TW486593B - Manufacturing process of an electro-optical element - Google Patents

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486593 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 〔發明之背景〕 本發明係關於將薄膜電晶體（K下簡稱為TF T )使用於 開關（switching)元件之有源矩陣型之液晶顯示裝置（M下 簡稱為LCD)之製造方法，更詳而言，係有關使用經由五次 微影製程（photolithography process)形成點缺陷及線缺 陷較少之TFT陣列（array),以製造使用顯示特性及生產性 獲得改善之TFT之有源矩陣（activematrix)聖液晶顯示裝 置（TFT-LCD)之方法。 使用液晶之電氣光學元件的液晶顯示裝置，目前正在 積極地應用於顯示器（d i s p 1 a y ), —般而言，使用液晶之電 氣光學元件，係具有：由液晶所成液晶層，係被夾持在分 別在其上面及下面具備有電極之兩片基板之間，且在兩基 板之上下設有偏光板，如係透過型者則在背面設有背照光 燈（backlight)之結構，上下基板中具有電極之表面係經施 予所謂定向處理，並使可代表液晶分子的平均方向之導向 體（director)控制在所希望之初期狀態。 液晶具有雙折射性，自背照光燈透過偏光板而入射之 光，則因雙折射而變成橢圓偏光，入射於相反側之偏光板 ,於此狀態下，若對上下電極間施加電壓，則可獲得下列 電氣光學效果，即，改變導向體之排列狀態，改變液晶層 之雙折射率，改變入射於相反側偏光板之橢圓偏光狀態， 使得透過電氣光學元件之光強度及光譜（spectrum)會變化 等，此電氣光學效果乃係依諸如：所使用之液晶相之種類 (向列型相、層列型相、膽固醇型相）等、初期定向狀態、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29T公釐） 1 (修正頁）3 9 5 9 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

486593 A7 ___B7___ 五、發明說明（2 ) 偏光板之偏光軸方向、液晶層厚度，或設置在光將透過的 路徑上之彩色滤光片或各種干涉膜（film)而異，其詳情可 見於公知文獻等，一般係利用向列型液晶相而使用稱作TN (扭轉向列型）、S T N (超杻轉向列型）之结構者。 使用液晶之顯示用電氣光學元件，有單純矩陣型液晶 顯示裝置，及將TFT當做開關元件使用之TFT-LCD。 在擄帶性、顯示品質方面，比CRT (陰極射線管）或單純 矩陣型液晶顯示裝置較具有優異特徵之TFT-LCD,已在筆記 型個人電腦等領域廣泛地獲得實用化，TFT-LCD, —般係在 其T F T陣列基板與對向基板之間夾持有液晶層，T F T係K陣 列狀形成在TFT陣列基板上，在對向基板上則設有共通電極 及彩色濾光片，在如上述之TFT陣列基板及對向基板之外側 ,則分別設有偏光板，且在一方之側則設有背照光燈，藉 由此種结構便可獲得良好顯示。 然而，TFT-LCD,卻需要製備應用半導體技術而Μ陣列 狀在玻璃基板上形成有TFT而成之TFT陣列基板，致不但需 要不少製程步驟，且也容易造成各種缺陷之問題，如Μ製 造V G Α (視頻圖解陣列）規格之T F Τ - L C D為例，則須在玻璃基 板上至少製備：864000件TFT, 480條可依順序掃描選擇各 TFT之閘極配線，Μ及1800條可對畫素電極輸入寫入訊號電 位之源極配線，並且，閘極配線和源極配線則需以略圼正 交狀態下作成，因此，乃有容易發生各種顯示缺陷，如閘 極配線斷線、源極配線斷線、閘極配線和源極配線間之短 路、T F Τ不良所造成之缺陷等問題，另外，為製作T F Τ而需 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公坌) 2 (修IE頁)~3 9 5 9 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 譫 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486593 Λ7 B7 五、發明説明（3 ) 要更多製程，便是意味著將成為引起缺陷之原因，且有因 製造所需設備增加，使製造成本增加之問題。 請 先 閱 讀 背 面 i 事 項 再 填 寫 本 頁 再者，TFT-LCD,由於其所使用之閘極配線和源極配線 一般係將金屬薄膜施予圖案形成（pattering)製程而作成， 所K配線部分不可能讓光透過，因此，TFT-LCD之表面中能 利用到電氣光學效果之領域之比率，即所謂開口效率（ aperture efficiency)必然減少，致有降低背照光之光利 用效率之問題。 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 另外，在TFT-LCD,用於開關動作（switching)之TFT, 由於存在著寄生電容，因此，TFT自ON狀態轉換為OFF狀態 時，則將產生自源極配線施加顯示訊號而改變寫入於盡素 電極之電位之現象，此係稱作穿場（field through)之現象 ，其電位變化量dVgd,設施加TFT之閘極選擇訊號電位為 Vgh,非選擇電位為Vgl, TFT之閘極和汲極間之寄生電容為 Cgd,畫素電極之負載電容為Cpix時，則可KdVgd=(Vgl-Vdh)xCgd/(Cgd + Cpix)代表之，對液晶層施加較大直流電 壓時，因液晶中雜質被吸附在用Μ定向處理之聚醯亞胺膜 ，或因聚醯亞胺單_化（poling)之緣故，使電氣光學元件 之電壓一透過率特性變化，產生所顯示之影像拖尾（ sticking)之現象，因此，使用液晶之電氣光學元件，Μ 依順序方式作掃描選擇顯示時，則係由能就選擇掃描所有 閘極配線之每一框（frame),令施加在液晶之電壓極性變成 相反之交流來驅動，而對向基板之共通電極電位之DC電位 ，較理想為與畫素電位之DC電位大致相同，然因Cpix係包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 3 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説明（4 ) 括液晶電容，且會依所施加之有效電壓面變化，致dVgd將 依顯示訊號而異，使得畫素電位之DC電位則因顯示訊號而 互異。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 與此相對，對向基板之共同電極乃是通用於所有畫素 之電極，必然的只能取得一定之DC電位，致依存於顯示訊 號而互異的D C電位即將施加到液晶，由該畫素電位之D C電 位顯示訊號所引起之差d ( d V g d ),則在液晶介電常數之最小 狀態與最大狀態之間成為最大，若液晶之定向狀態為TN、 S T N方式時，則在顯示訊號中將施加最小有效電壓之顯示訊 號，與將施加最大有效電壓之顯示訊號之間，成為最大。

令d(dVgd)值小，而製造並無顯示拖尾之顯示器之方法 ，則有①作成C g d小的T F T之方法，或②將C p i X藉與液晶電 容成並聯方式附加輔助電容C s Μ使顯示訊號間之C p i X變化 量變小之方法等，為了實現C g d小的T F T ,則須令連接於T F T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 用 為陣相一 極 者金因 採 α 均FT極某Μ前Μ則 升以此1一&11擇之 ，若 , 要 f ，⑽«is選對電後 須r«等以與fiisl 容 ， ,Η 度 Μ 下較掃任電題 小丨精 ，膜於所中助問 分程叠容緣經間向輔，之 部製重電絕在期對致小 叠g)間助著 ，描相K變 重in層輔夾 即掃極 ，率 之Γη之加而 ，一電極效 間te時附 極線前 素電口 極 了 電配提盡容開 汲(ρβ 為容極線使電成 之成)|，電 閘配 下助造 極形hy外助之極膜輔將 電案ap另輔段閘緣置則 素圖gr，設前之絕設時 畫的ho在另在體著須成 與術it所上或晶夾另形 極技01之板 ，電 ，於膜 閘影ot題 基向膜 線由薄 之微ph問列對薄配 ，屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 3 9 5 9 0 486593 A] B7 五、發明説明（5 ) 閘極配線所負載之電容將增大而產生閘極訊號的延遲，有 效選擇時間的縮短，致顯示訊號無法充分地寫入畫素電極 等原因之故而造成顯示品質降低之問題。 又藉一般使用之步進機（stepper)進行分割曝光而製 造TFT-LCD之TFT陣列時，由於在分割曝光區域間之層間相 叠合之狀態不相同，致TFT之寄生電容Cgd不相同，因此， dVgd在分割曝光區域間也不相同，其結果，由於在分割曝光 區域間畫素電極之D C電位互異，所Μ施加於液晶之有效電 壓產生差異，Μ致有在分割曝光區域間令使用液晶之電氣 光學元件之透過率產生互異，即，所謂拍攝偏差（variation in shots)現象之問題。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 能減少在分割曝光區域間之透過率差異之方法，則有 諸如：①提升分割曝光區域間之層間叠合精度以縮小C g d 在分割曝光區域間之差異之方法，②增大C g d Μ減少產生分 割曝光區域間之層間叠合差異時之C g d之相對性變化量之 方法，③K與液晶電容並聯而附加輔助電容C s ,使C p i X增 大，藉Μ減少因分割曝光區域間之層間產生叠合差異而使 Cgd變化時之dVgd變化之方法等，其中，如要提高分割曝光 區域間之層間疊合精度，則有需要提升曝光裝置之位置精 度或光罩（photo mask)精度之問題，如欲增大Cgd ,則令TFT 之閘極與連接盡素電極之汲極間之重叠部分增大即可，但 由於上述之d(dVgd)將增大，Μ致有容易產生顯示之拖尾現 象之問題，為了附加輔助電容，則須要採取①在TFT陣列基 板另設輔助電容電極而夾介著絕緣膜下與盡素電極相對向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 5 3 9 5 9 0 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7五、發明説明（6 ) ,或②在於前經掃描選擇之閘極配線夾介著絕緣膜下與畫 素電極相對向中任一對策，採取①之對策時，由於另須設 置輔助電容電極，致輔助電容電極若係使用金屬薄膜形成 時，則有導致開口效率降低之問題，採取②之對策時，由 於附加在閘極配線之電容增大，造成閘極選擇訊號的延遲 ，有效的選擇時間的縮短，Μ致因顯示訊號無法充分地寫 入於畫素電極等原因之故，致有會降低顯示品質之問題。 再者，TFT-LCD於非選擇時間中由於在TFT的OFF (截流） 狀態下的漏電流（leakage current)或對夾介液晶之對向 電極的漏電流致畫素電位將變化之現象之故有在顯示元件 面內之輝度分佈將變大之問題，為減少此非選擇時間中的 畫像電位的變化之技術而言有，①增大TFT的OFF (截流）電 阻，②增大液晶的電阻，③藉將C p i X按與液晶電容並聯之 方式附加輔助電容CsM減少因漏電流之畫素電位的變化量 等方法，在此，OFF阻抗係指閘極信號較TFT的臨限值（ threshold value)電壓為低時（即TFT在非選擇狀態下時） 的，源極與汲極之間的電阻之意，為增大TFT的OFF電阻之 對策有，①Μ依和TFT在源極及汲極端之電場（electric field)集中為目的設置偏移（offset)構造或LDD(lightly doped drain輕摻雜汲極）區域，②將非晶形矽（amorphous silicon)膜（a-Si膜）的能帶（energy band)內位準密度予 Μ減少，③將a-Si膜的通道（channel)界面及與通道成相反 側的背通道（back channel)界面的位準密度予Μ減少，④ 將通道寬度W與通道長度L的比值W/L予Μ減少，等的對策， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΙΓ . 填寫木 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 6 3 9 5 9 0 486593 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 為設置偏移構造或LDD領域必須要有微细加工技術或能正 確控制對a-Si膜的不純物濃度分佈之技術，Μ致有將製程 或構造複雜化之問題。 為減少a-Si膜的能帶内位準密度可依成膜條件的最適 化，或藉於成膜後在矽（silicon)的懸空鍵（dangling bond) 上附加氫或氣（fluorine)之終端處理予Μ實現，前者可依 一般採用之電漿（plasma)CVD (化學氣相沈積）之成膜條件 做到最適化，惟在習知之技術若按高於目前的成膜條件予 Μ調低成膜率（r a t e )時則將引起微结晶化，並反而〇 F F電阻 變少之故，可能已達物理性的界限，後者則必須要有在矽 的懸空鍵上附加氫或氟之終端處理之過程之故有將製程複 雜化之問題，為減少a-Si膜的通道界面及與通道成相反側 的背通道界面的位準密度有，①將閘極絕緣膜材料組成或 成膜方法予Μ最適化或②將保護層（passivation)膜材料 組成或成膜方法予K最適化等的對策。 為改善TFT的OFF特性之此等方法，已經於公知文獻詳 细報告，惟均有製程複雜化等之問題，因減少通道寛度W 與通道長度L的比值W / L同時亦減少0 N (通路）電流之故， 有由於顯示信號不能充分地寫入畫素電極等原因引起顯示 品質降低之問題，增大液晶層的電阻可藉選擇於液晶材料 的不纯物濃度的低減或水分等的不純物被攝取時之電阻減 少較小之材料Μ達成，惟仍有TFT的OFF狀態下因漏電流之 故畫素電位將變化之問題，為附加輔助電容必須要有，① 於TFT陣列基板新設置輔肋電容電極並夾介絕緣膜與盡素 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 7 (修正頁）3 9 5 9 0 i^ilr______#! (請先閱讀背面之注意事項再填k本頁) 訂---------線 486593 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 電極相對向，或②在前已經掃描選擇之閘極配線夾介絕緣 膜將畫素電極與之相對向等任一之對策，前者之情況有， 為新設輔助電容，若輔助電容電極Μ金屬薄膜所形成時開 口率將變小之問題，後者之情況有因附加於閘極配線之電 容將增大而發生閘極選擇信號的遲延，有效選擇時間變短 之故顯示信號不能充分寫入於畫素電極等原因引起顯不品 質降低之問題。 又因TFT-LCD有需要對閘極配線、源極配線、輔肋電 容配線等輸入電氣性訊號，故須在顯示部周邊拉出這些配 線俾形成與訊號輸出間之連接端子，一般說來，係將裝載 有驅動用1C之TCP (帶載封裝，tape carrier package)使用 非等向性導電薄膜連接於形成在TFT陣列基板上之連接端 子，顯示部之T F T陣列基板表面，則K環氧樹脂等黏著劑使 顯示部周圍與對向基板相貼合，便能與大氣相隔絕，但與 TCP之連接端子之TCP連接端子部則仍然露出於大氣中，因 此，仍有大氣中水分將腐蝕由導電性薄膜而成之TCP連接端 子部之問題存在。 針對此等問題，一種能減少源極配線斷線之發生，且 能減少閘極配線與源極配線之間的短路之TFT陣列之製法， 曾揭露於日本專利特開昭60-97386號公報，另外，一種能 減少製程數目，由5次微影製程所成之TFT陣列之製法，曾 揭露於日本專利特開平8-50308號公報，又一種可提升TCP 與連接端子之間的連接部分之耐濕性之T F T陣列之製法，曾 揭露於日本專利特開平7- 9 2 4 9 6號公報。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) dl 訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A·丨規格（21〇χ 297公Ϊ ) 8 (修正頁）3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 第 16 圖 及 第 17 圖 分 別 表 示 揭 露 於 特 開 昭 60 -97386 號 公 1 1 報 之 習 知 TFT 陣 列 基 板 的 主 要 部 的 斷 面 說 明 圖 及 顯 示 畫 素 丨 1 的 平 面 說 明 |Μί 圖 > 於 第 16 圖 及 第 17 圖 中 ， 45為 閘 極 9 4 6為 輔 /·V 1 I 請 it 1 助 電 容 電 極 ， 47為 閘 極 絕 緣 膜 t 48為 半 導 體 層 $ 49為 晝 素 先 閱 1 I 讀 1 卜 電 極 $ 50為 源 極 9 51 為 汲 極 9 52為 閘 極 配 線 54為 通 道 部 背 I 之 1 I % 5 6為 源 極 配 線 〇 注 意 1 I 事 1 I 本 習 知 例 中 雖 並 未 詳 细 揭 示 其 製 程 $ 但 如 由 其 固 圖 面 判 項 埴羞 斷 9 料 想 係 按 以 下 說 明 之 方 法 所 製 造 首 先 在 絕 緣 基 板 上 本 百 % 形 成 第 一 導 電 性 薄 膜 $ 其 次 9 於 第 一 微 影 製 程 將 第 一 導 電 貝 1 1 I 性 薄 膜 施 予 圖 案 形 成 (P at t e r η in g) 而 形 成 閘 極 45及 輔 助 電 1 1 1 容 電 極 46 9 接 著 $ 疊 層 閘 極 絕 緣 膜 47及 半 導 體 層 48 t 接 著 1 1 9 於 第 二 微 影 製 程 > 將 半 導 體 層 白 形 成 源 極 50 之 部 分 起 至 訂 1 形 成 TFT 通 道 之 部 分 按 能 成 為 連 續 的 形 狀 之 方 式 施 予 圖 案 1 1 形 成 $ 而 形 成 所 希 望 形 狀 之 半 導 體 層 48 其 次 形 成 第 二 1 | 導 電 性 薄 膜 其 次 9 於 第 三 微 影 製 程 將 第 二 導 電 性 薄 膜 施 m 予 圖 案 形 成 9 Μ 形 成 畫 素 電 極 49 其 次 9 形 成 由 鋁 ( 響· [ 1 a 1 U IS t i η U ID 1)和矽之合金等所成之第三 二導電性薄膜， 其次， 1 1 於 第 四 微 影 製 程 將 第 三 導 電 性 薄 膜 施 予 圖 案 形 成 $ 形 成 1 1 源 極 50及 汲 極 51 $ 其 次 9 如 據 該 特 開 昭 60-97386 丨號 公 報 所 1 1 附 之 圖 面 ，雖然並不明確， 但可能是於第五微影製程， 將 1 | 閘 極 絕 緣 膜 施 予 圖 案 形 成 Μ 形 成 閘 極 配 線 與 閘 極 側 驅 動 1 I 用 1C間 之 連 接 用 接 觸 孔 (c to T it s ic t h [ο 1 e ) 〇 1 1 I 在 本 習 知 例 ♦ 係 揭 示 一 種 包 括 有 如 上 述 各 含 有 微 影 製 1 I 程 之 五 製 程 之 TFT陣列製造方法， 並 敘 述 其 效 果 為 • 將 半 導 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 9 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 —_ 五、發明説明（10 ) 體層形成為自形成源極50之部分起至形成TFT通道之部分 為連續形狀之半導體層48,便可減低源極配線之斷線發生 ，且可減低TFT之源極與半導體層之間的接觸電阻云云。 於第18圖表示揭示於特開平8-50308號公報之第7實施 例之藉五次微影製程所製造TFT陣列基板之主要部分的斷 面說明圖，第1δ圖（a)為源極TCP連接電極之主要部分，第 18圖（b)為顯示盡素之主要部分，第18圖（c)為閘極配線之 部分，於第18圖，57為通道部，58為閘極，59為閘極配線 ,60為閘極絕緣膜，61為半導體有源膜，62為歐姆接觸（ ohmic contact)膜，63為源極，64為源極配線，65為汲極 ，66為保護膜，67,68及69為接觸孔，70為透明盡素電極， 71為源極TCP連接電極。 在本習知例，首先，係MlOOnm左右之厚度在透明基板 形成鉻（chrome)、鉬（molybdenum)、錯等第一導電性金屬 薄膜，其次，於第一微影製程將第一導電性金屬薄膜施予 圖案形成K形成閘極58和閘極配線59,此時，第一導電性 金屬薄膜若為鉻，則使用例如，由（HH4)2[Ce(NH3)6]和 Η N 0 3和Η 2 0所成之蝕刻液來進行濕式蝕刻處理，其次，分別 Μ300ηια、ΙΟΟηπι、20ηπι之厚度將作為第一絕緣膜之SiNx膜 ，作為半導體有源膜61之a-Si膜，作為歐姆接觸膜62之η a-Si膜予Κ叠層。 其次，於第二微影製程，將半導體有源膜61和歐姆接 觸膜62在閘極上方令半導體部分與其他部分呈分離狀態而 在島上施予圖案形成，此時，係Μ由例如，NF和HNOs而成

