TWI344325B - Inductor and electric power supply using it - Google Patents

Inductor and electric power supply using it Download PDF

Info

Publication number
TWI344325B
TWI344325B TW096115327A TW96115327A TWI344325B TW I344325 B TWI344325 B TW I344325B TW 096115327 A TW096115327 A TW 096115327A TW 96115327 A TW96115327 A TW 96115327A TW I344325 B TWI344325 B TW I344325B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit board
inductor
printed circuit
conductor
magnet
Prior art date
Application number
TW096115327A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200803644A (en
Inventor
Yasuhiko Mano
Takashi Karita
Shinobu Kato
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Publication of TW200803644A publication Critical patent/TW200803644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI344325B publication Critical patent/TWI344325B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4046—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections using auxiliary conductive elements, e.g. metallic spheres, eyelets, pieces of wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F5/00—Coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H01F17/06—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0233—Filters, inductors or a magnetic substance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H01F2017/002—Details of via holes for interconnecting the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H01F17/06—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
    • H01F2017/065—Core mounted around conductor to absorb noise, e.g. EMI filter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/08—Magnetic details
    • H05K2201/083—Magnetic materials
    • H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09581—Applying an insulating coating on the walls of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

1344325 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電感器及利用其之電源電路，進一步 具體而言，係關於安裝於印刷基板上之LSI(Large Scale Integration，大塑積體電路）用電源電路之平流電路中所使 用的電感器及利用其之電源電路。 【先前技術】 目前，電子設備中所使用之LSI等半導體裝置，為了同 時達成向性旎化與低電力化’而使聪動電壓降低至1伏左 右非常低的值為止。為對上述LSI負載提供驅動電力 > 必 須提供將交流電源整流為直流並且分幾個階段降低電壓之 電力。對於上述用途，一般而言’使用轉換效率優良之 DC-DC(directcurrent-directcurrent，直流對直流）轉換器， 但必須使用平流電路來抑制輸出中之雜訊。 構成該平流電路之元件，主要藉由電感器與電容器而構 成，但主流是兩者均為表面安裝零件。繼而，於將上述表 面安裝零件搭載於印刷基板上之情形時，需要固定大小之 安裝面積。 [專利文獻1]曰本專利特開平1-3 12885 "電感器埋入電 路基板”（1989年12月18日公開） 專利文獻1中揭示有以下電感器 > 如圊1及2所示，將圓 同狀鐵氧體20埋入通孔丨8，進而將導體以插入圓筒狀鐵氧 體20之通孔22。 然而，上述構造中，細微地覲察，與下述”包括導體、 I202i9.doc 及不與》亥導體空開間隙而密著之磁體之電感器"不同，立 於；體與磁體之間存在空隙’從而無法獲得較大的電感。 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 此處’於實現電子設備之小型化·高密度安裝化方面， 構成平流電路之表面安裝零件存在相對於印刷基板之安裝 面積較大的問題。又’亦存在成本高之問題。
此軚理想的是，開發出安裝面積較小的零件（電感 器、電容器）。 〜 [解決問題之技術手段] 因此，本發明之目的在於提供一種新穎的電感器及其製 造方法。 進而，本發明之目的在於提供一種利用新穎的電感器之 電源電路。 鑒於上述目的，本發明之電感器包括具有貫通孔之磁 體以及形成於上述貫通孔表面上之導體，且構成電源電 路之一部分。 進而’上述電感器中’上述導體亦可由銅而形成。 進而’上述電感器中’上述導體亦可由大體圓柱狀之銅 而形成。 進而’上述電感器中，上述導體亦可由實際上中空之圓 柱狀之銅而形成。 進而’上述電感器中，上述磁體亦可係大體包圍上述導 體之形狀。 120219.doc 進而’上述電子設備中’上料“亦可包括：於上述 基板之厚度方向延伸且具有貫通孔之磁體；以及形成於上 述貫通孔表面上之導體。 進而’上述電子設備中’亦可於上述基板上設置複數組 上述電源電路。 進而，本發明之製造電感器之方法，準備於長度方向上 延伸之磁體，於上述磁體之軸方向上開通貫通孔，對上述 貫通孔之内面進行金屬鍍敷後，製造上述磁體與該金屬密 著之電感器。 進而，上述製造電感之方法中，i述金屬鍵敷亦可係 鍍銅。 進而，上述製造電感器之方法中，上述磁體亦可由鐵氧 體而形成。 進而，上述製it電感$之方法中，上述磁體亦可由包含 磁體與非磁體之複合材料而形成。 進而，本發明之將電感器組裝至基板之方法，包括以下 各步驟：準備於長度方向上延伸之磁體’準備對該磁體之 軸方向上的貫通孔之内面進行金屬鍍敷後而製造出的電感 器，於基板上開通貫通孔，將上述電感器插入上述貫通 孔，利用樹脂填充於上述電感器與上述基板之間而進行固 亦可進而包 上述電感器 進而’上述將電感器組裝至基板之方法中 括將樹脂填充於上述電感器之貫通孔之步驟 進而’上述將電感器組裝至基板之方法中 120219.doc 1344325 亦可利用金屬堵塞貫通孔之兩端。 • 進而’上述將電感器組裝至基板之方法t，亦可進而包 .·括以下步驟：於將上述電感器固定於上述基板上之後，= .