如可被用以建立本文其他地方所述之其他實例中提及之受控環境，以及諸如可以包含一鼓風機(blower)環路以提供，舉例而言，加壓氣體與至少局部真空以配合一浮動檯使用。
圖10C概括性地例示用以整合及控制一或多個氣體或空氣源之一系統之另一實例，諸如用以建立被納入成為一浮動運送系統的一部分之浮動控制區。
圖11A、圖11B、及圖11C概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一輸送模組之一系統的至少一部分的視圖。
圖12A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一耦接至其他處理室或模組之輸送模組之一系統的一部分。
圖12B概括性地例示一裝卸器(handler)組態，其可以被使用於諸如操控位於圖12A中所示之模組內之一基板。
圖13A及圖13B概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如可以包含基板緩衝、冷卻、乾燥或其他處理區域之一堆疊組態之一系統的一部分之視圖。
在此等圖式之中，不必然按比例繪製，且類似的標號可以表示不同視圖中的類似構件。具有不同字尾字母的類似標號可以表示類似構件的不同樣例。圖式做為舉例，而非做為限制，概括而言例示本文件中所述之各種實施例。
本案發明人所領略到的事項包括各種電子裝置製造動作可以利用一種包含多個模組的配置執行，諸如具有受控處理環境者。例如，上述的模組配置可以包含具有個別維護受控環境的各別模組，或者可以與
其他模組共用一受控處理環境之一或多個模組。一種包含單一模組或者多個模組之組合的環境可以與其他模組相異。諸如氣體淨化、溫度控制、溶劑削減、或者微粒控制等一或多種設施均可以在模組之間共用，或者可以以一種專用的方式提供。在一實例之中，一基板可以包含一或多個光電子裝置，諸如一或多個有機發光二極體(OLED)裝置。
製造中的OLED裝置，諸如包含許多OLED裝置的基板，可以被輸送至製造設備或者從製造設備輸入，其中該製造設備使用諸如，舉例而言，一載入模組(例如，一"裝載鎖定(load-lock)")、包含一裝卸器之一輸送模組、或者一或多個封閉模組外部之一裝卸器等項目中的一或多者。模組之間的介面可以包含使用一氣簾(gas curtain)或者閘閥配置中的一或多者。以此方式，一製造中的各別基板之輸送可以在大致不變動一封閉模組之環境下進行。本案發明人領略到，一裝載鎖定式配置之使用可以允許受控制的內含大氣之產線元件與諸如開放空間式或真空式處理的其他製程整合，且大致不變動一各別模組內之一受控(例如，非活性與微粒受到控制的)環境，或者不需要每一封閉模組的大範圍耗時清洗。一個由一或多個封閉模組構成的處理環境可以被控制，諸如被建立成將微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、或有機蒸汽含量中的一或多項維持於特定限度以下。一個由一或多個封閉模組構成的處理環境可以被進一步控制以將一內部壓力維持成大約等於或大於該一或多個封閉模組周圍的環境壓力。
在一實例之中，位於一製造系統中一個由多個模組構成的配置可以包含一熱處理模組，特別是在該製造系統牽涉到透過一或多個印刷流程的塗層沉積的情況下。該熱處理模組可以包含各別的熱受控區域，諸
如各自被組構成用以容納一製造中的各別基板。該熱處理模組之一封閉體可以包含一可調整溫度，此可調整溫度係利用受控於一溫度控制器之一熱源所建立，其中該等熱受控區域被組構成用以提供一特定溫度或一特定溫度均勻度中的一或多項，至少部分地使用該熱源達成。各別的熱受控區域可以沿著該熱處理系統之一指定軸線彼此偏移(例如，在一垂直或水平組態之中，諸如一"堆疊"組態)。在一實例之中，當每一基板均位於一各別熱受控區域之中時，可以在一大致或完全平行於每一製造中基板的一表面的方向上提供層流(laminar flow)。在一實例之中，該層流可以包含位於該熱處理模組內之一受控處理環境之一氣體成分組成。
本案發明人亦領略到，在許多製程之中，諸如包含OLED產製之製程，一熱處理動作相較於生產線上的一或多個其他處理動作在持續時間上可以較長。在一例示性實例之中，一熱處理動作在持續時間上可以介於大約5與大約60分鐘之間，而其他處理動作，諸如印刷動作，在持續時間上可能僅維持1到3分鐘。若每一動作僅使用單一製程處理室，則此在產線上可能造成效率不彰，其將使生產量受限於最慢的個別製程處理室。
在一方式之中，上述之問題可以藉由使用許多個別熱處理室(例如，以分離單元之形式)加以解決，以跟上產線中最快的處理室的處理速率。然而，本案發明人亦領略到，其可以有利地提供一堆疊熱處理組態，具備空間或"槽位"給單一系統中的多個基板，諸如提供單一大型封閉體或單元，但藉由對單元內的多個基板提供平行熱處理而增加生產量，儘管可能有較長的熱處理時間之虞。此外，本案發明人有領略到，當此等熱處理步
驟包含一受控環境之中的處理之時，可以針對有關載入及卸載基板的面向給予特別的考量，並且在使用此一多基板熱處理模組之時，提供潔淨、無微粒之環境。例如，一個具有此一受控處理環境的熱處理模組可以包含提供一包含具有特定純度等級氣體(例如，氮氣)之空氣。此一純度等級亦可以包含其他物種之受控最大雜質濃度，諸如氧或水，例如用以在製造期間防止OLED裝置的劣化或者用以抑制或阻止瑕疵。其亦可以提供微粒控制，諸如在該惰性環境之內維持一特定的微粒等級。
圖1A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統2000與一熱處理模組5000之一系統1000A的至少一部分之一平面視圖之一實例，而圖1B概括性地例示系統1000A的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例。熱處理模組5000可以包含一種如圖5A、5B、5C、5D之實例所顯示或者如本文其他實例中所述之組態。
系統1000A可以包含一分叢組態(clustered configuration)，諸如具有一輸送模組1400A耦接至該印刷系統2000。一或多個其他模組可以耦接至印刷系統2000，諸如透過輸送模組1400A。例如，熱處理系統5000及一處理模組1200可以耦接至第一輸送模組1400A。熱處理系統5000可以包含如本文所述之其他實例中所提及之一堆疊組態，諸如圖5A、5B、5C、及5D的實例中所顯示及描述者。處理模組1200可以包含一持留或緩衝模組，諸如可以容納單一基板或多重基板者，諸如在一如圖13A與13B中所例示性顯示的一堆疊組態之中。除了單純地基於基板流動管理的目的而持留基板(諸如持留一基板一段時間直到另一模組準備好接收它為止，或者提
供一位置以持留瑕疵或受損基板直到其可被移除為止)之外，此一持留或緩衝模組亦可被用以持留基板一段時間以充當功能處理流程的一部分。例如，在一熱處理動作之後，基板可以被持留於該持留或緩衝模組之中，諸如用以使基板與該持留或緩衝模組之內的周遭環境達成大致的熱平衡。
在一實例之中，其可以執行一定時持留動作以允許基板從一狀態進展到另一狀態。例如，在其中一液體材料被沉積至基板上之一印刷動作之後以及在形成一固態薄膜之一固化動作之前，可以使用具有一特定持續時間之一定時持留動作，以讓液體透過一固化動作(諸如一包含熱處理或光學處理之固化動作)固定薄膜之前能夠流動、沉降、乾燥或者此三者之任意組合。處理模組1200可以包含一真空乾燥模組，諸如可以容納單一基板或多重基板，諸如在一如圖13A中所例示性顯示的一堆疊組態之中。此一真空乾燥模組可以提供一液體材料之乾燥(在低於環境壓力的壓力下)，諸如可以透過印刷被沉積於基板之上。在一實例之中，系統1000A可以包含提供如前所述的各種功能之一持留模組(holding module)以及一分離的真空乾燥模組二者。選替性地(或者額外性地)，系統1000A可以包含一持留模組，被組構成用以在環境壓力下提供持留或緩衝，或者在特定時段期間在大約環境壓力下提供持留或緩衝，但在其他時段期間提供真空乾燥。
系統1000A可以是封閉的，諸如具有一受控處理環境。此一受控處理環境可以被建立成將微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、以及有機蒸汽含量中的一或多項維持於特定限度以下。舉例而言，該受控處理環境可以包含氮氣，或者包含確定與沉積於正使用系統1000A處理之一基板上之一物種之間反應活性極小或不具反應活性之其他氣體或氣體之混
合。如下文其他實例中所述，其可以至少部分地使用包含於或耦接至系統1000A的各個部分之一氣體淨化系統(例如，如圖8、圖9A至9B、圖10A至10B所示)建立此一受控處理環境。該受控環境之一微粒等級亦可以被控制，諸如利用耦接至系統1000A或者位於系統1000A的一或多個模組之內的設備，如本文其他實例之中所顯示及描述。
做為一例示性實例，處理模組1200、印刷系統2000、輸送模組1400A中的一或多者可以包含由一共用氣體淨化設施、一單一專用氣體淨化設施、或者個別地關聯系統1000之不同部分的多個專用氣體淨化設施所建立之一受控環境。例如，許多模組可以包含閘門或閥門，諸如預定能夠受控制地隔離自系統1000的其他部分以讓各種動作可以在標稱系統動作期間或維護期間被執行，不至於系統1000一整個受控環境均須接受清洗或者均被汙染。
系統1000A可以包含一或多個載入模組，諸如一第一載入模組1100A或一第二載入模組1100B中的一或多者，諸如用以提供一進入點或退出點給製造中的一或多個基板。該第一或第二載入模組1100A或1100B可以是固定的或可移除的，諸如將系統1000A直接耦接至一生產線上的其他設備，或者甚至提供一個能夠被轉移到其他設備或從其他設備轉移過來的可移除式組件。例如，該第一或第二載入模組1100A或1100B中的一或多者可以被組構成用以將基板輸送至異於系統1000A內的環境之一環境，或者從該環境輸入。
例如，該第一載入模組1100A或第二載入模組1100B可以連接至一真空源，或一淨化源，或連接至二者，且可以被組構成用以獨立
地密封通往系統1000A之介面端口以及通往前一個或下一個環境(其可以是周遭環境或者關聯另一封閉處理模組之一受控環境)的介面端口。以此方式，該第一或第二載入模組1100A或1100B可以在內部密封本身，並且將載入模組1100A或1100B之內部環境從不相容於系統1000A轉變成相容於系統1000A(例如，當透過介面端口暴露至系統1000A之時處於大約大氣壓力下或者高於大氣壓力之一受控環境將大致維持在系統1000A中之受控環境之品質)。相仿地，該第一載入模組1100A或第二載入模組1100B可被用以將基板輸送至一個適合於其他處理之環境(例如，處於或接近大氣壓力但具有一異於該受控環境的成分之一第二環境，或者一真空環境)。以此方式，該第一或第二載入模組1100A及1100B可以在系統1000A的受控環境與其他設備之間提供一輸送管道。雖然圖1A及1B之例示顯示一單一處理模組1200耦接至輸送模組1400A，但其他組態亦有可能，諸如於下文實例之中所顯示及描述者。
如前所述，第一載入模組1100A或第二載入模組1100B可以包含一永久性附接組態，或者一搬運車或其他可運送式組態。一個製造中的基板可以透過一端口被佈放於載入模組1100A或1100B的其中一者之內，諸如使用位於系統1000A內之一裝卸器，或者使用位於它處的一或多個裝卸器，諸如一第一裝卸器1410A或一第二裝卸器1410B。
在一實例之中，載入模組(例如，第一載入模組1100A)可以從而被提供一非活性空氣環境或者以其他方式利用一經過淨化之氣流"加以荷載"，諸如包含一或多個清洗動作，以準備載入模組1100A之一內部區域供暴露至封閉系統1000A的內部部分。例如，該第一或第二載入模組中的
一或多者之一內部區域可以至少局部地被淨空或清洗，以避免污染以某一方式超過系統1000A的其他部分所界定之一封閉區域內的受控處理環境中之微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、臭氧含量、以及有機蒸汽含量之特定限度。
相仿地，在被系統1000A處理之後，一製造中的基板可以被放置於第一或第二載入模組1100A或1100B之中。做為一例示而言，第二載入模組1100B，例如，可以從而被隔離自系統1000A中其他地方之一非活性氣體環境，諸如耦接至待被淨空以供後續真空條件下的處理之一真空源，或者供製造中的基板通往其他設備之運送或在真空條件下、環境條件下或提供於第二載入模組1100B內的某些其他靜態受控環境下之處理。選替性地(或者額外性地)，一旦離開系統1000A的封閉體，基板即可以被回傳至第一載入模組1100A以供進一步處理或處置。做為另一例示，第一或第二載入模組的其中一者可以被組構成用以將基板提供至系統1000A內的受控處理環境，不提升封閉區域內一反應物種之一濃度超過百萬分之1000，或者類似地，不提升環境微粒等級超過一特定量，或者在每平方米的基板區域中不沉積超過一特定數目之特定尺寸微粒至基板上。
在一實例之中，第一載入模組1100A可以藉由一端口(例如，包含具有一大致不透氣密封層之一實體閘門)或氣簾，耦接至輸送模組1400A。當該端口敞開之時，其可以藉由位於第一輸送模組1400A中之一裝卸器進出第一載入模組1100A之一內部。該裝卸器可以包含具有各種不同自由度之自動機械組件，諸如利用一末端執行器(end effector)操控一基板。此一末端執行器可以包含被組構以藉由重力支承基板之一托盤或框架，或
者該末端執行器可以牢固地抓握、夾持、或以其他方式留置基板，諸如允許基板自一正面朝上或正面朝下的組態變成一或多種其他組態之重新定位。其亦可以採用其他末端執行器組態，諸如包含氣動或真空操控功能以致動末端執行器的多個部分或者以其他方式留置基板。包含裝卸器的輸送模組之例示性實例顯示於圖11A至圖11C以及圖12A與圖12B之中。
處理模組1200可以包含一封閉模組，其具有一類似包含於系統1000A中其他模組的受控環境。如在其他實例中所述，位於處理模組1200之中的受控環境可以獨立地維持於系統1000A的其他部分之外，諸如可隔離於系統1000A的其他封閉區域之外(例如，供維護之用或者當有關特別的處理作業之時)。在一例示性實例之中，處理模組1200可以包含一持留模組，被組構成用以提供各別的環境受控區域以容納製造中的各別基板。其可以使用一裝卸器及末端執行器將各別基板傳送至各別的環境受控區域。該等環境受控區域可以沿著該"持留"模組之一特定(例如，垂直)軸線彼此偏移以提供一"堆疊緩衝"組態。以此方式，一或多個基板可以被緩衝或儲存於系統1000A的受控環境之內，諸如排入佇列等候以供於一或多個其他模組之中的進一步處理。
除了將基板排入佇列等候之外(或者做為將基板排入佇列等候之替代)，諸如直到下一個模組準備好接收此等基板為止，一持留模組可以功能性地參與基板製程，例如藉由提供乾燥功能、冷卻功能、或者藉由持留基板一段特定的持續時間(或者直到符合特定的標準為止)以讓基板能夠從某一狀態進展到另一狀態。在基於推展基板之狀態的目的而持留基板的情況下，基板可以被持留以讓一液體能夠沉降或流動。在冷卻基板的情
況下，舉例而言，在一居前的熱處理動作之後且在載入一印刷模組以供一後續印刷處理之前，基板可以被持留一段特定的持續時間或者直到其落入一特定溫度範圍之內為止(或者二者皆成立為止)。在此一應用之中，冷卻處理之控制可以是透過將溫度受控氣流以受控制的方式施用於基板表面上，諸如層流，其可以被提供以流過基板之平面，如圖13B所示。
持留模組內之一受控環境之溫度可以被提升或降低以減緩或加速冷卻流程，且概括而言，持留模組溫度無須與其他系統模組(例如，印刷模組或基板裝卸模組)之中或周圍的環境之溫度相同。選替性地(或者額外性地)，其可以使用一支承基板的卡盤(chuck)組態進一步控制一冷卻流程。例如，其可以藉由實體接觸將基板持留於該基板(或者至少該基板的一部分)與一作用中的冷卻托盤或卡盤之間。在另一實例之中，基板可以停留於一作用冷卻氣墊之上(類似本文所述之其他實例，諸如利用一浮動氣墊支承基板以供進行印刷或熱處理等一或多項動作之情況)。為了降低損傷基板的可能性，其可以在諸如一段超過30秒、超過60秒、超過120秒的特定持續時間內，或者在一或多個其他特定持續時間內，緩慢地冷卻基板。因此，在一實例之中，基板之冷卻可以主要地利用環境氣流進行，如前所述，以避免熱衝擊，相較於將基板直接置於一作用冷卻托盤、卡盤、或氣墊時之情形。然而，於一作用冷卻托盤、卡盤、或氣墊上的冷卻速率亦可以藉由控制將基板降下至一托盤、卡盤、或氣墊上之速率加以控制，諸如透過升降桿之受控移動或者一基板裝卸器之受控移動之使用。
在一代表性的印刷流程實例之中，其可以在一大致高於印刷模組環境之周遭溫度(例如，源於一居前熱處理之結果)的溫度下接收一基
板，且此一基板可以在其與該基板周圍的周遭溫度達成平衡期間接受連續的冷卻。此冷卻可以在與將基板輸送至印刷模組所通常需要的時間相比之下更長的一段時間下進行。並且，若在印刷處理的起始之前未進行冷卻，則一基板在印刷處理期間可能承受大幅的溫度變化，此從而可能在印刷處理的開始與結束之間導致基板的機械性收縮。此收縮可能在油墨佈放於基板時產生錯誤。依據各種例示性實例，在載入印刷模組之前，一基板可以被持留的最小持續時間係60秒、120秒、240秒、或480秒的其中一者，或者是另一特定持續時間。
依據一例示性實例，在載入印刷模組之前，一基板可以被持留直到基板溫度位於印刷模組環境內之溫度的10℃、5℃、2℃、或1℃的其中一者之內。在一例示性實例之中，一基板可以被位於輸送模組1400A中的裝卸器在一大約200℃的溫度下接收，且可以被位於輸送模組1400A中的裝卸器放置入處理模組1200之中，諸如在處理模組1200被組構成運作於一25℃的受控內部溫度下之一持留模組之情況。在此例示性實例之中，該基板可以被持留於該持留模組中一段至少240秒的時間，使得在透過位於輸送模組1400A中的裝卸器將該基板從處理模組1200輸送到運作於一25℃的受控內部溫度下之印刷系統2000之前，該基板從而被冷卻至持留腔室受控內部溫度的5℃之內(意即，此例中，該基板被冷卻至30℃或更低)。在此例示性實例的一變異之中，處理模組1200可以包含一作用冷卻真空卡盤，基板在一段30秒的時間內下降至該作用冷卻真空卡盤之上，並且之後被持留於該卡盤之上一段30秒的時間，屆時該基板係位於印刷系統2000工作溫度的5℃之內，而在該點之後，該基板即可以被輸送至印刷系統2000。在此
