JPH11271791A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11271791A JPH11271791A JP7924598A JP7924598A JPH11271791A JP H11271791 A JPH11271791 A JP H11271791A JP 7924598 A JP7924598 A JP 7924598A JP 7924598 A JP7924598 A JP 7924598A JP H11271791 A JPH11271791 A JP H11271791A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各画素電極が必要な電荷保持時間を有すると
ともに、高い開口率を有し、これにより、色調及び輝度
が優れた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 各画素電極19と対向電極44は、液晶
層60を介して互いに対向して配置され、各画素電極1
9の裏面側には、補助容量電極14a、14bが絶縁膜
15を介して対向して配置される。本発明の液晶表示装
置では、各補助容量電極14a、14bの面積を、各画
素電極19と対向電極44との間に挟まれた液晶層60
の電荷保持率の表示画面内での差に対応して、表示画面
内で変化する様に設定する。これによって、各画素毎に
必要な電荷保持時間が確保される条件内で、可能な範囲
で高い開口率を実現することができる。
ともに、高い開口率を有し、これにより、色調及び輝度
が優れた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 各画素電極19と対向電極44は、液晶
層60を介して互いに対向して配置され、各画素電極1
9の裏面側には、補助容量電極14a、14bが絶縁膜
15を介して対向して配置される。本発明の液晶表示装
置では、各補助容量電極14a、14bの面積を、各画
素電極19と対向電極44との間に挟まれた液晶層60
の電荷保持率の表示画面内での差に対応して、表示画面
内で変化する様に設定する。これによって、各画素毎に
必要な電荷保持時間が確保される条件内で、可能な範囲
で高い開口率を実現することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、各画素電極に供給された電荷の保持時間を延
長するために設けられる補助容量電極の配置に関する。
り、特に、各画素電極に供給された電荷の保持時間を延
長するために設けられる補助容量電極の配置に関する。
【0002】
【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示装
置は、アレイ基板と対向基板を小さな間隙を介して互い
に対向させてそれらの周辺部で貼り合わせ、上記の間隙
部に液晶を封入することによって構成される。
置は、アレイ基板と対向基板を小さな間隙を介して互い
に対向させてそれらの周辺部で貼り合わせ、上記の間隙
部に液晶を封入することによって構成される。
【0003】アレイ基板上には、通常、互いに直交する
走査線と信号線が格子状に配列され、走査線と信号線で
区画される各領域に画素電極が配置される。画素電極と
信号線とは、走査線で駆動されるスイチッング素子(通
常、TFTが使用される)を介して接続される。更に、
アレイ基板上には、画素電極に蓄えられた電荷の保持時
間を確保すべく、補助容量電極が配置される。通常、こ
の補助容量電極は、走査線と同じ工程で形成され、互い
に隣接する走査線の間に配置される。
走査線と信号線が格子状に配列され、走査線と信号線で
区画される各領域に画素電極が配置される。画素電極と
信号線とは、走査線で駆動されるスイチッング素子(通
常、TFTが使用される)を介して接続される。更に、
アレイ基板上には、画素電極に蓄えられた電荷の保持時
間を確保すべく、補助容量電極が配置される。通常、こ
の補助容量電極は、走査線と同じ工程で形成され、互い
に隣接する走査線の間に配置される。
【0004】対向基板には、光の三原色にそれぞれ対応
するカラーフィルタが各画素毎(即ち、各画素電極毎)
に設けられ、その上に、各画素に対して共通の対向電極
が配置される。更に、各カラーフィルタの境界部には、
画素電極の周囲を透過する光を遮断すべく遮光膜が配置
される。
