KR101232165B1 - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 클로즈드 드리프트 트러스터(closed drift thruster) 방식을 이용하여 건식 식각(dry etch)을 진행함으로써 균일한 식각을 행하도록 한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 절연 기판상의 일정 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 반도체층을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막상에 액티브층을 형성하는 단계와, 상기 액티브층의 양측단에 일정한 간격을 갖도록 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 보호막을 선택적으로 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
건식 식각, 플라즈마, 액정표시장치

Description

액정표시장치의 제조방법{method for manufacturing of liquid crystal display device}
도 1은 종래 기술에 의한 RF 식각 장비를 나타낸 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 클로즈드 드리프트 트러스터 방식을 이용한 건식 식각 장치를 나타낸 평면도
도 3은 도 2의 I-I'선을 따라 절취한 건식 식각 장치를 나타낸 단면도
도 4는 본 발명에 따른 건식 식각 장치를 나타낸 분해 사시도
도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
141 : 절연 기판 142 : 게이트 전극
146 : 소오스 전극 147 : 드레인 전극
148 : 보호막 149 : 콘택홀
150 : 화소전극
본 발명은 액정표시소자(liquid crystal display device)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 식각 균일도의 향상 및 생산성을 향상시키도록 한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판 디스플레이 중에서 액정표시소자는 소형화, 경량화, 저 소비전력화, 풀컬러화 등의 장점 때문에, 휴대용 단말기, 노트북 컴퓨터, 영상기기 등 폭넓게 이용되고 있다.
상기 액정표시소자는 교차 배치되어 주사신호 및 데이터 신호를 각 하소에 전달하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 지점에 형성되어 화소전극에 전압을 걸어주거나 차단해주는 스위칭 소자와, 빛을 투과시키는 영역으로 액정층에 신호전압을 걸어주는 화소전극이 형성되어 있는 어레이 기판과, 상기 화소전극과의 전압 차이에 의해 액정층에 전압을 걸어주는 공통전극과, 색채를 표현하고 빛을 선택적으로 투과시키는 컬러필터층과, 액정배열을 제어할 수 없는 부분의 빛을 차단하는 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 컬러필터 기판과, 상기 어레이 기판 및 컬러필터 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다.
이처럼, 소자를 동작시키기 위해서는 복수의 다양한 패턴들이 형성되어야 하는데, 이들을 형성하기 위해서는 식각공정을 수행하여야 한다.
특히, 상기 화소전극 및 공통전극은 투명한 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)를 재료로 형성하는데, 상기 ITO를 식각하기 위해서는 질산(HNO3) : 염산(HCl) : DI(Deionized water)를 4.5 : 18.5 : 77의 중량비로 혼합시킨 화학물질 또는 (COOH)2의 화학식으로 표현되는 OZ산 중 어느 하나를 주로 사용하고 있다.
한편, 식각 공정은 화학용액을 이용하여 포토레지스트가 없는 부분의 박막을 제거하는 습식 식각과 플라즈마 가스 또는 라디칼을 이용하여 제거하는 건식 식각으로 크게 구분된다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술에 의한 RF 식각 장비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 RF 식각 장비를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 고주파의 교류전원을 발생시키는 RF 파워 발생기(Radio Frequency generator,70)와, 상기 RF 파워 발생기(70)로부터 발생된 파워를 진공챔버(30)로 공급하는 RF 매치박스(80)와, 상기 RF 파워 발생기(70)로부터 발생된 파워를 인가받아 플라즈마 형성을 위한 전기장을 발생시키는 플레이트 형상의 애노드(anode) 전극(34) 및 캐소드(cathode) 전극(42)을 구비한다.
여기서, 상기 RF 파워 발생기(70)는 플라즈마를 형성하는 반응성 입자들이 애노드(anode) 전극(34)과 캐소드(cathode) 전극(42)의 양 방향으로 반복적인 운동을 할 수 있도록 13.56MHz의 주파수와 10KW의 용량을 갖는 파워를 발생시킨다.
여기서, 파워는 RF 파워 발생기(70)로부터 발생되는 고주파 교류전압과 고주파 교류전류에 의해 결정된다.
또한, 상기 RF 매치박스(80)는 진공챔버(30) 내부의 임피던스와 RF 파워 발생기(70)의 임피던스를 맞춰주고, 상기 RF 파워 발생기(70)로부터 공급되는 고주파 교류전압의 위상과 진공챔버(30)로 공급되는 교류전압의 위상을 동일하게 유지시켜주는 역할을 한다.