頁 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 10 39 59 0 486593 A7 五、發明説明（11 ) 之蝕刻液對半導體有源膜和歐姆接觸膜實行濕式蝕刻處理 ，其次，M300nm左右之厚度形成由鈦（titan)等而成之第 二金屬薄膜。 其次，於第三微影製程，將第二金屬薄膜和歐姆接觸 膜施予圖案形成，Μ形成源極63、源極配線64、汲極65及 通道部57,此時，係Μ由例如，NF和Η2〇而成之蝕刻液對第 二金屬薄膜和歐姆接觸膜實行濕式蝕刻處理，並次，藉電 漿CVD法等方法，Μ400ηια左右厚度形成保護膜66。 並次，於第四微影製程，對保護膜施予圖案形成，Μ 形成連通汲極65之接觸孔67，連通閛極配線59之接觸孔67 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項

孔 觸 接 之 4 6 線 配 極 源 通 ί 键 使 如 例 藉 係 膜 護 保 時 此 而里 2 理 Do處 6f刻 S 触 由行 用實 之 成 體 5 帛Ml 刻 浊 ， 次 其 法錫 刻絪 触 式To 乾U - 由 之 )-,成 as形 ΚΛ 度 厚 右 左 m η 訂 e 程 i 製 OX影 η 微 • 1 t 五 m 第 iu於 d η , • 1 ► { 次 物其 化 氧 導 明 透 之 成 而 將 透 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 配 和 -I 3 極 ο 源 Η 〇 與和理 70C1處 極3Η刻 電由虫 ΙξίΠΓ SR * V ®膜严仃 透 ο 實 成ITt) 形，an Μ時ch ，此et 述 上 如 明線H2 膜 導 tom 成 形 案 圖 予 子 端 用 接 Tiffin a 的 間 成 液 刻 程縮 製能 影於 微由 有 ： 含為 各果 Μ 效 •f 1 hux 種其 一 述 示敘 揭並 係 ， 法 丨方 之 列 I 陣 , T J F 例 T 知造 習製 本程 在製 五 之 低可 降故 \1/ , Id在 ie存 (y膜 率護 良 保 高 無 提並 可上 , 極 程電 製素 五畫 之明 程透 製於 影由 微且 有 ， 含本 各成 為造 短製 極 會 源無 及並 極 ， 電成 素形 晝而 明下 透離 於分 由所 且膜 , 緣 壓絕 電藉 加各 施係 層 ， 晶線 液配 對極 地閘 率及 效線 有配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

