TW594120B - Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for manufacturing the same - Google Patents

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TW594120B
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line
film transistor
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Chang-Hun Lee
Nam-Hung Kim
Hak-Sun Chang
Jae-Jin Lyu
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

594120 五、發明説明（ I明背景 (a) 發明範疇 本發明係關於-種用於液晶顯示器之薄膜電晶體睁列面 板，及其製造方法。 (b) 有關技藝之說明 通常，液晶顯示器具有二個具有電極的基材以及夾在二 T基材間（液晶層。電壓施加至電極，使液晶層内的液晶 分子被再定向以控制光透射。電極皆可形成在基材之一。 基材足一％為”薄膜電晶體陣列面板"，另一基材稱為，，濾 色基材"^ ^電晶體陣列面板具有複數閘極線、橫過閘極線而界 定像素區之資料線、形成在各個像素區而電連接至閘極及 資料線之薄膜電晶體以及電連接至薄膜電晶體之像素電極。 儲存電谷器形成在薄膜電晶體陣列面板以使電壓以穩定 方j施加至配置於二個基材間之液晶。為了此目的，儲存 電容器線裝配體形成在與閘極線相同的層，使其與像素電 極重疊以形成儲存電容器。同時，應增加儲存電容器的靜 電電容以增強顯示裝置的亮度或使其回應速度加快。關於 此必7員擴大儲存電谷器線裝配體的面積，但此造成孔徑 或斷開比減少^ 發明概沭 本發明之目的為提供一種用於液晶顯示器之薄膜電晶體 陣列面板，其涉及具有增加靜電電容以及合理孔徑比之儲 存電容器。
GiS：：26 5- 594120 A7 B7 五、發明説明（2 ) ,此目的及其他目的可藉用於液晶顯示器之薄膜電晶體陣 列面板達成，其中儲存電容器線裝配體係形成在與資料線 相同的層，或使可用於儲存電容器之絕緣層的厚度降至最 小。 根據本發明之一態樣，薄膜電晶體陣列面板包含絕緣基 材及开/成在、，、邑緣基材上並具有問極線及問極電極之問極線 裝配體。閘極絕緣層覆蓋閘極線裝配體。半導體圖案形成 在閘極絕緣層上°料線裝配體形成在用+導體胃案覆蓋 的閘極絕緣層上。資料線裝配體具有橫過閘極線之資料線 、連接至資料線及半導體圖案之源極電極以及面向源極電 極並連接至半導月旦圖案之沒極電極。儲存電容器線裝配體 形成在鄰接資料線之間而橫過閘極線。純化層覆蓋資料線 =配體、儲存電容器電極線及半導體圖案而具有暴露汲極 電極的接觸孔。像素電極形成在純化層上而透過接觸孔連 接至汲極電極。像素電極係與儲存電容器電極線重疊。 ^膜電晶體陣列面板可進-步包含-共同互連儲存電容 !§電極線的共同互連線丑 ,A 逆果共冋互連線可用與像素電極或閘 極線相同的材料形成而以絕緣方式橫過資料線。 純化層具有複數個暴露儲存電容器電極線的接觸孔，共 冋互連線透過接觸孔連接至儲存電容器電極線。一輔助互 連線可連接至儲存電容器電極線。储存電容器電極線與輔 助互連線係用相同材料形成。 :::片形成在閘極線之—側端部，而資料墊片則形成 在祕之一側端部。第-接觸孔形成在純化層及問極絕 18；：28_ 鮮财ϋ ®家鮮(CNS) 五、發明説明（3 ) 緣層而暴露閘極墊片，而第二接觸孔形成在鈍化層而暴露 資料墊彳。輔助閘極與資料塾片透過第一與第二接觸孔 接至閘極與資料墊片。 除了以上結構的薄膜電晶體陣列面板以外，液晶顯示哭 亦包含面向薄膜電晶體陣列面板的副基材，及夹在薄膜; 晶體陣列面板與副基材間之液晶層。液晶顯示器具有儲: 電容器，其具有靜電電容較具有液晶層之液晶電容器 電電容大9 0 %或以上。 根據本發明之另-態樣，薄膜電晶體陣列面板包含絕緣 基材及形成在絕緣基材上之閘極線裝配體與儲存電容器線 裝配體。閘極線裝配體具有閘極線及閉極電極。閘極絕緣 層覆蓋閘極線裝配體及儲存電容器線裝配體。半導體圖案 形成在閘極絕緣層上^資料線裝配體及儲存電容器^導= 案形成在與半導體圖案重疊之閘極絕綠層。資料線裝配體 具有資料線、源極電極及汲極電極。儲存電容器傳導圖^ ^局邵與儲存電容器線裝配體重疊，藉以形成第一儲存電 容器。鈍化層覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及 半導體圖t»第一與第二接觸孔形成在鈍化層而分別暴露 及極電極與儲存電容器傳導圖案。像素電極形成在鈍化層 上而透過第-與第二接觸孔連接至沒極電極與儲存電容器 傳導圖案》像素電極係與儲存電容器線裝配體人 而形成第二儲存電容器。 1 口 儲存電容器裝配體具有平行於閘極線前進之儲存電容器 電極線，連接至儲存電容器電極線之儲存電容器電=案 〇lS：：；g 本紙張尺度適用中國家標準(CNS) a4規格(21〇 X 297公釐） 594120 A7
§ 線 594120 A7 B7 五、發明説明（5 存電容器。 除了以上結構的薄膜電晶體陣列面板以外，液晶顯示器 亦包含面向薄膜電晶體陣列面板的副基材，及夾在薄膜電 晶體陣列面板與副基材間之液晶層。第一與第二儲存電容 器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大9〇 %或以上。 根據本發明之另一態樣，薄膜電晶體陣列面板包含絕緣 基材及形成在絕緣基材上之閘極線裝配體及儲存電容器電 極、’泉。閘極線裝配體具有閘極線及閘極電極。閘極絕緣層 覆蓋閘極線裝配體及儲存電容器電極線。第一接觸孔形成 在閘極絕緣層而暴露儲存電容器電極線。半導體圖案形成 在閘極絕緣層上而與閘極電極重疊。資料線裝配體及儲存 電容器傳導圖案形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上 。資料線裝配體具有資料線、源極電極以及汲極電極。儲 存電容器傳導圖案透過第一接觸孔連接至儲存電容器電極 線。鈍化層覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 體圖案。第二接觸孔形成在鈍化層而暴露汲極電極。像素 電極形成在純化層±而透過第二接觸孔連接至沒極電極:、 電極係與儲存電容器傳導圖案重叠以形成第一儲存電 谷咨而與儲存電容器電極線重疊以形成第二儲存電容器。 儲存電容器電極線平行於閘極線前進，而儲存電容器 導圖案係與儲存電容器電極線重疊。儲存電容器傳導 係形成於由閘極線與資料線界定的像素區内。儲存電容零# 極圖案係沿資料線形成桿狀而與像素電極的周邊部重:电 除了以上結構的薄膜電晶體陣列面板以外，液晶顯1卷 〇18£_____ 本i張尺歧财@ a家標準(CNS) Μ祕(21GX 297公董) 594120 五、發明説明（6 ，向薄膜電辑列面板的副基材.一電 :體陣列面板與副基材間之液晶層。第—與第二儲存電容 器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大9 〇 %或以上。 根據本發明之另_態樣’薄膜電晶體陣列面板包含絕緣 基材及形成在絕緣基材上之問極線裝配體。閘極線裝配體 2有第一閘極線、連接至第一閘極線的閘極電極以及與^ 二閘極線隔開一段預定距離之第二閘極線。閘極絕緣層覆 蓋閘極線裝配體。第一接觸孔形成在閘極絕緣層上而與局 部暴露第二閘極線。半導體圖案形成在閘極絕緣層上而盘 閘極電極重疊。資料線裝配體及儲存電容器傳導圖案形成 在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上。