TW201345601A - 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 272
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002699 waste material Substances 0.000 title claims description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 49
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 title description 12
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims abstract description 114
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000010793 electronic waste Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 337
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 132
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 60
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 53
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 52
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 18
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 13
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 12
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 21
- 239000000306 component Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 80
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 79
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 description 66
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 50
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 45
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 43
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 41
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 38
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 35
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 33
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 32
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 31
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 24
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 23
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 23
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 description 21
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 17
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 9
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 8
- 239000006078 metal deactivator Substances 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 7
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 description 7
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 description 7
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 6
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 6
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 5
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 5
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 5
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 5
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 108010038204 cytoplasmic linker protein 190 Proteins 0.000 description 4
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 4
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 3
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L sodium disulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)S([O-])(=O)=O HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 3
- 229940001584 sodium metabisulfite Drugs 0.000 description 3
- 235000010262 sodium metabisulphite Nutrition 0.000 description 3
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-1-amine Chemical compound NN1C=NC=N1 NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound NN1C=NN=C1 FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNUKEKVIHNLAMU-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1O UNUKEKVIHNLAMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCLXQTGLKVQKFD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZCLXQTGLKVQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 5-methyltriazol-1-amine Chemical compound CC1=CN=NN1N HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 5-propan-2-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound CC(C)C=1N=CNN=1 AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 2
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L Calcium iodide Chemical compound [Ca+2].[I-].[I-] UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 2
- OIRDTQYFTABQOQ-KQYNXXCUSA-N adenosine Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H]1O OIRDTQYFTABQOQ-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- KQAZVFVOEIRWHN-UHFFFAOYSA-N alpha-thujene Natural products CC1=CCC2(C(C)C)C1C2 KQAZVFVOEIRWHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N beta-myrcene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C=C UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 229910001640 calcium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940046413 calcium iodide Drugs 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N cyanic acid Chemical compound OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CNC IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REZZEXDLIUJMMS-UHFFFAOYSA-M dimethyldioctadecylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC REZZEXDLIUJMMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000006735 epoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009291 froth flotation Methods 0.000 description 2
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 238000009854 hydrometallurgy Methods 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N linalool Chemical compound CC(C)=CCCC(C)(O)C=C CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004839 potassium iodide Drugs 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K potassium phosphate Substances [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- NDVASEGYNIMXJL-UHFFFAOYSA-N sabinene Chemical compound C=C1CCC2(C(C)C)C1C2 NDVASEGYNIMXJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229940083599 sodium iodide Drugs 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 2
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 2
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003760 tallow Substances 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N triazol-1-amine Chemical compound NN1C=CN=N1 MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003627 tricarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N (+)-Neomenthol Chemical compound CC(C)[C@@H]1CC[C@@H](C)C[C@@H]1O NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N 0.000 description 1
- NDVASEGYNIMXJL-NXEZZACHSA-N (+)-sabinene Natural products C=C1CC[C@@]2(C(C)C)[C@@H]1C2 NDVASEGYNIMXJL-NXEZZACHSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 239000001490 (3R)-3,7-dimethylocta-1,6-dien-3-ol Substances 0.000 description 1
- VXLFMCZPFIKKDZ-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)thiourea Chemical compound CC1=CC=C(NC(N)=S)C=C1 VXLFMCZPFIKKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N (4E,6E)-2,6-dimethylocta-2,4,6-triene Chemical compound C\C=C(/C)\C=C\C=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- CDOSHBSSFJOMGT-JTQLQIEISA-N (R)-linalool Natural products CC(C)=CCC[C@@](C)(O)C=C CDOSHBSSFJOMGT-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHBZRQXIRAEMRO-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetramethylhydrazine Chemical compound CN(C)N(C)C DHBZRQXIRAEMRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trinitro-2-(2,4,6-trinitrophenyl)-4-[2,4,6-trinitro-3-(2,4,6-trinitrophenyl)phenyl]benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C(C=2C(=C(C=3C(=CC(=CC=3[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=CC=2[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 1,4-dihydroimidazole-5-thione Chemical compound S=C1CN=CN1 NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole Chemical compound SC1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004066 1-hydroxyethyl group Chemical group [H]OC([H])([*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SNUSZUYTMHKCPM-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyridin-2-one Chemical compound ON1C=CC=CC1=O SNUSZUYTMHKCPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001169 1-methyl-4-propan-2-ylcyclohexa-1,4-diene Substances 0.000 description 1
- JMVIVASFFKKFQK-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1C1=CC=CC=C1 JMVIVASFFKKFQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 138-42-1 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKRCUUPMCASSBN-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylbutanedioic acid Chemical compound CCC(CC)(C(O)=O)CC(O)=O WKRCUUPMCASSBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BTUDGPVTCYNYLK-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylglutaric acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)CCC(O)=O BTUDGPVTCYNYLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLIDQZXQFBZZRI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=C(O)C(O)=C1O RLIDQZXQFBZZRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUESGWAQQFPVIF-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1O RUESGWAQQFPVIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQSNOBRLEUDOAF-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1O IQSNOBRLEUDOAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIRNCHUTYHSUSR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1 NIRNCHUTYHSUSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFTZGWMGKJYBL-UHFFFAOYSA-N 2,3,6-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1O APFTZGWMGKJYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGEHFOSBNBEWMP-UHFFFAOYSA-N 2,3-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1N UGEHFOSBNBEWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1O VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJLCMPSREKXGAK-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1OC XJLCMPSREKXGAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IORISFYTXJVNFE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O IORISFYTXJVNFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTONEBGRZQYUKQ-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C=C1O UTONEBGRZQYUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGRLXPDNBRDFQX-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC(N)=C(S(O)(=O)=O)C(N)=C1 MGRLXPDNBRDFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLYIGXJCYFBIJB-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1 JLYIGXJCYFBIJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBNEJHMNWQEBM-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC(OC)=C(S(O)(=O)=O)C(OC)=C1 RTBNEJHMNWQEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHJVRSWLHSJWIN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O NHJVRSWLHSJWIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVMSQRAXNZPDHF-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(N)=C1 JVMSQRAXNZPDHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPULXEIKKFAUAW-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1 GPULXEIKKFAUAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHMCVPMYLSOJH-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(OC)=C1 ZPHMCVPMYLSOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWGBNENHEGYJSN-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitrobenzenesulfonic acid;hydrate Chemical compound O.OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O GWGBNENHEGYJSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEAHMJLHQCESBZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(N)C(S(O)(=O)=O)=C1 HEAHMJLHQCESBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKQCSJBQLWJEPU-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1 IKQCSJBQLWJEPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKPVMVVSUJOBHF-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(OC)C(S(O)(=O)=O)=C1 YKPVMVVSUJOBHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHEZBDZMYYAOKR-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC=C1[N+]([O-])=O DHEZBDZMYYAOKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSZGXYFZPBCFSP-UHFFFAOYSA-N 2,6-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1S(O)(=O)=O HSZGXYFZPBCFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZJVDYQPZOHNIK-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1S(O)(=O)=O ZZJVDYQPZOHNIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVBBSZGKRJZXOY-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1S(O)(=O)=O YVBBSZGKRJZXOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIBYVYTYCPNJJO-UHFFFAOYSA-N 2,6-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O JIBYVYTYCPNJJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)CO MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGDAWAQEKLURQI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethanol;hydrate Chemical compound O.OCCOCCO UGDAWAQEKLURQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZUMVFMLJGSMRF-UHFFFAOYSA-N 2-Methyladipic acid Chemical compound OC(=O)C(C)CCCC(O)=O JZUMVFMLJGSMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 2-[(1s)-1,2-dihydroxyethyl]-3,4-dihydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound OC[C@H](O)C1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 0.000 description 1
- QDCPNGVVOWVKJG-VAWYXSNFSA-N 2-[(e)-dodec-1-enyl]butanedioic acid Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C\C(C(O)=O)CC(O)=O QDCPNGVVOWVKJG-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)COC(C)CO FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVMAGJJPTALGQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(carboxymethoxy)phenoxy]acetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=CC(OCC(O)=O)=C1 ZVMAGJJPTALGQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXOCFKTVLHUMU-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(carboxymethoxy)phenoxy]acetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(OCC(O)=O)C=C1 DNXOCFKTVLHUMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VASZYFIKPKYGNC-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O VASZYFIKPKYGNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWIAAIUASRVOIA-UHFFFAOYSA-N 2-aminonaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(N)=CC=C21 GWIAAIUASRVOIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIPUXXIFQQMKN-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-3-(4-cyanophenyl)propanoate Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=C(C#N)C=C1 KWIPUXXIFQQMKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTIFKKWVNGEOBU-UHFFFAOYSA-N 2-hexadecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O CTIFKKWVNGEOBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYSFRXFRWRDPIJ-UHFFFAOYSA-N 2-hexylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O SYSFRXFRWRDPIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGBQUMZTGSQNAO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(O)=CC=C21 SGBQUMZTGSQNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQBAMYDJEQUGNV-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O FQBAMYDJEQUGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGIVXKVLORRHQX-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-1-ene-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)=CS(O)(=O)=O BGIVXKVLORRHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPFCHJIUEHHION-UHFFFAOYSA-N 2-nitronaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C([N+]([O-])=O)C=CC2=C1 WPFCHJIUEHHION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWHHBVWZZLQUIH-UHFFFAOYSA-N 2-octylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O QWHHBVWZZLQUIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXSFEGIHWMAOD-UHFFFAOYSA-N 2-tridecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O PVXSFEGIHWMAOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMRCTEPOPAZMMN-UHFFFAOYSA-N 2-undecylpropanedioic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(C(O)=O)C(O)=O WMRCTEPOPAZMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCNCOKVOWKMRGJ-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=CC(O)=C1O VCNCOKVOWKMRGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNDXVWOTBGFGPJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-diphenylphthalic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZNDXVWOTBGFGPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWDWUHBMOIGOA-UHFFFAOYSA-N 3,5-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 NSWDWUHBMOIGOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYBQHRJTFDLLFL-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 KYBQHRJTFDLLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUKPOIIHWMIVTJ-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 XUKPOIIHWMIVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWSNVFJCKKXKRE-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 JWSNVFJCKKXKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOHOVCGREXOMGH-UHFFFAOYSA-N 3-aminonaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 QOHOVCGREXOMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDZWHCZLBLCDFR-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 CDZWHCZLBLCDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEUHJXHNSYNMHS-UHFFFAOYSA-N 3-nitronaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC([N+]([O-])=O)=CC2=C1 UEUHJXHNSYNMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDTHXSLCACXSKA-UHFFFAOYSA-N 3-tetradecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 UDTHXSLCACXSKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenoxy)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTDMBRAUHKUOON-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 VTDMBRAUHKUOON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWYVYUZADLIDEY-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 IWYVYUZADLIDEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CN1C=NN=C1S AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCDCOJNNUVYFKJ-UHFFFAOYSA-N 4-undecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 UCDCOJNNUVYFKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQXPLXQHKFSMJC-UHFFFAOYSA-N 5-(9H-fluoren-1-yl)-1H-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound NC1=NNC(=N1)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2 OQXPLXQHKFSMJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 5-(benzotriazol-2-yl)pentan-1-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NN(CCCCCN)N=C21 YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfonyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(S(=O)(=O)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound NC1=NN=C(S)S1 GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C([N+](=O)[O-])C=CC2=NNN=C21 AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=NNN=C2C=C1 WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHZPKMZKYBQGKG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-2,4,6-tris(trifluoromethyl)oxane-2,4-diol Chemical compound FC(F)(F)C1(C)CC(O)(C(F)(F)F)CC(O)(C(F)(F)F)O1 ZHZPKMZKYBQGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCO PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 80-82-0 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 98-47-5 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N Ammonium sulfamate Chemical compound [NH4+].NS([O-])(=O)=O GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- 241000430525 Aurinia saxatilis Species 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXNNSWYDFRWCBQ-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.P(O)(O)=O Chemical compound C(C)(=O)O.P(O)(O)=O YXNNSWYDFRWCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIXQCXPRYPHFJ-UHFFFAOYSA-N C(CCC)(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O.P(O)(O)=O Chemical compound C(CCC)(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O.P(O)(O)=O XZIXQCXPRYPHFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002126 C01EB10 - Adenosine Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N D-isoascorbic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N 0.000 description 1
- NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N DL-menthol Natural products CC(C)C1CCC(C)CC1O NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical class CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWEOZPDEUNXOQO-UHFFFAOYSA-M FC(CCCCCCC)S(=O)(=O)[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCC.C(C)[N+](CC)(CC)CC Chemical compound FC(CCCCCCC)S(=O)(=O)[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCC.C(C)[N+](CC)(CC)CC IWEOZPDEUNXOQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004440 Isodecyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000000249 Morus alba Species 0.000 description 1