するカラーフィルタが各画素毎(即ち、各画素電極毎)
に設けられ、その上に、各画素に対して共通の対向電極
が配置される。更に、各カラーフィルタの境界部には、
画素電極の周囲を透過する光を遮断すべく遮光膜が配置
される。
【0005】アレイ基板及び対向基板は、それぞれの対
向面に配向膜が形成された後、小さな間隙を介してそれ
らの周辺部において互いに貼り合わされ、この間隙部
に、液晶が封入されて保持される。アレイ基板及び対向
基板の外側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられ
る。
向面に配向膜が形成された後、小さな間隙を介してそれ
らの周辺部において互いに貼り合わされ、この間隙部
に、液晶が封入されて保持される。アレイ基板及び対向
基板の外側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられ
る。
【0006】以上の様な構成を備えた液晶表示装置にお
いて、画素電極に蓄えられた電荷は、次に信号電圧が印
加されるまでの間に液晶層やスイッチング素子を介して
徐々に漏れ出して減少する。上記の補助容量電極は、画
素電極に蓄えられた電荷の減少を抑制する機能を有して
いる。従って、補助容量電極の面積を広くすれば、電荷
を保持する能力が増大して画質が向上する。しかし、各
画素の開口率が小さくなる結果、輝度の低下を招く。
いて、画素電極に蓄えられた電荷は、次に信号電圧が印
加されるまでの間に液晶層やスイッチング素子を介して
徐々に漏れ出して減少する。上記の補助容量電極は、画
素電極に蓄えられた電荷の減少を抑制する機能を有して
いる。従って、補助容量電極の面積を広くすれば、電荷
を保持する能力が増大して画質が向上する。しかし、各
画素の開口率が小さくなる結果、輝度の低下を招く。
【0007】(従来の液晶表示装置の問題点)各画素の
開口率の増大は、液晶表示装置において低消費電力化を
図るための有力な手段の一つである。そのためには、補
助容量電極の面積を縮小する必要がある。しかし、補助
容量電極の面積を縮小し過ぎると、画素電極に蓄えられ
た電荷を保持する能力が低下し、例えばノーマリーホワ
イト方式の装置の場合、色調が損なわれる。従って、補
助容量電極の面積としてある程度の大きさを確保する必
要がある。
開口率の増大は、液晶表示装置において低消費電力化を
図るための有力な手段の一つである。そのためには、補
助容量電極の面積を縮小する必要がある。しかし、補助
容量電極の面積を縮小し過ぎると、画素電極に蓄えられ
た電荷を保持する能力が低下し、例えばノーマリーホワ
イト方式の装置の場合、色調が損なわれる。従って、補
助容量電極の面積としてある程度の大きさを確保する必
要がある。
【0008】ところで、各画素電極に蓄えられた電荷の
漏れの量は、各画素電極間で必ずしも一様ではない。即
ち、液晶表示パネルの組み立ての際の液晶の注入口付近
や、表示画面の周辺部などには液晶中に含まれている不
純物が集まりやすく、それらの部分では液晶層の電気抵
抗が相対的に低く、従って、電荷の漏れの量が相対的に
大きい。これに対して、従来の液晶表示装置において
は、各画素毎の補助容量電極の寸法形状を表示画面内で
均一に設定しており、具体的には、電荷の漏れの量が大
きい場所を基準にして補助容量電極の寸法形状を決定し
ていた。その結果、電荷の漏れの量が小さい部分では、
必要以上の面積の補助容量電極が配置されることなり、
開口率の点で不利であった。
漏れの量は、各画素電極間で必ずしも一様ではない。即
ち、液晶表示パネルの組み立ての際の液晶の注入口付近
や、表示画面の周辺部などには液晶中に含まれている不
純物が集まりやすく、それらの部分では液晶層の電気抵
抗が相対的に低く、従って、電荷の漏れの量が相対的に
大きい。これに対して、従来の液晶表示装置において
は、各画素毎の補助容量電極の寸法形状を表示画面内で
均一に設定しており、具体的には、電荷の漏れの量が大
きい場所を基準にして補助容量電極の寸法形状を決定し
ていた。その結果、電荷の漏れの量が小さい部分では、
必要以上の面積の補助容量電極が配置されることなり、
開口率の点で不利であった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の様な
従来の液晶表示装置の問題点に鑑み成されたもので、本
発明の目的は、各画素電極が必要な電荷保持時間を有す