資料線裝配體具有 橫過第一與第二閘極線的資料線、源極電極以及汲極電極 。儲存電容器傳導圖案透過第一接觸孔連接至第二閘極線 。鈍化層覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 =圖案。第二接觸孔形成在鈍化層而暴露汲極電極。像素 電極形成在鈍化層上而透過第二接觸孔連接至汲極電極。 像素電極係與儲存電容器傳導圖案重疊以形成第一儲存電 容器而與第二閘極線重疊以形成第二儲存電容器。 除了以上結構的薄膜電晶體陣列面板以外，液晶顯示器 亦包含面向薄膜電晶體陣列面板的副基材，及夾在薄膜電 晶體陣列面板與副基材間之液晶層。第一與第二儲存電容 器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大9 〇 %或以上。 根據本發明之另一態樣，在製造薄膜電晶體陣列面板的 万法中，閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體形成在絕緣 018232 .10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594120 A7
基材上’使閘極裝配體具有 ^ $閘極線與閘極電極。閘極絕綠 層开7成在基材上，使其覆蓋問極線奘+ + 奘舻姊々Α η丄，·果裝配體與儲存電容器線 裝配《豆。+導體圖案形成在 及辟左泰—_ ·, ] ?丄、，·邑緣層上。資料線裝配體 子电谷态傳導圖案形成在用半^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 络麻u ^ ^ J卞平月足圖案覆盍的閘極絕 緣層上，使資料線裝配體具 +片 ^ ^丄 巧貝杆、.泉、源極電極以及汲極 :::而儲存電容器傳導圖案係與儲存電容器線裝配體局 2 =形成第—儲存電容器。鈍化層形成在基材上，使 1線裝配體、儲存電容器傳導㈣及半導體圖案 。了-與第二接觸孔形成在鈍化層，使其分別暴露汲極電 極與錯存電容器傳導圖案。像素電極形成在純化層上，使 其透過第-與第二接觸孔連接至波極電極與儲存電容器傳 導圖案而與儲存電容器線裝配體的零件結合而形成第二儲 存電容器。 儲存電容器線裝配體具有平行於閘極線前進之儲存電容 器電極線，及連接至儲存電容器電極線之儲存電容器電極 圖案。 根據本發明之另一態樣，在製造薄膜電晶體陣列面板的 方法中，閘極線裝配體形成在絕緣基材上，使其具有第一 閘極線、連接至第一閘極線之閘極電極及隔開第一閘極線 一段距離而平行於第一閘極線前進之第二閘極線。閘極絕 緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配體◊半導體圖案 形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電極重疊。資料線裝配 體及儲存電容器傳導圖案形成在用半導體圖案覆蓋的問極 絕緣層上，使資料線裝配體具有橫過第一與第二閘極線之 -11· 中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱ί
裝 訂
線 594120 五、發明説明（8 資料，、源極電極以及沒極電極，而儲存電容器傳導圖案 係與弟二閘極線局部重疊以形成第一儲存電容器。鈍化層 成在基材上，使其覆蓋資料線裝配體、儲存電容器 =及=導體圖案。第—與第二接觸孔形成在純化層，使 弟-與第二接觸1分別暴露沒極電極與儲存電纟器傳導圖 案：像素電極形成在鈍化層上，使其透過第一與第二接觸 ;、接錢極電極與儲存電容器傳導圖案而與第二問極線 的零件結合而形成第二儲存電容器。 根據本發明之另一態樣’在製造薄膜電晶體陣列面板的 =法中’閘極線裝配體與儲存電容器電極線形成在絕緣基 ^，使閘極裝配體具有閘極線與閘極電極。閘極絕緣層 f基材上，使其覆蓋閘極線裝配體與儲存電容器電極 線。第-接觸孔形成在閘極絕緣層，使其暴露儲存電容器 電極,。半導體圖案形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電 =重疊。資料線裝配體及儲存電容器傳㈣案形成在用半 ^圖案覆蓋的閘極絕緣層上，使資料線裝配體具有資料 ，.源極電極以及汲極電極，而儲存電容器傳導圖案透過 第一接觸孔連接至儲存電容器電極線。純化層形成在基材 上使其覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半等 體圖案。第二接觸孔形成在純化層，使其暴露沒極電極。 :象素電極形成在純化層上’使其透過第二接觸孔連接至沒 二二。像素電極係與儲存電容器傳導圖案重疊以形成第 -儲存電容器而與儲存電容器電極線局部重叠以形成第二 儲存電容器。 0撤34_ -12. 以張尺度適财I«釋4l(CNS) A_4規格(21。χ297公$ 裝 訂 線 594120 A7 B7 五、發明説明（9 列面板的 具有第一 一閘極線 。閘極絕 一接觸孔 半導體圖 資料線裝 覆蓋的閘 二閘極線 器傳導圖 成在基材 案及半導 極電極。 連接至沒 二接觸孔 圖案重疊 以形成第 根據本發明之另一態樣，在製造薄膜電晶體陣 方法中’閘極線裝配體形成在絕緣基材上，使其 問極、’泉、連接至第一閘極線之閘極電極及隔開第 一段距離而平行於第一閘極線前進之第二閘極線 緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配體。第 形成在問極絕緣層，使其局部暴露第二閘極線。 案形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電極重疊。 配體及儲存電容器傳導圖案形成在用半導體圖案 極絕緣層上，使資料線裝配體具有橫過第一與第 之;貝料線、源極電極以及汲極電極，而儲存電容 案透過第一接觸孔連接至第二閘極線。鈍化層形 上’使其覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖 體圖案。第二接觸孔形成在鈍化層，使其暴露汲 像素電極形成在鈍化層上，使其透過第二接觸孔 極電極。像素電極形成在鈍化層上，使其透過第 連接至沒極電極。像素電極係與儲存電容器傳導 以形成第一儲存電容器而與第二閘極線局部重疊 二儲存電容器。 附圖簡述 參照下列詳細說明及附圖，當可更加了解本發明及其許 多隨附優點，其中相同參考符號指示相同或類似組件，其 中： " 圖1為根據本發明第一較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖； 018?35 冬 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱） A7 B7 五、發明説明（1(Γ^ ~"" 圖2及3為沿圖1之Π-ΙΓ線與ΙΙΙ-ΙΙΓ線所取之薄膜電晶體 陣列面板的截面圖； ★圖4顯示閘極線、資料線及儲存電容器電極線在圖1所示 薄膜電晶體陣列面板的配置圖； 圖5 Α顯7F製造圖丨所示薄膜電晶體陣列面板的第一步驟； 圖5 B及5 C為沿圖5 A之VB-VB，線與VC-VC，線所取之薄膜 電晶體陣列面板的截面圖； 圖6 A顯示根據圖5 a所示步驟製造薄膜電晶體陣列面板 的步驟； 圖6B及6C為沿圖6A之VIB-VIB，線與VIC-VIC，線所取之 薄膜電晶體陣列面板的截面圖； 圖7A顯示根據圖6A所示步驟製造薄膜電晶體陣列面板 的步驟； 圖7B及7C為沿圖7A之VIIB-VIIB·線與VIIC-VIIC，線所取 之薄膜電晶體陣列面板的截面圖； 圖8為根據本發明第二較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖； 圖9為沿圖8之IX-IX’線所取之薄膜電晶體陣列面板的截 面圖； 圖1 Ο A顯示製造圖8所示薄膜電晶體陣列面板的第一步 驟； 圖1 0B為沿圖1 〇A之XBb-XB，線所取之薄膜電晶體阵列 面板的截面圖； 圖1 1 A顯示根據圖1 〇 a所示步驟製造薄膜電晶體陣列面 018236 -μ. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594120 A7 B7
