JPH0926564A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0926564A JPH0926564A JP17361495A JP17361495A JPH0926564A JP H0926564 A JPH0926564 A JP H0926564A JP 17361495 A JP17361495 A JP 17361495A JP 17361495 A JP17361495 A JP 17361495A JP H0926564 A JPH0926564 A JP H0926564A
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- electrode
- auxiliary
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 人間の目の視感度が、Ｒ，Ｇ，Ｂで異なるこ
とに着目し、従来の液晶表示パネルの開口率を低下さる
ことなく光学応答特性を改善する。 【構成】 Ｇ画素の補助容量Ｃstgと液晶セル容量Ｃlcg
との比（Ｇ補助容量比Ｇst＝Ｃstg／Ｃlcg）がＲ画素の
補助容量Ｃstrと液晶セル容量Ｃlcrとの比（Ｒ補助容量
比Ｒst＝Ｃlcr／Ｃstr）、又は、Ｂ画素の補助容量Ｃst
bと液晶セル容量Ｃlcbとの比（Ｂ補助容量比Ｂst＝Ｃlc
b／Ｃstb）のいずれよりも大きくなるように構成してい
る。補助容量比が大きいほど光学応答特性は向上するの
で、視感度の高いＧ画素の光学応答特性を視感度の低い
Ｒ，Ｂ画素に優先させて向上させることにより、表示装
置全体の見かけ上の光学応答特性を改善する。
とに着目し、従来の液晶表示パネルの開口率を低下さる
ことなく光学応答特性を改善する。 【構成】 Ｇ画素の補助容量Ｃstgと液晶セル容量Ｃlcg
との比（Ｇ補助容量比Ｇst＝Ｃstg／Ｃlcg）がＲ画素の
補助容量Ｃstrと液晶セル容量Ｃlcrとの比（Ｒ補助容量
比Ｒst＝Ｃlcr／Ｃstr）、又は、Ｂ画素の補助容量Ｃst
bと液晶セル容量Ｃlcbとの比（Ｂ補助容量比Ｂst＝Ｃlc
b／Ｃstb）のいずれよりも大きくなるように構成してい
る。補助容量比が大きいほど光学応答特性は向上するの
で、視感度の高いＧ画素の光学応答特性を視感度の低い
Ｒ，Ｂ画素に優先させて向上させることにより、表示装
置全体の見かけ上の光学応答特性を改善する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）アレイによって駆動されるカラー液晶表示装置に関
し、詳しくは、その応答性の改善に関するものである。
Ｔ）アレイによって駆動されるカラー液晶表示装置に関
し、詳しくは、その応答性の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】かかるカラー液晶表示装置の従来例とし
て、特開昭６３−２４９８９６号公報に記載されたもの
がある。図１５にこの従来の液晶表示装置の平面構成を
示す。同図において、１は各画素をスイッチングするＴ
ＦＴ、２はＴＦＴ１のドレイン電極、３はＲ画素電極、
４は各画素のドレイン電極２と各画素電極３を電気的に
接続するコンタクトホール、２２はＲ画素の信号保持特
性を補助するためのＲ補助容量電極、６はＲ画素電極３
とＲ補助容量電極２２を電気的に接続するコンタクトホ
ール、７はＴＦＴ１を制御する走査電極、８はＲ画素に
信号を供給するＲ信号電極、９はＧ画素電極、２３はＧ
画素の信号保持特性を補助するためのＧ補助容量電極、
２４はＧ画素に信号を供給するＧ信号電極、１２はＢ画
素電極、２５はＢ画素の信号保持特性を補助するための
Ｂ補助容量電極、２６はＢ画素に信号を供給するＢ信号
電極をそれぞれ示している。
て、特開昭６３−２４９８９６号公報に記載されたもの
がある。図１５にこの従来の液晶表示装置の平面構成を
示す。同図において、１は各画素をスイッチングするＴ
ＦＴ、２はＴＦＴ１のドレイン電極、３はＲ画素電極、
４は各画素のドレイン電極２と各画素電極３を電気的に
接続するコンタクトホール、２２はＲ画素の信号保持特
性を補助するためのＲ補助容量電極、６はＲ画素電極３
とＲ補助容量電極２２を電気的に接続するコンタクトホ
ール、７はＴＦＴ１を制御する走査電極、８はＲ画素に
信号を供給するＲ信号電極、９はＧ画素電極、２３はＧ
画素の信号保持特性を補助するためのＧ補助容量電極、
２４はＧ画素に信号を供給するＧ信号電極、１２はＢ画
素電極、２５はＢ画素の信号保持特性を補助するための
Ｂ補助容量電極、２６はＢ画素に信号を供給するＢ信号
電極をそれぞれ示している。
【０００３】図１６に従来の液晶表示装置の等価回路を
示す。同図において、１５はＲ画素のＲ液晶セル、１７
はＧ画素のＧ液晶セル、１９はＢ画素のＢ液晶セル、４
０はＲ画素のＲ補助容量、４１はＧ画素のＧ補助容量、
４２はＢ画素のＢ補助容量、２１は対向電極、Ｃlcrは
Ｒ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７の容
量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量、ＣstrはＲ補助容量
４０の容量、ＣstgはＧ補助容量４１の容量、ＣstbはＢ
補助容量４２の容量をそれぞれ示している。
示す。同図において、１５はＲ画素のＲ液晶セル、１７
はＧ画素のＧ液晶セル、１９はＢ画素のＢ液晶セル、４
０はＲ画素のＲ補助容量、４１はＧ画素のＧ補助容量、
４２はＢ画素のＢ補助容量、２１は対向電極、Ｃlcrは
Ｒ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７の容
量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量、ＣstrはＲ補助容量
４０の容量、ＣstgはＧ補助容量４１の容量、ＣstbはＢ
補助容量４２の容量をそれぞれ示している。
【０００４】従来の液晶表示装置の信号波形は図３に示
すようになる。同図において、横軸はフィールド数を表
す時間であり、縦軸は電圧である。Ｖgは走査電極７に
印加する走査電圧、ＶsはＲ信号電極８とＧ信号電極２
４及びＢ信号電極２６に印加する信号電圧、Ｖcは対向
電極２１に印加する対向電圧、Ｖdはドレイン電極２に
印加するドレイン電圧、ＶrWはＲ液晶セル１５とＧ液晶
セル１７及びＢ液晶セル１９に印加される白輝度実効電
圧、ＶrBはＲ液晶セル１５とＧ液晶セル１７及びＢ液晶
セル１９に印加される黒輝度実効電圧をそれぞれ示して
いる。
すようになる。同図において、横軸はフィールド数を表
す時間であり、縦軸は電圧である。Ｖgは走査電極７に
印加する走査電圧、ＶsはＲ信号電極８とＧ信号電極２
４及びＢ信号電極２６に印加する信号電圧、Ｖcは対向
電極２１に印加する対向電圧、Ｖdはドレイン電極２に
印加するドレイン電圧、ＶrWはＲ液晶セル１５とＧ液晶
セル１７及びＢ液晶セル１９に印加される白輝度実効電
圧、ＶrBはＲ液晶セル１５とＧ液晶セル１７及びＢ液晶
セル１９に印加される黒輝度実効電圧をそれぞれ示して
いる。
【０００５】図１７に従来の液晶表示装置の光学応答特
性図を示す。同図において、横軸はフィールド数を表す
時間であり、縦軸は輝度である。この図は白輝度実効電
圧ＶrWから黒輝度実効電圧ＶrBに変化させる実験より得
られた過渡光学応答を示している。特性ＡはＲ液晶セル
容量Ｃlcrに対するＲ補助容量Ｃstrの比を表す補助容量
比ＲstとＧ液晶セル容量Ｃlcgに対するＧ補助容量Ｃstg
の比を表す補助容量比ＧstとＢ液晶セル容量Ｃlcbに対
するＢ補助容量Ｃstbの比を表す補助容量比Ｂstがそれ
ぞれ１．０のときの光学応答特性を示し、Ｔ1は白輝度
実効電圧ＶrWを印加したときの白輝度、Ｔ2は黒輝度実
効電圧ＶrBを印加したときの１フィールド後の特性Ａで
の輝度、Ｔ5は黒輝度実効電圧ＶrBを印加したときの数
フィールド後の黒輝度をそれぞれ示している。
性図を示す。同図において、横軸はフィールド数を表す
時間であり、縦軸は輝度である。この図は白輝度実効電
圧ＶrWから黒輝度実効電圧ＶrBに変化させる実験より得
られた過渡光学応答を示している。特性ＡはＲ液晶セル
容量Ｃlcrに対するＲ補助容量Ｃstrの比を表す補助容量
比ＲstとＧ液晶セル容量Ｃlcgに対するＧ補助容量Ｃstg
の比を表す補助容量比ＧstとＢ液晶セル容量Ｃlcbに対
するＢ補助容量Ｃstbの比を表す補助容量比Ｂstがそれ
ぞれ１．０のときの光学応答特性を示し、Ｔ1は白輝度
実効電圧ＶrWを印加したときの白輝度、Ｔ2は黒輝度実
効電圧ＶrBを印加したときの１フィールド後の特性Ａで
の輝度、Ｔ5は黒輝度実効電圧ＶrBを印加したときの数
フィールド後の黒輝度をそれぞれ示している。
【０００６】以上のように構成された従来の液晶表示装
置の動作は、以下のようになる。時間軸の０からｔ1フ
