JP2000223647A - 高周波モジュールの製造方法 - Google Patents
高周波モジュールの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型かつ軽量であってハンドリング性の良好
な高周波モジュールを簡易に製造すること。 【解決手段】 電子部品３を搭載しており、所定高さの
グランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及び６ｄを有した基板２
を用意する工程と、基板２上に、絶縁性樹脂膜７とシー
ルド効果を有する導電膜８とを積層してなる積層シート
９を被覆する工程と、基板２を加熱し、樹脂膜７を軟化
させることによって、グランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｄと導電膜８とを導通させる工程とを有する、高周
波モジュールの製造方法。
な高周波モジュールを簡易に製造すること。 【解決手段】 電子部品３を搭載しており、所定高さの
グランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及び６ｄを有した基板２
を用意する工程と、基板２上に、絶縁性樹脂膜７とシー
ルド効果を有する導電膜８とを積層してなる積層シート
９を被覆する工程と、基板２を加熱し、樹脂膜７を軟化
させることによって、グランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｄと導電膜８とを導通させる工程とを有する、高周
波モジュールの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＣＯ等の高周波
モジュールの製造方法に関するものである。
モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話や自動車電話等の電子機
器に用いられるＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillato
r）やＰＬＬ（Phase Locked Loop）といった高周波回路
部品は、その多機能化に伴い、セラミック等の基板上に
その回路を構成する各種電子部品を実装した高周波モジ
ュールの形態で多用されている。
器に用いられるＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillato
r）やＰＬＬ（Phase Locked Loop）といった高周波回路
部品は、その多機能化に伴い、セラミック等の基板上に
その回路を構成する各種電子部品を実装した高周波モジ
ュールの形態で多用されている。
【０００３】これらの高周波モジュールにおいては、高
周波モジュールの搭載される携帯電話等の高周波回路内
で、その周辺に配される各種電子部品や配線パターン、
さらには他の高周波モジュール等からの電磁気的な影響
を避けるため、また、それらに電磁気的な影響を与える
ことを防ぐため、モジュール全体をグランド電位にある
グランド電極でシールドすることが必要である。
周波モジュールの搭載される携帯電話等の高周波回路内
で、その周辺に配される各種電子部品や配線パターン、
さらには他の高周波モジュール等からの電磁気的な影響
を避けるため、また、それらに電磁気的な影響を与える
ことを防ぐため、モジュール全体をグランド電位にある
グランド電極でシールドすることが必要である。
【０００４】ここで、一般的な高周波モジュールのシー
ルド構造を図６を参照に説明する。
ルド構造を図６を参照に説明する。
【０００５】この高周波モジュール２１においては、セ
ラミック等の基板２２上に、目的とする高周波特性を発
揮する半導体ＩＣやチップコンデンサ等の表面実装部品
３が搭載されており、また、基板２２の表面にはそれら
を電気的に接続する配線パターン（図示省略）が形成さ
れている。そして、基板２２の側面にはグランド電位に
あるグランド電極２３が形成されており、基板２２の上
側から金属キャップ２４が被せられ、金属キャップ２４
の凸部２５とグランド電極２３とがハンダ付けされて、
金属キャップ２４によるシールド構造を有する高周波モ
ジュール２１が形成される。
ラミック等の基板２２上に、目的とする高周波特性を発
揮する半導体ＩＣやチップコンデンサ等の表面実装部品
３が搭載されており、また、基板２２の表面にはそれら
を電気的に接続する配線パターン（図示省略）が形成さ
れている。そして、基板２２の側面にはグランド電位に
あるグランド電極２３が形成されており、基板２２の上
側から金属キャップ２４が被せられ、金属キャップ２４
の凸部２５とグランド電極２３とがハンダ付けされて、
金属キャップ２４によるシールド構造を有する高周波モ