五、發明説明（11 ) 板的步驟； 圖1 1 B為沿圖丨丨a之ΧΙΒ-ΧΙΒ，線所取之薄膜電晶體陣列 面板的截面圖； 面 圖1 2 Α顯示根據圖η Α所示步驟製造薄膜電晶體陣列 板的步驟； & 之薄膜電晶體陣 圖1 2B為沿圖1 2 A之XIIB-XIIB·線所取 列面板的截面圖； 晶體陣列面 圖13A顯示根據圖12A所示步驟製造薄膜電 板的步驟； 圖13B為沿圖13α<χιπβ_χπιβ，線所取之薄膜電晶體陣 列面板的截面圖； a 圖1 4為根據本發明第三較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖； 圖15為沿圖14iXV〇(V，線所取之薄膜電晶體列 的截面圖； 圖16為根據本發明第四較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖； 圖17為沿圖16iXVII〇CVII，線所取之薄膜電晶體陣列面 板的截面圖； 圖U為根據本發明第五較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖； 圖1 9為沿圖丨8之XIX-XIX•線所取之薄膜電晶體陣列面板 的截面圖； 圖2 0 A顯示製造圖丨8所示薄膜電晶體陣列面板的第一步 018237 -15- 594120 A7 ___ B7 五、發明説明（12 ) 驟； 圖2 0 B為沿圖2 〇 A之XXB-XXB·線所取之薄膜電晶體陣列 面板的截面圖； 圖2 1 A顯示根據圖2 〇 A所示步驟製造薄膜電晶體陣列面 板的步驟； 圖2 1 B為沿圖2 1 A之XXIB-XXIB，線所取之薄膜電晶體降 列面板的截面圖； 圖22A顯示根據圖21A所示步驟製造薄膜電晶體陣列面 板的步驟； 圖2 2 B為沿圖2 2 A之XXIIB-XXIIB，線所取之薄膜電晶體 陣列面板的截面圖； 圖2 3 A顯示根據圖2 2 A所示步驟製造薄膜電晶體陣列面 板的步驟； 圖23B為沿圖23 A之XXIIIB-XXIIIB，線所取之薄膜電晶 體陣列面板的截面圖； 圖2 4 A顯示根據圖2 3 A所示步驟製造薄膜電晶體陣列面 板的步驟； 圖24B為沿圖24 A之XXIVB-XXIVB，線所取之薄膜電晶 體陣列面板的截面圖； 圖2 5為根據本發明第六較佳具體例之薄膜電晶體阵列面 板的平面圖； 圖2 6為沿圖2 5之XXVI-XXVI，線所取之薄膜電晶體陣列 面板的截面圖； 圖2 7為根據本發明第七較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 018??8 -16 · 本紙張尺度適财國國家料(CNS) M規格〖21()χ撕公寶) — - 594120 A7 B7 五、發明説明（13 ) 板的平面圖； 圖2 8為沿圖2 7之XXVIII-XXVIII，線所取之薄膜電晶體陣 列面板的截面圖；及 圖2 9顯示液晶顯示器内回應速度的波形曲線。 故佳具體例之詳細說明 參照附圖說明本發明之較佳具體例。 圖1為根據本發明第一較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖，而圖2及3為沿圖1之ΙΙ-Π，線與ΙΙΙ-ΙΙΓ線所取 之薄膜電晶體陣列面板的截面圖。 閘極線裝配體形成在具有傳導材料如鋁、鋁合金、鉻、 路合金、in、翻合金、氮化鉻及氮化鉬而具有厚度為1〇〇〇_ 3500A之絕緣基材1 〇上。閘極線裝配體包含以水平方向前 進的閘極線2 2、連接至閘極線2 2之一側端而電接觸外部 驅動電路（圖未示）的閘極墊片2 4及成為閘極線2 2的零件而 用其他電極組件形成薄膜電晶體的閘極電極2 6。 閘極線裝配體可具有一多層結構，其中一層係用低電阻 金屬材料形成，而另一層則用對其他材料具有良好接觸特 性之材料形成® 具有厚度為2,500-4,500A之閘極絕緣層3 〇形成在具有氮 化矽或氧化矽而覆蓋閘極線裝配體的絕緣基材1 〇上。 具有厚度為800-1500A之半導體圖案42形成在具有非晶 矽而與閘極電極2 6重疊的閘極絕緣層3 〇上β具有厚度為 5 00-8 00 Α之歐姆接觸圖案55、56形成在具有非晶矽的半 導體圖案42上，其中η型雜質係在高濃度下摻雜。 018239 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公釐) 594120 A7
安具料、線裝g己體與儲存電纟器電極線6 9形 < 在歐姆接觸圖 56及具有傳導材料如銘 ' 銘合金、絡、絡合金 、鉬鉬合金、氮化鉻及氮化鉬而具有厚度為 足絕緣基材3 0上。資料線裝配體包含以垂直方向前進而橫 過閘極線2 2以界定像素區之資料線6 2、連接至資料線6 2 之一側端而電接觸外部驅動電路之資料墊片6 4、連接至資 料線62而延伸過歐姆接觸圖案55之源極電極㈠，及面向 源極電極65而放在另一歐姆接觸圖案56之汲極電極66。 沒極電極6 6延伸過像素區内閘極絕緣層3 〇。 儲存電容電極線6 9放在如資料線裝配體相同平面上而以 垂直方向前進，使其交替地與資料線62排列。儲存電容電 極線6 9係與像素電極8 2重疊以形成儲存電容器。 '貝料線裝配體可具有多層結構，其中至少一層係用低電 阻金屬材料形成。 純化層70覆蓋資料線裝配體、儲存電容電極線69及半 導體圖案42而具有厚度為500-2 000A。純化層7 0係用絕緣 材料如氮化矽及氧化矽所形成。 第一與第二接觸孔7 2、7 4形成在鈍化層7 0而暴露汲極 電極66及資料墊片64。第三接觸孔76形成在鈍化層70而 暴露閘極塾片2 4與閘極絕緣層3 0。此外，第四接觸孔7 9 形成在鈍化層7 0而暴露資料塾片6 4側之儲存電容電極線 6 9的端部。 像素電極8 2形成在純化層7 0以接收圖像信號並與副面 板之共同電極（圖未示）一起產生電場。像素電極82透過第 018ΊΟ__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594120 五、發明説明（15 一接觸孔7 2電連接至沒極電極6 6。 像素電極82係與儲存電容電極線69重疊而插入純化層 7〇以形成儲存電容器。當配置在像素電極82與儲存電容 電1峨Λ間之純化層70具有薄厚度時，所得儲存電容器 ”大靜屯电谷，即使儲存電容電極線具有窄寬度亦然。 輔助2料墊片84與辅助閘極墊片86形成在鈍化層7〇上 而透過第二與第三接觸孔W、76連接至資料墊片64與閘 極土片24此外，共同互連線88形成予顯示區外部而平 灯於閘極線2 2前進。顯示區意指像素區的總數。共同互連 線88透過第四接觸孔79互連所有儲存電容電極線69。 像素電極82、輔助資料墊片84、輔助閘極墊片^及共 同互連線88形成在與透明傳導材料如1丁〇與][2〇相同的平 面。 在形成閘極線裝配體的過程中，共同互連線8 8可用如閘 極線裝配體相同材料形成。在此情況下，複數個接觸孔形 成在閘極絕緣層3 0而暴露共同互連線8 8。複數個儲存電 容電極線69透過形成在閘極絕緣層3〇的接觸孔接觸共同 互連線88。 圖4顯示閘極線、資料線及儲存電容器電極線在圖丨所示 薄膜電晶體陣列面板的配置圖。 如圖4所示，複數條閘極線22互相平行以水平方向前進 ，而複數條資料線6 2互相平行以垂直方向前進。資料線 6 2橫過閘極線2 2而界定像素區。顯示區丨丨〇意指像素區的 總數。 -19- 594120 A7 B7 五、發明説明（16 ) 成為資料墊片的資料線6 2之一側端電連接至資料驅動電 路3 0 0以自其接收資料信號。