JP2000031331A

JP2000031331A - 電力増幅器

Info

Publication number: JP2000031331A
Application number: JP21489198A
Authority: JP
Inventors: Masashi Maruyama; 昌志丸山; Hitoshi Akamine; 均赤嶺; Tomio Yamada; 富男山田; Sakae Kikuchi; 栄菊池; Shinji Moriyama; 伸治森山; Mitsuaki Hibino; 光明日比野; Tsuneo Endo; 恒雄遠藤
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi ULSI Systems Co Ltd; Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 1998-07-14
Filing date: 1998-07-14
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】平面面積を縮小する。【解決手段】高周波パワーアンプ１における配線基板
２のコンデンサ４や抵抗５等の受動素子が実装された受
動素子実装配線側と反対側の主面に形成されたキャビテ
ィー１１、１２の底面にＴＲＳ２１、２２が実装されて
いる。【効果】ＴＲＳが反対側の主面に実装された分だけ、
配線基板の受動素子側の主面における面積を縮小できる
ため、アンプ全体としての平面面積を縮小できる。ＴＲ
Ｓをボードのランドに半田付けすることにより、ＴＲＳ
が発生した熱を半田付け部、ランドを経由してボードに
直接的に放熱できる。キャビティーの周囲に形成したグ
ランド端子をボードのグランド端子用ランドに半田付け
することにより、半田付け部によってＴＲＳを気密封止
できるため、ボードへの表面実装状態におけるアンプの
耐湿性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅器、特
に、配線基板に能動素子および受動素子が実装されてい
るマルチ・チップ・モジュール（以下、ＭＣＭとい
う。）に関し、例えば、携帯電話等に使用される高周波
パワーアンプに利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話には電波を増幅させるための高
周波パワーアンプが搭載されている。従来のこの種の高
周波パワーアンプはＭＣＭが使用されて構成されてい
る。すなわち、高周波パワーアンプは、配線基板の一主
面に能動素子であるトランジスタ（以下、ＴＲＳとい
う。）および受動素子であるコンデンサや抵抗等（以
下、受動素子という。）が実装されて構成されている。
ＴＲＳは配線基板にボンディング層によって機械的に接
続され、電気配線にボンディングワイヤによって電気的
に接続されている。配線基板のＴＲＳおよび受動素子の
実装面と反対側の主面には信号端子および電源用端子が
形成されており、信号端子および電源用端子には配線基
板の側面および内部に敷設された電気配線が接続されて
いる。

【０００３】この高周波パワーアンプは実装基板に端子
群側の主面が表面実装される。すなわち、信号端子およ
び電源用端子が実装基板に半田付けされる。

【０００４】なお、ＭＣＭを述べてある例としては、株
式会社日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行の「ＶＬＳ
Ｉパッケージング技術（下）」Ｐ２１３〜Ｐ２５１、が
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た高周波パワーアンプにおいては、ＴＲＳおよび受動素
子が配線基板の片側主面に実装されているため、配線基
板の平面の面積が大きくなってしまうという問題点があ
る。

【０００６】本発明の目的は、平面面積を縮小すること
ができる電力増幅器を提供することにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、配線基板に能動素子および受動
素子が実装されている電力増幅器であって、前記配線基
板の前記受動素子が実装された側と反対側の主面にはキ
ャビティーが形成されており、このキャビティーには前
記能動素子が実装されていることを特徴とする。

【００１０】前記した手段によれば、能動素子が反対側
の主面に実装された分だけ、配線基板の受動素子側の主
面における面積を縮小することができるため、電力増幅
器全体としての平面の面積を縮小することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
高周波パワーアンプを示しており、（ａ）は正面断面
図、（ｂ）は底面図である。図２（ａ）はカバーを取っ
た状態の平面図、（ｂ）は拡大部分断面図である。図３
はその実装状態を示す拡大した正面断面図である。

