TWI244083B - Optical recording/reproducing medium-use substrate, production method for optical recording/reproducing medium reproducing stamper and optical recording/reproducing medium producing stamper - Google Patents

Optical recording/reproducing medium-use substrate, production method for optical recording/reproducing medium reproducing stamper and optical recording/reproducing medium producing stamper Download PDF

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TWI244083B TW091116014A TW91116014A TWI244083B TW I244083 B TWI244083 B TW I244083B TW 091116014 A TW091116014 A TW 091116014A TW 91116014 A TW91116014 A TW 91116014A TW I244083 B TWI244083 B TW I244083B
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1244083 ⑴ 玖、聲明說, 、 實施方式及圖式簡單說明) (發明補應_ ••發明所屬之技術躺、先前技術、内容、 技術領域 本發明係有關使用於沿著記錄軌道形成有槽而構成之光 學記錄再生媒體上之適切μ學記錄再生媒體用基板、光 學記錄再生媒體製造用翻印模之製造方法、及光學記錄再 生媒體製造用翻印模。 背景技術 光學記錄再生媒體已開發出各種形成圓盤狀，執行光學 性記錄及/或再生的光碟。此種光碟如：對應於資料之屋痕 (Emboss Pit)預先形成於磁碟基板而構成之再生專用光碟 、利用光磁效應執行資料記錄料磁碟、及湘記錄膜之 相變化執行資料記錄的相變化型光碟等。 此等光碟中如光磁碟及相變化型光碟等可寫入的光碟， 通常沿著記錄執道之槽係形成於磁碟基板上。&處所謂槽 ，為求主要可執行追蹤伺服，係沿著記錄執道之所謂的導 引溝，並將槽與槽之開口端間稱之為地面（Land)。 而形成有槽之光碟，通常係藉由依據被槽反射繞射之光 所獲得之推挽信號的追蹤錯誤信號，形成追蹤伺服。此處 之推挽信號，如藉由對執道中心對稱配置的兩個光檢測器 檢測被槽反射繞射之光，藉由取自此等兩個光檢測器之輸 出差而獲得。 因而，先前此等光碟使搭載於再生裝置上之光學拾取裝 置的再生分解能提高，即達到高記錄密度化。而光學拾取 衣置之再生分解月b的提向，主要係藉由縮短使用於資料再 1244083
生之雷射光的波長λ，增加將雷射光聚光在光碟上之對物 透鏡的數值孔徑N A，使其光學性實現。 先前光碟（CD; Compact Disc)之追記型的所謂CD—R及 光磁碟可重寫型之小型磁碟（MD; Mini Disc)、多樣化數位 光碟（DVD; Digital Versatile Disc)之追記型之DVD — R、或 DVD之可重寫型之DVD + RW*DVD_ RW(均為光碟的登 錄商標）的各格式，因記錄膜之性質及伺服信號特性等，最 適於記錄再生特性的槽寬各不相同。 通常光碟的製造過程，於製造將其基板予以成型之翻印 权時’係在原盤用基板上塗敷光阻，藉由圖案曝光、顯像 之所謂光刻技術，形成上述的槽及凹痕，槽寬係由曝光射 束的點徑來決定。 上述之CD—R及CD—RW等之藉由一條曝光射束對光學 。己錄再生媒體用之原盤執行記錄時，係藉由在圖1 3上顯示 模式概略構造的光學記錄裝置進行圖案曝光。圖13中之20 係如將氣體作為放大媒體之氣體雷射之氦一锅雷射等構成 的光源’自該光源2 0射出之雷射光l藉由反射鏡μ 1將進行 方向彎曲90。，導入光學調制系統25。於光學調制系統25 中’雷射光L藉由聚光透鏡L 1縮小射束徑，並射入聲光調制 器（AOM; Acousto Optical Modulator) 28，其光強度因應依 據供給至該Α Ο Μ 2 8之記錄信號而調制之超音波來調制。2 7 表示輸入EFM等信號之驅動用的驅動器。 而被該ΑΟΜ 28調制之雷射光L藉由射束放大透鏡或射束 縮小透鏡L2，其射束徑被放大或縮小，保持平行射束前進 (3) (3)1244083 ，被反射鏡M2反射，並水平導入移動光學台。 移動光學台40上’作為成像及繞射光修正光學系統，如 設有透鏡L3、使光轴方向朝向被照射面之反射鏡⑷；及對 物透鏡L4。透鏡L3配置於在形成於與對物透鏡以之成像聚 光面P1共用位置之入射側聚光面？2上，使雷射光[聚光的位 置上。 而後，經由該成像及繞射光修正用之透鏡L3與對物透鏡 L4,雷射光L聚光在原盤用基板n上之光阻以的表面，進 行特定圖案曝光。原盤用基板n係藉由旋轉驅動機構如箭 頭b所示地旋轉，不過並無圖式。單點線c表示基板丨丨的中 心軸。 此種光學記錄裝置於光源2〇與對物透鏡Μ之間，配置上 述之射束轉像光學系統，使透鏡L2或透鏡L3的焦點距離 改隻，凋整成對物透鏡L4聚光在光阻丨2的表面，可使對於 對物透鏡L4之有效數值孔徑NA改變，使曝光射束的點徑 改變。 述之CD R、CD — RW藉由氦一編雷射（波長442 nm) 己錄有槽的凹凸圖案’最佳槽寬為55〇 ^爪至^⑼nm。高密 度光碟之DVD+RW、DVD-R、DVD-RW具有4·7 GB的記 錄谷量，為CD〜r、CD—RW之記錄密度約7·2倍的高記錄 密度’因此’最佳槽寬小於上述的CD — R等，為300 nm〜330 nm >因此’藉由使用短波長之氪雷射（波長4 1 3 nm)，縮小 曝光射束的點徑〇1，實現DVd+rw、DVD - II、DVD — RW 的最佳槽寬。 1244083