1 1X 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（12 ) 產生因透明晝素電極形成不良所引起之源極配線或閘極配 線彼此間短路之虞。 此外，本習知例之效果也敘述有：①若使用由金屬薄 膜，與由不容易氧化之材料或由對於透明導電膜以導電性 氧化物而固溶之材料所成阻障（barrier)膜兩者之叠層膜 來構成第一導電性金屬薄膜之情形時，則更因阻障層能提 供氧化防止效果而可確保此等膜與其他導電膜間之接觸性 ，所Μ不容易造成訊號延遲問題，及②金屬薄膜使用導電 性良好的鋁或鉅（t a n t a U m ),便能減薄金屬膜之膜厚，提 高TFT元件整體之階梯覆蓋能力（step coverage),提高產 品良率云云。 於第19圖顯示揭露於特開平7 - 9 2 49 6號公報之習知TFT 陣列基板之與TCP之連接端子部的主要部斷面說明圖，第19 圖中，72為底塗（undercoat)膜，73為引出電極，74為閘極 絕緣膜，75為透明導電膜，76為絕緣保護膜，77為TCP連接 範圍 在本習知例，首先，在絕緣性基板上全面形成由氧化 矽（Si〇2)或氧化鉅（TaOx)所成之底塗膜72,其次，形成由 鋁或鋁合金而成之第一金屬薄膜，而於第一微影製程施予 圖案形成，K形成引出電極73，其次，全面形成閘極絕緣 膜74,其次，由設在顯示盡素之TFT部之第一金屬薄膜而成 之閘極之上部，形成矽半導體層及通道保護膜用之層間絕 緣膜 其次，於第二微影製程，在閘極上部實行通道保護膜 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 12 3 9 5 9 0 486593 Β7 五、發明説明（13 ) 之圖案形成（patterning),其次，形成n +矽膜 再於第三微影製程，將TFT部之n +矽膜及矽半導體層施 予圖案形成，接著，形成透明導電膜。 其次，於第四微影製程，Μ能殘存於畫素電極及引出 電極73之外周部之方式將透明導電膜75加Μ圖案形成，其 次，形成由鈦或鋁而成之第二金屬薄膜作為設在顯示盡素 之TFT部的源極及汲極之用，而於第五微影製程實行圖案形 成，其次，形成絕緣保護膜76,並於第六微影製程藉乾式 蝕刻法在引出電極部形成開口部，TCP ,依所揭示之圖面， 係連接在自引出電極部的開口部朝向與顯示部相反側偏移 少許之位置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 程述 膜產極 造 極案半 存缺時 製敘緣始電 製電圖ί,題點光 路 影並絕開出 術素之 問 Μ 射 微，極部引 技畫生 之時照 六法閘口除 知和發 1 陷示於 8 間 有製之開消 習 4 所 — 缺顯則 線 含的部極能 之膜上 d 生於 ， Μ板 周電此 露體程 g 產將路 種基 外出因 揭 導製 — 易 ，短 一 列極引 ， 所 半際卩 容路的 示陣電自行 報將實 Μ 有短間 Γ 極 揭FT出而進 公上因 致的之 係 Η 引響續 號膜惟 ，間極 , 在影繼86緣 ， 路之電 述?§ρ設度蝕73絕層 短線素 上 Μ 由濕腐-9極一 之配盡 如 f 藉因的60閘同纟間極和 陵 會 , 能止瞑 。昭在為 δ 極源層 例pi於抑薄云開要成 < 電和體 知TC由膜屬云 特需形 素極導 習成：電金 故用則50} 盡電半 本形為導一事採J,極rn和素 ， 在程果明第線若以源te層盡現 製效透之斷 T 和 a 體 ，出 之其和生之TF49(P導在陷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 13 3 9 5 9 0 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 Β7五、發明説明（14 ) Μ點缺陷出現。 而且，本習知技術，由於TFT之通道部露出，致也造成 T F T之0 F F電流增大，顯示品質降低之問題，此外，在本實 施例中，就其所揭露之詳細說明內容而言，對於有關輔助 電容電極之配線不明確，如當做共同電極而K習知技術形 成時，則必須在顯示部周邊形成與第三導電性薄膜相連接 用之接觸孔，此種情形時，微影製程則必須再追加一製程 而成為總共六製程之微影製程。 於特開平8 - 5 0 3 0 8號公報所揭露之習知技術，如依其例 示製程製造TFT陣列時，於第二微影製程，在閘極上方，按 半導體部分與其他部分相分離之狀態下，將半導體有源膜 61和歐姆接觸膜62依島狀施行圖案形成時，若以由HF和 Η N 0 3而成之蝕刻液施予濕式蝕刻處理s則由於未殘留半導 體有源膜和歐姆接觸膜之區域的下層部的作為第一絕緣膜 之氮化矽（SiNx)膜，也將暴露在蝕刻液，而有產生針孔（ Pinhole)之問韙，而且，所殘留之半導體有源膜和歐姆接 觸膜之圖案周圍的下層部的第一絕緣膜SiNx膜也被蝕刻， 使得半導體有源膜和歐姆接觸膜之形狀變成屋籐狀，而有 造成第2金屬薄膜在與半導體有源膜和歐姆接觸膜圖案之 周圍產生底切（undercut;即於有段差之部分，Μ段差為界 ,第2金屬薄膜發生圖案被切割之琨象）之問題。 再者，於第二微影製程，在閘極上方使半導體部與其 他部分成分離狀態下將半導體有源膜61和歐姆接觸膜62依 島狀施行圖案形成時，即使施予乾式蝕刻處理，但於將第 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 39 59 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 486593 Λ7 B7 五、發明説明（15 ) 二金屬薄膜依濕式蝕刻處理施行圖案形成時，仍有蝕刻液 容易浸入半導體有源膜和歐姆接觸膜之圖案周圍之段差部 分之問題，尤其縮短第二金屬薄膜之自成膜起至微影製程 間之擱置時間時，有顯著地發生底切現象之問題。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，於第三微影製程，將第二金屬薄膜和歐姆接觸 膜予Μ圖案形成Μ形成源極63、源極配線64、汲極65、及 通道部57時，如Κ依HF和Η2〇所成之蝕刻液將第二金屬薄膜 和歐姆接觸膜施予濕式蝕刻時，則需要將半導體有源膜和 歐姆接觸膜施予濕式蝕刻之製程，在此製程，由於未殘留 半導體有源膜和歐姆接觸膜的區域的下層部的第一絕緣膜 SiNx膜也將暴露於蝕刻液之故，有時會產生針孔，又因所 殘留之半導體有源膜和歐姆接觸膜的圖案周圍之中未殘留 有源極6 3、汲極6 5的部分的下層部的第一絕緣膜S i N X膜也 將被蝕刻，使得半導體有源膜和歐姆接觸膜的形狀變成屋 籥狀，由於此屋籐部分不能K保護膜徹底加Μ覆蓋之故， 有時TFT之OFF電流將增大，而使顯示品質降低，又畫素透 明電極將在半導體有源膜和歐姆接觸膜圖案周圍發生底切 而產生缺陷，或因殘留於半導體有源膜和歐姆接觸膜圖案 周圍之屋簾部之蝕刻液當TFT陣列施加所定之訊號電壓而 驅動時，使電氣化學反應快速進行，第二金屬薄膜溶解， 而造成源極配線或源極之斷線，或透明電極溶解而產生缺 陷等問題。 又在採用特開平8-50308號公報之第7實施例之製法所 製造之TFT陣列基板中，由於並未具有與液晶電容（在顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 5 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説明（！6 ) 盡素電極與對向電極之間挾介液晶材料而形成之電容）並 聯之輔助電容，致造成顯示拖尾現象或顯示產生亮度分布 等顯示品質上之問題。 又採用特開平7 - 9 2 4 9 6號公報所揭露之習知技術製造 TFT陣列基板時，依據所揭示之圖面，由於TCP係連接在較 引出電極部之開口部稍微偏向與顯示部相反側之位置之故 ，因濕度影響而容易自引出電極的開口部之中未M TCP覆 蓋之部分起開始進行第一金屬薄膜的腐蝕，短期内，此項 腐蝕即使能由設在引出電極外周部之閘極絕緣膜和透明導 請 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 頁 致 不 尚 雖 或 線 斷 成 造 會 仍 言 而 期 長 就 但 止 抑 所 膜 電 高 增 阻 電 接 Μ 連 之 間 線 配 部 示 顯 與 Ρ C Τ 因 將 則 但 線 斷 成 造 於 成 造 所 真 失 號 訊 起 引 而 術 技 知 習 本 在 又 探 性 氣 對 〇 成 題形 問子 之端 化接 變連 性CP 特f 示 顯 在 為 膜 電 導 明 透 之 高 較 性 賴 信 圖圖用 19行適 第施若 備此 ， 製對圍 先及範 須 ，術 則膜技 ，成之 之一不 極揭 電所 明在 透 ， 加此 追因 再 ， ， 程 後製 造影 ng構微 bi之之 Γ0示成 (P揭形 測所案 行 進 部 子 端 接 ί Ρ C Τ 於 置 裝 査 檢 依 後 板 基 列 I 降 Τ F Τ 造 製 anlv 於 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 板 基 良 不 除 選 性 特 Μ 施例 比 _知 fftt 4/ 藉薄習 ，屬本 金 ， 一 外 第另 在 ， 接題 直問 須之 則定 , 判 TF時誤 之程生 部製發 示之易 顯量容 查數成 檢板造 , 基致 測向 ， 探對測 性少探 氣減予 程 製 影 微 六 需 也 造之 製極 之電 件素 元畫 學之 光體 氣 晶 ipr 之膜 明薄 發之 本接 關 3 有氣 , 電 題經 問有 1 述具 述上： 槪決由 之解係 明為 ， 發 法 C 方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 16 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（1?) 顯示盡素係在第 膜電晶體依順序 入訊號電位之源 T F T陣列基板；在 電極而成之對向 和對向基板相貼 板下側各設有偏 特徵為至少包括 (a )在前述 一絕緣性基板上形成為陣列狀；將各該薄 掃描選擇之閘極配線與將畫素電極施加寫 極配線係按正交狀態形成為矩陣狀而成之 第二絕緣性基板上形成彩色濾光片及共同 基板之間夾持液晶層使上述TFT陣列基板 合；在上述TFT陣列基板上側和上述對向基 光板；而成之電氣光學元件之製造方法，其 有： 第一絕緣性基板上形成第一金屬薄膜後， 於第一次微影製程，將前述第一金屬薄膜施行圖案形成， Μ形成前述閘極配線及前述薄膜電晶體的閘極之製程； 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 觸源部 前及歐溢 述少屬之 接有之 將 Μ 述極 上 至金面 姆體體 ，線前汲 將 成一表 歐導晶 程 配將及 ，形第膜 及半電 製極法極 程 並述薄 Μ該膜 影源刻源 製 ，前屬 、 將薄；微述蝕 、 影成至金 膜法及程次前式線 微 形通二 源刻 線製三 成乾配 次 案穿第 有蝕配之第 形依極 四 圖和述 體式極 成於以 再源 第 行孔前 導乾源形 ， ， ，述 於施觸至 半依 述案後成極前 ，膜接通 、 ， 上圖膜 形汲從 後 緣素穿 膜程 成行薄 案及除 膜絕 盡和 緣製形施屬 圖極去 緣一之孔 絕影較狀金行源Κ絕第面觸 一 微按形二 施的刻 。二 述表接 第次膜 的第膜 體蝕程 第上極 一 成二 觸續 成薄晶 行製成 及汲第 形第接連形屬電施 之形膜述之 } 於姆且 } 金膜膜分} 緣前面 (b, 歐大(C二 薄觸部(d絕至表 後及為 第述 接之 二通膜 膜膜 分 述 前姆出 第穿薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 39 59 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（) 第二接觸孔之製程； (e)形成導電性薄膜後，於第五次微影製程，將前述 導電性薄膜施行圖案形成，以形成畫素電極之製程。 令上述較佳為源極係自源極配線的前述閘極配線和源 極配線之交叉部Μ外之部分，經延伸形成至閘極配線上， 則當顯示耋素之TFT發生缺陷時，可藉雷射照射切斷源極， 俾消除因顯示畫素的TFT部的缺陷對其他顯示畫素之影響。 較佳為前述源極係自源極配線的前述閘極配線和源極 配線之交叉部起，經延伸形成在閘極配線上，則無須越過 閘極配線圖案（pattern)之端緣，即可消除在閘極配線圖案 端緣之源極與閘極配線間的短路，且可達成T F T部的布線所 佔用面積之最小化，能製得大開口效率的電氣光學元件。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳為前述各個顯示電極，按與夾介液晶層而形成在 前述畫素電極及前述共同電極之間之電容成並聯之方式， 設置一在一方之電極與另一方之電極之間夾介介電質而形 成之輔助電容，而該一方的電極係前述盡素電極，該介電 質係由第一絕緣膜及第二絕緣膜而成之叠層膜，則即使任 何一方的絕緣膜發生針孔，亦不致發生輔助電容短路之故 較佳。 較佳為：令前述另一方的電極係由前述第一金屬膜而 成之輔助電容電極及輔助電容配線，且前述輔助電容電極 及前述輔助電容配線將與前述閘極及前述閘極配線同時形 成，則能在不增加微影製程下形成與閘極配線獨立之輔肋 電容配線，可K減少輸入至輔助電容配線之訊號失真，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 3 9 5 90 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説明（20 ) 述 前 至 P C T 述 前 接 It 連 由 係 孔 觸 接1 第 述 前 且 造 構 之 成 而 接 所出 膜輸 電器 導動 性驅 向之 等線 非配 之出 子引 端側 接極 連源 出述 輸前 器在 動接 驅連 的經 側丨 之 線成 配而 極蓋 閘覆 b /f\ 屬第 金述 二 前 第而 述 ， 前膜 、 薄 膜性 緣電 絕導 一 述 第前 述及 前M 層 、 叠膜 係緣 , 絕 造 2 構第 的述 子前 端 、 接膜 連薄 氣膜 ΙξΐΠΓ Ι^ΟΓ 經導 孔性 觸向 接等 二 非 第述 述前 前 由 於係 係孔 膜觸 薄接 性 二 電第 導述 述前 前 且 及 ， 膜造 薄構 屬之 金接 二 連 之Μ 部所 子 ， 端蓋 接覆 連全 出完 輸所 器脂 動樹 驅的 在膜 成電 形導 於性 由向 , 等 成非 構述 此前 如由 ， 係 蓋孔 覆觸 所接 性 賴 信 之 度 濕 於 對 相 高 提 能 側 極 閘 述 前 與 按 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體 導 半 及 膜 薄 屬 金 U 二 :第 為述 佳前 較將 1UU if 成 形 lm有 式 方 之 叉 交 相 線 配 膜 觸 接 姆 歐 及Μ 膜 源 b /ί\ 線 配 用 備 側 極 閘 之 攪 造 構 層 叠 之 成 而 成 形 案 圖 行 訂 , 述 域前 區將 示成 顯形 逑 ， 施前側 經在反 相 的 側 之 線 配 出 引 側 極 閘 述 前 有 成 形 於 及Μ 膜 源 有 攪 導 半 述 前 Λ 膜 薄 羼 金 二 第 閘式 反方 之之 體叉 造 夂 構相 層線 叠配 之出 成引 而側 成極 形源 案述 圖前 行與 施按 經C) 膜,( 觸線 接配 姆用 歐備 述側 前極

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 側側形 極極 ， 源源式 之述方 成前之 而有叉 成成交 形形相 案域線 圖區配 行 示極 施顯源 經述述 膜 前前 薄在之 屬設側 金延反 一 與相 第按成 述d)側 前,(之 將線線 成 配 配 形用出 , 備 引 備 、相形 側線互近 極配有附 源用具部 反備 ，叠 之 側線重 成極配該 而 源用在 成逑 備並 形前側 ， 面 、極部 圖線閘疊 行配反重 施 用及之 經備 Μ 接 膜側線搭 薄極配此 羼 閘用彼 金逑備分 一前側部 第 而極一 述 ，源的 前線反身 將配述本 成用前使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 2 0 3 9 59 0 486593 A 7 B7 五、發明説明（2 i ) 成前述第一接觸孔及前述第二接觸孔，且按使第一接觸孔 和第二接觸孔能電氣連接之方式將前述導電性薄膜施行圖 案形成K形成，如此構成，即於發生源極斷線時，可利用 備用配線進行修復。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖為表示有關本發明之第1,2 ,3,4及5實施例之顯 示畫素之要部斷面說明圖。 第2圖為有關本發明之第1實施例之顯示畫素平面說 明圖 第3圖為有關本發明之實施例之由第一金屬薄膜所形 成TCP端子連接部斷面說明圖。 第4圖為有關本發明之實施例之由第二金羼薄膜所形 成TCP端子連接部斷面說明圖。 第5圖為有關本發明之第2實施例之顯示盡素平面說 明圖 第6圖為有關本發明之第3實施例之顯示畫素平面說 明圖。 第7圖為有關本發明之第4實施例之顯示盡素平面說 明圖 第8圖為有關本發明之第5實施例之顯示晝素平面說 明圖。 第9圖為有關本發明之第6實施例之顯示耋素要部斷 面說明圖。 第10圖為有關本發明之第6實施例之顯示盡素平面說 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 21 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（22 ) 明圖。 第11圖為有關本發明之第7,8實施例之顯示盡素要部 斷面說明圖。 第12圖為有關本發明之第7實施例之顯示盡素平面說 明圖。 第13圖為有關本發明之第8實施例之顯示盡素平面說 明圖。 第14圖為表示有關本發明之第9實施例之顯示盡素周 邊配線之平面說明圖。 第15圖為有關本發明之第9實施例之備用配線間之連 接部斷面說明圖。 第16圖為揭示在日本特開昭60-97386號公報之顯示盡 素平面說明圖。 第17圖為揭示在日本特開昭60-97386號公報之顯示晝 素之要部斷面說明圖。 第18圖為揭示在日本特開平8-50308號公報之顯示晝 素斷面說明圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第19圖為揭示在日本特開平7-92496號公報之顯示晝 素斷面說明圖。 〔發明之詳细說明〕 Μ下，參照圖面詳细說明有關本發明之實施例之電氣 光學元件之製造方法。 第1實施例 第1圖及第2圖各為依有關本發明第1實施例之電氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 22 3 9 5 9 0 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（23 ) 光學元件之製造方法所製成顯示耋素之要部斷面說明書（ 表示絕緣性基板上之要素）及平面說明圖，第1圖之斷面 說明圖係表示第2圖中X-X切斷線之斷面構造，第3圖及第 4圖各為表示設在顯示區域外側之TCP之端子部之斷面之斷 面說明圖，TCP係用K連接：閘極配線、源極配線、用Μ供 給對輔助電容配線及對向基板之共同電極輸入的訊號電位 之訊號電位源、與閘極配線、源極配線、輔肋電容配線及 共通電極。 於第1圖及第2圖，1為閘極，2為輔助電容電極， 3為閘極絕緣膜，4為半導體有源膜，5為歐姆接觸膜， 7為源極，8為保護膜，10為具有輔助電量之部分（Κ下 簡稱為輔助電容），11為閘極配線，12為輔助電容配線， 13為半導體有源膜及歐姆接觸膜，14為源極配線，15為汲 極，16為畫素接觸孔，17為畫素電極，與於習知技術所揭 示之構造同樣地，閘極係屬閘極配線之一部分，或是，自 閘極配線分岐成為可供連接於各薄膜電晶體端子之電極， 輔助電容電極係自輔助電容配線分岐而其一部分延伸至能 與畫素電極互搭（overlap)之位置之電極，輔助電容電極和 畫素電極之間，則K由第一絕緣膜及第二絕緣膜所成叠層 膜為電介質，形成有輔助電容，輔助電容，就電路上而言 ,係與在盡素電極和共同電極之間隔著液晶所形成之液晶 電容成並聯而形成，第2圖中Μ符號13所示半導體有源膜 及歐姆接觸膜，如各於第1圖中符號4及5所示，係成上 下兩層，因此，第2圖中僅繪示出歐姆接觸膜，但為說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 23 3 9 59 0 486593 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 24 ) 方 便 則 以 兩 者 之 名 稱 表 達 之 9 但 是 9 如 第 1 圖 所 示 9 白 源 1 1 極 及 源 極 配 線 >λ 及 汲 極 溢 出 之 歐 姆 接 觸 膜 則 如 後 述 藉 1 I 乾 式 蝕 刻 法 除 去 之 〇 -S 1 I 請 iL 1 另 外 > 第 3 圖 及 第 4 圖 中 > 20為 作 為 第 一 閘 極 側 引 出 先 閲 1 I 讀 1 I 配 線 之 顯 示 部 引 出 配 線 > 21 為 第 一 TCP連接電極， 22為 第 一 背 I 之 1 I TCP端子接點， 23為第- -TCP 連 接 範 圍 9 24為 作 為 第 二 源 極 注 意 1 I 事 1 I 側 引 出 配 線 之 顯 示 部 引 出 配 線 ， 25為 第 二 TCP連接電極25, 項 26為 第 二 TCP端子接點， 27為第二TCP連 接 範 圍 〇 本 百 % 有 關 本 發 明 之 電 氣 光 學 元 件 之 整 體 構 成 $ 乃 與 習 知 例 Ά 1 1 I 所 示 者 相 同 亦 即 $ 係 在 ： 具 有 電 氣 連 接 薄 膜 電 晶 體 所 成 1 1 I 畫 素 電 極 之 顯 示 盡 素 係 在 第 一 絕 緣 性 基 板 上 形 成 為 陣 列 狀 1 1 9 且 閘 極 配 線 與 源 極 配 線 係 K 大 致 呈 正 交 狀 態 下 形 成 為 矩 訂 1 陣 狀 而 成 之 TFT陣列基板， 與 在 第 二 絕 緣 性 基 板 上 形 成 彩 色 1 1 濾 光 片 及 共 同 電 極 所 成 之 對 向 電 極 之 間 9 夾 持 液 晶 層 下 貼 1 I 合 TFT陣列基板與對向基板者， 並且， 在互相貼合之TFT陣 < g 列 基 板 與 對 向 基 板 之 外 側 $ 即 ,TFT陣 列 基 板 之 上 側 與 對 向 1 1 基 板 之 下 側 分 別 設 有 偏 光 板 > 閘 板 配 線 係 可 依 順 序 的 掃 描 1 1 選 擇 薄 膜 電 晶 體 且 源 極 配 線 係 能 對 盡 素 電 極 施 加 寫 入 訊 1 1 號 電 位 者 > 此 點 也 與 習 知 例 相 同 9 又 在 TFT陣列基板， 在 顯 1 1 示 域 外 側 形 成 有 顯 示 部 引 出 配 線 9 顯 示 部 引 出 配 線 > 係 1 1 用 K 連 接 顯 示 區 域 內 之 閘 極 配 線 和 源 極 配 線 Μ 及 搭 載 有 為 1 I 對 閘 極 配 線 及 源 極 配 線 輸 入 訊 號 電 位 所 設 之 驅 動 器 1C :之 TCP 1 1 I 之 驅 動 輸 出 連 接 端 子 〇 1 1 I 其 次 詳 細 說 明 本 第 1 實 施 例 之 製 造 方 法 如 下 〇 1 1 2 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（25 ) 表 其 使 淨 洗Μ 予 板 基 璃 玻 之 米 毫 7 ο 為 度 厚 將 先 首 氣緣則 電絕 ， 之之時 型明件 過透元 透等學 成板光 形基氣 欲璃電 , 玻之 板用型 基使射 性須反 緣則成 絕板形 一 基欲 第性如 為緣 ， 作絕地 Μ，對 , 時 相 化件 ， 淨元板 潔學基 面光性 , 之 外件 此元 , 學 板光 基氣 性電 緣使 絕為 之但 性 ， 緣擇 絕選 的意 度任 程可 板雖 基度 璃 厚 玻之 有板 具基 用 性 使緣 可絕 至 太案 若圖 板成 基造 性而 緣形 絕變 , 會 佳板 為基 右， 左理 米處 毫熱 .1或 I膜 成 0.之 以中 則程 , 製 薄因 p UU 竹 貝 度 ， 厚薄 製性基 合緣予 配絕施 量 ，先 考外預 須另須 必 ，則 Κ度 ， 所厚成 ， 板製 題基所 問性料 等緣材 低絕碎 降擇破 度選性 精下脆 g)理等 1Π處璃 Γη之玻 te施由 at實係 (P所若 成中板 形程基 混 使 物 ， 異口 起缺 引置 所設 g)分 in部 PP1 hi之 (C板 落基 剝性 面緣 端絕 止在 防為 俾想 il , 理 角較 倒又 之 ， 面象 端現 板入 之 理 處 板 基 定 特 中 程 製 各 在 bb 4月 則 定 特 Μ 加 fct 育 向 方 之 板 基 薄 屬 金 1 第 成 形 上 板 基 璃 玻 〇 在 易法 容方 加等 更法 理射 管濺 程藉 製 ， 使次 ， 其 向 方 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、 他 ， 鋁其膜 、 加薄 鈦添之 、 種右 钽一左 、少nm 銷 至 ο 5 、 中 鉻體 由單on ，屬10 如金為 例等厚 用此膜 使在 ， 可或成 膜 ，所 薄種等 屬一金 金 少合 一 至成 第中所 , 銅質 膜及物 至 接 成 形 法 刻 蝕 式 乾 藉 程 製 之 述 後 於 將 上 膜 薄 屬 金 1 第 於 由 發 易 容 不Μ 為 想 H1 理 較 此 因 膜 薄 性 電 導 成 形 再 9 後 孔 觸 之 性 電 導 有 具 然 仍 化 氧 被 使 或 膜 薄 屬 金 之 化 氧 面 表 生 、 使 鉻可 由也 係 ， 面膜 表薄 少鼷 至金Ml 且第 用外 之另 膜 ， 薄佳 屬較 金為 一 蓋 第覆 作所 供鉬 膜 、 薄钽 屬 、 金鈦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 25 3 9 5 9 0 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（26 ) 用將異種之金屬薄膜疊層而成之金屬薄膜或Μ膜厚方向組 成互異之金屬薄膜。 其次，Κ第一微影製程將第一金屬薄膜施行圖案形成 ，分別形成為薄膜電晶體之閘極1及閘極配線1 1、輔助電 容電極2及輔助電容配線12、以及第一顯示部引出配線20 之形狀，微影製程係依下列①至④之順序實施，就是說， Μ①洗淨TFT陣列基板，②塗敷光阻，經烘乾後，透過形成 有所定之圖案之光罩圖案（mask pattern)而曝光，並顯影 ，藉此，Μ照相製版方式在TFT陣列基板上形成轉印有光罩 圖案之光阻，③加熱光阻，使其硬化後施予蝕刻，④剝雛 光阻之順序進行，若光阻與TFT陣列基板間之可濕性不適合 ，而產生收縮斑時，則於塗敷前施予UV洗淨，或採取Μ蒸 汽塗敷六甲基二矽胺燒（hexamethyl disilazan, HMDS, (CH3)3Si-N = N- Si(CH3)3)之對策Μ改善可濕性，又因光阻 與TFT基板間之密著性不佳，而發生剝落時，則施予提高加 熱硬化溫度，或延長時間等之處理，第一金屬薄膜之蝕刻 使用公知之蝕刻劑（例如，第一金屬薄膜係由鉻所成時，則 使用混合第2硝酸鈽胺及硝酸所成之蝕刻液）而以濕式蝕刻 法進行，第一金屬薄膜之蝕刻，為了防止與其他配線之段 差發生短路，較理想為按能使圖案邊緣（P a 11 e r n e d g e )成 為推拔（taper)形狀之方式施予蝕刻，所諝推拔形狀，係指 如於第1圖所示閘極1之斷面形狀中呈現於左右傾斜部分 般，圖案邊緣係Μ能使其斷面成為梯形之方式而施予蝕刻 之意，此外，上面係僅就Μ此製程形成閘極1 、輔助電容 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 26 3 9 5 9 0 486593