該基板表面及該電感器之貫通孔内面進行鍍鋼處理，使該 基板表面及該電感器之貫通孔内面圖案化。 Λ 進而，本發明之將電感器組裝至基板之方法，包括以下 各步驟：準備圓筒狀磁體，於基板上開通貫通孔，將上述 • 4㈣人上述貫通孔’利用樹脂填充於上述電感器與上述 基板之間而進行固定，對上述基板表面及上述磁體之貫通 孔内面進行鍍銅處理，使該基板表面及該電感器之貫通孔 内面圖案化。 進而上述將電感器組裝至基板之方法中，亦可進而包 括將樹脂填充於上述電感器之貫通孔之步驟。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種新穎的電感器及其製造方法。 ® 進而，根據本發明，可提供一種利用了新穎的電感器之 電源電路。 【實施方式】 • 以下，—面參照隨附圖示，一面對本發明之電感器及利 用其之電源電路之實施形態加以詳細說明。再者，該實施 形態為例示，故並不對本發明有任何限定。又，於圖_， 對相同要素附加相同符號，並省略重複說明。 [安裝有電源電路之電子設備] (構成） 120219.doc 1344325 圖1 ϋ表示包括具有電源電路之印刷基板之電子設備1之 構成圖。該電子設備1具備封裝體（ΡΚ)2、以及搭載有封裝 體（ΡΚ)2之母板（ΜΒ)4，兩者例如藉由銷接頭16而電性連 接。母板4包括適當的印刷基板，且適當大小之直流電壓 Vin自外部供給該導體電路14，並經由銷接頭16傳送至封 裝體2。 封裝體2包括適當的印刷基板，例如具備：芯材基板 1 3，分別形成於芯材基板1 3兩面之下層部絕緣層】5 u、 15d ;分別形成於下層部絕緣層15u、15(1之兩面上之上層 部絕緣層25u ' 25d ;以及根據期望而分別形成於上層部絕 緣層25υ、25d之兩面上之阻焊層35u、35d。於芯材基板13 上形成有導體電路52ιι、5 2d及連接該兩個導體之通孔導體 28。於下層部絕緣層15u、15d上形成有導體電路54u、54d 及導孔導體53u、53d。同樣，於上層部絕緣層25u、25d上 形成有導體電路56u、56d及導孔導體5%、5兄^較好的 是’芯材基板13藉由金屬鍍敷通孔法而形成，且下層部絕 緣層15u ' 15d及上層部絕緣層25u、25(1藉由增層法而形 成。 進而，封裝體2包括：基板埋入式電感器（L)1〇，以及形 成於導體電路52u-l、54u-l間之薄膜型電容器（c)8。又， 於封裝體2上，於表面側安裝有半導體裝置（Mpu Micr〇 Processor Unit，微處理器單元）6,且於背面側較好的是於 與MPU 6相對應之位置安裝有電源IC(pw IC)12。 薄膜型電容器（C)8係使介電體8插入於芯材基板導體電 I20219.doc -12· 1344325 路52u_1與下層部導體電路54u-l之兩導體電路間而形成之 薄膜型電容器，較好的是形成於MPU 6附近。關於基板埋 入式電感器（L)l〇與電源IC(PW IC)12，將於之後詳細進行 說明。
藉由包含該等薄膜型電容器（c)8、基板埋入式電感器 (L)10、及電源Ic(pw ic)12之全部或任1個之電路，構成對 MPU 6供電用之電源電路。自電源電路向Mpu 6之供電， 藉由形成於封裝體2上之導體電路（包含通孔導體、導孔導 體，下同）而進行。該電子設備丨中，自該電源電路之輸出 位置至作為負栽之Mpu6為止之距離，例如為丨爪爪以内， 非常短。因用於供電之導體電路長度非常短，故可抑制因 配線之寄生電阻或寄生電感而引起之電壓變動。 再者，基板埋入式電感器（L)l〇形成於封裝體2之芯材基 板Π之部分上，但亦可形成於封裝體2之一部分或整^ 上。然而，以下說明中，為了簡化說明，而列舉將基^埋
入式電感器am形成於s材基板13之部分之情 行說明。 .—u "'T、电崎（刃、 即，一組薄膜型電容器8、基板埋
Tr ^ 八電感态10及開關 1C 12)。於對MPU 6等之供電量較大 -^ 屛形時，亦可準備 複數、·且電源電路，並將該等並聯 電。於該情料，薄膜型電容器8、基= 電路分擔供 及電源K：(PWIC)12，僅分別準備需要之組數/電感器10 (電路及動作） I20219.doc 1344325 圖2係表示圖1之電子設備中所使用之電源電路3之基本 構成圖。該電源電路係將輸入直流電壓進行降壓4Dcdc 轉換Is。該DC-DC轉換器相對輸入電源Vin，串聯連接有 電源IC(PW 1〇12、埋入式電感器（L)1〇、以及作為負載之 MPU 6，進而，於負載河1>11 6之兩端並聯連接有薄膜型電 容ls(C)8。電源iC(PW IC)12包括開關元件（sw)9與二極體 (D)ll，且二極體丨丨作為與負載]^1>11 16並聯連接之續流二 極體而發揮作用。作為負載刪6用電源，開關元件 (SW)9之頻率為（μμομΗζ左右。 該DC-DC轉換器中，於前段，作為直流截波電路，藉由 電源IC(PW 1C) 12使輸入電壓Vin之週期τ與接通時間t⑽之 比率變化，來改變負載電壓之平均值，於後段，使其輸出 電壓平β化。此處，將負載之兩端所產生之電壓設為 Vout ° 圖2所示之〇(：_〇0：轉換器之基本動作如下，當電源 IC(PW IC)12接通時.，作為抗流線圈之埋入式電感器 (L)i〇 4膜型電容器（c)8、及作為負載之Mpu 6中流通有 電*此時，埋入式電感器（L)l〇與薄膜型電容器（C)8令儲 存有電磁。其次，當電源Ic(pw IC)12斷開時，則藉由 儲存於薄膜型電容器(c)8中之電磁能，而使作為負載之 MPU 6中電流繼續流通。同樣，儲存於埋入式電感器（叩〇 中之電磁把通過作為飛輪二極體之二極體⑴）Η而繼續流 田電源IC(PW IC)12再次接通時，二極體（D)ll經過反 °卜復㈣後’埋人式電感器（l)iq、薄膜型電容器（c)8及 I20219.doc 1344325 作為負載之MPU 6令流通有電流，且土里入式電感叫⑽與 薄膜型電谷器（C) 8中再次儲存有電磁能。 • 於該一系列動作中，施加於負載ΜΡϋ ό之電壓v〇ut包含 脈動机，且電壓·電流之脈動流由埋入式電感器（l)〗〇及薄 膜型電容器(C)8之電容而決定。此處，對於脈動流(電流變
• 動AIL)，預先規定有設計規格值，且為了使上述脈動流處 於《亥規格值α下，II由平流電路（包含埋入式電感器⑹W • 及薄膜型電容器（C)8之濾波電路）來對脈動流進行抑制。亦 即，即使輸入電壓Vin為間斷波形，也可藉由使直流電流 流通於二極體D1丨中而成為連續波形，使脈動流變小。進 而，越使埋入式電感器（L)1〇之電感變大，越可進一步使 直流電流平滑。 另 方面，該電源電路係用於驅動電壓為1伏左右之 MPU 1 6者，就上述低電壓而言，必須儘量避免由電阻而 引起之電壓降低。因此，作為埋入式電感器（L)] 〇，必須 • 為電阻值較小，而電感較大者，進而為了電子設備之小型 化·高密度安裝而必須為尺寸較小者。 ' 圖3(A)〜(D)係說明該等動作之電壓、電流之波形圖，任 軸均係時間軸t。圖3(A)表示開關元件（Sw)9為接通狀 態之情形之輸入直流電壓Vin，圖3(B)表示流通於埋入式 電感器（L)l〇中之電流江。只要開關元件（sw)9為接通狀 態’輸入直流電壓Vin及直流電流IL即為固定。 如圖3(C)所示，當開關元件（sw)9於週期τ、時間t〇n接 通時’相對於輸入電壓Vin之輸出電壓為輸入電壓vin間斷 1202I9.doc -15 - 1344325 之方形波。此時之輸入電壓之平均電壓變小為 Vout=(ton/T).Vin。 藉由埋入式電感器（L) 10與薄膜型電容器（c)8，對負載 MPU 16施加包含脈動流但連續之電壓。圖3(D)係流通於埋 入式電感器（L)10中之電流。該電流中，平均值為IL，avg， 脈動流為AIL。 [電感器] (構成） 圖4(A)係表示埋入式電感器10埋入於封裝體2中之狀態 的剖面圖。較好的是，儘量使電感器（L)1〇之電阻值降 低，儘量使電感增大，儘量使尺寸變小。一般而言，若使 導體長度變長則電感增加’但電阻亦增加。另一方面，藉 由於導體附近放置磁體而使電感增加。 因此，本發明者採用金屬銅作為電感器用導體，且藉由 使長度變短而降低電阻值，並且藉由於附近配置磁體而使 電感增加。