CN114273154B - 环境受控的涂层系统 - Google Patents

环境受控的涂层系统 Download PDF

Info

Publication number
CN114273154B
CN114273154B CN202110940830.2A CN202110940830A CN114273154B CN 114273154 B CN114273154 B CN 114273154B CN 202110940830 A CN202110940830 A CN 202110940830A CN 114273154 B CN114273154 B CN 114273154B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coating
substrate
gas
closed
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110940830.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114273154A (zh
Inventor
C.F.马迪根
A.S-K.柯
E.弗龙斯基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kateeva Inc
Original Assignee
Kateeva Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kateeva Inc filed Critical Kateeva Inc
Publication of CN114273154A publication Critical patent/CN114273154A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114273154B publication Critical patent/CN114273154B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254Coating heads with slot-shaped outlet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0486Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00Sheets
    • B05D2252/04Sheets of definite length in a continuous process
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

根据本教导的封闭涂层系统的实施例能够用于在宽范围的技术领域中制造各种设备和装置的基板图案化区域涂层,例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路。本教导的封闭和环境受控涂层系统能够提供多个优点,例如,1)省去一定范围的真空处理操作,这种基于涂层的制造可以在大气压力下执行,2)受控图案化涂层消除了材料浪费以及消除了实现有机层的图案化通常需要的附加处理,3)用本教导的封闭涂层设备的各个实施例来图案化涂层所使用的各种制剂可以具有宽范围的物理属性,例如粘度和表面张力。

