JP2006343734A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。
【選択図】図1
Description
上記構成において、前記第2の電極と、前記第3の電極と、前記発光層とが重なる箇所で発光素子を構成することを特徴の一つとしている。
本実施の形態では、ダミー部材を設けることによって、ダミー部材上方に設ける絶縁層が部分的に薄くなる箇所の形成を防止する例を図1(A)及び図1(B)を用いて説明する。
本実施の形態では、上方配線の端部と下方配線の端部を一致させないように各配線を設ける例を図2(A)、図2(B)、及び図3を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1と実施の形態2とを組み合わせた画素構成について図4を用いて説明する。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置の作製方法について、図5、図6、及び図7を用いて以下に説明する。
ここでは、図8を用いて、発光表示パネルにFPCや、駆動用の駆動ICを実装する例について説明する。
本発明の半導体装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータなどのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図9および図10に示す。
11 第1の絶縁層
12 第1の配線
13 第2の配線
14 金属層
15 第2の絶縁層
16 第3の絶縁層
17a チタン層
17b アルミニウム層
18 第4の絶縁層
20 ガラス基板
21 ゲートメタル層
22 第1の絶縁層
23a 第1のチタン膜
23b アルミニウム膜
23c 第2のチタン膜
24 第2の絶縁層
25 上部電極
31 第2の配線
32 第2の配線
33 電極
34 電極
41 第1の配線
42 第1の配線
50 第1の電極層
51 薄膜トランジスタ
52 薄膜トランジスタ
53 ゲート配線層
54 ソース配線層又はドレイン配線層
55 電源線
56a 導電層
56b 導電層
56c 導電層
56d 導電層
57 導電層
58 ソース電極層又はドレイン電極層
60 ガラス基板
61 ゲートメタル層
62 第1の絶縁層
63a 第1のチタン膜
63b アルミニウム膜
63c 第2のチタン膜
64 第2の絶縁層
65 上部電極
610 基板
611 下地絶縁膜
612 半導体層
613 絶縁膜
614a 第1の導電層
614b 第2の導電層
614c 第3の導電層
615a 第1の導電層
615b 第2の導電層
615c 第3の導電層
616 マスク
617 タングステンを含む薄い膜
618 第1の不純物領域
619 マスク
620a 第2の不純物領域
620b 第3の不純物領域
621 マスク
622 第4の不純物領域
623 第1の電極
624 有機化合物を含む層
625 第2の電極
626 保護層
627 充填材
628 シール材
629 絶縁物
631 異方性導電膜
632 FPC
636 nチャネル型TFT
637 pチャネル型TFT
638 nチャネル型TFT
639 pチャネル型TFT
640a 水素を含む絶縁膜
640b 無機絶縁膜
641 電極
642 電極
643 電極
644 電極
645 電極
646 電極
647 電極
900 携帯電話機
901 本体(A)
902 本体(B)
903 筐体
904 操作スイッチ類
905 マイクロフォン
906 スピーカ
907 回路基板
908 表示パネル(A)
909 表示パネル(B)
910 蝶番
1201 ソース側駆動回路
1202 画素部
1203 ゲート側駆動回路
1204 封止基板
1205 シール材
1207 接続領域
1208 端子部
1209 FPC
1210 基板
1301 駆動IC
1302 画素部
1304 封止基板
1305 シール材
1307 接続領域
1308 端子部
1309 FPC
1901 筐体
1902 支持台
1903 表示部
1904 スピーカ
1905 ビデオ入力端子
2101 本体
2102 表示部
2104 操作キー
2106 シャッター
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2401 本体
2402 筐体
2403 表示部A
2404 表示部B
2405 記録媒体読込部
2406 操作キー
2407 スピーカー部
Claims (16)
- 絶縁表面上に第1の配線、第2の配線、及び金属層と、
前記第1の配線、前記第2の配線、及び前記金属層を覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に前記第2の配線と接続する電極と、
前記第1の絶縁層、前記電極、前記金属層、前記第1の配線、及び前記第2の配線を覆う第2の絶縁層とを有し、
前記金属層および前記第2の配線は、前記第1の配線と同じ材料であり、
前記電極は、前記金属層と前記第1の配線との間に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記第2の絶縁層は開口を有し、前記金属層の位置は、前記第2の絶縁層の開口の周縁と前記電極の間に配置することを特徴とする半導体装置。
- 絶縁表面上に第1の配線、第2の配線、及び金属層と、
前記第1の配線、前記第2の配線、及び前記金属層を覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に前記第2の配線と接続する第1の電極と、
前記第1の絶縁層上に第2の電極と、
前記第1の絶縁層、前記第1の電極、前記金属層、前記第1の配線、及び前記第2の配線を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の電極上に発光層と、
前記発光層上に第3の電極とを有し、
前記第2の電極と、前記第3の電極と、前記発光層とが重なる箇所で発光素子を構成することを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、前記第2の絶縁層は、前記第2の電極の周縁部を覆う隔壁であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3または請求項4において、前記第2の絶縁層は開口を有し、前記金属層の位置は、前記第2の絶縁層の開口周縁と前記第1の電極の間に配置することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記半導体装置は、前記第1の配線をゲート電極とする薄膜トランジスタを有しており、前記第1の配線は、前記金属層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記半導体装置は、前記第1の配線をゲート電極とする第1の薄膜トランジスタと、
前記第2の配線をゲート電極とする第2の薄膜トランジスタとを有し、
前記第1の配線及び前記第2の配線は、前記金属層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、前記金属層は、電気的にフローティング状態であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁表面上に第1の配線、及び第2の配線と、
前記第1の配線、及び前記第2の配線を覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に前記第2の配線と接続する第1の電極、電気的にフローティング状態である金属層と、第2の電極と、
前記第1の絶縁層、前記第1の電極、前記金属層、前記第1の配線、及び前記第2の配線を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の電極上に発光層と、
前記発光層上に第3の電極とを有し、
前記第2の配線は、前記第1の配線と同じ材料であり、
前記金属層は、前記第1の電極と同じ材料であり、
前記第1の電極は、前記金属層と前記第1の配線との間に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9において、前記第2の電極と、前記第3の電極と、前記発光層とが重なる箇所で発光素子を構成することを特徴とする半導体装置。
- 請求項9または請求項10において、前記第2の絶縁層は、前記第2の電極の周縁部を覆う隔壁であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9乃至11のいずれか一において、前記第2の絶縁層は開口を有し、前記金属層の位置は、前記第2の絶縁層の開口の周縁と前記第1の電極の間に配置することを特徴とする半導体装置。
- 請求項9乃至12のいずれか一において、前記半導体装置は、さらに前記第1の配線をゲート電極とする第1の薄膜トランジスタと、
前記第2の配線をゲート電極とする第2の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3乃至13のいずれか一において、前記発光層は有機化合物または無機化合物からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至14のいずれか一において、前記第2の絶縁層は、溶媒を含み、且つ、粘度が10cp以上60cp以下の材料を用いた塗布法により形成することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至15のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする半導体装置。
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