TW554637B - Display device and light emitting device - Google Patents

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TW554637B
TW554637B TW090110778A TW90110778A TW554637B TW 554637 B TW554637 B TW 554637B TW 090110778 A TW090110778 A TW 090110778A TW 90110778 A TW90110778 A TW 90110778A TW 554637 B TW554637 B TW 554637B
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film
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signal line
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TW090110778A
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Jun Koyama
Hajime Kimura
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Semiconductor Energy Lab
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I A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 ·發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種藉由製造一 EL(電冷光）元件在一基 底上而形成之電子顯示器（電光學裝置）。特別的，本發明係 關於一種使用半導體元件（使用半導體薄膜之元件）之顯示裝 置，和進一步係關於使用EL顯示裝置當成一顯示部份之電 子設備。 2 ·相關技藝之說明 在一基底上形成薄膜電晶體（TFT)之技術近年來已廣泛 的進步，且對主動矩陣型顯示裝置之TFT之應用發展亦顯 著進步。特別的，使用多晶膜，如多晶矽膜之TFT ，具有 比使用習知非晶半導體膜，如非晶矽膜之TFT較高的電場 效應移動率，因此此TFT可進行較高速操作。結果，可藉 由和圖素形成在相同基底上之驅動電路而執行習知以在基 底外之驅動電路所執行之圖素控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由形成各種電路和元件在相同基底上而獲得之使用 多晶半導體膜之主動矩陣裝置具有許多優點，如降低製造 成本，降低顯示裝置之尺寸，增加良率，和高產量等。 再者，在具有EL元件當成自冷光裝置之主動矩陣型EL 顯示裝置之硏發上亦蓬勃發展。此EL顯示器視爲有機EL 顯示器（OELD)或有機發光二極體（OLED)。 EL元件具有之構造爲由一對電極間（陽極和陰極）和夾 於其間之EL層之疊層構造所構成。由柯達公司之Tang等人 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- ' 554637 A7 B7 五、發明説明（2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所提出之疊層構造（電洞傳送層，發光層，電子傳送層）可使 用當成EL層之典型暨層構造。此疊層構造具有非吊局的冷 光效率，且因此，此EL層之疊層構造採用在幾乎所有現今 硏發之EL顯示裝置中。 除了上述疊層構造外，亦可形成之構造爲其中以電洞 注入層，電洞傳送層，發光層，和電子傳送層之順序，或 以電洞注入層，電洞傳送層，發光層，電子傳送層，和電 子注入層之順序疊層在陽極上之層。發光層亦可摻雜螢光 染料等。
在本說明書中，EL層爲一上位名稱，其表示所有形成 在陰極和陽極間之層。因此，上述之電洞注入層，電洞傳 送層，發光層，電子傳送層，和電子注入層等皆包括在EL 層中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如果一預定電壓從一對電極應用至具有上述構造之EL 層時，會在發光層中發生載子之再耦合以發光。在本說明 書中，由EL元件之發光稱爲由EL元件之驅動。此外，在 本說明書中，由陽極，EL層，和陰極所形成之冷光元件稱 爲元件。 於此使用之EL元件包括使用從單態激勵狀態發光者（ 螢光）和使用從三態激勵狀態發光者（磷光）。 類比系統之驅動方法（類比驅動）可引用當成EL顯示裝 置之驅動方法。關於EL顯示裝置之類比驅動將參考圖1 8和 1 9說明。 圖1 8爲在具有類比驅動之EL顯示裝置中之圖素部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 800之構造之圖。用以從一閘極訊號線驅動電路輸入一選 擇訊號之閘極訊號線（G1至Gy)連接至相關圖素之開關 TFT 1801之閘電極。關於相關圖素之開關TFT 1801之源極區 域和汲極區域方面，其一連接至一源極訊號線（資料訊號線 )(S1至Sx)以輸入一類比視頻訊號，而另一分別連接至驅動 TFT1 804之閘電極和每一圖素之電容1 808。 每一圖素之驅動TFT1 804之源極區域和汲極區域連接 至電源線（VI至Vx)，和汲極區域分別連接至EL元件1806 。電源線（VI至Vx)之電位稱爲電源電位。每一電源線（VI 至Vx)連接至相關圖素之電容1 808。 EL元件1 806以陽極，陰極，和夾於其間之EL層所組 成。當EL元件1 806之陽極連接至EL驅動TFT 1 804之源極 區域或汲極區域時，EL元件1 806之陽極和陰極分別變成圖 素電極和相反電極。替^的，如果當EL元件1 806之陰極連 接至EL驅動TFT 1 804之源極區域或汲極區域時，EL元件 1 8 06之陽極變成相反電極而和陰極變成圖素電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相反電極之電位稱爲相反電位。用以提供相反電位至 相反電極之電源稱爲相反電源。介於圖素電極之電位和相 反電極之電位間之差異爲EL驅動電壓，其應用至EL層。 圖1 9爲當圖1 8之EL顯示器以類比系統驅動時之時間 圖。從一閘極訊號線之選擇至次一不同閘極訊號線之選擇 之週期稱爲1線週期（L)。此外，從一影像之顯示至次一影 像之顯示之週期稱爲1框週期（F)。在圖18之EL顯示裝置 之例中，有y個閘極訊號線，且因此，提供y個線週期（L1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 554637 A7 B7 五、發明説明（4 ) 至Ly)在1框週期中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因爲當解晰度變高時，在1框週期中之線週期數目增 加，驅動電路需以高頻驅動。 首先，電源線（VI至Vx)保持在固定電源電位，和相反 電極之電位亦保持在固定電位。在介於相反電位和電源電 位間之電位差異達到可使EL元件發光之程度。 來自閘極訊號線驅動電路之所選擇訊號在第一線週期 (L1)輸入至閘極訊號線G1 。而後，一類比視頻訊號線循序 的輸入至源極訊號線（S1至Sx)、。連接至閘極訊號線G1之所 有開關TFT啓動以輸入已輸入至源極訊號線之類比視頻訊 號經由開關TFT至驅動TFT之閘電極。 經由TFT之通道形成區域以驅動電流之量由其閘極電 壓所控制。 舉例說明用於驅動之TFT之源極區域連接至電源線和 用於驅動之TFT之汲極區域連接至EL元件之例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於用於驅動之TFT之源極區域連接至電源線，相同 電位乃輸入至圖素部份之相關圖素。此時，當類比訊號輸 入至源極訊號線時，介於用於驅動之TFT之源極區域之電 位和訊號電壓之電位間之差異變成閘極電壓。流經EL元件 之電流決定於用於驅動之TFT之閘極電壓。於此，從EL元 件發出之光之亮度和介於EL元件之電極間之電流成比例。 以此方式，在類比視頻訊號之電壓控制下，EL元件發光。 重覆上述之操作。當完成輸入類比視頻訊號至源極訊 號線（S1至Sx)時，第一線週期（L1)終止。直到完成類比視 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS 規格（210X297公釐） 554637 A7 _B7 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 頻訊號之輸入至源極訊號線（S1至Sx)之週期結合水平返回 線週期亦可爲一線週期。而後，在接續之第二線週期（L2)中 ，一選擇訊號輸入至閘極訊號線G2。相似的於第一線週期 (L1)之例，類比視頻訊號循序的輸入至源極訊號線（S1至 Sx) ° 當選擇訊號輸入至所有閘極訊號線（G1至Gy)時，所有 線週期（L1至Ly)終止。當所有線週期（L1至Ly)終止時，1 框週期終止。在1框週期中，所有圖素執行顯示以形成一 影像。於此，所有線週期（L1至Ly)結合一垂直返回線週期 亦可爲一框週期。 如上所述，從EL元件發出之光量由類比視頻訊號所控 制，且藉由控制光發出量，可執行分級顯示。此即所謂的 類比驅動方法，其中藉由改變輸入至源極訊號線之類比視 頻訊號之電壓而執行分級顯示。 〆 圖20爲用於驅動之TFT之特性圖。401爲Id·Vg(或Id-Vg曲線），其中Id爲汲極電流，和Vg爲閘極電壓。使用此 圖，可知相關於任意閘極電壓之電流量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在驅動一 EL元件中，一般使用以上述Id-Vg特性圖之 虛線402所示之區域。由虛線402圍繞之區域視爲一飽和區 域，其中當閘極電壓Vg改變時，汲極電流Id顯著改變。 在類比驅動方法中，使用飽和區域，用於驅動之TTT 之汲極電流藉由改變其閘極電壓而改變。 當用於開關之TFT啓動時，從源極訊號線輸入至一圖 素之類比視頻訊號施加至用於驅動之TFT之閘電極。以此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — 554637 A7 ____B7_ 五、發明説明（6 ) 方式，用於驅動之TFT之閘極電壓改變。於此，依照圖20 所示之Id-Vg特性，相關於特定閘極電壓之汲極電流獨特的 決定。以此方式，相關於輸入至用於驅動之TFT之閘電極 之類比視頻訊號之電壓之預定汲極電流通過EL元件，和EL 元件發出相當於電流量之光量。 以此方式，從EL元件發出之光量由類比視頻訊號所控 制，且藉由控制光發出量，可執行分級顯示。 於此，即使當相同訊號從源極訊號線輸入時，如果用 於驅動之TFT之源極區域之電位改變，則每一圖素之用於 驅動之TFT之閜極電壓亦改變。於此，用於驅動之TFT之 源極區域之電位從電源線提供。但是，由於由接線電阻引 起電位降，電源線之電位會根據其在圖素部份中之位置而 改變。 除了由在圖素部份中之電源線之接線電阻所引起之電 位降影響外，亦有之問題爲從外部（外部輸入端）至圖素部份 之電源線之來自電源之輸入部份之連接接線部份（電源線連 接接線部份）之電位降。 更特別而言，根據從外部輸入端之位置至圖素部份之 電源線之位置之接線長度，電源線之電位改變。 於此，在電源線之接線電阻相當小，顯示裝置相當小 ，或通過電源線之電流量相當小的例中，不會有顯著之問 題。但是，相反的，特別當顯示裝置相當大時，因爲接線 電阻而引起之電源線之電位改變變大。 特別的，當顯示裝置變大時，從外部輸入端至圖素部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 一 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂 争· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（7 ) 份之電源線間之距離之變化變大，且在電源線拉出環繞部 份之接線長度中之變化亦因此而變大。因此，在電源線之 電位中因爲電源線連接部份之電位降而造成之改變亦變大 〇 在電源線之電位中因爲這些因素之改變會因爲改變顯 示之亮度而影響從圖素之EL元件發光之亮度，且因此，爲 不均勻顯示之原因。 下述說明在電源線中之電位變化之特殊例。 如圖23所示，當一白色或黑色盒顯示在一顯示器時， 發生所謂串音之現象。此現象爲，相較於盒旁之部份，在 亮度中之差異發生在盒之上或下方。 圖40和4 1分別爲發生此現象時之習知顯示裝置之圖素 部份之部份電路圖和頂表面圖。 在圖4 1中，使用和圖40所示相同的部份以相同參考數 字表示，因此省略其說明。 每一圖素由用於開關之TFT4402，用於驅動之TFT4406 ，儲存電容4419，和EL元件4414所形成。 雖然在圖40和41中，用於開關之TFT4402爲雙閘極構 造，其亦可爲其它構造。 由於在流經介於在盒上和下方和在盒旁之圖素間之用 於驅動之TFT4406之電流差異會發生串音。此差異之發生 乃是因爲電源線V 1和V2與源極訊號線S 1和S2並聯設置。 例如，如圖23所示，當一白色盒顯示在相關於顯示該 盒之圖素之電源線中之一部份顯不時，由於電流流經介於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示該盒之圖素之用於驅動之TFT之源極和汲極間之EL元 件’由於電源線之接線電阻而引起之電位降大於只供應電 源至不顯示該盒之圖素之電源線者。因此，比不顯示該盒 之其它圖素暗之部份會產生在盒之上和下方。 再者，在習知之主動矩陣EL顯示裝置中，如圖24所示 ’電源線從顯示裝置之一方向拉出，和電源，訊號等從輸 入部份輸入。 於此，即使顯示裝置之顯示尺寸較小，亦不會發生特 別的問題。但是，當顯示裝置之顯示尺寸變大時，電流耗 損隨顯示之面積成比例的增加。 例如，具有20吋顯示之顯示裝置之電流耗損爲4吋顯 示之顯示裝置之25倍。 因此，對於具有大尺寸顯示之顯示裝置而言，上述之 電位降爲一嚴重的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，雖然接近輸入部份（在圖24中之L)之電源線之電 位降並不顯著，由於接線之長度，就遠離輸入部份（圖24中 之b)之電源線而言，因爲接線電阻而引起之電位降則相當 大。因此，應用至具有連接至電源線（圖24中之b)之驅動 TFT之圖素之EL元件之電壓降低，而破壞影像之品質。 例如，在20吋顯示裝置中，當接線之長度爲700 mm ’ 接線寬度爲10 mm，和片電阻爲0.1 Ω時，如果通過約1A 之電流，則電位降約爲1 0V，因此無法正常顯示。 發明槪要 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _巧]_ 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 本發明乃鑒於上述製成，且本發明之目的乃在提供一 種主動矩陣EL顯示裝置，其可以多重分級顯示生動顏色。 本發明之另一目的乃在提供一種使用此主動矩陣EL顯示裝 置之高效能電子裝置。 本發明人構思一種消除因爲電源線之接線電阻而引起 之電位降，特別的，由於在電源線拉出部份上之接線電阻 之電位降。 依照本發明之構造說明如下。 依照本發明，一種顯示裝置，包含：多數源極訊號線 ，多數閘極訊號線，多數電源線，和多數圖素設置成矩陣 型式，該源極訊號線，閘極訊號線，電源線，和圖素設置 在一絕緣表面上，且該多數圖素由用於開關之薄膜電晶體 ，用於驅動之薄膜電晶體，和EL元件所形成， 其特徵在於： 該顯示裝置具有多數拉出開口； 該多數電源線拉出環繞至該多數拉出開口； 電位在該多數拉出開口上提供至多數電源線；和 該拉出開口提供在顯示裝置之至少兩方向。 依照本發明，一種顯示裝置，包含：多數源極訊號線 ，多數閘極訊號線，多數電源線，和多數谓素設置成矩陣 型式，該源極訊號線，閘極訊號線，電源線，和圖素設置 在一絕緣表面上，且該多數圖素由用於開關之薄膜電晶體 ，用於驅動之薄膜電晶體，和EL元件所形成， 其特徵在於： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7五、發明説明（1〇) 該顯示裝置具有一拉出開口； 該拉出開口具有多數外部輸入端； 五至五十條該多數電源線集合在一起成爲一單元且拉 出環繞至該多數外部輸入端；和 電位在該多數外部輸入端上提供至多數電源線。 