JP3777532B2 - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示パネル等の表示パネル及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来例として、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルについて説明する。図12は従来のこのような液晶表示パネルの一例の一部の断面図を示したものである。この液晶表示パネルはガラス基板1を備えている。ガラス基板1の上面の所定の箇所にはAlからなるゲート電極2を含む走査線(図示せず)が形成され、その上面全体には酸化シリコンからなるゲート絶縁膜3が形成されている。ゲート絶縁膜3の上面の所定の箇所でゲート電極2に対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる半導体層4が形成されている。半導体層4の上面中央部には窒化シリコンからなるブロッキング層5が形成されている。ブロッキング層5の上面両側及びその両側における半導体層4の上面にはn+シリコンからなるオーミックコンタクト層6、7が形成されている。オーミックコンタクト層6、7の上面にはCrからなるドレイン電極8及びソース電極9が形成されている。ドレイン電極8の上面及びゲート絶縁膜3の上面の所定の箇所にはAlからなる信号線10が形成されている。信号線10等を含むゲート絶縁膜3の上面全体には窒化シリコンからなるオーバーコート膜11が形成されている。オーバーコート膜11の上面の所定の箇所にはITO(インジウム−錫酸化物)からなる画素電極12がオーバーコート膜11の所定の箇所に形成されたコンタクトホール13を介してソース電極9に接続されて形成されている。そして、このような液晶表示パネルでは、画素電極12が最上層に位置することから、トップ画素電極構造(トップITO構造)と呼ばれている。
【0003】
ところで、このような液晶表示パネルでは、例えば信号線10に接続された接続パッド(図示せず)を露出させる必要がある。そこで、信号線10の接続パッドの部分を、図13に示すような構造とすることが考えられている。すなわち、ゲート絶縁膜3上に半導体層14a、n+シリコン層14b、Cr層14cの3層からなる接続パッド14を形成し、Cr層14cの上面の一部に信号線10の一端部を接続し、オーバーコート膜11の所定の箇所に形成された接続パッド露出用の開口部15を介して露出されたCr層14c上にITO層16を島状に形成し、この島状のITO層16を実質的な接続パッドとしている。この場合、接続パッド14は、図12に示す半導体層4、オーミックコンタクト層6、7、ドレイン電極8及びソース電極9の形成と同時に形成されている。ITO層16は、画素電極12の形成と同時に形成されている。
【0004】
ところで、接続パッド14の最上層をCr層14cとし、このCr層14c上にITO層16を形成する理由は次の通りである。1つは、信号線10の一端部を接続パッドとし、この接続パッド(Al層)上にITO層を形成すると、Al層は酸化されやすい金属であるので、その表面にすぐに自然酸化膜が形成され、このためAl層とITO層との間のコンタクト抵抗が非常に高くなり、好ましくない。これに対し、Cr層14c上にITO層16を形成すると、その間のコンタクト抵抗を低くすることができるからである。もう1つは、ドレイン電極8及びソース電極9の膜厚を例えば250Å程度と比較的薄くすると、Cr層14cの膜厚も250Å程度と比較的薄くなってしまう。このため、ITO層16を設けずに、Cr層14cを実質的な接続パッドとした場合、このCr層14cに液晶表示パネル駆動用のLSI等の半導体チップを直接ボンディングするとすると、その間のコンタクト抵抗が高くなり、好ましくない。これに対し、画素電極12の膜厚を例えば500Å程度と比較的厚くすると、ITO層16の膜厚も500Å程度と比較的厚くなり、このITO層16に液晶表示パネル駆動用のLSI等の半導体チップを直接ボンディングするとしても、その間のコンタクト抵抗を低くすることができるからである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのような液晶表示パネルでは、信号線10とITO層16とがCr層14cを介して接続されているので、オーバーコート膜11に欠陥があり、ITOのエッチング液がオーバーコート膜11中に染み込んで信号線10と接触した場合には、Al−ITO電池反応により、極めて細い信号線10が溶解して断線し、歩留低下の一要因となってしまう。また、実質的な接続パッドはCr層14c、ITO層16の2層構造となるので、接続抵抗が比較的高くなり、消費電力が比較的大きくなってしまう。