즉, 상기 RF 파워 발생기(70)로부터 발생되는 교류전압의 위상과 진공챔버(30)로 공급되는 교류전압의 위상이 틀어지면 건식식각의 재현성이 없어지고, 건식식각 장치가 손상을 입을 위험이 있으며, 갑작스러운 에너지에 의한 진공챔버(30)의 손상을 입을 우려가 있다. 이러한 위험을 줄이기 위하여 RF 파워 발생기(70)와 진공챔버(30) 사이에 RF 매치박스(80)가 설치된다.
도한, 상기 애노드 전극(34)은 플레이트 형상으로서 RF 파워 발생기(70)와 접속되어 있고, 상기 캐소드 전극(42)은 플레이트 형상으로서 상기 애노드 전극(34)과 소정의 간격을 유지하여 글로우 방전을 위한 공간을 형성한다.
한편, 상기 캐소드 전극(42)의 상부면에는 식각할 대상인 식각 대상물(도시되지 않음)을 지지하는 지지대(도시되지 않음)가 설치되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 식각장치를 이용하여 식각 대상물을 식각하기 위하여 우선 지지대상면에 위치시킨 후, 펌프(미도시)를 이용하여 밀폐공간 내부의 압력을 플라즈마 형성에 적당한 압력인 7.7mtorr 내지 5.6mtorr 로 형성한다.
그 후, 상기 진공챔버(30) 내부로 가스 가이드를 통하여 식각 대상물을 식각할 수 있는 기체를 공급한다.
이어서, 상기 RF 파워 발생기(70)를 통하여 13.56MHz의 주파수를 갖는 교류전압을 애노드 전극(34)과 캐소드 전극(42) 사이에 걸어주면 밀폐공간 내부에 있던 자유전자가 전기장에 의해 가속되어 식각가스 분자들과 충돌하게 된다.
이에 따라, 식각 가스 분자들은 높은 에너지를 얻어 활성화 상태가 되고 이후 이온화 분해과정을 거쳐 이온, 전자, 라디칼(radical)로 분리됨으로서 플라즈마(plasma)를 형성하게 된다. 이때, 라디칼은 확산에 의해서 무질서하게 이동하며, 이온이나 전자는 인가된 전기장의 방향에 따라 이동하여 물리적 또는 화학적 반응을 이루면서 표면을 식각하게 된다.
그러나 상기와 같은 종래의 RF 건식식각 장치에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 식각 대상물이 놓이는 전극에 주로 13.56MHz의 RF 전압을 인가하고 공정압력을 낮게 유지(1100mtorr 이하)하여 플라즈마 중의 양이온이 플라즈마 외장(plasma sheath)을 통해 가속되게 함으로써 플라즈마 방식에 비해 이방성 식각 특성을 향상시킨 구조이나, DC 바이어스에 의해 가속된 이온에 의해 식각 대상물 표면의 손상 정도가 높고, 이온이 산발적으로 발생되는 챔버 벽 등에 충격을 가하여 불필요한 열이 발생한다. 또한 챔버 벽의 표면 손상, 폴리머 등의 문제가 있으며 금속 오염 발생정도가 크다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 클로즈드 드리프트 트러스터(closed drift thruster) 방식을 이용하여 건식 식각(dry etch)을 진행함으로써 균일한 식각을 행하도록 한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법은 절연 기판상의 일정 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 반도체층을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막상에 액티브층을 형성하는 단계와, 상기 액티브층의 양측단에 일정한 간격을 갖도록 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 보호막을 선택적으로 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 클로즈드 드리프트 트러스터 방식을 이용한 건식 식각 장치를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 I-I'선을 따라 절취한 건식 식각 장치를 나타낸 단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 건식 식각 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
본 발명에 의한 건식 식각 장치는 종래의 RF 방식 대신 클로즈드 드리프트 트러스터 방식을 적용한다. 즉, 본 발명은 직진성이 좋은 이온 빔(ion beam)을 생 상하여 건식 식각기 발생된 CD 제어에 효과적으로 적용할 수 있고, 에너지가 큰 빔을 생성하여 다양한 종류의 박막 식각에 응용할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 하나의 구동 전압원을 통해 이온 발생기로 구동 전원을 제공함으로써, 구조가 간단하고 전압을 용이하게 가속할 수 있는 건식 식각 장치를 제공하고, 하나의 건식 식각 장치를 통해 대면적을 갖는 기판에 대한 식각을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 클로즈드 드리프트 트러스터 방식을 이용한 건식 식각 장치는 종래의 RF 전압을 사용하기 때문에 RF 매치 박스를 필요로 하지만, 본 발명의 건식 식각 장치는 DC 전원을 사용하기 때문에 매치 박스가 필요없어 그 구성이 간단하다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 건식 식각 장치(230)는 케이스(231)와, 상기 케이스(231)를 둘러싸면서 형성되는 캐소드 전극(232)과, 상기 케이스(231)와 소정의 절연체에 의해 절연된 상태로 캐소드 전극(232)의 하부에 위치하는 애노드 전극(233)과, 상기 캐소드 전극(232)과 애노드 전극(233)에 의해 여기된 식각 가스 이온을 소정의 방향으로 진행시키기 위한 자석 어셈블리(234)와, 가스라인을 통해 케이스(231)의 후면에 형성된 홈(211)을 통해 공급되는 식각 가스를 케이스(231) 내부로 토출시키는 가스 공급부(235)를 포함하여 구성되어 있다.
