JPH08181253A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
- Publication number
- JPH08181253A JPH08181253A JP31894294A JP31894294A JPH08181253A JP H08181253 A JPH08181253 A JP H08181253A JP 31894294 A JP31894294 A JP 31894294A JP 31894294 A JP31894294 A JP 31894294A JP H08181253 A JPH08181253 A JP H08181253A
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- JP
- Japan
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- insulating substrate
- metal film
- integrated circuit
- microwave integrated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型軽量で、低コスト、そして安定なマイク
ロ波集積回路装置を提供すること。 【構成】 上面にＭＭＩＣチップマウント面１２が形成
され、下面に接地面１１が形成され、ＭＭＩＣチップマ
ウント面１２と接地面１１が複数のスルーホール１３で
接続されたベースプレート１０と、回路パターン１５が
上面に形成され、かつ、ベースプレート１０のＭＭＩＣ
チップマウント面１２を露出させる透孔１５を有し、ベ
ースプレート１０の上面に積層されるの絶縁性基板１４
とで構成されている。
ロ波集積回路装置を提供すること。 【構成】 上面にＭＭＩＣチップマウント面１２が形成
され、下面に接地面１１が形成され、ＭＭＩＣチップマ
ウント面１２と接地面１１が複数のスルーホール１３で
接続されたベースプレート１０と、回路パターン１５が
上面に形成され、かつ、ベースプレート１０のＭＭＩＣ
チップマウント面１２を露出させる透孔１５を有し、ベ
ースプレート１０の上面に積層されるの絶縁性基板１４
とで構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波電力増幅器
などを構成するマイクロ波集積回路装置に関する。
などを構成するマイクロ波集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車電話やコードレス電話など移動体
通信機器に使用されるマイクロ波電力増幅器等の部品
は、小形軽量で、低コスト、そして量産性が要求され
る。これらの要求を実現するために、これまでも、ディ
スクリートＦＥＴで構成していた部品をモノリシック・
マイクロ波集積回路（以後ＭＭＩＣ）で構成するように
なり、また、パッケージも、金属ベースのリード付きの
ものが表面実装タイプのリードレスセラミックパッケー
ジに変わってきている。そして、近年、このような構造
の部品が急激に普及している。
通信機器に使用されるマイクロ波電力増幅器等の部品
は、小形軽量で、低コスト、そして量産性が要求され
る。これらの要求を実現するために、これまでも、ディ
スクリートＦＥＴで構成していた部品をモノリシック・
マイクロ波集積回路（以後ＭＭＩＣ）で構成するように
なり、また、パッケージも、金属ベースのリード付きの
ものが表面実装タイプのリードレスセラミックパッケー
ジに変わってきている。そして、近年、このような構造
の部品が急激に普及している。
【０００３】ここで、従来のマイクロ波集積回路装置に
ついて、マイクロ波電力増幅器を例にとり図２の断面図
を参照して説明する。
ついて、マイクロ波電力増幅器を例にとり図２の断面図
を参照して説明する。
【０００４】２０はセッラミック製の絶縁性基板で、絶
縁性基板２０の下面には金属膜が形成され、接地面２１
を構成している。また、絶縁性基板２０上面の例えば中
央にチップマウントランドパターン２２が形成されてい
る。そして、絶縁性基板２０にはスルーホール２３が形
成され、絶縁性基板２０上面のチップマウントランドパ
ターン２２と下面の接地面２１が、スルーホール２３で
接続されている。また、チップマウントランドパターン
２２上にはＭＭＩＣチップ２４が半田付け等でマウント
されている。
縁性基板２０の下面には金属膜が形成され、接地面２１
を構成している。また、絶縁性基板２０上面の例えば中
央にチップマウントランドパターン２２が形成されてい