曝光射束之點徑d以下列公式（1)表示。 d= 1.22 X λ /ΝΑ ---(1) (λ :記錄波長，ΝΑ :數值孔徑） 於先前申請專利1(特開平10-241214號公報）中，使用氬雷 射（波長45 8 nm)，實現槽寬約600 nm〜800 nm。 上述各光碟之記錄波長λ、軌道間距、槽寬及該槽寬與 記錄波長之比顯示於以下的表1中。 [表1] 記錄波長λ 執道間距 槽寬 槽寬/記錄 波長 先前申請專利1 458 nm 600 — 800 nm 1.31 — 1.75 CD — R 442 nm 1600 nm 600 nm 1.36 CD-RW 442 nm 1600 nm 550 nm 1.24 DVD+RW 413 nm 740 nm 300 nm 0.73 DVD-R 413 nm 740 nm 330 nm 0.80 DVD — RW 413 nm 740 nm 310 nm 0.75 從該表1可知，CD — R、CD — RW之一般密度的光碟，槽 寬大於記錄波長（442 nm)，亦即槽寬與記錄波長之比大於 1.0，在曝光射束點多的部分可使光阻曝光，亦即感光，比 較容易形成。 但是，DVD+ RW、DVD — R、DVD — RW等高密度光碟， 槽寬小於記錄波長（4 1 3 nm)，亦即槽寬與記錄波長之比小 於1.0，比較不易形成。 再者，高記錄密度光碟還提出有槽寬更加微細化，形成 1244083
(5) 約200 nm以下的格式。作為超高密度之光碟而開發之數位 視訊可記錄（DVR; Digital Video Recordable)，如圖 14之放 大其一部分之模式平面構造所示，雖檢討槽採蛇行形成所 謂的擺動槽，執道間距為325 nm，槽寬約為150 nm，但是 並未提出實用上生產性佳，良率良好的製造方法。圖14中 的2表示槽，8表示地面。
先前申請專利2(特許第3 104699號）中提到：藉由使用母 翻印模，其係採用翻印模的複製使凹凸與翻印模反轉，利 用地面部與槽部反轉形成的製法，形成槽寬在100 nm以下 的基板。 但是，上述先前申請專利範圍2中提到的例子，其地面寬 遠大於槽寬。以下的表2分別顯示該先前申請專利範圍2之 實施例卜3、CD— R、CD — RW、DVD+ RW、DVD— R、DVD 一 RW ' MD之槽寬、地面寬、執道間距、及槽寬與軌道間 距之比。 [表2] 槽寬 地面寬 執道間距 槽寬/ 軌道間距 先前申請專利2 40 nm 360 nm 400 nm 0.10 實施例1，2 先前申請專利2 60 nm 290 nm 350 nm 0.17 實施例3 CD — R 600 nm 600 nm 1600 nm 0.38 CD-RW 550 nm 600 nm 1600 nm 0.34
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⑹ DVD+RW 300 nm 440 nm 740 nm 0.41 DVD-R 330 nm 410 nm 740 nm 0.46 DVD — RW 310 nm 430 nm 740 nm 0.42 MD 1200 nm 400 nm 1600 nm 0.75 一
從上述表2可知，上述先前申請專利2中，形成槽寬極小 的構造，與地面寬比較，槽寬極小，因此槽寬與執道間距 之比非常小，為0.10〜0.17，追蹤伺服信號之推挽信號及交 叉軌道信號（Cross Track Sigbnal;CTS)的振幅量亦小，因此 無法實現穩定的追蹤伺服，很難直接應用在將軌道間距設 定在350 nm以下以謀求高記錄密度化的光碟上。 推挽信號於槽寬與執道間距之比為1/2時最大，CTS信號 於槽寬與執道間距之比約1/3或約2/3時最大。如上述表2 所示，CD—R、CD — RW、DVD + RW、DVD — R、DVD — RW等實用化的光碟，其槽寬與軌道間距之比約為 0.34%〜0.75% 0 此外，上述先前申請專利範圍2，如上所述，係藉由母翻 印模，利用將一般構成地面部之區域作為槽之反轉圖案實 現窄槽寬，不過，此時擺動記錄光進行圖案曝光以形成擺 動槽時，由於通常構成地面部的部分係構成槽，因此於槽 的左右5己錄有不同的擺動彳§號’於擺動信號再生時可能發 生信號遺漏等，實用上不易形成擺動槽的問題。 有鑑於上述的問題，本發明之目的在提供一種適用於前 述DVR等高記錄密度光碟，追蹤伺服特性及擺動信號再生 特性等優異，可達成實用性高記錄密度之光學記錄再b生媒 -11- 1244083
⑺ 體、光學記錄再生媒體製造用翻印模及其製造方法。 發明之揭示 本發明係沿著記錄軌道形成有槽之光學記錄再生媒體用 基板，並構成槽之執道間距在200 nm以上，35〇 以下， 槽之寬度Wg與執道間距p之比％/1}在〇.24以上，〇 67以下。 此外，本發明之上述光學記錄再生媒體用基板構成將槽 作為擺動槽。 再者，本發明之上述光學記錄再生媒體用基板構成槽寬 Wg在47 nm以上，235 nm以下。 再者，本發明之上述各光學記錄再生媒體用基板構成槽 面之面粗度在〇·4 nm以上，〇·85 nm以下。 此外，本發明之上述各光學記錄再生媒體用基板構成槽 側面之傾斜角度在15·4β以上，40。以下。 再者，本發明之上述各光學記錄再生媒體用基板構成槽 深度在15 nm以上，30 nm以下。 此外，本發明係沿著記錄執道形成有槽之光學記錄再生 媒體之製造方法、形成該光學記錄再生媒體基板之光學記 錄再生媒體製造用翻印模之製造方法、及使用其製成之光 學記錄再生媒體製造用翻印模，將原盤用基板上之光阻以 對應於特定凹凸圖案之圖案的方式進行圖案曝光後顯像， 衣4光學記錄再生媒體製造用原盤，藉由蝕刻自該光學記 彔再生媒體製造用原盤轉印的翻印模，將對應於上述槽之 槽圖案寬度予以微細化。 再者，本發明之上述光學記錄再生媒體％造用翻印模之 -12- 1244083