ィールドの間、ＲＧＢ各画素には走査電圧Ｖgにより信
号電圧Ｖsが印加され、ＲＧＢ各液晶セルに白輝度実効
電圧ＶrWが印加されることにより、白輝度Ｔ1が表示さ
れる。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ1フィールドの時
点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧ＶrBがＲＧＢ各
液晶セルに印加される。するとＲＧＢ各画素における輝
度変化は図１７に示す特性Ａのような光学応答特性曲線
を描く。つまり、ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2にま
でしか黒くなら、数フィールドかかってやっと黒輝度Ｔ
5になる。
置の動作は、以下のようになる。時間軸の０からｔ1フ
ィールドの間、ＲＧＢ各画素には走査電圧Ｖgにより信
号電圧Ｖsが印加され、ＲＧＢ各液晶セルに白輝度実効
電圧ＶrWが印加されることにより、白輝度Ｔ1が表示さ
れる。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ1フィールドの時
点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧ＶrBがＲＧＢ各
液晶セルに印加される。するとＲＧＢ各画素における輝
度変化は図１７に示す特性Ａのような光学応答特性曲線
を描く。つまり、ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2にま
でしか黒くなら、数フィールドかかってやっと黒輝度Ｔ
5になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
液晶表示装置にあっては、白輝度実効電圧ＶrWが黒輝度
実効電圧ＶrBに変化したときに、白輝度Ｔ1から黒輝度
Ｔ5にすぐに変化せず、１フィールド後で輝度Ｔ2とな
り、さらに黒輝度Ｔ5になるまでには数フィールドを必
要とする。このため、実際の画像表示では白い尾を引く
ように見え、ぼやけた画像となる。このように、従来の
液晶表示装置は光学応答特性が遅いという課題を有して
いた。
液晶表示装置にあっては、白輝度実効電圧ＶrWが黒輝度
実効電圧ＶrBに変化したときに、白輝度Ｔ1から黒輝度
Ｔ5にすぐに変化せず、１フィールド後で輝度Ｔ2とな
り、さらに黒輝度Ｔ5になるまでには数フィールドを必
要とする。このため、実際の画像表示では白い尾を引く
ように見え、ぼやけた画像となる。このように、従来の
液晶表示装置は光学応答特性が遅いという課題を有して
いた。
【０００８】本発明はかかる点に鑑み、光学応答特性を
大幅に改善し、かつ高品質な画像表示を実現する液晶表
示装置を提供することを目的とする。
大幅に改善し、かつ高品質な画像表示を実現する液晶表
示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、基板上に複数のバス配線がＸＹマトリクス状に配
置され、２本のＸ方向バス配線と４本のＹ方向バス配線
とで区画されＸ方向に並んだ３つの領域にＲ画素、Ｇ画
素、及びＢ画素が設けられ、各画素が液晶セルと、これ
に表示用電圧を印加するためのスイッチング素子と、液
晶セルの信号保持特性を補助するための補助容量とを備
えているものであって、その特徴は、Ｒ画素の補助容量
Ｃstrと液晶セル容量Ｃlcrとの比（Ｃlcr／Ｃstr）をＲ
補助容量比Ｒst、Ｇ画素の補助容量Ｃstgと液晶セル容
量Ｃlcgとの比（Ｃstg／Ｃlcg）をＧ補助容量比Ｇst、
Ｂ画素の補助容量Ｃstbと液晶セル容量Ｃlcbとの比（Ｃ
stb／Ｃlcb）をＢ補助容量比Ｂstとしたとき、Ｇ補助容
量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助容量比Ｂstのい
ずれよりも大きくなるように構成した点にある。
置は、基板上に複数のバス配線がＸＹマトリクス状に配
置され、２本のＸ方向バス配線と４本のＹ方向バス配線
とで区画されＸ方向に並んだ３つの領域にＲ画素、Ｇ画
素、及びＢ画素が設けられ、各画素が液晶セルと、これ
に表示用電圧を印加するためのスイッチング素子と、液
晶セルの信号保持特性を補助するための補助容量とを備
えているものであって、その特徴は、Ｒ画素の補助容量
Ｃstrと液晶セル容量Ｃlcrとの比（Ｃlcr／Ｃstr）をＲ
補助容量比Ｒst、Ｇ画素の補助容量Ｃstgと液晶セル容
量Ｃlcgとの比（Ｃstg／Ｃlcg）をＧ補助容量比Ｇst、
Ｂ画素の補助容量Ｃstbと液晶セル容量Ｃlcbとの比（Ｃ
stb／Ｃlcb）をＢ補助容量比Ｂstとしたとき、Ｇ補助容
量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助容量比Ｂstのい
ずれよりも大きくなるように構成した点にある。
【００１０】好ましい具体的な構成として、第１にＧ画
素の補助容量の電極面積をＲ画素又はＢ画素のいずれの
補助容量の電極面積よりも大きくすることにより、Ｇ補
助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助容量比Ｂst
のいずれよりも大きくなる。
素の補助容量の電極面積をＲ画素又はＢ画素のいずれの
補助容量の電極面積よりも大きくすることにより、Ｇ補
助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助容量比Ｂst
のいずれよりも大きくなる。
【００１１】第２の具体構成として、前記Ｘ方向のバス
配線は前記各スイッチング素子に接続された走査電極で
あり、隣の走査電極とＲ画素の補助容量電極とが厚さＧ
drのＲ絶縁層を挟んで対向してＲ画素の補助容量を形成
し、隣の走査電極とＧ画素の補助容量電極とが厚さＧdg
のＧ絶縁層を挟んで対向してＧ画素の補助容量を形成
し、隣の走査電極とＢ画素の補助容量電極とが厚さＧdb
のＢ絶縁層を挟んで対向してＢ画素の補助容量を形成し
ている場合に、前記Ｇ絶縁層の厚さＧdgを前記Ｒ絶縁層
の厚さＧdr又は前記Ｂ絶縁層の厚さＧdbのいずれよりも
小さくすることも好ましい。
配線は前記各スイッチング素子に接続された走査電極で
あり、隣の走査電極とＲ画素の補助容量電極とが厚さＧ
drのＲ絶縁層を挟んで対向してＲ画素の補助容量を形成
し、隣の走査電極とＧ画素の補助容量電極とが厚さＧdg
のＧ絶縁層を挟んで対向してＧ画素の補助容量を形成
し、隣の走査電極とＢ画素の補助容量電極とが厚さＧdb
のＢ絶縁層を挟んで対向してＢ画素の補助容量を形成し
ている場合に、前記Ｇ絶縁層の厚さＧdgを前記Ｒ絶縁層
の厚さＧdr又は前記Ｂ絶縁層の厚さＧdbのいずれよりも
小さくすることも好ましい。
【００１２】第３の具体構成として、第２の具体構成に
おけるＧ絶縁層の誘電率をＲ絶縁層又はＢ絶縁層のいず
れの誘電率よりも大きくすることも好ましい。第４の好
ましい具体構成として、Ｇ画素電極が隣の走査電極７の
下方まで延び、この部分が第２絶縁層を挟んで走査電極
７と対向することにより、Ｇ画素の補助容量に並列接続
された付加容量が形成されるようにしてもよい。この場
合、第２絶縁層の誘電率がＧ絶縁層の誘電率より大きい
ことがさらに好ましい。
おけるＧ絶縁層の誘電率をＲ絶縁層又はＢ絶縁層のいず
れの誘電率よりも大きくすることも好ましい。第４の好
ましい具体構成として、Ｇ画素電極が隣の走査電極７の
下方まで延び、この部分が第２絶縁層を挟んで走査電極
７と対向することにより、Ｇ画素の補助容量に並列接続
された付加容量が形成されるようにしてもよい。この場
合、第２絶縁層の誘電率がＧ絶縁層の誘電率より大きい
ことがさらに好ましい。
【００１３】第５の具体構成として、Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素
に対応するカラーフィルタを挟んで対向電極が構成され
た第２の基板が備えられ、各カラーフィルタの厚さを変
えることにより、Ｇ画素の液晶セルの厚さがＲ画素又は
Ｂ画素のいずれの液晶セルの厚さよりも大きくなるよう
にしてもよい。
に対応するカラーフィルタを挟んで対向電極が構成され
た第２の基板が備えられ、各カラーフィルタの厚さを変
えることにより、Ｇ画素の液晶セルの厚さがＲ画素又は
Ｂ画素のいずれの液晶セルの厚さよりも大きくなるよう
にしてもよい。
【００１４】上記の各具体構成のいずれを単独で実施し
ても、Ｇ補助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助
容量比Ｂstのいずれよりも大きくなるが、これらの構成
を適当に組み合わせて実施することもできる。
ても、Ｇ補助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補助
容量比Ｂstのいずれよりも大きくなるが、これらの構成
を適当に組み合わせて実施することもできる。