Description

环境受控的涂层系统
相关案件的交叉引用
本申请要求2014年11月26日提交的美国临时申请62/085,211的权益,所述美国临时申请通过引用全文引入本文。
技术领域
根据本教导的封闭涂层系统的实施例能够用于在宽范围的技术领域中制造各种装置和设备的基板图案化区域涂层,例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路。
背景技术
例如,通过非限制性示例的方式,对于RGB OLED显示器来说,虽然主要用于蜂窝电话的小屏幕应用的OLED显示器的展现已经用于强调技术的潜能,但是对于RGB OLED在以高成品率(high yield)跨越一定范围的基板幅面对大批量制造进行扩展(或缩放,scaling)方面仍存在挑战。关于RGB OLED显示器技术的幅面扩展,Gen 5.5(或5.5代)基板具有大约130cm X 150cm的尺寸,并且能够生产大约八块26"平板显示器。相比之下,较大幅面的基板能够包括使用Gen 7.5(或7.5代)和Gen 8.5(或8.5代)的母玻璃有源区域尺寸。Gen 7.5母玻璃具有大约195cm x 225cm的尺寸,并且能够被切割成每个基板八块42"或六块47"的平板显示器。用于Gen 8.5中的母玻璃为大约220cm x 250cm,并且能够被切割成每个基板六块55”或八块46”的平板显示器。在将RGB OLED显示器制造扩展至较大幅面中仍然存在的挑战的一个迹象在于:在大于Gen 5.5基板的基板上以高成品率大批量制造RGB OLED显示器已证明是在很大程度上具有挑战性的。
原则上,包括RGB OLED堆叠体结构的各种材料能够易被氧化和其它化学过程损坏。此外,除非包含这种RGB OLED材料的有源区域(active area,或活性区域)能够被有效地气密地密封,RGB OLED装置或设备有源区域中的各种材料易被各种反应性气体物种(例如但不限于,水蒸汽、氧气、臭氧、有机溶剂蒸汽和类似物)降级。关于在处理期间的降级的类似考虑在制造其它类型的电子装置(例如,OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路)时是明显的。根据本教导,环境受控的涂层系统的各个实施例能够配置用于在各种电子装置上涂层有机膜层。
然而,以能够针对各种装置和装置尺寸进行缩放并且能够在惰性、基本上低颗粒的过程环境中完成的方式收容涂层系统可能存在多种工程挑战。例如,用于高吞吐量的大幅面基板涂层(例如基板等于用于各种OLED装置的Gen 7.5和Gen 8.5基板的涂层)的制造工具需要相当大的设施。因此,将大的设施维持在惰性气氛下、需要气体净化以去除反应性大气物种(例如,通过非限制性示例,水蒸汽、臭氧和氧气)及有机溶剂蒸汽以及维持基本上低颗粒过程环境已证明是显著具有挑战性的。
因此,在以高成品率跨越一定范围的装置尺寸扩展用于制造各种电子装置和设备的大批量涂层系统方面仍存在挑战。因此,需要在惰性、基本上低颗粒的环境中收容环境受控的封闭涂层系统的各种实施例,其能够被容易地扩展以提供用于涂层各种电子装置和设备,其可具有各种有源区域纵横比和尺寸以及各种装置和设备材料。此外,本教导的各种封闭环境受控的涂层系统能够提供在处理期间从外部便于接近涂层系统且便于接近内部,用于在最低停机时间的情况下进行维护。
附图说明
通过参考附图将获得对本公开的特征和优点的更好的理解,这些附图意在说明而非限制本教导。
图1是根据本教导的各种实施例的涂层系统的封闭组件的视图的正视透视图。
图2A示出了在图1所示的封闭件中的封闭涂层系统的各个实施例的分解图。
图2B示出了图2A所示的涂层系统的放大等角透视图。图2C是图2B所示的狭缝式模头涂层设备的放大透视图。
图2D是配置成在基板上提供图案化区域涂层的狭缝式模头涂层设备的示意图。
图3A总体上图示系统的至少一部分的等角图,例如包括涂层模块和其它模块。图3B图示了总体上在图3A中所示的系统的平面图。
图4图示了可以包括在基板上涂层有机薄膜的技术,例如方法。
图5是本教导的封闭涂层系统和相关系统部件的各个实施例的示意图。
具体实施方式
本教导公开了能够保持在可以提供受控涂层环境的封闭组件中的封闭涂层系统的各个实施例。封闭组件的各个实施例可以密封地构造且与提供气体循环和过滤系统、颗粒控制系统、气体净化系统和热调节系统和类似物的各个部件整体形成,以形成可以保持基本低颗粒的惰性气体环境的封闭涂层系统的各个实施例,用于需要这种环境的本教导的各个涂层过程。封闭组件的各个实施例可以具有涂层系统封闭件和构造为封闭组件的一部段的辅助封闭件,为此,辅助封闭件能够从涂层系统封闭件密封地隔离。根据本教导的封闭涂层系统的实施例可以用于在宽范围的技术领域中制造各种设备和装置的基板图案化区域涂层,例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路。
根据本教导,例如但不限于,有机封装层能够使用图案化涂层技术涂层在各种基于OLED的装置和设备的各个实施例的有源区域上。根据本教导的封闭涂层系统的实施例可以用于在宽范围的技术领域中制造各种设备和装置的基板图案化区域涂层,例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路。在本教导的环境受控的涂层系统的各个实施例中,各种涂层溶液可以使用狭缝式模头涂层来涂层,因为狭缝式模头涂层能提供多个优点。首先,可以省去一定范围的真空处理操作,因为这种基于涂层的制造可以在大气压力下执行。此外,在狭缝式模头涂层过程期间,涂层溶液或涂层制剂可以被局部化,以覆盖各种装置和设备的目标部分,以有效地覆盖基板的这种目标部分。最后,使用涂层的目标图案化导致消除了材料浪费,以及消除了实现有机层的图案化通常需要的附加处理。
例如,用本教导的封闭涂层设备的各个实施例来图案化涂层所使用的各种有机材料制剂可以具有宽范围的物理属性,例如粘度和表面张力。使用本教导的封闭涂层设备沉积的有机材料制剂可包括能使用热处理(例如,烘焙)、UV暴露及其组合来固化的聚合物(包括例如但不限于:丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯或其它材料)及其共聚物和混合物。如本文使用的,聚合物和共聚物可以包括任何形式的聚合物成分,可以制剂成涂层溶液且在基板上固化以形成一致的聚合物层。这种聚合物成分可以包括聚合物和共聚物及其前体,例如但不限于单体、低聚物和树脂。
封闭涂层设备,例如图2A的涂层设备200,在图2B中以放大图示出,可以包括多个装置和设备,这允许涂层溶液可靠涂层到用于各种基于OLED的装置和设备的基板有源区域的特定位置上。涂层需要涂层组件和装置或设备的基板之间的相对运动。这可以使用运动系统完成,通常是龙门架或分离轴XYZ系统。要么涂层组件可以跨过固定基板移动(龙门架样式),要么在分离轴配置的情况下涂层组件和基板两者可以移动。在另一个实施例中,涂层组件可以是基本上固定的;例如,在X和Y轴,基板可以相对于涂层模头组件在X和Y轴移动,Z轴运动通过基板支撑设备或者与涂层组件有关的Z轴运动系统提供。基板可以使用基板装载和卸载系统插入涂层设备和从涂层设备移开。取决于涂层设备配置,这可以使用机械输送器、具有输送组件的基板悬浮台或者具有终端执行器的基板输送机器人完成。对于本教导的系统和方法的各个实施例,Y轴运动系统可以基于空气轴承抓握器系统。
原则上能够允许涂层包括大幅面有源区域尺寸的各种装置有源区域尺寸的制造工具能够需要用于收容这样的制造工具的相当大的设施。因此,在惰性气氛下维持整个大的设施提出工程上的挑战,例如大体积惰性气体的连续净化。封闭涂层系统的各个实施例可以具有在封闭组件内部的循环和过滤系统,与气体封闭件外部的气体净化系统结合,一起在整个封闭涂层系统内提供具有基本低水平的反应性物种的基本低颗粒惰性气体的连续循环。根据本教导,惰性气体可以是在一组限定的过程条件下不经历化学反应的任何气体。惰性气体的一些常用的非限制性示例能够包括氮气、任何稀有气体及其任何组合。此外,提供基本上气密密封以防止例如水蒸汽、氧气和臭氧之类的各种反应性大气气体以及例如从各种涂层溶液产生的有机溶剂蒸汽的污染的大的设施提出了工程上的挑战。根据本教导,涂层设施将使包括例如水蒸汽、氧气和臭氧之类的各种反应性大气气体以及有机溶剂蒸汽的各种反应性物种中的每个物种的水平维持在100ppm或更低,例如,维持在10ppm或更低,维持在1.0ppm或更低,或者维持在0.1ppm或更低。
通过意在说明在制造各种电子装置时维持反应性物种的水平的需要的非限制性示例的方式,表1所述的信息说明各种OLED放射性材料对环境条件的敏感性。表1上总结的数据从包括以大像素、旋涂的装置幅面制造的红、绿和蓝中的每一种的有机薄膜组分的测试试样中的每一个的测试产生。为了快速评估各种OLED装置的各种制剂和过程的目的,这样的测试试样基本上更易于制造和测试。尽管测试试样测试不应与所制造的OLED装置的寿命测试混淆,但它能够指示各种制剂和过程对寿命的影响。下表中所示的结果表示在测试试样的制造中的过程步骤的变化,其中,与在空气而不是氮气环境中类似地制造的测试试样相比,仅旋涂环境对于在反应性物种小于1ppm的氮气环境中制造的测试试样变化。