根據s亥觀點，本發明者提出分別於圖4(A)〜(c) 中所示之基板埋入型電感器1〇作為一實施形態。如上所 述，此處，就將電感器10形成於芯材基板13之部分之情形 進行說明，但亦可形成於封裝體2整體或其一部分上。 圖4(A)所示之埋入式電感器（L)1 〇由導體（c〇n.)32及芯材 (c〇re)30而形成，且通孔銅之内部為中空34，其中上述導 體（c〇n.)32由通孔銅而構成，上述芯#(c〇re)3〇包括包圍導 肢（con. )3 2周圍之圓筒狀鐵氧體。藉由於導體中形成中 空34，來釋放因導體32與芯材3()之間的熱膨脹之差而產生 120219.doc -16 - 1344325 之應力。 埋入式電感器1 〇配置於芯材基板丨3上所開通之貫通孔27 中’且周圍由樹脂38而覆蓋。以堵塞埋入式電感器1〇之兩 端面之開口的方式而形成有通道導體39，且分別與導體層 52u、52d連接。 圖4(B)表示其他實施形態之埋入式電感器（L)1〇，通孔導 體32與:S材基板表面之導體電路（構成形成於芯材基板之 表面上之配線、電源或接地圖案之大致面狀之導體電路， 或用以與進行與上層之導通的通孔導體連接之通孔岸道） 導通。通孔岸道不於芯材基板表面上再配線。 圖4(C)中’將填孔劑36填充於圖4(B)中之通孔導體32 内，進而形成阻塞填孔劑之蓋狀導體39。亦可於該蓋狀導 體3 9上形成通路孔導體。此處，作為填孔劑3 6，較好的是 低彈性之材料。因其可緩和因磁體、通孔導體、怒材基板 間之熱膨脹差而引起之應力。 (性能） 圖5B〜5D係表示使用了圖5A之鐵氧體之芯材埋入式電感 器1 〇之性能的圖表。首先，就使鐵氧體芯材之厚度改變之 情形進行討論。此處，將利用有機材料（FR_4)(相對磁導率 _ 1)形成芯材材料者作為比較例而加以表示。 圖5A係規定圖4之電感器（L)io之外形的圖。此處所示之 埋入式電感器之樣品中’如圖5 B所示，導體3 2及它材3 〇之 長度固定為lc〇n. = lcore=l mm，導體之半徑rc〇n亦固定為 =1 nrn。於該條件之下，使芯材半徑改變為rc〇re=〇 25〜2 1202I9.doc 1344325 另一方面，複合材料芯材之電感器30_2與鐵氧體芯材之 電感器30相比電感較低，但若與空心之電感器扣^相比則 高3倍左右，進而即使電流增加也具有維持固定值之特 性。 圖5D係將複合材料芯材之電感器3〇·2與鐵氧體芯材之電 感器30-1進行比較之Β·τ特性圖。此處，若使磁場強度上 升為0〜20,000 A/m，則鐵氧體芯材之電感3〇-1因相對磁導 率較高而急速磁化，立即引起磁性飽和。對此，複合材料 3材之電感30-2因相對磁導率較低，故不會引起磁性飽 和，而是與磁場強度大致成正比而磁化。該特性推測為以 下原因，於圖5C中，鐵氧體芯材之電感器3〇1之電感較 高’但若電流變高則飽和而緩慢降低，另一方面，複合材 料芯材之電感器3 0 - 2之電感較低，維持固定值。 因本實施形態之電感1 〇用於電源電路，故可能會流通 有較大的電流。當電流值較低時，較好的是電感較高的 鐵氧體芯材之電感器30-1。另一方面，於電流較大之情 形時（例如’為0.1 A以上或1 a以上之情形時），較好的 是，電感較低，但即使電流增加電感亦固定之複合材料 芯材之電感器30-2。當然，本發明者之最終的開發目標 在於開發一種電感高、且即使電流增加也可維持固定電 感之電感器。 本實施形態之電感器可用於（例如，於交換電源電路 中，為使交流電力直流化，或為自直流電流或低頻交流電 流中阻斷高頻成分）構成於高頻區域進行大電流之控制之 120219.doc 1344325 電源電路之一部分的電感器。 (電感器之形成方法） 圖6係對使用鐵氧體作為芯 成方法進行說明的圓。再者， 之情形亦大致相同。 材材料之情形的電感器之形 使用複合材料作為芯材材料 準備作為磁性材料之鐵氧體主體材料30(步驟υ。
其次’使該鐵氧體30成形並燒成為具有貫通孔31之 :(步驟2)。燒成後之圓筒狀鐵氧體3〇之尺寸，較好的是， 高度方向為0K0Q麵。鐵氧體材料之成形及燒成:件 為，燒成後之相對密度為95%以上，較好的是嶋以上。 此時，燒成後之鐵氧體30之相對磁導率為1〇〇〜15〇，飽和 磁化約為0.4 了（特士拉）。如此，形成芯材部分3q。再者， 亦可使鐵氧體成形並燒成為圓形形狀，之後，利用適當的 方法（例如，鑽孔）沿軸線開孔而形成。 其次，利用光阻膜覆蓋除貫通孔34外之圓筒狀鐵氧體3〇
之兩端面，藉由化學鍍銅法（無電解鍍銅）對鐵氧體表面（貫 通孔3 1之内周面）較薄地實施鍍銅，並藉由焦磷酸鍍銅法 (電解鍍銅）實施厚度20 μιΉ左右之鍍銅’從而形成導體 32(步驟3)。藉由利用金屬鍍敷於芯材部分3〇形成導體32， 使兩者成為不空開間隙而密著之關係。之後，將乾膜去 除。此時’於通孔導體32自芯材30突出時，進行研磨並將 之去除。 其次，如日本專利特開2000-232078(公開日2000年08月 22曰）所記載般，將通孔導體32作為陰極，使浸潰有金屬 I20219.doc -20· 1344325 鍵敷液之金屬鍍敷頭與基板表面接 — 成測定用塾32t(步驟4(a)及⑻)，-= 鍍Ni/AU。 了登32t之表面貫施 若以咅:面形狀觀察，則中空34、其周圍之導體32 圍之鐵氧體芯材30配置為同心圓 ° 四狀（χ-χ剖面圖）。圖 5(B〜⑼中，使阻抗分析器之微探針與該測定用墊 而進行測定。 啊
再者’圖5(B)〜(D)中，作為該鐵氡體芯材叫之其他形 態而表不之30-2中，取代鐵氧體而準備複合材料，比較例 中，取代鐵氧體而準備FR_4(難燃性環氧樹脂），且於相同 尺寸、相同步驟、相同條件下完成上述步驟⑴〜⑷。 (埋入基板之方法） 圖7A〜7C係分別說明將已形成之電感㈣埋入芯材基板 之方法的圖。再者’如上所述，亦可將電感器埋入封 裝體2之整體或—部分。
圖A所示之埋入方法中，於芯材&板i 3上，例如利用鑽 孔將電感器埋入用通孔27開通（步驟八_丨）。將於圖6之步驟 (1)〜(4a及4b)中所形成之電感器10插入該通孔（步驟Α_2)。 將樹脂38埋入式電感器1〇之周圍。該樹脂“較好的是於倒 裝晶片安裝中所使用之低CTE(C0efficient ^ Thermal
Expansion，熱膨脹係數）之底部填充樹脂。其次，利用雷 射將兩端面之樹脂38之中心部開孔而形成開口 38a(步驟a_ 3)。藉由無電解鍍銅及電解鍍銅形成場通道39，進而與封 裝體2之表面導體層52u、52d連接（步驟A_4)。較好的是， 120219.doc 1344325 亦可進而形成阻焊層作為絕緣層。 - 圊7B所示之埋入方法中，將附有銅落40之芯材基板13開 . 孔（步驟B-1)，插入電感器10(步驟B-2)，將樹脂埋入式^ ' 感器之周圍（步驟B-3)，實施無電解鍍銅及電解鍍鋼42(步 • 驟B-4a)’並進行圖案化（步驟B_5a)t>再者，亦可於（步驟 • B-3)之後，將填孔用樹脂填充於電感器之開口中（步驟b 4b)，實施無電解鍍銅及電解鍍銅42(步驟B_5a)，並進行圖 • 案化（步驟B~6a)。再者’芯材基板Π亦可為無銅结4〇者\ 圖7C所示之埋入方法係使用無銅箱4〇之芯材基板η，將 電感器10之芯材30插入基板後，形成導體32之例。將芯材 基板13開孔（步驟，插入已於圖6之（步驟ο、步驟2)中 形成之圓筒狀鐵氧體30(步驟c_2)，將樹脂埋入圓筒狀鐵氧 體30之周圍，實施無電解鍍銅及電解鍍銅心（步驟，並 進订圖案化（步驟C-4a)。再者，亦可於（步驟C3)之後，將 填孔用樹脂填充於電感器之開口中（步驟C4b)，實施無電 • 解鍍銅及電解鍍銅42(步驟c_5b)，並進行圖案化（步驟c_ 6b)。再者’芯材基板1 3亦可為有銅箔4〇者。 圖7A〜C之埋入方法中，亦可使用樹脂基板或陶瓷基板 ' 作為基板。 (印刷板製造方法） 圖8對圖1之電子設備丨之封裝體2及用作母板4的印刷基 板之製造方法進行簡單說明。作為多層印刷基板之製造方 法，眾所周知有金屬鍍敷通孔法與新式製程法。作為新式 製程法，存在金屬鍍敷法增層法、導電膏法增層法、增層 i202l9.doc -22- 1344325 轉印法、轉印法、柱狀金屬鍍敷增層法、以及同時積層法 等。進而，關於金屬鍍敷法增層法，亦可根據材料與開孔 法’分為附有樹脂之銅箔方式、熱硬化性樹脂方式、感光 性絕緣樹脂方式等。