ジュール２１が形成される。
【０００６】しかしながら、上述したようなシールド構
造を有する高周波モジュールを製造するためには、金属
キャップとグランド電極との位置合わせ工程やそのハン
ダ付け工程等を必要としている。また、複数の高周波モ
ジュールを備える集合基板での一括処理が困難であるた
め、集合基板を個々の高周波モジュールに分割した後
に、金属キャップの取り付けを行うことが多い。
造を有する高周波モジュールを製造するためには、金属
キャップとグランド電極との位置合わせ工程やそのハン
ダ付け工程等を必要としている。また、複数の高周波モ
ジュールを備える集合基板での一括処理が困難であるた
め、集合基板を個々の高周波モジュールに分割した後
に、金属キャップの取り付けを行うことが多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】さらに、近年、携帯電
話や自動車電話等の電子機器の小型化に伴い、ＶＣＯや
ＰＬＬ等の高周波モジュールに対しても小型化、軽量化
に対する要求が厳しく、金属キャップによるシールド構
造では、高周波モジュールの小型化及び軽量化に限界が
生じていた。
話や自動車電話等の電子機器の小型化に伴い、ＶＣＯや
ＰＬＬ等の高周波モジュールに対しても小型化、軽量化
に対する要求が厳しく、金属キャップによるシールド構
造では、高周波モジュールの小型化及び軽量化に限界が
生じていた。
【０００８】これに対して、特開平４−５８５９６号公
報には、プリント配線板上にプリント配線板のアース部
に接続した導電体を設け、この導電体の一部が露出する
ようにプリント配線板とそれに実装された電子回路部品
全体を絶縁性の封止樹脂や薄膜シールで覆った後、シー
ルド膜として、金属メッキ或いは導電性塗料を前記導電
体に接触するようにコーティングしたシールド構造が開
示されている。
報には、プリント配線板上にプリント配線板のアース部
に接続した導電体を設け、この導電体の一部が露出する
ようにプリント配線板とそれに実装された電子回路部品
全体を絶縁性の封止樹脂や薄膜シールで覆った後、シー
ルド膜として、金属メッキ或いは導電性塗料を前記導電
体に接触するようにコーティングしたシールド構造が開
示されている。
【０００９】しかしながら、このようなシールド構造を
有するプリント配線板を作製するためには、プリント配
線板及び電子回路部品を絶縁性の樹脂膜で覆う工程、金
属メッキ或いは導電性塗料をコーティングする工程等が
必要であるため、シールド構造の製造に要する工程が複
雑化してしまうといった問題がある。
有するプリント配線板を作製するためには、プリント配
線板及び電子回路部品を絶縁性の樹脂膜で覆う工程、金
属メッキ或いは導電性塗料をコーティングする工程等が
必要であるため、シールド構造の製造に要する工程が複
雑化してしまうといった問題がある。
【００１０】特に、絶縁性の樹脂膜上に金属メッキを行
うことは非常に困難であって、例えば、電解メッキの場
合は予め触媒のコーティングが必要であり、無電解メッ
キの場合は、蒸着等の手法によって予め導電膜を形成し
ておく必要がある。さらに、導電性塗料をコーティング
する場合、導電性塗料の粘度の微妙なコントロールが必
要であり、また、導電性塗料のコーティング後に導電膜
を形成するために加熱等の処理が必要となる。
うことは非常に困難であって、例えば、電解メッキの場
合は予め触媒のコーティングが必要であり、無電解メッ
キの場合は、蒸着等の手法によって予め導電膜を形成し
ておく必要がある。さらに、導電性塗料をコーティング
する場合、導電性塗料の粘度の微妙なコントロールが必
要であり、また、導電性塗料のコーティング後に導電膜
を形成するために加熱等の処理が必要となる。
【００１１】また、前記樹脂膜や前記シールド膜は電子
回路部品の形状に追随するため、得られるシールド膜の
表面が平坦にならず、シールド構造体のハンドリング性
が劣化したり、シールド膜のシールド性が低下したりす
ることがある。シールド膜の表面を平坦化するために
は、前記樹脂膜を形成する前に空隙を充填するための樹
脂を設けておけばよいが、このような構造を形成するた
めにはさらに工程数が増えてしまう。
回路部品の形状に追随するため、得られるシールド膜の
表面が平坦にならず、シールド構造体のハンドリング性
が劣化したり、シールド膜のシールド性が低下したりす
ることがある。シールド膜の表面を平坦化するために
は、前記樹脂膜を形成する前に空隙を充填するための樹
脂を設けておけばよいが、このような構造を形成するた
めにはさらに工程数が増えてしまう。
【００１２】本発明は、上述した問題点を解決するもの
であり、その目的は、小型かつ軽量であってハンドリン
グ性の良好な高周波モジュールを簡易に製造する、高周