例示性實例之又另一變異之中，處理模組1200可以包含一作用冷卻浮動平台，基板在一段30秒的時間內下降至該作用冷卻浮動平台之上，並且之後浮動於該卡盤之上一段30秒的時間，屆時該基板係位於印刷系統2000工作溫度的5℃之內，而在該點之後，該基板即可以被輸送至印刷系統2000。
在包含二印刷動作的另一代表性印刷處理之中，諸如印刷一第一塗層之後，可以對該第一塗層執行一熱處理，包含使用介於大約120℃與大約300℃之間的溫度處理基板，且跟隨此熱處理之後，一基板可以被持留以進行冷卻，而後將其輸送至一印刷模組以印刷一第二塗層。在一代表性實例之中，跟隨一塗層在印刷系統2000之中的印刷之後，一基板可以被輸送模組1400A中的裝卸器輸送至熱處理模組5000且在其中被加熱至一個大約200℃之溫度超過5分鐘之持續時間，並且之後位於輸送模組1400A中的裝卸器將基板輸送至處理模組1200，諸如處理模組1200被組構成運作於一25℃受控內部溫度之一持留模組之情形。在此例示性實例之中，該基板可以被持留於該持留模組中一段至少240秒的時間，使得在透過位於輸送模組1400A中的裝卸器將該基板從處理模組1200輸送回印刷系統2000，或者輸送到基板之後自其中被輸送至另一印刷系統或其他設備的載入模組1100A或1100B之前，該基板從而被冷卻至持留腔室受控內部溫度的5℃之內(意即，此例中，該基板被冷卻至30℃或更低)。在其中基於冷卻用途之一持留步驟比一印刷動作之持續時間長的樣例之中，其可以是介於30秒與90秒之間、介於60秒與120秒之間、或者介於90秒與240秒之間，而在各種不同的代表性實例之中，發明人領略到對於持留模組支持較高之生產量而言，一堆疊組態可能相當有價值。
在一處理模組1200乾燥一基板的情形中，受控環境可以透過一除水閥(vapor trap)或氣體再循環及淨化系統提供蒸發蒸汽的連續移除，且該乾燥處理可以透過流過基板表面的氣流的受控式施用而被進一步控制，諸如層流，其可以被提供以流過基板平面，如圖13B之中所示。在一實例之中，處理模組1200包含一乾燥模組，且系統1000A被組構成用以至少局部地淨空或清洗該乾燥模組內之空氣以促進一乾燥動作，諸如在一印刷動作之後或者使用熱處理模組5000之一熱處理動作之前的一或多種情況下。在此例之中，乾燥動作及乾燥模組與一獨立的"烘烤"動作不同，"烘烤"動作可以利用熱處理模組5000執行。
整體而言，系統1000A可以被操作於所謂的"叢集"及"線性"(或者說"在線")模式，此二操作模式主要差異在於，在"叢集"模式之中，一基板之流動係從同一處理室輸入而後回到同一處理室，而在"線性"或"在線"模式之中，一基板之流動係從一處理室輸入而離開前往一不同處理室。本文所述之標的可以包含於或使用於"叢集"與"線性"或"在線"組態二者之中。本文之中系統被統稱為"叢集"、"分叢"處，此反映一或多個分叢元件的出現於各種非限定之代表性示範系統(其可以共同被操作於叢集或在線模式)。
圖2A概括性地例示一系統1000B的至少一部分之一平面視圖之一實例，而圖2B概括性地例示該系統1000B的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例，其可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)，諸如包含一印刷系統2000與一熱處理模組5000。顯示於圖2A及圖2B之中的系統1000B的拓樸結構係圖1A及圖1B之中所顯示的組態上之一變異之一例示性實例。顯示於圖2A及圖2B的例子中的元件
可以在功能與組態上類似於圖1A及圖1B之中以及在本文其他地方的例子中所顯示及描述者。
在圖2A及圖2B之中，一印刷系統2000可以耦接至一第一輸送模組1400A。一處理模組1200A可以耦接至該第一輸送模組1400A。在一例示性實例之中，位於印刷系統2000、第一輸送模組1400A、以及處理模組1200A之內或周圍之一第一受控處理環境1050A可以包含處於或接近大氣壓力之一周遭環境，或者一些其他第一環境(例如，具有一淨化氣體環境之一微粒受控環境，或者未必包含一淨化氣體環境之一微粒受控環境)。在一個印刷系統2000、輸送模組1400A、以及處理模組1200A係封閉性的實例之中，此一第一環境1050A可以由印刷系統2000、輸送模組1400A、以及處理模組1200A周圍的一或多個封閉體所界定。一第一載入模組1100A可以耦接至第一輸送模組1400A，且該第一載入模組1100A可被用以輸送一基板往來於該第一受控處理環境，諸如在大致不改變該第一處理環境的狀況下。若該第一處理環境係類似於周遭環境，則第一載入模組1100A可以省略。在此樣例之中，輸送模組1400A不需要包含一封閉體，而是可以僅包含一基板裝卸自動機械，此基板裝卸自動機械可以另包含一外圍框架或結構，界定輸送自動機械之工作區域以策安全。在一個其中該第一處理環境類似周遭環境的實例之中，其可以使用一氣簾或閘閥取代第一載入模組1100A以對該第一輸送模組1400A提供一輸入或退出端口，或者可以透過不具有任何氣簾或閘閥之一開放端口進出輸送模組1400A。
圖2A及圖2B中的系統1000B可以包含一熱處理模組5000，諸如耦接至一第二傳輸室1400B。系統1000B可以另包含一第二處理模組
1200B，諸如耦接至1400B。(或者，在預定由系統1000B執行的動作不需要該等模組的情形下，處理模組1200A與1200B的其中一者或二者可被省略。)熱處理模組5000、處理模組1200B、以及第二傳輸室1400B中的一或多者可以提供一第二受控處理環境1050B，諸如具有一氣體成分異於該第一處理環境之一淨化氣體環境。例如，該第二處理環境可以受控制，諸如包含確定與一沉積於基板上的物種之間反應活性極小或不具反應活性之一經過淨化之非活性氣體。在一實例之中，該第二處理環境可以包含高於大氣壓力之氮氣。該第二處理環境可以被建立以維持一個具有小於百萬分之1000的氧以及小於百萬分之1000的水蒸汽之環境。該第二處理環境亦可以被建立以進一步維持一個具有小於百萬分之1000之臭氧或者小於百萬分之1000之一特定有機蒸汽的環境。該第一處理環境可以包含一個超過百萬分之1000的氧但具有小於百萬分之1000的水蒸汽之環境。
該第一處理環境可以包含一個超過百萬分之1000的臭氧或一特別有機蒸汽中的一或多項之環境。該二環境之其他組合亦有可能。然而，發明人對於該第二處理環境中的氧含量被控制成一大於該第一處理環境中之含量的情形給予特別考量，舉例而言，使得該第一環境可以包含一個含氧量大於該第二環境100倍，或者大於其1000倍，諸如以百萬分之幾的方式指定的形式。以此方式，該第一處理環境之控制可以是異於該第二環境，諸如就微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、臭氧含量、及有機蒸汽含量中的一或多項而言，標準較為寬鬆。
依據多個例示性實例，一特定處理之一特定污染之環境控制可以被指定以將其等級維持於小於百萬分之100、小於百萬分之10、小於百
萬分之1、或者甚至小於百萬分之0.1，而非例示於上的百萬分之1000之等級，且發明人領略到，任何列舉污染等級之列舉汙染物之任何組合均可以被指定於一受控環境。
在一例示性實例之中，一第一環境，其中運作一用以印刷一OLED裝置層之印刷系統，可以包含臭氧受控潔淨乾燥空氣，具有小於百萬分之100之水、小於百萬分之100之臭氧以及介於百萬分之100,000與250,000之間的氧，而一第二環境，其中運作一用以熱處理一印刷OLED裝置層之熱處理模組，包含具有小於百萬分之100的水、小於百萬分之100的氧、以及小於百萬分之100的臭氧之淨化氮氣。發明人領略到，舉例而言，由於針對像是印刷機之一複雜製造裝置提供此一第二環境的日益升高的複雜度，故在不希望印刷於第二受控環境之內的情形中，此一環境之組合對於印刷某些OLED裝置層而言是有需要的，不過由於在溫度提升之下，此等汙染物與OLED裝置層材料的反應性增加，故其同時需要在就諸如水、氧、或臭氧之一化學活性汙染物而言比第一環境具有更高純淨度的第二環境中進行印刷層的熱處理。此外，發明人亦有領略到，在此種情況下，熱處理步驟可以大致長於印刷步驟，而在第二環境之中提供一堆疊式烤爐組態對於提高系統的製造效率而言可能是有需要的。
如同圖1A及圖1B之相關說明，處理模組1200A及1200B可以被組構成一持留模組或一緩衝模組，其可以提供將基板加入佇列直到另一模組準備好接收它們為止的功能，或者該持留模組可被用以提供一受控環境予基板，讓基板以某種方式推展其狀態。例如，若一液體油墨已被提供於基板之上，則該持留模組可以提供一受控環境讓該油墨乾燥、流動、
或沉降，或者在基板被加熱至相對於另一模組內之溫度更提高之溫度的實例之中，該持留模組可以提供一受控環境讓基板冷卻。處理模組1200A與1200B中的一或多者可以選替性地(或者額外性地)充當一真空乾燥模組。例如，被組構成一真空乾燥模組之一處理模組可以耦接或包含一泵抽堆疊，舉例而言，諸如包含一機械泵、一渦輪泵(turbo pump)、一低溫泵(cryopump)、或一擴散泵(diffusion pump)中的一或多者。此一乾燥模組可以在該泵抽堆疊之前或之後包含用以移除溶劑的設施，舉例而言，諸如使用一冷阱(cold trap)、一分子篩(molecular sieve)、以及一活性碳過濾器中的一或多者。在一包含印刷一OLED裝置層的例示性實例之中，該第一處理模組1200A可以包含一真空乾燥模組以對被印刷系統2000沉積的塗層進行乾燥的動作，而該第二處理模組1200B可以被組構成一持留室以對被熱處理模組5000熱處理過的基板進行冷卻的動作，其中該第一環境包含臭氧受控潔淨乾燥空氣，內含小於百萬分之100的水、小於百萬分之10的臭氧以及介於百萬分之10,000與250,000之間的氧，而該第二環境包含經過淨化的氮，內含小於百萬分之10的水、小於百萬分之10的氧以及小於百萬分之10的臭氧。
發明人領略到，其可能需要具有一熱處理模組5000及一用以在熱處理之後冷卻基板的持留室一起位於一第二環境之中，其中此一第二環境被建立成包含比一第一環境就污染物而言更純淨的內容，該等污染物可能使印刷基板材料之品質劣化，特別是在基板遭逢較高的溫度時。例如，在基板被自第二環境移除之前，基板之溫度可以在該受控第二環境內被降低，使得基板從而可以被暴露至一較不純淨的環境(例如，第一環境)，使基板瑕疵或劣化的可能性較小。
被組構成一持留模組之一處理模組1200B以及熱處理模組5000可以包含不同的封閉環境，諸如分別是第三與第二環境，前提是在印刷基板劣化的風險下，相對於特定的污染物而言共用特定之純淨度。在印刷一OLED裝置層之一代表性實例之中，一第一OLED裝置層油墨可以被印刷於一包含臭氧受控潔淨乾燥空氣的環境之中。該油墨接著可以在一受控以維持低含量氧、水、及臭氧於一溫度等於或大於150℃的氮氣環境之中接受熱處理，且其後基板可以在一受控以維持低含量氧、水、及臭氧的氮氣環境之中被冷卻，直到此基板溫度低於100℃為止，而在該點之後，基板可以被輸送回一個包含臭氧受控潔淨乾燥空氣的環境。該例示性實例中指定一100℃之溫度，使得處於該溫度之基板暴露至位於該臭氧受控潔淨乾燥空氣環境中的氧將不會讓印刷OLED裝置層材料大幅劣化，且此一指定基板溫度可以被調整，取決於透過印刷沉積於基板上之材料，以及諸如基板幾何結構與基板冷卻係強制或自然發生等其他因素。取決於材料，其可以使用其他的靶材冷卻臨限溫度，諸如80℃、60℃，或者對於敏感材質而言，甚至是40℃或一更低之溫度。取決於OLED裝置層材料，其可以使用各種不同的熱處理溫度，例如，150℃、180℃、210℃、240℃、270℃、或者300℃。發明人亦領略到，與將一基板冷卻至一特定溫度相關聯的持留時間可以大致長於一印刷動作之一持續時間，舉例而言，冷卻持續時間可以是介於5分鐘與60分鐘之間，而印刷動作持續時間可以是介於1分鐘與3分鐘之間。因此，一堆疊式持留模組組態可被用以藉由容許多個基板被並行地冷卻而提高系統的製造效率。
在一例示性實例之中，一第一環境，諸如被建立於一印刷系
統2000之內以印刷一OLED裝置層油墨者，可以包含諸如具有小於百萬分之10的水、小於百萬分之10的氧、以及小於百萬分之10的臭氧之淨化氮氣，而一第二環境，其中運作一用以熱處理一印刷OLED裝置層塗層之熱處理模組5000，可以包含臭氧受控潔淨乾燥空氣，具有小於百萬分之1000的水、小於百萬分之100的臭氧以及介於百萬分之1000與100,000之間的氧。發明人領略到，在不希望將關聯印刷OLED裝置層的油墨暴露至高濃度氧的情形中，例如，在暴露至氧會使油墨劣化的情形中，但又需要在一存在氧的環境下熱處理印刷層以諸如在熱處理流程期間促進OLED裝置層材料中之一化學反應，此時可以使用此種環境之組合以印刷特定的OLED裝置層。發明人進一步領略到，第一及第二環境的許多不同組合均有可能，某些在第二環境中具有較高的純淨度，某些在第一環境中具有較高的純淨度，而某些則具有就所有關注的汙染物而言既非純淨度較高亦非純淨度較低的不同環境。例如，第一及第二環境可以被指定為對於關注的污染物而言符合類似的純淨度臨限值，但此等環境仍可以不同(諸如壓力或氣體成分的其中一者或二者不同)。
一第二載入模組1100B可以將該第一輸送模組1400A耦接至該第二輸送模組1400B。如同在本文所述的其他實例之中，該第二載入模組可以包含一或多個端口或閘門，且可以被組構成至少局部地被淨空或清洗，諸如為了在輸送一基板往來於此第二輸送模組1400B之時，避免或降低第二輸送模組1400B內的第二處理環境之污染。選擇性地，諸如使用於一"在線"組態之中，可以納入一第三載入模組1100C，諸如用以輸送一基板往來於其他製造設備或者該第一或第二處理環境之外的一環境。在一實例
之中，該第一及第二處理環境可以是相同的(或者至少是類似的)，而該第二載入模組1100B可以做為一直通捷徑(pass-through)，諸如圖3A及3B之相關顯示及說明。
如同在圖1A及圖1B中的實例以及本文的其他實例之中，其可以使用一或多個裝卸器以操控處理中或輸送中的基板。例如，諸如一第一裝卸器1410A或一第二裝卸器1410B的一或多個裝卸器可被用以將一基板置入該第一或第三載入模組1100A或1100C，或者自該等模組擷取一基板。相仿地，一或多個裝卸器可以位於系統1000B之內，諸如位於該第一輸送模組1400A或該第二輸送模組1400B之內，諸如用以操控系統1000B內的基板。例如，位於第二輸送模組1400B或熱處理模組5000的其中一或多者內之一裝卸器可以被組構成用以將基板從一載入模組(例如，第二載入模組1100B或第三載入模組1100C)輸送至位於熱處理模組5000內的各別熱受控區域的其中特定一者。
圖3A概括性地例示一系統1000C的至少一部分之一平面視圖之一實例，而圖3B概括性地例示該系統1000C的至少一部分之一等角視圖之一例示性實例，其可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)，諸如包含一印刷系統2000與一熱處理模組5000。顯示於圖3A及圖3B之中的系統1000B的拓樸結構係圖1A及圖1B或者圖2A及圖2B之中所顯示的組態上之一變異之一例示性實例。顯示於圖3A及圖3B的例子中的元件可以在功能與組態上類似於圖1A及圖1B或者圖2A及圖2B之中所顯示及描述者，以及在本文其他地方的例子中所描述者。在圖3A及圖3B之中，印刷系統2000、第一輸送模組1400A、處理模組1200、
第二輸送模組1400B、以及熱處理模組5000可以包含一受控處理環境，諸如包含確定與沉積於基板上之一物種之間反應活性極小或不具反應活性之一經過淨化之非活性氣體。在一實例之中，該受控處理環境可以包含高於大氣壓力之氮氣。該受控處理環境可以被建立以維持一個具有小於百萬分之1000的氧以及小於百萬分之1000的水蒸汽之環境。在印刷系統2000、第一輸送模組1400A、處理模組1200、第二輸送模組1400B、以及熱處理模組5000各自之內的環境均可以被隔離並分開維護。然而，由於每一模組之中的環境可以相同或大致相同，故一直通腔室1102可以被用以取代第二載入模組1100B。如同上述其他實例，諸如一第一裝卸器1410A或一第二裝卸器1410B之一或多個裝卸器可被用以操控一基板。
其亦可以使用例示性地顯示於圖1A、1B、2A、2B、3A、或者3B之中的例子之外的拓樸結構。圖4A、圖4B、圖4C、及圖4D概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一印刷系統2000及一熱處理模組5000之一系統的至少一部分之平面視圖的進一步實例。熱處理模組5000可以包含一種如圖5A、5B、5C、5D之實例所顯示或者如本文其他例子中所述之組態。
圖4A概括性地例示一系統4001A的至少一部分之一平面視圖之一實例。本發明人所領略到的事項包括，某些印刷動作不需要一受控之環境。例如，一印刷系統2000可以包含一開放空間式組態，或者一封閉組態，諸如包含微粒控制但不需要一淨化或惰性氣體環境。此一印刷系統2000可以包含一輸入區域2100、一印刷區域2200、以及一輸出區域2300，諸如類似於本文其他地方所述之實例。
在圖4A的實例之中，一載入模組1100可被用以將製造中的一或多個基板從印刷系統2000輸送至一受控環境(或一真空環境)以供進一步處理。例如，一輸送模組1400A可以耦接至載入模組1100，諸如用以操控一基板以放入一熱處理模組5000之中，或者一處理模組(例如，一緩衝器、一真空處理室、或者如其他例子中所提及的其他模組)。以此方式，印刷系統2000不需要(但可以)使用一受控環境，而載入模組1100可被用以在輸送模組1400A、熱處理模組5000、與印刷系統2000中的一或多者之內的環境(或者系統4001A外部的環境)之間提供隔離。
雖然印刷系統2000在圖4A之中被顯示成附接至載入模組1100，但印刷系統2000可以被設置於別處。例如，載入模組1100本身可以是可運送的(例如，呈一搬運車之組態)，或者載入模組1100可以耦接至一輸送搬運車以在位於一位置的輸送模組1400A與位於他處的印刷系統2000之間來回運送一或多個基板。在另一實例之中，輸送模組1400A可以被省略，而載入模組1100可以直接耦接至熱處理模組5000(例如，用以提供一個獨立的熱處理模組5000)。以此方式，當利用載入模組1100將基板輸送入或輸送出熱處理模組的受控環境之時，熱處理模組5000之受控環境可以被維持。
