TW447137B - Transistor circuit, display panel and electronic apparatus - Google Patents

Description

A： 447137 __B7________ 五、發明說明（1 ) 技術領域 本發明關於具多數薄膜電晶體（以下稱TFT)、場 效電晶體、雙極性電晶體等電晶體構成之電晶體電路之技 術領域，特別關於具備驅動用電晶體，可依供至閘極之電 壓來控制源極及汲極間電導，並介由該源極及汲極控制供 至電流控制型（電流驅動型）元件等被驅動元件之驅動電 流而構成的電晶體電路之技術領域。 背景技術 一般而言，電晶體會因半導體膜之膜厚、雜質濃度或 擴散領域、閘極絕緣膜等膜質、膜厚、動作溫度等各種條 件，其中壓電流特性或臨界値產生大、小之變動。使用砂 晶之雙極性電晶體之場合，此種臨界値變動較小，但 T F T之場合，此種變動一般較大。特別是在液晶面板’ E L面板等顯示面扳，於T F T陣列基扳上在廣範圍內多 數形成T F T時，此種電流電壓特性或臨界値之變動多數 非常大。例如，此種TFT之臨界値製成爲2V程度（N 通道爲+V，P通道爲一2V)，其變動爲土數V程度。 所謂T F T液晶面扳等場合之液晶等形成之畫_部藉 由電壓控制之電壓控制（電壓驅動）方式之場合，設於各 畫素部之驅動用T F T之電流電壓特性或臨界値之變動問 題較少。亦即 > 此場合下例如即使T F T之電流電壓特性 或臨界値多少有變動時，只需供給足夠之開關時間，藉提 高由外部介由T F T供至各畫素部之電壓精度，即可對各 (CNS)AJ (210* 297 ) -----I I i I--- ----I I--·111!111 I , <請先閱讀背面之ii*?事項再填寫本頁) -4- A7 _B7_______ 五、發明說明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 畫素部中之顯示濃度或亮度作精確控制。因此’即使各畫 素部之顯示濃度或亮度之不均勻視爲重要之顯示用τ F T 液晶面板中，使用電流電壓特性或臨界値變動較大之 T F T可進行高品位之畫像顯示。 另一方面近年來，依電流供給量變化亮度寺自發光型 有機E L等電流控制型發光元件具備於畫素部之顯示面板 被開發，不利用背光或反射光可進行畫像顯示’消費電力 低，且視角依存性小，另外有時可實現可撓性之顯示面板 而被注目。此種E L面板之場合，爲進行主動矩陣驅動’ 於各晝素部使用驅動用TF T。例如，驅動用丁 F T之汲 極介由電洞注入用電極接E L元件，依施加於閘極之資料 信號之電壓，來控制由連接源極之電源配線供至E L·元件 之驅動電流之構成。如此般，使手驅動用T F T ’依輸入 信號之電壓變化控制源極及汲極間之電導，據以控制流入 E L元件之驅動電流，使各畫素部之亮度變化爲可能’畫 像顯示等爲可能。 但是，特別是如上述E L面板等電流控制型元件之場 合，設於各畫素部之驅動用T F T之電流電壓特性或臨界 値之變動爲問題。即，此場合下’即使由外部供至驅動用 T F T之資料信號之電壓精度儘可能提高，驅動用T F T 之電流電壓特性或臨界値之變動成直接表現於對資料信號 之驅動電流之變動，驅動電流之精度下降。結果，各畫素 部之亮度亦隨驅動用T F T之臨界値變動而變動。因此， 特別是現在之低溫多晶矽T F T之製造技術，此種電流電 3 !3 ；a (c N S} Λ 4 ^ (210 * 297 ^ ) A： B7 44713 7 五、發明說明（3 ) 壓特性或臨界値之變動，極容易產生，實用上爲極大問題 針對此問題，爲降低電流電壓特性或臨界値之變動製 造各T F T時，將導致良率降低，特別是顯示面板等使用 多數TFT構成之裝置將導致良品率極端下降，違反低成 本化之要求。或者說，製造此種變動少之T F T爲不可能 。又，即使另設各T F T之電流電壓特性或臨界値變動之 補償電路，導致裝置複雜化、大型化、增加消費電力。特 別是多數T F T以高密度配列之顯示面板，更導致良品率 下降，無法滿足低消費電力化或裝置之小型輕量化之要求 發明之揭示 本發明有鑑於上述問題點，目的在於提供一種，可依 輪入信號之電壓進行驅動用電晶體之電導控制的電晶體電 路，即藉較低電壓之輸入信號使該電導控制爲可能，而且 對驅動用電晶體之電流電壓特性或臨界値之變動，藉由較 少數電晶體之使用，以較少之電力消費可予以補償的電晶 體電路，以及使用其之顯示面板及電子機器。 依本發明，可提供下述第1〜第1 0之電晶體電潞。 本發明第1電晶體電路*其特徵爲具備： 驅動用電晶體，係具有第1閘極、第1源極及第1汲 極，且依供至該第1閘極之輸入信號之電壓使該第1源極 與第1汲極間電導被控制者：及 — II 1·---------——— — — — 1— ^ 1111111 (請先閲讀背面之1意事項再填寫本頁) r5. •i i 夂用申a S家標準（CNS).-Vl规格（210 X 297公Ϊ ) -6- 447 1 37 A7 - _B7 _；_ 五、發明說明（4 ) <請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 補償用電晶髖，係具有第2閘極、第2源極及第2汲 極，該第2閘極接該第2源極及第2汲極之一方，介由該 第2源極及第2汲極使上述輸入信號供至上述第1閘極， 且以相對於上述第1閘極使降低上述電導之方向之電荷移 動爲可能之方向連接於上述第1閘極。 依上述電晶體電路，補償用電晶體之第2源極及第2 汲極之一方接驅動用電晶體之第1閘極|介由該第2源極 及第2汲極，輸入信號供至驅動用電晶體之第1閘極。因 此，於驅動用電晶體，依供至該第1閘極之輸入信號之電 壓，來控制第1源極及第1汲極間之電導。此處，補償用 電晶體，其第2閘極接第2汲極或第2源極，相對於第1 閘極令第1源極及第1汲極間電導朝降低方向之電荷移動 爲可能之方向之狀態下連接於第1閘極。即，補償用電晶 體，具二極體特性，例如驅動用電晶體爲N通道型，僅於 該第1閘極朝輸入信號源之方向爲通電可能。或是，驅動 用電晶體爲P通道型時，僅在由輸入信號源朝第1閘極之 方向爲通電可能。 因此，對該電晶體電路供給輸入信號時•與輸入補償 用電晶體時點之輸入信號之電壓作比較，第1閘極之電壓 ，係朝使驅動用電晶體之電導增加補償用電晶體之臨界値 分之側昇壓=因此，於驅動用電晶體欲得所要之電導時， 只需令較該電導所對應閘極電壓低補償用電晶體之臨界値 電壓分之電壓之輸入信號介由補償用電晶體供給即可。