【００１２】本実施形態において、本発明に係る電力増
幅器は、携帯電話に使用される高周波パワーアンプ（以
下、アンプという。）１として構成されており、配線基
板２を備えている。配線基板２は第一〜第五絶縁板２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅを順次積層されて、略正方
形の平板形状に形成されている。第一〜第五絶縁板２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅはガラスセラミック等の絶
縁性を有する材料が使用されて、互いに略等しい略正方
形のシート形状に形成されており、同心に積層されてい
る。

【００１３】第一絶縁板２ａの一方の主面（以下、上面
とする。）には受動素子実装配線３が、図２（ａ）に示
されているようにパターニングされている。受動素子実
装配線３には受動素子であるチップコンデンサ４やチッ
プ抵抗５が複数個、高融点半田や銀ペースト等が使用さ
れて形成された接続部６によって機械的かつ電気的に接
続されている。第一絶縁板２ａの下面には、電源用導体
の他方である基準電源用導体（以下、グランド導体とい
う。）７が略全面にわたって被着されている。

【００１４】ちなみに、受動素子実装配線３およびグラ
ンド導体７は銅（Ｃｕ）等の導電性材料が使用されて被
着した後に、リソグラフィー処理およびエッチング処理
によってパターニングすることができる。以降の導体や
信号線等も同様にして形成することができる。

【００１５】第一絶縁板２ａの下面には第二絶縁板２ｂ
が接着されている。第二絶縁板２ｂの下面には複数本の
信号線８がパターニングされている。各信号線８は後記
する側面ビアおよび内部ビアにそれぞれ電気的に接続さ
れている。

【００１６】第二絶縁板２ｂの下面には第三絶縁板２ｃ
が接着されている。第三絶縁板２ｃの下面にはグランド
導体（以下、下側グランド導体という。）９が略全面に
わたって被着されている。したがって、信号線８群は第
一絶縁板２ａのグランド導体（以下、上側グランド導体
という。）７と下側グランド導体９とによって挟まれて
いるため、電気的に安定した状態を維持することができ
る。上側グランド導体７および下側グランド導体９は後
記する側面ビアおよび内部ビアによって後記する電源用
端子に電気的に接続されている。

【００１７】第三絶縁板２ｃの下面には第四絶縁板２ｄ
が接着されている。第四絶縁板２ｄの下面には電源導体
の他方である駆動電源用導体（以下、電源導体とい
う。）１０が略全面にわたって被着されている。電源導
体１０は後記する側面ビアによって後記する電源用端子
に電気的に接続されている。

【００１８】第四絶縁板２ｄの下面には第五絶縁板２ｅ
が接着されている。第五絶縁板２ｅには第一キャビティ
ー１１および第二キャビティー１２が隣合わせに開設さ
れている。第五絶縁板２ｅの下面には、電源用端子の一
方である基準電源用端子（以下、グランド端子とい
う。）１３が図１（ｂ）に示されているように第一キャ
ビティー１１および第二キャビティー１２を取り囲んだ
状態で、略全面にわたって被着されている。また、第五
絶縁板２ｅの下面における外周辺には複数個の信号端子
１４および電源用端子の他方である駆動電源用端子（以
下、電源端子という。）１５がパターニングされてい
る。信号端子１４および電源端子１５は図１（ｂ）に示
されているように半円の円弧形状に形成されている。

【００１９】配線基板２の側面における各信号端子１４
および電源端子１５に対応する各位置には、各側面ビア
１６が第一絶縁板２ａ〜第五絶縁板２ｅの上下方向に敷
設されており、各側面ビア１６は半円形の円筒形状にそ
れぞれ形成されている。各側面ビア１６には予め指定さ
れた信号線８、信号端子１４、電源導体１０および電源
端子１５がそれぞれ電気的に接続されている。