同樣，成為閘極墊片的閘極 線2 2之一側端電連接至閘極驅動電路（圖未示）以自其 閘極信號。 儲存電容電極線6 9交替地與資料線6 2排列。儲存電容 電極線6 9利用放在顯示區1 1 〇外部之輔助互連線6 1互相連 接。儲存電容電極線69與輔助互連線61最好用相同材料 形成而共同互連。 共同互連線8 8放在資料驅動電路側邊之儲存電容電極線 69端部而互連所有儲存電容電極線69 ^共同互連線88最 好是用如像素電極8 2或閘極線裝配體相同材料形成。此可 防止共同互連線88隨著連接至顯示區11〇外部之資料驅動 電路300的資料線62部分而短路。 儲存電容電極線69電連接至資料驅動電路300以自其接 收共同電極電壓。 現在參照圖5 A至7 C以及圖1至4說明一種製造薄膜電晶 體陣列面板之方法。 如圖5 A至7 C所示，閘極線裝配體層配置在絕緣基材1 〇 上’並透過光刻法圖案化以形成閘極線裝配體。閘極線裝 配體包含閘極線2 2、閘極墊片2 4及閘極電極2 6。 其後’以絕緣材料如氮化矽為基礎之閘極絕緣層3 〇配置 在絕緣基材1 〇上，使其覆蓋閘極線裝配體。 非晶矽層及傳導型雜質摻雜的非晶矽層按序配置在閘極 絕緣層3 0上，並透過光刻法圖案化以形成半導體圖案4 2 -20 國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 594120
及歐姆接觸圖案52。 如圖6A至6C所示，金屬層配置在基材之整個表面上， 並透過光刻法圖案化以形成資料線裝配體及儲存電容電極 線69。資料線裝配體包含資料線62、資料墊片64、源極 電極6 5及汲極電極6 6。儲存電容電極線6 9交替地與 線6 2排列。 ' 使用源極電極65及汲極電極66作為罩蝕刻歐姆接觸圖 案52以分離成接觸源極電極65之第一部分55與接觸及極 電極6 6之第二部分5 6。 如圖7A至7C所示，鈍化層70覆蓋資料線裝配體、儲存 電容電極線69及半導體圖案42。鈍化層7〇係用氮化矽形 成而具有薄厚度。鑒於欲形成儲存電容器的靜電電容，最 好是以適當方式控制鈍化層7 0的厚度。 鈍化層7 0與閘極絕緣層3 0透過光刻法圖案化以形成第 一至第四接觸孔72、74、76及79。 如圖1至3所示，以ITO或IZO為基礎之透明傳導層配置 在基材10之整個表面上。 透明傳導層透過光刻法圖案化以形成像素電極8 2、辅助 資料墊片84、輔助閘極墊片86及共同互連線88。像素電 極8 2透過第一接觸孔7 2連接至汲極電極6 6。輔助資料與 閘極墊片84、86透過第二與第三接觸孔74、76連接至資 料與閘極塾片64、24。共同互連線88透過第四接觸孔79 互連所有儲存電容電極線69。 共同互連線8 8可用如閘極線裝配體相同材料形成。為了 018 43 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 594120 A7 _______ B7 五、發明説明（18 ) 此目的，在形成閘極線裝配體的過程中，形成共同互連線 而接著形成閘極絕緣層3 〇。然後，複數個暴露共同互連線 的接觸孔形成在閘極絕緣層3 〇。在形成資料線裝配體的過 程中，开;?成儲存電容電極線6 9。在此過程中，儲存電容電 極線6 9透過接觸孔連接至共同互連線。 如上所述，儲存電容電極線形成在如資料線相同的平面 ,使其與像素電極重疊而插入具有薄厚度的鈍化層以形成 儲存電容器。 另外’儲存電容器亦可使用閘極絕緣層取代鈍化層形成。 圖8為根據本發明第二較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖，而圖9為沿圖8之ΙΧ-Ιχι線所取之薄膜電晶體 陣列面板的截面圖。 閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體形成在具有傳導材 料如鋁、鋁合金、鉻、鉻合金、鉬、鉬合金、氮化鉻及氮 化鉬而具有厚度為1000-3500Α之絕緣基材1〇上。 閘極線裝配體包含以水平方向前進的閘極線2 2、形成在 閘極線22之一側端而電接觸外部驅動電路（圖未示）的閘極 墊片2 4及成為閘極線2 2的零件而用其他電極組件形成薄 膜電晶體的閘極電極2 6。 儲存電容器線裝配體包含配置在鄰接閘極線2 2間之長方 2 =存電容器電極圖案28 ,及連接至鄰接像素區内儲存電 容器電極圖案而平行於閘極線以水平方向進行之儲存電容 器電極線2 9。 閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體可具有一多層結構 018 41 _22· 本紙張尺度適用中a ®家標準(CNS) Α4規格(細χ 297公爱) 594120 A7 B7 五、發明説明（19 ) ’其中一層係用低電阻金屬材料形成。 具有厚度為2500-4500A之閘極絕緣層3 0形成在具有氮化 碎或氧.化矽而覆蓋閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體的 絕緣基材1 〇上。 具有厚度為800-1 500A之半導體圖案42形成在具有非晶 碎而與閘極電極2 6重疊的閘極絕緣層3 〇上。具有厚度為 500-800A之歐姆接觸圖案5 5、5 6形成在具有非晶矽的半 導體圖案42上，其中n型雜質係在高濃度下摻雜。 資料線裝配體與儲存電容器傳導圖案68形成在歐姆接觸 圖案55、56 ’及具有傳導材料如铭、銘合金、絡、絡合 金、4目、鉬合金、氮化鉻及氮化鉬而具有厚度為5〇〇-3500Α之絕緣基材30上。 資料線裝配體包含以垂直方向前進而橫過閘極線2 2以界 定像素區之資料線6 2、形成在資料線6 2之一側端而電接 觸外部驅動電路之資料墊片64、連接至資料線62而延伸 過歐姆接觸圖案55之源極電極65，及面向源極電極65而 放在另一歐姆接觸圖案56之汲極電極66。汲極電極66延 伸過像素區内閘極絕緣層3 0。 儲存電容器傳導圖案6 8放在如資料線裝配體相同平面上 而具有島狀，使其與儲存電容器電極圖案28重疊而插入閘 極絕緣層30以形成儲存電容器。。儲存電容器傳導圖案 6 8電連接至後述像素電極8 2以接收圖像信號電壓。 資料線裝配體與儲存電容器電極圖案68可具有多層結構 ，其中至少一層係用低電阻金屬材料形成。 〇13 45 __ 〇 ^紙浪尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）
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594120 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 純化層7 0覆蓋資料線裝配體、儲存電容器電極圖案6 8 及半導體圖案42而具有厚度為500-2000A。鈍化層7 0係用 絕緣材料如氮化矽及氧化矽所形成。 第一與第二接觸孔72、74形成在鈍化層70而暴露汲極 電極66及資料墊片64。第三接觸孔76形成在鈍化層70而 暴露閘極墊片2 4與閘極絕緣層3 〇。此外，第四接觸孔7 8 形成在鈍化層70而暴露儲存電容器電極圖案68。 像素電極82形成在鈍化層70上，使其透過第一與第四 接觸孔72、78電連接至汲極電極66及儲存電容器電極圖 案68。 輔助資料塾片84與輔助閘極墊片86形成在鈍化層70上 而透過第二與第三接觸孔74、76連接至資料墊片64與閘 極墊片2 4。 像素電極82、辅助資料墊片84及輔助閘極墊片86係用 透明傳導材料如ITO與IZO形成。 像素電極8 2係與儲存電容器線裝配體重疊而插入鈍化層 7 〇及閘極絕緣層3 0以形成儲存電容器。 像素電極82連接至儲存電容器傳導圖案68。以此方式 ’儲存電容器傳導圖案68與儲存電容器電極圖案28結合 形成其他儲存電容器而插人閘極絕緣層3Q。