如 此則可將閛極電壓相對於輸入信號提昇補償用電晶體之臨 用士 a a 家悻車（C-\S)A4 埤格（210 X 297 公坌) ~ ' 447137 A7 _B7_ 五、發明說明（5 ) 界値電壓分，故和補償用電晶體不存在之場合比較，藉由 更低之輸入信號之電壓可控制同等之電導。 一般而言，該輸入信號和其他信號比較多爲高頻，更 低之輸入信號，可實現更低之消費電力化。 又.，如上述藉補償用電晶體提昇輸入信號之電壓以作 爲第1閛極之電壓，此事就電晶體電路全體而言，於驅動 用電晶體中輸入信號相對於介由電導控制之源極及汲極流 通之驅動電流之臨界値，係較驅動用電晶體之臨界値電壓 小由輸入電壓供至閘極電壓之昇壓分之補償用電晶體之臨 界値電壓。即，相對於驅動電流之輸入電壓之臨界値之中 ，補償用電晶體之臨界値與驅動用電晶體之臨界値成爲相 抵消。因此，藉由使兩者之臨界値特性或電壓電流特性近 似，即可使相對於驅動電流之輸入信號之臨界値近於零。 又，如上述令驅動用電晶體之臨界値與補償用電晶體 之臨界値於該電晶體電路全體中相抵消，則可不受驅動用 電晶體之臨界値大小之影響，使電晶體電路全體之輸入信 號之臨界値接近一定値（零）。即，使用多數臨界値互異 之驅動用電晶體作成多數該電晶體電路時，令各電晶體電 路部分之驅動用電晶體及補償用電晶體之臨界値互爲接近 (理想爲使兩者一致）|則各電晶體電路間之臨界値έ差 變爲小於各驅動用電晶體之臨界値之差（理想爲差幾乎不 存在）。因此，作成多數該電晶體電路時，即使使用多數 臨界値互異之驅動用電晶體，亦可得臨界値變動幾乎或完 全不存在之多數電晶體電路。 ----- -------' 1 I-----— — — — — — — , > (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丐* S S 家洁 JMCNS):\4 規格（210 X 297 公·坌） -8- ΑΑΊ 1 3 7 Α7 _ ._ Β7____五、發明說明（6 ) 本發明2電晶體電路，其特徵爲另具有··重置裝置， 俾於上述輸入信號供給前，供給具相對於上述第1閘極依 上述輸入信號控制之上述電導之最高値爲大之電導値所對 應電壓的重置信號。 依上述第2電晶體電路’在驅動用電晶體之第1間極 供給輸入信號前，或者一個输入信號供給後，次一輸入信 號供給前），藉由前置裝置’將具有較依輸入信號控制之 驅動用電晶體之電導之最高値爲高電導値所對應電壓之重 置信號供至該第1閘極。結果’不受輸入信號電壓値大小 之影響，驅動用電晶體之閘極電壓可藉重置裝置設爲一定 値。而且，重置後，可以電導降低方向之電荷移動之方向 ，介由第1閘極連接之補償用電晶體將輸入信號供至第1 閘極。 本發明第3電晶體電路中，上述重置信號之電壓係設 定爲，較上述輸入信號之最大電壓大上述補償用電晶體之 臨界値電壓分以上之電壓。 依上述第3電晶體電路·藉重置裝置將較輸入信號電 壓大之重置信號供至驅動用電晶體之第1閘極。而且’該 重置信號之電壓設爲較輸入信號之最大電壓大補償用電晶 體之臨界値電壓分以上，故重置後輸入信號輸入時，不受 輸入信號電壓大小或驅動用電晶體之臨界値大小之影響1 經常可將較該輸入信號電壓大驅動用電晶體之臨界値電壓 分之高電壓，介由補償用電晶體供至驅動用電晶體之第1 閘極。 夂:ί、:ϋ 丐士 3 S 家洁規格 <210 * 297 ^ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 4^ * I — I I ! — 訂-111111- - 447137 A7 _____B7__五、發明說明（7 ) 本發明第4電晶體電路中，上述重置裝置具備有重置 用電晶體’其係具有第3閘極、第3源極及第3汲極，該 第3源極及第3汲極之一方接上述第1閘極，當於上述輸 入信號供給前對該第3閘極供給重置時序信號時，介由該 第3源極及第3汲極使上述重置信號供至上述第1閘極。 依上述第4電晶體電路，當重置用電晶體之第3閘極 供給重置時序信號時，藉該重置用電晶體，介由第3源極 及汲極’使重置信號供至驅動用電晶體之第1閘極。結果 1可將驅動用電晶體之閘極電壓以重置時序信號之供給時 序重置爲一定値。因此，第2或第3電晶體電路說明之動 作爲可能。 本發明第5電晶體電路中*上述驅動用電晶體及補償 用電晶體爲同一導電型電晶體。 上述第5電晶體電路中，驅動用電晶體及補償用電晶 體爲同一導電型電晶體。此處，「同一導電極」意指電晶 體之導電型態相同，例如3爲N通道型，補償用電晶體亦 爲N通道型，驅動用電晶體爲p通道型時，補償用電晶體 亦爲P通道型。因此，補償用電晶體之臨界値與驅動用電 晶體之臨界値大略相等，於該電晶體電路中該臨界値相抵 消。結果，可將輸入信號相對於驅動電流之臨界値大略設 爲零以進行電導控制。又，以臨界値互異之多數驅動用電 晶體形成多數電晶體電路時，亦可補償臨界値之變動。 又’電晶體之通道寬、通道長之設計値、元件構造、 製程條件等，於驅動用電晶體及補償用電晶體可設爲相等 (請先Μ讀背面之泫意事項再填寫本頁) Ίϋ 3 士 3 囚家標 * (CNS):'」蜱咯（LMO X 297 公爱） -10 - 447137 A7 , ___B7 ___五、發明說明（8 ) ，以進行完全之補償。 本發明第6電晶體電路中，另具有開關電晶體，其具 有第4閘極、第4源極及第4汲極，當該第4閘極供給有 開關信號時令上述輸入信號介由該第4源極及第4汲極供 至上述補償用電晶體。 依上述第6電晶體電路，當開關時序信號供至開關電 晶體之第4閘極時，輸入信號即介由該開關電晶體之第4 源極及汲極供至補償用電晶體。結果，可以開關時序信號 之供給時序將輸入信號供至驅動用電晶體。 本發明之第7電晶體電路中，另具接於上述第1閘極 之保持容量。 依上述第7電晶體電路，當輸入信號供至第1閘極時 ，該電壓爲第1閘極連接之保持容量保持=因此，即使輸 入信號僅供給一定期間時，在更長期間內於第1閘極亦可 保持該電壓。 又，經由補償用電晶體1於開關電晶體有漏電流時， 亦可減低第1閘極施加電位之變化。 本發明第8電晶體電路中，該電晶體電路係由同一基 板上形成之薄膜電晶體構成。 依上述第8電晶體電路，同—基板上形成之驅動用薄 膜電晶體之電流電壓特性或臨界値對驅動電流之影響可藉 補償用薄膜電晶體補償。特別是，兩薄膜電晶體於同一基 板上以同一形成工程形成時，兩電晶體間特性更類似’故 於同一基板上可得電流電壓特性或臨界値之變動少之多數 戈：2 丐 Ϊ 3 a 家堞基（CNS).