TW201316314A - 發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光二極體畫素電路，且其電路架構(5T1C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。

Description

發光元件驅動電路及其相關的畫素電路與應用
本發明是有關於一種平面顯示技術，且特別是有關於一種發光元件(Organic Light Emitting Diode,OLED)驅動電路及其相關的畫素電路與應用。
由於多媒體社會的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示器而言，由於主動式矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示器具有無視角限制、低製造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發光、可使用於可攜式機器的直流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可隨硬體設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此，主動式矩陣有機發光二極體顯示器具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器，藉以取代液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)。
目前主動式矩陣有機發光二極體顯示面板主要有兩種製作方式，其一是利用低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作，而另一則是利用非晶矽(a-Si)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作。其中，由於低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術需要比較多道的光罩製程而導致成本上升。因此，目前低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術主要應用在中小尺寸的面板上，而非晶矽的薄膜電晶體製程技術則主要應用在大尺寸的面板上。
一般來說，採以低溫多晶矽之薄膜電晶體製程技術所製作出來的主動式矩陣有機發光二極體顯示面板，其畫素電路中的薄膜電晶體之型態可以為P型或N型，但由於P型薄膜電晶體傳導正電壓有較好的驅動能力，故而現今多以選擇P型薄膜電晶體來實施。然而，選擇P型薄膜電晶體來實現有機發光二極體畫素電路的條件下，流經有機發光二極體的電流不僅會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且還會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將會連帶影響到有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
有鑒於此，本發明之一示範性實施例提供一種發光元件驅動電路，其包括：電源單元、驅動單元，以及資料儲存單元。電源單元用以接收一電源電壓，並於一發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導所述電源電壓。驅動單元耦接於電源單元與發光元件的第一端之間，且包含與發光元件之第一端耦接的驅動電晶體。驅動單元用以於所述發光階段，控制流經有機發光二極體的驅動電流。
資料儲存單元包含儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過儲存電容以對一資料電壓(Vdata)與關聯於驅動電晶體的臨界電壓(Vth)進行儲存。於所述發光階段，驅動單元反應於儲存電容的跨壓而產生流經發光元件的驅動電流，且流經發光元件的驅動電流不受所述電源電壓與驅動電晶體之臨界電壓的影響。
於本發明之一示範性實施例中，發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且在所述電源電壓為一可變電源電壓的條件下，電源單元可以包括：電源傳導電晶體，其源極用以接收所述可變電源電壓，而其閘極則用以接收所述發光致能訊號。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，驅動電晶體的第一汲/源極耦接電源傳導電晶體的汲極，驅動電晶體的第二汲/源極耦接發光元件的第一端，而驅動電晶體的閘極則耦接儲存電容的第一端。另外，儲存電容的第二端耦接至所述可變電源電壓。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，資料儲存單元可以更包括：寫入電晶體與採集電晶體。寫入電晶體的閘極用以接收一寫入掃描訊號，寫入電晶體的汲極用以接收所述資料電壓，而寫入電晶體的源極則可以耦接驅動電晶體的第二汲/源極與發光元件的第一端(或者，寫入電晶體的源極可以耦接驅動電晶體的第一汲/源極與電源傳導電晶體的汲極)。採集電晶體的閘極用以接收所述寫入掃描訊號，採集電晶體的源極耦接驅動電晶體的閘極與儲存電容的第一端，而採集電晶體的汲極可以耦接驅動電晶體的第一汲/源極與電源傳導電晶體的汲極(或者，採集電晶體的汲極可以耦接驅動電晶體的第二汲/源極與發光元件的第一端)。其中，發光元件可以為有機發光二極體，且發光元件的第一端為有機發光二極體的陽極，而發光元件的第二端為有機發光二極體的陰極。在此條件下，所述參考電壓之準位實質上不小於所述資料電壓之最高準位減去有機發光二極體的導通電壓(或者，所述參考電壓之準位實質上不小於所述資料電壓之最高準位減去驅動電晶體的臨界電壓與有機發光二極體的導通電壓)。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化儲存電容。基此，資料儲存單元可以更包括：重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收所述重置掃描訊號，而其汲極則耦接驅動電晶體的閘極、採集電晶體的源極以及儲存電容的第一端。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，驅動電晶體、電源傳導電晶體、寫入電晶體、採集電晶體以及重置電晶體皆可以為P型電晶體。
於本發明之另一示範性實施例中，若將所述可變電源電壓改變為一固定電源電壓的話，則儲存電容的第一端可反應於一切換機制(switching means)，而於所述發光階段之前耦接至所述參考電壓，並於所述發光階段時耦接至所述固定電源電壓。
於本發明之再一示範性實施例中，發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且所述電源電壓可以為一固定或一可變電源電壓。在此條件下，電源單元可以包括：電源傳導電晶體，其汲極用以接收所述固定或所述可變電源電壓，而其閘極則用以接收所述發光致能訊號。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓可為所述固定或所述可變電源電壓的條件下，驅動電晶體的汲極耦接電源傳導電晶體的源極，驅動電晶體的源極耦接發光元件的第一端，而驅動電晶體的閘極則耦接儲存電容的第一端。另外，儲存電容的第二端耦接至所述參考電壓。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓可為所述固定或所述可變電源電壓的條件下，資料儲存單元可以更包括：寫入電晶體與採集電晶體。寫入電晶體的閘極用以接收一寫入掃描訊號，寫入電晶體的汲極用以接收所述資料電壓，而寫入電晶體的源極則耦接驅動電晶體的源極與發光元件的第一端。採集電晶體的閘極用以接收所述寫入掃描訊號，採集電晶體的汲極耦接驅動電晶體的閘極與儲存電容的第一端，而採集電晶體的源極則耦接驅動電晶體的汲極與電源傳導電晶體的源極。其中，發光元件可以為有機發光二極體，且發光元件的第一端為有機發光二極體的陽極，而發光元件的第二端為有機發光二極體的陰極。在此條件下，所述參考電壓之準位實質上不小於所述資料電壓之最高準位減去有機發光二極體的導通電壓。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓可為所述固定或所述可變電源電壓的條件下，資料儲存單元亦可於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化儲存電容。基此，資料儲存單元可以更包括：重置電晶體，其閘極與汲極耦接在一起以接收所述重置掃描訊號，而其源極則耦接驅動電晶體的閘極、採集電晶體的汲極以及儲存電容的第一端。
