TWI240015B - Electrostatic chuck member and method of producing the same - Google Patents

Description

1240015 五、發明說明（1) 【技術領域 本發明係有關於粒 件、絕緣性構件等吸電將導電性構件、半導體性構 造方法。 、疋所使用的靜電夾持構件及其製 【技術背景】 近來，基於自動化且防止 製造過程，W如半導髀制、生：：、牛導體或液晶 . 體Ik表置之中’構成其一部分夕仏 真工或疋減壓的環境下進行。 由達成電路積集化或微細加工化的觀點看來，這種乾 式處理之中，有必要提昇矽晶圓或玻璃基板等之基板的^ 案化時的位置精確度。 以往’因應上述需求的方法例如，在基板搬移或吸附 固定時，使用了真空夾具或是機械性夾具。然而真空夾具 係在真空下處理，所以壓力差無法變大而使得吸附力弱， 即使能夠吸附，也僅能局部地吸附部分，而產生基板不正 的缺點。由於上述之晶圓處理的高溫化氣體無法冷卻，所 •以具有無法適用於最近高性能半導體製造程序之不便。另 一方面，使用機械式夾具時，由於裝置複雜，具有需要保 守檢查的時間的缺點。

2053-3738-PF.ptd 最近，為了改善如上所述的習知技術，利用靜電力的 靜電夾具被開發並且廣泛地使用。然而此技術亦有以下的 問題點。

第4胃 1240015 五、發明說明（2) 此為’使用靜電夾具吸附 而具有基板無法卸下的 壓之後，基板與靜電夾具之間=基板時’在切斷施加電 所以具有若無法完全地去除電荷了電何（吸附力作用）， 問題點。 上述對策，習知，在該耩φ + θ 的改良。例如： #電夹具使用絕緣性介電材質 示了使用氮化鋁與氮化 當作高絕緣物的例子。 揭示了在高絕緣物的表 ，並且與Si + SiC板的例__ 特開平6 -80 89號公報之中，揭 欽粉末的混合物之燒結體或溶射膜 特開平6 - 3 0 2 6 7 7號公報之中， 面塗覆氧化鈦之後，在上方塗覆|呂 子。 } 特公平6-36583歡公報之中，揭示了使用氧化鋁以當 作絕緣性體的例子。 特開平5 -23 5 1 52號公報以及特開平6 —8〇89號公報之 中’揭示了使用氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、氮化硼、矽， 铭，氮化合物等當作高絕緣體的例子。 特開平3 -1 4 7 8 4 3號公報以及特開平3 - 2 0 4 9 2 4號公報之 中’揭示了有必要使用更大的靜電力時，在高絕緣體添加 介電率高的Ti02而降低體積固有阻抗率以提昇靜電力的方 法。 含有Ti〇2的八12 03等高絕緣體，在電源OFF時，有殘留 暫時的時間吸附力之缺點。在此，克服此缺點的技術例 f ’特開平1 1 - 2 2 2 8 2 6號公報或特開平1 1 - 6 9 8 5 5號公報 等’為了縮短矽晶圓的脫離時間，揭示了反轉電極極性的

1240015 五、發明說明（3) 方法。 圓 法 中 f開平"4663Λ公報之中’為了迅速地脫離石夕曰曰 揭不了在絕緣層的-部分塗覆具有導電性的形成曰方 低的情形，揭示了具有水冷構造之靜電：：=的“降 因此，使用靜電夾具之A 1? 〇, · τ彳η相λα — 層，具有以下的問題： "Tl〇2類的南絕緣性溶射 (1)混合有Ti〇20nl2〇3類的熔射層，體積固有阻抗彳 二並且小的電流，所以可預期因強森拉貝克效應 (A· JensenM.Rahbek’s f0rce)而提昇靜電力。缺而，