이때, 상기 케이스(231)는 내부가 빈 직육면체 형상의 구조체로서, 상면에는 플라즈마 상태로 여기된 가스 이온이 출사되는 슬릿 형상의 가스홈(236)이 형성되어 있고, 후면에는 가스라인을 통해 공급되는 가스가 주입되는 가스 주입공(237)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 자석 어셈블리(234)는 영구자석이나 전자석을 사용하고, 접은 틈 사이에 강한 자기장을 걸어주면 틈 사이에서 전가가 트랩되어 많은 플라즈마가 발생하여 상기 가스홈(236)을 통해 출사되어 식각 가스의 이온화율을 높일 수가 있다.
이때, 상기 가스홈(236)은 가스 공급부(235)에 형성된 가스홀(238)의 위치와 대응되게 하우징(231)의 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있고, 상기 가스 주입공(237)은 가스 공급부(235)에 형성된 가스홀(238)의 위치와 대응되게 하우징(231) 후면에 형성되어 있다.
또한, 상기 캐소스 전극(232)은 잭 스크류(jack screw)를 통해 하우징(231)의 상면에 고정된 제 1 캐소드 전극(232a)과, 제 1 캐소드 전극(232a)의 하면에 형성된 제 2 캐소드 전극(232b)으로 구성되어 있다.
이때, 상기 제 1 캐소드 전극(232a)은 하우징(231)의 외주면을 따라 고리 형상으로 형성되어 있고, 제 2 캐소스 전극(232b)은 하우징(231)의 상면에 형성된 가스홈(236)의 내측에 형성됨으로써 가스 이온이 가스홈(236)을 통해 외부로 토출되는 것을 방해하지는 않는다.
또한, 상기 애노드 전극(233)은 하우징(231)과 가스 공급부(235) 사이에 형성된 간격에 삽입 고정되며, 상기 캐소드 전극(232)을 구성하는 제 2 캐소드 전극(232b)과 소정 간격 이격되어 형성되어 있다.
이때, 상기 캐소드 전극(232)과 애노드 전극(233)은 외부로부터 인가되는 구 동전원에 연동하여 전극간 사이에 고전압을 유기시킴으로써 가스 공급부(235)로부터 공급되는 가스를 플라즈마 상태의 가스 이온으로 여기시키는 역할을 수행한다.
그리고 상기 자석 어셈블리(234)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 가스 공급부(235)로부터 공급되는 가스를 캐소드 전극(232)과 애노드 전극(233) 사이에 트랩시키는 동시에 플라즈마 상태로 여기된 가스이온을 기판이 위치하는 방향으로 진행시키는 역할을 수행한다.
여기서, 상기 가스발생기(도시하지 않음)는 밀폐공간으로 형성되어 내부에서 화학반응에 의해 식각가스로 사용되어질 가스를 형성한다. 이 때, 가스 발생기는 식각 대상물의 종류에 따라 염소기체(Cl2), 염산기체(HCl), 플루오르화 황(SF6), 산소 기체(O2), 플루오르화 탄소(CF4) 등을 발생시킨다.
상기 가스 공급부(235)는 상기 가스발생기에서 발생된 식각가스를 케이스(231)로 도입하기 위한 관으로서, 유독가스를 전달하는 기능의 특성상 부식에 강한 재질적 특성을 가져야 한다. 또한, 건식 식각 장치 내부로 유입되는 식각가스에 불순물이 첨가되는 것을 방지하기 위한 부재를 구비한다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 유리 기판(141) 상에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등의 저저항 금속 물질을 적어도 한층 이상으로 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(도시하지 않음) 및 상기 게이트 라인에서 분기되는 게이트 전극(142)을 형성한다.
여기서, 상기 게이트 전극(142)이 양극산화 가능한 금속일 경우에는 힐락(hillock) 방지를 위해 게이트 전극(142)을 양극 산화할 수 있다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(142)을 포함한 유리 기판(141)의 전면에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(143)을 형성한다.
이어, 상기 게이트 절연막(43)상에 비정질 실리콘층(a-Si layer)(44)과 오믹 콘택층(n+)(45)을 차례로 형성한다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 도 2 내지 도 4와 같이 구성된 건식 식각 장치 즉, 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 오믹 콘택층(145)과 비정질 실리콘층(144)을 선택적으로 제거하여 액티브층(144a)을 형성한다.