依照本發明，一種顯示裝置，包含：多數源極訊號線 ，多數閘極訊號線，多數電源線，和多數圖素設置成矩陣 型式，該源極訊號線，閘極訊號線，電源線，和圖素設置 在一絕緣表面上，且該多數圖素由用於開關之薄膜電晶體 ，用於驅動之薄膜電晶體，和EL元件所形成， 其特徵在於： 該顯不裝置具有一外部輸入端； 該多數電源線拉出環繞至該多數外部輸入端；和 電位藉由在饋回迴路中之饋回放大器而經由該外部輸 入端提供至多數電源線。 該顯示裝置之特徵在於多數電源線設置如同一矩陣。 該顯示裝置之特徵在於多數電源線由形成源極訊號線 之接線層和形成閘極訊號線之接線層所形成。 該顯示裝置之特徵在於多數電源線由與形成源極訊號 線之接線層不同之接線層和形成閘極訊號線之接線層所形 成。 該顯示裝置之特徵在於多數電源線由與形成閘極訊號 線之接線層不同之接線層和形成源極訊號線之接線層所形 成0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 A7 B7 五、發明説明（11) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該顯示裝置之特徵在於多數電源線由與形成閘極訊號 線之接線層不同之接線層和與形成源極訊號線之接線層不 同之接線層所形成。 該顯示裝置之特徵在於在行方向中之多數電源線之數 目小於在行方向中之多數圖素之數目。 該顯示裝置之特徵在於在列方向中之多數電源線之數 目小於在列方向中之多數圖素之數目。 該顯示裝置之特徵在於顯示裝置之顯示部份之對角線 爲20吋或更長。 一個人電腦，電視接收器，視頻相機，影像再生裝置 ，頭戴式顯示器，或手提資訊終端之特徵在於應用上述顯 示裝置。 圖式簡單說明 圖中， 圖1爲本發明之顯示裝置之拉出開口； 圖2爲本發明之顯示裝置之圖素部份之電路構造； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3爲本發明之顯示裝置之圖素部份之頂視圖； 圖4爲本發明之顯示裝置之電源線之拉出埠之形狀； 圖5爲本發明之顯示裝置之驅動方法； 圖6A和B分別爲本發明之顯示裝置之頂視圖和橫截面 圖； 圖7 A和B分別爲本發明之顯示裝置之頂視圖和橫截面 圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-M _ 554637 A7 __B7_ 五、發明説明（12 ) 圖8爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； ^/圖9爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖10爲本發明之顯示裝置之圖素部份之電路圖； 圖11A至E爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖12A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖13A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖14A至C爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖1 5爲本發明之顯示裝置之源極訊號側驅動電路之電 路圖； 圖1 6爲本發明之顯示裝置閂鎖之頂視圖； 圖17A至F爲使用本發明之顯示裝置之電器用品圖； 圖18爲習知顯示裝置之圖素部份之電路圖； 圖1 9爲顯示裝置之驅動方法之時間圖； 圖20爲TFT之Id-Vg特性圖； 圖2 1 A和B分別爲本發明之顯示裝置之頂視圖和橫截 面圖； 圖22爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖23爲串音之產生例； 圖24爲本發明之顯示裝置之拉出埠之圖； 圖25A至E爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖26A至E爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖27A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖28A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 、圖29 A至C爲本發明之顯示裝置之製造方法； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公麓) 彳5 _ ^ 554637 A7 B7 五、發明説明（13 ) 圖30A至E爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖31A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖32A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖33A至D爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖34爲本發明之顯示裝置之製造方法； 圖35爲本發明之顯示裝置之電源線之拉出埠之圖； 圖36爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； 圖37爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； 圖38爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； 圖39爲本發明之顯示裝置之橫截面圖； 圖40爲習知顯示裝置之圖素部份之電路圖； 圖4 1爲習知顯示裝置之圖素部份之頂視圖； 圖42爲本發明之顯示裝置之圖素部份之頂視圖； 圖43爲本發明之顯示裝置之圖素部份之電路圖； 圖44爲本發明之顯示裝置之圖素部份之頂視圖；和 圖45爲本發明之顯示裝置之灰階特性圖。 I ΨII (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件對照表 1 800:圖素部份 1 804:驅動 TFT 1 806:EL 元件 4406:驅動 TFT 4414:EL 元件 4010:基底 1801:開關 TFT 1 808:電容 4402:開關 TFT 4419:電容 1，2:電源線輸入部份 4011:圖素部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 16 - 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14) 40 12:源極訊號線驅動電路
4017:FPC 6000:蓋 7001:氣密材料
4023溯素部份TFT 4026:中間層絕緣膜 4028:絕緣膜 403 1:區域 6003:被動膜 6001:框構件
3502:開關丁FT 3 9 :電極 37:閘極電極 36·.接線 40:源極接線 42:位準膜 45 :發光層 46:電洞注入層 48:第二鈍化層
355 3:驅動 TFT 52:發光層 54:陰極 502:非晶矽膜 503:開口部份 4013:閘極訊號線驅動電路 4014-4016:接線 7000:密封材料 4022:驅動電路TFT 4027 :圖素電極 4029:EL 層 4030:陰極 4〇32:導電膏材料 6004:塡充材料 6 0 0 2:松、封材料 3 5 0 1:基底 3503:驅動 TFT 35:汲極接線 34:源極訊號線 4 1:第一鈍化膜 4 3 :圖素電極 44:觸排 47 :陽極 370 1:EL 元件 5 1:觸排 53:電子注入層 501:基底 504:保護膜 5 0 6:加錬區域 I---------Φ----Ί——If---------Φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本耳〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 554637 A7 B7 五、發明説明（凫 507 :多晶砂 膜 509 :多晶砂 膜 514 :閘極絕 緣 膜 516, ，517:雜: 質 區 域 520 :雜質區 域 534: :阻止光 罩 542: :阻止光 罩 546: :第一中 間 層 絕 緣 膜 55L· 〜553:汲 極 接 線 55 5: :第二中 間 層 絕 緣 膜 5 57: :第三中 間 層 絕 緣 膜 559: :陰極 561: :第二鈍 化 膜 201: :開關TFT 204: :n通道| TFT 801: :移位暫 存 器 803:閂鎖（Β) 804: :部份 832: :主動層 833: :主動層 834: :主動層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 80 1:源極訊號側驅動電路 6 8 0 3 :圖素部份 6805)第一密封材料 508:加磷區域 510〜513:主動層 5 1 5 :阻止光罩 519:阻止光罩 522〜525:閘極電極 535〜539,528〜531:雜質區域 540,541，543,544:雜質區域 547〜550:源極接線 554:第一鈍化膜 556:圖素電極 558:EL 層 560:保護電極 203:EL元件
202:驅動 TFT
205:p 通道 TFT 802:閂鎖（A) 831:主動層 836:共同閘極電極 8 3 7 :閘極電極 83 8,839:閘極電極 840,841:閘極電極 6802:閘極訊號側驅動電路 6804:蓋構件 6806:第二密封材料 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210 X29*7公釐） 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（lib 6807:塡充材料 6800:基底 6852:圖素電極 6854:p 通道 TFT 6857:絕緣膜 6860:陰極 6862:導電材料 6902:驅動 TFT 6904:透明導電膜 600:基底 6 0 2 :電源線 605:非晶矽膜 606:開口部份 609:加鎳區域 611:加磷區域 613:主動層 6 1 5，6 1 9:阻止光罩 622,623,625:閘極電極 6 2 6:電源電極 634:阻止光罩 642:阻止光罩 6 4 6:第一中間層絕緣膜 652,653:汲極接線 655:第二中間層絕緣膜 6808:連接接線 685 1:驅動丁FT 6853:n 通道 TFT 6855,6856:濾色器 6858,6859:發光層 6 8 6 1:吸水基底 6901:圖素部份 6903:圖素電極 6905,6906:濾色器 601:阻止光罩 603,604:氮氧化矽膜 607:保護膜 608:含鎳層 6 1 0:多晶砂膜 612:多晶矽膜 614:閘極絕緣膜 620:雜質區域 624:源極訊號電極 627-63 1:雜質區域 635-637:雜質區域 643,644:雜質區域 647,650:源極接線 654:第一鈍化膜 656:圖素電極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 554637 A7 B7 五、發明説明（17) ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
，1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 661:樹脂 659:電極 701:基底 703:非晶矽膜 705:保護膜 707:加鎳區域 709:加磷區域 711:主動層 7 1 3 :阻止光罩 716:阻止光罩 7 1 9-724:閘極電極 730:阻止光罩 7 3 7 :第一中間層絕緣膜 740,741:汲極接線 743:絕緣膜 745:第二中間層絕緣膜 747:樹脂 749 :陰極 2001:主體 2003:顯示部份 2101:主體 2103:聲音輸入部份 2105:電池 658:EL 層 660:保護電極 702:底膜 704:開口部份 706:含鎳層 708:多晶矽膜 710:多晶矽膜 71 2:閘極絕緣膜 714,715:雜質區域 717,718:接線 725-729:雜質區域 73卜733,735,736:雜質區域 738,739:源極接線 742:第一鈍化膜 7 4 4:電源線 7 4 6:圖素電極 748:EL 層 750:保護電極 2002:殻 2004:鍵盤 2 1 0 2:顯示部份 2104:操作開關 2106:影像接收部份 230 1:主體 2302:訊號纜線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） · 20 _ 554637 A7 B7 五、發明説明（19 ) 藉由上述之構造，可降低在環繞圖素部份之電源線拉 出環繞部份上之電位降之影響。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (實施例模式2) 在本實施例模式中，電源線之輸入部份之少數接線集 合在一起成爲一單元，和相關單元拉出至多數外部輸入端 ，該外部輸入端並非互相次列，而是在相關輸入部份。 此實施例模式之構造如圖4所示。 在此實施例模式中，相較於圖素部份之所有電源線集 合在一起成爲一單元以拉出至一外部輸入端之例，可縮短 從相關集合電源線至外部輸入端之接線長度，且可降低在 接線長度中之變化。 更特別而言，介於圖4中之接線^和b間之長度差異相 較於介於圖35中之接線^和b間之長度差異顯著降低。 藉由上述之構造，可降低在環繞圖素部份之電源線拉 出環繞部份上之電位降之影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例模式3) 如上所述，在大尺寸顯示裝置中，流經電源線之電流 量較大。在此例中，由於介於圖素區域和外部輸入端間之 接線電阻之電位降之影像不可忽略。 對策之一爲事先增加外部電源之電位。但是，由於流 經電源線之電流根據所顯示者而改變，因<此，並不需要均 勻的增加外部電源之電位。因此，在本實施例模式中，建 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 _五、發明説明（20) 議使用一饋回放大器，且包括使在饋回迴路中引起電位降 之接線。 如圖5所示，外部輸入端連接至饋回放大器之輸出。 應用至電源線之電壓輸入至饋回放大器之非反相輸入端（+ ) 。圖素部份之電源線電位受到監視且施加至一反相輸入端（-)。依照饋回放大器之原理，非反相輸入端和反相輸入端在 相同電位上操作，且因此，從饋回放大器之輸出端輸出高 於電位降之電位。如上所述，執行電位補償以抵銷在電位 間之間隙。 當電源線輸入部份之接線電阻爲R且電流爲i時，發生 Ri之電位降。但是，在監視端上，由於幾乎無電流通過監 視端，則無電位降。 包含一外部1C之饋回放大器在形成具有圖素區域之板 後形成在一外部基底上。 (實施例模式4) 圖2爲依照本發明之圖素部份之構造之電路圖。 圖素部份之每一圖素由一用於開關之TFT4402 ，一用 於驅動之TFT4406，一儲存電容4419，和一 EL元件4414 所形成。電源線（VXl-VXn和VYl-VYn)不只設置在平行於源 極訊號線（S1至Sn)之方向，且亦設置在垂直源極訊號線之 方向。因此，電壓從相關方向施加至圖素之驅動TFT4406 之源極區域或汲極區域。由於流經EL元件4414之電流不只 從平行於源極訊號線Sl-Sn供應，且亦從垂直方向供應，因 -------------：---1T------------ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） · 23 - 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 _五、發明説明（21 ) 此可抑制習知串音之發生。 於此，電源線乃在相鄰圖素間共用。如此可降低在相 關圖素中由電源線所占用之面積。因此，即使相關於電源 線垂直和水平設置（如同一矩陣）之圖素構造，亦可改善開口 比例。 實施例模式1至4可互相自由的結合而實施。 (實施例） 以下說明本發明之實施例。 (第一實施例） 圖4顯示少數之電源線集合在一起成爲一單元和連接 至外部輸入端之例，外部輸入端說明於第二實施例。 由於當顯示尺寸變大時，電位降變大，因此需要使拉 出電源線之接線愈短愈好。依照本發明，少數之電源線集 合在一起成爲一單元，且輸出至相鄰外部輸入端。 