るとともに、高い開口率を有し、従って、色調及び輝度
が優れた液晶表示装置を提供することにある。
従来の液晶表示装置の問題点に鑑み成されたもので、本
発明の目的は、各画素電極が必要な電荷保持時間を有す
るとともに、高い開口率を有し、従って、色調及び輝度
が優れた液晶表示装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、各画素電極と対向電極を液晶層を介して互いに対向
させて配置するとともに、各画素電極の裏面側に補助容
量電極を絶縁膜を介して対向させて配置した液晶表示装
置において、各画素電極と各補助容量電極との間に形成
される補助容量の値が、各画素電極と対向電極との間に
形成される容量の差に対応して異なることを特徴とす
る。
は、各画素電極と対向電極を液晶層を介して互いに対向
させて配置するとともに、各画素電極の裏面側に補助容
量電極を絶縁膜を介して対向させて配置した液晶表示装
置において、各画素電極と各補助容量電極との間に形成
される補助容量の値が、各画素電極と対向電極との間に
形成される容量の差に対応して異なることを特徴とす
る。
【0011】なお、一般的には、各画素電極と対向電極
との間に形成される上記容量の差に対応して、各補助容
量電極の面積を変えることによって、上記の補助容量の
設定を行う。
との間に形成される上記容量の差に対応して、各補助容
量電極の面積を変えることによって、上記の補助容量の
設定を行う。
【0012】本発明の液晶表示装置によれば、各画素電
極と対向電極との間に形成される上記容量の各画素間に
おける差に対応して、各補助容量電極に基づく補助容量
の値(各補助電極の面積)を表示画面内で変化させてい
るので、各画素毎に必要な電荷保持時間が確保される条
件内で、可能な範囲で高い開口率を実現することができ
る。従って、液晶表示装置の色調及び輝度の向上を図る
ことができる。
極と対向電極との間に形成される上記容量の各画素間に
おける差に対応して、各補助容量電極に基づく補助容量
の値(各補助電極の面積)を表示画面内で変化させてい
るので、各画素毎に必要な電荷保持時間が確保される条
件内で、可能な範囲で高い開口率を実現することができ
る。従って、液晶表示装置の色調及び輝度の向上を図る
ことができる。
【0013】なお、通常、液晶層は、不純物の影響によ
って、特に表示画面の角の部分において電荷保持率が低
い。従って、一般的には、表示画面の各角の近傍におい
て補助容量電極の面積が相対的に大きくなる様に設定す
る。
って、特に表示画面の角の部分において電荷保持率が低
い。従って、一般的には、表示画面の各角の近傍におい
て補助容量電極の面積が相対的に大きくなる様に設定す
る。
【0014】また、表示画面内で、互いに隣接する画素
間での補助容量電極の面積の差が大き過ぎると、その境
目でムラとして観察されてしまう。従って、補助容量電
極の面積を、表示画面内で、周辺部から中心部に向かっ
て段階的に変化する様に設定することが好ましい。
間での補助容量電極の面積の差が大き過ぎると、その境
目でムラとして観察されてしまう。従って、補助容量電
極の面積を、表示画面内で、周辺部から中心部に向かっ
て段階的に変化する様に設定することが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】図1及び図2に、本発明に基づく
液晶表示装置の一例を示す。なお、図1は、本発明に基
づく液晶表示装置を構成するアレイ基板の平面図(部
分)であり、図2は、図1中、A−A線に沿って切断し
た液晶表示装置(対向基板及び液晶層を含む)の断面図
である。
液晶表示装置の一例を示す。なお、図1は、本発明に基
づく液晶表示装置を構成するアレイ基板の平面図(部
分)であり、図2は、図1中、A−A線に沿って切断し
た液晶表示装置(対向基板及び液晶層を含む)の断面図
である。
【0016】先ず、アレイ基板の断面構造について説明
する。アレイ基板10側では、絶縁基板11上に走査線
12及び補助容量電極14が形成され、それらの上はゲ
ート絶縁膜15(この例では、層間絶縁膜を兼ねてい
る)で覆われている。ゲート絶縁膜15の上には、アモ
ルファスシリコン薄膜から成る半導体活性層16、及び
ITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極19が配
置されている。TFT21は、図2中に示されている様