- 235000008708 Morus alba Nutrition 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N N-Octyl-2-pyrrolidone Chemical compound CCCCCCCCN1CCCC1=O WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NESWUFFSSGAALZ-UHFFFAOYSA-N N-decyl-10,10-dimethylundecan-1-amine Chemical compound CC(CCCCCCCCCNCCCCCCCCCC)(C)C NESWUFFSSGAALZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCEOSZQSKNDLSA-UHFFFAOYSA-N N.[I+] Chemical compound N.[I+] UCEOSZQSKNDLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBASYWOABBGWNL-UHFFFAOYSA-N NN.S1CCCC1 Chemical compound NN.S1CCCC1 DBASYWOABBGWNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N Pentrazole Chemical compound C1CCCCC2=NN=NN21 CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002009 Pluronic® 31R1 Polymers 0.000 description 1
- RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N Poloxamer Chemical compound C1CO1.CC1CO1 RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N Sorbitan monooleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N 0.000 description 1
- VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M Stearyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPMWEFXCIYCJSA-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol monododecyl ether Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCOCCOCCOCCO WPMWEFXCIYCJSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002359 Tetronic® Polymers 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical class [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZAMXGXTOIBCSQ-UHFFFAOYSA-N [3-(3-heptan-4-ylphenyl)-3-hydroxypropyl]-dimethylazanium propane-1-sulfonate Chemical compound C(CC)S(=O)(=O)[O-].CCCC(CCC)C=1C=C(C=CC1)C(CC[NH+](C)C)O KZAMXGXTOIBCSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAVSBTRWFAEYSZ-UHFFFAOYSA-N [Br-].[SH3+].[NH4+].[Br-] Chemical compound [Br-].[SH3+].[NH4+].[Br-] QAVSBTRWFAEYSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229960005305 adenosine Drugs 0.000 description 1
- UDMBCSSLTHHNCD-KQYNXXCUSA-N adenosine 5'-monophosphate Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](COP(O)(O)=O)[C@@H](O)[C@H]1O UDMBCSSLTHHNCD-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005211 alkyl trimethyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004716 alpha keto acids Chemical class 0.000 description 1
- VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N alpha-myrcene Natural products CC(=C)CCCC(=C)C=C VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940093740 amino acid and derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940090948 ammonium benzoate Drugs 0.000 description 1
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 description 1
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 description 1
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- KBKZYWOOZPIUJT-UHFFFAOYSA-N azane;hypochlorous acid Chemical compound N.ClO KBKZYWOOZPIUJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNYOPLTXPVRDBG-UHFFFAOYSA-N barbituric acid Chemical compound O=C1CC(=O)NC(=O)N1 HNYOPLTXPVRDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000008107 benzenesulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M benzethonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1OCCOCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001950 benzethonium chloride Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- SXPWTBGAZSPLHA-UHFFFAOYSA-M cetalkonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 SXPWTBGAZSPLHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000228 cetalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- 229960004830 cetylpyridinium Drugs 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- YYEAHKWERFGUKU-UHFFFAOYSA-N chloromethylbenzene;n,n-dimethyldodecan-1-amine Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCCN(C)C YYEAHKWERFGUKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N cis-alloocimene Natural products CC=C(C)C=CC=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N cyclohexylsulfamic acid Chemical compound OS(=O)(=O)NC1CCCCC1 HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNGJOYPCXLOTKL-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)C1 LNGJOYPCXLOTKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N decyl-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical compound CCCCCCCCCCP(O)(O)=O DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002761 deinking Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008121 dextrose Substances 0.000 description 1
- SEGLCEQVOFDUPX-UHFFFAOYSA-N di-(2-ethylhexyl)phosphoric acid Chemical compound CCCCC(CC)COP(O)(=O)OCC(CC)CCCC SEGLCEQVOFDUPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N diazanium;oxido sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]OS([O-])(=O)=O LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical class [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRWMGCFJVKDVMD-UHFFFAOYSA-M didodecyl(dimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCC XRWMGCFJVKDVMD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- VIXPKJNAOIWFMW-UHFFFAOYSA-M dihexadecyl(dimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCC VIXPKJNAOIWFMW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXGNZZKBCMGWAZ-UHFFFAOYSA-N dimethylformamide dmf Chemical compound CN(C)C=O.CN(C)C=O UXGNZZKBCMGWAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N dimethylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)C(O)=O OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019797 dipotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000396 dipotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042400 direct acting antivirals phosphonic acid derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- RZMWTGFSAMRLQH-UHFFFAOYSA-L disodium;2,2-dihexyl-3-sulfobutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCC(C([O-])=O)(C(C([O-])=O)S(O)(=O)=O)CCCCCC RZMWTGFSAMRLQH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004659 dithiocarbamates Chemical class 0.000 description 1
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N dodecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 235000010350 erythorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JVHJRIQPDBCRRE-UHFFFAOYSA-N ethyl 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JVHJRIQPDBCRRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical class C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N gallotannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940094952 green tea extract Drugs 0.000 description 1
- 235000020688 green tea extract Nutrition 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229960004198 guanidine Drugs 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- MZMRZONIDDFOGF-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C MZMRZONIDDFOGF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDPSFRXPDJVJMV-UHFFFAOYSA-N hexadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O JDPSFRXPDJVJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N hydroxybenzotriazole Substances O=C1C=CC=C2NNN=C12 NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940026239 isoascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005772 leucine Nutrition 0.000 description 1
- 229930007744 linalool Natural products 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229940041616 menthol Drugs 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHMIAJWIZXWVIN-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2,3,3-trimethylbutan-2-amine Chemical compound CCNC(C)(C)C(C)(C)C IHMIAJWIZXWVIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABMFBCRYHDZLRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=C(C(O)=O)C2=C1 ABMFBCRYHDZLRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229940074355 nitric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N nonoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002777 nucleoside Substances 0.000 description 1
- 125000003835 nucleoside group Chemical group 0.000 description 1
- ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N octacosane Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-N octane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCS(O)(=O)=O WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- AENSXLNDMRQIEX-UHFFFAOYSA-L oxido sulfate;tetrabutylazanium Chemical compound [O-]OS([O-])(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC AENSXLNDMRQIEX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UKLQXHUGTKWPSR-UHFFFAOYSA-M oxyphenonium bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1C(O)(C(=O)OCC[N+](C)(CC)CC)C1CCCCC1 UKLQXHUGTKWPSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001125 oxyphenonium bromide Drugs 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I pentasodium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960005152 pentetrazol Drugs 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007875 phellandrene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N phenylacetone Chemical compound CC(=O)CC1=CC=CC=C1 QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940116254 phosphonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- ARUTTWGGCKHWDR-UHFFFAOYSA-M potassium;hydrogen sulfate;hydrate Chemical compound O.[K+].OS([O-])(=O)=O ARUTTWGGCKHWDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 235000013930 proline Nutrition 0.000 description 1
- HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N propane-2-sulphonic acid Chemical compound CC(C)S(O)(=O)=O HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229930006696 sabinene Natural products 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 235000004400 serine Nutrition 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229960001790 sodium citrate Drugs 0.000 description 1
- 235000011083 sodium citrates Nutrition 0.000 description 1
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011008 sodium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- FVEFRICMTUKAML-UHFFFAOYSA-M sodium tetradecyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)CCC(CC(C)C)OS([O-])(=O)=O FVEFRICMTUKAML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019832 sodium triphosphate Nutrition 0.000 description 1
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000002910 solid waste Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 150000003432 sterols Chemical class 0.000 description 1
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930006978 terpinene Natural products 0.000 description 1
- 150000003507 terpinene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical class CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N tetradecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000007873 thujene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940006158 triiodide ion Drugs 0.000 description 1