在圖4所示之例中，少數之電源線集合在一起成爲一 單元，和經由一驅動器區域連接至一外部輸入端。以此方 式，可降低接線電阻。 所需的是，約5至50條電源線集合在一*起成爲一單兀 〇 (第二實施例） 圖3爲當成本發明之實施例之圖2所示之電路圖之圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ I---------#---11—IfI — -----φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（22 ) 部份之一部份（4個圖素）之頂視圖。 與圖2相似的部份以相同的參考數字表示。 每一圖素由一用於開關之TFT4402 ，一用於驅動之 TFT44 06，一儲存電容4419，和一 EL元件4414所形成。在 此實施例中，電源線VX 1和VX2平行於使用和閘極訊號線 G1和G2相似接線材料之閘極訊號線G1和G2。電源線VX1 和VX2經由接觸孔連接至習知平行於源極訊號線S 1和S2之 電源線VY1和VY2。 平行於閘極訊號線之電源線使用如同本實施例之形成 閘極訊號線之接線層形成之構造於此視爲依照本發明之圖 素構造之第一實施例。 在依照本發明之圖素構造之第一實施例中，相較於在 圖40和40所示實際形成圖素之習知例，可形成矩陣形電源 線而未增加光罩數目。 本實施例可自由結合第一實施例而實施。 (第三實施例） 在本實施例中，參考圖10和42-44 ，說明電源線共用 於相鄰圖素間之例，如第四實施例所述。 在本實施例中，G1-G4爲開關TFT4402之閘極接線（一 部份閘極接線），S卜S3爲開關TFT4402之源極接線（一部份 源極接線），4406爲驅動TFT，4414爲EL元件，VY1-VY2 爲平行於源極接線之電源線，VX1-VX2爲平行於閘極接線 之電源線，和44 1 9爲儲存電容。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐) -25 - " " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23) 圖1 0爲電源線VY 1和VX 1共用於相鄰圖素間之例。於 此之特徵爲兩圖素形成相關於電源線VY1和VX1對稱。在 此例中，由於可降低電源線之數目，可改善顯示裝置之孔 徑比，且圖素部份可製成高度準確。 圖42爲圖10之頂視圖。和圖10相似部份以相同參考 數字表示，因此省略其說明。 圖43爲本發明之另一實施例。在本實施例中，在X方 向中之電源線並未相關於所有圖素列設置，而是圖素列數 目之1/η，其中η爲2或比2大的自然數。於此顯示n = 3之 例。 圖44爲圖43之頂視圖。和圖43相似部份以相同參考 數字表示，因此省略其說明。 本實施例可自由結合第一和第二實施例而實施。 (第四實施例） 依照本發明，雖然η通道型TFT和p通道型TFT皆可使 用當成圖素之驅動TFT，在EL元件之陽極爲圖素電極而陰 極爲相反電極時，驅動TFT最好使用p通道型TFT。相反的 ，在EL元件之陽極爲相反電極而陰極爲圖素電極時，驅動 TFT最好使用η通道型TFT。 本實施例可自由結合第一至第三實施例而實施。 (第五實施例） 在此實施例中說明本發明之EL顯示裝置之製造例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -26- 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（24 ) 圖6A爲使用本發明之EL顯示裝置之頂視圖。圖爲 沿圖6A之A-A’線所截取之橫截面圖。 在圖6A中’參考數字4010爲一基底，參考數字4011 爲圖素部份’參考數字4012a和4012b爲源極訊號線驅動電 路’和篸考數字4013a和4013b爲閘極訊號線驅動電路。每 一驅動電路經由FPC4017，藉由接線4014a，4014b，4015 和4016連接至外部設備。 形成一蓋構件6000 ，一密封材料（亦稱爲殼材料）7〇〇〇 ，和一氣密材料（第二密封材料）7001以包圍至少圖素部份 4011 ，最好亦包圍驅動電路4012a，4012b ，4013a ，和 4013b，和圖素部份401 1。 再者，圖6B爲第五實施例之EL顯示裝置之橫截面構 造。一驅動電路TFT4022(於此圖中顯示η通道TFT和p通道 TFT結合之CMOS電路）和一圖素部份TFT4023(於此圖中只 顯示用以控制電流流至EL元件之驅動TFT)形成在一基底 4010上之底膜4021上。TFT可使用已知構造（頂閘構造或底 閘構造）形成。 在完成驅動電路TFT4022和圖素部份TFT4023後，圖素 電極4027形成在以樹脂材料製成之中間層絕緣膜（位準膜 )4026上。圖素電極4027以一透明導電膜製成以電連接至圖 素TFT4023之汲極。可使用氧化銦和氧化錫化合物（IT0)或 氧化銦和氧化鋅化合物當成透明導電膜。在形成圖素電極 4027後，形成一絕緣膜4028，和一開口部份形成在圖素電 極4027上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉· 27 · 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25) " 其次形成EL層4029。EL層4029可藉由自由結合已知 EL材料（如電洞注入層，電洞傳送層，發光層，電子傳送層 ’和電子注入層）而形成具有疊層構造，或單層構造。可使 用已知技術以決定使用那一構造。再者，EL材料可爲低分 子量材料或高分子量（聚合物）材料。當使用低分子量材料時 ’使用蒸鍍法，但是當使用高分子量材料時，亦可使用如 旋轉塗覆，印刷，和噴墨印刷等簡易方法。 在此實施例中，藉由使用一遮蔽罩之蒸鍍形成EL層。 對每一圖素使用一遮蔽罩，藉由形成可發出具有不同波長 之光之發射層（紅色發光層，綠色發光層，藍色發光層），可 變成彩色顯示。此外，亦可使用結合電荷耦合層（CCM)和濾 色器之方法，或結合白色發光層和濾色器之方法。當然， EL顯示裝置亦可發出單色光。 在形成EL層4029後，陰極4030形成在EL層上。最好 儘可能移除存在於陰極4030和EL層4029間之介面中之濕 氣或氧氣。因此，需要使用在真空中連續沉積EL層4029和 陰極4030之方法，或在惰性氣體中沉積EL層4029和沉積 陰極4030而未曝露至大氣中之方法。上述之膜沉積在此實 施例中可藉由使用多室方法（叢集工具法）膜沉積裝置實施。 於此，UF(氟化鋰）膜和A1(鋁）膜之疊層構造使用在此 實施例中當成陰極4030。特別的，以蒸鍍法形成1 nm厚 LiF膜在EL層4029上，和形成300 nm厚之鋁膜在LiF膜上 。當然亦可使用已知陰極材料之Mg Ag電極。而後’接線 40 16在以參考數字403 1表示之區域中連接至陰極4030。接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 28 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（26 ) 線4016爲一電源線以授予一預定電壓至陰極4030，且經由 一導電膏材料4032連接至FPC4017。 爲了電連接陰極4030和接線4016在以參考數字403 1 表示之區域中，需要形成接觸孔在中間層絕緣膜4026和絕 緣膜4028中。接觸孔可形成在蝕刻中間層絕緣膜4〇26時（ 當形成用於圖素電極之接觸孔時）和形成在蝕刻絕緣膜4〇28 時（當形成EL層前形成開口部份時）。再者，當蝕刻絕緣膜 4028，蝕刻可一次一路執行至中間層絕緣膜4〇26。在此例 中，假設中間層絕緣膜4026和絕緣膜402爲相同樹脂材料 ，可形成良好的接觸孔。 鈍化膜6003 ，塡充材料6004，和蓋構件6000形成以 覆蓋所形成之EL元件之表面。 此外，密封材料7000形成在蓋構件6000和基底4010 間，以圍繞EL元件部份，和氣密材料（第二密封材料）7〇01 形成在密封材料7000之外側上。 塡充材料6004作用當成一黏劑以結合蓋構件6000。可 使用PVC(聚氯乙烯），環氧樹.脂，矽酮樹脂，PVB(聚乙烯 醇縮丁醛），和EVA(乙烯醋酸乙酯）當成塡充材料6004。如 果一乾燥劑形成在塡充材料6004內側上時，可持續保持濕 氣吸收效果。 再者’在塡充材料6004內可包括間隔器。此間隔器可 爲如Ba〇之粉末物質’以使間隔器本身具有吸收濕氣之能 力。 當使用間隔器時，鈍化保護膜6003可鬆弛間隔器壓力 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐)- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 五、發明説明（27 ) 。再者，如樹脂膜之膜可與鈍化保護膜分別形成以鬆弛間 隔器壓力。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，可使用玻璃板，鋁板，不鏽鋼板，FRP(玻璃纖 維強化塑膠）板，PVF(聚氯乙烯）膜，Mylar膜，聚酯膜，和 丙烯酸膜當成蓋構件6000。如果PVB或EVA使用當成塡充 材料6004 時，最好使用具有數十//m厚之鋁箔由PVF膜或 Mylar膜夾住之構造之片。 再者，根據來自EL元件之發光方向，蓋構件6000需具 有透光性。 再者，接線4016經由介於密封材料7000 ，氣密材料 7 001和基底4010間之間隙，電連接至FPC4017。雖然於此 說明接線4 0 1 6，但是，藉由相似的通過密封材料7 〇 〇 〇，氣 密材料7001和基底4010下方，接線4014a，4014b，4015 亦可電連接至FPC4017。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，在形成塡充材料6004後，結合蓋構件 6000，和密封材料7000接附以覆蓋塡充材料6004之側表面 (曝露表面），但是，塡充材料6004亦可在接附蓋構件6〇〇〇 和密封材料7000後形成。在此例中，一塡充材料注入開口 經由以基底4010，蓋構件6000，和密封材料7〇〇〇所形成 之間隙而形成。此間隙設定成真空狀態（壓力等於或小於1 〇. Torr) ’且在將注入開口浸入保存有塡充材料之槽後，在間 隙外之空間壓力高於在間隙內之壓力，和塡充材料塡充該 間隙。 本實施例可自由結合第一至第四實施例而實施。 -30· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210χ297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554637 A7 ___ _B7 五、發明説明（28 ) (第六實施例） 以下參考圖7A和7B說明依照本發明之EL顯示裝置之 例’其製造成與依照本發明之第五實施例不同之形式。於 此’相似的參考數字表示和圖6A和6B相似的部份，且因 此省略其說明。 圖7A爲第六實施例之eL顯示裝置之頂視圖，和圖7B 爲沿圖7A之A-A’線所截取之橫截面圖。 依照第五實施例，藉由覆蓋元件之表面而形成一鈍 化膜6003。 再者’塡充材料6004提供以覆蓋EL元件。塡充材料 6004作用當成一黏劑以結合蓋構件6〇〇〇。可使用Pvc(聚氯 乙嫌）’環氧樹脂，矽酮樹脂，PVB(聚乙烯醇縮丁醛），和 EVA(乙嫌醋酸乙酯）當成塡充材料6〇04 。最好提供一乾燥 劑在塡充材料6004中，以保持濕氣吸收效果。 塡充材料6004亦可包括間隔器。此間隔器可爲如Ba〇 之顆粒，以使間隔器本身具有吸收濕氣之能力。 當提供間隔器時，鈍化膜6003可降低間隔器壓力。再 者’如樹脂膜之膜可與鈍化膜分別提供以降低間隔器壓力 〇 再者’可使用玻璃板，鋁板，不鏽鋼板，FRP(玻璃纖 維強化塑膠）板，PVF(聚氯乙烯）膜，Mylar膜，聚酯膜，和 丙烯酸膜當成蓋構件6000。如果PVB或EVA使用當成塡充 材料6004時，最好使用具有數十#❿厚之鋁箔由PVF膜或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公羡)77Γ ----：---、可------—r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 五、發明説明（29) Mylar膜夾住之構造之片。 部份設定來自EL元件之發光方向需要使蓋構件6〇⑼爲 透明的。 其次’蓋構件6000藉由使用塡充材料6〇〇4結合。而後 ’接附框構件6001以覆蓋由塡充材料6〇〇4形成之側表面（ 曝露表面）。框構件6001以密封材料6002(作用當成一黏劑） 結合。較佳的是’使用光硬化樹脂當成密封材料6〇02。但 是’如果EL層之熱阻足夠高到允許使用一熱固樹脂時，亦 可使用此種樹脂。 所需的是’密封材料6002具有可有效的阻止濕氣和氧 氣穿透之性質。亦可混合一乾燥劑在密封材料6〇〇2中。 再者’接線4016藉由通過介於密封材料6002和基底 4 0 1 0間之間隙，電連接至軟性印刷電路（f p q 4 〇 1 7。雖然於 此說明接線40 1 6之電連接，但是，藉由通過介於密封材料 6002和基底4010間之間隙，其它接線4014a ，4〇14b ， 4015亦可電連接至FPC4017。 在第六實施例中’在提供塡充材料6004後，結合蓋構 件6000，和框構件6001接附以覆蓋塡充材料6004之側表 面（曝露表面），但是，塡充材料6004亦可在接附蓋構件 6000和樞構件6001後提供。在此例中，一塡充注入孔形成 以相通經由以基底4010，蓋構件6000，和框構件6001所 形成之間隙。此間隙抽真空（壓力等於或小於10_2 Torr)，且 在將注入孔浸入保存有塡充材料之槽後，在間隙外之空間 壓力相對高於在間隙內之壓力，藉以將塡充材料塡充該間 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -32 - 554637 A7 _ B7__ 五、發明説明（3〇) 隙。 本實施例可自由結合第一至第五實施例而實施。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (第七實施例） 圖8爲在EL顯示裝置之圖素部份之橫截面部份中之更 詳細構造。 本實施例顯示依照本發明之圖素構造之第一實施例之 圖素構造，其相當於與源極訊號線平行之電源線形成在形 成源極訊號線之層中，和與閘極訊號線平行之電源線形成 在形成閘極訊號線之層中之例。 在圖8中，提供在基底350 1上之開關TFT3502爲習知 形成之η通道型TFT。在本實施例中，TFT3502爲具有閘極 電極39a和39b之雙閘極構造。藉由採用此雙閘極構造，兩 TFT實施串聯連接，且因此，具有降低關閉電流値之優點 。雖然在本實施例中採用雙閘極構造，但是，亦可採用單 閘極構造，三閘極構造，或具有超過三閘之多閘極構造。 再者，亦可使用習知形成之P通道型TFT。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，驅動TFT35.03爲習知形成之η通道型 TFT。驅動TFT3503之閘電極37經由一接線36而電連接至 開關TFT3502之汲極接線35。34爲源極訊號線。 由於驅動TFT爲用以控制流經EL元件之電流量之元件 ，有多數電流通過，且因此，其易於因熱或熱載子而遭受 損壞。因此，LDD區域提供在驅動TFT之汲極側上以經由 一閘極絕緣膜重疊閘電極之構造是相當有效的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（31 ) 再者，在此實施例中，圖中顯示驅動TFT3503之單閘 極構造，但是亦可使用多數TFT串聯連接之多閘極構造。 此外，亦可使用多數TFT並聯連接，有效的分隔成多數通 道形成區域，且可執行高效率熱輻射之構造。 再者，源極接線40連接至形成在形成閘極電極37和39 之層中，和固定電壓始終應用至源極接線40。於此，雖然 圖中未顯示，電源線亦形成在形成源極接線40和源極訊號 線34之層中，且經由一接觸孔電連接至電源線38。 第一鈍化膜41形成在開關TFT3502和驅動TFT3503上 ，和包含一絕緣樹脂膜之位準膜形成在第一鈍化膜4 1上。 極重要的是使用位準膜42以位準化因爲TFT而引起之步階 。於後形成之EL層極薄，因此，會有發生缺陷光發射之例 。因此，爲了儘可能形成具有位準化表面之EL層，最好在 形成圖素電極前執行位準化。 再者，參考數字43表示以具有高反射率之導電膜製成 之圖素電極（在此例中爲EL元件陰極），且此電連接至驅動 TFT3503之汲極區域。最好使用低電阻導電膜，如鋁合金膜 ，銅合金膜，和銀合金膜，或上述膜之疊層。