通过检查表1中针对在不同处理环境下制造的测试试样的数据,特别是在红和蓝的情况下,显而易见的是,在有效减少各种有机薄膜组分暴露于反应性物种的环境中制造OLED装置对各种OLED材料的稳定性(并且因此,对装置寿命)可具有相当大的影响。寿命规范对于各种OLED技术具有特别的重要性,因为这直接关系到产品的耐久性;针对各种基于OLED的技术而言,符合所述产品规范已是具有挑战性的。为了符合必要的寿命规范,利用本教导的封闭涂层系统的各种实施例,例如但不限于水蒸气、氧气、臭氧以及有机溶剂蒸气之类的反应性物种中的每一种的水平能够被维持在100ppm或更低,例如,10ppm或更低,1.0ppm或更低或者0.1ppm或更低。这些数据强调对于制造的各种OLED装置和设备维持受控环境条件的需要,除非已经实现OLED有源区域的气密密封。
表1:惰性气体处理对OLED面板的寿命的影响
Figure BDA0003214801960000051
除了提供惰性环境之外,维持基本上低颗粒的环境对基于OLED的技术而言具有特别的重要性,这是因为甚至非常小的颗粒都能够在终端产品中导致可见的缺陷。封闭涂层系统中的颗粒控制可能呈现了对于能够例如在露天、高流动层流过滤罩下的大气条件下完成的过程未呈现的显著挑战。例如,制造设施可能需要各种服务束的相当大的长度,所述各种服务束能够操作性地从各种系统和组件连接,以提供操作例如但不限于涂层系统所需的光学、电气、机械和流体连接。用于涂层系统的操作中且位于被定位用于涂层的基板附近的这种服务束能够是颗粒物质的持续的源。此外,涂层系统中使用的部件,例如风扇或使用摩擦轴承的线性运动系统,可能是颗粒产生部件。气体循环和过滤系统的各种实施例与本教导的管道系统的各种实施例结合可以用于遏制和有效过滤颗粒物质。此外,通过使用各种内在地低颗粒产生气动操作部件,例如但不限于,基板悬浮台、空气轴承和气动操作的机器人和类似物,可以维持封闭涂层系统的各个实施例的低颗粒环境。例如,气体循环和过滤系统的各种实施例能够被设计成提供针对气载颗粒的低颗粒惰性气体环境,所述低颗粒惰性气体环境符合国际标准组织标准(ISO)14644-1:1999“Cleanrooms and associatedcontrolled environments—Part 1:Classification of air cleanliness”的如Class 1至Class 5所规定的标准。然而,单独控制气载颗粒物质对于在例如但不限于涂层过程期间提供基板附近的低颗粒环境而言是不够的,这是因为在这样的过程期间基板附近产生的颗粒在它们能够掠过气体循环和过滤系统之前能够积聚在基板表面上。
关于系统内的气载颗粒物质和颗粒沉积,相当数量的变量能够影响开发出通用模型,所述通用模型可以适当地计算出例如对任何特定的制造系统而言表面(例如,基板)上的颗粒沉降率(fallout rate)的近似值。例如颗粒的尺寸、特定尺寸的颗粒的分布、基板的表面面积和基板在系统内的暴露时间之类的变量能够根据各种制造系统而变化。例如,颗粒的尺寸和特定尺寸的颗粒的分布能够在很大程度上受到各种制造系统中的颗粒产生部件的源和位置影响。基于本教导的封闭涂层系统的各种实施例的计算表明,在没有本教导的各种颗粒控制系统的情况下,对于在0.1μm和更大的尺寸范围中的颗粒而言,每平方米的基板每个涂层周期的颗粒物质的基板上沉积能够在多于大约1百万至多于大约1千万个颗粒之间。这样的计算表明,在没有本教导的各种颗粒控制系统的情况下,对于在大约2μm和更大的尺寸范围中的颗粒而言,每平方米的基板每个涂层周期的颗粒物质的基板上沉积能够在多于大约1000个颗粒至大约多于大约10,000个颗粒之间。
本教导的低颗粒涂层系统的各种实施例能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于10μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约100个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。本教导的低颗粒涂层系统的各种实施例能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于5μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约100个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。在本教导的封闭涂层系统的各种实施例中,能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于2μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约100个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。在本教导的封闭涂层系统的各种实施例中,能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于1μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约100个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。本教导的低颗粒涂层系统的各种实施例能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于0.5μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约1000个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。对于本教导的封闭涂层系统的各种实施例,能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于0.3μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约1000个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。本教导的低颗粒涂层系统的各种实施例能够维持低颗粒环境,对于在尺寸上大于或等于0.1μm的颗粒而言,所述低颗粒环境提供符合每分钟每平方米的基板小于或等于大约1000个颗粒的基板上沉积速率规范的平均基板上颗粒分布。
封闭组件的各种实施例能够具有各种框架构件,这些框架构件被构造成为封闭涂层系统提供轮廓。本教导的封闭组件的各种实施例能够容纳涂层系统,同时优化工作空间,以最小化惰性气体体积,并且还允许在处理期间从外部便于接近封闭涂层系统。在这方面,本教导的各种封闭组件能具有成形(contoured)拓扑结构和容积。如本文随后更详细讨论的,涂层系统封闭件的各个实施例可以围绕涂层系统基部成形,基板支撑设备可以安装在涂层系统基部上。此外,涂层系统封闭件可以围绕例如可以用于滑架组件X轴移动的梁结构成形。作为非限制性示例,根据本教导的成形涂层系统封闭件的各种实施例能够具有大约6m3至大约95m3之间的容积,用于收容能够涂层各种有源区域尺寸(与例如用于各种基于OLED的技术的基板相对应,例如从Gen 3.5到Gen 10有源区域尺寸的OLED显示器装置基板)的涂层系统的各种实施例。通过另一个非限制性示例,根据本教导的成形气体封闭件的各种实施例能够具有大约15m3至大约30m3之间的气体封闭容积,用于收容能够涂层例如Gen5.5到Gen 8.5有源区域尺寸的涂层系统的各种实施例。与具有宽度、长度和高度的非成形尺寸的非成形封闭件相比,成形的气体封闭件的这种实施例在容积上能够有大约30%至大约70%之间的节省。
图1描绘了根据本教导的封闭涂层系统的各种实施例的封闭组件1000的透视图。封闭组件1000能够包括前面板组件1200'、中部面板组件1300'和后面板组件1400'。前面板组件1200'能够包括:前顶板面板组件1260';前壁面板组件1240',其能够具有用于接收基板的开口1242;以及前基部面板组件1220'。后面板组件1400'能够包括后顶板面板组件1460'、后壁面板组件1440'和后基部面板组件1420'。中部面板组件1300'能够包括第一中部封闭件面板组件1340'、中部壁和顶板面板组件1360'和第二中部封闭件面板组件1380'以及中部基部面板组件1320'。
