JP7018215B2 - 電子デバイスの熱処理のための装置および技法 - Google Patents

電子デバイスの熱処理のための装置および技法 Download PDF

Info

Publication number
JP7018215B2
JP7018215B2 JP2020088797A JP2020088797A JP7018215B2 JP 7018215 B2 JP7018215 B2 JP 7018215B2 JP 2020088797 A JP2020088797 A JP 2020088797A JP 2020088797 A JP2020088797 A JP 2020088797A JP 7018215 B2 JP7018215 B2 JP 7018215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
module
heat treatment
gas
enclosure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020088797A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020123594A (ja
JP2020123594A5 (ja
Inventor
エフ． マディガン コナー
ブロンスキー エリヤフ
ソウ－カン コー アレクサンダー
マウック ジャスティン
Original Assignee
カティーバ， インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カティーバ， インコーポレイテッド filed Critical カティーバ， インコーポレイテッド
Publication of JP2020123594A publication Critical patent/JP2020123594A/ja
Publication of JP2020123594A5 publication Critical patent/JP2020123594A5/ja
Priority to JP2022008873A priority Critical patent/JP7341538B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7018215B2 publication Critical patent/JP7018215B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

（優先権の主張）
本願は、以下の出願の各々の優先権の利益を主張する：（１）米国仮特許出願第６１／９２１，０３４号（２０１３年１２月２６日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ
ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）、（２）米国仮特許出願第６１／９２１，２１８号（２０１３年１２月２７日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）、（３）米国仮特許出願第６１／９２９，６６８号（２０１４年２月２６日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）、（４）米国仮特許出願第６１／９４５，０５９号（２０１４年２月２６日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）、（５）米国仮特許出願第６１／９４７，６７１号（２０１４年３月１４日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）、（６）米国仮特許出願第６１／９８６，８６８号（２０１４年４月３０日出願、名称「Ｓｙｓｔｅｍｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒｓ」）、および、（７）米国仮特許出願第６２／００２，３８４号（２０１４年５月２３日出願、名称「ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ
ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」）。上記出願の各々は、その全体が参照により本明細書に引用される。
（関連出願の引用）
本願は、米国特許出願公開第２０１３／０２５２５３３ Ａ１号（Ｍａｕｃｋ、他、名称「ＧＡＳ ＥＮＣＬＯＳＵＲＥ ＡＳＳＥＭＢＬＹ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ」）、米国特許出願公開第２０１３／０２０６０５８ Ａ１号（Ｍａｕｃｋ、他、名称「ＧＡＳ ＥＮＣＬＯＳＵＲＥ ＡＳＳＥＭＢＬＹ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ」）、および、米国特許第８，３８３，２０２号（Ｓｏｍｅｋｈ、他、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＬＯＡＤ－ＬＯＣＫＥＤ ＰＲＩＮＴＩＮＧ」）に関連する。上記の各々は、その全体が参照により本明細書に引用される。
光電子デバイス等の電子デバイスは、有機材料を使用して、特に、薄膜処理技法を使用して、製作されることができる。そのような有機光電子デバイスは、他のディスプレイ技術と比較して等、向上した電力効率および向上した視覚性能を提供するとともに、それらの比較的薄く平面的な構造により、容量的に小型であり得る。ある実施例では、そのようなデバイスは、競合技術と異なり、機械的に可撓性（例えば、折り畳み可能または曲げ可能）、または光透過性であり得る。有機光電子デバイスのための用途は、例えば、一般的照明、背景照明源としての使用、またはピクセル光源もしくは電子発光ディスプレイ内の他の要素としての使用を含むことができる。ある種の有機光電子デバイスは、例えば、小分子、ポリマー、蛍光、またはリン光性材料等の電子発光放射有機材料を使用して光を生成することができる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを含む。
１つのアプローチでは、ＯＬＥＤデバイスは、一部、熱蒸発の技法を使用した基板上への一連の有機薄膜の真空堆積によって、製作されることができる。しかしながら、このような真空処理は、比較的、（１）複雑であること、概して、そのような真空を維持するように、大型真空チャンバおよびポンプサブシステムを伴うこと、（２）概して、より多くの材料が基板上に堆積させられるよりも無駄にされるように、そのようなシステムにおける材料の大部分が、概して、内部の壁および固定具上に堆積させられるため、有機未加工材料を無駄にすること、および（３）壁および固定具を開放して、蓄積した無駄な材料を掃除するように、真空堆積ツールの動作を頻繁に停止する必要性があることにより、維持することが困難である。さらに、ＯＬＥＤ用途では、有機膜をパターンで堆積させることが望ましくあり得る。
１つのアプローチでは、基板を覆ってブランケットコーティングが堆積させられることができ、所望のパターン化を達成するために、フォトリソグラフィが考慮されることができる。しかし、多くの用途では、特にＯＬＥＤ材料に対して、そのようなフォトリソグラフィプロセスは、堆積有機膜または下にある有機膜を損傷し得る。真空堆積方法を利用するときに堆積層を直接パターン化するために、いわゆるシャドウマスクが使用されることができる。そのような場合のシャドウマスクは、多くの場合、堆積領域のための切り抜きを伴う金属板として製造される、物理的ステンシルを備えている。シャドウマスクは、概して、堆積に先立って、基板と近接または接触して配置され、それに整列させられ、堆積中、定位置で保たれ、次いで、堆積後に除去される。シャドウマスクによるそのような直接パターン化は、真空ベースの堆積技法に実質的な複雑性を追加し、概して、基板に対して正確にマスクを取り扱って位置付けるための追加の機構および固定を伴い、（シャドウマスク上に堆積させられる材料からの無駄により）材料の無駄をさらに増加させ、シャドウマスク自体を連続的に掃除して交換する保守の必要性をさらに増加させる。シャドウマスク技法はまた、概して、ディスプレイ用途に必要とされるピクセルスケールパターン化を達成するために、比較的薄いマスクを伴い、そのような薄いマスクは、広い面積にわたって機械的に不安定であり、処理されることができる基板の最大サイズを制限する。拡張可能性を改善することが、ＯＬＥＤ製造に対する主要な課題のままであるので、そのような拡張性への制限は、かなりのものであり得る。
ＯＬＥＤデバイスで使用される有機材料はまた、概して、酸素、オゾン、または水等の種々の周囲物質にさらすことに対して高度に敏感である。例えば、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層、遮断層、もしくは発光層を含むような、例えば、ＯＬＥＤデバイスの種々の内部層で使用される有機材料は、種々の劣化機構の対象となり得る。そのような劣化は、少なくとも部分的に、各膜のバルク材料内、または全体的なデバイススタック内の層の間の界面においてのいずれかで、デバイス構造に化学的または電気的／光学的活性汚染物質を組み込むことによって駆動され得る。時間と共に、化学的活性汚染物質は、膜材料を劣化させる化学反応を膜において引き起こし得る。そのような化学反応は、いかなる他の誘因がないと、単純に時間の関数として起こり得るか、または例えば、周囲光学エネルギーもしくは注入電気エネルギーによって引き起こされ得る。電気的／光学的活性汚染物質は、動作中にデバイスにおいて導入または生成される電気または光学エネルギーのための寄生電気経路／光学経路を作成し得、そのような経路は、光出力の抑制、または正しくない光出力（例えば、誤ったスペクトルの光出力）の生成をもたらし得る。劣化または損失は、個々のＯＬＥＤディスプレイ要素の故障、ＯＬＥＤ要素のアレイの部分における「黒い」斑点、可視的アーチファクトまたは「ムラ」、電気／光学効率の損失、もしくはＯＬＥＤ要素のアレイの種々の影響を受けた領域中の演色精度、コントラスト、もしくは輝度の不要な偏差として発現し得る。
印刷技法を使用して、ＯＬＥＤデバイスの１つ以上の層が製作される（例えば、堆積させられる、またはパターン化される）ことができる。例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、放射材料、電子輸送材料、正孔遮断材料、または電子注入材料等の有機材料が、例えば、キャリア流体（例えば、溶媒）中に溶解させられるか、または別様に懸濁させられることができ、パターン化された層を提供するように、インクジェット印刷およびキャリア流体の後続の蒸発によって、有機材料を含むＯＬＥＤデバイスの層が形成されることができる。別のアプローチでは、噴出を通して基板上に堆積させるために、固相有機材料が熱的に蒸発させられることができる。さらに別のアプローチでは、有機材料がキャリア液体中に溶解させられるか、または別様に懸濁させられることができ、線を形成するように基板上にノズルから流体における連続流を分注し（いわゆる「ノズル印刷」または「ノズルジェット」）、後に、線パターン化された層を提供するようにキャリアを蒸発させることによって、有機材料を含むＯＬＥＤデバイスの層が形成されることができる。そのようなアプローチは、概して、印刷システムを使用して行われることができるような有機「印刷」技法と称されることができる。
実施例では、電子デバイス製作システムは、基板上に第１のパターン化された有機層を堆積させるように構成される、第１の印刷システムを含むことができ、パターン化された層は、基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備え、第１の印刷システムは、第１の処理環境内に位置し、第１の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、およびオゾン含量のうちのいずれか１つ以上のものの規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている。電子デバイス製作システムは、熱的に制御された領域の積層構成を含む、封入型熱処理モジュールを含むことができ、熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、封入型熱処理モジュールは、制御された第２の処理環境を提供し、第２の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量のうちのいずれか１つ以上のものの規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている。本システムは、装填モジュールに連結されるか、または装填モジュールとして構成されるような基板移送モジュールであって、印刷システムから基板を受け取るように構成され、かつ基板を封入型熱処理モジュール内の第２の処理環境に提供するように構成される、基板移送モジュールを含むことができる。第１の印刷システム内の基板の印刷中の第１の処理環境の酸素含量は、熱処理モジュール内の基板の熱処理中の第２の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きくあり得る。実施例では、第２の処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素、または１０００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気、または１０００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾン、もしくは３つの任意の組み合わせを有する、環境を維持するように確立されることができる。
製作システムは、各々が基板を収容するように構成される１つ以上の基板保持領域を含む封入型基板冷却モジュールを含むことができ、基板冷却モジュールは、基板が規定閾値温度を下回るまで、基板を冷却するように規定される持続時間に対して基板を保持するように構成される。封入型冷却モジュールは、第３の処理環境を確立するように構成されることができ、第３の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量のうちの１つ以上のものの規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている。実施例では、第２および第３の環境は、実質的に類似し得る。
本明細書で説明されるシステムおよび技法は、１つ以上の光電子デバイスを含むような一連の異なる電子デバイス構成を製造することの支援において使用されることができる。例えば、本明細書で説明されるシステムおよび技法を少なくとも部分的に使用して、フラットパネルディスプレイデバイスが製作されることができる。そのようなフラットパネルディスプレイデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）フラットパネルディスプレイを含むことができる。いくつかのＯＬＥＤフラットパネルディスプレイは、基板（または「マザー」ガラス）上で処理されることができる。「基板」という言葉、または「製作されている基板」という語句の使用は、概して、ＯＬＥＤデバイスを含むことができる、処理中のアセンブリを指す。本明細書の実施例は、特定のパネル幾何学形状またはサイズに制約される必要はない。例えば、そのようなシステムおよび技法は、約３７センチメートル（ｃｍ）×約４７ｃｍの寸法を含む長方形の幾何学形状を有する等、第２キャリア（「Ｇｅｎ ２」）サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの製作を支援して、使用されることができる。本明細書で説明されるシステムはまた、約６１センチメートル（ｃｍ）×約７２ｃｍの寸法を含む長方形の幾何学形状を有する等、第３．５キャリア（「Ｇｅｎ ３．５」）基板サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの製作を支援して等、若干大きい基板幾何学形状に使用されることもできる。本明細書で説明されるシステムはまた、約１３０ｃｍ×１５０ｃｍの寸法を有する「Ｇｅｎ ５．５」、または約１９５ｃｍ×２２５ｃｍの寸法を有する「Ｇｅｎ ７」もしくは「Ｇｅｎ ７．５」基板に対応する基板サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの製作の支援において等、さらに大きい基板幾何学形状に使用されることもできる。例えば、Ｇｅｎ ７またはＧｅｎ
７．５基板は、８枚の４２インチ（対角寸法）または６枚の４７インチ（対角寸法）フラットパネルディスプレイに単体化される（例えば、切断または別様に分離される）ことができる。「Ｇｅｎ ８」基板は、約２１６×２４６ｃｍの寸法を含むことができる。「Ｇｅｎ ８．５」基板は、約２２０ｃｍ×２５０ｃｍの寸法を含むことができ、かつ基板につき６枚の５５インチまたは８枚の４６インチフラットパネルを提供するように単体化されることができる。
本明細書で説明されるシステムおよび技法を使用して、Ｇｅｎ ８．５を超える寸法が支持されることができる。例えば、本明細書で説明されるシステムおよび技法を少なくとも部分的に使用して、約２８５ｃｍ×３０５ｃｍまたはそれを超える寸法を有する「Ｇｅｎ １０」基板が製作されることができる。本明細書で説明されるパネルサイズは、概して、ガラス基板に適用可能であるが、ディスプレイデバイス製作、具体的には、印刷技法を使用して１つ以上の層を形成することを含むことができる、ＯＬＥＤディスプレイ製作で使用するために好適な任意の材料の基板に適用されることができる。例えば、種々のガラス基板材料、ならびに種々のポリマー基板材料、例えば、ポリイミドが使用されることができる。
本概要は、本特許出願の主題の概要を提供することを意図している。本発明の排他的または包括的説明を提供することは意図されていない。本特許出願についてのさらなる情報を提供するように、発明を実施するための形態が含まれる。
例えば、本願は以下の項目を提供する。
（項目１）
電子デバイス製作システムであって、
基板上に第１のパターン化された有機層を堆積させるように構成されている第１の印刷システムであって、前記パターン化された層は、前記基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備え、前記第１の印刷システムは、第１の処理環境内に位置し、前記第１の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、第１の印刷システムと、
熱的に制御された領域の積層構成を含む封入型熱処理モジュールであって、前記熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、前記領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、前記封入型熱処理モジュールは、制御された第２の処理環境を提供し、前記第２の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、封入型熱処理モジュールと、
前記第１の印刷システムから前記基板を受け取るように構成され、かつ前記基板を前記封入型熱処理モジュール内の前記第２の処理環境に提供するように構成されている基板移送モジュールと
を備え、
前記第１の印刷システム内の前記基板の印刷中の前記第１の処理環境の前記酸素含量は、前記熱処理モジュール内の前記基板の熱処理中の前記第２の処理環境の前記酸素含量より少なくとも１００倍大きい、電子デバイス製作システム。
（項目２）
１つ以上の基板保持領域を含む封入型基板冷却モジュールを備え、前記基板保持領域の各々は、前記基板を収容するように構成され、前記基板冷却モジュールは、前記基板が規定閾値温度を下回るまで前記基板を冷却するように規定される持続時間に対して前記基板を保持するように構成され、
前記封入型冷却モジュールは、第３の処理環境を確立するように構成され、前記第３の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、
項目１に記載の製作システム。
（項目３）
前記基板移送モジュールは、前記封入型熱処理モジュール内の前記第２の処理環境から前記基板を受け取るように構成され、かつ前記基板を前記封入型冷却モジュール内の前記第３の処理環境に提供するように構成されている、項目２に記載の製作システム。
（項目４）
前記印刷モジュール内の前記基板の印刷中の前記第１の処理環境の酸素含量は、前記冷却モジュール内の前記基板の冷却中の前記第３の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きい、項目２に記載の製作システム。
（項目５）
前記規定閾値温度は、１００℃である、項目２に記載の製作システム。
（項目６）
前記冷却モジュールは、積層構成における複数の基板冷却領域を備え、各ステーションは、互からオフセットされている、項目２に記載の製作システム。
（項目７）
前記第２および第３の処理環境は、実質的に同一である、項目２に記載の製作システム。
（項目８）
前記第１の処理環境は、１００ｐｐｍを下回る含水量および１００ｐｐｍを下回るオゾン含量を維持するように制御された清浄乾燥空気を備えている、項目１に記載の製作システム。
（項目９）
前記第２の処理環境は、前記基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される精製非反応性ガスを備えている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１０）
前記第２の処理環境は、大気圧を上回る窒素を含む、項目９に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１１）
前記第２の処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有する環境を維持するように確立されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１２）
前記第１の処理環境は、１，０００パーツ・パー・ミリオンを超える酸素の環境を含む、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１３）
前記印刷システムから前記基板を移送するように構成されている第１のハンドラを備えている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１４）
前記第１のハンドラと異なる環境内に位置する第２のハンドラを備え、前記第２のハンドラは、前記基板を前記熱処理モジュールに移送するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１５）
前記第２のハンドラは、前記熱的に制御された領域のうちの規定のものの中に前記基板を配置するように構成されている、項目１４に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１６）
前記基板移送モジュールは、前記第１の印刷システムおよび前記封入型熱処理モジュールから離れている少なくとも１つのチャンバを備えている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１７）
前記第１の印刷システムは、封入されており、前記基板移送モジュールは、前記封入された第１の印刷システムと前記封入型熱処理モジュールとの間に位置している、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１８）
前記封入型熱処理モジュールは、可動プラットフォームを使用して、基板装填および取り外しのための前記熱的に制御された領域のうちの異なる領域へのアクセスを提供するように構成され、前記可動プラットフォームは、少なくとも１つの軸において前記熱的に制御された領域を移動させるように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目１９）
前記印刷システムは、インクジェット印刷システムを備えている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２０）
前記基板移送モジュールは、封入型内部モジュールを備え、前記封入型内部モジュールは、前記第１の処理環境から基板を受け取り、前記第２の処理環境に前記基板を提供するように構成され、前記基板は、前記プリンタから前記熱処理モジュールに前記基板を移送するプロセスにおいて前記第２の処理環境を通過する、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２１）
前記基板移送モジュールは、前記封入型熱処理モジュール内の前記第２の処理環境の粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の前記規定限界を維持しながら、前記プリンタから前記熱処理モジュールに基板を移送するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２２）
前記基板移送モジュールは、前記熱処理モジュール内の酸素の濃度を１０パーツ・パー・ミリオンより大きいレベルまで上昇させることなく、大気圧以上の環境に前記基板を提供するように前記基板を前記封入型熱処理モジュールに提供するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２３）
前記封入型熱処理モジュール内で前記基板を移動させるように構成されている基板ハンドラを備えている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２４）
前記熱的に制御された領域の各々は、規定基板温度を提供するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２５）
前記熱的に制御された領域の各々は、規定基板温度一様性を提供するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２６）
前記第１のパターン化された有機層の堆積後に前記基板を受け取るように構成されている乾燥モジュールを備え、前記乾燥モジュールは、印刷動作中に堆積させられた前記第１のパターン化された有機層を備えているインクを乾燥させるように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２７）
前記乾燥モジュールは、前記乾燥モジュール内の雰囲気を少なくとも部分的に排出すること、またはパージすることのうちの１つ以上を行い、乾燥動作を促進するように構成されている、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２８）
前記第２の処理環境は、１０パーツ・パー・ミリオン未満の酸素を有する環境を含む、項目１に記載の電子デバイス製作システム。
（項目２９）
電子デバイス製作システムであって、
各々が基板上にパターン化された有機層を堆積させるように構成されている２つ以上の印刷システムであって、前記パターン化された層は、前記基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備え、前記２つ以上の印刷システムは、第１の処理環境内に位置し、前記第１の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、２つ以上の印刷システムと、
熱的に制御された領域の積層構成を含む封入型熱処理モジュールであって、前記熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、前記領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、前記封入型熱処理モジュールは、制御された第２の処理環境を提供し、前記第２の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、封入型熱処理モジュールと、
前記２つ以上の印刷システムから前記基板を受け取るように構成され、かつ前記基板を前記封入型熱処理モジュール内の前記第２の処理環境に提供するように構成されている基板移送モジュールと
を備え、
前記２つ以上の印刷システムのうちの少なくとも１つの中の前記基板の印刷中の前記第１の処理環境の酸素含量は、前記熱処理モジュール内の前記基板の熱処理中の前記第２の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きい、電子デバイス製作システム。
（項目３０）
前記２つ以上の印刷システムの各々は、前記基板上に異なるパターン化された有機層を堆積させるように構成され、
前記封入型熱処理モジュールは、前記異なるパターン化された有機層の堆積の間またはその後に、熱処理を前記基板に提供するように構成されている、
項目２８に記載の電子デバイス製作システム。
図１Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図の実施例を図示する。 図１Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。 図２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図の実施例を図示する。 図２Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。 図３Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図の実施例を図示する。 図３Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。 図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、および４Ｄは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。 図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、および４Ｄは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。 図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、および４Ｄは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。 図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、および４Ｄは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。 図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄは、概して、熱処理領域の固定積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール構成の種々の実施例を図示する。 図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄは、概して、熱処理領域の固定積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール構成の種々の実施例を図示する。 図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄは、概して、熱処理領域の固定積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール構成の種々の実施例を図示する。 図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄは、概して、熱処理領域の固定積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール構成の種々の実施例を図示する。 図６Ａおよび６Ｂは、概して、基板の浮動運搬を提供することができる、印刷システムの実施例を図示する。 図６Ａおよび６Ｂは、概して、基板の浮動運搬を提供することができる、印刷システムの実施例を図示する。 図７Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の等角図を図示する。 図７Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の平面図を図示する。 図７Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システムおよび熱処理モジュールを含むことができるようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。 図８は、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用される製作機器を収納するエンクロージャ内で制御された環境を確立または維持するように、本明細書で説明される１つ以上の他の実施例の部分または全体に関して使用されることができる、ガス精製方式の概略図を図示する。 図９Ａおよび９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図９Ａおよび９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図１０Ａおよび１０Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図１０Ａおよび１０Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図１０Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部として含まれる浮動制御ゾーンを確立するように、１つ以上のガスまたは空気源を統合および制御するためのシステムのさらなる実施例を図示する。 図１１Ａ、１１Ｂ，および１１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。 図１１Ａ、１１Ｂ，および１１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。 図１１Ａ、１１Ｂ，および１１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。 図１２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、他のチャンバまたはモジュールに連結された移送モジュールを含むようなシステムの一部を図示する。 図１２Ｂは、概して、図１２Ａに示されるモジュール内の基板を操作するため等に使用されることができる、ハンドラ構成を図示する。 図１３Ａおよび１３Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、基板バッファリング、冷却、乾燥、または他の処理領域の積層構成を含むことができるようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。 図１３Ａおよび１３Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、基板バッファリング、冷却、乾燥、または他の処理領域の積層構成を含むことができるようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。
必ずしも一定の縮尺で描かれていない図面では、類似数字が異なる図で類似する構成要素を表し得る。異なる接尾文字を有する類似数字は、類似する構成要素の異なる事例を表し得る。図面は、概して、限定ではないが、一例として、本書で議論される種々の実施形態を図示する。
本発明者らは、とりわけ、制御された処理環境を有するようなモジュールの配列を使用して、種々の電子デバイス製作動作が行われることができることを認識している。例えば、モジュールの配列が、個々に維持された制御された環境を有するそれぞれのモジュールを含むことができるか、もしくはモジュールのうちの１つ以上のものが、他のモジュールと制御された処理環境を共有することができる。１つのモジュールまたはモジュールの組み合わせの環境は、他のモジュールと異なり得る。ガス精製、温度制御、溶媒排除、または粒子状物質制御のうちの１つ以上のもの等の設備が、モジュール間で共有されることができるか、または専用様式で提供されることができる。実施例では、基板は、１つ以上の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス等の１つ以上の光電子デバイスを含むことができる。
多くのＯＬＥＤデバイスを含む基板等の製作されているＯＬＥＤデバイスは、例えば、装填モジュール（例えば、「ロードロック」）、ハンドラを含む移送モジュール、もしくは１つ以上の封入型モジュールの外部のハンドルのうちの１つ以上のものを使用する等して、製作機器へ、またはそこから移送されることができる。モジュール間のインターフェースは、ガスカーテンまたはゲート弁配列のうちの１つ以上のものを使用することを含むことができる。このようにして、それぞれの製作されている基板の移送は、封入型モジュールの環境を実質的に変化させることなく起こることができる。本発明者らは、それぞれのモジュール内の制御された（例えば、非反応性および粒子状物質の制御された）環境を実質的に変化させることなく、または各封入型モジュール内の大量の時間がかかるパージを必要とすることなく、制御された雰囲気を含むライン要素が開放空気または真空プロセス等の他の製作プロセスと統合されることをロードロック配列の使用が可能にできることを認識している。１つ以上の封入型モジュールの処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、または有機蒸気含量のうちの１つ以上のものの規定限界を下回ったままであるように確立される等、制御されることができる。１つ以上の封入型モジュールの処理環境は、そのような１つ以上の封入型モジュールを包囲する大気圧とほぼ等しいか、またはそれを上回る内圧を維持するようにさらに制御されることができる。
実施例では、製作システム内のモジュールの配列は、特に、製作システムが１つ以上の印刷プロセスによるコーティングの堆積を伴う場合に、熱処理モジュールを含むことができる。熱処理モジュールは、各々が製作されているそれぞれの基板を収容するように構成されるような、それぞれの熱的に制御された領域を含むことができる。熱処理モジュールのエンクロージャは、温度コントローラによって制御される熱源を使用して確立される調節可能温度を含むことができ、熱的に制御された領域は、少なくとも部分的に熱源を使用して、規定温度または規定温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように構成される。それぞれの熱的に制御された領域は、（例えば、「積層」構成等の垂直または水平構成において）熱処理システムの規定軸に沿って互からオフセットされることができる。実施例では、各基板が熱的に制御された領域のうちのそれぞれの領域の中に位置するときに、製作されている各基板の表面と実質的または完全に平行な方向へ層流が提供されることができる。実施例では、層流は、熱処理モジュール内の制御された処理環境の大気成分を含むことができる。
本発明者らはまた、ＯＬＥＤ製造を含むような多くの製造プロセスでは、熱処理動作が製造ライン内の他の処理動作のうちの１つ以上のものに対して持続時間が長くあり得ることを認識している。例証的実施例では、熱処理動作は、持続時間が約５～約６０分であり得る一方で、印刷動作等の処理動作は、持続時間が約１～３分しか持続しない場合がある。単一のプロセスチャンバのみが各動作に使用される場合、これは、最も遅い個々のプロセスチャンバにスループットが限定されるであろう、ラインにおける非効率を生じ得る。
１つのアプローチでは、上記の問題は、ライン内の最も速いチャンバの処理速度についていくために多くの個々の熱処理チャンバを（例えば、別個のユニットとして）利用することによって解決されることができる。しかしながら、本発明者らは、単一の大型エンクロージャまたはユニットを提供するが、潜在的に長い熱処理時間にもかかわらず、ユニット内で多くの基板の並行熱処理を提供することによってスループットを増加させるような、単一システム内で複数の基板のための空間または「スロット」を有する、積層熱処理構成を提供することが有利であり得ることをも認識している。さらに、本発明者らは、そのような熱処理ステップが制御された環境内での処理を含むときに、基板を装填および取り外しするとき、ならびにそのような多重基板熱処理モジュールを使用するときに清浄な、粒子を含まない環境を提供することに関する側面を特に考慮できることを認識している。例えば、そのような制御された処理環境を有する、熱処理モジュールは、規定純度レベルを有するガス（例えば、窒素）を含む雰囲気を提供することを含むことができる。そのような純度レベルはまた、製作中のＯＬＥＤデバイスの劣化を防止するため、または欠陥を阻止もしくは抑制するように、酸素または水等の他の種の制御された最大不純物濃度を含むこともできる。粒子状物質制御もまた、不活性環境内の規定粒子状物質レベルを維持するため等に提供されることができる。
図１Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システム２０００および熱処理モジュール５０００を含むようなシステム１０００Ａの少なくとも一部の平面図の実施例を図示し、図１Ｂは、概して、システム１０００Ａの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。熱処理モジュール５０００は、図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄの実施例に示されるような、または本明細書の他の実施形態で説明されるような構成を含むことができる。
システム１０００Ａは、印刷システム２０００に連結された移送モジュール１４００Ａを有するようなクラスタ化構成を含むことができる。１つ以上の他のモジュールが、移送モジュール１４００Ａを通して等、印刷システム２０００に連結されることができる。例えば、熱処理システム５０００および処理モジュール１２００は、第１の移送モジュール１４００Ａに連結されることができる。熱処理システム５０００は、図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄの実施例に示され、説明されるように、本明細書に説明される他の実施例で記述されるような積層構成を含むことができる。処理モジュール１２００は、図１３Ａおよび１３Ｂで例証的に示されるような積層構成において等、単一の基板または複数の基板を収容することができるような保持またはバッファモジュールを含むことができる。別のモジュールが基板を受け取る準備ができるまで、ある期間にわたってそれを保持すること、または欠陥のある、もしくは損傷した基板を除去することができるまで、それらを保持する場所を提供すること等の基板フロー管理の目的で基板を単純に保持することに加えて、機能的プロセスフローの一部として、ある期間にわたって基板を保持するために、保持またはバッファモジュールを使用することもできる。例えば、熱処理動作後に、基板は、基板を保持またはバッファモジュール内の周辺環境とほぼ熱平衡にするように、保持またはバッファモジュールの中で保持されることができる。
