TW575949B - Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus - Google Patents

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TW575949B
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module substrate
integrated circuit
circuit device
hybrid integrated
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TW90132068A
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Shinji Moriyama
Tomio Yamada
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Hitachi Ltd
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Description

575949 A7 B7 五、發明説明（1 ) (本發明所屬之技術領域） 本發明係有關於一種混合積體電路裝置以及已組裝了 該混合積體電路裝置之電子裝置，特別是有關於一種在行 動電話等之無線通訊裝置之送訊部中所使用之高頻電力放 大裝置（高頻功率放大模組）以及已組裝了該高頻電力放 大裝置之無線通訊裝置（行動電話）的有效的技術。 (習知技術） 混合積體電路裝置之一則已知有在汽車電話、行動電 話等之移動通訊機器無線部中所使用的高頻電力放大裝置 。而混合積體電路裝置則例如記載於特開平8 -1 48 5 9 7號公報、特開平9 — 1 8 1 45號公報中。 在特開平8 -： 1 4 8 5 9 7號公報中則記載有L G A (Land Grid Array )型的半導體模組。 在特開平9 一 1 8 1 4 5號公報中，則記載一爲了要 使裂痕不會從陶瓷多層基板之電極端子的外周端附近沿著 其內部進入，乃在燒成前的狀態下，當在未加工片積層體 的表面形成好電極端子後，則讓電極端子之小直徑的部分 殘留在該未加工片積層體上，而積層出用來被覆之圖案的 未加工片（在面向電極端子的位置形成直徑較電極端子爲 小之貫通孔的未加工片）的技術。 (本發明所想要解決的課題） 行動電話用高頻功率模組乃急速地小型以及高功能化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I , 一__ 1 —^f— 1- - - i - I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -4 - 575949 A7 B7 五、發明説明（2 ) 。在將高頻功率模組安裝在安裝基板（電路基板）上時’ 則將從高頻功率放大模組之模組基板的端面被設在背面的 電極端子（連接端子）焊接到安裝基板的突軌部（land)。 在此安裝中，則在將高頻功率放大模組定位載置在安裝基 板上後，則將事先設在安裝基板的焊料暫時地加熱（回焊 )，而將高頻功率放大模組固定到安裝基板。 由於高頻功率放大模組的小型•高功能化，或爲了要 因應高頻功率放大模組之多端子化以及縮小在安裝基板上 的安裝面積，近年來，L G A構造的模組乃逐漸地增大。 根據本發明人等，對於行動電話機用的高頻功率模組 而言，當爲L G A構造時，則已確認出會有以下的問題。 圖2 4爲用來說明本發明人在本發明之前所檢討之高 .頻電力放大裝置之安裝不良情形的模式圖。高頻功率放大 模組的模組基板1是一以多層構造的陶瓷配線板來形成， 而在背面設有電極端子2的構造。電極端子2乃沿著模組 基板的周緣而配列。 在將高頻功率放大模組安裝（固定）到安裝基板上時 ，則將電極端子2重疊在設在安裝基板3之上面的突軌部 (foot print ) 4上，而讓由事先形成在突軌部4及電極端 子2之表面的焊錫等所形成的焊料5再度熔化（回焊）， 而藉由焊料5將電極端子2固定到突軌部4。在圖中只表 示出單一的電極端子2的連接狀態，而將沿著模組基板1 之整個周圍的電極端子2加以連接而完成安裝。 但是該高頻功率放大模組，如圖2 4所示，可知裂痕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐) " -5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A7 ____B7_ 五、發明説明（3 ) 會進入到模組基板1，而導致高頻功率放大模組的信賴性 降低。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於電極端子2與焊料5均爲金屬，因此，其連接強 度強，且較由陶瓷所構成之模組基板1與電極端子2的連 接強度爲強。又，模組基板1爲陶瓷，其熱膨脹係數爲7 X 1 0 _ 6 / °C，而安裝基板3是由玻璃環氧基板（由玻璃 纖維與環氧樹脂所形成的配線基板）等的樹脂配線基板所 構成，其熱膨脹係數爲1 6 x 1 〇 - 6 /它左右，其兩者的 差距大。 結果，因爲安裝基板3與電極端子2的熱收縮的差異 而產生的應力，會在比較脆弱的模組基板1容易發生裂痕 6。裂痕6會從應力最大的位置（點）而發生，而如圖 2 4所示般地朝著模組基板1的內部伸展。圖2 4所示的 I · 虛線箭頭是表示使裂痕產生之應力的作用方向。該裂痕6 的發生即成爲一造成高頻功率放大模組之信賴性降低的原 因。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，在特開平9 一 1 8 1 4 5號公報中，如上 述般地，雖然已記載了一爲了要使裂痕不會從陶瓷多層基 板之電極端子的外周端附近沿著其內部進入，乃在燒成前 的狀態下，當在未加工片積層體的表面形成好電極端子後 ，則讓電極端子之小直徑的部分殘留在該未加工片積層體 上，而積層出用來被覆之圖案的未加工片（在面向電極端 子的位置形成直徑較電極端子爲小之貫通孔的未加工片） 的技術，但是對於裂痕發生的原因則未詳細地記載。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 575949 A7 B7 五、發明説明（4 ) 根據本發明人等發現在模組基板的兩端或是接近於兩 側緣之電極端子的周緣側容易發生裂痕。亦即，由於裂痕 容易發生在接近於模組基板1之邊緣之電極端子2的模組 基板的周緣附近部分，而藉著至少以保..護膜來覆蓋該部分 ，可以抑制裂痕的發生。 又，上述習知的技術，將已形成有直徑較電極端子爲 小之貫通孔的未加工片（g r e e n s h e e t )重疊在面向電極端 子的位置，之後，在燒成的技術中，爲了要形成上述小徑 的貫通孔，或是爲了要防止該貫通孔之最狹窄的邊緣部分 發生破損，則必須要將貫通孔之最狹窄的邊緣部分加寬， 而此會導致未加工片變大。換言之，高頻電力放大裝置會 變大。 又：，當將具有貫通孔的未加工片重疊在電極端子上時 ，則爲了要具有貫通孔的加工加片能夠確實地被覆電極端 子的邊緣，則不得不有裕度，而此也會導致未加工變大。 因此，在以往藉由未加工片的重疊技術中，未加工片 的外形尺寸會變大，遂會阻礙到模組基板的小型化，亦即 ，高頻功率放大模組的小型化。 又，具有貫通孔的未加工片，在處理時，由於其太薄 而容易破損，因此必須要有某種程度的厚度，而此會導致 未加工片的使用量變多，且成本會變高。 本發明之目的即在於提供一種安裝的信賴性高的混合 積體電路裝置以及已組裝了該混合積體電路裝置之電子裝 置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I ·_α#- - ^1· H· - - —^1 ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A7 ___ _ _B7____ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明之其他的目的即在於提供一種安裝的信賴性高 ’且能夠降低製造成本的混合積體電路裝置以及已組裝了 該混合積體電路裝置之電子裝置。 本發明之其他的目的即在於提供一種安裝的信賴性高 的高頻電力放大裝置以及已組裝了該高頻電力放大裝置之 無線通訊裝置。 本發明之其他的目的即在於提供一種安裝的信賴性高 ’且能夠降低製成造本之高頻電力放大裝置以及已組裝了 該高頻電力放大裝置之無線通訊裝置。 本發明之上述以及其他的目的與新的特徵，則可由本 說明書的記載以及所的圖面而明白。 (解決課題的手段） 在本案所揭露之發明中，若是簡單地說明代表者之槪 要內容則如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )混合積體電路裝置則爲以下的構成，其主要係 針對一具有由陶瓷配線板所構成之模組基板，被安裝在上 述模組基板之主面的多個電子件，如覆蓋上述模組基板之 主面般地被固定在上述模組基板的間隙，以及被設在上述 模組基板之背面之多個電極端子的混合積體電路裝置，其 特徵在於： 上述電極端子係由沿著上述模組基板之邊緣而配設之 多個電極端子，以及被配置在該些電極端子之內側的電源 電位供給用端子所構成，沿著上述模組基板之邊緣而配列 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -8- 575949 A7 __B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之電極端子的至少上述模組基板周緣附近部分乃被保護膜 所覆蓋。在上述模組基板則形成由多個的半導體放大元件 串聯連接而成的高頻電力放大裝置。保護膜是由印刷所形 成，其厚度在十數// m左右以下，是由玻璃層或焊料阻（ solder resist)層所形成。 又，用於將上述蓋子固定到上述模組基板的固定部， 則由由上述蓋子的一部分所形成，而彈性地作用的鉤，以 及供設在上述模組基板的上述卡止部鉤住的卡止部所形成 ，上述鉤以及上述卡止部則被設在上述蓋子以及上述模組 基板的4個角落。 在模組基板的4個角落的內側設有凹部，而在該凹部 設有由導體所構成的卡止部，而構成設在上述蓋子的鉤會 .:鉤在上述卡止部。即使是在此狀態，上述蓋子的外形也是 呈矩形。又，在模組基板的4個角落設有地面端子，而該 地面端子在電氣上則與由導體所形成的上述卡止部連接， 鉤的下端則延伸到上述模組基板的底面或底面附近。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述連接強度提高用端子是由彼此呈獨立的多個的分 割端子所構成。例如上述電源電位供給用端子除了沿著上 述模組基板的一邊而設有多個外，也沿著與上述一邊呈直 交的方向設有多個。該連接強度提高用端子是地面電極。 (2 )混合積體電路裝置則是根據以下的方法來製造 。亦即，其主要係針對一具備有由陶瓷配線板所構成之模 組基板，被組入到上述模組基板之主面的多個電子零件， 被設在上述模組基板之背面的多個電極端子，以及如覆蓋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -9 - 575949 A7 B7 五、發明説明（7) 上述模組基板之主面般地被固定在上述模組基板之矩形的 金屬製的蓋子的混合積體電路裝置’其特徵在於： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具備有：除了讓已形成有配線圖案的多個的未加工片 重合外，也實施沖壓而形成背面具有電極端子部之1個的 積層未加工片的過程’如覆蓋沿著上述積層未加工片之周 緣而設之電極端子部之至少上述積層未加工片周緣附近部 分般地印刷塗料而形成保護膜的過程，以及針對上述積層 未加工片，上述電極端子部及上述保護膜實施燒成，而形 成具有一部分被保護膜所被覆之電極端子之上述模組基板 的過程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )電子裝置具有以下的構成，亦即，針對一具備 有具有將混合積體電路裝置固定到主面之突軌部的安裝基 板，與高頻電力放大裝置，而經由焊料，將上述高頻電力 放大裝置的電極端子在電氣上連接到上述究軌部上的電子 裝置，上述混合積體電路裝置是一具備有由矩形的陶瓷配 線板所構成的模組基板，被組入到上述模組基板之主面的 多個的電子零件，被設在上述模組基板之背面的多個的電 極端子，以及如覆蓋上述模組基板之主面般地被固定到上 述模組之矩形之金屬製的蓋子的混合積體電路裝置，在矩 形之上述模組基板的4個角落設有地面端子，用於將上述 蓋子固定到上述模組基板的固定部，則是由由上述蓋子的 一部分所形成，而彈性地作用的鉤，以及供設在上述模組 基板的上述鉤鉤住的上述卡止部所形成，上述鉤乃經由焊 料而被固定到設在上述安裝基板之主面的突軌部。在上述 本紙張尺度適用巾關家縣（0叫》4規格（2獻297公釐)"一 -10- 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 模組基板的4個角落的內側設有凹部，在該凹部設有上述 卡止部，上述蓋子的外形爲矩形。上述電極端子是由沿著 上述模組基板之邊緣而配列的多個的電極端子，與被配置 在該些電極端子之內側的多個的電源電位供給用端子所構 成，而上述電源電位供給用端子則經由焊料而被固定在被 設在上述安裝基板之主面的突軌部。