【００２０】第一キャビティー１１および第二キャビテ
ィー１２の底面を実質的に構成する第四絶縁板２ｄの下
面には、後記するバンプ電極等を機械的かつ電気的に接
続するためのパッド１７および１８が複数個宛、図１
（ｂ）に破線で参照されるように互いに間隔を置かれて
形成されている。各パッド１７、１８の表面には、後記
するバンプ電極の結合等の必要に応じてめっき処理等の
表面処理が適宜に実施されている。第一キャビティー１
１内のパッド（以下、第一パッドという。）１７および
第二キャビティー１２内のパッド（以下、第二パッドと
いう。）１８は、配線基板２の内部に第一絶縁板２ａ〜
第五絶縁板２ｅの上下方向に貫通するように敷設された
内部ビア１９、２０によって受動素子実装配線３やグラ
ンド導体７、９および電源導体１０にそれぞれ電気的に
接続されている。

【００２１】第一キャビティー１１および第二キャビテ
ィー１２には、能動素子である第一ＴＲＳ２１および第
二ＴＲＳ２２がそれぞれＣＣＢ（コントロールド・コラ
ップス・ボンディング）によって機械的かつ電気的に接
続されている。すなわち、第一ＴＲＳ２１は電極（図示
せず）と各第一パッド１７との間に形成されたバンプ電
極２３によって機械的かつ電気的に接続されており、第
二ＴＲＳ２２は電極（図示せず）と各第二パッド１８と
の間に形成されたバンプ電極２４によって機械的かつ電
気的に接続されている。第一ＴＲＳ２１はシリコンや化
合物半導体等によって略正方形の小さい平板形状に形成
されており、第二ＴＲＳ２２は同様に略長方形の平板形
状に形成されている。第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ
２２は協働して超高周波数帯域の伝送信号を増幅するよ
うに構成されている。

【００２２】図１（ａ）に示されているように、配線基
板２の上面にはカバー２５が受動素子実装配線３やチッ
プコンデンサ４やチップ抵抗５を被覆するように被せ付
けられている。カバー２５にはフック２６が一対、下向
きに垂下されており、両フック２６、２６が配線基板２
の側面に形成された一対の係止部２７、２７にそれぞれ
係止されることにより固定されている。

【００２３】以上のように構成されたアンプ１は携帯電
話の実装基板（以下、ボードという。）３０に図３に示
されているように表面実装される。

【００２４】図３において、ボード３０は絶縁性を有す
る材料が使用されて矩形の平板形状に形成されたベース
３１を備えており、ベース３１の上面の一部にはアンプ
１を実装するためのアンプ実装部３２が形成されてい
る。アンプ実装部３２にはアンプ１のグランド端子１
３、信号端子１４および電源端子１５に対応する各ラン
ド３３、３４、３５がそれぞれ形成されている。また、
アンプ実装部３２にはグランド端子用ランド３５の内側
に第一ＴＲＳ用ランド３６および第二ＴＲＳ用ランド３
７がそれぞれ形成されている。

【００２５】アンプ１がボード３０に実装されるに際し
て、半田ペースト（図示せず）がボード３０の各ランド
３３、３４、３５、３６、３７に塗布される。アンプ１
がボード３０に、アンプ１のグランド端子１３、信号端
子１４、電源端子１５、第一ＴＲＳ２１、第二ＴＲＳ２
２がボード３０の対応する各ランド３３、３４、３５、
３６、３７にそれぞれ整合された状態で搭載されると、
アンプ１はボード３０に半田ペーストによって接着され
た状態になる。

【００２６】この状態で、リフロー処理されると、図３
に示されているように、アンプ１のグランド端子１３、
信号端子１４および電源端子１５とボード３０の各ラン
ド３３、３４、３５との間に形成された各半田付け部３
８によって、アンプ１はボード３０に機械的かつ電気的
に接続された状態になる。また、第一ＴＲＳ２１および
第二ＴＲＳ２２は第一ＴＲＳ用ランド３６および第二Ｔ
ＲＳ用ランド３７との間にそれぞれ形成された半田付け
部３９、４０によって機械的に接続された状態になる。
ちなみに、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２は第一
ＴＲＳ用ランド３６および第二ＴＲＳ用ランド３７に半
田付け部３９、４０を介して電気的にも接続されるよう
に構成してもよい。