TiOJ半導體物質，所以電荷的移動速度慢，所以停止電 ΐ 的應答特性（飽和吸附加到達時間、吸附力消滅 時間）變差，並且此特性特別在低溫環境更加顯著。 再者，為了使體積固有阻抗變成實用狀態之1χ 1〇9 Ω · cm，也必須混合Ti〇2於25衬％左右。但是，半導體製 造程序之中，添加多量的Ti〇2，意謂著混入不純物，此會 導致，質的降低，同時為污染作業環境的原因。 及附的半導體晶圓在室溫以上時，由於體積固有阻抗 過低’所以流動大的漏電流而破壞晶圓電路的可能性高。 / ，=)混合有Ti〇2的αι2 03類的熔射層係藉由熔射法進 行…、：而’此方法所得到的該被覆層之體積固有阻抗以及 吸附力的偏差變大，生產性變低，所以成為成本提高的原

Η^ιιι麵 第6頁 1240015

因此， 並且減少其 本發明 止電壓施加 本發明 膜，因為與 中所含之鹵 污染環境之 本發明 絕緣基板， 出克服此的 本發明 件在金屬製 緣層，含有 的生產性與 性。 【發明 本發明 金屬質電極 陶瓷構成的 亦即， 至少一個表 物上具有Al9 此發明的 偏差，且 品質佳的靜電 在於，提供吸 時的應答性能（釋放）佳 另一目的在於，提供靜 觸的電漿等物 學性侵蝕作用 另一目的 矽晶圓接 化物之化 虞的Ti〇2 另一目的在於，針對以 度變化時有容 在使用溫 替代方案。 還有另一目的在於，為 圍以陶瓷構成 由熔射法形成 覆密著性，使 電極的周 電極而藉 良好的塗 夾持構件。 机 力強、另-方面停 的諍電失持構件。τ 電失持構件用熔射塗 理性侵餘作用或是環J 的損傷，並且不使用； 燒結法製造之習知A1 0 易損壞的缺點，所以2“’· 了克服習知靜電夾持構 溶射層之缺點，不僅絕 其大部分，並且具有高 其發揮良好的靜電特 之揭示】 之靜電夾持構件不僅於金屬製基板的表面形成 ’亦藉由熔射方式堆疊形成電阻率大之氧化物 絕緣層。 本發明靜電夾持構件基本的構造為，基材上的 面具有金屬質的底部塗覆物，並且此底部塗覆 03陶瓷構成的下部絕緣層，再者，此下部絕緣

1240015 五、發明說明（5) 】2有金屬質電極層，並 m緣層以當作頂部塗覆物“ί 構 的熔射層，其次屬二 下°卩絕緣層為厚度100〜500 層，並且此金屬f冑極/電/^層人為厚—度5〜100心的溶射 率最好為卜7%。、 曰虱虱含有量為2wt%以下，氣孔 A 12 〇3陶究構成之上邱紹接成 ^ ^98. 〇wt% a j, ^ ^ #/ΛΤΛΥ ^ ^ ^ ^ ^ 最好形成為1〜8%。 材枓如末熔射而成，並且氣孔率 上述上部絕緣層以Β Τ 由浸潰有機系或無機系的石夕;=層至少一者的表面’藉 此層的體積固體阻抗率；c進行封孔處理，並且 範圍。 机早最好介於lx 1〇13〜IX 1〇ΐ5Ω .⑽的

Ni 以 ίϊϋ極層最f 為選自 W、A1、Cu、Nb、Ta、Μ。、 形成的層。M上坆些金屬70素的合金之中至少1種熔射 ‘昇兩ί:ίΑ」2,陶究J成的下部絕緣層之間，具有用來提 5 ί' Μ ΐΐ質底部塗覆物，其最好選自Ni、 A1 Cr、Co、Mo以及含有1籍1V u、丄 中1種以上熔射形成。 上思些金屬元素的合金之 位於本發明靜電夾持構件 部絕緣層之頂部塗覆物，層之叫陶曼構成的上 在此接觸面施以機械加工石f晶圓的接觸面’最好 M i成表面粗度大約 1240015 五、發明說明