沿著上述安裝基板之 邊緣而配列之電極端子的至少上述模組基板周緣附近部分 是由十數/zm左右以下之厚度的保護膜所覆蓋。上述混合 積體電路裝置是高頻電力放大裝置，而構成無線通訊裝置 〇 根據上述（1 )之構造之高頻電力放大裝置（混合積 體電路裝置）具有以下的效果。 (a )在高頻電力放大裝置（混成積體電路裝置）中 ，沿著模組基板之周緣所配列之L G A構造的電極端子， 由於模組基板之周緣附近的部分被保護膜所覆蓋，因此， 當搭載在行動電話機的安裝基板時，則即使在電極端子與 模組基板之間作用有熱應力時，也不會從電極端子之模組 基板的周緣部分的邊界部分開始，在模組基板發生裂痕， 也可以防止水分通過裂痕而侵入到封裝體內，除了提高高 頻電力放大裝置以及行動電話機的信賴性外，其壽命也會 變長。 (b )由於保護膜是由印刷塗料（paste)而形成，且其 厚度也可以薄到十數// m左右以下，因此，除了能夠達成 模組基板的薄型化外，也能夠由減低塗料的使用量降而低 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 製造成本。因此，也可以降低行動電話機的製造成本。 (c )由於保護膜是由印刷塗料而形成，而不是具有 貫通孔的未加工片（g r e e n s h e e t )，因此可以減小模組基 板的尺寸，也能夠達成高頻電力放大裝置的小型化。因此 可以達成行動電話機的小型化。 (d )在將高頻電力放大裝置1 〇固定在安裝基板時 ，由於除了電極端子以外，電源電位供給用端子也可以當 作連接用端子來使用，因此，高頻電力放大裝置的安裝強 度會變高。又，由於該電源電位供給用端子成爲地面端子 ，因此，高頻電力放大裝置的地面電位在各電路部分會安 定，而能夠期待安定的動作。因此，連行動電話機也可以 安定地動作，而能夠進行愉快的通話。 (e )電源電位供給用端子乃分別沿著模組基板的長 邊以及短邊設有多個。藉此，在安裝高頻電力放大裝置而 實施回焊時，則高頻電力放大裝置會跑到多處之已熔化的 焊料上，而高頻電力放大裝置相對於安裝基板則較不會傾 斜，而模組基板1 1整體會從安裝基板隔著一定的間隔被 安裝，因此，功率、效率等的特性會安定，而連行動電話 機也會安定地動作，而能夠進行愉快的通話。 (f )由於在模組基板之長邊的兩端部分設有凹部’ 而在該凹部分，使蓋子的鉤掛在模組基板之卡止部而形成 封裝體的構造，以及將焊料平緣（fillet)附著在用於支撑 該鉤之鉤支撑臂的突出長度縮短到0 · 3 // m左右’因此 ，安裝面積會成爲大略由蓋子的外周緣所規定的面積以內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、1T -12- 575949 A7 B7 五、發明説明（1〇) ，而能夠縮小安裝面積。因此’也能夠達成行動電話機的 小型化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (g )由於鉤支撑臂的下緣延伸到模組基板的下面或 是下面附近，因此’在藉由焊料’將筒頻電力放大裝置搭 載在安裝基板時，則經由焊料’在電氣上與地面用突軌部 連接，而可以提高高頻電力放大裝置的固定強度’而使得 地面接地變得確實。因此’連行動電話機也會安定地動作 ，而能夠進行愉快的通話。 (h )藉由將地面端子設在矩形之模組基板的4個角 落，因此，在高頻電力放大裝置中之包含信號端子及電源 端子等在內之外部端子的佈局設計會變得容易，且用來安 裝該高頻電力放大裝置之安裝基板的配線佈局也會變得容 易。 (發明之實施形態） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1至圖1 7係表本發明之一實施形態（實施形態1 )之高頻電力放大裝置及已組裝好該高頻電力放大裝置之 行動電話的圖。圖1至圖1 1係表高頻電力放大裝置，圖 1 2至圖1 5係表行動電話。 在本實施形態1中，混合積體電路裝置則針對將本發 明應用在具有 GSM ( Glib al System for Mobil Communication)用之放大系統與 D C S (Digital Cellular System )用之放大系統的高頻電力放大裝置（高頻功率放 大器模組），與己組裝好上述高頻電力放大裝置的無線通 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A7 ______ B7_ 五、發明説明（11 ) 訊裝置的例子來加以說明。 高頻電力放大裝置（高頻功率放大器模組）1 0，則 如圖1以及圖2所示，在外觀上成爲一扁平的矩形體構造 〇 高頻電力放大裝置1 0係由：由陶瓷配線板所構成的 模組基板1 1，與呈重疊地被安裝在該模組基板1 1之一 面側（主面側）的蓋1 2所構成之扁平矩形體構造的封裝 體（package)13的構造。 蓋1 2爲一可發揮電磁遮蔽效果的金屬製品，係藉由 沖壓而形成的成形品。如圖2所示，蓋1 2則是將金屬板 折彎成矩形盒狀，成爲一具有沿著下面周緣而突出之周壁 3 0的構造。又，設有從蓋1 2之長邊的兩端部分突出到 下方之鉤支撑臂3 1。在該鉤支撑壁3 1之前端側的內側 則形成由此成形所形成而突出的鉤3 2。如圖4所示，上 述鉤支撑臂3 1則會彈性地作用而被鉤在設於模組基板 1 1之段差部分所形成的卡止部3 3。模組基板1 1的4 個角落，如圖3所示，如鉤支撑臂3 1可進入般地，該凹 部3 4如圖4所示般在厚度方向形成階梯狀，而該階梯狀 部分之突出部分的下面則成爲卡止部3 3，而鉤3 2會鉤 在該卡止部3 3。 從卡止部3 3到模組基板1 1之下面則設有導體層 3 5。而在該導體層3 3之模組基板1 1之背面延伸的部 分則形成爲端子3 5 a，可以當作在將高頻電力放大裝置 1 ◦固定在安裝基板時的連接端子，或地面端子來使用° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
-14- 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 換言之，如圖1 5所示，若對應於上述端子3 5 a而在安 裝基板3 6之表面（主面）設置地面用突軌（land)3 7， 而可當作電磁遮蔽體來使用的蓋1 2，則可經由鉤3 2， 導體層3 5而連接到安裝基板的地面（ground )。又，鉤 支撑臂3 1的下緣，則如圖4所示，由於延伸到模組基板 1 1的下面或下面附近，因此，在將高頻電力放大裝置 1 0經由焊料3 8搭載在安裝基板3 6之際，可以提高高 頻電力放大裝置1 0之固定強度，且使得地面接地變得確 實。 又，藉由將地面端子設在矩形模組基板1 1的4個角 落，除了包含信號端子及電源端子等在內之外部端子的佈 局設計，連在高頻電力放大裝置1 0中會也變得容易外， 用來安裝該高頻電力放大裝置1 0的安裝基板的'配線佈局 也會變得容易。 模組基板1 1則例如由將玻璃陶瓷積層而成之低溫燒 成的陶瓷配線板所構成。在模組基板1 1的主面，則如圖 1所示地搭載有晶片電阻1 5 ，晶片電容器1 6等。又， 在設在模組基板1 1之主面的凹底則搭載有已組入有半導 體放大元件的半導體晶片1 7。該半導體晶片1 7之未圖 示的電極，與設在模組基板1 1之主面的未圖示的配線， 則是藉由導電性的電線（wire ) 18在電氣上被連接。又， 半導體晶片1 7或線1 8等則被絕緣性樹脂1 9所被覆， 而提高耐濕性。 在模組基板1 1的背面（底面），則如圖1以及圖3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -15- 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 _B7 _五、發明説明（I3) 所示，除了電極端子2 0沿著模組基板1 1的邊緣而設有 多個外，在其內側的領域則設有多個電源電位供給用端子 2 1。電極端子2 0以及電源電位供給用端子2 1則成爲 一 L G A構造之表面安裝型式，而以在模組基板1 1之背 面所形成的導體層而形成。在該導體層的表面則設有焊料 〇 在將高頻電力放大裝置1 0固定在安裝基板上時，由 於除了電極端子2 0以外，，連電源電位供給用端子2 1 也可以當作連接用端子來使用，因此，高頻電力放大裝置 1 0的安裝強度會變高。又，由於該電源電位供給用端子 2 1也成爲地面端子，因此，高頻電力放大裝置1 〇的地 面電位在各電路部分會安定，而能夠期待安定的動作。 晶片電阻1 5 ，晶片電容器1 6，半導體晶片1 7則 連接到設在模組基板1 1之主面的電極墊2 2或搭載墊 2 3而被固定。電極墊2 2以及搭載墊2 3也是由導電性 的金屬化（metallice )層所形成。在用於搭載半導體晶片 1 7的模組基板部分則設有多個貫通的孔 (v i a h ο 1 e )外， 且在該孔則塡充有導體2 4。該導體2 4則在電氣上與搭 載墊2 3和電源電位供給用端子2 1連接。因情形，該電 源電位供給用端子2 1則成爲一在電氣上被連接到上述半 導體晶片1 7之地面（ground )的地面端子。亦即，當電源 電位供給用端子全部成爲地面端子時，一部分成爲地面端 子，而一部分成爲在安裝時用於提高連接強度的端子。 電源電位供給用端子2 1則沿著模組基板1 1的長邊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐）~' — 一 -16- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14) 而設有多個，且沿著短邊設有多個。而此是爲了在回焊（ reflow )安裝時，當模組基板1 1，亦即，高頻電力放大裝 置1 0跑到已烷化的焊料上時，則高頻電力放大裝置1 0 相對於安裝基板會有傾斜之虞。在此，在本實施形態1中 ，藉由分別沿著模組基板1 1之長邊以及短邊設有多個的 電源電位供給用端子，在使安裝基板3 6設成水平的狀態 下，在使焊料熔化之際，則藉由各電源電位供給用端子 2 1的部分將模組基板1 1 (高頻電力放大裝置1 〇 )支 撑呈水平狀，如圖1 2所示，藉此，高頻電力放大裝置 1 0不會相對於安裝基板呈傾斜地被固定。 沿著模組基板1 1之邊緣而設的電極端子2 0則成爲 具有以下功能的端子。在圖3中，爲了方便於說明，乃在 電極端子2 0的外側分別附加號碼。1、8、9 ·、1 2、 13、18、19、20以及24爲非接觸端子（NC) ’而2、10以及22爲GND端子，3、4、5爲 Vdd — GSM用端子、6爲Vapc — GSM用端子、 7 爲 Pout— DCS 用端、11 爲 P〇ut— GSM、 14 爲 Vapc —DCS 用端、15、16、以及 17 爲 Vdd — DCS 用端。 另一方面，本發明之特徵之一則如圖1所示，電極端 子2 0之模組基板附近部分則被保護膜4 〇所覆蓋（參照 圖3、圖5、圖14)。在圖3中，電極端子20、電源 電位供給用端子2 1、導體層3 5均爲導體。 上述保護膜4 0係據以下的順序而形成。首先，最初 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明（15) 則在讓已形成有配線圖案之多個未加工片 (green sheet) 重疊的同時進行沖壓以形成在背面具有電極端子部之1個 的積層未加工片。之後，如至少覆蓋上述電極端子之周緣 部分般地印刷由玻璃或焊料阻層（solder resist)所構成的 塗料（paste)以形成保護膜。接著，則針對上述未加工片 ，上述電極端子部以及上述保護膜實施燒成處理。 藉由上述的燒成，積層未加工片即成爲一經燒成的模 組基板，表面的電極端子部成爲電極端子，而覆蓋電極端 子部之一部分的保護部成爲保護膜，在印刷時，則印刷一 層薄薄的塗料，以將保護膜設成十數// m左右以下的厚度 。藉此，塗料的使用量會變少，除了可以降低模組基板的 製造成本外，也可以達成模組基板1的薄型化。 又，由於印刷位置是依據網版（screen )的圖案來決定 ，因此，藉由變更上述圖案可以自由地選擇印刷位置。因 此，連微細的圖案也可以正確且確實地加以印刷。結果， 相較於讓設有貫通孔的未加工片重疊來形成保護膜的情形 ，可以讓模組基板的尺寸減少一使電極端子接近於基板之 邊緣的量。而此可以達到模組基板的小型化，換言之，可 達成高頻電力放大裝置的小型化。 圖9係表在於背面形成有電極端子部4 7的積層未加 工片4 3藉由網版印刷形成保護膜4 8之狀態的模式圖。 在網版印刷時，則讓張設在框架4 1之網版4 2如定位重 疊於積層未加工片4 3之背面般地接近，之後，則讓滑台 4 4移動以選擇性地將在網版4 2上的塗料4 5印刷於積 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C· 訂-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'〆297公釐） -18- 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（16) 層未加工片4 3的背面而形成保護膜4 8。 之後，則包含電極端子部4 7以及保護膜4 8在內， 針對積層未加工片4 3實施燒成處理。藉此燒成處理，電 極端子4 7成爲電極端子2 0，保護部4 8成爲保護膜 4 0，積層未加工片4 3成爲模組基板1 1 ，而成爲如圖 5所示。 