在又另一實例之中，一系統4001B例示於圖4B之中，其係對於圖4A的系統4001A之一變異，此處具有一印刷系統2000連接至一輸送模組1400A，其各自具有之一處理環境均可以不同於熱處理模組5000之一受控處理環境。其亦提供輸送模組1400B與熱處理模組5000，各自均可以具有一受控內部環境，諸如包含一淨化氣體環境。載入模組1100被提供
於輸送模組1400A與輸送模組1400B之間。載入模組1100可以被使用於在印刷系統2000及輸送模組1400A的第一環境與輸送模組1400B及熱處理模組5000的第二(例如，不同的)受控環境之間輸送基板。例如，該第一環境不必是一個淨化氣體環境，且該第二環境可以包含一淨化氣體環境，諸如二環境均處於或接近大氣壓力之情況。例如，該第二環境可以被建立成略微高於大氣壓力以藉由該第一環境或周遭環境抑制該第二環境之污染。
系統4001A與4001B的實例之間的一個功能上的差異在於一個用以自印刷系統2000將一基板移入載入模組1100的額外輸送模組之加入。且在又另一實例之中，一系統4001C例示於圖4C之中，其係分別對於圖4A及圖4B中之系統4001A與4001B之一變異。在圖4C之中，一印刷系統2000連接至一輸送模組1400A，各自均可以具有一第一環境。一熱處理模組5000亦被提供，其可以具有一受控內部環境，諸如包含一第二環境，而此第二環境包含一淨化氣體環境。一載入模組1100被提供於輸送模組1400A與熱處理模組5000之間。載入模組1100可以被使用於在印刷系統2000及輸送模組1400A的非惰性環境與輸送模組5000受控環境之間輸送基板。
相較於系統4001C的例子，系統4001A與4001B的實例之間的一個功能上的差異在於一個用以自印刷系統2000將基板移入載入模組1100之輸送模組的加入，以及不存在一個用以自載入模組1100將基板移入熱處理模組5000的輸送模組。許多變異均可能用來組構一印刷系統以在一非惰性環境之中印刷一基板以及將一基板輸送至具有一受控環境之一熱處理模組，諸如使用一載入模組以避免汙染惰性熱處理模組5000之環境。
此外，被顯示成分離模組的模組的某些功能可以被結合入單一模組，舉例而言，輸送模組功能與載入功能可以被結合入單一模組，此種情況下，該結合後的模組具有輸送基板以及在一受控環境與一非惰性環境之間循環的功能，或者輸送模組與熱處理模組可以被結合，此種情況下，該結合後的模組本身具有執行基板處理與載入/卸載基板自/至一載入/卸載站(例如，一裝載鎖定)二者之功能，或者輸送模組與印刷模組可以被結合，此種情況下，該結合後的模組本身具有執行印刷處理與載入/卸載基板自/至一載入/卸載模組(例如，一裝載鎖定)二者之功能。在另一實例之中，一熱處理模組5000可以在一單一模組之內包含加熱與冷卻二功能，諸如提供一個能夠熱處理基板而後持留基板之單一模組，類似於如前所述用以充當一冷卻模組之持留模組。
舉例而言，圖4D概括性地例示一系統4001D的至少一部分之一平面視圖之另一實例。如同在本文其他實例之中，系統4001D可以是獨立的，或者可以與其他元件整合，諸如顯示於本文他處中的實例。圖4D之系統4001D可以整體運作於一叢集或在線模式。例如，在一叢集模式之中，基板可以自載入模組1100被載入及卸載。舉例而言，在一在線模式之中，基板可以被載入印刷系統2000之左側並且自載入模組1100卸載。
系統4001D可以包含一印刷系統2000、一輸送模組1400、以及一熱處理模組5000。如同在本文所述的其他實例之中，印刷系統2000、輸送模組1400、以及熱處理模組5000均可以是封閉的，諸如用以提供處於大約等於大氣壓力或者高於大氣壓力之一微粒受控非活性環境(例如，具有一特定最大含量之一或多種雜質物種之一氮氣環境)。基板可以被輸送而往
來於系統4001A，諸如使用一載入模組1100進行之。以此方式，位於系統4001A之一或多個其他部分之中的各別受控環境得以被維持，同時在輸送一基板進入或退出系統4001A期間抑制或降低此等受控環境之污染。前文所述或本文其他地方所述之任一實例中的熱處理模組5000均可以包含一種如圖5A、5B、5C、或5D之實例所顯示之組態。
圖5A概括性地例示可以被使用於產製一發光裝置(例如，一OLED裝置)之一熱處理模組5000A之一示意圖之一實例，諸如可以包含熱處理區域之一固定堆疊組態。
此熱處理模組5000A可以包含一裝卸器封閉體5100，諸如可以類似於本文其他地方所述之輸送模組實例。裝卸器封閉體5100可以包含具有一淨化氣體環境(例如，氮氣)以及一處於約等於大氣壓力之受控微粒等級之一受控環境，且可以包含一裝卸器1412。裝卸器1412可以包含一末端執行器1421，諸如可被用以操控諸如基板4000之一或多個基板。熱處理模組5000A可以包含一封閉體5700，諸如對各別熱受控區域提供一受控處理環境，諸如包含一各別熱受控區域5150(例如，一"格室(cell)")。該各別熱受控區域可以沿著熱處理模組5000A之一特定軸線彼此偏移，諸如在圖5A的例子中所顯示的垂直地偏移。
其可以在熱受控區域5150之中指定一溫度均勻度，諸如將一基板(例如，基板4000)的至少一表面之一溫度限制於一特定範圍之內。在一例示性實例之中，此一範圍可以是基板區域上一目標溫度的大約正負百分之五、或者大約正負百分之二、或者正負百分之一。其可以在基板之間指定一溫度均勻度，諸如限制每一各別基板之溫度。在一例示性實例之中，
此一均勻度可以被指定為一目標溫度的正負百分之五、或者大約正負百分之二、或者大約正負百分之一之內。在持留或乾燥應用之中，目標溫度可能並非關鍵，但仍可以指定跨基板的溫度均勻度，諸如將一基板的至少一表面之一溫度限制於該基板之該表面上之一溫度範圍之一集中趨勢(例如，一平均、一中值)之一特定範圍之內。在一例示性實例之中，一基板的至少一表面之一溫度可以被指定為一集中趨勢的正負百分之五、或者正負百分之二、或者正負百分之一之內。在一例示性實例之中，熱處理之一特定溫度可以被選擇自一個大約攝氏150度到大約攝氏300度之範圍，或者選擇自一或多個其他範圍。
系統5000A可以包含或可以耦接至一或多個載入模組(例如，"裝載鎖定")，諸如一第一載入模組1100A或者一"第N"載入模組1100N。該一或多個載入模組可以永久性地耦接至裝卸器封閉體5100或者可以是可拆卸的。一載入模組可以包含一搬運車組態(例如，一載入模組1100B)，諸如可被用以輸送一基板往來一或多個其他載入模組，或者輸送至裝卸器封閉體5100。系統5000A可以耦接至一輸送模組1400，而輸送模組1400可以耦接至一印刷系統2000，諸如具有一滑架，此滑架包含一印刷頭，被組構成用以沉積一或多個疊層於基板4000之上，如本文其他實例之中所顯示及描述。
印刷系統2000不需要運作於一惰性環境之中。舉例而言，載入模組(例如，載入模組1100A)可被用以將一製造中的基板自印刷系統2000輸送至裝卸器封閉體5100之一受控環境，或者其可以諸如使用輸送模組1400輸送該基板，以一種避免汙染到裝卸器封閉體5100之環境的方式，
諸如當裝卸器封閉體5100之環境異於印刷系統2000或其他模組中的一或多者的環境之時。
舉例而言，該一或多個載入模組可以包含一第一端口(例如，一端口5400A或一端口5400B)，可以耦接至周遭環境或其他設備。第一端口5400A或5400B接著可以被關閉，而一所需之環境可以被建立於載入模組1100A或1100N之內。接著，一第二端口(例如，一端口5400A或5400B)可以被開啟，諸如允許裝卸器1410操控一基板(例如，一基板4000A)，諸如沿著一路徑550將基板4000A重新定位至一特定的熱受控區域。該等熱受控區域可以個別或集體地與裝卸器封閉體5100隔離。在圖5A的實例之中，該等熱受控區域並未彼此隔離。其亦可以使用他種組態，諸如具有個別閥門或端口之組態，使得該等熱受控區域可以彼此隔離。一或多個氣體淨化環路或氣體控制環路可以耦接至系統5000A的各別部分，諸如藉由氣體控制器5600所監測或控制者。一些受控區域可以提供提升溫度之熱處理，而一些受控區域可以是在熱處理之後用以冷卻基板之冷卻站，此等站台，舉例而言，係環境冷卻站或主動冷卻站，如先前在處理模組1200的一些實例中對於冷卻功能的相關描述。
裝卸器封閉體5100或者熱受控區域之封閉體5700之中的受控環境可以至少局部地使用一氣體淨化系統(例如，一氣體控制器5600)建立而成，諸如本文其他實例中所述。裝卸器封閉體5100或封閉體5700之熱受控區域中的一或多者之一溫度可以至少局部地使用一溫度控制器5650建立而成。
一各別熱受控區域之一溫度，諸如區域5150，可以使用多
種技術加以建立。例如，一或多個紅外線源可被用以照射基板4000。此等紅外線源可以位於封閉體5700之內，或者位於其他地方，諸如透過一窗口或其他組態光學式地耦接至封閉體5700，以在不需要干擾封閉體5700之內的受控惰性環境的情況下輔助紅外線源之維護。概括而言，對於提升的溫度均勻度而言，當基板係以一紅外線源加熱之時，一對稱托盤組態可被用以機械式地支承基板4000。
其他技術亦可被用以提升溫度均勻度。例如，與基板的任何接觸均可以產生其中較少之熱能被提供至基板或集熱區的陰影區域(當使用光學加熱技術之時)，其中導熱漏損增加，而此等在加熱及吸熱上的局部變化可能不利地影響溫度均勻度。來自此等區域之影響可以被減輕，諸如藉由設置支承基板4000的支承桿或者其他接觸點於非功能性區域之中，諸如位於基板4000之周界處，或者位於基板4000上的顯示裝置之間的區域之中。其亦可以使用其他技術，諸如使用一局部化或分散式浮動支承體以至少部分地使用氣墊支承該基板，並且不需要基板接觸一卡盤或桿柱。
在一實例之中，一熱板(hot-plate)組態可被用以提供受控之溫度。在此一熱板實例之中，一真空卡盤組態可被用以支承基板。例如，其可以由熱板中之端口所提供之一真空留置基板。在一實例之中，其可以使用對流加熱，諸如由一第一風扇過濾器單元(fan-filter unit；FFU)1500A或一第二風扇過濾器單元(FFU)1500B中的一或多者所提供，或者透過其他循環器或來源。舉例而言，諸如一第一管道5200A或一第二管道5200B之一或多個管道可被用以傳送一部分受控環境，透過該第一FFU 1500A或該第二FFU 1500B，或者透過一"第N"FFU 1500N。該第一、第二或"第N"FFU 1500A、
1500B、或1500N可以包含加熱元件、熱交換器，或者可以以其他方式耦接至一熱源，諸如藉由溫度控制器5650之調控以提供具有一特定溫度之一熱循環氣體供應。一或多個FFU或其他循環器、管道、或折流板可以被組構成諸如用以最小化擾流，或者以其他方式在基板4000的一表面上大致提供一層流5800，諸如位於基板上方之一區域5900。一般而言，其可以在基板堆疊中的最低點處或附近提供一折返點，如圖5A的例子中所示，或者在一橫向越過一或多個FFU的位置處，諸如概括性地例示於圖5B的例子中之一連續折返點。此種側向或向下導送之層流可以協助降低或最小化基板的微粒污染。以此方式，溫度均勻度可以提高，而微粒污染被抑制，諸如當使用對流式加熱之時。
其可以結合前述的一或多個加熱技術。例如，為了提升溫度均勻度，惰性氣體環境之一溫度可以被選擇成大約等於或接近一或多個熱受控區域之一目標溫度，當該等區域係利用對流以外的技術加熱之時(例如，一環境氣體溫度可以被指定成接近或等於一紅外線或熱板加熱溫度)。
圖5B概括性地例示可以被使用於產製一發光裝置(例如，一OLED裝置)之一熱處理模組5000B之一示意圖之一實例，諸如可以包含熱處理區域之一可重新定位之堆疊組態。
對比於圖5A的例子，系統5000B可以包含位於一封閉體5701之一受控環境之內的熱受控區域之一可重新定位之堆疊組態，諸如可以利用一拉升裝卸器1411予以重新定位。一基板4000可以被重新定位(例如，在垂直方向上，如同在圖5B的例子之中)以容許藉由包含一末端執行器1420之一第二裝卸器1410進出一特定之熱受控區域(例如，一格室5151)，
諸如透過一端口(例如，一閘門或其他組態)。
第二裝卸器1410可以位於耦接或接近系統5000B的製造設備之一封閉體之中，或者一或多個載入模組可以耦接至或被包含做為系統5000B的一部分，如本文其他實例中所述。在一實例之中，第一及第二部分5250A或5250B可以提供一流動氣體之氣簾(例如，一氮氣氣簾)阻止或抑制封閉體5701內之一受控環境被來自封閉體5701外部環境之一物種污染。例如，此一氣簾可以在不需要使用一載入模組下阻止或抑制氧氣或水份進入封閉體5701之環境。
如同在圖5A的例子及其他例子之中，封閉體5701內之受控環境可以包含至少局部地使用一氣體控制器5600所建立之一淨化氣體環境。氣體控制器5600可以被納入以監測或控制在封閉體之內循環之一惰性氣體之一純度等級。此氣體可以沿著一路徑5501透過諸如管道5201之一或多個管道循環，諸如可以藉由一或多個風扇過濾器單元(FFU)1500B、1500C、或1500N加以輔助。如同在其他實例之中，通過基板4000之一氣流可以被建立以抑制擾流，或者以其他方式大致提供層流以提高溫度均勻度及抑制微粒污染。區域5950(例如，一來源)及5952(例如，一折返點)可以被配置成容許氣體在封閉體5701的內部的多個部分之中透過通孔或其他孔隙被供應或收集。
雖然管道5201被顯示成可能與裝卸器1410可以透過其操控基板之一端口重疊，但其可以以一種避免干擾該端口(或者封閉體5701中的其他孔隙)的方式配置管道5201之路線，同時仍維持一個促進層流之路徑。並且，沿著路徑5501之一流動方向乃係例示性的，其他實例無須被限制成
如圖5B之中所顯示的由左至右的方位配置。例如，一或多個FFU或折返組件可以被置放於處理室的正面和背面之上(而非如圖5B的二維圖形之中顯示的左側及右側)，使得層流進入/離開頁面，在一基板輸送期間免於任何有關與裝卸器1410之機械性干擾之顧慮。此一從前端到後端的例子亦可以提供一個沒有空間中斷的輸入/輸出串流，諸如若沿著堆疊的長度具有一分散的氣體折返點的話(且否則可能因一進出端口的存在而被打亂)。
如同在圖5A的實例之中，其可以使用各種不同的熱控制技術，諸如可以包含透過對流、紅外線輻射、或者使用一熱板的其中一或多種方式加熱。在一實例之中，諸如基板4000的各別基板可以被支承於一熱受控區域(例如，格室5151)之內，諸如利用一卡盤、托盤、或支承框架。一或多個桿柱，諸如一桿柱5350，可被組構成用以支承或留置基板4000。為了輔助諸如藉由末端執行器1420之裝卸，其可以使用一升降桿配置，使得一或多個升降桿在一支承基板4000的卡盤之內可回縮或可重新定位。例如，末端執行器1420可以包含一內含槽位或空間的佔用面積，使得末端執行器1420不會干擾支承基板4000的桿柱。雖然此卡盤及升降桿實例係描述於圖5B的內容，但此等實例亦可以被納入做為圖5A之系統5000A的一部分或者做為本文所述之其他實例的一部分。
圖5C及圖5D概括性地例示可以被使用於產製一發光裝置(例如，一OLED裝置)之熱處理模組5000C及5000D的進一步實例。如同在圖5B的實例之中，諸如一第一FFU 1500A及一"第N"FFU 1500N之一或多個FFU可被用以輔助提供一受控低微粒環境。例如，一封閉體5701內之受控環境可以包含至少局部地使用一氣體控制器5600所建立之一淨化氣體環
境。氣體控制器5600可以被納入以監測或控制在封閉體之內循環之一惰性氣體之一純度等級。此氣體可以沿著一路徑5501透過諸如管道5201之一或多個管道循環，諸如可以藉由一或多個風扇過濾器單元(FFU)1500B、1500C、或1500N加以輔助。如同在其他實例之中，通過基板4000之一氣流可以被建立以抑制擾流，或者以其他方式大致提供層流以提高溫度均勻度及抑制微粒污染。區域5950(例如，一來源)及5952(例如，一折返點)可以被配置成容許氣體在封閉體5701的內部的多個部分之中透過通孔或其他孔隙被供應或收集。
熱受控區域之封閉體5701之受控環境可以至少局部地使用一氣體淨化系統(例如，一氣體控制器5600)建立而成，諸如本文其他實例中所述。裝卸器封閉體5100或封閉體5700之熱受控區域中的一或多者之一溫度可以至少局部地使用一溫度控制器5650建立而成。在一實例之中，諸如基板4000的各別基板可以被支承於一熱受控區域(例如，格室5151)之內，諸如利用一卡盤、托盤、或支承框架。一或多個桿柱，諸如一桿柱5350，可被組構成用以支承或留置基板4000。
對比於圖5B或圖5D之實例，圖5C之例子可以包含堆疊格室之一靜態配置。對於每一格室之進出可以由一單一大型閘門提供(例如，類似圖13A及圖13B的例示性實例中所顯示之配置)，或者可以提供個別端口，諸如在圖5D的實例中所示。過濾器單元或一熱交換器之位置不需要如圖5C或圖5D之中所示，且此等功能可以被執行於如圖13A及圖13B的例示性實例中所顯示之不同位置。
圖5D概括性地例示一熱處理模組5000D之又另一變異。在
圖5D之中，一拉升裝卸器1411或其他配置可以被組構成比顯示於圖5B的例示性實例通過一較短的高度範圍。例如，其可以提供諸如一第一端口5400A到一"第N"端口5400N之多個端口，諸如允許封閉體5701外部之一裝卸器進出位於熱處理模組5000D之中的一或多個各別格室。此等端口可以包含一實體閘門(例如，一閘閥)或一氣簾配置中的一或多者。在一實例之中，各別載入模組可以耦接至端口5400A到5400N中的每一者。此等端口不需要全部均配置於封閉體5701之單一面或者表面之上。
圖5A、圖5B、圖5C、及圖5D中之組態概括性地例示方位沿著一垂直軸線配置之一堆疊組態。然而，其亦可以使用他種組態。例如，基板4000可以被旋轉90度，使得堆疊水平地延伸而非垂直地延伸，或者呈另一組態(例如，被配置成使得堆疊格室在裝卸器封閉體5100周圍徑向地向外延伸)。堆疊亦可以被安排成呈一角度(既非垂直亦非水平)。額外性地，或者替代性地，堆疊內的基板的角度可以被設置成朝一個不垂直於堆疊軸線之方向(例如，其可以使用一水平堆疊，其中之基板被堆疊成向下傾斜30度，使得基板表面朝下而呈一角度)。圖5A、5B、5C、及5D之實例之特色可以被修改或結合，且5A、5B、5C、及5D之實例預計係例示性的。圖5A的熱處理模組5000A、圖5B的5000B、圖5C的5000C、或者圖5D的5000D的機械組態、受控淨化氣體環境、以及微粒控制特色亦可以被使用於一持留模組，以在一或多個基板堆疊於封閉體5700中之情形提供一受控(例如，惰性)環境給如前所述的該等持留功能。在其中持留功能包含一乾燥應用以乾燥或以其他方式允許基板上之一液體油墨之一狀態進展的一實例之中，模組5000A、5000B、5000C、或5000D內之一受控環境可以包含增強溶劑或
