TW201314660A - 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用 - Google Patents

發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用 Download PDF

Info

Publication number
TW201314660A
TW201314660A TW101126310A TW101126310A TW201314660A TW 201314660 A TW201314660 A TW 201314660A TW 101126310 A TW101126310 A TW 101126310A TW 101126310 A TW101126310 A TW 101126310A TW 201314660 A TW201314660 A TW 201314660A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
coupled
driving
scan signal
light emitting
Prior art date
Application number
TW101126310A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen-Tui Liao
Wen-Chun Wang
Hsi-Rong Han
Chih-Hung Huang
Original Assignee
Wintek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wintek Corp filed Critical Wintek Corp
Priority to TW101126310A priority Critical patent/TW201314660A/zh
Priority to CN2012103223515A priority patent/CN103000126A/zh
Priority to US13/607,811 priority patent/US20130069852A1/en
Publication of TW201314660A publication Critical patent/TW201314660A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本發明提供一種關聯於有機發光二極體的畫素電路，且其電路架構(7T1C或5T1C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變(或者，受電源電壓(Vdd)之影響的程度得以被減輕)，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。

Description

發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
本發明是有關於一種平面顯示技術，且特別是有關於一種具有自發光特性之發光元件(light-emitting component，例如有機發光二極體(OLED)，但並不限制於此)的驅動電路及其相關的畫素電路與應用。
由於多媒體社會的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示器而言，由於主動式矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示器具有無視角限制、低製造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發光、可使用於可攜式機器的直流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可隨硬體設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此，主動式矩陣有機發光二極體顯示器具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器，藉以取代液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)。
目前主動式矩陣有機發光二極體顯示面板主要有兩種製作方式，其一是利用低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作，而另一則是利用非晶矽(a-Si)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作。其中，由於低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術需要比較多道的光罩製程而 導致成本上升。因此，目前低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術主要應用在中小尺寸的面板上，而非晶矽的薄膜電晶體製程技術則主要應用在大尺寸的面板上。
一般來說，採以低溫多晶矽之薄膜電晶體製程技術所製作出來的主動式矩陣有機發光二極體顯示面板，其畫素電路中的薄膜電晶體之型態可以為P型或N型，但由於P型薄膜電晶體傳導正電壓有較好的驅動能力，故而現今多以選擇P型薄膜電晶體來實施。然而，選擇P型薄膜電晶體來實現有機發光二極體畫素電路的條件下，流經有機發光二極體的電流不僅會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且還會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將會連帶影響到有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
有鑒於此，為了提升有機發光二極體顯示器的亮度均勻性，本發明之一示範性實施例提供一種發光元件驅動電路，其包括：驅動單元、資料儲存單元，以及發光控制單元。驅動單元耦接於一電源電壓與發光元件之間，且包含驅動電晶體。驅動單元用以於一發光階段，控制流經發光元件的驅動電流。資料儲存單元耦接驅動單元，且包含漂移補償電晶體以及耦接於驅動電晶體與一參考電位之間的儲存電容。資料儲存單元用以於一資料寫入階段，透過儲 存電容以對一資料電壓與關聯於漂移補償電晶體的臨限電壓進行儲存。
發光控制單元耦接於驅動單元與發光元件之間，用以於所述發光階段，傳導來自驅動單元的驅動電流至發光元件。於所述發光階段，驅動單元反應於儲存電容的跨壓而產生流經發光元件的驅動電流，且流經發光元件的驅動電流反應於漂移補償電晶體之臨限電壓的儲存而不受驅動電晶體之臨限電壓的影響。
於本發明之一示範性實施例中，資料儲存單元更用以於所述資料寫入階段，透過儲存電容以對所述電源電壓進行儲存。在此條件下，於所述發光階段，反應於所述電源電壓的儲存，流經發光元件的驅動電流更可以不受所述電源電壓的影響。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響的條件下，驅動電晶體的閘極耦接儲存電容的第一端以及漂移補償電晶體的閘極與源極，而驅動電晶體的源極則耦接至所述電源電壓。基此，資料儲存單元更包括：寫入電晶體、傳輸電晶體，以及耦合電晶體。寫入電晶體的閘極用以接收一寫入掃描訊號，寫入電晶體的源極用以接收所述資料電壓，而寫入電晶體的汲極則耦接至儲存電容的第二端。傳輸電晶體的閘極用以接收所述寫入掃描訊號，傳輸電晶體的源極耦接至所述電源電壓，而傳輸電晶體的汲極則耦接至漂移補償電晶體的汲極。耦 合電晶體的閘極用以接收一發光致能訊號，耦合電晶體的源極耦接儲存電容的第二端，而耦合電晶體的汲極則耦接至所述參考電位。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響的條件下，資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化儲存電容的第一端電壓。基此，資料儲存單元可以更包括：重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收所述重置掃描訊號，而其汲極則耦接至儲存電容的第一端。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響的條件下，發光控制單元包括：發光控制電晶體，其閘極用以接收所述發光致能訊號，而其源極則耦接至驅動電晶體的汲極。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響的條件下，發光元件的第一端耦接第一發光控制電晶體的汲極，而發光元件的第二端則耦接至所述參考電位。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響的條件下，驅動電晶體、漂移補償電晶體、寫入電晶體、重置電晶體、傳輸電晶體、耦合電晶體， 以及發光控制電晶體皆可以為P型電晶體。