波モジュールの製造方法を提供することにある。
であり、その目的は、小型かつ軽量であってハンドリン
グ性の良好な高周波モジュールを簡易に製造する、高周
波モジュールの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、電子部
品が搭載されており、かつ、所定高さのグランド端子が
設けられた基板を用意する工程と、前記基板上に、絶縁
性の樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積み重ね
てなる積層シートを被覆する工程と、前記基板を加熱
し、前記樹脂膜を軟化させることによって、前記グラン
ド端子と前記導電膜とを導通させる工程とを有すること
を特徴とする高周波モジュールの製造方法に係るもので
ある。
品が搭載されており、かつ、所定高さのグランド端子が
設けられた基板を用意する工程と、前記基板上に、絶縁
性の樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積み重ね
てなる積層シートを被覆する工程と、前記基板を加熱
し、前記樹脂膜を軟化させることによって、前記グラン
ド端子と前記導電膜とを導通させる工程とを有すること
を特徴とする高周波モジュールの製造方法に係るもので
ある。
【００１４】また、本発明の高周波モジュールの製造方
法は、前記基板が集合基板であって、前記グランド端子
と前記導電膜とを導通させる前記工程の後に、前記集合
基板を高周波モジュール単位に分割する工程を有するこ
とを特徴とする。
法は、前記基板が集合基板であって、前記グランド端子
と前記導電膜とを導通させる前記工程の後に、前記集合
基板を高周波モジュール単位に分割する工程を有するこ
とを特徴とする。
【００１５】また、本発明の高周波モジュールの製造方
法は、前記グランド端子の先端を尖鋭状に形成したこと
を特徴とする。
法は、前記グランド端子の先端を尖鋭状に形成したこと
を特徴とする。
【００１６】さらに、本発明の高周波モジュールの製造
方法は、前記基板をセラミック基板としたことを特徴と
する。
方法は、前記基板をセラミック基板としたことを特徴と
する。
【００１７】本発明の高周波モジュールの製造方法によ
れば、所定高さのグランド端子が設けられた基板上に、
絶縁性の樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積み
重ねてなる積層シートを被覆して、加熱による前記樹脂
膜の軟化により前記グランド端子と前記導電膜とを導通
させるので、前記導電膜がシールド効果を奏するように
なり、金属のメッキや導電性塗料のコーティングといっ
た工程を必要とせず、また、前記加熱により前記樹脂膜
が軟化することにより、前記樹脂膜の表面、さらには前
記導電膜の表面が平坦化される。従って、小型かつ軽量
であってハンドリング性の優れた高周波モジュールを簡
易な工程で製造できる。
れば、所定高さのグランド端子が設けられた基板上に、
絶縁性の樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積み
重ねてなる積層シートを被覆して、加熱による前記樹脂
膜の軟化により前記グランド端子と前記導電膜とを導通
させるので、前記導電膜がシールド効果を奏するように
なり、金属のメッキや導電性塗料のコーティングといっ
た工程を必要とせず、また、前記加熱により前記樹脂膜
が軟化することにより、前記樹脂膜の表面、さらには前
記導電膜の表面が平坦化される。従って、小型かつ軽量
であってハンドリング性の優れた高周波モジュールを簡
易な工程で製造できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波モジュール
の製造方法による実施の形態例を図１〜図５を参照に説
明する。
の製造方法による実施の形態例を図１〜図５を参照に説
明する。
【００１９】まず、図１に示すように、半導体ＩＣ、チ
ップコンデンサ、チップコイル等の電子部品３が搭載さ
れており、かつ、先端部が尖鋭状に形成され、所定高さ
のグランド端子６ａ、６ｂ…がグランド電極５に固定さ
れた集合基板２ａを用意する。
ップコンデンサ、チップコイル等の電子部品３が搭載さ
れており、かつ、先端部が尖鋭状に形成され、所定高さ
のグランド端子６ａ、６ｂ…がグランド電極５に固定さ
れた集合基板２ａを用意する。
【００２０】ここで、グランド端子６ａ、６ｂ…は、最
も高い電子部品３よりもその先端部が高い位置になるよ
うな金属製の端子である。また、グランド端子６ａ、６
ｂ…は、グランド電位にあるグランド電極５にハンダ固
定又はリフローハンダ固定されている。
も高い電子部品３よりもその先端部が高い位置になるよ