在此情況下， 當配置在儲存電容器傳導圖案68與儲存電容器電極圖案 I8::閘極絕緣層30的厚度小時，所得儲存電容器的靜 :電二I:'即使比較於儲存電容器電極圖案28與像 82的重登用相同重疊面積亦然。因此，對儲存電容 -24· X 297*557 594120 A7 _____ B7 五、發明説明（21 ) 的孔徑比變成增加。 現在參照圖10A至13B以及圖8、9說明一種製造薄膜電 晶體陣列面板之方法。 如圖10A與10B所示，金屬層配置在絕緣基材1〇上，並 透過光刻法圖案化以形成閘極線裝配體及儲存電容器線裝 配體。閘極線裝配體包含閘極線2 2、閘極墊片2 4及閘極 電極26。儲存電容器線裝配體包含儲存電容器電極圖案 28及儲存電容器電極線29。 其後’如圖1 1 A與1 1 B所示，以絕緣材料如氮化矽為基 礎之閘極絕緣層3 0配置在絕緣基材1 〇上，使其覆蓋閘極 線裝配體及儲存電容器線裝配體。 非晶矽層及傳導型雜質摻雜的非晶矽層按序配置在閘極 絕緣層3 0上，並透過光刻法圖案化以形成半導體圖案4 2 及歐姆接觸圖案52。 如圖12A至12B所示，金屬層配置在基材1〇之整個表面 上，並透過光刻法圖案化以形成資料線裝配體及儲存電容 器傳導圖案6 8。資料線裝配體包含資料線6 2、資料塾片 6 4、源極電極6 5及汲極電極6 6。儲存電容器傳導圖案68 與儲存電容器電極圖案28重疊。 使用源極電極6 5及汲極電極6 6作為罩蝕刻歐姆接觸圖 案52以分離成接觸源極電極65之第一部分55與接觸·及極 電極66之第二部分56。 如圖13A與13B所示，鈍化層70形成在具有資料線裝配 體之基材10、儲存電容器傳導圖案68及具有氮化硬或氧 -25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594120 A7 _____B7 五、發明説明（22 ) 化硬的半導體圖案42的整個表面±。純化層與問極絕 緣層30透過光刻法圖案化以形成第一至第四接觸孔72、 74、76及78。第-接觸孔72、第二接觸孔74及第四接觸 孔78形成在鈍化層70而分別暴露汲極電極66、資料墊片 64及儲存電容器傳導圖案68。此外，第三接觸孔成 在鈍化層7 0及閘極絕緣層3 〇而暴露閘極塾片2 4。 如圖8、9所示，以ΙΤ0或ΙΖ0為基礎之透明傳導層配置 在基材10之整個表面上。 透明傳導層透過光刻法圖案化以形成像素電極82、辅助 資料塾片8 4及輔助閘極墊片8 6。像素電極8 2透過第一與 第四接觸孔72及78，連接至汲極電極66及儲存電容器傳 導圖案68。辅助資料與閘極墊片84、86透過第二與第三 接觸孔74、76連接至資料與閘極墊片64、24。 在此較佳具體例中，儲存電容器傳導圖案68放在鄰接閘 極線間之像素區而具有島狀。此外，儲存電容器傳導圖案 6 8可形成在像素區的周邊而具有桿狀。在此情況下，與儲 存電谷器傳導圖案68結合形成儲存電容器的儲存電容器電 極圖案2 8亦形成有桿狀。 圖1 4為根據本發明第三較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖，而圖i 5為沿圖i 4之XV_XV，線所取之薄膜電 晶體陣列面板的截面圖。 此較佳具體例中，儲存電容器電極圖案28放在像素區之 二周邊而具有桿狀。當然，各個儲存電容器電極圖案28連 接至儲存電容器電極圖案29。 48_ -26- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(21〇Χ 297公袭) "" "" -------
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與儲存電容器電極圖案人 ^ ^ ^ . 茉28〜形成儲存電容器的儲存電 谷咨傳導圖案68係虚儲在愈六明 p, ,T ^ a /、锗存電各器電極圖案2 8重疊而插入 閘極絕緣層3 0。 設置儲存電容器億壤圖在、 、 等圖案68透過其連接至像素電極82 〈弟四接觸孔78以局部暴露儲存電容器傳㈣案6卜 在此、、.σ構中’儲存電容器電極線29結合像素電極Μ形 成儲存電容器而插入閘極絕緣層3〇與鈍化層7〇。此外， 儲存電容器電極圖者7 2 έ士 /fit如τ_ , 电让W茉2 8結合儲存電容器傳導圖案6 8形成 儲存電容器而插入閘極絕緣層3 〇。 使用該結構，所得儲存電容器的靜電電容變成增加，即 使比較於儲存電容器電極圖案28僅與像素電極82重昼的 情況具有相同重#區亦,然。因此，對儲存電容的孔徑 成增強。 此外，當桿狀儲存電容器電極圖案28或儲存電容器傳導 圖案68放在像素電極82與資料線62之間時，可防止像素 電極82與資料線62間之光線漏淺β “ 在本發明之第二與第三較佳具體例中，儲存電容器線裝 配體係以分開方式形成。此外，閘極線的零件可用作儲存 電容器電極。 圖1 6為根據本發明第四較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖，而圖1 7為沿圖1 6之XVII-XVII，線所取之薄膜 電晶體陣列面板的截面圖。 在此較佳具體例中，排列在任一閘極線之像素電極係與 先前閘極線的零件重疊以形成儲存電容器。即，使用閑極
594120 A7 B7 五、發明説明（24 ) ' 一 線的零件以形成所欲儲存電容器而不會以分開方式形成儲 存電容器線裝配體。 如圖1 6所不，在n t h閘極線22 (Gn)的像素電極8 2係與 (n-l)th閘極線22 (Gn-1)重疊而在其區内延伸。 儲存電容器傳導圖案6 8係與閘極線2 2局部重疊而插入 閘極絕緣層3 0。儲存電容器傳導圖案6 8放在如資料線裝 配體相同之平面。暴露儲存電容器傳導圖案68之第四接觸 孔7 8形成在鈍化層7 〇 ,而在任一閘極線2 2的像素電極8 2 透過第四接觸孔78連接至放在先前閘極線22上方之儲存 電容器傳導圖案6 8。 儲存電容器傳導圖案6 8係與閘極線2 2重疊而插入閘極 絕緣層30以形成儲存電容器。在（n-1)th閘極線22⑴心^上 方之儲存電容器傳導圖案6 8係自在n t h閘極線22 (Gn)的像 素電極8 2接收相關信號。 在上述結構中，比較於儲存電容器僅透過重疊像素電極 8 2與閘極線2 2形成之情況，儲存電容變成明顯增加。此 外’因為不需要分開的儲存電容器線裝配體，所以可進一 步增強孔徑比。 圖1 8為根據本發明第五較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖’而圖1 9為沿圖i 8之χΐχ-χιχ，線所取之薄膜電 晶體陣列面板的截面圖。 閘極線裝配體與儲存電容器電極線2 7形成在具有傳導材 料如鋁、鋁合金、鉻、鉻合金、鉬、鉬合金、氮化鉻及氮 化銷而具有厚度為10〇〇_35〇〇人之絶緣基材1 〇上。 赢 -28- 本紙適伽國家標準(CNS) A4規格(21() χ 297公爱) 594120
閘極線裝配體包含以水平方向前進的閘極線2 2、形成在 閘極線2 2之一側端而電接觸外部驅動電路（圖未示）的閘極 墊片2 4及成為閘極線2 2的零件而用其他電極組件形成薄 膜電晶體的閘極電極2 6。 儲存電容器電極線27放在鄰接閘極線22之間而平行於 閘極線2 2以水平方向進行。 閘極線裝配體與儲存電容器電極線2 7可具有一多層結構 ，其中至少一層係用低電阻金屬材料形成。 具有厚度為2500-4500A之閘極絕緣層3 〇形成在具有氮化 矽或氧化矽而覆蓋閘極線裝配體與儲存電容器電極線27的 絕緣基材1 0上。 第一接觸孔3 2形成在閘極絕緣層3 〇而暴露儲存電容器 電極線2 7。 具有厚度為80(M 500人之半導體圖案42形成在具有非晶 矽而與閘極電極2 6重疊的閘極絕緣層3 〇上。具有厚度為 500-800人之歐姆接觸圖案55、56形成在具有非晶矽的半 導體圖案42上，其中n型雜質係在高濃度下摻雜。 資料線裝配體與儲存電容器傳導圖案67形成在歐姆接觸 圖案55、56上，及具有傳導材料如鋁、鋁合金、絡、絡 合金、鉬、鉬合金、氮化鉻及氮化鉬而具有厚度為5〇〇_ 3500Α之絕緣基材30上。 資料線裝配體包含以垂直方向前進而橫過閘極線2 2以界 定像素區之資料線6 2、連接至資料線6 2之一側端而電接 觸外部驅動電路之資料墊片64、自資料線62突出而延伸