有機蒸汽削減，且可以包含一清洗能力以促進乾燥。
在圖5A、5B、5C、及5D的實例之中，位於熱受控區域中的一或多個基板可以由一托盤、框架、或卡盤組態支承，諸如包含一或多個桿柱。如同在其他實例之中，該一或多個桿柱或其他機械式支承特徵可以被設置於位於基板上的顯示裝置周界處或顯示裝置之間的區域之中。同樣地，一真空卡盤可以機械性地支承基板。此一真空卡盤可以配備真空端口及一真空供應，其可以受控制地被開機及關閉，以在一處理動作期間提供真空抽吸至基板的背側，從而增進基板的穩定度或基板與卡盤之間的熱接觸。在一實例之中，其並未使用真空卡盤，而是提供一非真空卡盤，且可以主要藉由重力及摩擦力，或者主要藉由機械束縛，將基板持留於定位。
一噴墨印刷系統，諸如圖6A中之一OLED噴墨印刷系統2000，可以包含多個裝置及設備，其允許墨滴可靠地佈放於一基板上的特定位置之上。此等裝置及設備可以包含，但不限於，一印刷頭組件、油墨投送系統、用以提供一印刷頭組件與一基板之間的相對移動之一移動系統、基板支承設備、基板載入與卸載系統、以及印刷頭管理系統。
一印刷頭組件可以包含至少一噴墨頭，具有能夠以一受控速率、速度、及尺寸噴出油墨液滴的至少一噴孔。該噴墨頭藉由提供油墨給噴墨頭之一油墨供應系統饋入。如圖6A所顯示，OLED噴墨印刷系統2000可以具有一基板，諸如基板4000，其可以由一基板支承設備支承，諸如一卡盤，舉例而言，但不限於，一真空卡盤、具有壓力端口之一基板浮動卡盤、以及具有真空及壓力端口之一基板浮動卡盤。在一實例之中，一基板支承設備可以是一基板浮動檯。如將於本文後續更詳細說明者，圖10B之
基板浮動檯2250可被用以支承基板4000，且配合一Y軸移動系統，可以是針對基板4000的無磨擦運送所提供之一基板運送系統的一部分。本教示之一Y軸移動系統可以包含第一Y軸軌道2351及第二Y軸軌道2352，其可以包含一夾持系統以供持留一基板。其可以藉由一線性空氣軸承(air bearing)或線性機械系統提供Y軸移動。圖6A所示之OLED噴墨印刷系統2000之基板浮動檯2250可以透過一封閉體組件界定基板4000之行進。
印刷包含介於印刷頭組件與基板之間的相對移動。此係利用一移動系統達成，通常是一起重台架(gantry)或分軸(split axis)XYZ系統。或者印刷頭組件可以在一固定基板上移動(起重台架式)，或者印刷頭與基板二者均可以移動，在一分軸組態之情形。在另一實施例之中，一印刷頭組件可以是大致固定的；舉例而言，在X和Y軸上，且基板可以相對於印刷頭在X和Y軸上移動，而Z軸移動係藉由一基板支承設備或者藉由關聯一印刷頭組件之一Z軸移動系統提供。當印刷頭相對於基板移動之時，油墨之液滴在正確的時間噴出，且將沉積於一基板上的預定位置。其可以利用一基板載入及卸載系統將一基板插入印刷機及自印刷機移除之。取決於印刷機組態，此可以利用一機械式運送機、具有一運送組件之一基板浮動檯、或者具有末端執行器之一基板輸送自動機械達成。一印刷頭管理系統可以包含數個次系統，允許此等量測工作，諸如檢查噴嘴噴發、以及液滴體積之量測、一印刷頭中每一噴嘴之速度與軌跡，和維護工作，諸如擦拭或吸乾噴墨噴嘴表面的多餘油墨、藉由自一油墨供應噴出油墨通過印刷頭進入廢棄盆以裝填及清洗一印刷頭、以及印刷頭的置換。有鑑於可以構成一OLED印刷系統之構件的多樣性，OLED印刷系統之各種實施例可以具有多
種佔用面積及外觀尺寸。
參見圖6A，印刷系統基座2150可以包含第一架高板2120與第二架高板2122，橋接桿2130架置於其上。對於OLED印刷系統2000的各種實施例而言，橋接桿2130可以支承第一X軸滑架組件2301及第二X軸滑架組件2302，其可以分別控制第一印刷頭組件2501及第二印刷頭組件2502在橋接桿2130上的移動。對於印刷系統2000的各種實施例而言，第一X軸滑架組件2301及第二X軸滑架組件2302可以使用一線性空氣軸承移動系統，其本質上即是低微粒產生。在一實例之中，一X軸滑架可以具有一Z軸移動板架置於其上。
在圖6A之中，第一X軸滑架組件2301被描繪成具有第一Z軸移動板2310，而第二X軸滑架組件2302被描繪成具有第二Z軸移動板2312。雖然圖6A描繪二滑架組件及二印刷頭組件，但對於OLED噴墨印刷系統2000的許多實施例而言，其可以僅具有單一滑架組件及單一印刷頭組件。例如，第一印刷頭組件2501與第二印刷頭組件2502的其中一者可以架置於一X、Z軸滑架組件之上，而一用以檢查基板4000之特徵的攝像系統可以架置於一第二X、Z軸滑架組件之上。OLED噴墨印刷系統2000的許多實施例可以具有單一印刷頭組件，舉例而言，第一印刷頭組件2501與第二印刷頭組件2502的其中一者可以架置於一X、Z軸滑架組件之上。對於OLED噴墨印刷系統2000的許多實施例而言，其可以僅有單一印刷頭組件，舉例而言，第一印刷頭組件2501與第二印刷頭組件2502的其中一者，架置於一X、Z軸滑架組件之上，而一用以固化印刷於基板4000上一封裝層的熱源可以設置一第二滑架組件之上。
在圖6A之中，第一X、Z軸滑架組件2301可被用以定位第一印刷頭組件2501，第一印刷頭組件2501可以被架置於第一Z軸移動板2310之上，在基板4000上方，而圖中顯示基板4000被支承於基板浮動檯2250之上。具有第二Z軸移動板2312的第二X、Z軸滑架組件2302可以被類似地組構以控制第二印刷頭組件2502相對於基板4000的X、Z軸移動。每一印刷頭組件，諸如圖6A中的第一印刷頭組件2501及第二印刷頭組件2502，均可以具有複數印刷頭裝載於至少一印刷頭裝置之中，如同圖中對於第一印刷頭組件2501的局部視圖所繪，其中繪有複數印刷頭2505。一印刷頭裝置可以包含，例如，但不限於，通往至少一印刷頭的流體及電子連接；每一印刷頭均具有能夠以一受控之速率、速度及尺寸噴出油墨的複數噴嘴或噴孔。對於印刷系統2000的許多實施例而言，一印刷頭組件可以包含介於大約1到大約60個印刷頭裝置，其中每一個印刷頭裝置均可以具有介於大約1到大約30個印刷頭於每一印刷頭裝置之中。一印刷頭，例如一工業噴墨頭，可以具有介於大約16到大約2048個噴嘴，此可以噴出介於大約0.1皮升(picoliter；pL)到大約200pL之一液滴量。
圖6B概括性地例示可以包含針對一印刷系統2000之一基板之一浮動運送之一實例。圖6B可以包含類似於圖6A之系統2000之一印刷系統，但取而代之地(或額外地)具有一多孔介質以提供浮動。在圖6B的實例之中，一裝卸器或其他運送方式可被用以將一基板4000定位於一印刷系統2000之一輸入區域2100之中，諸如位於一運送機之上。該運送機能夠將基板4000定位於印刷系統內之一特定位置，諸如使用機械式接觸(例如，使用一桿柱陣列、一托盤、或一支承框架組態)，或者使用氣墊以可控制性地
浮動基板4000(例如，一"空氣軸承"檯組態)。印刷系統2000之一印刷區域2200可被用以受控制地在製造期間沉積一或多個疊層於基板4000之上。印刷區域2200亦可以耦接至印刷系統2000之一輸出區域2300。運送機可以沿著印刷系統2000的輸入區域2100、印刷區域2200、以及輸出區域2300延伸，而基板4000可以針對各種不同之沉積作業，或者在單一沉積動作期間，依據需要被重新定位。輸入區域2100、印刷區域2200、及輸出區域2300附近的受控環境可以共用。
印刷區域2200可以包含一或多個印刷頭，例如噴嘴印刷、熱噴射或噴墨類型，耦接至一頭頂滑架或以其他方式在一頭頂滑架上來回移動，諸如被組構成在基板4000之一"面朝上"組態之中沉積一或多個圖案化有機層於基板4000之上。舉例而言，此等疊層可以包含一電子注入或傳輸層、一電洞注入或傳輸層、一阻隔層、或一發光層中的一或多種。此等材料可以提供一或多種電功能性疊層。
依據圖6A及圖6B之中所顯示的浮動機制，在基板4000完全由氣墊支承的一實例之中，可以透過端口之配置或者使用一散佈式多孔介質套用一種正氣壓與真空之結合。此一具有壓力與真空控制二者之區域可以在運送機與一基板之間有效地提供一流體彈簧。一正壓力與真空之結合可以提供雙向剛度之一流體彈簧。存在於基板(例如，基板4000)與一表面之間的間隙可以被稱為"飛行高度"，且此一高度可以藉由控制正壓力與真空端口狀態而加以控制或者以其他方式建立。以此方式，基板方位可以在，例如，印刷區域2200之中被審慎地控制。在一些實施例之中，機械式留置技術，諸如桿柱或一框架，可被用以在基板被氣墊支承之時限定基板的橫
向平移。此等留置技術可以包含使用彈簧載入結構，諸如用以在基板被留置時降低施加於基板側面的瞬間力道；此可以是有助益性的，因為一橫向平移基板與一留置工具間之一巨大的力量衝擊可能造成基板裂開或者甚至災難性的斷裂。
在其他地方，諸如前述的飛行高度無須被精確地控制之處，可以提供唯壓浮動區域(pressure-only floatation zone)，諸如沿著位於輸入或輸出區域2100或2300之中或者其他地方的運送機。其可以提供一"過渡"區域，諸如壓力對真空噴嘴之比例逐漸增加或減少之處。在一例示性實例之中，在一壓力-真空區域、一過渡區域、與一唯壓區域之間可以存在一基本上一致的高度，使得在公差之內，該三個區域可以基本上位於同一平面上。位於其他地方的唯壓區域上方之一基板之一飛行高度可以大於位於一壓力-真空區域上方之一基板之飛行高度，諸如用以達到足夠的高度讓一基板不會碰撞到位於唯壓區域中之一浮動檯。在一例示性實例之中，一OLED面板基板在唯壓區域上方可以具有介於大約150微米(μ)到大約300μ之一飛行高度，而在一壓力-真空區域上方則介於大約30μ到大約50μ。在一例示性實例之中，印刷系統2000中的一或多個部分或者其他製造設備可以包含由NewWay® Air Bearings公司(美國賓夕法尼亞州阿斯頓)所提供之一"空氣軸承"組件。
一多孔介質可被用以建立一分佈式加壓氣墊，以在印刷、緩衝、乾燥、或熱處理之中的一或多種期間內提供基板4000的浮動運送或支承。例如，諸如耦接至或被納入為一運送機一部分的一多孔介質"平板"可以提供一"分佈式"壓力，而以一種類似使用個別氣體端口的方式支承基板
4000。使用一分佈式加壓氣墊而不使用大型氣體端口孔隙在一些例子中可以進一步增進均勻度並且降低或最小化斑痕或其他可見瑕疵之形成，諸如在該等使用相當大型之氣體端口以建立氣墊的例子之中造成不均勻，儘管使用了氣墊仍然如此。
一多孔介質可以取得自諸如Nano TEM有限公司(日本新潟市)，諸如具有佔據整體基板4000的特定實體尺寸，或者具有諸如基板上的顯示區域或顯示區域外之區域等特定區域。此一多孔介質可以包含一特定細孔尺寸以在一特定區域上提供一所需之加壓氣流，同時降低或排除斑痕或其他可見的缺陷形成。
雖然一基板之氣體加壓支承之實例係針對圖6A及圖6B中之一印刷系統2000加以說明，但此等技術可以配合或取代其他支承方式使用，諸如配合本文所述的其他實例(特別是在其他實例中提及之熱處理模組5000、5000A、5000B、5000C、或5000D)。更具體言之，一浮動平檯可被用以在一熱處理動作期間支承一基板，例如，在包含由多個浮動平檯構成之堆疊的一個堆疊組態之中，且此一浮動平台可以藉由降低出現於其他一般使用的基板支承方式(諸如包含支承桿柱或真空卡盤但無浮動機制的方式)中的熱不均勻度而提供提升的均勻度。
此提升的均勻度可以有助於排除源於不均勻加熱之斑痕或其他可見的瑕疵形成。當使用一浮動平台做為一基板支承之時，可以提供一側向留置機制，諸如留置桿、夾鉗、或抽吸機制，可以防止熱處理動作期間位於平台上的基板之滑移，且亦可以提供升降桿以輔助使用一基板裝卸器自動機械自平台進行基板的載入及卸載。為了提高效率，一浮動支承
方式可以包含使用一再循環氣體淨化系統，諸如圖10A、10B、或10C之中所顯示及描述者。
圖7A及圖7B分別概括性地例示一系統3000A的至少一部分之一等角視圖及一平面視圖，諸如包含一第一印刷系統2000A、一第二印刷系統2000B、以及一熱處理模組5000，其可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)。
系統3000A可以包含一第一印刷系統2000A，諸如參照本文其他例子所述之印刷系統。為了提供提升之生產量、備用、或者多重處理動作中的一或多項，可以納入其他印刷系統，諸如一第二印刷系統2000B。系統3000A亦可以包含一或多個其他模組，諸如一熱處理模組5000、以及一處理模組1300。處理模組1300可以被組構成用以持留基板，如前所述，諸如在一堆疊組態之中。處理模組1300可以選替性地(或者額外性地)被組構成用以真空乾燥一或多個基板，諸如在一堆疊組態之中。在處理模組1300一次充當一個以上基板之一真空乾燥模組的情形之中，該堆疊組態可以在一單一處理室之中包含多個乾燥槽位，或者包含一隔離真空處理室堆疊，各自均具有單一乾燥槽位。在又另一組態之中，處理模組1300可以被組構成用以持留基板，且可以提供另一處理模組附接至輸送模組1400A以真空乾燥一或多個基板。例如，第一及第二印刷機2000A及2000B可被用以沉積相同的疊層於基板之上，或者印刷機2000A及2000B可被用以沉積不同疊層於基板之上。
系統3000A可以包含一輸入或輸出模組1101(例如，一"載入模組")，諸如可被使用做為一裝載鎖定或以其他方式允許一基板4000之輸
送進入或離開系統3000A之一或多個處理室內部，以一種大致上避免維持於系統3000A的一或多個封閉體內之一受控環境之崩潰的方式。例如，就圖7A以及本文所述之其他實例而言，"大致上避免崩潰"可以表示，在一基板4000之一進入或離開一或多個封閉體之一輸送動作期間或之後，避免將一或多個封閉體內之一反應物種之濃度提升超過百萬分之10、百萬分之100、或者百萬分之1000。一輸送模組1400B，諸如可以包含一裝卸器1410B，可被用以在各種動作之前、期間、或之後操控基板4000。圖12A及圖12B之中例示性地顯示可被使用於輸送模組1400B之一組態之一實例。其可以包含一或多個額外裝卸器，諸如用以提供一基板至輸入或輸出模組1101，或者自輸入或輸出模組1101接收一基板。
圖7C概括性地例示一系統3000B的至少一部分之一平面視圖之另一實例，諸如可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)。在圖7C之中，第一及第二印刷系統2000A及2000B可以被配置成類似圖7A、7B之例子(例如，用於沉積不同或類似疊層於一基板之上)。系統3000B可以包含一熱處理模組5000，以及一處理模組1300，和額外的處理模組1200A及1200B。例如，處理模組1300可以包含一真空乾燥模組，諸如被組構成用以將基板容納於一堆疊組態之中，舉例而言，以一種各自具有單一乾燥槽位之獨立真空乾燥處理室之堆疊的形式，以及一種具有多重乾燥槽位之單一處理室的形式，其均全部被載入並立刻被乾燥處理，或者一種各自具有一或多個乾燥槽位之獨立真空乾燥處理室之堆疊的形式，並且用以提供真空泵抽能力以及增強溶劑削減或有機蒸汽汙染控制。處理模組1200A及12001B可以被組構成用以持留一或多個基板以達成
本文其他地方所述的任一持留功能。其他配置亦有可能。例如，圖7A、7B、及7C之實例概括性地例示一種可以包含二印刷系統2000A及2000B之組態，但可以包含超過二個印刷系統。相仿地，其可以包含超過一個熱處理模組或者更多的(或較少的)處理模組。
氣體循環及過濾系統，諸如描述於圖8、9A、9B、10A、10B、或10C的實例中者，可以有助於微粒控制，或者可以以其他方式被納入為一微粒控制系統的一部分，諸如針對系統3000A或3000B或其他實例提供一受控處理環境。其亦可以建立一系統組態以阻止或抑制一處理中的基板附近的微粒產生，諸如在一印刷處理期間或其他處理期間。舉例而言，一微粒控制系統可以包含一氣體循環及過濾系統，以流體形式通連已被納入的微粒產生構件，使得此等微粒含納構件可以排氣至該氣體循環及過濾系統。已被納入的微粒產生構件可以排氣至一氣體封閉系統內其他對排出微粒散佈加以抑制的死角處。在一實例之中，許多構件可以是本質上即是低微粒產生之特性，從而避免微粒在一印刷處理期間，或者其他處理期間，累積於一基板之上。
本文實例中所顯示的封閉組態，提供對於可以在環境大氣條件下完成的處理的微粒降低所未遭遇之挑戰，諸如在開放空間、高流量層流過濾狀態之下。微粒控制可以藉由使用各種技術完成，諸如可以包含下列中的一或多項：(1)微粒物質可能聚集的接近一基板處之空間之消除或減少；(2)在本文所述的各種封閉區域之內遏制及排除微粒產生構件的排氣，諸如佈線、走線及管道的束紮，以及，舉例而言，採用諸如風扇或運用摩擦軸承的線性移動系統的各種設備、組件和系統；或者(3)採用各種本質上
即是低微粒產生之氣動式構件，諸如可以包含基板浮動檯、空氣軸承、以及氣動式自動機械、等等。以此方式，可以建立一低微粒環境，諸如符合國際標準組織(ISO)的標準14644-1：1999，"潔淨室與相關控制環境-第1部分：空氣潔淨度之分級"，其中具體指明第1級至第5級。
依據各種實例，其可以建立一大致低微粒環境，諸如提供不超過一基板上沉積速率規格之一關注特定尺寸範圍之微粒之一平均基板上分佈。一基板上沉積速率規格可以針對一關注特定尺寸範圍將每一者設定於大約0.1微米(μm)到大約大於等於10μm之間。例如，一基板上微粒沉積速率規格可以被表示成對於一目標微粒尺寸範圍中的每一者每分鐘沉積於每平方米基板上之微粒數目之一限度。
一基板上微粒沉積速率規格可以輕易地被從每分鐘沉積於每平方米基板上之微粒數目之一限度轉換成對於一目標微粒尺寸範圍中的每一者每分鐘沉積於每片基板上之微粒數目之一限度。此一轉換可以利用基板間之一已知關係加以決定，例如，一特定世代尺寸基板與該基板世代的對應面積之間的關係。舉例而言，以下表格1總結一些已知世代尺寸基板之長寬比及面積。其應理解，製造商之間的長寬比及尺寸可能有些微差異。然而，不考慮此等差異，對於多種世代尺寸之基板中的任一者，均可以得到一特定世代尺寸基板與以平方米為單位之面積之間之一轉換係數。