-'l 埤格（210 X 297•公呈) -11: ---------— II ^ * I------^ *-------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 447 1 3 7 A7 B7____ 五、發明說明（9 ) 電晶體電路^ 本發明第9電晶體電路中，上述電晶體係由’上述閘 極、源極及汲極分別對應基極、射極及集極之雙極性w晶 體構成。 依上述第9電晶體電路，驅動用雙極性電晶體之電流 電壓特性或臨界値對驅動電流之影響可藉補償用雙極性電 晶體補償。特別是，兩雙極性電晶體以同一工程製造’則 兩電晶體間之特性類似程度增加，故可得電流電壓特性或 臨界値之變動少之多數電晶體電路。 本發明第1 0電晶體電路中，上述輸入信號爲電壓藉 由輸入信號線控制之電壓信號，上述驅動用電晶體，其上 述第1源極及第1汲極中之一方接電流控制型元件’並藉 控制上述電導來控制流經該電流控制型元件之電流。 依上述第1 0電晶體:電路，電壓依輸入信號源控制之 電壓信號，作爲输入信號介由補償用電晶體供給時，於驅 動用電晶體中，響應於該電壓信號之變化，第1源極及第 1汲極間之電導被控制。如此則第1源極及第1汲極之一 方所接電流控制型元件被電流控制。因此，電流控制型元 件可以較低電壓之輸入信號作電流驅動。而且，不受多數 驅動用電晶體間之電流電壓特性或臨界値之變動影響·，對 多數電流驅動型元件可依電壓信號之電壓精確作電流控制 0 依本發明，可提供一種包含上述第1 0電晶體電路之 同時，具以矩陣狀配置之多數畫素部，上述電流控制型元 — — — — — — — — — — — — · I 1 I I — 1 I t *—— — — — — 1· - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- •.六 二” ί 4471 37五、發明說明（1〇 ) 件分別設於該多數畫素部的 依該顯示面板，於各畫 晶體供給時，藉該驅動用電 控制型發光元件作電流控制 流電壓特性或臨界値變動之 亮度可精確控制，在顯示面 亮度之不均勻。又，驅動用 晶體昇壓，則藉由較低電壓 發光元件之控制" 依本發明，可得具上述 依該電子機器，因具上 面板全面，亮度之不均勻可 電子機器= A7 B7 顯示面板。 素，當輸入信號介由補償用電 晶體依輸入信號之電壓使電流 ，故不受驅動用電晶體間之電 影響，電流控制型發光元件之 板之畫面顯示領域全面可減少 電晶體之閘極電壓藉補償用電 之輸入信號可進行電流控制型 顯示面板之電子機器。 述顯示面板，故可實現於顯示 減少，且可以較低電壓驅動之

實施發明之實施形態 以下，依圖面詳細說明本發明實施形態。 (電晶體電路） 首先，參照圖1及圖2說明本發明電晶體電路之實施 形態。圖1爲本實施形態之電晶體電路之電路圖’圖2 ( A )及2 ( B )分別爲該電流電壓特性或臨界値中各種信 號之時序及電壓之時序圖" 於圖1 ，電晶體電路10 0係具有驅動用TFT ilO (P通道型）、補償用TFT120 (p通道型） 、重置用TFT130 (N通道型）、及開關TFT -13- <請先閱讀背面之浼意事項再填寫本頁) ----1111 訂-1111 線- 447137 A7 - --------§z___ 五、發明說明（11 > 140 (N通道型）》以下，依序說明各電晶體之構成。 首先，構成驅動用電晶體之一例之驅動用TF T 1 1 0係構成爲，根據介由開關TFT1 4 0及補償用 T F T 1 2 0供給之輸入信號響應於閘極1 1 1所施加之 閘極電.壓，進行源極1 1 2及汲極1 1 3間之電導之控制 〇 構成補償用電晶體之一例之補償用TF 丁 1 2 0，其 閘極1 2 1接源極1 2 2及汲極1 2 3之一方（圖1爲汲 極123)。即，補償用TFT120爲所謂二極體連接 。補償用電晶體1 2 0係連接於閘極1 1 1 ，俾介由源極 122及汲極123使輸入信號供至閘極111，而且相 對於閘極1 1 1以使電導減低之方向之電荷移動爲可能之 方向（圖1爲汲極1 2 3側）接於閘極1 1 1 ^ 構成重置裝置之一例之重置TFT130構成爲，源 極1 3 2及汲極1 3 3之一方（圖1爲汲極1 3 3 )接閘 極1 1 1，於閘極1 3 1在輸入信號V sig供給前供給有重 置時爲信號之一例之電壓V rscan之重置掃描信號（以下稱 爲重置掃描信號V rscan )時，電壓V rsig之重置信號（以 下稱重置信號V rsig )介由源極1 3 2及汲極1 3 3供至 閘極1 1 1。 ·’ 又，構成開關電晶體之一例之開關T F T 1 4 0，係 接於輸入信號源與補償用T F T 1 2 0之間，當閘極 1 4 1供給開關時序信號之一例之電壓V scan之掃描信號 (以下稱掃描信號V scan )時，令電壓V sig之輸入信號（ -14 - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 1 I I n I I ^ ·111111! --1_;κ·ή·ΐ.」:'Μ^-ΐ 1:-:;-H'.:. ir'ti'-'t..'*··.::.. 447137 A： _ B7_五、發明說明（12 ) 以下稱輸入信號v S1g)介由源極1 4 2及汲極1 4 3供至 補償用TFT120 = 因此，於驅動用電晶體110之源極1 12，接EL 元件等電流控制型（電流驅動型）元件5 0 0之一端，該 電流控制型元件5 0 0之另一端接特定電位之負電源 —V c。又，驅動用電晶體1 1 0之汲極接特定電位之正 電源+ V c。因此，於驅動用電晶體1 1 〇進行源極 1 1 2及汲極1 1 3間之電導控制時，流入電流控制型元 件5 0 0之驅動電流I d即被控制（即驅動電流依電導變 化而變化）。 又，驅動用電晶體1 1 0之閘極1 1 1，接有保持容 量160。因此，施加之閘極電壓Vg爲保持容量160 保持。 以下，參照圖1、圖2、圖3說明上述構成之電晶體 電路1 0 0之動作。 如圖2 (A)所示（圖中，驅動用TFT1 1 0及補 償用TFT120均使用P通道型TFT)，當重置掃描 信號\、5〇211輸入重置丁？1'130時，重置丁1^丁130 爲導通狀態，重置信號V rsig供至驅動用TFT 110之 閘極1 1 1 ，閘極1 1 1之電壓Vg設爲大略等於該重置 信號V rsig之電壓V rsig之位準。結果，不受輸入信號 V rsig之電壓大小影響，可將驅動用TFT 1 1 〇之閘極 電壓V g以重置掃描信號V rsig之供給時序重置於一定電 壓（即電壓V rsig )。 ^ S a (CXS)A-I (210 x 297 ^$ ) (請先Μΐί背面之;£意事項再填寫本頁) · 111111 —訂 1---11--.