- GCZKMPJFYKFENV-UHFFFAOYSA-K triiodogold Chemical compound I[Au](I)I GCZKMPJFYKFENV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- KQBSGRWMSNFIPG-UHFFFAOYSA-N trioxane Chemical compound C1COOOC1 KQBSGRWMSNFIPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
- 235000014393 valine Nutrition 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
- IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N β-ocimene Natural products CC(C)=CCC=C(C)C=C IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B09—DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
- B09B—DISPOSAL OF SOLID WASTE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/018—Unsoldering; Removal of melted solder or other residues
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/08—Auxiliary devices therefor
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29B17/00—Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
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- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B1/00—Preliminary treatment of ores or scrap
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- C22B11/00—Obtaining noble metals
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- C22B11/042—Recovery of noble metals from waste materials
- C22B11/046—Recovery of noble metals from waste materials from manufactured products, e.g. from printed circuit boards, from photographic films, paper or baths
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- C22B3/02—Apparatus therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B3/00—Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
- C22B3/04—Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes by leaching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H05K2203/17—Post-manufacturing processes
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Abstract
本發明係關於回收印刷線路板之裝置及方法,其中可收集電子組件、貴金屬及卑金屬供再利用及回收。該等裝置一般包括機械焊料移除模組及/或熱模組、化學焊料移除模組、及貴金屬浸濾模組,其中該等模組係經連接以使電子廢棄物在各模組之間連續通過。
Description
本發明大致係關於回收諸如印刷線路板之廢電氣和電子設備以分離包括(但不限於)貴金屬、卑金屬、焊料金屬、及工作積體電路之材料的裝置及方法。
包括廢棄或受損電腦、電腦螢幕、電視接收器、行動電話、及類似產品之用過電子設備的棄置正快速地增加。已知曉當將電子設備棄置於掩埋場時一般存在大量對活體及環境的危害物。同樣,應瞭解不恰當的拆解會對人工執行拆解之人員造成明顯的健康及安全風險。
印刷線路板(PWB)係許多電子系統之常見元件。PWB通常係藉由將乾膜層壓於支撐在纖維玻璃板基質上之乾淨銅箔上來製造。利用具有電路板設計之負型的膜使膜暴露,及使用蝕刻劑來自板移除未經遮蔽的銅箔。接著將焊料塗覆於板上之未經蝕刻的銅上。取決於特定PWB之用途及設計,在製程中可能使用各種其他金屬,包括鉛、錫、鎳、鐵、鋅、鋁、銀、金、鉑、鈀、及汞。PWB包括許多額外組件,例如,電晶體、電容器、散熱器、積體電路(IC)、電阻器、整合切換器(integrated switch)、處理器等。
PWB可能係一種難以處理的廢棄材料,因其一旦自其所安裝的電氣系統移除之後一般即具極低效用。此外,其通常
係由使其被分類為有害或「特殊」廢棄物流的材料所組成。其必需與其他非有害固體廢棄物流分離且分開處理。作為廢棄材料處理之PWB必需利用若干可用處置選擇中之任一者來處理。此等選擇不僅昂貴,而且其需要大量勞力及藉由產生器來處理。再者,由於一些此等處置選擇不包括破壞廢電路板,因此產生器亦會保留與不恰當處理或處置相關的許多不利情況。
已提出不同方法來嘗試對抗原料廢棄物及由持續增加之電子廢棄物碎塊負荷所導致的環境污染。迄今為止,仍需要需求高能量需求的方法來分離材料,以致可將其回收。機械及濕法冶金方法係回收廢PWB的傳統方法,其包括研磨整體廢棄物,接著嘗試分離及濃縮不同材料物流。不利地,當研磨PWB時,僅塑膠部分可有效地自金屬釋出且會排放毒性氣體。因此,機械方法無法導致高回收率,尤其係針對貴金屬而言。在濕法冶金方法中,使用大量化學物質,產生大量廢酸及污泥,其需作為有害廢棄物處置。再者,藉由化學過程回收各種金屬之整體過程相當冗長且複雜。包括高溫冶金處理廢PWB的熱方法會由於環氧樹脂之熱降解(形成戴奧辛及呋喃類)及金屬(包括Pb、Sb、As及Ga)之揮發而導致排放有害化學物質至大氣及水中。熱方法之特徵進一步在於高能耗,且需要使用昂貴的排氣淨化系統及抗腐蝕性設備。
此外,目前自材料中提取貴金屬(例如,金)之方法不利地包括使用毒性及/或昂貴的化學物質(即瀝濾劑(lixiviant))來自材料浸濾出金。其中一種最古老的溶解金之商業方法係所謂的「氰化物法」,其中氰離子與金形成此一穩定錯合物。氰化物法之效用導致其用於自其礦石提取金及自塗布金之零件碎塊回收金的商業用途。一般而言,在「氰化物法」中使用氰化鉀溶液。不利地,此溶液相當具毒性且處置用過的氰化物溶液成為值得注意且逐漸增加的廢棄物處置及污染減量控制問題。金亦已使用鹽酸及硝酸之混合物(稱為「王水」)來溶解,以獲得錯合氯金酸(HAuCl4)。然而,王水極具腐蝕性,會產生毒性煙霧,且對貴金屬不具任何選擇性。
不具任何組件及焊料之印刷線路板(即裸板)呈現為較具有安裝組件之集成電路板更容易回收的材料,因裸板本身僅由藉由環氧樹脂膠合的銅及纖維玻璃箔片與在其表面上之一些金/鎳/銅鍍層所組成。由於裸板佔一般集成印刷電路板的65-70重量%,因此自板移除組件導致形成佔總體積之65-70%的可容易回收之材料部分。與應用於整體進入材料體積之粉碎的一般實務相比,此途徑更有利。此外,一旦自板移除,則可將回收的組分分類且以類型銷售,諸如含鉭組分或可再利用的組分,因而產生具有較僅組分之混合物高之零售價值的多個產物流。
因此,有需要一種克服上述問題或使其減至最小之回收諸
如印刷線路板組件之廢電氣和電子設備的方法。
本發明大致係關於回收印刷線路板以分離材料供再利用及/或回收之裝置及方法。更特定言之,本發明大致係關於回收PWB以有效率地回收貴金屬、卑金屬、焊料金屬、及工作積體電路,同時使大宗化學品及其他使用資源量減至最少的裝置及方法。
在一態樣中,描述一種用於處理電子廢棄物之裝置,該裝置包括:(a)機械焊料移除模組;及(b)化學焊料移除模組;其中該等模組係彼此相連地連接。
在另一態樣中,描述一種回收電子廢棄物之方法,該方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
在又另一態樣中,描述一種用於處理電子廢棄物之裝置,
該裝置包括:(a)用於自PWB移除外殼或環氧化組件之加熱模組;及(b)化學焊料移除模組,其中該等模組係彼此相連地連接。
在又另一態樣中,描述一種回收電子廢棄物之方法,該方法包括:使用加熱模組自PWB移除至少一外殼,其中該加熱模組包括加熱機構及用於使PWB移動通過該加熱機構之構件;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
其他態樣、特徵及優點將可由隨後揭示內容及隨附申請專利範圍而更完整明瞭。
本發明大致係關於用於回收印刷線路板、積體電路及印刷線路板組件,以分離材料供再利用及/或回收之裝置及方法。更特定言之,本發明大致係關於用於回收PWB以更有效率地回收及分離金屬及工作組分,同時使大宗化學品及其他資源之使用減至最少的裝置及方法。
如於[先前技術]一節中所引介,回收廢PWB之傳統方法會導致環境污染、高成本支出及低效率。相對地,文中所述
之裝置及方法係基於回收材料之不同途徑,其中基於外觀及物理及化學性質來分離廢PWB之各種部分。
自印刷線路板(PWB)移除至少一種可回收材料之方法先前描述於2011年4月15日以André Brosseau等人之名義提出申請且題為「回收廢棄印刷電路板之方法(Method for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards)」的國際專利申請案第PCT/US2011/032675號中,將其全體內容併入本文為參考資料。概言之,PCT/US2011/032675中所述之方法包括(a)、(b)、(c)中之至少一者或其任何組合:(a)自PWB釋放組分;(b)自PWB及/或PWB組件回收貴金屬;(c)自PWB回收卑金屬。
關於本揭示案之目的,「電子廢棄物」係相當於已到達其有效壽命之終端或者已經棄置的電腦、電腦螢幕、電視接收器、平板電腦、行動電話、視訊攝影機、數位相機、DVD播放器、電子遊戲機、傳真機、影印機、MP3播放器、及類似產品。電子廢棄物包括含於此等熟知物件內之組件,諸如印刷線路板及其上所包含的組件(例如,電晶體、電容器、散熱器、IC、電阻器、整合切換器、晶片及處理器)。
關於一般揭示案之目的,裸板係經描述為包括紙張、低介電塑膠、薄且可撓之塑膠、陶瓷/金屬、纖維玻璃、環氧樹脂及銅箔。如熟悉技藝人士所當明瞭,「纖維玻璃」係經玻
璃強化之塑膠或經玻璃纖維強化之塑膠且將對應於任何包括塑膠及玻璃之材料。
如本文所使用,「貴金屬」包括金屬金、銀、鉑、鈀、銠、銥、鋨、錸、釕及包含其等之合金。
如本文所使用,「卑金屬」係相當於鐵、鎳、鋅、銅、鋁、鎢、鉬、鉭、鎂、鈷、鉍、鎘、鈦、鋯、銻、錳、鈹、鉻、鍺、釩、鎵、鉿、銦、鈮、錸、鉈、包含其等之合金、及其組合。
如本文所使用,「銅」係相當於Cu(0)金屬以及包含Cu(0)之合金。
「實質上不含」在本文係定義為低於2重量%,較佳低於1重量%,更佳低於0.5重量%,及最佳低於0.1重量%。「不含」係相當於0重量%。
如本文所使用,「約」係意指相當於所述值之±5%。
如本文所定義之「錯合劑」包括熟悉技藝人士明瞭為錯合劑、鉗合劑、螯隔劑、及其組合之彼等化合物。錯合劑將使用文中所述之組成物與待移除之金屬原子及/或金屬離子化學結合或物理締和。
關於本說明書,「印刷線路板」及「印刷電路板」係同義詞且可互換使用。
如本文所用,術語「分離」係相當於自PWB完全移除組件或自PWB部分分離組件,其中自PWB部分分離組件係
相當於使將組件固定至PWB之焊料弱化,及可藉由另一方法進行其餘的分離。
如本文所用,相對於貴金屬、卑金屬及/或含鉭金屬「移除」含鉛或錫之焊料意指含鉛或錫之焊料金屬的至少一部分係經機械方式移除或含鉛或錫之焊料金屬或離子係實質上地溶解或以其他方式增溶於移除組成物中(較佳係溶解),然而其他金屬未經機械移除、實質上地溶解或以其他方式增溶。「實質上地溶解」在文中定義為超過95重量%之原來存在的材料經溶解或以其他方式增溶,較佳係超過98重量%,更佳係超過99重量%,及最佳係超過99.9重量%。「實質上未溶解」在文中定義為低於5重量%之原來存在的材料經溶解或以其他方式增溶,較佳係低於2重量%,更佳係低於1重量%,及最佳係低於0.1重量%。
如本文所用之術語「浸濾」係相當於自PWB及/或PWB組件將金或其他貴金屬完全移除或萃取至浸濾組成物中,或自PWB及/或PWB組件將金或其他貴金屬部分移除或萃取至浸濾組成物中。金或其他貴金屬係溶解或以其他方式增溶於浸濾組成物中(較佳係溶解)。
如本文所定義之「壓碎」PWB及/或PWB組件係相當於使PWB及/或PWB組件之金及其他貴金屬實質上暴露於浸濾組成物之任何方法,例如,破裂、粉碎或撕碎PWB及/或PWB組件。較佳係破裂PWB組件,藉此使由於粉碎
或撕碎而損失的金或其他貴金屬之量減至最小。若將碎塊粉碎則可能會損失貴金屬,其中金粉塵黏著至經分離的物流且損失於磁性部分中。因此,壓碎進一步經定義為一種方法,藉此不超過10%之金或其他貴金屬損失至諸如粉碎或撕碎之製程,較佳不超過5%,再更佳不超過2%。此外,壓碎電子廢棄物藉由使含有害金屬及溴化阻燃劑之粉塵的釋放減至最少而減小對人類健康的風險。
熟悉技術人士當充分瞭解「碘」係相當於I2分子,而「碘化物」(I-)係陰離子,且係以鹽提供。碘化物鹽包括,但不限於,碘化鋰、碘化鈉、碘化鉀、碘化銨、碘化鈣、碘化鎂、及碘化四烷基銨,其中該等烷基可彼此相同或不同且係選自由直鏈C1-C6烷基(例如,甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)及分支鏈C1-C6烷基所組成之群。
如本文所定義,「碳」包括結晶石墨、非晶形石墨、石墨烯、熱解石墨、氧化石墨、石墨纖維、碳奈米管、導電碳、石墨化碳、或任何包括石墨之α(六方配置碳原子)或β(菱形配置碳原子)形式的含碳物質。
組成物可以如下文更完整描述之相當多樣的特定調配物具體實施。在其中組成物之特定成分係參照包括零下限之重量百分比範圍論述的所有此等組成物中,當明瞭在組成物之各種特定具體例中可存在或不存在此等成分,且在存在此等成分之實例中,其可以基於其中使用此等成分之組成物之總
重量計低至0.001重量百分比之濃度存在。
組件通常係藉由鉛、錫或鉛-錫焊料附著至PWB之表面,其通常為70Sn/30Pb、60Sn/40Pb或63Sn/37Pb之組合。在某些應用中,使用Ag-Sn焊料。目前將PWB脫焊以移除組件涉及將焊料加熱至熔融溫度,藉此使經釋放的組件自PWB分離並收集液體焊料。此應用於回收PWB之方法具有兩項主要缺點:(i)由於鉛及錫係低揮發性金屬,因而此加熱及熔融將會產生大量排放至周圍空氣之污染物;及(ii)熱將會損壞組件使其無法再利用。
本發明人先前於PCT/US2011/032675中揭示一種利用組成物自印刷線路板分離印刷線路板組件之方法。概言之,該方法包括使第一組成物與印刷線路板接觸,以自該印刷線路板選擇性地移除印刷線路板組件,其中該印刷線路板組件係使用焊料或一些其他固定方式附著至印刷線路板。雖然有效,但本發明人企圖提高第一組成物對於自PWB移除PWB組件的效率。
為此,在一態樣中,描述一種自表面移除焊料之裝置,其中該裝置包括機械焊料移除構件及化學焊料移除構件(參見,例如,圖1)。機械焊料移除構件包括,但不限於,切割刀片、研磨材料(例如,結合材料,包括氧化鋁、碳化矽、碳化鎢、或石榴石、或經塗布材料諸如砂紙)、研磨機、高
壓水或任何其他可藉以自表面移除至少一部分焊料的構件。機械焊料移除構件較佳係浸泡於液體(例如,水)中,且可進一步包括攪動器諸如刷、耙、或平行及/或垂直於PWB設置以輔助移除焊料之吹送氣體或液體。機械焊料移除構件較佳包括浸泡於水中之切割刀片,其可機械移除至少約25%之焊料,更佳至少約35%之焊料及再更佳至少約45%之焊料。切割刀片之數目可在約1至約500之範圍內,視裝置設置及處理量而定。此態樣尤其適用於包括具有鉛基焊料之組件的PWB。
化學焊料移除構件包括任何使表面暴露至第一組成物以達成自其化學移除焊料的裝置。應明瞭使表面暴露至第一組成物可以任何適當的方式達成,例如,經由將第一組成物噴塗於表面上,經由將表面浸泡於一定量之第一組成物中,經由使表面與另一材料(例如,已於其上吸收第一組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接觸,經由使表面與再循環組成物接觸,或藉由任何其他藉以使第一組成物與待移除材料接觸之適當手段、方式或技術。在一較佳具體例中,將表面浸泡於一定量之第一組成物中,其中該量實質上可足以浸泡包括表面的整個PWB,或者,PWB係經部分浸泡以致僅包括焊料之表面存於第一組成物中(參見,例如,圖2)。當PWB僅於板之一側上具有焊料時,部分浸泡尤其有利。在圖2中,浸泡包括焊料之PWB的表面,而非整個板。應明
瞭圖2中液體相對於PWB厚度之液位僅係供視覺展示用,其可由熟悉技藝人士輕易地決定改變。此外,圖2中說明之「平台」僅係用來使PWB提升至高於容器底部且不限於輥子(如圖所示),而係可包括靜態平坦表面(實心或具有孔或洞)、皮帶、支架、突起(具有彎曲、尖銳或平坦峰頂)、或任何其他可藉以使PWB提升至高於容器底部的構件。化學焊料移除構件可進一步包括攪動器諸如刷、耙、或平行及/或垂直於PWB設置以輔助移除焊料之吹送氣體或液體。
在第一態樣之一具體例中,如圖3所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:機械焊料移除器;化學焊料移除器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自機械焊料移除器移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在第一態樣之另一具體例中,如圖3所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:機械焊料移除器;化學焊料移除器,其包括第一組成物之容器及至少一攪動
器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動地自機械焊料移除器移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第一態樣之另一具體例中,如圖3所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:機械焊料移除器,其包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;化學焊料移除器,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動地自機械焊料移除器移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第一態樣之又另一具體例中,如圖3所示,用於自印刷
線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:機械焊料移除器,其包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;化學焊料移除器,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動地自機械焊料移除器移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
一些積體電路(IC)係使用環氧樹脂(例如,北橋及南橋IC及CPU)固定至PWB,因此不易使用文中所述之機械及化學移除構件移除。因此,在另一具體例中,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置進一步包括用來軟化環氧樹脂的加熱模組,以致可容易地移除IC而自PWB完全移除組件及焊料。
加熱模組110較佳包括具有用於使PWB移動通過用於加熱環氧樹脂及其後自PWB移除環氧化IC之包括攪動構件之加熱機構之構件的單元。舉例來說,圖7說明文中涵蓋之加熱模組的俯視圖,其中用於移動PWB之構件係輥鏈130,
儘管亦涵蓋其他移動PWB之構件,包括軌道、皮帶、及活節鏈條。舉例來說,用於移動PWB之構件可為具有沿軌道頂端行進之輪的軌道。所說明之輥鏈機構包括鏈輪140,其中一個鏈輪可經軸驅動且可以可變速度操作,而其餘的鏈輪可為自由輪。輥鏈或其他用於移動PWB之構件呈現為具有大致矩形的外圍,儘管亦涵蓋替代的外圍形狀。
夾子或鉗子(參見,圖8及9中之190,其分別說明文中涵蓋之加熱模組的前視圖及側視圖)或其他固定構件附著至輥鏈或其他用於移動PWB 150之構件,藉此PWB可手動或自動地懸掛至輥鏈130上。較佳地,PWB係在進入加熱機構120中之前才夾於附著區域170中。夾子190係藉由環繞輥鏈或其他用於移動PWB之構件的夾支撐鉗210引導。PWB於脫離區域180中經手動或自動移除,其中將PWB自輥鏈上的夾子取下。舉例來說,可將電磁線圈設置於脫離區域180中,以使夾子190打開且使PWB落入收集板的貯槽230中。
關於加熱機構120,其經說明為可(例如)使用電阻加熱線圈加熱之兩個相同尺寸的平行單元。取決於待移除的特定材料,可將加熱機構120加熱至適當溫度,且可使PWB移動通過。藉由將溫度維持在低於環氧樹脂之熔點,可使環氧樹脂軟化而不會同時釋放有害或有毒蒸氣。因此,舉例來說,可將加熱機構120加熱至較佳在約100至約400℃範圍內之
溫度。最佳將溫度設在較待移除之焊料或環氧樹脂之熔點低至少1℃至約20℃。應明瞭可使包括加熱機構之區域排氣及如熟悉技藝人士所可輕易明瞭地進行空氣洗滌或過濾。
參照圖9,刷220係置於加熱機構內,以致於環氧樹脂軟化後,可輕易地將環氧化IC自PWB晶片刷除。亦可設想刷220的其他位置,例如,在加熱機構120外部。刷220較佳具有不銹鋼刷毛。刷的替代物包括,但不限於,高壓氣體或液體、耙、聲能及雷射能量。在一特定具體例中,加熱機構120較佳包括使加熱器及刷可推入PWB中或自PWB撤回的構件。舉例來說,加熱器及刷可以機械方式、氣動方式、液壓方式或電磁方式推入或撤回。
實務上,使PWB 150附著至附著區域中的輥鏈且隨後進入加熱機構120,藉此溫度係低於環氧樹脂之熔點。同時間地,刷220自PWB 150移除環氧化IC,且IC掉入零件抽屜200中。經除去IC的PWB離開加熱機構120且立即經冷卻,例如於室溫下。當PWB沿輥鏈行進時,到達脫離區域180,且PWB脫離夾且掉入開放貯槽230中。隨後使IC及/或PWB手動或自動地移動(例如,輸送)至化學焊料移除構件。
因此,用於自PWB移除環氧化組件之加熱模組裝置包括:加熱機構及用於使PWB移動通過加熱機構之構件,其中該加熱機構包括一旦環氧樹脂經軟化時用於移除組件,以
致可將組件自PWB移除的攪動構件。在一具體例中,攪動構件包括刷及用於使PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