【００１５】Ｇ補助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又は
Ｂ補助容量比Ｂstのいずれよりも大きくなることによ
り、好ましくは、各画素のスイッチング素子の大きさ等
を変えて、Ｇ画素のスイッチング素子の駆動能力がＲ画
素又はＢ画素のいずれのスイッチング素子よりも大きく
なるようにすれば、無駄がない構成となる。
Ｂ補助容量比Ｂstのいずれよりも大きくなることによ
り、好ましくは、各画素のスイッチング素子の大きさ等
を変えて、Ｇ画素のスイッチング素子の駆動能力がＲ画
素又はＢ画素のいずれのスイッチング素子よりも大きく
なるようにすれば、無駄がない構成となる。
【００１６】
【作用】上記のような特徴構成によれば、Ｇ画素につい
ては、液晶セル容量Ｃlcgに対してＧ補助容量Ｃstgが大
きくなるので、画素に印加される信号が変化した場合、
液晶セル容量Ｃlcgが分担する電圧変化が大きくなり、
光学応答特性が改善される。Ｒ画素やＢ画素については
Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪くなるが、人間の目の
視感度を考慮するとＧ画素での特性の影響が大きく、Ｒ
画素及びＢ画素の特性の影響が小さいことから、液晶表
示パネル全体として光学応答特性が改善される。この結
果、白い尾が引くような現象が大きく減少し、高品質な
画像表示が可能となる。
ては、液晶セル容量Ｃlcgに対してＧ補助容量Ｃstgが大
きくなるので、画素に印加される信号が変化した場合、
液晶セル容量Ｃlcgが分担する電圧変化が大きくなり、
光学応答特性が改善される。Ｒ画素やＢ画素については
Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪くなるが、人間の目の
視感度を考慮するとＧ画素での特性の影響が大きく、Ｒ
画素及びＢ画素の特性の影響が小さいことから、液晶表
示パネル全体として光学応答特性が改善される。この結
果、白い尾が引くような現象が大きく減少し、高品質な
画像表示が可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に第１実施例に係る液晶表示装置の平面構成
を示す。同図において、１はＴＦＴ、２はドレイン電
極、３はＲ画素電極、４及び６はコンタクトホール、７
は走査電極、８はＲ信号電極、９はＧ画素電極、１２は
Ｂ画素電極をそれぞれ示す。以上の構成要素は図１５に
示した従来例と同様であり同一番号を付している。図１
が図１５と異なる点は、Ｒ画素の信号保持特性を補助す
るためのＲ補助容量電極５、Ｇ画素の信号保持特性を補
助するためのＧ補助容量電極１０、Ｂ画素の信号保持特
性を補助するためのＢ補助容量電極１３に関する点であ
る。
する。図１に第１実施例に係る液晶表示装置の平面構成
を示す。同図において、１はＴＦＴ、２はドレイン電
極、３はＲ画素電極、４及び６はコンタクトホール、７
は走査電極、８はＲ信号電極、９はＧ画素電極、１２は
Ｂ画素電極をそれぞれ示す。以上の構成要素は図１５に
示した従来例と同様であり同一番号を付している。図１
が図１５と異なる点は、Ｒ画素の信号保持特性を補助す
るためのＲ補助容量電極５、Ｇ画素の信号保持特性を補
助するためのＧ補助容量電極１０、Ｂ画素の信号保持特
性を補助するためのＢ補助容量電極１３に関する点であ
る。
【００１８】つまり、図１のＧ補助容量電極１０は図１
５の補助容量電極２３より大きく、図１のＲ補助容量電
極５及びＢ補助容量電極１３は図１５のＲ補助容量電極
２２及びＢ補助容量電極２５より小さい。換言すれば、
従来例ではＲ，Ｇ，Ｂ各補助容量電極の面積が等しかっ
たのに対し、本実施例ではＧ補助容量電極１０の面積が
Ｒ補助容量電極５又はＢ補助容量電極１３の面積より大
きい。これに関連して、図１に示す本実施例のＧ信号電
極１１及びＢ信号電極１４は、図１５に示す従来例の直
線状のＧ信号電極２４及びＢ信号電極２６と異なり、大
きい補助容量電極１０を回り込む曲線部分を有してい
る。
５の補助容量電極２３より大きく、図１のＲ補助容量電
極５及びＢ補助容量電極１３は図１５のＲ補助容量電極
２２及びＢ補助容量電極２５より小さい。換言すれば、
従来例ではＲ，Ｇ，Ｂ各補助容量電極の面積が等しかっ
たのに対し、本実施例ではＧ補助容量電極１０の面積が
Ｒ補助容量電極５又はＢ補助容量電極１３の面積より大
きい。これに関連して、図１に示す本実施例のＧ信号電
極１１及びＢ信号電極１４は、図１５に示す従来例の直
線状のＧ信号電極２４及びＢ信号電極２６と異なり、大
きい補助容量電極１０を回り込む曲線部分を有してい
る。
【００１９】図２に本実施例の液晶表示装置の等価回路
図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７はＧ
液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電極、Ｃlcr
はＲ液晶セル容量、ＣlcgはＧ液晶セル容量、ＣlcbはＢ
液晶セル容量をそれぞれ示している。以上の構成要素は
図１６の従来例と同様であり同一番号を付している。従
来例と異なる点は、Ｒ画素のＲ補助容量１６、Ｇ画素の
Ｇ補助容量１７、Ｂ画素のＢ補助容量１９に関する点で
ある。
図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７はＧ
液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電極、Ｃlcr
はＲ液晶セル容量、ＣlcgはＧ液晶セル容量、ＣlcbはＢ
液晶セル容量をそれぞれ示している。以上の構成要素は
図１６の従来例と同様であり同一番号を付している。従
来例と異なる点は、Ｒ画素のＲ補助容量１６、Ｇ画素の
Ｇ補助容量１７、Ｂ画素のＢ補助容量１９に関する点で
ある。
【００２０】つまり、従来例ではＲ，Ｇ，Ｂ各補助容量
４０，４１，４２の容量値はほぼ等しかったが、本実施
例では、Ｇ補助容量１７の容量（値）Ｃstgを大きくし
て、Ｒ補助容量１６の容量（値）Ｃstr及びＢ補助容量
１９の容量（値）Ｃstbを小さくしている。
４０，４１，４２の容量値はほぼ等しかったが、本実施
例では、Ｇ補助容量１７の容量（値）Ｃstgを大きくし
て、Ｒ補助容量１６の容量（値）Ｃstr及びＢ補助容量
１９の容量（値）Ｃstbを小さくしている。
【００２１】図３に本実施例の液晶表示装置の信号波形
を示す。同図において、横軸はフィールド数を表す時間
であり、縦軸は電圧である。Ｖgは走査電極７に印加す
る走査電圧、ＶsはＲ信号電極８とＧ信号電極１１及び
Ｂ信号電極１４に印加する信号電圧、Ｖcは対向電極２
１に印加する対向電圧、Ｖdはドレイン電極２に印加す
るドレイン電圧、ＶrWはＲＧＢ各液晶セルに印加される
白輝度実効電圧、ＶrBはＲＧＢ各液晶セルに印加される
黒輝度実効電圧をそれぞれ示す。
を示す。同図において、横軸はフィールド数を表す時間
であり、縦軸は電圧である。Ｖgは走査電極７に印加す
る走査電圧、ＶsはＲ信号電極８とＧ信号電極１１及び
Ｂ信号電極１４に印加する信号電圧、Ｖcは対向電極２
１に印加する対向電圧、Ｖdはドレイン電極２に印加す
るドレイン電圧、ＶrWはＲＧＢ各液晶セルに印加される
白輝度実効電圧、ＶrBはＲＧＢ各液晶セルに印加される
黒輝度実効電圧をそれぞれ示す。
【００２２】図４に本実施例の液晶表示装置の光学応答
特性を示す。同図において横軸はフィールド数を表す時
間であり、縦軸は輝度である。この図は、白輝度実効電
圧ＶrWから黒輝度実効電圧ＶrBに変化させる実験より得
られた過渡光学応答を示している。特性ＡはＲ補助容量
比Ｒst、Ｇ補助容量比Ｇst、及びＢ補助容量比Ｂstが共
に１．０である従来例の光学応答特性を示す。ここで、
Ｒ補助容量比Ｒstとは、Ｒ補助容量ＣstrとＲ液晶セル
容量Ｃlcrとの比をいい（Ｒst＝Ｃstr／Ｃlcr）、同様
に、Ｇst＝Ｃstg／Ｃlcg，Ｂst＝Ｃstb／Ｃlcbである。
特性を示す。同図において横軸はフィールド数を表す時
間であり、縦軸は輝度である。この図は、白輝度実効電
圧ＶrWから黒輝度実効電圧ＶrBに変化させる実験より得
られた過渡光学応答を示している。特性ＡはＲ補助容量
比Ｒst、Ｇ補助容量比Ｇst、及びＢ補助容量比Ｂstが共
に１．０である従来例の光学応答特性を示す。ここで、
Ｒ補助容量比Ｒstとは、Ｒ補助容量ＣstrとＲ液晶セル
容量Ｃlcrとの比をいい（Ｒst＝Ｃstr／Ｃlcr）、同様
に、Ｇst＝Ｃstg／Ｃlcg，Ｂst＝Ｃstb／Ｃlcbである。
【００２３】特性ＢはＧ画素の構成のように補助容量比
（Ｇst）を大きくしたときの光学応答特性を示し、特性
ＣはＲ画素の構成のように逆に補助容量比（Ｒst）を小
さくしたときの光学応答特性を示す。また、Ｔ1は白輝
度実効電圧ＶrWを印加したときの白輝度、Ｔ2は黒輝度