此外，被表示成每分鐘沉積於每平方米基板上之微粒數目之一限度之一基板上微粒沉積速率規格可以被轉換成多種單位時間表示法中
的任一種。被標準化成分鐘之一基板上微粒沉積速率規格可以透過已知的時間關係，例如，但不限於，諸如秒鐘、小時、日等等，被輕易地轉換成任何其他時間表示法。此外，其可以使用特別與處理相關的時間單位。例如，一印刷周期可以關聯一時間單位。舉例而言，一印刷周期可以是特別指定成一基板被移入一氣體封閉系統以供印刷而後在印刷完成之後被自一氣體封閉系統移除的一段持續時間。在另一實例之中，一印刷周期可以是特別指定成從一基板相對於一印刷頭組件之對準之起始到最後一噴出墨滴之投送到該基板的一段持續時間。一總平均周期時間(total average cycle time)，或稱TACT，可以是一特定處理周期或動作之一時間單位之表示。在一例示性實例之中，一印刷周期之TACT可以是大約30秒、60秒、90秒、120秒、或300秒，或者可以包含一或多種其他持續時間。
相對於一系統內的空氣中微粒物質及微粒沉積，眾多變數均可能對開發出一通用模型有所影響，該通用模型可以針對任何特定產製系統充分地決定，例如，諸如一基板之一表面上之微粒沉降率之一近似值。諸如微粒尺寸、特定尺寸微粒之分佈、一基板之表面積、以及一系統內一基板之暴露時間等變數均可以隨著各種不同的產製系統而變動。例如，微粒尺寸及特定尺寸微粒之分佈可以受到各種不同產製系統中的微粒產生構件之來源及位置顯著地影響。在一例示性實例之中，每平方米基板每印刷周期的基板上微粒物質沉積，對於一大於等於0.1微米尺寸範圍的微粒而言，可以是介於超過大約1百萬到超過大約1千萬的微粒數。此判定顯示出，在沒有本文所述之各種微粒控制系統的情況下，對於一大於等於大約2微米尺寸範圍的微粒而言，每平方米基板每印刷周期的基板上微粒物質沉
積可以是介於超過大約1000到超過大約10,000的微粒數。
依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於10微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約100微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於5微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約100微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於2微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約100微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於1微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約100微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於0.5微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約1000微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於0.3微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約1000微粒。依據一例示性實例，本文所述之系統或模組之一封閉
體可以維持一低微粒環境，提供符合一基板上沉積速率規格之一平均基板上微粒分佈，該基板上沉積速率規格對於尺寸大於或等於0.1微米之微粒每分鐘每平方米基板小於或等於大約1000微粒。
如同在本文所顯示及描述的其他實例之中，顯示於系統1000A、1000B、1000C、3000A、3000B、4001A、4001B、4001C、4001D之中或者在其他實例之中的一或多個模組可以包含共用或專用的氣體淨化與監測設施、溫度控制設施、或微粒控制設施。例如，每一模組均可以包含氣體淨化環路、風扇過濾單元、或溫度控制器中的一或多者。在一各別模組中之一受控環境可以是鄰接(例如，流體式地耦接)至一相鄰模組，或者該等模組可以包含彼此可以隔離之受控環境，諸如供氣體純度、溫度、微粒含量之加強控制，或者一特定模組之維護。
為了備用或維護，諸如系統可以包含閥門或閘門，諸如用以將一或多個模組中之一環境與一或多個其他模組隔離，諸如用以輔助溫度控制、氣體淨化、溶劑削減、或者微粒控制系統之維護而不需要進行含納於其他模組中的受控環境之傾除或清洗，或者大致上不改變含納於其他模組中的環境。
在本文件中其他地方所述之製造系統之內或周圍之一環境可以包含被選定以防止或抑制製造之時或製造中之裝置所使用的材料之劣化的照明。並且，在本文件中所述之各種實例均可以提及充氣封閉體，諸如提供一受控環境，具備一特定之溫度、雜質等級、或微粒含量中的一或多者。
依據各種實例，不同的光源可被使用於照明元件之中，以照
亮本文所顯示及描述之系統之內部部分，或者照亮其他區域，諸如用於操作者或機器視覺系統對於系統之各個部分的視覺化。其可以以多種方式選擇多個或一群照明元件，以使用於本文其他地方所顯示及描述之系統之內或周圍。例如，一或多個照明元件可以被平直地裝載，或者以一種可調整的方式，以提供多種照明位置或照明角度。照明元件之佈放無須受限於天花板之位置，且此等照明元件可以是位於本文之中所顯示及描述之系統的其他內部或外部表面之上。
該等照明元件可以包含任何數目、類型、或者組合之燈具，例如，鹵素燈、白光燈、白熾燈、弧光燈、或發光二極體或裝置(LED)。在一例示性實例之中，一照明元件可以包含從1個LED到大約100個LED、從大約10個LED到大約50個LED、或者超過100個LED。LED或其他照明裝置可以發出位於可見顏色光譜之中、可見顏色光譜之外、或其組合之任何顏色或顏色之組合。
可被用於OLED裝置製造的一些材料，諸如用於一印刷系統之中，可能對一些光波長敏感。因此，被安裝或使用以照亮一OLED製造系統之照明元件之一光波長可被選擇以抑制或消除處理期間的材料劣化。舉例而言，其可以使用一4X冷白光LED，亦可以使用一4X黃光LED，或者其任意組合。一4X冷白光LED之一實例可以包含由加州桑妮維爾市(Sunnyvale)的IDEC公司所提供的編號LF1B-D4S-2THWW4之部件。一4X黃光LED之一實例可以包含編號LF1B-D4S-2SHY6之部件，亦由IDEC公司所提供。LED或其他照明元件可以被設置於或懸掛於一天花板框架之任何內部部分或者一OLED製造系統之另一表面之上的任何位置處。照明元件
並不限於LED，其他類型之照明元件或者照明元件之組合均可以使用。
圖8概括性地例示可以被使用於有關本文所述之一或多個其他實例之部分或整體之一氣體淨化機制之一示意圖，諸如在使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)的一封閉殼體製造設備之中建立或維持一受控環境。舉例而言，一氣體封閉系統502可以包含一氣體封閉組件100(例如，具有一受控環境之一封閉體)、以流體形式通連該氣體封閉組件100之一氣體淨化環路130、以及一熱調控系統140(例如，如同在本文其他實例中可以被稱為一溫度控制器者)。
系統502可以包含一加壓氣體再循環系統300，其可以供應氣體以操作各種裝置，諸如一基板浮動檯或者其他加壓氣體裝置，諸如用於一OLED印刷系統。該加壓氣體再循環系統300可以包含或使用一壓縮機(compressor)、一鼓風機、或二者皆含。此外，氣體封閉系統502可以具有一循環及過濾系統，位於氣體封閉系統502內部(例如，如本文其他實例之中所述之一或多個風扇過濾器單元(FFU))。
一或多個管道或隔板可以於一氣體封閉組件之各種實施例中將循環通過氣體淨化環路130的非活性氣體與以其他方式被內部過濾及循環之非活性氣體分離。例如，氣體淨化環路130可以包含來自氣體封閉組件100之一出口管線131。其可以提供一溶劑移除構件132，用於溶劑削減，且待淨化之氣體可以從該溶劑移除構件132被繞送至一氣體淨化系統134。針對溶劑及諸如臭氧、氧、及水蒸汽中的一或多者之其他活性氣體物種加以淨化過的氣體，可以循環回到氣體封閉組件100，諸如透過一入口管線133。
氣體淨化環路130可以包含適當的管道及連接，諸如用以介接監測或控制裝置。例如，臭氧、氧、水蒸汽、或溶劑蒸汽感測器可以被納入。一氣體循環單元，諸如一風扇、鼓風機、或其他配置，可以被分別提供或者整合於，舉例而言，氣體淨化系統134之中，諸如用以透過氣體淨化環路130循環氣體。在圖8的例示之中，溶劑移除構件132及氣體淨化系統134被顯示成分離的單元。然而，溶劑移除構件132與氣體淨化系統134可以被藏納在一起而成為單一單元。
圖8的氣體淨化環路130可以具有溶劑移除構件132，佈放於氣體淨化系統134的上行處，使得循環自氣體封閉組件100的氣體能夠通過溶劑移除構件132，諸如透過一出口管線131。在一實例之中，溶劑移除構件132可以包含一溶劑捕集系統，基於從通過溶劑移除構件132的一氣體吸附溶劑蒸汽。例如，諸如活性碳、分子篩等之一吸附劑的一或多個底座，可以有效地移除為數眾多的有機溶劑蒸汽。在另一實例之中，做為溶劑移除構件132的一部分，一冷阱技術可被用以移除溶劑蒸汽。諸如臭氧、氧、水蒸汽及溶劑蒸汽感測器之感測器可被用以監測此等物種自連續地循環通過一氣體封閉系統(諸如氣體封閉系統502)之氣體之移除。例如，自此等感測器或其他裝置取得之資訊可以指示出諸如活性碳、分子篩等之吸附劑何時已經達到能力上限或者基於其他原因已變成效果較差，舉例而言，使得吸附劑的上述一或多個底座可以被再生或置換。
一分子篩之再生可以包含加熱該分子篩、使該分子篩接觸一形成氣體(forming gas)、前述項目之一組合、等等。例如，被組構成用以捕集包含臭氧、氧、水蒸汽、或溶劑等各種物種之分子篩可以藉由加熱並暴
露至一形成氣體而被再生。在一例示性實例之中，此一形成氣體可以包含氫，舉例而言，包含大約96%氮及大約4%氫之一形成氣體，其中該百分比係按體積或者按重量計。活性碳的實體再生可以在一受控環境下利用一加熱之程序達成。
氣體淨化環路130中之氣體淨化系統134的一部分可以包含可取得自，例如，新罕布什爾州斯坦瑟姆(Statham，New Hampshire)的MBRAUN公司，或者麻薩諸塞州阿姆斯伯利(Amesbury，Massachusetts)的Innovative Technology公司。氣體淨化系統134可被用以淨化氣體封閉系統502中的一或多種氣體，例如，用以淨化一氣體封閉組件內的整個氣體環境。如前所述，為了使氣體循環通過氣體淨化環路130，氣體淨化系統134可以具有一氣體循環單元，諸如，舉例而言，一風扇或鼓風機。一氣體淨化系統之選擇或組構可以是根據封閉體的體積，其可以定義一非活性氣體移動通過一氣體淨化系統之一體積流速。在一例示性實例之中，其可以使用具有一氣體封閉組件之一氣體封閉系統，該氣體封閉組件可以包含一大約4立方米之體積以及每小時可以移動大約84立方米之一氣體淨化系統。在另一例示性實例之中，其可以使用具有一氣體封閉組件之一氣體封閉系統，該氣體封閉組件可以包含一大約10立方米之體積以及每小時可以移動大約155立方米之一氣體淨化系統。在又另一例示性實例之中，其可以使用具有一介於大約52到大約114立方米之體積的一個氣體封閉組件，以及一個以上的氣體淨化系統。
氣體過濾器、乾燥機(dryer)、或其他淨化裝置均可以納入氣體淨化系統134之中。例如，一氣體淨化系統134可以包含二或多個淨化裝
置，諸如呈一並聯組態或以其他方式配置，使得其中一裝置可以自線上取走以進行維護，而一或多個其他裝置可在未被中斷下被用以繼續系統之動作。舉例而言，氣體淨化系統134可以包含一或多個分子篩，諸如至少一第一分子篩及一第二分子篩，使得當其中一分子篩之雜質飽和，或者由於其他原因被認定為運作效率不彰之時，系統可以切換至其他分子篩，同時再生已飽和或效率不彰的分子篩。一控制單元可被提供以判定每一分子篩之運作效率、在不同分子篩的運作之間切換、再生一或多個分子篩、或者前述項目之組合。如前所述，分子篩可以被再生並重複使用。
圖8的熱調控系統140可以包含至少一冷卻器(chiller)142，其可以具有一流體出口管線141以使一冷卻劑循環進入一氣體封閉組件，以及流體入口管線143以使該冷卻劑返回該冷卻器。至少一流體冷卻器142可以被提供以冷卻氣體封閉系統502之內的氣體環境。例如，流體冷卻器142可以將經過冷卻的流體投送至封閉體內的熱交換器，氣體可以在其中通過該封閉體內部之一過濾系統。至少一流體冷卻器亦可以被提供配合氣體封閉系統502以冷卻漸次形成自封閉於氣體封閉系統502內之一設備之熱。在一例示性實例之中，一流體冷卻器亦可以被提供予氣體封閉系統502以冷卻漸次形成自一OLED印刷系統之熱。熱調控系統140可以包含熱交換或帕爾帖裝置(Peltier device)，且可以具有各種不同之冷卻能力。例如，一冷卻器可以提供從大約2千瓦(kW)到大約20kW容量之一冷卻能力。依據許多實例，氣體封閉系統502可以具有能夠冷卻一或多種流體的複數流體冷卻器。一流體冷卻器可以使用各種流體做為一傳熱介質，舉例而言，諸如水、防凍劑、製冷劑、或其組合。無滲漏、鎖定連接可被使用於連接相關
的管道與系統構件。
雖然以上實例係述及冷卻能力及冷凝應用，但以上實例亦可以被套用於一受控環境中包含基板之緩衝的應用，或者用於循環氣體可被維持於一類似系統其他部分之溫度的應用，諸如防止自製造中的基板之不需要的熱傳輸，或者避免一基板上或基板間的溫度均勻性之破壞。
圖9A及圖9B概括性地例示用以整合及控制非活性氣體與潔淨乾燥空氣(CDA)源之一氣體封閉系統之實例，諸如可被用以建立本文其他地方所述之其他實例中提及之受控環境，以及諸如可以包含一加壓氣體之供應以配合一浮動檯使用。圖10B及圖10B概括性地例示用以整合及控制非活性氣體與潔淨乾燥空氣(CDA)源之一氣體封閉系統之實例，諸如可被用以建立本文其他地方所述之其他實例中提及之受控環境，以及諸如可以包含一鼓風機環路以提供，舉例而言，加壓氣體與至少局部真空以配合一浮動檯使用。圖10C概括性地例示用以整合及控制一或多個氣體或空氣源之一系統之另一實例，諸如用以建立被納入成為一浮動運送系統之一部分的浮動控制區。
本文所述的各種實例包含能夠在環境上受控制的封閉模組。封閉組件及對應的支承設備可被稱為一"氣體封閉系統"，且此等封閉組件可以被構建成一種圍道之樣式，其降低或最小化一氣體封閉組件之一內部體積，且同時提供一工作體積以容納OLED製造系統構件(諸如本文所述之沉積(例如，印刷)、持留、載入或處理模組)的各種佔用面積。舉例而言，對於涵蓋例如第3.5代到第10代基板尺寸之本教示之一氣體封閉組件的各種實例而言，依據本教示之一圍道式氣體封閉組件可以具有介於大約6m3
到大約95m3之一氣體封閉體積。依據本教示之一圍道式氣體封閉組件的各種實例可以具有，舉例而言，但不限於，介於大約15m3到大約30m3之一氣體封閉體積，此可能適用於，例如，第5.5代到第8.5代基板尺寸或其他基板尺寸之OLED印刷。一輔助封閉體之各種實例可以被構建成氣體封閉組件之一區域並容易地整合氣體循環與過濾以及淨化構件而形成一氣體封閉系統，此氣體封閉系統可以維持一受控的、大致上低微粒之環境給需要此一環境的製程。
如圖9A及圖10A之中所示，一氣體封閉系統的各種實例可以包含一加壓非活性氣體再循環系統。一加壓氣體再循環環路的各種實例可以使用一壓縮機、一鼓風機以及其組合。依據本教示，一些工程挑戰被解決以在一氣體封閉系統之中提供一加壓氣體再循環系統的各種實例。首先，在不具有一加壓非活性氣體再循環系統之一氣體封閉系統的典型運作之下，一氣體封閉系統可以相對於一外部壓力被維持於一略微偏正的內部壓力(例如，高於大氣壓力)，以在萬一有任何滲漏發生於一氣體封閉系統之中時，避免外部氣體或空氣進入內部。例如，在典型的運作之下，對於本教示之一氣體封閉系統的各種實例而言，一氣體封閉系統的內部相對於封閉系統外部的環境大氣被維持於一個例如至少2毫巴之壓力處、一個例如至少4毫巴之壓力處、一個至少6毫巴之壓力處、一個至少8毫巴之壓力處、或者一個更高的壓力處。
在一氣體封閉系統之內維持一加壓氣體再循環系統可以是具挑戰性的，因為對於維持一氣體封閉系統之一略微偏正之內壓，同時不間斷地將加壓氣體引入一氣體封閉系統之中，其呈現出一個動態而持續性
的平衡動作。此外，各種裝置及設備之可變要求對於本教示的各種氣體封閉組件及系統可以產生一不規則的壓力概貌。在此條件下相對於外部環境將一處於略微偏正壓力之一氣體封閉系統維持一動態壓力平衡可以提供一進行中的OLED製程之健全性。對於一氣體封閉系統的各種實例而言，依據本教示之一加壓氣體再循環可以包含一加壓氣體環路之各種實例，該加壓氣體環路可以使用一壓縮機、一累積器(accumulator)、以及一鼓風機的其中至少一者，以及其組合。包含一加壓氣體環路各種實例之一加壓氣體再循環系統的各種實例可以具有一特別設計的壓力控制旁通環路，其可以使位於本教示之一氣體封閉系統中之一非活性氣體之內部壓力處於一穩定之預定數值。在一氣體封閉系統的各種實例之中，一加壓氣體再循環系統可以被組構成當一加壓氣體環路之一累積器中之一氣體壓力超過一預先設定的臨限壓力之時透過一壓力控制旁通環路進行加壓氣體的再循環。該臨限壓力可以是，舉例而言，位於一個介於大約25psig(磅/平方吋表壓)到大約200psig的範圍之內，或者更具體言之，位於一個介於大約75psig到大約125psig的範圍之內，或者更具體言之，位於一個介於大約90psig到大約95psig的範圍之內。就此點而言，本教示之一氣體封閉系統，具有一加壓氣體再循環系統，配合一特別設計之壓力控制旁通環路之各種實例，可以在具有一加壓氣體再循環系統的一密閉氣體封閉體之中維持一平衡。
依據本教示，各種裝置及設備可以被配置於一氣體封閉系統之內部並且以流體形式通連一加壓氣體再循環系統之各種實例。對於本教示之一氣體封閉體及系統的各種實例而言，各種氣動式操作裝置及設備的使用可以提供低微粒產生之效能，以及低維護成本。可以被配置於一氣體