進一步涵蓋在加熱及移除經環氧樹脂塗布之IC後,可將PWB再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3中展示為選項。
因此,在第一態樣之另一具體例中,如圖3所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:機械焊料移除器;化學焊料移除器;加熱模組;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自機械焊料移除器移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。加熱模組可置於化學焊料移除器與沖洗模組之間,或者,加熱模組可置於乾燥模組之後。應明瞭若加熱模組係置於乾燥模組之後,則該表面較佳經由將PWB引導至相同的沖洗及乾燥模組中(如圖3中所示意展示),或者,經由將PWB引導至第二個沖洗模組及第二個乾燥模組中,而再次沖洗及乾
燥。進一步涵蓋在加熱及移除經環氧樹脂塗布之IC後,可將PWB再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3中展示為選項。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。較佳地,該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器。較佳地,該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中。較佳地,該攪動器包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
在各情況中,沖洗模組包括沖洗PWB以自其移除第一組成物之構件。應明瞭沖洗表面可以任何適當的方式達成,例如,經由將沖洗組成物噴塗於表面上,經由將表面浸泡於一定量之沖洗組成物中,經由使表面與另一材料(例如,已於其上吸收沖洗組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接觸,經由使表面與再循環沖洗組成物接觸,或藉由任何其他藉以使沖洗組成物與待移除材料接觸之適當手段、方式或技術。沖洗組成物較佳包括水。
在各情況中,乾燥模組包括乾燥PWB之構件。較佳的乾燥構件包括,但不限於,氮氣、異丙醇、再生空氣、熱空氣或SEZ(旋轉製程技術)。
應明瞭裝置之各具體例可進一步包括置於乾燥之後的組件收集器。
在第二態樣中,將第一態樣之裝置利用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之方法中,該方法一般包括使用機械焊料移除構件移除至少一部分焊料,及使用化學焊料移除構件移除至少一部分焊料。此態樣尤其適用於包括具有鉛基焊料之組件的PWB。較佳地,至少約25%之焊料係使用機械焊料移除構件移除,更佳至少約35%之焊料及再更佳至少約45%之焊料。較佳地,至少約90%之焊料係使用該方法移除,更佳至少約95%之焊料,及更佳至少約99%之焊料。
在第二態樣之一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;及使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。該攪動器較佳包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第二態樣之另一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料;及使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。該攪動器較佳包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第二態樣之又另一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;及使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。該攪動器較佳包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
第二態樣之方法可進一步包括加熱PWB之表面以移除經環氧樹脂塗布之組件。因此,在第二態樣之又另一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料;及使用加熱構件移除經環氧樹脂覆蓋之組件。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。該機械焊料移除器較佳包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器。該化學焊料移除器較佳包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中。
該攪動器較佳包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
第一態樣之裝置及第二態樣之方法有利地提供一種自廢PWB移除組件及焊料之更環保的方式。該方法可在低於約35℃之製程溫度下進行,因此消除排放鉛蒸氣及對於排放及洗滌大量空氣的需求。此外,由於機械焊料移除較佳係在液體中進行(例如,刀片係浸泡於水中),因而不會產生危險的含鉛粉塵。此外,與PWB部分浸泡於第一組成物中相關的優點包括,但不限於,消耗較少濕式化學物質、需棄置較少濕式化學物質、及使用較少沖洗組成物。此外,裝置較佳係完全自動化且PWB係在模組間輸送。自PWB之表面移除焊料之方法導致電子組件自PWB之表面分離,選擇性地移除焊料金屬,同時印刷電路層壓物之貴金屬及卑金屬及暴露的環氧樹脂保持不受影響。該裝置及方法提供一種回收/再加工廢PWB之快速且經濟有效的方法,其包括回收電子組件及形成僅含有銅、纖維玻璃增強環氧樹脂及金/鎳/銅鍍層之更易回收之裸板的物流。
第一組成物係經調配以相對於同時存在於該PWB上之貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬選擇性地移除焊料。該焊料較佳包含鉛、錫、或鉛及錫之組合。在使用本文所述之組成物來自其上具有含鉛及/或錫之材料的PWB移除該等材料時,通常使第一組成物與表面在約20℃至約85℃範圍內,較佳在約20℃至約40℃範圍內接觸約5秒至約180分鐘,
較佳約1分鐘至60分鐘,及最佳約5分鐘至約45分鐘之時間。此等接觸時間及溫度為說明性,可使用可有效地自PWB移除待移除焊料的任何其他適宜時間及溫度條件。
在一具體例中,第一組成物包含至少一種氧化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。第一組成物可進一步包含至少一種鉛及/或錫錯合劑、至少一種有機溶劑、及/或至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬之鈍化劑。因此,在一具體例中,第一組成物包含至少一種鉛及/或錫錯合劑與至少一種氧化劑之組合,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,第一組成物包含至少一種鉛及/或錫錯合劑、至少一種氧化劑、及至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬材料之鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,第一組成物包含至少一種鉛及/或錫錯合劑、至少一種氧化劑、及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,第一組成物包含至少一種鉛及/或錫錯合劑、至少一種氧化劑、至少一種有機溶劑、及至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬材料之鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,第一組成物包含至少一種氧化劑及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成,其中該第一組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。在又另一具體例中,第一組成物包含至少一種氧化
劑及至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬之鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成,其中該第一組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。在又另一具體例中,第一組成物包含至少一種氧化劑、至少一種有機溶劑、及至少一種用於鈍化貴金屬及/或銅材料之鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成,其中該第一組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。在又另一具體例中,第一組成物包含至少一種氧化劑、至少一種有機溶劑、及至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬材料之鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成,其中該第一組成物實質上不含硫酸。此等組成物具有含鉛及/或錫之材料相對於貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬之選擇性,因而提高浴槽對於焊料之負載量且增長第一組成物之浴槽壽命。可將對鉛及/或錫具選擇性之離子交換樹脂與第一組成物組合使用,以進一步延長浴槽之壽命。應明瞭第一組成物係水性組成物。
熟悉技藝人士應明暸文中所述之第一組成物僅代表第二態樣之方法之第一組成物的一種型式。如熟悉技藝人士所可輕易決定,涵蓋將其他組成物使用於第二態樣之方法中。
組成物中包含氧化劑以將待移除金屬氧化為離子形式且累積溶解金屬的高度可溶解鹽。此處涵蓋的氧化劑包括,但不限於,臭氧、硝酸(HNO3)、起泡空氣、環己基胺基磺酸、過氧化氫(H2O2)、發氧方(oxone)(過氧單硫酸鉀,2KHSO5
˙KHSO4˙K2SO4)、多原子銨鹽(例如,過氧單硫酸銨、亞氯酸銨(NH4ClO2)、氯酸銨(NH4ClO3)、碘酸銨(NH4IO3)、過硼酸銨(NH4BO3)、過氯酸銨(NH4ClO4)、過碘酸銨(NH4IO3)、過硫酸銨((NH4)2S2O8)、次氯酸銨(NH4ClO))、多原子鈉鹽(例如,過硫酸鈉(Na2S2O8)、次氯酸鈉(NaClO))、多原子鉀鹽(例如,碘酸鉀(KIO3)、過錳酸鉀(KMnO4)、過硫酸鉀、過硫酸鉀(K2S2O8)、次氯酸鉀(KClO))、多原子四甲銨鹽(例如,亞氯酸四甲銨((N(CH3)4)ClO2)、氯酸四甲銨((N(CH3)4)ClO3)、碘酸四甲銨((N(CH3)4)IO3)、過硼酸四甲銨((N(CH3)4)BO3)、過氯酸四甲銨((N(CH3)4)ClO4)、過碘酸四甲銨((N(CH3)4)IO4)、過硫酸四甲銨((N(CH3)4)S2O8))、多原子四丁銨鹽(例如,過氧單硫酸四丁銨)、過氧單硫酸、脲過氧化氫((CO(NH2)2)H2O2)、過乙酸(CH3(CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、硫酸、及其組合。雖然本身非氧化劑,但對於本揭示案之目的,氧化劑進一步包括烷磺酸(例如,甲磺酸(MSA)、乙磺酸、2-羥乙磺酸、正丙磺酸、異丙磺酸、異丁烯磺酸、正丁磺酸、正辛磺酸)、苯磺酸、苯磺酸衍生物(例如,4-甲氧苯磺酸、4-羥苯磺酸、4-胺基苯磺酸、4-硝基苯磺酸、甲苯磺酸、己苯磺酸、庚苯磺酸、辛苯磺酸、壬苯磺酸、癸苯磺酸、十一基苯磺酸、十二基苯磺酸、十三基苯磺酸、十四基苯磺酸、十六基苯磺酸、3-硝基苯磺酸、2-硝基苯磺酸、2-硝基萘磺酸、3-硝基萘磺酸、2,3-二硝基苯磺酸、
2,4-二硝基苯磺酸、2,5-二硝基苯磺酸、2,6-二硝基苯磺酸、3,5-二硝基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、2-胺基苯磺酸、2-胺基萘磺酸、3-胺基萘磺酸、2,3-二胺基苯磺酸、2,4-二胺基苯磺酸、2,5-二胺基苯磺酸、2,6-二胺基苯磺酸、3,5-二胺基苯磺酸、2,4,6-三胺基苯磺酸、3-羥基苯磺酸、2-羥基苯磺酸、2-羥基萘磺酸、3-羥基萘磺酸、2,3-二羥基苯磺酸、2,4-二羥基苯磺酸、2,5-二羥基苯磺酸、2,6-二羥基苯磺酸、3,5-二羥基苯磺酸、2,3,4-三羥基苯磺酸、2,3,5-三羥基苯磺酸、2,3,6-三羥基苯磺酸、2,4,5-三羥基苯磺酸、2,4,6-三羥基苯磺酸、3,4,5-三羥基苯磺酸、2,3,4,5-四羥基苯磺酸、2,3,4,6-四羥基苯磺酸、2,3,5,6-四羥基苯磺酸、2,4,5,6-四羥基苯磺酸、3-甲氧基苯磺酸、2-甲氧基苯磺酸、2,3-二甲氧基苯磺酸、2,4-二甲氧基苯磺酸、2,5-二甲氧基苯磺酸、2,6-二甲氧基苯磺酸、3,5-二甲氧基苯磺酸、2,4,6-三甲氧基苯磺酸)、及其組合。氧化劑可包括文中定義為氧化劑之任何物質的組合。氧化劑可於製造商處,於引入第一組成物至PWB之前,或者於PWB處(即於原位)引入至第一組成物。氧化劑較佳係以0.1至90體積%,更佳10至60體積%,及最佳25至45體積%範圍內之量存在於第一組成物中。氧化劑較佳包含過氧化物化合物、發氧方、硝酸及/或甲磺酸。氧化劑最佳包含甲磺酸。
當存在時,據認為有效量之硝酸充作焊料移除製程之加速
劑。因此,於一些具體例中,第一組成物中之氧化劑較佳包含烷磺酸(例如,MSA)及硝酸,其中該烷磺酸係以0.1至90體積%範圍內之量存在,更佳為10至60體積%,及最佳為25至45體積%,及硝酸係以約0.1至80體積%之量存在,較佳約1至45體積%,及最佳為5至15體積%。
包含錯合劑以與氧化劑所產生之離子錯合。此處涵蓋的錯合劑包括,但不限於:β-二酮化合物諸如乙醯丙酮鹽、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮、及1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮;羧酸鹽諸如甲酸鹽及乙酸鹽及其他長鏈羧酸鹽;及醯胺(及胺),諸如雙(三甲基矽烷基醯胺)四聚物。額外的鉗合劑包括胺及胺基酸(即甘胺酸、絲胺酸、脯胺酸、白胺酸、丙胺酸、天冬醯胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、纈胺酸、及離胺酸)、檸檬酸、乙酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、膦酸、膦酸衍生物諸如羥亞乙基二膦酸(HEDP)、1-羥乙烷-1,1-二膦酸、氮基-參(亞甲基膦酸)、氮基三乙酸、亞胺二乙酸、依替酸(etidronic acid)、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、及(1,2-伸環己基二氮基)四乙酸(CDTA)、尿酸、四甘二甲醚(tetraglyme)、五甲基二伸乙三胺(PMDETA)、1,3,5-三-2,4,6-三硫醇三鈉鹽溶液、1,3,5-三-2,4,6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫基胺基甲酸鈉、具有一烷基(R2=己基、辛基、癸基或十二基)及一寡聚醚(R1(CH2CH2O)2,其中R1=乙基或丁基)之經二取代之二硫基胺基甲酸鹽
(R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na)、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、Dequest 2010、Dequest 2060s、二伸乙三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2-羥基吡啶1-氧化物、乙二胺二琥珀酸(EDDS)、N-(2-羥乙基)亞胺二乙酸(HEIDA)、五鹼式三磷酸鈉、其鈉及銨鹽、氯化銨、氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、硫酸銨、鹽酸、硫酸、及其組合。錯合劑較佳包含HEDP、HEIDA、EDDS、其鈉或銨鹽、硫酸、或其組合。氧化劑對錯合劑之量係在約10:1至約1:10,較佳約5:1至約1:5,及再更佳約2:1至約1:2之體積百分比比率範圍內,其中該氧化劑成分係稀的且以約1重量%至約50重量%之重量百分比存在(例如,一體積之30重量%過氧化氫),及該錯合劑成分係稀的且以約1重量%至約50重量%之重量百分比存在(例如,一體積之1重量% HEDP)。舉例來說,第一組成物可包含1份體積之30重量%過氧化氫加1份體積之1重量%錯合劑。
用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬之鈍化劑包括,但不限於,抗壞血酸、腺苷、L-(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、檸檬酸、乙二胺、五倍子酸、草酸、單寧酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、尿酸、1,2,4-三唑(TAZ)、三唑衍生物(例如,苯并三唑(BTA)、甲苯三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-胺基戊基)苯并三唑、
1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵基-苯并三唑(鹵基=F、Cl、Br或I)、萘并三唑)、4-胺基-1,2,4-三唑(ATAZ)、2-巰基苯并咪唑(MBI)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-胺基四唑(ATA)、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三、噻唑、三、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二胺甲基三、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、吲二唑(indiazole)、苯甲酸、硼酸、丙二酸、苯甲酸銨、兒茶酚、五倍子酚、間苯二酚、氫醌、三聚氰酸、巴比妥酸及衍生物諸如1,2-二甲基巴比妥酸、α-酮酸諸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、膦酸及其衍生物、甘胺酸/抗壞血酸、Dequest 2000、Dequest 7000、對甲苯基硫脲、琥珀酸、膦酸基丁烷三羧酸(PBTCA)、鉬酸鈉、鉬酸銨、鉻酸之鹽(例如,鈉、鉀、鈣、鋇)、鎢酸鈉、重鉻酸之鹽(例如,鈉、鉀、銨)、辛二酸、壬二酸、癸二酸、己二酸、八亞甲基二羧酸、庚二酸、十二烷二羧酸、二甲基丙二酸、3,3-二乙基琥珀酸、2,2-二甲基戊二酸、2-甲基己二酸、三甲基己二酸、1,3-環戊烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、1,4-萘二羧酸、1,4-伸苯基二
氧二乙酸、1,3-伸苯基二氧二乙酸、聯苯二甲酸、4,4’-聯苯二羧酸、4,4’-氧二苯甲酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、二苯基碸-4,4’-二羧酸、十亞甲基二羧酸、十一亞甲基二羧酸、十二亞甲基二羧酸、鄰苯二甲酸、萘二羧酸、對苯二羧酸、偏苯三甲酸、苯均四酸、磷酸鈉(例如,六偏磷酸鈉)、矽酸鈉、胺基酸及其衍生物諸如1-精胺酸、核苷及核鹼基(分別諸如腺苷酸及腺嘌呤)、及其組合。鈍化劑最佳包括BTA、ATAZ、TAZ、三唑衍生物、抗壞血酸、鉬酸鈉、或其組合。在一特佳具體例中,鈍化劑包括鉬酸鈉。更特定言之,鈍化劑之功能係要降低組成物對銅之侵蝕。此防止銅上之薄鍍金層由於銅溶解而被底切及損失,且保持此鍍層對於進一步的金提取製程而言安全。當存在時,以第一組成物之總重量計,鈍化劑之量係在約0.01至5重量%之範圍內,較佳約0.1重量%至約1重量%。
雖然不希望受限於理論,但據認為有機溶劑可藉由潤濕微電子裝置結構之表面而增進金屬蝕刻速率。此處涵蓋的有機溶劑包括,但不限於,醇、醚、吡咯啶酮、二醇、羧酸、二醇醚、胺、酮、醛、烷烴、烯烴、炔烴、碳酸酯、及醯胺,更佳為醇、醚、吡咯啶酮、二醇、羧酸、及二醇醚,諸如甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、及高碳醇(包括二元醇、三元醇等等)、四氫呋喃(THF)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、環己基吡咯啶酮、N-辛基吡咯啶酮、N-苯基吡咯啶酮、甲酸甲酯、
二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、四亞甲碸(四氫噻吩碸)、乙醚、苯氧-2-丙醇(PPh)、苯丙酮、乳酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、乙腈、丙酮、乙二醇、丙二醇、二烷、丁內酯、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、兩親媒性物質(二甘醇單甲醚、三甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、三甘醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二甘醇單丁醚(即丁基卡必醇)、三甘醇單丁醚、乙二醇單己醚、二甘醇單己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、及其組合)、分支鏈非氟化醚鍵聯羧酸(CH3CH2)nO(CH2)mCOOH,其中n=1至10及m=1至10)、未分支鏈非氟化醚鍵聯羧酸(CH3CH2)nO(CH2)mCOOH,其中n=1至10及m=1至10)、分支鏈非氟化非醚鍵聯羧酸(CH3(CH2)nCOOH,其中n=1至10)、未分支鏈非氟化非醚鍵聯羧酸(CH3(CH2)nCOOH,其中n=1至10)、二羧酸、三羧酸、及其組合。有機溶劑較佳包括二甘醇單丁醚、二丙二醇丙基醚、丙二醇、或其混合物。當存在時,以第一組成物之總重量計,有機溶劑之量係在約0.01重量%至約25重量%,較佳約0.1重量%至約10重量%,及最佳約0.1重量%至約5重量%之範圍內。
典型上,過氧化氫當暴露至有機物質或金屬時分解,因此,含過氧化氫的組成物具有短儲存壽命,且因此必需在使用點混合。由於在一些使用者位置處缺少基礎設施,因此混合點用途由於缺少適當的管線及化學傳遞系統而並非選項,其會增加製造廠的成本。有利地,當第一組成物包含鉛及/或錫錯合劑與至少一種氧化劑組合時,氧化劑經安定且因此可經預混合,儘管應明瞭該錯合劑及至少一種氧化劑仍可於使用點混合。
在另一具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:至少一種氧化劑;視需要之至少一種鉛及/或錫錯合劑;視需要之至少一種有機溶劑;視需要之至少一種用於鈍化貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬之鈍化劑;及焊料材料。該焊料材料較佳包括含鉛及/或錫之材料。該等含鉛及/或錫之材料可為溶解及/或懸浮於文中所述組成物中的鉛及/或錫離子。