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（27) 電極2 、第一顯示部引出配線20之過程，加K說明，但其 他製造TFT陣列基板所必要之各種標誌或配線也可一併形 成。 其次，依電漿C V D法K連續在玻璃基板上形成第一絕緣 膜、半導體有源膜及歐姆接觸膜，將成為閘極絕緣膜3之 第一絕緣膜，可使用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜（其中Χ,Υ ,Z,W各為正數），或這些之叠層膜，第一絕緣膜之膜厚設定 為自300ηια至600nm左右，膜厚若薄，則容易在閘極配線和 源極配線之交叉部發生短路，故Μ設定成大於第一金屬薄 膜之厚度為佳。 半導體有源膜，使用非晶形矽（a - S i )膜，聚矽（p - S i ) 膜，半導體有源膜膜厚設定為自lOOnin至300nm左右，膜厚 若小，則會發生後述歐姆接觸膜於乾蝕刻時之消失現象， 膜厚若大，由於TFT之0N電流會變小，所K應依需要歐姆接 觸膜乾蝕刻時之蝕刻深刻控制性之TFT之0N電流而選定膜 厚，半導體有源膜使用a-Si膜時，從改善TFT之Vth控制性 及信賴性方面來說，閘極絕緣膜與a - S i膜間之界面則以形 成SiNx膜或SiOzNw膜為佳，半導體有源膜使用p-Si膜時， 從改善TFT之Vth控制性及信賴性方面來說，閘極絕緣膜與 p-Si膜之界面則以形成為Sidy膜或SiOzNw膜為佳，又，半 導體有源膜使用a-Si膜時，從能Μ較短時間製得大移動性 (mobility)之TFT特性，以及能降低TFT於OFF時之漏電流之 理由來說，則以將與閘極絕緣膜之界面附近Μ成膜速率較 小條件下成膜，而將上層部Μ成膜速率較大條件下成膜為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公ί ) 27 (修正頁）3 9 5 9 0 广 « * -----------------------------線 , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（28 ) 較理想。 歐姆接觸膜可使用在a-Si或p-Si中摻雜微量磷之n + a-Si膜、n + P- Si膜，歐姆接觸膜之膜厚可設定為自20nm至70 nm,這些，SiNx膜、SiOx膜、SiOzNw膜、a-Si膜、p-Si膜 、n + a - S i膜、n + p - S i膜，可使用公知氣體（例如，S i Η 4、 Ν Η 3、Η 2、Ν 0 2 、Ρ Η 3 、及Ν 2 Κ及這些的混合氣體）來成膜 Ο 其次，於第二微影製程，在將要形成顯示盡素之部分 (Μ下稱為TFT部）及將要形成源極配線之部分（Κ下稱為源 極配線部分），以大於將要形成源極配線14及TFT之部分之 圓案，且以連續形狀施行圖案形成為半導體有源膜及歐姆 接觸膜13之形狀，半導體有源膜及歐姆接觸膜之蝕刻，係 K使用公知氣體（例如，SF6和〇2之混合氣體或CF4和〇2之 混合氣體）之乾式蝕刻法實施，又於此製程，係就在將要形 成顯示畫素之TFT部及將要形成源極配線之部分Μ連續形 狀形成半導體有源膜及歐姆接觸膜13之情形加以說明，另 外，於此製程中，引出有源極配線之第二顯示部引出配線 之半導體有源膜及歐姆接觸膜，則有Κ蝕刻除去之必要， 形成在源極配線部分之半導體有源膜及歐姆接觸膜係Μ在 顯示部外横過源極側引出配線之形狀所形成，該半導體有 源膜及歐姆接觸膜，其橫穿源極側引出配線之部分之形狀 ,在防止相對於自顯示部起至將形成TCP端子部分（驅動器 輸出連接端子，K下稱為「TCP端子部」）為止唯一存在於 源極配線下之半導體有源膜及歐姆接觸膜之圖案段差部之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 衣·

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 28 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説.明（29 ) 源極配線斷線上，較理想為形成為端面長度較長之形狀， 此外，Μ覆蓋具有某一形狀之第一膜之狀態形成第二膜時 ,第二膜中在第一膜之圖案之端部分，必會形成段差，此 段差稱此為圖案段差，此外，較佳為將半導體有源膜及歐 姆接觸膜之邊緣（edge)蝕刻成為推拔形狀，便可防止相對 於自顯示部起至TCP端子部唯一存在於源極配線下之半導 體有源膜及歐姆接觸膜之圖案段差的源極配線斷線。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

其次，藉濺射法等方法在玻璃基板全面形成第二金屬 薄膜，第二金屬薄膜，可使用例如，由鉻、鉬、鉅、鈦、 鋁及銅中至少一種或在這些金屬單體中至少一種添加微量 其他物質所成合金等所成膜厚為自lOOnm至500nm左右之薄 膜，由於在後續製程將藉乾式蝕刻法在第二金屬薄膜上形 成接觸孔，且再形成導電性薄膜，因此，第一金屬薄膜較 理想為使用不容易發生表面氧化之金屬薄膜或即使被氧化 仍然具有導電性之金屬薄膜，而Μ至少其表面為鉻、鈦、 钽及鉬中任一種為較佳，此外，從能得與歐姆接觸膜間之 良好接觸特性之觀點來說，較佳為第二金屬薄膜中至少歐 姆接觸膜和第二金屬薄膜間之界面係由鉻、鈦、钽或鉬所 成，另外，第二金屬薄膜也可使用將異種金屬薄膜叠層而 成之金屬薄膜或Μ膜厚方向組成不同之金屬薄膜。 其次，於第三微影製程，將第二金屬薄膜施行圖案形 成為薄膜電晶體之源極7 ,源極配線14,汲極15及第二顯示 部引出配線24之形狀，再將歐姆接觸膜中自源極配線、源 極、及汲極溢出部分Μ蝕刻除去，形成畫素部的TFT通道， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 29 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説明（3〇) 第二金屬膜之蝕刻使用公知蝕刻劑（例如，第二金屬薄膜係 由鉻所成時則使用混合第二硝酸鈽銨及硝酸而成之水溶液 )而K濕式蝕刻法進行，第二金屬膜之蝕刻，較佳為K能使 圖案邊緣成為推拔狀之方式蝕刻，便能防止由形成在其上 層之導電性薄膜所成電極圖案之斷線，歐姆接觸膜之蝕刻 係藉使用公知氣體（例如，SF6和〇2之混合氣體或CF4和〇2之 混合氣體）之乾式蝕刻法實施，在歐姆接觸膜之蝕刻，至少 應除去歐姆接觸膜，並K不致使半導體有源膜消失之深度 ，控制蝕刻，下層之半導體有源膜，較佳為盡可能留下厚 厚的便能獲得移動性較大之TFT。 其次，依電漿CVD法形成作為保護膜之第二罐緣膜，第 二絕緣膜可使用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜，第二絕緣膜 之膜厚有2 0 0 n in左右Μ上即可，若太厚，則於後述之乾式蝕 刻接觸孔時將造成光阻消失之問題，因此，應依乾式蝕刻 接觸孔時之光阻與第二絕緣膜間之選擇性而選擇膜厚，又 太厚時，由於形成在接觸孔上的導電性薄膜之電極會產生 底切，因此，依導電性薄膜之階梯覆蓋能力（step coverage),便可決定出膜厚之上限值，其中，所謂階梯 覆蓋能力係指膜在表面的微細段差部之被著狀態之好壞， 基於生產性、導電性薄膜之階梯覆蓋能力、光阻與為在第 二絕緣膜形成接觸孔所採用乾蝕刻之組合之選擇性等觀點 ，膜厚較佳為設定在自2 0 0 nm至6 0 0 nra左右。 其次，於第四微影製程對第二絕緣膜及第一絕緣膜施 行圖案形成Μ形成接觸孔，要形成之接觸孔，為穿通至源 請 閲 讀 背 Ι& 之 注 意 事 項 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 30 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 五、發明説明（31) 極表面之接觸孔之盡素接觸孔16,穿通至第一金屬薄膜表 面之第一接觸孔之第一 TCP端子接點22及穿通至第二金屬 薄膜表面之第二接觸孔之第二TCP端子接點26,第二絕緣 膜及第一絕緣膜之蝕刻，係Μ使用公知氣體（例如，S F 6和0 之混合氣體或C F 4和0 2之混合氣體）之乾式蝕刻法實施，於 此，雖係僅就形成第一 TCP端子接點22及第二TCP端子接點 26之情形加以說明，但其他，如用K形成用含有導電性粒 子之樹脂電氣連接對向基板和TFT陣列基板之間所需轉換 端子之部分（M下稱為轉換端子部）之接觸孔等製造TFT陣 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項

頁 端 Ρ C Τ 成二 形第 1 6 中 1 程孔 製觸 此接 在素 可畫 也在 孔於 觸由 接， ill AU 種亥 各蝕 之之 要孔 需觸 所接 上此 板於 基 列 第 在 膜 緣 絕二 第 將 則 6 2 ¾ 接 子 緣 絕二 第 將 則 2 2 子 端 第 Τ 和 二 膜第 所 去 除 刻 蝕 Μ 膜 緣 絕 面 表 膜 薄 屬 金二 第 之 6 2 點 Β3^ 接 子 端 、 露 16暴 孔被 觸間 接時 素長 盡將 其， 尤 刻存 触種 乾漿 在電 露之 暴化 間氧 時或 長蝕 面腐 表膜 膜薄 薄屬 屬金 金使 , 會 中有 漿若 電中 之漿 刻電 蝕 ， 式時 乾漿 在 電 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