4 4713 T Α7 ___Β：______五、發明說明（13 ) 當該重置期間終了，掃描信號V scan供至開關τ F Τ 1 4 0時，開關TF Τ 1 4 0爲導通狀態’介由補償用Τ FT 1 2 0將資料信號V sig供至驅動用TFT 1 1 〇之閘 極111。本實施形態中特別是補償用TFT120中閘 極121接汲極123 (即二極體連接）’因此’藉施加 負電壓於閘極111而設爲導通狀態之P通道型TFT之 驅動用丁 FT 1 1 0中之閘極電壓V g ’係較資料信號 V sig之電壓V sig朝負電壓側降低補償用丁 F T 1 2 0之 臨界値電壓V th2分。而，此種降低之閘極電壓V g，於掃 描信號V scan或輸入信號V sig供給停止後’乃藉由保持容 量1 6 0保持於驅動期間中。 又，重置期間，只需取閘極電壓V g成爲重置信號 V rsig之電壓v rsig之時間即可。因此，驅動期間可設爲 遠大於重置期間’如此則在重置期間中即使驅動用丁 F T 1 1 0因重置信號V rsig設爲導通狀態時，此期間介由驅 動用TFT 1 1 0之源極1 1 2及汲極1 1 3流入之驅動 電流I d之影響可抑低至可忽視程度。 如上述般依本實施形態，相對於輸入信號V S1g之閘極 電壓Vg可降低補償用TFT 1 2 0之臨界値電壓Vth2之 分，故和補償用TFT 1 2 0不存在之場合比較，可使用 更低輸入信號V sig之電壓V sig於驅動用T F T 1 1 0進 行同等之電導控制。 又，圖2 (B)爲驅動用TFT 110及補償用 TF T 1 2 0同時使用N通道型TF T之時序圖，此場合 {請先W讀背面之注意事項再填窵本頁) 裝!11!1 訂·1111!· *^ 丐亡3 3家埤单（CXS).AJ規格（210 X 297公楚） -16- -'Γί·::.一二 二..V 乏‘-.-，'•-珎.-二： 447 1 3 7 A7 ______B7__五、發明說明（14 ) 下，藉施加正電壓之閛極1 1 1而成導通狀態之N通道型 TFT之驅動用TFT1 10之閘極電壓Vg，於重置時 設定爲重置信號V rsig之電壓v rsig後，係朝正電壓側較 輸入信號Vsig之電壓Vsig上昇補償用TFT1 20之臨 界値電壓V th2分。 若不介由補償用TFT 1 2 0於驅動用TFT 1 1 〇 直接輸入輸入信號V sig時，即輸入信號v sig之電壓與閘 極電壓Vg —致時，如圖3 (A)所示（驅動用TFT 1 10爲N通道型TFT之場合）所示，驅動電流I d具 由驅動用T F T 1 1 〇之臨界値電壓V thl起上昇之特性。 例如，該臨界値電壓V th 1之設計基準値設爲2 V時臨界値 之變動爲土數V程度。因此，驅動用T F T 1 1 〇之臨界 値電壓V th 1之變動直接出現於驅動電流I d之變動。 相對於此，本實施形態中，輸入信號V sig介由補償用 TFT120輪入驅動用TFT1 1〇，故輸入信號Vsig 之電壓上昇補償用TF T 1 2 0之臨界値電壓V th2之分而 作爲閘極電壓V g之場合，如圖3 ( B )所示（驅動用 丁 FT 1 1〇及補償用TFT 120均爲N通道型TFT 之場合），補償用TFT 12 0之臨界値電壓Vth2與驅動 用T F T 1 1 〇之臨界値電壓V th 1相抵消，相對於電晶體 電路1 0 0全體，輸入信號V sig之臨界値電壓V th接近零 。特別是兩臨界値電壓V thl及V th2大略一致時，該臨界 値電壓V th大略爲零。如上述，令臨界値電壓V thi與 V th2 —致*可由例如在同一半導體基板上之近接位置以同 气 士 3 S 家沣通（CNShM 規格（210 * 297 公餐) -17 - - ----III L^..ii—tT·--- - - --線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 447137 A7 ____B7_ 五、發明說明（15 ) ~導電型TFT形成驅動用TFT及補償用TFT，而較 簡單地形成。 此種構成時，兩方之T F T之薄膜形成之閛極絕緣膜 、半導體膜等膜厚，或通道長等各構成要素之平面形狀、 通道形成用領域、源極領域、汲極領域中之雜質濃度，或 動作時之溫度狀態等容易一致，結果，兩方之T F T之臨 界値電壓V thl與V th2可完全或大略一Ιί。又，令臨界値 特性近似時，通道長設爲一定較好，但通道寬不同亦可。 依本實施形態，令驅動用T F T 1 1 〇及補償用 丁 F T 1 2 0之臨界値特性或電壓電流特性接近（理想爲 一致），則相對於驅動電流I d，可使輸入信號V sig之臨 界値電壓Vth接近零（理想爲與零一致）。 又，由圖3 (A)及3 (B)可知，製造多數電晶體 電路1 0 0時，即使各驅動用TFT 1 1 0之臨界値電壓 V th 1互有差異時，不受該臨界値電壓V th 1大小之影響* 因各補償用T F T 1 2 0之作用可使各電晶體電路1 〇 0 之臨界値電壓V th設爲接近零之値。即，可製造臨界値電 壓Y th爲一定之多數電晶體電路1 0 0 =此對於後述般多 數電晶體電路1 0 0間之臨界値電壓V th之差異成爲問題 之顯示面板用等用途有所幫助。又，如上述於各電晶體電 路1 0 0，令互爲近接配置之一對驅動用TFT 1 1 〇之 臨界値電壓V thl與補償用TFT 1 2 0之臨界値電壓 V th2 —致一事，遠較令隔開距離個別配置之2個驅動用T FT1 10之臨界値電壓Vthl—致爲容易’因此’藉補償 — I — I 1III1I — — · — I ] — I — I ·1111111» . <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) m2 丐办 3 因家揉玉（0^)Λ·Ηίί 格（2]0 X 297 公 a ) -18- —"""' 447137 A7 _______B7__五、發明說明（16 ) 用丁 F Τ 1 2 0補償各電晶體電路1 0 〇之臨界値電壓 V thl之構成，對於多數電晶體電路1 0 〇相互間之臨界値 電壓V th之變動之減低而言極具效果。 如上述依本實施形態，製造多數電晶體電路1 0 0時 ，即使使用分別具臨界値電壓V th 1互異之多數驅動用 TFT1 1 0，即分別具備設計基準値之臨界値電壓（例 如2 . 5V)具大變動値之電壓Vth之多數驅動用TFT 1 1 0時，亦可得臨界値電壓V th之變動大致或完全不存 在之多數電晶體電路1 0 0。因此，電流電特性可緩和 T F 丁要求之條件，可實現良品率提昇及製造成本之降低 〇 又，由圖3 (A)及3 (B)可知，藉由使臨界値電 壓V thl及V th2 —致，則可用較輸入信號V sig之電壓爲 高之閘極電壓Vg進行各驅動用TFT 1 1 〇之電導控制 ，此爲第1效果。而且，多數電晶體電路1 0 0間之臨界 値電壓V th之變動可減低，此爲第2顯著效果。但是，各 電晶體電路1 0 0中驅動用TFT 1 1 0之臨界値電壓 V thl與補償用T F Τ 1 2 0之臨界値電壓V th2不完全一 致，而只要具兩臨界値電壓相抵消性質者，在兩臨界値電 壓之類似性程度條件下均可得該第1及第2效果。/ 本實施形態中，特別是構成爲對閘極1 1 1供給具有 較根據輸入信號V. sig控制之電導之最高値爲高電導値所對 應電壓之重置信號V rsig。因此’不受输入信號V sig之電 壓値V sig大小之影響*重置後，以朝可降低該電導之方向 氏子 ϋί ΐ 々 3 园家悻渠（CXSh.U 煶恪（210 X 297 - 19 - ' (讀先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 44713 7 ____B7_ 五、發明說明（17 ) 之電荷移動之方向介由閘極111所接補償用TFT 1 2 0可將輸入信號^ 供至聞極1 1 1。