當然，亦可 使用具有其它導電膜之疊層構造。 此外，發光層45形成在以觸排44a和44b形成之凹槽（ 相關於一圖素）之中間’觸排4 4 a和4 4 b以絕緣膜（最好爲樹 月旨）形成。於此圖中只顯示一圖素’但是’發光層亦可區分 以對應R(紅色），G(綠色），和B(藍色）。7Γ共軛聚合物材料 使用當成有機EL材料。典型的聚合物材料可爲聚對位苯撐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡1 - 34 - ' ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（32) 乙烯撐（PPVs)，聚乙烯 （PVK)，和聚苟。 於此有許多形式之PPV有機EL材料，而可使用記錄在 ”用於發光二極體之聚合物”’由Shenk，H.，Beoker，H.， Gelsen，〇.，Kluge，Ε·, Kreuder，W·,和 Spreitzer，H·，發表於 Euro Display Proceedings，1999，ρρ· 33-7 ，和曰本專利第平 10-92567號案所揭示之材料。 關於特殊發光層方面，可使用如氰基聚苯撐乙烯撐當 成紅色發光層；聚苯撐乙烯撐當成綠色發光層；和聚苯撐 乙烯撐和聚烷基苯撐當成藍色發光層。膜厚度可爲30至 150 nm(最好爲 40 至 100 nm)。 但是，上述之例只是可使用當成發光層之有機EL材料 之一例，而非限於使用這些材料。EL層亦可自由的結合發 光層，電荷傳送層，和電荷注入層。 例如，第四實施例顯示使用聚合物材料當成發光層之 一例’但是亦可使用低分子量有機EL材料。再者，亦可使 用如碳化矽之無機材料，當成電荷傳送層或電荷注入層。 可使用已知之材料於這些有機EL材料和無機材料。 一疊層膜，其中以PED0T(聚噻吩）或Pani(聚苯胺）製成 之電洞注入層46形成在發光層45上，乃使用在第四實施例 中。而後陽極47形成在以透明導電膜製成之電洞注入層46 上。由發光層45產生之光在此實施例中照向上表面（相對於 形成TFT之基底350 1之方向），且因此，陽極必須具有一導 電率且以具有透光性質之材料形成。可使用氧化銦和氧化 錫化合物，或氧化銦和氧化鋅化合物當成透明導電膜。但 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（33) 是，由於其在形成低熱阻發光和電洞注入層後形成，最好 使用可以儘可能低之溫度沉積之材料。 在形成陽極47時，即完成EL元件3505。於此所謂的 EL元件3505以圖素電極（陽極）43，發光層45，電洞注入層 46，和陽極47所形成。圖素電極43之面積幾乎等於圖素， 且因此，整個圖素作用當成EL裝置。因此，發光效率極高 ，和可進行明亮影像顯示。 此外，第二鈍化膜48在此實施例中形成在陽極47上。 最好使用氮化矽膜或氮氧化矽膜當成第二鈍化膜48。其目 的爲使EL元件與外界隔離，且如此可防止因爲有機EL材 料之氧化而造成之損壞，和控制從有機EL材料發出之氣體 。因此可提升EL顯示器之可靠度。 本發明之EL顯示裝置具有以圖8所示之構造之圖素製 成之圖素部份，且具有充分低關閉電流値之開關TFT ，和 相對於熱載子注入抵抗力相當強之電流控制TFT。因此可 獲得具有高可靠度，且具有良好影像顯示之EL顯示器。 於此可自由結合本實施例和第一至第六實施例之構成 而實施本實施例之構成。 (第八實施例） 在此實施例中，將說明EL元件3505之構造與第七實施 例所示之圖素部份中反向之構造。於此參考圖9說明。由 於與圖8所示之構造之差異只在於EL元件370 1和驅動 TFT3553之部份，因此省略其它部份之說明。 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（2i〇x297公釐） 「36 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 ____B7_ 五、發明説明（34) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考圖9，驅動TFT3553使用以已知方法製造之p通道 TFT形成。於此，驅動TFT並不限於p通道TFT，而是亦可 使用η通道TFT。 在此實施例中，使用透明導電膜當成圖素電極（陽極）50 。具體而言，此導電膜以氧化銦和氧化鋅化合物製成。當 然，亦可使用氧化銦和氧化錫化合物製成之導電膜。 此外，在形成以絕緣膜製成之觸排51a和51b後，以聚 乙烯咔唑製成之發光層52根據溶液之應用而形成。發光層 52重疊以乙烯丙酮鉀（acacK)製成之電洞注入層53，和以鋁 合金製成之陰極54。在此例中，陰極54亦作用當成一鈍化 膜。因此，形成EL元件370 1。 在此實施例中，由發光層52產生之光照向以TFT形成 之基底350 1，如箭頭所示。 本實施例可自由的結合第一至第六實施例而實施。 (第九實施例） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然圖2，3，10，和42至44顯示儲存電容提供以保 持施加至驅動TFT之閘極電極之電壓之構造，於此亦可省 略儲存電容。 在使用當成驅動丁FT之η通道丁FT具有提供以經由閘極 絕緣膜重疊閘電極之LDD區域之例中，雖然稱爲閘極電容 之寄生電容形成在此重疊區域，但是，此實施例之特徵在 於此寄生電容正向的使用當成一電容以保持施加至驅動 TFT之閘極電極之電壓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37 - 554637 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印#>i衣 五、發明説明（35) 由於此寄生電容之電容由閘極電極和LDD區域之重疊 面積而改變，因此，其由在重疊區域中之LDD區域之長度 所決定。 本實施例可自由的結合第一至第八實施例而實施。 (第十實施例） 在此實施例中，說明依照本發明製造EL顯示裝置之圖 素部份和提供在圖素部份之週邊之驅動電路部份之TFT之 方法。圖中顯示之CMOS電路當成驅動電路之基本單元， 以簡化此說明。 首先，如圖11A所示，準備一基底501，其表面上形成 有一底膜（圖中未顯示）。在第十實施例中，疊層100 nm厚 之氮氧化矽膜和200 nm厚之氮氧化矽膜當成底膜。在接觸 結晶玻璃基底之膜之氮濃度最好設定爲10至25 wt%。當然 ，亦可直接形成元件在石英基底之頂上而未形成底膜。 其次，以已知之膜沉積法形成45 nm厚之非晶矽膜在基 底501上。於此無需限制於非晶矽膜，只要是其爲含非晶 構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）之任何膜皆可使用。此 外，亦可使用含非晶構造之化合物半導體膜，如非晶矽鍺 膜。 由此至圖11 C之方法可參考本申請人之日本專利申請 案第平1 0-247735號案所述。在此專利案中，揭示藉由使用 如鎳等之元素當成觸媒而使半導體膜結晶之方法之技術。 首先，形成具有開口部份503a和503b之保護膜504。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（36 ) 在第十實施例中使用150 nm厚之氧化矽膜。而後，以旋轉 塗覆法形成含鎳（ΝΠ層505在保護膜504上。關於含鎳層之 形成可參考上述專利。 其次，如圖1 1 B所示，在惰性氣體中，在570 °C下熱處 理14小時以使非晶矽膜502結晶。結晶大致平行於基底進 行，而以接觸鎳之區域506a和506b(添加鎳區域）當成啓始 點，以形成具有條狀晶體排列在一起之晶體構造之多晶矽 膜 507 〇 而後，週期表15族（最好爲磷）之元素添加至添加鎳區 域506a和5 06b，而留下保護膜504當成光罩，如圖11C所 示。因此可形成添加高濃度磷之區域508a和508b(添加磷區 域）。 其次，如圖1 1 C所示，在惰性氣體中，在600 °C下執行 熱處理1 2小時。存在於多晶矽膜507中之鎳因爲此熱處理 而滲透，且最後，幾乎完全在添加磷區域508a和508b中被 捕捉，如箭頭所示。此即爲以磷對金屬元素（在第十實施例 中爲鎳）之吸氣效應之現象。 以此處理留在多晶矽膜509中之鎳濃度以SIMS(二次離 子質量頻譜儀）量測降低至2 X 1017原子/cm3。鎳爲半導體壽 命之殺手，且如果鎳濃度降低至此位準時，則對TFT之特 性不會有害。再者，此濃度幾乎在由現今SIMS所能量測之 極限，且因此，預期會有實際更低之濃度(不超過2 X 1〇17 原子/cm3)。 因此可獲得多晶矽膜509 ，其使用觸媒結晶，且其中 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) on. ' 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（37 ) 觸媒降低至不會破壞TFT功能之位準。而後，藉由定圖樣 形成只使用多晶矽膜509之主動層510至513。此時，可使 用上述多晶矽膜形成在後續定圖樣時執行光罩對準之標示（ 圖 11D)。 其次，以電漿CVD法形成50 nm厚之氮氧化矽膜，如 圖11E所示，再者，在氧化氣體中，在95 0 °C下，藉由熱處 理1小時以執行熱氧化步驟。氧化環境可爲氧氣或添加有 鹵素之氧氣。 藉由上述熱氧化步驟，在主動層和上述氮氧化矽膜之 介面中進行氧化，且約1 5 nm厚之多晶矽膜氧化，形成約 3 0 nm厚之氧化矽膜。換言之，從30 nm厚之氧化矽膜和50 nm厚之氮氧化砂膜之疊層膜形成80 nm厚之閘極絕緣膜514 〇 其次，形成阻止光罩515a和515b，如圖12A所示，且 授予P型導電率之雜質元素（以下稱P型雜質元素）經由閘極 絕緣膜5 14添加。可使用週期表1 3族之元素，如硼或鎵， 當成P型雜質元素。此處理爲用以控制TFT之臨界電壓之 處理（通道摻雜處理）。 在第十實施例中，以二硼化氫（B2H6)電漿激勵離子摻雜 添加硼，而未進行質量分離。當然亦可使用執行質量分離 之離子摻雜。藉由此處理，可形成含硼濃度lxl 015至lx 1018原子/cm3(最好爲5 X 1016至5 X 1017原子/cm3)之雜質區 域 5 1 6 和 5 1 7。 而後，形成阻止光罩519a和519b，如圖12B所示，和 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ 4〇 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明（38 ) 經由閘極絕緣膜5 1 4添加授予n型導電率之雜質元素（以下 稱η型雜質元素）。通常使用週期表第15族中之元素當成！! 型雜質元素，且典型的爲使用磷或砷。在第十實施例中， 使用磷化氫（ΡΗ3)之電漿激勵電漿摻雜方法，添加丨X ι〇ΐ8 原子/cm3之濃度之磷’而無質量分離。當然亦可使用執行 質量分離之離子植入法。 調整劑量以使η型雜質元素包含'在n型雜質區域520中 ，以濃度2 X 1016至5 X 1019原子/cm3(最好在5 X 1017至5 X 1018 原子 /cm3 間）。 其次，如圖1 2C所示，執行所添加η型雜質元素和p型 雜質元素之活化。於此無需對活化機構做任何限制，但是 因爲已形成閘極絕緣膜5 1 4 ，因此最好使用電爐之爐退火 處理。再者，於此有可能破壞主動層和在圖1 2 Α之處理中 變成通道形成區域之部份之閘極絕緣膜之介面，且因此， 最好在儘可能高的溫度上執行熱處理。 在第十實施例中，使用具有高熱阻之結晶玻璃，且因 此，以爐退火在800 °C下執行活化處理1小時。亦可使處理 環境成爲氧化氣體而執行熱氧化，和藉由使用惰性氣體執 行熱處理。 η型雜質區域520之緣部份，亦即，未添加η型雜質元 素之η型雜質區域52〇(由圖12Α之處理所形成之ρ型雜質區 域）之週邊中之區域之邊界（接面部份），乃以上述處理界定 。此意即當於後完成TFT時，在LDD區域和通道形成區域 間可形成極佳之接面部份。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） _ 41 - 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（39 ) 其次，形成具有200至400 nm厚之導電膜且定圖樣， 以形成閘電極522至525。閘電極522至525之線寬度決定 每一 TFT之通道長度。 閘電極可以單層導電膜形成，但是，當有需要時，最 好使用兩層或三層疊層膜。可使用已知之導電膜當成閘電 極材料。特別的，可使用選自鈦（Ti)，鉅（Ta)，鉬（Mo)，鎢 (W)，鉻（Cr)和矽（Si)之元素所製成之膜；或上述元素之氮化 物膜（典型的，氮化鉅膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）；或上述 元素之結合之合金膜（典型的，Mo-W合金或Mo-Ta合金）； 或上述元素之矽化物膜（典型的，矽化鎢膜或矽化鉬膜）。當 然亦可使用單層膜或疊層膜。 在第十實施例中，使用50 nm厚之氮化鎢（WN)膜和350 .nm厚之W膜之疊層膜。可以濺鍍形成此膜。再者，如果如 Xe或Ne之惰性氣體添加至濺鍍氣體中時，可防止因爲應力 之膜剝離。 此時形成閘電極523重疊一部份之η型雜質區域520， 夾住閛極絕緣膜5 1 4。重疊部份於後變成重疊閘電極之LDD 區域。在橫截面中可看到兩閘電極524a和524b，但是，它 們實際電連接。 其次，η型雜質元素（在第十實施例中使用磷）以自我對 準方式以閘電極522至525當成光罩添加，如圖13Α所示。 可調整此種添加，因此磷以η型雜質區域520之濃度之1/10 至1/2(典型爲1/4至1/3)添加至所形成之雜質區域526至533 。特別的，濃度最好爲1 X 1〇16至5 X 1018原子/cm3(典型爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 42 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（4〇 ) 3X 1017至 3X 1018原子/cm3)。 其次形成阻止光罩534a至534d以覆蓋閘電極’如圖 1 3 B所示，和添加η型雜質元素（在第十實施例中使用磷）， 形成含有高濃度磷之雜質區域535至539。於此亦執行使用 磷化氫（ΡΗ3)之離子摻雜’並調整以使此區域之磷濃度爲1 X 102°至 1 X 1021 原子/cm3(典型爲 2 X 102()和 5 X 102()原子 /cm3) 〇 以此方法形成η通道TFT之源極區域或汲極區域，和 在開關TFT中，留下有由圖13A之方法所形成之η型雜質區 域528至531之一部份。其餘區域相當於開關TFT之LDD區 域。 其次，如圖13C所示，移去阻止光罩534a至534d，和 形成一新的阻止光罩542。而後添加p型雜質元素（在第十 實施例中使用硼），形成含有高濃度硼之雜質區域540，541 ，543 ，和544。於此使用硼化氫（B2H6)之離子摻雜，而添 加硼至濃度爲3 X 1〇2°至3 X 1021原子/cm3(典型爲5 X 102Q 至 1 X 1021 原子/cm3)。 磷已以濃度爲1 X 1〇2°至1 X 1〇21原子/cm3添加至雜質 區域540，541，543和544，但是，硼以至少磷濃度之三 倍添加。因此，η型雜質區域已完全的形成反向爲p型，且 作用當成ρ型雜質區域。 其次，在移除阻止光罩542後’形成第一中間層絕緣 膜5 46，如圖1 3D所示。含矽之單層絕緣膜使用當成第一中 間層絕緣膜546 ，但是亦可使用一疊層膜。再者，可使用 本紙張尺度用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）_ 43 · " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ _B7_五、發明説明（41 ) 介於400 nm和1.5μιη之膜厚度。在第十實施例中使用800 nm厚氧化矽膜在200 nm厚氮氧化矽膜上之疊層構造。 而後，以相關濃度添加之η型雜質元素和P型雜質元素 受到活化。關於活化機構方面，最好使用爐退火。在第十 實施例中執行之熱處理爲在電爐中在惰性氣下在550 t下 熱處理4小時。 此外，在含有3至100%氫之氣體中，在300至450 °C上 執行熱處理1至1 2小時，以執行氫化。此處理爲在半導體 膜中以熱激勵之氫做懸垂鍵之氫終結之處理之一。亦可執 行電漿氫化（使用以電漿激勵之氫）當成氫化之另一方式。 在第一中間層絕緣膜546之形成時亦可進行氫化步驟 。亦即，氫處理可如上述在形成200 nm厚之氮氧化矽膜後 .