所體 , 氣 阻之 電 刻 之蝕 間式 膜乾 薄和 性類 電 種 導料 與材 , 之 部膜 上薄 孔屬 觸金 接 二 在第 大合 增適 將擇 則選 , 須 在 K 4 F C 用 使 可 則 及露 體暴 氣間 時 長 若 面 表 膜 成薄 所屬 鉻金 由 ， 係 若 面 表 膜 薄 屬SF 金或 二 ， 第體 , 氣 種02 攪 氣 2 ο 及 禮 氣 產予 所施 應漿 反電 合 之 聚02 之用 •fl 13 > 種使 體藉 氣則 有 ， 能時 可形 ， 情 時種 態 此 狀 ， 漿著 電附 之 會 中物 刻積 蝕堆 乾之 在生 垢 積 去 除 物 孔刻 觸蝕 接之 在明 得說 獲上 可 % 偎 ， 性 特 觸 接 好 良 之 間 膜 g)薄 1Π性 sh電 U導 理部 處上 化與 灰 ， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 31 3 9 5 9 0 486593 A7 _ B7 五、發明説明（32) 時之氣體種條件，對第一 TCP端子接點22而言，雖有程度上 之差異，但仍能適用，又由於蝕刻這些接觸孔時令圖案邊 緣形成為推拔狀，所K可防止在由形成在上層之導電性薄 膜所成電極圖案之接觸孔段差之斷線。 其次，依濺射法等方法形成將作為畫素電極及TCP連 接電極之導電性薄膜，導電性薄膜，若Μ透過型電氣光學 元件構成時，則可使用屬於透明導電膜之ΙΤΟ (絪錫氧化物） 、S η 0 2等，但從化學安定性上來說，則尤其Μ I Τ 0為佳，若 Κ反射型電氣光學元件構成時，導電性薄膜，只要係屬片 (s h e e t)電阻為5 0 0歐姆/ □程度Μ下，且不致與液晶材料反 應而造成液晶材料劣化者，則可使用任何者，導電性薄膜 之膜厚，在透過型電氣光學元件則可設定為50nro至200nm左 右，在反射型電氣光學元件則可設定為50n m至5 0 0 n m左右， 在透過型電氣光學元件之透明導電性薄膜厚度，則Μ不致 因包含對向基板下光透過時之干擾而造成著色之條件下， 可自50nm至2 0 0 nm左右範圍選擇之。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其次，於第五微影製程將導電性薄膜予K圖案形成為 盡素電極17、第一 TCP連接電極21及第二TCP連接電極之形 狀，導電性薄膜之蝕刻，則視所使用材料而使用公知濕式 蝕刻劑（例如，導電性薄膜係由IT 0所成時則混合鹽酸和硝 酸所成之水溶液）等而實施，導電性薄膜若為IT 0 ,則也可使 用公知氣體（例如，C Η 4)而Μ乾式蝕刻實施蝕刻，此外，於 此製程，係就有關形成畫素接觸孔16、第一 TCP端子接點22 及第二TCP端接點26之情形加K說明，但其他，例如，也可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 32 39590 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（33) 在轉換端子部（用含有導電性粒子之樹脂將對向基板和TFT 陣列基板之間予Μ電氣連接之部分）形成由導電性薄膜所 成電極。 藉上述製程，第1圖、第2圖、第3圖及第4圖所示 之TFT陣列基板便可由各括有微影製程之五製程製造之。 按TFT陣列基板係Μ電氣方式探測（使探針接觸K得訊 號；probing)TCP端子部，Μ測試顯示畫素之TFT特性，俾將 未達預定特性之TFT陣列基板作廢，藉此，即可達成後續製 程之效率化，節省所需材料，此時，由於本實施例具有第 一 TCP連接電極21、第二TCP連接電極25,因此，使用ITO作 為導電性薄膜時，可望Μ習知技術實施高信賴性之探測檢 查。 其次，依習知技術組合T F Τ陣列基板和對向基板，並在 T F Τ陣列基板和對向基板之間封入液晶而形成液晶面板，下 面簡單地說明液晶面板之製造方法。 首先，依公知技術，在TFT陣列基板和對向基板之表面 形成液晶之定向控制膜，定向控制膜可使用例如，聚醯亞 胺膜，例如，將聚醯亞胺塗敷、烘乾而形成聚醯亞胺膜後 ，用布揉搓（rubbing)處理其表面，Κ作為定向控制膜而使 用，定向控制膜之厚度可設定為自相當於構成定向控制膜 之一分子之極薄膜起至lOOnm左右，定向控制膜厚度若大， 施加在TFT陣列基板之畫素電極和對向基板之共同電極之 間之有效電壓中施加於液晶層之有效電壓則將變小，所K 操作上Μ盡可能範圍内予K薄膜化為佳，另外，定向控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 33 39590 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂

486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7五、發明説明（34) 膜不光是藉磨擦處理等令液晶之導向體（director)定向於 基板面內之方向，也以具有相對於基板圼3度至15度左右 之傾斜，所謂預傾斜（P r e t i 1 t)角（液晶分子與基板所形成 之角）下而定向之方式所形成，預傾斜角若太小，則可能會 因在TFT陣列基板上之盡素電極周圍與源極配線、閘極配 線、輔助電容配線間所產生電場，而產生液晶定向，亦即 導向體呈非連續之境界部或拌隨意味著非連續構造之非傾 斜（disclination),所謂區域（domain;定向狀態之分域）， 由於該區域發生在光之透過部分時即將造成對比度降低等 顯示特性下降，因此，須因應所使用之液晶材料每一種之 區域發生易難性而控制於適當角度，該預傾斜角之控制， 可依所使用之定向控制膜與磨擦等定向處理之強度等條件 而控制，另外預傾斜角若大，則有更難於安定地控制定向 之傾斜，所Μ依上述範圍，即，M3度至15度左右下加以 控制為較理想。 再者，定向控制膜，較佳為採用不容易因顯示訊號之 dVgd之差，而造成TFT陣列基板和對向基板之共同電極間所 產生D C電位引起之單曛化或吸附液晶中雜質之材料，則不 容易發生顯示之拖尾現象，這些情形，眾人皆知可由公知 技術，如令定向控制膜薄膜化，或令定向控制膜之面方向 之電阻降低等方法而獲得，此外，對基板塗敷定向控制膜 材料之方法可藉轉印法、旋轉器（Spinner)(利用旋轉之塗 敷（旋轉式塗蓋；spin coating)等方法實施。 其次，在TFT陣列基板或對向基板中至少任一方之基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 34 3 9 5 9 0 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 486593 Λ7 B7 五、發明説明（35) 上，散布可供作為間隔物（s a c e r )之材料，俾能於保持預 定間隙下相貼合TFT陣列基板和對向基板，間隔物之材質， 以預定間隙相貼合TFT陣列基板和對向基板時，硬度若過高 或形狀呈銳角之情形時，會損壞TFT陣列基板上之TFT或配 線，所Μ宜考量這些而選擇，間隔物可使用例如，聚苯乙 烯粒子、Si〇2粒子等，關於間隔物之散布密度，散布密度 若過高，則將擾亂間隔物周圍之液晶定向狀態，使對比度 降低，並於低溫下液晶體積縮小時可能在顯示部產生氣泡 ，又間隔物散布密度太小時，TFT陣列基板和對向基板間之 間隙，則將在顯示部造成面內之分布而產生亮度斑，由於 這些限制，間隔物之散布密度係視所使用間隔物之硬度而 選擇，間隔物之散布法可藉由將間隔物分散在揮發性溶媒 (例如乙醇）中之溶液散布而塗布之方法實施。 其次，在TFT陣列基板或對向基板中任一方之基板上， 在顯示部周圍，Μ封合狀形成例如由環氧樹脂所成之封合 (seal)材，若令上述間隔物也均勻地分散而含在封合材中 ，則可精確地控制T F T陣列基板與對向基板間之間隙，此外 ，含在封合材中之間隔物，也可使用與散布在基板面內之 封合材不相同之材料，粒徑，為在TFT陣列基板與對向基板 間之間隙藉後述真空注入法注入液晶，則須在任一基板上 形成封合材，故在代表欲形成區域範圍之形狀圖案中，至 少需預先設置一可供做液晶注入口之缺口，若藉真空注入 法以外之公知技術導入液晶，則不需要封合形狀之缺口， 形成封合形狀可使用絲網（s c r e e η )印刷法或利用注射器（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 35 39590 --------~丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 486593 A7 B7 五、發明説明（36) syringe)之繪盡法（自注射器擠出封合材，而配合封合形 狀繪畫之方法）等。 其次，在TFT陣列基板或對向基板中至少任一基板上， 在基板上所形成傳送電極之位置塗敷具有導電性之傳送材 料，此傳送（transfer)電極係用來向對向基板之共同電極 傳導共同電極電位之電極端子，傳送材料可使用在環氧樹 脂中分散導電性粒子所成之材料，傳送材料可藉絲網印刷 法或利用注射器之繪畫法塗敷之，此外，傳送電極至少需 要設一處，但於大型電氣光學元件，為獲得均勻顯示，則 須減少自共同電極電位之訊號源相對於對向基板共同電極 之阻抗（impedance),因此，較佳為形成在顯示部四角隅， 或避開閘極側引出配線及源極側引出配線而在顯示部周圍 形成複數個。 其次，將TFT陣列基板和對向基板相疊合，貼合時，較 理想為：藉加壓及加熱使封合材或傳送材硬化之前，首先 ,Μ預定精度下相疊合TFT陣列基板和對向基板，其次，在 經疊合之兩基板端面塗敷UV硬化性樹脂，或對顯示部以外 之處K注射器塗敷之，之後，Κ預定精度下叠合TFT陣列基 板和對向基板後，對U V硬化材施予U V照射硬化等，俾能保 持有關貼合TFT陣列基板和對向基板所需之預定精度，經如 此處理後，於加壓TFT陣列基板和對向基板之間之狀態下， 藉加熱令封合材或傳送材硬化。 其次，經貼合成之TFT陣列基板和對向基板中，將形成 電氣光學元件上不必要之部分予W切斷，使TCP連接端子部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 36 3 9 5 9 0 486593 Λ7 B7 五、發明説明（3 7) 露出表面，或予以形成液晶注入口，Μ形成空格點（cell) 後 空 真 為 成 内 點 格 空 使 中 空 真 於 置 點 格 空 將 次 其 空 入 注 晶 液 使 氣 大 放 開 下 態 狀 之 晶 液 入 浸 Π 入 注 使 % β 遴 之 空 真 成 抽 攫 氣 圍 周 之 點 格 空 有 置 放 將 時 此 內 黏 格 tb 4月 可 點 格 空 係 關 之 氣 空 內 點 格 空 於 留 殘 因 快 太 若 率 當 令 適後 Μ 晶 應液 Κ 入 所浸, ο 象入 現注 U 將 U ο , 0W外 b 另 II , ea想 S I ί 理 孔較 穿為 口 空 封真 成 成 造形 , 下 脹率 膨速 加 ， 施面 會板 壓基 氣壞 大損 , 而 時物 氣隔 C 大間佳 放因為 開或氣 地 ，大 激形放 急 變開 境物下 環隔率 圍間速 周致當 之導適 點 ，Κ 格點宜 空格 ， 置空此 放在因 封 之 成 所 脂 樹 化 0C 硬 \—^ 線 外 紫 /|\ V U 或 脂 樹 氧 環 由 將 次 其 顯晶之 晶液間 液有板 成入基 形注向 Μ 已對 藉前和 , 之 板 化材基 硬合列 其封陣 使敷FT ,’塗^ 俾 口對 ， 入用壓 注採加 於可予 敷也施 塗 ，點 材時格 合此之 , 下 置態 裝狀 示之 為 成 隙 間 經 在 貼 板 光 偏 將 而 度 角 定 預 成 定 設 軸 光 偏 〇 將 法 ， 方次 之其 定1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 、11