而且’本實施 形態中，重置信號v rslg設定爲較輸入信號V Sig之最大電 壓大補償甩T F T 1 2 0之臨界値電壓V th2分以上之電壓 。因此.，重置後輸入信號V sig輸入時，不受輸入信號 V s.ig之電壓大小或補償用τ F T 1 2 0之臨界値電壓 V th2之大小影響’經常可將較輸入信號V sig之電壓大補 償用T F T 1 2 0之臨界値電壓V th2分之高電壓供至閘極 111。 又I習知液晶顯示元件常使用之輸入信號v sig進行反 轉之場合，對包含反轉之輸入信號之全輸入信號v sig ’成 立上述重置信號V sig之關係爲較好。 以下，參照圖4及圖5說明該重置信號V rsig之電壓 設定之效果。此處，圖4分別表示，臨界値之設計基準値 以例如_2 . 5V，相對於該基準値起之臨界値電壓變動 △ Vth之驅動電流Id之變化，（1)以補償用TFT不 存在，直接將輸入信號V sig供至驅動用TFT 1 1 0之場 合（特性曲線C1) ，（2)重置信號V rsig設爲5 V ’ 介由補償用TFT1 20將輸入信號Vsig供至驅動用 TFT110之場合（特性曲線C1) ，（3)重置信號 V rsig設爲6 V，介由補償用TFT1 20將輸入信號 V sig供至驅動用T F T 1 1 〇之場合（特性曲線C 3 ) 0 又，圖5 (A)爲相對特性曲線C2之閘極電壓Vg之變 動範圍，圖5 (B)爲相對特性曲線C3之閘極電壓Vg (請先閱璜背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I 1 I! I 1 訂·— , 丐女 3 因家浮 JL (cxs)..\ I 规格（2ICIX 297 公 * ) -20- 447137 A； -r\ 1 B7 五、發明說明（18 ) 之變動範圍。又，此處，V sig設爲

V c = 5 V 圖4中，如特性曲線C 1所示，無補償用TFT 1 2 0之場合，臨界値電壓之變動AV th直接顯現於驅動 電流I d之變動。 如特性曲線C 2所示，重置信號V rsig設爲5 V使甩 補償用T F T時，臨界値電壓之變動th，於正側充分 被補償，負側則以驅動電流I d之變動出現。此乃因’如 圖5 ( A )所示，於負側’重置後輸入信號V s!g输入時’ 閘極電壓V g無法較輸入信號V slg更朝負電壓側降低（補 償）臨界値電壓V th2分之故。其理由爲，二極體連接之補 償用T F T 1 2 0，令閘極電壓V g由重置信號V rsig接 近輸入信號V S1g是可能，但遠離是不可能的。 又，如特性曲線C 3所示，設重置信號V rsig爲〇 V 使用補償用T F T時，臨界値電壓之變動AV th幾乎不出 現於驅動電流I d之變動。此乃如圖5 ( B )所示’重置 後輸入信號V sig輸入時，閘極電壓V g較輸入信號V sig 可朝負電壓側降低（補償）臨界値電壓V th分之故。又’ 此處考慮之V S1g = 7 5 V，若考慮輸入信號V S1g之最 小電位，對全V S1g均可予以補償。 如上述本實施形態中，不受輸入電壓V S1g之大小或補 償用T F T 1 1 0之臨界値電壓V th2大小之影響，經常可 將較該輸入信號V 之電壓小補償用T F T 1 2 〇之臨界 値V ih2分之電壓V g，施加於驅動用T F T 1 1 〇之閘極 (請先閱1背面之注意事項再填寫本頁> 乂气壬父！ 4丐办3囡家样退規恪（2】0 X 29Γ公坌） -21 · 4、 Λ47137 Α7 * _Β7_____ 五、發明說明（19 ) 111° 又，圖2 (A)及2 (B)中，閘極電壓Vg ’於驅 動期間中係由保持容量1 6 0保持。因此，藉保持容量 1 6 0，多數電晶體電路1 0 ◦間之閘極電壓V g之保持 特性之變動亦可降低（補償）。 如上述圖1〜圖5說明般，依本實施形態之電晶體電 路1 0 0，對E L元件等電流控制型元件5 0 〇可以較低 電壓之輸入信號V sig作電流驅動。而且，不受多數驅動用 TF T 11 0間之電流電壓特性或臨界値之變動影響’可 依輸入信號V sig之電壓對多數電流控制型元件5 0 0作精 確電流控制。 又，圖1之例中，使用P通道型TF T及N通道型 TFT兩者，但全TFT由N通道型TFT構成或由P通 道型TFT構成亦可。但就以補償用TFT 1 2 0補償驅 動用TFT 1 1 0之電流電壓特性或臨界値之變動觀點而 言，該驅動用TFT1 10及補償用TFT以同一工程’ 同一導電型TFT構成較有利。特別是，兩TFT以同一 薄膜形成工程形成時，兩T F T間之特性類似程度增加’ 故可於同一基板上製得電流電壓特性或臨界値之變動完全 或幾乎不存在之電晶體電路1 0 0。另方面，不論驅動用 丁FT110爲P型或N型’重置TFT130或開關 TFT140，可爲P型或N型》但是全TF 丁爲相同導 電型T F T在製造上較有利。 又，本實施形態之各種TF T 1 1 〇〜1 4 0可以接 — II —.«I — — — Ϊ — — « I I I 1 I I I ^ *— — — — — — — 1 <請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) A < ^ 1 g全迅园家浮决（CNS)A4故格（210 x 29*公坌〉 22· ύ 47 1 37 A7 __B7_ 五、發明說明（2〇 ) (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 合型、並聯、串聯等任一種場效電晶體（FET)構成》 又，如圖6所示，電晶體電路可由雙極性電晶體構成 。此場合下，上述閘極、源極、汲極分別對應基極、射極 、集極，以雙極性電晶體構成驅動用電晶體1 1 Ο β *以 雙極性電晶體構成補償用電晶體1 2 0 /，構成電晶體電 路100 /即可。一般而言，雙極性電晶體之場合|臨界 値電壓，以例如0.7V爲中心，其變動和丁FT比較爲 小|此種構成中，驅動用電晶體1 1 0 >之電流電壓特性 或臨界値之變動對驅動電流Id之影響響可由補償用電晶 體1 2 0 /補償。又，可以較低電壓進行驅動用電晶體 1 1 0 —之驅動。特別是，驅動用電晶體1 10 >及補償 用電晶體1 2 0 —以同一製程製造時•該兩電晶體間之特 性類似程度增加，可得電流電壓特性或臨界値之變動不存 在或減體之多數電晶體電路1 0 0 。 以上實施形態之電流控制型元件5 0 0 ’可爲有機 E L元件，無機E L元件等電流控制型發光元件’電流控 制型熱轉寫元件等各種元件。 2^Μ 二作：匕-'. (顯示面板） 以下，參照圖7〜圖1 0說明本發明之顯示面板之實 施形態。圖7爲顯示面板全體構成之方塊圖，圖8爲顯示 面板中之一畫素部之平面圖’圖9 (A)、9 (B)及9 (C)分別爲A_A' B — B' C — 斷面圖’圖 10爲鄰接之4個畫素部之電路圖。 1遣甩中3围家標準（CNS)..\4規烙（210 X 297公餐） -23- A7 A7 :;--;::·'」i ;vi". Μ 二.；：-^-.^::----.: -24- ______B7__ 五、發明說明（21 ) 本實施形態之顯示面板，分別包含上述本發明之電晶 體電路之同時’具以矩陣狀配置之多數畫素部，於該多數 畫素部分別設E L元件5 0作爲電流控制型發光元件之一 例。 如圖7所示，顯示面板200，具TFT陣列基板1 ，於該T F T陣列基板在多數畫素部2以矩陣狀配置之畫 面顯示領域具有：朝Y方向延伸、配列成X方向之多數資 料線11 ，及朝X方向延伸配列成Y方向之多數掃描線 1 2，及與多數資料線1 1平行並列之多數共用供電線 1 3。顯示面板1 >另於畫面顯示領域周圍具備：對各資 料線供給資料信號之資料線驅動電路2 1 ，及對各掃描線 1 2供經掃描信號之一對掃描線驅動電路2 2，及檢測各 畫素部2之導通不良、絕緣不良、元件缺陷等之檢測電路 23。又，本實施形態中，各驅動電路，於TFT陣列基 板1上係和畫素部2以共同製程形成，但亦可爲不存在 T F T陣列基板上之電路，或和畫素部2以各別工程形成 亦可。 如圖8所示’於各畫素部2設圖1〜圖6說明之驅動 用丁 FT110、補償用TFT120、重置丁 FT 130、開關TFT140、及保持容量160。前段之 掃描線1 2 b成爲圖1中之重置掃描信號v rscan用配線 後段之掃描線1 2. a成爲圖1之掃描信號v scan用配線及 重置信號V rsig用配線，後段之資料線1 1 a成爲圖1之 輸入信號V S1g (資料信號）用配線。又，共用供電線1 3 Ί 1：： ^ ^ 313 (CNS),\4 «iit (210 X 29； ) -ml--I--Ϊ 裝— — II 訂—署！ I -線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 447137 A7 ___E^__ __五、發明說明（22 ) 接正電源+V ’ EL元件5 0接於驅動用TFT1 1 〇與 後述對向電極之間，該對向電極接負電源一V。 如圖9 ( A )所示，開關丁 F T 1 4 0、補償用 TFT1 20及保持容量1 60，係沿圖8之A-A >斷 面，於TFT陣列基板上由半導體膜（多晶矽膜）4，氧 化矽膜或氮化矽膜構成之閘極絕緣膜5、T a膜6、氧化 矽膜或氮化矽膜形成之第1層間絕緣膜7、及A 1膜8等 構成。又*取代閘極形成用之T a膜6，可使用低電阻多 晶矽膜。. 具體言之爲，開關用TFT140，係多晶矽膜6形 成之具閛極1 4 1之頂閘型TFT，構成爲介由閘極絕緣 膜5以閘極141對向之半導體層4部分爲通道形成用領 域*於其兩側作爲具高濃度η型摻雜之源極1 4 2及汲極 143之Ν通道型TFT…源極142，介由閘極絕緣膜 5及第1層間絕緣膜7所設接觸孔連接A 1膜8形成之資 料線1 1 a。又，汲極1 4 3，以閘極絕緣膜5及第1層 間絕緣膜7上開設之接觸孔及A 1膜8爲中繼，連接於補 償用 T F T 1 2 0。 補償用TFT1 20，爲具Ta膜6形成之閘極 1 2 1之頂閘型T F T，構成爲介由閘極絕緣膜5以閘極 1 2 1呈對向之半導體膜4部分爲通道形成用領域’其兩 側學具高濃度P型摻雜之源極1 2 2及汲極1 2 3的P通 道型TFT »以閘極絕緣膜5及第1層間絕緣膜7上所設 接觸孔及A 1膜爲中繼連接開關TFT1 40及保持容量 ---------— I— ^ — — — — — — II ^- — — — — — — 1— {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί、―氏玉义丐古3因家標正（C乂規恪（210 X 297公坌） -25- 447137 A： ___B7_____五、發明說明（23 ) 160，及驅動用丁 FT110之閘極111。 又，保持容量1 6 0構成爲’具2重容器構成’半導 體膜4、丁 a膜6及A 1膜8介由閘極絕緣膜5及第1層 間絕緣膜.7呈對向配置。構成保持容量之半導體膜4部分 ，係介由閘極絕緣膜5及第1層間絕緣膜7上所設接觸孔 連接A 1膜8，構成保持容量之Ta膜6部分’則介由第 1層間絕緣膜7上所設接觸孔連接A 1膜8 ° 如圖9 (B)所示’重置TFT130 ’係沿圖8之 B — B —斷面，於TFT陣列基板1上由半導體膜4 ’閘 極絕緣膜5、 Ta膜6、第1層間絕緣膜7及六1膜8構 成。 更具體言之如下，重置TFT130 *爲具Ta膜6 形成之閘極1 3 1之頂閘型T F T ’構成爲介由閘極絕緣 膜5以閘極131對向之半導體層4部分爲通道形成領域 ，於其兩側具η型高濃度摻雜之源極1 3 2及汲極1 3 3 之Ν通道型TFT。源極1 32及汲極1 33 ’係以閘極 絕緣膜5及第1層間絕緣膜7上所設接觸孔及A 1膜爲中 繼，分別連接丁 a膜6形成之後段掃描線1 2 a及驅動用 TFT1 10 之閘極 1 1 1。 又，如圖9 ( C )所示，驅動用T F T 1 1 0，係沿 圖8之C_C —斷面，於TFT陣列基板1上由半導體膜 4，閘極絕緣膜5. T a膜6、第1層間絕緣膜7及A 1 膜8構成。於第2層間絕緣膜9上，於驅動用TFT 1 1 0之汲極1 1 3形成以接觸孔及A 1膜8爲中繼而連 < S iS 丐 * S 西家揉車（CNsIm 規格（210 * 297 么、2 ) -26- (請先閲讀背*之注意事項再填寫本頁) 447 1 37 Α7 Β7 五、發明說明（24) 接之I TO膜5 1，於其上形成EL元件50。另一方面 1驅動用TFT110之源極112，係介由接觸孔連接 A 1膜8形成之共用供電線1 3。又，鄰接畫素部2中之 E L元件5 0 ’係由電絕緣性區塊5 2間隔β較好是，區 塊5 2.具遮光性。區塊5 2，可由例如遮光性阻劑形成， 於覆蓋顯示面板2 0 0之畫面顯示領域周圍之周框領域設 區塊5 2亦可。於E L元件5 0上設A 1等低電阻金屬或 I 丁 0等形成之對向電極（上電極）5 6。 如圖1 0所示’顯示面板2 0 0中特別採用藉共用供 電線1 3對X方向相鄰接之畫素部2之雙方供給正電源 iV之構成，和正電源+V供給用電源配線單純設於畫素 部2之與一列之場合比較，電源配線數約爲1/2。又， 採m令輸入重置TFT 1 3 0之閛極1 3 1之重置掃描信 號V rsc an由前段掃描線1 2 b供給，輸入重置TFT 1 3 0之重置信號V rs：ig由後段掃描線1 2 b供給之構成 ，和設置重置掃描信號V rscan專用配線或重置信號V rsig 專用配線之場合比較，可減少信號配線數。如此般藉電源 配線數或信號配線數之不增加，可確保習知顯示面板未設 置之補償用TFT 1 2 0或重置TFT 1 3 0之設置空間 。當然，和本實施形態不同，於各畫素設共用供電線；於 各畫素設定爲相同圖型*或設重置掃描信號V rscan專用面 線，或設重置信號V rsig專用配線，亦可適用本發明之技 術思想。 又，如本實施形態般，使用電流控制型發光元件之 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) ·11!1 訂 -------線 ¥ 士3 國家揉皐規格（210 * 297 公坌） -27 -i A7 d47137 _____B7__ 五、發明說明（25 ) E L元件5 0之顯示面板2 Ο 〇之場合，例如’如液晶面 板般即使不增加畫素之開口領域’只需增加供至發光元件 之電流量即可依此自行發光，故可得畫像顯示必要之亮度 。因此，δπ本實施形態般，節省配線之佔有面積以確保各 種T F Τ形成於畫素部2之空間亦可，或藉由縮小各E L 元件5 0之尺寸以確保各TFT形成於畫素部2之空間亦 可。 以下’參照圖7及圖1 0說明本實施形態之顯示面板 2 0 0之動作。 由掃描線驅動電路2 2將掃描信號V scan供至前段之 掃描線1 2 b時，此作爲後段之重置掃描信號V rscan，輸 入後段之重置TFT130之閘極131。與此並行地， 當由掃描線驅動電路2 2將重置信號V rslg供至後段之掃 描線1 2 a時·後段之驅動用TFT 1 1 0之閘極電壓 V g ’被設定爲重置信號V rsig之電位（參照圖2 ( A ) )°此時’重置信號V rsig與掃描信號V rscan之0 F F電 位同樣亦可。接著，當由掃描線驅動電路2 2將掃描信號 V scan供至後段掃描線1 2 a時，此被輸入後段之開關 丁 FT140之閘極141。與之並行地，輸入信號Vsig (資料信號）由資料線驅動電路21供至後段之資料綠 11a ’介由開關TFT140及補償用TFT120, 該電壓V sig被降低補償用TFT 1 2 0之臨界値電壓 V th2分’並作爲閘極電壓v g供至後段之驅動用τ F T 110之閘極111 (參照圖2 (A) ).»結果，依該降 ’.Ά. Γ、1丐由 S 围家详逢規格（210 X 297 坌）-28- — — — — — 1)11111. « I I I I I 1 I — — ! — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7____ 五、發明說明（26 ) 壓之閘極電壓Vg，驅動用TFT1 1 〇之源極1 1 2及 汲極1 1 3間之電導被控制，於正電源+ V與負電源_ v 之間*流入E L元件5 0之驅動電流I d被控制。 因此’各畫素部2所設驅動用TFT 1 1 〇之臨界値 電壓V thl之變動爲補償用T F T 1 2 0之臨界値電壓 V th2所補償，資料信號V S1g相對於多數畫素部2間之驅 動電流I d之臨界値變動幾乎不存在，在顯示面板2 〇 〇 之畫面顯示領域全體可得均一亮度之畫像顯示。又，藉補 償用T F T 1 2 0降壓作用可以較小電壓之資料信號V sig 控制驅動電流I d。 上述實施形態中，在輸入信號V sig供給前係藉重置 TFT 1 3 0將閛極電壓Vg重置，但是*例如在靜止畫 顯示期間，同樣藉輸入信號V sig於多數幀進行驅動電流 I d之控制亦可，故該重置動作不必在每一掃描線進行。 又，取代電氣式重置信號V r.sig，藉光照射重置閘極電壓 V g (設爲特定之重置電壓）亦可。又取代重置T F 丁 1 3 0，構成爲介由開關TFT 1 4 0或補償用TFT 1 2 0供給重置信號V rsig亦可。另外，如主動矩陣驅動 般不進行開關之用途時，開關TF T 1 4 〇或開關動作可 以不要。 · _ (電子機器） - 以下，參照圖1 1〜圖1 3說明具顯示面板2 0 0之 電子機器之實施形態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂-t ----I-- -29- A7 Λ4713Τ B7_______ 五、發明說明（27 ) 圖1 1爲具顯示面板2 0 0之電子機器之槪略構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖11中•電子機器具備：顯示資訊輸出源1〇〇〇 ，顯示資訊處理電路1002、驅動電路1 004、顯示 面板1006、時脈產生電路1008、及電源電路 10 10。 上述實施形態之顯示面板2 0 0，相當於本實施形態 之顯示面板1006及驅動電路1 004。因此，於構成 顯示面板1 0 0 6之TFT陣列基板上，搭載驅動電路 1 ◦ 0 4亦可，或搭載顯示資訊處理電路1 0 0 2等亦可 。或相對於搭載有顯示面板1 0 0 6之TF T陣列基板， 驅動電路1 0 0 4設爲外加亦可。 顯示資訊輸出源1 000包含有：ROM ( Read Only Memory ) ，RAM ( Random Access Memory)、光碟裝置 經:-部智慧財產局具工消費合作社印製 等記憶體、對視訊調諧輸出的調諧電路等，係依來自時脈 產生電路1 0 0 8之時脈信號，將特定格式之畫像信號等 顯示資訊輸出於顯示資訊處理電路1 0 0 2。顯示資訊處 理電路1 0 0 2包含有放大、極性反轉電路、相位展開電 路、旋轉電路、r補正電路、箝位電路等周知各種電路， 由依時脈信號輸入之顯示資訊依序產生數位信號，與時脈 信號CLK同時輸出於驅動電路1004。驅動電路Ϊ0 0 4，驅動顯示面板2 0 0。電源電路對上述各電路供給 特定電源。 圖12〜圖13分別爲電子機器之具體例。 圖1 2中，電子機器之另一例之多媒體對應之膝上型 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） -30- Λ47137 ΑΓ - I-— ____Β7__ 五、發明說明（28 ) 電腦1 2 0 〇，係於上殼體1 2 0 6內具上述顯示面板 200。另具收容cpl、記億體、數.據機等，且組入有 鍵盤1202之本體1204。 又’如圖13所示，未搭載驅動電路1004或顯示 資訊處理電路1 〇 〇 2之顯示面板1 3 0 4之場合，包含 有驅動電路1 004或顯示資訊處理電路1 002之I C 1 3 2 4，係介由設於TFT陣列基板1之周邊部之異方 性導電薄膜，與實裝於聚醯亞胺粘帶1 3 2 2上之TCP (TapeCarrierPackage) 1 3 2 0 作物理，且電氣連接， 可作爲顯示面板生產、販賣、使用等。 如上述說明，依本實施形態可實現，在顯示面板全面 之亮度不均勻較少，且可以較低電壓驅動之各種電子機器 〇 依本發明之電晶體電路，相對於輸入信號電壓，閘極 電壓可上昇或降低補償用電晶體之臨界値電壓分，可藉較 低輸入信號電壓進行。驅動用電晶體之電導控制。另外， 藉由使補償用電晶體及驅動用電晶體之電流電壓特性或臨 界値接近，則相對於驅動電流，輸入信號之臨界値電壓可 接近零。又，使用多數臨界値特性互異之驅動用電晶體製 造多數電晶體電路時，即使使用多數臨界値電壓互異之多 數驅動用電晶體，即使用分別具與設計基準値有較大差異 臨界値電壓之多數驅動用電晶體時，亦可得多數電晶體電 路中之臨界値電壓變動幾乎或完全不存在之多數電晶體電 路。 ! _ _ _ __ .__________________________________________ --1------- I J 裝 *!! II 訂·-----線 . <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 447137 A7 B7 二， 五、發明說明（29 ) 依本發明之顯示面板，可使用低電壓輸入信號實現減 少亮度不均勻現象之畫像顯示。 產業上利用可能性 使用本發明之電晶體電路可得童現亮度不均勻減少之 畫像顯示之顯示面板。該顯示面板適用於要求高品位畫像 顯示之具備膝上型電腦、電視、觀景型或監控型錄放影機 、汽車定位裝置、電子手冊、電子計算機、文字處理機、 工程人員工作站（E W S )、攜帶電話、電視電話、 POS終端機、呼叫器、觸控面板等之電子機器。 圖面之簡單說明 圖i :本發明之電晶體電路之一實施形態之電路圖。 圖2 A :電晶體電路中之各種信號之時序流程圖。 圖2B:圖1之電晶體電路中之各種信號之時序流程 圖。 圖3 A :具驅動用TFT之比較例之臨界値特性圖。 圖3 B :具補償用TFT及驅動用TFT之本實施形 態之臨界値特性圖。 圖4 :驅動電流I d之變化相對於臨界値變動△ V th 之各種場合之特性圖。 圖5 A :本實施形態中重置信號V rsig設爲5 V時之 補償用TFT之降壓作用之時序圖。

圖5B :重置信號V rsig設爲〇V時之補償用丁 FT E 士 S 园家择a 说格（2HX97 ϋ ) - 32 - f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝------- 訂---------線 447137 A7 五、發明說明（3〇 ) 之降壓作用之時序圖。 圖6 :電晶體電路之另一實施形態之電路圖。 圖7:顯示面板之實施形態之合體構成之平面圖 圖_8 :圖7之顯不面板之一畫素部之平囬圖。 圖9A:圖8之A-A'斷面圖。 ，圖9B:圖8之B — B<斷面圖。

圖9 C 圖1 0 圖。 圖1 1 方塊圖。 圖1 2 圖1 3 之斜視圖。 圖8之C_C >斷面圖。 圖7之顯示面板中鄰接之4個畫素部之電路 本發明之電子機器之實施形態之槪略構成之 電子機器之一例之個人電腦之模式圖。 電子機器之另一例之使用T C P之液晶裝置 主要元件對照表 1 0 0 110 1 2 0 13 0 14 0 16 0 2〇〇 δ 〇 〇 電晶體電路 驅動用丁 F下 補償用T F 丁 重置T F Τ 開關T F Τ 保持容量 顯示面板 電流控制型元件 -33- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 447137 A： B7 五、發明說明（31 ) 4 半 導 體 膜 5 閘 極 絕 緣膜 6 T a 膜 7 第 1 層 間絕 緣 膜 8 A 1 膜 9 第 2 層 間絕 緣 膜 5 0 E L 元 件 5 1 I T 〇 膜 5 2 塊 2 2 掃 描 線 驅動 電 路 2 1 資 料 線 驅動 電 路 2 3 檢 測 電 路 1 T F T 陣列 基 板 2 畫 素 部 1 3 共 用 供 電線 1 0 0 0 顯 示 資 訊輸 出 源 1 0 0 9 1^1 顯 示 資 訊處 理 電路 1 0 0 4 驅 動 電 路 1 0 0 6 示 面 扳 1 0 0 8 時 脈 產 生電 路 1 0 1 0 電 源 電 路 1 2 0 0 膝 上 型 電腦 1 2 0 2 鍵 盤 1 2 0 4 本 體 I I----------^*-------訂---------線 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 3^；?^ (CNS),M (210 χ 297 ) -34- d47l37 A7

五、發明說明（32 ) 12 0 6 13 0 4 13 2 0 13 2 2 1 3 2 4 1 C _ 上殼體 顯示面板 TCP 聚醯亞胺粘帶 -35- (請先閱讀背面之i意事項再填寫本頁) --------訂·--------

Claims (1)

1. • 1/teL 正 修 oo 8 8 B ABCD 經.濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 六、申請專利範圍 附件la :第88104 26 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年11月修正 1 · 一種電晶體電路，其特徵爲具備有： 驅動用電晶體’係具有第1閘極、第1源極及第1汲 極’且依供至該第1閘極之輸入信號之電壓使該第1源極 與第1汲極間電導被控制者；及 補償用電晶體，係具有第2閘極、第2源極及第2汲 極，該第2閙極接該第2源極及第2汲極之一方，介由該 第2源極及第2汲極使上述輸入信號供至上述第1閘極， 且以相對於上述第1閘極使降低上述電導之方向之電荷移 動爲可能之方向連接於上述第1閘極。 2 .如申請專利範圍第1項之電晶體電路，其中 具有重置裝置，俾於上述輸入信號供給前，供給具較 相對於上述第1閘極依上述輸入信號控制之上述電導之最 高値爲大之電導値所對應電壓的重置信號。 3 .如申請專利範圍第2項之電晶體電路，其中 上述重置信號之電壓係設定爲，較上述輸入信號之最 大電壓大上述補償用電晶體之臨界値電壓分以上之電壓。 4 .如申請專利範圍第2或3項之電晶體電路，其中 上述重置裝置具備有重置用電晶體，其係具有第3閘 極、第3源極及第3汲極，該第3源極及第3汲極之一方 接上述第1閘極，當於上述輸入信號供給前對該第3閘極 n m n.— I— — I — I —r i (m l一SJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中a國家棣準C CNS > A4规格（210X297公釐） 44713 T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 BS C8 D8六、申請專利範圍 供給重置時序信號時’介由該第3源極及第3汲極使上述 重置信號供至上述第1閘極。 5 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體電 路，其中上述驅動用電晶體及補償用電晶體爲同一導電型 電晶體。 6 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體電 路，其中 另具有開關電晶體，其具有第4閘極、第4源極及第 4汲極，當該第4閘極供給有開關信號時令上述輸入信號 介由該第4源極及第4汲極供至上述補償用電晶體》 7 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體電 路，其中 另具有接於上述第1閘極之保持容量^ 8 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體電 路，其中 係由形成於同一基板上之薄膜電晶體構成。 9 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體電 路，其中 上述電晶體係由，上述閘極、源極及汲極分別對應基 極、射極及集極之雙極性電晶體構成。 1 0 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電晶體 電路，其中 上述输入信號爲電壓藉由輸入信號線控制之電壓信號 ，上述驅動用電晶體，其上述第1源極及第1汲極中之一 n«l .^m mu n I J flm ^^^^1 « » (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度逋用中S國家搮隼（CNS > A4^ ( 210X297公釐）_ 2 d4713 7 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財凌局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 方接電流控制型元件，並藉控制上述電導來控制流經該電 流控制型元件之電流。 1 1 . 一種顯示面板，係具備電晶體電路作爲驅動電 路者，該電晶體電路爲具備有： 驅動用電晶體，係具有第1閘極、第1源極及第1汲 極，且依供至該第1閘極之輸入信號之電壓使該第1源極 與第1汲極間電導被控制者；及 補償用電晶體•係具有第2閘極、第2源極及第2汲 極，該第2閘極接該第2源極及第2汲極之一方，介由該 第2源極及第2汲極使上述輸入信號供至上述第1閘極， 且以相對於上述第1閘極使降低上述電導之方向之電荷移 動爲可能之方向連接於上述第1閘極： 上述輸入信號爲電壓藉由輸入信號線控制之電壓信號 ，上述驅動用電晶體，其上述第1源極及第1汲極中之一 方接電流控制型元件，並藉控制上述電導來控制流經該電 流控制型元件之電流。 1 2 · —種電子機器，係具備具電晶體電路作爲驅動 電路的表示面板，及输出顯示資訊的顯示資訊輸出源，該 電晶體電路爲具備有： 驅動用電晶體，係具有第1閘極、第1源極及第1汲 極1且依供至該第1閘極之輸入信號之電壓使該第1源極 與第1汲極間電導被控制者：及 補償用電晶體，係具有第2閘極.第2源極及第2汲 極，該第2閘極接該第2源極及第2汲極之一方’介由該 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) 规格（210 Χ^7公釐）_ 3 _ 44713 7 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第2源極及第2汲極使上述輸入信號供至上述第1閘極’ 且以相對於上述第1閘極使降低上述電導之方向之電荷移 動爲可能之方向連接於上述第1閘極； 上述輸入信號爲電壓藉由輸入信號線控制之電壓信號 ，上述驅動用電晶體’其上述第1源極及第1汲極中之— 方接電流控制型元件，並藉控制上述電導來控制流經該電 流控制型元件之電流。 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS) Α4规格（210X297公釐>