この発明の課題は、オーバーコート膜に欠陥があっても、オーバーコート膜下の配線が電池反応により断線しないようにするとともに、接続パッドの接続抵抗を低くすることである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、基板上の表示領域内に複数の走査線と前記複数の走査線とゲート絶縁膜を介して交差する複数の信号線と前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差部において前記複数の走査線にそれぞれ接続された複数のゲート電極と前記複数の信号線にそれぞれ接続された複数のドレイン電極と該複数のドレイン電極とそれぞれ対となる複数のソース電極とを形成して前記各交差部にそれぞれ薄膜トランジスタを形成する工程と、前記複数の信号線のそれぞれに接続され基板上の表示領域外に延在しAl系金属層を有する複数の配線を形成するとともに該配線と同じ金属層により前記複数の配線にそれぞれ接続された複数の接続パッドを形成する工程と、前記複数の走査線上と前記複数の信号線上と前記複数の配線上とを含む前記ゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、前記オーバーコート膜における前記各薄膜トランジスタのソース電極に対応する部分に前記各ソース電極を露出させるためのコンタクトホールを形成する工程と、前記オーバーコート膜上にITOからなる画素電極を前記オーバーコート膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成したする工程と、その後、前記オーバーコート膜における前記接続パッドに対応する部分に前記接続パッドを露出させるための開口部を形成する工程と、を含むようにしたものである。この請求項1記載の発明によれば、オーバーコート膜上における薄膜トランジスタのソース電極に対応する部分に形成されたコンタクトホールに対応する部分に画素電極を形成した後に、オーバーコート膜に接続パッドを露出させるための開口部を前記基板の表示領域外に形成しているので、画素電極を形成するとき、オーバーコート膜膜下の配線が画素電極形成用層とは接続されておらず、したがってオーバーコート膜に欠陥があっても、オーバーコート膜膜下の配線が電池反応により断線しないようにすることができ、また、接続パッドをAl系金属層を有する構造としているので、接続抵抗を低くすることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1〜図5はそれぞれこの発明の第1実施形態における液晶表示パネルの各製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照して、この第1実施形態における液晶表示パネルの製造方法について説明する。まず、図1に示すように、ガラス基板21の上面の所定の箇所にAlまたはAl合金(以下、Al系金属という。)からなるゲート電極22を含む走査線(図示せず)を形成する。次に、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜23及び真性アモルファスシリコンからなる半導体層24を成膜する。次に、半導体層24の上面の所定の箇所でゲート電極22に対応する部分に窒化シリコンからなるブロッキング層25を形成する。次に、半導体層24の上面に形成された自然酸化膜(図示せず)をNH4F溶液で除去する。
【0008】
次に、図2に示すように、n+シリコン層26、Cr、MoまたはTiからなる金属層27及びAl系金属層28を成膜する。次に、Al系金属層28の上面の所定の箇所にフォトレジスト膜29を形成する。次に、フォトレジスト膜29をマスクとしてAl系金属層28、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、n+シリコン層26及び半導体層24を順次エッチングする。すると、図3に示すように、ドレイン電極30、ソース電極31、ドレイン電極30に接続された信号線32及び信号線32に接続された接続パッド33が形成される。この場合、ドレイン電極30及びソース電極31は、ブロッキング層25の上面両側及びその両側における半導体層24の上面に形成され、下から順に、n+シリコン層26、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、Al系金属層28の3層構造となる。信号線32及び接続パッド33は、下から順に、半導体層24、n+シリコン層26、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、Al系金属層28の4層構造となる。この後、フォトレジスト膜29を剥離する。
【0009】
次に、図4に示すように、窒化シリコンからなるオーバーコート膜34を成膜する。次に、オーバーコート膜34の所定の箇所でソース電極31に対応する部分にコンタクトホール35を形成する。次に、画素電極形成用ITO層36aを成膜し、次いで所定のフォトリソグラフィ工程を経ることにより、オーバーコート膜34の上面の所定の箇所に画素電極36をコンタクトホール35を介してソース電極31に接続させて形成する。次に、図5に示すように、オーバーコート膜34の所定の箇所に接続パッド33を露出させるための開口部37を形成する。かくして、この第1実施形態における液晶表示パネルが得られる。
【0010】