⑻ 製造方法’係藉由電漿蝕刻或反應性離子蝕刻進行對翻印 模的钱刻。 此外’本發明之上述電漿蝕刻或反應性離子蝕刻之氣體 係使用氬氣或在氬氣内混入氧氣的氣體。 再者’本發明之上述光學記錄再生媒體製造用翻印模之 製造方法’對應於槽之槽圖案的執道間距在2〇〇 nm以上， 5 0 nm以下槽圖案之寬度wg ’與槽圖案之執道間距p，之比 Wg’/p’在〇·24以上，〇 67以下。 再者’本發明之上述光學記錄再生媒體製造用翻印模之 製造方法’係藉由鞋刻將自光學記錄再生媒體製造用原盤 轉印之翻印模的槽圖案寬度微細化成47 nm以上，235㈣以 下。 再者，本發明之上述各光學記錄再生媒體製造用翻印模 之製造方法’係形成翻印模之槽圖案面的面粗度在〇·4 _ 以上，〇·85 nm以下。 2外，本發明之上述各光學記錄再生媒體製造用翻印模 之衣以方法，係形成翻印模之槽圖案側面的傾斜角度在 15.4 以上，40。以下。 =者，本發明之上述各光學記錄再生媒體製造用翻印模 之衣以方法，構成翻印模之槽圖案的深度或高度在1 5 nm以 上’ 3 0 η γπ以下。 制卜本發月之上述各光學記錄再生媒體製造用翻印模 衣l方法，於製造光學記錄再生媒體製造用原盤時，係 使用Τ特性值在4 5以上夕古ν ρ ^ 上之问Τ先阻作為原盤用基板上之 -13- 1244083
上述光阻。 如以上所述，本發明之光學記錄再生媒體用基板藉由選 定其槽之軌道間距，並將槽寬與執道間距之比予以最佳化 ,於使用该基板製成之光學記錄再生媒體，可獲得非常稃 定之推挽信號振幅，可實現保持良好記錄再生特性之高記 錄密度的光學記錄再生媒體。 此外，尤其是藉由使該光學記錄再生媒體用基板之槽寬 在47 nm以上，235 nm以下，且槽面的面粗度選定在〇 4〜〇 85 nm，槽側面之傾斜角度在15.4。〜4〇。，且槽之高度（或深度） 選定在15 nm以上，30 nm以下，可實現對應於上述之dvr 等的高記錄密度化，且於使用該基板製成之光學記錄再生 媒體可良好地保持記錄再生特性。 再者，將上述光學記錄再生媒體用基板之槽作為擺動槽 時，可穩定且良好地再生使用該基板製成之光學記錄再生 媒體的擺動信號，可獲得特性良好的高密度光學記錄再生 媒體。 此外，本發明於光學記錄再生媒體用基板及光學記錄再 生媒體製造用翻印模之製造時，藉由對自光學記錄再生媒 體製造用原盤轉印形成的翻印模進行蝕刻，可將翻印模上 製成之凹凸圖案予以微細化，可進一步實現經狹小化的槽 寬。 尤其是，蝕刻方法係藉由電漿蝕刻或反應性離子蝕刻 (RIE)進行，並藉由其氣體使用氬氣或氬氣内混入氧氣的氣 體’可精度良好地形成所需之微細槽寬的槽圖案。 -14- 1244083
而^用上述光學記錄再生媒體之製造方法及光學記錄再 生媒體製造用翻印模之製造方法，可精度良好地形成光學 。己錄再生媒體製造用翻印模之執道間距在200 nm以上，350 η -- 下’槽寬與執道間距P之比Wg/p在〇·24以上，〇 67以 使用藉此轉印形成之基板所製成之光學記錄再生媒體 如以上所述，可在保持良好之記錄再生特性下達到高記 錄密度化。 尤其是’藉由將槽寬Wg予以微細化成47 nm以上，235 nm 以下，可穩定、確實地實現良好的記錄再生特性。 思再者，由於本發明於光學記錄再生媒體製造用原盤之光 卞。己錄蚪，係進行槽部的記錄，於而後的翻印模製造步驟 中實現槽寬的微細化，因此不需要進行光學記錄圖案的反 轉因此不產生如前述先前申請專利2之記錄圖案的凹凸反 轉因而本發明於槽之左右容易形成擺動資訊同步之一般 擺動槽，避免造成擺㈣訊之再生光學系、统的複雜化，可 提供在實用上可再生足夠之擺動信號之特性良好的光學記 錄再生媒體。 圖式之簡單說明 圖1係顯示本發明一種光學記錄再生媒體用基板之重要 部分的模式剖面構造圖’圖2係顯示-種光學記錄再生媒體 之重要部分的模式剖面構造圖，圖3A、圖3B、圖3C及圖3D 分別係顯示本發明一種光學記錄再生媒體製造用母翻印模 之製造方法的製造步驟圖，圖4係r特性值的說明圖，圖5 係-種光學記錄裝置的概略構造圖’圖6係—種姓刻裝置的 *15- 1244083
概略構造圖，圖7係槽面之面粗度與槽側面之傾斜角度的今兒 明圖’圖8係顯示記錄雷射光之波長與槽寬之關係的說明圖 ’圖9係顯示槽面之面粗度對蝕刻時間的變化圖，圖1〇係顯 示槽側面之傾斜角度對蝕刻時間的變化圖，圖丨丨係顯示本 發明另一種光學記錄再生媒體用基板之重要部分的模式剖 面構造圖’圖12係顯示另一種光學記錄再生媒體重要部分 的模式剖面構造圖，圖13係一種光學記錄裝置的概略構造 圖，圖14係顯示一種先前之光學記錄再生媒體重要部分的 平面構造圖。 實施發明之最佳形態 以下，參照圖式詳細說明本發明的實施形態。本實施形 態係顯示適用於磁碟狀之光學記錄再生媒體用基板、光學 記錄再生媒體製造用翻印模之製造方法及光學記錄再生 媒體製造用翻印模，不過本發明並不限定於以下的例子， /、要在不脫離本發明構造的範圍内當然可以採用各種構 造。 圖1中模式顯示放大本發明之一種光學記錄再生媒體用 基板之重要部分的剖面構造。如圖丨所示，本例令於光學記 錄再生媒體用基板1上，以寬度％、執道間距p、及深度d 形成有槽2。 另外’圖2係模式顯示放大使用該光學記錄再生媒體用基 板衣成之一種光學記錄再生媒體之重要部分的剖面構造圖 1例中於光學記錄再生媒體用基板1上，在接近光入射面 ^ ϋ式例中形成有凹狀的槽2 ’其上如依序堆疊形成有反 -16- 1244083
(12) 射層3、第一電介質層4、記錄層5、第二電介質層6及光透 過性之保護層7，以構成光學記錄再生媒體。 ‘ 9表示記錄及/或再生用光被聚光之光學拾取裝置的對物 · 透鏡，雷射光等記錄及/或再生光L此時自基板1的下側照射 在槽2上，以讀取該槽2的資訊。 尤其本發明係構成槽2之執道間距p在200 nm以上，35〇 nm以下，槽2之見度Wg與執道間距p之比Wg/p在0.24以上， 0.67以下。 φ 其次，參照顯示圖3A〜圖3D所示之光學記錄再生媒體製 造用翻印模之一種製造方法的步驟圖，說明此種光學記錄 再生媒體的一種製造步驟。 圖3A中的11表示玻璃等構成的原盤用基板，在該原盤用 基板11上塗敷具有7特性值在4.5以上之高7特性值的光 阻12。而後藉由後述之光學記錄裝置實施特定之圖案曝光 後顯像，形成有特定之槽圖案13，構成形成有對應於光學 記錄再生媒體之槽之凹凸圖案的光學記錄再生媒體製造用 原盤16。圖3A中的Wgp，表示槽圖案13的寬度。 · 而後如圖3B所示，如利用無電場鍍法等與電場鍍法，全 面性覆蓋在形成有該槽圖案13之光阻12上，形成有由鎳等 構成的鍵層14a。 而後，將錢層14a自原盤用基板11及光阻12剝離，如圖3C 所示’形成有翻印模14。 而後對該翻印模14,如藉由後述之rie裝置中的電聚蝕刻 、 ，實施全面性的蝕刻，如圖3D所示，可獲得形成有具有比 -17- (13) (13)1244083