実効電圧ＶrBを印加し１フィールド後の特性Ａでの輝
度、Ｔ3は黒輝度実効電圧ＶrBを印加し１フィールド後
の特性Ｂでの輝度、Ｔ4は黒輝度実効電圧ＶrBを印加し
１フィールド後の特性Ｃでの輝度、Ｔ5は黒輝度実効電
圧ＶrBを印加し数フィールド後の黒輝度をそれぞれ示
す。
（Ｇst）を大きくしたときの光学応答特性を示し、特性
ＣはＲ画素の構成のように逆に補助容量比（Ｒst）を小
さくしたときの光学応答特性を示す。また、Ｔ1は白輝
度実効電圧ＶrWを印加したときの白輝度、Ｔ2は黒輝度
実効電圧ＶrBを印加し１フィールド後の特性Ａでの輝
度、Ｔ3は黒輝度実効電圧ＶrBを印加し１フィールド後
の特性Ｂでの輝度、Ｔ4は黒輝度実効電圧ＶrBを印加し
１フィールド後の特性Ｃでの輝度、Ｔ5は黒輝度実効電
圧ＶrBを印加し数フィールド後の黒輝度をそれぞれ示
す。
【００２４】上記のような本実施例の液晶表示装置にお
いて、時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画
素には走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝
度実効電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることに
より白輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変
化しｔ1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実
効電圧ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。このとき
Ｒ画素については、Ｒ補助容量電極５の面積が従来より
狭くＲ補助容量Ｃstrが小さいので、Ｒ補助容量比Ｒst
が従来よりも小さくなる。その結果、図４に示す特性Ｃ
のように、従来の特性Ａより光学応答特性が悪くなり、
ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2より高い輝度Ｔ4にま
でしか黒くならない。Ｂ画素についてＲ画素と同様に補
助容量比Ｂstが小さくなった分、光学応答特性が悪くな
る。
いて、時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画
素には走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝
度実効電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることに
より白輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変
化しｔ1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実
効電圧ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。このとき
Ｒ画素については、Ｒ補助容量電極５の面積が従来より
狭くＲ補助容量Ｃstrが小さいので、Ｒ補助容量比Ｒst
が従来よりも小さくなる。その結果、図４に示す特性Ｃ
のように、従来の特性Ａより光学応答特性が悪くなり、
ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2より高い輝度Ｔ4にま
でしか黒くならない。Ｂ画素についてＲ画素と同様に補
助容量比Ｂstが小さくなった分、光学応答特性が悪くな
る。
【００２５】一方、Ｇ画素についてはＧ補助容量電極１
０の面積が従来より広くなりＧ補助容量Ｃstgが大きく
なるのでＧ補助容量比Ｇstは従来より大きくなる。その
結果、図４に示す特性Ｂのように従来の特性Ａより光学
応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2
より低い輝度Ｔ3にまで黒くなる。人間の目の視感度を
考慮すると、Ｇ画素での特性Ｂの影響は大きく、逆にＲ
画素及びＢ画素での特性Ｃの影響は小さくなる。このた
め、Ｒ画素及びＢ画素の光学応答特性が悪くなっても人
間の目には認識されにくく、逆にＧ画素の光学応答特性
が良くなったことが人間の目には大きく認識されること
により、パネル全体として結果的には光学応答特性が改
善されることになる。
０の面積が従来より広くなりＧ補助容量Ｃstgが大きく
なるのでＧ補助容量比Ｇstは従来より大きくなる。その
結果、図４に示す特性Ｂのように従来の特性Ａより光学
応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点では輝度Ｔ2
より低い輝度Ｔ3にまで黒くなる。人間の目の視感度を
考慮すると、Ｇ画素での特性Ｂの影響は大きく、逆にＲ
画素及びＢ画素での特性Ｃの影響は小さくなる。このた
め、Ｒ画素及びＢ画素の光学応答特性が悪くなっても人
間の目には認識されにくく、逆にＧ画素の光学応答特性
が良くなったことが人間の目には大きく認識されること
により、パネル全体として結果的には光学応答特性が改
善されることになる。
【００２６】以上のように、本実施例の液商標時装置
は、Ｒ補助容量電極５及びＢ補助容量電極１３の面積を
狭くし、その分Ｇ補助容量電極１０を広く形成すること
により、Ｇ補助容量比Ｇstを大きくして、Ｇ画素での光
学応答特性を向上させ、もってパネル全体の光学応答特
性を改善している。尚、従来の構成で単純に補助容量電
極を拡大した場合は画素の占める面積がその分小さくな
るが、本実施例の構成によれば、従来の画素の開口率を
変えることなく光学応答特性を大幅に改善することがで
きる。
は、Ｒ補助容量電極５及びＢ補助容量電極１３の面積を
狭くし、その分Ｇ補助容量電極１０を広く形成すること
により、Ｇ補助容量比Ｇstを大きくして、Ｇ画素での光
学応答特性を向上させ、もってパネル全体の光学応答特
性を改善している。尚、従来の構成で単純に補助容量電
極を拡大した場合は画素の占める面積がその分小さくな
るが、本実施例の構成によれば、従来の画素の開口率を
変えることなく光学応答特性を大幅に改善することがで
きる。
【００２７】次に、第２実施例の液晶表示装置の平面構
成を図５に示す。同図において、１はＴＦＴ、２はドレ
イン電極、３はＲ画素電極、４はコンタクトホール、６
はコンタクトホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、
９はＧ画素電極、１２はＢ画素電極をそれぞれ示す。以
上の構成要素は図１の第１実施例と同じものであり同一
番号を付している。第１実施例と異なる点は、Ｇ信号電
極２４、Ｂ信号電極２６、Ｒ補助容量電極２２、Ｇ補助
容量電極２３、Ｂ補助容量電極２５に関する点である。
つまり、Ｇ信号電極２４とＢ信号電極２６はＲ信号電極
８と同様に直線状に形成され、Ｒ補助容量電極２２、Ｇ
補助容量電極２３、及びＢ補助容量電極２５の面積は全
て同じである。本実施例の液晶表示装置は、平面構成に
関する限り従来例と同じであるが、後述するように断面
構成が従来例と異なっている。
成を図５に示す。同図において、１はＴＦＴ、２はドレ
イン電極、３はＲ画素電極、４はコンタクトホール、６
はコンタクトホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、
９はＧ画素電極、１２はＢ画素電極をそれぞれ示す。以
上の構成要素は図１の第１実施例と同じものであり同一
番号を付している。第１実施例と異なる点は、Ｇ信号電
極２４、Ｂ信号電極２６、Ｒ補助容量電極２２、Ｇ補助
容量電極２３、Ｂ補助容量電極２５に関する点である。
つまり、Ｇ信号電極２４とＢ信号電極２６はＲ信号電極
８と同様に直線状に形成され、Ｒ補助容量電極２２、Ｇ
補助容量電極２３、及びＢ補助容量電極２５の面積は全
て同じである。本実施例の液晶表示装置は、平面構成に
関する限り従来例と同じであるが、後述するように断面
構成が従来例と異なっている。
【００２８】図６に本実施例の液晶表示装置の等価回路
図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７はＧ
液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電極、Ｃlcr
はＲ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７の容
量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量をそれぞれ示してい
る。以上の構成要素は図２の第１実施例と同様であり同
一番号を付している。Ｇ補助容量２８の容量ＣstgをＲ
補助容量２７の容量ＣstrやＢ補助容量２９の容量Ｃstb
より大きくしている点も第１実施例と同様であるが、そ
の方法は以下に述べるように異なっている。