ところで、図4に示すように、画素電極36を形成するとき、信号線32は画素電極形成用ITO層36aと接続されていない。したがって、オーバーコート膜34に欠陥があり、ITOのエッチング液がオーバーコート膜34中に染み込んで信号線32のAl系金属層28と接触しても、このAl系金属層28がAl−ITO電池反応により断線しないようにすることができ、ひいては歩留の向上を図ることができる。ところで、画素電極36を形成するとき、ソース電極29はコンタクトホール35を介して画素電極形成用ITO層36aと接続されている。しかしながら、ソース電極31は、極めて細い信号線32と違って、島状のある程度の面積を有するものであるので、オーバーコート膜34の欠陥に起因してITOのエッチング液と接触し、Al−ITO電池反応が生じても、断線するほどの大きなダメージを受けることはなく、別に問題はない。なお、画素電極36をソース電極31上を全体的に覆うように形成すると、オーバーコート膜34に欠陥があっても、ITOのエッチング液がソース電極31と接触しないようにすることができる。また、接続パッド33は少なくともCr層27、Al系金属層28の2層構造であるので、接続抵抗を低くすることができ、ひいては消費電力を小さくすることができる。
【0011】
ここで、図2に示すフォトレジスト膜29のようなフォトマスクの形成回数について説明する。まず、図12に示す従来の液晶表示パネルの場合には、ゲート電極2等の形成、ブロッキング層5の形成、ドレイン電極8及びソース電極9等の形成、信号線10の形成、コンタクトホール13等の形成、画素電極12等の形成というように、フォトマスクの形成回数は6回となる。これに対し、上記第1実施形態の場合には、ゲート電極22等の形成、ブロッキング層25の形成、ドレイン電極30、ソース電極31、信号線32及び接続パッド33等の形成、コンタクトホール35の形成、画素電極36の形成、接続パッド露出用の開口部37の形成というように、フォトマスクの形成回数は同じく6回となる。したがって、上記第1実施形態において、画素電極36を形成した後に、接続パッド露出用の開口部37を形成しても、フォトマスクの形成回数が増加しないようにすることができる。
【0012】
なお、図6に示すこの発明の第2実施形態のように、ドレイン電極30及びソース電極31を、下から順に、n+シリコン層26、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、Al系金属層28、Cr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41の4層構造とし、信号線32及び接続パッド33を、下から順に、半導体層24、n+シリコン層26、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、Al系金属層28、Cr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41の5層構造としてもよい。次に、この場合の製造方法の一部について説明すると、図2に対応する図7に示すように、Al系金属層28の上面にCr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41を成膜し、この成膜したCr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41の上面にフォトレジスト膜29を形成し、以下上記第1実施形態の場合とほぼ同じである。そして、この場合には、画素電極36を形成するとき、オーバーコート膜34に欠陥があり、且つ、最上層のCr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41の膜厚が薄くても、信号線32のAl層28がAl−ITO電池反応により断線しないようにすることができる。
【0013】
また、図8(A)〜(C)に示すこの発明の第3実施形態のように、信号線32の所定の一部及び接続パッド33を、下から順に、Al系金属層22a、Cr、MoまたはTiからなる金属層27、Al系金属層28の3層構造としてもよい。次に、この場合の製造方法の一部について説明する。まず、図9(A)に示すように、ガラス基板21の上面の信号線32形成領域及び接続パッド33形成領域に信号線32及び接続パッド33の最下層となるAl系金属層22aを形成する。このAl系金属層22aの形成はゲート電極22等の形成と同時に行われる。ここで、信号線32及び接続パッド33の最下層となるAl系金属層22aは、表示領域外の接続パッド33形成領域を含むその周辺領域であって、走査線と交差しない領域のみに形成されるものである。ただし、表示領域内であっても、走査線と交差する部分を除いて形成することもできる。次に、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜23及び真性アモルファスシリコンからなる半導体層24を成膜する。次に、半導体層24の上面の所定の箇所でゲート電極22に対応する部分に窒化シリコンからなるブロッキング層25(図1参照)を形成する。