形成於光阻12上之槽圖宏” 曰圏案b之寬度wgp，狹小化之寬， 槽圖案1 3n的光學記錄再生丨 、又g p，表示軌道間距。生媒組製造用翻印模15。圖财之 另外’上述@1〜圖3中’所謂槽及㈣案 :及/圖案之溝形狀為剖面台形狀時，係指溝底部之3 與溝上部之開口端間之寬度的平均值。圖3D中槽圖安13n 係凹凸反轉的凸形狀，該槽圖案13η之寬度Wg，传表干卞構^ 凸部之階差之斜面中央部的寬度。此外，軌 示階差之斜面中央部間的間隔。 P係表 此外，本實施形態如以上所述，藉由使用7特性值在* 5 以上之所謂高實現精度良好㈣成作為 微細凹凸圖案。 此處所謂r特性值’係藉由圖4中顯示光阻之殘 顯 像後膜厚/塗㈣厚）與每單位面積之曝光量之_係之特性 曲線以之直線傾斜部分的斜度來表示分如虛^ 所示地㈣時解像度提高，反之，如虛線㈣示地緩和時解 像度降低。 而後使光阻感光之必要最小曝光量為心，該光阻膜完全 被感光顯像後形成無膜狀態之必要最大曝光量為E 1時， 特性值以 7 = l/(l〇gE,~ l〇gE〇) 來表示。 通常的7特性值如約2.7，若在4以上則可獲得高解像度 。本發明藉由使用解像度更高之T特性值在45以上的光阻 -18- (14) (14)1244083
，亚如以上所述地實施蝕刻，可形成槽圖案13n之執道間距 P’在200 nm以上，35〇 nm以下，且槽圖案i3n之寬度％，與 執這間距p，之比Wg，/p，在〇·24以上，〇67以下。 此外，可形成槽圖案Πη之寬度Wg，在47 nm以上，235 以下。 而後，將如此形成之光學記錄再生媒體製造用翻印模15 載置於模具等上，藉由射出樹脂之射出成形法，或在基板 上如塗敷紫外線硬化樹脂，將翻印模丨5擠壓在該樹脂層上 ’而形成轉印有作為目的之凹凸圖案之基板的所謂光聚合 作用（2P; Photo_P〇lymerizati〇n)法，如圖1中之說明，可獲 得表面上形成有與翻印模1 5之槽圖案寬度Wg，與執道間距 p大致相同之槽寬w及執道間距P之槽2的光學記錄再生媒 體用基板1。 其次，說明對上述之光阻12進行圖案曝光之光學記錄裝 置的構造。 上述之圖案曝光步驟一般採用以對物透鏡將雷射束予以 聚光’來曝光原盤用基板上之光阻的方法。圖5係此種光學 記錄裝置的概略構造圖。 圖5中之20表示氣體雷射等短波長的光源。自光源2〇射出 的雷射光通過光電調制器（EOM; Electro Optical Modulator) 21、檢光板22後，藉由分束器BS丨一部分反射。透過分束器 BS1的雷射光藉由光檢測器（pD; Photo Detector) 23檢測， 轉換成電信號，供給至光輸出控制部（APC; Auto Power Controller) 24。APC依據自光檢測器23供給之信號生成控 -19- 1244083
制偽唬，並將該控制信號供給至光電調制器2 1。光電調制 °° 2 1因應自該光輸出控制部24供給之控制信號的信號電場 進行自光源20射出之記錄用雷射光L的強度調制及反饋控 制，使自光電調制器21射出之雷射光的光輸出一定化，^ 精度良好地控制。 亦即，亦可藉由該方法控制藉由分束器BS 1反射之光的輸 出使塗敷有光阻之原盤用基板旋轉，對應於藉由其半徑 方向變化之線速度使光輸出變化，可精度良好，且一定= ^ 保持每單位面積之曝光量同時進行圖案曝光。 稭由分束器BS1反射之雷射光L射入調制部25。於調制部 Μ中，以透鏡L1將雷射光予以聚光，在其焦點面上配置由 聲光調制元件（Α0Μ)構成的Α〇調制器28。 。亥ΑΟ凋制态28自驅動器27輸入有對應於記錄信號的超 音波，雷射光之強度依據該超音波調制強度。雷射光藉由 ΑΟ凋制益28的繞射光柵繞射，僅該繞射光中之一次繞射光 透過縫隙。 文到強度調制之-次繞射光被透鏡L2聚光後，被反射冑 φ 刚反射，進行方向f曲，》，水平且沿著光軸導入移動 光學台40。 而後，將槽作為擺動圖案時，射入移動光學台4〇之雷射 光於偏向光學系統0D中實施光學偏向後，被反射鏡M5反射 ，進行方向再度彎曲90。，並射入偏光分束器PBS。 ， 於製造光學記錄再生媒體時，如在形成槽之所謂記錄1 ， 域的-部分，或在該記錄區域外之如内周部形成凹痕時等 -20· 1244083
不進行光學偏向時，無光學偏向地使反射鏡M5反射，並射 入偏光分束器PBS，凹痕亦可藉由自上述的驅動器27輸入對 應於特定圖案之〇N/〇FF，形成無作為目的之擺動的槽圖案 · 或凹痕圖案。 而後，藉由偏光分束器pBS進行方向再度彎曲9〇。之雷射 光藉由放大透鏡L3形成特定射束徑後，被反射鏡M6反射， 導入對物透鏡54，藉由該對物透鏡54，在原盤用基板丨丨上 之光阻12上的特定位置聚光。原盤用基板u藉由旋轉驅動 · 機構如箭頭e所示的旋轉，不過並無圖式。單點線d表示原 盤用基板11的中心軸。 記錄用的雷射光L藉由移動光學台4〇平行移動。藉此，對 應於因應雷射光之照射執跡之凹凸圖案的潛像形成於整個 光阻12上。 此處之偏向光學系統0D由楔形稜鏡47、聲光偏向器 (AOD; Acousto Optical Deflector) 48、楔形稜鏡49構成。雷 射光L經由楔形稜鏡47射入聲光偏向器48,藉由該聲光偏向 器48，以對應於所需之曝光圖案的方式實施光學偏向。 · 使用於該聲光偏向器48之聲光元件，如包含氧化錄 (Te〇2)的聲光疋件。而後，藉由聲光偏向器48實施光學偏 向之雷射光L經由楔形稜鏡49自偏向光學系統〇D射出。 另外，即使楔形稜鏡47, 49以對聲光偏向器48之聲光元件 之光栅面滿足布拉格條件之方式射入雷射光L，同時藉由聲 * 光偏向器48對雷射光L實施光學偏向，仍具有不改變射束之 · 水平高度的功能。換言之，此等楔形稜鏡47,49與聲光偏向 -21- 1244083