此外,如图1所示,中部面板组件1300'能够包括第一辅助面板组件以及第二辅助面板组件(未示出)。构造为封闭组件的一个部段的辅助封闭件的各种实施例能够与封闭涂层系统的工作容积可密封地隔离。对于本教导的系统和方法的各种实施例,辅助封闭件能够小于或等于封闭组件容积的大约1%。在本教导的系统和方法的各种实施例中,辅助封闭件能够小于或等于封闭组件容积的大约2%。对于本教导的系统和方法的各种实施例,辅助封闭件能够小于或等于封闭组件容积的大约5%。在本教导的系统和方法的各种实施例中,辅助封闭件能够小于或等于封闭组件容积的大约10%。在本教导的系统和方法的各种实施例中,辅助封闭件能够小于或等于封闭组件容积的大约20%。如果指示辅助封闭件对包含反应性气体的周围环境开放用于执行例如维护程序,则将辅助封闭件与涂层系统封闭件的工作容积隔离能够防止污染涂层系统封闭件。此外,考虑到与封闭组件相比辅助封闭件的相对较小的容积,辅助封闭件的恢复时间能够花费显著小于整个封闭组件的恢复时间。
如图2A中所描绘的,封闭组件1000能够包括前基部面板组件1220'、中部基部面板组件1320'以及后基部面板组件1420',当完全构建时形成连续的基部或盘,涂层设备2000能够被安装在所述基部或盘上。根据本教导,包括封闭组件1000的前面板组件1200'、中部面板组件1300'和后面板组件1400'的各种框架构件和面板能够围绕涂层设备2000来结合,以形成涂层系统封闭件。前面板组件1200'可以围绕所安装的涂层设备2000成形以形成气体封闭件的第一通道部段。类似地,后面板组件1400'可以围绕涂层设备2000成形以形成气体封闭件的第二通道部段。此外,中部面板组件1300'可以围绕涂层设备2000成形以形成气体封闭件的梁部段。完全构造后的封闭组件,例如封闭组件1000,在与各种环境控制系统整体形成时可以形成封闭涂层系统的各个实施例,包括封闭涂层系统的各个实施例,例如,涂层设备2000。根据本教导的封闭涂层系统的各个实施例,由封闭涂层系统限定的内部容积的环境控制可包括例如通过特定波长的灯的数量和放置来控制照明,使用颗粒控制系统的各个实施例来控制颗粒物质,使用气体净化系统的各个实施例来控制反应性气体物种,以及使用热调节系统的各个实施例对封闭涂层系统进行温度控制。
在图2B中以放大图示出的涂层设备,例如图2A的涂层设备2000,可以包括多个装置、组件和子组件,这允许涂层溶液或涂层制剂可靠放置到各种基于OLED的装置和设备基板的特定位置上。涂层设备的这些各种装置、组件和子组件可包括但不限于,涂层组件、涂层溶液输送系统、用于在涂层组件和基板之间提供相对运动的运动系统、基板支撑设备、基板装载和卸载系统。
例如,对于狭缝式模头涂层,图2B的狭缝式模头涂层组件2800(具有第一侧2801和第二侧2802)可以是能够以受控速率和厚度沉积涂层溶液的狭缝式模头涂层组件。涂层组件2800的各个实施例可以作为图案化区域涂层沉积涂层溶液,例如在基板的多个沉积区域上。术语“沉积区域”总体上指的是有机材料层被涂层在基板上的区域。狭缝式模头涂层组件2800可以与将涂层溶液提供给狭缝式模头涂层组件2800的涂层溶液供应系统(未示出)流体连通。如图2B的放大图中所示,涂层设备2000能够具有基板,例如基板2050,所述基板能够通过例如卡盘之类的基板支撑设备来支撑,例如但不限于真空卡盘、具有压力端口的基板悬浮卡盘以及具有真空和压力端口的基板悬浮卡盘。根据本教导的各个实施例,支撑设备可以是例如但不限于具有压力端口的基板悬浮台以及具有真空和压力端口的基板悬浮台。卡盘和悬浮台的各个实施例可以配置成使用多孔介质来建立一致分布的真空度、压力或者真空度和压力的组合。用于配置本教导的卡盘或悬浮台的各种多孔介质可以包括多孔材料,例如碳或陶瓷材料、烧结玻璃、或一些其它材料,例如可以包括直径小于1微米或甚至小于0.5微米的孔尺寸。这种小的孔尺寸可以确保可以用于支撑基板的真空度、压力以及真空度和压力的组合的一致分布。
在说明性示例中,与仅仅压力区相比,压力-真空区的一致高度或飞行高度可以显著不同。基板在使用压力和真空的基板支撑设备上的飞行高度可以保持在基板的整个区域上的精确Z轴飞行高度,考虑到可以使用压力和真空的组合形成的双向流体弹簧的形式。基板在仅仅压力区上的飞行高度可能比整个基板在压力-真空区上的飞行高度的精度更多变化的基板区域上的飞行高度,由于在仅仅压力区中缺乏真空预加负载。关于飞行高度,在说明性示例中,基板可以具有在仅仅压力区上大约150微米(μ)至大约300μ之间的飞行高度,于是在压力-真空区上大约30μ至大约50μ之间的飞行高度。
图2B的基板悬浮台2200结合Y轴运动系统,能够成为提供基板2050的无摩擦输送的基板输送系统的一部分。本教导的Y轴运动系统能够包括第一Y轴轨道2351和第二Y轴轨道2352,能够包括用于保持基板的抓握器系统(未示出)。Y轴运动能够通过直线空气轴承或直线机械系统来提供。图2A和图2B中所示的涂层设备2000的基板悬浮台2200能够限定基板2050在涂层过程期间通过图1的封闭组件1000的行程。
关于图2B,涂层设备基部2100能够包括第一立管2120和第二立管2122,梁2130被安装在所述第一立管2120和所述第二立管2122上。此外,第一隔离器组2110(第二个未示出,在相对侧上)和第二隔离器组2112(第二个未示出,在相对侧上)支撑涂层设备2000的基板悬浮台2200。对于涂层设备2000的各种实施例,梁2130能够支撑第一X轴滑架组件2301和第二X轴滑架组件2302,所述第一X轴滑架组件2301和所述第二X轴滑架组件2302能够控制可以安装在X轴滑架上的各种装置和组件的移动。例如,Z轴移动板能够安装到X轴滑架。在本教导的涂层设备的各个实施例中,涂层组件可以安装到Z轴移动板中的一个或两者。在本教导的涂层设备的各个实施例中,涂层组件可以安装到X轴滑架中的一个,检查组件可以安装到另一个X轴滑架。对于涂层设备2000的各种实施例,第一X轴滑架组件2301和第二X轴滑架组件2302能够利用直线空气轴承运动系统,所述直线空气轴承运动系统是内在地低颗粒产生的。根据本教导的涂层系统的各种实施例,X轴滑架能够具有安装在其上的Z轴移动板。在图2B中,第一X轴滑架组件2301被描绘为具有第一Z轴移动板2310,而第二X轴滑架组件2302被描绘为具有第二Z轴移动板2312。
根据本教导的涂层系统的各种实施例,考虑到自动化工业涂层系统的连续使用,第一维护系统2701和第二维护系统2702能够被收容在辅助封闭件中,所述辅助封闭件在涂层过程期间能够与涂层系统封闭件隔离,以便在很少或不中断涂层过程的情况下执行各种维护任务。如在图2B中能够看到的,维护模块2707、2709和2711可以定位靠近涂层设备,但是如在图2A中能够看到的,定位在辅助封闭件内,如图2A的辅助封闭件1330'和1370'。设备2707、2709和2011能够是用于执行各种维护功能的多种子系统或模块中的任一个。例如,设备2707、2709和2011能够是用于存储或接收用于系统修复操作的部件的任何模块。
在图2B的涂层设备2000的放大图中,涂层系统的各种实施例能够包括通过基板悬浮台基部2220来支撑的基板悬浮台2200。基板悬浮台基部2220能够被安装在涂层设备基部2100上。封闭涂层系统的基板悬浮台2200能够支撑基板2050,以及限定在OLED基板的涂层期间基板2050能够移动通过封闭组件1000的行程。本教导的Y轴运动系统能够包括第一Y轴轨道2351和第二Y轴轨道2352,所述Y轴轨道能够包括用于保持基板的抓握器系统(未示出)。Y轴运动能够通过直线空气轴承或直线机械系统来提供。在这方面,结合如图2B中所描绘的诸如Y轴运动系统的运动系统,基板悬浮台2200能够提供基板2050通过涂层系统的无摩擦输送。
图2C示出了图2B的狭缝式模头涂层组件2800的各个实施例的第一侧2801的放大透视剖视图。多个定位传感器,例如位置传感器2820,能够操作性地连接到狭缝式模头涂层组件2800,从而狭缝式模头涂层组件2800相对于图2B的基板2050的位置可以被连续地确定。如本文随后更详细讨论的,定位还可以使用照相机组件的各个实施例提供。定位传感器2820可以例如是基于激光的定位系统。狭缝式模头组件2800可以包括具有第一唇缘2812和第二唇缘2814的狭缝式模头2805,狭缝式模头间隙出口2814在第一唇缘2812和第二唇缘2814之间示出。在涂层过程期间,狭缝式模头2805与涂层溶液流体连通,从而狭缝式模头间隙出口2814处于距图2B的基板2050预定距离处。当基板2050相对于涂层组件2800或图2B移动时,涂层溶液从狭缝式模头间隙出口2814流动,从而在基板2050上形成固定位置、宽度和厚度的涂层。极其平坦和笔直的模头表面与模头相对于基板的精确定位结合,可以提供图案化狭缝式模头涂层,其中,目标膜厚度的大约1%至大约3%的膜厚度一致性。为了实现在基板沉积区域上形成的膜的良好涂层一致性,对于图案化狭缝式模头涂层,模头与基板的位置的准确和可重复定时以及涂层流体流开始和停止与模头移动的合适定时可以执行,以确保在前缘处没有积聚(build-up),涂层的基板区域的后缘一致地笔直和厚。