封閉系統之內部並且以流體形式通連各種加壓氣體環路的示範性裝置及設備可以包含，例如，但不限於，一氣動式自動機械、一基板浮動檯、一空氣軸承、一空氣軸襯(air bushing)、一壓縮氣體工具、一氣動式致動器中的一或多者，以及其組合。一基板浮動檯以及空氣軸承可被使用於依據本教示之一氣體封閉系統之各種實例的操作一OLED印刷系統的各種面向。例如，使用空氣軸承技術之一基板浮動檯可被用以將一基板運送至位於一印刷頭腔室中之位置，並且在一OLED印刷處理期間支承一基板。
舉例而言，如圖9A、9B、10A、及10B所示，氣體封閉系統503及氣體封閉系統504的各種實例可以具有外部氣體環路3200，供整合及控制一非活性氣體源3201及潔淨乾燥空氣(CDA)源3203，以使用於氣體封閉系統503及氣體封閉系統504的運作的各種面向之中。氣體封閉系統503及氣體封閉系統504亦可以包含一內部微粒過濾及氣體循環系統的各種實例，以及一外部氣體淨化系統的各種實例，如前所述。一氣體封閉系統的此等實例可以包含一氣體淨化系統，用以淨化來自一氣體的各種反應物種。一非活性氣體的一些常用非限定性實例可以包含氮氣、任一種惰性氣體、以及其任何組合。依據本教示之一淨化系統之各種實例可以維持許多反應物種中每一者之含量，包含例如1000ppm或更低、100ppm或更低、10ppm或更低、1.0ppm或更低、或者0.1ppm或更低的各種活性環境氣體，諸如水蒸汽、氧、臭氧、以及有機溶劑蒸汽。除了用以整合及控制氣體源3201及CDA源3203的外部環路3200之外，氣體封閉系統503及氣體封閉系統504可以具有壓縮機環路3250，其可以供應氣體以操作可以配置於氣體封閉系統503及氣體封閉系統504內部的各種裝置及設備。其亦可以提供一真空
系統3270，諸如當閥門3274呈一敞開態勢之時，透過管線3272通連氣體封閉組件1005。
圖9A的壓縮機環路3250可以包含壓縮機3262、第一累積器3264及第二累積器3268，其被組構成彼此流體式地通連。壓縮機3262可以被組構成用以將抽取自氣體封閉組件1005之氣體壓縮至一所需之壓力。壓縮機環路3250之一入口側可以透過具有閥門3256與止回閥(check valve)3258之管線3254經由氣體封閉組件出口3252以流體形式通連氣體封閉組件1005。壓縮機環路3250可以透過外部氣體環路3200以流體形式通連位於壓縮機環路3250之一出口側上之氣體封閉組件1005。累積器3264可以被配置於壓縮機3262與壓縮機環路3250及外部氣體環路3200的接面之間，且可以被組構成用以產生一個5psig或更高之壓力。第二累積器3268可以是位於壓縮機環路3250之中，用以提供源於約60Hz壓縮機活塞循環之阻尼波動。對於壓縮機環路3250的各種實例而言，第一累積器3264可以具有一介於大約80加侖(gallon)至大約160加侖間之容量，而第二累積器可以具有一介於大約30加侖至大約60加侖間之容量。依據氣體封閉系統503的各種實例，壓縮機3262可以是一零進入壓縮機(zero ingress compressor)。各種類型之零進入壓縮機可以在無環境氣體漏滲入本教示之一氣體封閉系統的各種實例下運作。零進入壓縮機的各種實例可以在，舉例而言，一OLED製程期間使用需要壓縮氣體的各種裝置及設備持續地運作。
累積器3264可以被組構成用以接收及累積來自壓縮機3262之壓縮氣體。累積器3264在氣體封閉組件1005中需要時供應壓縮氣體。例如，累積器3264可以提供氣體以維持氣體封閉組件1005之各種構件的壓
力，諸如，但不限於，一氣動式自動機械、一基板浮動檯、一空氣軸承、一空氣軸襯、一壓縮氣體工具、一氣動式致動器中的一或多者，以及其組合。如圖9A所示，對於氣體封閉系統503而言，氣體封閉組件1005可以具有封閉於其中之一OLED印刷系統2000。如圖9A之中的示意性描繪，印刷系統2000可以由印刷系統基座2100支承，其可以是一花崗岩平台。印刷系統基座2100可以支承一基板支承設備，諸如一卡盤，舉例而言，但不限於，一真空卡盤、具有壓力端口之一基板浮動卡盤、以及具有真空及壓力端口之一基板浮動卡盤。在本教示的各種實例之中，一基板支承設備可以是一基板浮動檯，諸如基板浮動檯印刷區域2200。基板浮動檯印刷區域2200可以使用於一基板之無磨擦支承。除了一低微粒產生浮動檯之外，針對一基板之無磨擦Y軸運送，印刷系統2000可以具有使用空氣軸襯之一Y軸移動系統。
此外，印刷系統2000可以具有至少一X、Z軸滑架組件，其移動控制係藉由一低微粒產生X軸空氣軸承組件提供。一低微粒產生移動系統之各種構件，諸如一X軸空氣軸承組件，可被用以取代，舉例而言，各種微粒產生線性機械軸承系統。對於本教示之一氣體封閉體及系統的各種實例而言，各種氣動式操作裝置及設備的使用可以提供低微粒產生效能，以及低維護成本。壓縮機環路3250可以被組構成用以將加壓氣體持續地供應氣體至氣體封閉系統503中的各種裝置及設備。除了加壓氣體的供應之外，噴墨印刷系統2000之基板浮動檯印刷區域2200，其使用空氣軸承技術，亦使用真空系統3270，當閥門3274呈一敞開態勢之時，其透過管線3272通連氣體封閉組件1005。
依據本教示之一加壓氣體再循環系統可以針對壓縮機環路3250具有如圖9A所示的壓力控制旁通環路3260，其用以在使用期間補償加壓氣體的可變要求，從而提供本教示之一氣體封閉系統之各種實例之動態平衡。對於依據本教示之一氣體封閉系統的各種實例而言，一旁通環路可以在累積器3264之中維持一固定壓力，且並未擾亂或改變封閉體1005之中的壓力。旁通環路3260可以在旁通環路之一入口側上具有第一旁通入口閥門3261，其係關合的，除非使用到旁通環路3260。旁通環路3260亦可以具有背側壓力調控器3266，其可以在第二閥門3263關合之時被使用。旁通環路3260可以具有第二累積器3268，配置於旁通環路3260之一出口側。對於使用一零進入壓縮機的壓縮機環路3250而言，旁通環路3260可以補償壓力的微小偏離，此壓力微小偏離可能在使用一氣體封閉系統期間隨著時間的推移而發生。當旁通入口閥門3261呈一敞開態勢之時，旁通環路3260可以以流體形式通連位於旁通環路3260之一入口側上的壓縮機環路3250。當旁通入口閥門3261敞開之時，若氣體封閉組件1005內部不需要來自壓縮機環路3250之氣體，則透過旁通環路3260分流的氣體可以被再循環至壓縮機。當累積器3264中的氣體之壓力超過一預先設定的臨限壓力之時，壓縮機環路3250被組構成用以透過旁通環路3260分流氣體。累積器3264之一預先設定之臨限壓力可以是在一至少大約每分鐘1立方呎(cfm)的流速下介於大約25psig到大約200psig之間、或者在一至少大約每分鐘1立方呎(cfm)的流速下介於大約50psig到大約150psig之間、或者在一至少大約每分鐘1立方呎(cfm)的流速下介於大約75psig到大約125psig之間、或者在一至少大約每分鐘1立方呎(cfm)的流速下介於大約90psig到大約95psig之間。
壓縮機環路3250的各種實例可以使用一零進入壓縮機以外的多種壓縮機，諸如一可變速度壓縮機或者一種能夠被控制成運轉或關閉其中任一狀態之壓縮機。如前文所述，一零進入壓縮機確保無大氣環境活性物種可以被引入一氣體封閉系統之中。因此，防止大氣環境活性物種被引入一氣體封閉系統之任何壓縮機組態均可以供壓縮機環路3250使用。依據許多實例，氣體封閉系統503之壓縮機3262可以被藏納於，例如，但不限於，一氣密式外殼之中。外殼內部可以被組構成以流體形式通連一氣體源，例如，形成氣體封閉組件1005的氣體環境的同一氣體。對於壓縮機環路3250的各種實例而言，壓縮機3262可以被控制於一固定速度以維持一固定壓力。在壓縮機環路3250未使用一零進入壓縮機的其他實例之中，當抵達一最大臨限壓力之時，壓縮機3262可以被關閉，而當抵達一最小臨限壓力之時被開啟。
在針對氣體封閉系統504的圖10A之中，其針對藏納於氣體封閉組件1005之中的噴墨印刷系統2000之基板浮動檯印刷區域2200之運作，顯示使用真空鼓風機3290之鼓風機環路3280。如前文針對壓縮機環路3250所述，鼓風機環路3280可以被組構成用以持續地供應加壓氣體至印刷系統2000之一基板浮動檯印刷區域2200。
可以使用一加壓氣體再循環系統之一氣體封閉系統的各種實例可以具有使用多種加壓氣體源之各種環路，諸如一壓縮機、一鼓風機的其中至少一者，以及其組合。在針對氣體封閉系統504的圖10A之中，壓縮機環路3250可以以流體形式通連外部氣體環路3200，其可以被使用於氣體之供應，以供高消耗歧管(manifold)3225以及低消耗歧管3215之用。對
於依據本教示之一氣體封閉系統的各種實例而言，如針對氣體封閉系統504的圖10A所示，高消耗歧管3225可被用以供應氣體至各種裝置及設備，諸如，但不限於，一基板浮動檯、一氣動式自動機械、一空氣軸承、一空氣軸襯、以及一壓縮氣體工具中的一或多者，以及其組合。對於依據本教示之一氣體封閉系統的各種實例而言，低消耗歧管3215可被用以供應氣體至各種設備及裝置，諸如，但不限於，一隔離器、及一氣動式致動器中的一或多者，以及其組合。
對於圖10A及圖10B之氣體封閉系統504的各種實例而言，可以使用一鼓風機環路3280以供應加壓氣體至基板浮動檯印刷區域2200的各種實例。除了加壓氣體的供應之外，OLED噴墨印刷系統2000之基板浮動檯印刷區域2200，其使用空氣軸承技術，亦使用鼓風機真空3290，當閥門3294呈一敞開態勢之時，其透過管線3292通連氣體封閉組件1005。鼓風機環路3280之外殼3282可以維持第一鼓風機3284以供應一加壓氣體源至基板浮動檯印刷區域2200，而第二鼓風機3290，充當基板浮動檯印刷區域2200之一真空源，其中浮動檯印刷區域2200係藏納於氣體封閉組件1005中之一氣體環境之中。可以使鼓風機適合使用做為一基板浮動檯的各種實例之加壓氣體源或真空源的特性包含，例如，但不限於，其具有高可靠度；使其維護成本低，具有可變速度控制，且具有範圍寬廣之流量；能夠提供介於大約100m3/h至大約2,500m3/h間之流量的各種實例。鼓風機環路3280的各種實例可以額外地具有第一隔離閥3283於鼓風機環路3280之一入口端處，以及止回閥3285與一第二隔離閥3287於鼓風機環路3280之一出口端處。鼓風機環路3280之各種實例可以具有可調整閥門3286，其可以是，舉
例而言，但不限於，一閘閥、蝶形閥、針形閥或球形閥，以及熱交換器3288以使得從鼓風機環路3280通往基板浮動檯印刷區域2200之氣體維持於一預定之溫度。
圖10A描繪外部氣體環路3200，亦顯示於圖9A之中，用於整合及控制氣體源3201及潔淨乾燥空氣(CDA)源3203以使用於圖9A的氣體封閉系統503與圖10A的氣體封閉系統504之運作的各種面向之中。圖9A及圖10A之外部氣體環路3200可以包含至少四個機械式活門。此等活門包含第一機械式閥門3202、第二機械式閥門3204、第三機械式閥門3206、以及第四機械式閥門3208。此等各種活門係位於各種流動管線之中允許諸如潔淨乾燥空氣(CDA)之一非活性氣體及一空氣源二者之控制的位置。依據本教示，一非活性氣體可以是在一組定義的條件下未經歷一化學反應之任何氣體。非活性氣體的一些常用非限定性實例可以包含氮氣、任一種惰性氣體、以及其任何組合。一廠室公用氣體管線3210延伸自一廠室公用氣體源3201。廠室公用氣體管線3210繼續線性地延伸成低消耗歧管管線3212，其以流體形式通連低消耗歧管3215。一橫交管線第一區段3214延伸自一第一流通接合點3216，其位於廠室公用氣體管線3210、低消耗歧管管線3212、與橫交管線第一區段3214的相交處。橫交管線第一區段3214延伸至一第二流通接合點3218。一壓縮機氣體管線3220自壓縮機環路3250之累積器3264延伸，並終結於第二流通接合點3218。一CDA管線3222延伸自一CDA源3203，並延續成為高消耗歧管管線3224，其以流體形式通連高消耗歧管3225。一第三流通接合點3226位於一橫交管線第二區段3228、潔淨乾燥空氣管線3222與高消耗歧管管線3224之相交處。橫交管線第二區段3228自
第二流通接合點3218延伸至第三流通接合點3226。經由高消耗歧管3225，高消耗的各種構件可以在維護期間被供應CDA。使用閥門3204、3208、及3230隔離壓縮機可以防止諸如臭氧、氧、及水蒸汽等活性物種汙染壓縮機及累積器內之氣體。
對比於圖9A及圖10A，圖9B及圖10B概括性地例示一種其中氣體封閉組件1005內部之一氣體壓力可被維持於一預定或特定範圍內之組態，諸如使用耦接至一壓力監測器P之閥門，其中利用取得自該壓力監測器之資訊，該閥門讓氣體能夠被抽空至另一封閉體、系統、或者氣體封閉組件1005周圍的一區域。如同在本文所述的其他實例之中，此氣體可以被回收及再處理。如前所述，此調控可以輔助維持一氣體封閉系統之一略微偏正的內部壓力，因為加壓氣體亦同時被引入該氣體封閉系統之中。各種裝置及設備之可變要求對於本教示的各種氣體封閉組件及系統可以產生一不規則的壓力概貌。因此，圖9B及圖10B之中所示的方式可以額外性地或者取代性地在本文所述之其他方式之外被使用，諸如用以將相對於封閉體周圍之環境處於一略微偏正壓力之一氣體封閉系統維持一動態壓力平衡。
圖10C概括性地例示用以整合及控制一或多個氣體或空氣源之一系統505之另一實例，諸如用以建立被納入成為一浮動運送系統之一部分的浮動控制區。類似圖10A及圖10B之實例，圖10C概括性地例示一浮動檯印刷區域2200。額外地顯示於圖10C的例示性實例之中者，係一輸入區域2100及一輸出區域2300。區域2100、2200、2300被稱為輸入、印刷、及輸出，僅係用以例示。此等區域可以被使用於其他處理步驟，諸如
一基板之運送，或者一基板之支承，諸如在一或多個其他模組之中的基板的持留、乾燥、或者熱處理的其中一或多個動作期間。在圖10C的例示之中，一第一鼓風機3284A被組構成用以提供加壓氣體於一浮動檯設備的輸入或輸出區域2100或2300之一或多個區域之中。此等加壓氣體可以是溫度上受控制的，諸如使用一第一冷卻器142A，耦接至一第一熱交換器1502A。其可以使用一第一過濾器1503A過濾該等加壓氣體。一溫度監測器8701A可以耦接至該第一冷卻器142A(或者其他溫度控制器)。
相仿地，一第二鼓風機3284B可以耦接至浮動檯之印刷區域2200。一分離冷卻器142B可以耦接至一個包含一第二熱交換器1502B及一第二過濾器1503B之環路。一第二溫度監測器8701B可被用以提供第二鼓風機3284B所提供的加壓氣體之溫度的獨立調控。在此例示性實例之中，輸入及輸出區域2100及2300被供應正壓力，但印刷區域2200可以包含正壓力與真空控制之一組合之使用，以對基板位置提供精確的控制。例如，使用此一正壓力與真空控制之組合，可以利用位於印刷區域2200所定義的區域中之系統504所提供的浮動氣墊完全地控制基板。該真空可以由一第三鼓風機3290建立，諸如亦提供構成氣體的至少一部分給鼓風機殼罩3282內的第一及第二鼓風機3284A或3284B。
圖11A、圖11B、及圖11C概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一輸送模組之一系統的至少一部分的視圖。
系統1000之各種封閉體內的受控環境可以包含一受控微粒等級。微粒可以被縮減或最小化，諸如藉由使用空氣循環單元及過濾器，
諸如可以被稱為風扇過濾器單元(FFU)者。一FFU陣列可以在處理期間沿著基板通過之一路徑設置。該等FFU不需要提供氣流之一向下流動方向。例如，其可以設置一PFU或通風管以在基板之一表面上往一橫向方向大致提供一層流。此橫向方向之層流可以增強或者以其他方式提供微粒控制。
在圖11A到圖11C的實例之中，一或多個風扇過濾器單元(FFU)，諸如FFU 1500A到1500F，可被用以輔助維持輸送模組1400A內具有一受控含量微粒或污染之環境。其可以使用諸如第一及第二管道5201A或5201B之管道，諸如用以提供一折返空氣路徑，如圖11B及圖11C的向下流通實例所示。一受控溫度可以至少部分地使用一溫度控制器8700加以維持，諸如耦接至一或多個熱交換器1502。一或多個溫度監測器，諸如一溫度監測器8701，可以被佈放於特定位置(例如，位於一基板或諸如末端執行器之上或其附近)，以提供反饋而協助將一基板或一基板附近之區域維持於一特定的溫度範圍之內。在一實例之中，如下文所述，該溫度監測器可以是一非接觸式感測器，諸如一紅外線溫度監測器，被組構成用以提供代表該感測器取樣之一表面溫度的資訊。其他組態亦有可能，諸如可以包含將熱交換器佈放於位於腔室下方部分中之一回返空氣管道之內或其附近，如圖13B中的例示性顯示。
在圖11C之中，一圓圈概括性地表示裝卸器1410之掃略區之一外部尺寸限度，而標示於角落中的區域可以被使用做為管道5201A、5201B、5201C、或5201D，諸如用以提供一折返路徑給預定捕取自輸送模組1400A底部之一淨化氣體(例如，氮氣)，而後經過再循環或擦洗，諸如透過位於輸送模組1400A頂部之一或多個FFU 1500A到1500F回注。
圖12A概括性地例示可以被使用於產製一電子裝置(例如，一有機發光二極體(OLED)裝置)之諸如包含一耦接至其他腔室或模組之輸送模組1400B之一系統的一部分。如同圖11A的實例，輸送模組1400B可以包含一或多個風扇過濾器單元(FFU)，諸如1500A到1500N(例如，14個FFU)。
圖12B概括性地例示一裝卸器2732組態，其可以被使用於諸如操控位於圖11A中所示之模組1400B內之一基板4000。對比於圖11A之輸送模組1400A中之裝卸器1410A，圖12B中之裝卸器1410B概括性地例示可以使用一軌道2734或軌線組態，諸如提供位於一軸線中之裝卸器2732之線性平移。以此方式，範圍廣泛的其他腔室或模組可以耦接至輸送模組1400B，諸如在一分叢組態之中，不需要以自一單點向外輻射的方式耦接每一個其他模組或腔室。如同圖11C之實例，一或多個管道可以位於裝卸器1410B之賽道型移動範圍外部之一區域中之輸送模組1400B的多個部分之中。例如，此等位置可被用以提供折返管道以將一氣體(例如，氮氣)自輸送模組1400B之一下方部分向上攜帶至位於FFU陣列上方之一氣室，如其他實例中所示。