実施例では、基板が１つの状態から別の状態に進化することを可能にするように、時限保持動作が行われ得る。例えば、液体材料が基板上に堆積させられる印刷動作後、かつ固体膜を形成する硬化動作に先立って、規定持続時間を有する時限保持動作は、熱処置または光学処置を含む硬化動作等の硬化動作を介して膜を固定する前に、液体が流動すること、沈殿すること、乾燥すること、または３つの任意の組み合わせを行うことを可能にするために使用され得る。処理モジュール１２００は、図１３Ａで例証的に示されるような積層構成において等、単一の基板または複数の基板を収容することができるような真空乾燥モジュールを含むことができる。そのような真空乾燥モジュールは、印刷によって基板上に堆積させることができるような液体材料の（大気圧を下回る圧力における）乾燥を提供することができる。実施例では、システム１０００Ａは、上記で説明されるような種々の機能を提供する保持モジュールと、別個の真空乾燥モジュールとの両方を含むことができる。代替として、（または加えて）、システム１０００Ａは、ある持続時間中、大気圧において、またはほぼ大気圧において、保持またはバッファリングを提供するように、かつ他の持続時間中、真空乾燥を提供するように構成される保持モジュールを含むことができる。
制御された処理環境を有するようなシステム１０００Ａは、封入されることができる。そのような制御された処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、および有機蒸気含量のうちの１つ以上のものの規定限界を下回ったままであるように確立されることができる。例えば、制御された処理環境は、システム１０００Ａを使用して処理されている基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される、窒素、または別のガスもしくはガスの混合物を含むことができる。以下の他の実施形態で説明されるように、そのような制御された処理環境は、（例えば、図８、９Ａ－９Ｂ、１０Ａ－１０Ｂに示されるように）システム１０００Ａの種々の部分内に含まれるか、またはそれらに連結されるガス精製システムを少なくとも部分的に使用して、確立されることができる。本明細書の他の実施例で示され、説明されるように、例えば、システム１０００Ａに連結されるか、またはシステム１０００Ａの１つ以上のモジュール内に位置する装置を使用して、制御された環境の粒子状物質レベルも制御されることができる。
例証的実施例として、処理モジュール１２００、印刷システム２０００、移送モジュール１４００Ａのうちの１つ以上のものは、共有ガス精製設備、単一の専用ガス精製設備、またはシステム１０００の異なる部分と個々に関連付けられる複数の専用ガス精製設備によって確立される制御された環境を含むことができる。例えば、種々のモジュールは、システム１０００の制御された環境の全体がパージされるか、またはそうでなければ汚染されることを必要とせずに、計画上のシステム動作中または保守中に行われ得るような種々の動作を可能にするために、システム１０００の他の部分から制御可能に隔離されるように、ゲートまたは弁を含むことができる。
システム１０００Ａは、製作されている１つ以上の基板のための進入点または退出点を提供するように、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ａのうちの１つ以上のもの等の１つ以上の装填モジュールを含むことができる。第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂは、システム１０００Ａを製造ライン内の他の装置に直接連結するか、またはさらに、例えば、他の装置へ、もしくはそこから輸送することができる取り外し可能なアセンブリを提供するために、固定されることができるか、または取り外し可能であり得る。例えば、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂのうちの１つ以上のものは、システム１０００Ａ内の環境と異なる環境へ、またはそこから基板を移送するように構成されることができる
例えば、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、真空源またはパージ源、もしくは両方に連結されることができ、かつシステム１０００Ａへのインターフェースポートと、前または次の環境（周囲環境、または別の封入型処理モジュールに関連付けられる制御された環境であり得る）へのインターフェースポートとを独立して密閉するために構成されることができる。このようにして、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂは、それ自体を内部に密閉し、システム１０００Ａと適合性がないものとシステム１０００Ａと適合性があるもの（例えば、インターフェースポートを介してシステム１０００Ａにさらされたときに、システム１０００Ａ内の制御された環境の質を実質的に維持するであろう、ほぼ大気圧における、または大気圧を上回る制御された環境）との間で装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂの内部環境を変化させることができる。同様に、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、他の処理に好適な環境（例えば、大気圧またはその付近にあるが、制御された環境と異なる組成を有する、第２の環境、または真空環境）に基板を移送するために使用されることができる。このようにして、第１または第２の装填モジュール１１００Ａおよび１１００Ｂは、システム１０００Ａの制御された環境と他の装置との間に移送導管を提供することができる。図１Ａおよび１Ｂは、移送モジュール１４００Ａに連結された単一の処理モジュール１２００を示すが、以下の実施例で示され、議論されるような他の構成も可能である。
上記のように、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、恒久的に取り付けられた構成、またはカートもしくは他の輸送可能構成を含むことができる。製作されている基板は、例えば、システム１０００Ａ内に位置するハンドラを使用するか、もしくは第１のハンドラ１４１０Ａまたは第２のハンドラ１４１０Ｂ等の他の場所に位置する１つ以上のハンドラを使用して、ポートを通して装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂのうちの１つの内側に配置されることができる。
実施例では、次いで、装填モジュール（例えば、第１の装填モジュール１１００Ａ）は、封入システム１０００Ａの内部にさらすことに対して装填モジュールの内部領域を準備するために、１つ以上のパージ動作を含むように、非反応性雰囲気を提供されるか、または別様に精製ガス流を使用して「充填」されることができる。例えば、システム１０００Ａの他の部分によって画定される封入領域内の制御された処理環境の粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、オゾン含量、および有機蒸気含量の規定限界を超える様式における汚染を回避するために、第１または第２の装填モジュールのうちの１つ以上のものの内部領域が、少なくとも部分的に排出またはパージされることができる。
同様に、システム１０００Ａによる処理後に、製作されている基板は、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂの中に配置されることができる。例証として、例えば、第２の装填モジュール１１００Ｂは、システム１０００Ａ内の他の場所の非反応性ガス環境から隔離され、例えば、真空条件下での後続の処理のために、または別様に、第２の装填モジュール１１００Ｂ内に提供される真空条件、周囲条件、もしくはある他の静的な制御された環境下での他の装置または処理への製作されている基板の輸送のために、排出されるように真空源に連結されることができる。代替として（または加えて）、基板は、システム１０００Ａのエンクロージャから退出すると、さらなる処理または取り扱いのために第１の装填モジュール１１００Ａに戻されることができる。さらなる例証として、第１または第２の装填モジュールのうちの１つは、封入領域内で、反応性種の濃度を、１０００パーツ・パー・ミリオンを上回って上昇させることなく、または同様に、周囲粒子レベルを規定量を上回って上昇させることなく、もしくは基板の１平方メートルにつき規定サイズの規定数を上回る粒子を基板上に堆積させることなく、基板をシステム１０００Ａ内の制御された処理環境に提供するように構成されることができる。
実施例では、第１の装填モジュール１１００Ａは、ポート（例えば、実質的にガス不透過性のシールを有する物理的ゲートを含む）またはガスカーテンによって、移送モジュール１４００Ａに連結されることができる。ポートが開放されているとき、第１の移送モジュール１４００Ａの中に位置するハンドラによって、第１の装填モジュール１１００Ａの内部がアクセスされることができる。ハンドラは、エンドエフェクタを使用して基板を操作するように、種々の自由度を有するロボットアセンブリを含むことができる。そのようなエンドエフェクタは、重力によって基板を支持するように構成されるトレイまたはフレームを含むことができるか、またはエンドエフェクタは、上向きまたは下向き構成から１つ以上の他の構成への基板の向きを変えることを可能にするように、基板をしっかりと握り、締め付け、または別様に保持することができる。エンドエフェクタの部分を作動させるか、または別様に基板を保持するかのいずれかのために、空気圧または真空操作式特徴を含むような他のエンドエフェクタ構成が使用されることができる。ハンドラを含む移送モジュールの例証的実施例が、図１１Ａから１１Ｃ、ならびに図１２Ａおよび１２Ｂに示されている。
処理モジュール１２００は、システム１０００Ａに含まれる他のモジュールに類似する、制御された環境を有する封入型モジュールを備えていることができる。他の実施形態で説明されるように、処理モジュール１２００内の制御された環境は、（例えば、保守のための、または特定の処理タスクに関係付けられるような）システム１０００Ａの他の封入領域から隔離可能であるように、システム１０００Ａの他の部分と独立して維持されることができる。例証的実施例では、処理モジュール１２００は、それぞれの環境を制御された領域を提供し、製作されているそれぞれの基板を収容するように構成される保持モジュールを含むことができる。それぞれの基板は、ハンドラおよびエンドエフェクタを使用して、それぞれの環境を制御された領域に運搬されることができる。環境を制御された領域は、「スタックバッファ」構成を提供するように、「保持」モジュールの規定（例えば、垂直）軸に沿って互からオフセットされることができる。このようにして、１つ以上の基板は、１つ以上の他のモジュール内のさらなる処理のために待ち行列に入れられる等、システム１０００Ａの制御された環境内でバッファリングまたは貯蔵されることができる。
例えば、次のモジュールが基板を受け取る準備ができるまで、そのような基板を待ち行列に入れることに加えて（または基板を待ち行列に入れる代わりに）、保持モジュールは、例えば、乾燥機能、冷却機能を提供することによって、または基板が１つの状態から別の状態に進化することを可能にするよう規定持続時間に対して（または規定基準が満たされるまで）基板を保持することによって、基板製作プロセスに機能的に関与することができる。基板を進化させる目的で保持する場合、例えば、基板は、液体が沈殿または流動することを可能にするよう保持されることができる。基板を冷却する場合、例えば、前の熱処理動作後に、または後続の印刷プロセスのために印刷モジュールの中へ装填する前に、基板は、規定持続時間に対して、または規定温度範囲内になるまで（もしくは両方で）保持されることができる。そのような用途では、冷却プロセスは、図１３Ｂに示されるように、基板の面にわたり流動するように提供されることができる層流等の基板表面にわたって温度制御されたガス流の制御された適用を通して、制御されることができる。
保持モジュール内の制御された環境の温度は、冷却プロセスを減速または加速するよう上昇または低下させられることができ、一般に、保持モジュール温度は、他のシステムモジュール、例えば、印刷モジュールまたは基板取り扱いモジュールの中、もしくはそれらを包囲する環境の温度と同一である必要はない。代替として（または加えて）、冷却プロセスはさらに、基板を支持するチャック構成を使用して制御されることができる。例えば、基板は、基板（または基板の少なくとも複数部分）と能動的に冷却されたトレイまたはチャックとの間の物理的接触によって保持されることができる。別の実施例では、基板は、（印刷または熱処理動作のうちの１つ以上のもののためのガスの浮動式クッションを使用して基板が支持される場合等の本明細書に説明される他の実施例と同様に）能動的に冷却されたガスのクッション上に置かれることができる。基板を損傷する可能性を低減させるために、基板は、３０秒（３０ｓ）を上回る、６０秒を上回る、１２０秒を上回る規定持続時間に対して、もしくは１つ以上の他の規定持続時間に対して等、ゆっくりと冷却されることができる。したがって、実施例では、基板は、能動的冷却トレイ、チャック、またはガスクッション上に基板を直接配置することと比較して、熱衝撃を回避するように、上記で説明されるように主に周囲ガス流を使用して冷却されることができる。しかしながら、能動的冷却トレイ、チャック、またはガスクッション上の冷却速度も、例えば、リフトピンの制御された移動または基板ハンドラの制御された移動の使用によって、基板がトレイ、チャック、またはガスクッション上に降下される速度を制御することによって、制御されることができる。
代表的な印刷プロセス実施例では、基板が、（例えば、前の熱処理の結果として）印刷モジュール環境の周囲温度を実質的に上回る温度において受け取られ、そのような基板は、基板の周辺の周囲温度との平衡を達成するように、連続冷却を受け得る。そのような冷却は、概して、基板を印刷モジュールに移送することに関与する時間と比較すると、持続時間が長くあり得る期間にわたって起こることができる。さらに、印刷プロセスの開始に先立って冷却することなく、基板は、印刷プロセス中に実質的な温度変化を受け、これは順に、印刷プロセスの開始と終了との間の基板の機械的収縮につながり得る。そのような収縮は、基板上のインクの配置において誤差を生じ得る。種々の例証的実施例によると、基板は、印刷モジュールの中へ装填する前に、６０秒、１２０秒、２４０秒、または４８０秒の最短持続時間、もしくは別の規定持続時間に対して保持されることができる。
例証的実施例によると、基板は、印刷モジュールの中へ装填する前に、基板温度が印刷モジュールの環境内の温度の１０℃、５℃、２℃、または１℃のうちの１つ以内となるまで保持されることができる。例証的実施例では、保持モジュールが２５℃の制御された内部温度において動作するように処理モジュール１２００が構成されている場合、基板は、約２００℃の温度において移送モジュール１４００Ａ内のハンドラによって受け取られることができ、移送モジュール１４００Ａ内のハンドラによって処理モジュール１２００の中へ配置されることができる。本例証的実施例では、移送モジュール１４００Ａ内のハンドラを介して、処理モジュール１２００から２５℃の制御された内部温度において動作する印刷システム２０００に基板を移送する前に、基板は、少なくとも２４０秒の期間にわたって保持モジュールの中で保持されることができ、それによって、基板は、保持チャンバ制御内部温度の５℃以内まで冷却される（すなわち、本実施例では、基板が３０℃またはそれを下回るまで冷却される）。本例証的実施例の変形例では、処理モジュール１２００は、基板が３０秒の期間にわたって降下させられ、その後に３０秒の期間にわたってチャック上で保持される、能動的に冷却された真空チャックを含むことができ、その時間までに、基板は、印刷システム２０００作業温度の５℃以内であり、その時点の後に、基板は、印刷システム２０００に移送されることができる。本例証的実施例のさらに別の変形例では、処理モジュール１２００は、基板が３０秒の期間にわたって降下させられ、その後に３０秒の期間にわたってチャック上で浮動させられる、能動的に冷却された浮動式プラットフォームを含むことができ、その時間までに、基板は、印刷システム２０００作業温度の５℃以内であり、その時点の後に、基板は、印刷システム２０００に移送されることができる。
２つの印刷動作を伴う別の代表的な印刷プロセスでは、例えば、第１のコーティングを印刷した後、約１２０℃～約３００℃の温度を使用して基板を処理することを含む熱処理が、第１のコーティングに対して行われ得、そのような熱処理に続いて、基板は、第２のコーティングを印刷するための印刷モジュールに移送する前に、冷却するために保持されることができる。代表的実施例では、例えば、処理モジュール１２００が、保持モジュールが２５℃の制御された内部温度において動作するように構成される場合、印刷システム２０００におけるコーティングの印刷に続いて、基板は、移送モジュール１４００Ａ内のハンドラによって熱処理モジュール５０００に移送され、その中で５分を超える持続時間に対して約２００℃の温度まで加熱されることができ、その後、移送モジュール１４００Ａ内のハンドラは、基板を処理モジュール１２００に移送する。本例証的実施例では、移送モジュール１４００Ａ内のハンドラを介して、処理モジュール１２００から印刷システム２０００に戻して、またはその後に基板が別の印刷システムもしくは他の機器に移送される、装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂに基板を移送する前に、基板は、少なくとも２４０秒の期間にわたって保持モジュールの中で保持されることができ、それによって、基板は、保持チャンバ制御内部温度の５℃の以内まで冷却される（すなわち、本実施例では、基板が３０℃またはそれを下回るまで冷却される）。冷却の目的で保持するステップが、３０秒～９０秒、６０秒～１２０秒、または９０秒～２４０秒であり得る、印刷動作のための持続時間に対して長い場合において、種々の代表的実施例では、本発明者らは、保持モジュールがより高いスループットをサポートするために、積層構成が重要であり得ることを認識している。
処理モジュール１２００において基板を乾燥させる場合、制御された環境は、蒸気トラップまたはガス再循環および精製システムによって、蒸発した蒸気の連続除去を提供することができ、乾燥プロセスはさらに、図１３Ｂに示されるように、基板の面にわたって流動するように提供されることができる層流等の基板表面にわたるガス流の制御された適用を通して、制御されることができる。実施例では、処理モジュール１２００は、乾燥モジュールを含み、システム１０００Ａは、乾燥モジュール内の雰囲気を少なくとも部分的に排出またはパージし、例えば、印刷動作の後、または熱処理モジュール５０００を使用する熱処理動作の前のうちの１つ以上において、乾燥動作を促進するように構成される。本実施例では、乾燥動作および乾燥モジュールは、熱処理モジュール５０００を使用して行われることができる、別個の「焼き付け」動作と明確に異なる。
全体として、システム１０００Ａは、いわゆる「クラスタ」モードおよび「線形」（またはインライン）モードで操作されることができ、これら２つの動作モードは主に、「クラスタ」モードにおける、同一のチャンバから入り次いでそこに戻る基板の流動と、「線形」または「インライン」モードにおける、１つのチャンバから入り異なるチャンバへ出て行く基板の流動とによって区別される。本明細書で説明される主題は、「クラスタ」および「線形」、または「インライン」構成の両方で含まれるか、または使用されることができる。システムが、概して、「クラスタ」、「クラスタ化」と本明細書で称される場合、これは、（全体としてクラスタまたはインラインモードのいずれか一方で動作し得る）種々の非限定的で代表的な例示的システムにおける、１つ以上のクラスタ化要素の存在を反映する。
図２Ａは、概して、システム１０００Ｂの少なくとも一部の平面図の実施例を図示し、図２Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システム２０００および熱処理モジュール５０００を含むようなシステム１０００Ｂの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。図２Ａおよび２Ｂに示されるシステム１０００Ｂのトポロジーは、図１Ａおよび１Ｂに示される構成上の変形例の例証的実施例である。図２Ａおよび２Ｂの実施例に示される要素は、図１Ａおよび１Ｂならびに本明細書の他の場所の実施例で示され、説明されるものに機能および構成が類似し得る。
図２Ａおよび２Ｂでは、印刷システム２０００は、第１の移送モジュール１４００Ａに連結されることができる。処理モジュール１２００Ａは、第１の移送モジュール１４００Ａに連結されることができる。例証的実施例では、印刷システム２０００、第１の移送モジュール１４００Ａ、および処理モジュール１２００Ａ内にあるか、またはそれらを包囲する第１の制御された処理環境１０５０Ａは、大気圧における、または大気圧に近い周囲環境、もしくはある他の第１の環境（例えば、精製ガス環境を有する粒子状物質が制御された環境、または精製ガス環境を含む必要がない粒子状物質が制御された環境）のいずれか一方を含むことができる。印刷システム２０００、移送モジュール１４００Ａ、および処理モジュール１２００Ａが封入される実施例では、そのような第１の環境１０５０Ａは、印刷システム２０００、移送モジュール１４００Ａ、および処理モジュール１２００Ａを包囲する１つ以上のエンクロージャによって画定されることができる。第１の装填モジュール１１００Ａは、第１の移送モジュール１４００Ａに連結されることができ、第１の装填モジュール１１００Ａは、第１の処理環境を実質的に変化させることなく、基板を第１の制御された処理環境に、またはそこから移送するために使用されることができる。第１の処理環境が周囲環境に類似する場合、第１の装填モジュール１１００Ａは、省略されることができる。そのような場合において、移送モジュール１４００Ａは、エンクロージャを備えている必要はないが、むしろ単純に、安全のために移送ロボットの作業領域を画定する周辺フレームまたは構造をさらに含むことができる、基板取り扱いロボットを備え得る。第１の処理環境が周囲環境に類似する実施例では、入力または出口ポートを第１の移送モジュール１４００Ａに提供するために、第１の装填モジュール１１００Ａの代わりに、ガスカーテンまたはゲート弁が使用されることができるか、または移送モジュール１４００Ａは、いかなるガスカーテンもしくはゲート弁も用いることなく開放ポートを通してアクセスされることができる。
図２Ａおよび２Ｂのシステム１０００Ｂは、第２の移送チャンバ１４００Ｂに連結されるような熱処理モジュール５０００を含むことができる。システム１０００Ｂはさらに、１４００Ｂに連結されるような第２の処理モジュール１２００Ｂを含むことができる。（代替として、一方または両方の処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂは、システム１０００Ｂによって行われる動作がそのようなモジュールを必要としない場合に省略されることができる。）熱処理モジュール５０００、処理モジュール１２００Ｂ、および第２の移送チャンバ１４００Ｂのうちの１つ以上のものは、第１の処理環境と異なるガス組成を有する精製ガス環境等の第２の制御された処理環境１０５０Ｂを提供することができる。例えば、基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される精製非反応性ガスを含むような第２の処理環境が、制御されることができる。実施例では、第２の処理環境は、大気圧を上回る窒素を含むことができる。第２の処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素および１０００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気を有する、環境を維持するように確立されることができる。第２の処理環境はまた、１０００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンまたは１０００パーツ・パー・ミリオン未満の規定有機蒸気を有する、環境をさらに維持するように確立されることもできる。第１の処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオンの酸素のうちの１つ以上のものを超えるが、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気を有する環境を含むことができる。
第１の処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオンのオゾンまたは特定の有機蒸気のうちの１つ以上のものを超える、環境を含むことができる。２つの環境の他の組み合わせも可能である。しかしながら、例えば、第１の環境が、パーツ・パー・ミリオンで規定されるような第２の環境より１００倍大きい、または１０００倍大きい酸素レベルを含むことができるように、第２の処理環境内の酸素のレベルが第１の処理環境内より大きい程度に制御される場合が、本発明者らによって特に考慮される。このようにして、第１の処理環境の制御は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、オゾン含量、および有機蒸気含量のうちの１つ以上のものに関して、あまり厳密でない等、第２の環境とは異なり得る。
種々の例証的実施例によると、所与のプロセスのための所与の汚染物質の環境制御は、上記で例証的に記述される１０００パーツ・パー・ミリオンレベルの代わりに、１００パーツ・パー・ミリオン未満、１０パーツ・パー・ミリオン未満、１パーツ・パー・ミリオン未満、またはさらに０．１パーツ・パー・ミリオン未満でレベルを維持するように規定されることができ、本発明者らは、記載された汚染レベルのうちのいずれかにおける記載された汚染物質の任意の組み合わせが、制御された環境のために規定されることができることを認識している。
例証的実施例では、ＯＬＥＤデバイス層を印刷するための印刷システムが動作する、第１の環境が、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンと、１００，０００～２５０，０００パーツ・パー・ミリオンの酸素とを有する、オゾンが制御された清浄乾燥空気を含むことができる一方で、印刷されたＯＬＥＤデバイス層を熱的に処理するための熱処理モジュールが動作する、第２の環境は、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有する、精製窒素ガスを含む。本発明者らは、例えば、プリンタのような複雑な製作デバイスのための第２の制御された環境を提供する複雑性の増加により、そのような第２の環境内で印刷することが望ましくないが、同時に、高温におけるＯＬＥＤデバイス層材料との水、酸素、またはオゾン等の化学活性汚染物質との反応性の増加により、そのような汚染物質に対して第１の環境より大きい純度を有する第２の環境内で印刷された層を熱的に処理することが望ましい、そのような場合において、あるＯＬＥＤデバイス層を印刷するために、環境のそのような組み合わせが望ましくあり得ることを認識している。さらに、本発明者らはまた、そのような場合において、熱処理ステップが印刷ステップより実質的に長くあり得、第２の環境内で積層オーブン構成を提供することが、システムの製作効率を向上させるために望ましくあり得ることも認識している。
図１Ａおよび１Ｂに関して説明されるように、処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂは、別のモジュールが基板を受け取る準備ができるまで基板を待ち行列に入れる機能を提供することができる、保持モジュールまたはバッファモジュールとして構成されることができるか、もしくはそのような保持は、基板がある方法で進化するための制御された環境を提供するために使用されることができる。例えば、液体インクが基板上に提供されている場合、保持モジュールは、そのようなインクが乾燥、流動、または定着するための制御された環境を提供することができるか、または基板が別のモジュール内の温度に対して高温に加熱される実施例では、保持モジュールは、基板が冷却するための制御された環境を提供することができる。処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂのうちの１つ以上のものは、代替として（または加えて）、真空乾燥モジュールとして機能することができる。例えば、真空乾燥モジュールとして構成される処理モジュールは、例えば、機械ポンプ、ターボポンプ、クライオポンプ、または拡散ポンプのうちの１つ以上のものを含むようなポンプスタックに連結されることができるか、またはそれを含むことができる。そのような乾燥モジュールは、例えば、低温トラップ、分子篩、および活性炭フィルタのうちの１つ以上のものを使用して等、ポンプスタックの前または後に溶媒を除去するための設備を含むことができる。ＯＬＥＤデバイス層を印刷するステップを含む、例証的実施例では、第１の処理モジュール１２００Ａは、印刷システム２０００によって堆積させられるコーティングを乾燥させるための真空乾燥モジュールを含むことができ、第２の処理モジュール１２００Ｂは、熱処理モジュール５０００によって熱的に処理される基板を冷却するための保持チャンバとして構成されることができ、第１の環境は、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１０パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンと、１０，０００～２５０，０００パーツ・パー・ミリオンの酸素とを有する、オゾンが制御された清浄乾燥空気を備え、第２の環境は、１０パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１０パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１０パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有する、精製窒素を備えている。
本発明者らは、熱処理モジュール５０００と、第２の環境内で熱処理後に基板を冷却するための保持チャンバとを有することが望ましくあり得、そのような第２の環境は、特に基板が高温を受けるときに印刷された基板を劣化させ得る汚染物質に関して第１の環境より大きい純度を含むように達成されることを認識している。例えば、基板が第２の環境から除去される前に、基板の欠陥または劣化により少ない可能性を伴って、基板が純度の低い環境（例えば、第１の環境）にさらされることができるように、基板の温度は、制御された第２の環境内で低下させられることができる。
保持モジュールとして構成される処理モジュール１２００Ｂ、および熱処理モジュール５０００は、印刷された基板を劣化させる危険性がある規定汚染物質に関して、それらが規定純度を共有するならば、それぞれ、第３および第２の環境等の異なる封入環境を含むことができる。ＯＬＥＤデバイス層を印刷する一代表的実施例では、第１のＯＬＥＤデバイス層インクは、オゾンが制御された清浄乾燥空気を備えている環境内で印刷されることができる。次いで、インクは、１５０℃以上の温度において低い酸素、水、およびオゾンを維持するように制御された窒素環境内で熱的に処理されることができ、後に、基板は、そのような基板温度が１００℃を下回るまで、低い酸素、水、およびオゾンを維持するように制御された窒素環境内で冷却されることができ、その時点の後に、基板は、オゾンが制御された清浄乾燥空気を備えている環境の中へ戻して移送されることができる。１００℃の温度の例証的実施例は、オゾンが制御された清浄乾燥空気環境内の酸素へそのような温度における基板をさらすことが、印刷されたＯＬＥＤデバイス層材料を実質的に劣化させないように規定され、そのような規定基板温度は、印刷によって基板上に堆積させられている材料、ならびに基板幾何学形状、および基板冷却が強制されているか、または自然に起こるかどうか等の他の要因に応じて調節されることができる。材料に応じて、８０℃、６０℃、または敏感な材料に対して、４０℃、もしくはより低い温度等の他の標的冷却閾値温度が使用されることができる。ＯＬＥＤデバイス層材料に応じて、例えば、１５０℃、１８０℃、２１０℃、２４０℃、２７０℃、または３００℃等の種々の熱処理温度が使用されることができる。本発明者らはまた、基板を規定温度まで冷却することに関連付けられる保持時間が、印刷動作の持続時間より実質的に長くあり得、例えば、冷却持続時間が、５分～６０分であり得る一方で、印刷動作持続時間は、１分～３分であり得ることも認識している。したがって、複数の基板が並行して冷却されることを可能にすることによって、システムの製作効率を向上させるために、積層保持モジュール構成が使用されることができる。
例証的実施例では、ＯＬＥＤデバイス層インクを印刷するための印刷システム２０００内で確立されるような第１の環境は、１０パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１０パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１０パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有するような精製窒素を含むことができ、印刷されたＯＬＥＤデバイス層コーティングを熱的に処理するための熱処理モジュール５０００が動作する、第２の環境は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の水と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンと、１０００～１００，０００パーツ・パー・ミリオンの酸素とを有する、オゾンが制御された清浄乾燥空気を含むことができる。本発明者らは、例えば、酸素にさらすことがインクを劣化させる場合において、ＯＬＥＤデバイス層を印刷することに関連付けられるインクを高濃度の酸素にさらすことが望ましくないが、熱処理プロセス中にＯＬＥＤデバイス層材料内で化学反応を促進するように、酸素の存在下での環境内で印刷された層を熱的に処理することが所望されるそのような場合において、あるＯＬＥＤデバイス層を印刷するために、環境のそのような組み合わせが使用されることができることを認識している。本発明者らはさらに、第１および第２の環境の多くの異なる組み合わせが可能であり、いくつかは第２の環境でより大きい純度を有し、いくつかは第１の環境でより大きい純度を有し、いくつかは全ての着目汚染物質に関して純度がより大きくも小さくもない異なる環境を有することを認識している。例えば、第１および第２の環境は、着目汚染物質に関して類似純度閾値を満たすように規定されることができるが、そのような環境は、（圧力またはガス圧縮の一方または両方において異なる等）依然として異なり得る。
第２の装填モジュール１１００Ｂは、第１の移送モジュール１４００Ａを第２の移送モジュール１４００Ｂに連結することができる。本明細書に説明される他の実施例のように、第２の装填モジュールは、１つ以上のポートもしくはゲートを含むことができ、基板が第２の移送モジュール１４００Ｂに、またはそこから移送されるときに、第２の移送モジュール１４００Ｂ内の第２の処理環境の汚染を回避するか、または低減させるように、少なくとも部分的に排出またはパージされるように構成されることができる。随意に、「インライン」構成で使用するように、第３の装填モジュール１１００Ｃが、基板を他の製作機器もしくは第１または第２の処理環境以外の環境に、またはそこから移送するため等に含まれることができる。実施例では、第１および第２の処理環境は、同一（または少なくとも類似）であり得、第２の装填モジュール１１００Ｂは、図３Ａおよび３Ｂに関して示され、説明されるように、通過を動作させることができる。
図１Ａおよび１Ｂの実施例、ならびに本明細書の他の実施例のように、処理または移送されている基板を操作するために、１つ以上のハンドラが使用されることができる。例えば、第１または第３の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｃの中に基板を配置するために、もしくはそこから基板を受け取るために、第１のハンドラ１４１０Ａまたは第２のハンドラ１４１０Ｂ等の１つ以上のハンドラが使用されることができる。同様に、１つ以上のハンドラが、システム１０００Ｂ内で基板を操作するように、第１の移送モジュール１４００Ａまたは第２の移送モジュール１４００Ｂ内等のシステム１０００Ｂ内に位置することができる。例えば、第２の移送モジュール１４００Ｂまたは熱処理モジュール５０００のうちの１つ以上のものの内側のハンドルは、装填モジュール（例えば、第２の装填モジュール１１００Ｂまたは第３の装填モジュール１１００Ｃ）から熱処理モジュール５０００内のそれぞれの熱的に制御された領域のうちの規定領域に基板を移送するように構成されることができる。
図３Ａは、概して、システム１０００Ｃの少なくとも一部の平面図の実施例を図示し、図３Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システム２０００および熱処理モジュール５０００を含むようなシステム１０００Ｃの少なくとも一部の等角図の例証的実施例を図示する。図３Ａおよび３Ｂに示されるシステム１０００Ｂのトポロジーは、図１Ａおよび１Ｂまたは図２Ａおよび２Ｂに示される構成の変形例の例証的実施例である。図３Ａおよび３Ｂの実施例に示される要素は、図１Ａおよび１Ｂまたは図２Ａおよび２Ｂに示されて説明され、かつ本明細書の他の場所の実施例で説明されるようなものと機能および構成が類似し得る。図３Ａおよび３Ｂでは、印刷システム２０００、第１の移送モジュール１４００Ａ、処理モジュール１２００、第２の移送モジュール１４００Ｂ、および熱処理モジュール５０００は、基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される精製非反応性ガスを含むような制御された処理環境を含むことができる。実施例では、制御された処理環境は、大気圧を上回る窒素を含むことができる。制御された処理環境は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気とを有する、環境を維持するように確立されることができる。印刷システム２０００、第１の移送モジュール１４００Ａ、処理モジュール１２００、第２の移送モジュール１４００Ｂ、および熱処理モジュール５０００のそれぞれの内側の環境は、隔離され、別個に維持されることができる。しかしながら、各モジュール内の環境が同一であるか、または実質的に同一であり得るので、通過チャンバ１１０２が第２の装填モジュール１１００Ｂの代わりに使用されることができる。上記の他の実施例のように、第１のハンドラ１４１０Ａまたは第２のハンドラ１４１０Ｂ等の１つ以上のハンドラが、基板を操作するために使用されることができる。
図１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、または３Ｂに例証的に示されるもの以外のトポロジーが使用されることができる。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、および図４Ｄは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、印刷システム２０００および熱処理モジュール５０００を含むようなシステムの少なくとも一部の平面図のさらなる実施例を図示する。熱処理モジュール５０００は、図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄの実施例に示されるような、または本明細書の他の実施形態で説明されるような構成を含むことができる。
図４Ａは、概して、システム４００１Ａの少なくとも一部の平面図の実施例を図示する。本発明者らは、とりわけ、ある印刷動作が制御された環境を要求する必要がないことを認識している。例えば、印刷システム２０００は、開放空気構成、または粒子状物質制御を含むが精製または不活性ガス環境を必要としないような封入構成を含むことができる。そのような印刷システム２０００は、本明細書の他の場所で説明される実施例に類似するような入力領域２１００と、印刷領域２２００と、出力領域２３００とを含むことができる。
図４Ａの実施例では、さらなる処理のために、製作されている１つ以上の基板を印刷システム２０００から制御された環境（または真空環境）に移送するために、装填モジュール１１００が使用されることができる。例えば、移送モジュール１４００Ａは、熱処理モジュール５０００または処理モジュール（例えば、バッファ、真空チャンバ、または他の実施例で記述されるような他のモジュール）の中へ配置するために基板を操作するように、装填モジュール１１００に連結されることができる。このようにして、印刷システム２０００は、制御された環境を使用する必要はなく（しかし使用することはできる）、装填モジュール１１００は、移送モジュール１４００Ａ、熱処理モジュール５０００、および印刷システム２０００のうちの１つ以上のものの内側の環境（またはシステム４０００Ａの外部の環境）の間で隔離を提供するために使用されることができる。
印刷システム２０００は、図４Ａの装填モジュール１１００に取り付けられるものとして示されているが、印刷システム２０００は、他の場所に位置することができる。例えば、装填モジュール１１００自体は、（例えば、カート構成において）可搬性であり得るか、または装填モジュール１１００は、１つの場所における移送モジュール１４００Ａと他の場所に位置する印刷システム２０００との間で１つ以上の基板を往復させるための移送カートに連結されることができる。別の実施例では、移送モジュール１４００Ａは、省略されることができ、装填モジュール１１００は、（例えば、独立型熱処理モジュール５０００を提供するように）熱処理モジュール５０００に直接連結されることができる。このようにして、熱処理モジュール５０００の制御された環境が維持されることができる一方で、基板は、装填モジュール１１００を使用して熱処理モジュールの制御された環境の中または外へ移送される。
さらに別の実施例では、図４Ａからのシステム４０００における変形例である図４Ｂによって図示されているシステム４００１Ｂが、ここでは、移送モジュール１４００Ａに接続された印刷システム２０００を有し、それらの各々は、熱処理モジュール５０００の制御された処理環境と異なる処理環境を有することができる。移送モジュール１４００Ｂおよび熱処理モジュール５０００も提供され、それらの各々は、精製ガス雰囲気を備えているような制御された内部環境を有することができる。装填モジュール１１００は、移送モジュール１４００Ａと移送モジュール１４００Ｂとの間に提供される。装填モジュール１１００は、印刷システム２０００および移送モジュール１４００Ａの第１の環境と、移送モジュール１４００Ｂおよび熱処理モジュール５０００の第２の（例えば、異なる）制御された環境との間で基板を移送するために使用されることができる。例えば、第１の環境は、精製ガス環境である必要はなく、第２の環境は、例えば、両方の環境が大気圧にあるか、またはそれに近い場合、精製ガス環境を含むことができる。例えば、第２の環境は、第１の環境または周囲環境のいずれか一方による第２の環境の汚染を抑制するように、大気圧をわずかに上回って確立されることができる。