Ra:0. 1〜2. 〇 左右。 金屬質底部ί構件的製造之溶射法例如， 法等也ΐ以，！浆溶身？、減壓電漿溶射法、爆發炫射 用大氣f方面丨2 〇3陶瓷絕緣塗覆膜的施工可採 =電漿熔射法、減M電聚熔 【圖，之簡單說明】 寻 【實概念性地顯示本發明的靜電央具的剖面構造。

【貫轭發明的最佳形態】 j囬偁W 加以說明。針對利用溶射法製造本發明之靜電夾具的例子籲1< 首先’將金屬製基材的裘而& 屬質_料加以熔射金 成底部塗覆物(under coat)。藉c材表面形 上形成Al2〇3陶竟構成的下部熔射絕：η其底部塗覆物 熔射法在下部熔射絕緣層的表：、邑然採用 形成t屬質溶射電極層，使得可藉此ϊ:ΐ; 述金屬質熔射電極声上， 電極。接耆在上 ‘絕緣層。藉此，製:如第日所_、 l2〇3陶瓷，以形成熔射 持構件。 圖所不具有積層構造之靜電夾 屬質層= : = 從 樣的使用環境，也不會受到環境中 影響’並且經過長時間，亦可永久維持初電浆的 2053-3738-PF.ptd 第9頁 1240015 五、發明說明（7) 比起Al2〇3陶瓷上部· 熔射電極層的直徑最好使用；少：二的直經’上述金屬質 由為，不露出電極的端面於外部。 上的物質。其理 之中，符號1為金屬製基板，2A金屬暂 熔射層構成的底部塗覆物，3為板2為金屬質 熔射絕緣層，4為金屬質熔射電極声，2 3陶竞構成的下部 =射？陶竞之上部溶射絕緣層曰為頂二 電源，8為接地，9電磨負荷用的銅線。巧夕曰曰困，7為直流 10為上部熔射絕緣層3與下部熔射絕 — 的符號 熔射絕緣層直接接觸的位置。、、’ B 母個A丨2〇3陶瓷 料，=传=形f上述金屬質底部塗覆物2的溶射材_ 料最好使用Nl、Al、Cr、Co、Mo等金屬式曰從、 些金屬的合金，層厚产為30〜ϋχ 3疋種以上這 權厚度馮川300#m，最好為50〜150"m 2疋因為，層厚度小於30，的話，具有層厚度不平。 缺點’另一方面，層厚度大於30 0 //m以當作勺、 j，在機能上不會特別地提昇，所以從經 = 考量，並不恰當。 系上的 形成於底部塗佈層2，且位於金屬質之溶射電極芦 €· 上部、下部，而夾層地形成的ΜΑ陶瓷構成的上部θ傾 緣層、下部熔射絕緣層，被要求有良好的電氣絕緣性、耐 腐蝕性、耐電漿腐蝕性。因為此層必須純度高且緻密。發 明者們藉由實驗確認，了解到純度9 8%以上，尤其是“。今 上的話，熔射塗覆層的氣孔率為卜8%、尤其是^以 圍。 呵軏

2053-3738-PF.ptd 1240015 五、發明說明（8) 形成於下部熔射絕绫 好熔射選自w、A丨r、1τι；表面的金屬質熔射電極層，最 屬至少一種的金屬而形成者、〇、Nl以及各有這些金 Am的範圍。1理由 再者，其厚度最好在5〜100 當作電極之作用機能會降；f。度若小於5 =層的多孔質 別是，10〜30㈣較適ς有特別地提昇，所以不經濟。特 的氣Ϊ : :1 層：=工雖=愈小愈好，然而以熔射法形成 題。並且，Ρ ， 經過實驗證實沒有特別的問 疋上述氣孔率為1%以下的話，在大氣中熔射__ 環境氣體中的腐餘：：合；mL率大於?%的話’在 羊增同而發熱’並使得電極層高溫化，所以不適合。 瞪盔5熔f電極層’使金屬在大氣中熔射時所產生的氧化 5電阻來源’此並非所希望的。藉由實驗結果，已確認 =1有2%以下的混入量，以當作溶射電極層，沒有特別的 員壞所以本發明所形成的熔射電極層具有2 %以下的氧含 有量。 、其次’形成於最上層以當作頂部塗覆物之A 12〇3陶究構 成的上部熔射絕緣層，最好利用機械加工（研削）將其表面__ 研削成與金屬製基板表面平行，並且完成表面粗度Ra為〇 卜0 · 2 // Μ以下。 · 特別是，可視需要，在此機械研削過的上部熔射絕緣 層，塗佈液體有機矽化合物（曱基·甲矽烷·三·異氰酸

