CN102682706B - 一种amoled像素驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种AMOLED像素驱动电路。该电路采用7个P型薄膜晶体管和1个电容搭建，具备4个信号输入线，分别为第一扫描信号线、第二扫描信号线、数据信号线和控制信号线，通过对4个输入信号的控制，可实现在驱动AMOLED的过程中补偿阀值电压Vth和外部输入电压Vdd。本发明的有益效果为，实现对AMOLED驱动电路同时补偿阀值电压Vth和外部输入电源电压Vdd，能够十分有效的提高AMOLED显示效果。本发明尤其适用于AMOLED像素驱动电路。

Description

一种AMOLED像素驱动电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种AMOLED像素驱动电路。
背景技术
AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）被称为下一代显示技术，目前的AMOLED像素驱动电路如图1所示：包括有机发光二极管、电容C、第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3、第四晶体管TFT4、第五晶体管TFT5和第六晶体管PTFT；其中，第一晶体管TFT1的栅极连接第一扫描信号线、源极连接数据信号线、漏极连接电容C的一端和第二晶体管TFT2的源极，第二晶体管TFT2的栅极连接第二扫描信号线，第三晶体管TFT3的栅极连接第一扫描信号线、源极连接第四晶体管TFT4的漏极和第六晶体管PTFT的源极、漏极连接电容C的另一端和第六晶体管PTFT的栅极，第五晶体管TFT5的源极连接第六晶体管PTFT的漏极和有机发光二极管的正极、栅极连接第一扫描信号线，第四晶体管TFT4的源极连接电源正极Vdd，第二晶体管TFT2的漏极、第五晶体管TFT5的漏极和有机发光二极管的负极均连接电源负极Vss。
如图2所示，目前的AMOLED像素驱动电路具体工作原理为：在第一扫描信号线、第二扫描信号线和数据信号线输入T(1)阶段，第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4都导通，此时电容C充电，A点电压将接近Vdd；在T（2）阶段，第一晶体管TFT1、第三晶体管TFT3和第五晶体管TFT5导通，第二晶体管TFT2和第四晶体管TFT4截止，此时A点电压将通过第三晶体管TFT3、第六晶体管TFT6和第五晶体管TFT5放电，电压变为晶体管的阀值电压Vth（阀值电压Vth是指晶体管导通时所需要的栅极对源极的偏置电压），B点电压维持为数据信号线电压Vdata；在T（3）阶段，第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3、第四晶体管TFT4和第五晶体管TFT5全部截止，此阶段A、B两点电压保持不变；在T（4）阶段，第一晶体管TFT1、第三晶体管TFT3和第五晶体管TFT5截止，第二晶体管TFT2和第四晶体管TFT4导通，此时有机发光二极管发光，B点电压变为0，A点电压跳变至Vth+|Vdata|，从而实现阀值电压Vth的补偿。目前的AMOLED像素驱动电路虽然实现了阀值电压Vth的补偿，但是电源电压Vdd随着走线而会有电压的损失，使得每个像素的Vth和Vdd大小不一致，造成AMOLED显示品质的下降。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，就是针对现有AMOLED像素驱动电路的不足，提出一种可同时实现补偿阀值电压Vth和电源电压Vdd的驱动电路，提高AMOLED屏显示品质。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种AMOLED像素驱动电路，包括：有机发光二极管、电容、第一P型薄膜晶体管、第二P型薄膜晶体管、第三P型薄膜晶体管、第四P型薄膜晶体管、第五P型薄膜晶体管、第六P型薄膜晶体管和第七P型薄膜晶体管；
第一P型薄膜晶体管的栅极连接第一扫描信号线、源极与第四P型薄膜晶体管的漏极和电容的一端连接，第二P型薄膜晶体管的源极连接数据信号线、漏极与第三P型薄膜晶体管的源极连接、栅极与第三P型薄膜晶体管的漏极以及第六P型薄膜晶体管的栅极和电容的另一端连接，第三P型薄膜晶体管的栅极连接第二扫描信号线，第四P型薄膜晶体管和第五P型薄膜晶体管的栅极连接控制信号线，第四P型薄膜晶体管的源极与第五P型薄膜晶体管的漏极和第六P型薄膜晶体管的源极连接，第七P型薄膜晶体管的栅极连接第一扫描信号线、源极连接电容的另一端，第六P型薄膜晶体管的漏极与有机发光二极管的正极连接，第一P型薄膜晶体管的漏极、第七P型薄膜晶体管的源极和有机发光二极管的负极均与电源负极连接，第五P型薄膜晶体管的源极与电源正极连接，第二P型薄膜晶体管和第六P型薄膜晶体管具有相等的阀值电压。
本发明的有益效果为，实现对AMOLED驱动电路同时补偿阀值电压Vth和外部输入电源电压Vdd，能够十分有效的提高AMOLED显示效果。
附图说明
图1为传统的AMOLED像素驱动电路示意图；
图2为传统的AMOLED像素驱动电路工作原理示意图；
图3为本发明的AMOLED像素驱动电路示意图；
图4为本发明的AMOLED像素驱动电路工作原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的描述。
本发明针对传统技术的不足，提出一种新型的AMOLED像素驱动电路，提高AMOLED面板的显示品质。相对于传统技术，其改进点在于：全部采用P型薄膜晶体管，使整个电路更加稳定；采用匹配DTFT的方法，实现同时补偿阀值电压Vth和外部输入电压Vdd，从而有效提高AMOLED的显示效果。
如图3所示，本发明中的AMOLED像素驱动电路，包括有机发光二极管OLED、电容C、第一P型薄膜晶体管PTFT1、第二P型薄膜晶体管PTFT2、第三P型薄膜晶体管PTFT3、第四P型薄膜晶体管PTFT4、第五P型薄膜晶体管PTFT5和第六P型薄膜晶体管PTFT6；第一P型薄膜晶体管PTFT1的栅极连接第一扫描信号线、源极与第四P型薄膜晶体管PTFT4的漏极和电容C的一端连接，第二P型薄膜晶体管PTFT2的源极连接数据信号线、漏极与第三P型薄膜晶体管PTFT3的源极连接、栅极与第三P型薄膜晶体管PTFT3的漏极以及第六P型薄膜晶体管PTFT6的栅极和电容C的另一端连接，第三P型薄膜晶体管PTFT3的栅极连接第二扫描信号线，第四P型薄膜晶体管PTFT4和第五P型薄膜晶体管PTFT5的栅极连接控制信号线，第四P型薄膜晶体管PTFT4的源极与第五P型薄膜晶体管PTFT5的漏极和第六P型薄膜晶体管PTFT6的源极连接，第七P型薄膜晶体管PTFT7的栅极连接第一扫描信号线、源极连接电容C的另一端，第六P型薄膜晶体管PTFT6的漏极与有机发光二极管OLED的正极连接，第一P型薄膜晶体管PTFT1的漏极、第七P型薄膜晶体管PTFT7的源极和有机发光二极管OLED的负极均与电源负极VSS连接，第五P型薄膜晶体管PTFT5的源极与电源正极VDD连接。
其中第二P型薄膜晶体管PTFT2和第六P型薄膜晶体管PTFT6的参数相互匹配，具有相等的阀值电压，在实际电路中它们的制作位置紧邻。
下面结合附图4详细说明本发明的工作原理：在时序周期T（1）阶段，第一扫描信号线为低电平、第二扫描信号线为高电平、数据信号线为低电平以及控制信号线为高电平，此时第一P型薄膜晶体管PTFT1和第七P型薄膜晶体管PTFT7导通，第三P型薄膜晶体管PTFT3、第四P型薄膜晶体管PTFT4和第五P型薄膜晶体管PTFT5截止，电容C的两顿均直接与电压负极连通，因此电容C的B端电压和A端电压均为0；在T（2）阶段，第一扫描信号线为高电平、第二扫描信号线为低电平、数据信号线为高电平以及控制信号线为高电平，此时第一P型薄膜晶体管PTFT1和第七P型薄膜晶体管PTFT7截止，第二P型薄膜晶体管PTFT2、第三P型薄膜晶体管PTFT3导通，第四P型薄膜晶体管PTFT4和第五P型薄膜晶体管PTFT5截止，此时Vdata通过第二P型薄膜晶体管PTFT2和第三P型薄膜晶体管PTFT3对电容C输入电压，电容C的A端电压为：Va=Vdata+Vth；在T（3）阶段，第一扫描信号线为高电平、第二扫描信号线为高电平、数据信号线为低电平以及控制信号线为低电平，此时第一P型薄膜晶体管PTFT1、第三P型薄膜晶体管PTFT3和第七P型薄膜晶体管PTFT7截止，第二P型薄膜晶体管PTFT2、第四P型薄膜晶体管PTFT4、第五P型薄膜晶体管PTFT5和第六P型薄膜晶体管PTFT6导通，此时电容C与电源电压正极VDD连通，电源正极VDD通过第四P型薄膜晶体管PTFT4和第五P型薄膜晶体管PTFT5对电容C充电，电容C的B端的电压跳变量为VDD，电容C的A端随之电压跳变量为VDD，电容C的A端电压控制通过第六P型薄膜晶体管PTFT6驱动OLED发光的电流，此时电容C的A端电压为Va=Vdata+Vth+Vdd，因为第二P型薄膜晶体管PTFT2和第六P型薄膜晶体管PTFT6互为匹配管，它们的阀值电压Vth相等，对第六P型薄膜晶体管PTFT6有Vgs-Vth=Vdata（Vgs为PTFT的栅极和源极之间的电压），从而消除了阀值电压Vth和电源电压Vdd对OLED的影响，根据流经OLED电流公式I=K（Vgs-Vth）2可知，实现对阀值电压Vth和电源电压Vdd的同时补偿后电流I将比较稳定，从而有效提高AMOLED显示品质。