執行，而後形成剩餘之800 nm厚之氧化矽膜。 其次，如14A所示，在第一中間層絕緣膜546和閘極絕 緣膜514中形成接觸孔，藉以形成源極接線547至5 50和汲 極接線55 1至5 5 3。在第十實施例中，具有100 nm鈦膜， 300 nm含鈦鋁膜，和150 nm鈦膜連續以濺鍍形成之三層構 造之疊層膜使用當成電極。當然亦可使用其它導電膜。 其次形成厚度爲50至500 nm(典型的爲介於200和300 nm間）之第一鈍化膜554。在第十實施例中，使用300 nm厚 之氮氧化矽膜當成第一鈍化膜554。此氮氧化矽膜亦可以 氮化矽膜取代之。 在氮氧化矽膜形成前，可有效的執行使用含如H2或 NH3之氫之氣體之電漿處理。以此先前處理激勵之氫乃供應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐) .44 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（42 ) 至第一中間層絕緣膜546 ，和藉由執行熱處理而改善第一 鈍化膜554之膜品質。同時，添加至第一中間層絕緣膜546 之氫擴散至下側，和主動層可有效的受到氫化。 其次，如圖14B所示，以一有機樹脂形成第二中間層 絕緣膜555。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺，丙烯 酸，和BCB (苯並環丁烷）等材料。特別的，由於第二中間層 絕緣膜55 5需要位準化由TFT所形成之步階，且因此，最好 使用具有優良位準特性之丙烯酸。在第十實施例中形成2.5 # m之丙烯酸膜。 而後，到達汲極接線553之一接觸孔形成在第二中間 層絕緣膜555和第一鈍化膜554中，而後形成圖素電極（陽 極）556。在第十實施例中，形成厚度110 nm之銦錫氧化膜 (ITO)，且定圖樣，形成圖素電極。再者，亦可使用2至20 %氧化鋅（ΖηΟ)混合在氧化銦中之透明導電膜。此圖素電極 變成EL元件203之陽極。 其次形成含矽之500 nm厚之絕緣膜（在第十實施例中爲 氧化矽膜），和開口部份形成在相當於圖素電極556之位置 上，以形成第三中間層絕緣膜557 。當形成開口部份時， 藉由使用濕蝕刻，可輕易製成具有漸尖狀之側壁。如果開 口部份之側壁不充分緩和時，由於步階而引起對EL層之損 壞變成一明顯的問題。 其次，以真空蒸鍍連續形成EL層558和陰極（MgAg電 極）559，而未曝露至大氣。EL層558之膜厚度可設爲80至 200 nm(典型的介於100至120 nm)，和陰極559之厚度可設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） · 45 - "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 _B7_ 五、發明説明（43 ) 爲180至300 nm(典型的介於200至250 nm)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此步驟中，EL層和陰極依序形成以用於相關於紅色 之圖素，相關於綠色之圖素，和相關於藍色之圖素。EL層 相對於溶液具有些微的抗力，且因此，對於每一顏色之EL 層需個別形成而未使用微影成像技術。而後，使用金屬光 罩以覆蓋除了所需圖素外之區域，且較佳的是EL層和陰極 選擇性的形成在所需部份。 換言之，一光罩設定以覆蓋除了用於相關於紅色之圖 素外之所有區域，和紅色發光EL層和陰極使用光罩選擇性 形成。其次，一光罩設定以覆蓋除了用於相關於綠色之圖 素外之所有區域，和綠色發光EL層和陰極使用光罩選擇性 形成。再者，一光罩設定以覆蓋除了用於相關於藍色之圖 素外之所有區域，和藍色發光EL層和陰極使用光罩選擇性 形成。於此說明使用所有不同光罩，但是亦可再使用相同 光罩。此外，較佳的是，執行所有處理而未破壞真空，直 到對所有圖素形成EL層和陰極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可使用已知材料當成EL層558。在考量驅動電壓下， 最好使用有機材料當成已知材料。例如，亦可使用以電洞 注入層’電洞傳送層，發光層，和電子注入層之4層構造 當成EL層。再者，在第十實施例中，顯示MgAg電極使用 當成EL元件203之陰極之例，但是，亦可使用其它材料。 再者’適當的是使用包含鋁當成其主要構成之導電膜 當成一保護電極560。此保護電極560可以真空蒸鍍法，使 用與在EL層和陰極形成中所使用不同之光罩形成。此外， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）TIrI " 554637 A7 B7 五、發明説明（44) 在形成EL層和陰極後，保護電極560最好連續形成而未曝 露至大氣。 最後，以氮化矽膜製成之第二鈍化膜561形成厚度300 nm。EL層以保護電極560防止如濕器之侵入。再者，第二 鈍化膜561進一步改善EL元件203之可靠度。 因此可完成如圖14C所示之構造之主動矩陣型EL顯示 裝置。參考數字201爲一開關TFT，202爲一驅動TFT， 204爲用於驅動電路之η通道TFT，和205爲用於驅動電路 之P通道TFT。 實際上，在完成至圖14C之狀態後，最好使用具有良 好氣密性質之保護膜（如疊層膜或紫外線硬化樹脂膜），或以 如陶瓷製成之密封罐之殼材料執行封裝（密封），而未曝露至 大氣中。 (第十一實施例） 在此實施例中，說明當驅動非類比灰階方法而是數位 時間灰階方法時之源極訊號側驅動電路之構造。 圖1 5爲在此實施例中使用之源極訊號側驅動電路之電 路圖。在本發明中，驅動方法可應用至任何類比灰階方法 ，數位時間灰階方法，數位區域灰階方法等。再者，亦可 使用結合灰階方法之方法。 移位暫存器801，閂鎖（A)802，和閂鎖（B)803安排如圖 所示。在此實施例中，一群閂鎖（A)802和閂鎖（B)803對應 於四個源極訊號線S_a至S_d。再者，用於改變訊號電壓之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） I--------^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554637 A7 B7_ 五、發明説明（45 ) 振幅寬度之位準移位器未形成在此實施例中，但是其可由 設計者適當的形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 時鐘訊號CLK，CLK之極性反向之時鐘訊號CLKB ’ 啓始脈衝訊號SP，和驅動方向轉換訊號SL/R以接線輸入至 移位暫存器801 ，如圖所示。再者，從外界輸入之數位資 料訊號VD以接線輸入至閂鎖（A)802，如圖所示。閂鎖訊號 S_LAT和S_LAT極性反向之訊號S_LATb以接線輸入至閂鎖 (B)803，如圖所示。 關於閂鎖（A)802之詳細構造方面，於此說明相關於源 極訊號線S_a之閂鎖（A)802之一部份804。閂鎖（A)802之部 份804具有兩時鐘反向器和兩反向器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 閂鎖（A)802之部份804之頂視圖如圖16所示。參考數 字83 1a和83 1b表示形成閂鎖（A)802之部份804之一反向器 之TFT之主動層，和參考數字836表示形成一反向器之TFT 之共同閘電極。再者，參考數字832a和83 2b表示形成閂鎖 (A)802之部份804之另一反向器之另一 TFT之主動層，和參 考數字837a和837b分別表示形成在主動層832a和832b上 之閘電極。閘電極837a和837b電連接。 參考數字833a和833b表示形成閂鎖（A)802之部份804 之一時鐘反向器之TFT之主動層。閘電極83 8a和8 3 8b形成 在主動層8 3 3 a上，變成雙閘極構造。再者，閘電極83 8b和 839形成在主動層833b上，變成一雙閘極構造。 參考數字834a和834b表示形成閂鎖（a)802之部份804 之另一時鐘反向器之TFT之主動層。閘電極839和840形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）"" 554637 A7 B7 五、發明説明（46) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在主動層834a上，變成雙閘極構造。再者，閘電極840和 841形成在主動層834b上，變成一雙閘極構造。當進行上 述數位灰階時，可顯示如圖45所示之灰階特性。 藉由使用上述數位時間灰階方法，如圖45所示，可表 現64灰階。 此實施例可自由結合第一至第十實施例之任一實施例 並實施。 (第十二實施例） 在本發明之EL顯示裝置中，使用於EL元件之EL層之 材料並不限於有機EL材料，而是亦可以無機EL材料實施 。但是，由於現有之無機EL材料之驅動電壓較高，因此必 須使用具有電阻特性以承受驅動電壓之TFT。 再者，如果未來發展出具有較低電壓之無機EL材料， 其亦可應用於本發明中。 此實施例可自由結合第一至第十一實施例之任一實施 例並實施。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (第十三實施例） 在本發明中，使用當成EL層之有機物質可爲低分子有 機物質或聚合物（高分子）有機物質。 關於低聚合物有機物質方面，已知之材料主要爲 Alq3(tds-8-羥基喹啉鋁）和TPD(三苯胺介電）。關於聚合物有 機物質方面，於此有7Γ共軛聚合物之物質。典型的，於此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（47) 有PPV(聚對位苯撐乙烯撐），PVK(聚乙烯咔唑），或聚碳酸 鹽 ° 聚合物（高分子）有機物質可以如旋轉塗覆法（溶液應用 法），浸漬法，印刷法或噴墨法等輕易薄膜形成方法形成， 且相較於低聚合物有機物質而具有較高的電阻。 再者，在本發明之EL顯示裝置之EL元件中，如果EL 元件之EL層包含電子傳送層和電洞傳送層時，電子傳送層 和電洞傳送層亦可以無機材料構成，如非晶矽和非晶Si!-XCX之非晶半導體製成。 在非晶半導體中，有大量的陷波位準，亦可大量形成 在非晶半導體接觸其它層之表面上之表面位準。因此，EL 元件可以高準確度低電壓發光。 再者，可添加摻雜劑（雜質）至有機EL層以改變從有機 EL層發出之光顏色。關於摻雜劑方面，可使用如DCM1 ， 尼羅紅，rubrene，coumarin 6 ’ TPB ’ quinacridon 〇 此實施例可自由結合第一至第十二實施例之任一實施 例並實施。 (第十四實施例） 在此實施例中，使用圖2 1 A和2 1 B說明本發明之EL顯 示裝置。圖21A爲形成有EL元件之TFT基底之頂視圖，其 中已進行EL元件之塡充。參考數字6801表示源極訊號側驅 動電路，參考數字6802a和6802b表示閘極訊號側驅動電路 ，和參考數字6803表示一圖素部份。再者，參考數字6804 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公廣） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 五、發明説明（48 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表示一蓋構件，6805爲第一密封材料，和6806爲第二密封 材料。塡充材料68 07提供在由第一密封構件6805所圍繞之 內蓋構件和TFT基底間（參考圖21 B)。 參考數字6808爲一連接線’用以傳送輸入至源極訊號 側驅動電路6 8 0 1 ，閘極訊號側驅動電路6 8 0 2 a和圖素部份 403之訊號，和從當成與外部設備之連接端之FPC(軟性印刷 電路）接收視頻訊號或時鐘訊號。 圖21B爲沿圖21A之線A-A’所截取之橫截面圖。在圖 21A和21B中，具有相同參考數字之部份表示相同部份。 如圖21B所示，在基底6800上形成一圖素部份6803和 一源極訊號側驅動電路6801，和圖素部份6803以多數包括 用以控制在EL元件中流動之電流之TFT(驅動TFT)之圖素和 電連接至汲極之圖素電極6852所形成。在此實施例中，驅 動TFT685 1可爲p通道TFT。再者，使用CMOS電路形成源 極側驅動電路680 1，其中η通道TFT6853和p通道TFT6854 互補結合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 每一圖素在圖素電極下方包含一濾色器（R )6855，濾色 器（G)6856 ，和濾色器（B)(未顯示）。於此，濾色器（R )爲用 以抽取紅色光之濾色器，濾色器（G)爲用以抽取綠色光之濾 色器，和濾色器（B)爲用以抽取藍色光之濾色器。濾色器（R )6855提供於紅色發光圖素，濾色器（G)6856提供於綠色發 光圖素，和濾色器（B)提供於藍色發光圖素。 關於提供濾、色器之效果方面，首先爲可改善發光顏色 之顏色純度。例如，從紅色發光圖素可發出紅色光（在此實 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（49) 施例中，光照向圖素電極側），但是，當此紅色光通過抽取 紅色光之濾色器時，可改善紅色之純度。對於綠色和藍色 亦相同。 再者，在未使用濾色器之習知構造中，從EL顯示裝置 外側穿透之可見光激勵EL元件之發光層，如此導致無法獲 得所要之顏色。但是，藉由提供濾色器，只有特別波長之 光可進入EL元件。亦即，可防止由來自外界之光激勵EL 元件之問題。 於此已提出提供濾色器之構造，但是，亦可使用發白 色光之EL元件。在此例中，由於其它波長之光受去除以抽 取紅色光，因此會發生亮度降低之情形。但是，在此實施 例中，由於來自EL元件之紅色光通過會抽取紅色光之濾色 器，因此亮度不會降低。 其次，圖素電極6852以一透明導電膜形成且作用當成 EL兀件之陽極。再者，在圖素電極6852兩側上形成一絕緣 膜6857，和進一步形成發紅色光之發光層685 8，和發綠色 光之發光層6859。再者，雖然圖中未顯示，發出藍色光之 發光層提供在相鄰圖素中，和藉由相關於紅色，綠色，和 藍色之圖素而執行彩色顯示。當然，提供有發出藍色光之 發光層之圖素亦提供有抽取藍色之濾色器。 關於發光層685 8和6859之材料方面，不只可使用有機 材料，且亦可使用無機材料。再者，其構造爲不只發光層 ，且亦有電子注入層，電子傳送層，，電洞傳送層，和電洞 注入層之結合之疊層構造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 ><297公釐） -52- 554637 A7 __ B7_ 五、發明説明（50) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，在每一發光層上，EL元件之陰極6860以具有遮 先性質之導電膜形成。fe極6860共接至所有圖素且經由一 連接線6808電連接至FPC6809。 其次，以一散佈器等形成第一密封材料6805 ，且以一 間隔器（未顯不）噴灑以黏著蓋構件6804。而後，由TFT基 底，蓋構件6804和第一密封材料6805所圍繞之區域以真空 注入塡充以塡充劑6807。 再者，可事先添加氧化鋇當成吸濕物質686 1至塡充劑 6 807。在此實施例中，吸濕物質添加至塡充劑並使用，但 是，亦可藉由將其散佈當成叢集而塡充在塡充劑中。再者 ’雖然未顯示，吸濕物質亦可使用當成用於間隔器之材料 〇 其次’在以紫外線照射和加熱使塡充劑68〇7硬化後， 封閉形成在第一密封材料6805中之開口（未顯示）。當封閉 第一密封材料之開口時，使用導電材料6802電連接;連接接 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 線6 808和FPC6809。再者，提供第二密封材料6806以覆蓋 第一密封材料6805之曝露部份和fpc6809之一部份。第二 街、封材料6806可使用與第一密封材料6805相同的材料。 使用上述方法以塡充EL元件至塡充劑6807時，el元 件可完全與外界隔離，以防止如濕氣或氧氣之會引起有機 材料氧化之物質從外界滲透入。因此，可製造具有高度可 靠度之EL顯示裝置。 再者’藉由使用本發明，可轉換已存在之液晶顯示裝 置之製造線’以顯著降低維護投資成本，且多數發光裝置 -53- ( cns ) A4Tm (210x297；^') 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 _五、發明説明（51) 可從一基底以高良率之處理生產，因此可顯著降低製造成 本。 (第十五實施例） 在此實施例中說明第十四實施例所示之EL顯示裝置中 從EL元件發出之光之照射方向與濾色器安排不同之例。圖 22使用於說明，但是其基本構造與圖21B相同，因此，只 有改變部份冠以新的文字。 在此實施例中，使用η通道TFT當成在圖素部份6901 中之驅動TFT6902。再者，驅動TFT6902之汲極電連接至圖 素電極6903，且圖素電極6903以具有遮光性質之導電膜形 成。在此實施例中，圖素電極6903爲EL元件之陰極。 再者，一透明導電膜6904 ，共接至所有圖素，乃形成 在發出紅色光之發光層685 8和發出綠色光之發光層6859上 〇 再者，此實施例之特徵在於濾色器（R )6905 ，濾色器 (G)6909和濾色器（B)(未顯示）形成在蓋構件6804內。在此實 施例之EL元件之構造之例中，從發光層發出之光之方向照 向蓋構件側，因此，如果使用圖22之構造，濾色器可提供 在光路徑上。 如果濾色器（R )6905 ，濾色器（G)6909和濾色器（B)(未 顯示）提供在蓋構件6804上，可減少TFT基底之處理，因此 可改善良率和生產量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 554637 A7 B7 五、發明説明（52) (第十六實施例） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖36和38爲本發明之圖素構造之第二實施例。此實施 例爲與源極訊號線不同之接線層和閘極訊號線添加以形成 電源線之例。 在圖3 6中，和圖7之第七實施例所示相同之部份以相 同的參考數字表示，因此省略其說明。 在圖38中，和圖9之第八實施例所示相同之部份以相 同的參考數字表示，因此省略其說明。 接線層4502a提供在半導體層之下側上’藉以形成一電 源線49a。以此方式，藉由提供不同層，可藉由添加接線而 防止開口比例之下降。 圖37和39爲本發明之第三實施例。在此實施例中，電 源線49b連接至與第二實施例不同之層，即層4502b。 在圖37中，和圖8之第七實施例所示相同之部份以相 同的參考數字表示，因此省略其說明。 在圖39中，和圖9之第八實施例所示相同之部份以相 同的參考數字表示，因此省略其說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖37和39中，電源線49b形成在訊號線34上方，但 是其亦可不形成在此位置，而是形成在介於閘極訊號線和 源極訊號線間之層，或在閘極訊號線下方之層上。 (第十七實施例） 在此實施例中，在此實施例中，說明EL顯示裝置之光 照射方向爲至在第十實施例之（基底側）之下表面方向，和電 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明（53 ) 源線提供在半導體層之下側上之例。但是，爲了簡化說明 ，於此顯示相關於驅動電路之基本單元之CMOS電路。此 驅動電路TFT可使用在第十實施例所述之製造方法製造， 因此省略其說明。 首先，如圖25 A所示，準備一基底600。在此實施例中 ，使用一結晶玻璃。200至400 nm厚之導電膜形成在基底 600上，以一阻止光罩60 1定攝樣，和執行蝕刻以形成電源 線602。所執行之蝕刻可爲乾蝕刻或濕蝕刻。 其次，如圖25B和25C所示，形成氧化膜。在此實施 例中，疊層100 nm厚之氮氧化矽膜603和200 nm厚之氮氧 化矽膜604。在接觸結晶玻璃基底之膜之氮氧化矽膜603之 氮濃度最好設定爲1 0至2 5 w t %。在形成氮氧化砂膜6 0 4後 .，執行表面之位準化。特別的，執行一 CMP或表面拋光。 其次，以已知之膜形成法形成45 nm厚之非晶矽膜605 。於此無需限制於非晶矽膜，只要是其爲含非晶構造之半 導體膜（包括微晶半導體膜）之任何膜皆可使用。此外，亦可 使用含非晶構造之化合物半導體膜，如非晶矽鍺膜。 由此至圖26C之方法可完全參考本申請人之日本專利 申請案第平1 0-247735號案所述。在此專利案中，揭示藉由 使用如鎳等之元素當成觸媒而使半導體膜結晶之方法之技 術。 如圖25E所示，形成具有開口部份606a和606b之保護 膜607。在此實施例中，使用150 nm厚之氧化矽膜。而後 ’如圖26A所示，以旋轉塗覆法形成含鎳（Ni)層608在保護 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 ___B7_ 五、發明説明（54 ) 膜607上。關於含鎳層之形成可參考上述專利。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，如圖26B所示，在惰性氣體中，在570 t下熱處 理14小時以使非晶矽膜605結晶。鎳接觸之區域609a和 609b爲開始結晶之啓始點，此結晶大致平行基底進行，以 形成具有條狀晶體排列在一起之晶體構造之多晶矽膜6 1 0 〇 其次，如圖26C所示，週期表15族（最好爲磷）之元素 添加至添加鎳區域609a和609b，而以保護膜607當成光罩 。以此方式，可形成添加高濃度磷之區域611a和61 lb(添加 磷區域）。 其次，如圖26C所示，在惰性氣體中，在600 °C下執行 熱處理1 2小時。以此熱處理，存在於多晶矽膜610中之鎳 移動，且最後，幾乎所有鎳皆在添加磷區域611a和611b中 被捕捉，如箭頭所示。此即爲以磷對金屬元素（在此實施例 中爲鎳）之吸氣效應之現象。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以此處理留在多晶矽膜612中之鎳濃度以SIMS(二次離 子質量頻譜儀）量測降低至2 X 1017原子/cm3。鎳爲半導體壽 命之殺手，且如果鎳濃度降低至此位準時，則對TFT之特 性不會有害。再者，此濃度幾乎在由現今SIMS所能量測之 極限，且因此，預期會有實際更低之濃度（不超過2 X 1017 原子/cm3)。 因此可獲得多晶矽膜612 ，其使用觸媒結晶，且其中 觸媒之位準降低至不會破壞TFT功能之位準。而後，藉由 定圖樣形成只使用多晶矽膜612之主動層613a和613b。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 57 _ 554637 A7 ____B7_ 五、發明説明（55 ) 時’可使用上述多晶砂膜形成在後續定圖樣時執行光罩對 準之標不（圖26D)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次’以電槳C V D法形成5 0 n m厚之氮氧化砂膜，如 圖2 6E所示，再者，在氧化氣體中，在95 0 °C下，藉由熱處 理1小時以執行熱氧化步驟。氧化氣體可爲氧氣或添加有 鹵素之氧氣。 在此熱氧化處理中，在主動層和上述氮氧化矽膜之介 面中進行氧化，藉以氧化約1 5 nm厚之多晶矽膜，以形成約 30 nm厚之氧化矽膜。亦即，約50 nm厚之氧化矽膜和約30 nm厚之氮氧化矽膜之疊層膜形成80 nm厚之閘極絕緣膜614 。以此熱氧化處理，主動層613a和613b之厚度爲30 nm。 其次，形成阻止光罩615，如圖27A所示，且授予p型 導電率之雜質元素（以下稱p型雜質元素）經由閘極絕緣膜 614添加。可使用週期表13族之元素，如硼或鎵，當成p型 雜質元素。此處理爲用以控制TFT之臨界電壓之處理（通道 摻雜處理）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，以二硼化氫（B2H6)電漿激勵以離子摻雜 添加硼，而未進行質量分離。當然亦可使用執行質量分離 之離子摻雜。藉由此處理，可形成含硼濃度1 X 1〇15至1 X 1018原子/cm3(典型爲5 X 1016至5 X 1017原子/cm3)之雜質區 域 616。 而後，形成阻止光罩619，如圖27B所示，和經由閘極 絕緣膜614添加授予η型導電率之雜質元素（以下稱η型雜 質元素）。通常使用週期表第15族中之元素當成η型雜質元 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） .58- 554637 A7 _B7_ 五、發明説明（56 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 素，且典型的爲使用磷或砷。在此實施例中，使用磷化氫 (PH3)之電漿激勵電漿摻雜方法，添加1 X 1018原子/cm3之濃 度之磷，而無質量分離。當然亦可使用執行質量分離之離 子植入法。 在以此處理形成之η型雜質區域620中，控制η型雜質 元素之劑量以使濃度在2Χ 101δ至5X 1019原子/cm3間（典型 爲在5X 1017至5X 1018原子/cm3間）。 其次，如圖27B所示，進行所添加η型雜質元素和p型 雜質元素之活化處理。於此無需對活化機構做任何限制， 但是因爲已提供閘極絕緣膜614 ，因此最好使用電爐之爐 退火處理。再者，在圖27Α之處理中，有可能破壞主動層 和當成通道形成區域之部份之閘極絕緣膜之介面，且因此 ，最好在儘可能高的溫度上執行熱處理。 在此實施例中，使用具有高熱阻之結晶玻璃，且因此 ，以爐退火在800 °C下執行活化處理1小時。亦可以氧化氣 體之處理氣體而執行熱氧化，或藉由在惰性氣體中執行熱 處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，形成具有200至400 nm厚之導電膜且定圖樣， 以形成閘電極622，623，和625，和源極訊號電極624， 和電源電極626。閘電極622，623，和625之線寬度決定 每一 TFT之通道長度（圖27D)。 閘電極可以單層導電膜形成，但是，亦可製成兩層或 三層之疊層膜。可使用已知之導電膜當成閘電極材料。特 別的，可使用選自鈦（Ti)，鉬（Ta)，鉬（Mo)，鎢（W)，鉻（Cr) -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 A7 _B7 _ _ 五、發明説明（57 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和矽（Si)之元素所製成之膜；或上述元素之氮化物膜（典型 的，氮化鉅膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）；或上述元素之結 合之合金膜（典型的，Mo-W合金或Mo- ra合金）；或上述元 素之矽化物膜（典型的，矽化鎢膜或矽化鉅膜）。當然亦可使 用單層膜或疊層膜。 在此實施例中，使用50 nm厚之氮化鎢（WN)膜622b， 623b，和 625b，和 350 nm 厚之 W 膜 622a，623a，和 625a 之疊層膜。可以濺鍍法形成此膜。再者，如果如Xe或Ne 之惰性氣體添加當成濺鍍氣體時，可防止因爲應力之膜剝 離。 閘電極622a(622b)和623a(623b)在橫截面中看似分離， 但是，它們實際電連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，如圖28A所示，η型雜質元素（在此實施例中使 用磷)以自我對準方式以閘電極622，623，和625，源極訊 號電極624，和電源電極626當成光罩添加。可調整此種添 加，因此磷以η型雜質區域620之濃度之1/2至1/10(典型爲 1/3至1/4)添加至所形成之雜質區域627至631 。特別的， 濃度最好爲1 X 1〇16至5 X 1018原子/cm3(典型爲3 X 1017至3 X 1 018 原子 /cm3)。 其次，形成阻止光罩634a至634d以覆蓋閘電極，如圖 28B所示，和添加η型雜質元素（在此實施例中使用磷），以 形成含有高濃度磷之雜質區域635至637。於此，亦執行使 用磷化氫（ΡΗ3)之離子摻雜，以使此區域之磷濃度爲1 X 102° 至 1 X 1021 原子/cm3(典型爲 2 X 102Q和 5 X 102Q原子/cm3)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（58) 以此方法形成η通道TFT之源極區域或汲極區域’和 在開關TFT中，留下有由圖28 A之方法所形成之η型雜質區 域6 27至631之一部份。其餘區域相當於開關TFT之LDD區 域。 其次，如圖28C所示，移去阻止光罩634a至634d，和 形成一新的阻止光罩642。而後添加p型雜質元素（在此實 施例中使用硼），形成含有高濃度硼之雜質區域643和644 。於此使用硼化氫（B2H6)之離子摻雜，而添加硼至濃度爲3 X 102°至 3 X 1021 原子/cm3(典型爲 5 X 102Q至 1 X 1021 原子 /cm3) 〇 磷已以濃度爲1 X 1〇2°至1 X 1〇21原子/cm3添加至雜質 區域64 3和644，但是，硼以至少磷濃度之三倍添加。因此 ，事先形成之η型雜質區域已完全的形成反向爲p型，且作 用當成Ρ型雜質區域。 其次，在移除阻止光罩642後，形成第一中間層絕緣 膜646，如圖28D所示。關於第一中間層絕緣膜646方面， 可使用含矽之單層絕緣膜，或亦可使用一疊層膜。再者， 可使用介於400 nm和1.5 μιη之膜厚度。此實施例中使用800 nm厚氧化矽膜在200 nm厚氮氧化矽膜上之疊層構造。 而後，以相關濃度添加之η型雜質元素和ρ型雜質元素 受到活化。關於活化機構方面，最好使用爐退火。在此實 施例中，執行之熱處理爲在電爐中在惰性氣下在5 5 0 °C下 熱處理4小時。 此外，在含有3至100%氫之氣體中，在300至450 °C上 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -61 - 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（59 ) 執行熱處理1至1 2小時，以執行氫化。此處理爲以熱激勵 之氫終結在半導體膜中之懸垂鍵之處理之一。亦可執行電 漿氫化（使用以電漿激勵之氫）當成氫化之另一方式。 在第一中間層絕緣膜646之形成時亦可進行氫化步驟 。亦即，氫處理可如上述在形成200 nm厚之氮氧化矽膜後 執行，而後形成剩餘之800 nm厚之氧化矽膜。 其次，如29A所示，在第一中間層絕緣膜646和閘極絕 緣膜614中形成接觸孔，藉以形成源極接線647，650和汲 極接線652，653。在此實施例中，具有100 nm鈦膜，300 nm含鈦鋁膜，和150 nm鈦膜連續以濺鍍形成之三層構造之 疊層膜使用當成電極。當然亦可使用其它導電膜。 其次形成厚度爲50至500 nm(典型的爲介於200和300 nm間）之第一鈍化膜654。在此實施例中，使用300 nm厚之 氮氧化矽膜當成第一鈍化膜654。此氮氧化矽膜亦可以氮 化矽膜取代之。 在氮氧化矽膜形成前，可有效的執行使用含如H2或 NH3之氫之氣體之電漿處理。以此先前處理激勵之氫乃供應 至第一中間層絕緣膜646 ，和藉由執行熱處理，可改善第 一鈍化膜654之膜品質。同時，添加至第一中間層絕緣膜 646之氫擴散至下側，和主動層可有效的受到氫化。 其次，如圖29B所示，以一有機樹脂形成第二中間層 絕緣膜655 。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺，丙烯 酸，和BCB(苯並環丁烷）等材料。特別的，由於第二中間層 絕緣膜655需要位準化由TFT所形成之步階，且因此，最好 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62- 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（6〇) 使用具有優良位準特性之丙烯酸。在此實施例中形成2.5 // m之丙嫌酸膜。 而後，到達汲極接線653之一接觸孔形成在第二中間 層絕緣膜655和第一鈍化膜654中，而後形成圖素電極（陽 極）656 。在此實施例中，形成厚度110 nm之銦錫氧化膜 (ITO)，且定圖樣，形成圖素電極。再者，亦可使用2至20 %氧化鋅（ZnO)混合在氧化銦中之透明導電膜。此圖素電極 變成EL元件之陽極。 其次，形成500 nm厚之樹脂661a和661b，和開口部份 形成在相關於圖素電極656之位置上。 其次，以真空蒸鍍法連續形成EL層658和陰極（MgAg 電極）659，而未曝露至大氣。EL層658之膜厚度可設爲80 至200 nm(典型的介於100至120 nm)，和陰極659之厚度可 設爲180至300 nm(典型的介於200至250 nm)。 在此處理中，EL層和陰極依序形成以對應於相關於紅 色之圖素，相關於綠色之圖素，和相關於藍色之圖素。