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五、發明說明（9) 鹽；苯基·甲矽烷·三·異氰酸鹽或是無機矽化合物（珍醇 鹽；鹼金屬之矽化合物），然後在1 2 0〜3 5 0 °C加熱1〜5小時，° 加以封孔處理。此封孔處理精由殘存於炼射層中的微細1 孔部填充矽化合物，可防止異物的附著，並且可防止作g 環境中的腐#氣體的侵入。並且，此封孔處理，也可以豐j 下部的A 12 〇3陶究溶射絕緣層進行。 如以上所說明，金屬質熔射層的底部塗覆物、金屬質 溶射電極層、A丨2〇3陶瓷構成的上部·下部熔射絕緣層的施 工可使用電漿熔射法、高速火燄法、爆發熔射法、^光^ 射法（僅金屬質），然而由生產性、品質安定性的觀點看' 來’特別是大氣電漿熔射法或減壓電漿熔射法較為合、商。 實施例1 ^ 在紹基材（寬度50mmx長度lOOmmx高度5mm)的部分施 以喷砂處理以粗面化之後，利用火談炫射法處理 «· 80wt%Ni-20wt%Al合金，以在此粗化處理面上，形成厚度 8 0 β m之底部塗覆物。然後，利用大氣電漿熔射法在上述 底部塗覆物上形成厚度1 5 〇 // m的A丨2 〇3陶瓷，接著，利用大 氣電漿熔射法在A丨2〇3陶瓷熔射層上形成6〇 的金屬鶴 W),以當作熔射電極層。並且，此時電極層中的氧量為 〇·11 wt%。其次，利用大氣電漿熔射法在上述金屬鎢電極 層的表面積層形成厚度3〇 Am〜5〇〇 //111的人丨2〇3陶瓷之上部熔 射絕緣層’以當作頂部塗覆物，然後當作試驗片。 將如上所製作的試驗片，放置於以下之腐姓性環境下 連續20 0個小時，以調查因侵〜A12〇3陶瓷構成之上部、馆^射

No. 1240015 五、發明說明（ίο) 絕緣層的氣孔部之腐触成份，導致金屬鎢電極之腐触發生 狀況。 (1 )鹽水喷霧試驗（JIS Z 23 71 ) (2)耐鹵素腐蝕試驗（將試驗片靜置於，導人每分鐘 120ml之CHF3 4 0ml+Ar 60ml混合氣體於塑膠製腐钱試驗 裝置的環境中，試驗溫度為60 °C ) " 上述腐蝕性試驗結果如表1簡要地顯示。如表丨所示的 結果，ai2o3陶瓷構成之上部熔射絕緣層的厚度為8“m以 上的話’在進行鹽水喷霧試驗'耐南素腐餘試本身，可遮 斷侵入内部的腐蝕性成份，並且鎢雷 > 办赢· Μ认外几二输处 1且瑪電極層完全被認定無腐籲馨 4uh 说07外規0相對於此，Al2〇3陶 瓷構成之上部熔射絕緣層的厚度若炎 腐钱性成份通過氣孔部而入二30 口的話’ 而出現電極機能消失的傾向：€件鶴電極層嚴重腐姓’ 表 表面的構造 耐腐钱試驗

(備註）··（〇層厚度單位為V 腐钱變55££a 無異tZZZsgt m 耐鹵素蝕刻 試驗 廣飯變色大 塵飯變色大 無異常 無異常 i異常 備註 比較例 發明例 2053-3738-PF.ptd 第13頁 1240015