【００２７】この状態において、第一キャビティー１１
および第二キャビティー１２はグランド端子１３とグラ
ンド端子用ランド３５との間に形成された半田付け部３
８によってそれぞれ取り囲まれた状態になるため、第一
ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２は丁度、気密封止され
た状態になる。

【００２８】以上のようにしてボード３０に表面実装さ
れたアンプ１は、電源端子１５、グランド端子１３によ
って電力を供給され、信号端子１４によって信号を入出
力する。第一ＴＲＳ２１、第二ＴＲＳ２２、チップコン
デンサ４およびチップ抵抗５には信号線８や側面ビア１
６、内部ビア１９、２０によって通電される。

【００２９】この際、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ
２２が発生した熱は熱伝導によって、各半田付け部３
９、４０、第一ＴＲＳ用ランド３６および第二ＴＲＳ用
ランド３７を経由してボード３０に直接的に放熱され
る。したがって、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２
の放熱性能は高まるため、第一ＴＲＳ２１および第二Ｔ
ＲＳ２２は所期の性能を発揮することができる。

【００３０】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。

【００３１】配線基板のコンデンサや抵抗等の受動
素子が実装された側と反対側の主面に形成されたキャビ
ティーの底面にＴＲＳを実装することにより、ＴＲＳが
反対側の主面に実装された分だけ、配線基板の受動素子
側の主面における面積を縮小することができるため、ア
ンプ全体としての平面面積を縮小することができる。試
算によれば、ＴＲＳが受動素子と共に上面に実装されて
いる従来のアンプに比較して、約１／２に縮小すること
ができる。

【００３２】アンプの平面面積を縮小することによ
り、携帯電話のボードの占拠面積を縮小することができ
るため、携帯電話をより一層小型化することができる。

【００３３】ＴＲＳをボードのランドに半田付け部
によって機械的に接続することにより、ＴＲＳが発生し
た熱を熱伝導によって半田付け部およびランドを経由し
てボードに直接的に放熱させることができるため、ＴＲ
Ｓの放熱性能を高めることができ、ＴＲＳに所期の性能
を発揮させることができる。試算によれば、ＴＲＳが受
動素子と共に上面に実装されている従来のアンプに比較
して、放熱性能を約５倍向上させることができる。

【００３４】キャビティーの周囲に形成したグラン
ド端子をボードのグランド端子用ランドに半田付けする
ことにより、半田付け部によってＴＲＳを気密封止する
ことができるため、ボードへの表面実装状態におけるア
ンプの耐湿性を高めることができる。

【００３５】図４は本発明の他の実施形態である高周波
パワーアンプを示す一部切断正面図である。

【００３６】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
配線基板２のキャビティー側の主面にはキャップ５０が
第一キャビティー１１および第二キャビティー１２を全
体的に被覆するように被せられており、キャップ５０に
は第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２の実装面と反対
側の主面が半田付け部５１および５２によってボンディ
ングされている点である。

【００３７】本実施形態において、キャップ５０は銅系
材料や鉄系材料等の導電性および熱伝導性を有する材料
が使用されて、第一キャビティー１１および第二キャビ
ティー１２を同時に被覆することができる大きさの四角
形の平板形状に形成されている。また、キャップ５０に
はグランド端子１３が半田付け部５３によって機械的か
つ電気的に接続されている。

【００３８】キャップ５０には余分の半田材料を溜める
凹部５４が、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２の周
囲にそれぞれ環状に形成されている。半田付け部５１、
５２の形成に際して発生する余分の半田材料は、各凹部
５４に適宜に流入して貯留されるため、第一ＴＲＳ２１
および第二ＴＲＳ２２が浮き上がる不良を防止すること
ができるとともに、余分の半田材料が周囲に流出するの
を防止することができる。