る。そして、絶縁性基板２０にはスルーホール２３が形
成され、絶縁性基板２０上面のチップマウントランドパ
ターン２２と下面の接地面２１が、スルーホール２３で
接続されている。また、チップマウントランドパターン
２２上にはＭＭＩＣチップ２４が半田付け等でマウント
されている。
【０００５】なお、絶縁性基板２０の上面にはチップマ
ウントランドパターン２３のほか、整合回路やバイアス
回路等の回路パターン２５が形成される。これらの回路
パターン２５は、ボンディングワイヤ２６でＭＭＩＣチ
ップ２４に接続される。また、絶縁性基板２０の側面に
形成された高周波端子２７やバイアス端子２８を介して
外部回路に接続される。また、２９は蓋で、絶縁性基板
２０の上面にマウントされているＭＭＩＣチップ２４や
回路パターン２５などを覆っている。
ウントランドパターン２３のほか、整合回路やバイアス
回路等の回路パターン２５が形成される。これらの回路
パターン２５は、ボンディングワイヤ２６でＭＭＩＣチ
ップ２４に接続される。また、絶縁性基板２０の側面に
形成された高周波端子２７やバイアス端子２８を介して
外部回路に接続される。また、２９は蓋で、絶縁性基板
２０の上面にマウントされているＭＭＩＣチップ２４や
回路パターン２５などを覆っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波集積
回路装置では、絶縁性基板に対する機械的強度の問題が
ある。このため、チップマウントランドパターンと接地
面を接続するスルーホールの数を増やすと、絶縁性基板
の強度が弱くなる。したがって、単位面積当りに作れる
スルーホールの数は限られていた。スルーホールの数が
少ないと、チップマウントランドパターンは、直流的
（十分に低い周波数の場合を含む）には接地面と同電位
になるものの、１ＧＨｚ以上のマイクロ波帯では、スル
ーホールのインダクタンス成分が無視できなくなり、チ
ップマウントランドパターンの電位が接地面より高くな
ることがある。
回路装置では、絶縁性基板に対する機械的強度の問題が
ある。このため、チップマウントランドパターンと接地
面を接続するスルーホールの数を増やすと、絶縁性基板
の強度が弱くなる。したがって、単位面積当りに作れる
スルーホールの数は限られていた。スルーホールの数が
少ないと、チップマウントランドパターンは、直流的
（十分に低い周波数の場合を含む）には接地面と同電位
になるものの、１ＧＨｚ以上のマイクロ波帯では、スル
ーホールのインダクタンス成分が無視できなくなり、チ
ップマウントランドパターンの電位が接地面より高くな
ることがある。
【０００７】したがって、マイクロ波集積回路で例えば
マイクロ波電力増幅器を構成し、その利得が３０ｄＢ以
上の高利得になると、スルーホールのインダクタンス成
分を介して後段から前段への帰還が生じる。この結果、
利得が低下したり、また不安定さから発振したりして、
特性が劣化する原因になる。このような特性の劣化を防
ぐ方法として、金属ベースのパッケージを使用すること
が考えられる。しかし、金属ベースのパッケージを使用
すると、小型軽量で、低コストという要求が実現できな
い。
マイクロ波電力増幅器を構成し、その利得が３０ｄＢ以
上の高利得になると、スルーホールのインダクタンス成
分を介して後段から前段への帰還が生じる。この結果、
利得が低下したり、また不安定さから発振したりして、
特性が劣化する原因になる。このような特性の劣化を防
ぐ方法として、金属ベースのパッケージを使用すること
が考えられる。しかし、金属ベースのパッケージを使用
すると、小型軽量で、低コストという要求が実現できな
い。
【０００８】本発明は、上記のような欠点を解決し、小
型軽量で、低コスト、そして安定なマイクロ波集積回路
装置を提供することを目的とする。
型軽量で、低コスト、そして安定なマイクロ波集積回路
装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波集積
回路装置は、上面に金属膜が形成され、下面に接地面と
なる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数のスル
ーホールで接続された第１の絶縁性基板と、回路パター
ンが上面に形成され、かつ、前記第１の絶縁性基板上面
の金属膜を露出させる開口を有し、前記第１の絶縁性基
板の上面に積層される第２の絶縁性基板とで構成されて
いる。
回路装置は、上面に金属膜が形成され、下面に接地面と
なる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数のスル