次に、半導体層24の上面に形成された自然酸化膜(図示せず)をNH4F溶液で除去する。次に、n+シリコン層26を成膜する。次に、図9(B)に示すように、信号線32形成領域におけるn+シリコン層26、半導体層24及びゲート絶縁膜23に溝状のコンタクトホール42a(図8(A)参照)を形成するとともに、接続パッド33形成領域におけるn+シリコン層26、半導体層24及びゲート絶縁膜23に方形状のコンタクトホール42b(図8(A)参照)を形成し、Al系金属層22aを露出させる。次に、図9(C)に示すように、、Cr、MoまたはTiからなる金属層27を成膜し、この成膜したCr、MoまたはTiからなる金属層27をコンタクトホール42a、42bを介してAl系金属層22aに接続する。次に、Al系金属層28を成膜する。以下、上記第1実施形態の場合とほぼ同じである。
【0014】
ところで、この第3実施形態の場合、接続パッド33形成領域を含むその周辺領域に、信号線32の最下層としてAl系金属22aを形成しているので、信号線32の抵抗値を低減することができる。また、信号線32の合計厚さが最下層のAl系金属22aを有しない場合と比較して厚くなるので、酸化されにくくなり、ひいては断線しにくいようにすることができる。なお、この第3実施形態において、図6に示す場合と同様に、Al系金属層28上にCr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41を形成するようにしてもよい。
【0015】
さらに、図10に示すこの発明の第4実施形態のように、ブロッキング層25下以外の領域における半導体層25をn+シリコン層26としてもよい。次に、この場合の製造方法の一部について説明する。まず、図11(A)に示すように、ゲート絶縁膜23の上面に真性アモルファスシリコンからなる半導体層24を成膜する。次に、半導体層24の上面の所定の箇所でゲート電極22に対応する部分に窒化シリコンからなるブロッキング層25を形成する。次に、図11(B)に示すように、ブロッキング層25をマスクとして半導体層24にn型イオンをドーピングすることにより、ブロッキング層25下以外の領域における半導体層25をn+シリコン層26とする。次に、図10を参照して説明すると、Cr、MoまたはTiからなる金属層27を成膜する。以下、上記第1実施形態の場合とほぼ同じである。なお、この第4実施形態において、図6に示す場合と同様に、Al系金属層28上にCr、MoまたはTiからなる耐酸化用の金属層41を形成するようにしてもよく、また図8に示す場合と同様に、Al系金属層22aを形成するようにしてもよい。
【0016】
なお、図5、図6、図10に示すゲート電極22を含む走査線の表面に陽極酸化膜を形成するようにしてもよい。また、図8に示すAl系金属層22aの金属層27と接続されない表面に陽極酸化膜を形成するようにしてもよい。
【0017】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1記載の発明によれば、オーバーコート膜上における薄膜トランジスタのソース電極に対応する部分に形成されたコンタクトホールに対応する部分に画素電極を形成した後に、オーバーコート膜に接続パッドを露出させるための開口部を前記基板の表示領域外に形成しているので、画素電極を形成するとき、オーバーコート膜下の配線が画素電極形成用層とは接続されておらず、したがってオーバーコート膜に欠陥があっても、オーバーコート膜下の配線が電池反応により断線しないようにすることができ、ひいては歩留の向上を図ることができる。また、接続パッドをAl系金属層を有する構造としているので、接続抵抗を低くすることができ、ひいては消費電力を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態における液晶表示パネルの製造に際し、当初の工程を示す断面図。
【図2】図1に続く工程を示す断面図。
【図3】図2に続く工程を示す断面図。
【図4】図3に続く工程を示す断面図。
【図5】図4に続く工程を示す断面図。
【図6】この発明の第2実施形態における液晶表示パネルの要部の断面図。
【図7】図7に示す液晶表示パネルの一部の製造工程を示す断面図。
【図8】(A)はこの発明の第3実施形態における液晶表示パネルの要部の平面図、(B)及び(C)はそれぞれそのB−B線及びC−C線に沿う断面図。
【図9】(A)〜(C)はそれぞれ図8に示す液晶表示パネルの一部の製造工程を示す断面図。
【図10】この発明の第4実施形態における液晶表示パネルの要部の断面図。
【図11】(A)及び(B)はそれぞれ図10に示す液晶表示パネルの一部の製造工程を示す断面図。
【図12】従来の液晶表示パネルの一例の一部の断面図。
【図13】図12に示す液晶表示パネルの接続パッドの部分の断面図。
【符号の説明】
21 ガラス基板
22 ゲート電極
23 ゲート絶縁膜
24 半導体層
25 ブロッキング層
26 n+シリコン層
27 Cr、MoまたはTiからなる金属層
28 Al系金属層
29 フォトレジスト膜
30 ドレイン電極
31 ソース電極
32 信号線
33 接続パッド
34 オーバーコート膜
35 コンタクトホール
36 画素電極
37 開口部
Claims (9)
- 基板上の表示領域内に複数の走査線と前記複数の走査線とゲート絶縁膜を介して交差する複数の信号線と前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差部において前記複数の走査線にそれぞれ接続された複数のゲート電極と前記複数の信号線にそれぞれ接続された複数のドレイン電極と該複数のドレイン電極とそれぞれ対となる複数のソース電極とを形成して前記各交差部にそれぞれ薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記複数の信号線のそれぞれに接続され基板上の表示領域外に延在しAl系金属層を有する複数の配線を形成するとともに該配線と同じ金属層により前記複数の配線にそれぞれ接続された複数の接続パッドを形成する工程と、
前記複数の走査線上と前記複数の信号線上と前記複数の配線上とを含む前記ゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、
前記オーバーコート膜における前記各薄膜トランジスタのソース電極に対応する部分に前記各ソース電極を露出させるためのコンタクトホールを形成する工程と、
前記オーバーコート膜上にITOからなる画素電極を前記コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成する工程と、
その後、前記オーバーコート膜における前記接続パッドに対応する部分に前記接続パッドを露出させるための開口部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1記載の発明において、前記配線及び前記接続パッドを上から少なくともAl系金属層、Cr、MoまたはTiからなる金属層の2層構造としたことを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 請求項1記載の発明において、前記配線及び前記接続パッドを上から少なくともCr、MoまたはTiからなる金属層、Al系金属層、Cr、MoまたはTiからなる金属層の3層構造としたことを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 請求項2または3記載の発明において、前記配線及び前記接続パッドの最下層をAl系金属層としたことを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層を形成する工程と、基板側から順にCr、MoまたはTiからなる金属層と、Al系金属層とを成膜してこれらの金属層によりソース電極、ドレイン電極、該ドレイン電極に接続された信号線及び該信号線に接続された接続パッドを形成する工程と、オーバーコート膜を成膜して該オーバーコート膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記オーバーコート膜上に透明画素電極を前記コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成する工程と、その後、前記オーバーコート膜に前記接続パッドを露出させるための開口部を形成する工程とを具備することを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層を形成する工程と、基板側から順にCr、MoまたはTiからなる金属層と、Al系金属層と、Cr、MoまたはTiからなる金属層とを成膜してこれらの金属層によりソース電極、ドレイン電極、該ドレイン電極に接続された信号線及び該信号線に接続された接続パッドを形成する工程と、オーバーコート膜を成膜して該オーバーコート膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記オーバーコート膜上に透明画素電極を前記コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成する工程と、その後、前記オーバーコート膜に前記接続パッドを露出させるための開口部を形成する工程とを具備することを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 請求項5または6記載の発明において、前記半導体層上にブロッキング層を形成する工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 請求項5または6記載の発明において、前記半導体層上にn型半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 請求項5または6記載の発明において、前記半導体層の所定領域にイオンを拡散する工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
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