うな金属製の端子である。また、グランド端子６ａ、６
ｂ…は、グランド電位にあるグランド電極５にハンダ固
定又はリフローハンダ固定されている。
【００２１】次いで、図２に示すように、集合基板２ａ
をホットプレート等の加熱手段１２上に配し、集合基板
２ａ上に、絶縁性の樹脂膜７とシールド効果を奏する導
電膜８とを積み重ねてなる積層シート９を図中矢印に示
すように被覆する。この時、加熱手段１２によって集合
基板２ａを加熱してもよい。
をホットプレート等の加熱手段１２上に配し、集合基板
２ａ上に、絶縁性の樹脂膜７とシールド効果を奏する導
電膜８とを積み重ねてなる積層シート９を図中矢印に示
すように被覆する。この時、加熱手段１２によって集合
基板２ａを加熱してもよい。
【００２２】ここで、積層シート９は、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂からなる樹脂膜７上に、銅、アルミニウ
ム、金等の薄膜からなる導電膜８を設けたものである。
また、樹脂膜７の厚さは、最大の高さを有する電子部品
３の高さよりも例えば０．１ｍｍ程度厚くする。そし
て、導電膜８の厚みを例えば０．３ｍｍ程度とし、グラ
ンド端子６ａ、６ｂ…の高さは樹脂膜７の厚さプラス
０．２ｍｍ程度の厚さとすればよい。
の熱硬化性樹脂からなる樹脂膜７上に、銅、アルミニウ
ム、金等の薄膜からなる導電膜８を設けたものである。
また、樹脂膜７の厚さは、最大の高さを有する電子部品
３の高さよりも例えば０．１ｍｍ程度厚くする。そし
て、導電膜８の厚みを例えば０．３ｍｍ程度とし、グラ
ンド端子６ａ、６ｂ…の高さは樹脂膜７の厚さプラス
０．２ｍｍ程度の厚さとすればよい。
【００２３】次いで、図３に示すように、集合基板２ａ
を加熱手段１２によって例えば１５０℃程度に加熱して
樹脂膜７を軟化させ、グランド電位にあるグランド端子
６ａ、６ｂ…と導電膜８とを導通させる。すると、導電
膜８はグランド電位になり、シールド効果を奏するよう
になる。また、このとき、加熱により樹脂膜７が軟化す
るので、図3及び図４に示すように、集合基板２ａ上の
樹脂膜７及び導電膜８の表面はある程度平坦化される。
を加熱手段１２によって例えば１５０℃程度に加熱して
樹脂膜７を軟化させ、グランド電位にあるグランド端子
６ａ、６ｂ…と導電膜８とを導通させる。すると、導電
膜８はグランド電位になり、シールド効果を奏するよう
になる。また、このとき、加熱により樹脂膜７が軟化す
るので、図3及び図４に示すように、集合基板２ａ上の
樹脂膜７及び導電膜８の表面はある程度平坦化される。
【００２４】次いで、図３及び図４の点線１０に示す位
置で分割すると、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電
子部品３が搭載され、かつ、グランド電位にあるグラン
ド電極５に固定されたグランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｅを有する基板２上に、絶縁性の樹脂膜７を介して
各グランド端子と接続したシールド効果を奏する導電膜
８が形成された高周波モジュール１が得られる。
置で分割すると、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電
子部品３が搭載され、かつ、グランド電位にあるグラン
ド電極５に固定されたグランド端子６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｅを有する基板２上に、絶縁性の樹脂膜７を介して
各グランド端子と接続したシールド効果を奏する導電膜
８が形成された高周波モジュール１が得られる。
【００２５】なお、グランド端子６ａ、６ｂ…は、集合
基板２ａ上のグランド電極５にハンダ固定されていても
よいが、集合基板２ａを多層基板とし、その内部のグラ
ンド電位にある電極に貫通した端子であってもよい。ま
た、グランド端子６ａ、６ｂ…の設けられる位置は基板
２の四隅に限定されるものでなく、基板２の縁付近或い
は中央付近に多数設けてもよい。また、導電膜８は、導
電性の繊維を織った布状の導電膜や導電性の不織布等に
すれば、グランド端子の突き抜け性が向上されるので望
ましい。
基板２ａ上のグランド電極５にハンダ固定されていても
よいが、集合基板２ａを多層基板とし、その内部のグラ
ンド電位にある電極に貫通した端子であってもよい。ま
た、グランド端子６ａ、６ｂ…の設けられる位置は基板
２の四隅に限定されるものでなく、基板２の縁付近或い
は中央付近に多数設けてもよい。また、導電膜８は、導
電性の繊維を織った布状の導電膜や導電性の不織布等に
すれば、グランド端子の突き抜け性が向上されるので望
ましい。
【００２６】このように、本実施の形態による高周波モ