於本發明之另一示範性實施例中，於所述發光階段，反應於與所述電源電壓相關聯的資料電壓，流經發光元件的驅動電流受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，且受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下，驅動電晶體的閘極耦接儲存電容的第一端以及漂移補償電晶體的閘極與源極，驅動電晶體的源極耦接至所述電源電壓，而儲存電容的第二端則可以直接耦接至所述參考電位。基此，資料儲存單元更包括：寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其源極用以接收所述資料電壓，而其汲極則耦接至漂移補償電晶體的汲極。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，且受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下，資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化儲存電容的第一端電壓。基此，資料儲存單元可以更包括：重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收所述重置掃描訊號，而其汲極則耦接至儲存電容的第一端。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，且受所述電源 電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下，發光控制單元包括：發光控制電晶體，其閘極用以接收一發光致能訊號，而其源極則耦接至驅動電晶體的汲極。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，且受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下，發光元件的第一端耦接發光控制電晶體的汲極，而發光元件的第二端則耦接至所述參考電位。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，且受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下，驅動電晶體、漂移補償電晶體、寫入電晶體、重置電晶體，以及發光控制電晶體皆可以為P型電晶體。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所述電源電壓之影響(或者，受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩)的條件下，發光元件可以為有機發光二極體，且發光元件的第一端為有機發光二極體的陽極，而發光元件的第二端為有機發光二極體的陰極。基此，發光元件驅動電路可以為有機發光二極體驅動電路，且有機發光二極體驅動電路會先後進入所述重置階段、所述資料寫入階段以及所述發光階段。
於本發明之一示範性實施例中，在流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體之臨限電壓的影響，而且也不受所 述電源電壓之影響(或者，受所述電源電壓之影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩)的條件下，於所述重置階段，所述重置掃描訊號為致能，而所述寫入掃描訊號與所述發光致能訊號為禁能。於所述資料寫入階段，所述寫入掃描訊號為致能，而所述重置掃描訊號與所述發光致能訊號為禁能。於所述發光階段，所述發光致能訊號為致能，而所述重置掃描訊號與所述寫入掃描訊號為禁能。
本發明之另一示範性實施例提供一種具有所提之發光元件驅動電路的畫素電路，且此畫素電路可以為有機發光二極體畫素電路。
本發明之再一示範性實施例提供一種具有所提之有機發光二極體畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
本發明之又一示範性實施例提供一種具有所提之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
基於上述，本發明提供一種有機發光二極體畫素電路，且其電路架構(7T1C或5T1C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變(或者，受電源電壓(Vdd)之影響的程度得以被減輕)，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉具體的示範性實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
然而，應瞭解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其並不能限制本發明所欲主張之範圍。
現將詳細參考本發明之示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之畫素電路10的示意圖，而圖2繪示為圖1之畫素電路10的實施電路圖。請合併參照圖1與圖2，本示範性實施例之畫素電路10包括發光元件(light-emitting component，例如：有機發光二極體(OLED)101，但並不限制於此，故而畫素電路10可以視為有機發光二極體畫素電路)與發光元件驅動電路(light-emitting component driving circuit)103。其中，發光元件驅動電路103包括驅動單元(driving unit)105、資料儲存單元(data storage unit)107，以及發光控制單元(light-emitting control unit)109。
於本示範性實施例中，驅動單元105耦接於電源電壓(power supply voltage)Vdd與有機發光二極體101(即，發光元件)之間，且包含驅動電晶體(driving transistor) T1。而且，驅動單元105用以於發光階段(light enable phase)，控制流經有機發光二極體101的驅動電流(driving current)IOLED。
另外，資料儲存單元107耦接驅動單元105，且包含漂移補償電晶體(shift-compensation transistor)T2以及耦接於驅動電晶體T1與參考電位(reference potential)Vss之間的儲存電容(storage capacitor)Cst。而且，資料儲存單元107會於資料寫入階段(data-writing phase)，透過儲存電容Cst以對資料電壓(data voltage)VIN與關聯於漂移補償電晶體T2的臨限電壓(threshold voltage,Vth(T2))進行儲存。
此外，資料儲存單元107會於重置階段(reset phase)，反應於重置掃描訊號(reset scan signal)S[n-1]而初始化/重置(initialization/reset)儲存電容Cst的第一端電壓(亦即，節點A的電壓)。其中，重置掃描訊號S[n-1]可為前一掃描線上的訊號，且由第[n-1]級的閘極驅動電路所提供，但並不限制於此。
再者，發光控制單元109耦接於驅動單元105與有機發光二極體(發光元件)101之間。而且，發光控制單元109用以於發光階段，傳導來自驅動單元105的驅動電流IOLED至有機發光二極體101。
於本示範性實施例中，驅動單元105係於發光階段，反應於儲存電容Cst的跨壓(cross-voltage)而產生流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED，且此驅動電流IOLED 不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))的影響。換言之，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1)無關。
除此之外，資料儲存單元107更包括寫入電晶體(writing transistor)T3、傳輸電晶體(transmission transistor)T4、重置電晶體(reset transistor)T5，以及耦合電晶體(coupling transistor)T6。另外，發光控制單元109包括發光控制電晶體(light-emitting control transistor)T7。