此處，按照本申請人較多採用之金屬 鍵敷法增層法之熱硬化性樹脂方式進行說明。 如圖8A所不’準備芯材基板13〇。該芯材基板π〇係藉由 金屬鍍敷通孔法而製造者。於玻璃布環氧樹脂銅張積層板 或玻璃布高对熱樹脂銅張積層板上形成内層導體圖案，並 將其準備所需張數，利用所謂預浸體之接著薄板進行積層 接著，形成1張板《對其進行開孔，利用金屬鍍敷通孔法 對孔内之壁面、表面進行金屬鍍敷136，連接内外導體 層。之後，製成表面圖案134，製造出芯材基板。該圖 中’為内層亦具有導體電路之多層芯、材基板，但亦可為兩 面芯材基板，上述兩面芯材基板將兩面銅張積層板作為起 始材料’力内層中並不設置導體電路，而利用通孔導體連 接内外之導體電路。 如圖8Β所示，於芯材基板13〇上形成絕緣層15“該絕緣 層150利用層壓法形成，±述㈣法塗佈餘物、或對膜 狀物進行加熱並利用真空進行壓接。 、 如圖8C所示，於絕緣層上利用雷射開設通孔他。 如圖8D所不，精由對孔内面及絕緣層表面實施無電解錄 鋼與電解鍵銅而使盆道 , ^ 導通此時，為使金屬鍍敷之密著性 提高，而對孔内面及絕緣層表面進行粗面化處理。 士圖8Ε所不’形成表面側之導體圖案"8。導體圖案之 U02l9.doc -23 - 1344325 形成中，進行全面進行電解鍍銅160之全板金屬鍍敷，並 於錢鋼之上表面形成抗餘劑，之後藉由姓刻形成導體圖 案158(移除式）。再者’亦可使用其他方法，例如，半追加 法、全追加法等。 如圖8F所不，同樣形成背面側之導體圖案丨。於該階 奴，形成有1層導體圖案，因此，僅將圖8B〜圖奸之步驟重 複預期次數。
如圖8G所示，此處藉由將圖8B〜圖8ρ之步驟進而重複一 次，來製造多層印刷基板。亦可根據所期望之情形，於最 外層上形成阻焊層（未圖示）。再者，圖8a〜g中並未明確， 但最外層之導體圓案258形成為可適應圖封裝體2及母 板4。之圖案。利用圖7⑷〜(c)中所說明之任一方法而將電 感益埋人已完成之封裝體2。相當於圖7(A)〜(c)之基板^ 者係圖8中之心材基板i 3G，或芯材基板上交替積層有層間 樹脂絕緣層與導體電路之印刷配線。若於圖购之時 刻，形成貫通150、130、15〇之貫通孔，並將利用圖 7(A) (C)之方法所形成之電感器埋入該貫通孔，則可將電 感器内置於整個芯材基板與層間樹脂絕緣層中。 [優點·效果] 本實施形態具有如下優點.效果。 (電感器） ⑴可提供直流電阻值較小之電感器。其係使用如金屬 銅般之電阻率較氏夕么；g n e -之金屬且長度（約！ mm)為基板厚度以下 之電感器，直流電阻值非常小。 120219.doc -24· 1344325 (2) 可提供電感係數較大之電感器。藉由使導體與磁體 構成為密著而不隔開間隙之關係，便可提高電感係數。 (3) 可提供尺寸較小的電感器β電感器例如半徑為 0.2 5〜2 mm，長度為1 mm左右，從而可提供尺寸較小的電 感器。 (4) 可提供可利用與印刷基板相同之製造步驟而形成之 電感器。電感器之製造步驟中，可利用與印刷基板相同之 製造步驟進行開孔、金屬鍍敷。 (5 )因電感係數較大，故可用於流動有〇. 1 a以上，較好 的是1 A以上之電流之電源電路之一部分。 (基板埋入式電感器） (1) 可提供基板埋入式電感器，其與表面安裝零件相 比，相對於印刷基板之安裝面積非常小。因係基板埋入 型，故亦可於其上方搭載其他表面安裝零件，安裝面積實 際上等於零。 (2) 可配置於負載附近。因係基板埋入塑，故亦可形成 於負載之安裝區域。例如，可埋入正下方之印刷配線板 或β材基板。 (3) 可提供可利用與印刷基板之製造步驟相同之製造步 驟而埋入之基板埋入式電感器。可利用與印刷基板相同之 製造步驟’對印刷基板進行開孔、插入、樹脂固定、開口 形成、通道形成、導體圖案形成。 (電子設備） (1)可提供於負載ΜΡυ之附近配置有電源電路之電子設 1202I9.doc -25- 1344325 備。自電源電路之輸出位置至負載Mpu為止之距離，例如 J :為1 _以内非常短’因此，可使用於供電之導體電路長度 .· # “丑'可抑制因配線之寄生電阻或寄生電感而引起之 . 電壓變動。 .示例具體例而進行說明。圖9係表示包括安裝有目前之 電源電路之印刷基板之電子設備〗〇〇的圖。該電子設備1 〇〇 包括封裝體（PK)200、以及搭載有該封裝體（ρκ)2〇〇之母板 # (MB)400，且兩者例如藉由銷接頭160而電性連接。 /成電源電路之電源IC i 20、電感器元件1及電容器 元件80均係表面安裝型個別零件，且必須分別搭載於印刷 基板之固定之搭載區域。因此，電子設備100中，該等表 面女裝型零件120、1〇〇、80安裝於母板MB 4〇〇之輸入電壓 Vin供電端部附近處。藉由形成於母板4〇0上之導體電路 140、銷接頭16〇及形成於封裝體2⑼上之導體電路（包含通 孔導體、通路孔導體）18〇、28〇等，而自電源電路向Mpu • 60供電。該電子設備1〇〇中，自電源電路之輸出位置至作 為負載之MPU 60為止之距離’例如為數〇111至1〇 cm，非常 •長。用於供電之導體電路長度非常長，因此，容易因配線 - 之寄生電阻或寄生電感而引起電壓變動。 若與圖9之目前之電子設備1〇〇進行比較，則明瞭圖玉之 本實施形態之電子設備！中電源電路與負載Mpu 6非常接 近0
[變形例等J 以上，對於本發明之基板埋入式電感器及利用其之電源 I20219.doc •26- 1344325 電路之實施形態進行了說明，但 ^ βΡ ^ ^ "寻你不例而已，並非任 了艮疋本發明者。孰来此 能…、έ …一此項技術者可谷易地對上述實施形 .. 广之追加·變更.改良等允許包含於本發明。本發明之 ,技術性範圍根據隨附之申請專利範圍之記載而決定。 义 . 【圖式簡單說明】 、 設備 ® 1係、表7F包括安裝有電源電路之印刷基板之 之構成圖。 路圖 • 圖2係表示圖1之電子設備中所使用之電源電路之電 之基本構成圖。 圖3(A)〜(D)係說明圖2之電源電路之動作之電壓、電流 的波形圓，且橫軸均係時間軸t。 圖4A係表示將埋入式電感器埋入於封襄之狀態 圖。 之將埋入式電感器埋入於封裝 圖4B係表示其他實施形態 之狀態的剖面圖。 # 圖化係表示進而其他實施形態之將埋入式電感器埋入於 封裝之狀態的剖面圊。 - 圖5A係規定圖4之電感器之外形的圖。 圖5B係將鐵氧體怒材與FR4芯材之電感器之電感進行比 較的圖表。 圖5C係將使電流向G G1〜1() a增加時之電感進行比較 圖。 圖5D係將複合材料芯材之電感器與鐵氧體芯材之電感器 進行比較之B-丁特性圖。 ~ 120219.doc -27· 1344325
圖6⑴、（2)、（3)、（4a)、（4b)係說明電感器之形成方法 之圖。 圖7A(A-1)〜(A_4)係說明將已形成之電感器埋入印刷基 板之方法的圖。 圖 TBAD〜(B_3)、（B_4a)、（B_4b)、（B 5a)、（B 5b)、 (B-6b)係說明將已形成之電感器埋人印刷基板之其他實施 形態之方法的圖。 圖 7C(C-1)〜(C_3)、（C_4a)、（c_4b)、（C 5b)、（c,係說 明將已形成之電感器埋人印刷基板之進而其他實施形態之 方法的圖。 圖8(A)〜（G)係說明圖1之電子言交備中所使用之印刷基板 之製造方法的圖。 圖9係表示包括安裝有目前之電源電路之印刷基板之電 子設備的圓。 【主要元件符號說明】
電子設備 封裝、PK 3 4 電源電路
母板、MB
6 ' MPU
8 ' C 10、 L 11、 D 12 ' PW 1C
半導體裝置 電容器、薄膜型電容器 電感器、基板埋入式電感器 二極體、續流二極體 電源1C I20219.doc •28 - 1344325
13 芯材基板 14 導體電路 16 銷接頭 18 層部導體電路 25 上層部導體電路 27 貫通孔 30 <15材 30-1 鐵氧體怎材 30-2 複合材料芯材 30-3 空心 31 貫通 32 導體 34 中空 36 填孔劑 38 樹脂 39 通道 40 銅络 42 鍍銅（無電解鍍銅及電解鍍銅） 44 填孔用樹脂 46 電解鍍銅 52u ' 52d ' 導體電路 54u ' 54d ' 56u ' 56d 53 ' 53 ' 55 ' 55 通路孔導體 120219.doc -29-