在又另一具體例中,當第一組成物包含硝酸時,該組成物可進一步包含胺基磺酸銨或胺基磺酸。據認為胺基磺酸離子可穩定硝酸及抑制毒性NOx煙氣排放。當存在時,以第一組成物之總重量計,胺基磺酸根離子之量係在約0.1至20重量%,較佳約1至10重量%,及最佳約1至5重量%之範圍內。
在一特佳具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組
成,或基本上由其所組成:MSA、至少一種有機溶劑、及至少一種鈍化劑,其中該組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。在另一特佳具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:MSA、至少一種二醇醚、及至少一種鈍化劑,其中該組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。於又另一特佳具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:MSA、至少一種二醇醚、及鉬酸鈉,其中該組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。再更佳地,第一組成物包含MSA、二甘醇單丁基醚、鉬酸鈉、及水,由其所組成,或基本上由其所組成,其中該組成物實質上不含硝酸、硫酸、或其組合。於又另一具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:MSA、至少一種有機溶劑、及至少一種鈍化劑,其中該組成物實質上不含硫酸。於又另一具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:MSA、硝酸、胺基磺酸銨、BTA、二甘醇單丁基醚、及水,其中該組成物實質上不含硫酸。於另一具體例中,第一組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:MSA、硝酸、胺基磺酸銨、BTA及水,其中該組成物實質上不含硫酸。第一組成物之額外具體例包括(i)包含MSA、硝酸、BTA及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(ii)包含MSA、硝酸、TAZ及水,由其所
組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(iii)包含MSA、硝酸、1-胺基-1,2,4-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(iv)包含MSA、硝酸、1-胺基-1,2,3-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(v)包含MSA、硝酸、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(vi)包含MSA、硝酸、3-胺基-1,2,4-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(vii)包含MSA、硝酸、3-巰基-1,2,4-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(viii)包含MSA、硝酸、3-異丙基-1,2,4-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(ix)包含MSA、硝酸、MBI及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(x)包含MSA、硝酸、ATA及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(xi)包含MSA、硝酸、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(xii)包含MSA、硝酸、抗壞血酸及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;(xiii)包含MSA、硝酸、鉬酸鈉及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物;及(xiv)包含MSA、硝酸、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑及水,由其所組成,或基本上由其所組成之第一組成物。另一種第一組成物包含硫酸、發氧方及丙二醇,由其所組成,或基本上由其所組成。
頃發現若於第一組成物中使用硝酸,則可不用添加硝酸鐵而達成電子組件自PWB表面之脫離及釋放。此外,第一組成物可實質上不含氟化物鹽、其他鐵鹽、鈦(IV)鹽、研磨材料、氟硼酸、及包含伸乙基(例如,伸乙基、二伸乙基、三伸乙基等)之有機溶劑、及其他HAP有機溶劑中之至少一者。如本文所使用,「氟化物」種類係對應於包括離子氟化物(F-)或共價鍵結氟的物質。應明瞭可包含氟化物種類作為氟化物種類或於原位產生。
可有利地將可輕易回收之化學組成物使用於產生最少廢棄物之閉環製程中。舉例來說,當第一組成物包含MSA時,MSA可輕易地回收。舉例來說,如第一組成物包含MSA、二醇醚及鉬酸鈉,及使該組成物與Pb/Sn焊料接觸時,所得之包含Pb/Sn金屬之組成物可藉由使組成物通過碳過濾器以移除二醇醚及電解提煉以回收Pb及Sn而回收。可再利用包含MSA之剩餘溶液。當不再可利用時,第一組成物可經由電解提煉Pb及Sn及中和過度酸性而成為基本上無毒性。
經說明可用於選擇性地移除含鉛及/或錫材料之第一組成物係可與PWB組件(例如,電晶體、電容器、散熱器、IC、電阻器、整合切換器、處理器等)以及暴露於該PWB上之貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬相容。此外,第一組成物係水溶性、非腐蝕性、非可燃性及低毒性。
應明瞭第一組成物可在使用點如調配好使用或在經水稀釋後使用。稀釋劑較佳係去離子水及稀釋程度係約1:1至約10:1(水比第一組成物濃縮物)。
文中所述之第一組成物具有在約1至約12範圍內之pH,且可根據所使用之錯合劑(當存在時)進行調整。舉例來說,當錯合劑包含HEDP、HEIDA、或其鹽時,組成物之pH將係高度酸性,例如,在約1至約4之範圍內。當錯合劑包含EDDS時,組成物之pH可有利地藉由使用EDDS的不同鈉鹽而調入。舉例來說,包含具有三個鈉離子之EDDS的組成物將具有在約4至約8,較佳約5至約7範圍內之pH。包含具有四個鈉離子之EDDS的組成物將具有在約8至約12,較佳約9至約11範圍內之pH。
文中所述第一組成物之較佳具體例包括包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成的組成物:(i)EDDS/H2O2,(ii)HEIDA/H2O2,及(iii)MSA、硝酸、胺基磺酸銨、BTA、二甘醇單丁基醚及(iv)MSA、硝酸、ATAZ。
文中所述之第一組成物係藉由簡單地添加各別成分及混合至均勻狀態而容易地調配。此外,第一組成物可輕易地調配為單包裝調配物或在使用點或之前混合的多部分調配物,例如,多部分調配物的個別部分可於工具或工具上游的儲存槽中混合。各別成分之濃度可在組成物的特定倍數內寬廣地改變,即更稀或更濃,且當明瞭文中所述之組成物可變
化及替代地包含與文中揭示一致之成分的任何組合,由其所組成,或基本上由其所組成。
熟悉技藝人士應明瞭焊料將諸如電晶體、電容器、電阻器、散熱器、積體電路、整合切換器、處理器、晶片等之「組件」附著至PWB。有利地,可使用第一組成物來移除焊料以使組件自額外的PWB表面分離,直至第一組成物經鉛及/或錫金屬飽和為止。藉由移除焊料,組件經釋放,且該等組件可使用光學系統分離成可再利用且可再銷售的組件,及可經進一步加工以處置、回收有用材料等的組件。用於移除鉛及/或錫焊料之組成物可經歷電解提煉以回收純鉛及/或錫及/或可替代地使用擴散透析技術處理來濃縮金屬離子。
一些印刷線路板(例如存於具有WiFi能力之行動電話中者)通常包括經藉由焊料(例如,Ag-Sn)固定至表面之外殼(例如,鋼)覆蓋的組件。機械移除鋼外殼(例如,用刀片切割)並非有利的方法。因此,需要一種可容易地移除鋼外殼及回收廢PWB之方法。
為此,在第三態樣中,描述一種自表面移除焊料之裝置,其中該裝置包括加熱模組及化學焊料移除構件(參見,例如,圖4)。第三態樣之裝置尤其適用於雙面PWB、形狀奇特的PWB、及/或包含前述外殼之PWB。應明瞭亦可使用
第三態樣之裝置來自單面PWB移除外殼。使用加熱模組來軟化焊料及黏著劑、環氧樹脂及膠水,以致外殼可容易地自PWB移除。
在一態樣中,加熱模組110包括具有用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件的單元,該加熱機構包括一旦焊料經軟化時用於自PWB移除外殼之攪動構件。舉例來說,圖7說明文中涵蓋之加熱模組的俯視圖,其中用於移動廢PWB之構件係輥鏈130,儘管亦涵蓋其他移動廢PWB之構件,包括軌道、皮帶、及活節鏈條。舉例來說,用於移動廢PWB之構件可為具有沿軌道頂端行進之輪的軌道。所說明之輥鏈機構包括鏈輪140,其中一個鏈輪可經軸驅動且可以可變速度操作,而其餘的鏈輪可為自由輪。輥鏈或其他用於移動廢PWB之構件呈現為具有大致矩形的外圍,儘管亦涵蓋替代的外圍形狀。
夾子或鉗子(參見,圖8及9中之190,其分別說明文中涵蓋之加熱模組的前視圖及側視圖)或其他固定構件附著至輥鏈或其他用於移動廢PWB 150之構件,藉此廢PWB可手動或自動地懸掛至輥鏈130上。較佳地,廢PWB係在進入加熱機構120中之前才夾於附著區域170中。夾子190係藉由環繞輥鏈或其他用於移動廢PWB之構件的夾支撐鉗210引導。廢PWB於脫離區域180中經手動或自動移除,其中將PWB自輥鏈上的夾子取下。舉例來說,可將電磁線圈設
置於脫離區域180中,以使夾子190打開且使廢PWB落入收集板的貯槽230中。
關於加熱機構120,其經說明為可使用電阻加熱線圈加熱之兩個相同尺寸的平行單元。取決於待移除的特定材料,可將加熱機構120加熱至適當溫度,且可使廢PWB移動通過。藉由將溫度維持在低於焊料之熔點,可使焊料軟化而不會同時釋放有害或有毒蒸氣。因此,舉例來說,可將加熱機構120加熱至較佳在約100至約400℃範圍內之溫度。最佳將溫度設在較待軟化焊料之熔點低至少1℃至約20℃。應明瞭可使包括加熱機構之區域排氣及如熟悉技藝人士所可輕易明瞭地進行空氣洗滌或過濾。
參照圖9,刷220係置於加熱機構內,以致於焊料軟化後,可輕易地將外殼自廢PWB晶片刷除。刷220較佳具有不銹鋼刷毛。刷的替代物包括,但不限於,高壓氣體或液體、耙、聲能及雷射能量。加熱機構120較佳包括使加熱器及刷可推入廢PWB中或自廢PWB撤回的構件。舉例來說,加熱器及刷可以機械方式、氣動方式、液壓方式或電磁方式推入或撤回。
實務上,使廢PWB 150附著至附著區域中的輥鏈且隨後進入加熱機構120,藉此溫度係低於焊料之熔點。同時間地,刷220自廢PWB 150移除外殼,且經移除的外殼掉入零件抽屜200中。經除去外殼的廢PWB離開加熱機構120
且立即經冷卻,例如於室溫下。當廢PWB沿輥鏈行進時,到達脫離區域180,且廢PWB脫離夾且掉入開放貯槽230中。隨後使外殼及/或廢PWB手動或自動地移動(例如,輸送)至化學焊料移除構件。
因此,用於自廢PWB移除外殼之加熱模組裝置包括:加熱機構及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件,其中該加熱機構包括一旦焊料經軟化時用於自PWB移除外殼的攪動構件。在一具體例中,攪動構件包括刷及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。廢PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於焊料之熔點至少1℃至約20℃。
可有利地使用加熱模組來視需要地移除Pb-Sn焊料、Ag-Sn焊料及環氧樹脂。
參照圖10(A),可見廢PWB具有在組件及印刷電路上方的金屬外殼。於在約200℃溫度下熱處理3-5分鐘後,外殼輕易地經以刷移除,而得到圖10(B)中所示之廢PWB。
化學焊料移除構件包括任何使表面暴露至第一組成物以達成自其化學移除焊料的裝置。應明瞭使表面暴露至第一組成物可以任何適當的方式達成,例如,經由將第一組成物噴塗於表面上,經由將表面浸泡於一定量之第一組成物中,經由使表面與另一材料(例如,已於其上吸收第一組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接觸,經由使表面與再循環
組成物接觸,或藉由任何其他藉以使第一組成物與待移除材料接觸之適當手段、方式或技術。在一較佳具體例中,將表面浸泡於一定量之第一組成物中,其中該量實質上可足以浸泡包括表面的廢PWB。當PWB為非平面結構時,完全浸泡尤佳。亦涵蓋包括穿孔鼓輪的大容器,藉此可將大量PWB插入容器中供化學焊料移除用。容器較佳經攪動,以使第一組成物流過PWB之表面。此外,可將外殼浸泡於第一組成物中以移除殘留焊料。應明瞭外殼可浸泡在與PWB所浸泡者相同或不同的第一組成物中。參照圖11,其顯示在40℃下於第一組成物中浸泡5-10分鐘之前(圖11(A))及之後(圖11(B))之沒有金屬外殼的廢PWB。
在第三態樣之一具體例中,如圖4所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:加熱模組;化學焊料移除器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自加熱模組移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在第三態樣之另一具體例中,如圖4所示,用於自印刷線
路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:加熱模組;化學焊料移除器,其包括第一組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自加熱模組移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在第三態樣之另一具體例中,如圖4所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:加熱模組,其包括加熱機構及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件;化學焊料移除器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自加熱模組移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。加熱模組較佳包括攪動構件,攪動構件包括刷及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。廢PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例
中,加熱機構係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
在第三態樣之又另一具體例中,如圖4所示,用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之裝置包括:加熱模組,其包括加熱機構及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件;化學焊料移除器,其包括第一組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB自動或手動地自加熱模組移動至化學焊料移除器至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。加熱模組較佳包括攪動構件,攪動構件包括刷及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。廢PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
在各情況中,沖洗模組包括沖洗PWB以自其移除第一組成物之構件。應明瞭沖洗表面可以任何適當的方式達成,例如,經由將沖洗組成物噴塗於表面上,經由將表面浸泡於一定量之沖洗組成物中,經由使表面與另一材料(例如,已於其上吸收沖洗組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接
觸,經由使表面與再循環沖洗組成物接觸,或藉由任何其他藉以使沖洗組成物與待移除材料接觸之適當手段、方式或技術。沖洗組成物較佳包括水。
在各情況中,乾燥模組包括乾燥PWB之構件。較佳的乾燥構件包括,但不限於,氮氣、異丙醇、再生空氣、熱空氣或SEZ(旋轉製程技術)。
在第四態樣中,將第三態樣之裝置利用於自印刷線路板(PWB)之表面移除焊料之方法中,該方法一般包括使用熱自PWB之表面移除外殼或環氧化組件,及使用化學焊料移除構件移除至少一部分焊料。此態樣尤其適用於包括使用Ag-Sn基焊料固定至表面之外殼的PWB,但當使用Pb-Sn焊料或環氧樹脂時,其亦可使用。較佳使用包括刷之攪動構件移除外殼或環氧化組件。在一特佳具體例中,加熱係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。如先前所述,「外殼」係相當於覆蓋PWB上之組件之通常為鋼材的覆蓋物。外殼通常係使用Ag-Sn基焊料固定至PWB。
在第四態樣之一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用熱自PWB之表面移除外殼;及使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。在一特佳具體例中,加熱係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約
20℃。
在第四態樣之另一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用熱及至少一攪動器自PWB之表面移除外殼;及使用包括第一組成物之容器的化學焊料移除器移除至少一部分焊料。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥PWB。該攪動器較佳包括刷。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
在第四態樣之又另一具體例中,自PWB之表面移除焊料之方法包括:使用加熱模組自PWB移除至少一外殼及/或環氧化組件,其中該加熱模組包括加熱機構及用於使PWB移動通過加熱機構之構件;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
第三態樣之裝置及第四態樣之方法有利地提供一種自廢PWB移除組件及焊料之更環保的方式。
雖然焊料可包含一些銀,例如,3.5重量%至10重量%,但因焊料實質上包含錫,故如前文所引介之第一組成物相對
於同時存在於該PWB上之貴金屬、含鉭金屬、及/或卑金屬選擇性地移除焊料。在使用本文所述之組成物來自其上具有含錫焊料之PWB實質上地移除該材料時,通常使第一組成物與表面在約20℃至約85℃範圍內,較佳在約20℃至約40℃範圍內接觸約5秒至約180分鐘,較佳約1分鐘至60分鐘,及最佳約5分鐘至約45分鐘之時間。此等接觸時間及溫度為說明性,可使用可有效地自PWB移除待移除焊料的任何其他適宜時間及溫度條件。
在第五態樣中,描述一種回收印刷線路板(PWB)之裝置,該裝置一般包括貴金屬浸濾構件。
本發明人先前於國際專利申請案PCT/US2011/032675中介紹一種自含貴金屬之材料回收貴金屬(例如,金)之組成物及方法,其中該方法包括將含貴金屬之材料引入至包含三碘化物之浸濾組成物中。該等含貴金屬之材料包括,但不限於,電子廢棄物諸如PWB及/或PWB組件。該貴金屬較佳包括金。含貴金屬之材料可依原樣、粉碎成粉末、撕碎成塊、壓碎(使得硬殼(例如,塑膠)裂開且其中所含之金屬經暴露)或以任何其他形式添加至浸濾組成物中,只要含貴金屬之材料中所含之金屬輕易地經暴露而自材料移除即可。
在使用時,使用於自含貴金屬之材料中浸濾貴金屬之浸濾組成物與含貴金屬之材料在約20℃至約60℃範圍內,較佳
在約20℃至約40℃範圍內接觸約5秒至約180分鐘,較佳約1分鐘至60分鐘,及最佳約5分鐘至約45分鐘之時間。此等接觸時間及溫度為說明性,可使用可有效地自含貴金屬之材料移除貴金屬的任何其他適宜時間及溫度條件。在應用時,使浸濾組成物以任何適當的方式與含貴金屬之材料(例如,PWB及/或PWB組件)接觸,例如,經由將組成物噴塗於PWB及/或PWB組件上,經由將PWB及/或PWB組件浸泡(於一定量之組成物中),經由使PWB及/或PWB組件與另一材料(例如,已於其上吸收組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接觸,或藉由任何其他藉以使浸濾組成物與PWB及/或PWB組件接觸之適當手段、方式或技術。較佳地,PWB及/或PWB組件係完全浸泡於一定量之浸濾組成物中。
於含貴金屬之材料已暴露至浸濾組成物後,可將包含金或其他貴金屬之浸濾組成物自PWB及/或PWB組件及可能存在的沈澱物分離。分離技術包括過濾、離心、傾析、或任何此等之組合。貴金屬可如PCT/US2011/032675中所述自浸濾組成物釋出。舉例來說,可藉由還原浸濾組成物中之金或其他貴金屬(例如,利用適用於該目的之還原劑)而獲得固體金屬。
雖然在貴金屬瀝濾過程期間,卑金屬的溶解一般受到抑制,但於若干重複浸濾循環後,一些卑金屬仍可能累積於組
成物中。為移除此等卑金屬,可使浸濾組成物流過含有離子交換樹脂之填充塔,在此溶解的卑金屬將被選擇性地捕捉,而三碘離子及溶解貴金屬將通過。可用於此目的之樹脂係市售的強酸性陽離子交換劑(例如,The Dow Chemical Company製造之DOWEX離子交換樹脂)。藉由卑金屬移除淨化浸濾組成物不需為各浸濾循環之一部分,但其可隨溶液受污染至其效用受負面影響之點儘可能頻繁地重複。卑金屬亦可經由在浸濾過程期間或浸濾過程及鍍金之後的電鍍移除。由於卑金屬負載量在金浸濾再次開始之前減少,因此此允許浸濾化學物質回收更多次。
一旦浸濾過程結束且經負載的三碘化物溶液自經浸濾材料分離,則可沖洗經瀝濾材料(例如,用水)以回收浸濾組成物,其可含有極大量的三碘化物及溶解金。當經瀝濾材料包含PWB時,殘留包括纖維玻璃、銅片及環氧樹脂的裸板。浸濾組成物可使用沖洗組成物輕易地自其先前所施用之PWB移除。沖洗組成物較佳包括水。其後可使用氮氣或旋轉乾燥循環乾燥PWB。
因此,在一具體例中,第五態樣包括用於回收PWB及/或PWB組件之裝置,該裝置包括貴金屬移除構件,其包括:貴金屬浸濾模組;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在另一具體例中,描述一種用於回收PWB及/或PWB組件之裝置,該裝置包括貴金屬移除構件,其包括:貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物的容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在另一具體例中,描述一種用於回收PWB及/或PWB組件之裝置,該裝置包括貴金屬移除構件,其包括:壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物的容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或