於本發明之一示範性實施例中，在所述電源電壓可為所述固定或所述可變電源電壓的條件下，驅動電晶體、電源傳導電晶體、寫入電晶體、採集電晶體以及重置電晶體皆可以為N型電晶體。
於上述本發明之一示範性實施例中，所提之發光元件驅動電路可以為有機發光二極體驅動電路，且此有機發光二極體驅動電路會先後進入所述重置階段、所述資料寫入階段以及所述發光階段。
本發明之另一示範性實施例提供一種具有所提之有機發光二極體驅動電路的有機發光二極體畫素電路。
本發明之再一示範性實施例提供一種具有所提之有機發光二極體畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
本發明之又一示範性實施例提供一種具有所提之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
基於上述，本發明提供一種有機發光二極體畫素電路，且其電路架構(5T1C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
應瞭解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其並不能限制本發明所欲主張之範圍。
現將詳細參考本發明之示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之有機發光二極體畫素電路(Organic Light Emitting Diode pixel circuit,OLED pixel circuit)10的示意圖，而圖2繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的實施電路圖。請合併參照圖1與圖2，本示範性實施例之有機發光二極體畫素電路10包括發光元件(light-emitting component，例如：有機發光二極體(OLED)101，但並不限制於此)與發光元件驅動電路(light-emitting component driving circuit)103。其中，發光元件驅動電路103包括電源單元(power unit)105、驅動單元(driving unit)107，以及資料儲存單元(data storage unit)109。
於本示範性實施例中，電源單元105用以接收電源電壓(power supply voltage)Vdd，並於發光階段(light enable phase)，反應於發光致能訊號(light enable signal)LE而傳導電源電壓Vdd。在此，電源電壓Vdd可以為一可變電源電壓(variable power supply voltage)，故以下改稱電源電壓Vdd為可變電源電壓Vdd。
另外，驅動單元107耦接於電源單元105與有機發光二極體101的陽極(anode)(即，發光元件的第一端)之間，且包含與有機發光二極體101之陽極直接耦接的驅動電晶體(driving transistor)T1。驅動單元107用以於發光階段，控制流經有機發光二極體101的驅動電流(driving current)IOLED。
再者，資料儲存單元109包含儲存電容(storage capacitor)Cst。資料儲存單元109會於資料寫入階段(data-writing phase)，透過儲存電容Cst以對資料電壓(data voltage)Vdata與關聯於驅動電晶體T1的臨界電壓(threshold voltage,Vth(T1))進行儲存；此外，資料儲存單元109會於重置階段(reset phase)，反應於重置掃描訊號S[n-1]而初始化/重置(initialization/reset)儲存電容Cst。其中，重置掃描訊號S[n-1]可為前一掃描線上的訊號，且由第[n-1]級的閘極驅動電路所提供。
於本示範性實施例中，驅動單元107係於發光階段，反應於儲存電容Cst的跨壓而產生流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED，且此驅動電流IOLED不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))的影響。換言之，驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))無關。
除此之外，電源單元105包括電源傳導電晶體(power conduction transistor)T2；另外，資料儲存單元107更包括寫入電晶體(writing transistor)T3、採集電晶體(collection transistor)T4，以及重置電晶體(reset transistor)T5。
於本示範性實施例中，驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5皆可以為P型電晶體(P-type transistor)，例如P型薄膜電晶體(P-type thin-film-transistor,P-type TFT)。而且，應用有機發光二極體畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)可以利用低溫多晶矽(LTPS)、非晶矽(a-Si)或非晶銦鎵錫金屬氧化物(a-IGZO)的薄膜電晶體(TFT)製程技術製作而成，但並不限制於此。
另外，在圖2所示之有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，電源傳導電晶體T2的源極(source)用以接收可變電源電壓Vdd，而電源傳導電晶體T2的閘極(gate)則用以接收發光致能訊號LE。驅動電晶體T1的第一汲/源極(first drain/source)耦接電源傳導電晶體T2的汲極，驅動電晶體T1的第二汲/源極(second drain/source)耦接有機發光二極體101的陽極，而驅動電晶體T1的閘極則耦接儲存電容Cst的第一端。此外，儲存電容Cst的第二端耦接至可變電源電壓Vdd。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號(writing scan signal)S[n](寫入掃描訊號S[n]可為當下掃描線上的訊號，且由第[n]級的閘極驅動電路所提供)，寫入電晶體T3的汲極用以接收資料電壓Vdata，而寫入電晶體T3的源極則耦接驅動電晶體T1的第二汲/源極與有機發光二極體101的陽極。採集電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，採集電晶體T4的源極耦接驅動電晶體T1的閘極與儲存電容Cst的第一端，而採集電晶體T4的汲極則耦接驅動電晶體T1的第一汲/源極與電源傳導電晶體T2的汲極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接驅動電晶體T1的閘極、採集電晶體T4的源極以及儲存電容Cst的第一端。
在此條件下，有機發光二極體101的陰極(cathode)(即，發光元件的第二端)耦接至參考電壓(reference voltage)Vss，且此參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th。
再者，在圖2所示之有機發光二極體畫素電路10的運作過程中，發光元件驅動電路103(即，有機發光二極體驅動電路)會先後進入重置階段、資料寫入階段與發光階段，各別例如圖3所示的P1、P2與P3。於本示範性實施例中，可變電源電壓Vdd於重置階段P1與資料寫入階段P2具有第一低電壓準位(first low voltage level)VL1(例如為+4V，但並不限制於此)，且於發光階段P3具有高電壓準位(high voltage level)VH(例如為+14V，但並不限制於此)。
另外，發光致能訊號LE於重置階段P1與資料寫入階段P2具有高電壓準位VH，且於發光階段P3具有相異於第一低電壓準位LV1的第二低電壓準位(second low voltage level)VL2(例如為-6V，但並不限制於此)。再者，重置掃描訊號S[n-1]於重置階段P1具有第二低電壓準位VL2，且於資料寫入階段P2與發光階段P3具有高電壓準位VH。除此之外，寫入掃描訊號S[n]於資料寫入階段P2具有第二低電壓準位VL2，且於重置階段P1與發光階段P3具有高電壓準位VH。