Claims (1)

1.一种AMOLED像素驱动电路，包括：有机发光二极管、电容、第一P型薄膜晶体管、第二P型薄膜晶体管、第三P型薄膜晶体管、第四P型薄膜晶体管、第五P型薄膜晶体管、第六P型薄膜晶体管和第七P型薄膜晶体管；
第一P型薄膜晶体管的栅极连接第一扫描信号线、源极与第四P型薄膜晶体管的漏极和电容的一端连接，第二P型薄膜晶体管的源极连接数据信号线、漏极与第三P型薄膜晶体管的源极连接、栅极与第三P型薄膜晶体管的漏极以及第六P型薄膜晶体管的栅极和电容的另一端连接，第三P型薄膜晶体管的栅极连接第二扫描信号线，第四P型薄膜晶体管和第五P型薄膜晶体管的栅极连接控制信号线，第四P型薄膜晶体管的源极与第五P型薄膜晶体管的漏极和第六P型薄膜晶体管的源极连接，第七P型薄膜晶体管的栅极连接第一扫描信号线、源极连接电容的另一端，第六P型薄膜晶体管的漏极与有机发光二极管的正极连接，第一P型薄膜晶体管的漏极、第七P型薄膜晶体管的漏极和有机发光二极管的负极均与电源负极连接，第五P型薄膜晶体管的源极与电源正极连接，第二P型薄膜晶体管和第六P型薄膜晶体管具有相等的阀值电压。
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