(2)腐蝕試驗後的試驗 部絕緣層，而露出電極表面，’僅以機械式方式去除上 接觸的上部絕緣層的變色悴^二且以其外觀變化以及與i 旧况來評價。 、 實施例2 本實施例之靜電夾持 6-36583號）等提案的金屬 熱衝擊性試驗。 =件與先行技術（例如特開平 電極之四周的熔射形成物之耐 (1)本發明使用於靜電夾持構件之層構造 使用大氣電漿熔射法與減壓電漿熔射法以 龍厚度、製基材之_面， 2 ， 以大氣電漿熔射法形成丨5 〇 # m的 ② 下部熔射絕緣層99· 5wt% 之Al2〇3 〇 ③ 金屬質電極層： a b ④上部熔射絕緣層 99. 5wt% 之Al2〇3 〇 (2 )比較例的構造 以大氣電漿熔射法形成30 的 金屬W 以減壓電漿熔射法形成30 的 金屬W 以大氣電漿熔射法形成150 //m的 ①底部塗覆物：a·以大氣電漿熔射法形成厚度丨〇〇的80wt%Ni-20wt%Al

2053-3738-PF.ptd 第14頁 1240015 — 五、發明說明（12) ②絕緣層：以大」=覆物 99.5wt%iAl2〇3。乳電水熔射法形成厚度15〇 "««的 e u ，比較例係對直徑為10〇nm、厚产為贺 基材的整個周圍塗覆。 序戾馮lUmm的AI良 (3 )熱衝擊試驗條彳 在空氣中35〇0Cy 4 g y, 氣吹!。分鐘的操作告作力;’以25。。的壓縮空 驗。 田作1 一人循鞦，而貫施1 0次循環的試 ·· (4)试驗結果 上述試驗的結果顯示於表2。從 知，圍繞著㉟製基材周圍之熔射之比較例付 底部塗覆物，經過1〜3次循淨德合甚 ' _有…、 為，在义灸曰產生龜裂。此原因應該 ΐ，ΐ曰ίί 2 3溶射層的熱膨脹率大大地不同的方 ’因為形成圍繞著基材周圍的層，所UI g „ 極大的應力的結果。 所以在此層負何 環之用於本發明構造要件的層為經過w次循 ^。㈣維持元整狀態，並以能夠發揮高耐熱衝擊性的