图2D示意性地示出了使用涂层设备的基板的图案化涂层,如在本文针对图2B的涂层设备200所述。图2D中示出了使用狭缝式模头涂层组件(如图2B和2C的狭缝式模头涂层组件2800)的基板2050上的图案化涂层区域或沉积区域的阵列,例如图案化涂层区域或沉积区域50。术语“沉积区域”总体上指的是有机材料层被涂层在基板上的区域。根据本教导,涂层设备的各个实施例能够在基板上提供图案化涂层,对于在基板的沉积区域上涂层的膜,所述图案化涂层提供大约20nm(纳米)至大约150μ(微米)的涂层膜厚度,如前所述的膜一致性是目标膜厚度的大约1%至大约3%,涂层准确性在大约+/-100μ(微米)之间或更小。根据本教导,涂层设备的各个实施例能够在基板上提供图案化涂层,所述图案化涂层提供高基板成品率和有效材料使用,具有低浪费。此外,用本教导的封闭涂层设备的各个实施例来图案化涂层所使用的各个制剂可以具有宽范围的物理属性,例如粘度和表面张力。
图3A总体上图示了等角图,图3B总体上图示了封闭和环境受控涂层系统3000的至少一部分的平面图,例如,包括第一涂层模块3500A、第二涂层模块3500B、以及可以用于制造各种装置(例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路)的其它模块。在这种装置的制造中,图案化涂层可以作为制造过程的一部分执行。
封闭和环境受控涂层系统3000可以包括第一涂层模块3500A,可包括涂层设备,如结合本文其它示例所述的涂层设备2000。为了提供增加吞吐量、冗余性或多个处理操作中的一个或更多个,可以包括其它涂层系统,如也可以包括涂层设备(如本文先前所述的涂层设备2000)的第二涂层模块3500B。系统封闭涂层系统3000还可以包括一个或更多个其它模块,如第一处理模块3200A或第二处理模块3200B。
根据本教导,第一或第二处理模块3200A或3200B可以用于如下中的一个或更多个:保持基板(例如,以利于流动或分散所沉积材料层,从而实现更平面或一致的膜)或者固化(例如,经由光照射,例如使用UV射线照射)例如通过第一或第二涂层模块3500A或3500B中的一个或更多个沉积的材料层。例如,对于在基板上涂层或者固化的材料层,使用第一或第二处理模块3200A或3200B可以包括封装层(例如,包括经由暴露于紫外光而固化或处理的有机密封剂的薄膜层)的一部分。第一或第二处理模块3200A或3200B可以配置用于保持基板,如上所述,例如以堆叠配置。处理模块3200B可以可选地(或附加地)配置用于真空干燥一个或更多个基板,例如以堆叠配置。在第一或第二处理模块3200A或3200B中的一个或更多个用作一次多于一个基板的真空干燥模块时,堆叠配置可包括在单个腔室中的多个干燥狭缝或者隔离腔室堆叠体(每个具有单个干燥狭缝)。在又一个配置中,第一或第二处理模块3200A或3200B中的一个或更多个可以配置用于保持基板,且可以提供另一处理模块,其附连到输送模块3400,用于真空干燥一个或更多个基板。第一和第二涂层模块3500A和3500B可以例如用于在基板上沉积相同层,或者涂层模块3500A和3500B可以用于在基板上沉积不同层。
封闭涂层系统3000可以包括输入或输出模块3100(例如,“装载模块”),例如可以用作负载锁或者以其它方式允许基板2050输送进出封闭涂层系统3000的一个或更多个腔室的内部,以基本上避免干扰封闭涂层系统3000的一个或更多个封闭件内维持的受控环境的方式。例如,结合图3A,“基本上避免干扰”可以指的是避免将反应性物种的浓度升高指定量,例如避免在基板2050进出所述一个或更多个封闭件的输送操作期间或之后所述一个或更多个封闭件内的这种物种升高超过10ppm,100ppm或者1000ppm。输送模块3400,例如可以包括搬运器3410,可以用于在各种操作之前、期间和之后搬运基板2050。可以包括一个或更多个附加搬运器,从而将基板提供给输入或输出模块3100或者从输入或输出模块3100接收基板。封闭涂层系统3000可包括附加的输入或输出模块,例如在图3A和3B中清楚示出的输送模块3400的右侧上,与输入或输出模块3100在图3A和3B中所示的输送模块3400那一侧相对。
图4总体上图示了技术,例如方法,可以包括在电子装置(例如,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路)的沉积区域上形成有机薄膜层。在图4的示例4000中,在4100,基板可以接收在输送腔室中,例如图3A和3B的输送模块3400,如结合本文其它示例所示和所述。基板可以来自于与输送模块的受控环境不同的环境,例如,使用装载模块(例如,“负载锁”),例如图3A和3B的装载模块3100。在4200,基板可以输送给封闭涂层模块,例如至少部分地使用操控器机器人,例如位于图3A和3B的输送模块3400内的操控器机器人3410。可选地,操控器机器人可以收容在封闭涂层模块内。在4300,基板可以在涂层模块中一致地支撑,例如使用减少或抑制涂层操作或其它操作期间形成可见缺陷的技术和设备。
例如,这种基板支撑件可以包括卡盘(例如,平面卡盘或托盘)或者悬浮台,例如配置成在基板区域中或在基板的已经形成有源电子装置的相对区域上提供一致的物理接触。然而,这可能呈现多个挑战,因为例如各种基板支撑设备通常在基板的中心区域提供孔,提升销能够通过所述孔升高和降低基板,从而利于装载和卸载操作。这些孔可能代表与基板的不一致物理接触区域。在真空卡盘的示例中,也可能有凹槽或孔,通过所述凹槽或孔提供将基板保持到位的真空抽吸,这种凹槽或孔特征中的一些通常位于基板的中心区域以实现期望压紧性能。
本发明人已经认识到,除了其它事情之外,基板支撑设备,如卡盘或悬浮台(或支撑基板的系统的其它部分)可以配置成定位基板支撑设备特征以最小化或消除其对目标涂层图案的影响。在一个示例中,基板支撑设备,如卡盘或悬浮台,还可以提供与基板的某些区域或者已经形成有源电子装置之外的基板的相对区域的不一致物理接触。本发明人还已经认识到,基板的一致支撑可以通过使用具有分布真空区域取代各个真空凹槽或孔的卡盘解决,例如连续多孔介质,真空抽吸通过其提供。与提升销有关的卡盘中的其余孔可以位于基板的外围或者有源区域的外围中的一个或更多个(包括与限定基板外围或者基板的有源区域外围的表面相对的区域)。在这些示例中,相同支撑结构配置可以应用于任何有源电子、光学或光电装置,其中,有源区域可以表示被涂层装置所定位的区域。
可选地,例如,本发明人还已经认识到,除了其它事情之外,基板可以至少部分地使用气垫通过卡盘或悬浮台一致地支撑,例如在涂层操作或者其它处理(如固化模块中的紫外线处理之前或期间)中的一个或更多个期间。这种气垫的使用可以增强基板上的涂层有机材料或者处理有机膜层的一致性。例如,通过将基板悬浮在物理基板支撑表面上方,基板在所有区域中通过气体一致地支撑,且对用于提升销的孔、提升销或可能在物理基板支撑表面上存在的其它局部特征的存在相对更不敏感。在这种悬浮支撑示例中,基板的中心区域中的提升销可以结合到支撑机构中,而不影响那些区域中的膜一致性,因为基板不与伸出或缩回的提升销物理接触,且在处理(如涂层、保持或固化)期间在中心区域通过气垫支撑。此外,或者取而代之,基板可以通过限制于这种有源区域之外的区域(例如在基板外围或者有源区域之间的外围中的一个或更多个中)的物理接触更一致地支撑或保持。由此,所有基板区域可以提供高度一致的涂层,且可以高产地使用,除了可能在基板边缘的排除区域之外,其中,基板被物理接触,从而将其在悬浮平面中约束或者保持到位。
在4400,有机材料制剂可以涂层在基板的目标沉积区域中,例如包括聚合物成分,以形成一致的有机材料未处理层。术语“沉积区域”总体上指的是有机材料层被涂层在基板上的区域。在4500,基板可以从涂层模块输送到输送模块。在4600,基板可以从输送模块输送到固化模块。固化模块可以配置成在4700处理涂层有机材料,例如提供一致的有机膜层。例如,固化模块可以配置成给涂层有机材料制剂层提供光学处理,例如紫外光处理,以聚合或者以其它方式固化在基板沉积区域上涂层的有机材料,以形成有机膜层。
涂层系统的各个实施例可以具有附加设备和子组件,用于给本教导的各个涂层系统提供附加特征。如本文先前所讨论的,关于支撑本教导的各个滑架组件的运动系统,图2A的涂层设备2000可以具有可用于安装涂层组件的第一X轴滑架和可以用于安装多个各种组件(如可以包括照相机组件的检查组件)的第二滑架组件。例如,包括照相机组件的基板检查组件能够安装在X轴滑架的Z轴移动板上,以提供检查组件相对于位于基板支撑件(如图2B的悬浮台2220)上的基板的精确X、Z定位。照相机组件能够是将光学图像转换成电子信号的任何图像传感器装置,例如,作为非限制性示例,电荷耦合装置(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)装置或N型金属氧化物半导体(NMOS)装置。各种图像传感器装置能够被配置为用于区域扫描照相机的传感器阵列或用于线扫描照相机的单行传感器。照相机组件能够被连接到图像处理系统,所述图像处理系统能够包括例如用于存储、处理和提供结果的计算机。