Claims (1)

1344325 吶年(c月）g日修(4)正替換頁 第096115327號專利申請案 中文申έ青專利範圍替換本(99年川月） 十、申請專利範圍： 1. 一種印刷電路板埋入式電感器，其包括： 磁組其於上述印刷電路板之厚度方向上延伸，且大 致為0括·形，其中 上述磁體具有於上述印刷電路板之厚度方向上延伸之 貫通孔，且該貫通孔之内周面全面形成有鍍覆導體； 上述磁體之内周面與上述鍍覆導體之間係不隔開間隙 而密著。
2. 如請求項1之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述鍍覆導體包括銅。 3. 如請求項丨之印刷電路板埋入式電感器，其中 進而包括介電材料，其包圍上述磁體之外周側面。 4 ·如咕求項3之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述鍍覆導體超過貫通孔之内周面延伸至上述介電材 料，使上述磁體被上述介電材料與上述鍍覆導體所包 圍。 5.如6月求項3之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述介電材,料包括具有較低熱冑脹特性之底部填 料。 ' 6_如請求項1之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述磁體包括鐵氧體。 7.如請求項丨之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述磁體包括包含磁體與非磁體之複合材料。 8‘如請求項1之印刷電路板埋入式電感器，其中 120219-99I026.doc ^44325 —一 __ 們年!ύ月旄日修(¾)正替換頁 I"1 —— 上述磁體包括磁粉與樹脂之複合材料。 9.如請求項1之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述磁體包括羰基鐵粉末與樹脂之複合材料。 1 〇.如請求項1之印刷電路板埋入式電感器，其中 上述貫通孔進而被填孔材料充填。 U·—種電子設備，其包括： 電路板；以及 電源電路，其係構成以對架設於上述電路板之表面上 之半導體裝置供電；且 上述電源電路包括電感器； 上述電感器包括於上述電路板之厚度方向上延伸、大 致為圓柱形之磁體；上述磁體具有於上述電路板之厚度 方向上廷倬之貫通孔，且該貫通孔之内周面全面形成有 鍍覆導體；上述磁體之内周面與上述鍍覆導體之間係不 隔開間隙而密著。 h 12 ·如請求項11之電子設備，其中 上述電源電路進而包括： 4膜型電谷器，其形成於平行於上述電路板之夺面 向上；以及 電源1C裝置，其女裝於上述電路板 ¥ ^ „ '、上述+導體裝 置女裝面相反的面上。 13·如請求項12之電子設備，其中 上述電源電路與上述半導體裝置，係 我度1 mm 以下之較短之導電電路連接。 120219-991026.doc 1344325 如請求項！！之電子設備，其中 1解|〇月成日修($)正替换頁 於上述電路板上設置有複數組上述電源電路。 丨5·如請求項π之電子設備，其中 ι述電路板包括—芯材基板，且上述電感器形成於上 述芯材基板。 16.如請求項U之電子設備，其中 上述鍍覆導體係由鍍覆銅形成。 φ 1 7.如請求項11之電子設備，其中 上述電源電路與上述半導體裝置，係以一包含複數個 通路孔導體之導體電路互相連接。 1 8.如請求項丨丨之電子設備，其中 上述電源電路與上述半導體裝置，係以一包含複數個 通路孔導體之長度1 mm以下較短之導體電路互相連接。 19. 一種印刷電路板，其包括： 芯材基板； • 複數個導電電路，分別形成於上述芯材基板之頂面與 底面； 通孔導體，其形成於上述芯材基板上，且電連接於上 述複數個導電電路； 電感器’其形成於上述芯材基板上；以及 •組合層，其形成於上述芯材基板上；且 上述組合層包含複數個相互交錯積層之絕緣層與導電 層，配置於不同層之該等導電層經由通路孔導體互相電 連接； 120219-991026.doc
上述電感器包括於上述站材基板之厚度方向上延伸、 大致為圓柱形之磁體；上述磁體具有於上述芯材基板之 =度方向上延伸之貫通孔，且該貫通孔之内周面全面形 :有鍍覆導體；上述磁體之内周面與上述鍍覆導體之間 係不隔開間隙而密著。 20.如請求項19之印刷電路板，其中 上述芯材基板頂面與 上述鍍覆導體接續於分別形成於 底面之導電電路。 21. 如請求項19之印刷電路板，其中 上述電感器進而形成有通路孔導體。 22. 如請求項19之印刷電路板，其中 上述鍍覆導體包含銅。 23.如請求項19之印刷電路板，其中 上述磁體包含鐵氧體。 24.如請求項19之印刷電路板，其中 上述磁體包含含有磁性材料與非磁性材料之複合材 料0 2 5 ·如請求項19之印刷電路板，其中 上述磁體包含含有磁粉與樹脂之複合材料。 26. 如請求項19之印刷電路板，其中 上述磁體包含含有羰基鐵粉末與樹脂之複合材料 27. 如請求項19之印刷電路板，其中進而包括 介電材料，且 上述介電材料包圍上述磁體之外周側面。 120219-991026.doc 1344325 __ %年.，0月#日修(束)正捺換頁 28.如請求項27之印刷電路板’其中 上述介電材料包含具有較低熱膨脹特性之底部填充材 ' 料。
120219-991026.doc
TW096115327A 2006-05-08 2007-04-30 Inductor and electric power supply using it TWI344325B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/429,157 US7843302B2 (en) 2006-05-08 2006-05-08 Inductor and electric power supply using it