システム４００１Ａおよび４００１Ｂの実施例の間の機能差は、印刷システム２０００から装填モジュール１１００の中へ基板を移動させる追加の移送モジュールの導入である。そしてさらに別の実施例では、システム４００１Ｃが、図４Ｃによって図示され、それは、図４Ａおよび４Ｂのシステム４００１Ａおよび４００１Ｂ上の変形例である。図４Ｃでは、印刷システム２０００は、移送モジュール１４００Ａに接続され、それらの各々は、第１の環境を有することができる。精製ガス雰囲気を含む第２の環境を備えているような制御された内部環境を有することができる熱処理モジュール５０００も提供される。装填モジュール１１００は、移送モジュール１４００Ａと熱処理モジュール５０００との間に提供される。装填モジュール１１００は、印刷システム２０００および移送モジュール１４００Ａの非不活性環境と熱処理モジュール５０００の制御された環境との間で基板を移送するために使用されることができる。
システム４００１Ｃの実施例と比較して、システム４００１Ａおよび４００１Ｂの実施例の間の機能差は、印刷システム２０００から装填モジュール１１００の中へ基板を移動させる移送モジュールの導入、および装填モジュール１１００から熱処理モジュール５０００の中へ基板を移動させる移送モジュールの欠如である。多くの変形例が、非不活性環境内で基板を印刷し、不活性熱処理モジュール５０００環境を汚染することを回避するよう、例えば、装填モジュールを使用して、制御された環境を有する熱処理モジュールに基板を移送するように、印刷システムを構成するために可能である。
加えて、別個のモジュールであることが示されているモジュールのある機能は、単一のモジュールに組み込まれることができ、例えば、移送モジュール機能および装填機能は、単一のモジュールに組み込まれることができ、その場合、複合モジュールは、基板を移送し、制御された環境と非不活性環境との間で循環させる機能性を有し、または移送モジュールおよび熱処理モジュールは、組み合わせられることができ、その場合、複合モジュール自体が、基板処理を行うとともに、装填／取り外しステーション、例えば、ロードロックから／へ基板を装填／取り外しする機能性を有し、または移送モジュールおよび印刷システムは、組み合わせられることができ、その場合、複合モジュール自体が、基板上で印刷プロセスを行うとともに、装填／取り外しモジュール（例えば、ロードロック）から／へ基板を装填／取り外しする機能性を有する。別の実施例では、熱処理モジュール５０００は、冷却モジュールとして機能する保持モジュールについて上記で説明されるものと同様に、基板を熱的に処理し、次いで、基板を保持することができる、単一のモジュールを提供するように、単一のモジュール内に加熱および冷却の両方を含むことができる。
例えば、図４Ｄは、概して、システムの少なくとも一部の平面図の別の実施例を図示する。本明細書の他の実施例のように、システム４００１Ｄは、独立型であり得るか、または本明細書の他の場所の実施例に示されるように他の要素と統合されることができる。図４Ｄのシステム４００１Ｄは、全体としてクラスタまたはインラインモードで動作することができる。例えば、クラスタモードでは、基板は、装填され、装填モジュール１１００から取り外されることができる。例えば、インラインモードでは、基板は、印刷システム２０００の左側の中へ装填され、装填モジュール１１００から取り外されることができる。
システム４００１Ｄは、印刷システム２０００と、移送モジュール１４００と、熱処理モジュール５０００とを含むことができる。本明細書に説明される他の実施例のように、印刷システム２０００、移送モジュール、および処理モジュール１３００の各々は、ほぼ大気圧におけるか、または大気圧を上回る粒子状物質が制御された非反応性環境（例えば、規定最大レベルの１つ以上の不純物種を有する窒素環境）を提供するように、封入されることができる。基板は、例えば、装填モジュール１１００を使用して、システム４００１Ａに、またはそこから移送されることができる。このようにして、システム４００１Ａの１つ以上の他の部分の中のそれぞれの制御された環境は、システム４００１Ａの中または外への基板の移送中に、そのような制御された環境の汚染を抑制または低減させながら、維持されることができる。上記または本明細書の他の場所で説明される実施例のうちのいずれかの熱処理モジュール５０００は、図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、または５Ｄの実施例に示されるような構成を含むことができる。
図５Ａは、概して、熱処理領域の固定積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール５０００Ａ（例えば、「スタック」オーブンまたは「積層」オーブン）を図示する略図の実施例を図示する。
熱処理モジュール５０００Ａは、本明細書の他の場所で議論される移送モジュールの実施例と同様であり得るようなハンドラエンクロージャ５１００を含むことができる。ハンドラエンクロージャ５１００は、精製ガス雰囲気（例えば、窒素）と、ほぼ大気圧における制御された粒子状物質レベルとを有する、制御された環境を含むことができ、かつハンドラ１４１２を含むことができる。ハンドラ１４１２は、基板４０００等の１つ以上の基板を操作するために使用することができるようなエンドエフェクタ１４２１を含むことができる。熱処理モジュール５０００Ａは、それぞれの熱的に制御された領域５１５０（例えば、「セル」）を含むようなそれぞれの熱的に制御された領域のために制御された処理環境を提供するようなエンクロージャ５７００を含むことができる。それぞれの熱的に制御された領域は、図５Ａの実施例に示されるように垂直にオフセットされる等、熱処理モジュール５０００Ａの規定軸に沿って互からオフセットされることができる。
熱的に制御された領域５１５０中の温度一様性は、例えば、少なくとも基板（例えば、基板４０００）の表面の温度を規定範囲内に制約するために規定されることができる。例証的実施例では、そのような範囲は、基板面積にわたる標的温度のプラスまたはマイナス約５パーセント、もしくは約プラスまたはマイナス２パーセント、もしくはプラスまたはマイナス１パーセントであり得る。温度一様性は、それぞれの基板のうちの各々の温度を制約するように、基板毎に規定されることができる。例証的実施例では、そのような一様性は、標的温度のプラスまたはマイナス５パーセント、もしくは約プラスまたはマイナス２パーセント、もしくは約プラスまたはマイナス１パーセント以内であるように規定されることができる。標的温度が重要ではない場合がある、保持または乾燥用途では、基板にわたる温度一様性は、基板の表面にわたる温度の範囲の中心傾向（例えば、平均、中央値）の規定範囲内であるように、少なくとも基板の表面の温度を制約するように、依然として規定されることができる。例証的実施例では、少なくとも基板の表面の温度は、中心傾向のプラスまたはマイナス５パーセント、もしくはプラスまたはマイナス２パーセント、もしくはプラスまたはマイナス１パーセント以内であるように規定されることができる。例証的実施例では、熱処理のための規定温度は、摂氏約１５０度～摂氏約３００度の範囲から、もしくは１つ以上の他の範囲から選択されることができる。
システム５０００Ａは、第１の装填モジュール１１００Ａまたは「第Ｎの」装填モジュール１１００Ｎ等の１つ以上の装填モジュール（例えば、「ロードロック」）を含むことができるか、またはそれに連結されることができる。１つ以上の装填モジュールは、ハンドラエンクロージャ５１００に恒久的に連結されることができるか、または取り外し可能であり得る。装填モジュールは、１つ以上の他の装填モジュールに、またはそこから、もしくはハンドラエンクロージャ５１００に、基板を移送するために使用されることができるようなカート構成（例えば、装填モジュール１１００Ｂ）を含むことができる。システム５０００Ａは、移送モジュール１４００に連結されることができ、移送モジュール１４００は、本明細書の他の実施例に示されて説明されるように、基板４０００上に１つ以上の層を堆積させるように構成されるプリントヘッドを含む、カートリッジを有するような印刷システム２０００に連結されることができる。
印刷システム２０００は、不活性環境内で動作する必要はない。例えば、装填モジュール（例えば、装填モジュール１１００Ａ）が、製作されている基板を印刷システム２０００から移送するために使用されることができるか、または、基板は、ハンドラエンクロージャ５１００の環境が印刷システム２０００または他のモジュールのうちの１つ以上のものの環境と異なるときに、ハンドラエンクロージャ５１００の環境を汚染することを回避する様式で、移送モジュール１４００を使用する等して、ハンドラエンクロージャ５１００の制御された環境に移送されることができる。
例えば、１つ以上の装填モジュールは、周辺環境に、または他の装置に連結されることができる、第１のポート（例えば、ポート５４００Ａまたはポート５４００Ｂ）を含むことができる。次いで、第１のポート５４００Ａまたは５４００Ｂは、閉鎖されることができ、所望の環境が、装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｎ内で確立されることができる。次いで、第２のポート（例えば、ポート５４００Ａまたは５４００Ｂ）は、経路５５０に沿って特定の熱的に制御された領域に基板４０００Ａを再配置するように、ハンドラ１４１０が基板（例えば、基板４０００Ａ）にアクセスすることを可能にするため等に開放されることができる。熱的に制御された領域は、ハンドラエンクロージャ５１００から、個々に、または集合的に隔離されることができる。図５Ａの実施例では、熱的に制御された領域は、互から隔離されない。熱的に制御された領域が互から隔離されることができるように、個々の弁またはポートを有する構成等の他の構成が使用されることができる。１つ以上のガス精製ループもしくはガス制御ループが、ガスコントローラ５６００によって監視または制御されるようなシステム５０００Ａのそれぞれの部分に連結されることができる。制御された領域のうちのいくつかが、高温において熱処理を提供することができる一方で、制御された領域のうちのいくつかは、熱処理後に基板を冷却するための冷却ステーションであり得、そのようなステーションは、処理モジュール１２００のある実施例における冷却機能性に関して以前に説明されたように、例えば、自然冷却ステーションまたは能動的冷却ステーションである。
ハンドラエンクロージャ５１００または熱的に制御された領域のエンクロージャ５７００の制御された環境は、本明細書の他の実施形態で説明されるようなガス精製システム（例えば、ガスコントローラ５６００）を少なくとも部分的に使用して確立されることができる。ハンドラエンクロージャ５１００またはエンクロージャ５７００の熱的に制御された領域のうちの１つ以上のものの温度は、温度コントローラ５６５０を少なくとも部分的に使用して確立されることができる。
領域５１５０等のそれぞれの熱的に制御された領域の温度は、種々の技法を使用して確立されることができる。例えば、基板４０００を照射するために、１つ以上の赤外線源が使用されることができる。そのような赤外線源は、エンクロージャ５７００内に位置するか、またはエンクロージャ５７００内の制御された不活性雰囲気が妨害されることを必要とせずに赤外線源の保守を促進するように、例えば、窓または他の構成を通してエンクロージャ５７００に光学的に連結された他の場所に位置することができる。概して、向上した温度一様性のために、基板が赤外線源を用いて加熱されているときに、基板４０００を機械的に支持するために対称トレイ構成が使用されることができる。
他の技法が、温度一様性を向上させるために使用されることができる。例えば、基板との任意の接触は、（光学加熱技法を使用するときに）より少ない熱エネルギーが基板に提供されるシャドウ領域、または伝導熱損失が増加させられる熱シンクを生成することができ、そのような加熱における局所的変化、およびヒートシンクは、温度一様性に悪影響を及ぼし得る。そのような領域からの影響は、基板４０００の周辺等の非機能的である領域中に、または基板４０００上のディスプレイデバイスの間の領域中に、基板４０００を支持する支持ピンまたは他の接点を位置付けることによって等、軽減されることができる。チャックまたはピンとの基板の接触を必要とすることなく、ガスクッションを少なくとも部分的に使用して、基板を支持するために局所的または分散型浮動式支持体を使用すること等の他の技法が使用されることができる。
実施例では、制御された温度を提供するために、ホットプレート構成が使用されることができる。そのようなホットプレート実施例では、基板を支持するために、真空チャック構成が使用されることができる。例えば、基板は、ホットプレートにおけるポートによって提供される真空によって保持されることができる。実施例では、第１のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１５００Ａまたは第２のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１５００Ｂのうちの１つ以上のものによって、もしくは別のサーキュレータまたは供給源を通して提供されるような対流加熱が、使用されることができる。例えば、第１のＦＦＵ１５００Ａまたは第２のＦＦＵ１５００Ｂを通して、もしくは「第Ｎの」ＦＦＵ１５００Ｎを通して、制御された環境の一部を運搬するために、第１のダクト５２００Ａまたは第２のダクト５２００Ｂ等の１つ以上のダクトが使用されることができる。第１、第２、または「第Ｎの」ＦＦＵ１５００Ａ、１５００Ｂ、または１５００Ｎは、加熱要素、熱交換器を含むことができるか、または別様に、規定温度を有する加熱循環ガス供給を提供するように温度コントローラ５６５０によって調整されるような熱源に連結されることができる。１つ以上のＦＦＵまたは他のサーキュレータ、ダクト、もしくはバッフルは、乱流を最小化するか、または別様に、基板の上方の領域５９００等の基板４０００の表面にわたる実質的に層流の流動５８００を提供するように、構成されることができる。一般に、図５Ａの実施例に示されるように、基板スタック内の最低点において、またはその付近に、もしくは概して図５Ｂの実施例で図示される連続帰路等の１つ以上のＦＦＵから横方向に横断した場所等に、帰路が提供されることができる。そのような横方向または下向きに方向付けられた層流は、基板の粒子状物質汚染を低減させるか、またはそれを最小化することに役立つことができる。このようにして、温度一様性は、対流加熱が使用されるとき等に、粒子状物質汚染が抑制されながら向上させられることができる。
上記で説明される加熱技法のうちの１つ以上のものは、組み合わせられることができる。例えば、温度一様性を向上させるために、不活性ガス環境の温度は、対流以外の技法を使用して領域が別様に加熱される場合、熱的に制御された領域のうちの１つ以上のものの標的温度とほぼ同一であるか、もしくはそれに近いように選択されることができる（例えば、周囲ガス温度は、赤外線またはホットプレート加熱温度に近いように、もしくはそれと同一であるように規定されることができる）。
図５Ｂは、概して、熱処理領域の再配置可能積層構成を含むことができるような発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる、熱処理モジュール構成５０００Ｂを図示する、略図の実施例を図示する。
図５Ａの実施例と対照的に、システム５０００Ｂは、上昇ハンドラ１４１１を使用して再配置可能であるような、エンクロージャ５７０１の制御された環境内に位置する、熱的に制御された領域の再配置可能積層構成を含むことができる。基板４０００は、例えば、ポート（例えば、ゲートまたは他の構成）を通して、エンドエフェクタ１４２０を含む第２のハンドラ１４１０による特定の熱的に制御された領域（例えば、セル５１５１）のアクセスを可能にするために（例えば、図５Ｂの実施例のように垂直に）再配置されることができる。
第２のハンドラ１４１０は、システム５０００Ｂに連結されるか、またはその近くにある、製作機器のエンクロージャの中に位置することができるか、もしくは１つ以上の装填モジュールが、本明細書の他の実施例で記述されるようにシステム５０００Ｂの一部に連結されるか、またはそれを含むことができる。実施例では、第１および第２の部分５２５０Ａまたは５２５０Ｂは、エンクロージャ５７０１の外側の環境からの種による、エンクロージャ５７０１内の制御された環境の汚染を阻止または抑制するように、流動ガスのガスカーテン（例えば、窒素カーテン）を提供することができる。例えば、そのようなカーテンは、装填モジュールの使用を必要とすることなく、エンクロージャ５７０１の環境への酸素または湿気の侵入を阻止または抑制することができる。
図５Ａの実施例および他の実施例のように、エンクロージャ５７０１内の制御された環境は、ガスコントローラ５６００を少なくとも部分的に使用して確立される、精製ガス環境を含むことができる。ガスコントローラ５６００は、エンクロージャ内で循環させられる不活性ガスの純度レベルを監視または制御するために含まれることができる。そのようなガスは、１つ以上のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１５００Ｂ、１５００Ｃ、または１５００Ｎによって促進されることができるように、経路５５０１に沿ってダクト５２０１等の１つ以上のダクトを通して循環させられることができる。他の実施例のように、基板４０００を横断するガス流は、乱流を抑制するか、または別様に実質的に層流の流動を提供して、温度一様性を向上させ、粒子状物質汚染を抑制するために、確立されることができる。領域５９５０（例えば、供給部）および５９５２（例えば、帰路）は、エンクロージャ５７０１の内部の複数部分内の通気口または他の開口を通して、ガスが供給または収集されることを可能にするように配列されることができる。
ダクト５２０１は、それを通してハンドラ１４１０が基板にアクセスすることができるポートと重複することが可能なように示されているが、ダクト５２０１は、層流を促進する経路を依然として維持しながら、ポート（またはエンクロージャ５７０１内の他の開口）に干渉することを回避するような方法で経路指定されることができる。さらに、経路５５０１に沿った流動方向は、例証的であり、他の実施例は、図５Ｂに示されるような左右の向きに制限される必要はない。例えば、１つ以上のＦＦＵもしくは帰還アセンブリは、層流がページの中／外にあるように、（図５Ｂの２次元表現に示されるように左および右側の代わりに）チャンバの前および後面上に置かれることができ、基板の移送中のハンドラ１４１０への機械的干渉に関する任意の懸念を回避する。そのような前後の実施例はまた、例えば、スタックの全長に沿って分散型ガス帰路がある（および、そうでなければアクセスポートの存在によって妨害され得るような）場合、空間的中断を伴わずに連続入口／出口流を提供することもできる。
図５Ａの実施例のように、対流、赤外線放射、またはホットプレートを使用することのうちの１つ以上のものによる加熱を含むことができるような種々の熱制御技法が、使用されることができる。実施例では、基板４０００等のそれぞれの基板は、チャック、トレイ、または支持フレームを使用する等して、熱的に制御された領域（例えば、セル５１５１）内で支持されることができる。ピン５３５０等の１本以上のピンは、基板４０００を支持または保持するように構成されることができる。エンドエフェクタ１４２０による等の取り扱いを促進するために、１本以上のピンが基板４０００を支持するチャック内で後退可能または再配置可能であるように、リフトピン配列が使用されることができる。例えば、エンドエフェクタ１４２０は、エンドエフェクタ１４２０が基板４０００を支持するピンに干渉しないように、スロットまたは空間のいずれかを含む底面を含むことができる。そのようなチャックおよびリフトピンの実施例が、図５Ｂとの関連で上記に議論されるが、そのような実施例はまた、図５Ａのシステム５０００Ａの一部として、または本明細書に説明される他の実施例の一部として含まれることもできる。
図５Ｃおよび５Ｄは、概して、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造することにおいて使用されることができる熱処理モジュール５０００Ｃおよび５０００Ｄを図示する、さらなる実施例を図示する。図５Ｂの実施例のように、第１のＦＦＵ１５００Ａおよび「第Ｎの」ＦＦＵ１５００Ｎ等の１つ以上のＦＦＵが、制御された低粒子環境を提供することを促進するために使用されることができる。例えば、エンクロージャ５７０１内の制御された環境は、ガスコントローラ５６００を少なくとも部分的に使用して確立される、精製ガス環境を含むことができる。ガスコントローラ５６００は、エンクロージャ内で循環させられる不活性ガスの純度レベルを監視または制御するために含まれることができる。そのようなガスは、１つ以上のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１５００Ｂ、１５００Ｃ、または１５００Ｎによって促進されることができるように、経路５５０１に沿ってダクト５２０１等の１つ以上のダクトを通して循環させられることができる。他の実施例のように、基板４０００を横断するガス流は、乱流を抑制するか、または別様に実質的に層流の流動を提供して、温度一様性を向上させ、粒子状物質汚染を抑制するために、確立されることができる。領域５９５０（例えば、供給部）および５９５２（例えば、帰路）は、エンクロージャ５７０１の内部の複数部分内の通気口または他の開口を通して、ガスが供給または収集されることを可能にするように配列されることができる。
熱的に制御された領域のエンクロージャ５７０１の制御された環境は、本明細書の他の実施形態で説明されるようなガス精製システム（例えば、ガスコントローラ５６００）を少なくとも部分的に使用して確立されることができる。ハンドラエンクロージャ５１００またはエンクロージャ５７００の熱的に制御された領域のうちの１つ以上のものの温度は、温度コントローラ５６５０を少なくとも部分的に使用して確立されることができる。実施例では、基板４０００等のそれぞれの基板は、チャック、トレイ、または支持フレームを使用する等して、熱的に制御された領域（例えば、セル５１５１）内で支持されることができる。ピン５３５０等の１本以上のピンは、基板４０００を支持または保持するように構成されることができる。
図５Ｂまたは５Ｄの実施例と対照的に、図５Ｃの実施例は、積層セルの静的配列を含むことができるセルの各々へのアクセスは、（例えば、図１３Ａおよび１３Ｂの例証的実施例に示される配列に類似する）単一の大型ゲートによって提供されることができるか、または個々のポートが、図５Ｄの実施例に示されるように提供されることができる。フィルタユニットまたは熱交換器の場所は、図５Ｃまたは５Ｄに示される通りである必要はなく、そのような機能は、図１３Ａおよび１３Ｂの例証的実施例に示されるような別個の場所で行われることができる。
図５Ｄは、概して、熱処理モジュール５０００Ｄのさらに別の変形例を図示する。図５Ｄでは、上昇ハンドラ１４１１または他の配列は、図５Ｂの例証的実施例に示されるよりも短い高さ範囲を横断するように構成されることができる。エンクロージャ５７０１の外部のハンドラが熱処理モジュール５０００Ｄ内の１つ以上のそれぞれのセルにアクセスすることを可能にするように、例えば、第１のポート５４００Ａから「第Ｎの」ポート５４００Ｎ等の複数のポートが提供されることができる。そのようなポートは、物理的ゲート（例えば、ゲート弁）またはガスカーテン配列のうちの１つ以上のものを含むことができる。実施例では、それぞれの装填モジュールは、ポート５４００Ａから５４００Ｎの各々に連結されることができる。そのようなポートは、エンクロージャ５７０１の単一の面または表面上に全てが配列される必要はない。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、および図５Ｄの構成は、概して、垂直軸に沿って向けられた積層構成を図示する。しかしながら、他の構成も使用されることができる。例えば、基板４０００は、スタックが垂直よりもむしろ水平に延びるように、または（例えば、スタックセルがハンドラエンクロージャ５１００の周囲で半径方向外向きに延びるように配列される）別の構成において、９０度回転させられることができる。スタックはまた、角度を付けられることができる（完全に垂直でも水平でもない）。加えて、または代わりに、スタック内の基板は、積層軸と垂直ではない方向へ角度を付けられることができる（例えば、基板表面がある角度で下向きであるように、基板が３０度下向きの傾きにおいて積み重ねられる、水平スタックが使用されることができる）。図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄの実施例の側面は、修正されるか、または組み合わせられることができ、図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄの実施例は、例証的であることを意図している。図５Ａの熱処理モジュール５０００Ａ、図５Ｂの５０００Ｂ、図５Ｃの５０００Ｃ、または図６Ｃの５０００Ｄの機械的構成、制御された精製ガス環境、および粒子状物質制御側面もまた、エンクロージャ５７００の中に積み重ねられたときに、１つ以上の基板に対して上記で説明されるような保持機能のための制御された（例えば、不活性）環境を提供するように、保持モジュールに使用されることもできる。保持機能が、基板上の液体インクを乾燥させるか、または別様にインクの進化を可能にする乾燥用途を含む、実施例では、モジュール５０００Ａ、５０００Ｂ、５０００Ｃ、または５０００Ｄ内の制御された環境は、向上した溶媒または有機蒸気排除を含むことができ、かつ乾燥を促進するパージ能力を含むことができる。
図５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、および５Ｄの実施例では、熱的に制御された領域中の基板のうちの１つ以上のものは、１本以上のピンを含むようなトレイ、フレーム、またはチャック構成によって支持されることができる。他の実施例のように、１本以上のピンもしくは他の機械的支持フレームは、周囲における、または基板上のディスプレイ間の領域中に位置することができる。同様に、真空チャックが基板を機械的に支持することができる。そのような真空チャックは、処理動作中に基板の裏側に真空吸引を提供して、基板の安定性または基板とチャックとの間の熱接触を改善するように、制御可能にオンおよびオフにされることができる、真空ポートおよび真空供給を施されることができる。実施例では、真空チャックの代わりに、非真空チャックが提供され、基板は、主に重力および摩擦によって、または主に機械的拘束によってのいずれかで、定位置で保持されることができる。
図６ＡのＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００等のインクジェット印刷システムは、基板上の特定の場所の上へのインク液滴の確実な配置を可能にする、いくつかのデバイスおよび操作を含むことができる。これらのデバイスおよび装置は、プリントヘッドアセンブリ、インク送達システム、プリントヘッドアセンブリと基板との間の相対運動を提供するための運動システム、基板支持装置、基板装填および取り外しシステム、ならびにプリントヘッド管理システムを含むことができるが、それらに限定されない。
プリントヘッドアセンブリは、制御された割合、速度、およびサイズにおいてインクの液滴を放出することが可能な少なくとも１つのオリフィスを伴う、少なくとも１つのインクジェットヘッドを含むことができる。インクジェットヘッドは、インクをインクジェットヘッドに提供する、インク供給システムによって供給される。図６Ａに示されるように、ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００は、チャック、例えば、限定されないが、真空チャック、圧力ポートを有する基板浮動式チャック、ならびに真空および圧力ポートを有する基板浮動式チャック等の基板支持装置によって支持されることができる、基板４０００等の基板を有することができる。実施例では、基板支持装置は、基板浮動式テーブルであり得る。本明細書で後にさらに詳細に議論されるように、図１０Ｂの基板浮動式テーブル２２５０は、基板４０００を支持するために使用されることができ、Ｙ軸運動システムと併せて、基板４０００の無摩擦運搬を提供する基板運搬システムの一部であり得る。本教示のＹ軸運動システムは、基板を保持するためのグリッパシステムを含むことができる第１のＹ軸トラック２３５１および第２のＹ軸トラック２３５２を含むことができる。Ｙ軸運動は、線形空気ベアリングまたは線形機械システムのいずれかによって提供されることができる。図６Ａに示されるＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル２２５０は、エンクロージャアセンブリを通した基板４０００の進行を画定することができる。
印刷は、プリントヘッドアセンブリと基板との間の相対運動を伴う。これは、運動システム、典型的には、ガントリまたは分割軸ＸＹＺシステムを用いて達成される。プリントヘッドアセンブリが、静止基板（ガントリ型）の上を移動することができるか、または、分割軸構成の場合にプリントヘッドおよび基板が両方とも移動することができるかのいずれかである。別の実施形態では、プリントヘッドアセンブリは、例えば、ＸおよびＹ軸において実質的に静止し、基板が、プリントヘッドに対してＸおよびＹ軸において移動することができ、Ｚ軸運動は、基板支持装置によって、またはプリントヘッドアセンブリに関連付けられるＺ軸運動システムによってのいずれかで提供されることができる。プリントヘッドが基板に対して移動すると、インクの液滴は、基板上の所望の場所に堆積させられるように正しい時間に放出される。基板は、基板装填および取り外しシステムを使用して、挿入され、プリンタから除去されることができる。プリンタ構成に応じて、これは、機械コンベヤ、運搬アセンブリを伴う基板浮動式テーブル、またはエンドエフェクタを伴う基板移送ロボットを用いて達成されることができる。プリントヘッド管理システムは、ノズル発射をチェックすること、ならびにプリントヘッド内の全ノズルからの液滴体積、速度、および軌道の測定等の測定タスクと、インクジェットノズル表面から過剰なインクを拭き取ることまたは吸い取ること、下準備すること、インク供給からプリントヘッドを通して廃棄槽の中へインクを放出することによってプリントヘッドをパージすること、およびプリントヘッドの交換等の保守タスクとを可能にするいくつかのサブシステムを含むことができる。ＯＬＥＤ印刷システムを構成することができる種々の構成要素を考慮すると、ＯＬＥＤ印刷システムの種々の実施形態は、種々の設置面積および形状因子を有することができる。
図６Ａに関して、印刷システム基部２１５０は、その上にブリッジ２１３０が搭載される第１のライザおよび第２のライザ２１２２を含むことができる。ＯＬＥＤ印刷システム２０００の種々の実施形態に対して、ブリッジ２１３０は、第１のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０１および第２のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０２を支持することができ、これらは、それぞれ、ブリッジ２１３０を横断する第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１および第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２の移動を制御することができる。印刷システム２０００の種々の実施形態に対して、第１のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０１および第２のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０２は、本質的に低粒子生成型である、線形空気ベアリング運動システムを利用することができる。実施例では、Ｘ軸キャリッジは、その上に搭載されたＺ軸移動プレートを有することができる。
図６Ａでは、第１のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０１が、第１のＺ軸移動プレート２３１０とともに描写されている一方で、第２のＸ軸キャリッジアセンブリ２３０２は、第２のＺ軸移動プレート２３１２とともに描写されている。図１０Ｂは、２つのキャリッジアセンブリおよび２つのプリントヘッドアセンブリを描写するが、ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の種々の実施形態に対して、単一のキャリッジアセンブリおよび単一のプリントヘッドアセンブリがあり得る。例えば、第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１および第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２のうちのいずれか一方が、Ｘ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ上に搭載されることができる一方で、基板４０００の特徴を点検するためのカメラシステムが、第２のＸ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ上に搭載されることができる。ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の種々の実施形態は、単一のプリントヘッドアセンブリを有することができ、例えば、第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１および第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２のうちのいずれか一方は、Ｘ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ上に搭載されることができる。ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の種々の実施形態に対して、単一のプリントヘッドアセンブリ、例えば、Ｘ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ上に搭載される第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１および第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２のうちのいずれか一方があり得る一方で、基板４０００上に印刷されたカプセル化層を硬化させるための熱源が、第２のキャリッジアセンブリ上に搭載されることができる。
図６Ａでは、第１のＸ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ２３０１は、基板浮動式テーブル２２５０上で支持されて示されている基板４０００の上で、第１のＺ軸移動プレート２３１０上に搭載されることができる第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１を位置付けるために使用されることができる。第２のＺ軸移動プレート２３１２を伴う第２のＸ、Ｚ軸キャリッジアセンブリ２３０２は、同様に、基板４０００に対して第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２のＸ－Ｚ軸移動を制御するために構成されることができる。図６Ａの第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１および第２のプリントヘッドアセンブリ２５０２等の各プリントヘッドアセンブリは、複数のプリントヘッド２５０５を描写する第１のプリントヘッドアセンブリ２５０１の部分図において描写されるように、少なくとも１つのプリントヘッドデバイスの中に搭載された複数のプリントヘッドを有することができる。プリントヘッドデバイスは、例えば、少なくとも１つのプリントヘッドへの流体および電気接続を含むことができるが、それらによって限定されず、各プリントヘッドは、制御された割合、速度、およびサイズにおいてインクを放出することが可能な複数のノズルまたはオリフィスを有する。印刷システム２０００の種々の実施形態に対して、プリントヘッドアセンブリは、約１～約６０個のプリントヘッドデバイスを含むことができ、各プリントヘッドデバイスは、各プリントヘッドデバイスの中に約１～約３０個のプリントヘッドを有することができる。プリントヘッド、例えば、工業用インクジェットヘッドは、約０．１ピコリットル（ｐＬ）～約２００ｐＬの液滴体積を放出することができる、約１６～約２０４８個のノズルを有することができる。
図６Ｂは、概して、印刷システム２０００のための基板の浮動運搬を含むことができる、実施例を図示する。図６Ｂは、図６Ａのシステム２０００に類似するが、代わりに（または加えて）浮動を提供するための多孔質媒体を有する印刷システムを含むことができる。６Ｂの実施例では、コンベヤ上に位置するような印刷システム２０００の入力領域２１００の中に基板４０００を位置付けるために、ハンドラまたは他の運搬装置が使用されることができる。コンベヤは、機械的接点を使用して（例えば、ピンのアレイ、トレイ、または支持フレーム構成を使用して）、または基板４０００を制御可能に浮動させるガスクッション（例えば、「空気ベアリング」テーブル構成）を使用してのいずれか等で、印刷システム内の規定場所に基板４０００を位置付けることができる。製作中に基板４０００上に１つ以上の層を制御可能に堆積させるために、印刷システム２０００の印刷領域２２００が使用されることができる。印刷領域２２００はまた、印刷システム２０００の出力領域２３００に連結されることができる。コンベヤは、印刷システム２０００の入力領域２１００、印刷領域２２００、および出力領域２３００に沿って延びることができ、基板４０００は、種々の堆積タスクのために、または単一の堆積動作中に、所望に応じて再配置されることができる。入力領域２１００、印刷領域２２００、および出力領域２３００の近くの制御された環境は、一般的に共有されることができる。
印刷領域２２００は、基板４０００の「上向き」構成の基板４０００上に１つ以上のパターン化された有機層を堆積させるように構成されるような、オーバーヘッドカートリッジに連結されるか、または別様にそれを横断する１つ以上のプリントヘッド（例えば、ノズル印刷、熱ジェット、またはインクジェット型）を含むことができる。そのような層は、例えば、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層、遮断層、もしくは発光層のうちの１つ以上のものを含むことができる。そのような材料は、１つ以上の電気的機能層を提供することができる。
図６Ａおよび６Ｂに示される浮動方式によると、基板４０００がガスクッションによってもっぱら支持される実施例では、ガス陽圧および真空の組み合わせが、ポートの配列を通して、または分散型多孔質媒体を使用して適用されることができる。圧力および真空制御の両方を有するそのようなゾーンは、コンベヤと基板との間に流体ばねを効果的に提供することができる。陽圧および真空制御の組み合わせは、双方向剛性を伴う流体ばねを提供することができる。基板（例えば、基板４０００）と表面との間に存在する間隙は、「飛行高度」と称されることができ、そのような高度は、陽圧および真空ポート状態を制御することによって、制御されるか、または別様に確立されることができる。このようにして、基板の向きが、例えば、印刷領域２２００中で慎重に制御されることができる。いくつかの実施形態では、基板がガスクッションによって支持されている間に、基板の横方向平行移動を制限するために、ピンまたはフレーム等の機械的保持技法が使用されることができる。そのような保持技法は、基板が保持されている間に、基板の側面に入る瞬間的な力を低減させるためのばね荷重構造を使用することを含むことができ、これは、横方向に平行移動する基板と保持手段との間の高力衝撃が基板の剥離または壊滅的破損を引き起こし得るので、有益であり得る。
飛行高度が精密に制御される必要がない場所等の他の場所では、入力もしくは出力領域２１００または２３００中で、もしくは他の場所でコンベヤに沿って等、圧力のみ浮動ゾーンが提供されることができる。真空ノズルに対する圧力の比が徐々に増加または減少する場所等の「遷移」ゾーンが、提供されることができる。例証的実施例では、公差内で、３つのゾーンが本質的に１つの面内に位置するように、圧力真空ゾーン、遷移ゾーン、および圧力のみゾーンの間に本質的に一様な高度があり得る。他の場所で圧力のみゾーンを覆う基板の飛行高度は、基板が圧力のみゾーン内で浮動式テーブルと衝突しないように、十分な高度を可能にするように、圧力真空ゾーンを覆う基板の飛行高度より大きくあり得る。例証的実施例では、ＯＬＥＤパネル基板は、圧力のみゾーンの上方に約１５０マイクロメートル（μ）～約３００μ、次いで、圧力真空ゾーンの上方に約３０μ～約５０μの飛行高度を有することができる。例証的実施例では、印刷システム２０００または他の製作装置の１つ以上の部分は、ＮｅｗＷａｙ（登録商標）空気ベアリング（Ａｓｔｏｎ，Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ，Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ）によって提供される「空気ベアリング」アセンブリを含むことができる。
印刷、バッファリング、乾燥、または熱処理のうちの１つ以上のものの間の基板４０００の浮動運搬または支持のための分散型加圧ガスクッションを確立するために、多孔質媒体が使用されることができる。例えば、コンベヤの一部に連結されるか、またはコンベヤの一部として含まれるような多孔質媒体「プレート」は、個々のガスポートの使用に類似する様式で基板４０００を支持するように、「分散型」圧力を提供することができる。大型ガスポート開口を使用することがない分散型加圧ガスクッションの使用は、ある場合、ガスクッションの使用にもかかわらず、ガスクッションを作成する比較的大型のポートの使用が非一様性につながるこれらの場合等で、一様性をさらに改善し、ムラまたは他の可視的欠陥の形成を低減させるか、または最小化することができる。
基板４０００の全体、またはディスプレイ領域もしくはディスプレイ領域の外側の領域等の基板の規定領域を占有するように規定される、物理的寸法を有するような多孔質媒体が、Ｎａｎｏ ＴＥＭ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（Ｎｉｉｇａｔａ，Ｊａｐａｎ）から等、入手されることができる。そのような多孔質媒体は、ムラまたは他の可視的欠陥の形成を低減させるか、または最小化しながら、規定領域の上に所望の加圧ガス流を提供するように規定される細孔サイズを含むことができる。
基板のガス加圧支持の実施例は、図６Ａおよび６Ｂの印刷システム２０００に関して議論されているが、他の支持装置に加えて、またはその代りに、本明細書に説明される他の実施例（具体的には、他の実施例で参照されるような熱処理モジュール５０００、５０００Ａ、５０００Ｂ、５０００Ｃ、または５０００Ｄ）に対して等、そのような技法が使用されることができる。より具体的には、例えば、複数の浮動式テーブルのスタックを備えている積層構成において、熱処理動作中に基板を支持するために、浮動式テーブルが使用されることができ、そのような浮動式プラットフォームは、浮動を伴わない支持ピンまたは真空チャックを含むアプローチ等の他の一般的に利用可能な基板支持アプローチから生じる、熱的非一様性を低減させることによって、向上した一様性を提供することができる。
そのような向上した一様性は、非一様な加熱から生じるムラまたは他の可視的欠陥の形成を排除することに役立ち得る。基板支持体として浮動式プラットフォームを利用するとき、保持ピン、クランプ、または吸引等の横方向保持機構が、熱処理動作中にプラットフォーム上の基板のスライドを防止することができ、提供されることができ、基板ハンドラロボットを使用してプラットフォームからの基板の装填および取り外しを促進するように、リフトピンも提供されることができる。効率を向上させるために、浮動支持アプローチは、図１０Ａ、１０Ｂ、または１０Ｃのうちの１つ以上のものに関して示され、説明されるような再循環ガス精製システムを使用することを含むことができる。