に、ゲート電極12(この例では、走査線がそのまま使
用されている)、ゲート絶縁膜15、半導体活性層1
6、チャネル保護膜17、ソース電極22及びドレイン
電極23などから構成される。なお、半導体活性層16
のソース及びドレイン領域と、ソース電極22及びドレ
イン電極23との間には、n+型a−Si:H薄膜から
なる低抵抗半導体層18が、それぞれ挿入されている。
信号線13は、画素電極19の上側の層に形成される。
なお、上記の補助容量電極14は、走査線12と同一の
工程で形成され、上記のソース電極22及びドレイン電
極23は、信号線13と同一の工程で形成される。
する。アレイ基板10側では、絶縁基板11上に走査線
12及び補助容量電極14が形成され、それらの上はゲ
ート絶縁膜15(この例では、層間絶縁膜を兼ねてい
る)で覆われている。ゲート絶縁膜15の上には、アモ
ルファスシリコン薄膜から成る半導体活性層16、及び
ITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極19が配
置されている。TFT21は、図2中に示されている様
に、ゲート電極12(この例では、走査線がそのまま使
用されている)、ゲート絶縁膜15、半導体活性層1
6、チャネル保護膜17、ソース電極22及びドレイン
電極23などから構成される。なお、半導体活性層16
のソース及びドレイン領域と、ソース電極22及びドレ
イン電極23との間には、n+型a−Si:H薄膜から
なる低抵抗半導体層18が、それぞれ挿入されている。
信号線13は、画素電極19の上側の層に形成される。
なお、上記の補助容量電極14は、走査線12と同一の
工程で形成され、上記のソース電極22及びドレイン電
極23は、信号線13と同一の工程で形成される。
【0017】次に、アレイ基板の平面配置について説明
する。上記の走査線12及び信号線13は、互いに直交
して格子状に配列され、走査線12と信号線13で区画
される各領域に画素電極19が配置される。TFT21
(薄膜トランジスタ)は、走査線12と信号線13との
交点の近くに形成され、ソース電極22が画素電極19
に接続され、ドレイン電極23が信号線13に接続され
る。TFT21は、ゲート電極を兼ねる走査線12によ
って駆動される。
する。上記の走査線12及び信号線13は、互いに直交
して格子状に配列され、走査線12と信号線13で区画
される各領域に画素電極19が配置される。TFT21
(薄膜トランジスタ)は、走査線12と信号線13との
交点の近くに形成され、ソース電極22が画素電極19
に接続され、ドレイン電極23が信号線13に接続され
る。TFT21は、ゲート電極を兼ねる走査線12によ
って駆動される。
【0018】また、上記の補助容量電極14は、互いに
隣接する走査線12の間に配置され、ゲート絶縁膜15
を介して画素電極19の裏面の一部に対向している。補
助容量電極14と画素電極19との間に形成される補助
容量によって、画素電極19に蓄えられた電荷の保持時
間の延長が図られる。
隣接する走査線12の間に配置され、ゲート絶縁膜15
を介して画素電極19の裏面の一部に対向している。補
助容量電極14と画素電極19との間に形成される補助
容量によって、画素電極19に蓄えられた電荷の保持時
間の延長が図られる。
【0019】次に、図2を用いて対向基板の構成につい
て説明する。対向基板40側では、絶縁基板41の上
に、先ず、各画素の境界部に沿って遮光膜42が形成さ
れ、その上側の層に、光の三原色にそれぞれ対応するカ
ラーフィルタ43が各画素毎に配置されている。これら
のカラーフィルタ43の上には、各画素共通の対向電極
44が形成されている。なお、上記の遮光膜42は、画
素電極19と走査線12の間及び画素電極19と信号線
13の間を透過する光を遮断するために設けられてい
る。
て説明する。対向基板40側では、絶縁基板41の上
に、先ず、各画素の境界部に沿って遮光膜42が形成さ
れ、その上側の層に、光の三原色にそれぞれ対応するカ
ラーフィルタ43が各画素毎に配置されている。これら
のカラーフィルタ43の上には、各画素共通の対向電極
44が形成されている。なお、上記の遮光膜42は、画
素電極19と走査線12の間及び画素電極19と信号線
13の間を透過する光を遮断するために設けられてい
る。
【0020】アレイ基板10及び対向基板40は、対向
面にそれぞれ配向膜51、52が形成された後、小さな