ーホールで接続された第１の絶縁性基板と、回路パター
ンが上面に形成され、かつ、前記第１の絶縁性基板上面
の金属膜を露出させる開口を有し、前記第１の絶縁性基
板の上面に積層される第２の絶縁性基板とで構成されて
いる。
【００１０】また、第２の絶縁性基板の開口が透孔で構
成されている。
成されている。
【００１１】また、第２の絶縁性基板の開口によって露
出した前記第１の絶縁性基板上面の金属膜にマイクロ波
集積回路チップがマウントされている。
出した前記第１の絶縁性基板上面の金属膜にマイクロ波
集積回路チップがマウントされている。
【００１２】また、上面に金属膜が形成され、下面に接
地面となる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数
のスルーホールで接続された第１の絶縁性基板と、この
第１の絶縁性基板上面の金属膜の一部が露出するように
前記第１の絶縁性基板より小さな面積を有し、かつ、前
記第１の絶縁性基板に積層される第２の絶縁性基板と、
この第２の絶縁性基板の前記第１の絶縁性基板に接する
面と反対側の面に形成される回路パターンと、前記第１
の絶縁性基板上面の露出した金属膜にマウントされ、前
記回路パターンと接続されるマイクロ波集積回路チップ
とで構成されている。
地面となる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数
のスルーホールで接続された第１の絶縁性基板と、この
第１の絶縁性基板上面の金属膜の一部が露出するように
前記第１の絶縁性基板より小さな面積を有し、かつ、前
記第１の絶縁性基板に積層される第２の絶縁性基板と、
この第２の絶縁性基板の前記第１の絶縁性基板に接する
面と反対側の面に形成される回路パターンと、前記第１
の絶縁性基板上面の露出した金属膜にマウントされ、前
記回路パターンと接続されるマイクロ波集積回路チップ
とで構成されている。
【００１３】
【作用】上記した構成によれば、第１の絶縁性基板と第
２の絶縁性基板が積層した構造になっている。このた
め、第１の絶縁性基板上面の金属膜と下面に形成される
接地面を接続するスルーホールを、第１の絶縁性基板の
例えば広い領域に、また密に形成しても強度上の問題は
生じない。したがって、第１の絶縁性基板上面の金属膜
と下面の接地面を多数のスルーホールで接続でき、絶縁
性基板上面の金属膜の電位を従来技術に比べ接地面によ
り近くできる。
２の絶縁性基板が積層した構造になっている。このた
め、第１の絶縁性基板上面の金属膜と下面に形成される
接地面を接続するスルーホールを、第１の絶縁性基板の
例えば広い領域に、また密に形成しても強度上の問題は
生じない。したがって、第１の絶縁性基板上面の金属膜
と下面の接地面を多数のスルーホールで接続でき、絶縁
性基板上面の金属膜の電位を従来技術に比べ接地面によ
り近くできる。
【００１４】この結果、絶縁性基板上面の金属膜にマイ
クロ波集積回路チップなどをマウントしても、利得が低
下したり、また不安定さから発振したりするなどの特性
の劣化を防止できる。また、絶縁性基板としてセラミッ
クを用いた場合、セラミックパッケージが持つ利点、例
えば小型軽量という特徴を生かしたまま、金属ベースの
パッケージと同程度の電気的特性を得ることができる。
クロ波集積回路チップなどをマウントしても、利得が低
下したり、また不安定さから発振したりするなどの特性
の劣化を防止できる。また、絶縁性基板としてセラミッ
クを用いた場合、セラミックパッケージが持つ利点、例
えば小型軽量という特徴を生かしたまま、金属ベースの
パッケージと同程度の電気的特性を得ることができる。
【００１５】
【実施例】本発明のマイクロ波集積回路装置の一実施例
について、マイクロ波電力増幅器を例にとり、図１
（ａ）を参照して説明する。
について、マイクロ波電力増幅器を例にとり、図１
（ａ）を参照して説明する。
【００１６】１０はセッラミック製の絶縁性基板（以下
ベースプレートという）である。ベースプレート１０の
下面には金属膜が形成され、接地面１１を構成してい
る。また、ベースプレート１０上面には、斜線で示され
るようにほぼ全面にわたってマイクロ波集積回路（以下
ＭＭＩＣという）チップマウント面１２が形成されてい
る。なお、ＭＭＩＣチップマウント面１２と接地面１１
は、ベースプレート１０に形成された多数のスルーホー
ル１３で接続されている。
ベースプレートという）である。ベースプレート１０の
下面には金属膜が形成され、接地面１１を構成してい
る。また、ベースプレート１０上面には、斜線で示され
るようにほぼ全面にわたってマイクロ波集積回路（以下