手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在另一具體例中,描述一種用於回收PWB及/或PWB組件之裝置,該裝置包括貴金屬移除構件,其包括:壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含鹽水/酸混合物之浸濾組成物或第一組成物的容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。
在第五態樣之各裝置中,該裝置可視情況包括加熱模組(例如,類似於第一態樣者),其中該PWB經引導至加熱模組以在任何額外經環氧樹脂塗布之組件殘留於板上之情況下軟化環氧樹脂,以致可輕易地移除該等組件。加熱模組可在貴金屬浸濾模組之後容易地併入至裝置中,且其較佳包括排氣烘箱,其中可達成在約100至400℃範圍內之溫度,以軟化使用環氧樹脂固定至PWB之IC。一旦環氧樹脂經軟化,則位於加熱模組內之攪動器(諸如刷、耙、或吹送氣體
或液體)可輕易地達成組件之移除。由於鉛蒸氣可能係加熱過程之副產物,因此排氣烘箱較佳包括洗滌構件。
壓碎模組(當使用時)可在線上,或可分開地達成壓碎,且使經壓碎的PWB及/或PWB組件自動或手動地進給至裝置中。壓碎構件包括,但不限於,用於粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。較佳地,當處理PWB時,將其壓碎以使板裂開。較佳地,當處理PWB組件時,將其粉碎成粉末。
在各情況中,沖洗模組包括沖洗PWB及/或PWB組件以自其移除浸濾組成物之構件。應明瞭沖洗表面可以任何適當的方式達成,例如,經由將沖洗組成物噴塗於表面上,經由將表面浸泡於一定量之沖洗組成物中,經由使表面與另一材料(例如,已於其上吸收沖洗組成物之墊、或纖維吸收性塗布器元件)接觸,經由使表面與再循環沖洗組成物接觸,或藉由任何其他藉以使沖洗組成物與待移除材料接觸之適當手段、方式或技術。沖洗組成物較佳包括水。
在各情況中,乾燥模組包括乾燥PWB之構件。較佳的乾燥構件包括,但不限於,氮氣、異丙醇、再生空氣、熱空氣或SEZ(旋轉製程技術)。
三碘離子可藉由任何已知之方法引入至浸濾組成物中,其包括,但不限於:將碘溶解於碘化物(例如,KI、NaI、NH4I)
或氫碘酸之水溶液中;原位產生碘,其與過量碘化物反應形成三碘化物;藉由硝酸、發氧方、次氯酸鹽及其類似物氧化碘化物之水溶液;及使碘化物與碘酸鹽於酸性介質中反應。若干項詳盡描述於下。
碘(I2)係相當昂貴且於水中具有低溶解度,但其可於原位產生。碘於碘化物之水溶液中係以三碘離子存在。該製程利用碘於氧化金,同時碘化物藉由形成金碘化物錯合物而促進溶解經氧化的金。
在一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,浸濾組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、視需要之至少一種有機溶劑、視需要之至少一種金屬鈍化劑、視需要之至少一種表面活性劑、視需要之至少一種緩衝劑。在另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種金屬鈍化劑、及至少一種緩衝劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又
另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種表面活性劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、至少一種表面活性劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。應瞭解存於浸濾組成物中之碘鹽或氫碘酸及氧化劑將於原位反應形成碘,及碘離子將過量,導致形成三碘化物。因此,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之瀝濾組成物將包含三碘化物、水、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具
體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之瀝濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種表面活性劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、至少一種表面活性劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。浸濾組成物係經調配為選擇性及實質上地自電子廢棄物將金浸濾至可經進一步處理以回收該金的部分中。舉例來說,在一具體例中,可使用該浸濾組成物於自卑金屬分離金或其他貴金屬,其中該等卑金屬保留為固體。
可能的氧化劑係先前於文中定義為使用於第一組成物中者。浸濾組成物中之氧化劑較佳包括發氧方、過硫酸鈉、過硫酸銨、過硫酸鉀、硝酸、過氧化氫、氯化鐵、硝酸鐵、或其組合。再更佳地,浸濾組成物中之氧化劑包括過硫酸銨、過硫酸鈉、硝酸、過碘酸、發氧方、次氯酸鈉、或其組合。
浸濾組成物中之氧化劑之量係在約0.01重量%至約25重量%,較佳約1重量%至約20重量%,及最佳約1重量%至約10重量%之範圍內。
碘鹽包括,但不限於,碘化鋰、碘化鈉、碘化鉀、碘化銨、碘化鈣、碘化鎂、及碘化四烷基銨,其中該等烷基可彼此相同或不同且係選自由直鏈C1-C6烷基(例如,甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)及分支鏈C1-C6烷基所組成之群。碘鹽較佳包括碘化鉀。可使用氫碘酸替代碘鹽。碘鹽之量係在約0.1重量%至約50重量%,較佳約1重量%至約40重量%,及最佳約10重量%至約35重量%之範圍內。
可能的有機溶劑係先前於文中定義為使用於第一組成物中者。最佳地,當存在時,浸濾組成物中之有機溶劑包括醇、二甘醇單丁醚、丙二醇、二丙二醇正丁醚、碳酸酯諸如碳酸乙二酯、及其組合。當包含時,浸濾組成物中之有機溶劑之量係在約0.01重量%至約20重量%,較佳約1重量%至約10重量%,及最佳約1重量%至約5重量%之範圍內。
可能的鈍化劑係先前於文中定義為使用於第一組成物中者。當包含時,浸濾組成物中之鈍化劑之量係在約0.01重量%至約10重量%,較佳約0.05重量%至約5重量%,及最佳約0.05重量%至約2重量%之範圍內。
涵蓋的表面活性劑包括,但不限於,酸及鹼、非離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、陽離子性表面活性劑、兩
性離子表面活性劑、及其組合。較佳的酸性或鹼性表面活性劑包括,但不限於,具有酸或鹼官能性(「頭」)及直鏈或分支鏈烴基(「尾」)之表面活性劑及/或具有酸官能性(「頭」)及全氟化烴基(「尾」)之表面活性劑。較佳的酸或鹼官能性包括磷酸、膦酸、膦酸單酯、磷酸酯單酯及二酯、羧酸、二羧酸單酯、三羧酸單酯及二酯、硫酸酯單酯、磺酸、胺、及其鹽。烴基較佳具有至少10個(例如,10-20個)碳原子(例如,癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基、十七基、十八基、十九基、二十基),除了當分子含有兩個烷基鏈(諸如於磷酸酯二酯及膦酸酯單酯中)時,6-16個碳之稍短的烴基(例如,己基、2-乙基己基、十二基)為較佳。全氟化烴基較佳具有7-14個碳原子(例如,庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基)。較佳的表面活性劑包括癸基膦酸、十二基膦酸、十四基膦酸、十六基膦酸、雙(2-乙基己基)磷酸酯、十八基膦酸、全氟庚酸、全氟癸酸、三氟甲磺酸、膦酸乙酸、十二基苯磺酸、及十二基胺。
涵蓋的非離子性表面活性劑包括,但不限於,聚氧伸乙基月桂基醚(Emalmin NL-100(Sanyo)、Brij 30、Brij 98)、十二烯基琥珀酸單二乙醇醯胺(DSDA,Sanyo)、乙二胺肆(乙氧化物-嵌段-丙氧化物)四醇(Tetronic 90R4)、聚氧伸乙基聚氧伸丙基二醇(Newpole PE-68(Sanyo)、Pluronic L31、Pluronic
31R1)、聚氧伸丙基蔗糖酯(SN008S,Sanyo)、第三辛基苯氧基聚乙氧乙醇(Triton X100)、聚氧伸乙基(9)壬基苯基醚、分支鏈(IGEPAL CO-250)、聚氧伸乙基山梨糖醇六油酸酯、聚氧伸乙基山梨糖醇四油酸酯、聚乙二醇脫水山梨糖醇單油酸酯(Tween 80)、脫水山梨糖醇單油酸酯(Span 80)、烷基多糖苷、全氟丁酸乙酯、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙[2-(5-降莰烯-2-基)乙基]三矽氧烷、單體十八烷基矽烷衍生物諸如SIS6952.0(Siliclad,Gelest)、經矽氧烷改質之聚矽氮烷諸如PP1-SG10 Siliclad Glide 10(Gelest)、聚矽氧-聚醚共聚物諸如Silwet L-77(Setre Chemical Company)、Silwet ECO Spreader(Momentive)、及醇乙氧基化物(NatsurfTM 265,Croda)。
涵蓋的陽離子性表面活性劑包括,但不限於,十七烷氟辛烷磺酸四乙銨、硬脂基氯化三甲銨(Econol TMS-28,Sanyo)、溴化4-(4-二乙胺基苯基偶氮)-1-(4-硝苄基)吡錠、單水合氯化鯨蠟基吡錠、氯化苄二甲烴銨、氯化苯銨(benzethonium chloride)、氯化苄基二甲基十二烷基銨、氯化苄基二甲基十六烷基銨、溴化十六基三甲基銨、氯化二甲基二-十八烷基銨、氯化十二烷基三甲基銨、對甲苯磺酸十六烷基三甲基銨、溴化二-十二烷基二甲基銨、氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、溴化四庚基銨、溴化肆(癸基)銨、Aliquat® 336及溴化羥苯乙胺(oxyphenonium bromide)。烴基較佳具有至
少10個(例如,10-20個)碳原子(例如,癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基、十七基、十八基、十九基、二十基),除了當分子含有兩個官能化烷基鏈(諸如於氯化二甲基二-十八烷基銨、溴化二甲基二-十六烷基銨及氯化二(氫化牛脂)二甲基銨中)時,6-20個碳之稍短的烴基(例如,己基、2-乙基己基、十二基)為較佳。
涵蓋的陰離子性表面活性劑包括,但不限於,聚氧伸乙基月桂基醚鈉、二己基磺酸琥珀酸鈉、二環己基磺酸琥珀酸鈉鹽、7-乙基-2-甲基-4-十一基硫酸鈉(Tergitol 4)、SODOSIL RM02、及磷酸酯氟表面活性劑諸如Zonyl FSJ。
兩性離子表面活性劑包括,但不限於,環氧乙烷烷基胺(AOA-8,Sanyo)、N,N-二甲基十二烷基胺N-氧化物、椰油醯兩性基丙酸鈉(sodium cocaminpropinate)(LebonApl-D,Sanyo)、3-(N,N-二甲基肉豆蔻基銨基)丙磺酸鹽、及(3-(4-庚基)苯基-3-羥丙基)二甲銨基丙磺酸鹽。
可視需要將無機酸添加至浸濾組成物中。舉例來說,浸濾組成物可進一步包括硫酸、鹽酸、氫溴酸、或氫碘酸。
浸濾組成物之pH較佳係約3至約10,更佳係約4至約8及最佳係約6至約8。在一較佳具體例中,添加緩衝劑以維持浸濾組成物之pH於約5至約8之範圍內。緩衝劑係技藝中所熟知,且可包括,例如,磷酸鹽緩衝劑諸如磷酸單鈉/磷酸二鈉或磷酸單鉀/磷酸二鉀。
浸濾組成物係藉由簡單地添加個別成分及混合至均勻狀態而容易地調配。此外,該等組成物可輕易地調配為在使用點或之前混合的多部分調配物,例如,多部分調配物的個別部分可於工具或工具上游的儲存槽中混合。個別成分之濃度可在組成物的特定倍數內寬廣地改變,即更稀或更濃,且當明瞭組成物可變化及替代地包含與文中揭示一致之成分的任何組合,由其所組成,或基本上由其所組成。
較佳地,在一具體例中,浸濾組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:碘化鉀、過硫酸鈉及水,更佳約20重量%至約30重量%碘化鉀、約4重量%至約10重量%過硫酸鈉及水。在另一具體例中,浸濾組成物包含下列成分,由其所組成,或基本上由其所組成:碘化鉀、過硫酸銨及水,更佳約20重量%至約30重量%碘化鉀、約4重量%至約10重量%過硫酸銨及水。在又另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、過硫酸鈉、BTA、及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、過硫酸鈉、BTA、磷酸鹽緩衝劑、及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、硝酸及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、過碘酸、氫氯酸及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中之浸濾組成物包含碘化鉀、發氧方及水,由其所組成,或基
本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、次氯酸鈉、氫氯酸及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含碘化鉀、原位產生碘及水,由其所組成,或基本上由其所組成。浸濾組成物實質上不含王水及含氰化物組分。浸濾組成物較佳係水溶性、非腐蝕性、非可燃性及低毒性。
熟悉技藝人士應瞭解一旦金或其他貴金屬自PWB及/或PWB組件浸濾出,則可將剩餘材料棄置、回收利用或經歷進一步回收。於將金或其他貴金屬萃取/浸濾至浸濾組成物中後,可經由還原金屬離子而獲得金或其他貴金屬,如於PCT/US2011/032675中詳盡論述。還原劑較佳係所謂的環保化學品。較佳的還原劑包括,但不限於,抗壞血酸、丙二酸二乙酯、偏亞硫酸氫鈉、多酚60(P60,綠茶萃取物)、葡萄糖、及檸檬酸鈉。舉例來說,如2010年8月20日提出申請之美國臨時專利申請案第61/375,273號,標題「自電子廢棄物回收貴金屬及卑金屬之可維持方法(Sustainable Process for Reclaiming Precious Metals and Base Metals from e-Waste)」(將其全文併入本文為參考資料)中所引介,於pH 1下引入至包含Au3+離子之組成物中的抗壞血酸產生高純度的金屬金。可將偏亞硫酸氫鈉(SMB)添加至在pH 1或pH 7下之包含Au3+離子之組成物中,及產生高純度的金屬金。或者,可經由電解提煉或電化學技術將金離子轉化為金金
屬。可使用任何合適的方式來移除沈澱的金。沈降及傾析、通過壓濾機過濾溶液或離心係用於此移除的方便程序。
亦涵蓋可使用浸濾組成物來同時自PWB固體材料分離碳及貴金屬。明確言之,貴金屬浸濾模組可進一步包括用於泡沫浮選之構件,其中使用泡沫浮選來自其他材料分離碳。泡沫浮選使用起泡劑(其在含水管柱之頂端產生穩定泡沫層(「泡沫」))及用於在泡沫層中集中碳的收集劑。一般而言,自電子廢棄物分離碳之方法包括使包含該碳及貴金屬之電子廢棄物與浸濾組成物接觸,該浸濾組成物包含如文中所述之三碘化物及至少一種起泡劑及至少一種收集劑以形成混合物;產生泡沫層及液體層;及自液體層分離泡沫層,其中該泡沫層包含碳及該液體層包含貴金屬。可將剩餘的固體電子廢棄物棄置或進一步處理。泡沫層係藉由引導氣體通過混合物所產生。
如熟悉技藝人士所可輕易明瞭,較佳使包含電子廢棄物、三碘化物、至少一種起泡劑及至少一種收集劑之混合物經攪動(例如,攪拌)。浮選可在室溫下於矩形或圓柱形機械攪動池或槽、浮選管柱、短柱狀浮選池(Jameson cell)或脫墨浮選機器中進行。應明瞭經引入以產生泡沫的氣體可包括空氣、氮氣、氧氣、氬氣、氦氣、二氧化碳、一氧化二氮、氫氣、及其任何組合。較佳地,氣體包括空氣且泡沫係藉由起泡所產生。熟悉技藝人士應明瞭可容易地決定起泡速率以達成泡
沫形成。氣體可使用燒結管(fritted tube)引入至池、槽、或管柱中。如熟悉技藝人士所可輕易明瞭,泡沫層可藉由「撇清」或者將泡沫自液體層刮除而容易地自液體層分離。此外,可不利用撇清或刮除而使泡沫層自池或容器之邊緣溢流。於自液體層分離泡沫層之後,可處理泡沫層以回收其中所含之經濃縮的含碳材料,且可處理液體層以回收貴金屬。剩餘的固體電子廢棄物可經棄置或進一步處理。液體層較佳為水性。
雖然不希望受限於理論,但據認為起泡劑可減小水的表面張力,以將上升氣泡穩定成一層泡沫,其中親水性材料(例如,碳)收集於其上。該至少一種起泡劑較佳係環保的且包括形式上水合的萜烯類,包括,但不限於,萜品醇、香茅醇、薄荷醇、沈香醇、莰醇、異莰醇、葑醇、二氫香葉烯醇、橙花醇、及其組合,如下文所說明。其他起泡劑包括甲基異丁基甲醇(MIBC)。起泡劑較佳實質上不含甲基異丁基甲醇及其他衍生自不可再生資源的起泡劑。起泡劑較佳包含萜品醇。
雖然不希望受限於理論,但據認為收集劑優先吸附至混合物中之一種組分(例如,碳),使其變得更疏水,以致其與上升氣泡締和。該至少一種收集劑較佳係環保的且包括不飽和烴萜烯類,包括,但不限於,檸檬烯、水芹烯(phellandrene)、萜品烯、苹烯(pinene)、莰烯、蒈-3-烯、香檜烯(sabinene)、側柏烯(thujene)、別-蘿勒萜(allo-ocimene)、蘿勒萜、香葉烯(myrcene)、二氫香葉烯、及其組合,如下文所說明。收集劑較佳實質上不含煤油及其他衍生自不可再生資源的收集劑。收集劑較佳包含檸檬烯。
收集劑較佳包含檸檬烯及起泡劑包含萜品醇。
因此,在又另一具體例中,描述一種用於回收PWB及/
或PWB組件之裝置,該裝置包括碳及貴金屬移除構件,其包括:貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物、至少一種起泡劑、及至少一種收集劑之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。PWB組件較佳係經粉碎。
在又另一具體例中,描述一種用於回收PWB及/或PWB組件之裝置,該裝置包括碳及貴金屬移除構件,其包括:壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物、至少一種起泡劑、及至少一種收集劑之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使PWB及/或PWB組件自動或手動地自貴金屬浸濾模組移動至沖洗模組及至乾燥模組。在一特佳具體例中,PWB及/或PWB組件係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。PWB組件較佳係經粉碎。
包含碳及貴金屬移除構件之該裝置可進一步包括如文中
所述之加熱模組,其可於貴金屬浸濾模組之後容易地併入至裝置中。
關於浸濾組成物,用於自電子廢棄物移除碳及貴金屬之浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種金屬鈍化劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種緩衝劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧
化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種表面活性劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,浸濾組成物包含至少一種氧化劑、至少一種碘鹽或氫碘酸、水、至少一種有機溶劑、至少一種表面活性劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種金屬鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。應瞭解存於浸濾組成物中之碘鹽或氫碘酸及氧化劑將於原位反應形成碘,及碘離子將過量,導致形成三碘化物。因此,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及水,由其所組成,或基本上由其所組成。在另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種有機溶劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之瀝濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種表面活性劑,由其所組
成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之瀝濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種表面活性劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種表面活性劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。在又另一具體例中,於原位反應後之浸濾組成物將包含三碘化物、水、至少一種有機溶劑、至少一種表面活性劑、至少一種起泡劑、至少一種收集劑、及至少一種鈍化劑,由其所組成,或基本上由其所組成。
因此,在第六態樣中,描述一種自電子廢棄物移除碳及至少一種貴金屬之方法,該方法包括:將PWB及/或PWB組件引入至包含三碘化物、至少一種起泡劑、及至少一種收集劑之浸濾組成物中;產生泡沫層及液體層;及自液體層分離泡沫層,其中該等貴金屬實質上經移除至液體中,及該碳實質上經移除至泡沫中。
在第七態樣中,描述一種用於回收電子廢棄物(例如,PWB)之裝置,該裝置一般包括脫焊裝置及貴金屬浸濾裝置(參見,圖6)。脫焊裝置可對應於文中所述之第一或第三態樣之裝置,但應瞭解可使用其他脫焊裝置。貴金屬浸濾裝置可對應於文中所述之第五態樣之裝置,但應瞭解可使用其他貴金屬浸濾裝置。該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物(例如,PWB、經壓碎的IC粉末等)自動或手動地自脫焊裝置移動至貴金屬浸濾裝置。在一特佳具體例中,電子廢棄物(例如,PWB)係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。脫焊裝置及貴金屬浸濾裝置較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。
在第七態樣之一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組;化學焊料移除模組;沖洗模組;乾燥模組;貴金屬浸濾模組;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各
模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。
在第七態樣之另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組,其包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;化學焊料移除模組,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;沖洗模組;乾燥模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第七態樣之又另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組;化學焊料移除模組;加熱模組;沖洗模組;乾燥模組;視需要之壓碎模組;貴金屬浸濾模組;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。涵蓋在加熱模組之後,可將電子廢棄物再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3中展示為選項及文中所說明。當存在時,壓碎模組包括,但不限於,用於粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。