ジュールの製造方法は、所定高さのグランド端子６ａ、
６ｂ…の設けられた集合基板２ａ上に、絶縁性の樹脂膜
７とシールド効果を奏する導電膜８とを積み重ねてなる
積層シート９を被覆し、加熱手段１２による熱によって
樹脂膜７を軟化させることにより、グランド端子６ａ、
６ｂ…と導電膜８とを導通させるた後、集合基板２ａを
高周波モジュール単位に分割するものである。
ジュールの製造方法は、所定高さのグランド端子６ａ、
６ｂ…の設けられた集合基板２ａ上に、絶縁性の樹脂膜
７とシールド効果を奏する導電膜８とを積み重ねてなる
積層シート９を被覆し、加熱手段１２による熱によって
樹脂膜７を軟化させることにより、グランド端子６ａ、
６ｂ…と導電膜８とを導通させるた後、集合基板２ａを
高周波モジュール単位に分割するものである。
【００２７】つまり、本実施の形態による高周波モジュ
ールの製造方法によれば、集合基板状態での一括処理を
行うことができるため、その量産性を向上させることが
でき、また、導電膜８を有する積層シート９で被覆し、
加熱するだけでシールド構造が形成され、金属のメッキ
や導電性塗料のコーティングといった工程を必要としな
いので、その製造工程が大幅に簡略化され、高周波モジ
ュール１が安価かつ容易に製造される。
ールの製造方法によれば、集合基板状態での一括処理を
行うことができるため、その量産性を向上させることが
でき、また、導電膜８を有する積層シート９で被覆し、
加熱するだけでシールド構造が形成され、金属のメッキ
や導電性塗料のコーティングといった工程を必要としな
いので、その製造工程が大幅に簡略化され、高周波モジ
ュール１が安価かつ容易に製造される。
【００２８】また、加熱により樹脂膜７が軟化するの
で、樹脂膜７の表面、ひいては導電膜８の表面がある程
度平坦化されてそのハンドリング性が向上し、さらに、
樹脂膜７及び導電膜８によるシールド構造であるので、
金属ケースによるシールド構造の高周波モジュールに比
べて、落下試験等に対して強く、耐衝撃性に優れ、ま
た、小型かつ軽量である。
で、樹脂膜７の表面、ひいては導電膜８の表面がある程
度平坦化されてそのハンドリング性が向上し、さらに、
樹脂膜７及び導電膜８によるシールド構造であるので、
金属ケースによるシールド構造の高周波モジュールに比
べて、落下試験等に対して強く、耐衝撃性に優れ、ま
た、小型かつ軽量である。
【００２９】さらに、グランド端子６ａ、６ｂ…の先端
は尖鋭状に形成されているので、樹脂膜７を貫通し易
く、導電膜８との導通が取り易い。また、特に、集合基
板２ａ（又は基板２）をセラミック基板とすると、セラ
ミック基板は樹脂からなるプリント配線板等に比べて耐
熱性が高いので、絶縁性の樹脂膜７を軟化させるための
加熱時においても、集合基板２ａの変形や基板特性の変
動などが殆ど無く、安定性に優れた高周波モジュールが
形成される。
は尖鋭状に形成されているので、樹脂膜７を貫通し易
く、導電膜８との導通が取り易い。また、特に、集合基
板２ａ（又は基板２）をセラミック基板とすると、セラ
ミック基板は樹脂からなるプリント配線板等に比べて耐
熱性が高いので、絶縁性の樹脂膜７を軟化させるための
加熱時においても、集合基板２ａの変形や基板特性の変
動などが殆ど無く、安定性に優れた高周波モジュールが
形成される。
【００３０】以上、本発明を実施の形態について説明し
たが、本発明は上述した実施の形態に限定されるもので
はない。
たが、本発明は上述した実施の形態に限定されるもので
はない。
【００３１】例えば、本発明の高周波モジュールの製造
方法は、ＶＣＯやＰＬＬモジュールのような高周波モジ
ュールの製造方法の他、フィルタ、デュプレクサ、ＰＦ
パワーアンプなど、高周波帯域で使用される種々の高周
波モジュールの製造方法に適用できる。また、基板（又
は集合基板）は、単層として説明したが、多層であって
もよい。
方法は、ＶＣＯやＰＬＬモジュールのような高周波モジ
ュールの製造方法の他、フィルタ、デュプレクサ、ＰＦ
パワーアンプなど、高周波帯域で使用される種々の高周
波モジュールの製造方法に適用できる。また、基板（又
は集合基板）は、単層として説明したが、多層であって
もよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明の高周波モジュールの製造方法に
よれば、金属メッキや導電性塗料コーティングといった
工程を必要とせず、また、加熱によって樹脂膜が軟化す
ることにより、樹脂膜の表面、さらにはシールド効果を
奏する導電膜の表面がある程度平坦化されるので、小型
かつ軽量であってハンドリング性の優れた高周波モジュ
ールを簡易な工程で製造できる。
よれば、金属メッキや導電性塗料コーティングといった
工程を必要とせず、また、加熱によって樹脂膜が軟化す