【００３９】キャップ５０の各凹部５４の底部にはガス
抜き孔５５が第一キャビティー１１および第二キャビテ
ィー１２を外部に連通させるように開設されている。半
田付け部５１、５２に対する半田付け処理に際して発生
するガスは、このガス抜き孔５５によって排気されるた
め、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２とキャップ５
０との半田付け作業は適正に実施されることになる。

【００４０】本実施形態によれば、第一キャビティー１
１および第二キャビティー１２がキャップ５０によって
塞がれているため、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２
２を予め気密封止することができる。

【００４１】図５は本発明の別の他の実施形態である高
周波パワーアンプを示す一部切断正面図である。

【００４２】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
配線基板２のキャビティー側の主面にはキャップ６０が
第一キャビティー１１および第二キャビティー１２を全
体的に被覆するように接着されており、キャップ６０に
は第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２２がＣＣＢによっ
て機械的かつ電気的に接続されている点である。

【００４３】本実施形態において、キャップ６０は配線
基板２と同質の絶縁板が使用されて、配線基板２と同じ
大きさの正方形の平板形状に形成されている。キャップ
６０の下面にはグランド端子１３が形成されており、第
一ＴＲＳ２１がＣＣＢ結合された所定の第一パッド１７
および第二ＴＲＳ２２がＣＣＢ結合された所定の第二パ
ッド１８とグランド端子１３との間には、各サーマルビ
ア６１が熱的かつ電気的に接続されている。

【００４４】本実施形態によれば、第一キャビティー１
１および第二キャビティー１２がキャップ６０によって
塞がれているため、第一ＴＲＳ２１および第二ＴＲＳ２
２を予め気密封止することができる。

【００４５】また、第一パッド１７および第二パッド１
８とグランド端子１３との間はサーマルビア６１によっ
て熱的に接続されているため、キャップ６０が絶縁板に
よって形成されているのにもかかわらず、第一ＴＲＳ２
１および第二ＴＲＳ２２の発熱を熱伝導によって効果的
に放熱することができる。

【００４６】なお、キャップ６０には半田材料等を溜め
るための凹部およびガス抜き孔を設けてもよい。

【００４７】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４８】例えば、ＴＲＳ等の能動素子、チップコン
デンサやチップ抵抗等の受動素子の配線基板との接続
や、能動素子のキャップへの接続等には半田付けやバン
プ接続を使用するに限らず、銀ペーストやテーピング接
続等による接続手段を使用してもよい。

【００４９】第一キャビティーおよび第二キャビティー
に樹脂をポッティングすることにより、第一ＴＲＳ、第
二ＴＲＳ、第一パッド、第二パッドおよびバンプ電極群
を樹脂封止してもよい。

【００５０】キャビティーは二箇所に設けるに限らず、
一箇所でもよいし三箇所以上であってもよい。また、キ
ャップは複数のキャビティーを同時に被覆してもよい
し、一つずつ別々に被覆してもよい。

【００５１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である通信機
器に使用される高周波パワーアンプに適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、超高
周波数信号処理用半導体集積回路装置、スーパーコンピ
ュータ等に使用される超高速処理用の電力増幅器全般に
適用することができる。また、本発明はＭＣＭや混成集
積回路装置等にも適用することができる。

【００５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５３】配線基板の受動素子が実装された側と反対
側の主面に形成されたキャビティーに能動素子を実装す
ることにより、能動素子が反対側の主面に実装された分
だけ、配線基板の受動素子側の主面における面積を縮小
することができるため、電力増幅器全体としての平面の
面積を縮小することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である高周波パワーアンプ
を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図で
ある。