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 液 對 藉 ί 而式 型模 ΤΝΘ 用常 使之 , 小 如變 例 會 ， 率 度過 定時 預壓 該電 , 效 下有 上大 酤 較 Βτ31ΕΙ 格加 的施 合 層 封晶 偏向 之導 板 晶 光液 偏之 下上 上板 令 基 為的 即近 ，接 與 係 軸 光 偏 e 3 d 個 o r S 各 Θ 且 t wh交 ly正 3 呈 r 軸 no光 時 示 顯 行 進 視的可 因近也 少接 ， 減與外 能軸此 於光 ， 由 偏想 是令 理 其K較 尤仍為 , , 度 度此角 角因之 之 ，交 交 化 正 正 變 圼 呈性體 或特向 行示導 平顯晶 成起液 向弓之 方所上 之角板 體野基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 37 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 38 ) 1 在 偏 Wm 光 板 叠 層 一 種 能 改 善 電 氣 光 學 元 件 之 視 野 角 依 存 性 之 1 公 知 薄 膜 > 或 使 用 昼 層 有 像 此 種 薄 膜 之 偏 ΓΓΠΙ 光 板 $ 液 晶 若 使 :丨 1 用 TN型液 晶 9 則 在 上 下 基 板 Μ 能 使 液 晶 導 向 體 呈 正 交 之 方 1 I 式 施 予 定 向 處 理 f 但 偏 光 板 之 偏 rfnj 光 軸 則 設 定 為 與 接 近 的 基 請 先 閱 1 1 I 板 表 面 之 導 向 體 方 向 成 平 行 或 圼 正 交 之 方 向 9 為 能 得 高 對 讀 背 1 I 比 度 之 顯 示 9 較 理 想 為 Μ 電 壓 施 加 在 液 晶 之 狀 態 下 不 讓 光 意 事 項 再 ΐϊ i 1 1 I 透 過 之 方 式 9 設 定 成 能 使 上 下 偏 rfttl 光 軸 呈 正 交 之 配 置 〇 1 1 於 此 > 液 晶 顯 示 面 板 可 Μ 電 氣 方 式 探 測 (Ρ r 〇 b i ng)TCP 本 % 端 子 部 並 作 顯 示 藉 檢 査 顯 示 特 性 > Μ 使 未 達 預 定 特 性 頁 .1 1 之 液 晶 面 板 作 廢 9 如 此 構 成 9 便 能 使 後 壤 製 程 效 率 化 $ 節 1 1 省 所 耗 用 之 材 料 〇 1 I 再 者 ， Μ 物 理 方 式 盡 可 能 的 範 圍 內 9 在 同 一 基 板 上 形 1 訂 I 成 眾 多 顯 示 元 件 之 狀 態 下 進 行 液 晶 顯 示 面 板 之 製 造 工 程 1 1 I 便 能 有 效 率 地 製 造 液 晶 顯 示 面 板 > 另 外 9 液 晶 顯 示 面 板 之 1 1 1 顯 示 特 性 也 可 於 貼 付 偏 光 板 之 刖 實 施 測 試 此 時 測 試 時 1 Λ > 在 已 封 合 之 格 點 上 下 另 外 放 置 偏 mil 光 板 9 便 可 實 施 測 試 9 測 試 結 果 如 未 達 預 定 之 顯 示 特 性 則 不 予 移 至 後 壤 製 程 $ 1 I 即 可 節 省 偏 光 板 等 之 消 耗 量 9 此 外 液 晶 顯 示 面 板 之 製 程 1 I $ 在 物 理 上 可 行 範 圍 內 9 可 改 換 上 述 製 程 之 月U 後 次 序 〇 1 1 I 其 次 $ 使 用 非 等 向 性 導 電 膜 ( ACF , a n i S 0 t r 1 P i C 1 1 C C > n d lu t ；1 V e f 1 1 ffl )在液晶面板之T C P輸 出 端 子 連 接 部 黏 接TCP 1 1 ，TCP 之 驅 動 器 輸 出 端 子 之 構 造 為 ： ① 在 第 一 金 屬 薄 膜 上 叠 1 1 層 第 一 絕 緣 膜 第 二 絕 緣 膜 Μ 及 導 電 性 薄 膜 其 中 第 一 1 1 金 屬 薄 膜 和 導 電 性 薄 膜 > 係 於 第 四 微 影 製 程 形 成 在 第 一 絕 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 8 3 9 5 9 0 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 486593 Λ7 Β7 五、發明説明（39) 緣膜中及第二絕緣膜中，且Μ穿通至第一金屬薄膜之接觸 孔電氣連接而成之構造，②叠層第一絕緣膜、第二金屬薄 膜、第二絕緣膜、以及導電性薄膜，其中第二金屬薄膜及 導電性薄膜，係於第四微影製程形成在第二絕緣膜中，且 Μ穿通至第二金屬薄膜表面之接觸孔電氣連接而成之構造 中任一方；同時TCP之驅動器輸出連接端子部之接觸孔係由 ACF所覆蓋者，ACF係用以將TCP連接至TCP之驅動器輸出連 接端子，ACF,可使用將導電性粒子分散在熱硬化型或熱可 塑型之樹脂中者，此時，如第3圖及第4圖所示，ACF係配 置在可完全覆蓋第一 TCP端子接點22及第二TCP端子接點26 之位置，即，第一 TCP連接範圍23及第二TCP連接範圍27, 如此構成，將TCP端子部之接觸孔段差部M ACF加Μ覆蓋， 便能於導電性薄膜在段差部發生龜裂時，令顯示部引出電 極不致暴覆於大氣中濕度，因此可防止濕度造成之腐蝕。 再者，TCP端子部之第一 TCP連接電極21、第二TCP連接 電極25並非為電氣光學裝置所必須，若不需要施予測試， 或能採取電氣上信賴性較高之探測技術來測試第一金屬薄 膜表面、第二金屬薄膜表面時，便也可省略第一 TCP連接電 極及第二TCP連接電極，此時，較佳為在配置ACF之範圍內將 第一 TCP端子接點22及第二TCP接點26增大至最大限度，便 可減少與TCP之連接電阻，且不致暴露在大氣中。 其次，利用公知技術，例如，M A C F或焊錫將T C P與驅 動電路基板相連接，再裝上其他必要之控制電路基板、與 外部訊號之插接件U ο η n e c t 〇 r )、背照光系統、盒體等即 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 39 3 9 5 9 0 486593 7 -B j 發 Λ五 製 可 部 T F T 從 3 1X 膜 觸 接 姆 歐 及 膜 源 有 攪 as 導 件半 博-兀I 係 }學 ， 40光例 ί氣施 明電實 説得本 明 形致 式不 方 ， 之線 狀配 形極 縯源 連 ， 按此 且 因 案層 圖 下 之之 4 4 1 1 線線 配配 極極 源源 及及 極 7 源極 於源 大在 按成 膜成 觸形 接程 «製 歐五 及之 膜程 源製 有影 體微 導有 半含 與各 , 由 之可 極 Μ 源所 越 ， 超差 內 段 域 之 區圍 示周 顯案 在圖 , 畫 外於 另留 丨殘 而 物 異 中 T 程 之製 線因 斷使 線即 配膜 極觸 源接 生姆 發歐 差及 段膜 該源 在有 致體 不導 出半 板 基 列 imt 膜相 源氣 有電 體會 導不 半此 與因 極開 電隔 素所 畫膜 於緣 由絕 ,二 間第 之為 線係 配間 極膜 源觸 和接 極 姆 電歐 素及 能 即 孔 觸 接 之 部 子 端 P C T 蓋 覆 全 完 F C A 〇Μ 陷由 缺藉 成 ， 造外 而另 接 連 中 TC例 出施 造實 製本 旦 而 面 表 最 , 之 件板 元基 學列 光陣 氣FT 電Γ 之 高 較 性 濕 耐 之 βτ 咅 子 端 在 成 形 係 膜 薄 性 電 導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ，位 例部 施之 實外 本M 在部 , 叉 外交 另之 ， 線 件配 元極 學閘 光和 氣線 電 配 之極 性源 賴 自 信係 高 極 且源 少之 陷部 此 因 出 中 途 其 斷 切前 射極 照閘 射達 雷到 藉將 可之 即極 源 陷 缺ιίΰ 生引 所 發 — t 線 若 £配 TF極 之 源 素自 ί ， 示 即 顯亦 之 素 畫 示 顯 除 消 Μ , ,響 置影 位之 之素 面畫 例 施 實 本 外 另 示置 顯配 他極 其電 對容 起電 弓 助 所輔 陷將 缺於 部由 示元 顯學 之光 板氣 基電 向之 對大 在較 成率 形效 要口 將開 少造 咸 Κ 可可 此 ， 因分 , 部 圍光 周遮 極之 電圍 素 周 盡極 在 電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐）

TO 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 486593 Λ7 B7 五、發明説明（41) 件，又於形成各電極圖案時，電極圖案之角隅（corner)部 ，為防止製程中靜電造成之損壞上，較佳為形成為90度Μ 上之鈍角。 第2實施例 第5圖為依有關本發明第2實施例之電氣光學元件之 製造方法所製得顯示畫素之平面說明圖，第5圖中，207為 源極，2 1 1為閘極配線，2 1 2為輔助電容配線，2 1 3為半導體 有源膜及歐姆接觸膜，214為源極配線，215為汲極，216為 畫素接觸孔，217為畫素電極，顯示畫素之主要斷面構造係 與第1圖相同，此外，設在顯示區域外側之閘極配線、源 極配線、汲極配線、Μ及用以連接輔助電容配線及共同電 極之TCP端子部之斷面構造，則與第3圖及第4圖所示構造 者相同。 本實施例之顯示畫素，除其TFT部之源極係將其源極配 線之引出方式改變為自源極配線和閘極配線之交叉部起僅 在閘極配線上引出之方式外之構造Μ及顯示畫素之製造方 法，係與第1實施例者相同，在本實施例，如上述，TFT部 之源極配線係自源極配線和閘極配線之交叉部起僅在閘極 配線上引出，因此，可令各畫素跨過閘極配線端之次數比 第1實施例之方式減少一次，因此，依本實施例，便能消 除閘極配線端之段差所引起閘極配線和源極間之短路，另 外，本實施例，由於能使TFT部之源極布線所需之面積最小 化，所Μ能製造出開口效率較大之電氣光學元件。 第3實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 41 3 95 9 0 486593 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 42 ) \ 第 6 圖 為 依 有 關 本 發 明 第 3 實 施 例 之 電 氣 光 學 元 件 之 1 製 造 方 法 所 製 成 顯 示 畫 素 之 平 面 S兌 明 圖 9 第 6 圖 中 ,3 0 7 為 :丨 I 源 極 31 1為閘極配線， 3 12為 輔 助 電 容 配 線 ,313 為 半 導 體 ，^、 1 I 有 源 膜 及 歐 姆 接 觸 膜 9 31 4為源極配線， 315為 汲 極 ,316 為 請 先 閲 1 1 I 畫 素 接 觸 孔 > 31 7為畫素電極， 顯 示 畫 素 之 主 要 斷 面 構 造 與 讀 背 1 I 第 1 圖 相 同 又 ， TCP端子部係設在顯示區域之外側， Μ 便 之 注 1 | 意 I 連 接 閘 極 配 線 和 源 極 配 線 和 輔 助 電 容 配 線 和 用 Μ 輸 入 對 向 事 項 真 1 1 基 板 上 之 共 同 電 極 之 訊 號 電 位 源 ，此 T C P 端 子 部 之 斷 面 構 造 %S 太 9 與 第 3 圖 及 第 4 圖 所 示 之 構 造 相 同 0 个 頁 *1 1 在 有 關 本 實 施 例 之 顯 示 畫 素 中 > 除 改 變 相 jam 對 於 顯 示 電 1 I 極 之 源 極 配 線 及 TFT之相對性位置關係以外之構成， Η 及 顯 1 1 I 示 畫 素 之 製 造 方 法 係 與 第 1 實 施 例 者 相 同 > 但 本 實 施 例 1 訂 I 則 予 Μ 改 變 相 對 於 顯 示 電 極 之 源 極 配 線 及 TFT 之 相 對 性 位 1 1 I ,置 關 係 % 藉 此 $ 便 可 改 變 因 畫 素 電 極 電 位 和 源 極 配 線 電 位 1 1 閘 極 配 線 電 位 Λ 輔 助 電 容 配 線 電 位 之 間 之 電 位 差 所 產 生 1 電 場 之 方 向 > 因 此 9 能 改 變 於 畫 素 電 極 周 圍 所 發 生 之 lw 域 ί 1 (d 1 0 E [a i η) 之 發 生 狀 態 例 如 i 源 極 起 至 盡 素 電 極 之 電 場 1 I > 於 第 1 實 施 例 中 > 在 畫 素 之 左 上 部 為 右 下 方 向 ， 相 對 地 1 1 I 9 在 盡 素 之 右 上 部 則 為 左 下 方 向 $ 因 此 f 視 所 使 用 之 液 晶 1 1 材 料 或 定 向 控 制 膜 驅 動 電 壓 驅 動 波 形 即 能 較 之 第 1 1 1 實 施 例 之 場 合 9 予 Μ 縮 小 配 置 在 對 向 基 板 之 遮 光 部 Ρ 因 此 1 1 能 製 造 出 高 開 Ρ 效 率 之 電 氣 光 學 元 件 〇 1 1 第 4 實 施 例 1 | 第 7 圖 為 依 有 關 本 發 明 第 4 實 施 例 之 電 氣 光 學 元 件 之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 42 486593 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Β7 五、發明説明（43) 製造方法所製成顯示畫素之平面說明圖，第7圖中，407為 源極，4 1 1為閘極配線，4 1 2為輔助電容配線，4 1 3為半導體 有源膜及歐姆接觸膜，4 1 4為源極配線，4 1 5為汲極，4 1 6為 畫素接觸孔，417為畫素電極，顯示畫素之主要斷面構造則 與第1圖者相同，用Μ連接設在顯示區域外側之閘極配線 和源極配線和輔助電容配線和用Μ輸入對向基板之共同電 極之訊號電位源所需之TCP端子部之斷面構造，係與第3圖 及第4圖所示之構造相同。 在有關本實施例之顯示畫素中，除改變相對於顯示電 極之源極配線及TFT之相對性位置關係Μ外之構造，Μ及顯 示畫素之製造方法，係與第1實施例者相同，但本實施例 則予Μ改變相對於顯示電極之源極配線及TFT之相對性位 置關係，藉此，便可改變因耋素電極電位和源極配線電位 、閘極配線電位、輔助電容配線電位之間之電位差所產生 電場之方向，因此，能改變於盡素電極周圍所發生之區域 (domain)之發生狀態，例如，自源極起至畫素電極之電場 ,於第1實施例中，在盡素之左上部為右下方向，相對地 ,在畫素之右上部則為左下方向，因此，視所使用之液晶 材料或定向控制膜、驅動電壓、驅動波形，能較之第1實 施例之場合，予K縮小配置在對向基板之遮光部，因此能 製造出高開口效率之電氣光學元件。 第5實施例 第8圖為依有關本發明第5實施例之電氣光學元件之 製造方法所製成顯示盡素之平面說明圖，第8圖中，507為 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 43 3 9 5 9 0 486593