図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７はＧ
液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電極、Ｃlcr
はＲ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７の容
量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量をそれぞれ示してい
る。以上の構成要素は図２の第１実施例と同様であり同
一番号を付している。Ｇ補助容量２８の容量ＣstgをＲ
補助容量２７の容量ＣstrやＢ補助容量２９の容量Ｃstb
より大きくしている点も第１実施例と同様であるが、そ
の方法は以下に述べるように異なっている。
【００２９】図７に、本実施例の液晶表示装置の断面構
成（図５のａ−ａ′断面）を示す。図７において、３０
はガラス基板、３１はＲ画素、Ｇ画素、及びＢ画素を構
成するためのカラーフィルタ、３２は走査電極７とＲＧ
Ｂ各補助容量電極２２，２３，２５を絶縁し容量を形成
するための絶縁（誘電体）層、ＧdrはＲ画素での絶縁層
３２の厚さ、ＧdgはＧ画素での絶縁層３２の厚さ、Ｇdb
はＢ画素での絶縁層３２の厚さをそれぞれ示し、厚さＧ
dgは厚さＧdrや厚さＧdbより小さく設定されている。
成（図５のａ−ａ′断面）を示す。図７において、３０
はガラス基板、３１はＲ画素、Ｇ画素、及びＢ画素を構
成するためのカラーフィルタ、３２は走査電極７とＲＧ
Ｂ各補助容量電極２２，２３，２５を絶縁し容量を形成
するための絶縁（誘電体）層、ＧdrはＲ画素での絶縁層
３２の厚さ、ＧdgはＧ画素での絶縁層３２の厚さ、Ｇdb
はＢ画素での絶縁層３２の厚さをそれぞれ示し、厚さＧ
dgは厚さＧdrや厚さＧdbより小さく設定されている。
【００３０】このような構成の液晶表示装置において、
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ画素
での絶縁層３２の厚さＧdgはＲ画素での絶縁層３２の厚
さＧdrやＢ画素での絶縁層３２の厚さＧdbより小さいの
で、Ｇ画素のＧ補助容量ＣstgはＲ画素やＢ画素の補助
容量より大きい。つまり、Ｇ画素の補助容量比ＧstはＲ
画素やＢ画素のものより大きくなる。すると図４の特性
Ｂに示したように従来の特性Ａより光学応答特性が良く
なり、ｔ2フィールドの時点で輝度Ｔ3にまで黒くなる。
一方、Ｒ画素及びＢ画素については、Ｇ画素と比較する
と光学応答特性が悪い。しかし、人間の目の視感度を考
慮すれば、Ｇ画素の特性Ｂの影響が大きいのでパネル全
体として、光学応答特性が改善される。
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ画素
での絶縁層３２の厚さＧdgはＲ画素での絶縁層３２の厚
さＧdrやＢ画素での絶縁層３２の厚さＧdbより小さいの
で、Ｇ画素のＧ補助容量ＣstgはＲ画素やＢ画素の補助
容量より大きい。つまり、Ｇ画素の補助容量比ＧstはＲ
画素やＢ画素のものより大きくなる。すると図４の特性
Ｂに示したように従来の特性Ａより光学応答特性が良く
なり、ｔ2フィールドの時点で輝度Ｔ3にまで黒くなる。
一方、Ｒ画素及びＢ画素については、Ｇ画素と比較する
と光学応答特性が悪い。しかし、人間の目の視感度を考
慮すれば、Ｇ画素の特性Ｂの影響が大きいのでパネル全
体として、光学応答特性が改善される。
【００３１】このように本実施例によれば、Ｇ画素のＧ
補助容量電極２３と走査電極７の絶縁層３２の厚さＧdg
をＲ画素の厚さＧdrやＢ画素の厚さＧdbより狭くするこ
とにより、Ｇ補助容量比ＧstをＲ補助容量比ＲstやＢ補
助容量比Ｂstｓより大きくして、Ｇ画素の光学応答特性
を向上させ、もってパネル全体の光学応答特性を改善し
ている。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を拡大し
て補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極の占め
る面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例によれ
ば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を改善す
ることができる。また、本実施例を第１実施例と組み合
わせて、絶縁層の厚さと共にＲＧＢ各補助容量電極の面
積をも変えることにより一層大きな効果が得られること
は言うまでもない。
補助容量電極２３と走査電極７の絶縁層３２の厚さＧdg
をＲ画素の厚さＧdrやＢ画素の厚さＧdbより狭くするこ
とにより、Ｇ補助容量比ＧstをＲ補助容量比ＲstやＢ補
助容量比Ｂstｓより大きくして、Ｇ画素の光学応答特性
を向上させ、もってパネル全体の光学応答特性を改善し
ている。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を拡大し
て補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極の占め
る面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例によれ
ば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を改善す
ることができる。また、本実施例を第１実施例と組み合
わせて、絶縁層の厚さと共にＲＧＢ各補助容量電極の面
積をも変えることにより一層大きな効果が得られること
は言うまでもない。
【００３２】次に第３実施例の液晶表示装置について説
明する。第２実施例の説明で示した図７の断面図と同様
の断面図を図８に示す。図８において、２２はＲ補助容
量電極、７は走査電極、８はＲ信号電極、２３はＧ補助
容量電極、２５はＢ補助容量電極、１５はＲ液晶セル、
１７はＧ液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電
極、３０はガラス基板、３１はカラーフィルタをそれぞ
れ示す。これらの構成要素は第２実施例と同様であり同
一番号を付している。第２実施例と異なる点は、走査電
極７と各補助容量電極との間の絶縁（誘電体）層の誘電
率を補助容量電極によって異ならせた点である。
明する。第２実施例の説明で示した図７の断面図と同様
の断面図を図８に示す。図８において、２２はＲ補助容
量電極、７は走査電極、８はＲ信号電極、２３はＧ補助
容量電極、２５はＢ補助容量電極、１５はＲ液晶セル、
１７はＧ液晶セル、１９はＢ液晶セル、２１は対向電
極、３０はガラス基板、３１はカラーフィルタをそれぞ
れ示す。これらの構成要素は第２実施例と同様であり同
一番号を付している。第２実施例と異なる点は、走査電
極７と各補助容量電極との間の絶縁（誘電体）層の誘電
率を補助容量電極によって異ならせた点である。
【００３３】つまり、走査電極７とＲ補助容量電極２２
及びＢ補助容量電極２５との間の絶縁層３２の誘電率ε
rbに比べて、走査電極７とＧ補助容量電極２３との間の
絶縁層３３の誘電率εgが大きくなるように、異なる材
料で各絶縁層を構成している。
及びＢ補助容量電極２５との間の絶縁層３２の誘電率ε
rbに比べて、走査電極７とＧ補助容量電極２３との間の
絶縁層３３の誘電率εgが大きくなるように、異なる材
料で各絶縁層を構成している。
【００３４】このような構成の液晶表示装置において、
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ画素
でのＧ絶縁層３３の厚さＧdgはＲ画素でのＲＢ絶縁層３
２の厚さＧdrやＢ画素でのＲＢ絶縁層３２の厚さＧdbよ
り小さく、かつＧ絶縁層の誘電率εgはＲＢ絶縁層の誘
電率εrbより大きいので、Ｇ画素のＧ補助容量Ｃstg、
従ってＧ補助容量比ＧstはＲ画素やＢ画素のものより大
きい。すると図４に示した特性Ｂのように、従来の特性
Ａより光学応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点
で輝度Ｔ3にまで黒くなる。Ｒ画素及びＢ画素について
は、Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪いが、人間の目の
視感度を考慮するとＧ画素の特性の影響が大きいので、
パネル全体として光学応答特性が改善される。
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ画素
でのＧ絶縁層３３の厚さＧdgはＲ画素でのＲＢ絶縁層３
２の厚さＧdrやＢ画素でのＲＢ絶縁層３２の厚さＧdbよ
り小さく、かつＧ絶縁層の誘電率εgはＲＢ絶縁層の誘
電率εrbより大きいので、Ｇ画素のＧ補助容量Ｃstg、
従ってＧ補助容量比ＧstはＲ画素やＢ画素のものより大