도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(144a)을 포함한 유리 기판(141)의 전면에 스퍼터링법 등의 방법으로 금속막을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 전기적으로 분리된 소오스 전극(146)과 드레인 전극(147)을 형성한다.
여기서, 상기 소오스 전극(146)과 드레인 전극(147)을 형성하기 위해 상기 금속막을 식각하는 공정은 습식 식각(wet etch) 공정을 사용하고 있다.
또한, 상기 소오스 전극(146) 및 드레인 전극(147)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등의 도전성 금속막을 사용한다.
그리고 상기 소오스 전극(146) 및 드레인 전극(147) 사이에 노출된 오믹 콘택층(45)을 건식 식각(dry etch)을 이용하여 선택적으로 제거하여 분리한다.
이때 상기 건식 식각은 상기 액티브층(144a)을 형성하기 위한 식각 방법과 동일한 방법으로도 행할 수 있다.
여기서, 상기 오믹 콘택층(145)을 제거할 때 그 하부의 액티브층(144a)도 소정 두께만큼 제거된다.
도 5e에 도시한 바와 같이, 상기 소오스 전극(146) 및 드레인 전극(147)을 포함한 유리 기판(141)의 전면에 보호막(148)을 형성한다.
여기서, 상기 보호막(148)으로는 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx) 등의 무기절연물질, 또는 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 및 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기 절연물질 등이 이용된다.
이어, 도 2 내지 도 4와 같이 구성된 건식 식각 장치 즉, 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여 상기 드레인 전극(147)의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 보호막(148)을 선택적으로 제거하여 콘택홀(149)을 형성한다.
도 5f에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(149)을 포함한 유리 기판(141)의 전면에 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착 방법으로 투명 금속막을 증착한 후, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 투명 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 콘택홀(149)을 통해 상기 드레인 전극(147)과 전기적으로 연결되는 화소전극(150)을 형성한다.
여기서, 상기 투명 금속막은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide : IZO) 또는 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide : ITZO) 등으로 이루어진다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 액정표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 하나의 구동 전압원을 통해 구동 전원을 제공함으로써, 구조가 간단하고 전압을 용이하게 가속할 수 있는 건식 식각 장치를 이용하여 대면적을 갖는 기판에 대한 건식 식각을 수행할 수 있다.
둘째, 직진성이 좋은 이온빔을 생성하여 건식 식각을 진행함으로써 CD 제어에 효과적으로 적용할 수 있다.
셋째, 에너지가 큰 빔을 생성하기 때문에 다양한 종류의 박막 식각에 응용할 수 있다.
넷째, 상대적으로 장치 구성이 복잡한 RF 전원 대신에 DC 전원을 사용함으로써 간단하게 적용할 수 있다.

Claims (3)

  1. 절연 기판상의 일정 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층이 형성되도록, 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 건식 식각 장치를 이용하여, 상기 반도체층을 선택적으로 패터닝하는 단계;
    상기 액티브층의 양측단에 일정한 간격을 갖도록 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극의 표면을 소정부분 노출시키는 콘택홀이 형성되도록, 상기 건식 식각 장치를 이용하여, 상기 보호막을 선택적으로 패터닝하는 단계; 및
    상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 건식 식각 장치는
    하우징;
    상기 하우징 상면의 외주면에 대응한 고리 형상으로 형성되는 제 1 캐소드 전극;
    상기 제 1 캐소드 전극 하부에 형성되는 제 2 캐소드 전극;
    상기 하우징과 절연된 상태로, 상기 제 2 캐소드 전극 하부에 소정 간격으로 이격되어 형성되는 애노드 전극;
    상기 하우징 배면의 외주면을 따라 연속적으로 형성되고, 가스 발생기로부터 가스라인을 통해 공급된 가스를 상기 하우징 내부로 주입하는 가스 주입공;
    상기 가스 주입공 상부에 상기 가스 주입공에 대응되도록 상기 하우징의 외주면을 따라 연속적으로 형성되는 가스공을 포함하여, 상기 가스 주입공을 통해 주입된 가스를 상기 애노드 전극 측으로 토출하는 가스 공급부; 및
    상기 가스 공급부로부터 토출된 가스가 구동전원에 연동된 상기 애노드 전극과 상기 제 1 및 제 2 캐소드전극에 의해 여기되어 발생되는 식각 가스 이온을, 상기 애노드 전극 상부에 위치한 기판 측으로 진행시키는 자석 어셈블리를 포함함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 건식 식각 장치는 DC 전원으로부터 상기 구동전원을 인가 받는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 액티브층은 오믹 콘택층과 비정질 실리콘층이 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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