図７Ａは、概して、等角図を図示し、図７Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）の製造で使用されることができる、第１の印刷システム２０００Ａ、第２の印刷システム２０００Ｂ、および熱処理モジュール５０００を含むようなシステム３０００Ａの少なくとも一部の平面図を図示する。
システム３０００Ａは、本明細書の他の実施例に関して説明されるような印刷システム等の第１の印刷システム２０００Ａを含むことができる。増加したスループット、冗長性、または複数の処理動作のうちの１つ以上のものを提供するために、第２の印刷システム２０００Ｂ等の他の印刷システムが含まれることができる。システム３０００Ａはまた、熱処理モジュール５０００および処理モジュール１３００等の１つ以上の他のモジュールを含むこともできる。処理モジュール１３００は、積層構成において等、上記で説明されるように基板を保持するために構成されることができる。処理モジュール１３００は、代替として（または加えて）、積層構成において等、１つ以上の基板を真空乾燥させるために構成されることができる。処理モジュール１３００が一度に２つ以上の基板のための真空乾燥モジュールとして機能する場合において、積層構成は、単一のチャンバ内、または各々が単一の乾燥スロットを有する隔離された真空チャンバのスタック内に複数の乾燥スロットを備え得る。さらに別の構成では、処理モジュール１３００は、基板を保持するために構成することができ、１つ以上の基板を真空乾燥させるために、移送モジュール１４００Ａに取り付けられた別の処理モジュールが提供されることができる。第１および第２のプリンタ２０００Ａおよび２０００Ｂは、例えば、基板上に同一の層を堆積させるために使用されることができるか、またはプリンタ２０００Ａおよび２０００Ｂは、基板上に異なる層を堆積させるために使用されることができる。
システム３０００Ａは、ロードロックとして、または別様に、システム３０００Ａの１つ以上のエンクロージャ内で維持される制御された環境の妨害を実質的に回避する様式で、システム３０００Ａの１つ以上のチャンバの内部の中または外への基板４０００の移送を可能にする様式において使用することができるような、入力または出力モジュール１１０１（例えば、「装填モジュール」）を含むことができる。例えば、図７Ａおよび本明細書で説明される他の実施例に関連して、「妨害を実質的に回避する」とは、１つ以上のエンクロージャの中または外への基板４０００の移送動作中または後に、１つ以上のエンクロージャ内で反応性種の濃度を１０パーツ・パー・ミリオン、１００パーツ・パー・ミリオン、または１０００パーツ・パー・ミリオンを上回って上昇させることを回避することを指し得る。種々の動作の前、間、または後に基板４０００を操作するために、ハンドラ１４１０Ｂを含むことができるような移送モジュール１４００Ｂが使用されることができる。移送モジュール１４００Ｂに使用することができる構成の実施例が、図１２Ａおよび１２Ｂで例証的に示されている。基板を入力または出力モジュール１１０１に提供するため、もしくは入力または出力モジュール１１０１から基板を受け取るための１つ以上の追加のハンドラが含まれることができる。
図７Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができるようなシステム３０００Ｂの少なくとも一部分の平面図のさらなる実施例を図示する。図７Ｃでは、第１および第２の印刷システム２０００Ａおよび２０００Ｂは、（例えば、基板上に異なるまたは類似する層を堆積させるために）図７Ａ、７Ｂの実施例と同様に配列されることができる。システム３０００Ｂは、処理モジュール１３００、ならびに追加の処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂとともに、熱処理モジュール５０００を含むことができる。例えば、処理モジュール１３００は、積層構成において、例えば、各々が単一の乾燥スロットを有する独立真空乾燥チャンバのスタックとして、一度に全て装填されて乾燥させられる、複数の乾燥スロットを有する単一のチャンバとして、もしくは各々が１つ以上の乾燥スロットを有する独立真空乾燥チャンバのスタックとして基板を収容するように、ならびに真空ポンプ能力および向上した溶媒排除または有機蒸気汚染物質制御を提供するように構成されることができるような真空乾燥モジュールを含むことができる。処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂは、他の場所で説明される保持機能のうちのいずれかのために１つ以上の基板を保持するように構成されることができる。他の配列も可能である。例えば、図７Ａ、７Ｂ、および７Ｃの実施例は、概して、２つの印刷システム２０００Ａおよび２０００Ｂを含むことができる構成を図示するが、２つより多くの印刷システムが含まれることができる。同様に、２つ以上の熱処理モジュールまたは追加の（またはより少ない）処理モジュールが含まれることができる。
図８、９Ａ、９Ｂ、１０Ａ、１０Ｂ、または１０Ｃの実施例で説明されるようなガス循環および濾過システムは、システム３０００Ａまたは３０００Ｂ、もしくは他の実施例のための制御された処理環境を提供するために、粒子状物質制御に寄与することができるか、または別様に、粒子状物質制御システムの一部として含まれることができる。システム構成もまた、印刷プロセス中または他の処理中等に、製作されている基板の近くの粒子生成を阻止または抑制するように確立されることができる。例えば、粒子制御システムは、粒子を封じ込めている構成要素が、ガス循環および濾過システムの中へ排気させられることができるように、封じ込められた粒子生成構成要素と流体連通しているガス循環および濾過システムを含むことができる。封じ込められた粒子生成構成要素は、ガスエンクロージャシステム内の他の場所への排気された粒子の分散を阻止するデッドスペースの中へ排気させられることができる。実施例では、種々の構成要素が、本質的に低粒子生成型であり得、それによって、印刷プロセス中または他の処理中に粒子が基板上に蓄積することを防止する。
本明細書の実施例に示される封入型構成は、開放空気の高流量層流濾過フードの下の大気条件において行われることができるプロセスに対する粒子低減によって提起されない課題を提供する。粒子状物質制御は、以下のもののうちの１つ以上を含むことができるような種々の技法を使用することによって達成されることができる：（１）粒子状物質が集まることができる、基板に近い空間の排除または縮小、（２）ケーブル、ワイヤ、および管の束、ならびに、例えば、本明細書で議論される種々の封入領域内で、摩擦ベアリングを使用するファンまたは線形運動システム等の構成要素を使用する種々の装置、アセンブリ、およびシステム等の粒子生成構成要素を封じ込めて排気させること、または（３）基板浮動式テーブル、空気ベアリング、および空気圧動作型ロボット等を含むことができるような、種々の本質的に低粒子生成型の空気圧動作型構成要素を使用すること。このようにして、クラス１からクラス５によって規定されるような、国際標準化機構規格（ＩＳＯ）１４６４４－１：１９９９、「クリーンルームおよび関連する制御された環境 第１部：空気清浄度の分類」を満たすような低い粒子環境が確立されることができる。
種々の実施例によると、基板上堆積速度仕様を超えない特定の着目サイズ範囲の粒子の平均基板上分布を提供するような、実質的に低粒子の環境が確立されることができる。基板上堆積速度仕様は、約０．１マイクロメートル（μｍ）以上～約１０μｍ以上の特定の着目粒径範囲の各々に対して設定されることができる。例えば、基板上堆積速度仕様は、標的粒径範囲の各々に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり堆積させられる粒子の数の限界として表されることができる。
基板上堆積速度仕様は、標的粒径範囲の各々について、１分につき基板の１平方メートルあたり堆積させられる粒子の数の限界から、１分につき１枚の基板あたり堆積させられる粒子の数の限界に容易に変換されることができる。そのような変換は、基板、例えば、特定の生成サイズの基板と、その基板生成のための対応する面積との間の既知の関係を使用して決定されることができる。例えば、以下の表１は、いくつかの既知の生成サイズの基板のためのアスペクト比および面積を要約する。アスペクト比、したがって、サイズのわずかな変動が、製造業者毎に見られ得ることを理解されたい。しかしながら、そのような変動にもかかわらず、特定の生成サイズの基板と平方メートル単位の面積とに対する変換係数が、種々の生成サイズの基板の任意のものに得られることができる。
Figure 0007018215000001
加えて、１分につき基板の１平方メートルあたり堆積させられる粒子の数の限界として表される基板上粒子堆積速度仕様は、種々の単位時間表現のうちの任意のものに変換されることができる。分に正規化される基板上粒子堆積速度仕様は、既知の時間の関係を通して、例えば、限定されないが、秒、時間、日等の任意の他の時間の表現に容易に変換されることができる。加えて、処理に特に関連する時間の単位が使用されることができる。例えば、印刷サイクルが、時間の単位に関連付けられることができる。例えば、印刷サイクルは、基板が印刷のためにガスエンクロージャシステムの中へ移動させられ、次いで、印刷が完了した後にガスエンクロージャシステムから除去される持続時間に対して規定され得る。別の実施例では、印刷サイクルは、プリントヘッドアセンブリに対する基板の整列の開始から基板上への最後の放出されたインクの液滴の送達までの持続時間に対して規定され得る。合計平均サイクル時間またはＴＡＣＴは、特定のプロセスサイクルまたは動作のための時間の単位の表現であり得る。例証的実施例では、印刷サイクルのためのＴＡＣＴは、約３０秒、６０秒、９０秒、１２０秒、または３００秒であり得るか、もしくは１つ以上の他の持続時間を含むことができる。
システム内の空中浮遊粒子状物質と粒子堆積とに関して、相当な数の変数が、例えば、任意の特定の製造システムのための基板等の表面上の粒子降下率の値の近似値を十分に決定し得る一般モデルを開発することに影響を及ぼし得る。粒子のサイズ、特定のサイズの粒子の分布、基板の表面積、およびシステム内の基板の露出の時間等の変数は、種々の製造システムに応じて変動し得る。例えば、粒子のサイズおよび特定のサイズの粒子の分布は、種々の製造システムにおける粒子を生成する構成要素の源および場所による影響を実質的に受け得る。例証的実施例では、基板の１平方メートルにつき印刷サイクルあたりの粒子状物質の基板上堆積は、０．１μｍ以上のサイズ範囲内の粒子に対して、約１００万個を上回る～約１０００万個を上回る粒子であり得る。そのような決定は、本明細書に説明される種々の粒子制御システムがないと、基板上の１平方メートルにつき印刷サイクルあたりの粒子状物質の基板上堆積が、約２μｍ以上のサイズ範囲内の粒子に対して、約１０００個を上回る～約１０，０００個を上回る粒子であり得ることを示唆する。
例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが１０μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり約１００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが５μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり約１００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが２μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり約１００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが１μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり約１００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが０．５μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたり約１０００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが０．３μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたりの約１０００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。例証的実施例によると、本明細書に説明されるシステムまたはモジュールのエンクロージャは、サイズが０．１μｍ以上の粒子に対して、１分につき基板の１平方メートルあたりの約１０００個以下の粒子の基板上堆積速度仕様を満たす平均基板上粒子分布を提供する低粒子環境を維持することができる。
本明細書で示され、説明される他の実施例のように、システム１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ、３０００Ａ、３０００Ｂ、４００１Ａ、４００１Ｂ、４００１Ｃ、４００１Ｄで、もしくは他の実施例で示されるモジュールのうちの１つ以上のものは、共有または専用ガス精製および監視設備、温度制御設備、または粒子状物質制御設備を含むことができる。例えば、各モジュールは、１つ以上のガス精製ループ、ファンフィルタユニット、または温度コントローラを含むことができる。それぞれのモジュール内の制御された環境は、隣接モジュールに連続的であり得るか（例えば、流体的に連結される）、またはモジュールは、例えば、ガス純度、温度、粒子状物質レベル、または特定のモジュールの保守の向上した制御のために、互から隔離されることができる制御された環境を含むことができる。
冗長性または保守のために、そのようなシステムは、他のモジュールに含まれる制御された環境の処分またはパージを必要とすることなく、もしくは他のモジュールに含まれる環境を実質的に変化させることなく、温度制御、ガス精製、溶媒排除、または粒子状物質制御システムの保守を促進するため等、１つ以上の他のモジュールから１つ以上のモジュール内の環境を隔離するように、弁またはゲートを含むことができる。
本明細書で本書の他の場所において議論される製作システム内にある、またはそれを包囲する環境は、製作で使用される材料または製作されているデバイスの劣化を回避または抑制するように選択される照射を含むことができる。さらに、本書で説明される種々の実施例は、規定温度、不純物レベル、または粒子状物質レベルのうちの１つ以上のものを有する制御された環境を提供するようなガス充填エンクロージャを参照することができる。
種々の実施例によると、本明細書で示され、説明されるシステムの内部を照射するため、またはオペレータもしくは機械視覚システムによるシステムの部分の可視化のため等に他の領域を照射するために、異なる光源が照明要素で使用されることができる。いくつかの照明要素またはグループが、本明細書の他の場所で示され、説明されるようなシステム内で、またはそれらを包囲して使用するために、種々の様式で選択されることができる。例えば、１つ以上の照明要素は、平坦に、または種々の照明位置もしくは照射角を提供する調節可能な様式で搭載されることができる。照明要素の配置は、天井の場所に制限される必要はなく、そのような照明要素は、本明細書で示され、説明されるシステムの他の内面または外面上に位置することができる。
照明要素は、任意の数、種類、または組み合わせの光、例えば、ハロゲンライト、白色光、白熱電灯、アークランプ、または発光ダイオードもしくはデバイス（ＬＥＤ）を備えていることができる。例証的実施例では、照明要素は、１個のＬＥＤ～約１００個のＬＥＤ、約１０個のＬＥＤ～約５０個のＬＥＤ、または１００個を上回るＬＥＤを含むことができる。ＬＥＤまたは他の照明デバイスは、可視的な色のスペクトル内、可視的な色のスペクトルの外側、またはそれらの組み合わせの任意の色または色の組み合わせを放射することができる。
印刷システムの中等のＯＬＥＤデバイス製作で使用されることができる、いくつかの材料は、いくつかの光の波長に敏感であり得る。したがって、ＯＬＥＤ製作システムの中に設置されるか、またはＯＬＥＤ製作システムを照射するために使用される、照明要素のための光の波長が、処理中に材料劣化を抑制または排除するように選択されることができる。例えば、４ＸクールホワイトＬＥＤが使用されることができ、４Ｘ黄色ＬＥＤが使用されることができ、またはそれらの任意の組み合わせである。４ＸクールホワイトＬＥＤの実施例は、ＩＤＥＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能な部品番号ＬＦ１Ｂ－Ｄ４Ｓ－２ＴＨＷＷ４を含むことができる。４Ｘ黄色ＬＥＤの実施例は、同様にＩＤＥＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能な部品番号ＬＦ１Ｂ－Ｄ４Ｓ－２ＳＨＹ６を含むことができる。ＬＥＤまたは他の照明要素は、天井フレームの任意の内部上、またはＯＬＥＤ製作システムの別の表面上の任意の位置に位置付けられるか、またはそこから吊り下げられることができる。照明要素は、ＬＥＤに限定されず、他の種類の照明要素または照明要素の組み合わせが使用されることができる。
図８は、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用される製作機器を収納するエンクロージャ内で制御された環境を確立または維持するように、本明細書で説明される１つ以上の他の実施例の部分または全体に関して使用されることができる、ガス精製方式の概略図を図示する。例えば、ガスエンクロージャシステム５０２は、ガスエンクロージャアセンブリ１００（例えば、制御された環境を有するエンクロージャ）と、ガスエンクロージャアセンブリ１００と流体連通しているガス精製ループ１３０と、（例えば、本明細書の他の実施例では、温度コントローラと称することができるような）熱調整システム１４０とを含むことができる。
システム５０２は、ＯＬＥＤ印刷システムのため等の基板浮動式テーブルまたは他の加圧ガスデバイス等の種々のデバイスを操作するためのガスを供給することができる、加圧ガス再循環システム３００を含むことができる。加圧ガス再循環システム３００は、圧縮機、送風機、または両方を含むか、または使用することができる。加えて、ガスエンクロージャシステム５０２は、ガスエンクロージャシステム５０２の内部に循環および濾過システム（例えば、本明細書の他の実施例で説明されるような１つ以上のファンフィルタユニット（ＦＦＵ））を有することができる。
１つ以上のダクトまたはバッフルが、ガスエンクロージャアセンブリの種々の実施形態のために、別様に濾過され、内部で循環させられる非反応性ガスから、ガス精製ループ１３０を通して循環させられる非反応性ガスを分離することができる。例えば、ガス精製ループ１３０は、ガスエンクロージャアセンブリ１００からの出口ライン１３１を含むことができる。溶媒排除のために、溶媒除去構成要素１３２が提供されることができ、精製されるガスは、溶媒除去構成要素１３２からガス精製システム１３４へ送られることができる。溶媒、ならびにオゾン、酸素、および水蒸気のうちの１つ以上のもの等の他の反応性ガス種を除いて精製されたガスは、入口ライン１３３を通して等、ガスエンクロージャアセンブリ１００に戻して循環させられることができる。
ガス精製ループ１３０は、監視または制御デバイスと連動するように、適切な導管および接続を含むことができる。例えば、オゾン、酸素、水蒸気、または溶媒蒸気センサが含まれることができる。ファン、送風機、または他の配列等のガス循環ユニットが、別々に提供されるか、またはガス精製ループ１３０を通してガスを循環させるように、例えば、ガス精製システム１３４に組み込まれることができる。図８の説明図では、溶媒除去構成要素１３２およびガス精製システム１３４は、別個のユニットとして示されている。しかしながら、溶媒除去構成要素１３２とガス精製システム１３４とは、単一のユニットとして一緒に収納されることができる。
図８のガス精製ループ１３０は、ガスエンクロージャアセンブリ１００から循環させられるガスが、出口ライン１３１を介する等して、溶媒除去構成要素１３２を通過することができるように、ガス精製システム１３４の上流に配置される溶媒除去構成要素１３２を有することができる。実施例では、溶媒除去構成要素１３２は、溶媒除去構成要素１３２を通過するガスから溶媒蒸気を吸収することに基づく、溶媒閉じ込めシステムを含むことができる。例えば、活性炭、分子篩等の１つまたは複数の吸着床が、多種多様な有機溶媒蒸気を効果的に除去することができる。別の実施例では、溶媒除去構成要素１３２の一部分として溶媒蒸気を除去するために、冷却トラップ技術が使用されることができる。ガスエンクロージャシステム５０２等のガスエンクロージャシステムを通して連続的に循環するガスからのそのような種の除去を監視するために、オゾン、酸素、水蒸気、および溶媒蒸気センサ等のセンサが使用されることができる。例えば、そのようなセンサまたは他のデバイスから得られる情報は、例えば、１つまたは複数の吸着床を再生または交換することができるように、活性炭、分子篩等の吸着剤が、容量に達した、または別様にあまり効果的でなくなったときを示すことができる。
分子篩の再生は、分子篩を加熱すること、分子篩をフォーミングガスと接触させること、それらの組み合わせ等を伴うことができる。例えば、オゾン、酸素、水蒸気、または溶媒を含む、種々の種を閉じ込めるように構成される分子篩は、加熱およびフォーミングガスにさらすことによって再生されることができる。例証的実施例では、そのようなフォーミングガスは、水素を含むことができ、例えば、フォーミングガスは、約９６％窒素および約４％水素を含み、該割合は、体積または重量によるものである。活性炭の物理的再生は、制御された環境下で加熱の手順を使用して行われることができる。
ガス精製ループ１３０のガス精製システム１３４の一部分は、例えば、ＭＢＲＡＵＮ Ｉｎｃ．（Ｓｔａｔｈａｍ，Ｎｅｗ Ｈａｍｐｓｈｉｒｅ）またはＩｎｎｏｖａｔｉｖｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ａｍｅｓｂｕｒｙ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）から入手可能なシステムを含むことができる。ガス精製システム１３４は、ガスエンクロージャシステム５０２内の１つ以上のガスを精製するために、例えば、ガスエンクロージャアセンブリ内のガス雰囲気全体を精製するために使用されることができる。上記のように、ガス精製ループ１３０を通してガスを循環させるために、ガス精製システム１３４は、例えば、ファンまたは送風機等のガス循環ユニットを有することができる。ガス精製システムは、ガス精製システムを通して非反応性ガスを移動させるための体積流速を定義することができる、エンクロージャの容積に応じて選択または構成されることができる。例証的実施例では、ガスエンクロージャアセンブリを有するガスエンクロージャシステムは、約４立方メートルの容積を含むことができ、毎時約８４立方メートルを移動させることができるガス精製システムが使用されることができる。別の例証的実施例では、ガスエンクロージャアセンブリを有するガスエンクロージャシステムは、約１０立方メートルの容積を含むことができ、毎時約１５５立方メートルを移動させることができるガス精製システムが使用されることができる。さらに別の例証的実施例では、約５２～約１１４立方メートルの容積を有するガスエンクロージャアセンブリ、２つ以上のガス精製システムが使用されることができる。
ガスフィルタ、乾燥機、または他の精製デバイスが、ガス精製システム１３４に含まれることができる。例えば、ガス精製システム１３４は、デバイスのうちの１つが保守のためにラインから取り出されることができ、中断なくシステム動作を継続させるために、他のデバイスのうちの１つ以上のものが使用されることができるように、並列構成であるか、または別様に配列されるような、２つ以上の精製デバイスを含むことができる。例えば、ガス精製システム１３４は、分子篩のうちの１つが不純物で飽和するか、または別様に十分効率的に動作していないと見なされるときに、飽和した、または非効率的な分子篩を再生しながら、本システムが他の分子篩に切り替えることができるように、少なくとも第１の分子篩および第２の分子篩等の１つ以上の分子篩を備えていることができる。各分子篩の動作効率を決定するため、異なる分子篩の動作を切り替えるため、１つ以上の分子篩を再生するため、またはそれらの組み合わせのために、制御ユニットが提供されることができる。前述のように、分子篩は、再生および再利用されることができる。
図８の熱調整システム１４０は、ガスエンクロージャアセンブリの中へ冷却剤を循環させるための流体出口ライン１４１と、冷却剤を冷却装置に戻すための流体入口ライン１４３とを有することができる、少なくとも１つの冷却装置１４２を含むことができる。少なくとも１つの流体冷却装置１４２が、ガスエンクロージャシステム５０２内のガス雰囲気を冷却するために提供されることができる。例えば、流体冷却装置１４２は、冷却された流体をエンクロージャ内の熱交換器に送達することができ、ガスは、エンクロージャの内部の濾過システムを通過するようにさせられることができる。少なくとも１つの流体冷却装置もまた、ガスエンクロージャシステム５０２内に封入された装置から発生する熱を冷却するように、ガスエンクロージャシステム５０２に提供されることができる。例証的実施例では、流体冷却装置もまた、ＯＬＥＤ印刷システムから発生する熱を冷却するように、ガスエンクロージャシステム５０２のために提供されることができる。熱調整システム１４０は、熱交換またはペルチェデバイスを含むことができ、かつ種々の冷却能力を有することができる。例えば、冷却装置は、約２キロワット（ｋＷ）～約２０ｋＷの容量の冷却能力を提供することができる。種々の実施例によると、ガスエンクロージャシステム５０２は、１つ以上の流体を冷却することができる、複数の流体冷却装置を有することができる。流体冷却装置は、熱伝達媒体として、例えば、水、不凍剤、冷媒、またはそれらの組み合わせ等の種々の流体を使用することができる。関連導管およびシステム構成要素を接続することにおいて、漏出がない係止接続が使用されることができる。
上記の実施例は、冷却能力および冷却用途を記述するが、上記の実施例はまた、制御された環境内での基板のバッファリングを含む用途に、または製作されている基板からの不要な熱伝達を回避するため、または基板にわたる、もしくは基板間の温度一様性の妨害を回避するためにシステムの他の部分に類似する温度で循環ガスを維持することができる用途に適用されることもできる。
図９Ａおよび９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。図１０Ａおよび１０Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用されることができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。図１０Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部として含まれる浮動制御ゾーンを確立するように、１つ以上のガスまたは空気源を統合および制御するためのシステムのさらなる実施例を図示する。
本明細書で説明される種々の実施例は、環境的に制御されることができる封入型モジュールを含む。エンクロージャアセンブリおよび対応する支持機器は、「ガスエンクロージャシステム」と称されることができ、そのようなエンクロージャアセンブリは、ガスエンクロージャアセンブリの内部容積を低減させるか、または最小化し、同時に、本明細書で説明される堆積（例えば、印刷）、保持、装填、または処置モジュール等のＯＬＥＤ製作システム構成要素の種々の設置面積に適応するための作業容積を提供する、輪郭様式で構築されることができる。例えば、本教示による輪郭ガスエンクロージャアセンブリは、例えば、Ｇｅｎ ３．５～Ｇｅｎ １０の基板サイズを対象とする、本教示のガスエンクロージャアセンブリの種々の実施例に対して、約６ｍ３～約９５ｍ３のガスエンクロージャ容積を有することができる。本教示による輪郭ガスエンクロージャアセンブリの種々の実施例は、例えば、Ｇｅｎ ５．５～Ｇｅｎ ８．５基板サイズまたは他の基板サイズのＯＬＥＤ印刷に有用であり得る、例えば、約１５ｍ３～約３０ｍ３のガスエンクロージャ容積を有することができるが、それに限定されない。補助エンクロージャの種々の実施例は、ガスエンクロージャアセンブリの一部として構築され、制御された実質的に低粒子の環境を必要とするプロセスのためにそのような環境を持続することができるガスエンクロージャシステムを形成するように、ガス循環および濾過、ならびに精製構成要素と容易に統合されることができる。
図９Ａおよび図１０Ａに示されるように、ガスエンクロージャシステムの種々の実施例は、加圧非反応性ガス再循環システムを含むことができる。加圧ガス再循環ループの種々の実施例は、圧縮機、送風機、およびそれらの組み合わせを利用することができる。本教示によると、ガスエンクロージャシステム内の加圧ガス再循環システムの種々の実施例を提供するために、いくつかの工学的課題が対処された。第１に、加圧非反応性ガス再循環システムを伴わないガスエンクロージャシステムの典型的な動作の下で、任意の漏れがガスエンクロージャシステム内で発生する場合、外部ガスまたは空気が内部に進入することを防ぐために、外部圧力に対してわずかに正の内部圧力で（例えば、大気圧を上回って）ガスエンクロージャシステムが維持されることができる。例えば、典型的な動作の下で、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例に対して、ガスエンクロージャシステムの内部は、例えば、エンクロージャシステムの外部の周辺雰囲気に対して少なくとも２ｍｂａｒｇの圧力で、例えば、少なくとも４ｍｂａｒｇの圧力で、少なくとも６ｍｂａｒｇの圧力で、少なくとも８ｍｂａｒｇの圧力で、またはより高い圧力で維持されることができる。
ガスエンクロージャシステム内で加圧ガス再循環システムを維持することは、それが同時に加圧ガスをガスエンクロージャシステムに連続的に導入しながら、ガスエンクロージャシステムのわずかな内部陽圧を維持することに関して、動的な継続した平衡化行為を提示するため、困難であり得る。さらに、種々のデバイスおよび装置の可変要求は、本教示の種々のガスエンクロージャアセンブリおよびシステムに対して不規則な圧力プロファイルを生成し得る。そのような条件下で外部環境に対してわずかな陽圧で保たれるガスエンクロージャシステムのための動的圧力平衡を維持することは、継続したＯＬＥＤ製作プロセスの完全性を提供することができる。ガスエンクロージャシステムの種々の実施例に対して、本教示による加圧ガス再循環システムは、圧縮機、アキュムレータ、および送風機、ならびにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを利用することができる、加圧ガスループの種々の実施例を含むことができる。加圧ガスループの種々の実施例を含む、加圧ガス再循環システムの種々の実施例は、安定した定義された値において、本教示のガスエンクロージャシステム内の非反応性ガスの内部圧力を提供することができる、特別に設計された圧力制御迂回ループを有することができる。ガスエンクロージャシステムの種々の実施例では、加圧ガス再循環システムは、加圧ガスループのアキュムレータ内のガスの圧力が事前設定された閾値圧力を超えるときに、圧力制御迂回ループを介して加圧ガスを再循環させるように構成されることができる。閾値圧力は、例えば、約２５ｐｓｉｇ～約２００ｐｓｉｇの範囲内、より具体的には、約７５ｐｓｉｇ～約１２５ｐｓｉｇの範囲内、またはより具体的には、約９０ｐｓｉｇ～約９５ｐｓｉｇの範囲内であり得る。その点に関して、特別に設計された圧力制御迂回ループの種々の実施例を伴う加圧ガス再循環システムを有する、本教示のガスエンクロージャシステムは、密封ガスエンクロージャ内に加圧ガス再循環システムを有することの平衡を維持することができる。
本教示によると、種々のデバイスおよび装置は、ガスエンクロージャシステムの内部に配置されることができ、かつ加圧ガス再循環システムの種々の実施例と流体連通し得る。本教示のガスエンクロージャおよびシステムの種々の実施例に対して、種々の空気圧動作型デバイスおよび装置の使用は、低粒子生成性能を提供することができるとともに、維持にあまり手がかからない。ガスエンクロージャシステムの内部に配置されることができ、かつ種々の加圧ガスループと流体連通し得る、例示的なデバイスおよび装置は、空気圧ロボット、基板浮動式テーブル、空気ベアリング、空気ブッシング、圧縮ガスツール、空気圧アクチュエータ、およびそれらの組み合わせのうちの１つ以上のものを含むことができるが、それらに限定されない。基板浮動式テーブル、ならびに空気ベアリングは、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例によると、ＯＬＥＤ印刷システムを操作する種々の側面に使用されることができる。例えば、プリントヘッドチャンバ内の定位置に基板を輸送するため、ならびにＯＬＥＤ印刷プロセス中に基板を支持するために、空気ベアリング技術を利用する基板浮動式テーブルが使用されることができる。
例えば、図９Ａ、９Ｂ、１０Ａ、および１０Ｂに示されるように、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の種々の実施例は、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の動作の種々の側面で使用するために非反応性ガス源３２０１および清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源３２０３を統合し、制御するための外部ガスループ３２００を有することができる。ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４はまた、以前に説明されたように、内部粒子濾過およびガス循環システムの種々の実施形態、ならびに外部ガス精製システムの種々の実施例も含むことができる。ガスエンクロージャシステムのそのような実施例は、ガスから種々の反応種を除いて精製するためのガス精製システムを含むことができる。不活性ガスのいくつかの一般的に使用されている非限定的実施例は、窒素、希ガスのうちのいずれか、およびそれらの任意の組み合わせを含むことができる。本教示によるガス精製システムの種々の実施例は、水蒸気、酸素、オゾン等の種々の反応性大気ガス、ならびに有機溶媒蒸気を含む、種々の反応種の各種のレベルを、１０００ｐｐｍ以下に、例えば、１００ｐｐｍ以下に、例えば、１０ｐｐｍ以下に、１．０ｐｐｍ以下に、もしくは０．１ｐｐｍ以下に維持することができる。ガス源３２０１およびＣＤＡ源３２０３を統合して制御するための外部ループ３２００に加えて、ガスエンクロージャアセンブリ５０３およびガスエンクロージャシステム５０４は、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の内部に配置されることができる種々のデバイスおよび装置を操作するためのガスを供給することができる、圧縮機ループ３２５０を有することができる。弁３２７４が開放位置にあるときにライン３２７２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と連通するような、真空システム３２７０も提供されることもできる。
図９Ａの圧縮機ループ３２５０は、圧縮機３２６２と、第１のアキュムレータ３２６４と、第２のアキュムレータ３２６８とを含むことができ、それらは、流体連通するように構成される。圧縮機３２６２は、ガスエンクロージャアセンブリ１００５から引き出されるガスを所望の圧力に圧縮するように構成されることができる。圧縮機ループ３２５０の入口側は、弁３２５６および逆止弁３２５８を有するライン３２５４を通して、ガスエンクロージャアセンブリ出口３２５２を介してガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通することができる。圧縮機ループ３２５０は、外部ガスループ３２００を介して、圧縮機ループ３２５０の出口側でガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通することができる。アキュムレータ３２６４は、圧縮機３２６２と、外部ガスループ３２００との圧縮機ループ３２５０の接合部との間に配置されることができ、５ｐｓｉｇまたはそれより高い圧力を生成するように構成されることができる。第２のアキュムレータ３２６８は、約６０Ｈｚでの圧縮機ピストン循環による減退変動を提供するために、圧縮機ループ３２５０の中にあり得る。圧縮機ループ３２５０の種々の実施例に対して、第１のアキュムレータ３２６４が、約８０ガロン～約１６０ガロンの間の容量を有することができる一方で、第２のアキュムレータは、約３０ガロン～約６０の間の容量を有することができる。ガスエンクロージャシステム５０３の種々の実施例によると、圧縮機３２６２は、ゼロ進入圧縮機であり得る。種々の種類のゼロ進入圧縮機は、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例の中へ大気ガスを漏出させることなく動作することができる。ゼロ進入圧縮機の種々の実施例は、例えば、圧縮ガスを必要とする種々のデバイスおよび装置の使用を利用して、ＯＬＥＤ製作プロセス中に連続的に実行されることができる。
アキュムレータ３２６４は、圧縮機３２６２から圧縮ガスを受け取って蓄積するように構成されることができる。アキュムレータ３２６４は、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の中で必要に応じて圧縮ガスを供給することができる。例えば、アキュムレータ３２６４は、限定されないが、空気圧ロボット、基板浮動式テーブル、空気ベアリング、空気ブッシング、圧縮ガスツール、空気圧アクチュエータ、およびそれらの組み合わせのうちの１つ以上のもの等のガスエンクロージャアセンブリ１００５の種々の構成要素のための圧力を維持するように、ガスを提供することができる。ガスエンクロージャシステム５０３に対して図９Ａに示されるように、ガスエンクロージャアセンブリ１００５は、その中に封入されたＯＬＥＤ印刷システム２０００を有することができる。図９Ａで概略的に描写されるように、インクジェット印刷システム２０００は、花崗岩ステージであり得る、印刷システム基部２１００によって支持されることができる。印刷システム基部２１００は、チャック、例えば、限定されないが、真空チャック、圧力ポートを有する基板浮動式チャック、ならびに真空および圧力ポートを有する基板浮動式チャック等の基板支持装置を支持することができる。本教示の種々の実施例では、基板支持装置は、基板浮動式テーブル印刷領域２２００等の基板浮動式テーブルであり得る。基板浮動式テーブル印刷領域２２００は、基板の無摩擦支持のために使用されることができる。低粒子生成浮動式テーブルに加えて、基板の無摩擦Ｙ軸運搬のために、印刷システム２０００は、空気ブッシングを利用するＹ軸運動システムを有することができる。
加えて、印刷システム２０００は、低粒子生成Ｘ軸空気ベアリングアセンブリによって提供される運動制御とともに、少なくとも１つのＸ、Ｚ軸キャリッジアセンブリを有することができる。例えば、種々の粒子生成線形機械ベアリングシステムの代わりに、Ｘ軸空気ベアリングアセンブリ等の低粒子生成運動システムの種々の構成要素が使用されることができる。本教示のガスエンクロージャおよびシステムの種々の実施例に対して、種々の空気動作型デバイスおよび装置の使用は、低粒子生成性能を提供することができるとともに、維持にあまり手がかからない。圧縮機ループ３２５０は、加圧ガスをガスエンクロージャシステム５０３の種々のデバイスおよび装置に連続的に供給するように構成されることができる。加圧ガスの供給に加えて、空気ベアリング技術を利用するインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２００はまた、弁３２７４が開放位置にあるときに、ライン３２７２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通している、真空システム３２７０も利用する。
本教示による加圧ガス再循環システムは、圧縮機ループ３２５０のために図９Ａに示されるような圧力制御バイパスループ３２６０を有することができ、それは、使用中に加圧ガスの可変要求を補うように作用し、それによって、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施形態のための動的平衡を提供する。本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施例に対して、バイパスループが、エンクロージャ１００５内の圧力を乱すことまたは変化させることなく、アキュムレータ３２６４内で一定の圧力を維持することができる。バイパスループ３２６０は、バイパスループ３２６０が使用されない限り閉鎖される、バイパスループの入口側の第１のバイパス入口弁３２６１を有することができる。バイパスループ３２６０はまた、第２の弁３２６３が閉鎖されるときに使用されることができる背圧調節器３２６６を有することもできる。バイパスループ３２６０は、バイパスループ３２６０の出口側に配置された第２のアキュムレータ３２６８を有することができる。ゼロ進入圧縮機を利用する圧縮機ループ３２５０の実施例に対して、バイパスループ３２６０は、ガスエンクロージャシステムの使用中に経時的に発生し得る、圧力のわずかな規定外変動を補償することができる。バイパスループ３２６０は、バイパス入口弁３２６１が開放位置にあるときに、バイパスループ３２６０の入口側で圧縮機ループ３２５０と流体連通することができる。バイパス入口弁３２６１が開放されたとき、圧縮機ループ３２５０からのガスが、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の内部内で要求されていない場合、バイパスループ３２６０を通して分流されるガスは、圧縮機に再循環させられることができる。圧縮機ループ３２５０は、アキュムレータ３２６４内のガスの圧力が事前設定された閾値圧力を超えるときに、バイパスループ３２６０を通してガスを分流するように構成される。アキュムレータ３２６４の事前設定された閾値圧力は、少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約２５ｐｓｉｇ～約２００ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約５０ｐｓｉｇ～約１５０ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約７５ｐｓｉｇ～約１２５ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約９０ｐｓｉｇ～約９５ｐｓｉｇの間であり得る。