圖15爲已搭載了高頻電力放大裝置10之安裝基板 3 6之一部分的平面圖。突軌部（ land)係由對應於上述端 子3 5 a之4個角落的地面用突軌部3 7，固定有被配設 在該地面用突軌部3 7之間之電極端子2 0的電極端子用 的突軌部4 9 a ，以及固定有電源電位供給用端子2 1的 突軌部4 9 b所構成，在該些突軌部的表面形成有焊料（ solder)。 接著請一邊參照圖6的流程圖等一邊說明本實施形態 1之高頻電力放大裝置1 0的製造方法。高頻電力放大裝 置1 0，如圖6的流程圖所示，乃經過準備積層未加工片 (步驟1 0 1 : S 1 0 1 )，印刷保護部（S 1 0 2 )、 燒成（S 1 〇 3 )，將焊料塗佈在模組基板上（S 1 〇 4 )，搭載零件（S 1 〇 5 )、回焊（S 1 〇 6 )、洗淨（ 5 1 0 7 )、線接合（S 1 〇 8 )、塗敷樹脂（S 1 0 9 )、烘焙（S110)、安裝蓋子（CAP) (Sill )、分割模組基板（S 1 1 2 )、選別（S 1 1 3 )、以 及梱包（S 1 1 4 )的各過程而出貨。模組基板雖然可製 成單一的製品，但也有如上述般，在安裝好蓋子後再分割 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（17) 的方法。 積層未加工片4 3，則如圖7所示，是一重疊好多個 的介電體板（未加工片）再予以沖壓形成者。在圖7中， 未加工片爲5個重疊在一起的構造。該圖則對應於圖1。 在積層未加工片4 3的背面則形成有成爲電極端子 2 0或電源電位供給用端子2 1的導體層7 0，在主面則 形成有用來搭載各電子零件的電極墊2 2或成爲搭載墊 2 3的導體層70。此外，在該些導體層70之中，如上 述般，將成爲電極端子2 0的導體層稱爲電極端子4 7。 又，用來搭載半導體晶片的位置，則從上方將第1個與第 2個的未加工片打穿，結果，在積層未加工片4 3的狀態 下成爲凹部。在該凹部則形成導體層7 0 ( S 1 〇 1 )。 接著，在將積層未加工片4 3翻過來後，如上所述，1 ! 在針對電極端子2 0的積層未加工片4 3之邊緣附近的周 緣部分實施印刷以形成保護膜4 8 ( S 1 〇 2 )的同時， 則實施燒成（S 1 0 3 )，如圖8所示，形成具有電極端 子2 0或電源電位供給用端子2 1等的模組基板1 1。電 極端子2 0之靠近模組基板1 1之周緣的邊緣部分則被保 護膜40所覆蓋。又，也形成有電極墊22，搭載墊23 ，以及導體2 4等。又在該模組基板1 1中，配線則成爲 strip line 構造成 Micro strip line 構造。 之後，當在各導體層的表面塗好焊料（S 1 0 4 )後 ，才搭載半導體晶片1 7 '晶片電極1 5、晶片電容器 1 6等的電子零件（s 1 〇 5 )。此外，則將焊料回焊而 -I. 1 —i illτ-· — 二·· m 1^1 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __— _ B7___ 五、發明説明（18) 來固定電子零件。 若舉例來說，模組基板1的厚度爲〇 · 8 m m左右、 寬度1 5 m m、長度8 ηι ηΊ。又，電極端子之電極的厚度 爲1 0 //m左右。又，用來被覆電極端子之一部分的保護 膜的厚度成爲十數# m左右以下的厚度。 之後’則實施洗淨（S 1 〇 7 )以洗掉助熔劑，接著 ’則如圖1 1所示，以導電性的電線（wire ) 1 8來連接半 導體晶片1 7之未圖示的電極與配線部分（S 1 0 8 )， 且以絕緣性樹脂1 9來被覆半導體晶片1 7及電線1 8等 (s 1 0 9 ) ° 接著’則進行烘焙，而讓絕緣性樹脂1 9硬化（S 110)。 接著，在安裝好蓋1 2 ( S 1 1 1 )後，則將模組基 I 板1 1加以分割（S 1 1 2 )，而製造出如圖2所示之高 頻電力放大裝置1 0，接著則進行特性（S 1 1 3 )，而 只捆包良品（S 1 1 3 )再出貨。 在此，針對已組入有本發明之高頻電力放大裝置1 0 的電子裝置，亦即，行動電話機（無線通訊裝置）來加以 說明 > 高頻電力放大裝置1 0係被搭載在行動電話機（無 線通訊裝置）的安裝基板3 6。圖1 2係表被搭載在安裝 基板3 6的高頻電力放大裝置1 0。在安裝時，則在準備 好具有圖1 5所示之突軌部圖案（Und pattern )的安裝基 板3 6後，則將高頻電力放大裝置1 〇定位在該安裝基板 3 6上加以載置。之後，則將事先設在突軌部（3 7、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7五、發明説明（19) 49a、49b)及端子（20、21 、35)之表面的 焊料加以回焊（reflow )予以連接，而製造出如圖1 2所示 之行動電話機（只表示出高頻電力放大裝置1 〇之安裝構 造部分）。 圖1 3係鉤3 2部分之安裝狀態的斷面圖。經由焊料 3 8，將導體層3 5、鉤部3 2、以及鉤支撑臂3 1的下 端連接到地面用突軌部3 7。在鉤支撑臂3 1之外面所形 成之焊料平綠（fillet )突出長度例如可小到〇 . 3 // m左 右。在模組基板1 1之長邊的兩端部分設有凹陷部分3 4 ，在該凹陷部部分，則將蓋子1 2的鉤3 2鉤在模組基板 1 1的卡止部3 3而形成封裝物的構造。由於上述之焊料 平緣的突出長度短到0 . 3 // m，因此，可將地面用突軌 .部3 7配置在可將基板側部延長之矩形的內部，因^此，可 I 以減少行動電話機中之安裝基板3 6的尺寸，也能夠達成 行動電話機的小型化。 又，在安裝時，如圖1 4所示，沿著模組基板1 1之 邊緣所配列之L G A構造的電極端子2 0，由於模組基板 1 1之周緣附近部分會被保護膜4 0所覆蓋，因此，即使 在電極端子2 0與模組基板1 1之間有熱應力作用時，也 不會從圖2 4所示之電極端子2之模組基板1之周緣附近 部分的邊界部分開始，在模組基板1發生裂痕6。 結果，可以防止水分通過裂痕而浸入到封裝體1 3內 ，除了可以提高高頻電力放大裝置1 0的信賴性外，其壽 命也會變長。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝· 訂 -22 - 575949 A7 ___B7_ 五、發明説明（2〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施形態1之高頻電力放大裝置1 〇，則藉由包含 模組基板1 1之配線圖案以及被搭載在模組基板1 1之半 導體放大元件在內的電子零件而構成圖1 6所示的電路。 如圖1 6所75，局頻電力放大裝置具有G SM用的放 大系統e與D C S用的放大系統f。放大系統e以及放大 系統f分別使用的電子零件的性能雖然不同，但其電路構 成是相同。因此，在放大系統e的說明中，則將與放大系 統e對應的放大系統f的零件的記號表示在括弧內，而當 作是放大系統f的說明。 在放大系統e的外部電極端子，則設有作爲輸入端子 的Pi n — GSM在放大系統f中爲Pi n 一 DCS)， 作爲輸出端子的P o u t - G S Μ (在放大系統f中爲 P 〇 u t - D C S )，作爲第1基準電位（電源電位）的
I
Vdde— GSM (在放大系統f中爲Vdd— DCS) ’作爲偏壓端子的V a p c — G S Μ (在放大系統f中爲 Vapc—DCS)。又，設有作爲第2基準電位的 G N D用端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在 P i n — GSM (P i n-DCS)與 P〇u t — G S Μ ( P o u t — D C S )之間則串聯連接有3段的放 大段。初段放大段、第2段大段以及第3段放大段（最終 段放大段）則均由電晶Q 1、Q 2、Q 3、（ Q 4、Q 5 、Q 6 )所構成。 構成各放大段之電晶體分別是由接受了到該段的輸入 信號與偏壓（bias)電位的控制端子（閘極）、送出該段之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -23- 575949 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21 ) 輸入信號的第1端子（汲極），以及用來接受該段之基準 電位（G N D電位）的第2端（源極）所構成。 P i η — G S M ( P i η — D C S )則經由整合電極 L 1 ( L 8 )而被連接到電晶體Q 1 ( Q 4 )的閘極。由 於放大系統是一 3段構造，因此，第2段的電晶體以及第 3段的電晶體的閘極均經由整合電路L 3 ( L 1 0 )、L 5 ( L 1 2 )而被連接到前段之電晶體的汲極。成爲作爲 最終段放大段之輸出段的電晶體Q 3 ( Q 6 )汲極，則經 由整合電路L7 (L14)而被連接到Pout - GSM (P 〇 u t — D C S )。 各電晶體Q 1、Q 2、Q 3的汲極，則經由整合電路 L2、L4、L6(L9、L11、L13)，而被連接 到 Vdd — GSM(Vdd-DCS)。 丨 各電晶體Q 1、Q 2、Q 3的閘極則被連接到 Vapc— GSM(Vapc— DCS)。在該些電極與 Vapc— GSM(Vapc— DCS)之間則設有用來 控制施加在各閘極之偏壓電位的偏壓電路。偏壓電路是由 用於形成分壓電阻的偏壓電阻R 1〜R 5 ( R 6〜R 1 0 )所形成。 在圖1 6中，以虛線框所表示的部分爲半導體晶片（ P E T晶片）1 7。在該半導體晶片1 7則組入有G S Μ 用之放大系統e的電晶體Q 1、Q 2、用於決定該些電晶 體Ql、Q2之偏壓電阻比的偏壓電阻Rl、R2、R3 、R4、R5、DCS用之放大系統f之電晶體Q4、 本紙張尺度適财顚家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐) " -24- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7___-五、發明説明（22) Q 5、以及用於決定該些電晶體Q 4、Q 5之偏壓電阻比 的偏壓電阻R6、R7、R8、R9、Rl〇。藉此，可 以減少零件數目，且能夠達成高頻電力放大裝置的小型化 以及降低製造成本。 如此之高頻電力放大裝置，如圖1 7所示，可被組入 到行動電話機內。圖1 7係表Dual Band (雙頻）無線通 訊機之一部分的方塊圖，係表示從高頻信號處理I C ( RF1 in ear) 5 0到天線（Antenna) 5 1爲止的部分。此外，在 圖1 7中，高頻電力放大裝置分成GSM用的放大系統與 D C S用的放大系統等2種來表示。而以P A (功率放大 器）57a、58b來表示該放大器。 天線5 1則被連接到天線送受訊切換器5 2之天線端 .子Antenna。天線送受訊切換器5 2具有用於輸入P A 5 8 I a、58b之輸出的端子Pout l、Pout 2、 受訊端子RX 1、RX 2，控制端子control 1 ' con trol 2 0 來自高頻信號處理I C 5 0的G S M用的信號則被 送到PA 58a，而被輸出到Pout 1〇ΡΑ 5 8 a的輸出則藉由耦合器5 4 a而被檢出，該檢出信號 則被回饋到自動輸出控制電路（A P C電路）5 3。 A P C電路5 3則根據上述檢測信號動作而來控制P A 5 8 a 〇 又，同樣地，來自高頻信號處理I C 5 0的D C S 用的信號則被 到P A 5 8 b，且被輸出到P 〇 u t 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A私見格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· -Ή -25- 575949 A7 ____B7______ 五、發明説明（23 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 2。P A 5 8 b的輸出則藉由耦合器5 4 b而被檢出， 該檢出信號則被回饋到A P C電路4 3，A P C電路5 3 則根據上述檢出信號動作而來控制P A 58b。 天線送受訊切換器5 2則具有解多工器5 5。該解多 工器5 5具有端子，1個端子被連接到上述天線端子 Antena，而另外2個端子的其中1個被連接到G S Μ用的 送受訊切換開關5 6 a，而另一個則被連接到D C S用的 送受訊切換開關5 6 b。 送受訊切換開關5 6 a的a接點則經由濾波器5 7 a 而被連接到P 〇 u t 1。送受訊切換開關5 6 a的b接 點則經由電容C 1而被連接到受訊端子R X 1。送受訊 切換開關5 6 a則根據被輸入到控制端子control 1的控 .制信號來切換與a接點，或b接點的霄氣連接。
