JP2008160161A - 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置 - Google Patents

混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008160161A
JP2008160161A JP2008075720A JP2008075720A JP2008160161A JP 2008160161 A JP2008160161 A JP 2008160161A JP 2008075720 A JP2008075720 A JP 2008075720A JP 2008075720 A JP2008075720 A JP 2008075720A JP 2008160161 A JP2008160161 A JP 2008160161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
module substrate
frequency power
substrate
terminals
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008075720A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Moriyama
伸治 森山
Tomio Yamada
富男 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2008075720A priority Critical patent/JP2008160161A/ja
Publication of JP2008160161A publication Critical patent/JP2008160161A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183—Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371—Shields or metal cases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3405—Edge mounted components, e.g. terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】実装の信頼性が高い混成集積回路装置の提供。
【解決手段】セラミック配線板からなるモジュール基板と、前記モジュール基板の主面に組み込まれる複数の電子部品と、前記モジュール基板の裏面に設けられた複数の電極端子と、前記モジュール基板の主面を被うように前記モジュール基板に固定されるキャップとを有する混成集積回路装置であって、前記電極端子は前記モジュール基板の縁に沿って配列される複数の電極端子と、これら電極端子よりも内側に配置される電源電位供給用端子からなり、前記モジュール基板の縁に沿って配列される電極端子の少なくとも前記モジュール基板縁寄り部分は保護膜で覆われている。保護膜は十数μｍ以下の厚さとなっている。接続強度向上用端子は相互に独立した複数の分割端子で構成されている。接続強度向上用端子はグランド端子である。
【選択図】図１

Description

本発明は混成集積回路装置及びその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置に係わり、特にセルラー電話機等無線通信装置の送信部に用いる高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置（携帯電話機）に適用して有効な技術に関する。
混成集積回路装置の一つとして、自動車電話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用される高周波電力増幅装置が知られている。混成集積回路装置については、たとえば、特許文献１、特許文献２に記載されている。
特許文献３にはＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体モジュールについて記載されている。
特許文献４には、セラミック多層基板の電極端子の外周端付近からその内部にわたってクラックが入らないようにするために、焼成前の状態において、グリーンシート積層体の表面に電極端子を形成した後、このグリーンシート積層体上に電極端子の径小な部分を残して被覆するパターンのグリーンシート（電極端子に対向する位置に電極端子に比べ径小な貫通孔を形成したグリーンシート）を積層する技術が記載されている。
特開平８−１４８５９７号公報 特開平９−１８１４５号公報 特開平８−１４８５９７号公報 特開平９−１８１４５号公報
携帯電話機用高周波パワーアンプモジュールにおいては、急速な小型・高機能化が進んで来ている。高周波パワーアンプモジュールを実装基板（回路基板）に実装する場合、高周波パワーアンプモジュールのモジュール基板の端面から裏面に掛けて設けられる電極端子（接続端子）を、実装基板のランドに半田付けしている。この実装では、実装基板上に高周波パワーアンプモジュールを位置決め載置した後、あらかじめ実装基板に設けた半田を一時的に加熱（リフロー）して高周波パワーアンプモジュールを実装基板に固定している。
高周波パワーアンプモジュールの小型・高機能化、また高周波パワーアンプモジュールの多ピン化対応及び実装基板上での実装面積縮小を行うため、近年、ＬＧＡ構造のモジュールが増大しつつある。
本発明者等によれば、携帯電話機用の高周波パワーアンプモジュールにおいては、ＬＧＡ構造の場合、以下に示すような問題があることを確認した。
図２４は本発明者による本発明に先立つ検討によって判明した高周波電力増幅装置の実装不良を説明する模式図である。高周波パワーアンプモジュールのモジュール基板１は、多層構造のセラミック配線板で形成され、裏面に電極端子２が設けられる構造になっている。電極端子２はモジュール基板の縁に沿って並んで配置されている。
高周波パワーアンプモジュールを実装基板３に実装（固定）する場合、実装基板３の上面に設けられたランド（フットプリント）４上に電極端子２を重ね合わせ、ランド４や電極端子２の表面にあらかじめ形成した半田等からなるソルダー５を再溶融（リフロー）して、電極端子２をランド４にソルダー５で固定する。図では単一の電極端子２の接続状態しか示さないが、モジュール基板１の全周に亘って設けられた電極端子２の接続が行われ実装が完了する。
しかし、このような高周波パワーアンプモジュールでは、図２４に示すように、モジュール基板１にクラック６が入り、高周波パワーアンプモジュールの信頼性が低下するものがあることが分かった。
電極端子２とソルダー５はいずれも金属であることからその接続強度は強く、セラミックからなるモジュール基板１と電極端子２との接続強度よりも大きくなる。また、モジュール基板１はセラミックであり、熱膨張係数は７×１０-6／℃程度であり、実装基板３はガラエポ基板（ガラス繊維とエポキシ樹脂とで形成された配線基板）等の樹脂配線基板からなることから熱膨張係数は１６×１０-6／℃程度となり、その差は大きい。
この結果、実装基板３と電極端子２の熱収縮の違いから発生する応力によって比較的脆弱なモジュール基板１にはクラック６が発生し易い。クラック６は、応力が最大になる箇所（点）から発生し、図２４に示すようにモジュール基板１の内部に伸びる。図２４で示す点線矢印はクラック発生させる応力の作用方向を示す。このようなクラック６の発生は高周波パワーアンプモジュールの信頼性の低下を引き起こす原因となる。
一方、特許文献４には、前述のように、セラミック多層基板の電極端子の外周端付近からその内部にわたってクラックが入らないようにするために、焼成前の状態において、グリーンシート積層体の表面に電極端子を形成した後、このグリーンシート積層体上に電極端子の径小な部分を残して被覆するパターンのグリーンシート（電極端子に対向する位置に電極端子に比べ径小な貫通孔を形成したグリーンシート）を積層する技術が記載されているが、クラック発生のメカニズムについては詳細に記されていない。
本発明者等によれば、クラックはモジュール基板の両端または両側の縁に近接する電極端子の縁側で発生し易いことを知見した。即ち、クラックはモジュール基板１の縁に近接した電極端子２のモジュール基板の縁寄りの部分で発生し易いことから、この部分を少なくとも保護膜で被うことによってクラックの発生を抑止することができる。
また、前記従来の技術、即ち、電極端子に対向する位置に電極端子に比べ径小な貫通孔を形成したグリーンシートを重ね、その後焼成する技術では、前記径小な貫通孔を形成するため、またその貫通孔の最も狭くなる縁部分の破損を防止するためには、貫通孔の最も狭くなる縁部分を広くする必要があり、その分グリーンシートが大きくなる。換言するならば、高周波電力増幅装置が大きくなる。
また、グリーンシートに貫通孔を有するグリーンシートを重ね合わせる場合、貫通孔有りグリーンシートが確実に電極端子の縁を被うようにするためには、余裕度を見込まなくてはならず、これもグリーンシートの大型化となる。
従って、従来のグリーンシートの重ね合わせによる技術では、グリーンシートの外形寸法が大きくなり、モジュール基板の小型化、即ち高周波パワーアンプモジュールの小型化が妨げられることになる。
また、貫通孔有りグリーンシートは、その取扱いにおいて余り薄くては破れる等破損し易いため、ある程度の厚さが必要となり、その分グリーンシートの使用量が多くなり、コストが高くなる。
本発明の目的は、実装の信頼性が高い混成集積回路装置及びその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、実装の信頼性が高くかつ製造コストの低減を図ることができる混成集積回路装置及びその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、実装の信頼性が高い高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、実装の信頼性が高くかつ製造コストの低減を図ることができる高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面からあきらかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）混成集積回路装置は以下のような構成である。即ち、矩形状のセラミック配線板からなるモジュール基板と、前記モジュール基板の主面に組み込まれる複数の電子部品と、前記モジュール基板の裏面に設けられた複数の電極端子と、前記モジュール基板の主面を被うように前記モジュール基板に固定される金属製のキャップとを有する混成集積回路装置であって、前記電極端子は前記モジュール基板の縁に沿って配列される複数の電極端子と、これら電極端子よりも内側に配置される電源電位供給用端子からなり、前記モジュール基板の縁に沿って配列される電極端子の少なくとも前記モジュール基板縁寄り部分は保護膜で覆われている。前記モジュール基板には複数の半導体増幅素子が従続接続されて高周波電力増幅装置が形成されている。保護膜は印刷によって形成された十数μｍ程度以下の厚さとなり、ガラス層やソルダレジスト層で形成されている。