於本示範性實施例中，驅動電晶體T1、漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3、傳輸電晶體T4、重置電晶體T5、耦合電晶體T6以及發光控制電晶體T7皆可以為P型電晶體(P-type transistor)，例如P型薄膜電晶體(P-type thin-film-transistor,P-type TFT)。而且，應用圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)可以利用低溫多晶矽(LTPS)、非晶矽(a-Si)或非晶銦鎵錫金屬氧化物(a-IGZO)的薄膜電晶體(TFT)製程技術製作而成，但並不限制於此。
另外，在圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10的電路結構上(7T1C)，驅動電晶體T1的閘極(gate)耦接儲存電容Cst的第一端(亦即，節點A)以及漂移補償電晶體T2的閘極與源極(source)，而驅動電晶體T1 的源極則耦接至電源電壓Vdd。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號(write scan signal)S[n](寫入掃描訊號S[n]可為當下掃描線上的訊號，且由第[n]級的閘極驅動電路所提供，但並不限制於此)，寫入電晶體T3的源極用以接收資料電壓VIN，而寫入電晶體T3的汲極(drain)則耦接至儲存電容Cst的第二端(亦即，節點B)。
傳輸電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，傳輸電晶體T4的源極耦接至電源電壓Vdd，而傳輸電晶體T4的汲極則耦接至漂移補償電晶體T2的汲極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接至儲存電容Cst的第一端。
耦合電晶體T6的閘極用以接收發光致能訊號(light enable signal)LE，耦合電晶體T6的源極耦接儲存電容Cst的第二端，而耦合電晶體T6的汲極則耦接至參考電位Vss。發光控制電晶體T7的閘極用以接收發光致能訊號LE，而發光控制電晶體T7的源極則耦接至驅動電晶體T1的汲極。有機發光二極體101的陽極(anode)耦接發光控制電晶體T7的汲極，而有機發光二極體101的陰極(cathode)則耦接至參考電位Vss。在以下的例子中，為方便說明將假設參考電位Vss為零電位(即，接地電位)，但並不限制於此。
再者，在圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10 的運作過程中，發光元件驅動電路103(即，有機發光二極體驅動電路)會先後進入重置階段、資料寫入階段與發光階段，各別例如圖3所示的P1、P2與P3。於本示範性實施例中，於重置階段P1，僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能；於資料寫入階段P2，僅有寫入掃描訊號S[n]會致能；以及於發光階段P3，僅有發光致能訊號LE會致能。
換言之，於重置階段P1，重置掃描訊號S[n-1]為致能，而寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE為禁能。於資料寫入階段P2，寫入掃描訊號S[n]為致能，而重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE為禁能。於發光階段P3，發光致能訊號LE為致能，而重置掃描訊號S[n-1]與寫入掃描訊號S[n]為禁能。當然，重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE的高低準位(VH,VL)皆可視實際設計/應用需求而決定。
於此值得解釋的是，由於圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10中的驅動電晶體T1、漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3、傳輸電晶體T4、重置電晶體T5，耦合電晶體T6以及發光控制電晶體T7的型態皆為P型，故而可知的是，驅動電晶體T1、漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3、傳輸電晶體T4、重置電晶體T5、耦合電晶體T6以及發光控制電晶體T7為低準位致能(low active)。由此，先前針對重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE會致能的表述，即表示重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE處於低準位 (low level)。
基此，在重置階段P1，由於僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能，所以節點A的電壓(即，驅動電晶體T1的閘極電壓(Vg))會反應於呈現二極體連接(diode-connected)之重置電晶體T5的導通(turned-on)而等於重置掃描訊號S[n-1]的低準位(VLS[n-1])減去Vth(T5)，即：VLS[n-1]-Vth(T5)。其中，Vth(T5)為重置電晶體T5的臨限電壓。與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，耦合電晶體T6與發光控制電晶體T7會處於截止(turned-off)的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比；另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與傳輸電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於僅有寫入掃描訊號S[n]會致能，所以寫入電晶體T3與傳輸電晶體T4會同時處於導通的狀態，且呈現二極體連接的漂移補償電晶體T2亦會導通。在此條件下，電源電壓Vdd會經由傳輸電晶體T4與呈現二極體連接的漂移補償電晶體T2而傳遞至儲存電容Cst的第一端(即，節點A)，藉以使得節點A的電壓等於Vdd-Vth(T2)，其中Vth(T2)為漂移補償電晶體T2的臨限電壓。與此同時，資料電壓VIN(於此假設VIN為Vdata，即VIN=Vdata，但並不限制於此，其中Vdata為對應畫素電路10的灰階顯示電壓值)會經由寫入電晶體T3而傳遞至儲存電容Cst的第二端(即，節點B)，藉以使 得節點B的電壓等於Vdata。
由此可知，在資料寫入階段P2，儲存電容Cst上的電壓為Vdd-Vth(T2)-Vdata。換言之，在資料寫入階段P2，儲存電容Cst可以儲存資料電壓VIN(Vdata)、漂移補償電晶體T2的臨限電壓Vth(T2)以及電源電壓(Vdd)的資訊。而且，在資料寫入階段P2，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5、耦合電晶體T6以及發光控制電晶體T7會同時處於截止的狀態，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3、傳輸電晶體T4與重置電晶體T5皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1、耦合電晶體T6以及發光控制電晶體T7則處於導通的狀態。基此，驅動電晶體T1將反應於儲存電容Cst的跨壓(cross-voltage)而產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED以流經有機發光二極體101。
更清楚來說，在圖2所示的電路架構下，驅動電晶體T1於發光階段P3所產生的驅動電流IOLED可以表示為如下方程式 1 ：
其中，K為關聯於驅動電晶體T1的電流常數。
另外，由於驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vsg)為已 知的，亦即：驅動電晶體T1的源極電壓(Vs)等於Vdd(即，Vs=Vdd)；驅動電晶體T1的閘極電壓(Vg)等於節點A的電壓(即，Vg=Vdd-Vth(T2)-Vdata)，此時節點B的電壓為接地的零電壓；以及Vsg=Vs-Vg=Vdd-(Vdd-Vth(T2)-Vdata)。
因此，於圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10處於發光階段P3時，若將已知的驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vsg)帶入方程式 1 的話，亦即如下方程式 2 ：
則方程式 2 可以進一步地簡化為如下方程式 3 ：
由此可知，假設驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與漂移補償電晶體T2的臨限電壓(Vth(T2))為相同的話，即：Vth(T1)=Vth(T2)，則方程式 3 可以進一步地簡化為如下方程式 4 ：