圖13A及圖13B概括性地例示一系統之一部分的視圖，諸如可以包含一處理模組1200，其具有一堆疊組態之區域以容納各別基板。模組1200可以耦接至其他模組，如本文其他地方所述。例如，模組1200可以在如前所述利用其他模組執行的動作之間被使用以持留基板，該等動作包含乾燥基板、將基板排入佇列直到後續處理模組準備好接收它為止、在基板上沉降或流動一液體、或者冷卻基板。處理模組1200之一端口可以
包含一或多個隔門或艙口，諸如一隔門3301。例如，此等隔門可以被機械式地或電氣式地扣鎖，使得一製造系統外部可操控之隔門無法被開啟，除非該系統之上或之內其他地方處之一對應隔門被關閉。例如，隔門3301可被用以執行維護，而處理模組1200以其他方式與一惰性環境隔離，或者與位於一製造系統的其他封閉部分中之一微粒或汙染受到控制之環境隔離。
如前所述，其可以至少部分地使用一或多個FFU 1500維持此一微粒或汙染受控環境。在圖13B的實例之中，使用一交錯流通組態，諸如在可以包含一基板的一或多個格室3350的每一者之間大致維持一氣體(例如，一非活性氣體)之層流。一熱交換器1502可以位於FFU 1500附近，或者做為其一部分，但不一定要如此。舉例而言，熱交換器1502可以位於一基板裝卸區域的下方，諸如被包含於一折返管道5201之內，或者做為其一部分。溫度可以受控於一溫度控制器8700，諸如耦接至一溫度監測器8701。管道5201之多個部分的曲線輪廓可以至少部分地利用計算流體動力學技術加以具體指定，諸如在處理模組1200之內維持特定的流動特性(例如，層流)。
實例1可以包含或使用標的(諸如一種設備、一種方法、一種用以執行動作之工具、或者一種包含指令的裝置可讀取媒體，當由該裝置執行時，可以使得該裝置執行動作)，諸如可以包含或使用一種電子裝置製造系統，該電子裝置製造系統包含一第一印刷系統，被組構成用以沉積一第一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正製造於該基板上之一發光裝置的至少一部分，該第一印刷系統位於一第一處理環境之
中，該第一處理環境包含一被建立以維持微粒污染等級、水蒸汽含量、及臭氧含量於特定限度以下的受控環境、一封閉熱處理模組，包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該等熱受控區域彼此偏移且各自被組構成容納一基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該封閉熱處理模組提供一受控第二處理環境，該第二處理環境包含一被建立以維持微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下的受控環境、以及一基板輸送模組，被組構成用以自該第一印刷系統接收該基板並且被組構成用以提供該基板至該封閉熱處理模組內之該第二處理環境。在實例1之中，位於該第一印刷系統之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量可以是至少100倍大於位於該熱處理模組之中的基板之熱處理期間的該第二處理環境之氧含量。
實例2可以包含，或者可以選擇性地結合實例1之標的，以選擇性地包含一封閉基板冷卻模組，該封閉基板冷卻模組包含一或多個基板持留區域，各自被組構成用以容納基板，該基板冷卻模組被組構成用以持留基板一段特定持續時間，以包含對基板進行冷卻直到基板低於一特定臨限溫度，該封閉冷卻模組被組構成用以建立一第三處理環境，該第三處理環境包含一被建立以維持微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下的受控環境。
實例3可以包含，或者可以選擇性地結合實例2之標的，以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組被組構成用以自該封閉熱處理模組內之該第二處理環境接收基板，並且被組構成用以提供基板至該封閉冷卻模組內之該第三處理環境。
實例4可以包含，或者可以選擇性地結合實例2或3的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含位於該印刷系統中的基板之印刷期間的該第一處理環境之一氧含量，該氧含量至少100倍大於位於該冷卻模組中的基板之冷卻期間的該第三處理環境之氧含量。
實例5可以包含，或者可以選擇性地結合實例2到4的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一個100℃的特定臨限溫度。
實例6可以包含，或者可以選擇性地結合實例2或5的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一冷卻模組，該冷卻模組包含多個基板冷卻區域於一堆疊組態之中，各站彼此偏移。
實例7可以包含，或者可以選擇性地結合實例2或6的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含大致相同的第二及第三處理環境。
實例8可以包含，或者可以選擇性地結合實例1或7的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一處理環境，該第一處理環境包含受控制的潔淨乾燥空氣以維持一低於100ppm之水含量以及一低於100ppm之臭氧含量。
實例9可以包含，或者可以選擇性地結合實例1或8的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第二處理環境，該第二處理環境包含確定與沉積於基板上之一物種之間反應活性極小或不具反應活性之一淨化非活性氣體。
實例10可以包含，或者可以選擇性地結合實例9之標的，以選擇性地包含一第二處理環境，該第二處理環境包含高於大氣壓力之氮
氣。
實例11可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到10的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第二處理環境，該第二處理環境被建立以維持一個具有小於百萬分之1000的氧以及小於百萬分之100的水蒸汽以及小於百萬分之100的臭氧之環境。
實例12可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到11的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一處理環境，該第一處理環境具有一個超過百萬分之100,000的氧之環境。
實例13可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到12的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一裝卸器，該第一裝卸器被組構成用以自該印刷系統輸送基板。
實例14可以包含，或者可以選擇性地結合實例13之標的，以選擇性地包含一第二裝卸器，該第二裝卸器位於一異於該第一裝卸器之環境，該第二裝卸器被組構成用以輸送基板至該熱處理模組。
實例15可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到14的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第二裝卸器，該第二裝卸器被組構成用以將基板佈放於該等熱受控區域的其中特定一者。
實例16可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到15的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組包含與該第一印刷系統及該封閉熱處理模組分離的至少一腔室。
實例17可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到16的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含封閉之一第一印刷系統，其
中該基板輸送模組係位於該封閉第一印刷系統與該封閉熱處理模組之間。
實例18可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到17的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一封閉熱處理模組，該封閉熱處理模組被組構成用以提供對於該等熱受控區域的其中多個不同區域的操控，以利用一可移動平台進行基板載入與卸載，該可移動平台被組構成用以在至少一軸線上移動該等熱受控區域。
實例19可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到18的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一印刷系統，該印刷系統包含一噴墨印刷系統。
實例20可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到19的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組包含一封閉內部模組，該封閉內部模組被組構成用以自該第一處理環境接收一基板並提供一基板至該第二處理環境，在輸送基板的程序中基板經由該第二處理環境從印刷機被傳送到該熱處理模組。
實例21可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到20的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組被組構成用以將基板自該印刷機輸送至該熱處理模組，同時維持該封閉熱處理模組內之該第二處理環境中的微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、及臭氧含量的特定限度。
實例22可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到21的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組被組構成用以提供基板至該封閉熱處理模組，包含提供基板至一等
於或高於大氣壓力之環境，且未將該熱處理模組內的氧濃度提升至一大於百萬分之1000之等級。
實例23可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到22的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一基板裝卸器，該基板裝卸器被組構成用以在該封閉熱處理模組之內移動基板。
實例24可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到23的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含各自被組構成提供一特定基板溫度之複數熱受控區域。
實例25可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到24的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含各自被組構成提供一特定基板溫度均勻度之複數熱受控區域。
實例26可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到25的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一乾燥模組，該乾燥模組被組構成用以在該第一圖案化有機疊層的沉積之後接收基板，並且被組構成用以乾燥構成在一印刷動作期間被沉積之該第一圖案化有機疊層的油墨。
實例27可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到26的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一乾燥模組，該乾燥模組被組構成用以至少局部地對該乾燥模組內之一氣體環境進行淨空或清洗的其中一或多個動作以促進一乾燥動作。
實例28可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到27的其中一者或其任何組合之標的，以包含標的(諸如一種設備、一種方法、一種用以執行動作之工具、或者一種包含指令的機器可讀取媒體，當由該機器
執行時，可以使得該機器執行動作)，諸如可以包含或使用一種電子裝置製造系統，該電子裝置製造系統包含二或多個印刷系統，各自被組構成用以沉積一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正製造於該基板上之一發光裝置的至少一部分，該二或多個印刷系統位於一第一處理環境之中，該第一處理環境包含一被建立以維持微粒污染等級、水蒸汽含量、及臭氧含量於特定限度以下的受控環境。在實例28之中，一封閉熱處理模組包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該等熱受控區域彼此偏移且各自被組構以容納一基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該封閉熱處理模組提供一受控第二處理環境，該第二處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下之受控環境。在實例28之中，一基板輸送模組被組構成用以自該二或多個印刷系統接收基板並且被組構成用以提供基板至該封閉熱處理模組內之該第二處理環境。在實例28之中，位於該二或多個印刷系統的其中至少一者之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量係至少100倍大於位於該熱處理模組之中的基板之熱處理期間的該第二處理環境之氧含量。
實例29可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到28的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含被組構成用以沉積一不同圖案化有機疊層於基板上的二或多個印刷系統中的每一者，其中該封閉熱處理模組被組構成用以在不同圖案化有機疊層的沉積之間或之後對基板提供一熱處理。
實例30可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到29的其
中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第二處理環境，該第二處理環境包含一個具有小於百萬分之10的氧之環境。
實例31可以包含，或者可以選擇性地結合實例1到30的其中一者或其任何組合之標的，以包含標的(諸如一種設備、一種方法、一種用以執行動作之工具、或者一種包含指令的機器可讀取媒體，當由該機器執行時，可以使得該機器執行動作)，諸如可以包含或使用一種電子裝置製造系統，該電子裝置製造系統包含一第一印刷系統，該第一印刷系統被組構成用以沉積一第一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正製造於該基板上之一發光裝置的至少一部分、一熱處理模組，包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該等熱受控區域彼此偏移且各自被組構成用以容納基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該熱處理模組被組構成用以在該等熱受控區域的其中特定一者自該第一印刷系統接收基板、一基板冷卻模組，包含一或多個基板持留區域，各自被組構成用以容納該基板，該基板冷卻模組被組構成用以持留該基板一段特定的持續時間，以包含對該基板進行冷卻直到該基板低於一特定臨限溫度為止。在實例31之中，該第一印刷系統、熱處理模組、以及基板冷卻模組係封閉的，且被組構成用以提供一被建立以維持微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、及臭氧含量於特定限度以下之受控環境。在實例31之中，系統包含一基板輸送模組，被組構成用以自一不同於該受控處理環境之環境接收基板，並且被組構成用以提供基板至由該第一印刷系統或該熱處理模組或該冷卻模組所界定之一封閉區域。
實例32可以包含，或者可以選擇性地結合實例31之標的，
以選擇性地包含一基板輸送模組，該基板輸送模組被組構成用以自該封閉熱處理模組接收基板，並且被組構成用以提供基板至該封閉冷卻模組。
實例33可以包含，或者可以選擇性地結合實例31或32的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地在基板自其輸送的一環境之中包含一氧含量，該氧含量相較於位於該冷卻模組中的基板冷卻期間的受控處理環境中的氧含量至少大100倍。
實例34可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到33的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一個100℃的特定臨限溫度。
實例35可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到34的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一冷卻模組，該冷卻模組包含多個基板冷卻區域於一堆疊組態之中，各站彼此偏移。
實例36可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到35的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一處理環境，位於該冷卻模組、該印刷系統、及該熱處理模組外部，包含受控制的潔淨乾燥空氣以維持一低於100ppm的水含量以及一低於100ppm的臭氧含量。