此外,能够为区域扫描或线扫描过程进行照相机相对于基板的精密XYZ运动。如本文先前所论述的,例如龙门架运动系统之类的其它运动系统还能被用于提供相对于基板在例如涂层组件和/或照相机组件之间在三维中的精确移动。此外,照明装置能够被安装在各种位置,即在X轴运动系统上或在基板附近的基板支撑设备上及其组合。在这方面,照明装置能够根据执行各种光场和暗场分析及其组合来定位。运动系统的各种实施例能够使用连续或步进运动或其组合相对于基板来定位照相机组件,以捕捉基板的表面的一系列的一个或多个图像。例如,关于验证颗粒控制,在各种基于OLED的装置和设备的有源区域上的封装层涂层期间,通过使用图像处理,能够获得颗粒的图像,并且能够确定特定尺寸的颗粒的尺寸和数量。在本教导的系统和方法的各种实施例中,能够使用具有大约8192个像素、具有大约190mm的工作高度并且能够以大约34kHz扫描的线扫描照相机。
此外,对于涂层系统基板照相机组件的各种实施例,多于一个照相机能够被安装在X轴滑架组件上,其中,每个照相机关于视场和分辨率能够具有不同的规范。例如,一个照相机能够是用于现场颗粒检查的线扫描照相机,而第二照相机能够用于基板在封闭涂层系统中的定期导航。这种可用于定期导航的照相机能够是区域扫描照相机,其具有在大约5.4mm X4mm、大约0.9X的放大倍率至大约10.6mm X 8mm、大约0.45X的放大倍率的范围中的视场。在另外的实施例中,一个照相机能够是用于现场颗粒检查的线扫描照相机,而第二照相机能够用于封闭涂层系统中的基板的精确导航,例如用于基板对准。这种可用于精确导航的照相机能够是区域扫描照相机,其具有大约0.7mm X 0.5mm、大约7.2X的放大倍率的视场。
图5为示出了封闭涂层系统500的示意图。根据本教导的封闭涂层系统500的各种实施例能够包括用于收容涂层系统的封闭组件100、与封闭组件100流体连通的气体净化回路130以及至少一个热调节系统140。此外,封闭涂层系统500的各种实施例能够具有加压惰性气体再循环系统300,其能够供应用于操作各种装置的惰性气体,所述装置例如用于封闭涂层系统的基板悬浮台。加压惰性气体再循环系统300的各种实施例能够利用压缩机、鼓风机和二者的组合作为用于加压惰性气体再循环系统300的各种实施例的源。此外,封闭涂层系统500能够具有封闭涂层系统500内部的循环和过滤系统(未示出)。
图5的封闭涂层系统500能够具有带第一封闭容积的第一封闭件和带有第二封闭容积的第二封闭件,如例如图1中所示。对于封闭涂层系统500,如果所有阀V1、V2、V3和V4都打开,则气体净化回路130操作净化第一封闭容积100-S1和第二封闭容积100-S2两者。在V3和V4关闭的情况下,仅第一封闭容积100-S1与气体净化回路130流体连通。例如,但不限于,当在需要第二封闭容积100-S2对大气开放的维护程序期间,第二封闭容积100-S2被可密封地关闭并且与第一封闭容积100-S1隔离时,可使用此阀状态。在V1和V2关闭的情况下,仅第二封闭容积100-S2与气体净化回路130流体连通。例如,但不限于,在第二封闭件已对大气开放之后第二封闭容积100-S2的恢复期间,可使用此阀状态。由于相对于封闭涂层系统500的总容积来指定对气体净化回路130的需求,通过将气体净化系统的资源用于第二封闭容积100-S2的恢复,所述第二封闭容积100-S2显著小于第一封闭容积100-S1的体积,能够大幅减少封闭涂层系统500的恢复时间。
如图5中所描绘的,对于根据本教导的封闭涂层系统的各种实施例,循环和过滤系统的设计能够使循环通过气体净化回路130的惰性气体与对封闭涂层系统的各种实施例而言在内部连续过滤和循环的惰性气体分离。气体净化回路130包括从封闭组件100到溶剂去除系统132并且随后到气体净化系统134的出口管路131。然后,净化掉溶剂和例如氧气、臭氧和水蒸汽之类的其它反应性气体物种的惰性气体通过入口管路133返回到封闭组件100。气体净化回路130还可以包括适当的管道和连接件以及传感器,例如,氧气、臭氧、水蒸汽和溶剂蒸汽传感器。例如风机、鼓风机或马达和类似物的气体循环单元能够被单独地设置或整合在例如气体净化系统134中,以使气体循环通过气体净化回路130。根据封闭涂层系统的各种实施例,尽管溶剂去除系统132和气体净化系统134在图5中所示的示意图中被示出为单独的单元,溶剂去除系统132和气体净化系统134能够被收容在一起作为单个净化单元。
图5的气体净化回路130能够具有放置在气体净化系统134上游的溶剂去除系统132,使得从封闭组件100循环的惰性气体经由出口管路131通过溶剂去除系统132。根据各种实施例,溶剂去除系统132可以是溶剂捕集系统,其基于从通过图5的溶剂去除系统132的惰性气体吸附溶剂蒸汽。例如但不限于诸如活性炭、分子筛和类似物的吸附剂的一个或多个床可以有效地去除宽范围的多种有机溶剂蒸汽。对于封闭涂层系统的各种实施例,冷阱技术可以在溶剂去除系统132中用于去除溶剂蒸汽。如本文先前所论述的,对于根据本教导的封闭涂层系统的各种实施例,例如氧气、臭氧、水蒸汽和溶剂蒸汽传感器之类的传感器可以被用于监测从连续循环通过封闭涂层系统的惰性气体有效去除这样的物种,例如图5的封闭涂层系统500。溶剂去除系统的各种实施例能够指示例如活性炭、分子筛和类似物的吸附剂何时达到容量,使得能够再生或更换吸附剂的一个或多个床。分子筛的再生能够涉及加热分子筛,利用合成气体(forming gas)接触分子筛,及其组合等。配置成捕集包括氧气、臭氧、水蒸汽和溶剂的各种物种的分子筛能够被再生,这是通过加热和暴露于包括氢气的合成气体,例如,合成气体包括大约96%的氮气和4%的氢气,其中,所述百分比是体积百分比或重量百分比。活性炭的物理再生能够使用在惰性环境下加热的类似程序来完成。
任何合适的气体净化系统能够被用于图5的气体净化回路130的气体净化系统134。例如可从新罕布什尔州Statham的MBRAUN Inc.或马萨诸塞州的InnovativeTechnology of Amesbury获得的气体净化系统可用于整合到根据本教导的封闭涂层系统的各种实施例。气体净化系统134能够被用于净化封闭涂层系统500中的一种或多种惰性气体,例如,用于净化封闭涂层系统内的整个气体气氛。如本文先前所论述的,为了使气体循环通过气体净化回路130,气体净化系统134能够具有气体循环单元,例如风机、鼓风机或马达等。在这方面,气体净化系统能够根据封闭件的容积来选择,所述容积能够限定用于使惰性气体移动通过气体净化系统的体积流率。对于具有容积多达大约4m3的封闭涂层系统的各种实施例,能够使用能够移动大约84m3/h的气体净化系统。对于具有容积多达大约10m3的封闭涂层系统的各种实施例,能够使用能够移动大约155m3/h的气体净化系统。对于具有大约52-114m3之间的容积的封闭涂层系统的各种实施例,可以使用多于一个气体净化系统。
任何合适的气体过滤器或净化装置能够被包括在本教导的气体净化系统134中。在一些实施例中,气体净化系统能够包括两个并行的净化装置,使得装置中的一个能够离线用于维护,另一个装置能够被用于继续系统操作而不中断。在一些实施例中,例如,气体净化系统能够包括一个或多个分子筛。在一些实施例中,气体净化系统能够包括至少第一分子筛和第二分子筛,使得当分子筛中的一个变得杂质饱和或以其它方式被认为无法足够有效地操作时,系统能够切换到另一个分子筛,同时再生饱和或非高效的分子筛。控制单元能够被设置用于确定每个分子筛的操作效率,用于在不同分子筛的操作之间切换,用于再生一个或多个分子筛,或用于它们的组合。如本文先前所论述的,分子筛可以被再生和再利用。
图5的热调节系统140能够包括至少一个冷却器142,其能够具有用于使冷却剂循环到封闭涂层系统中的流体出口管路141以及用于使冷却剂返回到冷却器的流体入口管路143。至少一个流体冷却器142能够被设置用于冷却封闭涂层系统500内的气体气氛。对于本教导的封闭涂层系统的各种实施例,流体冷却器142将冷却的流体输送至封闭件内的热交换器,在那里,惰性气体被传送通过封闭件内部的过滤系统。至少一个流体冷却器还能随封闭涂层系统500设置,以冷却从封闭在封闭涂层系统500内的设备释出的热。例如,但不限于,至少一个流体冷却器还能被设置用于封闭涂层系统500以冷却从封闭涂层系统释出的热。热调节系统140能够包括热交换或珀尔帖(Peltier)装置,并且能够具有各种冷却容量。例如,对于封闭涂层系统的各种实施例,冷却器能够提供从大约2kW至大约20kW之间的冷却容量。封闭涂层系统的各种实施例能够具有能够冷却一种或多种流体的多个流体冷却器。在一些实施例中,流体冷却器能够利用若干流体作为冷却剂,例如但不限于,作为热交换流体的水、防冻剂、制冷剂以及它们的组合。适当的无泄漏、锁定连接件能够在连接相关联的管道和系统部件中使用。
虽然本文已示出和描述了本公开的实施例,但对于本领域技术人员而言将显而易见的是,这样的实施例仅作为示例提供。根据本教导的封闭涂层系统的实施例能够用于在宽范围的技术领域中制造各种设备和装置的基板图案化区域涂层,例如但不限于,OLED显示器、OLED照明装置、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、以及有机半导体电路。在不脱离本公开的情况下,本领域技术人员现在将想到许多变型、改变和替换。所附权利要求意在限定本公开的范围,并且意在由此覆盖在这些权利要求及其等同物的范围内的方法和结构。