1240015 五、發明說明（13) 表2 表面ί mi ~~ 熱衝擊條件 No. 底部塗 覆物 下部絕 缘層 金屬電 極層 上部絕 綠層 350〇CX 15 分鐘 <=>空氣冷卻 備註 1 有 有 有*0) 有 10次循環後亦無異常 比較例 2 有 有 有 *(2) 有 10次循環後亦無異常 3 有 無 無 有 3次循環後亦無異常 4 無 無 無 有 次循環後亦無異常 發明例 (備注）（1)底部塗覆物為厚度100//m的8〇wt%Ni—2〇wt%A1 (2) 金屬電極層*(1)為以大氣電漿熔射法形成3〇 的金屬w(氧含量為〇·丨2^^參 *(2)為以減壓電漿熔射法形成3〇 r, . ^ ^ ^ 的金屬W(氧含量為0.12wt%) (3) 絕緣層為上下皆使用a 1 〇 。+丄^ Γ白1史用Ai2〇3之大氣熔射法150 β m 實施例3 本實施例係將矽晶圓吸附於靜電夾持 將電源OFF時的殘留吸附力隨著時間的變化再仟之後，測试 (1)在適合於本發明的條件下製造的靜 構成的直徑6彳的A i基材上形成以下'溶射層爽持構件之層 ① 底部塗覆物：80wt%Ni-20wt%Al δ〇 & ② 下部熔射絕緣層·· A 12 03 1 5 0 /z m m ③ 金屬質電極層：W50//m ④ 上部溶射絕緣層：之Al2〇3的15〇 “瓜 (2 )比較例的靜電失具構造 第16頁 2053-3738-PF.ptd 1240015 五、發明說明（14) ① 底部塗覆物：80wt%Ni-20wt%Al 80 vm ② 頂部塗覆物：88wt% Al203 - 1 2wt%Ti 02 300 //m 靜電吸附力是在〇·〇1 hpa的真空容器中，在矽晶圓 與靜電夾具負荷1分鐘的1KV電壓之後，將電源OFF，以測 定石夕晶圓從靜電夾具之脫離力（Pa)以進行測試。 其結果顯示，使用本發明之掙電夾具的話，在電源 0 F F之後吸附加立即消失，而比較例（習知技術）之 AI2 〇3 -T 1 Ο?構成的靜電夾具的話，直到吸附加消失需要 3 0〜4 5秒0 實施例4 在當作本發明靜電夾持構件層之鋁基材（寬度5 Omm X 長度50mm X厚度5mm)施以喷砂處理以粗面化之後，利用弧 光炼射法處理80wt%Ni—2〇wt%Al合金為7〇 的厚度。然 ，，利用電漿熔射法在上方形成厚度18〇 //111的人12〇3，接 f，利用電漿熔射法在上方形成5〇 V m的金屬鎢。其 次，利用電漿熔射法在上方形成厚度2〇〇 的^以，然後- 立=利用市售之液狀有機石夕樹脂，以當作封孔劑進行塗佈 乾燥’然後以此當作試驗片。 立、將式驗片的一定面積（l〇mjn><l〇mm)露出之後，其他 邛刀遮蓋起來’然後在含有鹵素化合物的氣體之中，電漿·· =電連、、、只4 0個小時，之後利用最大損失厚度以評估因電漿 腐蝕造成的損失量。 試驗條件

，體組成 CF4+ l〇〇ml+02 l〇ml + Ar 1 00 0 ml 高周波輸出1200W

1240015 五、發明說明（15) ' -- 壓， 大氣壓 再者，此試驗的比較例係將A1基板經過Almite 後，形成與本發明相同的層構造，然後形成2〇〇 “ m

Al2〇3_12wt%Ti〇2當作上部熔射絕緣層，在相同的條 進行試驗。 此試驗的結果可得知，相對於本發明之溶射絕緣 12〜15 左右的腐蝕，比較例的Almite處理薄層完全; 失，而基材之A1也損失（5〇〜7〇ym)，並且Αΐ2〇3+η〇声 現3卜38 的損失，本發明之靜電夾持構件 2 ^ ·· 合物的電漿環境中極為安定。 頁S素化 產業上之利用可能性 如上所說明，本發明的靜電夾持構件除了耐衝 耐^性、耐磨耗性佳之外，由於金屬質溶射電極層的上 下精由Al2〇3陶瓷熔射絕緣層失持以形成三明治 ;庫倫力可固定石夕晶圓，所以去除電源時固持力U利 失，而使矽晶圓容易脫離，而可提昇作業效率。 2 電夾持構件的頂部塗覆物係 ，射塗覆薄層構成，所以對於與石夕晶圓接 .是電浆磨耗作用具有良好的抵抗力，不但能夠 ，層的微粉化’同時化學安定性高，所以亦抑制環境成份 效果並合且物成A等)的腐餘反應’而具有防止環境污染的 不直接眼-於之靜電夾持構件之金屬質熔射電極層

間仍然月匕夠維持卓越的功能，有效率地促進石夕晶圓等電I

Claims (1)