間隙を介して、それらの周辺部においてシール材(図示
せず)を介して互いに貼り合わされ、この間隙部に、液
晶60が封入されている。アレイ基板10及び対向基板
40の外側の面には、それぞれ偏光板71、72が、互
いの偏光方向が直交する様に貼り付けられている。
面にそれぞれ配向膜51、52が形成された後、小さな
間隙を介して、それらの周辺部においてシール材(図示
せず)を介して互いに貼り合わされ、この間隙部に、液
晶60が封入されている。アレイ基板10及び対向基板
40の外側の面には、それぞれ偏光板71、72が、互
いの偏光方向が直交する様に貼り付けられている。
【0021】本発明の液晶表示装置においては、図1に
示す様に、各補助容量電極14a、14bの面積を、各
画素内の液晶層60の電荷保持率の相違に対応して、表
示画面内で変化する様に設定する。これによって、各画
素毎に必要な電荷保持時間が確保される条件内で、可能
な範囲で高い開口率を実現することができる。従って、
液晶表示装置の色調及び輝度の向上を図ることができ
る。
示す様に、各補助容量電極14a、14bの面積を、各
画素内の液晶層60の電荷保持率の相違に対応して、表
示画面内で変化する様に設定する。これによって、各画
素毎に必要な電荷保持時間が確保される条件内で、可能
な範囲で高い開口率を実現することができる。従って、
液晶表示装置の色調及び輝度の向上を図ることができ
る。
【0022】なお、先に従来技術の項で説明した様に、
通常、液晶層は、不純物の影響によって、特に表示画面
の角の部分において電荷保持率が低い。従って、一般的
に、表示画面の角の部分において補助容量電極の面積が
相対的に大きくなる様に設定する。
通常、液晶層は、不純物の影響によって、特に表示画面
の角の部分において電荷保持率が低い。従って、一般的
に、表示画面の角の部分において補助容量電極の面積が
相対的に大きくなる様に設定する。
【0023】また、表示画面内で、互いに隣接する画素
間での補助容量電極の面積の差が大き過ぎると、その境
目で輝度のムラとして観察されてしまう。従って、補助
容量電極の面積を、表示画面内で、周辺部から中心部に
向かって段階的に変化する様に設定する。
間での補助容量電極の面積の差が大き過ぎると、その境
目で輝度のムラとして観察されてしまう。従って、補助
容量電極の面積を、表示画面内で、周辺部から中心部に
向かって段階的に変化する様に設定する。
【0024】本発明は、図1及び図2に示された形態に
限定されるものではない。例えば、TFT(あるいはス
イッチング素子)の構造、走査線、信号線及び画素電極
を構成する各層の配置条件、補助容量電極の形成方法な
どについて、上記の例とは異なる液晶表示装置に対して
も、本発明を適用することができる。なお、各画素電極
毎の補助容量の大きさを変える場合に、画素電極と補助
容量電極の間の層間絶縁膜の厚さを変えることもでき
る。
限定されるものではない。例えば、TFT(あるいはス
イッチング素子)の構造、走査線、信号線及び画素電極
を構成する各層の配置条件、補助容量電極の形成方法な
どについて、上記の例とは異なる液晶表示装置に対して
も、本発明を適用することができる。なお、各画素電極
毎の補助容量の大きさを変える場合に、画素電極と補助
容量電極の間の層間絶縁膜の厚さを変えることもでき
る。
【0025】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、各画素
電極と対向電極との間に形成される容量の各画素間にお
ける差に対応して、各補助容量電極に基づく補助容量の
値を表示画面内で変化させているので、各画素毎に必要
な電荷保持時間が確保される条件内で、可能な範囲で高
い開口率を実現することができる。従って、液晶表示装
置の色調及び輝度の向上を図ることができる。また、表
示画面内で補助容量電極の面積を段階的に変化させる事
によって、補助容量電極の面積の差に起因して生じるム
ラを目立たなくすることができる。
電極と対向電極との間に形成される容量の各画素間にお
ける差に対応して、各補助容量電極に基づく補助容量の
値を表示画面内で変化させているので、各画素毎に必要
な電荷保持時間が確保される条件内で、可能な範囲で高
い開口率を実現することができる。従って、液晶表示装
置の色調及び輝度の向上を図ることができる。また、表
示画面内で補助容量電極の面積を段階的に変化させる事
によって、補助容量電極の面積の差に起因して生じるム