為48配置成耸光偏向器48之聲光元件之光栅面對雷射光乙 滿足布拉格條件，且自偏向光學系統OD射出時之雷射光的 水平高度不改變。 此處，於聲光偏向器48上安裝有驅動該聲光偏向器料用 的驅動用驅動器50，自電壓控制振盪器（vc〇; v〇hage Controlled 〇sciiiator) 5丨之高頻信號以正弦波調制，供給至 該驅動用驅動器50上。而後，於光阻曝光時，自電壓控制 振盡器5 1輸入因應所需之曝光圖案的信號至驅動用驅動器 50，因應該信號以驅動用驅動器5〇驅動聲光偏向器48，藉 此，對雷射光L實施對應於所需擺動的光學偏向。 具體而言，如藉由以頻率956 槽擺動，在槽内施加 位址資訊的情況下，如將中心頻率為224 mHz之高頻信號 ，以頻率為956 kHz之控制信號，自電壓控制振盪器51供給 正弦波信號至驅動用驅動器50。 而後，因應該信號，藉由驅動用驅動器5〇驅動聲光偏向 器48，使該聲光偏向器48之聲光元件的布拉格角改變，藉 此，以對應於頻率為956 kHz之擺動的方式，對雷射光實施 偏光。藉此，聚光於光阻上之雷射光的光點位置，可以頻 率為95 6 kHz，振幅為土 1〇 nm，且在原盤用基板η之半徑方 向振動的方式貫施偏光。 此外，偏光分束器PBS形成反射S偏光，並透過Ρ偏光， 被光學偏向之雷射光為S偏光，並於PBS中反射。 以下之各實施例中，對物透鏡之數值孔徑ΝΑ設定為0.85 。並使用氧化鎊作為聲光調制器28的ΑΟΜ。自輸入端子經 -22- 1244083
由驅動器27所供給之信號為形成槽時一定電平& DC(直流） 信號。 此外調制光學系統25的光學透鏡，其聚光透鏡L1的焦點 距離為80 mm，準直透鏡L2之焦點距離為1〇〇 mm，此外， 移動光學台40之放大透鏡L3的焦點距離為5〇 mm。 上述構造之光學記錄裝置的曝光條件，係以4 447 m/s之 δ己錄線速度’藉由線速度一定之所謂恒線速度（CLV; Constant Linear VeloSity)方式進行記錄。 此外’ 7特性值在4·5以上之光阻係使用東京應化社製酚 酸系光阻（7 = 5 · 1)。 而後，以光阻12位於上部之方式，將該原盤用基板丨丨載 置於顯像器的轉台上，以該原盤用基板丨丨之表面形成水平 面的方式旋轉。此種狀態下，於光阻12上滴下顯像液，實 施顯像處理，於信號形成區域形成有依據記錄信號的凹凸 圖案’形成上述圖3Α中說明之光學記錄再生媒體製造用的 原盤。之後，藉由上述圖3B〜C中說明之製造步驟形成翻印 拉14’其係形成有與藉由上述光學記錄裝置之圖案曝光與 顯像步驟所製造之凹凸圖案相同的凹凸圖案。 以下的各實施例中，於光學記錄再生媒體製造用原盤16 藉由媒電場錢法等形成由鎳覆膜構成的導電化膜後， 安裝於電鱗裝置上，藉由電鍍法在導電化膜上形成由約300 _ j 5 -）以m厚度之鎳構成的鍍層，藉由切割機等剝離該鍍層， 使用丙綱等除去覆蓋於鎳鍍層之信號形成面上的光阻12， 以形成翻印模丨4。 -23- (19) 1244083
夕在以下的各實施例中，對該翻印模丨4的蝕刻， ㈣其概略構造之平行平板型之基板陰 ^ 的靖置實施電裝㈣。圖6中之60表示保持有必要真； 度的餘刻至’其下部設有載置翻印模“的下部電極（陰極 」至60的上部設有與該下部電極6 1相對的相對電極 62。63表示連接於下部電極61的高頻電源。此外:一 氣體導入口，65表示排氣口。 '"不
於乳體導入口 64上，經由質量流控制器(MFC)等連接^ ，體供給源’排氣σ 65上連接有低溫泵、分子渴輪果等杂 氣機構’以保持在特定的真空度，不過無圖式。 以下各μ %例中，高頻電源之RF能為丨5〇 w，在陰極上 ^加13.)6 MHz的高頻功率，省虫刻氣體使用氬氣，氣壓為1〇
Pa處理犄間為3分鐘，進行蝕刻處理，以製造具有所需槽 圖案見之光學記錄再生媒體製造用翻印模丨5。該條件鎳的 钱刻率約為10 nm/min。 ”
本發明之以下各實施例中，藉由進行此㈣刻處理，可 使槽寬微細化，達到約1 nm以下的精度。 此外，尤其可將其槽面的面粗度控制在0.4 nm以上，〇.85 nm以下，此外，將槽側面之傾斜角度控制在15·^Τ以上， 40以下時，如後述之實施例中的詳細說明，可獲得記錄 再生特性良好的光學記錄再生媒體。 圖7係顯示藉由該蝕刻處理自微細化槽圖案之翻印模轉 f7成3L之光子δ己錄再生媒體用基板丨的模式剖面構造圖。其 中Ra表示槽面的面粗度。此外，傾斜角度$如圖7所示，係 -24- (20) 1244083
表示槽2之側面與基板丨表面之平坦面構成的角度。 本發明如以下實施例中之詳細說明，如此將槽2之面粗 度及傾斜角度控制在適切範圍内來進行蝕刻時，可於使用 該基板製成之光學記錄再生媒體中實現良好的記錄再生 特性。 另外，蝕刻條件即使導入氬+氧作為蝕刻 比為虱：氧=9 : 1，全氣壓為10 Pa，同樣地RF能為15〇 ,
’處理時間為3分鐘時，同樣地仍可以約1G rrn/min的蚀！ 率進行適切的蝕刻處理。
其次，如此使用藉由姓刻處理將槽圖t寬予以微細化之 翻印模15 ’藉由射出成形由聚碳酸酯(折射率⑸)等透明 樹脂構成的基板’如形成厚度為0.6 mm，如圖！中之說明 ’在基板1之信號形成面上，藉由濺射等依序覆蓋形成由 銘銅合金等構成的反射層3、由硫化鋅—氧切等構成的 第-電介質層4、由鍺錄錄合金、鍺銦銻鎊合金等相變化 材料構成的記錄層5、及由硫化鋅-氧切等構成的第二 電介質層6。而後’藉由自旋式魏法等塗㈣二電介質 層6上的紫外線硬化樹脂等，藉由紫外線照射予以硬化，、 形成如厚度為0.6 mm的保護層7,以構成光學記錄再生媒 體1〇。藉由以上步驟可獲得形成DVR型構造之 、 學記錄再线體。 ' 以下的各實施例中，控制 光、雷射能、移動間距，並 處理’以製成不同軌道間距 上述光學記錄|置之記錄雷射 藉由上述之蝕刻裝置實施蝕刻 槽覓、槽冰度的各翻印模。 -25- 1244083