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200803644A TW200803644A (en) 2008-01-01
TWI344325B true TWI344325B (en) 2011-06-21

Family

ID=38660681

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099136835A TWI344805B (en) 2006-05-08 2007-04-30 Inductor and electric power supply using it
TW096115327A TWI344325B (en) 2006-05-08 2007-04-30 Inductor and electric power supply using it

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099136835A TWI344805B (en) 2006-05-08 2007-04-30 Inductor and electric power supply using it

Country Status (7)

Country Link
US (5) US7843302B2 (zh)
EP (1) EP2018092A4 (zh)
JP (1) JPWO2007129526A1 (zh)
KR (1) KR100973447B1 (zh)
CN (2) CN101341807B (zh)
TW (2) TWI344805B (zh)
WO (1) WO2007129526A1 (zh)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8129625B2 (en) * 2003-04-07 2012-03-06 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
JP4824397B2 (ja) * 2005-12-27 2011-11-30 イビデン株式会社 多層プリント配線板
US7462784B2 (en) * 2006-05-02 2008-12-09 Ibiden Co., Ltd. Heat resistant substrate incorporated circuit wiring board
US7843302B2 (en) * 2006-05-08 2010-11-30 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
US7751205B2 (en) * 2006-07-10 2010-07-06 Ibiden Co., Ltd. Package board integrated with power supply
JP2008053319A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Nec Electronics Corp 半導体装置
CN101779528A (zh) * 2007-08-09 2010-07-14 松下电器产业株式会社 电路模块和使用该模块的电子装置
US7956713B2 (en) * 2007-09-25 2011-06-07 Intel Corporation Forming a helical inductor
WO2009082706A1 (en) 2007-12-21 2009-07-02 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Active cmos sensor array for electrochemical biomolecular detection
TWI384739B (zh) * 2008-01-03 2013-02-01 Delta Electronics Inc 組合式電路及電子元件
JP5284155B2 (ja) * 2008-03-24 2013-09-11 日本特殊陶業株式会社 部品内蔵配線基板
US7868729B2 (en) * 2009-03-03 2011-01-11 Freescale Semiconductor, Inc. Stacked device assembly with integrated coil and method of forming same
JP2010212595A (ja) 2009-03-12 2010-09-24 Murata Mfg Co Ltd パッケージ基板
US8735734B2 (en) * 2009-07-23 2014-05-27 Lexmark International, Inc. Z-directed delay line components for printed circuit boards
US8198547B2 (en) * 2009-07-23 2012-06-12 Lexmark International, Inc. Z-directed pass-through components for printed circuit boards
US20110050334A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Qualcomm Incorporated Integrated Voltage Regulator with Embedded Passive Device(s)
US9330826B1 (en) 2010-02-12 2016-05-03 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama For And On Behalf Of The University Of Alabama Integrated architecture for power converters
US9263950B2 (en) 2010-04-30 2016-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Coupled inductors for improved power converter
WO2011145490A1 (ja) * 2010-05-17 2011-11-24 太陽誘電株式会社 基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板
US9048112B2 (en) 2010-06-29 2015-06-02 Qualcomm Incorporated Integrated voltage regulator with embedded passive device(s) for a stacked IC
US8848385B2 (en) * 2010-10-05 2014-09-30 R&D Sockets, Inc Embedded isolation filter
KR20120039460A (ko) * 2010-10-15 2012-04-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN102565518A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电流平衡测试系统
JP2012156921A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Hitachi Ltd 伝送回路、プリント回路基板
JP2012186440A (ja) * 2011-02-18 2012-09-27 Ibiden Co Ltd インダクタ部品とその部品を内蔵しているプリント配線板及びインダクタ部品の製造方法
JP6215518B2 (ja) * 2011-08-26 2017-10-18 ローム株式会社 磁性金属基板およびインダクタンス素子
US9078374B2 (en) 2011-08-31 2015-07-07 Lexmark International, Inc. Screening process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
US8790520B2 (en) 2011-08-31 2014-07-29 Lexmark International, Inc. Die press process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
US9009954B2 (en) 2011-08-31 2015-04-21 Lexmark International, Inc. Process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board using a sacrificial constraining material
US8752280B2 (en) 2011-09-30 2014-06-17 Lexmark International, Inc. Extrusion process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
US8943684B2 (en) 2011-08-31 2015-02-03 Lexmark International, Inc. Continuous extrusion process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board
JP5673455B2 (ja) * 2011-09-09 2015-02-18 株式会社村田製作所 電源制御回路モジュール
KR101541570B1 (ko) * 2011-09-30 2015-08-04 삼성전기주식회사 코일 부품 및 그 제조방법
WO2013109889A2 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for integrated voltage regulators
JP5895635B2 (ja) * 2012-03-16 2016-03-30 富士通株式会社 配線板の製造方法、配線板およびビアの構造
US8822840B2 (en) 2012-03-29 2014-09-02 Lexmark International, Inc. Z-directed printed circuit board components having conductive channels for controlling transmission line impedance
US8822838B2 (en) 2012-03-29 2014-09-02 Lexmark International, Inc. Z-directed printed circuit board components having conductive channels for reducing radiated emissions
WO2013147786A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Intel Corporation Semiconductor package with air core inductor (aci) and magnetic core inductor (mci)
US8912452B2 (en) 2012-03-29 2014-12-16 Lexmark International, Inc. Z-directed printed circuit board components having different dielectric regions
US8830692B2 (en) 2012-03-29 2014-09-09 Lexmark International, Inc. Ball grid array systems for surface mounting an integrated circuit using a Z-directed printed circuit board component
US8884717B2 (en) * 2012-04-13 2014-11-11 Cyntec Co., Ltd. Diplexer
US9461607B2 (en) * 2012-04-13 2016-10-04 Cyntec Co., Ltd. Balance filter
US9257221B2 (en) * 2012-04-13 2016-02-09 Cyntec Co., Ltd. Through-hole via inductor in a high-frequency device
DE112012003178B4 (de) * 2012-05-08 2022-12-08 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
JP2014007339A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、その製造方法及びプリント配線板
JP2014086651A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2014116465A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、その製造方法及びプリント配線板
US9203373B2 (en) * 2013-01-11 2015-12-01 Qualcomm Incorporated Diplexer design using through glass via technology
JP2014154813A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Ibiden Co Ltd プリント配線板
US20160029477A1 (en) * 2013-02-27 2016-01-28 Nec Corporation Wiring substrate, semiconductor device, printed board, and method for producing wiring substrate
US9935166B2 (en) * 2013-03-15 2018-04-03 Qualcomm Incorporated Capacitor with a dielectric between a via and a plate of the capacitor
US9634640B2 (en) 2013-05-06 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods
US9264013B2 (en) 2013-06-04 2016-02-16 Qualcomm Incorporated Systems for reducing magnetic coupling in integrated circuits (ICS), and related components and methods
KR102127827B1 (ko) * 2013-06-05 2020-06-30 삼성전자주식회사 인덕터를 포함하는 인쇄 회로 기판
JP2015018979A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 イビデン株式会社 プリント配線板
KR101503144B1 (ko) * 2013-07-29 2015-03-16 삼성전기주식회사 박막 인덕터 소자 및 이의 제조방법
US9263370B2 (en) * 2013-09-27 2016-02-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Semiconductor device with via bar
JP2015135870A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 富士通株式会社 インダクタ装置及びインダクタ装置の製造方法
JP2015138935A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 イビデン株式会社 プリント配線板
US20150237732A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Qualcomm Incorporated Low-profile package with passive device
US10008316B2 (en) * 2014-03-28 2018-06-26 Qualcomm Incorporated Inductor embedded in a package substrate