I 送受訊切換開關5 6 b的a接點則經由濾波器5 7 b 而被連接到Pou t 2。送受訊切換開關56b的b接 點則經由電容C 2而被連接到受訊端子R X 2。送受訊 切換開關5 6 b則根據被輸入到控制端子c ο n t r ο 1 2的控 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 制信號來切換與a接點，或b接點的電氣連接。 在受訊端子R X 1與高頻信號處理I C 5 0之間 則依序連接有濾波器6 0 a與低雜訊放大器（L N A ) 6 1 a。又，在受訊端子RX與高頻信號處理I c 5 0 之間則依序連接有濾波器6 0 b與低雜訊放大器（l N A )6 1 b 〇 藉由該無線通訊機可進行G S Μ通訊以及D C S通訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐) 一 ~ -26 - 575949 A7 ___ B7_ 五、發明説明（24) 〇 根據本實施形態1具有以下的效果。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 )在高頻電力放大裝置（混成積體電路裝置）中 ，沿著模組基板1 1之周緣所配列之L G A構造的電極端 子2 0，由於模組基板1 1之周緣附近的部分被保護膜 4 ◦所覆蓋，因此當搭載在行動電話機的安裝基板3 6時 ，則即使在電極端子2 0與模組基板1 1之間作用有熱應 力時，也不會從電極端子2 0之模組基板1 1的周緣部分 的邊界部分開始，在模組基板1 1發生裂痕，也可以防止 水分通過裂痕而侵入到封裝體1 3內，除了提高高頻電力 放大裝置1 0以及行動電話機的信賴性外，其壽命也會變 長。 (2 )由於保護膜4 0是由印刷塗料（paste)而形成， 且其厚度也可以薄到十數//m左右以下，因此，除了能多 達成模組基板1 1的薄型化外，也能夠由減低塗料的使用 量降低而製造成本。因此，也可以降低行動電話機的製造 成本。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )由於保護膜4 0是由印刷塗料而形成，而不是 具有貫通孔的未加工片（green sheet)，因此可以減小模 組基板1 1的尺寸，也能夠達成高頻電力放大裝置1 〇的 小型化。因此可以達成行動電話機的小型化。 (4 )在將高頻電力放大裝置1 0固定在安裝基板 3 6時’由於除了電極端子2 0以外，電源電位供給用端 子2 1也可以當作連接用端子來使用，因此，高頻電力放 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- -27- 575949 A7 B7 五、發明説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 大裝置1 〇的安裝強度會變高。又，由於該電源電位供給 用端子2 1成爲地面端子，因此，高頻電力放大裝置1 0 的地電位在各電路部分會安定，而能夠期待安定的動作。 因此，連行動電話機也可以安定地動作，而能夠進行愉快 的通話。 (5 )電源電位供給用端子2 1乃分別沿著模組基板 1 1的長邊以及短邊設有多個。藉此，在安裝高頻電力放 大裝置1 0而實施回焊時，則高頻電力放大裝置1 0會跑 到多處之已熔化的焊料上，而高頻電力放大裝置1 0相對 於安裝基板則較不會傾斜，而模組基板1 1整體會從安裝 基板3 6隔著一定的間隔被安裝，因此，功率、效率等的 特性會安定，而連行動電話機也會安定地動作，而能夠進 行愉快的通話。 | 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (6 )由於在模組基板1 1之長邊的兩端部分設有凹 部3 4，而在該凹部分，使蓋子1 2的鉤3 2掛在模組基 板1 1之卡止部3 3而形成封裝體的構造，以及將焊料平 緣（fillet)附著在用於支撑該鉤3 3之鉤支撑臂3 1的突 出長度縮短到0 · 3 //m左右，因此，安裝面積會成爲大 略由蓋子1 2的外周緣所規定的面積以內，而能夠縮小安 裝面積。因此，也能夠達成行動電話機的小型化。 (7 )由於鉤支撑臂3 1的下緣延伸到模組基板1 1 的下面或是下面附近，因此，在藉由焊料，將高頻電力放 大裝置1 0搭載在安裝基板時，則經由焊料3 8，在電氣 上與地面用突軌部連接，而可以提高高頻電力放大裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -28 - 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ _B7五、發明説明（26 ) 1 ◦的固定強度’而使得地面接地變得確實。因此，連行 動電話機也會安定地動作，而能夠進行愉快的通話。 (8 )藉由將地面端子設在矩形之模組基板1 1的4 個角落，因此，在高頻電力放大裝置1 〇中之包含信號端 子及電源端子等在內之外部端子的佈局設計會變得容易， 且用來安裝該高頻電力放大裝置1 0之安裝基板的配線佈 局也會變得容易。 (實施形態2 ) 圖1 8係表本發明之其他實施形態（實施形態2 )之 高頻電力放大裝置的模式的斷面圖。圖1 9係表高頻電力 放大裝置之模組基板的底面圖。圖2 0係表高頻電力放大 .裝置中之電極端子至安裝|基板的連接狀態之一部分的斷面 1 圖。 在本實施形態2的例子中，如圖1 8至圖2 0所示， 是一以保護膜4 0來被覆電極端子2 0以及電源電位供給 用端子2 1之整個周緣的例子。本實施形態2則具有與實 施形態1同樣的效果。 (實施形態3 ) 圖2 1係表本發明之其他實施形態（實施形態3 )之 高頻電力放大裝置的底面圖。在本實施形態3中，乃將模 組基板1 1的卡止部設在邊的中央。因此，雖然未圖示， 但連設在蓋子1 2的鉤支撑臂3 1的位置也位在蓋子1 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -29- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（27 ) 之邊的中央，而對應於上述卡止部3 3。在本實施形態3 中，端子側的突軌部（f〇ut print)在不會從模組基板突出 的情況下可以加連接，而具有可以提高顧客端之安裝面積 的效果。 (實施形態4 ) 圖2 2係表本發明之其他實施形態（實施形態4 )之 高頻電力放大裝置的立體圖。圖2 3爲蓋子1 2與模組基 板1 1之卡止部的斷面圖。在本實施形態4中，除了在模 組基板1 1之相對的2邊分別設有凹部8 0外，也將與該 凹部8 0嵌合的嵌合片8 1形成在蓋子1 2，而在蓋子封 住時，則將蓋子1 2的嵌合片8 1嵌合在模組基板1 1的 凹部8 0，而以焊料來固定兩者。 根據本實施形態4，在基板分割前，即使是將蓋子焊 接，也不會因爲相鄰的蓋子彼此被焊接而變得難以分割。 以上雖然是根據實施形態來具體地說明本發明人所提 出的發明，但本發明並未被限定在上述實施形態，當然， 在不脫離其主旨的範圍內，可以進行各種的變更。例如在 實施形態中，雖然是以混合積體電路裝置爲將本發明應用 在高頻電力放大裝置爲例來加以說明，但也可以適用在其 他的混合積體電路裝置或是已組入了該混合積體電路裝置 之電子裝置。例如由行動電話機方面來說，也可以用在電 壓控制振盪器（V C 0 )或天線開關等，可以得到同樣的 效果。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一~~ -30- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（28 ) 又，在實施形態1中，雖然構成放大段的半導體放大 元件（電晶體）是利用 M 〇S (Metal Oxide Semiconductor )FET ，但也可以是石夕雙瑋電晶體、GaAS-ME S (Metal-Semico nductor)、HBT(Hetero Junction Bipolar Transistor)、 HEMT(High Electron Mobility Transistor)、Si-GeFET 等 之其他的電晶體。 圖面之簡單說明： 圖1係表本發明之一實施形態（實施形態1 )之高頻 電力放大裝置的模式的斷面圖。 圖2係表本實施形態1之高頻電力放大裝置之外觀的 立體圖。 圖3係表本實施形態1之高頻電力放大裝置之模組基 I 板的底面圖。 圖4係表本實施形態1之高頻電力放大裝置之一部分 的斷面圖。 圖5係表上述模組基板之一部分的模式斷面圖。 圖6係表本實施形態1之高頻電力放大裝置之製造方 法的流程圖。 圖7係表在製造本實施形態1之高頻電力放大裝置時 ，已形成有配線及電極端子等之處於積層狀態之未加工片 (green sheet )之模式的斷面圖。 圖8係表在製造本實施形態1之高頻電力放大裝置時 ，以保護膜被覆電極端子之外緣部分之模組基板之模式的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 575949 A7 B7 五、發明説明（29 ) 斷面圖。 圖9係表上述保護膜之形成狀態的模式圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖10係表在製造本實施形態1之高頻電力放大裝置 時，已搭載好電子零件之模組基板之模式的斷面圖。 圖11係表在製造本實施形態1之局頻電力放大裝置時 ，處於以樹脂來被覆半導體晶片或電線（wire)之狀態之模組 基板之模式的斷面圖。 圖1 2係表將本實施形態1之行動電話中的高頻電力 放大裝置安裝到安裝基板之狀態之模式的斷面圖。 圖1 3係表上述高頻電力放大裝置之安裝狀態之一部 分的斷面圖。 圖14係表上述高頻電力放大裝置中之電極端子部分 之安裝狀態之一部分的斷面圖。 圖1 5係表上述安裝基板中之突軌部（land )之佈局之 一部分的面圖。 圖16係表上述高頻電力放大裝置的等效電路圖。 圖1 7係表上述行動電話之功能構成的方塊圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8係表本發明之其他實施形態（實施形態2 )之 高頻電力放大裝置之模式的斷面圖。 圖1 9係表本實施形態2之高頻電力放大裝置之模組 基板的底面圖。 圖2 0係表針對本實施形態2之高頻電力放大裝置中 之電極端子之安裝基板的連接狀態之一部分的斷面圖。 圖2 1係表本發明之其他實施形態（實施形態3 )之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 575949 A7 __ B7 ___ 五、發明説明（30 ) 高頻電力放大裝置之底面圖。 圖2 2係表本發明之其他實施形態（實施形態4 )之 高頻電力放大裝置之立體圖。 圖2 3係表本實施形態4之高頻電力放大裝置之一部 分的斷面圖。 圖2 4係表用於說明本發明人早於本發明之前檢討所 知之高頻電力放大裝置的安裝不良情形的模式圖。 主要元件對照 1 模組基板 2 電極端子 3 安裝基板 4 突軌:部（foot print ) 5 焊料（s ο 1 d e ι·) 6 裂痕（crack ) 10 高頻電力放大裝置 11 模組基板 12 間隙（gap) 13 封裝體（package) 1 5 晶片電阻 16 晶片電容器 17 半導體晶片 18 電線（wire) 19 絕緣性樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（31 ) 20 電極端子 2 1 電源電位供給用端子 2 2 電極墊 2 3 搭載墊 2 4 導體 3〇 周壁 3 1 鉤支撑臂 3 2 鉤部 3 3 卡合部 34 凹部部分 3 5 導體層 3 6 安裝基板 3 7 丨地面用突軌部（land ) 3 8 焊料 4 0 保護膜 4 1 框 4 2 網版 43 積層未加工片（graan sheet) 4 4 滑台 45 塗料（paste) 4 7 電極端子部 4 8 保護部 4 9 a、4 9 b 突軌部 5 0 高頻信號處理I C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _|·裝· 訂 -34- 575949 A7 B7五、發明説明（32 ) 5 1 天線 52 天線送受訊切換器 5 3 自動輸出控制電路（A P C電路） 54a、54b 親合益 5 5 倍增器（duplexer) 5 6 a ι、5 6 b 送受訊切換開關 5 7 s 〖、5 7 b 濾波器 5 8 s t ‘ 5 8 b p A (功率放大器） 6 0 a [、6 0 b 濾波器 6 1 a ί、6 1 b 低雜訊放大器（L N A 7 0 導體層 8 0 凹部 8 1 1 嵌合片 8 2 焊料 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -35-

Claims (1)

  1. S2. 3· *片
    Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第90132068號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年3月15日修正 1 · 一種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有： 由陶瓷配線板所構成的模組基板，被安裝在上述模組基板 之主面的多個電子零件，以及如覆蓋上述模組基板之主面 般地被固定在上述模組基板之間隙的混合積體電路裝置， 其特徵在於： 接近於上述模組基板之邊緣的電極端子的至少上述模 組基板邊緣附近部分則爲保護膜所覆蓋。 2 .如申請專利範圍第1項之混合積體電路裝置，沿 著上述模組基板之周緣而並列之電極端子之至少上述模組 基板附近部分則爲保護膜所覆蓋。 3 ·如申請專利範圍第1項之混合積體電路裝置，其 中保護膜則成爲十數/zm左右以下的厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .如申請專利範圍第1項之混合積體電路裝置，在 上述模組基板形成由多個半導體元件串聯連接而成的高頻 電力放大裝置。 5 · —種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有由 陶瓷配線板所構成之模組基板，被安裝在上述模組基板之 主面的多個電子零件，如覆蓋上述模組基板之主面般地被 固定在上述模組基板的間隙，以及被設在上述模組基板之 背面之多個電極端子的混合積體電路裝置，其特徵在於： 上述電極端子係由沿著上述模組基板之邊緣而配設之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） < 575949 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 多個電極端子，以及被配置在比該些電極端子還要靠內側 的電源電位供給用端子所構成。 6 .如申請專利範圍第5項之混合積體電路裝置，其 中上述電源電位供給用端子係由彼此獨立之多個分割端子 所構成。 7 .如申請專利範圍第5項之混合積體電路裝置，其 中上述電源電位供給用端子除了沿著上述模組基板之一邊 而設有多個外，也沿著與上述一邊呈直交的方向設有多個 〇 8 .如申請專利範圍第5項之混合積體電路裝置，其 中上述電源電位供給用端子爲地面電極。 9 .如申請專利範圍第5項之混合積體電路裝置，在 上述模組基板形成由多個半導體放大元件串聯連接所構成 的高頻電力放大裝置。 1 0 . —種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有 由陶瓷配線板所構成之模組基板，被組入到上述模組基板 之主面的多個電子零件，被設在上述模組基板之背面的多 個電極端子，以及如覆蓋上述模組基板之主面般地被固定 在上述模組基板之間隙的混合積體電路裝置，其特徵在於 上述電極端子係由沿著上述模組基板之邊緣而配列的 多個電極端子，與被配置在比該些電極端子還要靠內側的 電源電位供給用端子所構成，而沿著上述模組基板之邊緣 所配列之電極端子之至少上述模組基板邊緣附近部分則爲 1^1 n I - > · — r|_一---I — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *11 絲 -2- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 保護膜所覆蓋。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之混合積體電路裝置 ，其中上述連接強度增強用端子係由彼此獨立的多個分割 端子所構成。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項或第1 1項之混合積 體電路裝置，其中上述電源電位供給用端子除了沿著上述 模組基板之一邊設有多個外，也沿著與上述一邊呈直交的 方向設有多個。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項或第1 1項之混合積 體電路裝置，其中上述連接強度提高用端子是地面電極。 1 4 ·如申請專利範圍第1 0項或第1 1項之混合積 體電路裝置，其中上述保護膜是由印刷所形成，其厚度在 十數// m以下。 1 5 ·如申請專利範圍第1 0項或第1 1項之混合積· 體電路裝置，在上述模組基板形成由多個半導體放大元件 •串聯連接面成的高頻電力放大裝置。 · 1 6 · —種混合積體電路裝置，其主要係針對一具備 有由陶瓷配線板所構成之模組基板，被組入到上述模組基 板之主面的多個電子零件，被設在上述模組基板之背面的 多個電極端子，以及如覆蓋上述模組基板之主面般地被固 定在上述模組基板之矩形的金屬製的蓋子的混合積體電路 裝置，其特徵在於： 在上述模組基板的4個角落設有地面端子。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) ( 210X297公釐) 一 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -3- 575949 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ]L 7 .如申請專利範圍第1 6項之混合積體電路裝置 ，用於將上述蓋子固定在上述模組基板的固定部則被設在 上述蓋子以及上述模組基板的4個角落，而在電氣上與上 述地面端子連接。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之混合積體電路裝置 ，上述模組的4個角落，在內側設有凹部，而在該凹部的 _內部設有上述固定部。 19.如申請專利範圍第17項之混合積體電路裝置 ，其中上述固定部的下端則延伸到上述模組基板的底·面或 底面附近。 2 〇 .如申請專利範圍第1 6項之混合積體電路裝置 ，其中上述電極端子除了沿著上述模組基板的周緣而排列 外，上述電極端子之至少上述模組h基板周緣附近部分是被 保護膜所覆蓋。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 ·如申請專利範圍第1 6項之混合積體電路裝置 ，其中上述電極端子是是由沿著上述模組基板之周緣而配 列的多個的電極端子，以及被配置在比該些電極端子還要 靠內側的多個的電源電位供給用端子所構成。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之混合積體電路裝置 ，其中上述保護膜的厚度爲十數//m左右以下。 2 3 .如申請專利範圍第2 1之混合積體電路裝置， 其中上述電源電位供給用端子是地面電極。 2 4 ·如申請專利範圍第1 6項之混合積體電路裝置 ，在上述模組基板形成由多個的半導體放大元件串聯連接 本^纽逋财關家揉準（CNS ) A4· ( 21GX騰幻 ~ 575949 Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 而成的高頻電力放大裝置。 2 5 . —種混合積體電路裝置之製造方法，其主要係 針對一具備有由陶瓷配線板所構成之模組基板，被組入到 上述模組基板之主面的多個電子零件，被設在上述模組基 板之背面的多個電極端子，以及如覆蓋上述模組基板之主 面般地被固定在上述模組基板之矩形的金屬製的蓋子的混 合積體電路裝置，其特徵在於： 具備有：除了讓已形成有配線圖案的多個的未加工片 重合外，也實施沖壓而形成背面具有電極端子部之1 ·個的 積層未加工片的過程，如覆蓋沿著上述積層未加工片之周 货而設之電極端子部之至少上述積層未加工片周緣附近部 分般地印刷塗料而形成保護膜的Μ程，以及針對上述積層 未加工片，上述電極端子部及上述保護膜實施燒成，而形 成具有一部分被保護膜所被覆之電極端子之上述模組基板 的過程。 2 6 . —種混合積體電路裝^之製造方法，其主要係 針對一具備有由陶瓷配線板所構成之模組基板，被組入到 上述模組基板之主面的多個的電子零件，被設在上述模組 基板之背面的多個電極端子，以及如覆蓋上述模組基板之 广 主面般地被固定在上述模組基板之矩形的金屬製的蓋子的 混合積體電路裝置，其特徵在於： 具備有：除了讓已形成有配線圖案的多個的未加工片 重合外，也實施沖壓而形成背面具有電極端子部之1個的 積層未加工片的過程，如覆蓋至少上述電極端子部之周緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 1 i -- -11·- ·in --- i j nI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 絲· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A8 B8 C8 * ___ D8 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 部分般地印刷塗料而形成保護膜的過程，以及針對上述未 加工片，上述電極端子部及上述保護膜實施燒成.，而形成 具有一部分被保護膜所被覆之電極端子之上述模組基板的 過程。 27·—種電子裝置，其主要係針對一具備有：具有 用於將混合積體電路裝置固定在主面的著陸部的安裝基板 ，與混合積體電路裝置，而經由焊料，在電氣上將上述混 合積體電路裝置之電極端子連接到上述著陸部上的電子裝 置，其特徵在於： 上述混合積體電路裝置爲第1項的混合積體電路裝置 h · Ο 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之電子裝置，其中上 述混合積體電路裝置爲高頻電力放大裝置，而構成無線通 訊裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 29 ·—種電子裝置，其主^係針對一具備有：具有 將混合積體電路裝置固定到主面之突軌部的安裝基板，與 混合積體電路裝置，而經由焊料，在電氣上將上述混合積 體電路裝置之電極端子連接到上述突軌部上的電子裝置， 其特徵在於： 上述混合積體電路裝置爲第5項之混合積體電路裝置 ’上述電源電位供給用端子則經由焊料而被固定在設在上 述安裝基板之主面的突軌部。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之電子裝置，其中上 述混合積體電路裝置爲高頻電力放大裝置，而構成無線通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)八4胁（之獻撕公羞) '一 575949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 訊裝置。 31·—種電子裝置，其主要係針對一具備有：具有 將混合積體電路裝置固定到主面之突軌部的安裝基板，與 混合積體電路裝置，而經由焊料，在電氣上將上述混合積 體電路裝置之電極端子連接到上述突軌部上的電子裝置， 其特徵在於： 上述混合積體電路裝置第1〇項之混合積體電路裝置 ，而上述電源供給用端子則經由焊料而被固定在上述安裝 基板之主面的突軌部。 3 2 ·如申請專利範圍第3 Γ項之電子裝置，其中上 述混合積體電路裝置爲高頻電力放大裝置，而構成無線通 訊裝置。 33 . —種電子裝置，其主要係針對一具備有：具有 將混合積體電路裝置固定到主面之'突軌部的安裝基板，與 混合積體電路裝置，而經由焊料，在電氣上將上述混合積 體電路裝置之電極端子連接到上述突軌部上的電子裝置， 其特徵在於： 上述混合積體電路裝置是一真備有：由矩形之陶瓷配 線板所構成的模組基板，被組入到上述模組基板之背面的 多個的電極端子，以及如覆蓋上述模組基板之主面般地， 被固定到上述模組基板之矩形之金屬製的蓋子之混合積體 電路裝置，而用來將上述蓋子固定到上述模組基板的固定 部，則經由焊料而被固定到設在上述安裝基板之主面的突 軌部。 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4規格（210乂297公釐）， --I — - : «IJ- - - 1· I! 1SJ1 I - I - - II - I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 575949 8 888 ABCD 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之電子裝置，在上述 模組基板的4個角落的內側設有凹部，且在該凹部部分設 有上述固定部，上述蓋子的外形爲矩形。 35·如申請專利範圍第33項之電子裝置，其中上 述電極端子是由沿著上述模組基板之周緣而配列的多個的 電極端子，以及被配置在比該些電極端子還要靠內側的多 個的電源電位供給用端子所構成，而上述電源電位供給用 端子是經由焊料而被固定在被設在上述安裝基板之主面的 突軌部。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之電子裝置，沿著上 述模組基板之周緣而排列之電極端子之至少上述模組基板 周緣附近部分是被十數// m左右以下之厚度的保護膜所覆 蓋。 3 7 .如申請專利範圍第3 3項之電子裝置，其中上 述混合積體電路裝置爲高頻電力放大裝置，而構成無線通 訊裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 8 ·如申請專利範圍第3 f項之電子裝置，其中上 述模組基板具有2個彼此相向的側部，與設在上述各側部 之間的凹部，上述固定部被配置在上述凹部內部，而經由 焊料來固定上述固定部的突軌部，則呈平面地被配置在由 上述側部延長所形成之矩形的內部： 3 9 · —種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有 模組基板，被安裝在上述模組基板之主面的多個電子零件 ，以及被設在上述模組基板之背面之多個電極端子的混合 r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 〇 " ~~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A8 B8 C8 ___D8 六、申請專利範圍 積體電路裝置，其特徵在於： 上述電極端子係由沿著上述模組基板之邊緣而配設之 多個電極端子，以及被配置在比該些電極端子還要靠內側 的電源電位供給用端子所構成； 上述電源電位供給用端子係以彼此獨立的多個電極端 子所構成。 