きい。すると図４に示した特性Ｂのように、従来の特性
Ａより光学応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点
で輝度Ｔ3にまで黒くなる。Ｒ画素及びＢ画素について
は、Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪いが、人間の目の
視感度を考慮するとＧ画素の特性の影響が大きいので、
パネル全体として光学応答特性が改善される。
【００３５】このように本実施例によれば、Ｇ画素のＧ
補助容量電極２３と走査電極７の絶縁層３３の厚さＧdg
をＲ画素やＢ画素の絶縁層の厚さＧdr，Ｇdbより小さく
すると共に、Ｇ絶縁層の誘電率εgをＲＢ絶縁層の誘電
率εrbより大きくすることにより、Ｇ補助容量Ｃstg、
従ってＧ補助容量比Ｇstを大きくしてＧ画素の光学応答
特性を向上させ、もってパネル全体の光学応答特性を改
善している。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を拡
大して補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極の
占める面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例に
よれば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を改
善することができる。
補助容量電極２３と走査電極７の絶縁層３３の厚さＧdg
をＲ画素やＢ画素の絶縁層の厚さＧdr，Ｇdbより小さく
すると共に、Ｇ絶縁層の誘電率εgをＲＢ絶縁層の誘電
率εrbより大きくすることにより、Ｇ補助容量Ｃstg、
従ってＧ補助容量比Ｇstを大きくしてＧ画素の光学応答
特性を向上させ、もってパネル全体の光学応答特性を改
善している。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を拡
大して補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極の
占める面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例に
よれば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を改
善することができる。
【００３６】次に第４実施例に係る液晶表示装置の平面
構成図を図９に示す。同図において、１はＴＦＴ、２は
ドレイン電極、３はＲ画素電極、１２はＢ画素電極、４
はコンタクトホール、２２はＲ補助容量電極、６はコン
タクトホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、２３は
Ｇ補助容量電極、２４はＧ信号電極、２５はＢ補助容量
電極、２６はＢ信号電極をそれぞれ示す。これらの構成
要素は図１５の従来例と同様であり同一番号を付してい
る。従来例と異なる点は、Ｇ画素電極３４が隣接する
（前段の）走査電極７の下方まで延びており、これによ
って、Ｇ画素電極３４と走査電極７との間にＧ画素付加
容量が形成されている点である。
構成図を図９に示す。同図において、１はＴＦＴ、２は
ドレイン電極、３はＲ画素電極、１２はＢ画素電極、４
はコンタクトホール、２２はＲ補助容量電極、６はコン
タクトホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、２３は
Ｇ補助容量電極、２４はＧ信号電極、２５はＢ補助容量
電極、２６はＢ信号電極をそれぞれ示す。これらの構成
要素は図１５の従来例と同様であり同一番号を付してい
る。従来例と異なる点は、Ｇ画素電極３４が隣接する
（前段の）走査電極７の下方まで延びており、これによ
って、Ｇ画素電極３４と走査電極７との間にＧ画素付加
容量が形成されている点である。
【００３７】図１０に本実施例の液晶表示装置の等価回
路図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７は
Ｇ液晶セル、１９はＢ液晶セル、４０はＲ補助容量、４
１はＧ補助容量、４２はＢ補助容量、２１は対向電極、
ＣlcrはＲ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７
の容量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量をそれぞれ示
す。以上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付
している。従来例と異なる点は、Ｇ画素の補助容量が、
従来のＧ補助容量４１と、これに並列に付加されたはＧ
画素付加容量３５とで構成されている点である。従っ
て、Ｇ画素の補助容量（値）は、Ｇ補助容量（値）をＣ
stg、Ｇ画素付加容量（値）をＣstg1とすれば、Ｃstg＋
Ｃstg1となり、Ｒ画素及びＢ画素と比べてより大きな容
量となっている。なお、Ｇ画素付加容量３５は、Ｇ画素
電極３４と隣接する（前段の）走査電極７との間に形成
される容量である。
路図を示す。同図において、１５はＲ液晶セル、１７は
Ｇ液晶セル、１９はＢ液晶セル、４０はＲ補助容量、４
１はＧ補助容量、４２はＢ補助容量、２１は対向電極、
ＣlcrはＲ液晶セル１５の容量、ＣlcgはＧ液晶セル１７
の容量、ＣlcbはＢ液晶セル１９の容量をそれぞれ示
す。以上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付
している。従来例と異なる点は、Ｇ画素の補助容量が、
従来のＧ補助容量４１と、これに並列に付加されたはＧ
画素付加容量３５とで構成されている点である。従っ
て、Ｇ画素の補助容量（値）は、Ｇ補助容量（値）をＣ
stg、Ｇ画素付加容量（値）をＣstg1とすれば、Ｃstg＋
Ｃstg1となり、Ｒ画素及びＢ画素と比べてより大きな容
量となっている。なお、Ｇ画素付加容量３５は、Ｇ画素
電極３４と隣接する（前段の）走査電極７との間に形成
される容量である。
【００３８】図１１に、本実施例の液晶表示装置の断面
構成（図９のａ−ａ′断面）を示す。同図において、３
０はガラス基板、３１はカラーフィルタ、３２はＲ補助
容量電極２２とＧ補助容量電極２３及びＢ補助容量電極
２５それぞれに対し走査電極７を絶縁し、Ｒ補助容量Ｃ
strとＧ補助容量Ｃstg及びＢ補助容量Ｃstbをそれぞれ
形成するための絶縁層、５０は走査電極７とＧ画素電極
３４とを絶縁しＧ画素付加容量Ｃstg1を形成するための
絶縁層をそれぞれ示している。
構成（図９のａ−ａ′断面）を示す。同図において、３
０はガラス基板、３１はカラーフィルタ、３２はＲ補助
容量電極２２とＧ補助容量電極２３及びＢ補助容量電極
２５それぞれに対し走査電極７を絶縁し、Ｒ補助容量Ｃ
strとＧ補助容量Ｃstg及びＢ補助容量Ｃstbをそれぞれ
形成するための絶縁層、５０は走査電極７とＧ画素電極
３４とを絶縁しＧ画素付加容量Ｃstg1を形成するための
絶縁層をそれぞれ示している。
【００３９】このような構成の液晶表示装置において、
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、前述の
ようにＧ画素の補助容量Ｃstg＋Ｃstg1がＲ画素やＢ画
素の補助容量より大きいことから、Ｇ画素のＧ補助容量
比ＧstはＲ画素やＢ画素のものに比べて大きくなる。す
ると図４に示した特性Ｂのように、従来の特性Ａより光
学応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点で輝度Ｔ3
にまで黒くなる。Ｒ画素及びＢ画素については、Ｇ画素
に比べて光学応答特性が悪いが、人間の目の視感度を考
慮するとＧ画素の特性の影響が大きいので、パネル全体
として光学応答特性が改善される。
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、前述の
ようにＧ画素の補助容量Ｃstg＋Ｃstg1がＲ画素やＢ画
素の補助容量より大きいことから、Ｇ画素のＧ補助容量
比ＧstはＲ画素やＢ画素のものに比べて大きくなる。す
ると図４に示した特性Ｂのように、従来の特性Ａより光
学応答特性が良くなり、ｔ2フィールドの時点で輝度Ｔ3
にまで黒くなる。Ｒ画素及びＢ画素については、Ｇ画素
に比べて光学応答特性が悪いが、人間の目の視感度を考
慮するとＧ画素の特性の影響が大きいので、パネル全体
として光学応答特性が改善される。
【００４０】このように本実施例によれば、Ｇ画素電極
３４を前段の走査電極７の下側まで延ばすことにより、
従来のＧ補助容量ＣstgにＧ画素付加容量Ｃstg1が加わ
ってＧ補助容量比Ｇstが大きくなり、これによってＧ画
素の光学応答特性、ひいてはパネル全体の光学応答特性