ＭＭＩＣという）チップマウント面１２が形成されてい
る。なお、ＭＭＩＣチップマウント面１２と接地面１１
は、ベースプレート１０に形成された多数のスルーホー
ル１３で接続されている。
【００１７】そして、ベースプレート１０上に絶縁性基
板１４が積層される。絶縁性基板１４の上面には整合回
路やバイアス回路などの回路パターン１５が形成されて
いる。また、絶縁性基板１４の一部に開口、例えば透孔
１６があけられている。この透孔１６によって、ベース
プレート１０上面に形成されたＭＭＩＣチップマウント
面１２の一部が露出した形になる。
板１４が積層される。絶縁性基板１４の上面には整合回
路やバイアス回路などの回路パターン１５が形成されて
いる。また、絶縁性基板１４の一部に開口、例えば透孔
１６があけられている。この透孔１６によって、ベース
プレート１０上面に形成されたＭＭＩＣチップマウント
面１２の一部が露出した形になる。
【００１８】そして、露出したＭＭＩＣチップマウント
面１２に、ＭＭＩＣチップ１７が半田付け等で直接マウ
ントされる。なおＭＭＩＣチップ１７はボンディングワ
イヤ１８で回路パターン１５と接続され、さらに、絶縁
性基板１４の側面に形成された端子１９、例えば高周波
端子やバイアス端子を通して外部回路と接続される。な
お、１０１は蓋で、絶縁性基板１４の上方空間を覆い、
ＭＭＩＣチップ１７や回路パターン１５などを保護して
いる。
面１２に、ＭＭＩＣチップ１７が半田付け等で直接マウ
ントされる。なおＭＭＩＣチップ１７はボンディングワ
イヤ１８で回路パターン１５と接続され、さらに、絶縁
性基板１４の側面に形成された端子１９、例えば高周波
端子やバイアス端子を通して外部回路と接続される。な
お、１０１は蓋で、絶縁性基板１４の上方空間を覆い、
ＭＭＩＣチップ１７や回路パターン１５などを保護して
いる。
【００１９】図１（ｂ）は、（ａ）図のマイクロ波集積
回路装置を、その一部を切り欠いて示した外観図であ
る。なお図１に対応する部分には同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。この図から分かるように、ベー
スプレート１０上面のＭＭＩＣチップマウント面１２
は、ほぼ全面に形成されている。そして、スルーホール
１３も、ベースプレート１０のほぼ全体に亘って形成さ
れている。この場合、ベースプレート１０と絶縁性基板
１４が積層された構造になっているため強度上の問題が
生じない。したがって、ベースプレートにスルーホール
を数多く、そして密に形成できる。このため、ベースプ
レート１０上面のＭＭＩＣチップマウント面１２と下面
の接地面１１を接続するスルーホール１３の数を多くで
き、ＭＭＩＣチップマウント面１２を接地面１１とほぼ
同電位にできる。
回路装置を、その一部を切り欠いて示した外観図であ
る。なお図１に対応する部分には同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。この図から分かるように、ベー
スプレート１０上面のＭＭＩＣチップマウント面１２
は、ほぼ全面に形成されている。そして、スルーホール
１３も、ベースプレート１０のほぼ全体に亘って形成さ
れている。この場合、ベースプレート１０と絶縁性基板
１４が積層された構造になっているため強度上の問題が
生じない。したがって、ベースプレートにスルーホール
を数多く、そして密に形成できる。このため、ベースプ
レート１０上面のＭＭＩＣチップマウント面１２と下面
の接地面１１を接続するスルーホール１３の数を多くで
き、ＭＭＩＣチップマウント面１２を接地面１１とほぼ
同電位にできる。
【００２０】上記した構成によれば、小型軽量で、低コ
ストというセラミックパケージの利点を維持したまま、
金属ベースのパッケージと同等の電気的特性を得ること
ができ、小型軽量、そして低コストで、しかも安定した
高利得増幅器などを実現できる。
ストというセラミックパケージの利点を維持したまま、
金属ベースのパッケージと同等の電気的特性を得ること
ができ、小型軽量、そして低コストで、しかも安定した
高利得増幅器などを実現できる。
【００２１】なお、上記した実施例では、ベースプレー
ト上面のＭＭＩＣチップマウント面を露出する絶縁性基
板の開口を例えば透孔で構成している。しかし、絶縁性
基板の開口は、絶縁性基板の周辺の一部を切り欠いた構
造や、また、ベースプレートと接する側の絶縁性基板の
面積をベースプレートの面積より小さくした構造など、
絶縁性基板をベースプレート上に積層した際にベースプ
レート上面のＭＭＩＣチップマウント面が露出するよう
な構造であればよい。