ることにより、樹脂膜の表面、さらにはシールド効果を
奏する導電膜の表面がある程度平坦化されるので、小型
かつ軽量であってハンドリング性の優れた高周波モジュ
ールを簡易な工程で製造できる。
【図１】本発明の実施の形態によるグランド端子が形成
されてなる集合基板の概略断面図である。
されてなる集合基板の概略断面図である。
【図２】同、集合基板上に積層シートを被覆するときの
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】同、集合基板を加熱してグランド端子と導電膜
とを導通したときの概略断面図である。
とを導通したときの概略断面図である。
【図４】同、集合基板の概略斜視図である。
【図５】同、集合基板を分割した後の高周波モジュール
の概略斜視図（Ａ）、概略断面図（Ｂ）である。
の概略斜視図（Ａ）、概略断面図（Ｂ）である。
【図６】従来の高周波モジュールのシールド構造を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
１…高周波モジュール ２…基板 ２ａ…集合基板 ３…電子部品 ５…グランド電極 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ…グランド端子 ７…樹脂膜 ８…導電膜（シールド膜） ９…積層シート
Claims (4)
- 【請求項１】 電子部品が搭載されており、かつ、所定
高さのグランド端子が設けられた基板を用意する工程
と、 前記基板上に、絶縁性の樹脂膜とシールド効果を有する
導電膜とを積み重ねた積層シートを被覆する工程と、 前記基板を加熱し、前記樹脂膜を軟化させることによっ
て、前記グランド端子と前記導電膜とを導通させる工程
とを有することを特徴とする、高周波モジュールの製造
方法。 - 【請求項２】 前記基板が集合基板であって、前記グラ
ンド端子と前記導電膜とを導通させる前記工程の後に、
前記集合基板を高周波モジュール単位に分割する工程を
有することを特徴とする、請求項１に記載の高周波モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項３】 前記グランド端子の先端を尖鋭状に形成
したことを特徴とする、請求項１に記載の高周波モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項４】 前記基板をセラミック基板としたことを
特徴とする、請求項１又は２に記載の高周波モジュール
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026352A JP2000223647A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 高周波モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026352A JP2000223647A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 高周波モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223647A true JP2000223647A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12191088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11026352A Pending JP2000223647A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 高周波モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223647A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004010502A1 (ja) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp. | 混成集積回路装置 |
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| WO2021251218A1 (ja) * | 2020-06-11 | 2021-12-16 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP11026352A patent/JP2000223647A/ja active Pending
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