ラを目立たなくすることができる。
【図1】本発明に基づく液晶表示装置を構成するアレイ
基板の一例を示す平面図(部分)。
基板の一例を示す平面図(部分)。
【図2】図1中のA−A線に沿った断面を示す概略断面
図。
図。
10・・・アレイ基板、11・・・絶縁基板、12・・
・走査線(兼ゲート電極)、13・・・信号線、14、
14a、14b・・・補助容量電極、15・・・ゲート
絶縁膜(兼層間絶縁膜)、16・・・半導体活性層、1
7・・・チャネル保護膜、18・・・低抵抗半導体層、
19・・・画素電極、21・・・TFT、22・・・ソ
ース電極、23・・・ドレイン電極、40・・・対向基
板、41・・・絶縁基板、42・・・遮光膜、43・・
・カラーフィルタ層、44・・・対向電極、51、52
・・・配向膜、60・・・液晶層、71、72・・・偏
光板。
・走査線(兼ゲート電極)、13・・・信号線、14、
14a、14b・・・補助容量電極、15・・・ゲート
絶縁膜(兼層間絶縁膜)、16・・・半導体活性層、1
7・・・チャネル保護膜、18・・・低抵抗半導体層、
19・・・画素電極、21・・・TFT、22・・・ソ
ース電極、23・・・ドレイン電極、40・・・対向基
板、41・・・絶縁基板、42・・・遮光膜、43・・
・カラーフィルタ層、44・・・対向電極、51、52
・・・配向膜、60・・・液晶層、71、72・・・偏
光板。
Claims (4)
- 【請求項1】 各画素電極と対向電極を液晶層を介して
互いに対向させて配置するとともに、各画素電極に補助
容量電極を絶縁膜を介して対向させて配置した液晶表示
装置において、 各画素電極と各補助容量電極との間に形成される補助容
量の値が、各画素電極と対向電極との間に形成される容
量の差に対応して異なることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項2】 前記各補助容量電極の面積が、各画素電
極と対向電極との間に形成される容量の差に対応して異
なることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記各補助容量電極の面積が、表示画面
の各角の近傍で、表示画面の中央部と比べて大きくなっ
ていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項4】 前記各画補助容量電極の面積が、表示画
面内で、周辺部から中心部に向かって段階的に変化する
様に設定されていることを特徴とする請求項3に記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7924598A JPH11271791A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7924598A JPH11271791A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11271791A true JPH11271791A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13684483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7924598A Pending JPH11271791A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11271791A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009145908A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置 |
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1998
- 1998-03-26 JP JP7924598A patent/JPH11271791A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009145908A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置 |
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