ト上面のＭＭＩＣチップマウント面を露出する絶縁性基
板の開口を例えば透孔で構成している。しかし、絶縁性
基板の開口は、絶縁性基板の周辺の一部を切り欠いた構
造や、また、ベースプレートと接する側の絶縁性基板の
面積をベースプレートの面積より小さくした構造など、
絶縁性基板をベースプレート上に積層した際にベースプ
レート上面のＭＭＩＣチップマウント面が露出するよう
な構造であればよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、小型軽量、低コスト
で、しかも安定したマイクロ波集積回路装置を実現でき
る。
で、しかも安定したマイクロ波集積回路装置を実現でき
る。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】従来の装置を示す断面図である。
１０…ベースプレート １１…接地面 １２…ＭＭＩＣチップマウント面 １３…スルーホール １４…絶縁性基板 １５…回路パターン １６…透孔 １７…ＭＭＩＣチップ １８…ボンディングワイヤ １９…端子
Claims (4)
- 【請求項１】 上面に金属膜が形成され、下面に接地面
となる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数のス
ルーホールで接続された第１の絶縁性基板と、回路パタ
ーンが上面に形成され、かつ、前記第１の絶縁性基板上
面の金属膜を露出させる開口を有し、前記第１の絶縁性
基板の上面に積層される第２の絶縁性基板とを具備した
マイクロ波集積回路装置。 - 【請求項２】 第２の絶縁性基板の開口が透孔であるこ
とを特徴とする請求項１記載のマイクロ波集積回路装
置。 - 【請求項３】 第２の絶縁性基板の開口によって露出し
た前記第１の絶縁性基板上面の金属膜にマイクロ波集積
回路チップがマウントされたことを特徴とする請求項１
または請求項２記載のマイクロ波集積回路装置。 - 【請求項４】 上面に金属膜が形成され、下面に接地面
となる金属膜が形成され、上下両面の金属膜が複数のス
ルーホールで接続された第１の絶縁性基板と、この第１
の絶縁性基板上面の金属膜の一部が露出するように前記
第１の絶縁性基板より小さな面積を有し、かつ、前記第
１の絶縁性基板に積層される第２の絶縁性基板と、この
第２の絶縁性基板の前記第１の絶縁性基板に接する面と
反対側の面に形成される回路パターンと、前記第１の絶
縁性基板上面の露出した金属膜にマウントされ、前記回
路パターンと接続されるマイクロ波集積回路チップとを
具備したマイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318942A JP2567211B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318942A JP2567211B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181253A true JPH08181253A (ja) | 1996-07-12 |
| JP2567211B2 JP2567211B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=18104716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6318942A Expired - Fee Related JP2567211B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567211B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936616A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路装置 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6318942A patent/JP2567211B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936616A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2567211B2 (ja) | 1996-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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