また、前記モジュール基板に前記キャップを固定する固定部は、前記キャップの一部で形成される弾力的に作用するフックと、前記モジュール基板に設けられ前記係止部が引っ掛けられる係止部とで形成され、前記フック及び前記係止部は前記キャップ及び前記モジュール基板の４隅に設けられている。
モジュール基板の４隅は内側に窪みこの窪み部分に導体からなる係止部が設けられ、前記係止部に前記キャップに設けられるフックが引っ掛かるように構成されている。この状態でも前記キャップの外形は矩形状になっている。また、モジュール基板の４隅にはグランド端子が設けられていて、このグランド端子は導体からなる前記係止部に電気的に接続されている。フックの下端は前記モジュール基板の底面または底面近傍にまで延在している。
前記接続強度向上用端子は相互に独立した複数の分割端子で構成されている。例えば、前記電源電位供給用端子は前記モジュール基板の一辺に沿って複数設けられるとともに、前記一辺に直交する方向に沿って複数設けられている。この接続強度向上用端子はグランド電極である。
（２）混成集積回路装置は以下の方法によって製造される。即ち、セラミック配線板からなるモジュール基板と、前記モジュール基板の主面に組み込まれる複数の電子部品と、前記モジュール基板の裏面に設けられる複数の電極端子と、前記モジュール基板の主面を被うように前記モジュール基板に固定されるキャップとを有する混成集積回路装置の製造方法であって、配線パターンが形成された複数のグリーンシートを重ね合わせるとともにプレスして裏面に電極端子部を有する１枚の積層グリーンシートを形成する工程と、前記積層グリーンシートの縁に沿って設けられる電極端子部の少なくとも前記積層グリーンシート縁寄り部分を被うようにペーストを印刷して保護部を形成する工程と、前記積層グリーンシート及び前記電極端子部並びに前記保護部を焼成して保護膜で一部が被われた電極端子を有する前記モジュール基板を形成する工程とを有する。
（３）電子装置は以下のような構成である。即ち、主面に混成集積回路装置を固定するためのランドを有する実装基板と、高周波電力増幅装置とを有し、前記高周波電力増幅装置の電極端子を前記ランド上にソルダーを介して電気的に接続される電子装置であって、前記混成集積回路装置は矩形状のセラミック配線板からなるモジュール基板と、前記モジュール基板の主面に組み込まれる複数の電子部品と、前記モジュール基板の裏面に設けられた複数の電極端子と、前記モジュール基板の主面を被うように前記モジュール基板に固定される矩形状の金属製のキャップとを有する混成集積回路装置であり、矩形状の前記モジュール基板の４隅にはグランド端子が設けられ、前記モジュール基板に前記キャップを固定する固定部は、前記キャップの一部で形成される弾力的に作用するフックと前記モジュール基板に設けられ前記フックが引っ掛けられる係止部とで形成され、前記フックは前記実装基板の主面に設けられたランドにソルダーを介して固定されている。前記モジュール基板の４隅は内側に窪みこの窪み部分に前記係止部が設けられ、前記キャップの外形は矩形状になっている。前記電極端子は前記モジュール基板の縁に沿って配列される複数の電極端子と、これら電極端子よりも内側に配置される複数の電源電位供給用端子からなり、前記電源電位供給用端子は前記実装基板の主面に設けられたランドにソルダーを介して固定されている。前記モジュール基板の縁に沿って並ぶ電極端子の少なくとも前記モジュール基板縁寄り部分は十数μｍ程度以下の厚さの保護膜で覆われている。前記混成集積回路装置は高周波電力増幅装置であり、無線通信装置を構成する。
上記（１）の構成による高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）によれば、（ａ）高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）においては、モジュール基板の縁に沿って配列されるＬＧＡ構造の電極端子は、モジュール基板の縁寄りの部分が保護膜で被われているので、携帯電話機の実装基板に搭載した場合、電極端子とモジュール基板との間で熱応力が働いても、電極端子のモジュール基板の縁寄り部分の境界部分からモジュール基板にクラックが発生しなくなり、パッケージ内にクラックを通しての水分の浸入等が防止でき、高周波電力増幅装置及び携帯電話機の信頼性を高めることができるとともに寿命も長くすることができる。
（ｂ）保護膜はペーストを印刷して形成することから、その厚さも十数μｍ程度以下と薄くさせることができるため、モジュール基板の薄型化が達成できるとともに、ペーストの使用量低減から製造コストの低減が達成できる。従って、携帯電話機の製造コスト低減も達成できる。
（ｃ）保護膜はペーストを印刷して形成し、貫通孔を有するグリーンシートと比較して薄いことから、モジュール基板の寸法も小さくできる結果、高周波電力増幅装置の小型化が達成できる。従って、携帯電話機の小型化も達成できる。
（ｄ）高周波電力増幅装置を実装基板に固定する場合、電極端子の他に電源電位供給用端子も接続用端子として使用できることから、高周波電力増幅装置の実装強度が高くなる。また、この電源電位供給用端子はグランド端子ともなることから、高周波電力増幅装置のグランド電位が各回路部分において安定し、安定した動作が期待できる。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（ｅ）電源電位供給用端子はモジュール基板の長辺及び短辺に沿ってそれぞれ複数設けられている。これにより、高周波電力増幅装置の実装におけるリフロー時、複数箇所の溶けたソルダー上に高周波電力増幅装置が乗ることになり、高周波電力増幅装置が実装基板に対して傾斜し難くなり、モジュール基板全体が実装基板から一定の間隔を隔てて実装されるようになり、パワー，効率等の特性が安定する。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（ｆ）モジュール基板の長辺の両端部分に窪み部分を設け、この窪み部分でキャップのフックをモジュール基板の係止部に引っ掛けてパッケージを形成する構造になっていることと、このフックを支持するフック支持アームに付着する半田フィレットの突出長さを０．３μｍ程度と短くしていることから、実装面積は略キャップの外周縁によって規定される面積以内と略なる結果、実装面積の縮小が達成できる。従って、携帯電話機の小型化も達成できる。
（ｇ）フック支持アームの下縁は、モジュール基板の下面または下面近傍にまで延在していることから、高周波電力増幅装置を実装基板にソルダーを介して搭載した場合、グランド用ランドにソルダーを介して電気的に接続され、高周波電力増幅装置の固定強度向上、グランド接地が確実となる。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（ｈ）グランド端子を矩形状のモジュール基板の４隅に設けることで、信号端子や電源端子等を含む外部端子のレイアウトの設計が、高周波電力増幅装置においても容易になるとともに、この高周波電力増幅装置を実装する実装基板の配線レイアウトが容易になる実益がある。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
図１乃至図１７は本発明の一実施形態（実施形態１）である高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機に係わる図である。図１乃至図１１は高周波電力増幅装置に係わる図で、図１２乃至図１５は携帯電話機に係わる図である。
本実施形態１では、混成集積回路装置として、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）用の増幅系とＤＣＳ（Digital Cellular System）用の増幅系を有する高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）と、前記高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機に本発明を適用した例について説明する。
高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）１０は、図１及び図２に示すように外観的には偏平な矩形体構造になっている。
高周波電力増幅装置１０は、セラミック配線板からなるモジュール基板１１と、このモジュール基板１１の一面側（主面側）に重ねて取り付けられたキャップ１２とによって偏平矩形体構造のパッケージ１３が構成された構造になっている。
キャップ１２は、電磁シールド効果の役割を果たす金属製であり、プレスによる成形品となっている。図２に示すように、キャップ１２は金属板を矩形箱状に折り曲げ成形して、下面周縁に沿って突出した周壁３０を有する構造となっている。また、キャップ１２の長辺の両端部分からはさらに下方に突出するフック支持アーム３１が設けられている。このフック支持アーム３１の先端側の内側には、これも成形によって形成された突出するフック３２が設けられている。図４に示すように、前記フック支持アーム３１は弾力的に作用してモジュール基板１１に設けられた段差部分で形成される係止部３３に引っ掛けられる。モジュール基板１１の４隅は図３に示すように、フック支持アーム３１が入るように一段窪み、この窪み部分３４は図４に示すように厚さ方向に段付き状になり、この段付き部分の突出部分の下面が係止部３３になり、この係止部３３にフック３２が引っ掛かる。
係止部３３からモジュール基板１１の下面に亘って導体層３５が設けられている。この導体層３５のモジュール基板１１の裏面に延在する部分は端子３５ａとなり、高周波電力増幅装置１０を実装基板に固定する際の接続端子として、またグランド端子として使用できる。換言するならば、図１５に示すように、実装基板３６の表面（主面）に前記端子３５ａに対応してグランド用ランド３７を設けておけば、電磁シールド体として使用されるキャップ１２はフック３２，導体層３５を介して、実装基板のグランドに接続することができる。また、フック支持アーム３１の下縁は、図４に示すように、モジュール基板１１の下面または下面近傍にまで延在していることから、高周波電力増幅装置１０を実装基板３６にソルダー３８を介して搭載する際、図１３に示すように、グランド用ランド３７にソルダー３８を介して電気的に接続され、高周波電力増幅装置１０の固定強度向上、グランド接地が確実となる。
また、グランド端子を矩形状のモジュール基板１１の４隅に設けることで、信号端子や電源端子等を含む外部端子のレイアウトの設計が、高周波電力増幅装置１０においても容易になるとともに、この高周波電力増幅装置１０を実装する実装基板の配線レイアウトが容易になる実益がある。
モジュール基板１１は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成のセラミック配線板からなっている。モジュール基板１１の主面には、図１に示すように、チップ抵抗１５，チップコンデンサ１６等が搭載されている。また、モジュール基板１１の主面に設けた窪み底には半導体増幅素子が組み込まれた半導体チップ１７が搭載されている。この半導体チップ１７の図示しない電極と、モジュール基板１１の主面に設けられた図示しない配線は導電性のワイヤ１８で電気的に接続されている。また、半導体チップ１７やワイヤ１８等は絶縁性樹脂１９で被われて耐湿性の向上が図られている。
モジュール基板１１の裏面（底面）には、図１及び図３に示すように、電極端子２０がモジュール基板１１の縁に沿って複数設けられるとともに、その内側の領域には電源電位供給用端子２１が複数設けられている。電極端子２０及び電源電位供給用端子２１は、ＬＧＡ構造の表面実装型となり、モジュール基板１１の裏面に形成された導体層で形成されている。この導体層の表面にはソルダーが設けられている。
高周波電力増幅装置１０を実装基板に固定する場合、電極端子２０の他に電源電位供給用端子２１も接続用端子として使用できることから、高周波電力増幅装置１０の実装強度が高くなる。また、この電源電位供給用端子２１はグランド端子ともなることから、高周波電力増幅装置１０のグランド電位が各回路部分において安定し、安定した動作が期待できる。
チップ抵抗１５，チップコンデンサ１６，半導体チップ１７はモジュール基板１１の主面に設けられた電極パッド２２や搭載パッド２３に接続されて固定されている。電極パッド２２及び搭載パッド２３も導電性のメタライズ層で形成されている。半導体チップ１７を搭載するモジュール基板部分には複数の貫通した孔（ビァホール）が設けられるとともに、この孔には導体２４が充填されている。この導体２４は搭載パッド２３と電源電位供給用端子２１とを電気的に接続している。場合によってはこの電源電位供給用端子２１は前記半導体チップ１７のグランドに電気的に接続されるグランド端子となる。即ち、電源電位供給用端子２１は全てグランド端子となる場合、または一部がグランド端子となり、一部が実装時の接続強度向上のための端子となる。
電源電位供給用端子２１はモジュール基板１１の長辺に沿って複数設けられ、短辺に沿って複数設けられている。これは、リフロー実装時、溶けたソルダー上にモジュール基板１１、即ち高周波電力増幅装置１０が乗った際、電源電位供給用端子２１が一つの場合では、高周波電力増幅装置１０が実装基板に対して傾斜するおそれがある。そこで、本実施形態１では電源電位供給用端子２１をモジュール基板１１の長辺及び短辺に沿ってそれぞれ複数設けることによって、実装基板３６を水平にした状態でソルダー３８を溶かした際、各電源電位供給用端子２１部分でモジュール基板１１（高周波電力増幅装置１０）を水平に支持させ、図１２に示すように、これによって実装基板に対して高周波電力増幅装置１０が傾斜して固定されないようにするものである。
モジュール基板１１の縁に沿って設けられる電極端子２０は以下の機能を有する端子になっている。図３では説明の便宜上電極端子２０の外側にそれぞれ番号が付してある。１，８，９，１２，１３，１８，１９，２０及び２４はノンコンタクト端子（ＮＣ）であり、２，１０及び２２はＧＮＤ用端子であり、３，４，５はＶdd−ＧＳＭ用端子であり、６はＶapc−ＧＳＭ用端子であり、７はＰout−ＤＣＳ用端子であり、１１はＰout−ＧＳＭ用端子であり、１４はＶapc−ＤＣＳ用端子であり、１５，１６及び１７はＶdd−ＤＣＳ用端子であり、２１はＰin−ＧＳＭ用端子であり、２３はＰin−ＤＣＳ用端子である。
一方、これが本発明の特徴の一つであるが、図１に示すように、電極端子２０のモジュール基板縁寄り部分は保護膜４０で覆われている（図３，図５，図１４参照）。図３においては、電極端子２０，電源電位供給用端子２１，導体層３５はいずれも導体であることから点々を施して示してある。
前記保護膜４０は以下の手順で形成される。先ず最初に、配線パターンが形成された複数のグリーンシートを重ね合わせるとともにプレスして裏面に電極端子部を有する１枚の積層グリーンシートを形成する。その後、少なくとも前記電極端子の周縁部分を被うようにガラスやソルダレジスト等からなるペーストを印刷して保護部を形成する。次いで、前記グリーンシート及び前記電極端子部並びに前記保護部を焼成処理する。
前記焼成によって、積層グリーンシートは焼成されたモジュール基板になり、表面の電極端子部は電極端子となり、電極端子部の一部を被う保護部は保護膜となる。印刷では、薄くペーストを印刷し、保護膜が十数μｍ程度以下の厚さとさせる。これにより、ペーストの使用量が少なくなり、モジュール基板の製造コストを下げることができるとともに、モジュール基板１の薄型化が達成できる。
また、印刷は印刷位置がスクリーンのパターンによって決まるため、印刷位置は前記パターンの変更で自由に選択できる。従って、微細なパターンも正確かつ確実に印刷できる。この結果、貫通孔を設けたグリーンシートを重ねて保護膜を形成する場合に比較して、モジュール基板の寸法を、電極端子を基板の縁に近づけられる分だけ小さくすることができる。これはモジュール基板の小型化、換言するならば高周波電力増幅装置の小型化が可能になる。
図９は電極端子部４７が裏面に形成された積層グリーンシート４３にスクリーン印刷によって保護部４８を形成する状態を示す模式図である。スクリーン印刷において、枠４１に張られたスクリーン４２を積層グリーンシート４３の裏面に位置決めして重なるように近接させ、その後スキージ４４を移動させてスクリーン４２上のペースト４５を選択的に積層グリーンシート４３の裏面に印刷して保護部４８を形成する。
その後、電極端子部４７及び保護部４８を含み積層グリーンシート４３を焼成処理する。この焼成処理によって、電極端子部４７は電極端子２０になり、保護部４８は保護膜４０になり、積層グリーンシート４３はモジュール基板１１になり、図５に示すようになる。
図１５は高周波電力増幅装置１０が搭載される実装基板３６の一部の平面図である。ランドは、前記端子３５ａに対応する４隅のグランド用ランド３７と、このグランド用ランド３７間に配列される電極端子２０が固定される電極端子用のランド４９ａと、電源電位供給用端子２１が固定されるランド４９ｂとからなっている。これらのランドの表面にはソルダーが形成されている。
つぎに、本実施形態１の高周波電力増幅装置１０の製造方法について、図６のフローチャート等を参照しながら簡単に説明する。高周波電力増幅装置１０は、図６のフローチャートで示すように、積層グリーンシート用意（（ステップ１０１：Ｓ１０１）、保護部印刷（Ｓ１０２）、焼成（Ｓ１０３）、モジュール基板へ半田塗布（Ｓ１０４）、部品搭載（Ｓ１０５）、リフロー（Ｓ１０６）、洗浄（Ｓ１０７）、ワイヤボンディング（Ｓ１０８）、レジンコーティング（Ｓ１０９）、ベーク（Ｓ１１０）、キャップ（ＣＡＰ）取り付け（Ｓ１１１）、モジュール基板分割（Ｓ１１２）、選別（Ｓ１１３）及び梱包（Ｓ１１４）の各工程を経て出荷される。モジュール基板は単一の製品ごとに製造してもよいが、前述のようにキャップを取り付けた後に分割するようにする方法もある。
積層グリーンシート４３は、例えば、図７に示すように、複数の誘電体板（グリーンシート）を重ねてプレスしたものである。図７ではグリーンシートは５枚重ねた構造になっている。この図は図１に対応する。
積層グリーンシート４３の裏面には電極端子２０や電源電位供給用端子２１になる導体層７０が形成され、主面には各電子部品を搭載する電極パッド２２や搭載パッド２３となる導体層７０が形成されている。なお、これら導体層７０のうち、電極端子２０になる導体層を前述のように電極端子部４７と呼称している。また、半導体チップを搭載する箇所では、上から１番目と２番目のグリーンシートが打ち抜かれ、この結果積層グリーンシート４３の状態では窪みとなっている。この窪み底にも導体層７０が形成されている（Ｓ１０１）。
つぎに、積層グリーンシート４３を裏返しにした後、電極端子２０の積層グリーンシート４３の縁寄りの縁部分を前述のように印刷して保護部４８を形成する（Ｓ１０２）とともに、焼成（Ｓ１０３）して、図８に示すように、電極端子２０や電源電位供給用端子２１等を有するモジュール基板１１を形成する。電極端子２０のモジュール基板１１の縁に寄る縁部分は保護膜４０で被われる。また、電極パッド２２，搭載パッド２３，導体２４等も形成される。また、このモジュール基板１１においては、配線はストリップライン構造やマイクロストリップライン構造となる。
その後、各導体層の表面に半田を塗布（Ｓ１０４）した後、半導体チップ１７，チップ抵抗１５，チップコンデンサ１６等の電子部品を搭載する（Ｓ１０５）とともに、半田（ソルダー）をリフロー（Ｓ１０６）して電子部品を固定する。
一例を挙げるならば、モジュール基板１の厚さは０．８ｍｍ程度であり、幅１５ｍｍ、長さ８ｍｍとなっている。また、電極端子の電極の厚さは１０μｍ程度である。また、電極端子の一部を被う保護膜の厚さは十数μｍ程度以下の厚さとなっている。
その後、洗浄（Ｓ１０７）してフラックスを洗い流し、ついで図１１に示すように、半導体チップ１７の図示しない電極と配線部分を導電性のワイヤ１８で接続（Ｓ１０８）し、絶縁性樹脂１９で半導体チップ１７やワイヤ１８等を被う（Ｓ１０９）。
つぎに、ベークを行い、絶縁性樹脂１９を硬化させる（Ｓ１１０）。
つぎに、キャップ１２を取り付け（Ｓ１１１）た後、モジュール基板１１を分割し（Ｓ１１２）て図２に示すような高周波電力増幅装置１０を製造し、ついで、特性選別（Ｓ１１３）して良品のみを梱包（Ｓ１１３）して出荷する。
ここで、本発明の高周波電力増幅装置１０を組み込んだ電子装置、即ち、携帯電話機（無線通信装置）について説明する。高周波電力増幅装置１０は携帯電話機（無線通信装置）の実装基板３６に搭載される。図１２は実装基板３６に搭載された高周波電力増幅装置１０を示す。実装においては、図１５で示すランドパターンを有する実装基板３６を用意した後、この実装基板３６上に高周波電力増幅装置１０を位置決めして載置する。その後、ランド（３７，４９ａ，４９ｂ）や端子（２０，２１，３５ａ）の表面にあらかじめ設けたソルダーをリフローして接続し、図１２に示すような携帯電話機（高周波電力増幅装置１０の実装構造部分のみを示す〕を製造する。
図１３はフック３２部分の実装状態を示す断面図である。グランド用ランド３７にソルダー３８を介して導体層３５及びフック３２並びにフック支持アーム３１の下端が接続されている。フック支持アーム３１の外面に形成される半田フィレットの突出長さは、例えば、０．３μｍ程度と小さい。モジュール基板１１の長辺の両端部分に窪み部分３４を設け、この窪み部分でキャップ１２のフック３２をモジュール基板１１の係止部３３に引っ掛けてパッケージを形成する構造になっていることと、前述の半田フィレットの突出長さが０．３μｍと短いことから、グランド用ランド３７を基板側部を延長してできる矩形の内部に配置することができる。従って、携帯電話機における実装基板３６の寸法を小さくでき、携帯電話機の小型化も達成できる。
また、この実装において、図１４に示すように、モジュール基板１１の縁に沿って配列されるＬＧＡ構造の電極端子２０は、モジュール基板１１の縁寄りの部分が保護膜４０で被われているので、電極端子２０とモジュール基板１１との間で熱応力が働いても、図２４に示すような電極端子２のモジュール基板１の縁寄り部分の境界部分からモジュール基板１にクラック６が発生しなくなる。
この結果、パッケージ１３内にクラックを通しての水分の浸入等が防止でき、高周波電力増幅装置１０の信頼性が高くなるとともに、寿命も長くなる。
本実施形態１の高周波電力増幅装置１０は、モジュール基板１１の配線パターンやモジュール基板１１に搭載される半導体増幅素子を含む電子部品によって、図１６に示すような回路を構成するようになっている。
図１６に示すように、高周波電力増幅装置は、ＧＳＭ用の増幅系ｅとＤＣＳ用の増幅系ｆを有する。増幅系ｅ及び増幅系ｆは、それぞれ使用する電子部品の性能は異なるものもあるが、回路構成は同一となっている。従って、増幅系ｅの説明において、増幅系ｅに対応する増幅系ｆの部品の記号を括弧内に示し、増幅系ｆの説明とする。
増幅系ｅでの外部電極端子は、入力端子としてのＰin−ＧＳＭ（増幅系ｆではＰin−ＤＣＳ）、出力端子としてのＰout−ＧＳＭ（増幅系ｆではＰout−ＤＣＳ）、第１基準電位（電源電位）としてのＶdd−ＧＳＭ（増幅系ｆではＶdd−ＤＣＳ）、バイアス端子としてのＶapc−ＧＳＭ（増幅系ｆではＶapc−ＤＣＳ）である。また、第２基準電位としてのＧＮＤ用端子が設けられている。
Ｐin−ＧＳＭ（Ｐin−ＤＣＳ）とＰout−ＧＳＭ（Ｐout−ＤＣＳ）との間には３段の増幅段が従続接続されている。初段増幅段，第２段増幅段及び第３段増幅段（最終段増幅段）は、いずれもトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３（Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６）で構成されている。
各増幅段を構成するトランジスタのそれぞれは、その段への入力信号及びバイアス電位を受ける制御端子（ゲート電極）と、その段の出力信号を送出する第１の端子（ドレイン電極）と、その段のための基準電位（ＧＮＤ電位）を受けるための第２の端子（ソース電極）とからなっている。
Ｐin−ＧＳＭ（Ｐin−ＤＣＳ）は整合回路Ｌ１（Ｌ８）を介してトランジスタＱ１（Ｑ４）のゲート電極に接続されている。増幅系は３段構成であることから第２段のトランジスタ及び第３段のトランジスタのゲート電極は共に前段のトランジスタのドレイン電極に整合回路Ｌ３（Ｌ１０），Ｌ５（Ｌ１２）を介して接続されている。最終段増幅段である出力段となるトランジスタＱ３（Ｑ６）のドレイン電極は整合回路Ｌ７（Ｌ１４）を介してＰout−ＧＳＭ（Ｐout−ＤＣＳ）に接続されている。
各トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３のドレイン電極は整合回路Ｌ２，Ｌ４，Ｌ６（Ｌ９，Ｌ１１，Ｌ１３）を介してＶdd−ＧＳＭ（Ｖdd−ＤＣＳ）に接続されている。
各トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３のゲート電極はＶapc−ＧＳＭ（Ｖapc−ＤＣＳ）に接続されている。これらゲート電極とＶapc−ＧＳＭ（Ｖapc−ＤＣＳ）との間には、それぞれのゲート電極に印加するバイアス電位を制御するためのバイアス回路が設けられている。バイアス回路は、分圧抵抗を形成するバイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ５（Ｒ６〜Ｒ１０）によって形成されている。
図１６において破線枠で示す部分が半導体チップ（ＦＥＴチップ）１７である。この半導体チップ１７には、ＧＳＭ用の増幅系ｅのトランジスタＱ１，Ｑ２と、これらトランジスタＱ１，Ｑ２のバイアス抵抗比を決めるバイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５と、ＤＣＳ用の増幅系ｆのトランジスタＱ４，Ｑ５と、これらトランジスタＱ４，Ｑ５のバイアス抵抗比を決めるバイアス抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０がモノリシックに組み込まれている。これにより、部品点数の低減を図ることができ、高周波電力増幅装置の小型化及び製造コストの低減を図ることができる。
このような、高周波電力増幅装置は、図１７に示すように携帯電話機に組み込まれて使用される。図１７はデュアルバンド無線通信機の一部を示すブロック図であり、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦlinear）５０からアンテナ（Antenna）５１までの部分を示す。なお、図１７では、高周波電力増幅装置の増幅系はＧＳＭ用の増幅系と、ＤＣＳ用の増幅系の二つを別けて示してあり、その増幅器をＰＡ（パワーアンプ）５８ａ，５８ｂとして示してある。
アンテナ５１はアンテナ送受信切替器５２のアンテナ端子に接続されている。アンテナ送受信切替器５２は、ＰＡ５８ａ，５８ｂの出力を入力する端子Ｐout１，Ｐout２と、受信端子ＲＸ１，ＲＸ２と、制御端子control１，control２とを有している。
高周波信号処理ＩＣ５０からのＧＳＭ用の信号はＰＡ５８ａに送られ、Ｐout１に出力される。ＰＡ５８ａの出力はカプラー５４ａによって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ａを制御する。
また、同様に高周波信号処理ＩＣ５０からのＤＣＳ用の信号はＰＡ５４ｂに送られ、Ｐout２に出力される。ＰＡ５８ｂの出力はカプラー５４ｂによって検出され、この検出信号はＡＰＣ回路５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ｂを制御する。
アンテナ送受信切替器５２はデュプレクサー５５を有している。このデュプレクサー５５は端子有し、１端子は上記アンテナ端子Antenaに接続され、他の２端子の内一方はＧＳＭ用の送信受信切替スイッチ５６ａに接続され、他方はＤＣＳ用の送信受信切替スイッチ５６ｂに接続されている。
送信受信切替スイッチ５６ａのａ接点はフィルター５７ａを介してＰout １に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａのｂ接点は容量Ｃ１を介して受信端子ＲＸ１に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａは制御端子control１に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切替えが行われる。
また、送信受信切替スイッチ５６ｂのａ接点はフィルター５７ｂを介してＰout２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂのｂ接点は容量Ｃ２を介して受信端子ＲＸ２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂは制御端子control２に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切替えが行われる。
受信端子ＲＸ１と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ａと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ａが順次接続されている。また、受信端子ＲＸ２と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ｂと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ｂが順次接続されている。
この無線通信機によってＧＳＭ通信及びＤＣＳ通信が可能になる。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
（１）高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）においては、モジュール基板１１の縁に沿って配列されるＬＧＡ構造の電極端子２０は、モジュール基板１１の縁寄りの部分が保護膜４０で被われているので、携帯電話機の実装基板３６に搭載した場合、電極端子２０とモジュール基板１１との間で熱応力が働いても、電極端子２０のモジュール基板１１の縁寄り部分の境界部分からモジュール基板１１にクラックが発生しなくなり、パッケージ１３内にクラックを通しての水分の浸入等が防止でき、高周波電力増幅装置１０及び携帯電話機の信頼性を高めることができるとともに寿命も長くすることができる。
（２）保護膜４０はペーストを印刷して形成することから、その厚さも十数μｍ程度以下と薄くさせることができるため、モジュール基板１１の薄型化が達成できるとともに、ペーストの使用量低減から製造コストの低減が達成できる。従って、携帯電話機の製造コスト低減も達成できる。
（３）保護膜４０はペーストを印刷して形成し、貫通孔を有するグリーンシートをしないことから、モジュール基板１１の寸法も小さくできる結果、高周波電力増幅装置１０の小型化が達成できる。従って、携帯電話機の小型化も達成できる。
（４）高周波電力増幅装置１０を実装基板３６に固定する場合、電極端子２０の他に電源電位供給用端子２１も接続用端子として使用できることから、高周波電力増幅装置１０の実装強度が高くなる。また、この電源電位供給用端子２１はグランド端子ともなることから、高周波電力増幅装置１０のグランド電位が各回路部分において安定し、安定した動作が期待できる。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（５）電源電位供給用端子２１はモジュール基板１１の長辺及び短辺に沿ってそれぞれ複数設けられている。これにより、高周波電力増幅装置１０の実装におけるリフロー時、複数箇所の溶けたソルダー上に高周波電力増幅装置１０が乗ることになり、高周波電力増幅装置１０が実装基板に対して傾斜し難くなり、モジュール基板１１全体が実装基板３６から一定の間隔を隔てて実装されるようになり、パワー，効率等の特性が安定する。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（６）モジュール基板１１の長辺の両端部分に窪み部分３４を設け、この窪み部分でキャップ１２のフック３２をモジュール基板１１の係止部３３に引っ掛けてパッケージを形成する構造になっていることと、このフック３２を支持するフック支持アーム３１に付着する半田フィレットの突出長さを０．３μｍ程度と短くしていることから、実装面積は略キャップ１２の外周縁によって規定される面積以内と略なる結果、実装面積の縮小が達成できる。従って、携帯電話機の小型化も達成できる。
（７）フック支持アーム３１の下縁は、モジュール基板１１の下面または下面近傍にまで延在していることから、高周波電力増幅装置１０を実装基板３６にソルダー３８を介して搭載した場合、グランド用ランド３７にソルダー３８を介して電気的に接続され、高周波電力増幅装置１０の固定強度向上、グランド接地が確実となる。従って、携帯電話機も安定動作し快適な通話ができる。
（８）グランド端子を矩形状のモジュール基板１１の４隅に設けることで、信号端子や電源端子等を含む外部端子のレイアウトの設計が、高周波電力増幅装置１０においても容易になるとともに、この高周波電力増幅装置１０を実装する実装基板の配線レイアウトが容易になる実益がある。
（実施形態２）
図１８は本発明の他の実施形態（実施形態２）である高周波電力増幅装置の模式的断面図である。図１９は高周波電力増幅装置のモジュール基板の底面図である。図２０は高周波電力増幅装置における電極端子の実装基板への接続状態を示す一部の断面図である。
本実施形態２の例では、図１８乃至図２０に示すように、電極端子２０及び電源電位供給用端子２１の縁全周を保護膜４０で被う例である。本実施形態２の場合も実施形態１と同様な効果を有することになる。
（実施形態３）
図２１は本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅装置の底面図である。本実施形態３の例では、モジュール基板１１の係止部３３を辺の中央に設けたものである。従って、図示しないがキャップ１２に設けるフック支持アーム３１の位置もキャップ１２の辺の中央に位置して、前記係止部３３に対応する。本実施形態３では、端子側のフットプリントがモジュール基板よりはみ出ることなく接続できるので、顧客ボードでの実装面積が向上する効果がある。
（実施形態４）
図２２は本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅装置の斜視図であり、図２３はキャップ１２とモジュール基板１１との係止部の断面図である。本実施形態３では、モジュール基板１１の対抗する２辺にそれぞれ窪み８０を設けるとともに、この窪み８０に嵌合する嵌合片８１をキャップ１２に形成し、キャップ封止時には、キャップ１２の嵌合片８１をモジュール基板１１の窪み８０に嵌合させ、両者をソルダー８２で固定するものである。
本実施形態４によれば、基板分割前にキャップの半田付けを行っても、隣接キャップ同士半田付けされることによる分割不良が発生し難くなる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、実施形態では混成集積回路装置として高周波電力増幅装置に本発明を適用した例について説明したが、他の混成集積回路装置やその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置に適用できる。例えば、携帯電話機関係から言えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）やアンテナスイッチ等にも適用でき、同様な効果を得ることができる。
また、実施形態１では、増幅段を構成する半導体増幅素子（トランジスタ）としてＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）ＦＥＴを用いた例について説明したが、シリコンバイポーラトランジスタ，ＧａＡｓ−ＭＥＳ（Metal-Semiconductor）ＦＥＴ，ＨＢＴ（Hetero Junction Bipolar Transistor），ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor），Ｓｉ−ＧｅＦＥＴ等の他のトランジスタでもよい。
以上のように、本発明にかかる混成集積回路装置は、セルラー電話機等無線通信装置の送信部に用いる高周波パワーアンプモジュールに組み込まれ、無線通信装置として利用される。特に、本発明の高周波パワーアンプモジュールは、モジュール基板の縁寄りの部分が保護膜で被われて保護されているため、高周波パワーアンプモジュールの実装時モジュール基板にクラックが発生し難くなり、実装の信頼性向上に適した技術である。
本発明の一実施形態（実施形態１）である高周波電力増幅装置の模式的断面図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の外観を示す斜視図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置のモジュール基板の底面図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の一部を示す断面図である。 前記モジュール基板の一部を示す模式的断面図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造方法を示すフローチャートである。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、配線や電極端子等が形成された積層状態のグリーンシートを示す模式的断面図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、電極端子の外縁部分を保護膜で被ったモジュール基板の模式的断面図である。 前記保護膜の形成状態を示す模式図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、電子部品を搭載したモジュール基板を示す模式的断面図である。 本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、半導体チップやワイヤを樹脂で被った状態のモジュール基板を示す模式的断面図である。 本実施形態１である携帯電話機における高周波電力増幅装置の実装基板への実装状態を示す模式的断面図である。 前記高周波電力増幅装置の実装状態を示す一部の断面図である。 は前記高周波電力増幅装置における電極端子部分の実装状態を示す一部の断面図である。 前記実装基板におけるランドのレイアウトを示す一部の平面図である。 前記高周波電力増幅装置の等価回路図である。 前記携帯電話機の機能構成を示すブロック図である。 本発明の他の実施形態（実施形態２）である高周波電力増幅装置の模式的断面図である。 本実施形態２の高周波電力増幅装置のモジュール基板の底面図である。 本実施形態２の高周波電力増幅装置における電極端子の実装基板への接続状態を示す一部の断面図である。 本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅装置の底面図である。 本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅装置の斜視図である。 本実施形態４の高周波電力増幅装置の一部の断面図である。 本発明者による本発明に先立つ検討によって判明した高周波電力増幅装置の実装不良を説明する模式図である。
符号の説明
１…モジュール基板、２…電極端子、３…実装基板、４…ランド（フットプリント）、５…ソルダー、６…クラック、１０…高周波電力増幅装置、１１…モジュール基板、１２…キャップ、１３…パッケージ、１５…チップ抵抗、１６…チップコンデンサ、１７…半導体チップ、１８…ワイヤ、１９…絶縁性樹脂、２０…電極端子、２１…電源電位供給用端子、２２…電極パッド、２３…搭載パッド、２４…導体、３０…周壁、３１…フック支持アーム、３２…フック、３３…係止部、３４…窪み部分、３５…導体層、３６…実装基板、３７…グランド用ランド、３８…ソルダー、４０…保護膜、４１…枠、４２…スクリーン、４３…積層グリーンシート、４４…スキージ、４５…ペースト、４７…電極端子部、４８…保護部、４９ａ，４９ｂ…ランド、５０…高周波信号処理ＩＣ、５１…アンテナ、５２…アンテナ送受信切替器、５３…自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）、５４ａ，５４ｂ…カプラー、５５…デュプレクサー、５６ａ，５６ｂ…送信受信切替スイッチ、５７ａ，５７ｂ…フィルター、５８ａ，５８ｂ…ＰＡ（パワーアンプ）、６０ａ，６０ｂ…フィルター、６１ａ，６１ｂ…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、７０…導体層、８０…窪み、８１…嵌合片、８２…ソルダー

Claims (4)

  1. セラミック配線板からなるモジュール基板と、前記モジュール基板の主面に組み込まれる複数の電子部品と、前記モジュール基板の裏面に設けられた複数の電極端子と、前記モジュール基板の主面を被うように前記モジュール基板に固定されるキャップとを有する混成集積回路装置であって、前記モジュール基板の縁に近接する電極端子の少なくとも前記モジュール基板縁寄り部分は保護膜で覆われていることを特徴とする混成集積回路装置。
  2. 前記モジュール基板の縁に沿って並ぶ電極端子の少なくとも前記モジュール基板縁寄り部分は保護膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
  3. 前記保護膜は十数μｍ程度以下の厚さとなっていることを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅装置。
  4. 前記モジュール基板には複数の半導体増幅素子が従続接続されて高周波電力増幅装置が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
JP2008075720A 2001-02-06 2008-03-24 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置 Pending JP2008160161A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008075720A JP2008160161A (ja) 2001-02-06 2008-03-24 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001029982 2001-02-06
JP2008075720A JP2008160161A (ja) 2001-02-06 2008-03-24 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002563534A Division JP4593075B2 (ja) 2001-02-06 2002-01-25 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008160161A true JP2008160161A (ja) 2008-07-10

Family

ID=18894259

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002563534A Expired - Lifetime JP4593075B2 (ja) 2001-02-06 2002-01-25 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置
JP2008075720A Pending JP2008160161A (ja) 2001-02-06 2008-03-24 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002563534A Expired - Lifetime JP4593075B2 (ja) 2001-02-06 2002-01-25 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置

Country Status (6)

Country Link
US (8) US20040080044A1 (ja)
JP (2) JP4593075B2 (ja)
KR (3) KR100947943B1 (ja)
CN (2) CN1491440A (ja)
TW (1) TW575949B (ja)
WO (1) WO2002063688A1 (ja)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW575949B (en) * 2001-02-06 2004-02-11 Hitachi Ltd Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus
US6949916B2 (en) * 2002-11-12 2005-09-27 Power-One Limited System and method for controlling a point-of-load regulator
US7394445B2 (en) * 2002-11-12 2008-07-01 Power-One, Inc. Digital power manager for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7456617B2 (en) * 2002-11-13 2008-11-25 Power-One, Inc. System for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators by a host
US7673157B2 (en) 2002-12-21 2010-03-02 Power-One, Inc. Method and system for controlling a mixed array of point-of-load regulators through a bus translator
US7737961B2 (en) 2002-12-21 2010-06-15 Power-One, Inc. Method and system for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7266709B2 (en) * 2002-12-21 2007-09-04 Power-One, Inc. Method and system for controlling an array of point-of-load regulators and auxiliary devices
US7743266B2 (en) * 2002-12-21 2010-06-22 Power-One, Inc. Method and system for optimizing filter compensation coefficients for a digital power control system
US7882372B2 (en) * 2002-12-21 2011-02-01 Power-One, Inc. Method and system for controlling and monitoring an array of point-of-load regulators
US7836322B2 (en) * 2002-12-21 2010-11-16 Power-One, Inc. System for controlling an array of point-of-load regulators and auxiliary devices
US7373527B2 (en) * 2002-12-23 2008-05-13 Power-One, Inc. System and method for interleaving point-of-load regulators
US7710092B2 (en) 2003-02-10 2010-05-04 Power-One, Inc. Self tracking ADC for digital power supply control systems
US7080265B2 (en) * 2003-03-14 2006-07-18 Power-One, Inc. Voltage set point control scheme
US6940724B2 (en) * 2003-04-24 2005-09-06 Power-One Limited DC-DC converter implemented in a land grid array package
JP2005026263A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 混成集積回路
JP2005159157A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7372682B2 (en) * 2004-02-12 2008-05-13 Power-One, Inc. System and method for managing fault in a power system
TWI321342B (en) * 2004-11-05 2010-03-01 Altus Technology Inc An integrate circuit chip encapsulation and the method of manufacturing it
CN100454523C (zh) * 2004-11-06 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 集成电路晶片封装及其制造方法
US7554310B2 (en) * 2005-03-18 2009-06-30 Power-One, Inc. Digital double-loop output voltage regulation
US7141956B2 (en) * 2005-03-18 2006-11-28 Power-One, Inc. Digital output voltage regulation circuit having first control loop for high speed and second control loop for high accuracy
US7327149B2 (en) * 2005-05-10 2008-02-05 Power-One, Inc. Bi-directional MOS current sense circuit
JP4692152B2 (ja) * 2005-08-23 2011-06-01 株式会社村田製作所 回路モジュール及びその製造方法
DE102005055950A1 (de) * 2005-11-24 2007-05-31 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Passivierung wenigstens eines Bauelements durch ein Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1804524A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-04 3M Innovative Properties Company A telecommunications assembly including at least one telecommunications module, a test bus and a kit of parts
JP4731336B2 (ja) * 2006-01-31 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
US8623737B2 (en) * 2006-03-31 2014-01-07 Intel Corporation Sol-gel and mask patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same
DE102007010883A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100798896B1 (ko) * 2007-06-07 2008-01-29 주식회사 실리콘웍스 반도체 칩의 패드 배치 구조
JP4977902B2 (ja) * 2007-10-10 2012-07-18 国立大学法人電気通信大学 アンテナ制御回路基板の構造およびアンテナ装置
JPWO2009048154A1 (ja) * 2007-10-12 2011-02-24 日本電気株式会社 半導体装置及びその設計方法
US7834613B2 (en) 2007-10-30 2010-11-16 Power-One, Inc. Isolated current to voltage, voltage to voltage converter
US7928635B2 (en) * 2008-01-07 2011-04-19 Epson Toyocom Corporation Package for electronic component and piezoelectric resonator
CN101800215B (zh) * 2009-02-11 2012-07-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通讯模组封装构造
JP2010219210A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
CN102714491B (zh) * 2010-01-25 2015-02-18 株式会社村田制作所 电子模块及通信机
CN102543961B (zh) * 2010-12-09 2014-08-13 矽品精密工业股份有限公司 防静电破坏及防电磁波干扰的封装件及其制法
JP5204271B2 (ja) * 2011-06-16 2013-06-05 株式会社東芝 内視鏡装置および基板
US8497558B2 (en) * 2011-07-14 2013-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for wafer level packaging
US8766453B2 (en) * 2012-10-25 2014-07-01 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit having large solder pads and method for forming
US8847409B1 (en) 2013-06-03 2014-09-30 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Compliant micro-socket hybridization method
US9041205B2 (en) 2013-06-28 2015-05-26 Intel Corporation Reliable microstrip routing for electronics components
KR101983142B1 (ko) * 2013-06-28 2019-08-28 삼성전기주식회사 반도체 패키지
JP6070588B2 (ja) * 2014-01-24 2017-02-01 株式会社村田製作所 多層配線基板
CN103956343B (zh) * 2014-05-09 2016-10-19 应达利电子股份有限公司 一种芯片封装结构及其制作工艺
JP6288294B2 (ja) * 2014-10-31 2018-03-07 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び回路モジュール
KR102350499B1 (ko) * 2015-02-17 2022-01-14 삼성전자주식회사 전자장치용 전자기 쉴드 구조
US9883582B2 (en) * 2015-11-20 2018-01-30 Hamilton Sundstrand Corporation Circuit boards and circuit board assemblies
US9595455B1 (en) * 2016-06-09 2017-03-14 Nxp B.V. Integrated circuit module with filled contact gaps
CN106952886B (zh) * 2017-03-25 2019-08-09 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种射频芯片封装结构
JP6809600B2 (ja) * 2017-04-03 2021-01-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN108112184B (zh) * 2017-11-02 2020-08-04 安徽华东光电技术研究所 一种s波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法
WO2019138760A1 (ja) * 2018-01-09 2019-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6986492B2 (ja) * 2018-06-01 2021-12-22 日東電工株式会社 配線回路基板
JP2020048184A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 株式会社村田製作所 高周波電力増幅器及び電力増幅モジュール
EP3664289A1 (en) * 2018-12-05 2020-06-10 NXP USA, Inc. Power amplifier with integrated bias circuit having multi-point input
CN110828606A (zh) * 2019-12-09 2020-02-21 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种陶瓷光电耦合器及其制造方法
JP2021103713A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20220157671A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Cree, Inc. Packaged rf power device with pcb routing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148597A (ja) * 1994-11-17 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体モジュール
JPH09116091A (ja) * 1995-10-17 1997-05-02 Hitachi Ltd 混成集積回路装置
JPH10275875A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Nec Corp 半導体装置
JPH10308464A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JPH11224915A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Ricoh Co Ltd 半導体接続用基板
JP2000349225A (ja) * 1999-03-30 2000-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469584A (en) 1977-11-14 1979-06-04 Kyodo Yushi Kk Product surfact protecting agent composition
US4878846A (en) * 1988-04-06 1989-11-07 Schroeder Jon M Electronic circuit chip connection assembly and method
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
USRE34291E (en) * 1989-09-27 1993-06-22 Gec-Marconi Electronic Systems Corp. Hybrid module electronics package
US5239448A (en) * 1991-10-28 1993-08-24 International Business Machines Corporation Formulation of multichip modules
US5280193A (en) * 1992-05-04 1994-01-18 Lin Paul T Repairable semiconductor multi-package module having individualized package bodies on a PC board substrate
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
CA2109441C (en) * 1992-10-29 1997-05-13 Yuhei Kosugi Composite microwave circuit module assembly and its connection structure
US5283717A (en) * 1992-12-04 1994-02-01 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit assembly having interposer lead frame
JPH06244231A (ja) * 1993-02-01 1994-09-02 Motorola Inc 気密半導体デバイスおよびその製造方法
JPH06291216A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Sony Corp 基板及びセラミックパッケージ
US5467252A (en) * 1993-10-18 1995-11-14 Motorola, Inc. Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same
US6835898B2 (en) * 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US5639989A (en) 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
JP2565300B2 (ja) * 1994-05-31 1996-12-18 日本電気株式会社 半導体装置
JP3541491B2 (ja) * 1994-06-22 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品
US5983492A (en) 1996-11-27 1999-11-16 Tessera, Inc. Low profile socket for microelectronic components and method for making the same
JPH08167630A (ja) 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
US6353540B1 (en) * 1995-01-10 2002-03-05 Hitachi, Ltd. Low-EMI electronic apparatus, low-EMI circuit board, and method of manufacturing the low-EMI circuit board.
JP2944449B2 (ja) * 1995-02-24 1999-09-06 日本電気株式会社 半導体パッケージとその製造方法
DE69613645T2 (de) * 1995-03-02 2002-05-08 Circuit Components Inc Kostengünstiges hochleistungsgehäuse für mikrowellenschaltungen im 90 ghz-bereich mit bga ein/ausgangsformat und keramischer substrattechnologie
JPH09226A (ja) 1995-06-16 1997-01-07 Toshio Tai 杉の葉液の製法
JPH0918145A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板
JP3394364B2 (ja) 1995-07-04 2003-04-07 松下電器産業株式会社 非水電解液電池活物質ＬｉＣｏＯ２の原料用コバルト水酸化物と四酸化三コバルトおよびその製造法
JP2716005B2 (ja) * 1995-07-04 1998-02-18 日本電気株式会社 ワイヤボンド型半導体装置
JP2951243B2 (ja) * 1995-08-31 1999-09-20 三洋電機株式会社 集積回路のパッケージ
TW331667B (en) * 1995-09-05 1998-05-11 Canon Kk Photoelectric converter
JPH09153286A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置
US5767447A (en) 1995-12-05 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member
US5721454A (en) * 1995-12-20 1998-02-24 Intel Corporation Integrated circuit package with a plurality of vias that are electrically connected to an internal ground plane and thermally connected to an external heat slug
US5796165A (en) * 1996-03-19 1998-08-18 Matsushita Electronics Corporation High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure
US5773895A (en) * 1996-04-03 1998-06-30 Intel Corporation Anchor provisions to prevent mold delamination in an overmolded plastic array package
TW332923B (en) * 1996-04-19 1998-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor IC
US5672911A (en) 1996-05-30 1997-09-30 Lsi Logic Corporation Apparatus to decouple core circuits power supply from input-output circuits power supply in a semiconductor device package
US5949654A (en) * 1996-07-03 1999-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-chip module, an electronic device, and production method thereof
US6492719B2 (en) * 1999-07-30 2002-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
CN1139125C (zh) * 1996-12-04 2004-02-18 三星电子株式会社 高功率微波混合集成电路
JP2975979B2 (ja) * 1996-12-30 1999-11-10 アナムインダストリアル株式会社 ボールグリッドアレイ半導体パッケージ用可撓性回路基板
JP3173410B2 (ja) 1997-03-14 2001-06-04 松下電器産業株式会社 パッケージ基板およびその製造方法
US5847936A (en) 1997-06-20 1998-12-08 Sun Microsystems, Inc. Optimized routing scheme for an integrated circuit/printed circuit board
JP3301355B2 (ja) * 1997-07-30 2002-07-15 日立電線株式会社 半導体装置、半導体装置用ｔａｂテープ及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JPH1174407A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3549714B2 (ja) * 1997-09-11 2004-08-04 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6512680B2 (en) * 1997-09-19 2003-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor package
US6435883B1 (en) 1997-09-24 2002-08-20 Raytheon Company High density multichip interconnect decal grid array with epoxy interconnects and transfer tape underfill
US6057175A (en) * 1997-12-04 2000-05-02 Medtronic, Inc. Method of making encapsulated package
US6052287A (en) * 1997-12-09 2000-04-18 Sandia Corporation Silicon ball grid array chip carrier
JPH11233684A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Seiko Epson Corp 半導体装置用基板、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
DE19808986A1 (de) * 1998-03-03 1999-09-09 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterchips
US6310303B1 (en) * 1998-03-10 2001-10-30 John J. Luvara Structure for printed circuit design
KR100562349B1 (ko) * 1998-07-06 2006-03-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치
TW473882B (en) * 1998-07-06 2002-01-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
GB9818474D0 (en) * 1998-08-26 1998-10-21 Hughes John E Multi-layer interconnect package for optical devices & standard semiconductor chips
US6424034B1 (en) * 1998-08-31 2002-07-23 Micron Technology, Inc. High performance packaging for microprocessors and DRAM chips which minimizes timing skews
AU6413199A (en) * 1998-10-02 2000-04-26 Raytheon Company Embedded capacitor multi-chip modules
JP3554212B2 (ja) * 1998-12-21 2004-08-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6229227B1 (en) * 1998-12-28 2001-05-08 Kawasaki Steel Corporation Programmable-value on-chip passive components for integrated circuit (IC) chips, and systems utilizing same
JP2000236040A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2000307452A (ja) * 1999-02-16 2000-11-02 Murata Mfg Co Ltd 高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機
JP2000323645A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2000079592A1 (en) * 1999-06-17 2000-12-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and electronic device
US20030156400A1 (en) * 1999-07-15 2003-08-21 Dibene Joseph Ted Method and apparatus for providing power to a microprocessor with intergrated thermal and EMI management
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
US6784558B2 (en) * 1999-12-30 2004-08-31 Intel Corporation Semiconductor device inlcluding optimized driver layout for integrated circuit with staggered bond pads
US6278264B1 (en) * 2000-02-04 2001-08-21 Volterra Semiconductor Corporation Flip-chip switching regulator
US6852553B2 (en) * 2000-02-15 2005-02-08 Renesas Technology Corp. Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication apparatus
JP4071914B2 (ja) * 2000-02-25 2008-04-02 沖電気工業株式会社 半導体素子及びこれを用いた半導体装置
US6538898B1 (en) * 2000-05-01 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus of die attachment for BOC and F/C surface mount
US6433411B1 (en) 2000-05-22 2002-08-13 Agere Systems Guardian Corp. Packaging micromechanical devices
JP2001358293A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Toshiba Corp 半導体装置
US20020105009A1 (en) * 2000-07-13 2002-08-08 Eden Richard C. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor
CN1196392C (zh) * 2000-07-31 2005-04-06 日本特殊陶业株式会社 布线基板及其制造方法
TW511422B (en) * 2000-10-02 2002-11-21 Sanyo Electric Co Method for manufacturing circuit device
JP3502033B2 (ja) * 2000-10-20 2004-03-02 沖電気工業株式会社 テスト回路
US6582979B2 (en) * 2000-11-15 2003-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded antenna
US6867493B2 (en) * 2000-11-15 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless multi-die carrier
US6777819B2 (en) * 2000-12-20 2004-08-17 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with flash-proof device
KR100391093B1 (ko) * 2001-01-04 2003-07-12 삼성전자주식회사 히트 싱크가 부착된 볼 그리드 어레이 패키지
TW575949B (en) * 2001-02-06 2004-02-11 Hitachi Ltd Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus
US6465280B1 (en) * 2001-03-07 2002-10-15 Analog Devices, Inc. In-situ cap and method of fabricating same for an integrated circuit device
US6600220B2 (en) * 2001-05-14 2003-07-29 Hewlett-Packard Company Power distribution in multi-chip modules
JP4092890B2 (ja) * 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
US6869831B2 (en) * 2001-09-14 2005-03-22 Texas Instruments Incorporated Adhesion by plasma conditioning of semiconductor chip surfaces
US6796165B2 (en) * 2002-11-18 2004-09-28 Southwest Research Institute Apparatus and method for real-time measurement of mass, size and number of solid particles of particulate matter in engine exhaust

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148597A (ja) * 1994-11-17 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体モジュール
JPH09116091A (ja) * 1995-10-17 1997-05-02 Hitachi Ltd 混成集積回路装置
JPH10275875A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Nec Corp 半導体装置
JPH10308464A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JPH11224915A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Ricoh Co Ltd 半導体接続用基板
JP2000349225A (ja) * 1999-03-30 2000-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20120106110A1 (en) 2012-05-03
JPWO2002063688A1 (ja) 2004-06-10
US7518228B2 (en) 2009-04-14
US8084852B2 (en) 2011-12-27
US20100207275A1 (en) 2010-08-19
KR100947943B1 (ko) 2010-03-15
CN100536122C (zh) 2009-09-02
US8222734B2 (en) 2012-07-17
US7755182B2 (en) 2010-07-13
JP4593075B2 (ja) 2010-12-08
US20040080044A1 (en) 2004-04-29
US8581395B2 (en) 2013-11-12
US20090174060A1 (en) 2009-07-09
US7323770B2 (en) 2008-01-29
US20120248630A1 (en) 2012-10-04
WO2002063688A1 (fr) 2002-08-15
KR20080087183A (ko) 2008-09-30
CN1491440A (zh) 2004-04-21
US20070252264A1 (en) 2007-11-01
US20110121365A1 (en) 2011-05-26
TW575949B (en) 2004-02-11
CN101110404A (zh) 2008-01-23
KR20080087182A (ko) 2008-09-30
KR20040026134A (ko) 2004-03-27
US7902656B2 (en) 2011-03-08
US20060091526A1 (en) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4593075B2 (ja) 混成集積回路装置及びその製造方法並びに電子装置
US7453147B2 (en) Semiconductor device, its manufacturing method, and radio communication device
US6570469B2 (en) Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
US6456172B1 (en) Multilayered ceramic RF device
KR100993277B1 (ko) 반도체장치 및 전자 장치
US7176579B2 (en) Semiconductor module
EP1094538A2 (en) Multilayered ceramic RF device
KR100993579B1 (ko) 반도체장치 및 전자 장치
JP4137059B2 (ja) 電子装置および半導体装置
JP2004055834A (ja) 混成集積回路装置
JPWO2003077317A1 (ja) 集積回路装置及びその製造方法
JP2005302928A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100511

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111004