4 0 ·如申請專利範圍第3 9項之混合積體電路裝置 ，其中上述電源電位供給用端子爲地面電極。 4 1 · 一種混合積體電路裝置，其主要係針對一·具有 模組基板，被安裝在上述模組基板之主面的多個電子零件 ，以及被設在上述模組基板之背面之多個電極端子的混合 積體電路裝置，其特徵在於： 上述電極端子的一部份係以保護膜來覆蓋。 4 2 .如申請專利範圍第4 1項之混合積體電路裝置· ，其中上述多個電極端子係包含多個信號端子及多個電源 電位供給用端子。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項之混合積體電路裝置 ，其中上述信號端子係配置在上述模組基板周邊，上述電 源電位供給用端子係配置於比信號端子還要靠內側。 4 4 .如申請專利範圍第4 2項之混合積體電路裝置 ，其中上述電源電位供給用端子除了沿著上述模組基板之 一邊設有多個外，也沿著與上述一邊呈直交的方向設有多 個。 4 5 .如申請專利範圍第4 1項之混合積體電路裝置 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575949 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 ，其中上述多個電極端子爲L GA構造。 4 6 . —種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有 模組基板，被安裝在上述模組基板之主面的多個電子零件 ，以及被設在上述模組基板之背面之多個電極端子的混合 積體電路裝置，其特徵在於： 上述電源電位供給用端子除了沿著上述模組基板之一 邊設有多個外，也沿著與上述一邊呈直交的方向設有多個 〇 4 7 .如申請專利範圍第4 6項之混合積體電路·裝置 ，其中上述電源電位供給用端子係配置於比上述信號端子 還要靠內側。 4 8 .如申請專利範圍第4 6項之混合積體電路裝置 ，其中上述信號端子的一部份係以保護膜來覆蓋。 4 9 . 一種混合積體電路裝置，其主要係針對一具有· 模組基板，被安裝在上述模組基板之主面的多個電子零件 ，以及被設在上述模組基板之背面之多個電極端子的混合 積體電路裝置，其特徵在於： 上述電源電位供給用端子除了沿著上述模組基板之一 邊設有多個外，也沿著與上述一邊呈直交的方向殺有多個 上述電源電位供給用端子係配置於比上述信號端子還 要靠內側； · 上述信號端子及電源電位供给用端子的周邊部係以保 護膜來覆蓋。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI712260B (zh) * 2018-09-14 2020-12-01 日商村田製作所股份有限公司 高頻功率放大器以及功率放大模組

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW575949B (en) 2001-02-06 2004-02-11 Hitachi Ltd Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus
US6949916B2 (en) * 2002-11-12 2005-09-27 Power-One Limited System and method for controlling a point-of-load regulator
US7394445B2 (en) 2002-11-12 2008-07-01 Power-One, Inc. Digital power manager for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7456617B2 (en) * 2002-11-13 2008-11-25 Power-One, Inc. System for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators by a host
US7882372B2 (en) * 2002-12-21 2011-02-01 Power-One, Inc. Method and system for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7836322B2 (en) * 2002-12-21 2010-11-16 Power-One, Inc. System for controlling an array of point-of-load regulators and auxiliary devices
US7266709B2 (en) 2002-12-21 2007-09-04 Power-One, Inc. Method and system for controlling an array of point-of-load regulators and auxiliary devices
US7737961B2 (en) 2002-12-21 2010-06-15 Power-One, Inc. Method and system for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7743266B2 (en) * 2002-12-21 2010-06-22 Power-One, Inc. Method and system for optimizing filter compensation coefficients for a digital power control system
US7673157B2 (en) * 2002-12-21 2010-03-02 Power-One, Inc. Method and system for controlling a mixed array of point-of-load regulators through a bus translator
US7373527B2 (en) * 2002-12-23 2008-05-13 Power-One, Inc. System and method for interleaving point-of-load regulators
US7710092B2 (en) 2003-02-10 2010-05-04 Power-One, Inc. Self tracking ADC for digital power supply control systems
US7080265B2 (en) * 2003-03-14 2006-07-18 Power-One, Inc. Voltage set point control scheme
US6940724B2 (en) * 2003-04-24 2005-09-06 Power-One Limited DC-DC converter implemented in a land grid array package
JP2005026263A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 混成集積回路
JP2005159157A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7372682B2 (en) * 2004-02-12 2008-05-13 Power-One, Inc. System and method for managing fault in a power system
TWI321342B (en) * 2004-11-05 2010-03-01 Altus Technology Inc An integrate circuit chip encapsulation and the method of manufacturing it
CN100454523C (zh) * 2004-11-06 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 集成电路晶片封装及其制造方法
US7141956B2 (en) * 2005-03-18 2006-11-28 Power-One, Inc. Digital output voltage regulation circuit having first control loop for high speed and second control loop for high accuracy
US7554310B2 (en) * 2005-03-18 2009-06-30 Power-One, Inc. Digital double-loop output voltage regulation
US7327149B2 (en) * 2005-05-10 2008-02-05 Power-One, Inc. Bi-directional MOS current sense circuit
JP4692152B2 (ja) * 2005-08-23 2011-06-01 株式会社村田製作所 回路モジュール及びその製造方法
DE102005055950A1 (de) * 2005-11-24 2007-05-31 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Passivierung wenigstens eines Bauelements durch ein Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1804524A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-04 3M Innovative Properties Company A telecommunications assembly including at least one telecommunications module, a test bus and a kit of parts
JP4731336B2 (ja) * 2006-01-31 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
US8623737B2 (en) * 2006-03-31 2014-01-07 Intel Corporation Sol-gel and mask patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same
DE102007010883A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100798896B1 (ko) * 2007-06-07 2008-01-29 주식회사 실리콘웍스 반도체 칩의 패드 배치 구조
JP4977902B2 (ja) * 2007-10-10 2012-07-18 国立大学法人電気通信大学 アンテナ制御回路基板の構造およびアンテナ装置
JPWO2009048154A1 (ja) * 2007-10-12 2011-02-24 日本電気株式会社 半導体装置及びその設計方法
US7834613B2 (en) * 2007-10-30 2010-11-16 Power-One, Inc. Isolated current to voltage, voltage to voltage converter
US7928635B2 (en) * 2008-01-07 2011-04-19 Epson Toyocom Corporation Package for electronic component and piezoelectric resonator
CN101800215B (zh) * 2009-02-11 2012-07-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通讯模组封装构造
JP2010219210A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
DE112010005175T5 (de) * 2010-01-25 2012-10-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektronisches Modul und Kommunikationsvorrichtung
CN102543961B (zh) * 2010-12-09 2014-08-13 矽品精密工业股份有限公司 防静电破坏及防电磁波干扰的封装件及其制法
JP5204271B2 (ja) * 2011-06-16 2013-06-05 株式会社東芝 内視鏡装置および基板
US8497558B2 (en) 2011-07-14 2013-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for wafer level packaging