7 7 A B 五 膜 觸 接 5 姆 ， 歐孔 明51及觸 説，膜接 W極源素 4源有畫 線 配 極 閘 為 體為則 導16造 半,5構 為極面 13汲斷 ,5為要 線15主 ! 5 , 配 之 容— 素一1線· * 助IB示 極 輔 Μ 顯 原 為满’ 2 為極 5 1 電 ,5素 2 為 線電 配同 極共 鬧 之 之板 側基 外向 域對 區入 示輸 顯.% 在用 設和 接線 連配 M容 0U l&Qtl 月 尽_ , 助 同 輔 相和 者線 圖配 1 極 第源 與和 圖 3 第 與 係 造 構 面 斷 之 部 子 端 ρ ο TC同 之相 需造 所構 源之 位示 電 所 號圖 55? 4 之第 極及 極示則 電顯例 示及施 顯K實 於、成* S構β ®之， 變卜同 Ϊ 外目 改纟相 %除，，者 係 j 中 施 置 素纟 實 •位 11 示 ί 第 i 對 — 顯 i 與 之 係 例 T ， 施TF法 實及方 本線造 關配製 有極之 源素 之畫 置 、 位 位 性電 對線 相配 之極 T 源 F T 和 及位 線電 配極 極 電 源素 之 畫 極因 電變 示改 顯可 於便 對 ， 相此 變藉 改 ， M係 予關 電丨 生域 產 區 所 之 差生 位發 電所 之圍 間周 之 極 位 電 電素 線畫 配於 容變 電改 肋 能 輔 ， 、 此 位 因 ipr , 線向 配方 極 之 閘場 場地 電對 之相 極 ， 電向 素方 盡下 至右 起為 極部 源上 自左 ， 之 如素 例畫 , 在 態 ， 狀中 生例 發施 之 簧 \1/ In第 ma於 ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 晶 實 液 1 之第 用之 使較 所 能 視 ， , 形 此波 因動 TaH f 向 、 方壓 下 電 左動 為驅 則 、 部膜 上 制 右控 之向 素 定 畫或 在料 , 材 能 此 因 部 光 遮 之 板 基 〇 向件 對元 在學 置光 配氣 小 電 縮之 Μ 率 予效 ,Ρ 合開例 場高施 之出實 例造 6 施製第 學平容 光及電 氣圖助 電明輔 之說為 施面02 實斷,6 6 部極 第要閘 明主為 發之 ο 本素,6 關畫中 有示圖 依顯10 為成第 圖製及 10所圖 第法 9 及方第 圖造 ， 9¾圖 第之明 件說 元面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44 3 9 5 9 0 486593 B7 五、發明説明（45) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電極，603為閘極絕緣膜，604為半導體有源膜，605為歐姆 接觸膜，607為源極，608為保護膜，610為輔助電容，612 為輔助電容配線，613為半導體有源膜及歐姆接觸膜，614為 源極配線，615為汲極，616為畫素接觸孔，617為畫素電極 ,又，用Μ連接設在顯示區域外側之閘極配線和源極配線 和輔助電容配線和用以輸入對向基板之共同電極之訊號電 位源所需之TCP端子部之斷面構造，係與第3圖及第4圖所 示之構造相同，有關本實施例之顯示畫素之構成特徵乃在 於改變輔助電容之位置，亦即，將輔助電容配線之位置改 變於閘極配線和前段之閘極配線（或後段之閘極配線）間之 中間位置，將輔助電容電極改變成朝向輔助電容配線之兩 側分岐之方式，除如此改變輔助電容電極及輔助電容配線 位置K外之構造，則與第2實施例之構造相同，此外，有 關本實施例之顯示畫素之製造方法，係與第1實施例者相 同，但由於本實施例之TFT部之源極係自源極配線和閘極配 線之交叉部在閘極配線上引出，因此，較之第1實施例之 情形可將越過閘極配線次數就各盡素減少一次，因此，本 實施例，能消除因閘極配線端之段差所引起與源極間之短 路，另外，在本實施例，使用本發明之輔助電容配線時， 可將形成唯一存在的同一層內之互異布線之閘極配線和輔 助電容配線（與閘極配線成平行之部分）之間之配線間距予 Μ拓寬，所以可減少圖案形成不良所引起閘極配線及輔助 電容配線間之短路。 第7實施例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 45 3 9 5 9 0 486593 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 46 ) 第 11圖及第 12圖為 依 有 關 本 發 明 第 7 實 施 例 之 電 氣 光 1 學 元 件 之 製 造 方 法 所 製 成 顯 示 畫 素 之 要 部 斷 面 說 明 圖 及 平 .1 1 面 說 明 圖 第 1 1圖 及 第 12圖 中 ,701 為 閘 極 ,7 0 2為輔 助 電 容 1 I 電 極 9 7 0 3為閘極絕緣膜， 7 0 4為 半 導 sm 體 有 源 膜 ,7 0 5為歐姆 請 先 閱 1 1 I 接 觸 膜 9 7 0 7為源極， 7 0 8為保護膜 7 1 0為輔助電容， 712 讀 背 1 1 I 為 輔 助 電 容 配 線 ，713 為 半 導 體 有 源 膜 及 歐 姆 接 觸 膜 ,714 為 之 注 意 事 項 再 1 i d 1 1 I 源 極 配 線 > 7 1 5為汲極， 7 1 6為盡素接觸孔， 717為 盡 素 電 極 1 J $ 7 1 8為鄰接閘極配線， 又， 用 Μ 連 接 設 在 顯 示 區 域 外 側 之 填1 寫, 本 閘 極 配 線 和 源 極 配 線 和 輔 助 電 容 配 線 和 用 輸 入 對 向 基 板 頁 、w〆 Ί 1 之 共 同 電 極 之 訊 號 電 位 源 所 需 之 TCP端子部之斷面構造， 係 1 I 與 第 3 圖 及 第 4 JSI 圖 所 示 之 構 造 相 同 0 1 I 有 關 本 實 施 例 之 顯 示 畫 素 之 特 徵 乃 在 於 刖 段 之 閘 極 1 訂 I 配 線 之 一 部 分 來 構 成 輔 助 電 容 配 線 > 亦 即 Μ 形 同 兼 用 例 1 1 如 比 第 12圖所 示 有 關 畫 素 71 7 之 薄 膜 電 晶 體 掃 描 選 擇 之 閘 1 1 極 配 線 711， 提前- -掃描期間所掃描選擇之閘極配線（鄰接 1 0k 閘 極 配 線7 1 8 )之 一 部 分 之 方 式 9 設 置 輔 助 電 容 電 極 y 作 為 輔 助 電 容 電 極 及 輔 助 電 容 配 線 而 構 成 者 9 除 如 此 ,VA· 刖 段 之 1 | 閘 極 配 線 之 一 部 分 構 成 輔 助 電 容 配 線 Μ 外 之 構 造 > 係 與 第 1 I 1 實 施 例 相 同 之 構 成 9 又 有 關 本 實 施 例 之 顯 示 晝 素 之 製 法 1 1 I 係 與 第 1 實 施 例 相 同 » 但 由 於 Κ 鄰 接 之 閘 極 配 線 和 盡 素 電 1 1 極 之 間 形 成 輔 助 電 容 因 此 不 必 另 做 輔 助 電 容 配 線 並 不 1 1 致 有 閘 極 配 線 和 輔 助 電 容 配 線 間 之 短 路 $ 可 製 造 出 高 開 P 1 1 效 率 之 電 氣 光 學 元 件 0 1 1 第 8 實 施 例 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 6 3 9 5 9 0 486593 hi B7 五、發明説明（47) 第13圖為依有關本發明第8實施例之電氣光學元件之 製造方法所製成顯示畫素之平面說明圖，第13圖中，807為 源極，811為閘極配線，813為半導體有源膜及歐姆接觸膜 ,814為源極配線，815為汲極，816為畫素接觸孔，817為 畫素電極，818為鄰接之閘極配線，又顯示畫素之主要斷面 之構造係與第11圖所示之構造相同，另外，用Μ連接設在 顯示區域外側之閘極配線和源極配線和輔助電容配線和用 Μ輸入對向基板上之共同電極之訊號電位源所需之TCP端 子部之斷面構造，係與第3圖及第4圖所示之構造相同。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有關本實施例之顯示畫素，除TFT部之源極，係Μ自源 極配線上引出之方式改變源極之引出方法以外之構造，及 顯示畫素之製造方法，係與第1實施例者相同，本實施例 ，如上逑，TFT部源極係自源極配線和閘極配線之交叉部起 在閘極配線上引出，因此，較之第1實施例之情形可將越 過閘極配線端之次數在各盡素減少一次，所M,本實施例 可消除閘極配線端之段差所引起與源極間之短路，又，在 本實施例，由於將輔助電容形成在鄰接之閘極配線及盡素 電極之間，所Μ可製造出不必另設輔助電容配線，且並無 閘極配線和輔助電容配線間之短路，具高開口效率之電氣 光學元件。 第9實施例 第14圖及第15圖為依有關本發明第9實施例之電氣光 學元件之製造方法所製成TFT陣列基板之顯示區域周邊配 線之平面說明圖及本實施例所使用之各備用配線之連接部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 7 3 9 5 9 0 486593

五、發明說明（48) ， 斷面說明圖，第14圖及第15圖中，28為閘極側引出配線， 29為輔助電容配線，30為源極側引出配線，31為源極配線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ,32為閘極側備用配線，33為反閘極側備用配線，34為源 極側備用配線，35為反源極側備用配線，36為接觸孔，37 及44為導電性薄膜，38為輔助電容供電配線，39為封合部 ,40為第一備用配線，41為第二備用配線，42為接觸孔， 又，D為顯示晝素陣列部，G為閘極側TCP連接部，S為源 極側T CP連接部，其他符號則與第1圖所示符號相同，另外 ，第一備用配線係由第一金屬薄膜形成之備用配線，而第 二備用配線係由第二金屬薄膜形成之備用配線，在本實施 例，係對第一金屬薄膜施予圖案形成，形成與源極側引出 配線30交叉之源極側備用配線34,同樣地，對第一金屬薄 膜施予圖案形成，形成與延伸在與形成有顯示區域之源極 側引出配線30之側之相反側而成之源極配線成交叉之反源 極側備用配線35,又同樣地，與半導體有源膜和歐姆接觸 膜一併對第二金屬薄膜施予圖案形成所成叠層構造之閘極 側備用配線3 2 ,係與閘極側引出配線2 8交叉而形成，更在 與形成有顯示區域之閘極側引出配線28之側相反之側，形 成對第二金屬薄膜及半導體有源膜及歐姆接觸膜施予圖案 形成所成之叠層構造之反閘極側備用配線33,此外，閘極 備用配線32、源極側備用配線34、反閘極側備用配線33及 反源極側備用配線35,具有各個之一部分互相交叉之交叉 部，在各交叉部附近對第一絕緣膜及第二絕緣膜施予圖案 形成，形成穿通至第一金靥薄膜表面之第一接觸孔42,及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S) 48 (修正頁)&9 5 9 0— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486593 Α7 Β7 五、發明說明（49) 穿通至第二金屬薄膜之第二接觸孔43,更Μ能電氣連接第 一接觸孔及第二接觸孔之方式形成有導電性薄膜。 有關本實施例之顯示畫素之製造方法仍與第1實施例 相同，但在本簧施例則在顯示部周圍予Κ形成備用配線， 因此，源極配線發生斷線（源極斷線）時，由於能藉備用配 線對由源極側TCP連接部看，位於比源極斷線更前方之源極 配線，供給訊號，所以能修正源線斷線造成之線缺陷。 本簧施例，係於第一微影製程，將第一金屬薄膜施行 圖案形成，Μ形成源極側備用配線及反源極側備用配線， 其次，於第二微影製程，如第15圖所示，在源極側備用配 線34和閘極側備用配線32之重疊部、源極側備用配線34和 反閘極側備用配線33之重叠部、反源極側備用配線34和閘 極側備用配線32之重叠部、及反源極側備用配線34和反閘 極側備用配線33之重疊部，形成半導體有源膜4及歐姆接 觸膜5。 此時，半導膜有源膜及歐姆接觸膜，係在供形成容後 形成的閘極側備用配線32之下層，形成大於閘極側備用配 線32之圖案，同樣地，在供形成反閘極側備用配線33之下 層，由比反閘極備用配線33之圖案較大之圖案所形成，於 第三微影製程將第二金屬薄膜施行圖案形成，Μ形成閘極 側備用配線32及反閘極備用配線33，於第四微影製程將第 一絕緣膜及第二絕緣膜施予圖案形成，Μ形成第一接觸孔 42及第二接觸孔43,於第五微影製程將導電性薄膜施予圖 案形成，Κ形成導電性薄膜44,如此，便可在顯示部周圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 49(修正頁）395 9 0 ---------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 486593 A7 B7 五、發明説明（50) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 極線 ，成 於備 配觸源 用便射 側備以 含 配膜所 係膜接 源 配線形 出側用 接和備 ，雷 極側右 各 極觸差 管觸姆 射極 斷於露極備此30側造的 源極左 。藉 源接段 儘接歐 照 源極位 致源極 ，線極 構部和 源部條 ，於姆之 ，姆及 射及源為不反閘多配 源此叉30, 示數明由歐膜 述歐膜 雷 ，復佳線和反形出反藉交線外顯複發 ，和觸上及源 藉部修較配34和情引和 ，之配另在成 之 膜接如膜有 , 叉能 ，用線32之側31造35出 ，別形項 J 源姆 ，源體 時交便言備配線小極線構線引接分可 1M 有歐外有導 陣 線之 ，而為 用配做 源配層 配側連 可線第 T 體及 此體半 斷34部上由 備用孔 將極叠 用極射 ，配圍TF導膜 ，導和 極線 叉性理 側備觸 可源之 備源照35用範 出半源 線半極 源配交賴其極側接 ，及 同側 對射線備利造過有 斷著電 現 用之信 ，源 極將示 部相極 行雷配 ，專 製跨體 之留素 發備35從內 ，閘要 所叉為 源實之 用又請 能內導 極殘耋 試側線 ，部外 、需圖 交成反 下部備 ，申 便部半 電近為 測極配置合另部則15之形和件叉側之依程示除 極附成 〇 種源用位封 ，叉 ，第間部31條交極成 ，製顯消汲邊構 線各和備 之之故交部如34叉線一 之 源形明 五在能 及周要 配藉30側線圍，之之叉 ，線交配同間反式說之致 Μ 線極只 用 ，線極 配周，晶間 交時配 之極法34和方所程不所 配電但 備後配源用部液35之高用間源接線34離上製極 ，極素 ， 出之 出反備 示或線間增備35對連配線分如影源差 源盡狀 成引和 ，顯氣配33阻側線與射用配氣 微及段起在形 形側31又 在大用 線電極 配可照 備用電 有線之 引屬之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 50 3 9 5 9 0 486593