圧縮機ループ３２５０の種々の実施例は、可変速度圧縮機、またはオンもしくはオフ状態のいずれか一方であるように制御することができる圧縮機等のゼロ進入圧縮機以外の種々の圧縮機を利用することができる。以前に議論されたように、ゼロ進入圧縮機は、いかなる大気反応種もガスエンクロージャシステムに導入されることができないことを確実にする。したがって、大気反応種がガスエンクロージャシステムに導入されることを防止する、任意の圧縮機構成が、圧縮機ループ３２５０に利用されることができる。種々の実施例によると、ガスエンクロージャシステム５０３の圧縮機３２６２は、例えば、限定されないが、密封筐体の中に収納されることができる。筐体内部は、ガス（例えば、ガスエンクロージャアセンブリ１００５のためのガス雰囲気を形成する同じガス）源と流体連通して構成されることができる。圧縮機ループ３２５０の種々の実施例に対して、圧縮機３２６２は、一定の圧力を維持するように、一定の速度で制御されることができる。ゼロ進入圧縮機を利用しない圧縮機ループ３２５０の他の実施例では、圧縮機３２６２は、最大閾値圧力に達したときにオフにされ、最小閾値圧力に達したときにオンにされることができる。
ガスエンクロージャシステム５０４の図１０Ａでは、真空送風機３２９０を利用する送風機ループ３２８０が、ガスエンクロージャアセンブリ１００５に収納されるインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２００の動作のために示されている。圧縮機ループ３２５０に対して以前に議論されたように、送風機ループ３２８０は、加圧ガスを印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２００に連続的に供給するように構成されることができる。
加圧ガス再循環システムを利用することができるガスエンクロージャシステムの種々の実施例は、圧縮機、送風機、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つ等の種々の加圧ガス源を利用する、種々のループを有することができる。ガスエンクロージャシステム５０４の図１０Ａでは、圧縮機ループ３２５０は、外部ガスループ３２００と流体連通することができ、外部ガスループは、高消費マニホールド３２２５、ならびに低消費マニホールド３２１５のためのガスの供給のために使用することができる。ガスエンクロージャシステム５０４に対して図１０Ａに示されるような本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施例によると、限定されないが、基板浮動式テーブル、空気圧ロボット、空気ベアリング、空気ブッシング、および圧縮ガスツール、ならびにそれらの組み合わせのうちの１つ以上のもの等の種々のデバイスおよび装置にガスを供給するために、高消費マニホールド３２２５が使用されることができる。本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施例に対して、低消費３２１５は、限定されないが、アイソレータ、および空気圧アクチュエータ、ならびにそれらの組み合わせのうちの１つ以上のもの等の種々の装置およびデバイスにガスを供給するために使用されることができる。
図１０Ａおよび１０Ｂのガスエンクロージャシステム５０４の種々の実施例に対して、加圧ガスを基板浮動式テーブル印刷領域２２００の種々の実施例に供給するために、送風機ループ３２８０が利用されることができる。加圧ガスの供給に加えて、空気ベアリング技術を利用する、ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２００はまた、弁３２９４が開放位置にあるときに、ライン３２９２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と連通している送風機真空３２９０も利用する。送風機ループ３２８０の筐体３２８２は、ガスの加圧源を基板浮動式テーブル印刷領域２２００に供給するための第１の送風機３２８４、およびガスエンクロージャアセンブリ１００５内のガス環境に収納される基板浮動式テーブル印刷領域２２００のための真空源の役割を果たす、第２の送風機３２９０を維持することができる。基板浮動式テーブルの種々の実施例のための加圧ガスまたは真空源のいずれか一方として使用するために送風機を好適にすることができる属性は、例えば、それらが高い信頼性を有する、それらを維持にあまり手がかからなくする、可変速度制御を有する、広範囲の流量を有する、約１００ｍ3
／時間～約２，５００ｍ3／時間の流量を提供することが可能な種々の実施例を含むが、
それらに限定されない。送風機ループ３２８０の種々の実施例は、加えて、圧縮機ループ３２８０の入口端部に第１の隔離弁３２８３、ならびに送風機ループ３２８０の出口端部に逆止弁３２８５および第２の隔離弁３２８７を有することができる。送風機ループ３２８０の種々の実施例は、例えば、限定されないが、ゲート、バタフライ、針、またはボール弁であり得る、調節可能な弁３２８６、ならびに規定温度で送風機ループ３２８０から基板浮動式テーブル印刷領域２２００へのガスを維持するための熱交換器３２８８を有することができる。
図１０Ａは、図９Ａのガスエンクロージャシステム５０３および図１０Ａのガスエンクロージャシステム５０４の動作の種々の側面で使用するために、ガス源３２０１および清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源３２０３を統合して制御するための図９Ａでも示されるような外部ガスループ３２００を描写する。図９Ａおよび図１０Ａの外部ガスループ３２００は、少なくとも４つの機械弁を含むことができる。これらの弁は、第１の機械弁３２０２と、第２の機械弁３２０４と、第３の機械弁３２０６と、第４の機械弁３２０８とを含む。これらの種々の弁は、非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）等の空気源の両方の制御を可能にする、種々の流動ラインの中の位置に位置する。本教示によると、非反応性ガスは、定義された一式の条件下で化学反応を受けない、任意のガスであり得る。非反応性のガスのいくつかの一般的に使用されている非限定的実施例は、窒素、希ガスのうちのいずれか、およびそれらの任意の組み合わせを含むことができる。内蔵ガス源３２０１から、内蔵ガスライン３２１０が延びる。内蔵ガスライン３２１０は、低消費マニホールド３２１５と流体連通している低消費マニホールドライン３２１２として直線的に延び続ける。交差線の第１の区分３２１４は、第１の流動接合点３２１６から延び、第１の流動接合点は、内蔵ガスライン３２１０、低消費マニホールドライン３２１２、および交差線の第１の区分３２１４の交点に位置する。交差線の第１の区分３２１４は、第２の流動接合点３２１８まで延びる。圧縮機ガスライン３２２０は、圧縮機ループ３２５０のアキュムレータ３２６４から延び、第２の流動接合点３２１８で終端する。ＣＤＡライン３２２２は、ＣＤＡ源３２０３から延び、高消費マニホールド３２２５と流体連通している高消費マニホールドライン３２２４として継続する。第３の流動接合点３２２６は、交差線の第２の区分３２２８、清浄乾燥空気ライン３２２２、および高消費マニホールドライン３２２４の交点に位置付けられる。交差線の第２の区分３２２８は、第２の流動接合点３２１８から第３の流動接合点３２２６まで延びる。高消費マニホールド３２２５を用いて、高消費である種々の構成要素が、保守中にＣＤＡに供給されることができる。弁３２０４、３２０８、および３２３０を使用して圧縮機を隔離することにより、オゾン、酸素、および水蒸気等の反応種が、圧縮機およびアキュムレータ内のガスを汚染することを防止することができる。
図９Ａおよび１０Ａと対照的に、図９Ｂおよび１０Ｂは、概して、圧力モニタＰに連結される弁を使用して等、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の内側のガスの圧力が、所望または規定範囲内で維持されることができ、弁は、圧力モニタから得られる情報を使用して、ガスが、ガスエンクロージャアセンブリ１００５を包囲する別のエンクロージャ、システム、または領域に排気させられることを可能にする構成を図示する。そのようなガスは、本明細書で説明される他の実施例のように、回収されて再処理されることができる。上記のように、加圧ガスも同時にガスエンクロージャシステムに導入されるため、そのような調整は、ガスエンクロージャシステムのわずかな内部陽圧を維持することを支援することができる。種々のデバイスおよび装置の可変要求は、本教示の種々のガスエンクロージャアセンブリおよびシステムに対する不規則な圧力プロファイルを生成し得る。したがって、エンクロージャを包囲する環境に対してわずかな陽圧で保たれるガスエンクロージャシステムのための動的圧力平衡を維持することを支持するように、本明細書で説明される他のアプローチに加えて、またはその代りに、図９Ｂおよび１０Ｂに示されるアプローチが使用されることができる。
図１０Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部として含まれる浮動制御ゾーンを確立するように、１つ以上のガスまたは空気源を統合および制御するためのシステム５０５のさらなる実施例を図示する。図１０Ａおよび１０Ｂの実施例と同様に、図１０Ｃは、概して、浮動式テーブル印刷領域２２００を図示する。加えて、図１０Ｃの例証的実施例には、入力領域２１００および出力領域２３００が示されている。領域２１００、２２００、２３００は、例証のみのために、入力、印刷、および出力と称される。そのような領域は、基板の運搬、もしくは１つ以上の他のモジュール内の基板の保持、乾燥、または熱処理のうちの１つ以上のものの間の基板の支持等の他の処理ステップに使用されることができる。図１０Ｃの説明図では、第１の送風機３２８４Ａは、浮動式テーブル装置の入力または出力領域２１００または２３００のうちの１つ以上のものの中に加圧ガスを提供するように構成される。そのような加圧ガスは、第１の熱交換器１５０２Ａに連結された第１の冷却装置１４２Ａを使用して等、温度制御されることができる。そのような加圧ガスは、第１のフィルタ１５０３Ａを使用して、濾過されることができる。温度モニタ８７０１Ａが、第１の冷却装置１４２（または他の温度コントローラ）に連結されることができる。
同様に、第２の送風機３２８４Ｂが、浮動式テーブルの印刷領域２２００に連結されることができる。別個の冷却装置１４２Ｂが、第２の熱交換器１５０２Ｂおよび第２のフィルタ１５０３Ｂを含むループに連結されることができる。第２の送風機３２８４Ｂによって提供される加圧ガスの温度の独立した調整を提供するために、第２の温度モニタ８７０１Ｂが使用されることができる。本例証的実施例では、入力および出力領域２１００および２３００は、陽圧を供給されるが、印刷領域２２００は、基板位置に対する精密制御を提供するように、陽圧および真空制御の組み合わせの使用を含むことができる。例えば、陽圧および真空制御のそのような組み合わせを使用して、基板は、印刷領域２２００によって画定されるゾーン内でシステム５０４によって提供される浮動ガスクッションを使用してもっぱら制御されることができる。真空は、第３の送風機３２９０によって確立されることができ、したがって、送風機筐体３２８２内の第１および第２の送風機３２８４Ａまたは３２８４Ｂのためのメイクアップガスの少なくとも一部分も提供される。
図１１Ａ、図１１Ｂ、および図１１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部の図を図示する。
システム１０００の種々のエンクロージャ内の制御された環境は、制御された粒子状物質レベルを含むことができる。粒子状物質は、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）と称することができるような空気循環ユニットおよびフィルタを使用することによって等、低減させられるか、または最小化されることができる。ＦＦＵのアレイは、処理中に基板によって横断される経路に沿って位置することができる。ＦＦＵは、空気流の下降流方向を提供する必要はない。例えば、基板の表面にわたって横方向へ実質的に層流の流動を提供するように、ＦＦＵまたは配管が位置付けられることができる。横方向へのそのような層流は、粒子状物質制御を向上させるか、または別様に提供することができる。
図１１Ａ－１１Ｃの実施例では、粒子状物質または汚染物質の制御されたレベルを有する、移送モジュール１４００Ａ内の環境を維持することを支援するために、ＦＦＵ１５００Ａから１５００Ｆ等の１つ以上のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が使用されることができる。図１１Ｂおよび図１１Ｃの下降流実施例で示されるような帰還空気経路を提供するように、第１および第２のダクト５２０１Ａまたは５２０１Ｂ等のダクトが使用されることができる。１つ以上の熱交換器１５０２に連結されるような温度コントローラ８７００を少なくとも部分的に使用して、制御された温度が維持されることができる。基板または基板の近くの領域を温度の規定範囲内で維持することを支援するフィードバックを提供するように、温度モニタ８７０１等の１つ以上の温度モニタが、特定の場所に（例えば、基板またはエンドエフェクタの上または近くに）配置されることができる。実施例では、以下で議論されるように、温度モニタは、センサによってサンプリングされる表面温度を示す情報を提供するように構成される、赤外線温度モニタ等の非接触センサであり得る。図１３Ｂで例証的に示されるようなチャンバの下部分の中の帰還空気ダクト内に、またはその近くに熱交換器を配置することを含むことができるような、他の構成が可能である。
図１１Ｃでは、円は、概して、ハンドラ１４１０の掃引の外側寸法限界を表し、角に示される領域は、ダクト５２０１Ａ、５２０１Ｂ、５２０１Ｃ、または５２０１Ｄとして使用されることができ、それらは、精製されたガス（例えば、窒素）が移送モジュール１４００Ａの底部から捕捉され、次いで、移送モジュール１４００Ａの最上部に位置する１つ以上のＦＦＵ１５００Ａから１５００Ｆを通した再注入のために、再循環または洗浄されるための帰還経路を提供する。
図１２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造することにおいて使用されることができる、他のチャンバまたはモジュールに連結された移送モジュール１４００Ｂを含むようなシステムの一部を図示する。図１１Ａの実施例のように、移送モジュール１４００Ｂは、１５００Ａ－１５００Ｎ等の１つ以上のファンフィルタユニット（ＦＦＵ）（例えば、１４個のＦＦＵ）を含むことができる。
図１２Ｂは、概して、図１１Ａに示されるモジュール１４００Ｂ内の基板４０００を操作するため等に使用されることができる、ハンドラ２７３２構成を図示する。図１１Ａの移送モジュール１４００Ａのハンドラ１４１０Ａと対照的に、図１２Ｂのハンドラ１４１０Ｂは、概して、軸におけるハンドラ２７３２の線形平行移動を提供するように、トラック２７３４またはレール構成が使用されることができることを図示する。このようにして、モジュールまたはチャンバが単一の点から外へ放射状に広がる様式で互いに連結されることを必要とせずに、広範囲の他のチャンバまたはモジュールが、クラスタ構成等で、移送モジュール１４００Ｂに連結されることができる。図１１Ｃの実施例のように、１つ以上のダクトは、ハンドラ１４１０Ｂのレーストラック状の運動の範囲の外側の領域における、移送モジュール１４００Ｂの部分に位置することができる。例えば、そのような場所は、他の実施例に示されるように、移送モジュール１４００Ｂの下部分からＦＦＵアレイの上方のプレナムまで上向きにガス（例えば、窒素）を運ぶ帰還ダクトを提供するために、使用されることができる。
図１３Ａおよび図１３Ｂは、概して、それぞれの基板を収容するエリアの積層構成を有する、処理モジュール１２００を含むことができるようなシステムの一部の図を図示する。モジュール１２００は、他の場所で説明されるように他のモジュールに連結されることができる。例えば、モジュール１２００は、基板を乾燥させること、後続の処理モジュールがそれを受け取る準備ができるまで基板を待ち行列に入れること、基板上で液体を定着または流動させること、もしくは基板を冷却することを含む、上記で説明されるような他のモジュールを使用して行われる動作の間で基板を保持するために使用されることができる。処理モジュール１２００のポートは、ドア３３０１等の１つ以上のドアまたはハッチを含むことができる。例えば、そのようなドアは、他の場所またはシステム内の対応するドアが閉鎖されない限り、製作システムの外部にアクセス可能なドアを開放することができないように、機械的または電気的に相互係止されることができる。例えば、ドア３３０１が、保守を行うために使用されることができる一方で、処理モジュール１２００は、別様に、製作システムの他の封入型部分内の不活性環境、または粒子状物質もしくは汚染物質を制御された環境から隔離される。
上記のように、少なくとも部分的に１つ以上のＦＦＵ１５００を使用して、そのような粒子状物質または汚染物質を制御された環境が維持されることができる。図１３Ｂの実施例では、基板を含むことができる１つ以上のセル３３５０のうちの各々を横断する実質的に層流のガス（例えば、非反応性ガス）流を維持するように、クロスフロー構成が使用される。熱交換器１５０２は、ＦＦＵ１５００の一部分の付近に、または一部分として位置することができるが、その必要はない。例えば、熱交換器１５０２は、帰還ダクト５２０１の一部分内に、または一部分として含まれるように、基板取り扱いエリアの下方に位置することができる。温度は、温度モニタ８７０１に連結されるような温度コントローラ８７００によって制御されることができる。ダクト５２０１の部分の曲線状外形は、処理モジュール１２００内の規定流動特性（例えば、層流）を維持するように、少なくとも部分的に計算流体力学的技法を使用して規定されることができる。
（種々の注釈および実施例）
実施例１は、基板上に第１のパターン化された有機層を堆積させるように構成されている第１の印刷システムであって、パターン化された層は、基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備え、第１の印刷システムは、第１の処理環境内に位置し、第１の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、第１の印刷システムと、熱的に制御された領域の積層構成を含む封入型熱処理モジュールであって、熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、封入型熱処理モジュールは、制御された第２の処理環境を提供し、第２の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、封入型熱処理モジュールと、第１の印刷システムから基板を受け取るように構成され、かつ基板を封入型熱処理モジュール内の第２の処理環境に提供するように構成されている基板移送モジュールとを備えている、電子デバイス製作システムを含むか、または使用することができるような主題（行為を行うための装置、方法、または手段、もしくはデバイスによって行われたときに、デバイスに行為を行わせることができる命令を含む、デバイス読み取り可能な媒体等）を含むか、または使用することができる。実施例１では、第１の印刷システム内の基板の印刷中の第１の処理環境の酸素含量は、熱処理モジュール内の基板の熱処理中の第２の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きい。
実施例２は、各々が基板を収容するように構成される１つ以上の基板保持領域を含む封入型基板冷却モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例１の主題と随意に組み合わせられることができ、基板冷却モジュールは、基板が規定閾値温度を下回るまで、基板を冷却するように規定される持続時間に対して基板を保持するように構成され、封入型冷却モジュールは、第３の処理環境を確立するように構成され、第３の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている。
実施例３は、封入型熱処理モジュール内の第２の処理環境から基板を受け取るように構成され、かつ基板を封入型冷却モジュール内の第３の処理環境に提供するように構成される、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例２の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４は、冷却モジュール内の基板の冷却中の第３の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きい、印刷モジュール内の基板の印刷中の第１の処理環境の酸素含量を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例２または３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例５は、１００℃の規定閾値温度を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例２から４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例６は、各ステーションが互からオフセットされる、積層構成における複数の基板冷却領域を備えている、冷却モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例２から５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例７は、実質的に同一である第２および第３の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例２から６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例８は、１００ｐｐｍを下回る含水量および１００ｐｐｍを下回るオゾン含量を維持するように制御された清浄乾燥空気を備えている、第１の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例９は、基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される精製非反応性ガスを備えている、第２の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１０は、大気圧を上回る窒素を含む、第２の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例９の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１１は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有する環境を維持するように確立される、第２の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１２は、第１の処理環境は、１００，０００パーツ・パー・ミリオンを超える酸素の環境を有する、第１の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１１のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１３は、印刷システムから基板を移送するように構成されている第１のハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１４は、第１のハンドラと異なる環境内に位置する第２のハンドラであって、基板を熱処理モジュールに移送するように構成される、第２のハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１３の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１５は、熱的に制御された領域のうちの規定のものの中に基板を配置するように構成される、第２のハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１６は、第１の印刷システムおよび封入型熱処理モジュールから離れている少なくとも１つのチャンバを備えている、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１７は、基板移送モジュールが、封入された第１の印刷システムと封入型熱処理モジュールとの間に位置する、封入される第１の印刷システムを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１８は、可動プラットフォームであって、少なくとも１つの軸において熱的に制御された領域を移動させるように構成される、可動プラットフォームを使用する、基板装填および取り外しのために熱的に制御された領域のうちの異なる領域へのアクセスを提供するように構成される、封入型熱処理モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例１９は、インクジェット印刷システムを備えている、印刷システムを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２０は、第１の処理環境から基板を受け取り、プリンタから熱処理モジュールに基板を移送するプロセスにおいて基板が通過する第２の処理環境に基板を提供するように構成される、封入型内部モジュールを備えている、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から１９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２１は、封入型熱処理モジュール内の第２の処理環境の粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を維持しながら、プリンタから熱処理モジュールに基板を移送するように構成される、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２２は、熱処理モジュール内の酸素の濃度を１０００パーツ・パー・ミリオンより大きいレベルまで上昇させることなく、大気圧以上の環境に基板を提供するステップを含み、基板を封入型熱処理モジュールに提供するように構成される、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２１のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２３は、封入型熱処理モジュール内で基板を移動させるように構成される基板ハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２４は、各々が規定基板温度を提供するように構成される熱的に制御された領域を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２５は、各々が規定基板温度一様性を提供するように構成される熱的に制御された領域を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２６は、第１のパターン化された有機層の堆積後に基板を受け取るように構成され、かつ印刷動作中に堆積させられた第１のパターン化された有機層を備えているインクを乾燥させるように構成される、乾燥モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２７は、乾燥モジュール内の雰囲気を少なくとも部分的に排出すること、またはパージすることのうちの１つ以上を行い、乾燥動作を促進するように構成される、乾燥モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例２８は、各々が基板上にパターン化された有機層を堆積させるように構成される２つ以上の印刷システムであって、パターン化された層は、基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備え、２つ以上の印刷システムは、第１の処理環境内に位置し、第１の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている、２つ以上の印刷システムを備えている、電子デバイス製作システムを含むか、または使用することができるような主題（行為を行うための装置、方法、または手段、もしくは機械によって行われたときに、機械に行為を行わせることができる命令を含む、機械読み取り可能な媒体等）を含むことができるか、または、それを含むように実施例１から２７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。実施例２８では、封入型熱処理モジュールは、熱的に制御された領域の積層構成を含み、熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、封入型熱処理モジュールは、制御された第２の処理環境を提供し、第２の処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を備えている。実施例２８では、基板移送モジュールは、２つ以上の印刷システムから基板を受け取るように構成され、かつ基板を封入型熱処理モジュール内の第２の処理環境に提供するように構成される。実施例２８では、２つ以上の印刷システムのうちの少なくとも１つの中の基板の印刷中の第１の処理環境の酸素含量は、熱処理モジュール内の基板の熱処理中の第２の処理環境の酸素含量より少なくとも１００倍大きい。
実施例２９は、封入型熱処理モジュールが、異なるパターン化された有機層の堆積の間または後に、熱処理を基板に提供するように構成される、基板上に異なるパターン化された有機層を堆積させるように構成される、２つ以上の印刷システムの各々を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３０は、１０パーツ・パー・ミリオン未満の酸素を有する環境を含む、第２の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例１から２９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３１は、基板上に第１のパターン化された有機層を堆積させるように構成されている第１の印刷システムであって、パターン化された層は、基板上で製作されている発光デバイスの少なくとも一部を備えている、第１の印刷システムと、熱的に制御された領域の積層構成を含む、熱処理モジュールであって、熱的に制御された領域は、互からオフセットされ、領域の各々は、規定基板温度または規定基板温度一様性のうちの１つ以上のものを提供するように基板を収容するように構成され、熱的に制御された領域のうちの規定領域中の第１の印刷システムから基板を受け取るように構成される、熱処理モジュールと、各々が基板を収容するように構成される１つ以上の基板保持領域を含む、基板冷却モジュールであって、基板が規定閾値温度を下回るまで、基板を冷却するように規定される持続時間に対して基板を保持するように構成される、基板冷却モジュールとを備えている、電子デバイス製作システムを含むか、または使用することができるような主題（行為を行うための装置、方法、または手段、もしくは機械によって行われたときに、機械に行為を行わせることができる命令を含む、機械読み取り可能な媒体等）を含むことができるか、または、それを含むように実施例１から３０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。実施例３０では、第１の印刷システム、熱処理モジュール、および基板冷却モジュールは、封入され、かつ粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、およびオゾン含量の規定限界を下回ったままであるように確立された制御された環境を提供するように構成される。実施例３０では、本システムは、制御された処理環境と異なる環境から基板を受け取るように構成され、かつ基板を第１の印刷システムまたは熱処理モジュールもしくは冷却モジュールによって画定される封入領域に提供するように構成される、基板移送モジュールを備えている。
実施例３２は、封入型熱処理モジュールから基板を受け取るように構成され、かつ基板を封入型冷却モジュールに提供するように構成される、基板移送モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例３１の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３３は、冷却モジュール内の基板の冷却中の制御された処理環境の酸素含量と比較して、基板が移送される環境で少なくとも１００倍大きい酸素含量を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１または３２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３４は、１００℃の規定閾値温度を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３５は、各ステーションが互からオフセットされる、積層構成における複数の基板冷却領域を備えている、冷却モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３６は、１００ｐｐｍを下回る含水量および１００ｐｐｍを下回るオゾン含量を維持するように制御された清浄乾燥空気を備えている、冷却モジュール、印刷システム、および熱処理モジュールの外側の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３７は、基板上に堆積させられた種との最小または無の反応性のために規定される精製非反応性ガスを備えている、制御された処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３８は、大気圧を上回る窒素を有する、制御された処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例３７の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例３９は、１０００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気と、１００パーツ・パー・ミリオン未満のオゾンとを有する環境を維持するように確立される、制御された処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４０は、１００，０００パーツ・パー・ミリオンを超える酸素の環境を備えている、冷却モジュール、印刷システム、および熱処理モジュールの外側の処理環境を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から３９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４１は、印刷システムから基板を移送するように構成されている第１のハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４２は、熱的に制御された領域のうちの規定のものの中に基板を配置するように構成される、第２のハンドラを含むことができるか、またはそれを随意に含むように実施例４１の主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４３は、可動プラットフォームであって、少なくとも１つの軸において熱的に制御された領域を移動させるように構成される、可動プラットフォームを使用して、熱的に制御された領域のうちの規定のものの中に基板を堆積させるように構成される、熱処理モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４４は、インクジェット印刷システムを備えている、印刷システムを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４５は、第１の印刷システムおよび封入型熱処理モジュールから離れているチャンバを含む、第１の装填モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４６は、熱処理モジュール内の酸素の濃度を１０００パーツ・パー・ミリオンより大きいレベルまで上昇させることなく、大気圧以上の環境に基板を提供するように第１の装填モジュールを介して基板をシステムの封入領域に提供するように構成される、第１の装填モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４７は、各々が規定基板温度を提供するように構成される、熱的に制御された領域を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４８は、各々が規定基板温度一様性を提供するように構成される、熱的に制御された領域を含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例４９は、基板上にパターン化された有機層を堆積させるように構成される、２つ以上の印刷システムを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例５０は、熱処理モジュールが、異なるパターン化された有機層の堆積の間または後に熱処理を基板に提供されるように構成される、基板上に異なるパターン化された有機層を堆積させるように構成される、２つ以上の印刷システムを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から４９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例５１は、第１のパターン化された有機層の堆積後に基板を受け取るように構成され、かつ印刷動作中に堆積させられた第１のパターン化された有機層を備えているインクを乾燥させるように構成される、乾燥モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から５０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
実施例５２は、乾燥モジュール内の雰囲気を少なくとも部分的に排出すること、またはパージすることのうちの１つ以上を行い、乾燥動作を促進するように構成される、乾燥モジュールを含むことができるか、またはそれを随意に含むように、実施例３１から５１のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と随意に組み合わせられることができる。
本明細書で説明される非限定的実施例の各々は、自立することができ、または他の実施例のうちの１つ以上のものとの種々の順列または組み合わせで組み合わせられることができる。
上記の発明を実施するための形態は、発明を実施するための形態の一部を形成する、添付図面の参照を含む。図面は、例証として、本発明を実践することができる具体的実施形態を示す。これらの実施形態はまた、本明細書では「実施例」とも称される。そのような実施例は、示される、または説明されるものに加えて、要素を含むことができる。しかしながら、本発明者らはまた、示される、または説明される、これらの要素のみが提供される実施例も考慮する。また、本発明者らはまた、特定の実施例（もしくはその１つ以上の側面）に関して、または本明細書で示され、もしくは説明される他の実施例（もしくはそれらの１つ以上の側面）に関してのいずれかで、示される、または説明されるこれらの要素（もしくはそれらの１つ以上の側面）の任意の組み合わせまたは順列を使用する実施例も考慮する。本書と、参照することによりそのように組み込まれる任意の書面との間の一貫性のない使用法の場合においては、本書における使用法が優先する。
本書では、「１つの（「ａ」または「ａｎ」）」という用語は、「少なくとも１つの」もしくは「１つ以上の」という任意の他の事例または使用法から独立している、１つ、または１つより多くを含むために、特許文書で一般的であるように使用される。本書では、「または」という用語は、別様に指示されない限り、「ＡまたはＢ」が、「ＢではなくＡ」、「ＡではなくＢ」、ならびに「ＡおよびＢ」を含むように、非排他的な「または」を指すために使用される。本書では、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「～である（ｉｎ ｗｈｉｃｈ）」という用語は、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」および「～である（ｗｈｅｒｅｉｎ）」というそれぞれの用語の平易な英語の均等物として使用される。また、以下の請求項では、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、非制約的であり、つまり、請求項の中でそのような用語の後に記載されるものに加えて要素を含む、システム、デバイス、部品、組成物、調合物、またはプロセスは、依然として、その請求項の範囲内に入ると見なされる。また、以下の請求項では「第１の」、「第２の」、および「第３の」等の用語は、単に標識として使用され、それらの目的に数値的要求を課すことを意図していない。
本明細書で説明される方法の実施例は、少なくとも部分的に、機械またはコンピュータ実装されることができる。いくつかの実施例は、上記の実施例で説明されるような方法を行うように電子デバイスを構成するように動作可能である命令で符号化される、コンピュータ読み取り可能な媒体または機械読み取り可能な媒体を含むことができる。そのような方法の実装は、マイクロコード、アセンブリ言語コード、高次言語コード等のコードを含むことができる。そのようなコードは、種々の方法を行うためのコンピュータ読み取り可能な命令を含むことができる。コードは、コンピュータプログラム製品の部分を形成し得る。さらに、実施例では、コードは、実行中または他の時間等に、揮発性、非一過性、または不揮発性の有形コンピュータ読み取り可能な媒体のうちの１つ以上のものの上に明白に記憶されることができる。これらの有形コンピュータ読み取り可能な媒体の実施例は、ハードディスク、リムーバブル磁気ディスク、リムーバブル光ディスク（例えば、コンパクトディスクおよびデジタルビデオディスク）、磁気カセット、メモリカードまたはスティック、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ等を含むことができるが、それらに限定されない。
上記の説明は、制限的ではなく、例証的であることを意図している。例えば、上記の実施例（もしくはそれらの１つ以上の側面）は、相互と組み合わせて使用され得る。上記の説明を再検討することにより当業者によって等、他の実施形態が使用されることができる。要約は、読者が技術的開示の性質を迅速に確認することを可能にするために、３７ Ｃ．Ｆ．Ｒ． §１．７２（ｂ）に準拠するように提供される。これは、請求項の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないであろうという理解のもとで提出される。また、上記の発明を実施するための形態では、種々の特徴が、本開示を効率化するようにともにグループ化され得る。これは、請求されていない開示された特徴が任意の請求項に不可欠であることを意図するものとして解釈されるべきではない。むしろ、発明の主題は、特定の開示された実施形態の全てに満たない特徴にあり得る。したがって、以下の請求項は、これによって実施例または実施形態として発明を実施するための形態に組み込まれ、各請求項は別個の実施形態として自立し、そのような実施形態を種々の組み合わせまたは順列で相互と組み合わせられることができることが考慮される。本発明の範囲は、そのような請求項が享有できる均等物の全範囲とともに、添付の請求項を参照して決定されるべきである。