-29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公董) 594120
層7 0及閘極絕緣層3 〇以形成儲存電容器。 像素電極8 2亦與連接至儲存電容器電極線2 7之儲存電 谷备傳導圖案67重疊而插入鈍化層7〇以形成其他儲存電 容器。在此情況下，當配置在像素電極8 2與儲存電容器傳 導圖案6 7間之鈍化層7 0的厚度小時，所得儲存電容器的 靜電電容變成增加，即使比較於儲存電容器電極線2 7與像 素電極8 2的重疊用相同重疊面積亦然。因此，對儲存電容 的孔徑比變成增加。 現在參照圖20Α至24Β以及圖18、19說明一種製造薄膜 電晶體陣列面板之方法。 如圖20Α與20Β所示，金屬層配置在絕緣基材上，並 透過光刻法圖案化以形成閘極線裝配體及儲存電容器電極 線2 7 ^閘極線裝配體包含閘極線2 2、閘極墊片2 4及閘極 電極2 6。 其後’如圖2 1 Α與2 1 Β所示，以絕緣材料如氮化矽為基 礎之閘極絕緣層3 0配置在絕緣基材1 〇上，使其覆蓋問極 線裝配體及儲存電容器電極線2 7。隨後，非晶硬層4 〇及 傳導型雜質摻雜的非晶碎層5 0按序配置在閘極絕緣層3 〇 上。 其後，非晶矽層4 0、雜質摻雜的非晶矽層5 〇及閘極絕 緣層3 0透過光刻法圖案化以形成暴露儲存電容器電極線 2 7的第一接觸孔3 2。 如圖2 2 A至2 2 B所π，非晶矽層4 〇及雜質摻雜的非晶矽 層50透過光刻法圖案化以形成半導體圖案42及歐姆接觸 018 55 -31.
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圖案52。 如圖23 A至23B所示，金屬層配置在基材1〇之整個表面 上，並透過光刻法圖案化以形成資料線裝配體及儲存電容 器傳導圖案67 ^資料線裝配體包含資料線62、資料墊片 64、源極電極65及沒極電極66。儲存電容器傳導圖案67 透過第一接觸孔32連接至儲存電容器電極線27。 使用源極電極65及沒極電極66作為罩蝕刻歐姆接觸圖 案52以分離成接觸源極電極65之第一部分55與接觸沒極 電極66之第二部分56。 如圖24 A與24B所示，鈍化層70形成在具有資料線裝配 體之基材10、儲存電容器傳導圖案67及具有氮化碎或氧 化矽的半導體圖案4 2的整個表面上。鈍化層7 〇與閘極絕 緣層3 0透過光刻法圖案化以形成第二至第四接觸孔7 2、 74及76。第二及第三接觸孔72、74形成在鈍化層7〇而分 別暴露沒極電極66及資料塾片64。第四接觸孔76形成在 鈍化層7 0及閘極絕緣層3 0而暴露閘極墊片2 4。 如圖18、19所示，以ITO或IZO為基礎之透明傳導層配 置在基材10之整個表面上。 透明傳導層透過光刻法圖案化以形成像素電極8 2、輔助 資料墊片84及輔助閘極墊片86。像素電極82透過第二接 觸孔7 2連接至沒極電極6 6。輔助資料與閘極塾片8 4、8 6 透過第三與第四接觸孔74、76連接至資料與閘極整片64 、24。 在此較佳具體例中，儲存電容器傳導圖案6 7放在鄰接閘 018 5R_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594120
極線間ι像素區。此外，儲存電容器傳導圖案6 7可形成在 像素區的周邊而具有桿狀。 圖2 5為根據本發明第六較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 板的平面圖，而圖2 6為沿圖2 5之χχνι χχνι，線所取之薄 膜電晶體陣列面板的截面圖。 此較佳具體例中，儲存電容器傳導圖案67放在像素區之 二周邊而具有桿狀。儲存電容器傳導圖案67透過形成在閘 極絕緣層3 0之第一接觸孔3 2連接至儲存電容器電極圖案 27 〇 儲存電容器電極線27結合像素電極82形成儲存電容器 而插入閘極絕緣層3 〇與鈍化層7 〇。此外，儲存電容器傳 導圖案67結合像素電極82形成其他儲存電容器而插入鈍 化層7 0。 使用該結構，所得儲存電容器的靜電電容變成增加，即 使比較於儲存電容器電極線27僅與像素電極82重疊的情 況具有相同重疊面積亦然。因此，對儲存電容的孔徑 成增強。 此外，當桿狀儲存電容器傳導圖案67放在像素電極82 與資料線62之間時，可防止像素電極82與資料線^間之 光線漏洩。 在本發明之第五與第六較佳具體例中，冑存電容器線裝
配體係以分開方式形成。此外，閘極線的零件可用作儲疒 電容器電極。 I 圖2 7為根據本發明第七較佳具體例之薄膜電晶體陣列面 018*57
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Claims (1)

  1. | 年月
    594120 第0911〇4〇66號專利申請案 A8 中文申請專利範圍替換本(92年5月）C8 —--------- -----D8 六、申請專利範圍 1 · 一種薄膜電晶體陣列面板包含： 一絕緣基材； 一形成在絕緣基材上並具有間極線及閑極電極之閑 極線裝配體； 一覆盖閘極線裝配體之閘極絕緣層； 一形成在閘極絕緣層上之半導體圖案； 一形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上之資料 線裝配體，資料線裝配體具有橫過閘極線之資料線、 連接至資料線之源極電極以及面向源極電極之汲極 極； 形成在鄰接資料線之間而橫過閘極線之儲存電容器 電極線； 覆蓋;貝料線裝配體、儲存電容器電極線及半導體 圖案而具有暴露汲極電極的接觸孔之純化層；及 形成在純化層上而透過接觸孔連接至沒極電極之像 素電極，像素電極係與儲存電容器電極線重疊。 2 ·如申請專利範圍第i項之薄膜電晶體陣列面& ,可進一 步包含一共同互連儲存電容器電極線的共同互連線。 3 ·如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，其中共 同互連線可用與像素電極相同 、’、 式橫過資料線。 〜 4.如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面 同互連線可用與閘極線相同的材料形成而 橫過資料線。 /
    裝
    板，其中共 以絕緣方式_ O:\76\76994-920822.doc
    Λ8 Β8 C8
    申請專利範圍 晶體陣列面板，其中鈍 器電極線的接觸孔，共 如_請專利範圍第3項之薄膜電 化層具有複數個暴露儲存電容 同互連線透過接觸孔連接至鍺存電容器電極線。 請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，進-步 ^含連接至儲存電容器電極線之輔助互連線。 7.如申請專利範圍第6項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲 存電容器電極線與辅助互連·線係用才目同材料形成。 包含： 8 ·如申請專利範圍第丨項之薄膜電晶體陣列面板，進一步 开》成在閘極線之一側端部之閘極整片； 开> 成在資料線之一側端部之資料塾片； 开’成在純化層及閘極絕緣層而暴露閘極塾片之第一 接觸孔； 形成在鈍化層而暴露·資料墊片之第二接觸孔；以及 透過第一與弟二接觸孔連接至閘極與資料塾片之輔 助閘極與資料墊片。 9· 一種液晶顯示器包含： 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板； 一面向薄膜電晶體陣列面板的副基材；及 一夾在薄膜電晶體陣列面板與副基材間之液晶層。 