顯然地，只要將驅動電晶體T1與漂移補償電晶體T2佈局(layout)於鄰近位置，使驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與漂移補償電晶體T2的臨限電壓(Vth(T2))因一致性的結晶狀態而相同的話，則驅動電晶體T1就可以於發光階段P3產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED。
換言之，從方程式 4 可清楚看出，在圖2所示的電路結構中，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))無關，其只與資料電壓VIN(Vdata)有關而已。如此一來，即可補償薄膜電晶體(TFT)因製程因素所造成的臨界電壓之變異，並且得以同時補償電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)之影響而改變的問題。
另一方面，圖4繪示為本發明另一示範性實施例之(有機發光二極體)畫素電路10’的示意圖，而圖5繪示為圖4之畫素電路10’的實施電路圖。請合併參照圖4與圖5，在圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’的電路結構上(5T1C)，驅動電晶體T1的閘極耦接儲存電容Cst的第一端以及漂移補償電晶體T2的閘極與源極，驅動電晶體T1的源極耦接至電源電壓Vdd，而儲存電容Cst的第二端則(直接)耦接至參考電位Vss(例如：接地電位，但並不限制於此)。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，寫入電晶體T3的源極用以接收與電源電壓Vdd相關聯的資料電壓VIN(於此假設VIN為Vdd-Vdata，即VIN=Vdd-Vdata，但並不限制於此)，而寫入電晶體T3的汲極則耦接至漂移補償電晶體T2的汲極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接至儲存電容Cst的第一端。
發光控制電晶體T7的閘極用以接收發光致能訊號 LE，而發光控制電晶體T7的源極則耦接至驅動電晶體T1的汲極。有機發光二極體101的陽極耦接發光控制電晶體T7的汲極，而有機發光二極體101的陰極則耦接至參考電位Vss(接地電位)。
相似地，驅動電晶體T1、漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3、重置電晶體T5以及發光控制電晶體T7皆可以為P型電晶體，例如P型薄膜電晶體。而且，應用圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’於其中的有機發光二極體顯示面板亦可利用低溫多晶矽(LTPS)、非晶矽(a-Si)或非晶銦鎵錫金屬氧化物(a-IGZO)的薄膜電晶體(TFT)製程技術製作而成，但並不限制於此。
此外，在圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’的運作過程中，發光元件驅動電路103’(即，有機發光二極體驅動電路)同樣會先後進入重置階段、資料寫入階段與發光階段，各別例如圖3所示的P1、P2與P3。換言之，圖3所示之操作波形同樣適用於圖5所示的電路結構。而且，圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’的運作方式係類似於圖2所示之(有機發光二極體)畫素電路10’的運作方式。
於圖5所示的示範性實施例中，驅動單元105係於發光階段(P3)，反應於儲存電容Cst的跨壓而產生流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED，且此驅動電流IOLED實質上不受驅動電晶體T1之臨限電壓(Vth(T1))的影響且受電源電壓Vdd之影響的程度也得以被有效地降低/減 輕/趨緩。換言之，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED與驅動電晶體T1之臨限電壓(Vth(T1))無關且與電源電壓Vdd的關連性很低甚至也可以無關。
更清楚來說，在重置階段P1，由於僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能，所以驅動電晶體T1的閘極電壓(Vg)會反應於呈現二極體連接之重置電晶體T5的導通而等於重置掃描訊號S[n-1]的低準位(VLS[n-1])減去Vth(T5)，即：VLS[n-1]-Vth(T5)。其中，Vth(T5)為重置電晶體T5的臨限電壓。與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，發光控制電晶體T7會處於截止的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比；另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於僅有寫入掃描訊號S[n]會致能，所以寫入電晶體T3會處於導通的狀態，且呈現二極體連接的漂移補償電晶體T2亦會導通。在此條件下，資料電壓VIN(即，VIN=Vdd-Vdata，但並不限制於此)會經由寫入電晶體T3與呈現二極體連接的漂移補償電晶體T2而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1的閘極電壓(Vg)等於Vdd-Vdata-Vth(T2)。
由此可知，在資料寫入階段P2，儲存電容Cst可以儲存與電源電壓(Vdd)相關聯的資料電壓VIN(Vdd-Vdata)以及漂移補償電晶體T2的臨限電壓Vth(T2)的資訊。而且，在資料寫入階段P2，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發 光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5以及發光控制電晶體T7會同時處於截止的狀態，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以漂移補償電晶體T2、寫入電晶體T3以及重置電晶體T5皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1與發光控制電晶體T7則處於導通的狀態。基此，驅動電晶體T1將反應於儲存電容Cst的跨壓(cross-voltage)而產生流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED，且此驅動電流IOLED(全然)不受驅動電晶體T1之臨限電壓(Vth(T1))的影響，而且受到電源電壓Vdd基於電流電阻電壓降(IR Drop)之緣故而改變的影響也可以被有效地減輕。
更清楚來說，在圖5所示的電路架構下，驅動電晶體T1於發光階段P3所產生的驅動電流IOLED可以表示為如下方程式 5 ：
其中，K為關聯於驅動電晶體T1的電流常數。
另外，驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vsg)也為已知的，亦即：驅動電晶體T1的源極電壓(Vs)等於Vdd(即，Vs=Vdd)；驅動電晶體T1的閘極電壓(Vg)等於Vdd-Vdata-Vth(T2)(即，Vg=Vdd-Vdata-Vth(T2))；以及Vsg=Vs-Vg=Vdd-(Vdd-Vdata-Vth(T2))。
顯然地，圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’內驅動電晶體T1的源極電壓Vs會等於電源電壓(Vdd) 的最高準位，例如定義為VHVdd；此外，圖5所示之畫素電路10’內驅動電晶體T1的閘極電壓Vg會等於Vdd-Vdata-Vth(T2)，而其中的「Vdd」為資料電壓VIN中表示關聯於電源電壓(Vdd)的高電壓準位，例如定義為VHVIN。
實際上，由於電源電壓Vdd與資料電壓VIN(Vdd-Vdata)在電路佈線上存有差異，因此VHVdd-VHVIN實質上並不等於零(理想上，應該會等於零)。如此一來，圖5所示之驅動電晶體T1所產生的驅動電流IOLED就有可能會受到電源電壓Vdd基於電流電阻電壓降(IR Drop)之緣故而改變的影響。
然而，若經由適當地佈線設計而使得電源電壓Vdd之最高準位VHVdd所受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響與資料電壓VIN(Vdd-Vdata)中關聯於電源電壓(Vdd)之高電壓準位VHVIN所受到電阻-電容負載效應(RC Loading)之影響為實質相等的話(即，VHVdd-VHVIN實質上幾乎為零，但不以此為限)，則圖5所示之驅動電晶體T1所產生的驅動電流IOLED受到電源電壓Vdd基於電流電阻電壓降(IR Drop)之緣故而改變的影響就可以有效地被減輕。
基此，以下將先以VHVdd≒VHVIN的情況/條件下來進行說明，因此，於圖5所示之(有機發光二極體)畫素電路10’處於發光階段P3時，若將已知的驅動電晶體T1之源閘極電壓(Vsg)帶入方程式 5 的話，亦即如下方程式 6 ：
則方程式 6 可以進一步地簡化為如下方程式 7 ：
然而，若適當地將電源電壓Vdd的最高準位VHVdd與資料電壓VIN(Vdd-Vdata)中關聯於電源電壓(Vdd)之高電壓準位VHVIN設計為實質相等的話(即，VHVdd=VHVIN)，則方程式 7 可以再進一步地簡化為如下方程式 8 ：
由此可知，假設驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與漂移補償電晶體T2的臨限電壓(Vth(T2))為相同的話，即：Vth(T1)=Vth(T2)，則方程式 8 可以進一步地簡化為如下方程式 9 ：
顯然地，只要將驅動電晶體T1與漂移補償電晶體T2佈局(layout)於鄰近位置，使驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與漂移補償電晶體T2的臨限電壓(Vth(T2))因一致性的結晶狀態而相同的話，則圖5所示之驅動電晶體T1就可以於發光階段P3產生實質上不受驅動電晶體T1之臨限電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED，且所產生的驅動電流IOLED受到電源電壓Vdd基於電流電阻電壓降(IR Drop)之緣故而改變的影響也可以有效地被減輕(若考慮VHVdd不等於VHVIN)。甚至，所產生的驅動電流IOLED可以完全不受電源電壓Vdd基於電流電阻電壓降(IR Drop)之緣故而改變的影響(若考慮VHVdd等於VHVIN)。
換言之，從方程式 9 可清楚看出，在圖5所示的電路結構中，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED實質上與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1之臨限電壓(Vth(T1))無關，其只與資料電壓Vdata有關而已。如此一來，即可補償薄膜電晶體(TFT)因製程因素所造成的臨限電壓之變異，並且得以同時補償電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)之影響而改變的問題。顯然地，圖5所示之電路結構同樣可以達到與圖2之示範性實施例類似的技術功效。
據此可知，上述示範性實施例所揭示的(有機發光二極體)畫素電路10/10’之電路架構為7T1C(亦即7個薄膜電晶體+1個電容，如圖2所示)或5T1C(亦即5個薄膜電晶體+1個電容，如圖4所示)，且若搭配適當的操作波形(如圖3所示)，即可使得流經有機發光二極體101的電流IOLED不會隨著電源電壓Vdd受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體101之驅動電晶體T1的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的發光均勻性表現。
除此之外，任何應用上述示範性實施例之(有機發光 二極體)畫素電路10/10’於其中的有機發光二極體顯示面板及其有機發光二極體顯示器，都屬於本發明所欲請求保護的範疇。
再者，雖然上述示範性實施例之有機發光二極體畫素電路中的各電晶體皆採用P型電晶體來實施，但是本發明並不限制於此。換言之，本領域具有通常知識者可依循上述示範性實施例的教示內容而類推/推演出有機發光二極體畫素電路改採用N型電晶體來實施的變型態樣，故而在不脫離本發明之精神和範圍內，這些變型的實施方式亦當屬於本發明所欲保護的範疇。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
10、10’‧‧‧(有機發光二極體)畫素電路
101‧‧‧發光元件(有機發光二極體)
103、103’‧‧‧發光元件驅動電路(有機發光二極體驅動電路)
105‧‧‧驅動單元
107、107’‧‧‧資料儲存單元
109‧‧‧發光控制單元
T1‧‧‧驅動電晶體
T2‧‧‧漂移補償電晶體
T3‧‧‧寫入電晶體
T4‧‧‧傳輸電晶體
T5‧‧‧重置電晶體
T6‧‧‧耦合電晶體
T7‧‧‧發光控制電晶體
Cst‧‧‧儲存電容
IOLED‧‧‧驅動電流
VIN‧‧‧資料電壓
Vdd‧‧‧電源電壓
Vss‧‧‧參考電位
S[n-1]‧‧‧重置掃描訊號
S[n]‧‧‧寫入掃描訊號
LE‧‧‧發光致能訊號
P1‧‧‧重置階段
P2‧‧‧資料寫入階段
P3‧‧‧發光階段
A、B‧‧‧節點
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之(有機發光二極 體)畫素電路10的示意圖。
圖2繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的實施電路圖。
圖3繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的操作波形圖。
圖4繪示為本發明另一示範性實施例之(有機發光二極體)畫素電路10’的示意圖。
圖5繪示為圖4之有機發光二極體畫素電路10’的實施電路圖。
10‧‧‧(有機發光二極體)畫素電路
101‧‧‧發光元件(有機發光二極體)
103‧‧‧發光元件驅動電路(有機發光二極體驅動電路)
105‧‧‧驅動單元
107‧‧‧資料儲存單元
109‧‧‧發光控制單元
T1‧‧‧驅動電晶體
T2‧‧‧漂移補償電晶體
T3‧‧‧寫入電晶體
T4‧‧‧傳輸電晶體
T5‧‧‧重置電晶體
T6‧‧‧耦合電晶體
T7‧‧‧發光控制電晶體
Cst‧‧‧儲存電容
IOLED‧‧‧驅動電流
VIN‧‧‧資料電壓
Vdd‧‧‧電源電壓
Vss‧‧‧參考電位
S[n-1]‧‧‧重置掃描訊號
S[n]‧‧‧寫入掃描訊號
LE‧‧‧發光致能訊號
A、B‧‧‧節點

Claims (20)

  1. 一種發光元件驅動電路，包括：一驅動單元，耦接於一電源電壓與一發光元件之間，且包含一驅動電晶體，用以於一發光階段，控制流經該發光元件的一驅動電流；一資料儲存單元，耦接該驅動單元，且包含一漂移補償電晶體以及耦接於該驅動電晶體與一參考電位之間的一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該漂移補償電晶體的臨限電壓進行儲存；以及一發光控制單元，耦接於該驅動單元與該發光元件之間，用以於該發光階段，傳導來自該驅動單元的該驅動電流至該發光元件，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流反應於該漂移補償電晶體之臨限電壓的儲存而不受該驅動電晶體之臨限電壓的影響。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於該資料寫入階段，透過該儲存電容以對該電源電壓進行儲存，其中，於該發光階段，反應於該電源電壓的儲存，該驅動電流更不受該電源電壓的影響。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件驅動電路，其中，該驅動電晶體的閘極耦接該儲存電容的第一端以及該漂移補償電晶體的閘極與源極，而該驅動電晶體的源極則耦接至該電源電壓，其中，該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其源極用以接收該資料電壓，而其汲極則耦接至該儲存電容的第二端；一傳輸電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接至該電源電壓，而其汲極則耦接至該漂移補償電晶體的汲極；以及一耦合電晶體，其閘極用以接收一發光致能訊號，其源極耦接該儲存電容的第二端，而其汲極則耦接至該參考電位。其中，該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容的第一端電壓，且該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接至該儲存電容的第一端。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件驅動電路，其中該發光控制單元包括：一發光控制電晶體，其閘極用以接收該發光致能訊號，而其源極則耦接至該驅動電晶體的汲極， 其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的汲極，而該發光元件的第二端則耦接至該參考電位，其中，該驅動電晶體、該漂移補償電晶體、該寫入電晶體、該重置電晶體、該傳輸電晶體、該耦合電晶體，以及該發光控制電晶體皆為P型電晶體，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段，其中，於該重置階段，該重置掃描訊號為致能，而該寫入掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號為致能，而該重置掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該發光階段，該發光致能訊號為致能，而該重置掃描訊號與該寫入掃描訊號為禁能。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件驅動電路，其中於該發光階段，反應於與該電源電壓相關聯的該資料電壓，該驅動電流受該電源電壓之影響的程度得以被減輕。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件驅動電路，其中，該驅動電晶體的閘極耦接該儲存電容的第一端以及該漂移補償電晶體的閘極與源極，該驅動電晶體的源極耦接至該電源電壓，而該儲存電容的第二端則耦接至該參考電位，其中，該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其源極用以接收該資料電壓，而其汲極則耦接至該漂移補償電晶體的汲極，其中，該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容的第一端電壓，且該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接至該儲存電容的第一端。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件驅動電路，其中該發光控制單元包括：一發光控制電晶體，其閘極用以接收一發光致能訊號，而其源極則耦接至該驅動電晶體的汲極，其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的汲極，而該發光元件的第二端則耦接至該參考電位，其中，該驅動電晶體、該漂移補償電晶體、該寫入電晶體、該重置電晶體，以及該發光控制電晶體皆為P型電晶體， 其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段，其中，於該重置階段，該重置掃描訊號為致能，而該寫入掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號為致能，而該重置掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該發光階段，該發光致能訊號為致能，而該重置掃描訊號與該寫入掃描訊號為禁能。
  10. 一種畫素電路，包括：一發光元件，用以於一發光階段，反應於一驅動電流而發光；一驅動單元，耦接於一電源電壓與該發光元件之間，且包含一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的該驅動電流；一資料儲存單元，耦接該驅動單元，且包含一漂移補償電晶體以及耦接於該驅動電晶體與一參考電位之間的一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對 一資料電壓與關聯於該漂移補償電晶體的臨限電壓進行儲存；以及一發光控制單元，耦接於該驅動單元與該發光元件之間，用以於該發光階段，傳導來自該驅動單元的該驅動電流至該發光元件，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流反應於該漂移補償電晶體之臨限電壓的儲存而不受該驅動電晶體之臨限電壓的影響。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之畫素電路，其中該資料儲存單元更用以於該資料寫入階段，透過該儲存電容以對該電源電壓進行儲存，其中，於該發光階段，反應於該電源電壓的儲存，該驅動電流更不受該電源電壓的影響。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之畫素電路，其中該驅動電晶體的閘極耦接該儲存電容的第一端以及該漂移補償電晶體的閘極與源極，而該驅動電晶體的源極則耦接至該電源電壓，其中，該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其源極用以接收該資料電壓，而其汲極則耦接至該儲存電容的第二端； 一傳輸電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接至該電源電壓，而其汲極則耦接至該漂移補償電晶體的汲極；以及一耦合電晶體，其閘極用以接收一發光致能訊號，其源極耦接該儲存電容的第二端，而其汲極則耦接至該參考電位。其中，該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容的第一端電壓，且該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接至該儲存電容的第一端。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之畫素電路，其中該發光控制單元包括：一發光控制電晶體，其閘極用以接收該發光致能訊號，而其源極則耦接至該驅動電晶體的汲極，其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的汲極，而該發光元件的第二端則耦接至該參考電位，其中，該驅動電晶體、該漂移補償電晶體、該寫入電晶體、該重置電晶體、該傳輸電晶體、該耦合電晶體，以及該發光控制電晶體皆為P型電晶體，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極， 其中，該畫素電路為一有機發光二極體畫素電路其中，該驅動單元、該資料儲存單元以及該發光控制單元組成一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段，其中，於該重置階段，該重置掃描訊號為致能，而該寫入掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號為致能，而該重置掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該發光階段，該發光致能訊號為致能，而該重置掃描訊號與該寫入掃描訊號為禁能。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之畫素電路，其中於該發光階段，反應於與該電源電壓相關聯的該資料電壓，該驅動電流受該電源電壓之影響的程度得以被減輕。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之畫素電路，其中該驅動電晶體的閘極耦接該儲存電容的第一端以及該漂移補償電晶體的閘極與源極，該驅動電晶體的源極耦接至該電源電壓，而該儲存電容的第二端則耦接至該參考電位，其中，該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其源極用以接收該資料電壓，而其汲極則耦接至該漂移補償電晶體的汲極， 其中，該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容的第一端電壓，且該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接至該儲存電容的第一端。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件驅動電路，其中該發光控制單元包括：一發光控制電晶體，其閘極用以接收一發光致能訊號，而其源極則耦接至該驅動電晶體的汲極，其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的汲極，而該發光元件的第二端則耦接至該參考電位，其中，該驅動電晶體、該漂移補償電晶體、該寫入電晶體、該重置電晶體，以及該發光控制電晶體皆為P型電晶體，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該畫素電路為一有機發光二極體畫素電路，其中，該驅動單元、該資料儲存單元以及該發光控制單元組成一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段，其中，於該重置階段，該重置掃描訊號為致能，而該 寫入掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號為致能，而該重置掃描訊號與該發光致能訊號為禁能，其中，於該發光階段，該發光致能訊號為致能，而該重置掃描訊號與該寫入掃描訊號為禁能。
  17. 一種具有如申請專利範圍第13項所述之畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
  18. 一種具有如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
  19. 一種具有如申請專利範圍第16項所述之畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
  20. 一種具有如申請專利範圍第19項所述之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
TW101126310A 2011-09-19 2012-07-20 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用 TW201314660A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101126310A TW201314660A (zh) 2011-09-19 2012-07-20 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
CN2012103223515A CN103000126A (zh) 2011-09-19 2012-09-04 发光元件驱动电路及其相关的像素电路与应用
US13/607,811 US20130069852A1 (en) 2011-09-19 2012-09-10 Light-emitting component driving circuit and related pixel circuit and applications

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100133558 2011-09-19
TW101126310A TW201314660A (zh) 2011-09-19 2012-07-20 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201314660A true TW201314660A (zh) 2013-04-01

Family

ID=47880188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101126310A TW201314660A (zh) 2011-09-19 2012-07-20 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130069852A1 (zh)
CN (1) CN103000126A (zh)
TW (1) TW201314660A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI498873B (zh) * 2013-12-04 2015-09-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體電路及其驅動方法
CN105427802A (zh) * 2015-12-29 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
TWI671727B (zh) * 2018-10-05 2019-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014071343A1 (en) * 2012-11-05 2014-05-08 University Of Florida Research Foundation, Inc. Brightness compensation in a display
CN103198793B (zh) * 2013-03-29 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
TW201441997A (zh) * 2013-04-24 2014-11-01 Wintek Corp 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
KR20140142002A (ko) * 2013-06-03 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN103440846A (zh) 2013-08-29 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动单元及其驱动方法、像素电路
CN104021754B (zh) * 2014-05-22 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN104050917B (zh) 2014-06-09 2018-02-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN105206221B (zh) 2014-06-13 2018-06-22 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
CN104464643B (zh) * 2014-12-29 2017-05-03 上海和辉光电有限公司 显示装置、像素驱动电路及其驱动方法
CN104464641B (zh) * 2014-12-30 2017-03-08 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法和有源矩阵有机发光显示装置
CN104680980B (zh) * 2015-03-25 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN106157882B (zh) * 2015-04-24 2019-01-15 上海和辉光电有限公司 像素结构
CN106356025A (zh) * 2015-07-14 2017-01-25 冠捷投资有限公司 发光组件的驱动电路架构
CN105225626B (zh) 2015-10-13 2018-02-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光二极管像素驱动电路、其显示面板及显示装置
CN107204171A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 上海和辉光电有限公司 像素电路、显示装置
CN106097965B (zh) * 2016-08-23 2019-07-09 上海天马微电子有限公司 像素驱动电路、像素驱动方法及显示装置
CN106558287B (zh) * 2017-01-25 2019-05-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光像素驱动电路、驱动方法及有机发光显示面板
CN106652904B (zh) * 2017-03-17 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN106935197A (zh) * 2017-04-07 2017-07-07 京东方科技集团股份有限公司 像素补偿电路、驱动方法、有机发光显示面板及显示装置
CN107068047A (zh) * 2017-04-27 2017-08-18 成都京东方光电科技有限公司 驱动方法、电路和oled显示装置
CN107342044B (zh) * 2017-08-15 2020-03-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 像素电路、显示面板和像素电路的驱动方法
CN107749278B (zh) * 2017-11-01 2024-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、像素补偿电路及其控制方法
CN107863072A (zh) 2017-12-14 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、像素电路及其驱动方法
TWI674566B (zh) * 2018-09-05 2019-10-11 友達光電股份有限公司 畫素電路與高亮度顯示器
CN109473063B (zh) 2018-12-06 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素补偿电路及像素补偿方法
CN110111742B (zh) * 2019-04-22 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件的像素电路及有机发光显示面板
CN110277049A (zh) * 2019-07-09 2019-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路以及显示面板
CN113129807B (zh) * 2019-12-31 2022-10-14 敦泰电子股份有限公司 发光二极管像素显示单元、发光二极管显示设备及其亮度调整方法
TWI725768B (zh) * 2020-03-12 2021-04-21 友達光電股份有限公司 發光單元驅動電路與相關的顯示面板
TWI738468B (zh) * 2020-08-17 2021-09-01 友達光電股份有限公司 低功耗之畫素電路與顯示器
CN113053297A (zh) 2021-03-15 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素驱动方法和显示装置
CN113270067B (zh) * 2021-06-28 2022-05-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及显示面板
CN114550656B (zh) * 2022-03-02 2022-12-02 绵阳惠科光电科技有限公司 驱动电路、驱动装置以及显示装置
CN114639333A (zh) * 2022-03-22 2022-06-17 上海天马微电子有限公司 电路结构及驱动方法、显示装置
CN117411473A (zh) * 2022-07-13 2024-01-16 群创光电股份有限公司 电子电路
CN115019729B (zh) * 2022-08-04 2022-11-25 惠科股份有限公司 像素驱动电路、显示面板及其控制方法
CN115331615B (zh) * 2022-08-29 2023-11-21 惠科股份有限公司 驱动电路及显示面板
CN115719583A (zh) * 2022-11-29 2023-02-28 惠科股份有限公司 像素驱动电路和显示面板
CN116416940B (zh) * 2023-06-07 2023-08-11 惠科股份有限公司 显示驱动电路、显示驱动方法及显示面板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3629939B2 (ja) * 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
TWI228696B (en) * 2003-03-21 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Pixel circuit for active matrix OLED and driving method
KR100599726B1 (ko) * 2003-11-27 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
TWI281139B (en) * 2004-07-15 2007-05-11 Chi Mei Optoelectronics Corp A display pixel compensation circuit and driving method and display apparatus thereof
KR100801375B1 (ko) * 2006-06-13 2008-02-11 한양대학교 산학협력단 유기 ｅｌ 소자 및 이의 구동방법
JP5092304B2 (ja) * 2006-07-31 2012-12-05 ソニー株式会社 表示装置および画素回路のレイアウト方法
US7782278B2 (en) * 2006-12-14 2010-08-24 Himax Technologies Limited Intra-pixel convolution for AMOLED
US20080165171A1 (en) * 2007-01-09 2008-07-10 Himax Technologies Limited Display Driving Circuit and Method Thereof
KR100926591B1 (ko) * 2007-07-23 2009-11-11 재단법인서울대학교산학협력재단 유기 전계 발광 표시 장치
CN101986378A (zh) * 2010-11-09 2011-03-16 华南理工大学 有源有机发光二极管显示器像素驱动电路及其驱动方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI498873B (zh) * 2013-12-04 2015-09-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體電路及其驅動方法
CN105427802A (zh) * 2015-12-29 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
TWI671727B (zh) * 2018-10-05 2019-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20130069852A1 (en) 2013-03-21
CN103000126A (zh) 2013-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201314660A (zh) 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
WO2023005621A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板
TW201313070A (zh) 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
US20210407390A1 (en) Pixel driving circuit and driving method thereof and display device
WO2018188390A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN107301839B (zh) 像素电路及其驱动方法
WO2020062802A1 (zh) 显示面板及像素电路的驱动方法
TW201441997A (zh) 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
TW201316315A (zh) 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
WO2018095031A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、以及显示面板
WO2019201171A1 (zh) 像素电路、显示面板和显示装置及其驱动方法
WO2019037499A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
TWI596592B (zh) 像素補償電路
WO2019037543A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
TWI471841B (zh) 有機發光二極體畫素電路及其驅動電路與應用
TW201316314A (zh) 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
TWI809540B (zh) 有機發光顯示裝置
WO2016150232A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
WO2015188532A1 (zh) 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
WO2015188533A1 (zh) 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
JP2007316639A (ja) 画素およびディスプレイパネル
JP5143499B2 (ja) 画像表示システム
WO2019205671A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示设备
WO2018049809A1 (zh) 像素驱动电路及其驱动方法和显示装置
CN106940983A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置