US8766453B2 (en) * 2012-10-25 2014-07-01 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit having large solder pads and method for forming
US8847409B1 (en) 2013-06-03 2014-09-30 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Compliant micro-socket hybridization method
KR101983142B1 (ko) * 2013-06-28 2019-08-28 삼성전기주식회사 반도체 패키지
US9041205B2 (en) 2013-06-28 2015-05-26 Intel Corporation Reliable microstrip routing for electronics components
JP6070588B2 (ja) * 2014-01-24 2017-02-01 株式会社村田製作所 多層配線基板
CN103956343B (zh) * 2014-05-09 2016-10-19 应达利电子股份有限公司 一种芯片封装结构及其制作工艺
WO2016067969A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び回路モジュール
KR102350499B1 (ko) * 2015-02-17 2022-01-14 삼성전자주식회사 전자장치용 전자기 쉴드 구조
US9883582B2 (en) * 2015-11-20 2018-01-30 Hamilton Sundstrand Corporation Circuit boards and circuit board assemblies
US9595455B1 (en) * 2016-06-09 2017-03-14 Nxp B.V. Integrated circuit module with filled contact gaps
CN106952886B (zh) * 2017-03-25 2019-08-09 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种射频芯片封装结构
WO2018186065A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN108112184B (zh) * 2017-11-02 2020-08-04 安徽华东光电技术研究所 一种s波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法
KR102252718B1 (ko) * 2018-01-09 2021-05-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈
JP6986492B2 (ja) 2018-06-01 2021-12-22 日東電工株式会社 配線回路基板
EP3664289A1 (en) * 2018-12-05 2020-06-10 NXP USA, Inc. Power amplifier with integrated bias circuit having multi-point input
CN110828606A (zh) * 2019-12-09 2020-02-21 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种陶瓷光电耦合器及其制造方法
JP2021103713A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20220157671A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Cree, Inc. Packaged rf power device with pcb routing

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469584A (en) 1977-11-14 1979-06-04 Kyodo Yushi Kk Product surfact protecting agent composition
US4878846A (en) * 1988-04-06 1989-11-07 Schroeder Jon M Electronic circuit chip connection assembly and method
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
USRE34291E (en) * 1989-09-27 1993-06-22 Gec-Marconi Electronic Systems Corp. Hybrid module electronics package
US5239448A (en) * 1991-10-28 1993-08-24 International Business Machines Corporation Formulation of multichip modules
US5280193A (en) * 1992-05-04 1994-01-18 Lin Paul T Repairable semiconductor multi-package module having individualized package bodies on a PC board substrate
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
CA2109441C (en) * 1992-10-29 1997-05-13 Yuhei Kosugi Composite microwave circuit module assembly and its connection structure
US5283717A (en) * 1992-12-04 1994-02-01 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit assembly having interposer lead frame
JPH06244231A (ja) * 1993-02-01 1994-09-02 Motorola Inc 気密半導体デバイスおよびその製造方法
JPH06291216A (ja) 1993-04-05 1994-10-18 Sony Corp 基板及びセラミックパッケージ
US5467252A (en) * 1993-10-18 1995-11-14 Motorola, Inc. Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same
US6835898B2 (en) * 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US5639989A (en) 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
JP2565300B2 (ja) * 1994-05-31 1996-12-18 日本電気株式会社 半導体装置
JP3541491B2 (ja) * 1994-06-22 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品
US5983492A (en) 1996-11-27 1999-11-16 Tessera, Inc. Low profile socket for microelectronic components and method for making the same
JP3419915B2 (ja) * 1994-11-17 2003-06-23 株式会社東芝 リードレスタイプ半導体モジュール
JPH08167630A (ja) 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
JP3684239B2 (ja) * 1995-01-10 2005-08-17 株式会社 日立製作所 低ｅｍｉ電子機器
JP2944449B2 (ja) 1995-02-24 1999-09-06 日本電気株式会社 半導体パッケージとその製造方法
JPH10501102A (ja) * 1995-03-02 1998-01-27 サーキット コンポーネンツ インコーポレーテッド Ｂｇａ ｉ／ｏ ｒｆポートフォーマットとセラミックス基板技術とを使用した９０ｇｈｚまでの周波数領域のマイクロ波回路用の低コスト高性能パッケージ
JPH09226A (ja) 1995-06-16 1997-01-07 Toshio Tai 杉の葉液の製法
JPH0918145A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板
JP2716005B2 (ja) * 1995-07-04 1998-02-18 日本電気株式会社 ワイヤボンド型半導体装置
JP3394364B2 (ja) 1995-07-04 2003-04-07 松下電器産業株式会社 非水電解液電池活物質ＬｉＣｏＯ２の原料用コバルト水酸化物と四酸化三コバルトおよびその製造法
JP2951243B2 (ja) * 1995-08-31 1999-09-20 三洋電機株式会社 集積回路のパッケージ
US5912465A (en) * 1995-09-05 1999-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter
JP3578366B2 (ja) * 1995-10-17 2004-10-20 株式会社ルネサステクノロジ 混成集積回路装置
JPH09153286A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置
US5767447A (en) 1995-12-05 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member
US5721454A (en) * 1995-12-20 1998-02-24 Intel Corporation Integrated circuit package with a plurality of vias that are electrically connected to an internal ground plane and thermally connected to an external heat slug
US5796165A (en) * 1996-03-19 1998-08-18 Matsushita Electronics Corporation High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure
US5773895A (en) * 1996-04-03 1998-06-30 Intel Corporation Anchor provisions to prevent mold delamination in an overmolded plastic array package
TW332923B (en) * 1996-04-19 1998-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor IC
US5672911A (en) 1996-05-30 1997-09-30 Lsi Logic Corporation Apparatus to decouple core circuits power supply from input-output circuits power supply in a semiconductor device package
US5949654A (en) * 1996-07-03 1999-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-chip module, an electronic device, and production method thereof
CN1139125C (zh) * 1996-12-04 2004-02-18 三星电子株式会社 高功率微波混合集成电路
US6492719B2 (en) * 1999-07-30 2002-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JP2975979B2 (ja) * 1996-12-30 1999-11-10 アナムインダストリアル株式会社 ボールグリッドアレイ半導体パッケージ用可撓性回路基板
JP3173410B2 (ja) 1997-03-14 2001-06-04 松下電器産業株式会社 パッケージ基板およびその製造方法