10.如申請專利第9項之液晶顯示器，具有儲存電容器，其 具有靜電電容較液晶層之靜電電容大90%或以上。 11·如申請專利第1 0項之液晶顯示器，其中儲存電容器之 靜電電容較液晶層之靜電電容大9 5 %或以上。 張國國家標準(CNS) Α4规格(210 X 297公爱y 594120 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 η.:申請專利第9項之液晶顯示器’其中薄膜電晶體陣列 板進-步包含m連儲存電容器電極線的共同 互連線。 I3.如中清專利第1 2項之液晶海+突 甘丄 心及阳顯不窃，其中共同互連線可 用與像素電極相同的；并彡JL? jr-, U I何杆形成而以絕緣方式橫過資料 線。 力申m專利第1 3項之液晶顯示器，其中純化層具有複 數個暴露儲存電容器電極線的接觸孔，而共同互連線 透過接觸孔連接至儲存電容器電極線。 15.如申請專利第12項之液晶顯示器，其中薄膜電晶體陣 列面板進一步包含-連接至儲存電容器電極線之輔助 互連線。 16·如申請專利第i 5項之液晶顯示器，其中儲存電容器電 極線與輔助互連線係用相同材料形成。 17· —種薄膜電晶體陣列面板包含： 一絕緣基材； 一形成在絕緣基材上之閘極線裝配體與儲存電容器 線裝配體，閘極線裝配體具有閘極線及閘極電極； 一覆盍閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體之閘極 絕緣層； 一形成在閘極絕緣層上之半導體圖案； 一形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上之資料 線裝配體與儲存電容器傳導圖案，資料線裝配體具有 '貝料線、源極電極以及汲極電極，儲存電容器傳導圖 -3 01826^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 594120 A8 B8 C8 D8 六 、申請專利範圍 案係與儲存電容器線裝配體局部重疊以形成第一儲存 電容器； 一覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 體圖案之鈍化層； 形成在鈍化層而分別暴露汲極電極與儲存電容器傳 導圖案之第一與第二接觸孔；及 形成在純化層上而透過第一與第二接觸孔連接至沒 極電極與儲存電容器傳導圖案之像素電極，像素電極 係與儲存電容器線裝配體的零件結合而形成第二儲存 電容器。 18. 如申請專利範圍第1 7項之薄膜電晶體陣列面板，其中 儲存電容器線裝配體具有平行於閘極線前進之儲存電 容器電極線，及連接至儲存電容器電極線之儲存電容 器電極圖案。 19. 如申請專利範圍第1 8項之薄膜電晶體陣列面板，其中 儲存電容器電極圖案係與儲存電容器傳導圖案重疊以 形成第一儲存電容器，而儲存電容器電極線係與像素 電極重疊以形成第二儲存電容器。 20. 如申請專利範圍第1 9項之薄膜電晶體陣列面板，其中 儲存電容器電極圖案係形成在由閘極線與資料線界定 之像素區内。 21. 如申請專利範圍第1 9項之薄膜電晶體陣列面板，其中 儲存電容器電極圖案係沿資料線形成桿狀而與像素電 極的周邊部份重疊。 -4- O:\76\76994-920822.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） nr -re· iK ji-ii 22· 一種液晶顯示器包含： 如申請專利範圍第1 7項之薄膜電晶體陣列面板； 一面向薄膜電晶體陣列面板的副基材；及 一夾在薄膜電晶體陣列面板與副基材間之液晶層。 23. 如令請專利第2 2項之液晶顯示器，其中第一與第二儲 存電容器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大9〇 %或 以上。 一 24. —種薄膜電晶體陣列面板包含： 一絕緣基材； 一形成在絕緣基材上之閘極線裝配體，閘極線裝配 體具有第一閘極線、連接至第一閘極線的閘極電極以 及與第一閘極線隔開一段預定距離之第二閘極線； 一覆蓋閘極線裝配體之閘極絕緣層； 一形成在閘極絕緣層上而與閘極電極重疊之半導體 圖案； 一形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上之資料 線裝配體及儲存電容器傳導圖案，資料線裝配體具有 橫過第一與第二閘極線的資料線、源極電極以及沒極 電極’儲存電容器傳導圖案係與第二閘極線局部重叠 以形成第一儲存電容器； 一覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 體圖案之鈍化層； 形成在純化層而分別暴露沒極電極與儲存電容器圖 案之第一與第二接觸孔；以及 018265 _」— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 々、申請專利範圍 形成在鈍化層上而透過第一與第二接觸孔連接至汲 極電極及儲存電容器傳導圖案之像素電極，像素電極 係與第二閘極線重疊以形成第二儲存電容器。 25. —種液晶顯示器包含： 如申請專利範圍第2 4項之薄膜電晶體陣列面板； 一面向薄膜電晶體陣列面板的副基材；及 一爽在薄膜電晶體陣列面板與副基材間之液晶層。 26. 如申請專利第2 5項之液晶顯示器，其中第一與第二儲 存電容器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大於90 % 〇 27. —種薄膜電晶體陣列面板包含： 一絕緣基材； 一形成在絕緣基材上之閘極線裝配體及儲存電容器 電極線，閘極線裝配體具有閘極線及閘極電極； 一覆蓋閘極線裝配體及儲存電容器電極線之閘極絕 緣層； 一形成在閘極絕緣層而暴露儲存電容器電極線之第 • 接觸孔， 一形成在閘極絕緣層上而與閘極電極重疊之半導體 圖案； 一形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上之資料 線裝配體及儲存電容器傳導圖案，資料線裝配體具有 資料線、源極電極以及沒極電極，儲存電容器傳導圖-案透過第一接觸孔連接至儲存電容器電極線； O:\76\76994-920822.doc " 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594120 A B c D 六、申請專利範圍 一覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 體圖案之鈍化層； 形成在鈍化層而暴露汲極電極之第二接觸孔；及 形成在鈍化層上而透過第二接觸孔連接至汲極電極 之像素電極，像素電極係與儲存電容器傳導圖案重疊 以形成第一儲存電容器而與儲存電容器電極線重疊以 形成第二儲存電容器。 28. 如申請專利第2 7項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電容器電極線平行於閘極線前進。 29. 如申請專利第2 7項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電容器傳導圖案係與儲存電容器電極線重疊。 30. 如申請專利第2 9項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電容器傳導圖案係形成於由閘極線與資料線界定的像 素區内。 31. 如申請專利第2 7項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電容器電極圖案係沿資料線形成桿狀而與像素電極的 周邊部重疊。 32. —種液晶顯示器包含： 如申請專利範圍第2 7項之薄膜電晶體陣列面板； 一面向薄膜電晶體卩車列面板的副基材；及 一夬在薄膜電晶體陣列面板與副基材間之液晶層。 