JP6272185B2 (ja) * 2014-08-25 2018-01-31 三菱電機株式会社 配線用コア構造、半導体評価装置及び半導体装置
TWI562687B (en) * 2014-09-24 2016-12-11 Wistron Corp Circuit board assembly
TWI554174B (zh) 2014-11-04 2016-10-11 上海兆芯集成電路有限公司 線路基板和半導體封裝結構
US10331161B2 (en) * 2014-12-24 2019-06-25 Fujitsu Limited Power supply board
US10050528B2 (en) * 2015-06-29 2018-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Current distribution in DC-DC converters
US9748227B2 (en) * 2015-07-15 2017-08-29 Apple Inc. Dual-sided silicon integrated passive devices
CN105099169A (zh) * 2015-08-26 2015-11-25 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种插针式电源模块
US20170140857A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Kinsus Interconnect Technology Corp. Modified magnetic coil structure
US10163557B2 (en) * 2015-12-17 2018-12-25 Intel Corporation Helical plated through-hole package inductor
CN107046366B (zh) 2016-02-05 2019-06-04 台达电子企业管理（上海）有限公司 电源变换器及其制备方法
US11600432B2 (en) 2016-02-24 2023-03-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Substrate-embedded transformer with improved isolation
US11696409B2 (en) * 2016-09-30 2023-07-04 Intel Corporation Vertical embedded component in a printed circuit board blind hole
US10886219B2 (en) 2017-01-18 2021-01-05 Tdk Corporation Electronic component mounting package
JP6593556B2 (ja) * 2017-01-27 2019-10-23 株式会社村田製作所 インターポーザ基板、回路モジュール、インターポーザ基板の製造方法
JP6784188B2 (ja) * 2017-02-14 2020-11-11 Tdk株式会社 積層コイル部品
JP6406486B1 (ja) 2017-03-17 2018-10-17 株式会社村田製作所 薄膜ｅｓｄ保護デバイス
JP7068638B2 (ja) * 2017-05-19 2022-05-17 大日本印刷株式会社 配線基板及び実装基板
US11335767B2 (en) * 2017-07-31 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of fabricating the same
KR101987213B1 (ko) * 2017-09-20 2019-06-10 삼성전기주식회사 코일부품 및 그 제조방법
WO2019066832A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Intel Corporation MAGNETIC CORE INDUCTION COILS
DE112018006091T5 (de) * 2017-12-27 2020-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Halbleiter-verbund-bauelement und darin verwendete package-platine
US11189409B2 (en) * 2017-12-28 2021-11-30 Intel Corporation Electronic substrates having embedded dielectric magnetic material to form inductors
KR102197085B1 (ko) * 2017-12-29 2020-12-31 엘지이노텍 주식회사 자성코어, 인덕터 및 이를 포함하는 emi 필터
US11600690B2 (en) 2018-02-11 2023-03-07 Danmarks Tekniske Universitet Power converter embodied in a semiconductor substrate member
US11443885B2 (en) * 2018-03-12 2022-09-13 Intel Corporation Thin film barrier seed metallization in magnetic-plugged through hole inductor
US10790159B2 (en) * 2018-03-14 2020-09-29 Intel Corporation Semiconductor package substrate with through-hole magnetic core inductor using conductive paste
JP2019220504A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板およびその製造方法
US10373951B1 (en) 2018-06-25 2019-08-06 Intel Corporation Package-embedded thin-film capacitors, package-integral magnetic inductors, and methods of assembling same
FR3083365B1 (fr) * 2018-06-27 2020-07-17 Safran Electronics & Defense Transformateur comportant un circuit imprime
US10573803B1 (en) * 2018-08-21 2020-02-25 Semiconductor Components Industries, Llc Current sensor packages with through hole in semiconductor
JP2020178004A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板
JP7368693B2 (ja) * 2019-04-22 2023-10-25 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板
US11050355B2 (en) 2019-10-17 2021-06-29 Infineon Technologies Austria Ag Stacked power supply topologies and inductor devices
JP2021086856A (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板、インダクタ内蔵基板の製造方法
JP2021097155A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板
JP2021125582A (ja) * 2020-02-06 2021-08-30 イビデン株式会社 プリント配線板
JP2021170617A (ja) * 2020-04-17 2021-10-28 イビデン株式会社 プリント配線板
JP7512111B2 (ja) * 2020-07-29 2024-07-08 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2022032233A (ja) * 2020-08-11 2022-02-25 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
TWI811697B (zh) * 2020-09-01 2023-08-11 日商村田製作所股份有限公司 半導體複合裝置及半導體複合裝置之製造方法
US12057252B2 (en) * 2020-09-23 2024-08-06 Intel Corporation Electronic substrates having embedded inductors
US20220093534A1 (en) * 2020-09-23 2022-03-24 Intel Corporation Electronic substrates having embedded inductors
JP7562431B2 (ja) 2021-01-07 2024-10-07 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
WO2022162888A1 (ja) 2021-01-29 2022-08-04 日本碍子株式会社 コア基板
US20230009751A1 (en) * 2021-07-06 2023-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board and wiring board manufacturing method
FR3129026A1 (fr) * 2021-11-05 2023-05-12 Safran Procédé de fabrication d’un inducteur et inducteur associé
CN114937603A (zh) * 2022-03-25 2022-08-23 珠海越亚半导体股份有限公司 具有滤波功能的导通基板、载板布线结构及其制作方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61145887A (ja) 1984-12-20 1986-07-03 三菱電機株式会社 印刷配線板
JPH01124283A (ja) * 1987-11-10 1989-05-17 Fujitsu Ltd コア内蔵型プリント板
JPH01201985A (ja) * 1988-02-08 1989-08-14 Nec Corp 印刷配線板
JPH01312885A (ja) 1988-06-09 1989-12-18 Murata Mfg Co Ltd インダクタ内蔵回路基板
JPH0314284A (ja) 1989-06-13 1991-01-22 Mitsubishi Electric Corp ノイズ吸収材埋込み型プリント基板
US5384434A (en) 1992-03-02 1995-01-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic circuit board
JP2663409B2 (ja) 1992-05-28 1997-10-15 富士電気化学株式会社 積層型電波吸収体
JP2877132B2 (ja) 1997-03-26 1999-03-31 日本電気株式会社 多層プリント基板とその製造方法
JP2910726B2 (ja) * 1997-04-23 1999-06-23 日本電気株式会社 多層プリント配線板およびその製造方法
JP3322199B2 (ja) 1998-01-06 2002-09-09 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JP3214472B2 (ja) * 1998-12-04 2001-10-02 日本電気株式会社 多層プリント回路基板
JP2000232078A (ja) 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp メッキ方法及びメッキ装置
US6240622B1 (en) 1999-07-09 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductors
DE60045566D1 (de) * 1999-08-06 2011-03-03 Ibiden Co Ltd Mehrschicht-Leiterplatte
KR101084525B1 (ko) * 1999-09-02 2011-11-18 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 그 제조방법
JP4435910B2 (ja) * 1999-09-27 2010-03-24 関西ペイント株式会社 カチオン電着塗料組成物
TW533758B (en) * 2000-07-31 2003-05-21 Ngk Spark Plug Co Printed wiring substrate and method for manufacturing the same
US6462950B1 (en) 2000-11-29 2002-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Stacked power amplifier module
US6740411B2 (en) 2001-02-21 2004-05-25 Ngk Spark Plug Co. Ltd. Embedding resin, wiring substrate using same and process for producing wiring substrate using same
TW518616B (en) * 2001-06-01 2003-01-21 Phoenix Prec Technology Corp Method of manufacturing multi-layer circuit board with embedded passive device
DE10128004A1 (de) * 2001-06-08 2002-12-19 Vacuumschmelze Gmbh Induktives Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2003069169A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Nec Corp 回路基板
JP2003092489A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Murata Mach Ltd プリント基板
JP2003124429A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品
KR20050093808A (ko) * 2002-12-27 2005-09-23 티디케이가부시기가이샤 수지조성물, 수지경화물, 시트형상 수지경화물, 적층체,프리프레그, 전자부품 및 다층기판
JP2004274004A (ja) 2003-01-16 2004-09-30 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 超小型電力変換装置
JP2004288793A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Nec Tokin Corp 直流電源回路内蔵基板およびその製造方法
JP2005229766A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Nec Tokin Corp 電源モジュールおよびその製造方法
KR100688858B1 (ko) * 2004-12-30 2007-03-02 삼성전기주식회사 스파이럴 3차원 인덕터를 내장한 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR100651358B1 (ko) 2005-06-22 2006-11-29 삼성전기주식회사 Ｒｆ모듈의 전력단 회로를 내장한 인쇄회로기판
US7843302B2 (en) 2006-05-08 2010-11-30 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it