が改善される。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を
拡大して補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極
の占める面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例
によれば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を
改善することができる。また、本実施例において絶縁層
５０の材料は、絶縁層３２の材料と同じものでも異なる
ものでもよいが、誘電率が高い材料を用いたり、また厚
さを小さくすることにより一層大きな効果が得られるこ
とは言うまでもない。
３４を前段の走査電極７の下側まで延ばすことにより、
従来のＧ補助容量ＣstgにＧ画素付加容量Ｃstg1が加わ
ってＧ補助容量比Ｇstが大きくなり、これによってＧ画
素の光学応答特性、ひいてはパネル全体の光学応答特性
が改善される。尚、従来の構成で単純に補助容量電極を
拡大して補助容量比を大きくしようとすれば、画素電極
の占める面積の割合（開口率）が低下するが、本実施例
によれば画素の開口率を下げることなく光学応答特性を
改善することができる。また、本実施例において絶縁層
５０の材料は、絶縁層３２の材料と同じものでも異なる
ものでもよいが、誘電率が高い材料を用いたり、また厚
さを小さくすることにより一層大きな効果が得られるこ
とは言うまでもない。
【００４１】次に、第５実施例の液晶表示装置の平面構
成図を図１２に示す。同図において、１はＴＦＴ、２は
ドレイン電極、３はＲ画素電極、９はＧ画素電極、１２
はＢ画素電極、４はコンタクトホール、６はコンタクト
ホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、２４はＧ信号
電極、２６はＢ信号電極、２２はＲ補助容量電極、２３
はＧ補助容量電極、２５はＢ補助容量電極をそれぞれ示
す。以上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付
している。
成図を図１２に示す。同図において、１はＴＦＴ、２は
ドレイン電極、３はＲ画素電極、９はＧ画素電極、１２
はＢ画素電極、４はコンタクトホール、６はコンタクト
ホール、７は走査電極、８はＲ信号電極、２４はＧ信号
電極、２６はＢ信号電極、２２はＲ補助容量電極、２３
はＧ補助容量電極、２５はＢ補助容量電極をそれぞれ示
す。以上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付
している。
【００４２】図１３に本実施例の液晶表示装置の等価回
路図を示す。同図において、４０はＲ補助容量、４１は
Ｇ補助容量、４２はＢ補助容量、２１は対向電極、Ｃst
rはＲ補助容量４０の容量、ＣstgはＧ補助容量４１の容
量、ＣstbはＢ補助容量４２の容量をそれぞれ示す。以
上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付してい
る。従来例と異なる点は、Ｒ液晶セル３６、Ｇ液晶セル
３７、及びＢ液晶セル３８のそれぞれの容量Ｃlcr，Ｃl
cg，Ｃlcbに関する点である。
路図を示す。同図において、４０はＲ補助容量、４１は
Ｇ補助容量、４２はＢ補助容量、２１は対向電極、Ｃst
rはＲ補助容量４０の容量、ＣstgはＧ補助容量４１の容
量、ＣstbはＢ補助容量４２の容量をそれぞれ示す。以
上の構成要素は従来例と同様であり同一番号を付してい
る。従来例と異なる点は、Ｒ液晶セル３６、Ｇ液晶セル
３７、及びＢ液晶セル３８のそれぞれの容量Ｃlcr，Ｃl
cg，Ｃlcbに関する点である。
【００４３】図１４に、本実施例の液晶表示装置の断面
構成（図１２のｂ−ｂ“断面）を示す。同図において、
３０は従来例と同様のガラス基板である。従来例と異な
る点は、カラーフィルタ３９の厚さをＲ，Ｇ，Ｂで異な
らせることにより、Ｇ液晶セル３７の厚さｄgをＲ液晶
セル３６の厚さｄrやＢ液晶セル３８の厚さｄbより大き
くしている点である。
構成（図１２のｂ−ｂ“断面）を示す。同図において、
３０は従来例と同様のガラス基板である。従来例と異な
る点は、カラーフィルタ３９の厚さをＲ，Ｇ，Ｂで異な
らせることにより、Ｇ液晶セル３７の厚さｄgをＲ液晶
セル３６の厚さｄrやＢ液晶セル３８の厚さｄbより大き
くしている点である。
【００４４】このような構成の液晶表示装置において、
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ液晶
セル３７の厚さｄgがＲ液晶セル３６の厚さｄrやＢ液晶
セル３８の厚さｄbより大きいことから、Ｇ液晶セル容
量ＣlcgはＲ液晶セル容量ＣlcrやＢ液晶セル容量Ｃlcb
より小さくなるのでＧ補助容量比Ｇstは逆にＲ画素やＢ
画素に比較し大きくなる。すると図４に示した特性Ｂの
ように、従来の特性Ａより光学応答特性が良くなり、ｔ
2フィールドの時点で輝度Ｔ3にまで黒くなる。Ｒ画素及
びＢ画素については、Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪
いが、人間の目の視感度を考慮するとＧ画素の特性の影
響が大きいので、パネル全体として光学応答特性が改善
される。
時間軸の０からｔ1フィールドの間、ＲＧＢ各画素には
走査電圧Ｖgにより信号電圧Ｖsが印加され、白輝度実効
電圧ＶrWがＲＧＢ各液晶セルに印加されることにより白
輝度Ｔ1が表示される。その後、信号電圧Ｖsが変化しｔ
1フィールドの時点で走査電圧Ｖgにより黒輝度実効電圧
ＶrBがＲＧＢ各液晶セルに印加される。ここで、Ｇ液晶
セル３７の厚さｄgがＲ液晶セル３６の厚さｄrやＢ液晶
セル３８の厚さｄbより大きいことから、Ｇ液晶セル容
量ＣlcgはＲ液晶セル容量ＣlcrやＢ液晶セル容量Ｃlcb
より小さくなるのでＧ補助容量比Ｇstは逆にＲ画素やＢ
画素に比較し大きくなる。すると図４に示した特性Ｂの
ように、従来の特性Ａより光学応答特性が良くなり、ｔ
2フィールドの時点で輝度Ｔ3にまで黒くなる。Ｒ画素及
びＢ画素については、Ｇ画素に比べて光学応答特性が悪
いが、人間の目の視感度を考慮するとＧ画素の特性の影
響が大きいので、パネル全体として光学応答特性が改善
される。
【００４５】このように本実施例によれば、カラーフィ
ルタ３９の厚さをＲ，Ｇ，Ｂで異ならせることにより、
Ｇ液晶セル３７の厚さｄgをＲ液晶セル３６の厚さｄrや
Ｂ液晶セル３８の厚さｄbより大きくしてＧ補助容量比
Ｇstを大きくし、Ｇ画素での光学応答特性、ひいてはパ
ネル全体の光学応答特性を改善している。この際、アレ
イ構成については従来のものを変更する必要がなく、カ
ラーフィルタ３９を変更するだけで済む。なお、本実施
例に第１実施例を組み合わせて、ＲＧＢ各補助容量電極
の面積を変えることによりさらに大きな効果が得られる
ことは言うまでもない。
ルタ３９の厚さをＲ，Ｇ，Ｂで異ならせることにより、
Ｇ液晶セル３７の厚さｄgをＲ液晶セル３６の厚さｄrや
Ｂ液晶セル３８の厚さｄbより大きくしてＧ補助容量比
Ｇstを大きくし、Ｇ画素での光学応答特性、ひいてはパ
ネル全体の光学応答特性を改善している。この際、アレ
イ構成については従来のものを変更する必要がなく、カ
ラーフィルタ３９を変更するだけで済む。なお、本実施
例に第１実施例を組み合わせて、ＲＧＢ各補助容量電極
の面積を変えることによりさらに大きな効果が得られる
ことは言うまでもない。
【００４６】尚、第１から第５の実施例において、Ｒ，
Ｇ，Ｂ各画素の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１について
特に言及しなかったが、各ＴＦＴの負荷となる液晶セル
容量や補助容量が増加すると、それに応じてＴＦＴのサ
イズを大きくする必要があるが、それによって上記のそ
れぞれの効果が損なわれることはない。
Ｇ，Ｂ各画素の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１について
特に言及しなかったが、各ＴＦＴの負荷となる液晶セル
容量や補助容量が増加すると、それに応じてＴＦＴのサ
イズを大きくする必要があるが、それによって上記のそ
れぞれの効果が損なわれることはない。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｇ補助容量比ＧstをＲ補助容量比ＲstやＢ補助容量比Ｂ
stより大きくしたことにより、従来の画素構成における
開口率を犠牲にすることなく光学応答特性が改善され、
高品質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供すること
ができた。
Ｇ補助容量比ＧstをＲ補助容量比ＲstやＢ補助容量比Ｂ
stより大きくしたことにより、従来の画素構成における
開口率を犠牲にすることなく光学応答特性が改善され、