(21) 另外，藉由將記錄雷射光之波長予以短波長化，可將形 成之槽圖案寬予以狹小化。如圖8中模式顯示的一種雷射光 之強度分布與槽圖案，如為以射束強度分布31表示之氦— 鎘雷射（波長442 nm)時，槽寬wgl較寬，如為以射束強度分 布32表示之氣雷射（波長351 nm)時，槽寬wg2較窄。圖8中之 11表示原盤用基板，12表示光阻。 [實施例1] 光源使用氪雷射（波長；I = 35 1 nm)，雷射能最大（i〇〇〇/c^ 達到0.6 mJ/m，並控制在76%以上，1〇〇%以下的能，移動 間距為0·35〇β m，亦即執道間距為〇·35 # m (350 nm)，進行 對光阻的光學記錄，以製成光學記錄再生媒體製造用原盤 。藉由調整光阻的膜厚，槽圖案的深度形成15rim。自該原 盤轉印成型之翻印模為翻印模A，在該翻印模A上進一步藉 由上述條件實施蝕刻，將槽寬予以微細化的翻印模為翻印 模AE 〇 [實施例2] 光源使用氪雷射，雷射能最大（1 00%)達到〇·25 mj/m，並 控制在77%以上，1〇〇%以下的能，移動間距為〇·3⑻# m , 亦即執道間距為〇·3〇 # m (300 nm)，進行對光阻的光學記錄 以‘成光學έ己錄再生媒體製造用原盤。藉由調整光阻的 膜厚’槽圖案的深度形成2〇nm。自該原盤轉印成型之翻印 枳為翻印模B ,在該翻印模B上進一步藉由上述條件實施蝕 刻’將槽寬予以微細化的翻印模為翻印模be。 [實施例3] -26- (22) (22)1244083
光源使用YAG雷射的4次高諧波（波長λ = 266 nm)，雷射能 最大（loo%)達到015 mJ/m，並控制在75%以上，以下的 能，移動間距為0·250 _，亦即執道間距為0.25 /z m (250 nm) 進灯對光阻的光學記錄，以製成光學記錄再生媒體製造 用原盤。藉由調整光阻的膜厚，槽圖案的深度形成25 。 自4原盤轉印成型之翻印模為翻印模C，在該翻印模C上進 步藉由上述條件實施蝕刻，將槽寬予以微細化的翻印模 為翻印模C £。 [實施例4] 光源使用YAG雷射的4次高諧波（波長又= 266 nm)，雷射能 取大（100%)達到〇·15 mJ/m ,並控制在70%以上，9〇%以下的 能，移動間距為0.200 // m ,亦即執道間距為〇 2〇 # m (2〇〇 _ ，進行對光阻的光學記錄，以製成光學記錄再生媒體製造 用原盤。藉由調整光阻的膜厚，槽圖案的深度形成3〇nm。 自孩原盤轉印成型之翻印模為翻印模D，在該翻印模d上進 一步藉由上述條件實施蝕刻，將槽寬予以微細化的翻印模 為翻印模DE。 藉由掃瞄電子顯微鏡（SEM; Scanning Electr〇n Micr〇sc〇pe) 貝J i如此开〉成之各翻印模A〜D、钱刻後之翻印模ae〜De的 槽寬平均值，亦即槽之開口端之槽底部的寬度，取平均值 計測槽寬。藉此獲得的槽寬、槽寬與軌道間距之比、蝕刻 後之槽見、钱刻後之槽寬與執道間距之比、槽深度分別顯 示於以下的表3〜表6。 -27· 1244083
[表3](翻印模A、AE ;執道間距p = 350 nm) 記錄光之能 76% 80% 85% 90% 95% 100% 槽寬(nm) 115 156 208 224 240 260 槽寬/執道間距 0.33 0.45 0.59 0.64 0.69 0.74 Ί虫刻後槽寬(nm) 87 129 180 198 213 235 蝕刻後槽寬/ 執道間距 0.25 0.37 0.51 0.57 0.61 0.67 [表4](翻印模B、BE ;軌道間距p = 300 nm) 記錄光之能 77% 80% 85% 90% 95% 100% 槽寬(nm) 105 123 145 168 195 210 槽寬/軌道間距 0.35 0.41 0.48 0.56 0.65 0.70 蝕刻後槽寬(nm) 77 95 114 139 167 181 蝕刻後槽寬/ 軌道間距 0.26 0.32 0.38 0.46 0.56 0.60 [表5](翻印模C、CE ;專 九道間距f ) = 250 nm) 記錄光之能 75% 80% 85% 90% 95% 100% 槽寬(nm) 93 112 138 153 167 182 槽寬/執道間距 0.37 0.45 0.55 0.61 0.67 0.73 姓刻後槽寬(nm) 63 83 110 125 140 156 蝕刻後槽寬/ 軌道間距 0.25 0.33 0.44 0.50 056 0.62
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(24) [表6](翻印模D、DE ;執道間距p = 200 nm) 記錄光之能 70% 75% 80% 85% 90% 槽寬(nm) 74 94 113 139 154 槽寬/執道間距 0.37 0.47 0.57 0.70 0.77 蝕刻後槽寬(nm) 47 67 87 114 129 蝕刻後槽寬/ 軌道間距 0.24 0.34 0.44 0.57 0.65
如上述表3所示，翻印模AE形成執道間距為350 nm，槽 寬為87 nm〜23 5 nm，槽寬與執道間距之比在0.25〜0.67的範 圍。槽深度為30 nm。 此外如上述表4所示，翻印模BE形成執道間距為300 nm ，槽寬為77 nm〜181 nm，槽寬與執道間距之比在0.26〜0.60 的範圍。槽深度為25 nm。
再者，如上述表5所示，翻印模CE形成執道間距為25 0 nm ，槽寬為63 nm〜156 nm，槽寬與執道間距之比在0.25〜0.62 的範圍。槽深度為20 nm。 此外如上述表6所示，翻印模DE形成執道間距為200 nm ，槽寬為47 nm〜129 nm，槽寬與軌道間距之比在0.24〜0.65 的範圍。槽深度為1 5 nm。 而後，在自此等翻印模藉由射出成型所形成之光學記錄 再生媒體用的基板上，藉由濺射覆蓋鈀化鉑，藉由SEM測 量槽寬、蝕刻後之槽寬時，可知此等基板之槽寬形成與各 翻印模A〜D、AE〜DE之槽寬相同的寬度，轉印形成於基板 上無問題。 -29- (25) 1244083
自如此形成之各翻印模勢丄告卜 丨犋衣仏上述圖2令說明之構造的光 予記錄再生媒體’並使用具備波長“4Q6 _，對物透鏡 之數值孔徑NA=G.85之光學系統之dvr型構造的評估機進 仃其再生特性的評估。 確認自各狀㈣模形叙各光學記錄再生媒體，可獲 得良好的推㈣號，可進行穩定料㈣服。此外，可以 擺動槽穩定地再生擺動信號。 上述各實施例中，使用三個記錄波長，亦即，266 η%35ΐ 随，413 nm波長的雷射，藉由電聚姓刻進一步縮小槽寬， 可製造槽寬在150麵以下之翻印模及光學記錄再生媒體。 亚衣造具有構成200 nm以上，35〇 nm以下執道間距之比先 前狹小化之執道間距之格式料學記錄再生媒體，槽寬與 執道間距之比在0.24以上，〇·67以下時，且槽深度在15 nm 以上，30 nm以下時，可獲得穩定的再生信號，良好地保持 記錄再生特性。
