CN103000126A - 发光元件驱动电路及其相关的像素电路与应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光元件驱动电路及其相关的像素电路与应用。该像素电路结构(7T1C或5T1C)在搭配适当的操作波形下，可以使得流经有机发光二极管的电流不会随着电源电压(Vdd)受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变(或者，受电源电压(Vdd)的影响的程度得以被减轻)，而且也不会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临界电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将可大大地提升所应用的有机发光二极管显示器的亮度均匀性。

Description

发光元件驱动电路及其相关的像素电路与应用
技术领域
本发明是有关于一种平面显示技术，且特别是有关于一种具有自发光特性的发光元件(light-emitting component，例如有机发光二极管(OLED)，但并不限制于此)驱动电路及其相关的像素电路与应用。
背景技术
由于多媒体社会的急速进步，半导体元件及显示装置的技术也随之具有飞跃性的进步。就显示器而言，由于有源矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器具有无视角限制、低制造成本、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、省电、自发光、可使用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等优点以符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，有源矩阵有机发光二极管显示器具有极大的发展潜力，可望成为下一时代的新颖平面显示器，从而取代液晶显示器(liquid crystal display，LCD)。
目前有源矩阵有机发光二极管显示面板主要有两种制作方式，其一是利用低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管(TFT)制程技术来制作，而另一则是利用非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管(TFT)制程技术来制作。其中，由于低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术需要比较多道的光罩制程而导致成本上升。因此，目前低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术主要应用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶体管制程技术则主要应用在大尺寸的面板上。
一般来说，采用低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术所制作出来的有源矩阵有机发光二极管显示面板，其像素电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但由于P型薄膜晶体管传导正电压有较好的驱动能力，故而现今多以选择P型薄膜晶体管来实施。然而，选择P型薄膜晶体管来实现有机发光二极管像素电路的条件下，流经有机发光二极管的电流不仅会随着电源电压(Vdd)受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变，而且还会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临界电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将会连带影响到有机发光二极管显示器的亮度均匀性。
发明内容
有鉴于此，为了提升有机发光二极管显示器的亮度均匀性，本发明的一实施例提供一种发光元件驱动电路，其包括：驱动单元、数据存储单元，以及发光控制单元。驱动单元耦接于一电源电压与发光元件之间，且包含驱动晶体管。驱动单元用以在一发光阶段，控制流经发光元件的驱动电流。数据存储单元耦接驱动单元，且包含漂移补偿晶体管以及耦接于驱动晶体管与一参考电位之间的储存电容。数据存储单元用以在一数据写入阶段，通过储存电容以对一数据电压与关联于漂移补偿晶体管的临界电压进行储存。
发光控制单元耦接于驱动单元与发光元件之间，用以在所述发光阶段，传导来自驱动单元的驱动电流至发光元件。在所述发光阶段，驱动单元反应于储存电容的跨压而产生流经发光元件的驱动电流，且流经发光元件的驱动电流反应于漂移补偿晶体管的临界电压的储存而不受驱动晶体管的临界电压的影响。
在本发明的一实施例中，数据存储单元还用以在所述数据写入阶段，通过储存电容以对所述电源电压进行储存。在此条件下，在所述发光阶段，反应于所述电源电压的储存，流经发光元件的驱动电流还可以不受所述电源电压的影响。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响的条件下，驱动晶体管的栅极耦接储存电容的第一端以及漂移补偿晶体管的栅极与源极，而驱动晶体管的源极则耦接至所述电源电压。基于此，数据存储单元还包括：写入晶体管、传输晶体管，以及耦合晶体管。写入晶体管的栅极用以接收一写入扫描信号，写入晶体管的源极用以接收所述数据电压，而写入晶体管的漏极则耦接至储存电容的第二端。传输晶体管的栅极用以接收所述写入扫描信号，传输晶体管的源极耦接至所述电源电压，而传输晶体管的漏极则耦接至漂移补偿晶体管的漏极。耦合晶体管的栅极用以接收一发光致能信号，耦合晶体管的源极耦接储存电容的第二端，而耦合晶体管的漏极则耦接至所述参考电位。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响的条件下，数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化储存电容的第一端电压。基于此，数据存储单元可以还包括：复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收所述复位扫描信号，而其漏极则耦接至储存电容的第一端。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响的条件下，发光控制单元包括：发光控制晶体管，其栅极用以接收所述发光致能信号，而其源极则耦接至驱动晶体管的漏极。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响的条件下，发光元件的第一端耦接第一发光控制晶体管的漏极，而发光元件的第二端则耦接至所述参考电位。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响的条件下，驱动晶体管、漂移补偿晶体管、写入晶体管、复位晶体管、传输晶体管、耦合晶体管，以及发光控制晶体管皆可以为P型晶体管。
在本发明的另一实施例中，在所述发光阶段，反应于与所述电源电压相关联的数据电压，流经发光元件的驱动电流受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，且受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓的条件下，驱动晶体管的栅极耦接储存电容的第一端以及漂移补偿晶体管的栅极与源极，驱动晶体管的源极耦接至所述电源电压，而储存电容的第二端则可以直接耦接至所述参考电位。基于此，数据存储单元还包括：写入晶体管，其栅极用以接收一写入扫描信号，其源极用以接收所述数据电压，而其漏极则耦接至漂移补偿晶体管的漏极。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，且受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓的条件下，数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化储存电容的第一端电压。基于此，数据存储单元可以还包括：复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收所述复位扫描信号，而其漏极则耦接至储存电容的第一端。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，且受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓的条件下，发光控制单元包括：发光控制晶体管，其栅极用以接收一发光致能信号，而其源极则耦接至驱动晶体管的漏极。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，且受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓的条件下，发光元件的第一端耦接发光控制晶体管的漏极，而发光元件的第二端则耦接至所述参考电位。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，且受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓的条件下，驱动晶体管、漂移补偿晶体管、写入晶体管、复位晶体管，以及发光控制晶体管皆可以为P型晶体管。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响(或者，受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓)的条件下，发光元件可以为有机发光二极管，且发光元件的第一端为有机发光二极管的阳极，而发光元件的第二端为有机发光二极管的阴极。基于此，发光元件驱动电路可以为有机发光二极管驱动电路，且有机发光二极管驱动电路会先后进入所述复位阶段、所述数据写入阶段以及所述发光阶段。
在本发明的一实施例中，在流经发光元件的驱动电流不受驱动晶体管的临界电压的影响，而且也不受所述电源电压的影响(或者，受所述电源电压的影响的程度得以被有效地降低/减轻/趋缓)的条件下，在所述复位阶段，所述复位扫描信号为致能，而所述写入扫描信号与所述发光致能信号为禁能。在所述数据写入阶段，所述写入扫描信号为致能，而所述复位扫描信号与所述发光致能信号为禁能。在所述发光阶段，所述发光致能信号为致能，而所述复位扫描信号与所述写入扫描信号为禁能。
本发明的另一实施例提供一种具有所提的发光元件驱动电路的像素电路，且此像素电路可以为有机发光二极管像素电路，其包括：发光元件、驱动单元、数据存储单元，以及发光控制单元。
发光元件用以在一发光阶段，反应在一驱动电流而发光；驱动单元耦接于一电源电压与该发光元件之间，且包含一驱动晶体管，用以在该发光阶段，控制流经该发光元件的该驱动电流；数据存储单元耦接该驱动单元，且包含一漂移补偿晶体管以及耦接于该驱动晶体管与一参考电位之间的一储存电容，用以在一数据写入阶段，通过该储存电容以对一数据电压与关联于该漂移补偿晶体管的临界电压进行储存；发光控制单元耦接于该驱动单元与该发光元件之间，用以在该发光阶段，传导来自该驱动单元的该驱动电流至该发光元件；
其中，在该发光阶段，该驱动单元反应于该储存电容的跨压而产生流经该发光元件的该驱动电流，且该驱动电流反应在该漂移补偿晶体管的临界电压的储存而不受该驱动晶体管的临界电压的影响。
本发明的再一实施例提供一种具有所提的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管显示面板。
本发明的又一实施例提供一种具有所提的有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器。
基于上述，本发明提供一种有机发光二极管像素电路，且其电路结构(7T1C或5T1C)在搭配适当的操作波形下，可以使得流经有机发光二极管的电流不会随着电源电压(Vdd)受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变(或者，受电源电压(Vdd)的影响的程度得以被减轻)，而且也不会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临界电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将可大大地提升所应用的有机发光二极管显示器的亮度均匀性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举具体的实施例，并配合附图，作详细说明如下。
然而，应了解的是，上述一般描述及以下具体实施方式仅为举例及阐释性的，其并不能限制本发明所欲保护的范围。
附图说明
下面的附图是本发明的说明书的一部分，示出了本发明的实施例，附图与说明书的描述一起说明本发明的原理。
图1为本发明一实施例的(有机发光二极管)像素电路10的示意图；
图2为图1的(有机发光二极管)像素电路10的实施电路图；
图3为图1的(有机发光二极管)像素电路10的操作波形图；
图4为本发明另一实施例的(有机发光二极管)像素电路10’的示意图；
图5为图4的(有机发光二极管)像素电路10’的实施电路图。
附图标记说明：
10、10’：(有机发光二极管)像素电路；
101：有机发光二极管；
103、103’：发光元件驱动电路(有机发光二极管驱动电路)；
105：驱动单元；
107、107’：数据存储单元；
109：发光控制单元；
T1：驱动晶体管；
T2：漂移补偿晶体管；
T3：写入晶体管；
T4：传输晶体管；
T5：复位晶体管；
T6：耦合晶体管；
T7：发光控制晶体管；
Cst：储存电容；
IOLED：驱动电流；
VIN：数据电压；
Vdd：电源电压；
Vss：参考电位；
S[n-1]：复位扫描信号；
S[n]：写入扫描信号；
LE：发光致能信号；
P1：复位阶段；
P2：数据写入阶段；
P3：发光阶段；
A、B：节点。
具体实施方式
现将详细参考本发明的实施例，在附图中说明所述实施例的实例。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件代表相同或类似部分。
图1为本发明一实施例的(有机发光二极管)像素电路10的示意图，而图2为图1的(有机发光二极管)像素电路10的实施电路图。请参照图1与图2，本实施例的像素电路10包括发光元件(light-emitting component，例如：有机发光二极管(OLED)101，但并不限制于此，故而像素电路10可以视为有机发光二极管像素电路)与发光元件驱动电路(light-emitting componentdriving circuit)103。其中，发光元件驱动电路103包括驱动单元(driving unit)105、数据存储单元(data storage unit)107，以及发光控制单元(light-emittingcontrol unit)109。
在本实施例中，驱动单元105耦接于电源电压(power supply voltage)Vdd与有机发光二极管101(即，发光元件)之间，且包含驱动晶体管(drivingtransistor)T1。而且，驱动单元105用以在发光阶段(light enable phase)，控制流经有机发光二极管101的驱动电流(driving current)IOLED。
另外，数据存储单元107耦接驱动单元105，且包含漂移补偿晶体管(shift-compensation transistor)T2以及耦接于驱动晶体管T1与参考电位(reference potential)Vss之间的储存电容(storage capacitor)Cst。而且，数据存储单元107会在数据写入阶段(data-writing phase)，通过储存电容Cst以对数据电压(data voltage)VIN与关联于漂移补偿晶体管T2的临界电压(threshold voltage，Vth(T2))进行储存。
此外，数据存储单元107会在复位阶段(reset phase)，反应于复位扫描信号(reset scan signal)S[n-1]而初始化/复位(initialization/reset)储存电容Cst的第一端电压(亦即，节点A的电压)。其中，复位扫描信号S[n-1]可为前一扫描线上的信号，且由第[n-1]级的栅极驱动电路所提供，但并不限制于此。
再者，发光控制单元109耦接于驱动单元105与有机发光二极管(发光元件)101之间。而且，发光控制单元109用以在发光阶段，传导来自驱动单元105的驱动电流IOLED至有机发光二极管101。
在本实施例中，驱动单元105是在发光阶段，反应于储存电容Cst的跨压(cross-voltage)而产生流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED，且此驱动电流IOLED不受电源电压Vdd与驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))的影响。换言之，流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED与电源电压Vdd以及驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1)无关。
除此之外，数据存储单元107还包括写入晶体管(writing transistor)T3、传输晶体管(transmission transistor)T4、复位晶体管(reset transistor)T5，以及耦合晶体管(coupling transistor)T6。另外，发光控制单元109包括发光控制晶体管(light-emitting control transistor)T7。
在本实施例中，驱动晶体管T1、漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、传输晶体管T4、复位晶体管T5、耦合晶体管T6以及发光控制晶体管T7皆可以为P型晶体管(P-type transistor)，例如P型薄膜晶体管(P-typethin-film-transistor，P-type TFT)。而且，应用图2所示的(有机发光二极管)像素电路10在其中的有机发光二极管显示面板(OLED display panel)可以利用低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)或非晶铟镓锡金属氧化物(a-IGZO)的薄膜晶体管(TFT)制程技术制作而成，但并不限制于此。
另外，在图2所示的(有机发光二极管)像素电路10的电路结构上(7T1 C)，驱动晶体管T1的栅极(gate)耦接储存电容Cst的第一端(亦即，节点A)以及漂移补偿晶体管T2的栅极与源极(source)，而驱动晶体管T1的源极则耦接至电源电压Vdd。
写入晶体管T3的栅极用以接收写入扫描信号(write scan signal)S[n](写入扫描信号S[n]可为当下扫描线上的信号，且由第[n]级的栅极驱动电路所提供，但并不限制于此)，写入晶体管T3的源极用以接收数据电压VIN，而写入晶体管T3的漏极(drain)则耦接至储存电容Cst的第二端(亦即，节点B)。
传输晶体管T4的栅极用以接收写入扫描信号S[n]，传输晶体管T4的源极耦接至电源电压Vdd，而传输晶体管T4的漏极则耦接至漂移补偿晶体管T2的漏极。复位晶体管T5的栅极与源极耦接在一起以接收复位扫描信号S[n-1]，而复位晶体管T5的漏极则耦接至储存电容Cst的第一端。
耦合晶体管T6的栅极用以接收发光致能信号(light enable signal)LE，耦合晶体管T6的源极耦接储存电容Cst的第二端，而耦合晶体管T6的漏极则耦接至参考电位Vss。发光控制晶体管T7的栅极用以接收发光致能信号LE，而发光控制晶体管T7的源极则耦接至驱动晶体管T1的漏极。有机发光二极管101的阳极(anode)耦接发光控制晶体管T7的漏极，而有机发光二极管101的阴极(cathode)则耦接至参考电位Vss。在以下的实施例中，为方便说明将假设参考电位Vss为零电位(即，接地电位)，但并不限制于此。
再者，图3为图1的(有机发光二极管)像素电路10的操作波形图。在图2所示的(有机发光二极管)像素电路10的工作过程中，发光元件驱动电路103(即，有机发光二极管驱动电路)会先后进入复位阶段、数据写入阶段与发光阶段，分别如图3所示的复位阶段P1、数据写入阶段P2与发光阶段P3。在本实施例中，在复位阶段P1，仅有复位扫描信号S[n-1]会致能；在数据写入阶段P2，仅有写入扫描信号S[n]会致能；以及在发光阶段P3，仅有发光致能信号LE会致能。
换言之，在复位阶段P1，复位扫描信号S[n-1]为致能，而写入扫描信号S[n]与发光致能信号LE为禁能。在数据写入阶段P2，写入扫描信号S[n]为致能，而复位扫描信号S[n-1]与发光致能信号LE为禁能。在发光阶段P3，发光致能信号LE为致能，而复位扫描信号S[n-1]与写入扫描信号S[n]为禁能。当然，复位扫描信号S[n-1]、写入扫描信号S[n]与发光致能信号LE的高低电平(VH，VL)皆可视实际设计/应用需求而决定。
在此值得解释的是，由于图2所示的(有机发光二极管)像素电路10中的驱动晶体管T1、漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、传输晶体管T4、复位晶体管T5，耦合晶体管T6以及发光控制晶体管T7的型态皆为P型，故而可知的是，驱动晶体管T1、漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、传输晶体管T4、复位晶体管T5、耦合晶体管T6以及发光控制晶体管T7为低电平致能(low active)。由此，先前针对复位扫描信号S[n-1]、写入扫描信号S[n]与发光致能信号LE会致能的表述，即表示复位扫描信号S[n-1]、写入扫描信号S[n]与发光致能信号LE处于低电平(low level)。
基于此，在复位阶段P1，由于仅有复位扫描信号S[n-1]会致能，所以节点A的电压(即，驱动晶体管T1的栅极电压(Vg))会反应于呈现二极管连接(diode-connected)的复位晶体管T5的导通(turned-on)而等于复位扫描信号S[n-1]的低电平(VLS[n-1])减去Vth(T5)，即：VLS[n-1]-Vth(T5)。其中，Vth(T5)为复位晶体管T5的临界电压。与此同时，反应于发光致能信号LE的禁能，耦合晶体管T6与发光控制晶体管T7会处于截止(turned-off)的状态，从而避免有机发光二极管101有突然亮起的误动作，从而得以维持显示图像的对比；另外，反应于写入扫描信号S[n]的禁能，写入晶体管T3与传输晶体管T4亦会处于截止的状态。
紧接着，在数据写入阶段P2，由于仅有写入扫描信号S[n]会致能，所以写入晶体管T3与传输晶体管T4会同时处于导通的状态，且呈现二极管连接的漂移补偿晶体管T2亦会导通。在此条件下，电源电压Vdd会经由传输晶体管T4与呈现二极管连接的漂移补偿晶体管T2而传递至储存电容Cst的第一端(即，节点A)，从而使得节点A的电压等于Vdd-Vth(T2)，其中Vth(T2)为漂移补偿晶体管T2的临界电压。与此同时，数据电压VIN(在此假设数据电压VIN为Vdata，即VIN＝Vdata，但并不限制于此，其中Vdata为对应(有机发光二极管)像素电路10的灰阶显示电压值)会经由写入晶体管T3而传递至储存电容Cst的第二端(即，节点B)，从而使得节点B的电压等于Vdata。
由此可知，在数据写入阶段P2，储存电容Cst上的电压为Vdd-Vth(T2)-Vdata。换言之，在数据写入阶段P2，储存电容Cst可以储存数据电压VIN(Vdata)、漂移补偿晶体管T2的临界电压Vth(T2)以及电源电压Vdd的信息。而且，在数据写入阶段P2，反应于复位扫描信号S[n-1]与发光致能信号LE的禁能，复位晶体管T5、耦合晶体管T6以及发光控制晶体管T7会同时处于截止的状态，故而有机发光二极管101也不会在数据写入阶段P2发生突然亮起的误动作。
最后，在发光阶段P3，由于仅有发光致能信号LE会致能，所以漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、传输晶体管T4与复位晶体管T5皆处于截止的状态，而驱动晶体管T1、耦合晶体管T6以及发光控制晶体管T7则处于导通的状态。基于此，驱动晶体管T1将反应于储存电容Cst的跨压(cross-voltage)而产生不受电源电压Vdd与驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))影响的驱动电流IOLED以流经有机发光二极管101。
更清楚来说，在图2所示的电路结构下，驱动晶体管T1在发光阶段P3所产生的驱动电流IOLED可以表示为如下方程式1：
I OLED = 1 2 K × ( Vsg - V th ( T 1 ) ) 2 - - - 1
其中，K为关联于驱动晶体管T1的电流常数。
另外，由于驱动晶体管T1的源栅极电压(Vsg)为已知的，亦即：驱动晶体管T1的源极电压(Vs)等于电源电压Vdd(即，Vs＝Vdd)；驱动晶体管T1的栅极电压(Vg)等于节点A的电压(即，Vg＝Vdd-Vth(T2)-Vdata)，此时节点B的电压为接地的零电压；以及Vsg＝Vs-Vg＝Vdd-(Vdd-Vth(T2)-Vdata)。
因此，在图2所示的(有机发光二极管)像素电路10处于发光阶段P3时，若将已知的驱动晶体管T1的源栅极电压(Vsg)带入方程式1的话，亦即如下方程式2：
I OLED = 1 2 K × [ Vdd - ( Vdd - V th ( T 2 ) - Vdata ) - V th ( T 1 ) ] 2 - - - 2
则方程式2可以进一步地简化为如下方程式3：
I OLED = 1 2 K × ( Vdata + V th ( T 2 ) - V th ( T 1 ) ) 2 - - - 3
由此可知，假设驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))与漂移补偿晶体管T2的临界电压(Vth(T2))为相同的话，即：Vth(T1)＝Vth(T2)，则方程式3可以进一步地简化为如下方程式4：
I OLED = 1 2 K × ( Vdata ) 2 - - - 4
显然地，只要将驱动晶体管T1与漂移补偿晶体管T2布局(layout)在邻近位置，使驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))与漂移补偿晶体管T2的临界电压(Vth(T2))因一致性的结晶状态而相同的话，则驱动晶体管T1就可以在发光阶段P3产生不受电源电压Vdd与驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))影响的驱动电流IOLED。
换言之，从方程式4可清楚看出，在图2所示的电路结构中，流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED与电源电压Vdd以及驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))无关，其只与数据电压VIN(Vdata)有关而已。如此一来，即可补偿薄膜晶体管(TFT)因制程因素所造成的临界电压的变异，并且得以同时补偿电源电压Vdd受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变的问题。
另一方面，图4为本发明另一实施例的(有机发光二极管)像素电路10’的示意图，而图5为图4的(有机发光二极管)像素电路10’的实施电路图。请参照图4与图5，在图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’的电路结构上(5T1C)，漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、重置晶体管T5与储存电容Cst形成数据存储单元107’。驱动晶体管T1的栅极耦接储存电容Cst的第一端以及漂移补偿晶体管T2的栅极与源极，驱动晶体管T1的源极耦接至电源电压Vdd，而储存电容Cst的第二端则(直接)耦接至参考电位Vss(例如：接地电位，但并不限制于此)。
写入晶体管T3的栅极用以接收写入扫描信号S[n]，写入晶体管T3的源极用以接收与电源电压Vdd相关联的数据电压VIN(在此假设VIN为Vdd-Vdata，即VIN＝Vdd-Vdata，但并不限制于此)，而写入晶体管T3的漏极则耦接至漂移补偿晶体管T2的漏极。复位晶体管T5的栅极与源极耦接在一起以接收复位扫描信号S[n-1]，而复位晶体管T5的漏极则耦接至储存电容Cst的第一端。
发光控制晶体管T7的栅极用以接收发光致能信号LE，而发光控制晶体管T7的源极则耦接至驱动晶体管T1的漏极。有机发光二极管101的阳极耦接发光控制晶体管T7的漏极，而有机发光二极管101的阴极则耦接至参考电位Vss(接地电位)。
相似地，驱动晶体管T1、漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3、复位晶体管T5以及发光控制晶体管T7皆可以为P型晶体管，例如P型薄膜晶体管。而且，应用图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’在其中的有机发光二极管显示面板亦可利用低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)或非晶铟镓锡金属氧化物(a-IGZO)的薄膜晶体管(TFT)制程技术制作而成，但并不限制于此。
此外，在图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’的工作过程中，发光元件驱动电路103’(即，有机发光二极管驱动电路)同样会先后进入复位阶段、数据写入阶段与发光阶段，各别例如图3所示图1的(有机发光二极管)像素电路10的操作波形图的复位阶段P1、数据写入阶段P2与发光阶段P3。换言之，图3所示的操作波形同样适用于图5所示的电路结构。而且，图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’的工作方式类似于图2所示的(有机发光二极管)像素电路10的工作方式。
在图5所示的实施例中，驱动单元105是在发光阶段P3，反应于储存电容Cst的跨压而产生流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED，且此驱动电流IOLED实质上不受驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))的影响且受电源电压Vdd的影响的程度也得以被有效地降低/减轻/趋缓。换言之，流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED与驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))无关且与电源电压Vdd的关联性很低甚至也可以无关。
更清楚来说，在复位阶段P1，由于仅有复位扫描信号S[n-1]会致能，所以驱动晶体管T1的栅极电压(Vg)会反应于呈现二极管连接的复位晶体管T5的导通而等于复位扫描信号S[n-1]的低电平(VLS[n-1])减去Vth(T5)，即：VLS[n-1]-Vth(T5)。其中，Vth(T5)为复位晶体管T5的临界电压。与此同时，反应于发光致能信号LE的禁能，发光控制晶体管T7会处于截止的状态，从而避免有机发光二极管101有突然亮起的误动作，从而得以维持显示图像的对比；另外，反应于写入扫描信号S[n]的禁能，写入晶体管T3亦会处于截止的状态。
紧接着，在数据写入阶段P2，由于仅有写入扫描信号S[n]会致能，所以写入晶体管T3会处于导通的状态，且呈现二极管连接的漂移补偿晶体管T2亦会导通。在此条件下，数据电压VIN(即，VIN＝Vdd-Vdata，但并不限制于此)会经由写入晶体管T3与呈现二极管连接的漂移补偿晶体管T2而传递至储存电容Cst，从而使得驱动晶体管T1的栅极电压(Vg)等于Vdd-Vdata-Vth(T2)。
由此可知，在数据写入阶段P2，储存电容Cst可以储存与电源电压Vdd相关联的数据电压VIN(Vdd-Vdata)以及漂移补偿晶体管T2的临界电压Vth(T2)的信息。而且，在数据写入阶段P2，反应于复位扫描信号S[n-1]与发光致能信号LE的禁能，复位晶体管T5以及发光控制晶体管T7会同时处于截止的状态，故而有机发光二极管101也不会在数据写入阶段P2发生突然亮起的误动作。
最后，在发光阶段P3，由于仅有发光致能信号LE会致能，所以漂移补偿晶体管T2、写入晶体管T3以及复位晶体管T5皆处于截止的状态，而驱动晶体管T1与发光控制晶体管T7则处于导通的状态。基于此，驱动晶体管T1将反应于储存电容Cst的跨压(cross-voltage)而产生流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED，且此驱动电流IOLED(全然)不受驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))的影响，而且受到电源电压Vdd基于电流电阻电压降(IR Drop)的缘故而改变的影响也可以被有效地减轻。
更清楚来说，在图5所示的电路结构下，驱动晶体管T1在发光阶段P3所产生的驱动电流IOLED可以表示为如下方程式5：
I OLED = 1 2 K × ( Vsg - V th ( T 1 ) ) 2 - - - 5
其中，K为关联于驱动晶体管T1的电流常数。
另外，驱动晶体管T1的源栅极电压(Vsg)也为已知的，亦即：驱动晶体管T1的源极电压(Vs)等于Vdd(即，Vs＝Vdd)；驱动晶体管T1的栅极电压(Vg)等于Vdd-Vdata-Vth(T2)(即，Vg＝Vdd-Vdata-Vth(T2))；以及Vsg＝Vs-Vg＝Vdd-(Vdd-Vdata-Vth(T2))。
显然地，图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’内驱动晶体管T1的源极电压Vs会等于电源电压Vdd的最高电平，例如定义为VHVdd；此外，图5所示的像素电路10’内驱动晶体管T1的栅极电压Vg会等于Vdd-Vdata-Vth(T2)，而其中的“Vdd”为数据电压VIN中表示关联于电源电压Vdd的高电压电平，例如定义为VHVIN。
实际上，由于电源电压Vdd与数据电压VIN(Vdd-Vdata)在电路布线上存有差异，因此VHVdd-VHVIN实质上并不等于零(理想上，应该会等于零)。如此一来，图5所示的驱动晶体管T1所产生的驱动电流IOLED就有可能会受到电源电压Vdd基于电流电阻电压降(IR Drop)的缘故而改变的影响。
然而，若经由适当地布线设计而使得电源电压Vdd的最高电平VHVdd所受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响与数据电压VIN(Vdd-Vdata)中关联于电源电压Vdd的高电压电平VHVIN所受到电阻-电容负载效应(RC Loading)的影响为实质相等的话(即，VHVdd-VHVIN实质上几乎为零，但不以此为限)，则图5所示的驱动晶体管T1所产生的驱动电流IOLED受到电源电压Vdd基于电流电阻电压降(IR Drop)的缘故而改变的影响就可以有效地被减轻。
基于此，以下将先以VHVdd≈VHVIN的情况/条件下来进行说明，因此，在图5所示的(有机发光二极管)像素电路10’处于发光阶段P3时，若将已知的驱动晶体管T1的源栅极电压(Vsg)带入方程式5的话，亦即如下方程式6：
I OLED = 1 2 K × [ VH Vdd - ( VH VIN - Vdata - V th ( T 2 ) ) - V th ( T 1 ) ] 2 - - - 6
则方程式6可以进一步地简化为如下方程式7：
I OLED = 1 2 K × [ ( VH Vdd - VH VIN ) + Vdata + V th ( T 2 ) - V th ( T 1 ) ] 2 - - - 7
然而，若适当地将电源电压Vdd的最高电平VHVdd与数据电压VIN(Vdd-Vdata)中关联于电源电压Vdd的高电压电平VHVIN设计为实质相等的话(即，VHVdd＝VHVIN)，则方程式7可以再进一步地简化为如下方程式8：
I OLED = 1 2 K × ( Vdata + V th ( T 2 ) - V th ( T 1 ) ) 2 - - - 8
由此可知，假设驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))与漂移补偿晶体管T2的临界电压(Vth(T2))为相同的话，即：Vth(T1)＝Vth(T2)，则方程式8可以进一步地简化为如下方程式9：
I OLED = 1 2 K × ( Vdata ) 2 - - - 9
显然地，只要将驱动晶体管T1与漂移补偿晶体管T2布局(layout)在邻近位置，使驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))与漂移补偿晶体管T2的临界电压(Vth(T2))因一致性的结晶状态而相同的话，则图5所示的驱动晶体管T1就可以在发光阶段P3产生实质上不受驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))影响的驱动电流IOLED，且所产生的驱动电流IOLED受到电源电压Vdd基于电流电阻电压降(IR Drop)的缘故而改变的影响也可以有效地被减轻(若考虑VHVdd不等于VHVIN)。甚至，所产生的驱动电流IOLED可以完全不受电源电压Vdd基于电流电阻电压降(IR Drop)的缘故而改变的影响(若考虑VHVdd等于VHVIN)。
换言之，从方程式9可清楚看出，在图5所示的电路结构中，流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED实质上与电源电压Vdd以及驱动晶体管T1的临界电压(Vth(T1))无关，其只与数据电压Vdata有关而已。如此一来，即可补偿薄膜晶体管(TFT)因制程因素所造成的临界电压的变异，并且得以同时补偿电源电压Vdd受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变的问题。显然地，图5所示的电路结构同样可以达到与图2的实施例类似的技术功效。
据此可知，上述实施例所揭示的(有机发光二极管)像素电路10/10’的电路结构为7T1C(亦即7个薄膜晶体管+1个电容，如图2所示)或5T1C(亦即5个薄膜晶体管+1个电容，如图4所示)，且若搭配适当的操作波形(如图3所示)，即可使得流经有机发光二极管101的驱动电流IOLED不会随着电源电压Vdd受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变，而且也不会随着用以驱动有机发光二极管101的驱动晶体管T1的临界电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将可大大地提升所应用的有机发光二极管显示器的发光均匀性表现。
除此之外，任何应用上述实施例的(有机发光二极管)像素电路10/10’在其中的有机发光二极管显示面板及其有机发光二极管显示器，都属于本发明所欲请求保护的范畴。
再者，虽然上述实施例的有机发光二极管像素电路中的各晶体管皆采用P型晶体管来实施，但是本发明并不限制于此。换言之，本领域技术人员可依循上述实施例的内容而类推/推演出有机发光二极管像素电路改采用N型晶体管来实施的变型实施方式，故而在不脱离本发明技术方案的本质和范围内，这些变型的实施方式亦当属于本发明所欲保护的范畴。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种发光元件驱动电路，其特征在于，包括：
一驱动单元，耦接于一电源电压与一发光元件之间，且包含一驱动晶体管，用以在一发光阶段，控制流经该发光元件的一驱动电流；
一数据存储单元，耦接该驱动单元，且包含一漂移补偿晶体管以及耦接于该驱动晶体管与一参考电位之间的一储存电容，用以在一数据写入阶段，通过该储存电容以对一数据电压与关联于该漂移补偿晶体管的临界电压进行储存；以及
一发光控制单元，耦接于该驱动单元与该发光元件之间，用以在该发光阶段，传导来自该驱动单元的该驱动电流到该发光元件，
其中，在该发光阶段，该驱动单元反应于该储存电容的跨压而产生流经该发光元件的该驱动电流，且该驱动电流反应于该漂移补偿晶体管的临界电压的储存而不受该驱动晶体管的临界电压的影响。
2.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该数据存储单元还用以在该数据写入阶段，通过该储存电容来对该电源电压进行储存；
其中，在该发光阶段，反应于该电源电压的储存，该驱动电流还不受该电源电压的影响。
3.根据权利要求2所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极，而该驱动晶体管的源极则耦接至该电源电压；
其中，该数据存储单元还包括：
一写入晶体管，其栅极用以接收一写入扫描信号，其源极用以接收该数据电压，而其漏极则耦接至该储存电容的第二端；
一传输晶体管，其栅极用以接收该写入扫描信号，其源极耦接至该电源电压，而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极；以及
一耦合晶体管，其栅极用以接收一发光致能信号，其源极耦接该储存电容的第二端，而其漏极则耦接至该参考电位；
其中，该数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压，且该数据存储单元还包括：
一复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号，而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。
4.根据权利要求3所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该发光控制单元包括：
一发光控制晶体管，其栅极用以接收该发光致能信号，而其源极则耦接至该驱动晶体管的漏极；
其中，该发光元件的第一端耦接该发光控制晶体管的漏极，而该发光元件的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该驱动晶体管、该漂移补偿晶体管、该写入晶体管、该复位晶体管、该传输晶体管、该耦合晶体管，以及该发光控制晶体管皆为P型晶体管；
其中，该发光元件为一有机发光二极管，且该发光元件的第一端为该有机发光二极管的阳极，而该发光元件的第二端为该有机发光二极管的阴极。
5.根据权利要求4所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该发光元件驱动电路为一有机发光二极管驱动电路，且该有机发光二极管驱动电路先后进入该复位阶段、该数据写入阶段以及该发光阶段；
其中，在该复位阶段，该复位扫描信号为致能，而该写入扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该数据写入阶段，该写入扫描信号为致能，而该复位扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该发光阶段，该发光致能信号为致能，而该复位扫描信号与该写入扫描信号为禁能。
6.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路，其特征在于，在该发光阶段，反应于与该电源电压相关联的该数据电压，该驱动电流受该电源电压的影响的程度得以被减轻。
7.根据权利要求6所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极，该驱动晶体管的源极耦接至该电源电压，而该储存电容的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该数据存储单元还包括：
一写入晶体管，其栅极用以接收一写入扫描信号，其源极用以接收该数据电压，而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极；
其中，该数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压，且该数据存储单元还包括：
一复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号，而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。
8.根据权利要求7所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该发光控制单元包括：
一发光控制晶体管，其栅极用以接收一发光致能信号，而其源极则耦接至该驱动晶体管的漏极；
其中，该发光元件的第一端耦接该发光控制晶体管的漏极，而该发光元件的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该驱动晶体管、该漂移补偿晶体管、该写入晶体管、该复位晶体管，以及该发光控制晶体管皆为P型晶体管；
其中，该发光元件为一有机发光二极管，且该发光元件的第一端为该有机发光二极管的阳极，而该发光元件的第二端为该有机发光二极管的阴极。
9.根据权利要求8所述的发光元件驱动电路，其特征在于，该发光元件驱动电路为一有机发光二极管驱动电路，且该有机发光二极管驱动电路先后进入该复位阶段、该数据写入阶段以及该发光阶段；
其中，在该复位阶段，该复位扫描信号为致能，而该写入扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该数据写入阶段，该写入扫描信号为致能，而该复位扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该发光阶段，该发光致能信号为致能，而该复位扫描信号与该写入扫描信号为禁能。
10.一种像素电路，其特征在于，包括：
一发光元件，用以在一发光阶段，反应在一驱动电流而发光；
一驱动单元，耦接于一电源电压与该发光元件之间，且包含一驱动晶体管，用以在该发光阶段，控制流经该发光元件的该驱动电流；
一数据存储单元，耦接该驱动单元，且包含一漂移补偿晶体管以及耦接于该驱动晶体管与一参考电位之间的一储存电容，用以在一数据写入阶段，通过该储存电容以对一数据电压与关联于该漂移补偿晶体管的临界电压进行储存；以及
一发光控制单元，耦接于该驱动单元与该发光元件之间，用以在该发光阶段，传导来自该驱动单元的该驱动电流至该发光元件；
其中，在该发光阶段，该驱动单元反应于该储存电容的跨压而产生流经该发光元件的该驱动电流，且该驱动电流反应在该漂移补偿晶体管的临界电压的储存而不受该驱动晶体管的临界电压的影响。
11.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，该数据存储单元还用以在该数据写入阶段，通过该储存电容以对该电源电压进行储存；
其中，在该发光阶段，反应于该电源电压的储存，该驱动电流还不受该电源电压的影响。
12.根据权利要求11所述的像素电路，其特征在于，该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极，而该驱动晶体管的源极则耦接至该电源电压；
其中，该数据存储单元还包括：
一写入晶体管，其栅极用以接收一写入扫描信号，其源极用以接收该数据电压，而其漏极则耦接至该储存电容的第二端；
一传输晶体管，其栅极用以接收该写入扫描信号，其源极耦接至该电源电压，而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极；以及
一耦合晶体管，其栅极用以接收一发光致能信号，其源极耦接该储存电容的第二端，而其漏极则耦接至该参考电位；
其中，该数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压，且该数据存储单元还包括：
一复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号，而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。
13.根据权利要求12所述的像素电路，其特征在于，该发光控制单元包括：
一发光控制晶体管，其栅极用以接收该发光致能信号，而其源极则耦接至该驱动晶体管的漏极；
其中，该发光元件的第一端耦接该发光控制晶体管的漏极，而该发光元件的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该驱动晶体管、该漂移补偿晶体管、该写入晶体管、该复位晶体管、该传输晶体管、该耦合晶体管，以及该发光控制晶体管皆为P型晶体管；
其中，该发光元件为一有机发光二极管，且该发光元件的第一端为该有机发光二极管的阳极，而该发光元件的第二端为该有机发光二极管的阴极；
其中，该像素电路为一有机发光二极管像素电路；
其中，该驱动单元、该数据存储单元以及该发光控制单元组成一有机发光二极管驱动电路，且该有机发光二极管驱动电路先后进入该复位阶段、该数据写入阶段以及该发光阶段；
其中，在该复位阶段，该复位扫描信号为致能，而该写入扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该数据写入阶段，该写入扫描信号为致能，而该复位扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该发光阶段，该发光致能信号为致能，而该复位扫描信号与该写入扫描信号为禁能。
14.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，在该发光阶段，反应于与该电源电压相关联的该数据电压，该驱动电流受该电源电压的影响的程度得以被减轻。
15.根据权利要求14所述的像素电路，其特征在于，该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极，该驱动晶体管的源极耦接至该电源电压，而该储存电容的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该数据存储单元还包括：
一写入晶体管，其栅极用以接收一写入扫描信号，其源极用以接收该数据电压，而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极；
其中，该数据存储单元还用以在一复位阶段，反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压，且该数据存储单元还包括：
一复位晶体管，其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号，而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。
16.根据权利要求13所述的像素电路，其特征在于，该发光控制单元包括：
一发光控制晶体管，其栅极用以接收一发光致能信号，而其源极则耦接至该驱动晶体管的漏极；
其中，该发光元件的第一端耦接该发光控制晶体管的漏极，而该发光元件的第二端则耦接至该参考电位；
其中，该驱动晶体管、该漂移补偿晶体管、该写入晶体管、该复位晶体管，以及该发光控制晶体管皆为P型晶体管；
其中该发光元件为一有机发光二极管，且该发光元件的第一端为该有机发光二极管的阳极，而该发光元件的第二端为该有机发光二极管的阴极；
其中，该像素电路为一有机发光二极管像素电路；
其中，该驱动单元、该数据存储单元以及该发光控制单元组成一有机发光二极管驱动电路，且该有机发光二极管驱动电路先后进入该复位阶段、该数据写入阶段以及该发光阶段；
其中，在该复位阶段，该复位扫描信号为致能，而该写入扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该数据写入阶段，该写入扫描信号为致能，而该复位扫描信号与该发光致能信号为禁能；
其中，在该发光阶段，该发光致能信号为致能，而该复位扫描信号与该写入扫描信号为禁能。
17.一种具有根据权利要求13所述的像素电路的有机发光二极管显示面板。
18.一种具有根据权利要求17所述的有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器。
19.一种具有根据权利要求16所述的像素电路的有机发光二极管显示面板。
20.一种具有根据权利要求19所述的有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器。
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