換個方式來說，從圖3可以清楚地看出，於重置階段P1，僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能。於資料寫入階段P2，僅有寫入掃描訊號S[n]會致能。於發光階段P3，僅有發光致能訊號LE會致能。可變電源電壓Vdd僅有在發光階段P3會啟動(activation，即處於高電壓準位VH)。於此值得解釋的是，由於圖2所示之有機發光二極體畫素電路10中的驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5的型態皆為P型，故而可知的是，驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5為低準位致能(low active)。由此，先前針對重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE會致能的表述，即表示重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE處於低準位(即，VL2)。
基此，在重置階段P1，由於僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能，所以驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於重置電晶體T5的導通(turned-on)而等於VL2-Vth(T5)。其中，Vth(T5)為重置電晶體T5的臨界電壓。與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，電源傳導電晶體T2會處於截止(turned-off)的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比；另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與採集電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於僅有寫入掃描訊號S[n]會致能，所以寫入電晶體T3與採集電晶體T4會同時處於導通的狀態。在此條件下，資料電壓Vdata會經由寫入電晶體T3以及呈現二極體連接(diode-connected)的驅動電晶體T1而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1之閘極的電壓等於Vdata-Vth(T1)。在資料寫入階段P2，驅動電晶體T1的第二汲/源極實質上可看作為源極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極實質上可看作為汲極。
與此同時，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5與電源傳導電晶體T2會同時處於截止的狀態。再加上，參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
在此值得一提的是，如圖3所示之參考電壓Vss的準位，較佳是控制在不小於可變電源電壓Vdd於重置階段P1與資料寫入階段P2的第一低電壓準位VL1，例如為+4V以上，但不以此為限。如此一來，即可更進一步地確保有機發光二極體101在重置階段P1與資料寫入階段P2不會突然亮起的可能。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4與重置電晶體T5皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1與電源傳導電晶體T2則處於導通的狀態。與此同時，由於驅動電晶體T1的第二汲/源極會轉變為汲極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極會轉變為源極，所以反應於電源傳導電晶體T2的導通，驅動電晶體T1之源極的電壓實質上會等於VH，而驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於儲存電容Cst的電容耦合效應而上升至Vdata-Vth(T1)+VH。由此，驅動電晶體T1將產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED以流經有機發光二極體101。
更清楚來說，在發光階段P3，驅動電晶體T1所產生的驅動電流IOLED可以表示為如下方程式 1 ：
其中，K為關聯於驅動電晶體T1的電流常數。
另外，由於驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vsg)為已知的，亦即：Vsg=VH-[Vdata-Vth(T1)+VH]。
因此，若將已知的驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vsg)帶入方程式 1 的話，亦即如下方程式 2 ：
則方程式 2 可以進一步地簡化為如下方程式 3 ：
由此可知，驅動電晶體T1可以於發光階段P3產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED。
換言之，從方程式 3 可清楚看出，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))無關，其只與資料電壓Vdata有關。如此一來，即可補償薄膜電晶體(TFT)因製程因素所造成的臨界電壓之變異，並且得以同時補償電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)之影響而改變的問題。
另一方面，圖4繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。請合併參照圖1與圖4，於本示範性實施例中，在圖4所示之有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，電源傳導電晶體T2的源極用以接收可變電源電壓Vdd，而電源傳導電晶體T2的閘極則用以接收發光致能訊號LE。驅動電晶體T1的第一汲/源極耦接電源傳導電晶體T2的汲極，驅動電晶體T1的第二汲/源極耦接有機發光二極體101的陽極，而驅動電晶體T1的閘極則耦接儲存電容Cst的第一端。此外，儲存電容Cst的第二端耦接至可變電源電壓Vdd。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，寫入電晶體T3的汲極用以接收資料電壓Vdata，而寫入電晶體T3的源極則改為耦接驅動電晶體T1的第一汲/源極與電源傳導電晶體T2的汲極。採集電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，採集電晶體T4的源極耦接驅動電晶體T1的閘極與儲存電容Cst的第一端，而採集電晶體T4的汲極則改為耦接驅動電晶體T1的第二汲/源極與有機發光二極體101的陽極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接驅動電晶體T1的閘極、採集電晶體T4的源極以及儲存電容Cst的第一端。
在此條件下，有機發光二極體101的陰極耦接至參考電壓Vss，且此參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Vth(T1)-Voled_th。
於此值得一提的是，圖3所示之操作波形同樣適用於圖4所示的電路結構。因此，在重置階段P1，由於僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能，所以驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於重置電晶體T5的導通而等於VL2-Vth(T5)。與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，電源傳導電晶體T2會處於截止的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比；另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與採集電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於僅有寫入掃描訊號S[n]會致能，所以寫入電晶體T3與採集電晶體T4會同時處於導通的狀態。在此條件下，資料電壓Vdata會經由寫入電晶體T3以及呈現二極體連接的驅動電晶體T1而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1之閘極的電壓等於Vdata-Vth(T1)。在資料寫入階段P2，驅動電晶體T1的第二汲/源極實質上可看作為源極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極實質上可看作為汲極。