JP2976917B2 (ja) * 1997-03-31 1999-11-10 日本電気株式会社 半導体装置
JP3331902B2 (ja) * 1997-05-08 2002-10-07 株式会社村田製作所 電子部品
US5847936A (en) 1997-06-20 1998-12-08 Sun Microsystems, Inc. Optimized routing scheme for an integrated circuit/printed circuit board
JP3301355B2 (ja) * 1997-07-30 2002-07-15 日立電線株式会社 半導体装置、半導体装置用ｔａｂテープ及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JPH1174407A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3549714B2 (ja) * 1997-09-11 2004-08-04 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6512680B2 (en) * 1997-09-19 2003-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor package
US6435883B1 (en) 1997-09-24 2002-08-20 Raytheon Company High density multichip interconnect decal grid array with epoxy interconnects and transfer tape underfill
US6057175A (en) * 1997-12-04 2000-05-02 Medtronic, Inc. Method of making encapsulated package
US6052287A (en) * 1997-12-09 2000-04-18 Sandia Corporation Silicon ball grid array chip carrier
JPH11224915A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Ricoh Co Ltd 半導体接続用基板
JPH11233684A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Seiko Epson Corp 半導体装置用基板、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
DE19808986A1 (de) * 1998-03-03 1999-09-09 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterchips
US6310303B1 (en) * 1998-03-10 2001-10-30 John J. Luvara Structure for printed circuit design
KR100562349B1 (ko) * 1998-07-06 2006-03-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치
TW473882B (en) 1998-07-06 2002-01-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
GB9818474D0 (en) * 1998-08-26 1998-10-21 Hughes John E Multi-layer interconnect package for optical devices & standard semiconductor chips
US6424034B1 (en) * 1998-08-31 2002-07-23 Micron Technology, Inc. High performance packaging for microprocessors and DRAM chips which minimizes timing skews
EP1123565B1 (en) * 1998-10-02 2011-08-17 Raytheon Company Embedded capacitor multi-chip modules
JP3554212B2 (ja) * 1998-12-21 2004-08-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6229227B1 (en) * 1998-12-28 2001-05-08 Kawasaki Steel Corporation Programmable-value on-chip passive components for integrated circuit (IC) chips, and systems utilizing same
JP2000236040A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2000307452A (ja) * 1999-02-16 2000-11-02 Murata Mfg Co Ltd 高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機
JP3792445B2 (ja) 1999-03-30 2006-07-05 日本特殊陶業株式会社 コンデンサ付属配線基板
JP2000323645A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6335566B1 (en) * 1999-06-17 2002-01-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and an electronic device
US20030156400A1 (en) * 1999-07-15 2003-08-21 Dibene Joseph Ted Method and apparatus for providing power to a microprocessor with intergrated thermal and EMI management
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
US6784558B2 (en) * 1999-12-30 2004-08-31 Intel Corporation Semiconductor device inlcluding optimized driver layout for integrated circuit with staggered bond pads
US6278264B1 (en) * 2000-02-04 2001-08-21 Volterra Semiconductor Corporation Flip-chip switching regulator
AU3230801A (en) * 2000-02-15 2001-08-27 Hitachi Limited Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication device
JP4071914B2 (ja) * 2000-02-25 2008-04-02 沖電気工業株式会社 半導体素子及びこれを用いた半導体装置
US6538898B1 (en) * 2000-05-01 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus of die attachment for BOC and F/C surface mount
US6433411B1 (en) 2000-05-22 2002-08-13 Agere Systems Guardian Corp. Packaging micromechanical devices
JP2001358293A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Toshiba Corp 半導体装置
US6737301B2 (en) * 2000-07-13 2004-05-18 Isothermal Systems Research, Inc. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor
CN1196392C (zh) * 2000-07-31 2005-04-06 日本特殊陶业株式会社 布线基板及其制造方法
TW511422B (en) * 2000-10-02 2002-11-21 Sanyo Electric Co Method for manufacturing circuit device
JP3502033B2 (ja) * 2000-10-20 2004-03-02 沖電気工業株式会社 テスト回路
US6867493B2 (en) * 2000-11-15 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless multi-die carrier
US6582979B2 (en) * 2000-11-15 2003-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded antenna
US6777819B2 (en) * 2000-12-20 2004-08-17 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with flash-proof device
KR100391093B1 (ko) * 2001-01-04 2003-07-12 삼성전자주식회사 히트 싱크가 부착된 볼 그리드 어레이 패키지
TW575949B (en) * 2001-02-06 2004-02-11 Hitachi Ltd Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus
US6465280B1 (en) * 2001-03-07 2002-10-15 Analog Devices, Inc. In-situ cap and method of fabricating same for an integrated circuit device
US6600220B2 (en) * 2001-05-14 2003-07-29 Hewlett-Packard Company Power distribution in multi-chip modules
JP4092890B2 (ja) * 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
US6869831B2 (en) * 2001-09-14 2005-03-22 Texas Instruments Incorporated Adhesion by plasma conditioning of semiconductor chip surfaces
US6796165B2 (en) * 2002-11-18 2004-09-28 Southwest Research Institute Apparatus and method for real-time measurement of mass, size and number of solid particles of particulate matter in engine exhaust

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI712260B (zh) * 2018-09-14 2020-12-01 日商村田製作所股份有限公司 高頻功率放大器以及功率放大模組

Also Published As

Publication number Publication date
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US20070252264A1 (en) 2007-11-01
KR100947943B1 (ko) 2010-03-15
WO2002063688A1 (fr) 2002-08-15
US7755182B2 (en) 2010-07-13
KR20040026134A (ko) 2004-03-27
JPWO2002063688A1 (ja) 2004-06-10
CN101110404A (zh) 2008-01-23
CN100536122C (zh) 2009-09-02
US20110121365A1 (en) 2011-05-26
KR20080087183A (ko) 2008-09-30

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