再者，可形成擺動槽，穩定地再生記錄位址資訊的擺動 信號。 其·人，使用與上述翻印模A相同構造的翻印模，藉由圖6 中說明之蝕刻裝置進行蝕刻，並藉由原子力顯微鏡（AFM; Atomic Force Microscope)測量槽之面粗度的變化及槽側面 之傾斜角度Θ隨時間的變化。其結果顯示於圖9及圖丨〇。可 知藉由繼續钱刻，面粗度Ra約自〇·4 nm逐漸惡化成約1 nm 。並知傾斜角度0自40。逐漸減少，槽側壁向平坦化的方 向變化。 -30- (26) 1244083
製造此寺錢刻時間變化的翻印模，自各翻印模藉由射 出成裂法形成光學記錄再生媒體用基板，繼續對形成反射 層、第-電介質層、由相變化材料構成之記錄層、第二電 介質層、保護層之光學記錄再生媒體，使用具備波長卜 406 _ ’對物透鏡之數值孔徑从=().85之光學系統之證 型構造的評估機進行再生特性的評估時，可知在表面粗度 為0.4〜0.85_之範目’且在傾斜角度心4。之範圍 内製造槽犄，可獲得良好的記錄再生特性。 以下的表7顯示對姓刻處理時間之面粗㈣及傾斜角度 Θ的測量結果，並以…表示記錄再生特性的良否。 〔表7〕
在〇.4〜0.8：) nm的範圍，且傾斜角度選擇在Μ，〜4〇。的範 圍内。 以上，係說明本發明之實施形態與各實施例，不過上述 之各例依據本發明的技術構想可以作各式各樣地變形變 •31- 1244083
，如上述的例中，係說明在厚度為〇 · 6 mm的基板上形成凹 狀的槽，形成反射層、記錄層等，覆蓋厚度為〇·6麵的保 護層，以構成光學記錄再生媒體，對該光學記錄再生媒體 自基板側照射記錄及/或再生用之光，進行光學記錄再生媒 體的記錄及/或再生，不過如圖η顯示其一種重要部分的模 式剖面構造，即使在厚度為^ mm之光學記錄再生媒體用 基板1上製造凸狀的槽2 ,如圖12顯示其重要部分的模式剖 面構造，在該基板1上形成反射層、記錄層等後，覆蓋厚度 大致為0.1 mm的保護層，以構成光學記錄再生媒體1〇，對 该光學記錄再生媒體1 〇，自保護層側照射記錄及/或再生用 之光以進行記錄再生時，當然可適用本發明。圖12中與圖2 重複的部分註記相同符號並省略其重複說明。此種情況下 ，藉由前述之圖3A〜圖3D之製造步驟形成翻印模15後，製 造自該翻印模15轉印形成之所謂母翻印模，藉由聚碳酸酯 等自該母翻印模轉印形成基板丨，可獲得顯示於上述圖丨丨及 圖12之構造的光學記錄再生媒體用基板1。 另外，即使是此種情況下，形成槽2時，其光學記錄仍為 曝光槽圖案的一般曝光方法。因此，即使槽2為擺動槽時， 於槽2的兩側仍為擺動信號同步的一般圖案，可穩定地再生 擺動資訊，可避免記錄再生特性的惡化。 此外，本發明可以作其他各式各樣的變形變更。如對光 阻光學記錄時之έ己錄波長並不限定於前述之wo nm& 413 nm，可使用其他的記錄用雷射光。 -32- (28) 1244083 阻 再者，r特性值在4.5以上之高 ，亦可使用化學放大型的光阻
r光阻亦可使用酚醛系光 此外，敍刻處理除使用反應性離子钱刻裝置之外，亦可 使用其他各種蝕刻裝置進行蝕刻’此外，電毁蝕刻之氣體 亦不限定於氬’除在氬器内混入氧氣的混合氣體之外，亦 可使用混人氮、氦等混合氣料，即使使用各種材料系， 仍可獲付與上述各貫施例相同的良好結果。
此外，光學a己錄再生媒體並不限定於如上述之使用相變 化型構造的記錄層者，亦可使用光磁記錄層、色素材料層 等其他記錄層，此外變更基板材料及構造等，在不脫離本 發明的範圍内，當然可作各種的變形變更。 此外，資訊並不限定於記錄資訊，亦可適用於信號之記 錄再生或具有資訊及信號之記錄再生兩種功能之光學記 錄再生媒體、光學記錄再生媒體製造用翻印模及其製造方 法〇 如以上所述，採用本發明’進行使用高7特性值（45以 上）之光阻的圖案化’並藉由在翻印模上實施蝕刻處理， 具有以一般光學記錄的製造方法不易形成15〇 nm以下之 狹小的槽寬，可形成200 nm以上，350 nm以下之執道間距 的光學記錄再生媒體用製造用翻印模，並可使用其獲得具 有良好轉印性，槽形狀被轉印形成的光學記錄再生媒體用 基板。 採用本發明與採用如上述先前申請專利2之將槽間的地 面部予以圖案曝光，反轉形成凹凸的方法比較，可避免形 (29) (29)1244083 成擺動槽4之記錄再生特性的惡化，可進行良好之擺動信 號的再生。 此外，尤其是槽寬在47疆以上，235 nm以下時，可將槽 寬對執道間距之比予以最佳化，且可保持可良好地進行轉 P形成的槽形狀，可提供特性良好的光學記錄再生媒體。 再者，藉由使槽面之面粗度在〇.4 nm以上，〇·85 nm以下 ，並使槽側面之傾斜角度在154。以上，4〇。以下，可提供 特性良好的光學記錄再生媒體。 此外，藉由使槽深度在15 nm以上，30 nm以下’可獲得 記錄再生優異的光學記錄再生媒體。 此外採用本發明，於如此形成之光學記錄再生媒體中， 可穩定地再生其追蹤伺服信號，並可實現穩定地再生形成 擺動槽時之其擺動信號的位址資訊，可良好地保持追縱飼 服信號及擺動信號的記錄再生特性。再者，藉由對吃錄再 生用光之對物透鏡的數值孔徑NA在〇·85± 0.05，進“ “ 免· 4丁 §己錄 及/或再生，如以上所述，可提供良好地保持記錄再生特性 之貫用性之南記錄密度的光學記錄再生媒體。 圖式元件符號說明 1 ...... 光學記錄再生媒體用基板 2 ......槽 3 ......反射層 4 ...... 第一電介質層 5 ......記錄層 6 ...... 苐二電介質層 •34· 1244083
7 ......保護層 8 ......地面 9 ......對物透鏡 10 ...... 光學記錄再生媒體 11 ......原盤用基板 12 ......光阻 13 ......槽圖案 14a ······鑛層 14 ......翻印模 15 ......光學記錄再生媒體製造用翻印模 16 ......光學記錄再生媒體製造用原盤 20 ...... 光源 21 ...... 光電調制器 22 ......檢光板 23 ...... 光檢測器 24 ......光輸出控制器 25 ......調制光學系統 27 ......驅動器 28 ......聲光調制器 3 1 ...... 氦一鎘雷射之聚光束的強度分布 32 ...... 氪雷射之聚光束的強度分布 40 ......移動光學台 47 ......楔形稜鏡 48 ......聲光偏向器 -35- 1244083