Claims (20)

  1. 製作システムであって、前記製作システムは、
    一つ以上の環境制御ユニットに結合された印刷エンクロージャ内に配置された印刷システムと、
    積層構成の複数の熱的に制御された領域を有する熱処理モジュールであって、前記熱的に制御された領域のそれぞれは基板を受け入れ、前記熱処理モジュールは、一つ以上の前記環境制御ユニットに結合された熱処理エンクロージャ内に配置される熱処理モジュールと、
    ２つ以上の前記熱的に制御された領域を通してガスを横方向に循環させるガス循環ユニットと、
    少なくとも２つの前記熱的に制御された領域の温度を独立して制御するように前記熱処理モジュールに動作可能に結合された温度コントローラと、
    前記印刷システムから前記基板を受け取り、前記基板を前記熱処理モジュールに提供するための基板移送モジュールと、
    前記印刷エンクロージャの雰囲気の酸素含量を、前記熱処理エンクロージャの雰囲気の酸素含量より少なくとも１００倍大きい酸素含量に維持するように前記印刷エンクロージャに流体結合されたガスコントローラと、
    を備える製作システム。
  2. 一つ以上の基板保持領域を有する基板冷却モジュールを、さらに備え、
    前記基板冷却モジュールのそれぞれは、前記基板を収容するように構成され、前記基板冷却モジュールは、一つ以上の前記環境制御ユニットに結合された冷却エンクロージャ内に配置され、前記冷却エンクロージャは、前記基板が指定された温度を下回るまで前記基板を保持する、
    請求項１記載の製作システム。
  3. 前記基板移送モジュールは、さらに、前記熱処理モジュールから前記基板を受け取り、前記基板を基板冷却モジュールに提供する、
    請求項２に記載の製作システム。
  4. 前記ガスコントローラは第１のガスコントローラであり、前記冷却エンクロージャの雰囲気の酸素含量を、前記印刷エンクロージャの雰囲気の酸素含量の１／（１００）以下に維持するように前記冷却エンクロージャに流体結合された第２のガスコントローラをさらに備える、
    請求項２に記載の製作システム。
  5. 前記基板冷却モジュールは、オフセットされた積層構成で複数の基板冷却領域を備える、
    請求項２に記載の製作システム。
  6. 前記熱処理エンクロージャおよび前記冷却エンクロージャが同じ雰囲気を有する、
    請求項２に記載の製作システム。
  7. 前記ガスコントローラは、前記印刷エンクロージャの雰囲気を１００ｐｐｍ未満の水蒸気含量および１００ｐｐｍ未満のオゾン含量に維持するように、前記印刷エンクロージャに清浄な乾燥空気を提供する、
    請求項１に記載の製作システム。
  8. 前記ガスコントローラが第１のガスコントローラであり、前記熱処理エンクロージャに流体結合されて精製非反応性ガスを前記熱処理エンクロージャに提供する第２のガスコントローラを、さらに、備える、
    請求項１に記載の製作システム。
  9. 前記精製非反応性ガスは窒素を含み、前記第２のガスコントローラは、大気圧を超える圧力で前記精製非反応性ガスを提供する、
    請求項８に記載の製作システム。
  10. 前記基板移送モジュールは、前記印刷システムから前記基板を受け取るように第１の環境に配置された第１のハンドラと、前記基板を前記熱処理モジュールに提供する、第２の環境に配置された第２のハンドラと、を備える、
    請求項１に記載の製作システム。
  11. 前記第２のハンドラは、前記基板を前記熱的に制御された領域の内の１つに提供する、
    請求項１０に記載の製作システム。
  12. 前記基板移送モジュールは、前記印刷システムと前記熱処理モジュールとの間に配置されている、
    請求項１０に記載の製作システム。
  13. 製作システムであって、前記製作システムは、
    一つ以上の環境制御ユニットに結合された印刷エンクロージャ内に配置された印刷システムと、
    積層構成の複数の熱的に制御された領域を有する熱処理モジュールであって、前記熱的に制御された領域のそれぞれは基板を受け入れ、前記熱処理モジュールは、前記一つ以上の環境制御ユニットに結合された熱処理エンクロージャ内に配置される熱処理モジュールと、
    少なくとも２つの前記熱的に制御された領域の温度を独立して制御するように前記熱処理モジュールに動作可能に結合された温度コントローラと、
    前記印刷システムから前記基板を受け取り、前記基板を前記熱処理モジュールに提供するための基板移送モジュールと、
    前記印刷エンクロージャの雰囲気の酸素含量を、前記熱処理エンクロージャの雰囲気の酸素含量より少なくとも１００倍大きい酸素含量に維持するように前記印刷エンクロージャに流体結合されたガスコントローラと、
    を備え、
    前記熱処理モジュールは、前記熱的に制御された領域を少なくとも１つの軸で移動させる可動プラットフォームと、を備える
    製作システム。
  14. 前記印刷システムは、インクジェット印刷システムを含む、
    請求項１に記載の製作システム。
  15. 製作システムであって、前記製作システムは、一つ以上の環境制御ユニットに結合された印刷エンクロージャ内に配置された２つ以上の印刷システムと、
    積層構成の複数の熱的に制御された領域を有する熱処理モジュールであって、各前記熱的に制御された領域は基板を受け入れ、前記熱処理モジュールは、一つ以上の前記環境制御ユニットに結合された熱処理エンクロージャ内に配置される熱処理モジュールと、
    前記熱的に制御された領域を通してガスを横方向に循環させる複数のガス循環ユニットと、
    少なくとも２つの前記熱的に制御された領域の温度を独立して制御するように前記熱処理モジュールに動作可能に結合された温度コントローラと、
    前記印刷システムから前記基板を受け取り、前記基板を前記熱処理モジュールに提供するための基板移送モジュールと、
    前記印刷エンクロージャの雰囲気の酸素含量を、前記熱処理エンクロージャの雰囲気の酸素含量より少なくとも１００倍大きい酸素含量に維持するように前記印刷エンクロージャに流体結合されたガスコントローラと、
    を備える製作システム。
  16. ２つの前記印刷システムでの処理の間に、前記熱処理モジュール内の１つの前記基板を処理するように構成された、
    請求項１５に記載の製作システム。
  17. 前記温度コントローラは、別の前記熱的に制御された領域と同じ温度で、または別の前記熱的に制御された領域とは異なる温度で、前記熱的に制御された領域のそれぞれの温度を独立して制御するように構成される、
    請求項１６に記載の製作システム。
  18. 前記温度コントローラは、少なくとも２つの前記熱的に制御された領域に関連する少なくとも２つの加熱装置を、さらに備え、前記温度コントローラは、少なくとも２つの前記加熱装置を制御することによって、少なくとも２つの前記熱的に制御された領域の温度を制御するように構成される、
    請求項１５に記載の製作システム。
  19. 一つ以上の基板保持領域を有する基板冷却モジュールを、さらに備え、前記基板冷却モジュールのそれぞれは、前記基板を収容するように構成され、前記基板冷却モジュールは、一つ以上の前記環境制御ユニットに結合された冷却エンクロージャ内に配置され、前記冷却エンクロージャは、前記基板が指定された温度を下回るまで前記基板を保持する、
    請求項１５に記載の製作システム。
  20. 前記基板冷却モジュールは、オフセットされた積層構成で複数の基板冷却領域を備える、
    請求項１９に記載の製作システム。
JP2020088797A 2013-12-26 2020-05-21 電子デバイスの熱処理のための装置および技法 Active JP7018215B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022008873A JP7341538B2 (ja) 2013-12-26 2022-01-24 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Applications Claiming Priority (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361921034P 2013-12-26 2013-12-26
US61/921,034 2013-12-26
US201361921218P 2013-12-27 2013-12-27
US61/921,218 2013-12-27
US201461929668P 2014-01-21 2014-01-21
US61/929,668 2014-01-21
US201461945059P 2014-02-26 2014-02-26
US61/945,059 2014-02-26
US201461947671P 2014-03-04 2014-03-04
US61/947,671 2014-03-04
US201461986868P 2014-04-30 2014-04-30
US61/986,868 2014-04-30
US201462002384P 2014-05-23 2014-05-23
US62/002,384 2014-05-23