但 是，EL層相對於溶液相當微弱，且因此，對於每一顏色之 EL層和陰極之形成，未使用微影成像技術。而後，使用金 屬光·罩以覆蓋所需圖素外之區域，且較佳的是選擇性的形 成EL層和陰極只在所需位置。 換言之，一光罩首先設定以覆蓋除了用於相關於紅色 之圖素外之所有區域，和發紅色光EL層和陰極使用光罩選 擇性形成。其次，一光罩設定以覆蓋除了用於相關於綠色 之圖素外之所有區域，和發綠色光EL層和陰極使用光罩選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) . go _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 B7 經濟部智慧財度局員工消費合作社印製 五、發明説明（w) 擇性形成。再者’一光罩設定以覆蓋除了用於相關於藍色 之圖素外之所有區域，和發藍色光EL層和陰極使用光罩選 擇性形成。於此說明使用所有不同光罩，但是亦可再使用 相同光罩。此外，較佳的是，執行所有處理而未破壞真空 ，直到對所有圖素形成EL層和陰極。 可使用已知材料當成EL層658。在考量驅動電壓下， 最好使用有機材料當成已知材料。例如，亦可使用以電洞 注入層’電洞傳送層，發光層，和電子注入層之4層構造 當成EL層。再者’在弟十七實施例中，雖然MgAg電極使 用當成EL元件之陰極，但是，本發明並不限於此，陰極亦 可使用其它材料。 再者，適當的是使用包含鋁當成其主要構成之導電膜 當成一保護電極660。此保護電極660可以真空蒸鍍法，使 用與在EL層和陰極形成中所使用不同之光罩形成。此外， 在形成EL層和陰極後，保護電極660最好連續形成而未曝 露至大氣。 以此方式，可完成如圖29C所示構造之主動矩陣EL顯 示裝置。 實際上，在完成至圖29C之狀態後，最好使用具有良 好氣密性質之保護膜（如疊層膜或紫外線硬化樹脂膜），或以 如陶瓷製成之密封罐之殼材料執行封裝（密封），而未曝露至 大氣中。 (第十八實施例） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公楚） 64- 554637 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（62) 在第十八實施例中，說明一種方法，其中el顯示裝置 之發光方向設定至向著下表面（基底側）之方向，和電流線製 造在第十實施例中之訊號線之上部份上。但是，爲了簡化 說明起見，圖中顯示一 CMOS電路，其爲驅動電路之基本 電路。於此，驅動電路TFT可使用第十實施例所述之製造 方法製造，因此省略其說明。 首先，如圖30A所示，準備一基底701，其表面上提供 一底膜702。在第十八實施例中，100 nm厚之氮氧化矽膜 和200 nm厚之氮氧化矽膜之疊層膜使用當成在一結晶玻璃 上之底膜。此時，在接觸結晶玻璃側之氮濃度最好設定爲 10至25 wt%。當然，亦可將一元件直接形成在一石英基底 上，而未提供底膜。 其次，以已知之膜形成法形成45 nm厚之非晶矽膜703 在底膜702上。於此無需限制於非晶矽膜，只要是其爲含 非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）之任何膜皆可使用 。此外，亦可使用含非晶構造之化合物半導體膜，如非晶 矽鍺膜。 由此至圖30C之方法可完全參考本申請人之日本專利 申請案第平1 0-2477 35號案所述。在此專利案中，揭示藉由 使用如鎳等之元素當成觸媒而使半導體膜結晶之方法之技 術。 首先，形成具有開口部份704a，704b，和704c之保護 膜705。在此實施例中，使用150 nm厚之氧化矽膜。而後 ，以旋轉塗覆法形成含鎳（Ni)層706在保護膜705上。關於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -65- 554637 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（63 ) 含鎳層之形成可參考上述專利。 其次，如圖30B所示，在惰性氣體中，在570 °C下熱處 理14小時以使非晶矽膜703結晶。鎳接觸之區域707a ’ 707b ，和7〇7c(添加鎳區域）爲開始結晶之啓始點，此結晶 大致平行基底進行，以形成具有條狀晶體排列在一起之晶 體構造之多晶矽膜708。 其次，如圖30C所示，週期表15族（最好爲磷）之元素 添加至添加鎳區域707a，707b，和707c，而以保護膜705 當成光罩。以此方式，可形成添加高濃度磷之區域709a ， 709b，和709c(添加磷區域）。 其次，如圖30C所示，在惰性氣體中，在600 °C下執行 熱處理12小時。以此熱處理，存在於多晶矽膜708中之鎳 .移動，且最後，幾乎所有鎳皆在添加磷區域709a，709b， 和709c中被捕捉，如箭頭所示。此即爲以磷對金屬元素（ 在此實施例中爲鎳）之吸氣效應之現象。 以此處理，留在多晶矽膜710中之鎳濃度以SIMS(二次 離子質量頻譜儀）量測降低至2 X 1017原子/cm3。鎳爲半導體 壽命之殺手，且如果鎳濃度降低至此位準時，則對TFT之 特性不會有害。再者，此濃度幾乎在由現今SIMS所能量測 之極限，且因此，預期會有實際更低之濃度（不超過2 X 1017 原子/cm3)。 因此可獲得多晶矽膜7 10 ，其使用觸媒結晶，且其中 觸媒之位準降低至不會破壞TFT功能之位準。而後，藉由 定圖樣形成只具有多晶矽膜7 1 0之主動層7 11 a和7 1 1 b。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4胁（210X297公後):_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（64 ) 時，可使用上述多晶矽膜形成在後續定圖樣時執行光罩對 準之標示（圖30D)。 其次，以電漿CVD法形成50 nm厚之氮氧化矽膜，如 圖3 0E所示，再者，在氧化氣體中，在95 0 °C下，藉由熱處 理1小時以執行熱氧化處理。氧化氣體可爲氧氣或添加有 鹵素之氧氣。 在此熱氧化處理中，在主動層和上述氮氧化矽膜之介 面中進行氧化，藉以氧化約1 5 nm厚之多晶矽膜，以形成約 30 nm厚之氧化矽膜。亦即，約50 nm厚之氧化矽膜和約30 nm厚之氮氧化矽膜之疊層膜形成80 nm厚之閘極絕緣膜712 。以此熱氧化處理，主動層711a和711b之厚度爲30 nm。 其次，如圖3 1A所示，形成阻止光罩7 1 3，且授予p型 導電率之雜質元素（以下稱P型雜質元素）經由閘極絕緣膜 712添加。可使用週期表13族之元素，如硼或鎵，當成p型 雜質元素。此處理爲用以控制TFT之臨界電壓之處理（通道 摻雜處理）。 在此實施例中，以二硼化氫（B2H6)電漿激勵以離子摻雜 添加硼，而未進行質量分離。當然亦可進行執行質量分離 之離子摻雜。藉由此處理，可形成含硼濃度1 X 1〇15至1 X 1018原子/cm3(典型爲5 X 1〇16至5 X 1017原子/cm3)之雜質區 域 714。 而後，形成阻止光罩7 16，如圖3 1 B所示，和經由閘極 絕緣膜712添加授予η型導電率之雜質元素（以下稱n型雜 質元素）。通常使用週期表第15族中之元素當成η型雜質元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公着) ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 ____B7 五、發明説明（65) 素，且典型的爲使用磷或砷。在此實施例中，使用磷化氫 (PH3)之電漿激勵電漿摻雜方法，添加1 X 1〇i8原子/cm3之濃 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 度之磷’而無質量分離。當然亦可進行執行質量分離之離 子植入法。 在以此處理形成之η型雜質區域7丨5中，控制n型雜質 元素之劑量以使濃度在2 X 1〇16至5 X 1019原子/cm3間（典型 爲在5X 1017至5X 1018原子/cm3間）。 其次’如圖31C所示，進行所添加n型雜質元素和p型 雜質元素之活化處理。於此無需對活化機構做任何限制， 但是因爲已提供閘極絕緣膜7 1 2 ，因此最好使用電爐之爐 退火處理。再者，在圖3 1 Α之處理中，有可能破壞主動層 和當成通道形成區域之部份之閘極絕緣膜之介面，且因此 .，最好在儘可能高的溫度上執行熱處理。 在此實施例中，使用具有高熱阻之結晶玻璃，且因此 ，以爐退火在800 °C下執行活化處理1小時。亦可以氧化氣 體之處理氣體而執行熱氧化，或藉由在惰性氣體中執行熱 處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，形成具有200至400 nm厚之導電膜且定圖樣， 以形成閘電極622，719至724，和汲極接線717和718。 閘電極719至714之線寬度決定每一 TFT之通道長度（圖 31D)。 閘電極可以單層導電膜形成，但是，最好製成兩層或 三層之疊層膜。可使用已知之導電膜當成閘電極材料。特 別的，可使用選自鈦（Τι)，鉬（Ta)，鉬（Mo)，鎢（W)，鉻（C〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .go . 554637 Α7 Β7 五、發明説明（66) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和矽（Si)之元素所製成之膜；或上述元素之氮化物膜（典型 的，氮化鉅膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）；或上述元素之結 合之合金膜（典型的，Mo-w合金或Mo-Ta合金）；或上述元 素之矽化物膜（典型的，矽化鎢膜或矽化鉅膜）。當然亦可使 用單層膜或疊層膜。 在此實施例中，使用50 nm厚之氮化鎢（WN)膜722至 724，和350 nm厚之W膜719至721之疊層膜。可以濺鍍法 形成此膜。再者，如果如Xe或Ne之惰性氣體添加當成濺 鍍氣體時，可防止因爲應力之膜剝離。 閘電極7 1 9(722)和720(723)在橫截面中看似分離，但是 ，它們實際電連接。 其次，如圖32A所示，η型雜質元素（在此實施例中使 用磷）以自我對準方式以閘電極719至724，和汲極接線717 和718當成光罩添加。可調整此種添加，因此磷以η型雜質 區域715之濃度之1/2至1/10(典型爲1/3至1/4)添加至所形 成之雜質區域725至729。特別的，濃度最好爲1 X 1016至 5X 1018 原.子/cm3(典型爲 3X 1017至 3X 1018 原子/cm3)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，形成阻止光罩730a至730c以覆蓋閘電極，如圖 32B所示，和添加η型雜質元素（在此實施例中使用磷），以 形成含有高濃度磷之雜質區域731至733。於此，亦執行使 用磷化氫（ΡΗ3)之離子摻雜，以使此區域之磷濃度爲1 X 102° 至 1 X 1021 原子/cm3(典型爲 2 X 102°和 5 X 102° 原子/cm3)。 以此方法形成η通道TFT之源極區域和汲極區域，但 是在開關TFT中，留下有由圖3 2A之方法所形成之η型雜質 -69 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（67 ) 區域725至7 27之一部份。其餘區域變成開關TFT之LDD區 域。 其次，如圖32C所示，移去阻止光罩730a至730c，和 形成一新的阻止光罩34。而後添加p型雜質元素（在此實施 例中使用硼），以形成含有高濃度硼之雜質區域735和736 。於此使用硼化氫（B2H6)之離子摻雜’而添加硼至濃度爲3 X 102Q至 3 X 1021 原子/cm3(典型爲 5 X 102°至 1 X 1021 原子 /cm3) 〇 磷已以濃度爲1 X 1〇2°至1 X 1021原子/cm3添加至雜質 區域735和736，但是，硼以至少磷濃度之三倍添加。因此 ，事先形成之η型雜質區域已完全的形成反向爲p型，且作 用當成Ρ型雜質區域。 其次，在移除阻止光罩734後，形成第一中間層絕緣 膜7 37，如圖32D所示。關於第一中間層絕緣膜737方面， 可使用含砂之單層絕緣膜，或亦可使用一疊層膜。再者， 可使用介於400 nm和1.5 μιη之膜厚度。此實施例中使用800 nm厚氧化砂膜在200 nm厚氮氧化砂膜上之疊層構造。 而後，以相關濃度添加之η型雜質元素和ρ型雜質元素 受到活化。關於活化機構方面，最好使用爐退火。在此實 施例中，執行之熱處理爲在電爐中在惰性氣下在550 °C下 熱處理4小時。 此外，在含有3至100%氫之氣體中，在300至450 °C上 執行熱處理1至1 2小時，以執行氫化。此處理爲以熱激勵 之氫終結在半導體膜中之懸垂鍵之處理之一。亦可執行電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554637 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 A7 __B7_五、發明説明（68 ) 漿氫化（使用以電漿激勵之氫）當成氫化之另一方式。 在第一中間層絕緣膜737之形成時亦可進行氫化步驟 。亦即，氫處理可如上述在形成200 nm厚之氮氧化矽膜後 執行，而後形成剩餘之800 nm厚之氧化矽膜。 其次，如3 3 A所示，在第一中間層絕緣膜7 3 7和閘極絕 緣膜712中形成接觸孔，藉以形成源極接線73 8，739和汲 極接線740，741。在此實施例中，具有100 nm鈦膜，300 nm含鈦鋁膜，和150 nm鈦膜連續以濺鍍形成之三層構造之 疊層膜使用當成電極。當然亦可使用其它導電膜。 其次形成厚度爲50至500 nm(典型的爲介於200和300 nm間）之第一鈍化膜742。在此實施例中，使用300 nm厚之 氮氧化矽膜當成第一鈍化膜742。此氮氧化矽膜亦可以氮 化矽膜取代之。 在氮氧化矽膜形成前，可有效的執行使用含如H2或 NH3之氫之氣體之電漿處理。以此先前處理激勵之氫乃供應 至第一中間層絕緣膜737 ，和藉由執行熱處理，可改善第 一鈍化膜742之膜品質。同時，添加至第一中間層絕緣膜 7 37之氫擴散至下側，和主動層可有效的受到氫化。 其次，如圖33B所示，形成一絕緣膜743。在此實施例 中，使用氮氧化矽膜當成絕緣膜743。而後，到達接線739 之一接觸孔形成在絕緣膜743，第一鈍化膜742，和第一中 間層絕緣膜737中，以形成一電源線744。在此實施例中’ 電源線744爲以氮化鎢膜和鎢膜形成之疊層膜。當然’亦 可使用其它導電膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 71 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7五、發明説明（69) 其次，如圖33C所示，以一有機樹脂形成第二中間層 絕緣膜742。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺，丙烯 酸，和BCB(苯並環丁烷）等材料。特別的，由於第二中間層 絕緣膜745需要位準化由TFT所形成之步階，且因此，最好 使用具有優良位準特性之丙烯酸。在此實施例中形成2.5 // m之丙烯酸膜。 其次，如圖33D所示，到達汲極接線741之一接觸孔形 成在第二中間層絕緣膜745 ，絕緣膜743 ，和第一鈍化膜 742中，而後形成圖素電極（陽極）746。在此實施例中，形 成厚度1 10 nm之銦錫氧化膜（ITO)，且定圖樣，形成圖素電 極。再者，亦可使用2至20 %氧化鋅（ZnO)混合在氧化銦中 之透明導電膜。此圖素電極變成EL元件之陽極。 其次，如圖34所示，形成500 nm厚之樹脂747a和 747b，和開口部份形成在相關於圖素電極746之位置上。 其次，以真空蒸鍍法連續形成EL層748和陰極（MgAg 電極）749，而未曝露至大氣。EL層74 8之膜厚度可設爲80 至200 nm(典型的介於100至120 nm)，和陰極749之厚度可 設爲180至300 nm(典型的介於200至250 nm)。 在此處理中，EL層和陰極依序形成以對應，於相關於紅 色之圖素，相關於綠色之圖素，和相關於藍色之圖素。但 是，EL層相對於溶液相當微弱，且因此，EL層和陰極必 須相對於每一顏色形成，而未使用微影成像技術。