【図２】（ａ）はカバーを取った状態の平面図、（ｂ）
は拡大部分断面図である。

【図３】実装状態を示す正面断面図である。

【図４】本発明の他の実施形態である高周波パワーアン
プを示す一部切断正面図である。

【図５】本発明の別の他の実施形態である高周波パワー
アンプを示す一部切断正面図である。

【符号の説明】

１…高周波パワーアンプ（電力増幅器）、２…配線基
板、２ａ…第一絶縁板、２ｂ…第二絶縁板、２ｃ…第三
絶縁板、２ｄ…第四絶縁板、２ｅ…第五絶縁板、３…受
動素子実装配線、４…チップコンデンサ（受動素子）、
５…チップ抵抗（受動素子）、６…接続部、７…上側グ
ランド導体（基準電源用導体）、８…信号線、９…下側
グランド導体（基準電源用導体）、１０…電源導体（駆
動電源用導体）、１１…第一キャビティー、１２…第二
キャビティー、１３…グランド端子（基準電源用端
子）、１４…信号端子、１５…電源端子（駆動電源用端
子）、１６…側面ビア、１７…第一パッド、１８…第二
パッド、１９、２０…内部ビア、２１…第一ＴＲＳ（能
動素子）、２２…第二ＴＲＳ（能動素子）、２３、２４
…バンプ電極、２５…カバー、２６…フック、２７…係
止部、３０…ボード、３１…ベース、３２…アンプ実装
部、３３…ランド、３４…ランド、３５…グランド端子
用ランド、３６…第一ＴＲＳ用ランド、３７…第二ＴＲ
Ｓ用ランド、３８、３９、４０…半田付け部、５０…キ
ャップ、５１、５２、５３…半田付け部、５４…凹部、
５５…ガス抜き孔、６０…キャップ、６１…サーマルビ
ア。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者丸山昌志東京都小平市上水本町５丁目22番１号株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ内 (72)発明者赤嶺均東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者山田富男東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者菊池栄東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者森山伸治埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地日立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者日比野光明東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者遠藤恒雄東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線基板に能動素子および受動素子が実
装されている電力増幅器であって、前記配線基板の前記受動素子が実装された側と反対側の
主面にはキャビティーが形成されており、このキャビテ
ィーには前記能動素子が実装されていることを特徴とす
る電力増幅器。
【請求項２】前記配線基板の前記キャビティー側の主
面には電源用および信号用端子が前記キャビティーの周
囲を取り囲むように形成されており、この電源用および
信号用端子は前記能動素子の実装面と反対側の主面と共
に実装基板に接続されるようになっていることを特徴と
する請求項１に記載の電力増幅器。
【請求項３】前記配線基板の前記キャビティー側の主
面にはキャップが前記キャビティーを被覆するように被
せられており、このキャップには前記能動素子の実装面
が接続され反対側の主面が前記配線基板にボンディング
されていることを特徴とする請求項１に記載の電力増幅
器。
【請求項４】前記キャップは導電性または熱伝導性を
有する材料によって形成されていることを特徴とする請
求項３に記載の電力増幅器。
【請求項５】前記キャップには電源用または信号用端
子が接続されていることを特徴とする請求項３または４
に記載の電力増幅器。
【請求項６】前記キャップは絶縁性を有する材料によ
って形成されており、このキャップには前記能動素子が
機械的かつ電気的に接続されていることを特徴とする請
求項１に記載の電力増幅器。
【請求項７】前記キャップの前記能動素子の実装面と
反対側の主面には電源用または信号用端子が形成されて
いることを特徴とする請求項６に記載の電力増幅器。
【請求項８】前記キャップにはサーマルビアが形成さ
れていることを特徴とする請求項６または７に記載の電
力増幅器。
【請求項９】前記キャップには余分のボンディング材
料を溜める凹部が形成されていることを特徴とする請求
項３、４、５、６、７または８に記載の電力増幅器。
【請求項１０】前記キャップにはガス抜き孔が開設さ
れていることを特徴とする請求項３、４、５、７、８ま
たは９に記載の電力増幅器。