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018156034A Division JP6758745B2 (ja) 2013-12-26 2018-08-23 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022008873A Division JP7341538B2 (ja) 2013-12-26 2022-01-24 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020123594A JP2020123594A (ja) 2020-08-13
JP2020123594A5 JP2020123594A5 (ja) 2021-02-25
JP7018215B2 true JP7018215B2 (ja) 2022-02-10

Family

ID=53479675

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016537494A Active JP6392874B2 (ja) 2013-12-26 2014-12-23 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
JP2018156034A Active JP6758745B2 (ja) 2013-12-26 2018-08-23 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
JP2020088797A Active JP7018215B2 (ja) 2013-12-26 2020-05-21 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
JP2022008873A Active JP7341538B2 (ja) 2013-12-26 2022-01-24 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016537494A Active JP6392874B2 (ja) 2013-12-26 2014-12-23 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
JP2018156034A Active JP6758745B2 (ja) 2013-12-26 2018-08-23 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022008873A Active JP7341538B2 (ja) 2013-12-26 2022-01-24 電子デバイスの熱処理のための装置および技法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US10468279B2 (ja)
EP (2) EP3087623B1 (ja)
JP (4) JP6392874B2 (ja)
KR (2) KR101878084B1 (ja)
CN (2) CN111490185A (ja)
TW (2) TWI663762B (ja)
WO (1) WO2015100375A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
KR101878084B1 (ko) * 2013-12-26 2018-07-12 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
CN107611287A (zh) 2014-01-21 2018-01-19 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
CN106233449B (zh) 2014-04-30 2019-07-12 科迪华公司 用于衬底涂覆的气垫设备和技术
CN114273154B (zh) * 2014-11-26 2023-05-23 科迪华公司 环境受控的涂层系统
JP6955767B2 (ja) * 2015-07-31 2021-10-27 カティーバ， インコーポレイテッド インク送達システムおよび方法
WO2017087337A1 (en) 2015-11-16 2017-05-26 Kateeva, Inc. Systems and methods for thermal processing of a substrate
CN106654066A (zh) * 2017-01-06 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的制作方法
JP6846943B2 (ja) * 2017-02-10 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、および塗布方法
JP2019160495A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法および製造装置
US10327359B1 (en) * 2018-04-30 2019-06-18 Baidu Usa Llc Coupling designs for a data center building using indirect evaporative cooling (IDEC) units
CN109363582A (zh) * 2018-11-01 2019-02-22 绍兴上虞涌进环保科技有限公司 一种雾化空气净化器
TWI812812B (zh) 2018-12-20 2023-08-21 美商凱特伊夫公司 使用具有溫度控制的基材支撐件之噴墨式印刷機以及將材料沉積在基材上的方法
CN109822583B (zh) * 2019-01-09 2021-01-05 温州大学瓯江学院 电子产品的uv胶自动涂覆设备
CN109817842B (zh) * 2019-01-16 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种真空干燥装置、显示用基板的制备方法
KR20200141157A (ko) * 2019-06-10 2020-12-18 현대자동차주식회사 배터리 모듈용 냉각블록 및 그 제조방법
JP7291577B2 (ja) * 2019-08-28 2023-06-15 芝浦メカトロニクス株式会社 移送装置および実装装置
KR20230062854A (ko) 2020-09-04 2023-05-09 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 에너지 제어를 이용하여 전기 가열기를 제어하는 방법 및 시스템
US11854848B2 (en) * 2020-11-03 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Air processing system for semiconductor container

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241751A (ja) 2002-04-22 2004-08-26 Seiko Epson Corp 薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
WO2006041240A1 (en) 2004-10-11 2006-04-20 Doosan Dnd Co., Ltd. Large-size oled manufacturing apparatus using ink- jet printing techniques and low molecule thermal deposition techniques
JP2007095377A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布システム
US20080273072A1 (en) 2003-11-17 2008-11-06 Jin-Koo Chung Apparatus for forming a thin film using an inkjet printing method
JP2011065967A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ用加熱乾燥装置