實例37可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到36的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一受控處理環境，該受控處理環境包含確定與沉積於基板上之一物種之間反應活性極小或不具反應活性之一淨化非活性氣體。
實例38可以包含，或者可以選擇性地結合實例37之標的，以選擇性地包含一受控處理環境，該受控處理環境具有高於大氣壓力之氮
氣。
實例39可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到38的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一受控處理環境，該受控處理環境被建立以維持一個具有小於百萬分之1000的氧以及小於百萬分之100的水蒸汽以及小於百萬分之100的臭氧之環境。
實例40可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到39的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一處理環境，位於該冷卻模組、該印刷系統、及該熱處理模組外部，包含一超過百萬分之100,000之氧的環境。
實例41可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到40的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一裝卸器，該第一裝卸器被組構成用以自該印刷系統輸送基板。
實例42可以包含，或者可以選擇性地結合實例41之標的，以選擇性地包含一第二裝卸器，該第二裝卸器被組構成用以將基板佈放於該等熱受控區域的其中特定一者。
實例43可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到42的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一熱處理模組，該熱處理模組被組構成用以利用一可移動平台將基板沉積於該等熱受控區域的其中特定一者之中，該可移動平台被組構成用以在至少一軸線上移動該等熱受控區域。
實例44可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到43的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一印刷系統，該印刷系統
包含一噴墨印刷系統。
實例45可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到44的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一載入模組，該第一載入模組包含與該第一印刷系統及該封閉熱處理模組分離之一腔室。
實例46可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到45的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一第一載入模組，該第一載入模組被組構成用以透過該第一載入模組提供基板至該系統之一封閉區域，包含提供基板至一等於或高於大氣壓力之環境，且未將該熱處理模組內之一氧濃度提升至一大於百萬分之1000之等級。
實例47可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到46的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含各自被組構成提供一特定基板溫度之複數熱受控區域。
實例48可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到47的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含各自被組構成提供一特定基板溫度均勻度之複數熱受控區域。
實例49可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到48的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含被組構成用以沉積圖案化有機疊層於基板上之二或多個印刷系統。
實例50可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到49的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含被組構成用以沉積一不同圖案化有機疊層於基板上的二或多個印刷系統，其中該熱處理模組被組構成用以在不同圖案化有機疊層的沉積之間或之後對基板提供一熱處理。
實例51可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到50的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一乾燥模組，該乾燥模組被組構成用以在該第一圖案化有機疊層的沉積之後接收基板，並且被組構成用以乾燥構成在一印刷動作期間被沉積之該第一圖案化有機疊層的油墨。
實例52可以包含，或者可以選擇性地結合實例31到51的其中一者或其任何組合之標的，以選擇性地包含一乾燥模組，該乾燥模組被組構成用以至少局部地對該乾燥模組內之一氣體環境進行淨空或清洗的其中一或多個動作以促進一乾燥動作。
本文所述的每一個非限定性實例均可以獨立存在，或者可以以各種排列或組合的方式與一或多個其他實例結合。
以上詳細說明包含對於所附圖式的參照，該等圖式構成詳細說明的一部分。經由例示，該等圖式顯示可以使本發明附諸實現的特定實施例。此等實施例在本文之中亦稱為"實例"。此等實例可以包含所顯示及描述之外的元件。然而，本案發明人亦設想到其中僅提供該等被顯示或描述之元件的實例。此外，本案發明人亦設想到使用該等被顯示或描述之元件(或者其一或多個特色)的任何組合或排列之實例，相對於本文所顯示或描述之一特別實例(或者其一或多個特色)，或者相對於本文所顯示或描述之其他實例(或者其一或多個特色)。在本文件與藉由參照納入的任何文件之間的不一致使用的情況下，以本文的用法為主。
在此文件之中，如同一般專利文件之中所常見，使用"一"以包含一或超過一，與"至少一"或"一或多個"的任何其他樣例或用法彼此獨
立。在此文件之中，使用"或"一語以表示非排他性的或，使得"A或B"包含"A但非B"、"B但非A"、以及"A以及B"，除非另有敘明。在此文件之中，"包含"與"其中"分別被使用做為等於日常用語中的"包含"與"其中"之義。並且，在以下的申請專利範圍之中，"包含"一語係開放性的，換言之，一個除了列舉於請求項中的項目之外又包含其他項目的系統、裝置、物品、成分、配方、或程序仍被視為落入該請求項的範疇之內。此外，在以下的申請專利範圍之中，"第一"、"第二"、與"第三"等用語僅係被使用做為標示，並未試圖將數值的要求加諸於相關的物件之上。
本文所述之方法實例可以至少部分地係藉由機器或電腦執行。若干實例可以包含一電腦可讀取媒體或機器可讀取媒體，經過指令編碼而可用以組構一電子裝置，使其執行如前文實例之中所描述的方法。此等方法的一種實施方式可以包含代碼，諸如微指令(microcode)、組合語言程式碼、較高階語言程式碼、等等。此等代碼可以包含電腦可讀取指令以執行各種方法。該等代碼可以形成電腦程式產品的多個部分。此外，在一實例之中，該等代碼可以被如實地儲存於一或多個揮發性、非暫態性、或者非揮發性有形電腦可讀取媒體之上，諸如在執行或者其他時點期間。此等有形電腦可讀取媒體之實例可以包含，但不限於，硬碟、可移除式磁碟、可移除式光碟(例如，CD及DVD)、卡式磁帶、記憶卡或記憶條、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、等等。
以上說明係例示性，而非限定性。例如，上述之實例(或者其一或多個特色)可以彼此結合使用。可以使用其他實施例，諸如在審閱以上說明之後由相關技術之一般熟習者為之。發明摘要係提供以符合37 C.F.R.
§1.72(b)之要求，以讓審閱者能夠迅速地確悉本技術性揭示的特質。對於提交的發明摘要，其應理解，摘要內容不應被用以解讀或限制申請專利範圍之範疇或涵義。再者，在以上實施方式一節之中，各種特徵可以被集聚在一起以簡化揭示。此不應被解讀為未列入請求項的揭示特徵對於任一請求項而言是不可或缺的。而是表示，發明標的可以存在於一特定揭示實施例的局部特徵之中。因此，以下的申請專利範圍特此被被納入實施方式一節之中做為實例或者實施例，其中每一申請專利範圍請求項本身均係一獨立的實施例，且可以設想到，此等實施例均可以以各種組合或排列方式彼此結合。本發明之範疇應參照所附的申請專利範圍請求項加以決定，並且涵蓋等效於該等請求項的全部範疇。
1000A‧‧‧電子裝置產製系統
1100A‧‧‧第一載入模組
1100B‧‧‧第二載入模組
1200‧‧‧處理模組
1400A‧‧‧輸送模組
1410A‧‧‧第一裝卸器
1410C‧‧‧第二裝卸器
2000‧‧‧印刷系統
5000‧‧‧熱處理模組
Claims (30)
- 一種電子裝置製造系統，包含：一第一印刷系統，被組構成用以沉積一第一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正在該基板上製造之一發光裝置的至少一部分，該第一印刷系統位於一第一處理環境之中，該第一處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、及臭氧含量於特定限度以下之受控環境；一封閉熱處理模組，包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該複數熱受控區域彼此偏移且各自被組構以容納一基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該封閉熱處理模組提供一受控第二處理環境，該第二處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下之受控環境；以及一基板輸送模組，被組構成用以自該第一印刷系統接收該基板並且被組構成用以提供該基板至位於該封閉熱處理模組內之該第二處理環境；其中位於該第一印刷系統之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量至少100倍大於位於該熱處理模組之中的基板之熱處理期間的該第二處理環境之氧含量。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，包含一封閉基板冷卻模組，該封閉基板冷卻模組包含一或多個基板持留區域，各自被組構成用以容納該基板，該基板冷卻模組被組構成用以持留該基板一段特定持續時間，以包含對該基板進行冷卻直到該基板低於一特定臨限溫度為止；其中該封閉冷卻模組被組構以建立一第三處理環境，該第三處理環境 包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下之受控環境。
- 如申請專利範圍第2項之電子裝置製造系統，其中該基板輸送模組被組構成用以自位於該封閉熱處理模組內之該第二處理環境接收該基板並且被組構成用以提供該基板至位於該封閉冷卻模組內之該第三處理環境。
- 如申請專利範圍第2項之電子裝置製造系統，其中位於該印刷系統之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量至少100倍大於位於該冷卻模組之中的基板之冷卻期間的該第三處理環境之氧含量。
- 如申請專利範圍第2項之電子裝置製造系統，其中該特定臨限溫度係100℃。
- 如申請專利範圍第2項之電子裝置製造系統，其中該冷卻模組包含多個基板冷卻區域於一堆疊組態之中，各站彼此偏移。
- 如申請專利範圍第2項之電子裝置製造系統，其中該第二及第三處理環境大致相同。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第一處理環境包含受控制之潔淨乾燥空氣以維持一低於100ppm的水含量以及一低於100ppm的臭氧含量。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第二處理環境包含確定與一沉積於該基板上的物種之間反應活性極小或不具反應活性之一經過淨化的非活性氣體。
- 如申請專利範圍第9項之電子裝置製造系統，其中該第二處理環境包含高於大氣壓力的氮氣。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第二處理環境被建立以維持一個具有小於百萬分之1000的氧以及小於百萬分之100的水蒸汽以及小於百萬分之100的臭氧之環境。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第一處理環境包含一個超過百萬分之1,000的氧之環境。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，包含一第一裝卸器，被組構成從該印刷系統輸送基板。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，包含一第二裝卸器，位於一不同於該第一裝卸器之環境，該第二裝卸器被組構成用以輸送基板至該熱處理模組。
- 如申請專利範圍第14項之電子裝置製造系統，其中該第二裝卸器被組構成用以將基板佈放於該複數熱受控區域的其中特定一者。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該基板輸送模組包含與該第一印刷系統及該封閉熱處理模組分離的至少一腔室。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第一印刷系統係封閉的；且其中該基板輸送模組係位於該封閉第一印刷系統與該封閉熱處理模組之間。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該封閉熱處理模組被組構成用以提供對於該複數熱受控區域的其中複數不同區域的操控，以利用一可移動平台進行基板載入與卸載，該可移動平台被組構成用以在至少一軸線上移動該複數熱受控區域。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該印刷系統包含一噴墨印刷系統。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該基板輸送模組包含一封閉內部模組，被組構成用以自該第一處理環境接收一基板並提供一基板至該第二處理環境，在輸送基板的程序中基板經由該第二處理環境從該印刷系統通往該熱處理模組。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該基板輸送模組被組構成用以自該印刷系統輸送基板至該熱處理模組，同時維持該封閉熱處理模組內之該第二處理環境之微粒污染等級、水蒸汽含量、氧含量、以及臭氧含量之特定限度。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該基板輸送模組被組構成用以提供基板至該封閉熱處理模組，包含提供基板至一等於或高於大氣壓力之環境，且未將該熱處理模組內的氧濃度提升至一大於百萬分之10之等級。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，包含一第二裝卸器，被組構成用以移動位於該封閉熱處理模組之內的基板。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該複數熱受控區域各自均被組構成提供一特定之基板溫度。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該複數熱受控區域各自均被組構成提供一特定之基板溫度均勻度。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，包含一乾燥模組，被組構成用以在該第一圖案化有機疊層的沉積之後接收基板，並且被組構成 用以乾燥構成在一印刷動作期間被沉積之該第一圖案化有機疊層的油墨。
- 如申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該乾燥模組被組構成用以至少局部地對該乾燥模組內之一氣體環境進行淨空或清洗的其中一或多個動作以促進一乾燥動作。
- 申請專利範圍第1項之電子裝置製造系統，其中該第二處理環境包含一個小於百萬分之10之氧的環境。
- 一種電子裝置製造系統，包含：二或更多個印刷系統，各自被組構成用以沉積一圖案化有機疊層於一基板之上，該圖案化疊層包含正在該基板上製造之一發光裝置的至少一部分，該二或更多個印刷系統位於一第一處理環境之中，該第一處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、及臭氧含量於特定限度以下之受控環境；一封閉熱處理模組，包含複數熱受控區域之一堆疊組態，該複數熱受控區域彼此偏移且各自被組構以容納一基板，包含提供一特定基板溫度或一特定基板溫度均勻度中的一或多者，該封閉熱處理模組提供一受控第二處理環境，該第二處理環境包含一個被建立以維持微粒汙染等級、水蒸汽含量、氧含量及臭氧含量於特定限度以下之受控環境；以及一基板輸送模組，被組構成用以自該二或更多個印刷系統接收基板並且被組構成用以提供基板至該封閉熱處理模組內之該第二處理環境；其中位於該二或更多個印刷系統的其中至少一者之中的基板之印刷期間的該第一處理環境之氧含量至少100倍大於位於該熱處理模組之中的基板之熱處理期間的該第二處理環境之氧含量。
- 如申請專利範圍第29項之電子裝置製造系統，其中該二或更多個印刷系統各自均被組構成用以沉積一不同的圖案化有機疊層於基板之上；且其中該封閉熱處理模組被組構成用以在不同圖案化有機疊層的沉積之間或之後對基板提供一熱處理。
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