Also Published As

Publication number Publication date
US7812702B2 (en) 2010-10-12
CN101341807A (zh) 2009-01-07
TWI344805B (en) 2011-07-01
US8207811B2 (en) 2012-06-26
US20090224863A1 (en) 2009-09-10
TW201106819A (en) 2011-02-16
US7868728B2 (en) 2011-01-11
TW200803644A (en) 2008-01-01
US20100117779A1 (en) 2010-05-13
KR20080027371A (ko) 2008-03-26
CN101341807B (zh) 2012-09-19
US20110102122A1 (en) 2011-05-05
WO2007129526A1 (ja) 2007-11-15
CN101697305A (zh) 2010-04-21
KR100973447B1 (ko) 2010-08-02
CN101697305B (zh) 2012-10-17
EP2018092A1 (en) 2009-01-21
US7855626B2 (en) 2010-12-21
JPWO2007129526A1 (ja) 2009-09-17
US7843302B2 (en) 2010-11-30
US20070257761A1 (en) 2007-11-08
EP2018092A4 (en) 2012-11-14
US20090225525A1 (en) 2009-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI344325B (en) Inductor and electric power supply using it
JP5549600B2 (ja) 平板状コイル付きモジュールの製造方法及び平板状コイル付きモジュール
US6930584B2 (en) Microminiature power converter
US8416043B2 (en) Powder core material coupled inductors and associated methods
JP6361827B2 (ja) Ｄｃ−ｄｃコンバータおよびスイッチングｉｃ
US11404364B2 (en) Multi-layer embedded magnetic inductor coil
EP2980949A1 (en) Thin-film coil component and charging apparatus and method for manufacturing the component
TW200809883A (en) Integrated inductor
KR102510526B1 (ko) Dc-dc 전력 변환을 위한 권선 모듈, 하이브리드 변압기, 모듈 및 회로
JP2008171965A (ja) 超小型電力変換装置
JP2009246159A (ja) 多出力磁気誘導素子およびそれを備えた多出力超小型電力変換装置
JP6274362B2 (ja) Ｄｃ−ｄｃコンバータ
Wang et al. Integrated magnetics on silicon for power supply in package (PSiP) and power supply on chip (PwrSoC)
JP3649214B2 (ja) 超小型電力変換装置およびその製造方法
CN104900375A (zh) 芯片电子元件及其制备方法
JP2004111552A (ja) 平面磁気素子およびその製造方法と小型電源モジュール
JP6269541B2 (ja) Ｄｃ−ｄｃコンバータモジュールおよび製造方法
CN116682647A (zh) Lc集成磁封装电源模块及制备工艺
WO2023133448A2 (en) Multi-layered metal frame power package
JP2004111545A (ja) 平面磁気素子

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees