JP2004055834A - 混成集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の部品を一体化した薄型の混成集積回路装置を提供する。
【解決手段】配線を有する実装基板に下面の複数の外部電極端子を介して実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、前記第１及び第２のモジュールの上面及び周面を被い両モジュールを連結して一体構造とする封止樹脂からなる連結体を有し、前記両モジュールの前記外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立している。前記第１及び第２のモジュールは下面に前記複数の外部電極端子を有する多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品が電極の接続を含んで搭載されてモジュールを構成している。前記隣接する前記第１及び第２のモジュールの間には、両者が当接しないための隙間が存在している。前記第１及び第２のモジュールの多層配線基板の誘電体層の層数が異なっている。モジュールごとに外部電極端子は独立している。
【選択図】 図２
【解決手段】配線を有する実装基板に下面の複数の外部電極端子を介して実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、前記第１及び第２のモジュールの上面及び周面を被い両モジュールを連結して一体構造とする封止樹脂からなる連結体を有し、前記両モジュールの前記外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立している。前記第１及び第２のモジュールは下面に前記複数の外部電極端子を有する多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品が電極の接続を含んで搭載されてモジュールを構成している。前記隣接する前記第１及び第２のモジュールの間には、両者が当接しないための隙間が存在している。前記第１及び第２のモジュールの多層配線基板の誘電体層の層数が異なっている。モジュールごとに外部電極端子は独立している。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のモジュール等を連結体で一体化した混成集積回路装置、前記混成集積回路装置を組み込んだ電子装置及びそれらの製造方法に係わり、例えば、携帯電話機等の無線通信機（電子装置）に組み込む、高周波電力増幅モジュールやアンテナスイッチモジュールを一体化した混成集積回路装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話，携帯電話機等の無線通信機（電子装置）の送信機の送信側出力段には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）やＧａＡｓ−ＭＥＳ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）ＦＥＴ等を多段に組み込んだ増幅器やアンテナスイッチ等が組み込まれている。
【０００３】
高周波電力増幅モジュール及び無線通信機（移動通信機）については、例えば、米国特許第２００１／４３１３０Ａ１号〔特開２００２−４３８１３号公報〕、特開２０００−２０９０３８ 号公報及び特開２００２−１１１４１５ 号公報に記載されている。米国特許第２００１／４３１３０Ａ１号には、高周波回路モジュール（高周波電力増幅器）や無線通信機が開示されている。
【０００４】
また、特開２００１−２８４５２０ 号公報には、半導体装置の高密度化・高集積化・高速動作化などに伴って発生するところの、配線長が大きいことに起因する信号遅延の低減要求とバーンインなどの各種テストおよびリペア（修復）の容易性要求との間にみられるトレードオフ（二律背反）の問題を解消するための技術が開示されている。即ち、この文献には、二つの半導体装置（マルチチップモジュール）をマザーボードへ実装する際、モジュール間の配線長を短くすること、及びモジュール単体としてテストを可能にするために、次の工程が開示されている。
【０００５】
▲１▼二つのモジュール（例ＣＰＵとＲＡＭ）パッケージ（セラミック基板パッケージ）の入出力電極間を予めプリコート半田や導電性接着剤で電気的接続する工程。
▲２▼上記二つのモジュールの位置関係を保持した状態で、マザーボード上でリフローして実装する工程。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
携帯電話機は、その携帯性から薄型・小形・軽量化が強く要求される。このため、携帯電話機に組み込む部品も更なる薄型・小形・軽量化が要請されている。この薄型・小形・軽量化の要求に対処すべく、各回路部分のモジュール化が図られている。
【０００７】
携帯電話機の実装基板（例えば、マザーボード）には、各種のモジュール、単一の半導体チップを封止体（パッケージ）内に組み込んだモノリシックな集積回路装置、抵抗やコンデンサ等の受動素子を封止体内に組み込んだ受動部品等の部品が実装される。実装基板に搭載する部品の数が多くなればなる程、実装不良の発生頻度が高くなる。このため、実装不良率を低減するためには実装部品数の低減が望まれる。この結果、一つのモジュール（モジュール基板）により多くの回路部分を組み込むことが望まれる。また、搭載部品数が多いと、全部品の実装基板への実装時間が長くなり、携帯電話機の製造コスト低減が妨げられることになる。
【０００８】
一方、モジュールにおいて、回路構成によっては、導体層（配線層）の層数の少ない低廉なモジュール基板を使用するものと、導体層（配線層）の層数の多い高価なモジュール基板を使用するものがある。層数の異なる回路構成部分を１枚のモジュール基板に組み込む場合には、層数を多く必要とする回路構成にモジュール基板を合わせなければならなくなり、モジュールの製造コストの上昇を招く。
【０００９】
また、材質が同一の多層配線基板の場合は、製造コストが高くなってもモジュール化は可能であるが、材質が異なるモジュール基板を使用するものでは、モジュール化はできなくなる。
【００１０】
本発明の目的は、外形寸法が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、使用する多層配線基板の層数が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、材質が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した小型の混成集積回路装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した薄型の混成集積回路装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した低廉な混成集積回路装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、電子装置に組み込む部品をできるだけ多く一体化したモジュールを提供し、これにより実装部品数の低減によって実装時間の短縮化を図り、以して電子装置の製造コストの低減を図ることにある。
【００１７】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１９】
（１）本発明の混成集積回路装置は、配線を有する実装基板に下面の複数の外部電極端子を介して実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、前記第１及び第２のモジュールの上面及び周面を被い前記第１及び第２のモジュールを連結して一体構造とする封止樹脂からなる連結体を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立していることを特徴とする。
【００２０】
前記第１及び第２のモジュールは下面に前記複数の外部電極端子を有する多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品が電極の接続を含んで搭載されてモジュールを構成している。前記隣接する前記第１及び第２のモジュールの間には、両者が当接しないための隙間が存在していることを特徴とする。
【００２１】
前記第１及び第２のモジュールの多層配線基板は、誘電体層を複数積み重ねて構成されるセラミック基板であり、前記第１のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数と、前記第２のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数が異なっている。前記第１のモジュールは高周波電力増幅モジュールであり、前記第２のモジュールはアンテナスイッチモジュールである。高周波電力増幅モジュールの多層配線基板の誘電体層の層数はアンテナスイッチモジュールの多層配線基板の誘電体層の層数よりも多くなっている。
【００２２】
混成集積回路装置は特性評価された後、キャリアテープに収容されて出荷される。混成集積回路装置はキャリアテープから取り出され、携帯電話機の実装基板等に実装される。
【００２３】
キャリアテープに収容される前記構成の混成集積回路装置は、
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための誘電体層の層数の異なる配線基板（多層配線基板）をそれぞれ準備する工程と、
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュール（高周波電力増幅モジュール）を構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュール（アンテナスイッチモジュール）を構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程と、
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程と、
（ｄ）選ばれた前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程と、
（ｅ）前記第１及び第２のモジュールを一体化した混成集積回路装置の特性評価を行う工程と、
（ｆ）前記特性評価で良品と判定された混成集積回路装置を出荷用のリールに巻き付けるキャリアテープに収容する工程とによって製造される。
【００２４】
前記キャリアテープは、両側にスプロケットホールを所定間隔に有しかつ製品を収容する窪みを所定間隔に有するエンボステープと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられるカバーテープとからなり、前記窪みに混成集積回路装置を収容した後、カバーテープを貼り付けて前記窪みを被い、ついで出荷用のリールに巻き付けられる。
【００２５】
（２）前記手段（１）の構成において、前記第１及び第２のモジュールにおける前記多層配線基板の外周縁の内側に窪んだ縁部分を係止部として用い、この係止部に着脱自在に係止する係止部を有するキャップを係止させて第１及び第２のモジュールの一体化を図る。キャップの外周縁は第１及び第２のモジュールの外周縁の内側に位置する。
【００２６】
前記（１）の手段によれば、（ａ）多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置とすることから、外形寸法が異なるモジュールを一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
【００２７】
（ｂ）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置にすることから、封止樹脂の厚さを前記部品を被うにして必要最小限の厚さとすることにより、混成集積回路装置の薄型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【００２８】
（ｃ）第１及び第２のモジュールを封止樹脂からなる連結体で一体化するため、モジュール間の隙間を必要最小限の間隔とするとともに、モジュールの外周を被う封止樹脂の厚さを必要最小限の厚さとすることによって、混成集積回路装置の小型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【００２９】
（ｄ）第１及び第２のモジュールを封止樹脂からなる連結体で一体化するため、多層配線基板の層数が異なるモジュールを一体化（モジュール化）した混成集積回路装置を製造することができる。
【００３０】
（ｅ）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂で連結して混成集積回路装置を製造することから、製造が容易であり、混成集積回路装置の製造コストの低減が図れる。
【００３１】
（ｆ）第１及び第２のモジュールのそれぞれの外部電極端子はモジュール毎に電気的に独立する状態にあることから、各モジュール毎の電気的特性が得られることにより、最適な特性の組合わせが得られ、より特性を向上させる効果がある。
【００３２】
（ｇ）第１及び第２のモジュールの間には両者が当接しないための隙間が存在していることから、セラミック基板同士の当接が発生しなくなり、当接によってセラミック基板にクラックが発生しなくなり、製品不良が起きなくなる。従って、混成集積回路装置の実装不良が発生しなくなるとともに、混成集積回路装置の安定動作が達成できる。
【００３３】
（ｈ）選ばれた第１及び第２のモジュールを一体化し、その後に行う一体化状態での混成集積回路装置の特性評価、さらには良品と判定した混成集積回路装置の実装基板への実装によって、実装した混成集積回路装置の実装の歩留りが向上するとともに、実装の信頼性が高くなる。
【００３４】
（ｉ）混成集積回路装置は、キャリアテープに収容されてリールに巻き付けられて出荷されるため、出荷作業が簡便になる。また、実装基板への混成集積回路装置の実装作業もリールからキャリアテープを解きだし、カバーテープを外すことによって混成集積回路装置を容易にピックアップできるため、実装作業も容易になる。
【００３５】
（ｊ）混成集積回路装置は高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールが一体化された構造となっていることから、携帯電話機等の無線通信機に搭載した場合、高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールを別々に実装基板に搭載する場合に比較して実装回数が減り、携帯電話機の組立コストの低減が可能になる。
【００３６】
前記（２）の手段によれば、前記手段（１）の構成による効果に加えて、（ａ）キャップの外周縁が第１及び第２のモジュールの外周縁よりも内側に位置していることから、混成集積回路装置の小型が図れる。
【００３７】
（ｂ）キャップは第１及び第２のモジュールの多層配線基板に着脱自在に取り付けられる構成になっていることから、第１及び第２のモジュールのモジュール化も容易である。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
（実施形態１）
図１乃至図１５は本発明の一実施形態（実施形態１）である混成集積回路装置及びその製造方法に係わる図である。図１乃至図３は混成集積回路装置の外観を示す図、図４乃至図７は構造を示す図、図８は携帯電話機の一部の機能ブロック図、図９は混成集積回路装置の実装状態を示す図、図１０乃至図１５は混成集積回路装置の製造方法を示す図である。
【００４０】
本発明は複数のモジュール等の部品を連結体で一体化する混成集積回路装置に係わるものである。本実施形態１では、特に限定はされないが、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を連結体で一体化した混成集積回路装置の製造に本発明を適用した例について説明する。本実施形態１では、例えば、二つの通信系の増幅を行う増幅系を有する高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）と、二つの通信系の送信及び受信を切り換えることができるアンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）を連結体によって一体化した混成集積回路装置に本発明を適用した例について説明する。
【００４１】
通信系は、例えば、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）方式と、ＰＣＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｎｅｔｗｏｒｋ）方式である。
【００４２】
本実施形態１の混成集積回路装置２０は、図１及び図２に示すように偏平な矩形体の封止樹脂２１内に二つのモジュール４０，６０（第１及び第２のモジュール）を封止した構造になっている。モジュール４０，６０は上面と周面が前記封止樹脂２１で被われ、下面は封止樹脂２１から露出している。モジュール４０，６０の下面には、図３に示すように１から１５の符号及びＧで示すようにそれぞれ複数の外部電極端子Ｐ（以下単に外部電極端子を示す場合、Ｐなる文字で示す）が設けられている。
【００４３】
二つのモジュール４０，６０は、本実施形態１では高周波電力増幅モジュール４０と、アンテナスイッチモジュール６０であり、携帯電話機等の無線通信機に組み込まれる部品である。図１及び図２において、モジュール４０，６０は、いずれもモジュール基板４１，６１を示すものであり、モジュール基板４１，６１の上面に搭載される部品は省略してある。
【００４４】
モジュール基板４１，６１の配列方向に直交する幅方向のモジュール基板４１，６１の長さ（幅）は同じ長さになっている。これは連結体となる封止樹脂２１の場合は特に必要の条件ではないが、後述する他の実施形態による連結体となるキャップによってキャップとモジュール基板のそれぞれの係止部を介しての係止による一体化の場合には好ましいことである。以下、他の実施形態において、多層配線基板からなるモジュール基板を使用する部品相互の連結にあっては、モジュール基板の幅及び対面する一対の係止部間の寸法（モジュール基板の幅方向の寸法）は、各部品において同じである。
【００４５】
しかし、これも限定されるものではない。即ち、キャップに設ける係止部の位置が各部品において異なる場合は、モジュール基板に設ける係止部の位置もキャップの係止部の位置に対応するため、同じにはならない。後述する実施形態では、この例を特に示してないが、キャップによって複数の部品を一体化する例において、各部品ごとに係止する位置を違えることも可能である。
【００４６】
本実施形態１の混成集積回路装置２０の寸法の一例を挙げるならば、幅１０ｍｍ，長さ２０ｍｍ，高さ（厚さ）２ｍｍである。モジュール４０，６０の側面を被う封止樹脂２１の厚さは２ｍｍであり、モジュール４０，６０の上面を被う封止樹脂２１の厚さは最も薄い部分で０．５ｍｍである。本発明はこの寸法に限定されるものではなく、使用するモジュール基板４１，６１や搭載する部品によって変化するものである。
【００４７】
モジュール４０，６０を構成するモジュール基板４１，６１は、多層配線構造のセラミック基板（多層配線基板）である。図６及び図７に示すように、モジュール基板４１，６１は、セラミックからなる誘電体板（誘電体層）４１ａ，６１ａを複数枚重ねて焼成したものである。焼成前の誘電体板（誘電体層）はグリーンシートと呼称される。誘電体層４１ａ，６１ａの表裏面には配線（配線層）４１ｂ，６１ｂが設けられているとともに、誘電体層４１ａ，６１ａの上下面に亘って貫通する貫通孔を有し、かつこの貫通孔内には導体４１ｃ，６１ｃが埋め込まれている。そして、誘電体層４１ａ，６１ａの表裏面の配線（配線層）４１ｂ，６１ｂの所定箇所は導体４１ｃ，６１ｃによって電気的に接続されている。
【００４８】
高周波電力増幅モジュール４０と、アンテナスイッチモジュール６０では、図６及び図７に示すように、誘電体層の層数、換言するならば配線層４１ｂ，６１ｂの層数が異なる。これは回路特性上の要請によるものである。図６及び図７は高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板４１，６１の一部を示す模式的拡大断面図である。
【００４９】
図６に示す高周波電力増幅モジュール４０のモジュール基板４１は、特に限定はされないが、誘電体層４１ａが５層になり、配線層４１ｂは配線層１〜配線層６に示すように６層になっている。上層の３層の誘電体層（誘電体板）４１ａは部分的に除去された状態で重ねられるため、半導体チップを搭載するための窪み４１ｆが形成される。窪み４１ｆの底には配線層４１ｂが設けられ、この部分に半導体チップが接合材を介して固定される。
【００５０】
図７に示すアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板６１は、特に限定はされないが、誘電体層６１ａが１１層になり、配線層６１ｂは配線層１〜配線層１２に示すように１２層になっている。図の右側上層部分には、一対の導体６１ｃから体面する方向に交互に延在する配線層６１ｂによって容量６２が形成されている。この容量６２の容量値を大きくするため、誘電体層（誘電体板）６１ａは、前記モジュール基板４１に比較して薄くなっている。この結果、基板内部に容量を形成するため、またモジュール基板４１の厚さに合わせるためには、モジュール基板６１の層数は多くなる。
【００５１】
前述のように、アンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板６１では、フィルタの容量作製のため、誘電体層（誘電体板）４１ａの１層当たりの厚さを薄くし、層数を増やす必要がある。また、高周波電力増幅モジュール４０においては、トランジスタを内蔵した半導体チップが搭載される窪み４１ｆの下には、特に図示はしてないが、放熱用のビアが設けられることから、この部分への容量の集積はできない。また、高周波電力増幅モジュールに搭載される部品は、高周波電力増幅モジュールのトランジスタとの整合に使用されており、この点からも高周波電力増幅モジュール４０用のモジュール基板４１への容量の内層化は不向きである。また、整合用の配線については、損失低減のため、誘電体層を薄くすることには制限がある。これらのことから、高周波電力増幅モジュールのモジュール基板４１における容量の内層化は不向きである。従って、高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールは別々の部品とされる。
【００５２】
モジュール基板４１，６１の最下層の配線層によって、図３に示すように複数の外部電極端子Ｐが形成される。図３は混成集積回路装置２０の底面の外部電極端子パターンを透視した平面図である。本実施形態１においては、連結体で連結される二つのモジュールは、各モジュールごとに電気的に独立した状態にある。
【００５３】
本発明は、二つのモジュールを連結体で物理的に連結させて一体化した混成集積回路装置を製造することにある。この場合、モジュールは二つとは限らず幾つでもよい。従って、この技術思想の展開により、後述する各実施形態で明らかとなるが、モジュールとモノリシックなＩＣとの連結、モジュールと受動部品との連結、モノリシックなＩＣと受動部品との連結、複数の受動部品同士の連結等にも本発明は適用できる。
【００５４】
そして、前述のような複数の部品の連結による混成集積回路装置においては、一体化する部品同士の外部電極端子の電気的接続は一体化の段階では行わず、実装基板に実装して初めて所定の部品間の所定の外部電極端子を電気的に接続するものである。
【００５５】
また、モジュール４０，６０の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装基板に実装される面は同一平面上に位置している。これは二つのモジュールが確実に実装基板に実装させるために好ましいことである。また、これに限定されるわけではないが、モジュール４０，６０の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装基板に実装される面と、封止樹脂２１の裏面も同一平面上に位置している。これは、混成集積回路装置２０の製造時、トランスファモールディング装置の成形金型の下型上に高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を載置し、この状態で周面及び上面を封止樹脂で被って封止樹脂２１を形成することによる。これにより、モジュールの複数の外部電極端子Ｐの実装される面も封止樹脂２１の下面も同一平面上に位置するようになる。
【００５６】
なお、後述する実施形態において、本発明では連結体としてキャップを使用するが、このキャップによる連結においても連結される部品の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装される面は同一平面上に位置するようにして連結される。
【００５７】
図３は混成集積回路装置２０の外部電極端子を透視した平面図である。そして、これら外部電極端子Ｐの機能は図４（ａ），（ｂ）に示してある。
【００５８】
図３及び図４（ａ）に示すように、高周波電力増幅モジュール４０（モジュール基板４１）の周囲には外部電極端子番号として１〜８とＧ（ＧＮＤ）なる符号を付してある。図４（ａ）に示すように、１は入力端子Ｐｉｎ２、２は制御端子Ｖａｐｃ 、３は電源電位端子Ｖｄｄ２、４は出力端子Ｐｏｕｔ ２、５は出力端子Ｐｏｕｔ １、６は電源電位端子Ｖｄｄ１、７はパワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 、８は入力端子Ｐｉｎ１、Ｇ（ＧＮＤ）は基準電位端子である。ここで、各記号の末尾の数字は通信系（増幅系）の違いを示すものであり、例えば、末尾に数字１が付いた端子はＰＣＮ用の増幅器の端子であり、末尾に数字２が付いた端子はＧＳＭ用の増幅器の端子である。
【００５９】
高周波電力増幅モジュール４０は、詳細には説明をしないが、図４（ａ）に示すように、モジュール基板４１上に３個の半導体チップ４３，４４，４５と、符号は付けないが複数のチップ抵抗やチップコンデンサが搭載されて形成されている。チップ抵抗やチップコンデンサは搭載（固定）によって電極が配線層４１ｂに接続される。一部しか表示しないが、半導体チップ４３，４４，４５の各電極は導電性のワイヤ４６を介して配線層４１ｂに接続される。
【００６０】
半導体チップ４３には、ＰＣＮ及びＧＳＭ用の増幅系の第１増幅段と第２増幅段を構成するトランジスタ（電界効果トランジスタ：ＦＥＴ）が組み込まれている。半導体チップ４４にはＰＣＮ用の第３増幅段（出力段）のトランジスタが組み込まれ、半導体チップ４５にはＧＳＭ用の第３増幅段（出力段）のトランジスタが組み込まれている。
【００６１】
モジュール基板４１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は辺に沿って一定長さ内側に窪み４９を有する構造になっている。この窪み４９は連結体を構成するキャップの係止部が係止（嵌合）される係止部となる。この例は後述する。
【００６２】
図５（ａ）は高周波電力増幅モジュール４０の機能ブロック図である。高周波電力増幅モジュール４０には、二つのパワーアンプ（ＰＡ）４７Ｐ，４７Ｇと、このパワーアンプ４７Ｐ，４７Ｇに所定のバイアス電位を印加するバイアス回路４８が内蔵されている。
【００６３】
入力端子Ｐｉｎ１に入力したＰＣＮの送信信号は、パワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 及び制御端子Ｖａｐｃ から入力されてバイアス回路４８に送り込まれる制御信号に基づいてパワーアンプ４７Ｐにバイアス電位を供給する。この結果、パワーアンプ４７Ｐに入力された送信信号は前記バイアス電位に対応して増幅され、出力端子Ｐｏｕｔ １に送られる。
【００６４】
同様に、入力端子Ｐｉｎ２に入力したＧＳＭの送信信号は、パワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 及び制御端子Ｖａｐｃ から入力されてバイアス回路４８に送り込まれる制御信号に基づいてパワーアンプ４７Ｇにバイアス電位を供給する。この結果、パワーアンプ４７Ｇに入力された送信信号は前記バイアス電位に対応して増幅され、出力端子Ｐｏｕｔ ２に送られる。
【００６５】
また、図３及び図４（ｂ）に示すように、アンテナスイッチモジュール６０（モジュール基板６１）の周囲には外部電極端子番号として９〜１５とＧ（ＧＮＤ）なる符号を付してある。図４（ｂ）に示すように、９は送信信号入力端子ＴＸｉｎ２、１０は受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ ２、１１はスイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ２、１２はアンテナ出力端子Ａｏｕｔ 、１３はスイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ １、１４は受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １、１５は送信信号入力端子ＴＸｉｎ１、Ｇ（ＧＮＤ）は基準電位端子である。ここで、各記号の末尾の数字の違いは高周波電力増幅モジュール４０と同様であり、末尾に数字１が付いた端子はＰＣＮ用のアンテナスイッチの端子であり、末尾に数字２が付いた端子はＧＳＭ用のアンテナスイッチの端子である。
【００６６】
アンテナスイッチモジュール６０は、詳細には説明をしないが、図４（ｂ）に示すように、モジュール基板６１上に４個のダイオード６３〜６６と、符号は付けないが複数のチップ抵抗やチップコンデンサが搭載されて構成されている。チップ抵抗やチップコンデンサは搭載（固定）によって電極が配線層に接続される。またダイオードも両端に電極を有する構造であることから、電極部分の接続によってダイオードの接続となる。
【００６７】
モジュール基板６１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は内側に窪み６９を有する構造になっている。この窪み６９は、モジュール基板４１の窪み４９と同様であり、キャップの係止部が係止（嵌合）される係止部となる。
【００６８】
これらの部品搭載によって、図５（ｂ）の機能ブロック図に示すようにアンテナスイッチモジュールが形成される。アンテナスイッチモジュールは、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に接続される分波器７０と、この分波器７０にそれぞれ接続されるａ，ｂ接点を有する３端子のアンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇと、アンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇのａ接点と送信信号入力端子ＴＸｉｎ１，ＴＸｉｎ２との間に接続されるフィルタ７２Ｐ，７２Ｇとを有する。アンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇのｂ接点と受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １，ＲＸｏｕｔ ２が接続され、スイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ １，Ｖｃｔｌ ２に入力された制御信号によってアンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇの接点の切替えが行われる。
【００６９】
ＰＣＮ通信では、送信信号入力端子ＴＸｉｎ１に入力された送信信号は、アンテナスイッチ７１Ｐのａ接点及び分波器７０を通ってアンテナ出力端子Ａｏｕｔ に出力され、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に入力された受信信号は、分波器７０及びアンテナスイッチ７１Ｐのｂ接点を通って受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １に出力される。
【００７０】
ＧＳＭ通信では、送信信号入力端子ＴＸｉｎ２に入力された送信信号はアンテナスイッチ７１Ｇのａ接点及び分波器７０を通ってアンテナ出力端子Ａｏｕｔ に出力され、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に入力された受信信号は分波器７０及びアンテナスイッチ７１Ｇのｂ接点を通って受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ ２に出力される。
【００７１】
図８は携帯電話機（無線通信機）の機能構成を示す一部の示すブロック図であり、ベースバンド（Ｂａｓｅ Ｂａｎｄ ）８０からアンテナ（Ａｎｔｅｎｎａ）８５までの部分を示す。ベースバンド８０には高周波信号処理装置（ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ）８１が接続される。高周波信号処理装置８１とアンテナ８５との間には、送信系回路と受信系回路が設けられる。即ち、本実施形態１の混成集積回路装置２０の高周波電力増幅モジュール４０が高周波信号処理装置８１に接続され、アンテナスイッチモジュール６０がアンテナ８５に接続される。
【００７２】
混成集積回路装置２０を、図９に示すように、携帯電話機の実装基板９０に接続することによって、図８に示すように、混成集積回路装置２０の高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の所定の外部電極端子同士が電気的に接続される。前記ベースバンド８０，高周波信号処理装置８１及び高周波電力増幅モジュール４０は、中央処理演算装置８２によって制御される。
【００７３】
図９は携帯電話機の実装基板９０に混成集積回路装置２０が実装された状態を示す模式図である。混成集積回路装置２０の所定の外部電極端子は、実装基板９０の上面に設けられた配線の一部（ランド９１）に導電性の接合材９２によって電気的に接続される。
【００７４】
高周波信号処理装置８１から送り出されるＰＣＮ用の送信信号は、混成集積回路装置２０の外部電極端子の８番の端子に入力されパワーアンプ４７Ｐに送り込まれる。増幅されたＰＣＮ用の送信信号は外部電極端子の５番を通り、アンテナスイッチモジュール６０の外部電極端子の１５番に入り、外部電極端子の１２番を通り、アンテナ８５から電波として出力される。
【００７５】
高周波信号処理装置８１から送り出されるＧＳＭ用の送信信号は、外部電極端子の１番の端子に入力されパワーアンプ４７Ｇに送り込まれる。増幅されたＧＳＭ用の送信信号は外部電極端子の４番を通り、アンテナスイッチモジュール６０の外部電極端子の９番に入り、外部電極端子の１２番を通り、アンテナ８５から電波として出力される。
【００７６】
パワーアンプ４７Ｐ，４７Ｇにおける増幅率は、中央処理演算装置８２から高周波電力増幅モジュール４０の外部電極端子の７番に送り込まれる信号や、図示しない自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）から外部電極端子の２番に送り込まれる制御信号によって制御される。
【００７７】
高周波信号処理装置８１と混成集積回路装置２０のアンテナスイッチモジュール６０との間には、低雑音増幅器（ＬＮＡ）８３Ｐ，８３Ｇとフィルタ（ソーフィルタ）８４Ｐ，８４Ｇが直列に接続されている。フィルタ８４Ｐはアンテナスイッチ７１Ｐのｂ接点に接続され、フィルタ８４Ｇはアンテナスイッチ７１Ｇのｂ接点に接続されている。
【００７８】
ベースバンド８０と高周波信号処理装置８１との間ではＩ信号，Ｑ信号の授受が行われる。従って、携帯電話機における送信は、中央処理演算装置８２によって制御されるベースバンド８０からＩ，Ｑ信号が高周波信号処理装置８１に送られることから始まり、高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を有する混成集積回路装置２０で処理されてアンテナ８５から出力される。携帯電話機における受信は、アンテナ８５で受信した電波は受信信号としてアンテナスイッチモジュール６０の分波器７０を通り、フィルタ８４Ｐ，８４Ｇ，低雑音増幅器８３Ｐ，８３Ｇを通って高周波信号処理装置８１に入力される。高周波信号処理装置８１ではＩ，Ｑ信号としてベースバンド８０に送り込む。これにより、デュールバンドでの通信が可能になる。
【００７９】
つぎに、本実施形態１の混成集積回路装置２０の製造について、図１０乃至図１５を参照しながら説明する。図１０は高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）と、アンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）を一体化して混成集積回路装置２０を製造する模式的工程断面図をも含むフローチャートである。
【００８０】
このフローチャートで示すように、混成集積回路装置２０は、基板準備〔Ｓ１０１〕、はんだ印刷〔Ｓ１０２〕、部品搭載〔Ｓ１０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ１０４〕、レジン塗布〔Ｓ１０５〕、基板分割〔Ｓ１０６〕、モジュール連結〔Ｓ１０７〕、特性評価〔Ｓ１０８〕、テーピング（梱包：Ｓ１０９〕の工程を経て製造される。なお、図１０はプロセス説明が主である。このため、図１０における各種部品の搭載の図は模式的なものであり、図４（ａ），（ｂ）を正確に表示するものではない。
【００８１】
図１０における基板準備〔Ｓ１０１〕から基板分割〔Ｓ１０６〕における左側の工程断面図は高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）の製造段階を示し、右側の工程断面図はアンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）の製造段階を示す。
【００８２】
基板準備工程〔Ｓ１０１〕では、ＰＡＭ及びＡＳＷＭを形成するための基板５３，７３が用意される。基板５３は高周波電力増幅モジュール４０を製造するためのセラミックからなる多層配線基板であって、マトリックス状に製品形成部５３ａが形成されている。基板５３は基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部５３ａがモジュール基板４１になる。このため、製品形成部５３ａの各辺の中央部分には辺に沿って一定長さ長孔（図示せず）が設けられている。基板分割の際、分割線はこの長孔の中心を貫く線になる。これは基板７３においても同様である。はんだ印刷〔Ｓ１０２〕からレジン塗布〔Ｓ１０５〕では、単一の製品形成部５３ａのみを図示する。基板５３は図６に示す断面構造になる。
【００８３】
基板７３はアンテナスイッチモジュール６０を製造するためのセラミックからなる多層配線基板であって、マトリックス状に製品形成部７３ａが形成されている。基板７３は基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部７３ａがモジュール基板６１になる。はんだ印刷〔Ｓ１０２〕からレジン塗布〔Ｓ１０５〕では、単一の製品形成部７３ａのみを図示する。基板７３は図７に示す断面構造になる。
【００８４】
はんだ印刷〔Ｓ１０２〕工程では、基板５３，７３の製品形成部５３ａ，７３ａの上面にはんだ５３ｂ，７３ｂをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ１０３〕工程で所定の部品を前記はんだを利用して搭載する。はんだを利用した搭載では、基板５３，７３の所定箇所に部品を搭載した後、はんだをリフローすることによって部品を搭載する。チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ部品では、はんだによって電極が基板５３，７３の配線層４１ｂ，６１ｂ（図６，７参照）に接続される。ＰＡＭの製造における部品搭載では、窪み４１ｆの底上に半導体チップ４３，４５が搭載され、他の部分にチップ部品が搭載された図になっている。
【００８５】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ１０４〕工程では、半導体チップ４３，４４，４５の電極と製品形成部５３ａの上面の配線層４１ｂを導電性のワイヤ４６で接続する。ＡＳＷＭの製造工程では、ダイオードも含めてチップ部品であることからワイヤボンディングは行わない。
つぎに、ＰＡＭの製造工程では、半導体チップ４３，４４，４５及びワイヤ４６の部分等を絶縁性の樹脂５３ｆで被う〔Ｓ１０５〕。
【００８６】
つぎに、基板５３，７３を製品形成部５３ａ，７３ａごとに切断（分割）する〔Ｓ１０６〕。そして、良品のみ、即ち測定検査、選別によって選ばれた高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を封止樹脂２１で連結して一体化し、混成集積回路装置２０を製造する〔モジュール連結：Ｓ１０７〕。
【００８７】
このモジュール連結の一例を図１１乃至図１４を参照しながら説明する。図１１は本実施形態１の混成集積回路装置の製造に用いるトランスファモールディング装置の成形金型２５を示す模式図である。成形金型２５は下金型２６と上金型２７とからなっている。下金型２６の上面の合わせ面は平坦になり、高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０が載置される。この図及び以降の図においても、モジュール４０，６０はモジュール基板４１，６１のみ模式的に示し、他の部品等は省略してある。
【００８８】
下金型２６のモジュール４０，６０が載置される領域には、真空吸引孔２８が複数設けられ、載置されたモジュール４０，６０を真空吸引によって下金型２６に強固に固定するようになっている。上金型２７の下面の合わせ面には封止樹脂２１を形成するためのキャビティ２９が形成されている。キャビティ２９の寸法は封止樹脂２１の外形寸法となる。
【００８９】
前記キャビティ２９の一端には樹脂を圧入するためのゲート３０が形成されている。このゲート３０は図示しないカルから続くランナー３１の先端に設けられ、ランナー３１とキャビティ２９はゲート３０で繋がる。また、キャビティ２９の他端にはキャビティ２９内の空気を外に逃がすエアーベント３２が形成されている。ランナー３１，ゲート３０，キャビティ２９及びエアーベント３２は、下金型２６と上金型２７との型締めによって密閉された空間を形成することになる。
【００９０】
本実施形態１のトランスファモールディング装置では、図１１及び図１２に示すように、位置決め治具３３が用意されている。この位置決め治具３３は、下金型２６の合わせ面上にモジュール４０，６０が載置された後、下金型２６の合わせ面の上方に進み、その後下金型２６の合わせ面上に重なるように降下する。位置決め治具３３には、モジュール４０，６０の位置決めを行う位置決め穴３４，３５が設けられている。この位置決め穴３４，３５はモジュール４０，６０と相似形となり、モジュール４０，６０の外形よりも ０．２ｍｍ程度大きくなっている。また、位置決め穴３４，３５の下面側は、図１１にも示すように面取りが施されて傾斜面３４ａ，３５ａとなっている。対面する一対の傾斜面３４ａ，３５ａによって拡開したガイドが形成されることから、位置決め治具３３が下降すると、予め位置決め載置されたモジュール４０，６０は、ガイドとなる傾斜面３４ａ，３５ａによってその位置を修正されながら位置決め穴３４，３５内に入る。この状態において、図１３に示すように、真空吸引動作に入る。この真空吸引動作によって真空吸引孔２８から真空吸引が始まり、モジュール４０，６０は下金型２６に真空吸引固定される。真空吸引固定が行われると、位置決め治具３３は上昇し、その後下金型２６と上金型２７との間から外に移動する。これら位置決め治具３３の動きは、位置決め治具３３を支持する支持アーム３６を図示しない昇降及び平面移動する駆動機構によって行う。
【００９１】
モジュール連結〔Ｓ１０７〕は、良品である選ばれた高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を、図１１に示すように下金型２６の合わせ面上に位置決め供給する。供給後、図示しない入力パネルのボタン等を押すことによって、位置決め治具３３が動作して下金型２６の合わせ面の上方に進み、次いで降下してモジュール４０，６０を位置決め治具３３の位置決め穴３４，３５で位置決めする。さらに、真空吸引動作がオンとなり、モジュール４０，６０は真空吸引孔２８での真空吸引によって下金型２６の合わせ面に固定される。この状態で位置決め治具３３は上昇し、かつ平面方向に移動して下金型２６と上金型２７との間の空間から外れる。
【００９２】
つぎに、図１４に示すように、下金型２６と上金型２７は型締めされ、かつキャビティ２９内に溶けた樹脂３７が圧入される。即ち、カルで加熱されかつプランジャで加圧された樹脂は溶け、ランナー３１を通り、ゲート３０からキャビティ２９内に流入する。このとき、モジュール４０，６０は真空吸引のため、その位置を変えることはない。キャビティ２９内の空気はエアーベント３２を通って外に抜ける。キャビティ２９内全域に樹脂３７が充満された後、所定時間キュアーが行われて樹脂３７は硬化し、封止樹脂２１を形成することになる。このトランスファモールディングによって、モジュール基板４１，６１上の部品等は隙間なく樹脂３７で被われることになる。そして、この封止樹脂２１によってモジュール４０，６０は一体化される。キュアー後、または樹脂３７によってモジュール４０，６０の位置が変わらない状態になると真空吸引動作は停止される。
【００９３】
なお、キャビティ２９の大きさを変更することによって、モジュール４０，６０の周面や上面を被う樹脂の厚さを自由に選択することができる。また、モジュール４０，６０の下面は下金型２６の合わせ面上に載るため、また封止樹脂２１の下面は下金型２６の合わせ面によって決定されることから、モジュール４０，６０の下面の外部電極端子Ｐの実装される実装面及び封止樹脂２１の下面は同一平面上に位置することになる。
【００９４】
このトランスファモールディングに先立つ、図１３に示す高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の下金型２６の合わせ面上での配置は、モジュール４０とモジュール６０間に所定の隙間を設け、両者の外部電極端子が接触したり、ショート不良を起こさない間隔にする。また、作業においても高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板４１，６１同士が当接してクラックが入らないように注意を要することが重要である。
【００９５】
つぎに、図１０に示すように、特性評価〔Ｓ１０８〕が行われる。この特性評価では、特性評価ボード５５の一面に設けた各接触端子５６にモジュール４０，６０の外部電極端子を接触させた状態で電気特性を測定する。特性評価によって不良と判定された製品（混成集積回路装置２０）は廃棄される。
【００９６】
良品と判定された製品（混成集積回路装置２０）は、図１０に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔梱包：Ｓ１０９〕。キャリアテープ５７は、図１５に示すように、両側にスプロケットホール（図示せず）を所定間隔に有しかつ製品を収容する窪み５７ｂを所定間隔に有するエンボステープ５７ａと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられるカバーテープ５７ｃとからなっている。カバーテープ５７ｃは貼り合わされる面に粘着材が塗布されている。従って、混成集積回路装置２０は、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられて出荷される。ユーザにおいては、混成集積回路装置２０はリール５８からキャリアテープ５７を解き出し、さらにカバーテープ５７ｃをエンボステープ５７ａから剥がすことによって、窪み５７ｂ内に収容される混成集積回路装置２０をピックアップして携帯電話機の実装基板等に実装することができる。この実装は自動実装機で容易に行うこときができる。
【００９７】
本実施形態１による混成集積回路装置は以下の効果を有する。
【００９８】
（１）多層配線基板（セラミック基板）５３，７３の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１のモジュール（高周波電力増幅モジュール４０）及び第２のモジュール（アンテナスイッチモジュール６０）を、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）２１で連結して混成集積回路装置２０とすることから、外形寸法が異なるモジュールを一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
【００９９】
（２）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置にすることから、多層配線基板（セラミック基板）５３，７３の上面に半導体チップを含む部品を搭載した高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）２１で連結して混成集積回路装置２０とすることから、封止樹脂２１の厚さを前記部品（モジュール４０，６０）の被いにして必要最小限の厚さとすることにより、混成集積回路装置２０の薄型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【０１００】
（３）モジュール４０，６０を封止樹脂２１からなる連結体で一体化するため、モジュール間の隙間を必要最小限の間隔とするとともに、モジュールの外周を被う封止樹脂２１の厚さを必要最小限の厚さとすることによって、混成集積回路装置２０の小型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【０１０１】
（４）モジュール４０，６０を封止樹脂２１からなる連結体で一体化するため、多層配線基板の層数が異なるモジュールを一体化（モジュール化）した混成集積回路装置２０を製造することができる。
【０１０２】
（５）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載したモジュール４０，６０を、モールディングによって形成する封止樹脂２１で連結して混成集積回路装置２０を製造することから、製造が容易であり、混成集積回路装置の製造コストの低減が図れる。
【０１０３】
（６）モジュール４０，６０のそれぞれの外部電極端子はモジュール毎に電気的に独立する状態にあることから、それぞれの電気的特性が得られることにより、最適な特性の組合わせが得られ、より特性を向上させる効果がある。
【０１０４】
（７）モジュール４０，６０の間には両者が当接しないための隙間が存在していることから、セラミック基板同士の当接が発生しなくなり、当接によってセラミック基板にクラックが発生しなくなり、製品不良が起きなくなる。従って、混成集積回路装置２０の実装不良が発生しなくなるとともに、混成集積回路装置の安定動作が達成できる。
【０１０５】
（８）選ばれたモジュール４０，６０を一体化し、その後に行う一体化状態での混成集積回路装置２０の特性評価、さらには良品と判定した混成集積回路装置２０の実装基板９０への実装によって、実装した混成集積回路装置の実装の歩留りが向上するとともに、実装の信頼性が高くなる。
【０１０６】
（９）混成集積回路装置２０は、キャリアテープ５７に収容されてリール５８に巻き付けられて出荷されるため、出荷作業が簡便になる。また、実装基板への混成集積回路装置２０の実装作業もリール５８からキャリアテープ５７を解きだし、エンボステープ５７ａからカバーテープ５７ｃを外すことによって混成集積回路装置２０を容易に窪み５７ｂからピックアップできるため、実装作業も容易になる。
【０１０７】
（１０）混成集積回路装置２０は高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０が一体化された構造となっていることから、携帯電話機等の無線通信機に搭載した場合、高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を別々に実装基板９０に搭載する場合に比較して実装回数が減り、携帯電話機の組立コストの低減が可能になる。
【０１０８】
（実施形態２）
図１６乃至図１８は本発明の他の実施形態（実施形態２）である混成集積回路装置に係わる図である。図１６は混成集積回路装置の模式的平面図、図１７（ａ）〜（ｅ）は混成集積回路装置に組み込む高周波電力増幅モジュール（第１のモジュール）を示す図、図１８（ａ）〜（ｅ）は混成集積回路装置に組み込むアンテナスイッチモジュール（第２のモジュール）を示す図である。
【０１０９】
本実施形態２は前記実施形態１と同じ回路構成の高周波電力増幅モジュール４０Ｐとアンテナスイッチモジュール６０Ｐを封止樹脂２１によって連結して一体化して混成集積回路装置２０Ｐを製造する例である。違いはモジュール基板４１，６１に金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けたことにある。即ち、それぞれは市販される状態のモジュールである。従って、外部電極端子の機能の説明や回路構成等の説明は省略する。本実施形態２の混成集積回路装置２０Ｐも携帯電話機の実装基板に実装される。
【０１１０】
本実施形態２で一体化する高周波電力増幅モジュール４０Ｐ及びアンテナスイッチモジュール６０Ｐは、実施形態１の混成集積回路装置の製造において、基板分割〔Ｓ１０６〕後のモジュール４０，６０（モジュール基板４１，６１）（図１０のフローチャート参照）に対して金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けたキャップ封止構成品である。
【０１１１】
キャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けた高周波電力増幅モジュール４０Ｐは、図１７（ａ）〜（ｅ）に示す構造になり、アンテナスイッチモジュール６０Ｐは、図１８（ａ）〜（ｅ）に示す構造になっている。図１７及び図１８において、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は底面の電極パターンを透視的に示す模式的平面図、（ｅ）はモジュール基板４１，６１とキャップ４０ｊ，６０ｊのとの係止状態を示す一部の断面図である。
【０１１２】
実施形態１の混成集積回路装置の製造において、基板分割によって得られるモジュール４０，６０、換言するならば、モジュール基板４１，６１に対して、金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付ける。即ち、図１７（ｄ）及び図１８（ｄ）に示すように、モジュール基板４１，６１の各辺の中央部分には窪み４９，６９が形成されているとともに、この窪み４９，６９部分は、図１７（ｅ）及び図１８（ｅ）に示すように、上縁に突部が形成されて係止部４１ｍ，６１ｍが形成されている。また、この係止部４１ｍ，６１ｍに係止（引っ掛かる）する係止部４０ｈ，６０ｈが形成されている。この係止部４０ｈ，６０ｈは、キャップ４０ｊ，６０ｊから部分的に延在する突片４０ｇ，６０ｇをプレス機械によって部分的に打ち抜くように成形することによって形成できる。
【０１１３】
このようにして形成したキャップ４０Ｐ，６０Ｐを実施形態１と同様にトランスファモールディングによって形成する封止樹脂２１で一体化する。封止樹脂２１が連結体を構成することになる。
【０１１４】
本実施形態２の混成集積回路装置２０Ｐも実施形態１の有する多くの効果を有することになる。キャップ４０Ｐ，６０Ｐが存在する分混成集積回路装置２０Ｐの厚さが厚くなるが、実施形態１の混成集積回路装置２０に比べて０．２ｍｍ程度の増加であることから、混成集積回路装置２０Ｐの薄型・小型化が図れることになる。
【０１１５】
本実施形態２では、各モジュールが金属キャップで被われていることから、この金属キャップを混成集積回路装置２０Ｐの実装基板への実装において、実装基板のグランド配線（接地配線）に接続させれば、金属キャップは電磁シールド効果の役割を果たすことになる。また、本実施形態２によれば、既存の複数の部品の一体化が可能になる。
【０１１６】
（実施形態３）
図１９乃至図２４は本発明の他の実施形態（実施形態３）である混成集積回路装置に係わる図である。本実施形態３はキャップによって二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化した混成集積回路装置の例である。本実施形態３も実施形態１で製造した高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を一体化する例である。
【０１１７】
図１９乃至図２１は本実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑの外観を示す図、図２２はキャップ７５で連結される前の高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０の平面図、図２３はキャップ７５の構造を示す図、図２４は携帯電話機の実装基板９０に実装された混成集積回路装置２０Ｑを示す図である。
【０１１８】
モジュール４０，６０のモジュール基板４１，６１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は内側に窪み４９，６９を有する構造になっている。
【０１１９】
図２３（ａ），（ｂ）に示すように、キャップ７５は下が開口した箱構造となっている。即ち、キャップ７５は、隙間を有して並んだモジュール４０，６０を被う長方形の平坦部７５ａと、この平坦部７５ａの周縁から下方に一定長さ突出する側面部７５ｂとを有し、かつこの側面部７５ｂには、前記モジュール４０，６０の窪み４９，６９に挿入される爪片からなる係止部７５ｃを有している。
【０１２０】
図２２にキャップ７５が取り付けられる配置状態のモジュール４０，６０の平面図である。これらモジュール４０，６０に対して、上方からキャップ７５を被せると、キャップ７５の下端に突出する係止部７５ｃのそれぞれが、モジュール４０，６０の対応する窪み４９，６９内に挿入される。対面する一対の係止部７５ｃはモジュール基板４１，６１を弾力的に挟むことから、キャップ７５はモジュール基板４１，６１に固定される。この結果、キャップ７５部分，モジュール４０部分あるいはモジュール６０部分のいずれを持って混成集積回路装置２０Ｑを取り扱ってもキャップ７５がモジュール４０，６０から外れるようなことはない。
【０１２１】
キャップ７５はその係止部７５ｃをモジュール４０，６０のモジュール基板４１，６１の係止部となる窪み４９，６９に挿入した状態であることから、接合材を介して接着しない限り、いつでもキャップ７５からモジュール４０，６０を取り外すことができる。係止部７５ｃを係止部である窪み４９，６９に導電性または絶縁性の接着材で接続してもよい。図２１は混成集積回路装置２０Ｑにおける底面の外部電極端子パターンを示す拡大透視平面図であり、実施形態１の混成集積回路装置２０と同様である。
【０１２２】
また、図１９及び図２０に示すように、キャップ７５は外周縁がモジュール４０，６０の外周縁の内側に位置する。従って、小型の混成集積回路装置２０Ｑを提供することができる。実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑは、実施形態１の混成集積回路装置２０よりも小型になる。
【０１２３】
キャップ７５を金属製とすれば、実施形態２の場合と同様にキャップは電磁シールド効果の役割を果たすことになる。しかし、この場合、キャップはグランド配線以外の配線に接触あるいは近接しないような形状（構造）にする必要がある。
【０１２４】
また、キャップ７５をプラスチックで形成してもよい。導電性のプラスチックでキャップ７５を形成すれば、金属キャップと同様に電磁シールド効果を得ることができる。絶縁性のプラスチックでキャップを形成した場合、モジュール基板４１，６１に搭載した部品等に接触しても問題はないことから、キャップ７５を薄くでき、さらに混成集積回路装置２０Ｑの薄型化を図ることができる。金属キャップの場合であっても、内側の面に絶縁膜を形成しておけば、搭載部品等との接触は特性に影響がないことから薄型化を図ることができる。
【０１２５】
図１９及び図２４に示すように、モジュール４０とモジュール６０は両者間に隙間が設けられていることから、混成集積回路装置２０Ｑの取り扱い時に接触しなくなり、接触による衝撃でモジュール基板４１，６１にクラック等が発生しなくなり、配線の断線等の不良が発生しなくなる。
【０１２６】
図２４は携帯電話機の実装基板９０に混成集積回路装置２０Ｑが実装された状態を示す。即ち、高周波電力増幅モジュール４０の図示しない外部電極端子はランド９１に図示しない導電性の接合材を介して接続され、この接続によって混成集積回路装置２０Ｑは実装される。モジュール４０，６０のモジュール基板４１はモジュール基板６１の隙間ｄの寸法はモジュール基板４１，６１の厚さｔよりも大きくなり、キャップ７５に対して抜けるように回転方向に動いてもモジュール基板４１とモジュール基板６１が接触（当接）しないようになっている。
【０１２７】
図２４に示すように、実装基板９０に混成集積回路装置２０Ｑを実装することによって、高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の所定の外部電極端子がランド９１を介して電気的に接続される。
本実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑも実施形態１の有する多くの効果を有することになる。
【０１２８】
（実施形態４）
図２５乃至図２７は本発明の他の実施形態（実施形態４）である混成集積回路装置の製造方法に係わる図である。図２５は混成集積回路装置の製造状態を示すフローチャート、図２６はキャップと基板の係止状態を示す一部拡大断面図、図２７はキャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的拡大断面図である。
【０１２９】
本実施形態４では複数のモジュールの一体化による混成集積回路装置２０Ｒの製造例であり、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化する例である。モジュールとしては、実施形態１と同様に高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールであってもよく、他のモジュールでもよい。ここでは、単にＡモジュール１００、Ｂモジュール１１０とする。搭載部品は半導体チップやチップ部品（チップ抵抗，チップコンデンサ，チップインダクタ等）である。また図も模式的なものである。
【０１３０】
本実施形態４は実施形態１と略同様な工程であり、一部が少し異なるだけである。従って重複する部分の説明は省略または簡単に説明する。また、一部の工程では図面を省略してある。
【０１３１】
混成集積回路装置２０Ｒは、図２５のフローチャートで示すように、基板準備〔Ｓ２０１〕、はんだ印刷〔Ｓ２０２〕、部品搭載〔Ｓ２０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕、レジン塗布（Ｓ２０５〕、基板分割・選別〔Ｓ２０６〕、キャップ封止〔Ｓ２０７〕、特性評価〔Ｓ２０８〕、テーピング〔Ｓ２０９〕の工程を経て製造される。
【０１３２】
基板準備工程〔Ｓ２０１〕では、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を製造するための基板１００ａ，１１０ａが用意される。この基板１００ａ，１１０ａは、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０に対応した配線パターンを有する製品形成部１００ｂ，１１０ｂをマトリックス状に配置したセラミックからなる多層配線基板である。基板１００ａ，１１０ａは基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部１００ｂ，１１０ｂがＡ・Ｂモジュール１００，１１０になる。はんだ印刷〔Ｓ２０２〕からレジン塗布〔Ｓ２０５〕では、単一の製品形成部のみを図示する。
【０１３３】
はんだ印刷〔Ｓ２０２〕工程では、基板１００ａ，１１０ａの製品形成部１００ｂ，１１０ｂの上面にはんだ１００ｃ，１１０ｃをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ２０３〕工程で所定の部品（半導体チップ１２０，チップ部品１２１）を前記はんだを利用して搭載する。
【０１３４】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕工程では、半導体チップ１２０の電極と製品形成部１００ｂ，１１０ｂの上面の配線層を導電性のワイヤ１２２で接続する。
【０１３５】
レジン塗布（Ｓ２０５〕工程では、半導体チップ１２０及びワイヤ１２２を含む部分を絶縁性のレジン１２３を塗布して被う。レジン１２３はベークされて硬化する。
【０１３６】
基板分割・選別〔Ｓ２０６〕工程では、基板１００ａ，１１０ａを縦横に切断してモジュール基板１００ｄ，１１０ｄとし、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を複数製造する。また、これらＡ・Ｂモジュール１００，１１０の選別（特性選別）を行う。
【０１３７】
キャップ封止〔Ｓ２０７〕工程では、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を所定の隙間を介して図２５に示すように並べ、ついでＡ・Ｂモジュール１００，１１０に金属製のキャップ７５ｒを取り付ける。この際、当然にして選別によって良品と判定されたＡ・Ｂモジュール１００，１１０が使用される。
【０１３８】
図２６はキャップ７５ｒとモジュール基板１００ｄの係止状態を示す一部拡大断面図である。この係止状態は実施形態２における図１７（ｅ）及び図１８（ｅ）に近似した構造になっている。ここでは、モジュール基板１００ｄの窪んだ部分に設けた突出する係止部１００ｍに、キャップ７５ｒの突片１００ｇの内側に突出した係止部１００ｈが引っ掛かることによって、キャップ７５ｒがモジュール基板１００ｄに取り付けられる例を示す。キャップ７５ｒのモジュール基板１１０ｄへの係止も同様である。
【０１３９】
つぎに、図示はしないが、実施形態１における図１０と同様に特性評価〔Ｓ２０８〕を行う。
【０１４０】
つぎに、良品と判定された製品（混成集積回路装置２０Ｒ）は、図２５の最下段の図に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔Ｓ２０９〕。キャリアテープ５７は、図２７に示すように、両側にスプロケットホール（図示せず）を所定間隔に有しかつ製品を収容する窪み５７ｂを所定間隔に有するエンボステープ５７ａと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられる粘着性のカバーテープ５７ｃとからなっている。従って、混成集積回路装置２０Ｒは、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられて出荷される。
本実施形態４においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｒを製造することができる。
【０１４１】
（実施形態５）
図２８乃至図３０は本発明の他の実施形態（実施形態５）である混成集積回路装置の製造方法に係わる図であり、図２８は混成集積回路装置の製造各工程を示すフローチャート、図２９（ａ），（ｂ）は二つのモジュールを製造するための基板の一部を示す模式的平面図、図３０は二つのモジュールの一体化構造を示す模式的平面図である。
【０１４２】
本実施形態５では複数のモジュールの一体化による混成集積回路装置２０Ｓの製造例であり、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化する例である。モジュールとしては、実施形態１と同様に高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールであってもよく、他のモジュールでもよい。ここでは、単にＣモジュール１３０、Ｄモジュール１４０とする。搭載部品は半導体チップやチップ部品（チップ抵抗，チップコンデンサ，チップインダクタ等）である。また図も模式的なものである。
【０１４３】
本実施形態５は、金属製のキャップで封止した二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を並列に配置し、キャップ同士をキャップに設けた突片を利用して接合材で接合して一体化する混成集積回路装置の例である。本実施形態５の多くの工程は実施形態４の多くの工程と同じであることから、重複する部分の説明は省略または簡単に説明する。また、一部の工程では図面を省略してある。
【０１４４】
混成集積回路装置２０Ｓは、図２８のフローチャートで示すように、基板準備〔Ｓ３０１〕、はんだ印刷〔Ｓ３０２〕、部品搭載〔Ｓ３０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ３０４〕、レジン塗布（Ｓ３０５〕、基板分割・選別〔Ｓ３０６〕、キャップ封止〔Ｓ３０７〕、モジュール連結〔Ｓ３０８〕、特性評価〔Ｓ３０９〕、テーピング〔Ｓ３１０〕の工程を経て製造される。
【０１４５】
基板準備工程〔Ｓ３０１〕では、Ｃ・Ｄモジュール１３０，１４０を製造するための基板１３０ａ，１４０ａが用意される。この基板１３０ａ，１４０ａは、Ｃ・Ｄモジュール１３０，１４０に対応した配線パターンを有する製品形成部１３０ｂ，１４０ｂをマトリックス状に配置したセラミックからなる多層配線基板である。なお、図２８では、はんだ印刷〔Ｓ３０２〕からレジン塗布〔Ｓ３０５〕までは、単一の製品形成部のみを図示する。
【０１４６】
基板１３０ａ，１４０ａは、各製品形成部１３０ｂ，１４０ｂごとに独立するように基板分割工程で縦横に切断されてモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄが形成される。図２９（ａ），（ｂ）は基板１３０ａ，１４０ａの一部を示す模式的平面図である。図において二点鎖線が分割線であり、二点鎖線で囲まれる部分が製品形成部１３０ｂ，１４０ｂである。製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの長辺の中間部分には、長辺に沿って延在する長孔１３０ｅ，１４０ｅが設けられている。分割線は前記長孔１３０ｅ，１４０ｅの中心を貫くように延在している。従って、基板分割によって形成されるモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄ（図２８参照）の長辺の中央に窪みとなって表れる。また、長孔１３０ｅ，１４０ｅは下部は広く、上部は狭くなっていることから、下部と上部の段差部分が係止部（引っ掛かり部分）になる。この係止部には、キャップ１３２，１４２の係止部が係止（引っ掛かる）されるようになる。
【０１４７】
図２９（ａ），（ｂ）には、基板１３０ａ，１４０ａの製品形成部１３０ｂ，１４０ｂに取り付けるキャップ１３２，１４２を一点鎖線で示してある。このキャップ１３２，１４２の短辺の一端側には直線状に薄い突片１３２ａ，１４２ａが突出している。この突片１３２ａ，１４２ａが、最終的には、キャップ１３２，１４２の突片１３２ａ，１４２ａが設けられない短辺に重ねられて接合材で連結されるようになる。
【０１４８】
なお、必要に応じて分割線に沿って一面または両面にＶ溝からなる分割用溝を設け、基板１３０ａ，１４０ａが正確にかつ容易に分割できるようにしてもよい。
【０１４９】
はんだ印刷〔Ｓ３０２〕工程では、基板１３０ａ，１４０ａの製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの上面にはんだ１３０ｃ，１４０ｃをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ３０３〕工程で所定の部品（半導体チップ１２０，チップ部品１２１）を前記はんだを利用して搭載する。
【０１５０】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕工程では、半導体チップ１２０の電極と製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの上面の配線層を導電性のワイヤ１２２で接続する。
【０１５１】
レジン塗布（Ｓ３０５〕工程では、半導体チップ１２０及びワイヤ１２２を含む部分を絶縁性のレジン１２３を塗布して被う。レジン１２３はベークされて硬化する。
図示はしないが、基板分割・選別〔Ｓ３０６〕工程では、基板１３０ａ，１４０ａを分割線で切断し、特性選別（特性評価）を行う。
【０１５２】
キャップ封止〔Ｓ３０７〕工程では、特性評価によって良品とされたもののモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄにキャップ１３２，１４２を取り付ける。キャップ１３２，１４２の係止部をモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄの係止部に係止（引っかける）。この係止状態は実施形態４における図２６と同様であることから、その説明は省略する。
【０１５３】
モジュール連結〔Ｓ３０８〕工程では、図３０にも示すように、Ｃモジュール１３０の突片１３２ａをＤモジュール１４０のキャップ１４２の突片１４２ａが設けられていない短辺の側面に重ね、またＤモジュール１４０の突片１４２ａをＣモジュール１３０のキャップ１３２の突片１３２ａが設けられていない短辺の側面に重ね、それぞれ接合材１３５で接合する。接合材１３５は、例えばはんだである。
【０１５４】
この例においても、モジュール基板１３０ｄ，１４０ｄ同士が接触（当接）してクラックが発生しないように、図３０に示すように、モジュール基板１３０ｄ，１４０ｄを所定の隙間を有するように離す。
つぎに、図示はしないが実施形態４と同様に特性評価〔Ｓ３０９〕を行う。
【０１５５】
つぎに、良品と判定された製品（混成集積回路装置２０Ｓ）は、図２８の最下段の図に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔Ｓ３１０〕。キャリアテープ５７に収容される混成集積回路装置２０Ｓの収容状態は、実施形態４の場合の図２７に示すものと同様であることから、詳細な説明は省略する。
【０１５６】
本実施形態５ではキャップとして金属製のキャップを使用したが、プラスチック製のキャップでもよい。この場合、導電性のプラスチックによるもの、または絶縁性のプラスチックによるものでもよい。プラスチックの場合は接合材は樹脂製の接合材を使用して両者のモジュールを一体化する。金属製や導電性のプラスチックによるキャップの場合は電磁シールドが可能になり、安定したモジュール動作が可能になる。
本実施形態５においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｓを製造することができる。
【０１５７】
（実施形態６）
図３１は本発明の他の実施形態（実施形態６）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３２は図３１のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【０１５８】
本実施形態６は高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で一体化して混成集積回路装置２０Ｔの例である。高周波電力増幅モジュールは、実施形態１で説明した高周波電力増幅モジュール４０である。従って、高周波電力増幅モジュール４０についての説明は省略する。
【０１５９】
モノリシックＩＣ１４５は、金属製のタブ１４５ａの上面にＩＣ（集積回路装置）が組み込まれた半導体チップ１４５ｂを搭載し、半導体チップ１４５ｂの電極１４５ｃとリード１４５ｄを導電性のワイヤ１４５ｅで接続した構造になっている。タブ１４５ａ、半導体チップ１４５ｂ、ワイヤ１４５ｅは絶縁性樹脂からなる封止体１４５ｆで被われている。図３２に示すように、封止体１４５ｆの裏面（下面）にリード１４５ｄが露出し、外部電極端子Ｐとなる表面実装構造になっている。
【０１６０】
高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５をトランスファモールディングして封止樹脂２１で一体化する製造方法は、実施形態１と同様であることからその説明は省略する。この例においても高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５はその周面と上面が封止樹脂２１で被われ、かつモジュール４０とモノリシックＩＣ１４５の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。
本実施形態６においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｔを製造することができる。
【０１６１】
（実施形態７）
図３３は本発明の他の実施形態（実施形態７）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣをキャップで結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３４はモノリシックＩＣとキャップの結合部分を示す模式的断面図である。
【０１６２】
本実施形態７は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、実施形態６で説明したモノリシックＩＣ１４５を、実施形態４で説明したキャップ７５ｒで一体化した混成集積回路装置２０Ｕの例である。
【０１６３】
図３４にキャップ７５ｒとモノリシックＩＣ１４５との係止状態を示す。モノリシックＩＣ１４５の周縁に設けた係止部１００ｍに、キャップ７５ｒの突片１００ｇの内側に突出した係止部１００ｈが引っ掛かることによって、キャップ７５ｒがモノリシックＩＣ１４５に取り付けられる。係止部１００ｍはリード１４５ｄによって形成される。高周波電力増幅モジュール４０とキャップ７５ｒとの固定も同様である。キャップ７５ｒは金属製のキャップまたはプラスチック製のキャップでもよい。またプラスチック製のキャップは導電性または絶縁性のいずれでもよい。
【０１６４】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１とモノリシックＩＣ１４５が接触（当接）してクラックが発生しないように、図３３に示すように、モジュール基板４１とモノリシックＩＣ１４５を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態７においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｕを製造することができる。
【０１６５】
（実施形態８）
図３５は本発明の他の実施形態（実施形態８）である高周波電力増幅モジュールと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３６は図３５のＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。
【０１６６】
本実施形態８は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、受動素子を内蔵する受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｖの例である。受動部品１５０はチップ部品であり、本実施形態８の場合は２個の受動部品１５０が高周波電力増幅モジュール４０と一体化されている。
【０１６７】
受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。本実施形態８の受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図３６に示すように封止樹脂２１の下面側に高周波電力増幅モジュール４０及び受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。
【０１６８】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０と受動部品１５０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１と受動部品１５０が接触（当接）してモジュール基板４１にクラックが発生しないように、図３５に示すように、モジュール基板４１と受動部品１５０を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態８においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｖを製造することができる。
【０１６９】
（実施形態９）
図３７は本発明の他の実施形態（実施形態９）であるモノリシックＩＣと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３８は図３７のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。
【０１７０】
本実施形態９は、いずれも既に説明したモノリシックＩＣ１４５と、２個の受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｗの例である。受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。本実施形態９の受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図３８に示すように封止樹脂２１の下面側にモノリシックＩＣ１４５及び受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。
【０１７１】
この例においてもモノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０が接触（当接）してモノリシックＩＣ１４５にクラックが発生しないように、図３７に示すように、モノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態９においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｗを製造することができる。
【０１７２】
（実施形態１０）
図３９は本発明の他の実施形態（実施形態１０）である複数の受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【０１７３】
本実施形態１０では、３個の受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｘである。
【０１７４】
受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。また、受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図示はしないが封止樹脂２１の下面側に受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。各受動部品１５０の外部電極端子Ｐは受動部品ごとに独立した状態にある。
【０１７５】
図３９に示す外形寸法が大きい受動部品１５０ｘは、インダクタであり、外形寸法が小さい二つの受動部品１５０ｒは、コンデンサと抵抗である。
本実施形態１０においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｘを製造することができる。
【０１７６】
（実施形態１１）
図４０は本発明の他の実施形態（実施形態１１）である高周波電力増幅モジュールと複数の受動部品を搭載した受動部品モジュールを結合した混成集積回路装置のキャップを部分的に切り欠いた平面図である。
【０１７７】
本実施形態１１は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、複数の受動部品１５０を組み込んだ受動部品モジュール１６０を、実施形態３で説明した図２３で示したキャップ７５で一体化した混成集積回路装置２０Ｙの例である。
【０１７８】
本実施形態１１における受動部品モジュール１６０は、セラミックからなる多層配線基板１６０ａの上面に既に説明した複数の受動部品１５０を搭載したものであり、多層配線基板１６０ａの裏面には外部電極端子Ｐが露出し、表面実装が可能な構造になっている。受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造であり、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。
【０１７９】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０と受動部品モジュール１６０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１と多層配線基板１６０ａが接触（当接）してモジュール基板４１や多層配線基板１６０ａにクラックが発生しないように、図４０に示すように、モジュール基板４１と多層配線基板１６０ａを所定の隙間を有するように離す。
本実施形態１１においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｙを製造することができる。
【０１８０】
（実施形態１２）
図４１乃至図４３は本発明の他の実施形態（実施形態１２）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合し、封止樹脂を金属キャップで被った混成集積回路装置に係わる図であり、図４１は混成集積回路装置の模式的平面図、図４２は混成集積回路装置の模式的断面図、図４３は封止樹脂と金属キャップとの嵌合部分の構造を示す模式的拡大断面図である。
【０１８１】
本実施形態１２は、実施形態６の混成集積回路装置２０Ｔにキャップ１７０を被せた構造の混成集積回路装置２０Ｚである。キャップ１７０は、図４２に示すように、高周波電力増幅モジュール４０及びモノリシックＩＣ１４５を被う封止樹脂２１の上面と周面を被う構造となるとともに、封止樹脂２１の周面を被う側壁１７０ａには、封止樹脂２１の側面に弾力的に接触する突出した係止部１７０ｂが図４１に示すように、各辺にそれぞれ２個ずつ設けられ、対面する側壁１７０ａに設けられた係止部１７０ｂで封止樹脂２１を弾力的に挟むようにして封止樹脂２１に取り付けられている。従って、必要に応じて容易に取り外すことができる。
【０１８２】
キャップ１７０は金属製または導電性プラスチック等導電性のものであり、電磁シールド効果を果たすようになっている。本実施形態１２の構造は、封止樹脂２１によって一体化された前述の各実施形態の混成集積回路装置にも同様に適用でき本実施形態１２と同様に電磁シールド効果を得ることができる。
【０１８３】
本実施形態１２においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｙを製造することができる。
【０１８４】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、連結体としては、一面が粘着面となり、機械強度が高い板状のものでもよい。この場合、粘着面に各種の部品が貼り付けられる。各部品は表面実装構造でかつ厚さ（高さ）が同じものが選ばれる。
【０１８５】
また、本発明では、材質が異なる複数の部品を簡便に一体化することができる。例えば、多層配線基板の材質が異なるモジュール基板に組みたてられたモジュールやＩＣ等の部品を一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
また、連結体によって連結するモジュール、半導体チップ等の数は２個に限定されることなく、３個以上でも良い。
【０１８６】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である携帯電話機等無線通信機について説明したが、それに限定されるものではなく、他の電子装置用の部品のモジュール化にも適用できる。
【０１８７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１８８】
（１）外形寸法が異なる複数の部品を一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１８９】
（２）使用する多層配線基板の層数が異なる複数の部品を簡便に一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９０】
（３）材質が異なる複数の部品を一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９１】
（４）複数の部品を一体化した小型の混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９２】
（５）複数の部品を一体化した薄型の混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９３】
（６）複数の部品を一体化した低廉な混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９４】
（７）電子装置に組み込む部品をできるだけ多く一体化したモジュールを提供できることにより、電子装置に実装する部品数を低減できるため、実装時間の短縮から電子装置の製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である混成集積回路装置の模式的正面図である。
【図２】前記混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図３】前記混成集積回路装置の底面の外部電極端子パターンを透視した平面図である。
【図４】前記混成集積回路装置に組み込まれる高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールの部品搭載状態を示す平面図である。
【図５】前記高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールの回路構成を示すブロック図である。
【図６】前記高周波電力増幅モジュールのモジュール基板の一部の断面構造を示す模式図である。
【図７】前記アンテナスイッチモジュールのモジュール基板の一部の断面構造を示す模式図である。
【図８】本実施形態１の混成集積回路装置を組み込んだ携帯電話機の機能を示す一部のブロック図である。
【図９】本実施形態１の混成集積回路装置を携帯電話機の実装基板に実装した状態を示す模式図である。
【図１０】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法において、トランスファモールディング装置の成形金型の下金型上に二つのモジュールを載置する状態を示す模式的断面図である。
【図１２】前記下金型上の二つのモジュールの位置決めを行う位置決め治具の一部を示す平面図である。
【図１３】前記下金型上の二つのモジュールの位置決めと真空吸引による固定を行う状態を示す模式的断面図である。
【図１４】前記成形金型の型締め状態においてトランスファモールディングを行う状態を示す模式的断面図である。
【図１５】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法において、キャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態（実施形態２）である混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図１７】本実施形態２の混成集積回路装置に組み込む高周波電力増幅モジュールを示す図である。
【図１８】本実施形態２の混成集積回路装置に組み込むアンテナスイッチモジュールを示す図である。
【図１９】本発明の他の実施形態（実施形態３）である混成集積回路装置の正面図である。
【図２０】本実施形態３の混成集積回路装置の平面図である。
【図２１】本実施形態３の混成集積回路装置における底面の外部電極端子パターンを示す拡大透視平面図である。
【図２２】本実施形態３の混成集積回路装置においてキャップを外した高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールを示す平面図である。
【図２３】一部を断面にした前記キャップの図である。
【図２４】本実施形態３の混成集積回路装置の実装状態を示す模式図である。
【図２５】本発明の他の実施形態（実施形態４）である混成集積回路装置の製造状態を示すフローチャートである。
【図２６】本実施形態４の混成集積回路装置におけるキャップと実装基板との係止状態を示す一部拡大断面図である。
【図２７】本実施形態４の混成集積回路装置の製造方法においてキャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的拡大断面図である。
【図２８】本発明の他の実施形態（実施形態５）である混成集積回路装置の製造各工程を示すフローチャートである。
【図２９】本実施形態５の混成集積回路装置の製造に用いる基板の一部を示す模式的平面図である。
【図３０】本実施形態５である混成集積回路装置における二つのモジュールの一体化構造を示す模式的平面図である。
【図３１】本発明の他の実施形態（実施形態６）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３２】図３１のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【図３３】本発明の他の実施形態（実施形態７）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣをキャップで結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３４】本実施形態７のモノリシックＩＣとキャップの結合部分を示す模式的断面図である。
【図３５】本発明の他の実施形態（実施形態８）である高周波電力増幅モジュールと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３６】図３５のＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。
【図３７】本発明の他の実施形態（実施形態９）であるモノリシックＩＣと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３８】図３７のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。
【図３９】本発明の他の実施形態（実施形態１０）である複数の受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図４０】本発明の他の実施形態（実施形態１１）である高周波電力増幅モジュールと複数の受動部品を搭載した受動部品モジュールを結合した混成集積回路装置のキャップを部分的に切り欠いた平面図である。
【図４１】本発明の他の実施形態（実施形態１２）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合し、封止樹脂を金属キャップで被った混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図４２】本実施形態１２の混成集積回路装置の模式的断面図である。
【図４３】本実施形態１２の混成集積回路装置における封止樹脂と金属キャップとの嵌合部分の構造を示す模式的拡大断面図である。
【符号の説明】
２０，２０Ｐ〜２０Ｚ…混成集積回路装置、２１…封止樹脂、２５…成形金型、２６…下金型、２７…上金型、２８…真空吸引孔、２９…キャビティ、３０…ゲート、３１…ランナー、３２…エアーベント、３３…位置決め治具、３４，３５…位置決め穴、３４ａ，３５ａ…傾斜面、３６…支持アーム、３７…樹脂、４０…モジュール（高周波電力増幅モジュール）、４１…モジュール基板、４１ａ…誘電体層（誘電体板）、４１ｂ…配線層、４１ｃ…導体、４１ｆ…窪み、４３，４４，４５…半導体チップ、４６…ワイヤ、４７Ｐ，４７Ｇ…パワーアンプ（ＰＡ）、４８…バイアス回路、４９…窪み、５３…基板、５３ａ…製品形成部、５３ｂ…はんだ、５３ｆ…樹脂、５５…特性評価ボード、５６…接触端子、５７…キャリアテープ、５７ａ…エンボステープ、５７ｂ…窪み、５７ｃ…カバーテープ、５８…リール、６０…アンテナスイッチモジュール、６１…モジュール基板、６１ａ…誘電体層（誘電体板）、６１ｂ…配線層、６１ｃ…導体、６２…容量、６３〜６６…ダイオード、６９…窪み、７０…分波器、７１…７１Ｐ，７１Ｇ…アンテナスイッチ、７２Ｐ，７２Ｇ…フィルタ、７３…基板、７３ａ…製品形成部、７３ｂ…はんだ、７５…キャップ、７５ａ…平坦部、７５ｂ…側面部、７５ｃ…係止部、８０…ベースバンド、８１…高周波信号処理装置、８２…中央処理演算装置、８３Ｐ，８３Ｇ…低雑音増幅器、８４Ｐ，８４Ｇ…フィルタ、８５…アンテナ、９０…実装基板、９１…ランド、９２…接合材、１００，１１０…Ａ・Ｂモジュール、１００ａ，１１０ａ…基板、１００ｂ，１１０ｂ…製品形成部、１００ｃ，１１０ｃ…はんだ、１００ｄ，１１０ｄ…モジュール基板、１００ｍ，１００ｈ…係止部、１２０…半導体チップ、１２１…チップ部品、１２２…ワイヤ、１２３…レジン、１３０，１４０…Ｃ・Ｄモジュール、１３０ａ，１４０ａ…基板、１３０ｂ，１４０ｂ…製品形成部、１３０ｃ，１４０ｃ…はんだ、１３０ｄ，１４０ｄ…モジュール基板、１３０ｅ，１４０ｅ…長孔、１３２，１４２…キャップ、１３２ａ，１４２ａ…突片、１３５…接合材、１４５…モノリシックＩＣ、１４５ａ…タブ、１４５ｂ…半導体チップ、１４５ｃ…電極、１４５ｄ…リード、１４５ｅ…ワイヤ、１４５ｆ…封止体、１５０…受動部品、１５０ａ…封止体、１５０ｂ…電極、１６０…受動部品モジュール、１６０ａ…多層配線基板、１７０…キャップ、１７０ａ…側壁、１７０ｂ…係止部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のモジュール等を連結体で一体化した混成集積回路装置、前記混成集積回路装置を組み込んだ電子装置及びそれらの製造方法に係わり、例えば、携帯電話機等の無線通信機（電子装置）に組み込む、高周波電力増幅モジュールやアンテナスイッチモジュールを一体化した混成集積回路装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話，携帯電話機等の無線通信機（電子装置）の送信機の送信側出力段には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）やＧａＡｓ−ＭＥＳ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）ＦＥＴ等を多段に組み込んだ増幅器やアンテナスイッチ等が組み込まれている。
【０００３】
高周波電力増幅モジュール及び無線通信機（移動通信機）については、例えば、米国特許第２００１／４３１３０Ａ１号〔特開２００２−４３８１３号公報〕、特開２０００−２０９０３８ 号公報及び特開２００２−１１１４１５ 号公報に記載されている。米国特許第２００１／４３１３０Ａ１号には、高周波回路モジュール（高周波電力増幅器）や無線通信機が開示されている。
【０００４】
また、特開２００１−２８４５２０ 号公報には、半導体装置の高密度化・高集積化・高速動作化などに伴って発生するところの、配線長が大きいことに起因する信号遅延の低減要求とバーンインなどの各種テストおよびリペア（修復）の容易性要求との間にみられるトレードオフ（二律背反）の問題を解消するための技術が開示されている。即ち、この文献には、二つの半導体装置（マルチチップモジュール）をマザーボードへ実装する際、モジュール間の配線長を短くすること、及びモジュール単体としてテストを可能にするために、次の工程が開示されている。
【０００５】
▲１▼二つのモジュール（例ＣＰＵとＲＡＭ）パッケージ（セラミック基板パッケージ）の入出力電極間を予めプリコート半田や導電性接着剤で電気的接続する工程。
▲２▼上記二つのモジュールの位置関係を保持した状態で、マザーボード上でリフローして実装する工程。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
携帯電話機は、その携帯性から薄型・小形・軽量化が強く要求される。このため、携帯電話機に組み込む部品も更なる薄型・小形・軽量化が要請されている。この薄型・小形・軽量化の要求に対処すべく、各回路部分のモジュール化が図られている。
【０００７】
携帯電話機の実装基板（例えば、マザーボード）には、各種のモジュール、単一の半導体チップを封止体（パッケージ）内に組み込んだモノリシックな集積回路装置、抵抗やコンデンサ等の受動素子を封止体内に組み込んだ受動部品等の部品が実装される。実装基板に搭載する部品の数が多くなればなる程、実装不良の発生頻度が高くなる。このため、実装不良率を低減するためには実装部品数の低減が望まれる。この結果、一つのモジュール（モジュール基板）により多くの回路部分を組み込むことが望まれる。また、搭載部品数が多いと、全部品の実装基板への実装時間が長くなり、携帯電話機の製造コスト低減が妨げられることになる。
【０００８】
一方、モジュールにおいて、回路構成によっては、導体層（配線層）の層数の少ない低廉なモジュール基板を使用するものと、導体層（配線層）の層数の多い高価なモジュール基板を使用するものがある。層数の異なる回路構成部分を１枚のモジュール基板に組み込む場合には、層数を多く必要とする回路構成にモジュール基板を合わせなければならなくなり、モジュールの製造コストの上昇を招く。
【０００９】
また、材質が同一の多層配線基板の場合は、製造コストが高くなってもモジュール化は可能であるが、材質が異なるモジュール基板を使用するものでは、モジュール化はできなくなる。
【００１０】
本発明の目的は、外形寸法が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、使用する多層配線基板の層数が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、材質が異なる複数の部品を簡便に一体化できる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した小型の混成集積回路装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した薄型の混成集積回路装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、複数の部品を一体化した低廉な混成集積回路装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、電子装置に組み込む部品をできるだけ多く一体化したモジュールを提供し、これにより実装部品数の低減によって実装時間の短縮化を図り、以して電子装置の製造コストの低減を図ることにある。
【００１７】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１９】
（１）本発明の混成集積回路装置は、配線を有する実装基板に下面の複数の外部電極端子を介して実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、前記第１及び第２のモジュールの上面及び周面を被い前記第１及び第２のモジュールを連結して一体構造とする封止樹脂からなる連結体を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立していることを特徴とする。
【００２０】
前記第１及び第２のモジュールは下面に前記複数の外部電極端子を有する多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品が電極の接続を含んで搭載されてモジュールを構成している。前記隣接する前記第１及び第２のモジュールの間には、両者が当接しないための隙間が存在していることを特徴とする。
【００２１】
前記第１及び第２のモジュールの多層配線基板は、誘電体層を複数積み重ねて構成されるセラミック基板であり、前記第１のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数と、前記第２のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数が異なっている。前記第１のモジュールは高周波電力増幅モジュールであり、前記第２のモジュールはアンテナスイッチモジュールである。高周波電力増幅モジュールの多層配線基板の誘電体層の層数はアンテナスイッチモジュールの多層配線基板の誘電体層の層数よりも多くなっている。
【００２２】
混成集積回路装置は特性評価された後、キャリアテープに収容されて出荷される。混成集積回路装置はキャリアテープから取り出され、携帯電話機の実装基板等に実装される。
【００２３】
キャリアテープに収容される前記構成の混成集積回路装置は、
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための誘電体層の層数の異なる配線基板（多層配線基板）をそれぞれ準備する工程と、
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュール（高周波電力増幅モジュール）を構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュール（アンテナスイッチモジュール）を構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程と、
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程と、
（ｄ）選ばれた前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程と、
（ｅ）前記第１及び第２のモジュールを一体化した混成集積回路装置の特性評価を行う工程と、
（ｆ）前記特性評価で良品と判定された混成集積回路装置を出荷用のリールに巻き付けるキャリアテープに収容する工程とによって製造される。
【００２４】
前記キャリアテープは、両側にスプロケットホールを所定間隔に有しかつ製品を収容する窪みを所定間隔に有するエンボステープと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられるカバーテープとからなり、前記窪みに混成集積回路装置を収容した後、カバーテープを貼り付けて前記窪みを被い、ついで出荷用のリールに巻き付けられる。
【００２５】
（２）前記手段（１）の構成において、前記第１及び第２のモジュールにおける前記多層配線基板の外周縁の内側に窪んだ縁部分を係止部として用い、この係止部に着脱自在に係止する係止部を有するキャップを係止させて第１及び第２のモジュールの一体化を図る。キャップの外周縁は第１及び第２のモジュールの外周縁の内側に位置する。
【００２６】
前記（１）の手段によれば、（ａ）多層配線基板（セラミック基板）の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置とすることから、外形寸法が異なるモジュールを一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
【００２７】
（ｂ）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置にすることから、封止樹脂の厚さを前記部品を被うにして必要最小限の厚さとすることにより、混成集積回路装置の薄型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【００２８】
（ｃ）第１及び第２のモジュールを封止樹脂からなる連結体で一体化するため、モジュール間の隙間を必要最小限の間隔とするとともに、モジュールの外周を被う封止樹脂の厚さを必要最小限の厚さとすることによって、混成集積回路装置の小型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【００２９】
（ｄ）第１及び第２のモジュールを封止樹脂からなる連結体で一体化するため、多層配線基板の層数が異なるモジュールを一体化（モジュール化）した混成集積回路装置を製造することができる。
【００３０】
（ｅ）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂で連結して混成集積回路装置を製造することから、製造が容易であり、混成集積回路装置の製造コストの低減が図れる。
【００３１】
（ｆ）第１及び第２のモジュールのそれぞれの外部電極端子はモジュール毎に電気的に独立する状態にあることから、各モジュール毎の電気的特性が得られることにより、最適な特性の組合わせが得られ、より特性を向上させる効果がある。
【００３２】
（ｇ）第１及び第２のモジュールの間には両者が当接しないための隙間が存在していることから、セラミック基板同士の当接が発生しなくなり、当接によってセラミック基板にクラックが発生しなくなり、製品不良が起きなくなる。従って、混成集積回路装置の実装不良が発生しなくなるとともに、混成集積回路装置の安定動作が達成できる。
【００３３】
（ｈ）選ばれた第１及び第２のモジュールを一体化し、その後に行う一体化状態での混成集積回路装置の特性評価、さらには良品と判定した混成集積回路装置の実装基板への実装によって、実装した混成集積回路装置の実装の歩留りが向上するとともに、実装の信頼性が高くなる。
【００３４】
（ｉ）混成集積回路装置は、キャリアテープに収容されてリールに巻き付けられて出荷されるため、出荷作業が簡便になる。また、実装基板への混成集積回路装置の実装作業もリールからキャリアテープを解きだし、カバーテープを外すことによって混成集積回路装置を容易にピックアップできるため、実装作業も容易になる。
【００３５】
（ｊ）混成集積回路装置は高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールが一体化された構造となっていることから、携帯電話機等の無線通信機に搭載した場合、高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールを別々に実装基板に搭載する場合に比較して実装回数が減り、携帯電話機の組立コストの低減が可能になる。
【００３６】
前記（２）の手段によれば、前記手段（１）の構成による効果に加えて、（ａ）キャップの外周縁が第１及び第２のモジュールの外周縁よりも内側に位置していることから、混成集積回路装置の小型が図れる。
【００３７】
（ｂ）キャップは第１及び第２のモジュールの多層配線基板に着脱自在に取り付けられる構成になっていることから、第１及び第２のモジュールのモジュール化も容易である。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
（実施形態１）
図１乃至図１５は本発明の一実施形態（実施形態１）である混成集積回路装置及びその製造方法に係わる図である。図１乃至図３は混成集積回路装置の外観を示す図、図４乃至図７は構造を示す図、図８は携帯電話機の一部の機能ブロック図、図９は混成集積回路装置の実装状態を示す図、図１０乃至図１５は混成集積回路装置の製造方法を示す図である。
【００４０】
本発明は複数のモジュール等の部品を連結体で一体化する混成集積回路装置に係わるものである。本実施形態１では、特に限定はされないが、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を連結体で一体化した混成集積回路装置の製造に本発明を適用した例について説明する。本実施形態１では、例えば、二つの通信系の増幅を行う増幅系を有する高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）と、二つの通信系の送信及び受信を切り換えることができるアンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）を連結体によって一体化した混成集積回路装置に本発明を適用した例について説明する。
【００４１】
通信系は、例えば、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）方式と、ＰＣＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｎｅｔｗｏｒｋ）方式である。
【００４２】
本実施形態１の混成集積回路装置２０は、図１及び図２に示すように偏平な矩形体の封止樹脂２１内に二つのモジュール４０，６０（第１及び第２のモジュール）を封止した構造になっている。モジュール４０，６０は上面と周面が前記封止樹脂２１で被われ、下面は封止樹脂２１から露出している。モジュール４０，６０の下面には、図３に示すように１から１５の符号及びＧで示すようにそれぞれ複数の外部電極端子Ｐ（以下単に外部電極端子を示す場合、Ｐなる文字で示す）が設けられている。
【００４３】
二つのモジュール４０，６０は、本実施形態１では高周波電力増幅モジュール４０と、アンテナスイッチモジュール６０であり、携帯電話機等の無線通信機に組み込まれる部品である。図１及び図２において、モジュール４０，６０は、いずれもモジュール基板４１，６１を示すものであり、モジュール基板４１，６１の上面に搭載される部品は省略してある。
【００４４】
モジュール基板４１，６１の配列方向に直交する幅方向のモジュール基板４１，６１の長さ（幅）は同じ長さになっている。これは連結体となる封止樹脂２１の場合は特に必要の条件ではないが、後述する他の実施形態による連結体となるキャップによってキャップとモジュール基板のそれぞれの係止部を介しての係止による一体化の場合には好ましいことである。以下、他の実施形態において、多層配線基板からなるモジュール基板を使用する部品相互の連結にあっては、モジュール基板の幅及び対面する一対の係止部間の寸法（モジュール基板の幅方向の寸法）は、各部品において同じである。
【００４５】
しかし、これも限定されるものではない。即ち、キャップに設ける係止部の位置が各部品において異なる場合は、モジュール基板に設ける係止部の位置もキャップの係止部の位置に対応するため、同じにはならない。後述する実施形態では、この例を特に示してないが、キャップによって複数の部品を一体化する例において、各部品ごとに係止する位置を違えることも可能である。
【００４６】
本実施形態１の混成集積回路装置２０の寸法の一例を挙げるならば、幅１０ｍｍ，長さ２０ｍｍ，高さ（厚さ）２ｍｍである。モジュール４０，６０の側面を被う封止樹脂２１の厚さは２ｍｍであり、モジュール４０，６０の上面を被う封止樹脂２１の厚さは最も薄い部分で０．５ｍｍである。本発明はこの寸法に限定されるものではなく、使用するモジュール基板４１，６１や搭載する部品によって変化するものである。
【００４７】
モジュール４０，６０を構成するモジュール基板４１，６１は、多層配線構造のセラミック基板（多層配線基板）である。図６及び図７に示すように、モジュール基板４１，６１は、セラミックからなる誘電体板（誘電体層）４１ａ，６１ａを複数枚重ねて焼成したものである。焼成前の誘電体板（誘電体層）はグリーンシートと呼称される。誘電体層４１ａ，６１ａの表裏面には配線（配線層）４１ｂ，６１ｂが設けられているとともに、誘電体層４１ａ，６１ａの上下面に亘って貫通する貫通孔を有し、かつこの貫通孔内には導体４１ｃ，６１ｃが埋め込まれている。そして、誘電体層４１ａ，６１ａの表裏面の配線（配線層）４１ｂ，６１ｂの所定箇所は導体４１ｃ，６１ｃによって電気的に接続されている。
【００４８】
高周波電力増幅モジュール４０と、アンテナスイッチモジュール６０では、図６及び図７に示すように、誘電体層の層数、換言するならば配線層４１ｂ，６１ｂの層数が異なる。これは回路特性上の要請によるものである。図６及び図７は高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板４１，６１の一部を示す模式的拡大断面図である。
【００４９】
図６に示す高周波電力増幅モジュール４０のモジュール基板４１は、特に限定はされないが、誘電体層４１ａが５層になり、配線層４１ｂは配線層１〜配線層６に示すように６層になっている。上層の３層の誘電体層（誘電体板）４１ａは部分的に除去された状態で重ねられるため、半導体チップを搭載するための窪み４１ｆが形成される。窪み４１ｆの底には配線層４１ｂが設けられ、この部分に半導体チップが接合材を介して固定される。
【００５０】
図７に示すアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板６１は、特に限定はされないが、誘電体層６１ａが１１層になり、配線層６１ｂは配線層１〜配線層１２に示すように１２層になっている。図の右側上層部分には、一対の導体６１ｃから体面する方向に交互に延在する配線層６１ｂによって容量６２が形成されている。この容量６２の容量値を大きくするため、誘電体層（誘電体板）６１ａは、前記モジュール基板４１に比較して薄くなっている。この結果、基板内部に容量を形成するため、またモジュール基板４１の厚さに合わせるためには、モジュール基板６１の層数は多くなる。
【００５１】
前述のように、アンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板６１では、フィルタの容量作製のため、誘電体層（誘電体板）４１ａの１層当たりの厚さを薄くし、層数を増やす必要がある。また、高周波電力増幅モジュール４０においては、トランジスタを内蔵した半導体チップが搭載される窪み４１ｆの下には、特に図示はしてないが、放熱用のビアが設けられることから、この部分への容量の集積はできない。また、高周波電力増幅モジュールに搭載される部品は、高周波電力増幅モジュールのトランジスタとの整合に使用されており、この点からも高周波電力増幅モジュール４０用のモジュール基板４１への容量の内層化は不向きである。また、整合用の配線については、損失低減のため、誘電体層を薄くすることには制限がある。これらのことから、高周波電力増幅モジュールのモジュール基板４１における容量の内層化は不向きである。従って、高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールは別々の部品とされる。
【００５２】
モジュール基板４１，６１の最下層の配線層によって、図３に示すように複数の外部電極端子Ｐが形成される。図３は混成集積回路装置２０の底面の外部電極端子パターンを透視した平面図である。本実施形態１においては、連結体で連結される二つのモジュールは、各モジュールごとに電気的に独立した状態にある。
【００５３】
本発明は、二つのモジュールを連結体で物理的に連結させて一体化した混成集積回路装置を製造することにある。この場合、モジュールは二つとは限らず幾つでもよい。従って、この技術思想の展開により、後述する各実施形態で明らかとなるが、モジュールとモノリシックなＩＣとの連結、モジュールと受動部品との連結、モノリシックなＩＣと受動部品との連結、複数の受動部品同士の連結等にも本発明は適用できる。
【００５４】
そして、前述のような複数の部品の連結による混成集積回路装置においては、一体化する部品同士の外部電極端子の電気的接続は一体化の段階では行わず、実装基板に実装して初めて所定の部品間の所定の外部電極端子を電気的に接続するものである。
【００５５】
また、モジュール４０，６０の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装基板に実装される面は同一平面上に位置している。これは二つのモジュールが確実に実装基板に実装させるために好ましいことである。また、これに限定されるわけではないが、モジュール４０，６０の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装基板に実装される面と、封止樹脂２１の裏面も同一平面上に位置している。これは、混成集積回路装置２０の製造時、トランスファモールディング装置の成形金型の下型上に高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を載置し、この状態で周面及び上面を封止樹脂で被って封止樹脂２１を形成することによる。これにより、モジュールの複数の外部電極端子Ｐの実装される面も封止樹脂２１の下面も同一平面上に位置するようになる。
【００５６】
なお、後述する実施形態において、本発明では連結体としてキャップを使用するが、このキャップによる連結においても連結される部品の下面の複数の外部電極端子Ｐの実装される面は同一平面上に位置するようにして連結される。
【００５７】
図３は混成集積回路装置２０の外部電極端子を透視した平面図である。そして、これら外部電極端子Ｐの機能は図４（ａ），（ｂ）に示してある。
【００５８】
図３及び図４（ａ）に示すように、高周波電力増幅モジュール４０（モジュール基板４１）の周囲には外部電極端子番号として１〜８とＧ（ＧＮＤ）なる符号を付してある。図４（ａ）に示すように、１は入力端子Ｐｉｎ２、２は制御端子Ｖａｐｃ 、３は電源電位端子Ｖｄｄ２、４は出力端子Ｐｏｕｔ ２、５は出力端子Ｐｏｕｔ １、６は電源電位端子Ｖｄｄ１、７はパワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 、８は入力端子Ｐｉｎ１、Ｇ（ＧＮＤ）は基準電位端子である。ここで、各記号の末尾の数字は通信系（増幅系）の違いを示すものであり、例えば、末尾に数字１が付いた端子はＰＣＮ用の増幅器の端子であり、末尾に数字２が付いた端子はＧＳＭ用の増幅器の端子である。
【００５９】
高周波電力増幅モジュール４０は、詳細には説明をしないが、図４（ａ）に示すように、モジュール基板４１上に３個の半導体チップ４３，４４，４５と、符号は付けないが複数のチップ抵抗やチップコンデンサが搭載されて形成されている。チップ抵抗やチップコンデンサは搭載（固定）によって電極が配線層４１ｂに接続される。一部しか表示しないが、半導体チップ４３，４４，４５の各電極は導電性のワイヤ４６を介して配線層４１ｂに接続される。
【００６０】
半導体チップ４３には、ＰＣＮ及びＧＳＭ用の増幅系の第１増幅段と第２増幅段を構成するトランジスタ（電界効果トランジスタ：ＦＥＴ）が組み込まれている。半導体チップ４４にはＰＣＮ用の第３増幅段（出力段）のトランジスタが組み込まれ、半導体チップ４５にはＧＳＭ用の第３増幅段（出力段）のトランジスタが組み込まれている。
【００６１】
モジュール基板４１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は辺に沿って一定長さ内側に窪み４９を有する構造になっている。この窪み４９は連結体を構成するキャップの係止部が係止（嵌合）される係止部となる。この例は後述する。
【００６２】
図５（ａ）は高周波電力増幅モジュール４０の機能ブロック図である。高周波電力増幅モジュール４０には、二つのパワーアンプ（ＰＡ）４７Ｐ，４７Ｇと、このパワーアンプ４７Ｐ，４７Ｇに所定のバイアス電位を印加するバイアス回路４８が内蔵されている。
【００６３】
入力端子Ｐｉｎ１に入力したＰＣＮの送信信号は、パワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 及び制御端子Ｖａｐｃ から入力されてバイアス回路４８に送り込まれる制御信号に基づいてパワーアンプ４７Ｐにバイアス電位を供給する。この結果、パワーアンプ４７Ｐに入力された送信信号は前記バイアス電位に対応して増幅され、出力端子Ｐｏｕｔ １に送られる。
【００６４】
同様に、入力端子Ｐｉｎ２に入力したＧＳＭの送信信号は、パワーコントロール端子Ｖｃｔｌ 及び制御端子Ｖａｐｃ から入力されてバイアス回路４８に送り込まれる制御信号に基づいてパワーアンプ４７Ｇにバイアス電位を供給する。この結果、パワーアンプ４７Ｇに入力された送信信号は前記バイアス電位に対応して増幅され、出力端子Ｐｏｕｔ ２に送られる。
【００６５】
また、図３及び図４（ｂ）に示すように、アンテナスイッチモジュール６０（モジュール基板６１）の周囲には外部電極端子番号として９〜１５とＧ（ＧＮＤ）なる符号を付してある。図４（ｂ）に示すように、９は送信信号入力端子ＴＸｉｎ２、１０は受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ ２、１１はスイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ２、１２はアンテナ出力端子Ａｏｕｔ 、１３はスイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ １、１４は受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １、１５は送信信号入力端子ＴＸｉｎ１、Ｇ（ＧＮＤ）は基準電位端子である。ここで、各記号の末尾の数字の違いは高周波電力増幅モジュール４０と同様であり、末尾に数字１が付いた端子はＰＣＮ用のアンテナスイッチの端子であり、末尾に数字２が付いた端子はＧＳＭ用のアンテナスイッチの端子である。
【００６６】
アンテナスイッチモジュール６０は、詳細には説明をしないが、図４（ｂ）に示すように、モジュール基板６１上に４個のダイオード６３〜６６と、符号は付けないが複数のチップ抵抗やチップコンデンサが搭載されて構成されている。チップ抵抗やチップコンデンサは搭載（固定）によって電極が配線層に接続される。またダイオードも両端に電極を有する構造であることから、電極部分の接続によってダイオードの接続となる。
【００６７】
モジュール基板６１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は内側に窪み６９を有する構造になっている。この窪み６９は、モジュール基板４１の窪み４９と同様であり、キャップの係止部が係止（嵌合）される係止部となる。
【００６８】
これらの部品搭載によって、図５（ｂ）の機能ブロック図に示すようにアンテナスイッチモジュールが形成される。アンテナスイッチモジュールは、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に接続される分波器７０と、この分波器７０にそれぞれ接続されるａ，ｂ接点を有する３端子のアンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇと、アンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇのａ接点と送信信号入力端子ＴＸｉｎ１，ＴＸｉｎ２との間に接続されるフィルタ７２Ｐ，７２Ｇとを有する。アンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇのｂ接点と受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １，ＲＸｏｕｔ ２が接続され、スイッチ切替え用端子Ｖｃｔｌ １，Ｖｃｔｌ ２に入力された制御信号によってアンテナスイッチ７１Ｐ，７１Ｇの接点の切替えが行われる。
【００６９】
ＰＣＮ通信では、送信信号入力端子ＴＸｉｎ１に入力された送信信号は、アンテナスイッチ７１Ｐのａ接点及び分波器７０を通ってアンテナ出力端子Ａｏｕｔ に出力され、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に入力された受信信号は、分波器７０及びアンテナスイッチ７１Ｐのｂ接点を通って受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ １に出力される。
【００７０】
ＧＳＭ通信では、送信信号入力端子ＴＸｉｎ２に入力された送信信号はアンテナスイッチ７１Ｇのａ接点及び分波器７０を通ってアンテナ出力端子Ａｏｕｔ に出力され、アンテナ出力端子Ａｏｕｔ に入力された受信信号は分波器７０及びアンテナスイッチ７１Ｇのｂ接点を通って受信信号出力端子ＲＸｏｕｔ ２に出力される。
【００７１】
図８は携帯電話機（無線通信機）の機能構成を示す一部の示すブロック図であり、ベースバンド（Ｂａｓｅ Ｂａｎｄ ）８０からアンテナ（Ａｎｔｅｎｎａ）８５までの部分を示す。ベースバンド８０には高周波信号処理装置（ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ）８１が接続される。高周波信号処理装置８１とアンテナ８５との間には、送信系回路と受信系回路が設けられる。即ち、本実施形態１の混成集積回路装置２０の高周波電力増幅モジュール４０が高周波信号処理装置８１に接続され、アンテナスイッチモジュール６０がアンテナ８５に接続される。
【００７２】
混成集積回路装置２０を、図９に示すように、携帯電話機の実装基板９０に接続することによって、図８に示すように、混成集積回路装置２０の高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の所定の外部電極端子同士が電気的に接続される。前記ベースバンド８０，高周波信号処理装置８１及び高周波電力増幅モジュール４０は、中央処理演算装置８２によって制御される。
【００７３】
図９は携帯電話機の実装基板９０に混成集積回路装置２０が実装された状態を示す模式図である。混成集積回路装置２０の所定の外部電極端子は、実装基板９０の上面に設けられた配線の一部（ランド９１）に導電性の接合材９２によって電気的に接続される。
【００７４】
高周波信号処理装置８１から送り出されるＰＣＮ用の送信信号は、混成集積回路装置２０の外部電極端子の８番の端子に入力されパワーアンプ４７Ｐに送り込まれる。増幅されたＰＣＮ用の送信信号は外部電極端子の５番を通り、アンテナスイッチモジュール６０の外部電極端子の１５番に入り、外部電極端子の１２番を通り、アンテナ８５から電波として出力される。
【００７５】
高周波信号処理装置８１から送り出されるＧＳＭ用の送信信号は、外部電極端子の１番の端子に入力されパワーアンプ４７Ｇに送り込まれる。増幅されたＧＳＭ用の送信信号は外部電極端子の４番を通り、アンテナスイッチモジュール６０の外部電極端子の９番に入り、外部電極端子の１２番を通り、アンテナ８５から電波として出力される。
【００７６】
パワーアンプ４７Ｐ，４７Ｇにおける増幅率は、中央処理演算装置８２から高周波電力増幅モジュール４０の外部電極端子の７番に送り込まれる信号や、図示しない自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）から外部電極端子の２番に送り込まれる制御信号によって制御される。
【００７７】
高周波信号処理装置８１と混成集積回路装置２０のアンテナスイッチモジュール６０との間には、低雑音増幅器（ＬＮＡ）８３Ｐ，８３Ｇとフィルタ（ソーフィルタ）８４Ｐ，８４Ｇが直列に接続されている。フィルタ８４Ｐはアンテナスイッチ７１Ｐのｂ接点に接続され、フィルタ８４Ｇはアンテナスイッチ７１Ｇのｂ接点に接続されている。
【００７８】
ベースバンド８０と高周波信号処理装置８１との間ではＩ信号，Ｑ信号の授受が行われる。従って、携帯電話機における送信は、中央処理演算装置８２によって制御されるベースバンド８０からＩ，Ｑ信号が高周波信号処理装置８１に送られることから始まり、高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を有する混成集積回路装置２０で処理されてアンテナ８５から出力される。携帯電話機における受信は、アンテナ８５で受信した電波は受信信号としてアンテナスイッチモジュール６０の分波器７０を通り、フィルタ８４Ｐ，８４Ｇ，低雑音増幅器８３Ｐ，８３Ｇを通って高周波信号処理装置８１に入力される。高周波信号処理装置８１ではＩ，Ｑ信号としてベースバンド８０に送り込む。これにより、デュールバンドでの通信が可能になる。
【００７９】
つぎに、本実施形態１の混成集積回路装置２０の製造について、図１０乃至図１５を参照しながら説明する。図１０は高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）と、アンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）を一体化して混成集積回路装置２０を製造する模式的工程断面図をも含むフローチャートである。
【００８０】
このフローチャートで示すように、混成集積回路装置２０は、基板準備〔Ｓ１０１〕、はんだ印刷〔Ｓ１０２〕、部品搭載〔Ｓ１０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ１０４〕、レジン塗布〔Ｓ１０５〕、基板分割〔Ｓ１０６〕、モジュール連結〔Ｓ１０７〕、特性評価〔Ｓ１０８〕、テーピング（梱包：Ｓ１０９〕の工程を経て製造される。なお、図１０はプロセス説明が主である。このため、図１０における各種部品の搭載の図は模式的なものであり、図４（ａ），（ｂ）を正確に表示するものではない。
【００８１】
図１０における基板準備〔Ｓ１０１〕から基板分割〔Ｓ１０６〕における左側の工程断面図は高周波電力増幅モジュール（ＰＡＭ）の製造段階を示し、右側の工程断面図はアンテナスイッチモジュール（ＡＳＷＭ）の製造段階を示す。
【００８２】
基板準備工程〔Ｓ１０１〕では、ＰＡＭ及びＡＳＷＭを形成するための基板５３，７３が用意される。基板５３は高周波電力増幅モジュール４０を製造するためのセラミックからなる多層配線基板であって、マトリックス状に製品形成部５３ａが形成されている。基板５３は基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部５３ａがモジュール基板４１になる。このため、製品形成部５３ａの各辺の中央部分には辺に沿って一定長さ長孔（図示せず）が設けられている。基板分割の際、分割線はこの長孔の中心を貫く線になる。これは基板７３においても同様である。はんだ印刷〔Ｓ１０２〕からレジン塗布〔Ｓ１０５〕では、単一の製品形成部５３ａのみを図示する。基板５３は図６に示す断面構造になる。
【００８３】
基板７３はアンテナスイッチモジュール６０を製造するためのセラミックからなる多層配線基板であって、マトリックス状に製品形成部７３ａが形成されている。基板７３は基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部７３ａがモジュール基板６１になる。はんだ印刷〔Ｓ１０２〕からレジン塗布〔Ｓ１０５〕では、単一の製品形成部７３ａのみを図示する。基板７３は図７に示す断面構造になる。
【００８４】
はんだ印刷〔Ｓ１０２〕工程では、基板５３，７３の製品形成部５３ａ，７３ａの上面にはんだ５３ｂ，７３ｂをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ１０３〕工程で所定の部品を前記はんだを利用して搭載する。はんだを利用した搭載では、基板５３，７３の所定箇所に部品を搭載した後、はんだをリフローすることによって部品を搭載する。チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ部品では、はんだによって電極が基板５３，７３の配線層４１ｂ，６１ｂ（図６，７参照）に接続される。ＰＡＭの製造における部品搭載では、窪み４１ｆの底上に半導体チップ４３，４５が搭載され、他の部分にチップ部品が搭載された図になっている。
【００８５】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ１０４〕工程では、半導体チップ４３，４４，４５の電極と製品形成部５３ａの上面の配線層４１ｂを導電性のワイヤ４６で接続する。ＡＳＷＭの製造工程では、ダイオードも含めてチップ部品であることからワイヤボンディングは行わない。
つぎに、ＰＡＭの製造工程では、半導体チップ４３，４４，４５及びワイヤ４６の部分等を絶縁性の樹脂５３ｆで被う〔Ｓ１０５〕。
【００８６】
つぎに、基板５３，７３を製品形成部５３ａ，７３ａごとに切断（分割）する〔Ｓ１０６〕。そして、良品のみ、即ち測定検査、選別によって選ばれた高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を封止樹脂２１で連結して一体化し、混成集積回路装置２０を製造する〔モジュール連結：Ｓ１０７〕。
【００８７】
このモジュール連結の一例を図１１乃至図１４を参照しながら説明する。図１１は本実施形態１の混成集積回路装置の製造に用いるトランスファモールディング装置の成形金型２５を示す模式図である。成形金型２５は下金型２６と上金型２７とからなっている。下金型２６の上面の合わせ面は平坦になり、高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０が載置される。この図及び以降の図においても、モジュール４０，６０はモジュール基板４１，６１のみ模式的に示し、他の部品等は省略してある。
【００８８】
下金型２６のモジュール４０，６０が載置される領域には、真空吸引孔２８が複数設けられ、載置されたモジュール４０，６０を真空吸引によって下金型２６に強固に固定するようになっている。上金型２７の下面の合わせ面には封止樹脂２１を形成するためのキャビティ２９が形成されている。キャビティ２９の寸法は封止樹脂２１の外形寸法となる。
【００８９】
前記キャビティ２９の一端には樹脂を圧入するためのゲート３０が形成されている。このゲート３０は図示しないカルから続くランナー３１の先端に設けられ、ランナー３１とキャビティ２９はゲート３０で繋がる。また、キャビティ２９の他端にはキャビティ２９内の空気を外に逃がすエアーベント３２が形成されている。ランナー３１，ゲート３０，キャビティ２９及びエアーベント３２は、下金型２６と上金型２７との型締めによって密閉された空間を形成することになる。
【００９０】
本実施形態１のトランスファモールディング装置では、図１１及び図１２に示すように、位置決め治具３３が用意されている。この位置決め治具３３は、下金型２６の合わせ面上にモジュール４０，６０が載置された後、下金型２６の合わせ面の上方に進み、その後下金型２６の合わせ面上に重なるように降下する。位置決め治具３３には、モジュール４０，６０の位置決めを行う位置決め穴３４，３５が設けられている。この位置決め穴３４，３５はモジュール４０，６０と相似形となり、モジュール４０，６０の外形よりも ０．２ｍｍ程度大きくなっている。また、位置決め穴３４，３５の下面側は、図１１にも示すように面取りが施されて傾斜面３４ａ，３５ａとなっている。対面する一対の傾斜面３４ａ，３５ａによって拡開したガイドが形成されることから、位置決め治具３３が下降すると、予め位置決め載置されたモジュール４０，６０は、ガイドとなる傾斜面３４ａ，３５ａによってその位置を修正されながら位置決め穴３４，３５内に入る。この状態において、図１３に示すように、真空吸引動作に入る。この真空吸引動作によって真空吸引孔２８から真空吸引が始まり、モジュール４０，６０は下金型２６に真空吸引固定される。真空吸引固定が行われると、位置決め治具３３は上昇し、その後下金型２６と上金型２７との間から外に移動する。これら位置決め治具３３の動きは、位置決め治具３３を支持する支持アーム３６を図示しない昇降及び平面移動する駆動機構によって行う。
【００９１】
モジュール連結〔Ｓ１０７〕は、良品である選ばれた高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を、図１１に示すように下金型２６の合わせ面上に位置決め供給する。供給後、図示しない入力パネルのボタン等を押すことによって、位置決め治具３３が動作して下金型２６の合わせ面の上方に進み、次いで降下してモジュール４０，６０を位置決め治具３３の位置決め穴３４，３５で位置決めする。さらに、真空吸引動作がオンとなり、モジュール４０，６０は真空吸引孔２８での真空吸引によって下金型２６の合わせ面に固定される。この状態で位置決め治具３３は上昇し、かつ平面方向に移動して下金型２６と上金型２７との間の空間から外れる。
【００９２】
つぎに、図１４に示すように、下金型２６と上金型２７は型締めされ、かつキャビティ２９内に溶けた樹脂３７が圧入される。即ち、カルで加熱されかつプランジャで加圧された樹脂は溶け、ランナー３１を通り、ゲート３０からキャビティ２９内に流入する。このとき、モジュール４０，６０は真空吸引のため、その位置を変えることはない。キャビティ２９内の空気はエアーベント３２を通って外に抜ける。キャビティ２９内全域に樹脂３７が充満された後、所定時間キュアーが行われて樹脂３７は硬化し、封止樹脂２１を形成することになる。このトランスファモールディングによって、モジュール基板４１，６１上の部品等は隙間なく樹脂３７で被われることになる。そして、この封止樹脂２１によってモジュール４０，６０は一体化される。キュアー後、または樹脂３７によってモジュール４０，６０の位置が変わらない状態になると真空吸引動作は停止される。
【００９３】
なお、キャビティ２９の大きさを変更することによって、モジュール４０，６０の周面や上面を被う樹脂の厚さを自由に選択することができる。また、モジュール４０，６０の下面は下金型２６の合わせ面上に載るため、また封止樹脂２１の下面は下金型２６の合わせ面によって決定されることから、モジュール４０，６０の下面の外部電極端子Ｐの実装される実装面及び封止樹脂２１の下面は同一平面上に位置することになる。
【００９４】
このトランスファモールディングに先立つ、図１３に示す高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の下金型２６の合わせ面上での配置は、モジュール４０とモジュール６０間に所定の隙間を設け、両者の外部電極端子が接触したり、ショート不良を起こさない間隔にする。また、作業においても高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０のモジュール基板４１，６１同士が当接してクラックが入らないように注意を要することが重要である。
【００９５】
つぎに、図１０に示すように、特性評価〔Ｓ１０８〕が行われる。この特性評価では、特性評価ボード５５の一面に設けた各接触端子５６にモジュール４０，６０の外部電極端子を接触させた状態で電気特性を測定する。特性評価によって不良と判定された製品（混成集積回路装置２０）は廃棄される。
【００９６】
良品と判定された製品（混成集積回路装置２０）は、図１０に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔梱包：Ｓ１０９〕。キャリアテープ５７は、図１５に示すように、両側にスプロケットホール（図示せず）を所定間隔に有しかつ製品を収容する窪み５７ｂを所定間隔に有するエンボステープ５７ａと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられるカバーテープ５７ｃとからなっている。カバーテープ５７ｃは貼り合わされる面に粘着材が塗布されている。従って、混成集積回路装置２０は、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられて出荷される。ユーザにおいては、混成集積回路装置２０はリール５８からキャリアテープ５７を解き出し、さらにカバーテープ５７ｃをエンボステープ５７ａから剥がすことによって、窪み５７ｂ内に収容される混成集積回路装置２０をピックアップして携帯電話機の実装基板等に実装することができる。この実装は自動実装機で容易に行うこときができる。
【００９７】
本実施形態１による混成集積回路装置は以下の効果を有する。
【００９８】
（１）多層配線基板（セラミック基板）５３，７３の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１のモジュール（高周波電力増幅モジュール４０）及び第２のモジュール（アンテナスイッチモジュール６０）を、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）２１で連結して混成集積回路装置２０とすることから、外形寸法が異なるモジュールを一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
【００９９】
（２）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載した第１及び第２のモジュールを、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）で連結して混成集積回路装置にすることから、多層配線基板（セラミック基板）５３，７３の上面に半導体チップを含む部品を搭載した高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を、モールディングによって形成する封止樹脂（連結体）２１で連結して混成集積回路装置２０とすることから、封止樹脂２１の厚さを前記部品（モジュール４０，６０）の被いにして必要最小限の厚さとすることにより、混成集積回路装置２０の薄型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【０１００】
（３）モジュール４０，６０を封止樹脂２１からなる連結体で一体化するため、モジュール間の隙間を必要最小限の間隔とするとともに、モジュールの外周を被う封止樹脂２１の厚さを必要最小限の厚さとすることによって、混成集積回路装置２０の小型化が図れ、その結果として軽量化が図れる。
【０１０１】
（４）モジュール４０，６０を封止樹脂２１からなる連結体で一体化するため、多層配線基板の層数が異なるモジュールを一体化（モジュール化）した混成集積回路装置２０を製造することができる。
【０１０２】
（５）多層配線基板の上面に半導体チップを含む部品を搭載したモジュール４０，６０を、モールディングによって形成する封止樹脂２１で連結して混成集積回路装置２０を製造することから、製造が容易であり、混成集積回路装置の製造コストの低減が図れる。
【０１０３】
（６）モジュール４０，６０のそれぞれの外部電極端子はモジュール毎に電気的に独立する状態にあることから、それぞれの電気的特性が得られることにより、最適な特性の組合わせが得られ、より特性を向上させる効果がある。
【０１０４】
（７）モジュール４０，６０の間には両者が当接しないための隙間が存在していることから、セラミック基板同士の当接が発生しなくなり、当接によってセラミック基板にクラックが発生しなくなり、製品不良が起きなくなる。従って、混成集積回路装置２０の実装不良が発生しなくなるとともに、混成集積回路装置の安定動作が達成できる。
【０１０５】
（８）選ばれたモジュール４０，６０を一体化し、その後に行う一体化状態での混成集積回路装置２０の特性評価、さらには良品と判定した混成集積回路装置２０の実装基板９０への実装によって、実装した混成集積回路装置の実装の歩留りが向上するとともに、実装の信頼性が高くなる。
【０１０６】
（９）混成集積回路装置２０は、キャリアテープ５７に収容されてリール５８に巻き付けられて出荷されるため、出荷作業が簡便になる。また、実装基板への混成集積回路装置２０の実装作業もリール５８からキャリアテープ５７を解きだし、エンボステープ５７ａからカバーテープ５７ｃを外すことによって混成集積回路装置２０を容易に窪み５７ｂからピックアップできるため、実装作業も容易になる。
【０１０７】
（１０）混成集積回路装置２０は高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０が一体化された構造となっていることから、携帯電話機等の無線通信機に搭載した場合、高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０を別々に実装基板９０に搭載する場合に比較して実装回数が減り、携帯電話機の組立コストの低減が可能になる。
【０１０８】
（実施形態２）
図１６乃至図１８は本発明の他の実施形態（実施形態２）である混成集積回路装置に係わる図である。図１６は混成集積回路装置の模式的平面図、図１７（ａ）〜（ｅ）は混成集積回路装置に組み込む高周波電力増幅モジュール（第１のモジュール）を示す図、図１８（ａ）〜（ｅ）は混成集積回路装置に組み込むアンテナスイッチモジュール（第２のモジュール）を示す図である。
【０１０９】
本実施形態２は前記実施形態１と同じ回路構成の高周波電力増幅モジュール４０Ｐとアンテナスイッチモジュール６０Ｐを封止樹脂２１によって連結して一体化して混成集積回路装置２０Ｐを製造する例である。違いはモジュール基板４１，６１に金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けたことにある。即ち、それぞれは市販される状態のモジュールである。従って、外部電極端子の機能の説明や回路構成等の説明は省略する。本実施形態２の混成集積回路装置２０Ｐも携帯電話機の実装基板に実装される。
【０１１０】
本実施形態２で一体化する高周波電力増幅モジュール４０Ｐ及びアンテナスイッチモジュール６０Ｐは、実施形態１の混成集積回路装置の製造において、基板分割〔Ｓ１０６〕後のモジュール４０，６０（モジュール基板４１，６１）（図１０のフローチャート参照）に対して金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けたキャップ封止構成品である。
【０１１１】
キャップ４０ｊ，６０ｊを取り付けた高周波電力増幅モジュール４０Ｐは、図１７（ａ）〜（ｅ）に示す構造になり、アンテナスイッチモジュール６０Ｐは、図１８（ａ）〜（ｅ）に示す構造になっている。図１７及び図１８において、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は底面の電極パターンを透視的に示す模式的平面図、（ｅ）はモジュール基板４１，６１とキャップ４０ｊ，６０ｊのとの係止状態を示す一部の断面図である。
【０１１２】
実施形態１の混成集積回路装置の製造において、基板分割によって得られるモジュール４０，６０、換言するならば、モジュール基板４１，６１に対して、金属製のキャップ４０ｊ，６０ｊを取り付ける。即ち、図１７（ｄ）及び図１８（ｄ）に示すように、モジュール基板４１，６１の各辺の中央部分には窪み４９，６９が形成されているとともに、この窪み４９，６９部分は、図１７（ｅ）及び図１８（ｅ）に示すように、上縁に突部が形成されて係止部４１ｍ，６１ｍが形成されている。また、この係止部４１ｍ，６１ｍに係止（引っ掛かる）する係止部４０ｈ，６０ｈが形成されている。この係止部４０ｈ，６０ｈは、キャップ４０ｊ，６０ｊから部分的に延在する突片４０ｇ，６０ｇをプレス機械によって部分的に打ち抜くように成形することによって形成できる。
【０１１３】
このようにして形成したキャップ４０Ｐ，６０Ｐを実施形態１と同様にトランスファモールディングによって形成する封止樹脂２１で一体化する。封止樹脂２１が連結体を構成することになる。
【０１１４】
本実施形態２の混成集積回路装置２０Ｐも実施形態１の有する多くの効果を有することになる。キャップ４０Ｐ，６０Ｐが存在する分混成集積回路装置２０Ｐの厚さが厚くなるが、実施形態１の混成集積回路装置２０に比べて０．２ｍｍ程度の増加であることから、混成集積回路装置２０Ｐの薄型・小型化が図れることになる。
【０１１５】
本実施形態２では、各モジュールが金属キャップで被われていることから、この金属キャップを混成集積回路装置２０Ｐの実装基板への実装において、実装基板のグランド配線（接地配線）に接続させれば、金属キャップは電磁シールド効果の役割を果たすことになる。また、本実施形態２によれば、既存の複数の部品の一体化が可能になる。
【０１１６】
（実施形態３）
図１９乃至図２４は本発明の他の実施形態（実施形態３）である混成集積回路装置に係わる図である。本実施形態３はキャップによって二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化した混成集積回路装置の例である。本実施形態３も実施形態１で製造した高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０を一体化する例である。
【０１１７】
図１９乃至図２１は本実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑの外観を示す図、図２２はキャップ７５で連結される前の高周波電力増幅モジュール４０及びアンテナスイッチモジュール６０の平面図、図２３はキャップ７５の構造を示す図、図２４は携帯電話機の実装基板９０に実装された混成集積回路装置２０Ｑを示す図である。
【０１１８】
モジュール４０，６０のモジュール基板４１，６１は略正方形になっているが、各辺の中央部分は内側に窪み４９，６９を有する構造になっている。
【０１１９】
図２３（ａ），（ｂ）に示すように、キャップ７５は下が開口した箱構造となっている。即ち、キャップ７５は、隙間を有して並んだモジュール４０，６０を被う長方形の平坦部７５ａと、この平坦部７５ａの周縁から下方に一定長さ突出する側面部７５ｂとを有し、かつこの側面部７５ｂには、前記モジュール４０，６０の窪み４９，６９に挿入される爪片からなる係止部７５ｃを有している。
【０１２０】
図２２にキャップ７５が取り付けられる配置状態のモジュール４０，６０の平面図である。これらモジュール４０，６０に対して、上方からキャップ７５を被せると、キャップ７５の下端に突出する係止部７５ｃのそれぞれが、モジュール４０，６０の対応する窪み４９，６９内に挿入される。対面する一対の係止部７５ｃはモジュール基板４１，６１を弾力的に挟むことから、キャップ７５はモジュール基板４１，６１に固定される。この結果、キャップ７５部分，モジュール４０部分あるいはモジュール６０部分のいずれを持って混成集積回路装置２０Ｑを取り扱ってもキャップ７５がモジュール４０，６０から外れるようなことはない。
【０１２１】
キャップ７５はその係止部７５ｃをモジュール４０，６０のモジュール基板４１，６１の係止部となる窪み４９，６９に挿入した状態であることから、接合材を介して接着しない限り、いつでもキャップ７５からモジュール４０，６０を取り外すことができる。係止部７５ｃを係止部である窪み４９，６９に導電性または絶縁性の接着材で接続してもよい。図２１は混成集積回路装置２０Ｑにおける底面の外部電極端子パターンを示す拡大透視平面図であり、実施形態１の混成集積回路装置２０と同様である。
【０１２２】
また、図１９及び図２０に示すように、キャップ７５は外周縁がモジュール４０，６０の外周縁の内側に位置する。従って、小型の混成集積回路装置２０Ｑを提供することができる。実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑは、実施形態１の混成集積回路装置２０よりも小型になる。
【０１２３】
キャップ７５を金属製とすれば、実施形態２の場合と同様にキャップは電磁シールド効果の役割を果たすことになる。しかし、この場合、キャップはグランド配線以外の配線に接触あるいは近接しないような形状（構造）にする必要がある。
【０１２４】
また、キャップ７５をプラスチックで形成してもよい。導電性のプラスチックでキャップ７５を形成すれば、金属キャップと同様に電磁シールド効果を得ることができる。絶縁性のプラスチックでキャップを形成した場合、モジュール基板４１，６１に搭載した部品等に接触しても問題はないことから、キャップ７５を薄くでき、さらに混成集積回路装置２０Ｑの薄型化を図ることができる。金属キャップの場合であっても、内側の面に絶縁膜を形成しておけば、搭載部品等との接触は特性に影響がないことから薄型化を図ることができる。
【０１２５】
図１９及び図２４に示すように、モジュール４０とモジュール６０は両者間に隙間が設けられていることから、混成集積回路装置２０Ｑの取り扱い時に接触しなくなり、接触による衝撃でモジュール基板４１，６１にクラック等が発生しなくなり、配線の断線等の不良が発生しなくなる。
【０１２６】
図２４は携帯電話機の実装基板９０に混成集積回路装置２０Ｑが実装された状態を示す。即ち、高周波電力増幅モジュール４０の図示しない外部電極端子はランド９１に図示しない導電性の接合材を介して接続され、この接続によって混成集積回路装置２０Ｑは実装される。モジュール４０，６０のモジュール基板４１はモジュール基板６１の隙間ｄの寸法はモジュール基板４１，６１の厚さｔよりも大きくなり、キャップ７５に対して抜けるように回転方向に動いてもモジュール基板４１とモジュール基板６１が接触（当接）しないようになっている。
【０１２７】
図２４に示すように、実装基板９０に混成集積回路装置２０Ｑを実装することによって、高周波電力増幅モジュール４０とアンテナスイッチモジュール６０の所定の外部電極端子がランド９１を介して電気的に接続される。
本実施形態３の混成集積回路装置２０Ｑも実施形態１の有する多くの効果を有することになる。
【０１２８】
（実施形態４）
図２５乃至図２７は本発明の他の実施形態（実施形態４）である混成集積回路装置の製造方法に係わる図である。図２５は混成集積回路装置の製造状態を示すフローチャート、図２６はキャップと基板の係止状態を示す一部拡大断面図、図２７はキャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的拡大断面図である。
【０１２９】
本実施形態４では複数のモジュールの一体化による混成集積回路装置２０Ｒの製造例であり、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化する例である。モジュールとしては、実施形態１と同様に高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールであってもよく、他のモジュールでもよい。ここでは、単にＡモジュール１００、Ｂモジュール１１０とする。搭載部品は半導体チップやチップ部品（チップ抵抗，チップコンデンサ，チップインダクタ等）である。また図も模式的なものである。
【０１３０】
本実施形態４は実施形態１と略同様な工程であり、一部が少し異なるだけである。従って重複する部分の説明は省略または簡単に説明する。また、一部の工程では図面を省略してある。
【０１３１】
混成集積回路装置２０Ｒは、図２５のフローチャートで示すように、基板準備〔Ｓ２０１〕、はんだ印刷〔Ｓ２０２〕、部品搭載〔Ｓ２０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕、レジン塗布（Ｓ２０５〕、基板分割・選別〔Ｓ２０６〕、キャップ封止〔Ｓ２０７〕、特性評価〔Ｓ２０８〕、テーピング〔Ｓ２０９〕の工程を経て製造される。
【０１３２】
基板準備工程〔Ｓ２０１〕では、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を製造するための基板１００ａ，１１０ａが用意される。この基板１００ａ，１１０ａは、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０に対応した配線パターンを有する製品形成部１００ｂ，１１０ｂをマトリックス状に配置したセラミックからなる多層配線基板である。基板１００ａ，１１０ａは基板分割工程で縦横に切断され、単一の製品形成部１００ｂ，１１０ｂがＡ・Ｂモジュール１００，１１０になる。はんだ印刷〔Ｓ２０２〕からレジン塗布〔Ｓ２０５〕では、単一の製品形成部のみを図示する。
【０１３３】
はんだ印刷〔Ｓ２０２〕工程では、基板１００ａ，１１０ａの製品形成部１００ｂ，１１０ｂの上面にはんだ１００ｃ，１１０ｃをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ２０３〕工程で所定の部品（半導体チップ１２０，チップ部品１２１）を前記はんだを利用して搭載する。
【０１３４】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕工程では、半導体チップ１２０の電極と製品形成部１００ｂ，１１０ｂの上面の配線層を導電性のワイヤ１２２で接続する。
【０１３５】
レジン塗布（Ｓ２０５〕工程では、半導体チップ１２０及びワイヤ１２２を含む部分を絶縁性のレジン１２３を塗布して被う。レジン１２３はベークされて硬化する。
【０１３６】
基板分割・選別〔Ｓ２０６〕工程では、基板１００ａ，１１０ａを縦横に切断してモジュール基板１００ｄ，１１０ｄとし、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を複数製造する。また、これらＡ・Ｂモジュール１００，１１０の選別（特性選別）を行う。
【０１３７】
キャップ封止〔Ｓ２０７〕工程では、Ａ・Ｂモジュール１００，１１０を所定の隙間を介して図２５に示すように並べ、ついでＡ・Ｂモジュール１００，１１０に金属製のキャップ７５ｒを取り付ける。この際、当然にして選別によって良品と判定されたＡ・Ｂモジュール１００，１１０が使用される。
【０１３８】
図２６はキャップ７５ｒとモジュール基板１００ｄの係止状態を示す一部拡大断面図である。この係止状態は実施形態２における図１７（ｅ）及び図１８（ｅ）に近似した構造になっている。ここでは、モジュール基板１００ｄの窪んだ部分に設けた突出する係止部１００ｍに、キャップ７５ｒの突片１００ｇの内側に突出した係止部１００ｈが引っ掛かることによって、キャップ７５ｒがモジュール基板１００ｄに取り付けられる例を示す。キャップ７５ｒのモジュール基板１１０ｄへの係止も同様である。
【０１３９】
つぎに、図示はしないが、実施形態１における図１０と同様に特性評価〔Ｓ２０８〕を行う。
【０１４０】
つぎに、良品と判定された製品（混成集積回路装置２０Ｒ）は、図２５の最下段の図に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔Ｓ２０９〕。キャリアテープ５７は、図２７に示すように、両側にスプロケットホール（図示せず）を所定間隔に有しかつ製品を収容する窪み５７ｂを所定間隔に有するエンボステープ５７ａと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられる粘着性のカバーテープ５７ｃとからなっている。従って、混成集積回路装置２０Ｒは、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられて出荷される。
本実施形態４においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｒを製造することができる。
【０１４１】
（実施形態５）
図２８乃至図３０は本発明の他の実施形態（実施形態５）である混成集積回路装置の製造方法に係わる図であり、図２８は混成集積回路装置の製造各工程を示すフローチャート、図２９（ａ），（ｂ）は二つのモジュールを製造するための基板の一部を示す模式的平面図、図３０は二つのモジュールの一体化構造を示す模式的平面図である。
【０１４２】
本実施形態５では複数のモジュールの一体化による混成集積回路装置２０Ｓの製造例であり、二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を一体化する例である。モジュールとしては、実施形態１と同様に高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールであってもよく、他のモジュールでもよい。ここでは、単にＣモジュール１３０、Ｄモジュール１４０とする。搭載部品は半導体チップやチップ部品（チップ抵抗，チップコンデンサ，チップインダクタ等）である。また図も模式的なものである。
【０１４３】
本実施形態５は、金属製のキャップで封止した二つのモジュール（第１及び第２のモジュール）を並列に配置し、キャップ同士をキャップに設けた突片を利用して接合材で接合して一体化する混成集積回路装置の例である。本実施形態５の多くの工程は実施形態４の多くの工程と同じであることから、重複する部分の説明は省略または簡単に説明する。また、一部の工程では図面を省略してある。
【０１４４】
混成集積回路装置２０Ｓは、図２８のフローチャートで示すように、基板準備〔Ｓ３０１〕、はんだ印刷〔Ｓ３０２〕、部品搭載〔Ｓ３０３〕、ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ３０４〕、レジン塗布（Ｓ３０５〕、基板分割・選別〔Ｓ３０６〕、キャップ封止〔Ｓ３０７〕、モジュール連結〔Ｓ３０８〕、特性評価〔Ｓ３０９〕、テーピング〔Ｓ３１０〕の工程を経て製造される。
【０１４５】
基板準備工程〔Ｓ３０１〕では、Ｃ・Ｄモジュール１３０，１４０を製造するための基板１３０ａ，１４０ａが用意される。この基板１３０ａ，１４０ａは、Ｃ・Ｄモジュール１３０，１４０に対応した配線パターンを有する製品形成部１３０ｂ，１４０ｂをマトリックス状に配置したセラミックからなる多層配線基板である。なお、図２８では、はんだ印刷〔Ｓ３０２〕からレジン塗布〔Ｓ３０５〕までは、単一の製品形成部のみを図示する。
【０１４６】
基板１３０ａ，１４０ａは、各製品形成部１３０ｂ，１４０ｂごとに独立するように基板分割工程で縦横に切断されてモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄが形成される。図２９（ａ），（ｂ）は基板１３０ａ，１４０ａの一部を示す模式的平面図である。図において二点鎖線が分割線であり、二点鎖線で囲まれる部分が製品形成部１３０ｂ，１４０ｂである。製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの長辺の中間部分には、長辺に沿って延在する長孔１３０ｅ，１４０ｅが設けられている。分割線は前記長孔１３０ｅ，１４０ｅの中心を貫くように延在している。従って、基板分割によって形成されるモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄ（図２８参照）の長辺の中央に窪みとなって表れる。また、長孔１３０ｅ，１４０ｅは下部は広く、上部は狭くなっていることから、下部と上部の段差部分が係止部（引っ掛かり部分）になる。この係止部には、キャップ１３２，１４２の係止部が係止（引っ掛かる）されるようになる。
【０１４７】
図２９（ａ），（ｂ）には、基板１３０ａ，１４０ａの製品形成部１３０ｂ，１４０ｂに取り付けるキャップ１３２，１４２を一点鎖線で示してある。このキャップ１３２，１４２の短辺の一端側には直線状に薄い突片１３２ａ，１４２ａが突出している。この突片１３２ａ，１４２ａが、最終的には、キャップ１３２，１４２の突片１３２ａ，１４２ａが設けられない短辺に重ねられて接合材で連結されるようになる。
【０１４８】
なお、必要に応じて分割線に沿って一面または両面にＶ溝からなる分割用溝を設け、基板１３０ａ，１４０ａが正確にかつ容易に分割できるようにしてもよい。
【０１４９】
はんだ印刷〔Ｓ３０２〕工程では、基板１３０ａ，１４０ａの製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの上面にはんだ１３０ｃ，１４０ｃをスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷し、その後の部品搭載〔Ｓ３０３〕工程で所定の部品（半導体チップ１２０，チップ部品１２１）を前記はんだを利用して搭載する。
【０１５０】
ワイヤボンディング〔Ｗ／Ｂ：Ｓ２０４〕工程では、半導体チップ１２０の電極と製品形成部１３０ｂ，１４０ｂの上面の配線層を導電性のワイヤ１２２で接続する。
【０１５１】
レジン塗布（Ｓ３０５〕工程では、半導体チップ１２０及びワイヤ１２２を含む部分を絶縁性のレジン１２３を塗布して被う。レジン１２３はベークされて硬化する。
図示はしないが、基板分割・選別〔Ｓ３０６〕工程では、基板１３０ａ，１４０ａを分割線で切断し、特性選別（特性評価）を行う。
【０１５２】
キャップ封止〔Ｓ３０７〕工程では、特性評価によって良品とされたもののモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄにキャップ１３２，１４２を取り付ける。キャップ１３２，１４２の係止部をモジュール基板１３０ｄ，１４０ｄの係止部に係止（引っかける）。この係止状態は実施形態４における図２６と同様であることから、その説明は省略する。
【０１５３】
モジュール連結〔Ｓ３０８〕工程では、図３０にも示すように、Ｃモジュール１３０の突片１３２ａをＤモジュール１４０のキャップ１４２の突片１４２ａが設けられていない短辺の側面に重ね、またＤモジュール１４０の突片１４２ａをＣモジュール１３０のキャップ１３２の突片１３２ａが設けられていない短辺の側面に重ね、それぞれ接合材１３５で接合する。接合材１３５は、例えばはんだである。
【０１５４】
この例においても、モジュール基板１３０ｄ，１４０ｄ同士が接触（当接）してクラックが発生しないように、図３０に示すように、モジュール基板１３０ｄ，１４０ｄを所定の隙間を有するように離す。
つぎに、図示はしないが実施形態４と同様に特性評価〔Ｓ３０９〕を行う。
【０１５５】
つぎに、良品と判定された製品（混成集積回路装置２０Ｓ）は、図２８の最下段の図に示すように、キャリアテープ５７に収容され、リール５８に巻き付けられてテーピングされる〔Ｓ３１０〕。キャリアテープ５７に収容される混成集積回路装置２０Ｓの収容状態は、実施形態４の場合の図２７に示すものと同様であることから、詳細な説明は省略する。
【０１５６】
本実施形態５ではキャップとして金属製のキャップを使用したが、プラスチック製のキャップでもよい。この場合、導電性のプラスチックによるもの、または絶縁性のプラスチックによるものでもよい。プラスチックの場合は接合材は樹脂製の接合材を使用して両者のモジュールを一体化する。金属製や導電性のプラスチックによるキャップの場合は電磁シールドが可能になり、安定したモジュール動作が可能になる。
本実施形態５においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｓを製造することができる。
【０１５７】
（実施形態６）
図３１は本発明の他の実施形態（実施形態６）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３２は図３１のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【０１５８】
本実施形態６は高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で一体化して混成集積回路装置２０Ｔの例である。高周波電力増幅モジュールは、実施形態１で説明した高周波電力増幅モジュール４０である。従って、高周波電力増幅モジュール４０についての説明は省略する。
【０１５９】
モノリシックＩＣ１４５は、金属製のタブ１４５ａの上面にＩＣ（集積回路装置）が組み込まれた半導体チップ１４５ｂを搭載し、半導体チップ１４５ｂの電極１４５ｃとリード１４５ｄを導電性のワイヤ１４５ｅで接続した構造になっている。タブ１４５ａ、半導体チップ１４５ｂ、ワイヤ１４５ｅは絶縁性樹脂からなる封止体１４５ｆで被われている。図３２に示すように、封止体１４５ｆの裏面（下面）にリード１４５ｄが露出し、外部電極端子Ｐとなる表面実装構造になっている。
【０１６０】
高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５をトランスファモールディングして封止樹脂２１で一体化する製造方法は、実施形態１と同様であることからその説明は省略する。この例においても高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５はその周面と上面が封止樹脂２１で被われ、かつモジュール４０とモノリシックＩＣ１４５の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。
本実施形態６においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｔを製造することができる。
【０１６１】
（実施形態７）
図３３は本発明の他の実施形態（実施形態７）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣをキャップで結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３４はモノリシックＩＣとキャップの結合部分を示す模式的断面図である。
【０１６２】
本実施形態７は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、実施形態６で説明したモノリシックＩＣ１４５を、実施形態４で説明したキャップ７５ｒで一体化した混成集積回路装置２０Ｕの例である。
【０１６３】
図３４にキャップ７５ｒとモノリシックＩＣ１４５との係止状態を示す。モノリシックＩＣ１４５の周縁に設けた係止部１００ｍに、キャップ７５ｒの突片１００ｇの内側に突出した係止部１００ｈが引っ掛かることによって、キャップ７５ｒがモノリシックＩＣ１４５に取り付けられる。係止部１００ｍはリード１４５ｄによって形成される。高周波電力増幅モジュール４０とキャップ７５ｒとの固定も同様である。キャップ７５ｒは金属製のキャップまたはプラスチック製のキャップでもよい。またプラスチック製のキャップは導電性または絶縁性のいずれでもよい。
【０１６４】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０とモノリシックＩＣ１４５の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１とモノリシックＩＣ１４５が接触（当接）してクラックが発生しないように、図３３に示すように、モジュール基板４１とモノリシックＩＣ１４５を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態７においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｕを製造することができる。
【０１６５】
（実施形態８）
図３５は本発明の他の実施形態（実施形態８）である高周波電力増幅モジュールと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３６は図３５のＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。
【０１６６】
本実施形態８は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、受動素子を内蔵する受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｖの例である。受動部品１５０はチップ部品であり、本実施形態８の場合は２個の受動部品１５０が高周波電力増幅モジュール４０と一体化されている。
【０１６７】
受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。本実施形態８の受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図３６に示すように封止樹脂２１の下面側に高周波電力増幅モジュール４０及び受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。
【０１６８】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０と受動部品１５０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１と受動部品１５０が接触（当接）してモジュール基板４１にクラックが発生しないように、図３５に示すように、モジュール基板４１と受動部品１５０を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態８においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｖを製造することができる。
【０１６９】
（実施形態９）
図３７は本発明の他の実施形態（実施形態９）であるモノリシックＩＣと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図、図３８は図３７のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。
【０１７０】
本実施形態９は、いずれも既に説明したモノリシックＩＣ１４５と、２個の受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｗの例である。受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。本実施形態９の受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図３８に示すように封止樹脂２１の下面側にモノリシックＩＣ１４５及び受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。
【０１７１】
この例においてもモノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０が接触（当接）してモノリシックＩＣ１４５にクラックが発生しないように、図３７に示すように、モノリシックＩＣ１４５と受動部品１５０を所定の隙間を有するように離す。
本実施形態９においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｗを製造することができる。
【０１７２】
（実施形態１０）
図３９は本発明の他の実施形態（実施形態１０）である複数の受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【０１７３】
本実施形態１０では、３個の受動部品１５０を封止樹脂２１で一体化した混成集積回路装置２０Ｘである。
【０１７４】
受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造である。また、受動部品１５０は、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。従って、図示はしないが封止樹脂２１の下面側に受動部品１５０の外部電極端子Ｐが露出することになる。各受動部品１５０の外部電極端子Ｐは受動部品ごとに独立した状態にある。
【０１７５】
図３９に示す外形寸法が大きい受動部品１５０ｘは、インダクタであり、外形寸法が小さい二つの受動部品１５０ｒは、コンデンサと抵抗である。
本実施形態１０においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｘを製造することができる。
【０１７６】
（実施形態１１）
図４０は本発明の他の実施形態（実施形態１１）である高周波電力増幅モジュールと複数の受動部品を搭載した受動部品モジュールを結合した混成集積回路装置のキャップを部分的に切り欠いた平面図である。
【０１７７】
本実施形態１１は既に説明した高周波電力増幅モジュール４０と、複数の受動部品１５０を組み込んだ受動部品モジュール１６０を、実施形態３で説明した図２３で示したキャップ７５で一体化した混成集積回路装置２０Ｙの例である。
【０１７８】
本実施形態１１における受動部品モジュール１６０は、セラミックからなる多層配線基板１６０ａの上面に既に説明した複数の受動部品１５０を搭載したものであり、多層配線基板１６０ａの裏面には外部電極端子Ｐが露出し、表面実装が可能な構造になっている。受動部品１５０は封止体１５０ａの内部に受動素子（抵抗，コンデンサ，インダクタ等）が内蔵された構造であり、封止体１５０ａの両端にそれぞれ電極１５０ｂを有し、表面実装が可能な構造になっている。
【０１７９】
この例においても高周波電力増幅モジュール４０と受動部品モジュール１６０の外部電極端子Ｐはそれぞれ電気的に独立した状態にある。また、この例においても、モジュール基板４１と多層配線基板１６０ａが接触（当接）してモジュール基板４１や多層配線基板１６０ａにクラックが発生しないように、図４０に示すように、モジュール基板４１と多層配線基板１６０ａを所定の隙間を有するように離す。
本実施形態１１においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｙを製造することができる。
【０１８０】
（実施形態１２）
図４１乃至図４３は本発明の他の実施形態（実施形態１２）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合し、封止樹脂を金属キャップで被った混成集積回路装置に係わる図であり、図４１は混成集積回路装置の模式的平面図、図４２は混成集積回路装置の模式的断面図、図４３は封止樹脂と金属キャップとの嵌合部分の構造を示す模式的拡大断面図である。
【０１８１】
本実施形態１２は、実施形態６の混成集積回路装置２０Ｔにキャップ１７０を被せた構造の混成集積回路装置２０Ｚである。キャップ１７０は、図４２に示すように、高周波電力増幅モジュール４０及びモノリシックＩＣ１４５を被う封止樹脂２１の上面と周面を被う構造となるとともに、封止樹脂２１の周面を被う側壁１７０ａには、封止樹脂２１の側面に弾力的に接触する突出した係止部１７０ｂが図４１に示すように、各辺にそれぞれ２個ずつ設けられ、対面する側壁１７０ａに設けられた係止部１７０ｂで封止樹脂２１を弾力的に挟むようにして封止樹脂２１に取り付けられている。従って、必要に応じて容易に取り外すことができる。
【０１８２】
キャップ１７０は金属製または導電性プラスチック等導電性のものであり、電磁シールド効果を果たすようになっている。本実施形態１２の構造は、封止樹脂２１によって一体化された前述の各実施形態の混成集積回路装置にも同様に適用でき本実施形態１２と同様に電磁シールド効果を得ることができる。
【０１８３】
本実施形態１２においても薄型・小型・軽量の混成集積回路装置２０Ｙを製造することができる。
【０１８４】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、連結体としては、一面が粘着面となり、機械強度が高い板状のものでもよい。この場合、粘着面に各種の部品が貼り付けられる。各部品は表面実装構造でかつ厚さ（高さ）が同じものが選ばれる。
【０１８５】
また、本発明では、材質が異なる複数の部品を簡便に一体化することができる。例えば、多層配線基板の材質が異なるモジュール基板に組みたてられたモジュールやＩＣ等の部品を一体化した混成集積回路装置を製造することができる。
また、連結体によって連結するモジュール、半導体チップ等の数は２個に限定されることなく、３個以上でも良い。
【０１８６】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である携帯電話機等無線通信機について説明したが、それに限定されるものではなく、他の電子装置用の部品のモジュール化にも適用できる。
【０１８７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１８８】
（１）外形寸法が異なる複数の部品を一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１８９】
（２）使用する多層配線基板の層数が異なる複数の部品を簡便に一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９０】
（３）材質が異なる複数の部品を一体化した混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９１】
（４）複数の部品を一体化した小型の混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９２】
（５）複数の部品を一体化した薄型の混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９３】
（６）複数の部品を一体化した低廉な混成集積回路装置を提供することができる。
【０１９４】
（７）電子装置に組み込む部品をできるだけ多く一体化したモジュールを提供できることにより、電子装置に実装する部品数を低減できるため、実装時間の短縮から電子装置の製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である混成集積回路装置の模式的正面図である。
【図２】前記混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図３】前記混成集積回路装置の底面の外部電極端子パターンを透視した平面図である。
【図４】前記混成集積回路装置に組み込まれる高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールの部品搭載状態を示す平面図である。
【図５】前記高周波電力増幅モジュールとアンテナスイッチモジュールの回路構成を示すブロック図である。
【図６】前記高周波電力増幅モジュールのモジュール基板の一部の断面構造を示す模式図である。
【図７】前記アンテナスイッチモジュールのモジュール基板の一部の断面構造を示す模式図である。
【図８】本実施形態１の混成集積回路装置を組み込んだ携帯電話機の機能を示す一部のブロック図である。
【図９】本実施形態１の混成集積回路装置を携帯電話機の実装基板に実装した状態を示す模式図である。
【図１０】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法において、トランスファモールディング装置の成形金型の下金型上に二つのモジュールを載置する状態を示す模式的断面図である。
【図１２】前記下金型上の二つのモジュールの位置決めを行う位置決め治具の一部を示す平面図である。
【図１３】前記下金型上の二つのモジュールの位置決めと真空吸引による固定を行う状態を示す模式的断面図である。
【図１４】前記成形金型の型締め状態においてトランスファモールディングを行う状態を示す模式的断面図である。
【図１５】本実施形態１の混成集積回路装置の製造方法において、キャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態（実施形態２）である混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図１７】本実施形態２の混成集積回路装置に組み込む高周波電力増幅モジュールを示す図である。
【図１８】本実施形態２の混成集積回路装置に組み込むアンテナスイッチモジュールを示す図である。
【図１９】本発明の他の実施形態（実施形態３）である混成集積回路装置の正面図である。
【図２０】本実施形態３の混成集積回路装置の平面図である。
【図２１】本実施形態３の混成集積回路装置における底面の外部電極端子パターンを示す拡大透視平面図である。
【図２２】本実施形態３の混成集積回路装置においてキャップを外した高周波電力増幅モジュール及びアンテナスイッチモジュールを示す平面図である。
【図２３】一部を断面にした前記キャップの図である。
【図２４】本実施形態３の混成集積回路装置の実装状態を示す模式図である。
【図２５】本発明の他の実施形態（実施形態４）である混成集積回路装置の製造状態を示すフローチャートである。
【図２６】本実施形態４の混成集積回路装置におけるキャップと実装基板との係止状態を示す一部拡大断面図である。
【図２７】本実施形態４の混成集積回路装置の製造方法においてキャリアテープに収容された混成集積回路装置を示す模式的拡大断面図である。
【図２８】本発明の他の実施形態（実施形態５）である混成集積回路装置の製造各工程を示すフローチャートである。
【図２９】本実施形態５の混成集積回路装置の製造に用いる基板の一部を示す模式的平面図である。
【図３０】本実施形態５である混成集積回路装置における二つのモジュールの一体化構造を示す模式的平面図である。
【図３１】本発明の他の実施形態（実施形態６）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３２】図３１のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【図３３】本発明の他の実施形態（実施形態７）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣをキャップで結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３４】本実施形態７のモノリシックＩＣとキャップの結合部分を示す模式的断面図である。
【図３５】本発明の他の実施形態（実施形態８）である高周波電力増幅モジュールと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３６】図３５のＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。
【図３７】本発明の他の実施形態（実施形態９）であるモノリシックＩＣと受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図３８】図３７のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。
【図３９】本発明の他の実施形態（実施形態１０）である複数の受動部品を結合した混成集積回路装置の透視平面図である。
【図４０】本発明の他の実施形態（実施形態１１）である高周波電力増幅モジュールと複数の受動部品を搭載した受動部品モジュールを結合した混成集積回路装置のキャップを部分的に切り欠いた平面図である。
【図４１】本発明の他の実施形態（実施形態１２）である高周波電力増幅モジュールとモノリシックＩＣを封止樹脂で結合し、封止樹脂を金属キャップで被った混成集積回路装置の模式的平面図である。
【図４２】本実施形態１２の混成集積回路装置の模式的断面図である。
【図４３】本実施形態１２の混成集積回路装置における封止樹脂と金属キャップとの嵌合部分の構造を示す模式的拡大断面図である。
【符号の説明】
２０，２０Ｐ〜２０Ｚ…混成集積回路装置、２１…封止樹脂、２５…成形金型、２６…下金型、２７…上金型、２８…真空吸引孔、２９…キャビティ、３０…ゲート、３１…ランナー、３２…エアーベント、３３…位置決め治具、３４，３５…位置決め穴、３４ａ，３５ａ…傾斜面、３６…支持アーム、３７…樹脂、４０…モジュール（高周波電力増幅モジュール）、４１…モジュール基板、４１ａ…誘電体層（誘電体板）、４１ｂ…配線層、４１ｃ…導体、４１ｆ…窪み、４３，４４，４５…半導体チップ、４６…ワイヤ、４７Ｐ，４７Ｇ…パワーアンプ（ＰＡ）、４８…バイアス回路、４９…窪み、５３…基板、５３ａ…製品形成部、５３ｂ…はんだ、５３ｆ…樹脂、５５…特性評価ボード、５６…接触端子、５７…キャリアテープ、５７ａ…エンボステープ、５７ｂ…窪み、５７ｃ…カバーテープ、５８…リール、６０…アンテナスイッチモジュール、６１…モジュール基板、６１ａ…誘電体層（誘電体板）、６１ｂ…配線層、６１ｃ…導体、６２…容量、６３〜６６…ダイオード、６９…窪み、７０…分波器、７１…７１Ｐ，７１Ｇ…アンテナスイッチ、７２Ｐ，７２Ｇ…フィルタ、７３…基板、７３ａ…製品形成部、７３ｂ…はんだ、７５…キャップ、７５ａ…平坦部、７５ｂ…側面部、７５ｃ…係止部、８０…ベースバンド、８１…高周波信号処理装置、８２…中央処理演算装置、８３Ｐ，８３Ｇ…低雑音増幅器、８４Ｐ，８４Ｇ…フィルタ、８５…アンテナ、９０…実装基板、９１…ランド、９２…接合材、１００，１１０…Ａ・Ｂモジュール、１００ａ，１１０ａ…基板、１００ｂ，１１０ｂ…製品形成部、１００ｃ，１１０ｃ…はんだ、１００ｄ，１１０ｄ…モジュール基板、１００ｍ，１００ｈ…係止部、１２０…半導体チップ、１２１…チップ部品、１２２…ワイヤ、１２３…レジン、１３０，１４０…Ｃ・Ｄモジュール、１３０ａ，１４０ａ…基板、１３０ｂ，１４０ｂ…製品形成部、１３０ｃ，１４０ｃ…はんだ、１３０ｄ，１４０ｄ…モジュール基板、１３０ｅ，１４０ｅ…長孔、１３２，１４２…キャップ、１３２ａ，１４２ａ…突片、１３５…接合材、１４５…モノリシックＩＣ、１４５ａ…タブ、１４５ｂ…半導体チップ、１４５ｃ…電極、１４５ｄ…リード、１４５ｅ…ワイヤ、１４５ｆ…封止体、１５０…受動部品、１５０ａ…封止体、１５０ｂ…電極、１６０…受動部品モジュール、１６０ａ…多層配線基板、１７０…キャップ、１７０ａ…側壁、１７０ｂ…係止部。
Claims (39)
- 配線を有する実装基板に実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、
前記第１及び第２のモジュールを連結して一体構造とする連結体を有し、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の前記配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 前記連結体は前記第１及び第２のモジュールを被う封止樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
- 前記連結体は前記第１及び第２のモジュールを被う封止樹脂で形成され、前記封止樹脂全体は導電性のキャップで被われていることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
- 前記連結体は係止部を有する金属製のキャップからなり、前記キャップは前記係止部を前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止させて前記第１及び第２のモジュールを連結させることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
- 前記連結体は係止部を有するプラスチック製のキャップからなり、前記キャップは前記係止部を前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止させて前記第１及び第２のモジュールを連結させることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
- 隣接する前記第１及び第２のモジュールの間には隙間が存在していることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
- 実装基板に実装される、モジュールと、半導体チップを内蔵する集積回路装置を含む混成集積回路装置であって、
前記モジュールと前記集積回路装置を連結して一体構造とする連結体を有し、前記モジュールと前記集積回路装置は前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記モジュールの前記複数の外部電極端子と、前記集積回路装置の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 実装基板に実装される、モジュールと、受動素子を内蔵する受動部品を含む混成集積回路装置であって、
前記モジュールと前記受動部品を連結して一体構造とする連結体を有し、
前記モジュールと前記受動部品は前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記モジュールの前記複数の外部電極端子と、前記受動部品の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 実装基板に実装される、単一の半導体チップを内蔵する集積回路装置と、受動素子を内蔵する受動部品を含む混成集積回路装置であって、
前記集積回路装置と前記受動部品を連結して一体構造とする連結体を有し、
前記集積回路装置と前記受動部品は前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記集積回路装置の前記複数の外部電極端子と、前記受動部品の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 実装基板に実装される、複数の受動部品を含む混成集積回路装置であって、
前記複数の受動部品を連結して一体構造とする連結体を有し、
前記各受動部品は前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記各受動部品の前記複数の外部電極端子は各受動部品ごとに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 配線を有する実装基板に実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、
前記第１及び第２のモジュールを連結して一体構造とする連結体を有し、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の前記配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立し、
前記第１及び第２のモジュールは誘電体層を複数積み重ねる多層配線基板を有し、
前記第１のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数と、前記第２のモジュールの前記多層配線基板の誘電体層の層数が異なっていることを特徴とする混成集積回路装置。 - 配線を有する実装基板に実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、
前記第１及び第２のモジュールを連結して一体構造とする連結体を有し、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の前記配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立し、
前記第１及び第２のモジュールは配線基板を有し、
前記第１及び第２のモジュールの前記配線基板は異なる材質になっていることを特徴とする混成集積回路装置。 - 配線を有する実装基板に実装される第１及び第２のモジュールを含む混成集積回路装置であって、
前記第１のモジュールはキャップで封止され、
前記第２のモジュールはキャップで封止され、
前記第１及び第２のモジュールのキャップは並列状態で接合材で接続され、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の前記配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子は各モジュールごとに電気的に独立していることを特徴とする混成集積回路装置。 - 前記第１のモジュールのキャップは前記第２のモジュールの前記キャップの一辺に重なる突片を有し、
前記第２のモジュールのキャップは前記第１のモジュールの前記キャップの一辺に重なる突片を有し、
前記第１のモジュールの前記突片が前記第２のモジュールの前記キャップの一辺に前記接合材を介して接合され、
前記第２のモジュールの前記突片が前記第１のモジュールの前記キャップの一辺に前記接合材を介して接合されていることを特徴とする請求項１３に記載の混成集積回路装置。 - 配線を有する実装基板と、前記実装基板の配線に外部電極端子を介して接続される混成集積回路装置を有する電子装置であって、
前記混成集積回路装置は、
連結体によって一体化された第１及び第２のモジュールを含み、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記複数の外部電極端子は前記実装基板に接続される前の状態では各モジュールごとに電気的に独立した状態にあり、前記実装基板に接続された状態では前記第１及び第２のモジュールの所定の外部電極端子は電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。 - 前記混成集積回路装置は、高周波電力増幅モジュールである第１のモジュールと、アンテナスイッチモジュールである第２のモジュールを有し、無線通信機の実装基板に実装されていることを特徴とする請求項１５に記載の電子装置。
- 前記高周波電力増幅モジュールは、
入力端子と、
出力端子と、
パワー制御信号を受ける制御端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に接続された複数個の増幅段を有する増幅系とを有し、
前記増幅系は、前記パワー制御信号が供給される前記制御端子に供給される制御信号によってパワーが制御される構成であり、
前記アンテナスイッチモジュールは、
送信信号入力端子と、
受信信号出力端子と、
アンテナ端子と、
スイッチ切替え用端子と、
前記送信信号入力端子及び前記受信信号出力端子並びにアンテナ端子にそれぞれ接続される３端子のアンテナスイッチとを有し、
前記アンテナスイッチと前記送信信号入力端子との間にはフィルタが接続されている構成であることを特徴とする請求項１６に記載の電子装置。 - 前記アンテナスイッチの配線基板の誘電体層の層数よりも前記高周波電力増幅モジュールの配線基板の誘電体層の層数が多いことを特徴とする請求項１６に記載の電子装置。
- 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、第１及び第２のモジュールを含み、前記第１及び第２のモジュールは連結体を介して一体化され、前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子はモジュールごとに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｄ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための配線基板を一枚準備する工程
（ｂ）前記配線基板の所定上に第１のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記配線基板の所定上に第２のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程
（ｄ）前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程 - 前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子が存在しない上面及び周面を被うように封止した絶縁性の樹脂で前記連結体を形成することを特徴とする請求項１９に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子が存在しない上面及び周面を被うように封止した絶縁性の樹脂で前記連結体を形成し、その後前記連結体を被う導電性のキャップを前記連結体に被せて固定することを特徴とする請求項１９に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 前記（ｂ）の工程では、前記部品搭載後に必要部分を絶縁性樹脂で被い、
前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止できる係止部を有する金属キャップを前記連結体として使用して前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項１９に記載の混成集積回路装置の製造方法。 - 前記（ｂ）の工程では、前記部品搭載後に必要部分を絶縁性樹脂で被い、
前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止できる係止部を有する金属プラスチックキャップを前記連結体として使用して前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項１９に記載の混成集積回路装置の製造方法。 - 前記（ｄ）の工程では、前記第１のモジュールと前記第２のモジュールを所定の間隔を隔てて並べた後前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項１９に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、第１及び第２のモジュールを含み、前記第１及び第２のモジュールは連結体を介して一体化され、前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子はモジュールごとに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｄ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための配線基板をそれぞれ準備する工程
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程
（ｄ）選ばれた前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程 - 前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子が存在しない上面及び周面を被うように封止した絶縁性の樹脂で前記連結体を形成することを特徴とする請求項２５に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子が存在しない上面及び周面を被うように封止した絶縁性の樹脂で前記連結体を形成し、その後前記連結体を被う導電性のキャップを前記連結体に被せて固定することを特徴とする請求項２５に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 前記（ｂ）の工程では、前記部品搭載後に必要部分を絶縁性樹脂で被い、
前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止できる係止部を有する金属キャップを前記連結体として使用して前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項２５に記載の混成集積回路装置の製造方法。 - 前記（ｂ）の工程では、前記部品搭載後に必要部分を絶縁性樹脂で被い、
前記（ｄ）の工程では、前記第１及び第２のモジュールの係止部に係止できる係止部を有するプラスチックキャップを前記連結体として使用して前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項２５に記載の混成集積回路装置の製造方法。 - 前記（ｄ）の工程では、前記第１のモジュールと前記第２のモジュールを所定の間隔を隔てて並べた後前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化することを特徴とする請求項２５に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、第１及び第２のモジュールを含み、前記第１及び第２のモジュールは連結体を介して一体化され、前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子はモジュールごとに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｅ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための配線基板をそれぞれ準備する工程
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程
（ｄ）前記第１及び第２のモジュールの特性評価を行う工程
（ｅ）前記特性評価で良品と判定された前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程 - 配線を有する実装基板と、前記実装基板の配線に外部電極端子を介して接続される混成集積回路装置を有する電子装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、
連結体によって一体化された第１及び第２のモジュールを含み、
前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板の配線に接続される複数の外部電極端子を有し、
前記複数の外部電極端子は前記実装基板に接続される前の状態では各モジュールごとに電気的に独立した状態にあり、前記実装基板に接続された状態では前記第１及び第２のモジュールの所定の外部電極端子は電気的に接続されてなり、
以下（ａ）から（ｅ）に至る工程順で製造することを特徴とする電子装置の製造方法。
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための配線基板をそれぞれ準備する工程
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程
（ｄ）選ばれた前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程
（ｅ）前記混成集積回路装置の前記第１及び第２のモジュールの前記外部電極端子を前記実装基板の配線に接続する工程 - 前記混成集積回路装置として、第１のモジュールとして高周波電力増幅モジュールを形成し、第２のモジュールとしてアンテナスイッチモジュールを形成し、前記混成集積回路装置を無線通信機の実装基板に実装することを特徴とする請求項３２に記載の電子装置の製造方法。
- 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、第１及び第２のモジュールを含み、前記第１及び第２のモジュールは連結体を介して一体化され、前記第１及び第２のモジュールは前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記第１及び第２のモジュールの前記複数の外部電極端子はモジュールごとに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｅ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記第１及び第２のモジュールを製造するための配線基板をそれぞれ準備する工程
（ｂ）前記一方の配線基板上に第１のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載するとともに、前記他方の配線基板上に第２のモジュールを構成する半導体チップを含む部品を電極の電気的接続を含んで搭載する工程
（ｃ）前記両配線基板を分割して第１及び第２のモジュールを形成する工程
（ｄ）選ばれた前記第１及び第２のモジュールを所定の位置関係で並べて前記連結体で前記第１及び第２のモジュールを一体化する工程
（ｅ）前記一体化した製品を出荷する工程 - 両側にスプロケットホールを所定間隔に有しかつ製品を収容する窪みを所定間隔に有するエンボステープと、このエンボステープの窪みを被うように前記エンボステープに重ねて貼り付けられるカバーテープとからなるキャリアテープを、前記製品の前記窪みに収容した後にリール巻き付けることを特徴とする請求項３４に記載の混成集積回路装置の製造方法。
- 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、モジュールと、単一の半導体チップを内蔵する集積回路装置を含み、前記モジュールと前記集積回路装置は連結体を介して一体化され、前記モジュールと前記集積回路装置は前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記モジュールの前記複数の外部電極端子と、前記集積回路装置の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｃ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記モジュールと前記集積回路装置を準備する工程
（ｂ）前記モジュールと前記集積回路装置を一枚の実装基板に実装できる状態に並べる工程
（ｃ）前記モジュールと前記集積回路装置を前記連結体で一体化する工程 - 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、モジュールと受動素子を内蔵する受動部品を含み、前記モジュールと前記受動部品は連結体を介して一体化され、前記モジュールと前記受動部品は前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記モジュールの前記複数の外部電極端子と、前記受動部品の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｃ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記モジュールと前記受動部品を準備する工程
（ｂ）前記モジュールと前記受動部品を一枚の実装基板に実装できる状態に並べる工程
（ｃ）前記モジュールと前記受動部品を前記連結体で一体化する工程 - 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、単一の半導体チップを内蔵する集積回路装置と、受動素子を内蔵する受動部品を含み、前記集積回路装置と前記受動部品は連結体を介して一体化され、前記集積回路装置と前記受動部品は前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記集積回路装置の前記複数の外部電極端子と、前記受動部品の前記複数の外部電極端子は互いに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｃ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記集積回路装置と前記受動部品を準備する工程
（ｂ）前記集積回路装置と前記受動部品を一枚の実装基板に実装できる状態に並べる工程
（ｃ）前記集積回路装置と前記受動部品を前記連結体で一体化する工程 - 実装基板に実装される混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は、受動素子を内蔵する複数の受動部品を含み、前記各受動部品は連結体を介して一体化され、前記各受動部品は前記実装基板に接続される複数の外部電極端子を有し、前記各受動部品の前記複数の外部電極端子は各受動部品ごとに電気的に独立であり、
以下（ａ）から（ｃ）に至る工程順で製造することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
（ａ）前記各受動部品を準備する工程
（ｂ）前記各受動部品を一枚の実装基板に実装できる状態に並べる工程
（ｃ）前記各受動部品を前記連結体で一体化する工程
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