1. 901011Q6 >月年>! 穩先 修正> 立^-φ每奪利·範贯 1- 一種靜電夾持構件，其基材上的至少一個表面罝 金屬質的厚度為30〜3 0 0 的底部塗覆物’並且此底部、有 ，物上具有純度98.0wt%y上的ΜΑ陶兗粉末熔射成氣孔 =〜8%厚度1〇〇〜500 的“2%陶瓷構成的下部絕緣層， 下部絕緣層上具有用比絕緣層用熔射材料的粒徑： 的金屬熔射材料熔射而形成氧氣含有量為2wt%以 率為卜7%的金屬質電極層，並且此電極層上具孔孔 98. Owt%以上的ΑΙΑ陶瓷粉末熔射成氣孔率卜8%又 100〜500 #〇!的人12〇3陶曼構成的上部絕二 物而形成’ ^上述上部絕緣層以及下部絕;覆 者的表面，藉由有機系或盔機卑 ^ ^ 緣層。 ^，、機糸的矽化合物封孔處理的絕 2.如申請專利範圍第丨項所述之電 上述底部塗覆物係選自Ν i、A i、& 、構件，八中 以上這些金屬元素的合金之中丨種、〇、〇以及含有1種 層。 上炼射形成的金屬質 3·如申請專利範圍第丨項所述之 上部絕緣層以及下部絕緣層體積固體阻電夾^夺入構件’其中 χ1015Ω·〇πι的範圍。 抗率）丨於lxlO13〜1 4·如申請專利範圍第丨項所述之 金屬質電極層係選自ψ、A1、cu、N 電夾持構件，其中 有1種以上這些金屬元素的人丄 ^、Ta、M〇、Ni以及含 層。 至少1種熔射形成的 $電夾持構件，其中

   2053-3738-PF2.ptc 第20頁 5.如申請專利範圍第i項所 1240015 修正

   J號 9〇imi〇fi 六、申請專利範圍 ΐ ΐ Ϊ ?處理層’此封孔處理層係藉由在下部以及上部的 研磨表面之至少-者的表面上，塗佈液： = = 無物化合物之後’在12°谓加熱卜5 姑5 6|.二Ϊ靜電夾持構件的製造方法，其特徵在於：在基 炫射表面進行噴砂處理之後，在基板的粗化表面 底邱涂ϊί D 形成金屬質層構成厚度為30〜3 0 0 ^^的 A_1 “ ί ί *接著f此底部塗覆物上熔射98. 〇wt%以上的 部2絕3終戶4接ί , T孔率為卜8%而形成A12〇3陶竟以形成下 :的;部絕緣層上溶射比絕緣層用熔射材 ΐ 料而形成氧氣含有量為以 ^ ^ ^ ^ ^98. Owt% AVaI ο V, Λ ^ t ^ 厚度1〇◦〜50“m的A1 0的陶3、陶竞粉末而形成氣孔率 上述上部絕緣層以及下部絕緣層至少ί者的表邑：層拉；： 機系或無機系的石夕化合物封孔處理的絕緣層。 胃 7·如申請專利範圍第6項所述之靜電曰 方法，其中上述底部塗覆物係選自Ν 丨冓：的“ 及含有1種以上這些金屬元素的合 、Cr、Co、M〇u 的金屬質層。 中1種以上熔射形成 8·如申請專利範圍第6項所述 方法，其中上部絕緣層以及下部 電产持構件的製造 成體積固體阻抗率介於1 X 1 〇13〜丨χ pi5曰係由封孔處理而形 9·如申請專利範圍第6項所 〇 5 ^ · cm的範圍。 <之靜電夾持構件的製造 _ 案號 90101106 申:專利範圍 —^ 修正 方法，其中金屬質電極層係 Ta、Mo、Ni以及含有！種以射選自w、M、Cu、仙、 少1種而形成。 坆些金屬元素的合金之中至 1 0 ·如申睛專利範圍苐6 方法，其中在上部絕緣層及/、所述之靜電夾持構件的製造 面塗佈液狀的有機系或是盔或^下部絕緣層的其中一個表 120〜350 °C加熱卜5個小匕=矽化合物之後，在 1 1如由性* 叫形成封孔處理層。 方、、>， 明，利範圍第6項所述之靜電夾持構件的製造 、 將Μ作頂部塗覆物的上部絕緣層表面施以機械 研削’以完成表面粗度為Ra:〇· i〜2· 〇 。

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