而後， 最好使用金屬光罩以覆蓋所需圖素外之區域，且較佳的是 選擇性的形成EL層和陰極只在所需位置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -72- 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明（7〇 ) 換言之，一光罩首先設定以覆蓋除了用於相關於紅色 之圖素外之所有區域，和發紅色光EL層和陰極使用光罩選 擇性形成。其次，一光罩設定以覆蓋除了用於相關於綠色 之圖素外之所有區域，和發綠色光EL層和陰極使用光罩選 擇性形成。再者’一光罩設定以覆蓋除了用於相關於藍色 之圖素外之所有區域，和發藍色光EL層和陰極使用光罩選 擇性形成。於此說明使用所有不同光罩，但是亦可再使用 相同光罩。此外，較佳的是，執行所有處理而未破壞真空 ，直到對所有圖素形成EL層和陰極。 可使用已知材料當成EL層748。在考量驅動電壓下， 最好使用有機材料當成已知材料。例如，亦可使用以電洞 注入層，電洞傳送層，發光層，和電子注入層之4層構造 當成EL層。再者，在此實施例中，雖然MgAg電極使用當 成EL元件之陰極，但是，本發明並不限於此，陰極亦可使 用其它材料。 再者，適當的是使用包含鋁當成其主要構成之導電膜 當成一保護電極750。此保護電極750可以真空蒸鍍法，使 用與在EL層和陰極形成中所使用不同之光罩形成。此外， 在形成EL層和陰極後，保護電極750最好連續形成而未曝 露至大氣。 以此方式，可完成如圖34所示構造之主動矩陣EL顯示 裝置。 實際上，在完成至圖34之狀態後，最好使用具有良好 氣密性質之保護膜（如疊層膜或紫外線硬化樹脂膜），或以如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _7〇 β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554637 A7 __ B7 五、發明説明（71 ) 陶瓷製成之密封罐之殻材料執行封裝（密封），而未曝露至大 氣中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (第十九實施例） 藉由應用本發明所製造之EL顯示裝置可使用在各種電 子設備。以下說明安裝應用本發明所製造之EL顯示裝置當 成顯示媒體之電子設備。 此種電子設備包括電視接收器，電話，視頻相機，數 位相機’頭戴式顯示器（魚眼型顯示器），遊戲機，車輛導航 系統，個人電腦，手提資訊終端（如手提電腦，行動電話， 或電子書）等。這些範例如圖17A至17F所示。 圖17A爲一個人電腦，且包含一主體2001 ，一殼2002 ，一顯示部份2003，和一鍵盤2004。本發明之EL顯示裝 置可使用在個人電腦之顯示部份2003。 圖17B爲一視頻相機，且包含一主體2101 ，一顯示部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 份2102，一聲音輸入部份2103 ，操作開關2104 ，一電池 2 1 0 5 ，和一影像接收部份2 1 0 6。本發明之E L顯示裝置可 使用在視頻相機之顯示部份2 102。 圖17C爲一頭戴型顯示器之部份（右側），且包含一主體 2301 ，一訊號線2302，一頭固定帶2303 ，一螢幕監視器 2304 ，一光學系統2305 ，和一顯示部份2306。本發明之 EL顯示裝置可使用在頭戴式顯示器之顯示部份2306。 圖17D爲一安裝有記錄媒體之影像播放裝置（特別是， DVD播放裝置），且包含一主體2401，一記錄媒體（如CD， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐1 -74- " 554637 A7 ______Β7 五、發明説明（72 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) LD，或DVD)2402，一操作開關2403，一顯示部份（a)2404 ’和一顯示部份（b)2405。顯示部份（a)2404主要使用於顯示 影像資訊，和顯示部份（b)2405主要使用於顯示文字資訊。 本發明之EL顯示裝置可使用在安裝有記錄媒體之影像播放 裝置之顯示部份（a)2404和顯示部份（b)2405。値得注意的是 ’本發明可使用在如CD播放裝置和遊戲設備之裝置中當成 安裝有記錄媒體之影像播放裝置。 圖17E爲一行動電腦，且包含一主體250 1 ，一相機部 份2502，一影像接收部份2503 ，操作開關2504 ，和一顯 示部份2505等。本發明之EL顯示裝置可使用在行動電腦之 顯示部份2 5 0 5。 圖17F爲一 TV接收器，且包含一主體2601a，一顯不 部份2604c，操作開關2604d等。本發明之EL顯示裝置可 使用在TV接收器之顯示部份2604c。 再者，如果未來可改善EL材料之發射亮度時，此EL 材料亦可使用在前面型或背面型投影器中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，本發明之可應用範圍極廣，且本發明可應 用至所有領域之電子設備。再者，此實施例之電子設備亦 可使用第一至第十八實施例之自由結合之構造而達成。 在習知EL顯示裝置中，當螢幕尺寸變大時，會因爲大 尺寸而造成電流之增加而在電流線上發生電位降’且如此 會產生之問題是影像顯示之品質受到損壞。 但是，本發明可藉由上述構造降低接線電阻之效應， 且即使在EL元件中流動之電流增加，亦可執行顯示而不會 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐）-75 - 554637 A7 B7五、發明説明（73 )使圖像品質遭受破壞。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -了6 -

Claims (1)

  1. 554637 A、申請專利範圍 附件1: 第901 10778號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年1 2月23日修正 1 . 一種顯示裝置，包含： 多數源極訊號線在一絕緣表面上； 多數閘極訊號線橫過該多數源極訊號線； 多數電源線包含多數第一電源線和多數第二電源線沿 該多數閘極訊號線或多數源極訊號線； 多數圖素設置成矩陣型式在該絕緣表面上，每一圖素 具有一 EL元件，一薄.膜電晶體用以開關，和一薄膜電晶體 用以驅動該EL元件；和 第一和第二輸入部份，該第一輸入部份具有至少一外 部輸入端連接至多數第一電源線，和該第二輸入部份具有· 多數至少一外部輸入端連接至多數第二電源線； 其中該第一和第二輸入部份分離的設置。 2 · —種顯示裝置，包含： 多數源極訊號線在一絕緣表面上； 多數閘極訊號線橫過該多數源極訊號線； 多數電源線包含多數第一電源線和多數第二電源線沿 該多數閘極訊號線或多數源極訊號線； 多數圖素設置成矩陣型式在該絕緣表面上，每一圖素 具有一 EL元件，一薄膜電晶體用以開關，和一薄膜電晶體 用以驅動該EL元件；和 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 絲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554637 A8 B8 C8 __^_ D8 夂、申請專利範圍 多數輸入部份，每一輸入部份具有多數外部輸入端連 接至多數第一電源線之一部份； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該多數電源線分成至少兩群，每一群連接至該多 數輸入部份之一； 其中從多數外部輸入端提供電位至每一電源線。 3.—種顯示裝置，包含： 多數源極訊號線在一絕緣表面上； 多數閘極訊號線橫過該多數源極訊號線； 多數電源線包含多數第一電源線和多數第二電源線沿 該多數閘極訊號線或多數源極訊號線； 多數圖素設置成矩陣型式在該絕緣表面上，每一圖素 具有一 EL元件，一薄膜電晶體用以開關，和一薄膜電晶體 用以驅動該EL元件； 多數輸入部份，每一輸入部份具有多數外部輸入端連. 接至多數第一電源線之一部份；和 多數饋回放大器，每一饋回放大器連接至該多數外部 輸入端之一， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中從多數饋回放大器之一經由多數外部輸入端之一 提供電位至每一多數電源線。 4 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該多數電 源線設置成一矩陣。 5 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該多數電 源線設置成一矩陣。 6 ·如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該多數電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -2 · 554637 A8 B8 C8 __D8 六、申請專利範圍 源線設置成一矩陣。 7 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該多數電 源線由形成源極訊號線之一接線層和形成閘極訊號線之一 接線層所形成。 8 .如申請專利範圍第2 ’項之顯示裝置，其中該多數電 源線由形成源極訊號線之一接線層和形成閘極訊號線之一 接線層所形成。 9 _如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該多數電 源線由形成源極訊號線之一接線層和形成閘極訊號線之一 接線層所形成。 10 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該多數 電源線由不同於形成源極訊號線之接線層之一接線層和形 成閘極訊號線之一接線層所形成。 11 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該多數· 電源線由不同於形成源極訊號線之接線層之一接線層和形 成閘極訊號線之一接線層所形成。 1 2 ·如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該多數 電源線由不同於形成源極訊號線之接線層之一接線層和形 成閘極訊號線之一接線層所形成。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該多數 電源線由不同於形成閘極訊號線之接線層之一接線層和形 成源極訊號線之一接線層所形成。 14 ·如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該多數 電源線由不同於形成閘極訊號線之接線層之一接線層和形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 554637 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 成源極訊號線之一接線層所形成。 15 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該多數 電源線由不同於形成閘極訊號線之接線層之一接線層和形 成源極訊號線之一接線層所形成。 1 6 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該多數 電源線由和形成閘極訊號線之接線層和形成源極訊號線之 接線層不同之接線層所形成。 1 7 ·如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該多數 電源線由和形成閘極訊號線之接線層和形成源極訊號線之 接線層不同之接線層所形成。 1 8 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該多數 電源線由和形成閘極訊號線之接線層和形成源極訊號線之 接線層不同之接線層所形成。 1 9 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中在行方 向中之多數多數電源線之數目小於在行方向中該多數圖素 之數目。 20 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中在行.方 向中之多數多數電源線之數目小於在行方向中該多數圖素 之數目。 21 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置.，其中在行方 向中之多數多數電源線之數目小於在行方向中該多數圖素 之數目。 22 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中在列方 向中之多數多數電源線之數目小於在列方向中該多數圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先聞脅背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554637 A8 B8 C8 一 _D8 六、申請專利範圍 之數目。 2 3 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中在列方 向中之多數多數電源線之數目小於在列方向中該多數圖素 之數目。 24 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中在列方 向中之多數多數電源線之數目小於在列方向中該多數圖素 之數目。 25 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示 裝置之顯示部份之對角線爲20吋或更大。 26 ·如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該顯示 裝置之顯示部份之對角線爲20吋或更大。 27 .如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該顯示 裝置之顯示部份之對角線爲20吋或更大。 2 8 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示 裝置爲選自由電視接收器，視頻相機，影像再生裝置，頭 戴顯示器，和手提資訊終端所組成之群之裝置。 29 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該顯示 裝置爲選自由電視接收器，視頻相機，影像再生裝置，頭 戴藏不器’和手提資訊終端所組成之群之裝置。 3 0 ·如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該顯示 裝置爲選自由電視接收器，視頻相機，影像再生裝置，頭 戴顯示器，和手提資訊終端所組成之群之裝置。 3 1 ·如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中兩群之 每一群具有5至50條電源線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -5 - 554637 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 32. —種發光裝置，包含： 多數閘極訊號線在一基底上； 多數源極訊號線橫過該多數閘極訊號線； 多數第一電源線沿該多數閘極訊號線；和 多數第二電源線沿該多數源極訊號線， 其中多數第一電源線和多數閘極訊號線以相同材料製 成，和 其中多數第一電源線和多數第二電源線經由接觸孔連 接。 33. —種發光裝置，包含： 多數薄膜電晶體在一基底上，該電晶體包含雜質區域 和設置在雜質區域間之一通道形成區； 多數閘極訊號線在多數薄膜電晶體上； 多數源極訊號線橫過該多數閘極訊號線； 多數第一電源線沿該多數閘極訊號線；和 多數第二電源線沿該多數源極訊號線， 其中多數第一電源線和多數閘極訊號線以相同，材料.製 成， 其中多數第一電源線和多數第二電源線經由接觸孔連 接，和 · . 其中雜質區域之一連接多數第二電源線之一。. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 554637 ,社 j 補?K!必 民國91年12月23日修正 貧0778號專利申請案 中文圖式修正頁
    554637 16
    Vin V1 第5圖 14 554637. i
    18
    20 第23廣 554637
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