Claims (15)

1.一种用于在基板上提供涂层的方法,包括:
在有机薄膜涂层系统的输送模块中接收基板;
将基板输送给包含狭缝式模头涂层组件的封闭涂层模块;
使用气垫在封闭涂层模块中一致地支撑基板;
使用狭缝式模头涂层组件在基板的沉积区域上涂层有机材料,同时使用气垫一致地支撑基板;
将具有涂层沉积区域的基板从封闭涂层模块输送给输送模块;
将具有涂层沉积区域的基板从输送模块输送给封闭固化模块;以及
在封闭固化模块中处理基板上的沉积有机材料,以在基板的沉积区域中提供有机膜层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在有机薄膜涂层系统的输送模块中接收基板包括从与涂层系统的环境不同的环境接收基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,气垫使用加压气体建立。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,气垫使用加压气体区域和至少部分真空区域的组合建立。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封闭涂层模块封闭在封闭件内,并且在所述封闭件内维持处于大气条件的受控处理环境。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,受控处理环境维持在颗粒污染水平的指定极限值以下。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,维持受控处理环境包括维持内部中的各种反应性物种的每个物种的水平处于100ppm或更少。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括,在使用狭缝式模头涂层组件在基板的沉积区域上涂层有机材料的同时,将所述基板与所述狭缝式模头涂层组件相对于彼此定位。
9.一种涂层系统,包括:
限定内部的气体封闭件,其中,受控环境维持在所述内部中;
收容在气体封闭件的内部中的涂层设备,所述涂层设备包括:
狭缝式模头涂层组件;
用于支撑基板的悬浮台;和
配置成将基板和狭缝式模头涂层组件相对于彼此定位的运动系统;和
与气体封闭件的内部流体连通的气体循环和过滤系统。
10.根据权利要求9所述的涂层系统,其中,所述狭缝式模头涂层组件配置成在基板上以图案沉积材料以涂层基板。
11.根据权利要求9所述的涂层系统,其中,受控环境包括惰性环境。
12.根据权利要求11所述的涂层系统,其中,惰性环境使用选自氮气、任何稀有气体及其组合的惰性气体维持。
13.根据权利要求9所述的涂层系统,其中,气体净化系统配置成维持内部中的各种反应性物种的每个物种的水平处于100ppm或更少。
14.根据权利要求9所述的涂层系统,其中,气体循环和过滤系统配置成提供通过内部的气体的基本层流。
15.根据权利要求9所述的涂层系统,其中,气体封闭件的容积在6m3至95m3之间。
CN202110940830.2A 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统 Active CN114273154B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462085211P 2014-11-26 2014-11-26
US62/085211 2014-11-26
PCT/US2015/062777 WO2016086192A1 (en) 2014-11-26 2015-11-25 Environmentally controlled coating systems
CN201580064636.5A CN107075767B (zh) 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580064636.5A Division CN107075767B (zh) 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114273154A CN114273154A (zh) 2022-04-05
CN114273154B true CN114273154B (zh) 2023-05-23