49 50 51 54 楔形稜鏡 驅動用驅動器 電壓控制振盪器 對物透鏡
-36·

Claims (1)

1244083 第^91116014號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年5月） 拾、申請專利範圍 1 · 一種光學記錄再生媒體用基板，其特徵為：其係沿著記 錄執道形成有槽，上述槽係形成為擺動槽者； 上述槽之執道間距在2〇〇 nm以上，350 nm以下， 上述槽之寬度wg與軌道間距p之比Wg/p在0.24以上， 0.67以下， 上述槽之槽面之面粗度在〇4 nm以上，0.85 nm以下。 2·如申請專利範圍第1項之光學記錄再生媒體用基板，其 中上述槽寬在47 nm以上，235 nm以下。 3 ·如申請專利範圍第1項之光學記錄再生媒體用基板，其 中上述槽之槽側面之傾斜角度在l5 zr以上，4〇。以下。 4·如申請專利範圍第1項之光學記錄再生媒體用基板，其 中上述槽之深度或高度在15 ηιη以上，30 nm以下。 5· 一種光學記錄再生媒體製造用翻印模之製造方法，其特 徵為··其係將沿著記錄執道形成有槽，且上述槽係形成 為擺動槽之光學記錄再生媒體之基板予以成形者； 將原盤用基板上之光阻在進行圖案曝光成對應於特 定凹凸圖案之圖案後顯像，製造光學記錄再生媒體製 造用原盤’藉由蝕刻自該光學記錄再生媒體製造用原 盤轉印的翻印模，將對應於上述槽之槽圖案寬度予以 微細化。 Μ請專利H圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 Μ之製造方法’其中係、藉由電漿制或反應性離子姓刻 進行對上述翻印模的姓刻。
1244083 7〇如申請專利範圍第6項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其t上述電漿蝕刻或反應性離子蝕刻之 氣體係使用氬氣或在氬氣内混入氧氣而成的氣體。 8·如申請專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模之製造方法，其中對應於上述光學記錄再生媒體 之槽之槽圖案的執道間距係設定在2〇〇 nm以上，350 nm以下，
上述槽圖案之寬度Wg，與上述槽圖案之執道間距p，之 比Wg，/p，係設定在0·24以上，〇 67以下， 上述槽之槽面之面粗度係設定在〇4 nm以上，0.8 5 nm 以下。 9·如申請專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其中係藉由上述蝕刻將自上述光學記錄 再生媒體製造用原盤轉印之上述翻印模的槽圖案寬度 形成47 nm以上，235 nm以下。
10·如申請專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其中上述槽圖案之槽圖案側面之傾斜角 度在15.4以上，4〇。以下。 11 ·如申請專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其中上述槽圖案之深度或高度在15 nm 以上，30 nm以下。 12 ·如申请專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其中於製造上述光學記錄再生媒體製造 用原盤時， -2 · 1244083
係使用T特性值在4·5以上之高7光阻作為上述原盤 用基板上之上述感光層。 13.如申請專利範圍第5項之光學記錄再生媒體製造用翻印 模之製造方法，其中於上述製造光學記錄再生媒體製造 用原盤時， 對上述原盤用基板上之上述感光層進行圖案曝光使 用之曝光用光的波長在266 nm以上，413 nm以下。
14· 一種光學記錄再生媒體製造用翻印模，其特徵為··其係 將沿著記錄軌道形成有槽，且上述槽係形成為擺動槽之 光學記錄再生媒體之基板予以成形者； 對應於上述光學記錄再生媒體之槽之槽圖案的軌道 間距在20 0 nm以上，3 5 0 nm以下， 上述槽圖案之寬度Wg，與上述槽圖案之軌道間距P，之 比Wg’/p5在〇·24以上，0.67以下， 上述槽之槽面之面粗度係設定在0.4 nm以上，0.85 nm 以下。
15·如申請專利範圍第14項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模’其中上述槽圖案之寬度wg，在47 nm以上，235 nm 以下。 16·如申請專利範圍第14項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模’其中上述槽之槽側面之傾斜角度在15.4。以上，40 。以下。 17.如申請專利範圍第14項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模’其中上述槽之深度或高度在15 nm以上，30 nm以
1244083 下。 !8.如申請專利範圍第Μ項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模，其中上述光學記錄再生媒體製造用翻印模係以 在將原盤用I板上之光阻進行圖案曝光成冑應於特 定之凹凸圖案的圖案後顯像’以製造光學記錄再生媒體 製造用原盤，並對自該光學記錄再生媒體製造用原盤轉 印之翻印模實施蝕刻而形成， 上述對應於槽之槽圖案寬度小於上述翻印模之槽圖 案寬度。 H 19·如申請專利範圍第丨8項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模’其中對上述翻印模之蝕刻係採用電漿蝕刻或反應 性離子蝕刻。 20.如申請專利範圍第18項之光學記錄再生媒體製造用翻 印模’其中上述電漿蝕刻或反應性離子蝕刻之氣體係使 用氬氣或在氬氣内混入氧氣而成的氣體。
-4-
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