在第七態樣之又另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組,其包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;化學焊料移除模組,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;加熱模組;沖洗模組;乾燥模組;視需要之壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。涵蓋在加熱模組之後,可將電子廢棄物再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3中展示為選項及文中所說明。當存在時,壓碎模組包括,但不限於,用於
粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第七態樣之另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組;化學焊料移除模組;視需要之加熱模組;沖洗模組;乾燥模組;壓碎模組;貴金屬浸濾模組;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。當存在時,涵蓋在加熱模組之後,可將電子廢棄物再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3
中展示為選項及文中所說明。壓碎模組包括,但不限於,用於粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。
在第七態樣之又另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:機械焊料移除模組,其包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;化學焊料移除模組,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;視需要之加熱模組;沖洗模組;乾燥模組;壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。
在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。當存在時,涵蓋在加熱模組之後,可將電子廢棄物再引入至化學焊料移除器、沖洗模組、及乾燥模組中,如圖3中展示為選項及文中所說明。壓碎模組包括,但不限於,用於粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第七態樣之又另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:加熱模組,其包括加熱機構及用於使廢PWB移動通過該加熱機構之構件;化學焊料移除模組,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;沖洗模組;乾燥模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、
輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。較佳地,加熱模組包括包含刷的攪動構件及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。廢PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
在第七態樣之又另一具體例中,用於回收電子廢棄物之裝置包括:加熱模組,其包括加熱機構及用於使廢PWB移動通過該加熱機構之構件;化學焊料移除模組,其包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;沖洗模組;乾燥模組;壓碎模組;貴金屬浸濾模組,其包括含三碘化物之浸濾組成物之容器;沖洗模組;及乾燥模組。
該裝置較佳係經設計成使電子廢棄物自動或手動地在各模組間移動。在一特佳具體例中,電子廢棄物係於輸送帶、
輸送輥、或輸送輪上移動通過裝置。該等模組較佳係經附著,以致電子廢棄物自動地及連續地自一者移動至另一者。在一特佳具體例中,電子廢棄物包含PWB及貴金屬包含金。壓碎模組包括,但不限於,用於粉碎之構件、用於撕碎之構件、及用於壓碎PWB及/或PWB組件以使硬殼(例如,塑膠)裂開之構件,此如熟悉技藝人士所可輕易決定。較佳地,加熱模組包括包含刷的攪動構件及用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。廢PWB可使用夾子或其他鉗夾構件自輥鏈懸掛。在一特佳具體例中,加熱機構係保持在低於焊料或環氧樹脂之熔點至少1℃至約20℃。
不管使用第七態樣之何具體例,與文中之揭示一致地,焊料可包含鉛、錫、或鉛及錫之組合。較佳地,電子廢棄物包括包含PWB之表面,及可回收材料包含組件(例如,IC)、貴金屬、卑金屬、或組件、貴金屬及卑金屬之任何組合。可收集經釋放的組件,且可將其分離成可再利用及可再銷售者,及可經進一步加工以處置、回收有用材料者等等。第一組成物較佳相對於貴金屬、及/或卑金屬選擇性地移除焊料(例如,鉛、錫、其合金、及其組合),且於移除焊料後釋放之組件可輕易地收集及分類供再利用或回收用。於焊料移除後,可使包括鉛及/或錫離子之第一組成物經歷進一步加工(例如,電解提煉)以回收鉛及/或錫。較佳地,在引入至貴金屬浸濾模組之前,將電子廢棄物壓碎。於浸濾後,可如文
中所述使金沈澱。接觸條件(即時間及溫度)於文中引介。有利地,該裝置允許使用者採用廢棄及用過的印刷線路板及回收其上所包含的電子組件及金屬供再利用。
在第八態樣中,描述一種回收電子廢棄物之方法,該方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥電子廢棄物。該電子廢棄物較佳包括PWB。
在第八態樣之一具體例中,描述一種回收電子廢棄物之方法,該方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥電子廢棄物。該電子廢棄物較佳包括PWB。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
在第八態樣之又另一具體例中,回收電子廢棄物之方法包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料;使用加熱構件移除經環氧樹脂覆蓋之組件;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
該方法可進一步包括沖洗及乾燥電子廢棄物。該電子廢棄物較佳包括PWB。該機械焊料移除器較佳包括用於自電子廢棄物之表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器。該化學焊料移除器較佳包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該電子廢棄物係部分浸泡於第一組成物中。該攪動器較佳包括至少一個刷、耙、或吹送氣體或液體。
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雖然本發明已參照說明性具體例及特徵以不同方式揭示於文中,但當明瞭上文所述之具體例及特徵並非意欲限制本發明,且熟悉技藝人士基於文中揭示內容當可明白其他變化、修改及其他具體例。因此,應將本發明廣義地解釋為涵蓋在後文記述之申請專利範圍之精神及範疇內的所有此等變化、修改及替代具體例。
110‧‧‧加熱模組
120‧‧‧加熱機構
130‧‧‧輥鏈
140‧‧‧鏈輪
150‧‧‧PWB
170‧‧‧附著區域
180‧‧‧脫離區域
190‧‧‧夾子或鉗子
200‧‧‧零件抽屜
210‧‧‧夾支撐鉗
220‧‧‧刷
230‧‧‧貯槽
圖1說明用於回收印刷線路板之一般裝置及方法。
圖2說明將回收印刷線路板部分浸泡於化學焊料移除器
組成物中。
圖3說明用於自印刷線路板移除焊料之裝置的一具體例。
圖4說明用於自印刷線路板移除焊料之裝置的另一具體例。
圖5說明用於自印刷線路板及/或印刷線路板組件濾出金之裝置的一具體例。
圖6說明用於回收印刷線路板之一般裝置。
圖7係熱脫焊單元之內部組件的俯視圖。
圖8係圖7之熱脫焊單元之內部組件的前視圖。
圖9係圖7之熱脫焊單元之內部組件的側視圖。
圖10係行動電話PWB在加熱之前(A)及加熱之後(B)。
圖11係圖10(A)之行動電話PWB在化學脫焊之前(A)及化學脫焊之後(B)。
Claims (32)
- 一種用於處理電子廢棄物之裝置,該裝置包括:(a)機械焊料移除模組;及(b)化學焊料移除模組;其中該等模組係彼此相連地連接。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該機械焊料移除模組包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其中,該化學焊料移除模組包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該電子廢棄物係部分浸泡於第一組成物中。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其進一步包括位於該化學焊料移除模組之上游及/或下游的加熱模組。
- 如申請專利範圍第4項之裝置,其中,該加熱模組包括至少一攪動器。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其進一步包括位於該加熱模組之下游的至少一沖洗模組。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其進一步包括位於該化學焊料移除模組之下游的至少一沖洗模組。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其進一步包括貴金屬浸濾模組。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其中,該貴金屬浸濾模 組包括含三碘化物之浸濾組成物之容器。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其中,該貴金屬浸濾模組自電子廢棄物分離碳。
- 如申請專利範圍第9項之裝置,其中,該浸濾組成物進一步包含至少一種起泡劑及至少一種收集劑。
- 如申請專利範圍第10項之裝置,其中,該貴金屬浸濾模組進一步包括起泡構件。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其進一步包括位於該貴金屬浸濾模組下游之至少一沖洗模組。
- 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其中,該電子廢棄物包括印刷線路板(PWB)。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其中,該貴金屬包括選自由下列所組成之群之至少一物種:金、銀、鈀、鉑、銠、銥、鋨、錸、及釕。
- 如申請專利範圍第2項之裝置,其中,該攪動器包括至少一刷、耙、或吹送氣體或液體。
- 一種回收電子廢棄物之方法,其包括:使用機械焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該機械焊料移除器包括用於自表面機械移除焊料之至少一刀片及至少一攪動器;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該 PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
- 一種用於處理電子廢棄物之裝置,該裝置包括:(a)用於自PWB移除外殼或環氧化組件之加熱模組;及(b)化學焊料移除模組,其中該等模組係彼此相連地連接。
- 如申請專利範圍第18項之裝置,其中,該加熱模組包括加熱機構及用於使廢PWB移動通過該加熱機構之構件。
- 如申請專利範圍第18或19項之裝置,其中,該加熱機構包括攪動構件。
- 如申請專利範圍第20項之裝置,其中,該攪動構件包括刷。
- 如申請專利範圍第19項之裝置,其中,該用於使廢PWB移動通過加熱機構之構件包括輥鏈。
- 如申請專利範圍第18或19項之裝置,其中,該化學焊料移除模組包括第一組成物之容器。
- 如申請專利範圍第18或19項之裝置,其中,該裝置進一步包括位於該化學焊料移除模組之下游的至少一沖洗模組。
- 如申請專利範圍第18或19項之裝置,其進一步包括貴金屬浸濾模組。
- 如申請專利範圍第25項之裝置,其中,該貴金屬浸濾 模組包括含三碘化物之浸濾組成物之容器。
- 如申請專利範圍第26項之裝置,其中,該貴金屬浸濾模組自電子廢棄物分離碳。
- 如申請專利範圍第26項之裝置,其中,該浸濾組成物進一步包含至少一種起泡劑及至少一種收集劑。
- 如申請專利範圍第28項之裝置,其中,該貴金屬浸濾模組進一步包括起泡構件。
- 如申請專利範圍第25項之裝置,其進一步包括位於該貴金屬浸濾模組上游之至少一壓碎模組。
- 如申請專利範圍第18或19項之裝置,其進一步包括位於該貴金屬浸濾模組下游之至少一沖洗模組。
- 一種回收電子廢棄物之方法,其包括:使用加熱模組自PWB移除至少一外殼,其中該加熱模組包括加熱機構及用於使PWB移動通過該加熱機構之構件;使用化學焊料移除器移除至少一部分焊料,其中該化學焊料移除器包括第一組成物之容器及至少一攪動器,其中該PWB係部分浸泡於第一組成物中;及使用浸濾組成物移除至少一部分貴金屬。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161576035P | 2011-12-15 | 2011-12-15 | |
US201261589583P | 2012-01-23 | 2012-01-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201345601A true TW201345601A (zh) | 2013-11-16 |
Family
ID=48613157
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104127903A TW201544165A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
TW104127899A TW201544164A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
TW101147400A TW201345601A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
TW104127907A TW201544166A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104127903A TW201544165A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
TW104127899A TW201544164A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104127907A TW201544166A (zh) | 2011-12-15 | 2012-12-14 | 在回收廢電氣和電子設備期間剝除焊料金屬之裝置及方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9221114B2 (zh) |
EP (1) | EP2790845B1 (zh) |
JP (2) | JP2014529500A (zh) |
KR (2) | KR20140139131A (zh) |
CN (2) | CN106944452A (zh) |
AP (1) | AP2014007781A0 (zh) |
BR (1) | BR112014014495A2 (zh) |
ES (1) | ES2619568T3 (zh) |
IN (1) | IN2014KN01462A (zh) |
SG (2) | SG10201604733WA (zh) |
TW (4) | TW201544165A (zh) |
WO (1) | WO2013090517A1 (zh) |
Families Citing this family (45)
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US9228247B2 (en) * | 2013-09-11 | 2016-01-05 | Antaya Technologies Corporation | Solder recovery unit |
-
2012
- 2012-12-13 US US14/240,220 patent/US9221114B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-13 KR KR1020147031333A patent/KR20140139131A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-12-13 JP JP2014527370A patent/JP2014529500A/ja active Pending
- 2012-12-13 ES ES12857057.9T patent/ES2619568T3/es active Active
- 2012-12-13 CN CN201610977214.3A patent/CN106944452A/zh active Pending
- 2012-12-13 AP AP2014007781A patent/AP2014007781A0/xx unknown
- 2012-12-13 SG SG10201604733WA patent/SG10201604733WA/en unknown
- 2012-12-13 BR BR112014014495A patent/BR112014014495A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-12-13 KR KR1020147006190A patent/KR101699136B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-13 IN IN1462KON2014 patent/IN2014KN01462A/en unknown
- 2012-12-13 CN CN201610977467.0A patent/CN106914470A/zh active Pending
- 2012-12-13 EP EP12857057.9A patent/EP2790845B1/en not_active Not-in-force
- 2012-12-13 SG SG11201403228RA patent/SG11201403228RA/en unknown
- 2012-12-13 WO PCT/US2012/069404 patent/WO2013090517A1/en active Application Filing
- 2012-12-14 TW TW104127903A patent/TW201544165A/zh unknown
- 2012-12-14 TW TW104127899A patent/TW201544164A/zh unknown
- 2012-12-14 TW TW101147400A patent/TW201345601A/zh unknown
- 2012-12-14 TW TW104127907A patent/TW201544166A/zh unknown
-
2015
- 2015-07-17 US US14/802,219 patent/US20150321279A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-20 US US14/803,962 patent/US9731368B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-20 US US14/803,936 patent/US9649712B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-02-28 JP JP2017036050A patent/JP6397946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2790845A1 (en) | 2014-10-22 |
US20140191019A1 (en) | 2014-07-10 |
WO2013090517A1 (en) | 2013-06-20 |
KR20140045581A (ko) | 2014-04-16 |
TW201544165A (zh) | 2015-12-01 |
US9221114B2 (en) | 2015-12-29 |
TW201544164A (zh) | 2015-12-01 |
CN106914470A (zh) | 2017-07-04 |
US20150322545A1 (en) | 2015-11-12 |
ES2619568T3 (es) | 2017-06-26 |
BR112014014495A2 (pt) | 2017-06-13 |
AP2014007781A0 (en) | 2014-07-31 |
IN2014KN01462A (zh) | 2015-10-23 |
EP2790845B1 (en) | 2017-02-08 |
JP2017095810A (ja) | 2017-06-01 |
JP2014529500A (ja) | 2014-11-13 |
SG11201403228RA (en) | 2014-07-30 |
JP6397946B2 (ja) | 2018-09-26 |
CN106944452A (zh) | 2017-07-14 |
US9731368B2 (en) | 2017-08-15 |
US20150321279A1 (en) | 2015-11-12 |
EP2790845A4 (en) | 2015-07-08 |
CN103402659A (zh) | 2013-11-20 |
KR20140139131A (ko) | 2014-12-04 |
SG10201604733WA (en) | 2016-08-30 |
TW201544166A (zh) | 2015-12-01 |
US20150322540A1 (en) | 2015-11-12 |
US9649712B2 (en) | 2017-05-16 |
KR101699136B1 (ko) | 2017-01-23 |
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