33. 如申請專利第3 2項之液晶顯示器，其中第一與第二儲 存電容器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大於90 % O:\76\76994-920822.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 々、申請專利範圍 34. —種薄膜電晶體陣列面板包含： 一絕緣基材； 一形成在絕緣基材上之閘極線裝配體，閘極線裝配 體具有第一閘極線、連接至第一閘極線的閘極電極以 及與第一閘極線隔開一段預定距離之第二閘極線； 一覆蓋閘極線裝配體之閘極絕緣層； 形成在閘極絕緣層而局邵暴露第二閘極線之第一接 觸孔； 一形成在閘極絕緣層上而與閘極電極重疊之半導體 圖案； 一形成在用半導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上之資料 線裝配體及儲存電容器傳導圖案，資料線裝配體具有 橫過第一與第二閘極線之資料線、源極電極以及汲極 電極，儲存電容器傳導圖案透過第一接觸孔連接至第 二閘極線； 一覆蓋資料線裝配體、儲存電容器傳導圖案及半導 體圖案之鈍化層； 形成在鈍化層而暴露汲極電極之第二接觸孔；及 形成在鈍化層上而透過第二接觸孔連接至汲極電極 之像素電極，像素電極係與儲存電容器傳導圖案重疊 以形成第一儲存電容器而與第二閘極線重疊以形成第 二儲存電容器。 35. —種液晶顯示器包含： 如申請專利範圍第3 4項之薄膜電晶體陣列面板； O:\76\76994-920822.doc - 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 六、申請專利範圍 一面向薄膜電晶體陣列面板的副基材；及 一爽在薄膜電晶體陣列面板與副基材間之液晶層。 36. 如申請專利第3 5項之液晶顯示器，其中第一與第二儲 存電容器具有靜電電容較液晶層之靜電電容大於90 % 〇 37. —種製造薄膜電晶體陣列面板的方法，該方法包括步 驟為： 將閘極線裝配體與儲存電容器線裝配體形成在絕緣 基材上，使閘極裝配體具有閘極線與閘極電極； 將閘極絕緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配 體與儲存電容器線裝配體； 將半導體圖案形成在閘極絕緣層上； 將資料線裝配體及儲存電容器傳導圖案形成在用半 導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上，使資料線裝配體具有 資料線、源極電極以及汲極電極，而儲存電容器傳導 圖案係與儲存電容器線裝配體局部重疊以形成第一儲 存電容器； 將鈍化層形成在基材上，使其覆蓋資料線裝配體、 儲存電容器傳導圖案及半導體圖案； 將第一與第二接觸孔形成在鈍化層，使其分別暴露 汲極電極與儲存電容器傳導圖案；以及 將像素電極形成在鈍化層上，使其透過第一與第二 接觸孔連接至汲極電極與儲存電容器傳導圖案而與儲_ 存電容器線裝配體的零件結合而形成第二儲存電容器。 O:\76\76994-920822.doc * 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594120 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 38. 如申請專利第3 7項之方法，其中儲存電容器線裝配體 具有平行於閘極線前進之儲存電容器電極線，及連接 至儲存電容器電極線之儲存電容器電極圖案。 39. —種製造薄膜電晶體陣列面板的方法，該方法包括步 驟為： 將閘極線裝配體形成在絕緣基材上，使其具有第一 閘極線、連接至第一閘極線之閘極電極及隔開第一閘 極線一段距離而平行於第一閘極線前進之第二閘極線； 將閘極絕緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配 體； 將半導體圖案形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電 極重疊； 將資料線裝配體及儲存電容器傳導圖案形成在用半 導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上，使資料線裝配體具有 橫過第一與第二閘極線之資料線、源極電極以及汲極 電極，而儲存電容器傳導圖案係與第二閘極線局部重 疊以形成第一儲存電容器； 將鈍化層形成在基材上，使其覆蓋資料線裝配體、 儲存電容器傳導圖案及半導體圖案； 將第一與第二接觸孔形成在鈍化層，使第一與第二 接觸孔分別暴露汲極電極與儲存電容器傳導圖案；以及 將像素電極形成在鈍化層上，使其透過第一與第二 接觸孔連接至汲極電極與儲存電容器傳導圖案而與第_ 二閘極線的零件結合而形成第二儲存電容器。 〇:\76\76994-920822.d〇c - 1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 六、申請專利範圍 40. —種製造薄膜電晶體陣列面板的方法，該方法包括步 驟為： 將閘極線裝配體與儲存電容器電極線形成在絕緣基 材上，使閘極裝配體具有閘極線與閘極電極； 將閘極絕緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配 體與儲存電容器電極線； 將第一接觸孔形成在閘極絕緣層，使其暴露儲存電 容器電極線； 將半導體圖案形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電 極重疊； 將資料線裝配體及儲存電容器傳導圖案形成在用半 導體圖案覆蓋的閘極絕緣層上，使資料線裝配體具有 資料線、源極電極以及汲極電極，而儲存電容器傳導 圖案透過第一接觸孔連接至儲存電容器電極線； 將鈍化層形成在基材上，使其覆蓋資料線裝配體、 儲存電容器傳導圖案及半導體圖案； 將第二接觸孔形成在鈍化層，使其暴露汲極電極； 以及 將像素電極形成在鈍化層上，使其透過第二接觸孔 連接至汲極電極；將像素電極係與儲存電容器傳導圖 案重疊以形成第一儲存電容器而與儲存電容器電極線 局部重疊以形成第二儲存電容器。 41. 一種製造薄膜電晶體陣列面板的方法，該方法包括步 驟為： -11 - O:\76\76994-920822.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594120 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 將閘極線裝配體形成在絕緣基材上，使其具有第一 閘極線、連接至第一閘極線之閘極電極及隔開第一閘 極線一段距離而平行於第一閘極線前進之第二閘極線； 將閘極絕緣層形成在基材上，使其覆蓋閘極線裝配 體； 將第一接觸孔形成在閘極絕緣層，使其局部暴露第 二閘極線； 將半導體圖案形成在閘極絕緣層上，使其與閘極電 極重疊； 將資料線裝配體及儲存電容器傳導圖案形成在用半 導體圖案覆盍的閘極絕緣層上，使資料線裝配體具有 橫過第一與第二閘極線之資料線 '源極.電極以及汲極 電極，而儲存電容器傳導圖案透過第一接觸孔連接至 第二閘極線； 將鈍化層形成在基材上，使其覆蓋資料線裝配體、 儲存電容器傳導圖案及半導體圖案； 將第二接觸孔形成在鈍化層，使其暴露汲極電極； 以及 將像素電極形成在鈍化層上，使其透過第二接觸孔 連接至汲極電極；將像素電極形成在鈍化層上，使其 透過第二接觸孔連接至汲極電極；將像素電極係與儲 存電容器傳導圖案重疊以形成第一儲存電容器而與第 二閘極線局部重疊以形成第二儲存電容器。 O:\76\76994-920822.doc 本紙張尺度適用中_家鮮(CNS)_ M規格(_撕公 -12-
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