高品質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供すること
ができた。
【図１】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の平面
構成図
構成図
【図２】図１の液晶表示装置の等価回路図
【図３】図１の液晶表示装置の信号波形図
【図４】図１の液晶表示装置の光学応答特性図
【図５】本発明の第２実施例に係る液晶表示装置の平面
構成図
構成図
【図６】図５の液晶表示装置の等価回路図
【図７】図５の液晶表示装置の断面構成図
【図８】本発明の第３実施例に係る液晶表示装置の断面
構成図
構成図
【図９】本発明の第４実施例に係る液晶表示装置の平面
構成図
構成図
【図１０】図９の液晶表示装置の等価回路図
【図１１】図９の液晶表示装置の断面構成図
【図１２】本発明の第５実施例に係る液晶表示装置の平
面構成図
面構成図
【図１３】図１２の液晶表示装置の等価回路図
【図１４】図１２の液晶表示装置の断面構成図
【図１５】従来の液晶表示装置の平面構成図
【図１６】図１５の液晶表示装置の等価回路図
【図１７】図１５の液晶表示装置の光学応答特性図
１ ＴＦＴ ２ ドレイン電極 ３ Ｒ画素電極 ４ コンタクトホール ５ Ｒ補助容量電極 ６ コンタクトホール ７ 走査電極 ８ Ｒ信号電極 ９ Ｇ画素電極 １０ Ｇ補助容量電極 １１ Ｇ信号電極 １２ Ｂ画素電極 １３ Ｂ補助容量電極 １４ Ｂ信号電極
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に複数のバス配線がＸＹマトリク
ス状に配置され、２本のＸ方向バス配線と４本のＹ方向
バス配線とで区画されＸ方向に並んだ３つの領域にＲ画
素、Ｇ画素、及びＢ画素が設けられ、各画素が液晶セル
と、これに表示用電圧を印加するためのスイッチング素
子と、液晶セルの信号保持特性を補助するための補助容
量とを備えている液晶表示装置であって、 Ｒ画素の補助容量Ｃstrと液晶セル容量Ｃlcrとの比（Ｃ
lcr／Ｃstr）をＲ補助容量比Ｒst、Ｇ画素の補助容量Ｃ
stgと液晶セル容量Ｃlcgとの比（Ｃstg／Ｃlcg）をＧ補
助容量比Ｇst、Ｂ画素の補助容量Ｃstbと液晶セル容量
Ｃlcbとの比（Ｃstb／Ｃlcb）をＢ補助容量比Ｂstとし
たとき、Ｇ補助容量比ＧstがＲ補助容量比Ｒst又はＢ補
助容量比Ｂstのいずれよりも大きいことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 Ｇ画素の補助容量の電極面積がＲ画素又
はＢ画素のいずれの補助容量の電極面積よりも大きいこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記Ｘ方向のバス配線は前記各スイッチ
ング素子に接続された走査電極であり、隣の走査電極と
Ｒ画素の補助容量電極とが厚さＧdrのＲ絶縁層を挟んで
対向してＲ画素の補助容量を形成し、隣の走査電極とＧ
画素の補助容量電極とが厚さＧdgのＧ絶縁層を挟んで対
向してＧ画素の補助容量を形成し、隣の走査電極とＢ画
素の補助容量電極とが厚さＧdbのＢ絶縁層を挟んで対向
してＢ画素の補助容量を形成しており、前記Ｇ絶縁層の
厚さＧdgが前記Ｒ絶縁層の厚さＧdr又は前記Ｂ絶縁層の
厚さＧdbのいずれよりも小さいことを特徴とする請求項
１又は２記載液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記Ｘ方向のバス配線は前記各スイッチ
ング素子に接続された走査電極であり、隣の走査電極と
Ｒ画素の補助容量電極とがＲ絶縁層を挟んで対向してＲ
画素の補助容量を形成し、隣の走査電極とＧ画素の補助
容量電極とがＧ絶縁層を挟んで対向してＧ画素の補助容
量を形成し、隣の走査電極とＢ画素の補助容量電極とが
Ｂ絶縁層を挟んで対向してＢ画素の補助容量を形成して
おり、前記Ｇ絶縁層の誘電率が前記Ｒ絶縁層又は前記Ｂ
絶縁層のいずれの誘電率よりも大きいことを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 Ｇ画素電極が隣の走査電極の下方まで延
び、この部分が第２絶縁層を挟んで隣の走査電極と対向
することにより、Ｇ画素の補助容量に並列接続された付
加容量が形成されていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項６】 第２絶縁層の誘電率が前記Ｇ絶縁層の誘
電率より大きいことを特徴とする請求項５記載の液晶表
示装置。 - 【請求項７】 前記Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素に対応するカラー
フィルタを挟んで対向電極が構成された第２の基板が備
えられ、各カラーフィルタの厚さを変えることにより、
Ｇ画素の液晶セルの厚さがＲ画素又はＢ画素のいずれの
液晶セルの厚さよりも大きくなるように構成されている
請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 Ｇ画素のスイッチング素子の駆動能力が
Ｒ画素又はＢ画素のいずれのスイッチング素子よりも大
きいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361495A JPH0926564A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361495A JPH0926564A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926564A true JPH0926564A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15963883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17361495A Pending JPH0926564A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0926564A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001228491A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US6738107B2 (en) | 1999-12-03 | 2004-05-18 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2007047615A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009145908A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置 |
| JP2011013694A (ja) * | 2006-03-30 | 2011-01-20 | Sharp Corp | 表示装置 |
| US8063853B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
| JP2014142537A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17361495A patent/JPH0926564A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738107B2 (en) | 1999-12-03 | 2004-05-18 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2001228491A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP2009145908A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置 |
| JP2007047615A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8063853B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
| JP2011013694A (ja) * | 2006-03-30 | 2011-01-20 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP2014142537A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
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