Family Cites Families (394)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3216858A (en) 1963-04-26 1965-11-09 Cons Edison Co New York Inc Method of purging gas-conduit tubing in gas-filled electric cables
US3251139A (en) 1965-03-10 1966-05-17 Us Dynamics Mfg Corp Dynamic insulating systems
US3498343A (en) 1966-12-13 1970-03-03 Lawrence R Sperberg Apparatus for inflating pneumatic tires with an inert gas
US3632374A (en) 1968-06-03 1972-01-04 Eastman Kodak Co Method of making photographic elements
US3670466A (en) 1970-08-03 1972-06-20 Metal Products Corp Insulated panel
JPS549294B2 (ja) 1972-02-16 1979-04-23
US3885362A (en) 1973-04-19 1975-05-27 Gordon J Pollock Modular noise abatement enclosure and joint seal
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
IT1116334B (it) 1977-12-28 1986-02-10 Olivetti & Co Spa Dispositivo di scrittura senza impatto ad emissione selettiva di particelle solide di inchiostro
JPS57135184A (en) 1981-02-17 1982-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Printer
US4409889A (en) 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
US4581478A (en) 1982-04-07 1986-04-08 Pugh Paul F Gas pressurized cable and conduit system
NL8203318A (nl) 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
US5202659A (en) 1984-04-16 1993-04-13 Dataproducts, Corporation Method and apparatus for selective multi-resonant operation of an ink jet controlling dot size
JPS6144034A (ja) 1984-08-07 1986-03-03 Omron Tateisi Electronics Co 車両のスイツチ制御装置
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPS6298783A (ja) 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US4751531A (en) 1986-03-27 1988-06-14 Fuji Xerox Co., Ltd. Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus
EP0257633B2 (en) 1986-08-27 1995-01-25 Hitachi, Ltd. Heat transfer process and heat transfer ink sheet for use in the process
DE3715533C2 (de) 1987-05-09 1997-07-17 Krieger Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Schwebendführen von Materialbahnen
US5041161A (en) 1988-02-24 1991-08-20 Dataproducts Corporation Semi-solid ink jet and method of using same
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5141918A (en) * 1988-04-22 1992-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate
JP2575205B2 (ja) 1989-01-13 1997-01-22 キヤノン株式会社 インクタンク
DE3901042A1 (de) 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2836749B2 (ja) 1989-05-09 1998-12-14 株式会社リコー 液体噴射記録ヘッド
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
JPH05218176A (ja) 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US6189989B1 (en) 1993-04-12 2001-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Embroidering using ink jet printing apparatus
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
DK85093D0 (da) 1993-07-16 1993-07-16 Landsforeningen Til Kraeftens Method and apparatus for performing operations
US5344365A (en) 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5405710A (en) 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5623292A (en) 1993-12-17 1997-04-22 Videojet Systems International, Inc. Temperature controller for ink jet printing
US5633133A (en) 1994-07-14 1997-05-27 Long; David M. Ligation with hammerhead ribozymes
US5801721A (en) 1994-09-09 1998-09-01 Signtech U.S.A. Ltd. Apparatus for producing an image on a first side of a substrate and a mirror image on a second side of the substrate
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
JPH08118641A (ja) 1994-10-20 1996-05-14 Canon Inc インクジェットヘッド、インクジェットヘッドカートリッジ、インクジェット装置およびインクが再注入されたインクジェットヘッドカートリッジ用インク容器
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
JP3575103B2 (ja) 1995-02-17 2004-10-13 ソニー株式会社 記録方法
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
US6086196A (en) 1995-04-14 2000-07-11 Sony Corporation Printing device
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US6586763B2 (en) 1996-06-25 2003-07-01 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP3460500B2 (ja) 1997-03-14 2003-10-27 株式会社荏原製作所 気体の清浄装置とそれを用いた密閉空間の清浄方法及び密閉空間
US5956051A (en) 1997-05-29 1999-09-21 Pitney Bowes Inc. Disabling a mailing machine when a print head is not installed
JP3737604B2 (ja) * 1997-06-03 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US5865860A (en) 1997-06-20 1999-02-02 Imra America, Inc. Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6095630A (en) 1997-07-02 2000-08-01 Sony Corporation Ink-jet printer and drive method of recording head for ink-jet printer
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR100232852B1 (ko) 1997-10-15 1999-12-01 윤종용 잉크젯 프린터 헤드 및 이의 제조방법
US6086679A (en) 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US5947022A (en) 1997-11-07 1999-09-07 Speedline Technologies, Inc. Apparatus for dispensing material in a printer
US6453810B1 (en) 1997-11-07 2002-09-24 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for dispensing material in a printer
US6065825A (en) 1997-11-13 2000-05-23 Eastman Kodak Company Printer having mechanically-assisted ink droplet separation and method of using same
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6326224B1 (en) 1998-04-27 2001-12-04 Motorola, Inc. Method of purifying a primary color generated by an OED
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
TW399344B (en) 1998-09-09 2000-07-21 Jan Shr Shiung High intensity light emitting diode (LED) and the manufacturing method thereof
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6086195A (en) 1998-09-24 2000-07-11 Hewlett-Packard Company Filter for an inkjet printhead
GB9822963D0 (en) 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
US6023899A (en) 1998-11-03 2000-02-15 Climatecraft Technologies, Inc. Wall panel assembly with airtight joint
TW442891B (en) 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
US6250747B1 (en) 1999-01-28 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Print cartridge with improved back-pressure regulation
JP2000223548A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Toshiba Corp 表示装置の製造装置
US6228171B1 (en) 1999-01-29 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd. Heat processing apparatus
EP1175276B1 (en) 1999-04-07 2004-06-23 MV Research Limited Material inspection
US6203151B1 (en) 1999-06-08 2001-03-20 Hewlett-Packard Company Apparatus and method using ultrasonic energy to fix ink to print media
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6444400B1 (en) 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4827294B2 (ja) 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
KR100319772B1 (ko) 1999-12-02 2002-01-09 오길록 유기물 마이크로 공진 레이저
US6312083B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Xerox Corporation Printhead assembly with ink monitoring system
US6276782B1 (en) 2000-01-11 2001-08-21 Eastman Kodak Company Assisted drop-on-demand inkjet printer
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
WO2001062378A2 (en) 2000-02-22 2001-08-30 Genospectra, Inc. Microarray fabrication techniques and apparatus
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
JP2001326162A (ja) * 2000-05-17 2001-11-22 Canon Inc 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
KR100408269B1 (ko) 2000-07-20 2003-12-01 삼성전자주식회사 잉크제트 프린트헤드
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002069650A (ja) 2000-08-31 2002-03-08 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
US6601936B2 (en) 2000-11-14 2003-08-05 Cypress Semiconductor Corp. Real time adaptive inkjet temperature regulation controller
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
DE10061628B4 (de) 2000-12-11 2006-06-08 Leica Microsystems Wetzlar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ergreifen und Transportieren von Wafern
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6513903B2 (en) 2000-12-29 2003-02-04 Eastman Kodak Company Ink jet print head with capillary flow cleaning
ATE402017T1 (de) 2001-02-09 2008-08-15 Seiko Epson Corp Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung, steuerungs- und tintennachfüllsverfahren in der vorrichtung ausgeführt, tintenversorgungssystem in der vorrichtung, und verwaltungsverfahren der von dem system versorgt tintenmenge
US6629756B2 (en) 2001-02-20 2003-10-07 Lexmark International, Inc. Ink jet printheads and methods therefor
US6688798B2 (en) 2001-02-27 2004-02-10 Incumed, Inc. Adjustable locking mount and methods of use
US6472962B1 (en) 2001-05-17 2002-10-29 Institute Of Microelectronics Inductor-capacitor resonant RF switch
JP2003007800A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
JP4448649B2 (ja) 2001-08-10 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 インクセット及びインクジェット記録方法
US6878636B2 (en) 2001-08-27 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Method for enhancing substrate processing
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US7404862B2 (en) 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US6562405B2 (en) 2001-09-14 2003-05-13 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
JP2007175703A (ja) 2001-09-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
US6460972B1 (en) 2001-11-06 2002-10-08 Eastman Kodak Company Thermal actuator drop-on-demand apparatus and method for high frequency
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
US6939212B1 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
JP2003257654A (ja) 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP3979113B2 (ja) 2002-02-12 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US7081912B2 (en) 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
JP2003270417A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 屈折率周期構造体およびその製造方法
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US7133905B2 (en) 2002-04-09 2006-11-07 Akamai Technologies, Inc. Method and system for tiered distribution in a content delivery network
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4954434B2 (ja) 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
DE10224128A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
JP4354675B2 (ja) 2002-06-04 2009-10-28 ローツェ株式会社 薄板状電子部品クリーン移載装置および薄板状電子製品製造システム
US7135265B2 (en) 2002-06-10 2006-11-14 Seiko Epson Corporation Production method of toner, toner, and toner producing apparatus
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US7008209B2 (en) 2002-07-03 2006-03-07 Therics, Llc Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040009304A1 (en) 2002-07-09 2004-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh Process and tool with energy source for fabrication of organic electronic devices
US6811896B2 (en) 2002-07-29 2004-11-02 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with thick (100 to 250 nanometers) porphyrin buffer layer
JP4008387B2 (ja) 2002-08-02 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP3690380B2 (ja) 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
US7086917B2 (en) 2002-08-12 2006-08-08 National Research Council Of Canada Photoresist mask/smoothing layer ensuring the field homogeneity and better step-coverage in OLED displays
WO2004021784A1 (en) 2002-09-03 2004-03-18 Bioprospect Limited Eremophilone and eremophilone derivatives for pest control
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機ｅｌ表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
SE523667C2 (sv) 2002-09-20 2004-05-11 Alstom Switzerland Ltd Förfarande och anordning för avskiljning av gasformiga föroreningar från varma gaser medelst partikelformigt absorbentmaterial samt blandare för befuktning av absorbentmaterialet
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
US6666548B1 (en) 2002-11-04 2003-12-23 Eastman Kodak Company Method and apparatus for continuous marking
JP4313026B2 (ja) 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機ｅｌパネルの製造装置及び製造方法
AU2003277541A1 (en) 2002-11-11 2004-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating light emitting device
JP2004171845A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Seiko Epson Corp ワーク搬送装置及びこれを備えるワーク処理装置
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US6896346B2 (en) 2002-12-26 2005-05-24 Eastman Kodak Company Thermo-mechanical actuator drop-on-demand apparatus and method with multiple drop volumes
JPWO2004064453A1 (ja) * 2003-01-10 2006-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及びその作製方法
US6861800B2 (en) 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2004247111A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Seiko Epson Corp 長尺体配設構造、液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP4294360B2 (ja) 2003-04-11 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 ニス塗布方法、ニス塗布装置および印刷機
US20040206307A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
JP2004363560A (ja) 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2005078911A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sharp Corp パターニングが施された基板およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US20050079278A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
ATE383733T1 (de) 2003-11-18 2008-01-15 3M Innovative Properties Co Elektrolumineszenzbauelemente und verfahren zur herstellung von elektrolumineszenzbauelementen mit einem farbwandlungselement
US7759127B2 (en) 2003-12-05 2010-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Organic materials able to detect analytes
JP4801346B2 (ja) 2003-12-26 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
TWI270311B (en) * 2004-01-06 2007-01-01 Delta Optoelectronics Inc The film fabricating method of the organic electroluminescent device and the film forming apparatus thereof
JP2005218899A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
SG150506A1 (en) 2004-02-13 2009-03-30 Univ North Carolina State Functional materials and novel methods for the fabrication of microfluidic devices
KR100590545B1 (ko) 2004-02-27 2006-06-19 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트헤드의 구동 방법
US7410240B2 (en) 2004-03-04 2008-08-12 Fujifilm Corporation Inkjet recording head and inkjet recording apparatus
JP2005254038A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Neomax Co Ltd リニアモータ駆動ステージ及びそれを用いた機能性薄膜用製造装置、並びにｚ軸リニアモータ
KR20070006768A (ko) 2004-03-17 2007-01-11 코레플로우 사이언티픽 솔루션스 리미티드 비접촉 열 플랫폼
GB2412088B (en) 2004-03-19 2007-09-19 Zipher Ltd Liquid supply system
WO2005093120A1 (ja) 2004-03-29 2005-10-06 Tokyo Electron Limited 成膜装置および成膜方法
JP4423082B2 (ja) 2004-03-29 2010-03-03 京セラ株式会社 ガスノズルおよびその製造方法とそれを用いた薄膜形成装置
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
WO2005099350A2 (en) 2004-04-14 2005-10-27 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact support platforms for distance adjustment
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
TWI250559B (en) 2004-07-09 2006-03-01 Innolux Display Corp Coating apparatus and coating method using the same
JP4805555B2 (ja) 2004-07-12 2011-11-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7431435B2 (en) 2004-08-06 2008-10-07 Matthew Grant Lopez Systems and methods for varying dye concentrations
JP4802467B2 (ja) 2004-09-09 2011-10-26 ブラザー工業株式会社 インクジェットプリンタ
JP2006085933A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
JP2006120382A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造装置及び方法、並びに電気光学装置及び電子機器
KR100668309B1 (ko) 2004-10-29 2007-01-12 삼성전자주식회사 노즐 플레이트의 제조 방법
US7374984B2 (en) 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
US7657368B2 (en) 2004-11-08 2010-02-02 General Motors Company System and method for large route data handling within a telematics communication system
WO2006052919A1 (en) 2004-11-08 2006-05-18 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US20080308037A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for thermal jet printing
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
JP4459037B2 (ja) 2004-12-01 2010-04-28 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
JP4691975B2 (ja) 2004-12-08 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 ワークギャップ調整方法、ワークギャップ調整装置、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
EP1825332A1 (en) 2004-12-14 2007-08-29 Radove GmbH Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
US7883832B2 (en) 2005-01-04 2011-02-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for direct referencing of top surface of workpiece during imprint lithography
KR100685806B1 (ko) 2005-01-17 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
JP4413789B2 (ja) 2005-01-24 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および塗布処理装置
JP4780983B2 (ja) * 2005-03-17 2011-09-28 株式会社アルバック 有機ｅｌ素子製造方法
US7406761B2 (en) 2005-03-21 2008-08-05 Honeywell International Inc. Method of manufacturing vibrating micromechanical structures
DE202005005902U1 (de) 2005-04-07 2005-06-16 M + W Zander Facility Engineering Gmbh Gerät zur Handhabung und/oder Behandlung von Erzeugnissen
JP4642533B2 (ja) 2005-04-08 2011-03-02 キヤノン株式会社 画像形成システムおよび該システムの記録制御方法
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US8007927B2 (en) 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
EP1902462B1 (en) 2005-07-13 2012-06-13 Fujifilm Dimatix, Inc. Fluid deposition cluster tool
CN101243543A (zh) 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
JP2007030464A (ja) 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Holdings Corp 画像形成装置
WO2007016689A1 (en) 2005-08-02 2007-02-08 New Way Machine Components, Inc. Method and apparatus for in-line processing and immediately sequential or simultaneous processing of flat and flexible substrates through viscous shear in thin cross section gaps for the manufacture of micro-electronic circuits or displays
JP2007050565A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp インク供給装置、インクジェット記録装置及びインクカートリッジ
ATE552918T1 (de) 2005-08-24 2012-04-15 Brother Ind Ltd Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von schichten und herstellungsverfahren für einen piezoelektrischen aktuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20070059459A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Haixin Yang Ink jet printable hydrogel for sensor electrode applications
JP2007076168A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 液体吐出ヘッド及び画像形成装置
KR20080059207A (ko) 2005-09-15 2008-06-26 코레플로우 사이언티픽 솔루션스 리미티드 컨베이어의 컨베잉 성능을 향상시키는 기구 및 방법
JP2007095343A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 印刷物の製造方法および印刷物
TWI322521B (en) * 2005-09-27 2010-03-21 Dainippon Screen Mfg Liquid material applying system
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Ｒｇｂ 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
JP2007122914A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置
US20070098891A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
US7657390B2 (en) 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants
US7677690B2 (en) 2005-11-22 2010-03-16 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus and liquid agitation method
US20070134512A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
KR20070079834A (ko) 2006-02-03 2007-08-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2007273093A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
JP2007299616A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子
KR20070106472A (ko) 2006-04-29 2007-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 분사 메커니즘을 갖는 파킹 구조물을 사용하여 잉크젯 인쇄헤드를 유지하기 위한 방법 및 장치
TW200803606A (en) 2006-06-13 2008-01-01 Itc Inc Ltd The fabrication of full color OLED panel using micro-cavity structure
KR100790557B1 (ko) 2006-06-23 2008-01-02 세메스 주식회사 선입선출을 하는 버퍼 시스템
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5148088B2 (ja) 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US7690881B2 (en) 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
KR100739309B1 (ko) 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
KR101308750B1 (ko) 2006-12-26 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
US8866377B2 (en) 2006-12-28 2014-10-21 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (OLED) structures
CN100553013C (zh) 2006-12-29 2009-10-21 清华大学 一种有机电致发光器件
EP2120510A4 (en) 2007-02-21 2012-05-30 Ulvac Inc DISPLAY DEVICE, APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
JP4942182B2 (ja) 2007-02-28 2012-05-30 株式会社第一興商 カラオケシステム
JP2008235010A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sony Corp 表示装置の製造方法
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
US20080238310A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Forrest Stephen R OLED with improved light outcoupling
US20090326703A1 (en) 2007-04-30 2009-12-31 Presley Bryan S Integrated miniature microelectronic device factory
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
JP4926246B2 (ja) 2007-05-16 2012-05-09 株式会社アルバック 有機ｅｌ装置の製造装置
US7612971B2 (en) 2007-06-15 2009-11-03 General Electric Company Micro-electromechanical system based switching in heating-ventilation-air-conditioning systems
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP5018317B2 (ja) * 2007-07-31 2012-09-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US9023249B2 (en) 2010-05-06 2015-05-05 Immunolight, Llc Adhesive bonding composition and method of use
US20090056116A1 (en) * 2007-08-07 2009-03-05 Micro Foundry Inc. Integrated miniature device factory
KR100899423B1 (ko) 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
KR101404546B1 (ko) 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4600483B2 (ja) 2008-01-28 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法
US20090220680A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 Winters Dustin L Oled device with short reduction
JP2009248918A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Autonetworks Technologies Ltd 画像表示装置、画像表示方法及びコンピュータプログラム
JP5005831B2 (ja) 2008-04-22 2012-08-22 ユーリヴィチ ミラチェブ、ウラジスラフ 紫外線によって物質を硬化させる方法
US20090295857A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink jet printing apparatus
KR101005880B1 (ko) 2008-06-04 2011-01-06 세메스 주식회사 컨베이어 타입의 다단 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리장치 및 그의 처리 방법
JP5658858B2 (ja) 2008-06-10 2015-01-28 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20090308860A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Short thermal profile oven useful for screen printing
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US20090324368A1 (en) 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
US20100018548A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Superimposition of rapid periodic and extensive post multiple substrate uv-ozone clean sequences for high throughput and stable substrate to substrate performance
WO2010010855A1 (ja) 2008-07-22 2010-01-28 昭和電工株式会社 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4954162B2 (ja) 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
JP4720890B2 (ja) 2008-09-26 2011-07-13 ブラザー工業株式会社 液体吐出装置
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
US20100188457A1 (en) 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
KR101574147B1 (ko) 2009-01-20 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 헤드 및 그 잉크 공급 방법
US20100195083A1 (en) 2009-02-03 2010-08-05 Wkk Distribution, Ltd. Automatic substrate transport system
EP2406813A4 (en) 2009-03-09 2012-07-25 Du Pont METHOD FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER
JP2012525505A (ja) 2009-05-01 2012-10-22 カティーヴァ、インク． 有機蒸発材料印刷の方法および装置
JP2010267399A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Panasonic Corp 塗布装置
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US8714731B2 (en) 2009-07-31 2014-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet ink and intermediate transfer medium for inkjet printing
KR101692043B1 (ko) * 2009-08-18 2017-01-03 다이덴 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 신규 알코올 가용성 인광 발광 재료
CA2763376C (en) 2009-08-21 2014-06-10 Silverbrook Research Pty Ltd Continuous web printer with short media feed path
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
KR101104185B1 (ko) 2009-10-09 2012-01-09 주식회사 프로텍 웨이퍼 후면 코팅 장치
US8967772B2 (en) 2009-10-22 2015-03-03 Memjet Technology Ltd. Inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
JP5548426B2 (ja) 2009-10-29 2014-07-16 株式会社日立製作所 インクジェット塗布装置及び方法
KR20120106766A (ko) 2009-11-20 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101099729B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-28 세메스 주식회사 선회류 유닛을 이용한 에어 플로팅 스테이지 장치
KR20120093333A (ko) 2009-11-27 2012-08-22 카티바, 인크. 회전 공급원을 사용하는 필름 증착 방법 및 장치
JP5577685B2 (ja) 2009-12-15 2014-08-27 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
KR101099555B1 (ko) 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5423706B2 (ja) * 2010-03-15 2014-02-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ照明、及び有機ｅｌ表示装置
CN102821869B (zh) 2010-03-26 2015-06-24 夏普株式会社 成膜装置和成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
TW201208893A (en) 2010-05-17 2012-03-01 Silverbrook Res Pty Ltd Apparatus for assisting printing having proximal wick
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
KR101729789B1 (ko) 2010-06-30 2017-04-24 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널과 그 제조 방법
KR101208262B1 (ko) 2010-06-30 2012-12-04 (주)에이티엘 글래스 검사 장치
KR101871694B1 (ko) 2010-07-01 2018-06-27 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 Ｏｖｊｐ 프린트 헤드 위치의 가스 쿠션 컨트롤 방법 및 장치
KR101137700B1 (ko) 2010-09-01 2012-04-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
WO2012029936A1 (ja) * 2010-09-03 2012-03-08 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN201812332U (zh) 2010-09-27 2011-04-27 杭州杰马电子有限公司 自助式银行回单打印机
JP5560155B2 (ja) 2010-09-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
CN103168005A (zh) 2010-10-13 2013-06-19 朋友国际株式会社 水电解处理装置
KR101182172B1 (ko) 2010-10-18 2012-09-12 에이피시스템 주식회사 플렉서블 액정 디스플레이 제조장치
JP6109744B2 (ja) 2010-11-12 2017-04-05 インセルディーエックス・インコーポレーテッド 子宮頸部細胞の浮遊試料から、対象が子宮頸部上皮内腫瘍（ｃｉｎ）病変を有するかどうかを予測するための方法およびシステム
CN104808270B (zh) 2010-12-04 2017-08-15 3M创新有限公司 照明组件及其形成方法
US9487010B2 (en) 2010-12-15 2016-11-08 Electronics For Imaging, Inc. InkJet printer with controlled oxygen levels
KR101114916B1 (ko) 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5716752B2 (ja) 2010-12-27 2015-05-13 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
KR101807196B1 (ko) 2011-05-18 2017-12-12 주식회사 탑 엔지니어링 평판디스플레이용 패널이송장치
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US9012892B2 (en) * 2011-06-21 2015-04-21 Kateeva, Inc. Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device
JP5520258B2 (ja) 2011-06-29 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 色素吸着装置及び色素吸着方法
US20130005076A1 (en) 2011-06-29 2013-01-03 Kateeva, Inc. Thermal jet printhead
CN103620812B (zh) 2011-07-01 2018-05-04 科迪华公司 用于将载体液体蒸汽从墨分离的设备和方法
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
KR20190101506A (ko) 2011-08-09 2019-08-30 카티바, 인크. 하향 인쇄 장치 및 방법
CN102983289B (zh) 2011-09-06 2016-12-21 应用材料公司 用于无掩模封装的方法
CN102328317A (zh) 2011-09-08 2012-01-25 杭州泰林生物技术设备有限公司 一种软舱体隔离器
SG11201505099TA (en) * 2011-09-29 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP2013109836A (ja) 2011-11-17 2013-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネルの封止装置
KR20240036145A (ko) 2011-12-22 2024-03-19 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN107029931B (zh) 2011-12-22 2020-11-03 科迪华公司 气体封闭系统
KR20130079682A (ko) 2011-12-30 2013-07-11 엘아이지에이디피 주식회사 전자종이 표시소자 제조방법 및 제조장치
US9449825B2 (en) * 2012-02-03 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
TWI725303B (zh) 2012-02-10 2021-04-21 美商布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
JP5874427B2 (ja) 2012-02-14 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 部品検査装置、及び、ハンドラー
JP2013206858A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Shibaura Mechatronics Corp 紫外線硬化膜の形成方法及び装置
US8840218B2 (en) 2012-05-02 2014-09-23 Eastman Kodak Company Multi-zone condensation control method
JP5304922B1 (ja) 2012-05-09 2013-10-02 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
JP6181358B2 (ja) 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機ｅｌ素子の有機機能膜の積層体の製造方法
JP5529220B2 (ja) 2012-08-16 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造方法
EP3340278A1 (en) 2012-11-30 2018-06-27 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
CN105818540B (zh) 2012-12-19 2018-06-05 科迪华公司 气体封闭组件和系统
US9033480B2 (en) 2013-03-06 2015-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company System and process for liquid replenishment for a printing apparatus for depositing a liquid composition on a backplane
KR102267858B1 (ko) 2013-03-13 2021-06-22 카티바, 인크. 가스 인클로저 시스템 및 보조 인클로저를 이용하는 방법
JP6328434B2 (ja) 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP2014191337A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd 画像表示体および物品
JP5880485B2 (ja) 2013-05-13 2016-03-09 住友金属鉱山株式会社 成膜装置およびこれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法
US9460949B2 (en) * 2013-10-11 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Ultra-low oxygen and humility loadport and stocker system
US20150118012A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Lam Research Corporation Wafer entry port with gas concentration attenuators
KR101878084B1 (ko) * 2013-12-26 2018-07-12 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
CN107611287A (zh) 2014-01-21 2018-01-19 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
CN106233449B (zh) 2014-04-30 2019-07-12 科迪华公司 用于衬底涂覆的气垫设备和技术
JP6592019B2 (ja) 2014-07-18 2019-10-16 カティーバ， インコーポレイテッド マルチゾーン循環および濾過を利用するガスエンクロージャシステムおよび方法
WO2017087337A1 (en) 2015-11-16 2017-05-26 Kateeva, Inc. Systems and methods for thermal processing of a substrate
JP6122201B1 (ja) 2016-10-28 2017-04-26 中島　秀夫 車椅子の人の介護補助力を測定できるリハビリ歩行器。

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241751A (ja) 2002-04-22 2004-08-26 Seiko Epson Corp 薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
US20080273072A1 (en) 2003-11-17 2008-11-06 Jin-Koo Chung Apparatus for forming a thin film using an inkjet printing method
WO2006041240A1 (en) 2004-10-11 2006-04-20 Doosan Dnd Co., Ltd. Large-size oled manufacturing apparatus using ink- jet printing techniques and low molecule thermal deposition techniques
JP2007095377A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布システム
JP2011065967A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ用加熱乾燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3087623A4 (en) 2017-05-31
TW201727967A (zh) 2017-08-01
JP7341538B2 (ja) 2023-09-11
US20170004983A1 (en) 2017-01-05
EP3087623A1 (en) 2016-11-02
EP3787016A1 (en) 2021-03-03
JP6392874B2 (ja) 2018-09-19
CN111490185A (zh) 2020-08-04
JP2020123594A (ja) 2020-08-13
EP3787016B1 (en) 2023-09-20
KR101878084B1 (ko) 2018-07-12
US11107712B2 (en) 2021-08-31
WO2015100375A1 (en) 2015-07-02
KR101970449B1 (ko) 2019-04-18
CN105900258A (zh) 2016-08-24
US10468279B2 (en) 2019-11-05
TW201537804A (zh) 2015-10-01
JP2022060233A (ja) 2022-04-14
JP2017510931A (ja) 2017-04-13
TWI663762B (zh) 2019-06-21
JP2019003944A (ja) 2019-01-10
TWI584514B (zh) 2017-05-21
US20200013649A1 (en) 2020-01-09
US20210358783A1 (en) 2021-11-18
KR20180081832A (ko) 2018-07-17
JP6758745B2 (ja) 2020-09-23
KR20160102497A (ko) 2016-08-30
EP3087623B1 (en) 2021-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7018215B2 (ja) 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
JP6955790B2 (ja) 電子デバイスのカプセル化のための装置および技術
US11338319B2 (en) Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200521

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20200703

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20200825

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7018215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150