與此同時，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5與電源傳導電晶體T2會同時處於截止的狀態。再加上，參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Vth(T1)-Voled_th，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4與重置電晶體T5皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1與電源傳導電晶體T2則處於導通的狀態。與此同時，由於驅動電晶體T1的第二汲/源極會轉變為汲極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極會轉變為源極，所以反應於電源傳導電晶體T2的導通，驅動電晶體T1之源極的電壓實質上會等於VH，而驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於儲存電容Cst的電容耦合效應而上升至Vdata-Vth(T1)+VH。由此，驅動電晶體T1將產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED(如上方程式 1 ~ 3 )以流經有機發光二極體101。顯然地，圖4所示之電路結構同樣可以達到與圖2之示範性實施例類似的技術功效。
另一方面，圖5繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。請合併參照圖1與圖5，於本示範性實施例中，在圖5所示之有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，電源傳導電晶體T2的源極改為接收具有高電壓準位VH的固定電源電壓(constant power supply voltage)Vdd，而電源傳導電晶體T2的閘極則用以接收發光致能訊號LE。驅動電晶體T1的第一汲/源極耦接電源傳導電晶體T2的汲極，驅動電晶體T1的第二汲/源極耦接有機發光二極體101的陽極，而驅動電晶體T1的閘極則耦接儲存電容Cst的第一端。
此外，儲存電容Cst的第二端可以透過第一切換電晶體T6與第二切換電晶體T7(兩者皆可以為P型電晶體，例如P型薄膜電晶體，但並不限制於此)而分別耦接至固定電源電壓Vdd與參考電壓Vss。第一切換電晶體T6的閘極用以接收發光致能訊號LE，第一切換電晶體T6的源極耦接固定電源電壓Vdd，而第一切換電晶體T6的汲極則耦接儲存電容Cst的第二端。第二切換電晶體T7的閘極用以接收發光致能訊號LE的互補訊號，第二切換電晶體T7的源極耦接參考電壓Vss，而第二切換電晶體T7的汲極則耦接儲存電容Cst的第二端。
相似地，寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，寫入電晶體T3的汲極用以接收資料電壓Vdata，而寫入電晶體T3的源極則耦接驅動電晶體T1的第二汲/源極與有機發光二極體101的陽極。採集電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，採集電晶體T4的源極耦接驅動電晶體T1的閘極與儲存電容Cst的第一端，而採集電晶體T4的汲極則耦接驅動電晶體T1的第一汲/源極與電源傳導電晶體T2的汲極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接驅動電晶體T1的閘極、採集電晶體T4的源極以及儲存電容Cst的第一端。
在此條件下，有機發光二極體101的陰極耦接至參考電壓Vss，且此參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th。
再者，在圖5所示之有機發光二極體畫素電路10的運作過程中，發光元件驅動電路103(即，有機發光二極體驅動電路)同樣會先後進入重置階段、資料寫入階段與發光階段，各別例如圖6所示的P1、P2與P3。基此，在重置階段P1，由於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的互補訊號會同時致能，所以驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於重置電晶體T5的導通而等於VL2-Vth(T5)。而且，第二切換電晶體T7會反應於發光致能訊號LE之互補訊號的致能而導通。
與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，電源傳導電晶體T2會處於截止的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比。而且，第一切換電晶體T6會反應於發光致能訊號LE的禁能而處於截止的狀態。另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與採集電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE的互補訊號會同時致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4與第二切換電晶體T7會同時處於導通的狀態。在此條件下，資料電壓Vdata會經由寫入電晶體T3以及呈現二極體連接的驅動電晶體T1而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1之閘極的電壓等於Vdata-Vth(T1)。相似地，在資料寫入階段P2，驅動電晶體T1的第二汲/源極實質上可看作為源極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極實質上可看作為汲極。
與此同時，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5與電源傳導電晶體T2會同時處於截止的狀態。再加上，參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4、重置電晶體T5與第二切換電晶體T7皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2與第一切換電晶體T6則處於導通的狀態。與此同時，由於驅動電晶體T1的第二汲/源極會轉變為汲極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極會轉變為源極，所以反應於電源傳導電晶體T2的導通，驅動電晶體T1之源極的電壓實質上會等於VH，而驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於儲存電容Cst的電容耦合效應而上升至Vdata-Vth(T1)+VH。由此，驅動電晶體T1將產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED(如上方程式 1 ~ 3 )以流經有機發光二極體101。顯然地，圖5所示之電路結構同樣可以達到與圖2之示範性實施例類似的技術功效。
另一方面，圖7繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。請合併參照圖1與圖7，於本示範性實施例中，在圖7所示之有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，電源傳導電晶體T2的源極同樣接收具有高電壓準位VH的固定電源電壓Vdd，而電源傳導電晶體T2的閘極則用以接收發光致能訊號LE。驅動電晶體T1的第一汲/源極耦接電源傳導電晶體T2的汲極，驅動電晶體T1的第二汲/源極耦接有機發光二極體101的陽極，而驅動電晶體T1的閘極則耦接儲存電容Cst的第一端。
相似地，儲存電容Cst的第二端可以透過第一切換電晶體T6與第二切換電晶體T7而分別耦接至固定電源電壓Vdd與參考電壓Vss。第一切換電晶體T6的閘極用以接收發光致能訊號LE，第一切換電晶體T6的源極耦接固定電源電壓Vdd，而第一切換電晶體T6的汲極則耦接儲存電容Cst的第二端。第二切換電晶體T7的閘極用以接收發光致能訊號LE的互補訊號，第二切換電晶體T7的源極耦接參考電壓Vss，而第二切換電晶體T7的汲極則耦接儲存電容Cst的第二端。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，寫入電晶體T3的汲極用以接收資料電壓Vdata，而寫入電晶體T3的源極則耦接驅動電晶體T1的第一汲/源極與電源傳導電晶體T2的汲極。採集電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，採集電晶體T4的源極耦接驅動電晶體T1的閘極與儲存電容Cst的第一端，而採集電晶體T4的汲極則耦接驅動電晶體T1的第二汲/源極與有機發光二極體101的陽極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接驅動電晶體T1的閘極、採集電晶體T4的源極以及儲存電容Cst的第一端。
在此條件下，有機發光二極體101的陰極耦接至參考電壓Vss，且此參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Vth(T1)-Voled_th。
於此值得一提的是，圖6所示之操作波形同樣適用於圖7所示的電路結構。因此，在重置階段P1，由於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的互補訊號會同時致能，所以驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於重置電晶體T5的導通而等於VL2-Vth(T5)。而且，第二切換電晶體T7會反應於發光致能訊號LE之互補訊號的致能而導通。
與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，電源傳導電晶體T2會處於截止的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比。而且，第一切換電晶體T6會反應於發光致能訊號LE的禁能而處於截止的狀態。另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與採集電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE的互補訊號會同時致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4與第二切換電晶體T7會同時處於導通的狀態。在此條件下，資料電壓Vdata會經由寫入電晶體T3以及呈現二極體連接的驅動電晶體T1而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1之閘極的電壓等於Vdata-Vth(T1)。相似地，在資料寫入階段P2，驅動電晶體T1的第二汲/源極實質上可看作為源極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極實質上可看作為汲極。
與此同時，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5與電源傳導電晶體T2會同時處於截止的狀態。再加上，參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去驅動電晶體T1的臨界電壓(Vth(T1))與有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Vth(T1)-Voled_th，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4、重置電晶體T5與第二切換電晶體T7皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2與第一切換電晶體T6則處於導通的狀態。與此同時，由於驅動電晶體T1的第二汲/源極會轉變為汲極，而驅動電晶體T1的第一汲/源極會轉變為源極，所以反應於電源傳導電晶體T2的導通，驅動電晶體T1之源極的電壓實質上會等於VH，而驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於儲存電容Cst的電容耦合效應而上升至Vdata-Vth(T1)+VH。由此，驅動電晶體T1將產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED(如上方程式 1 ~ 3 )以流經有機發光二極體101。顯然地，圖7所示之電路結構同樣可以達到與圖2之示範性實施例類似的技術功效。
另一方面，圖8繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。請合併參照圖1與圖8，於本示範性實施例中，驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5皆可以為N型電晶體(N-type transistor)，例如N型薄膜電晶體(N-type thin-film-transistor,N-type TFT)。而且，應用有機發光二極體畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)可以利用低溫多晶矽(LTPS)、非晶矽(a-Si)或非晶銦鎵錫金屬氧化物(a-IGZO)的薄膜電晶體(TFT)製程技術製作而成，但並不限制於此。
另外，在圖8所示之有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，電源傳導電晶體T2的汲極用以接收具有高電壓準位VH的固定電源電壓Vdd，而電源傳導電晶體T2的閘極則用以接收發光致能訊號LE。驅動電晶體T1的汲極耦接電源傳導電晶體T2的源極，驅動電晶體T1的源極耦接有機發光二極體101的陽極，而驅動電晶體T1的閘極則耦接儲存電容Cst的第一端。此外，儲存電容Cst的第二端耦接至參考電壓Vss。
寫入電晶體T3的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，寫入電晶體T3的汲極用以接收資料電壓Vdata，而寫入電晶體T3的源極則耦接驅動電晶體T1的源極與有機發光二極體101的陽極。採集電晶體T4的閘極用以接收寫入掃描訊號S[n]，採集電晶體T4的源極耦接驅動電晶體T1的閘極與儲存電容Cst的第一端，而採集電晶體T4的汲極則耦接驅動電晶體T1的汲極與電源傳導電晶體T2的源極。重置電晶體T5的閘極與源極耦接在一起以接收重置掃描訊號S[n-1]，而重置電晶體T5的汲極則耦接驅動電晶體T1的閘極、採集電晶體T4的源極以及儲存電容Cst的第一端。
在此條件下，有機發光二極體101的陰極耦接至參考電壓Vss，且此參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th。
再者，在圖8所示之有機發光二極體畫素電路10的運作過程中，發光元件驅動電路103(即，有機發光二極體驅動電路)同樣會先後進入重置階段、資料寫入階段與發光階段，各別例如圖9所示的P1、P2與P3。於本示範性實施例中，固定電源電壓Vdd具有高電壓準位VH。另外，發光致能訊號LE於重置階段P1與資料寫入階段P2具有相異於參考電壓Vss的第二低電壓準位VL2，且於發光階段P3具有高電壓準位VH。再者，重置掃描訊號S[n-1]於重置階段P1具有高電壓準位VH，且於資料寫入階段P2與發光階段P3具有第二低電壓準位VL2。除此之外，寫入掃描訊號S[n]於資料寫入階段P2具有高電壓準位VH，且於重置階段P1與發光階段P3具有第二低電壓準位VL2。
相似地，從圖9可以清楚地看出，於重置階段P1，僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能。於資料寫入階段P2，僅有寫入掃描訊號S[n]會致能。於發光階段P3，僅有發光致能訊號LE會致能。於此值得解釋的是，由於有機發光二極體畫素電路10中的驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5的型態皆為N型，故而可知的是，驅動電晶體T1、電源傳導電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4，以及重置電晶體T5為高準位致能(high active)。由此，先前針對重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE會致能的表述，即表示重置掃描訊號S[n-1]、寫入掃描訊號S[n]與發光致能訊號LE處於高準位(即，VH)。
基此，在重置階段P1，由於僅有重置掃描訊號S[n-1]會致能，所以驅動電晶體T1之閘極的電壓會反應於重置電晶體T5的導通而等於VH-Vth(T5)。與此同時，反應於發光致能訊號LE的禁能，電源傳導電晶體T2會處於截止的狀態，藉以避免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示影像的對比；另外，反應於寫入掃描訊號S[n]的禁能，寫入電晶體T3與採集電晶體T4亦會處於截止的狀態。
緊接著，在資料寫入階段P2，由於僅有寫入掃描訊號S[n]會致能，所以寫入電晶體T3與採集電晶體T4會同時處於導通的狀態。在此條件下，資料電壓Vdata會經由寫入電晶體T3以及呈現二極體連接(diode-connected)的驅動電晶體T1而傳遞至儲存電容Cst，藉以使得驅動電晶體T1之閘極的電壓等於Vdata+Vth(T1)。
與此同時，反應於重置掃描訊號S[n-1]與發光致能訊號LE的禁能，重置電晶體T5與電源傳導電晶體T2會同時處於截止的狀態。再加上，參考電壓Vss之準位實質上不小於資料電壓Vdata之最高準位減去有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)，亦即：Vss≧Vdata-Voled_th，故而有機發光二極體101也不會在資料寫入階段P2發生突然亮起的誤動作。
最後，在發光階段P3，由於僅有發光致能訊號LE會致能，所以寫入電晶體T3、採集電晶體T4與重置電晶體T5皆處於截止的狀態，而驅動電晶體T1與電源傳導電晶體T2則處於導通的狀態。與此同時，反應於固定電源電壓Vdd的高電壓準位VH，不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED將會被產生以流經有機發光二極體101。其中，由於驅動電晶體T1之閘極的電壓為Vdata+Vth(T1)，而驅動電晶體T1之源極的電壓實質上可看作為有機發光二極體101的導通電壓(Voled_th)。因此，在發光階段P3，驅動電晶體T1所產生的驅動電流IOLED可以表示為如下方程式 4 ：
其中，K為關聯於驅動電晶體T1的電流常數。
另外，由於驅動電晶體T1的閘源極電壓(Vgs)為已知的，亦即：Vgs=Vdata+Vth(T1)-Voled_th。
因此，若將已知的驅動電晶體T1的源閘極電壓(Vgs)帶入方程式 1 的話，亦即如下方程式 5 ：
則方程式 2 可以進一步地簡化為如下方程式 6 ：
由此可知，驅動電晶體T1可以於發光階段P3產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))影響的驅動電流IOLED。
換言之，從方程式 6 可清楚看出，流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1之臨界電壓(Vth(T1))無關，其大抵只會與資料電壓Vdata有關。如此一來，同樣可以補償薄膜電晶體(TFT)因製程因素所造成的臨界電壓之變異，並且得以同時補償電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)之影響而改變的問題。
另一方面，圖8所示之電源傳導電晶體T2的汲極可以改為接收可變電源電壓Vdd，如圖10所示。基此，可變電源電壓Vdd於重置階段P1與資料寫入階段P2具有第一低電壓準位VL1，且於發光階段P3具有高電壓準位VH。相似地，如圖10所示之參考電壓Vss的電壓準位，較佳是控制在不小於可變電源電壓Vdd於重置階段P1與資料寫入階段P2的第一低電壓準位VL1，例如為+4V以上，但不以此為限。如此一來，即可更進一步確保有機發光二極體101在重置階段P1與資料寫入階段P2不會突然亮起的可能。另外，由於圖8所示之電路架構採以圖10的運作方式係類似於圖9，故而於此並不再加以贅述之。
據此可知，上述示範性實施例所揭示的有機發光二極體畫素電路10之電路架構為5T1C(亦即5個薄膜電晶體+1個電容)，且若搭配適當的操作波形(如圖3/圖6/圖9所示)，即可使得流經有機發光二極體101的電流IOLED不會隨著電源電壓Vdd受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體101之驅動電晶體T1的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度表現。除此之外，任何應用上述示範性實施例之有機發光二極體畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板及其有機發光二極體顯示器，都屬於本發明所欲請求保護的範疇。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
10．．．有機發光二極體畫素電路
101．．．有機發光二極體
103．．．發光元件驅動電路
105．．．電源單元
107．．．驅動單元
109．．．資料儲存單元
T1．．．驅動電晶體
T2．．．電源傳導電晶體
T3．．．寫入電晶體
T4．．．採集電晶體
T5．．．重置電晶體
T6．．．第一切換電晶體
T7．．．第二切換電晶體
Cst．．．儲存電容
IOLED．．．驅動電流
Vdata．．．資料電壓
Vdd．．．(可變/固定)電源電壓
Vss．．．參考電壓
VH．．．高電壓準位
VL1．．．第一低電壓準位
VL2．．．第二低電壓準位
S[n-1]．．．重置掃描訊號
S[n]．．．寫入掃描訊號
LE．．．發光致能訊號
．．．發光致能訊號的互補訊號
P1．．．重置階段
P2．．．資料寫入階段
P3．．．發光階段
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之有機發光二極體畫素電路(OLED pixel circuit)10的示意圖。
圖2繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的實施電路圖。
圖3繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的操作波形圖。
圖4繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。
圖5繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。
圖6繪示為圖5之有機發光二極體畫素電路10的操作波形圖。
圖7繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。
圖8繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的另一實施電路圖。
圖9繪示為圖8之有機發光二極體畫素電路10的操作波形圖。
圖10繪示為圖8之有機發光二極體畫素電路10的另一操作波形圖。
10．．．有機發光二極體畫素電路
101．．．有機發光二極體
103．．．發光元件驅動電路
105．．．電源單元
107．．．驅動單元
109．．．資料儲存單元
T1．．．驅動電晶體
T2．．．電源傳導電晶體
T3．．．寫入電晶體
T4．．．採集電晶體
T5．．．重置電晶體
Cst．．．儲存電容
IOLED．．．驅動電流
Vdata．．．資料電壓
Vdd．．．(可變)電源電壓
Vss．．．參考電壓
S[n-1]．．．重置掃描訊號
S[n]．．．寫入掃描訊號
LE．．．發光致能訊號

Claims (57)

  1. 一種發光元件驅動電路，包括：一電源單元，用以接收一電源電壓，並於一發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導該電源電壓；一驅動單元，耦接於該電源單元與一發光元件之間，且包含與該發光元件之第一端耦接的一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的一驅動電流；以及一資料儲存單元，包含一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電壓進行儲存，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，該電源電壓為一可變電源電壓，且該電源單元包括：一電源傳導電晶體，其源極用以接收該可變電源電壓，而其閘極則用以接收該發光致能訊號。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體的第一汲/源極耦接該電源傳導電晶體的汲極，該驅動電晶體的第二汲/源極耦接該發光元件的第一端，而該驅動電晶體的閘極則耦接該儲存電容的第一端；以及該儲存電容的第二端耦接至該可變電源電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其汲極用以接收該資料電壓，而其源極則耦接該驅動電晶體的第二汲/源極與該發光元件的第一端；以及一採集電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接該驅動電晶體的閘極與該儲存電容的第一端，而其汲極則耦接該驅動電晶體的第一汲/源極與該電源傳導電晶體的汲極，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該有機發光二極體的導通電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接該驅動電晶體的閘極、該採集電晶體的源極以及該儲存電容的第一端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體、該電源傳導電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該重置電晶體皆為P型電晶體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段與該資料寫入階段，該可變電源電壓具有一第一低電壓準位；以及於該發光階段，該可變電源電壓具有一高電壓準位，其中，該參考電壓的準位更實質上不小於該可變電源電壓於該重置階段與該資料寫入階段的該第一低電壓準位。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段與該資料寫入階段，該發光致能訊號具有該高電壓準位；以及於該發光階段，該發光致能訊號具有相異於該第一低電壓準位的一第二低電壓準位。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段，該重置掃描訊號具有該第二低電壓準位；以及於該資料寫入階段與該發光階段，該重置掃描訊號具有該高電壓準位。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光元件驅動電路，其中於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號具有該第二低電壓準位；以及於該重置階段與該發光階段，該寫入掃描訊號具有該高電壓準位。
  13. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其汲極用以接收該資料電壓，而其源極則耦接該驅動電晶體的第一汲/源極與該電源傳導電晶體的汲極；以及一採集電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接該驅動電晶體的閘極與該儲存電容的第一端，而其汲極則耦接該驅動電晶體的第二汲/源極與該發光元件的第一端，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該驅動電晶體的該臨界電壓與該有機發光二極體的導通電壓。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接該驅動電晶體的閘極、該採集電晶體的源極以及該儲存電容的第一端。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體、該電源傳導電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該重置電晶體皆為P型電晶體。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段與該資料寫入階段，該可變電源電壓具有一第一低電壓準位；以及於該發光階段，該可變電源電壓具有一高電壓準位。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段與該資料寫入階段，該發光致能訊號具有該高電壓準位；以及於該發光階段，該發光致能訊號具有相異於該第一低電壓準位的一第二低電壓準位。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段，該重置掃描訊號具有該第二低電壓準位；以及於該資料寫入階段與該發光階段，該重置掃描訊號具有該高電壓準位。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件驅動電路，其中於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號具有該第二低電壓準位；以及於該重置階段與該發光階段，該寫入掃描訊號具有該高電壓準位。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，該電源電壓為一固定電源電壓，且該電源單元包括：一電源傳導電晶體，其源極用以接收該固定電源電壓，而其閘極則用以接收該發光致能訊號。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體的第一汲/源極耦接該電源傳導電晶體的汲極，該驅動電晶體的第二汲/源極耦接該發光元件的第一端，而該驅動電晶體的閘極則耦接該儲存電容的第一端；該儲存電容的第二端透過一第一切換電晶體而耦接至該固定電源電壓；以及該儲存電容的第二端更透過一第二切換電晶體而耦接至該參考電壓。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之發光元件驅動電路，其中該第一切換電晶體的閘極用以接收該發光致能訊號，該第一切換電晶體的源極耦接該固定電源電壓，而該第一切換電晶體的汲極則耦接該儲存電容的第二端；以及該第二切換電晶體的閘極用以接收該發光致能訊號的一互補訊號，該第二切換電晶體的源極耦接該參考電壓，而該第二切換電晶體的汲極則耦接該儲存電容的第二端。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其汲極用以接收該資料電壓，而其源極則耦接該驅動電晶體的第二汲/源極與該發光元件的第一端；以及一採集電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接該驅動電晶體的閘極與該儲存電容的第一端，而其汲極則耦接該驅動電晶體的第一汲/源極與該電源傳導電晶體的汲極，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該有機發光二極體的導通電壓。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接該驅動電晶體的閘極、該採集電晶體的源極以及該儲存電容的第一端。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體、該電源傳導電晶體、該第一切換電晶體、該第二切換電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該重置電晶體皆為P型電晶體。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其汲極用以接收該資料電壓，而其源極則耦接該驅動電晶體的第一汲/源極與該電源傳導電晶體的汲極；以及一採集電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其源極耦接該驅動電晶體的閘極與該儲存電容的第一端，而其汲極則耦接該驅動電晶體的第二汲/源極與該發光元件的第一端，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該驅動電晶體的該臨界電壓與該有機發光二極體的導通電壓。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與源極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其汲極則耦接該驅動電晶體的閘極、該採集電晶體的源極以及該儲存電容的第一端。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體、該電源傳導電晶體、該第一切換電晶體、該第二切換電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該重置電晶體皆為P型電晶體。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段。
  35. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，該電源電壓為一固定電源電壓或一可變電源電壓，而該電源單元包括：一電源傳導電晶體，其汲極用以接收該固定或該可變電源電壓，而其閘極則用以接收該發光致能訊號。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體的汲極耦接該電源傳導電晶體的源極，該驅動電晶體的源極耦接該發光元件的第一端，而該驅動電晶體的閘極則耦接該儲存電容的第一端；以及該儲存電容的第二端耦接至該參考電壓。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一寫入掃描訊號，其汲極用以接收該資料電壓，而其源極則耦接該驅動電晶體的源極與該發光元件的第一端；以及一採集電晶體，其閘極用以接收該寫入掃描訊號，其汲極耦接該驅動電晶體的閘極與該儲存電容的第一端，而其源極則耦接該驅動電晶體的汲極與該電源傳導電晶體的源極，其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極，其中，該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該有機發光二極體的導通電壓。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更用以於一重置階段，反應於一重置掃描訊號而初始化該儲存電容。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之發光元件驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一重置電晶體，其閘極與汲極耦接在一起以接收該重置掃描訊號，而其源極則耦接該驅動電晶體的閘極、該採集電晶體的汲極以及該儲存電容的第一端。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件驅動電路，其中該驅動電晶體、該電源傳導電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該重置電晶體皆為N型電晶體。
  41. 如申請專利範圍第40項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該資料寫入階段以及該發光階段。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之發光元件驅動電路，其中當該電源電壓為該固定電源電壓時，則該固定電源電壓具有一高電壓準位；以及當該電源電壓為該可變電源電壓時，則該可變電源電壓於該重置階段與該資料寫入階段具有一第一低電壓準位，且該可變電源電壓於該發光階段具有該高電壓準位，其中該參考電壓的準位更實質上不小於該可變電源電壓於該重置階段與該資料寫入階段的該第一低電壓準位。
  43. 如申請專利範圍第42項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段與該資料寫入階段，該發光致能訊號具有相異於該參考電壓與該第一低電壓準位的一第二低電壓準位；以及於該發光階段，該發光致能訊號具有該高電壓準位。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之發光元件驅動電路，其中於該重置階段，該重置掃描訊號具有該高電壓準位；以及於該資料寫入階段與該發光階段，該重置掃描訊號具有該第二低電壓準位。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之發光元件驅動電路，其中於該資料寫入階段，該寫入掃描訊號具有該高電壓準位；以及於該重置階段與該發光階段，該寫入掃描訊號具有該第二低電壓準位。
  46. 一種發光元件驅動電路，包括：一電源單元，用以接收一電源電壓，並於一發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導該電源電壓；一驅動單元，耦接於該電源單元與一發光元件的第一端之間，且包含與該發光元件之第一端耦接的一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的一驅動電流；以及一資料儲存單元，包含一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電壓進行儲存，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響，其中，該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之一最高準位減去該發光元件的導通電壓。
  47. 如申請專利範圍第46項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極；以及該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路。
  48. 一種發光元件驅動電路，包括：一電源單元，用以接收一電源電壓，並於一發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導該電源電壓；一驅動單元，耦接於該電源單元與一發光元件的第一端之間，且包含與該發光元件之第一端耦接的一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的一驅動電流；以及一資料儲存單元，包含一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電壓進行儲存，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響，其中，該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該驅動電晶體的該臨界電壓與該發光元件的導通電壓。
  49. 如申請專利範圍第48項所述之發光元件驅動電路，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極；以及該發光元件驅動電路為一有機發光二極體驅動電路。
  50. 一種畫素電路，包括：一發光元件，用以於一發光階段，反應於一驅動電流而發光；一電源單元，用以接收一電源電壓，並於該發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導該電源電壓；一驅動單元，耦接於該電源單元與該發光元件的第一端之間，且包含與該發光元件之第一端耦接的一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的該驅動電流；以及一資料儲存單元，包含一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電壓進行儲存，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響，其中，該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之一最高準位減去該發光元件的導通電壓。
  51. 如申請專利範圍第50項所述之畫素電路，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極；以及該畫素電路為一有機發光二極體畫素電路。
  52. 一種具有如申請專利範圍第51項所述之畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
  53. 一種具有如申請專利範圍第52項所述之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
  54. 一種畫素電路，包括：一發光元件，用以於一發光階段，反應於一驅動電流而發光；一電源單元，用以接收一電源電壓，並於該發光階段，反應於一發光致能訊號而傳導該電源電壓；一驅動單元，耦接於該電源單元與該發光元件的第一端之間，且包含與該發光元件之第一端耦接的一驅動電晶體，用以於該發光階段，控制流經該發光元件的該驅動電流；以及一資料儲存單元，包含一儲存電容，用以於一資料寫入階段，透過該儲存電容以對一資料電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電壓進行儲存，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響，其中，該發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且該參考電壓之準位實質上不小於該資料電壓之最高準位減去該驅動電晶體的該臨界電壓與該發光元件的導通電壓。
  55. 如申請專利範圍第54項所述之畫素電路，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極；以及該畫素電路為一有機發光二極體畫素電路。
  56. 一種具有如申請專利範圍第55項所述之畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
  57. 一種具有如申請專利範圍第56項所述之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
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