A r> B7 消 能 便 造 構 之 隹 離 分 所 膜 緣 絕二 第 由 係 }線 5 配 —極 明源 說及 明膜 ^x i 觸 五 造導 所半 良 下 不射 案 照 圖光 之在 線或 配路 極短 源純 及單 膜之 觸間 接極 姆電 歐素 及畫 膜 與 源線 有配 體極 導源 半 ， 除成 生 發 路 短TF 之 自 時膜 化觸 阻接 電 姆 低歐 受及 遭膜 膜源 源有 有體 體導 外 另 半因 使 ’ 若 常 通 時 下 線 配 極 源 至 伸 延 立口 之 JJ匕 8 3 可 認 流確 電 ， FF後 j討 探 F * ▲ T 性 , 驗 化 實 阻作 電 者 低明 之發 下之 射明 照 發 光本 在由 膜經 源 ， 有惟 體 ， 導加 半增 大>積 ill C I Μ ^ 二 ， j3" Π電 加 P 方 增OF之 之之大 流下增 電射阻 FF照電 ϋ光之 使 側 為極 , 汲 步 、 地極 10之源 有示之 少顯膜 至及si 厚響a-膜影使 之K能 膜足 Μ 〇〇 得則 時 上Μffi η i 餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 效線 有配 屬 極 也源 ，和 極 電 te素 ra畫 Π 變 10改 i 般 0S例 ep施 (d實 率 5 速第 大 增 第 同 如 又 或 助 輔 、 線 配 極 閘 定 口 、 開 晶 出 液 造 關製 有可 寬便 放 ， 並件 ，條 之 形 波 驅 〇 、 件 壓 元 電 學 動光 TF驅氣 、 、 電 線膜的 配制高 容控率 電向效 係 關 置 位 性 對 相 之 部 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 出 實引藉 5 之 ， 第極位 至源部 1 之之 第部同 同FT不 如ET部 更 叉 接 ， 交! 0 - 日配夂 配 項 極 自 2 、 源 令 第 和 圍K線 範 j 配 例 專？ 閘 實 請 7 與 申第在 依或成 例形 施點 消 可 便 斷 切M 予 來 射 照 射 银田 藉 時 〇 陷響 缺 影 生之 發 素 部畫 示他 顯其 ，對 此除 配 極 閘 ! 自 2 線 第配 同出 如 引 更之 , 極 明源 發之 之部 項 T F 3 T 第 至 圍接 範線 利配 專極 請 源 申 自 依 令 般 例 實 8 或 施 消端 能線 便配 , 極 成閘 形在 而除 出消 引能 上故 線 ， 配形 極 倩 閘 之 在部 部端 叉 線 交配 之 極 線閘 配越 極跨 源極 和源 線除 本紙張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公f ) 51(修正頁）39590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486593 A7 B7__ 五、發明說明（52 ) 部，閘極配線和源極間之短路。 依申請專利範圍第4項之發明，更如同第1至7或8實 施例般輔助電容係由第一絕緣膜和第二絕緣膜形成，所K 能製造出即使任一方之膜產生針孔，也不致發生晝素電極 和輔助電容電極間短路之電氣光學元件。 依申請專利範圍第5項之發明，更如第1至5或6實施 例般使用專用之輔助電容配線，所Μ可減少輸入輔助電容 配線的訊號失真，可製造出高顯示品質之電氣光學元件。 依申請專利範圍第6項之發明，更如同第7或8實施例 般不需要輔助電容配線，因此，可製造出高開口效率之電 氣光學元件，此時，為減少經由閘極配線輸入之非選擇期 間中之訊號失真，則藉由減少配線電阻、減少訊號源之輸 出阻抗等措施，便能製造出高顯示品質之電氣光學元件。 依申請專利範圍第7項之發明，更由於閘極配線及源 極配線不需要層間之接點，所Μ能使自TCP輸出端子起至 TFT部之電阻減少同時能得高信賴性之構造。 依申請專利範圍第8項之發明，因形成於TCP之出力端 子連接部之接觸孔係依ACF完全覆蓋之故，可K製造對濕度 之信賴度高之電氣光學元件。 依申請專利範圍第9項之發明，於各包含微影製程之 五製程在顯示部周圍亦可形成備用配線，因此，發生源極 斷線時之修復即成為可能。 [元件符號說明] 1、601、701 閘極 2、602、702 輔肋電容電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（2丨0 X 297公t ) 5 2 {\% IE H ) 3 9 5 9 0 --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 486593 A7 --- —__B7__ 五、發明說明〖2_1) 3、603、703 閘極絕緣膜 4、604、704 半導體膜 5、605、705 歐姆接觸膜 Ί 、 87、 207、 307、 407、 507、 607、 707 Μ @ 8、608、708 保護膜 10、610、710輔助電容 11、 211、 311、 411、 511、 711、 811 閘極配線 12、 29、 212、 312、 412、 512、 612、 712 輔助電容配線 13、 213、313、413、 半導體膜及歐 513、 613、 713、 813 姆接觸膜 14、 31、 214、 314、 414、 514、 614、 714、 814 源極配線 15> 215、 315 - 415、 515% 615 ^ 715、 815 汲極 16、 216、 316、 416、 516、 616、 716、 816 畫素接觸孔 i Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 \ 2 1 Ί、 3 17 41 Ί 、 517 ^ 617〜 7 17 817 畫 素電極 2 0 第 — 顯 示 部 引 出配 線 2 1 第 一 TCP連接電極 22 第 — TCP端子接點 23 第 — PCT連接範圍 2 4 第 二 顯 示 部 引 出配 線 25 第 二 TCP連接電極 26 第 二 TCP端子接點 27 第 二 PCT連接範圍 718 、8 18 鄰 接 閘 極配 線 28 閘 極 側 引 出 配線 30 源 極 側 引 出 配 線 32 閘 極 側 備 用 配線 33 反 閘 極 側 備 用 配線 34 源 極 側 備 用 配線 35 反 源 極 側 備 用 配線 36 接 觸 孔 37 - 44 導 電 性 薄 膜 38 輔 助 電 容 供 電配線 39 封 合 部 40 第 一 備 用 配 線 41 第 二 備 用 配 線 42 第 一 接 觸 孔 43 第 二 接 觸 孔 D 顯 示 盡 素 陣 列部 G 閘 極 側 TCP連接部 S 源 極 側 TCP連接部 訂---- 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ297公釐） 52-1 (修正頁）39590

Claims (1)

1. 486593 附1牛 H3 "f 87104278號專利申請案 申請專利範圍修正本 .d ? * ./ \ 序巧 π I 0¾ 8月3機)古Imnj 一種電氣光學元件之製造方法，該電氣 :具有經電氣連接之薄膜電晶體之畫素 素係在第一絕緣性基板上形成為陣列狀 膜電晶體依順序掃描選擇之蘭極配線與 加寫入訊號電位之源極配線按正交狀態 狀而成之TFT陣列基板，在第二絕緣性 色滤光片及共同電極而成之對向基板之 使前述TFT陣列基板和對向基板相貼合 列基板上側和前述對向基板下側各設有 光學元件係由 電極之顯示盡 ;將各前逑薄 將畫素電極施 經形成為矩陣 基板上形成彩 間夾持液晶層 ;在前述TFT陣 偏光板；其特 徼為至少包括有： U)在前述第一絕緣性基板上形成第一金屬薄膜後， 於第一次微影製程，將前述第一金屬薄膜施行圖案形 成，以形成前述閘極配線及前述薄膜電晶體的閘極之 程 製 觸 接 姆 歐 及Μ Λ 膜 源 有 導 半 r 膜 緣 絕1 第 成 形 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 程 製 影 微 次二 第 於 S 導 半 述 前 將 法 刻 蝕 式 乾 依 前 成 及形 線案 配圖 極 行 源施 述狀 i刖 形 成的 形續 較 連 按且 膜大 觸為 接分 姆部 歐之 述體 前 晶 及 電 膜膜 後源薄 膜有述 前 將 程 製 影 微 次 三 第 於 後 膜 薄 屬 金二 第 ; 成 程形 製 } - C 之 ί 線法 配刻 極蝕 源式 述乾 前依 成再 形 ， Μ 極 , 汲 成 及 形極 案源 圖的 一rj禮 施 晶 膜 電 薄 膜 靥 薄 金 述 二 前 第 及 述 Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CN S ) A4規格（2 iO X 297公I) 1 3 9 5 9 0 486593 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 _H3_ 將前述歐姆接觸膜施行蝕刻以去除自前述源極配線、 源極及汲極溢出之部分之製程； (d) 形成第二絕緣膜後，於第四次微影製程，將前述 第二絕緣膜及前述第一絕緣膜施行圖案形成，並形成 至少穿通至前述汲極表面之畫素接觸孔和穿通至前述 第一金屬薄膜表面之第一接觸孔和穿通至前述第二金 屬薄膜表面之第二接觸孔之製程；及 (e) 形成導電性薄膜後，於第五次微影製程，將前述 導電性薄膜施行圖案形成，K形成畫素電極之製程； 而前逑各個畫素電極，按與夾介液晶層而形成在前述 畫素電極與前述共同電極之間之電容成並聯之方式， 設有在一方電極與另一方電極之間夾介電質而形成之 輔助電容，而該一方的電極前述畫素電極，該介電質係 由第一絕緣膜及第二絕緣膜而成之疊層膜，且前述源極 係自源極配線的前述閘極配線和源極配線之交叉部Μ 外之部分起，經延伸形成在閘極配線上者。 2. —種電氣光學元件之製造方法，該電氣光學元件係由 :具有經電氣連接之薄膜電晶體之晝素電極之顯示畫 素係在第一絕緣性基板上形成為陣列狀；將各前述薄 膜電晶體依順序掃描選擇之閘極配線與將畫素電極施 加寫入訊號電位之源極配線按正交狀態經形成為矩陣 狀而成之TFT陣列基板，在第二絕緣性基板上形成彩 色濾光片及共同電極而成之對向基板之間夾持液晶層 使前述T F T陣列基板和對向基板相貼合；在前述T F T陣 列基板上側和前述對向基板下側各設有偏光板；其特 本紙張尺度適用中國國家標準（CN S ) A4規格（210 X 297公货) 2 3 9 5 9 0 486593 Η 前 在 成 形 而 層 晶 液 介 夾 與 按 極 電 素 Ε S 個 各 述 前 為 徵 式之 方成 之形 聯而 並質 成 電 容介 電 夾 之間 間之 之極 極 電 電方 同 一 共另 述與 前極 與電 極方 電 一 素在 畫有 述設 極膜 電層 素 疊 晝之 述成 前 而 極膜 電 緣 的絕 方 二 一 第 該及 而膜 , 緣 容絕 電 一 助第 輔由 係 質 電 介 該 包 少 至 且 有 括 後 膜 薄 屬 金1 第 成 形 上 板 基 性 緣 絕1 第 述 前 在 形之 案極 圖閘 行的 施體 膜 晶 薄電 屬膜 金薄 一 述 第 1刖 述及 前線 將配 , 極 程閘 製述 影SU 微成 次形 一 Μ 第 ， 於成 程 製 觸導 接半 姆述 歐 前 及將 以法 、 刻 膜蝕 源式 有乾 體依 導 ， 半程 、 製 膜影 緣 微 絕次 一 二 第第 成於 形 ， } 後 (b膜 及形 線案 配圖 極行 源施 述狀 前形 成的 形續 較連 按且 膜大 觸為 接分 姆部 歐之 述體 前 晶 及 電 膜 膜 源薄 有述 體 前 前 將 程 製 影 微 次 三 第 於 後 膜 薄 屬 金 二 ; 第 程成 製形 之 } 成(C 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 線法 、 配刻線 極蝕配 源式極 述乾源 前依述 成再前 形 ，自 W極除 , 汲去 成及以 形極刻 案源蝕 圖的行 行體施 施晶膜 膜電觸 薄膜接 屬薄姆 金述歐 二 前述 第 及 前 述 K 將 述 成述金 前 形前二 將 並至第 , , 通 述 程 成穿前 製 形和至 影案孔通 微圖 觸穿及 次 行接和 ； ; 四施 素孔程 程第膜 畫觸製 製於緣 之接之 之 ，絕 面一孔 分後一 表第觸 部膜第 極之接 之緣述 汲面二 出絕前 述表第 溢二及 前膜之 極第膜 至薄面 汲成緣 通屬表 及形絕 穿金膜 極 } 二少一 薄 源(d第 至第屬 本紙張尺度適用中國國家標準（cN S ) A4規格（210 X 297公爱) 3 3 9 5 9 0 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 (e)形成導電性薄膜後，於第五次微影製程，將前述 導電性薄膜腌行圖案形成，K形成畫素電極之製程； 而前述源極係自源極配線的前述閘極配線和源極配線 之交叉部起，經延伸形成在閘極配線上者。 3. 如申請專利範圍第2項之電氣光學元件之製造方法， 其中，前述另一方電極係由前述第一金屬膜而成之輔 助電容電極及輔助電容配線，且前逑輔助電容電極及 前述輔助電容配線將與前述閘極及前述閘極配線同時 形成者。 4. 如申請專利範圍第2項之電氣光學元件之製造方法， 其中，前逑另一方的電極係在前述閘極配線中，較掃 描選擇經連接在前述的本身為一方電極之畫素電極之 薄膜電晶體之閘極配線，提前一掃描期間將掃描選擇 之閘極配線的一部分者。 5. 如申請專利範圍第3或第4項之電氣光學元件之製造方 法，其中，在按陣列狀形成有前述顯示畫素之顯示區 域的外側，形成顯示部引出配線，前述顯示部引出配 線係由閘極側引出配線及源極側引出配線構成，前述 閘極側引出電極連接裝載有為將前述閘極配線輸人訊 號電位而設之驅動器1C之TCP的驅動器輸出連接端子 與前述閘極配線，前述源極側引出電極連接装載有為 將前述源極配線輸入訊號電位而設之驅動器1C之由TCP 而成之驅動器輸出連接端子與前述源極配線，而將第 一金靥薄膜施行圖案形成並按自前述閘極配線連續之 形狀形成前述閘極側引出電極，且將第二金屬薄膜陁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X 297公爱) 4 3 9 5 9 0 486593 _H3_ 行圖案形成並按自前述源極配線連續之形狀形成前述 源極側引出電極。 6·如申請專利範圍第5項之電氣光學元件之製造方法， 其中，（a)連接在前述閘極側引出配線之驅動器連接 端子的構造，係在前述第一金屬薄膜上疊曆前述第一 絕緣膜、前述第二絕緣膜、K及前述導電性膜，而前 述第一金屬薄膜及前述導電性薄膜係於前述第一接觸 孔經電氣連接而成之構造，且前述第一接觸孔係由連 接前述TCP至前述閘極配線之側的驅動器輸出連接端 子之非等向性導電膜所覆蓋而成，（b)經連接在前逑源 極側引出配線之驅動器輸出連接端子的構造，係疊層 前逑第一絕緣膜、前述第二金屬薄膜、前逑第2絕緣 膜、K及前逑導電性薄膜，而前述第二金屬薄膜及前 述導電性薄膜係於前逑第二接觸孔經電氣連接之構造 ,且前述第二接觸孔係由前述非等向性導電膜所覆蓋 者0 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 5 第 圍 範 利：：：第 專fa述 請，前 申中將 如其成 電 之 項 側 極 閘 述 前 與 按 膜 薄 屬 金 氣ItB 法 方 造 製 之 件 元 學 光 式 方 之 叉 交 相 線 配 姆 歐 述 前 及 M 膜 源 有 導 半 備引 側 側 極 極 閘閘 之述 體前 造有 構成 層 形 叠於 之 ， 成域 而區 成 示 形顯 案述 圖 前 行在 施b) 經,( 膜線 觸配 接用 、 形 膜案 薄圖 屬 行 金施 二 經 第膜 該觸 逑接 前 姆 將歐 成述 形 i刖 , 及 側M 反膜 相源 之有 側體 之導 線半 配述 出 1刖 前金一 與 一 按第 C)述 ,(前 線將 配 成 用形 備 ， 側式 極方 閘 之 反叉之 六乂 體相 造 線 構配 層出 叠 引 之 側 成極 而源 成述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公楚) 5 3 9 5 9 0 486593 Η 線 配 用 備 側 極 源 之 成 而 成 形 案 圖 行 施 經 膜 薄 屬 按 線 配 出 引 側 極 源 述 前 有 成 形 的 域 區 示 顯 述 前 在 設 延 與 將備 成 側 形極 , 源 式反 方之 之成 叉而 交 成 相形 線 面 配圖 極 行 源施 述經 前膜 之薄 側 屬 反金 相 一 成第 側逑 之 1刖 , 反 線逑 配 前 用 、 線具 配係 用 ’ 線 配 用 備 側 極 0¾ 反 及 線 配 用 備 側 極 源 用 備 側 極 閘 述 前 線 備 側 極 源 述 前 咹 重 ί 述 且 該 ，前 在孔將 並觸式 , 接方 部二之 疊第接 重述連 之前氣 接及電 搭孔能 此觸孔 彼接觸 分一接 部第二 一 述第 的前和 身成孔 本形觸 使近接 相附 一 互部第 有叠使 成 形 案 圖 行 施 膜 薄 性 電 導 % 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（C N S ) A4規格（210 X 297公聲） 6 39590