Family

ID=56075060

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580064636.5A Active CN107075767B (zh) 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统
CN202110940830.2A Active CN114273154B (zh) 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580064636.5A Active CN107075767B (zh) 2014-11-26 2015-11-25 环境受控的涂层系统

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10262881B2 (zh)
EP (1) EP3224396B1 (zh)
JP (2) JP6570147B2 (zh)
KR (2) KR102068882B1 (zh)
CN (2) CN107075767B (zh)
TW (2) TWI645063B (zh)
WO (1) WO2016086192A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102609513B1 (ko) * 2015-07-31 2023-12-01 카티바, 인크. 잉크 전달 시스템 및 방법
JP6382781B2 (ja) * 2015-09-15 2018-08-29 株式会社東芝 半導体素子の製造方法および製造装置
KR20240042070A (ko) * 2021-08-10 2024-04-01 카티바, 인크. 기판 위치 설정 기능을 구비한 기판 준비 챔버
KR102346975B1 (ko) * 2021-10-18 2022-01-05 에이치비솔루션㈜ 박형의 디스플레이 패널 이송 및 코팅 장치
KR20240041612A (ko) * 2022-09-23 2024-04-01 주식회사 플롯퍼실리티스 병렬구조 무중단 칠러 시스템

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3216858A (en) 1963-04-26 1965-11-09 Cons Edison Co New York Inc Method of purging gas-conduit tubing in gas-filled electric cables
US3498343A (en) 1966-12-13 1970-03-03 Lawrence R Sperberg Apparatus for inflating pneumatic tires with an inert gas
US3670466A (en) 1970-08-03 1972-06-20 Metal Products Corp Insulated panel
US3885362A (en) 1973-04-19 1975-05-27 Gordon J Pollock Modular noise abatement enclosure and joint seal
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
US4581478A (en) 1982-04-07 1986-04-08 Pugh Paul F Gas pressurized cable and conduit system
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPS6298783A (ja) 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
US5344365A (en) 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
KR100379104B1 (ko) * 1996-01-22 2003-06-09 주가이로 고교 가부시키가이샤 코팅다이에의해기판을도포하는방법및장치와,도료를코팅다이에공급하는장치
US6325853B1 (en) * 1996-07-19 2001-12-04 Nordson Corporation Apparatus for applying a liquid coating with an improved spray nozzle
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
US6023899A (en) 1998-11-03 2000-02-15 Climatecraft Technologies, Inc. Wall panel assembly with airtight joint
US6180049B1 (en) * 1999-06-28 2001-01-30 Nanotek Instruments, Inc. Layer manufacturing using focused chemical vapor deposition
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
CN2444165Y (zh) * 2000-08-15 2001-08-22 顾建军 一种浴用取暖器
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US7032324B2 (en) * 2000-09-24 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Coating process and apparatus
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
JP4166465B2 (ja) * 2001-12-14 2008-10-15 三菱化学株式会社 塗布装置、塗布方法、および塗布基板の製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置
US6986654B2 (en) 2002-07-03 2006-01-17 Therics, Inc. Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機el表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
SE523667C2 (sv) 2002-09-20 2004-05-11 Alstom Switzerland Ltd Förfarande och anordning för avskiljning av gasformiga föroreningar från varma gaser medelst partikelformigt absorbentmaterial samt blandare för befuktning av absorbentmaterialet
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
US6867063B1 (en) * 2002-09-30 2005-03-15 Advanced Micro Devices, Inc. Organic spin-on anti-reflective coating over inorganic anti-reflective coating
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
JP4313026B2 (ja) * 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機elパネルの製造装置及び製造方法
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP3988676B2 (ja) * 2003-05-01 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
KR101035850B1 (ko) 2003-11-17 2011-05-19 삼성전자주식회사 박막 형성용 프린팅 설비
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP2005218899A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
CN1938447B (zh) 2004-03-29 2010-06-09 大见忠弘 成膜装置及成膜方法
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
TWI250559B (en) 2004-07-09 2006-03-01 Innolux Display Corp Coating apparatus and coating method using the same
US7419532B2 (en) * 2004-10-05 2008-09-02 Caterpillar Inc. Deposition system and method
US7908885B2 (en) 2004-11-08 2011-03-22 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
CN101243543A (zh) 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
WO2007009000A2 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Fujifilm Dimatix, Inc. Fluid deposition cluster tool
EP1757373B1 (en) 2005-08-24 2012-04-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Rgb 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
KR101431280B1 (ko) * 2005-12-06 2014-08-20 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 제조 방법, 반송 장치 및 하드 코트층을 갖는 기능성필름과 반사 방지층을 갖는 기능성 필름
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20090068236A (ko) * 2006-09-08 2009-06-25 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 자동화된 층상 분무 기법
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
EP1998389B1 (en) * 2007-05-31 2018-01-31 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate
JP5135432B2 (ja) 2007-06-14 2013-02-06 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 薄膜積層の方法および装置
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
EP2075850A3 (en) * 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP5876292B2 (ja) * 2008-05-19 2016-03-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 薄層を溶液コーティングするための装置および方法
US9048344B2 (en) * 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) * 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8899171B2 (en) * 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
WO2010147108A1 (ja) * 2009-06-18 2010-12-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 塗布方法、有機エレクトロルミネッセンス素子
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US8393730B2 (en) 2009-08-21 2013-03-12 Zamtec Ltd Continuous web printer with flat print zones for printing opposing sides of the web
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
JP5462558B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-02 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US8453329B2 (en) 2009-10-22 2013-06-04 Zamtec Ltd Method of fabricating inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
WO2011118652A1 (ja) 2010-03-26 2011-09-29 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
KR20130106373A (ko) * 2010-08-26 2013-09-27 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양면 다-층 접착제
US8771793B2 (en) * 2011-04-15 2014-07-08 Roche Diagnostics Operations, Inc. Vacuum assisted slot die coating techniques
WO2012172919A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
KR20170134778A (ko) 2011-07-01 2017-12-06 카티바, 인크. 잉크로부터 캐리어 액체 증기를 분리하기 위한 장치 및 방법
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
KR20190101506A (ko) 2011-08-09 2019-08-30 카티바, 인크. 하향 인쇄 장치 및 방법
KR102005688B1 (ko) * 2011-12-22 2019-10-01 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN103171286B (zh) * 2011-12-22 2016-09-07 科迪华公司 气体封闭系统
KR20180120810A (ko) * 2013-02-18 2018-11-06 카티바, 인크. Oled 스택 필름의 품질 평가를 위한 시스템, 장치, 및 방법
KR102098613B1 (ko) * 2013-03-13 2020-04-08 카티바, 인크. 가스 인클로저 시스템 및 보조 인클로저를 이용하는 방법
WO2015070356A1 (en) * 2013-11-14 2015-05-21 Oerlikon Advanced Technologies Ag Apparatus and process for annealing of anti-fingerprint coatings
KR101970449B1 (ko) * 2013-12-26 2019-04-18 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
US10280680B2 (en) * 2013-12-31 2019-05-07 Guardian Glass, LLC Vacuum insulating glass (VIG) unit with pump-out port sealed using metal solder seal, and/or method of making the same
KR102307190B1 (ko) * 2014-01-21 2021-09-30 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
KR20170028897A (ko) 2014-07-18 2017-03-14 카티바, 인크. 교차 흐름 순환 및 여과를 이용한 가스 인클로저 시스템 및 방법
US9909022B2 (en) * 2014-07-25 2018-03-06 Kateeva, Inc. Organic thin film ink compositions and methods

Also Published As

Publication number Publication date
US20170221729A1 (en) 2017-08-03
KR20170091581A (ko) 2017-08-09
KR102068882B1 (ko) 2020-01-21
TW201907042A (zh) 2019-02-16
EP3224396A1 (en) 2017-10-04
KR20200008041A (ko) 2020-01-22
EP3224396A4 (en) 2018-10-31
JP2019069451A (ja) 2019-05-09
TWI670388B (zh) 2019-09-01
US10262881B2 (en) 2019-04-16
TW201627523A (zh) 2016-08-01
CN107075767B (zh) 2021-09-03
WO2016086192A1 (en) 2016-06-02
JP6570147B2 (ja) 2019-09-04
TWI645063B (zh) 2018-12-21
EP3224396B1 (en) 2022-09-28
JP2018503500A (ja) 2018-02-08
US20190019695A1 (en) 2019-01-17
CN107075767A (zh) 2017-08-18
CN114273154A (zh) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7341538B2 (ja) 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
US11338319B2 (en) Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
JP6793412B2 (ja) マルチゾーン循環および濾過を利用するガスエンクロージャシステムおよび方法
CN114273154B (zh) 环境受控的涂层系统
JP2017531049A (ja) 有機薄膜インク組成物および方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant