JP2012089878A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にp型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。
【選択図】図1
Description
また、ドーピングされた基板にレーザー処理を行うとチャンバー汚染が生じる恐れがあり、活性化するために専用のレーザー装置、あるいは装置の改造が別途必要となるため、設備コスト増大に繋がってしまう問題が生じる。
を実現し、素子形成基板として低耐熱性のプラスチック基板を用いることを可能とするとともに、工程簡略化とスループットの向上を実現することを課題とする。
は、TFTの作製完了時において、そのままの状態である。即ち、本発明においては、TFTの作製完了時において、不純物元素がドーピングされないチャネル形成領域は主に結晶構造を有し、ソース領域及びドレイン領域は主に非晶質を有している。従来ではソース領域及びドレイン領域を非晶質のままの状態とすることはなく、熱処理やレーザー光などによって再結晶化させていた。
ただし、プラスチック基板を用いた場合、400℃を越える熱処理には耐えられないので、レーザー光の照射により結晶化させることが好ましい。なお、レーザー光の照射により結晶化させる場合には、照射する前に非晶質半導体膜の含有水素量を5atom%以下とする必要があるため、成膜直後の段階で水素濃度が低い成膜方法、あるいは成膜条件とすることが好ましい。
また、この時の加速電圧は1〜20kV程度として行う。なお、ドーピング条件(加速電圧等)を適宜調節することが好ましい。また、ボロンと比較して多く水素が添加するようにドーピング条件(ドーピング処理室の圧力等)を適宜調節とすることが好ましい。
、Ti(チタン)、W(タングステン)、クロム(Cr)等の高融点金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、N型又はP型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Cu(銅)、Al(アルミニウム)等を主成分とする材料層を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
第2層間絶縁膜にはドレイン領域に到達するようにコンタクトホールが形成され、ドレイン領域に接続された画素電極が設けられている。画素電極はEL素子の陰極として機能する電極であり、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜を用いて形成されている。本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。
Claims (1)
- 同一の絶縁表面上に画素部及び駆動回路を含む電気光学装置において、
前記画素部及び駆動回路はpチャネル型TFTで形成され、
前記pチャネル型TFTのチャネル形成領域は、主に結晶構造であり、且つ、前記TFTのソース領域またはドレイン領域は、主に非晶質構造であることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015165164A1 (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
US9685542B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-06-20 | Qualcomm Incorporated | Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films |
US9985139B2 (en) | 2014-11-12 | 2018-05-29 | Qualcomm Incorporated | Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors |
WO2024065110A1 (zh) * | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法、显示面板 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794748A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Sharp Corp | 半導体膜の製造方法 |
JPH07161474A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
JPH07297407A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路 |
JPH08316486A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜半導体素子 |
JPH0918011A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
JPH09289318A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH1098193A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
JPH10189990A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置 |
JPH11103064A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000223716A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2000223715A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法およびアクティブマトリクス基板の作製方法 |
JP2002141359A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61230364A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Casio Comput Co Ltd | 回路基板 |
JPS6293974A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
KR940000143B1 (ko) * | 1991-06-25 | 1994-01-07 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 대형 박막 트랜지스터(TFT) 액정 디스플레이 패널(LCD panel)의 제조방법 |
JPH06125087A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0864549A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sony Corp | イオンドーピング方法及びイオンドーピング装置 |
JPH08330597A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Canon Inc | 半導体基板、半導体装置、及び画像表示装置 |
JP3431741B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2003-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP3865145B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2007-01-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3210568B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法と薄膜トランジスタアレイの製造方法と液晶表示装置の製造方法 |
JPH09260671A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置 |
JPH1093091A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3629939B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器 |
JP4536187B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2010-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3658213B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2005-06-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4531175B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000174123A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000231118A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794748A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Sharp Corp | 半導体膜の製造方法 |
JPH07161474A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
JPH07297407A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路 |
JPH08316486A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜半導体素子 |
JPH0918011A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
JPH09289318A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH1098193A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
JPH10189990A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置 |
JPH11103064A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000223716A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2000223715A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法およびアクティブマトリクス基板の作製方法 |
JP2002141359A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015165164A1 (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
US9882057B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-01-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device |
US9985139B2 (en) | 2014-11-12 | 2018-05-29 | Qualcomm Incorporated | Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors |
US9685542B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-06-20 | Qualcomm Incorporated | Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films |
WO2024065110A1 (zh) * | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法、显示面板 |
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